KR20200040328A - 표시 장치 - Google Patents

표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20200040328A
KR20200040328A KR1020180119623A KR20180119623A KR20200040328A KR 20200040328 A KR20200040328 A KR 20200040328A KR 1020180119623 A KR1020180119623 A KR 1020180119623A KR 20180119623 A KR20180119623 A KR 20180119623A KR 20200040328 A KR20200040328 A KR 20200040328A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
disposed
thin film
pixel
sub
Prior art date
Application number
KR1020180119623A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102550520B1 (ko
Inventor
전경진
박준석
김광숙
김태상
문연건
박근철
임준형
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020180119623A priority Critical patent/KR102550520B1/ko
Priority to CN201980063011.5A priority patent/CN112771676A/zh
Priority to US17/283,714 priority patent/US11968876B2/en
Priority to PCT/KR2019/001485 priority patent/WO2020075923A1/ko
Publication of KR20200040328A publication Critical patent/KR20200040328A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102550520B1 publication Critical patent/KR102550520B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H01L27/322—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H01L27/3213—
    • H01L27/3244—
    • H01L51/502—
    • H01L51/52—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78633—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

표시 장치는 제1 서브 화소 영역, 제2 서브 화소 영역 및 제3 서브 화소 영역을 포함하는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 제1 내지 제3 액티브 패턴들을 각각 포함하는 제1 내지 제3 박막 트랜지스터들, 상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터들과 각각 전기적으로 연결되고, 각각 상기 제1 내지 제3 서브 화소 영역에 배치되는 제1 내지 제3 화소 전극들, 상기 제1 내지 제3 화소 전극들 상에 배치되고, 청색광을 방출하는 청색 발광층, 상기 발광층 상에 상기 제1 서브 화소 영역에 배치되는 제1 색변환 패턴, 상기 발광층 상에 상기 제2 서브 화소 영역에 배치되는 제2 색변환 패턴, 및 상기 제1 내지 제3 액티브 패턴들과 상기 발광층 사이에 배치되는 적색 컬러 필터층을 포함한다.

Description

표시 장치{DISPLAY APPARATUS}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 양자점 등의 색변환 구조를 포함하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
최근 들어, 기술의 발전에 힘입어 소형, 경량화 되면서 성능은 더욱 뛰어난 디스플레이 제품들이 생산되고 있다. 지금까지 디스플레이 장치에는 기존 브라운관 텔레비전(cathode ray tube: CRT)이 성능이나 가격 면에서 많은 장점을 가지고 널리 사용되었으나, 소형화 또는 휴대성의 측면에서 CRT의 단점을 극복하고, 소형화, 경량화 및 저전력 소비 등의 장점을 갖는 표시 장치, 예를 들면 플라즈마 표시 장치, 액정 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 등이 주목을 받고 있다.
색 재현성을 향상시키고, 발광 효율을 향상시키기 위해, 양자점 등의 색변환 구조를 포함하는 표시 장치에 대한 개발이 진행되고 있다. 그러나, 상기 표시 장치는 종래 구조의 표시 장치와 그 구조가 달라 표시 품질이 저하되는 경우가 발생할 수 있다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 표시 품질이 향상된 양자점 등의 색변환 구조 및 발광 구조물을 포함하는 표시 장치를 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 서브 화소 영역, 제2 서브 화소 영역 및 제3 서브 화소 영역을 포함하는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되고, 제1 내지 제3 액티브 패턴들을 각각 포함하는 제1 내지 제3 박막 트랜지스터들, 상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터들과 각각 전기적으로 연결되고, 각각 상기 제1 내지 제3 서브 화소 영역에 배치되는 제1 내지 제3 화소 전극들, 상기 제1 내지 제3 화소 전극들 상에 배치되고, 청색광을 방출하는 청색 발광층, 상기 발광층 상에 상기 제1 서브 화소 영역에 배치되는 제1 색변환 패턴, 상기 발광층 상에 상기 제2 서브 화소 영역에 배치되는 제2 색변환 패턴, 및 상기 제1 내지 제3 액티브 패턴들과 상기 발광층 사이에 배치되는 적색 컬러 필터층을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 색변환 패턴은 적색의 양자점 입자 및/또는 적색 형광체를 포함하고, 상기 제2 색변환 패턴은 녹색의 양자점 입자 및/또는 녹색 형광체를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 제1 색변환 패턴 상에 배치되는 제1 컬러 필터, 및 상기 제2 색변환 패턴 상에 배치되는 제2 컬러 필터를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 컬러 필터와 상기 적색 컬러 필터층은 동일한 물질 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 발광층 상에 상기 제3 서브 화소 영역에 배치되는 투과 패턴, 상기 투과 패턴 상에 배치되는 제3 컬러 필터, 상기 베이스 기판과 대향하는 대향 기판, 상기 대향 기판과 상기 제1 색변환 패턴 사이, 상기 대향 기판과 상기 제2 색변환 패턴 사이, 상기 대향 기판과 상기 투과 패턴 사이에 배치되고, 무기 절연 물질을 포함하는 제1 절연층, 및 상기 발광층과 상기 제1 색변환 패턴 사이, 상기 발광층과 제2 색변환 패턴 사이, 상기 발광층과 상기 투과 패턴 사이에 배치되고, 무기 절연 물질을 포함하는 제2 절연층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 청색 발광층 상에 배치되는 대향 전극, 상기 대향 전극 상에 배치되는 박막 봉지층, 및 상기 박막 봉지층과 상기 제2 절연층 사이에 배치되는 접착층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 청색 발광층은 상기 제1 내지 제3 서브 화소 영역에 대해 공통으로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 적색 컬러 필터층과 상기 제1 내지 제3 화소 전극들 사이에 배치되고 유기 물질을 포함하는 비아 절연층을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 화소 전극들은 상기 비아 절연층 및 상기 적색 컬러 필터층을 통해 형성되는 컨택홀들을 통해 상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 적색 컬러 필터층과 상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터들 사이에 배치되고 유기 물질을 포함하는 비아 절연층을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 화소 전극들은 상기 적색 컬러 필터층 및 상기 비아 절연층을 통해 형성되는 컨택홀들을 통해 상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 적색 컬러 필터층은 상기 제1 내지 제3 화소 전극들과 상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터들 사이에 배치되고, 평탄한 상면을 가질 수 있다. 상기 제1 내지 제3 화소 전극들은 상기 적색 컬러 필터층을 통해 형성되는 컨택홀들을 통해 상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 제1 내지 제3 화소 전극들과 상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터들 사이에 배치되고 유기 물질을 포함하는 비아 절연층을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 화소 전극들은 상기 비아 절연층을 통해 형성되는 컨택홀들을 통해 상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 적색 컬러 필터층은 상기 제1 내지 제3 화소 전극들이 배치된 상기 비아 절연층 상에 배치되고, 상기 제1 내지 제3 화소 전극들을 부분적으로 노출시키는 개구들을 형성하는 화소 정의막일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 적색 컬러 필터층은 상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터들과 중첩하게 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 내지 제3 액티브 패턴들은 산화물 반도체를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터들은 각각 제1 내지 제3 게이트 전극들, 제1 내지 제3 소스 전극들 및 제1 내지 제3 드레인 전극들을 더 포함할 수 있다. 