JP2011176064A - ウェハ保持体 - Google Patents
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Abstract
【課題】セラミックス基体中に埋設された導電体に給電するための電極部材の腐蝕をなくし、長期に使用しても信頼性の高いウェハ保持体を提供する。
【解決手段】 本発明のウェハ保持体は、セラミックス基体中に埋設された導電体に接続された導電端子と、導電端子に接続された変形能を有する電極接続導電体が、ウェハ保持体に接続された筒状セラミックス部材に包囲され、該筒状セラミックス部材の内部が非酸化性雰囲気に封止された構造である。
【選択図】 図1
【解決手段】 本発明のウェハ保持体は、セラミックス基体中に埋設された導電体に接続された導電端子と、導電端子に接続された変形能を有する電極接続導電体が、ウェハ保持体に接続された筒状セラミックス部材に包囲され、該筒状セラミックス部材の内部が非酸化性雰囲気に封止された構造である。
【選択図】 図1
Description
本発明は、プラズマCVD、減圧CVD、メタルCVDなどの半導体ウェハに所定の処理を行うための半導体製造装置に用いられるウェハ保持体に関する。
半導体の製造工程では、被処理物である半導体ウェハに対して成膜処理やエッチング処理など様々な処理が行われる。このような半導体ウェハに対する処理を行う処理装置では、半導体ウェハを保持するためのウェハ保持体が用いられている。
このような従来のウェハ保持体は、近年窒化アルミニウム等のセラミックスを用いたものが実用化されている。これらのセラミックス製ウェハ保持体では、セラミックスの内部もしくは表面に、RF電極や静電チャック用電極や抵抗発熱体回路などの導電体が形成されている。これらの導電体へ給電するために、各種の電極が提案されている。
特許文献1には、セラミックスヒータ部と、このセラミックスヒータ部を保持するために反応容器内に設置された保持部材と、ヒータ端子に連結されたリードとを有する半導体ウェハ加熱装置であって、リードの少なくとも1つを無機質絶縁材料からなる筒状体によって包囲し、この筒状体の一端をセラミックスヒータに対して気密に接合し、且つ筒状体の他端を反応容器に設けられた貫通孔に挿通して気密にシールしている。
特許文献1の構造においては、リードを収納した筒状体はセラミックスヒータ部に接合され且つ反応容器を挿通して容器と気密に封止されているため、必然的に筒状体内部は大気圧となる。このため、セラミックスヒータ部に給電するためのリードは、大気雰囲気に曝されると共に、セラミックスヒータ部の加熱によってリードのセラミックスヒータ部側の温度が高温になる。このため、高温になったリード部が、空気中の酸素の影響で腐蝕されやすいという問題があった。
また、リードは棒状の金属で構成されており、容器などに固定されていないが、リードを容器からの取り出し口付近で、容器に固定した場合、セラミックスヒータの加熱と冷却によって、リードが熱膨張と熱収縮を繰り返すことになる。リードが熱膨張と熱収縮を繰り返すと、抵抗発熱体との接合部分が外れたり、あるいはセラミックスヒータ部を破損させるといった問題があった。
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものである。すなわち、本発明は、セラミックス基体中に埋設された導電体に給電するための電極部材の腐蝕をなくし、長期に使用しても信頼性の高いウェハ保持体を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、発明者らは、セラミックス基体中に埋設された導電体に給電するための電極の少なくとも一部を変形能を有した金属加工部品とし、導電体との接続部から容器までの間の電極を筒状セラミックス部材で包囲し、筒状セラミックス部材とセラミックス基体を接続すると共に、筒状セラミックス部材の他端を封止して、筒状セラミックス部材の内部を非酸化性雰囲気とすれば、電極の腐蝕を完全に防止することができ、長期に使用してもセラミックス基体の破損などが発生せず、信頼性の高いウェハ保持体とすることができることを見出した。
すなわち、本発明のウェハ保持体は、被処理物保持面を有するセラミックス基体中に導電体が埋設されたウェハ保持体であって、被処理物保持面以外の面に露出し前記導電体に接続された導電端子と、該導電端子に接続された電極接続導電体とを有し、該電極接続導電体は、変形能を有した金属加工部品を有しており、前記導電端子と電極接続導電体が、前記ウェハ保持体に接続された筒状セラミックス部材に包囲されており、該筒状セラミックス部材のウェハ保持体と反対側の他端が封止され、前記筒状セラミックス部材の内部が非酸化性雰囲気であることを特徴とする。