상기 표시 장치는 상기 제1 내지 제3 액티브 패턴들과 상기 제1 내지 제3 게이트 전극들 사이에 배치되는 게이트 절연층, 및 상기 게이트 전극이 배치된 상기 게이트 절연층 상에 배치되는 층간 절연층을 더 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 액티브 패턴들은 상기 게이트 절연층과 상기 베이스 기판 사이에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 제1 내지 제3 액티브 패턴들과 상기 베이스 기판 사이에 각각 배치되는 제1 내지 제3 하부 차폐 전극들을 더 포함할 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 적색광을 방출하는 제1 서브 화소, 녹색광을 방출하는 제2 서브 화소 및 청색광을 방출하는 제3 서브 화소를 포함한다. 상기 제1 서브 화소는 제1 박막 트랜지스터, 제1 청색 발광층 및 제1 청색 발광층 상에 배치되는 적색 색변환 패턴을 포함한다. 상기 제2 서브 화소는 제2 박막 트랜지스터, 제2 청색 발광층 및 제2 청색 발광층 상에 배치되는 녹색 색변환 패턴을 포함한다. 상기 제1 서브 화소는 제3 박막 트랜지스터, 제3 청색 발광층을 포함한다. 상기 표시 장치는 상기 제1 박막 트랜지스터와 상기 제1 청색 발광층 사이, 상기 제2 박막 트랜지스터와 상기 제2 청색 발광층 사이, 상기 제3 박막 트랜지스터와 상기 제3 청색 발광층 사이에 배치되는 적색 컬러 필터층을 더 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터들은 산화물 반도체를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 색변환 패턴은 적색의 양자점 입자 및/또는 적색 형광체를 포함하고, 상기 제2 색변환 패턴은 녹색의 양자점 입자 및/또는 녹색 형광체를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 내지 제3 서브 화소들의 상기 제1 내지 제3 청색 발광층들은 서로 연결되어 공통으로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 적색 컬러 필터층은 상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터들과 중첩할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면 표시 장치는 산화물 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터, 청색 발광층, 색변환 패턴 및 적색 컬러 필터층을 포함한다. 상기 표시 장치는 양자점 등의 색변환 구조를 포함하여 색 재현성을 높여 표시 품질이 향상되고, 상기 적색 컬러 필터층에 의해 상기 청색 발광층에서 발생한 청색광이 상기 산화물 반도체를 포함하는 상기 박막 트랜지스터에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라 표시 품질이 향상될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 제1 내지 제3 서브 화소들을 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제1 내지 제3 서브 화소들을 나타낸 단면도이다.
도 4은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제1 내지 제3 서브 화소들을 나타낸 단면도이다.
도 5은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제1 내지 제3 서브 화소들을 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
도 7a는 도 6의 전자 기기가 텔레비전으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
도 7b는 도 6의 전자 기기가 스마트폰으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
상기 표시 장치는 표시 패널(10), 스캔 구동부(20), 데이터 구동부(30), 발광 제어 구동부(40), 및 제어부(50)를 포함할 수 있다.
상기 표시 패널(10)은 영상을 표시하기 위한 복수의 화소 유닛(UPX)들을 포함할 수 있다. 상기 화소 유닛(UPX)은 서로 다른 색광을 방출하는 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)를 포함할 수 있다. 즉, 상기 제1 서브 화소(SP1)는 제1 색광을 방출하고, 상기 제2 서브 화소(SP2)는 제2 색광을 방출하고, 상기 제3 서브 화소(SP3)는 제3 색광을 방출할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 서브 화소(SP1)는 적색광을 방출하는 적색 서브 화소이고, 상기 제2 서브 화소(SP2)는 녹색광을 방출하는 녹색 서브 화소이고, 상기 제3 서브 화소(SP3)는 청색광을 방출하는 청색 서브 화소 일 수 있다.
예를 들어, 상기 표시 패널(10)은 스캔 라인들(SL1 내지 SLn) 및 데이터 라인들(DL1 내지 DLm)의 교차부마다 위치되는 n*m 개의 서브 화소들을 포함할 수 있다 (단, n, m은 1보다 큰 정수). 상기 서브 화소들 각각은 적어도 하나 이상의 트랜지스터 및 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다..
상기 스캔 구동부(20)는 제1 제어 신호(CTL1)에 기초하여 상기 스캔 라인들(SL1 내지 SLn)을 통해 제1 스캔 신호를 상기 서브 화소들에 순차적으로 제공할 수 있다.
상기 데이터 구동부(30)는 제2 제어 신호(CTL2)에 기초하여 상기 데이터 라인들(DL1 내지 DLm)을 통해 데이터 신호를 상기 서브 화소들에 제공할 수 있다.
상기 발광 제어 구동부(40)는 제3 제어 신호(CTL3)에 기초하여 발광 제어 라인들(EM1 내지 EMn)을 통해 발광 제어 신호를 상기 서브 화소들에 순차적으로 제공할 수 있다.
상기 제어부(50)는 상기 스캔 구동부(20), 상기 데이터 구동부(30), 및 상기 발광 제어 구동부(40)를 제어할 수 있다. 상기 제어부(50)는 상기 스캔 구동부(20), 상기 데이터 구동부(30), 및 상기 발광 제어 구동부(40)를 제어하기 위해 상기 제어 신호들(CTL1 내지 CTL3)을 생성할 수 있다. 상기 스캔 구동부(20)를 제어하기 위한 상기 제1 제어 신호(CTL1)는 스캔 개시 신호, 스캔 클럭 신호, 등을 포함할 수 있다. 상기 데이터 구동부(30)를 제어하기 위한 상기 제2 제어 신호(CTL2)는 영상 데이터, 수평 개시 신호, 등을 포함할 수 있다. 상기 발광 제어 구동부(40)를 제어하기 위한 상기 제3 제어 신호(CTL3)는 발광 제어 개시 신호, 발광 제어 클럭 신호, 등을 포함할 수 있다.
이 밖에도, 상기 표시 장치는 제1 전원 전압(ELVDD), 제2 전원 전압(ELVSS), 및 초기화 전압(VINT)를 상기 표시 패널(10)에 공급하는 전원 공급부(도시되지 않음) 등을 더 포함할 수 있다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 제1 내지 제3 서브 화소들을 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, 상기 표시 장치는 베이스 기판(100), 제1 버퍼층(110), 하부 차폐 전극, 제2 버퍼층(120), 액티브 패턴층, 게이트 절연층(130), 층간 절연층(140), 소스/드레인 패턴, 적색 컬러 필터층(RCFL), 비아 절연층(150), 화소 전극층, 화소 정의막(PDL), 청색 발광층(180), 대향 전극(CE), 박막 봉지층(TFE), 접착층(230), 제2 절연층(220), QD층, 제1 절연층(210), 컬러 필터층, 차광 패턴(BM) 및 대향 기판(200)을 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판(100)은 투명 절연 기판을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 베이스 기판(100)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판 등으로 구성될 수 있다. 이 경우, 상기 투명 수지 기판은 폴리이미드계(polyimide-based) 수지, 아크릴계(acryl-based) 수지, 폴리아크릴레이트계(polyacrylate-based) 수지, 폴리카보네이트계(polycarbonate-based) 수지, 폴리에테르계(polyether-based) 수지, 술폰산계(sulfonic acid-based) 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트계(polyethyleneterephthalate-based) 수지 등을 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판(100)은 제1 서브 화소(SP1)에 대응하는 제1 서브 화소 영역, 제2 서브 화소(SP2)에 대응하는 제2 서브 화소 영역 및 제3 서브 화소(SP3)에 대응하는 제3 서브 화소 영역을 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 서브 화소 영역은 후술한 상기 차광 패턴(BM)에 의해 구획될 수 있다.
상기 제1 버퍼층(110)은 상기 베이스 기판(100) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 제1 버퍼층(110)은 상기 베이스 기판(100)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 상기 액티브 패턴층으로 확산되는 현상을 방지할 수 있다.
상기 하부 차폐 전극은 상기 버퍼층(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 하부 차폐 전극은 후술할 박막 트랜지스터의 특성 저하를 방지할 수 있다. 특히, 상기 베이스 기판(100)이 폴리이미드를 포함하는 경우, 이동전하(mobile charge)를 형성하여 상기 박막 트랜지스터의 반도체층에 영향을 주고, 구동전류를 감소시키는 문제가 발생할 수 있는데, 상기 하부 차폐 전극은 폴리이미드(PI)층의 전하 흐름으로 인해서 반도체층의 전류량이 감소되는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.
상기 하부 차폐 전극은 플로팅 상태일 수도 있고, 도면에서와 같이 각각의 박막 트랜지스터의 드레인 전극에 연결될 수도 있다. 본 실시예에 따르면, 상기 하부 차폐 전극은 상기 드레인 전극에 연결되는 것으로 설명되었으나, 상기 하부 차폐 전극은 전압레벨이 일정한 다른 정전압원에 연결될 수도 있다. 상기 하부 차폐 전극은 각각의 박막 트랜지스터에 대응하여 형성될 수 있으며, 도면에서와 같이 제1 하부 차폐 전극(BML1), 제2 하부 차폐 전극(BML2), 제3 하부 차폐 전극(BML3)을 포함할 수 있다.
상기 제2 버퍼층(120)이 상기 하부 차폐 전극이 배치된 상기 제1 버퍼층(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 버퍼층(120)은 상기 베이스 기판(100) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 제2 버퍼층(120)은 상기 베이스 기판(110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 상기 액티브 패턴층으로 확산되는 현상을 방지할 수 있다.
상기 액티브 패턴층은 제1 액티브 패턴(ACT1), 제2 액티브 패턴(ACT2) 및 제3 액티브 패턴(ACT3)을 포함할 수 있다. 상기 액티브 패턴층은 인듐(In), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 주석(Sn), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg) 등을 함유하는 이성분계 화합물(ABx), 삼성분계 화합물(ABxCy), 사성분계 화합물(ABxCyDz) 등을 포함하는 반도체 산화물층일 수 있다. 예를 들면, 상기 액티브 패턴층은 아연 산화물(ZnOx), 갈륨 산화물(GaOx), 티타늄 산화물(TiOx), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 인듐-갈륨 산화물(IGO), 인듐-아연 산화물(IZO), 인듐-주석 산화물(ITO), 갈륨-아연 산화물(GZO), 아연-마그네슘 산화물(ZMO), 아연-주석 산화물(ZTO), 아연-지르코늄 산화물(ZnZrxOy), 인듐-갈륨-아연 산화물(IGZO), 인듐-아연-주석 산화물(IZTO), 인듐-갈륨-하프늄 산화물(IGHO), 주석-알루미늄-아연 산화물(TAZO) 및 인듐-갈륨-주석 산화물(IGTO) 등을 포함할 수 있다.
상기 제1 내지 제3 액티브 패턴들(ACT1, ACT2, ACT3)은 각각 불순물이 도핑(doping)된 드레인 영역과 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 상기 소스 영역 사이의 채널 영역을 포함할 수 있다.
상기 게이트 절연층(130)이 상기 액티브 패턴층이 배치된 상기 제2 버퍼층(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 게이트 절연층(130)은 상기 제2 버퍼층(120) 상에서 상기 액티브 패턴층을 덮으며, 상기 액티브 패턴층의 프로파일을 따라 실질적으로 동일한 두께로 배치될 수 있다. 상기 게이트 절연층(130)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 게이트 패턴이 상기 게이트 절연층(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 게이트 패턴은 제1 게이트 전극(GE1), 제2 게이트 전극(GE2), 제3 게이트 전극(GE3) 및 게이트 라인과 같은 상기 표시 장치를 구동하기 위한 신호를 전달하는 신호 라인을 포함할 수 있다. 상기 게이트 패턴은 금속을 포함할 수 있다. 또한, 상기 게이트 패턴은 복수의 금속층들로 이루어질 수 있다.
상기 층간 절연층(140)이 상기 게이트 패턴이 배치된 상기 게이트 절연층(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 층간 절연층(140)은 상기 게이트 절연층(120) 상에서 상기 게이트 패턴을 충분히 덮을 수 있으며, 상기 게이트 패턴의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 상기 층간 절연층(140)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 소스/드레인 패턴은 상기 층간 절연층(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 소스/드레인 패턴은 제1 소스 전극(SE1), 제1 드레인 전극(DE1), 제2 소스 전극(SE2), 제2 드레인 전극(DE2), 제3 소스 전극(SE3) 및 제3 드레인 전극(DE3)을 포함할 수 있다. 상기 소스/드레인 패턴은 금속을 포함할 수 있다. 또한, 상기 소스/드레인 패턴은 복수의 금속층들로 이루어질 수 있다. 상기 제1 소스 전극(SE1) 및 상기 제1 드레인 전극(DE1)은 상기 층간 절연층(140) 및 상기 게이트 절연층(130)을 통해 형성되는 컨택홀을 통해 상기 제1 액티브 패턴(ACT1)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 소스 전극(SE2) 및 상기 제2 드레인 전극(DE2)은 상기 층간 절연층(140) 및 상기 게이트 절연층(130)을 통해 형성되는 컨택홀을 통해 상기 제2 액티브 패턴(ACT2)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제3 소스 전극(SE3) 및 상기 제3 드레인 전극(DE3)은 상기 층간 절연층(140) 및 상기 게이트 절연층(130)을 통해 형성되는 컨택홀을 통해 상기 제3 액티브 패턴(ACT3)과 전기적으로 연결될 수 있다.
여기서, 상기 제1 내지 제3 드레인 전극들(DE1, DE2, DE3)은 각각 대응되는 상기 제1 내지 제3 하부 차페 전극(BML1, BML2, BML3)과 각각 상기 층간 절연층(140), 상기 게이트 절연층(130) 및 상기 제2 버퍼층(120)을 통해 형성되는 컨택홀을 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 박막 트랜지스터(TFT1)는 상기 제1 게이트 전극(GE1), 상기 제1 액티브 패턴(ACT1), 상기 제1 소스 전극(SE1) 및 상기 제1 드레인 전극(DE1)을 포함할 수 있다. 제2 박막 트랜지스터(TFT2)는 상기 제2 게이트 전극(GE2), 상기 제2 액티브 패턴(ACT2), 상기 제2 소스 전극(SE2) 및 상기 제2 드레인 전극(DE2)을 포함할 수 있다. 제3 박막 트랜지스터(TFT3)는 상기 제3 게이트 전극(GE3), 상기 제3 액티브 패턴(ACT3), 상기 제3 소스 전극(SE3) 및 상기 제3 드레인 전극(DE3)을 포함할 수 있다.