また、前記電極接続導電体は、前記筒状セラミックス部材の外部に導電性接続部品を有しており、該導電性接続部品は、変形能を有する金属加工部品を有していてもよい。
前記変形能を有する金属加工部品とは、熱膨張や熱収縮を吸収することができる金属加工部品である。具体的には、金属の細線、金属の細線を撚った撚り線、金属箔、金属ベローズのいずれかであることが好ましい。
本発明によれば、セラミックス基体中に埋設された導電体に給電するための電極部材の腐蝕をなくし、長期に使用しても信頼性の高いウェハ保持体を提供することができる。
図1を参照して、本発明のウェハ保持体10は、被処理物保持面1aを有するセラミックス基体1中に導電体2が埋設されている。導電体は、抵抗発熱体、プラズマ発生用電極、静電チャック用電極の少なくとも1つである。導電体には、被処理物保持面以外の面に露出した前記導電体に接続された導電端子3と、導電端子に接続された電極接続導電体4とを有しており、該電極接続導電体は、変形能を有した金属加工部品を有している。
そして、導電端子と電極接続導電体とが、ウェハ保持体に接続された筒状セラミックス部材5に包囲されており、この筒状セラミックス部材のウェハ保持体と反対側の端部が封止部材6によって封止され、筒状セラミックス部材の内部が非酸化性雰囲気となっている。
電極接続導電体には、封止部材を貫通し、電源に接続するためのケーブル7が接続されている。なお、電極接続導電体が前記封止部材を貫通し、前記封止の外側で前記ケーブルと接続されていてもよい。あるいは、封止部材を介して、電極接続導電体とケーブルが接続される構造でも良い。更には、電極接続導電体を加工して、電極接続導電体の一部を封止部材とする構造でも良い。なお、図は、模式図として電極接続導電体等は1つしか示していないが、実際には電気回路として必要な数を設置する。
また、図2に示すように、前記電極接続導電体とケーブルとの間に、導電性接続部品8を挿入する構成であってもよく、導電接続部品は、変形能を有する金属加工部品を有する。
電極接続導電体あるいは導電性接続部品が有する変形能を有する金属加工部品とは、熱膨張あるいは熱収縮によって、自由に伸び縮み可能な金属加工部品である。このような金属加工部品は、棒状の金属とは異なり、熱膨張あるいは熱収縮による伸び縮みによってセラミックス基体に負荷をかけることがない。また、導電体と導電端子との接続部分や導電端子と電極接続導電体との接続部分が外れることを防止することができる。
変形能を有する金属加工部品とは、具体的には、金属の細線、金属の細線を撚った撚り線、金属箔、金属ベローズのいずれかである。
前記電極接続導電体あるいは導電性接続部品の全体が、前記変形能を有する金属加工部品であっても良いし、電極接続導電体あるいは導電性接続部品の一部が、変形能を有する金属加工部品であっても良い。但し、接続箇所を少なくした方が、腐蝕防止の効果がより高くなるので、電極接続導電体あるいは導電性接続部品の全体が、変形能を有する金属加工部品であることの方が好ましい。
導電端子と電極接続導電体とが、筒状セラミックス部材に包囲される。筒状セラミックス部材は、前記セラミックス基体に接続され、セラミックス基体に接続されたのとは反対側の筒状セラミックス部材の他端は封止され、筒状セラミックス部材の内部は、非酸化性雰囲気とする。
筒状セラミックス部材とセラミックス基体との接続、並びに筒状セラミックス部材の他端の封止は、結晶化ガラスなどの融点の高い材料を用いて気密に封止する。樹脂等は、耐熱性が低いので、好ましくない。
また、前記他端の封止は、結晶化ガラスのみで行ってもよく、この場合は結晶化ガラスが封止部材となる。他端の封止のハンドリングを容易にするために、封止部材と結晶化ガラスを組み合わせて行う方が好ましい。筒状セラミックス部材の内側あるいは他端に封止部材をはめ込みあるいはあてがって、これらを結晶化ガラス等で、封止することが好ましい。この封止部材は、筒状セラミックス部材との熱膨張係数の差が小さいことが好ましく、同じ材質であることがより好ましい。
非酸化性雰囲気は、電極や筒状セラミックス部材と反応しなければ、特に限定されないが、コスト面からは、窒素やアルゴンが好ましい。特に、窒素であれば、前記他端の封止のための結晶化ガラスの焼成時の雰囲気を窒素としておけば、他端の封止と同時に筒状セラミックス部材の内部を非酸化性雰囲気とすることができるので、コストの観点からより好ましい。