상기 적색 컬러 필터층(RCFL)이 상기 소스/드레인 패턴이 배치된 상기 층간 절연층(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 적석 컬러 필터층(RCFL)은 통과하는 광의 적색광에 대응하는 파장 대역을 통과시키며, 청색광을 차단할 수 있다. 즉, 상기 청색 발광층(180)에서 발생하는 청색광이 상기 적색 컬러 필터층(RCFL)에 의해 차단되어, 상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터들(TFT1, TFT2, TFT3)의 상기 제1 내지 제3 액티브 패턴들(ACT1, ACT2, ACT3)에 입사되는 것을 차단할 수 있다. 이에 따라 상기 청색 발광층(180)에서 발생하는 상기 청색광에 의한 상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터들(TFT1, TFT2, TFT3)의 특성 변화를 최소화 할 수 있다. 특히, 상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터들(TFT1, TFT2, TFT3)이 산화물 반도체를 포함하는 경우, 상기 청색광에 의한 특성 변화가 크며, 상기 적색 컬러 필터층(RCFL)이 상기 청색광을 차단함에, 상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터들(TFT1, TFT2, TFT3)의 광-전압 신뢰성(NBIS, Negative Bias Illumination stress Stability)을 향상시킬 수 있다. 이에 따라 표시 품질이 향상될 수 있다.
상기 비아 절연층(150)은 상기 적색 컬러 필터층(RCFL) 상에 배치될 수 있다. 상기 비아 절연층(150)은 단층 구조로 형성될 수 있지만, 적어도 2이상의 절연막들을 포함하는 다층 구조로 형성될 수도 있다. 상기 비아 절연층(150)은 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계(siloxane-based) 수지 등의 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
상기 화소 전극층은 상기 비아 절연층(150) 상에 배치될 수 있다. 상기 화소 전극층은 제1 화소 전극(PE1), 제2 화소 전극(PE2) 및 제3 화소 전극(PE3)을 포함할 수 있다. 상기 화소 전극층은 반사성을 갖는 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 화소 전극층은 금속막, 합금막, 금속 질화물막, 도전성 금속 산화물막 및/또는 투명 도전성 물질막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
상기 제1 화소 전극(PE1)은 상기 제1 서브 화소 영역에 배치될 수 있다. 상기 제1 화소 전극(PE1)은 상기 비아 절연층(150) 및 상기 적색 컬러 필터층(RCFL)을 통해 형성되는 컨택홀을 통해 상기 제1 박막 트랜지스터(TFT1)의 상기 제1 드레인 전극(DE1)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제2 화소 전극(PE2)은 상기 제2 서브 화소 영역에 배치될 수 있다. 상기 제2 화소 전극(PE2)은 상기 비아 절연층(150) 및 상기 적색 컬러 필터층(RCFL)을 통해 형성되는 컨택홀을 통해 상기 제2 박막 트랜지스터(TFT2)의 상기 제2 드레인 전극(DE2)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제3 화소 전극(PE3)은 상기 제2 서브 화소 영역에 배치될 수 있다. 상기 제2 화소 전극(PE3)은 상기 비아 절연층(150) 및 상기 적색 컬러 필터층(RCFL)을 통해 형성되는 컨택홀을 통해 상기 제3 박막 트랜지스터(TFT3)의 상기 제3 드레인 전극(DE3)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 화소 정의막(PDL)은 상기 화소 전극층이 배치된 상기 비아 절연층(150) 상에 배치될 수 있다. 상기 화소 정의막(PDL)은 유기 물질, 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 정의막(PDL)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘 화합물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 화소 정의막(PDL)을 식각하여 상기 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3)을 부분적으로 노출시키는 개구(opening)들을 형성할 수 있다. 이러한 상기 화소 정의막(PDL)의 개구들에 의해 상기 표시 장치의 발광 영역과 비발광 영역이 정의될 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 정의막(PDL)의 개구가 위치하는 부분이 상기 발광 영역에 해당될 수 있으며, 상기 비발광 영역은 상기 화소 정의막(PDL)의 개구에 인접하는 부분에 해당될 수 있다.
상기 청색 발광층(180)은 상기 화소 정의막(PDL) 및 상기 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3) 상에 배치될 수 있다. 상기 청색 발광층(180)은 유기 발광층(EL), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL) 등을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 상기 청색 발광층(180)은 복수의 화소들에 대응되도록 공통적으로 형성될 수 있다. 상기 청색 발광층(180)의 유기 발광층은 청색광을 발생시킬 수 있는 발광 물질들을 사용하여 형성될 수 있다. 한편, 본 실시예에서는 상기 청색 발광층(180)은 복수의 화소들에 대응되도록 공통적으로 형성되어 있으나, 각각의 화소에 대응되도록 형성될 수 도 있다.
상기 대향 전극(CE)은 상기 청색 발광층(180) 상에 배치될 수 있다. 상기 대향 전극(CE)은 투광성을 갖는 물질 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 대향 전극(CE)은 금속막, 합금막, 금속 질화물막, 도전성 금속 산화물막 및/또는 투명 도전성 물질막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
상기 박막 봉지층(TFE)이 상기 대향 전극(CE) 상에 배치될 수 있다. 상기 박막 봉지층(TFE)은 외부의 습기 및 산소의 침투를 방지할 수 있다. 상기 박막 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 유기층과 적어도 하나의 무기층을 구비할 수 있다. 적어도 하나의 유기층과 적어도 하나의 무기층은 서로 교번적으로 적층될 수 있다. 예를 들면, 상기 박막 봉지층(TFE)은 두 개의 무기층과 이들 사이의 한개의 유기층을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
상기 접착층(230)은 상기 박막 봉지층(TFE) 상에 배치될 수 있다. 상기 접착층(230)은 상기 박막 봉지층(TFE)이 형성된 상기 베이스 기판(100)과 상기 제2 절연층(220)이 형성된 상기 대향 기판(200)을 서로 접착하기 위해 사용될 수 있다.
상기 제2 절연층(220)은 상기 접착층(230) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 절연층(220)은 상기 QD층을 커버할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 절연층(220)은 실리콘 질화물(SiNx) 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 QD층이 상기 제2 절연층(220) 상에 배치될 수 있다. 상기 QD층은 제1 색변환 패턴(RQD), 제2 색변환 패턴(GQD) 및 투과 패턴(W)을 포함할 수 있다.
상기 제1 색변환 패턴(RQD)은 상기 제1 서브 화소 영역 내에 배치될 수 있다. 상기 제1 색변환 패턴(RQD)은 적색 색변환 패턴일 수 있다. 상기 제1 색변환 패턴(RQD)은 상기 청색 발광층(180)에서 제공되는 청색광을 적색광으로 변환할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 색변환 패턴(RQD)은 적색의 양자점 입자 및/또는 적색 형광체를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 색변환 패턴(QRD)은 TiO2 등의 산란 입자를 더 포함할 수 있다.
상기 제2 색변환 패턴(GQD)은 상기 제2 서브 화소 영역 내에 배치될 수 있다. 상기 제2 색변환 패턴(GQD)은 녹색 색변환 패턴일 수 있다. 상기 제2 색변환 패턴(GQD)은 상기 청색 발광층(180)에서 제공되는 청색광을 녹색광으로 변환할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 색변환 패턴(GQD)은 녹색의 양자점 입자 및/또는 녹색 형광체를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 색변환 패턴(GRD)은 TiO2 등의 산란 입자를 더 포함할 수 있다.
상기 적색 또는 녹색 양자점은 수 나노 크기의 결정 구조를 가진 물질로, 수백에서 수천 개 정도의 원자로 구성된다. 상기 양자점은 크기가 매우 작기 때문에 양자 구속(quantum confinement) 효과가 나타난다. 상기 양자 구속 효과는 물체가 나노 크기 이하로 작아지는 경우 그 물체의 에너지 띠 간격(band gap)이 커지는 현상을 말한다. 이에 따라, 상기 양자점에 상기 에너지 띠 간격보다 에너지가 높은 파장의 빛이 입사하는 경우, 상기 양자점은 그 빛을 흡수하여 들뜬 상태로 되고, 특정 파장의 광을 방출하면서 바닥 상태로 떨어진다. 상기 방출된 파장의 광은 상기 에너지 띠 간격에 해당되는 값을 갖는다. 상기 양자점은 그 크기와 조성 등을 조절하면 상기 양자 구속 효과에 의한 발광 특성을 조절할 수 있다.
상기 양자점의 조성은 특별히 제한되는 것은 아니며 II-VI족 원소들, III-V족 원소들, IV족 원소들 또는 IV-VI족 원소들로 이루어질 수 있다. 상기 II족 원소는 아연, 카드뮴 및 수은으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다. 상기 III족 원소는 알루미늄, 갈륨, 인듐으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다. 상기 IV족 원소는 실리콘, 게르마늄, 주석, 납으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다. 상기 V족 원소는 질소, 인 및 비소로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나일 수 있다. 상기 VI족은 황, 셀레늄, 텔루니움으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
상기 투과 패턴(W)은 상기 제3 서브 화소 영역 내에 배치될 수 있다. 상기 투과 패턴(W)은 상기 투과 패턴(W)을 통과하는 광의 색을 변환시키지 않고 진행 방향만 변화시키는 산란 입자를 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 투과 패턴(W)을 통과하는 광은 상기 청색광일 수 있다. 상기 산란 입자는 TiO2 등의 입자일 수 있으며, 그 크기는 상기 적색 양자점 입자 또는 상기 녹색 양자점의 크기에 준할 수 있다. 또한, 상기 투과 패턴(W)은 상기 투과 패턴(W)을 투과하는 광을 청색광으로 변환하기 위한 청색 색소(blue pigment)를 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 제1 색변환 패턴(RQD)과 상기 제2 색변환 패턴(GQD) 사이에는 격벽(WP)이 형성될 수 있으며, 상기 격벽(WP)은 상기 투과 패턴(W)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 절연층(210)은 상기 QD층 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(210)은 상기 컬러 필터층을 커버할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 절연층(220)은 실리콘 질화물(SiNx) 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 컬러 필터층은 상기 제1 절연층(210) 상에 배치될 수 있다. 상기 컬러 필터층은 제1 컬러 필터(RCF), 제2 컬러 필터(GCF) 및 제3 컬러 필터(BCF)를 포함할 수 있다.
상기 제1 컬러 필터(RCF)는 상기 제1 서브 화소 영역 내에 배치될 수 있다. 상기 제1 컬러 필터(RCF)는 적색 컬러 필터일 수 있다. 상기 제1 컬러 필터(RCF)는 상기 제1 컬러 필터(RCF)를 통과하는 광의 적색광에 대응하는 파장 대역만 통과시킬 수 있다.
상기 제2 컬러 필터(GCF)는 상기 제2 서브 화소 영역 내에 배치될 수 있다. 상기 제2 컬러 필터(GCF)는 녹색 컬러 필터일 수 있다. 상기 제2 컬러 필터(GCF)는 상기 제2 컬러 필터(GCF)를 통과하는 광의 녹색광에 대응하는 파장 대역만 통과시킬 수 있다.
상기 제3 컬러 필터(BCF)는 상기 제3 서브 화소 영역 내에 배치될 수 있다. 상기 제3 컬러 필터(BCF)는 청색 컬러 필터일 수 있다. 상기 제3 컬러 필터(BCF)는 상기 제3 컬러 필터(BCF)를 통과하는 광의 청색광에 대응하는 파장 대역만 통과시킬 수 있다.
상기 차광 패턴(BM)은 제1 절연층(210) 상에 배치될 수 있다. 상기 차광 패턴(BM)은 광을 차단하는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 차광 패턴(BM)는 광을 흡수하는 유기물을 포함할 수 있다. 상기 차광 패턴(BM)는 상기 제1 내지 제3 서브 화소 영역들 사이에 배치되어 각각의 서브 화소 영역들을 구획할 수 있다.
상기 대향 기판(200)은 상기 컬러 필터층 및 상기 차광 패턴(BM) 상에 배치될 수 있다. 상기 대향 기판(200)은 투명 절연 기판을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 대향 기판(200)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판 등으로 구성될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제1 내지 제3 서브 화소들을 나타낸 단면도이다.
도 3을 참조하면, 상기 표시 장치는 적색 컬러 필터층(RCFL)의 위치를 제외하고 도 2의 표시 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서 반복되는 설명은 생략한다.
상기 표시 장치는 베이스 기판(100), 제1 버퍼층(110), 하부 차폐 전극, 제2 버퍼층(120), 액티브 패턴층, 게이트 절연층(130), 층간 절연층(140), 소스/드레인 패턴, 비아 절연층(150), 적색 컬러 필터층(RCFL), 화소 전극층, 화소 정의막(PDL), 청색 발광층(180), 대향 전극(CE), 박막 봉지층(TFE), 접착층(230), 제2 절연층(220), QD층, 제1 절연층(210), 컬러 필터층, 차광 패턴(BM) 및 대향 기판(200)을 포함할 수 있다.
상기 하부 차폐 전극은 제1 하부 차폐 전극(BML1), 제2 하부 차폐 전극(BML2) 및 제3 하부 차폐 전극(BML3)을 포함할 수 있다. 상기 액티브 패턴층은 제1 박막 트랜지스터(TFT1)의 제1 액티브 패턴(ACT1), 제2 박막 트랜지스터(TFT2)의 제2 액티브 패턴(ACT2) 및 제3 박막 트랜지스터(TFT3)의 제3 액티브 패턴(ACT3)을 포함할 수 있다. 상기 게이트 패턴은 제1 게이트 전극(GE1), 제2 게이트 전극(GE2) 및 제3 게이트 전극(GE3)을 포함할 수 있다. 상기 소스/드레인 패턴은 제1 소스 전극(SE1), 제1 드레인 전극(DE1), 제2 소스 전극(SE2), 제2 드레인 전극(DE2), 제3 소스 전극(SE3) 및 제3 드레인 전극(DE3)을 포함할 수 있다. 상기 화소 전극층은 제1 화소 전극(PE1), 제2 화소 전극(PE2) 및 제3 화소 전극(PE3)을 포함할 수 있다. 상기 QD층은 제1 색변환 패턴(RQD), 제2 색변환 패턴(GQD) 격벽(WP) 및 투과 패턴(W)을 포함할 수 있다. 상기 컬러 필터층은 제1 컬러 필터(RCF), 제2 컬러 필터(GCF) 및 제3 컬러 필터(BCF)를 포함할 수 있다.