セラミックス基体の材質は、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、シリコンと炭化ケイ素の複合体、アルミニウムと炭化ケイ素の複合体などを用いることができる。熱伝導がよいことの観点からは、窒化アルミニウム、シリコンと炭化ケイ素の複合体、アルミニウムと炭化ケイ素の複合体が好ましい。剛性が高いことの観点からは、窒化ケイ素、炭化ケイ素、シリコンと炭化ケイ素の複合体が好ましい。
導電体は、ステンレス、ニッケルクロム合金、インコネル、モリブデン、タングステンなどの金属箔あるいは、それらの金属の線材(コイル)であってもよい。また、モリブデン、タングステン、タンタルなどの金属粉末にバインダーと溶剤を混合した導電性ペーストをスクリーン印刷によって塗布し、焼成することにより形成してもよい。
筒状セラミックス部材の材質は、無機質のセラミックスであれば、特に制約はないが、セラミックス基体と接続するので、熱膨張係数がセラミックス基体に近いものが好ましく、セラミックス基体の材質と同一であることがより好ましい。
窒化アルミニウム(AlN)粉末99.5重量部に、酸化イットリウム(Y2O3)を、0.5重量部添加し、アクリルバインダー、有機溶剤を加え、ボールミルにて24時間混合して、AlNスラリーを作製した。このスラリーを、スプレードライにて顆粒を作製し、プレス成形した後、700℃、窒素雰囲気中で脱脂し、1850℃、窒素雰囲気中で焼結し、窒化アルミニウム(AlN)焼結体を複数作製した。このAlN焼結体を機械加工して、直径330mm、厚さ10mmとした。このAlN焼結体の上下面の表面粗さはRa0.8μm、平面度は50μmであった。
平均粒径が2.0μmのタングステン(W)粉末を100重量部として、Y2O3を1重量部と、5重量部のバインダーであるエチルセルロースと、溶剤としてブチルカルビトールを混合してWペーストを作製した。このWペーストをスクリーン印刷で、前記AlN焼結体の一方の面に抵抗発熱体回路を、他方の面に高周波電極回路(プラズマ発生用電極)を形成した。これを窒素雰囲気中800℃で脱脂した後、窒素雰囲気中1800℃で6時間焼成し、AlN焼結体の片方の面に抵抗発熱体、他方の面に高周波電極回路を作製した。
また、AlN20重量部、Y2O330重量部、Al2O3残部からなる粉末に、バインダーと有機溶剤を加え、セラミックスペースとを作製した。このセラミックスペーストを、前記AlN焼結体の抵抗発熱体及び高周波電極回路が形成された上下面全面に、スクリーン印刷にて塗布し、乾燥後窒素雰囲気中800℃で脱脂した。
脱脂後、別途作製したAlN焼結体を前記AlN焼結体の上下面に重ね合わせ、2MPaの圧力で、窒素雰囲気中1800℃、2時間ホットプレスを行い、ウェハ保持体を作製した。なお、抵抗発熱体側のAlN焼結体の厚みは9mmとし、高周波電極回路側のAlN焼結体の厚みは1mmとした。
このウェハ保持体の抵抗発熱体側の面から、抵抗発熱体と高周波電極回路が露出するようにザグリ加工を行った。露出した抵抗発熱体及び高周波電極回路にそれぞれニッケルメッキを施したW製の導電端子を接続した。さらに導電端子にニッケル撚り線を含む電極接続導電体を接続した。
これらの導電端子と電極接続導電体を覆うように、AlN製の筒状セラミックス部材(外径10mmで厚み2mm)を設置し、結晶化ガラスを用いて、筒状セラミックス部材とウェハ保持体を接合した。接合は、窒素雰囲気中800℃、1時間筒状セラミックス部材の端部に重しを載せて行った。
筒状セラミックス部材のウェハ保持体と接合した側と反対側の他端を封止した。具体的には、筒状セラミックス部材の内側にW製のリングをはめ込み、電極接続導電体を貫通させた状態で、窒素雰囲気中800℃、1時間にて結晶化ガラスを焼成することによって封止した。このように封止することによって、筒状セラミックス部材の内部は、窒素雰囲気となった。
このようにして電極等と筒状セラミックス部品が接続されたウェハ保持体を、反応容器の中に設置し、筒状セラミックス部品を反応容器の底部にクランプ固定し、O−リングで反応容器と筒状セラミックス部材とを気密シールした。
反応容器内を真空にし、抵抗発熱体に電力を供給して、ウェハ保持体を550℃に加熱した。ウェハ保持体の被処理物保持面の温度分布を市販のウェハ温度計で測定した結果、保持面の均熱性は±0.4%であった。その後、ウェハ保持体の温度を室温(25℃)まで下げて、また550℃に昇温し、降温するというヒートサイクルを1000回繰り返したが、導電端子、電極接続導電体及びそれらの接続部に変色等の異常の発生はなかった。