상기 소스/드레인 패턴이 배치된 상기 층간 절연층(140) 상에 비아 절연층(150)이 배치될 수 있다. 상기 비아 절연층(150) 상에 상기 적색 컬러 필터층(RCFL)이 배치될 수 있다. 상기 화소 전극층이 상기 적색 컬러 필터층(RCFL) 상에 배치될 수 있다.
도 4은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제1 내지 제3 서브 화소들을 나타낸 단면도이다.
도 4를 참조하면, 상기 표시 장치는 적색 컬러 필터층(RCFL)이 비아 절연층을 대신하여, 비아 절연층이 생략된 것을 제외하면, 도 2의 표시 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서 반복되는 설명은 생략한다.
상기 표시 장치는 베이스 기판(100), 제1 버퍼층(110), 하부 차폐 전극, 제2 버퍼층(120), 액티브 패턴층, 게이트 절연층(130), 층간 절연층(140), 소스/드레인 패턴, 적색 컬러 필터층(RCFL), 화소 전극층, 화소 정의막(PDL), 청색 발광층(180), 대향 전극(CE), 박막 봉지층(TFE), 접착층(230), 제2 절연층(220), QD층, 제1 절연층(210), 컬러 필터층, 차광 패턴(BM) 및 대향 기판(200)을 포함할 수 있다.
상기 적색 컬러 필터층(RCFL)은 상기 소스/드레인 패턴이 배치된 상기 층간 절연층(140) 상에 배치될 수 있다. 상기 적색 컬러 필터층(RCFL)은 비아 절연층의 역할을 대신할 수 있도록, 충분한 두께로 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 적색 컬러 필터층(RCFL)은 상기 소스/드레인 패턴을 충분히 덮을 수 있으며, 상기 소스/드레인 패턴의 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다.
상기 적색 컬러 필터층(RCFL) 상에 상기 화소 전극층이 배치될 수 있다. 상기 화소 전극층은 상기 적색 컬러 필터층(RCFL)을 통해 형성되는 컨택홀을 통해, 상기 소스/드레인 패턴에 전기적으로 연결될 수 있다.
도 5은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제1 내지 제3 서브 화소들을 나타낸 단면도이다.
도 5를 참조하면, 상기 표시 장치는 적색 컬러 필터층이 생략되고, 화소 정의막이 적색 화소 정의막(RPDL)으로 변경된 것을 제외하면, 도 2의 표시 장치와 실질적으로 동일하다. 따라서 반복되는 설명은 생략한다.
상기 표시 장치는 베이스 기판(100), 제1 버퍼층(110), 하부 차폐 전극, 제2 버퍼층(120), 액티브 패턴층, 게이트 절연층(130), 층간 절연층(140), 소스/드레인 패턴, 비아 절연층(150), 화소 전극층, 적색 화소 정의막(RPDL), 청색 발광층(180), 대향 전극(CE), 박막 봉지층(TFE), 접착층(230), 제2 절연층(220), QD층, 제1 절연층(210), 컬러 필터층, 차광 패턴(BM) 및 대향 기판(200)을 포함할 수 있다.
상기 화소 전극층은 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3)을 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3)은 상기 비아 절연층(!50)을 통해 형성되는 컨택홀들을 통해 제1 내지 제3 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2, TFT3)와 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 적색 화소 정의막(RPDL)은 상기 화소 전극층이 배치된 상기 비아 절연층(150) 상에 배치될 수 있다. 상기 적색 화소 정의막(RPDL)은 적색 컬러 필터이며, 통과하는 광의 적색광에 대응하는 파장 대역을 통과시키며, 청색광을 차단할 수 있다. 상기 적색 하소 정의막(RPDL)은 상기 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3)을 부분적으로 노출시키는 개구들을 형성할 수 있다.
이때, 상기 적색 화소 정의막(RPDL)은 상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터들(TFT1, TFT2, TFT3)과 중첩하게 배치될 수 있다. 이에 따라 상기 청색 발광층(180)에서 발생하는 청색광이 상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터들(TFT1, TFT2, TFT3)에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이고, 도 7a는 도 6의 전자 기기가 텔레비전으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이며, 도 7b는 도 6의 전자 기기가 스마트폰으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
도 6 내지 도 7b를 참조하면, 전자 기기(500)는 프로세서(510), 메모리 장치(520), 스토리지 장치(530), 입출력 장치(540), 파워 서플라이(550) 및 표시 장치(560)를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 표시 장치(560)는 도 1의 표시 장치에 상응할 수 있다. 상기 전자 기기(500)는 비디오 카드, 사운드 카드, 메모리 카드, USB 장치 등과 통신하거나, 또는 다른 시스템들과 통신할 수 있는 여러 포트(port)들을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 도 11a에 도시된 바와 같이, 상기 전자 기기(500)는 텔레비전으로 구현될 수 있다. 다른 실시예에서, 도 11b에 도시된 바와 같이, 상기 전자 기기(500)는 스마트폰으로 구현될 수 있다. 다만, 이것은 예시적인 것으로서 상기 전자 기기(500)는 그에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 전자 기기(500)는 휴대폰, 비디오폰, 스마트패드(smart pad), 스마트 워치(smart watch), 태블릿(tablet) PC, 차량용 네비게이션, 컴퓨터 모니터, 노트북, 헤드 마운트 디스플레이(head mounted display; HMD) 등으로 구현될 수도 있다.
상기 프로세서(510)는 특정 계산들 또는 태스크(task)들을 수행할 수 있다. 실시예에 따라, 상기 프로세서(510)는 마이크로프로세서(micro processor), 중앙 처리 유닛(Central Processing Unit; CPU), 어플리케이션 프로세서(Application Processor; AP) 등일 수 있다. 상기 프로세서(510)는 어드레스 버스(address bus), 제어 버스(control bus) 및 데이터 버스(data bus) 등을 통해 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 실시예에 따라, 상기 프로세서(510)는 주변 구성 요소 상호 연결(Peripheral Component Interconnect; PCI) 버스와 같은 확장 버스에도 연결될 수 있다. 상기 메모리 장치(520)는 상기 전자 기기(500)의 동작에 필요한 데이터들을 저장할 수 있다. 예를 들어, 상기 메모리 장치(520)는 이피롬(Erasable Programmable Read-Only Memory; EPROM) 장치, 이이피롬(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory; EEPROM) 장치, 플래시 메모리 장치(flash memory device), 피램(Phase Change Random Access Memory; PRAM) 장치, 알램(Resistance Random Access Memory; RRAM) 장치, 엔에프지엠(Nano Floating Gate Memory; NFGM) 장치, 폴리머램(Polymer Random Access Memory; PoRAM) 장치, 엠램(Magnetic Random Access Memory; MRAM), 에프램(Ferroelectric Random Access Memory; FRAM) 장치 등과 같은 비휘발성 메모리 장치 및/또는 디램(Dynamic Random Access Memory; DRAM) 장치, 에스램(Static Random Access Memory; SRAM) 장치, 모바일 DRAM 장치 등과 같은 휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다. 상기 스토리지 장치(530)는 솔리드 스테이트 드라이브(Solid State Drive; SSD), 하드 디스크 드라이브(Hard Disk Drive; HDD), 씨디롬(CD-ROM) 등을 포함할 수 있다. 상기 입출력 장치(540)는 키보드, 키패드, 터치패드, 터치스크린, 마우스 등과 같은 입력 수단 및 스피커, 프린터 등과 같은 출력 수단을 포함할 수 있다. 상기 파워 서플라이(550)는 상기 전자 기기(500)의 동작에 필요한 파워를 공급할 수 있다.
상기 표시 장치(560)는 상기 버스들 또는 다른 통신 링크를 통해서 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 실시예에 따라, 상기 표시 장치(560)는 상기 입출력 장치(540)에 포함될 수도 있다. 상술한 바와 같이, 상기 표시 장치(560)는 산화물 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터, 청색 발광층, 색변환 패턴 및 적색 컬러 필터층을 포함할 수 있다. 상기 표시 장치는 양자점 등의 색변환 구조를 포함하여 색 재현성을 높여 표시 품질이 향상되고, 상기 적색 컬러 필터층에 의해 상기 청색 발광층에서 발생한 청색광이 상기 산화물 반도체를 포함하는 상기 박막 트랜지스터에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라 표시 품질이 향상될 수 있다. 다만, 이에 대해서는 상술한 바 있으므로, 그에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 이를 포함하는 다양한 전자 기기들에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 휴대폰, 스마트폰, 비디오폰, 스마트패드, 스마트 워치, 태블릿 PC, 차량용 네비게이션, 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 노트북, 헤드 마운트 디스플레이 등에 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 베이스 기판 110: 제1 버퍼층
120: 제2 버퍼층 130: 게이트 절연층
140: 층간 절연층 150: 비아 절연층
180: 청색 발광층 200: 대향 기판
210: 제1 절연층 220: 제2 절연층
230: 접착층
TFT1, TFT2, TFT3: 제1 내지 제3 박막 트랜지스터
RCFL: 적색 컬러 필터층 PDL: 화소 정의막
PE1, PE2, PE3: 제1 내지 제3 화소 전극
CE: 대향 전극 TFE: 박막 봉지층
RQD, GQD: 제1 및 제2 색변환 패턴
W: 투과 패턴 BM: 차광 패턴
RCF, GCF, BCF: 제1 내지 제3 컬러 필터

Claims (20)

  1. 제1 서브 화소 영역, 제2 서브 화소 영역 및 제3 서브 화소 영역을 포함하는 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 상에 배치되고, 제1 내지 제3 액티브 패턴들을 각각 포함하는 제1 내지 제3 박막 트랜지스터들;
    상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터들과 각각 전기적으로 연결되고, 각각 상기 제1 내지 제3 서브 화소 영역에 배치되는 제1 내지 제3 화소 전극들;
    상기 제1 내지 제3 화소 전극들 상에 배치되고, 청색광을 방출하는 청색 발광층;
    상기 발광층 상에 상기 제1 서브 화소 영역에 배치되는 제1 색변환 패턴;
    상기 발광층 상에 상기 제2 서브 화소 영역에 배치되는 제2 색변환 패턴; 및
    상기 제1 내지 제3 액티브 패턴들과 상기 발광층 사이에 배치되는 적색 컬러 필터층을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 색변환 패턴은 적색의 양자점 입자 및/또는 적색 형광체를 포함하고, 상기 제2 색변환 패턴은 녹색의 양자점 입자 및/또는 녹색 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 색변환 패턴 상에 배치되는 제1 컬러 필터; 및
    상기 제2 색변환 패턴 상에 배치되는 제2 컬러 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 컬러 필터와 상기 적색 컬러 필터층은 동일한 물질 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 발광층 상에 상기 제3 서브 화소 영역에 배치되는 투과 패턴;
    상기 투과 패턴 상에 배치되는 제3 컬러 필터;
    상기 베이스 기판과 대향하는 대향 기판;
    상기 대향 기판과 상기 제1 색변환 패턴 사이, 상기 대향 기판과 상기 제2 색변환 패턴 사이, 상기 대향 기판과 상기 투과 패턴 사이에 배치되고, 무기 절연 물질을 포함하는 제1 절연층; 및
    상기 발광층과 상기 제1 색변환 패턴 사이, 상기 발광층과 제2 색변환 패턴 사이, 상기 발광층과 상기 투과 패턴 사이에 배치되고, 무기 절연 물질을 포함하는 제2 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 청색 발광층 상에 배치되는 대향 전극;
    상기 대향 전극 상에 배치되는 박막 봉지층; 및
    상기 박막 봉지층과 상기 제2 절연층 사이에 배치되는 접착층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 청색 발광층은 상기 제1 내지 제3 서브 화소 영역에 대해 공통으로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 적색 컬러 필터층과 상기 제1 내지 제3 화소 전극들 사이에 배치되고 유기 물질을 포함하는 비아 절연층을 더 포함하고,
    상기 제1 내지 제3 화소 전극들은 상기 비아 절연층 및 상기 적색 컬러 필터층을 통해 형성되는 컨택홀들을 통해 상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 적색 컬러 필터층과 상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터들 사이에 배치되고 유기 물질을 포함하는 비아 절연층을 더 포함하고,
    상기 제1 내지 제3 화소 전극들은 상기 적색 컬러 필터층 및 상기 비아 절연층을 통해 형성되는 컨택홀들을 통해 상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 적색 컬러 필터층은 상기 제1 내지 제3 화소 전극들과 상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터들 사이에 배치되고, 평탄한 상면을 갖고,
    상기 제1 내지 제3 화소 전극들은 상기 적색 컬러 필터층을 통해 형성되는 컨택홀들을 통해 상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 화소 전극들과 상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터들 사이에 배치되고 유기 물질을 포함하는 비아 절연층을 더 포함하고,
    상기 제1 내지 제3 화소 전극들은 상기 비아 절연층을 통해 형성되는 컨택홀들을 통해 상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되고,
    상기 적색 컬러 필터층은 상기 제1 내지 제3 화소 전극들이 배치된 상기 비아 절연층 상에 배치되고, 상기 제1 내지 제3 화소 전극들을 부분적으로 노출시키는 개구들을 형성하는 화소 정의막인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 적색 컬러 필터층은 상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터들과 중첩하게 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 액티브 패턴들은 산화물 반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터들은 각각 제1 내지 제3 게이트 전극들, 제1 내지 제3 소스 전극들 및 제1 내지 제3 드레인 전극들을 더 포함하고,
    상기 표시 장치는 상기 제1 내지 제3 액티브 패턴들과 상기 제1 내지 제3 게이트 전극들 사이에 배치되는 게이트 절연층; 및
    상기 게이트 전극이 배치된 상기 게이트 절연층 상에 배치되는 층간 절연층을 더 포함하고,
    상기 제1 내지 제3 액티브 패턴들은 상기 게이트 절연층과 상기 베이스 기판 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 액티브 패턴들과 상기 베이스 기판 사이에 각각 배치되는 제1 내지 제3 하부 차폐 전극들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  16. 적색광을 방출하는 제1 서브 화소, 녹색광을 방출하는 제2 서브 화소 및 청색광을 방출하는 제3 서브 화소를 포함하는 표시 장치에 있어서,
    상기 제1 서브 화소는 제1 박막 트랜지스터, 제1 청색 발광층 및 제1 청색 발광층 상에 배치되는 적색 색변환 패턴을 포함하고,
    상기 제2 서브 화소는 제2 박막 트랜지스터, 제2 청색 발광층 및 제2 청색 발광층 상에 배치되는 녹색 색변환 패턴을 포함하고,
    상기 제1 서브 화소는 제3 박막 트랜지스터, 제3 청색 발광층을 포함하고,
    상기 제1 박막 트랜지스터와 상기 제1 청색 발광층 사이, 상기 제2 박막 트랜지스터와 상기 제2 청색 발광층 사이, 상기 제3 박막 트랜지스터와 상기 제3 청색 발광층 사이에 배치되는 적색 컬러 필터층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터들은 산화물 반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 제1 색변환 패턴은 적색의 양자점 입자 및/또는 적색 형광체를 포함하고, 상기 제2 색변환 패턴은 녹색의 양자점 입자 및/또는 녹색 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 서브 화소들의 상기 제1 내지 제3 청색 발광층들은 서로 연결되어 공통으로 형성된 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  20. 제16 항에 있어서,
    상기 적색 컬러 필터층은 상기 제1 내지 제3 박막 트랜지스터들과 중첩하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
KR1020180119623A 2018-10-08 2018-10-08 표시 장치 KR102550520B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180119623A KR102550520B1 (ko) 2018-10-08 2018-10-08 표시 장치