次に、長期信頼性試験として、次のような試験を行った。ウェハ保持体を550℃に加熱して、高周波電極回路に電力を供給して、上部電極との間で、プラズマを発生させた。半導体の製造プロセスでは、プラズマを発生させる際、反応ガスを供給するが、信頼性試験の為、反応ガスの代わりに窒素ガスを供給した。プラズマを1分間発生させ、その後1分間プラズマを止め、再びプラズマを1分間発生させるという高周波印加サイクルを100000回行ったが、導電端子や電極接続導電体及びそれらの接続部に変色や外れ等の異常は発生せず、プラズマを安定的に発生させることができた。
電極接続導電体として、表1に記載の材質にした以外は、実施例1と同様のウェハ保持体を作製した。更に、電極接続導電体とケーブルとの間に表1に示す部品を導電性接続部品として接続した保持体も作製した。また、比較のために、電極接続導電体として、直径6mmのニッケル棒(ロッド)にしたものも作製した。これらのウェハ保持体を、実施例1と同様に、均熱性の測定と、ヒートサイクル及び高周波印加サイクルを行った。その結果を表1に示す。なお、表1のNo.1は実施例1の結果である。また、表1中のNi箔とは、厚み0.1mmで、幅10mmのNi箔を螺旋状にしたものである。
表1から、本発明の実施例であるNo.1〜7では、Ni箔にやや変色があったものの、ヒートサイクルや高周波印加サイクルで異常は発生せず、試験後の外観にも変色はなかった。しかし、電極接続導電体をNiロッドにしたものでは、導電性接続部品をつないだNo.8とNo.9では、本発明と同様にヒートサイクルと高周波印加サイクルは所定の回数行うことができたが、Niロッドの高温部すなわち抵抗発熱体に近い部分に変色が発生していた。
更に、導電性接続部品を用いなかったNo.10では、760回のヒートサイクルでセラミック基体にクラックが発生した。これは、Niロッドの熱膨張により、繰返しセラミックス基体に応力がかかったためであると考えられる。また。高周波印加サイクルでは、60000回で、ヒートサイクルと同様にセラミックス基体にクラックが発生した。また、どちらの試験でもNiロッド全体の変色は大きかった。
本発明によれば、セラミックス基体中に埋設された導電体に給電するための電極部材の腐蝕をなくし、長期に使用しても信頼性の高いウェハ保持体を提供することができる。
1 セラミックス基体
2 導電体
3 導電端子
4 電極接続導電体
5 筒状セラミックス部材
6 封止部材
7 ケーブル
8 導電性接続部品
2 導電体
3 導電端子
4 電極接続導電体
5 筒状セラミックス部材
6 封止部材
7 ケーブル
8 導電性接続部品
Claims (3)
- 被処理物保持面を有するセラミックス基体中に導電体が埋設されたウェハ保持体であって、被処理物保持面以外の面に露出し前記導電体に接続された導電端子と、該導電端子に接続された電極接続導電体とを有し、該電極接続導電体は、変形能を有した金属加工部品を有しており、前記導電端子と前記電極接続導電体が、前記ウェハ保持体に接続された筒状セラミックス部材に包囲されており、該筒状セラミックス部材の前記ウェハ保持体と反対側の他端が封止され、前記筒状セラミックス部材の内部が非酸化性雰囲気であることを特徴とするウェハ保持体。
- 前記電極接続導電体は、前記筒状セラミックス部材の外部に導電性接続部品を有しており、該導電性接続部品は、変形能を有する金属加工部品を有することを特徴とする請求項1に記載のウェハ保持体。
- 前記変形能を有する金属加工部品は、金属の細線、金属の細線を撚った撚り線、金属箔、金属ベローズのいずれかであることを特徴とする請求項1又は2に記載のウェハ保持体。
Priority Applications (1)
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JP2010038036A JP2011176064A (ja) | 2010-02-24 | 2010-02-24 | ウェハ保持体 |
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Citations (4)
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JP2002184841A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-28 | Applied Materials Inc | 電流導入端子及び基板支持装置 |
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