CN201980063011.5A CN112771676A (zh) 2018-10-08 2019-02-01 显示装置
US17/283,714 US11968876B2 (en) 2018-10-08 2019-02-01 Display device
PCT/KR2019/001485 WO2020075923A1 (ko) 2018-10-08 2019-02-01 표시 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180119623A KR102550520B1 (ko) 2018-10-08 2018-10-08 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200040328A true KR20200040328A (ko) 2020-04-20
KR102550520B1 KR102550520B1 (ko) 2023-07-04

Family

ID=70164961

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180119623A KR102550520B1 (ko) 2018-10-08 2018-10-08 표시 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11968876B2 (ko)
KR (1) KR102550520B1 (ko)
CN (1) CN112771676A (ko)
WO (1) WO2020075923A1 (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11488943B2 (en) * 2019-06-14 2022-11-01 X Display Company Technology Limited Modules with integrated circuits and devices
KR102565182B1 (ko) * 2019-09-30 2023-08-08 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치
KR20210057273A (ko) * 2019-11-11 2021-05-21 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR20210086898A (ko) * 2019-12-31 2021-07-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법
CN111490087A (zh) * 2020-04-23 2020-08-04 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和电子设备
CN111697006A (zh) * 2020-06-05 2020-09-22 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及显示面板的制备方法
KR20210157801A (ko) * 2020-06-22 2021-12-29 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 표시장치
CN111897168A (zh) * 2020-08-21 2020-11-06 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130008892A (ko) * 2011-07-13 2013-01-23 엘지디스플레이 주식회사 양자 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR20140057839A (ko) * 2012-11-05 2014-05-14 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20170079626A (ko) * 2015-12-30 2017-07-10 엘지디스플레이 주식회사 백색광 발광장치 및 이를 이용한 하이브리드 표시장치

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100834342B1 (ko) * 2001-12-29 2008-06-02 엘지디스플레이 주식회사 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법
KR20080011829A (ko) 2006-07-31 2008-02-11 삼성전자주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100864882B1 (ko) * 2006-12-28 2008-10-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR101407309B1 (ko) 2011-11-15 2014-06-16 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법
KR101982073B1 (ko) * 2012-10-12 2019-05-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 유기 발광 표시 장치
CN107004699A (zh) 2014-12-18 2017-08-01 Lg电子株式会社 有机发光二极管显示装置
JP2016157073A (ja) * 2015-02-26 2016-09-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR101859105B1 (ko) 2015-09-25 2018-05-17 엘지전자 주식회사 적외선 센서를 구비한 디스플레이 장치
KR20170110950A (ko) 2016-03-24 2017-10-12 삼성에스디아이 주식회사 컬러 필터, 그 제조 방법, 및 컬러 필터를 포함하는 표시 장치
KR102640164B1 (ko) 2016-05-09 2024-02-23 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판
KR102572763B1 (ko) 2016-06-29 2023-08-29 엘지디스플레이 주식회사 투명표시장치와 그의 제조방법
KR20180013577A (ko) 2016-07-29 2018-02-07 엘지디스플레이 주식회사 투명표시장치와 그의 제조방법
KR20180019794A (ko) 2016-08-16 2018-02-27 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20180034856A (ko) * 2016-09-28 2018-04-05 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR101947643B1 (ko) * 2016-12-02 2019-02-13 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치
KR20180090421A (ko) * 2017-02-02 2018-08-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20210033683A (ko) * 2019-09-19 2021-03-29 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130008892A (ko) * 2011-07-13 2013-01-23 엘지디스플레이 주식회사 양자 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR20140057839A (ko) * 2012-11-05 2014-05-14 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20170079626A (ko) * 2015-12-30 2017-07-10 엘지디스플레이 주식회사 백색광 발광장치 및 이를 이용한 하이브리드 표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020075923A1 (ko) 2020-04-16
CN112771676A (zh) 2021-05-07
US20210327964A1 (en) 2021-10-21
KR102550520B1 (ko) 2023-07-04
US11968876B2 (en) 2024-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102550520B1 (ko) 표시 장치
KR20230128434A (ko) 유기발광 표시 장치
KR20190098703A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
US11957034B2 (en) Display apparatus having an improved display quality and a reduced peripheral (non-display) region for use in electronic device having a bypass data line arranged in the display and peripheral regions
WO2022057527A1 (zh) 显示基板及显示装置
KR20200118266A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20200115925A (ko) 표시 장치
US11239300B2 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
KR20210131509A (ko) 화소 및 이를 포함하는 표시장치
KR20200098742A (ko) 표시 장치
KR20210086869A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
WO2022057528A1 (zh) 显示基板及显示装置
KR20210025738A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20200029678A (ko) 표시 장치
KR20210033586A (ko) 표시 장치
KR20210142033A (ko) 표시장치
KR20200083700A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20200116568A (ko) 표시 장치
KR102624491B1 (ko) 표시 장치
KR20200034889A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20200053716A (ko) 표시 장치
US20240105738A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
KR102606687B1 (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20210022802A (ko) 표시 장치
KR20240024408A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant