KR20200037290A - 칩 형성 장치를 갖는 네거티브 마무리 선삭 인서트 - Google Patents

Abstract

인코넬 및 티타늄 가공물을 기계가공하기 위한 선삭 인서트(10)가 제공된다. 인서트(10)는 단일의 V-형 요홈만을 포함하는 칩 형성 장치를 포함한다. 요홈은 인코넬 및 티타늄 가공물의 기계가공을 향상시키기 위한 특정 깊이 및 위치를 포함한다.

Description

칩 형성 장치를 갖는 네거티브 마무리 선삭 인서트

본 발명은 기계가공 작업을 위한 인서트, 특히 마무리 깊이 기계가공 작업을 위한 칩 형성 장치를 포함하는 네거티브 선삭 인서트에 관한 것이다. 더욱 구체적으로, 칩 형성 장치는 높은 열 전달 특성을 갖는 재료를 기계가공하기가 곤란한 기계가공에 최적화된다.

이러한 특정 적용은 네거티브 인서트, 즉 인서트가 연결된 레이크 표면(들)에 수직으로 연장되는 주변 표면을 갖는 인서트에 관한 것이다. 본 출원의 전체 초점은 칩 형성이며, 당 업계에 공지된 바와 같이, 네거티브 인서트 및 비-네거티브 인서트는 공구에 장착되어도 동일한 인서트 각도를 가공물에 제공하기 위해 상이한 칩을 형성하는 것으로 이해될 것이다. 네거티브 인서트는 당업계에 공지되어 있으며 ISO 표준에서 문자 "N"으로 분류된다.

보다 구체적으로, 칩 형성 장치는 마무리 깊이(이하 간단히 "마무리") 기계가공을 위한 것으로, 본 출원의 목적상 2.5mm까지의 깊이를 갖는 것으로 간주된다. 더 큰 깊이에서, 동일한 칩 형성 장치는 비례적으로 확대되더라도 동일한 유리한 성능을 제공하지 않을 것으로 예상된다.

본 출원의 칩 형성 장치는 몇몇 상이한 설계에 대해 비교 시험를 거쳤으며, 그 중 일부는 종래 기술의 칩 형성 장치에 기초한 것으로, 이하에서 상세히 논의된다. 본 발명의 목적은 새롭고 개선된 칩 형성 장치를 제공하는 것이다.

본 발명에 따른 요지의 칩 형성 장치는 인코넬 및 티타늄 가공물 모두를 기계가공하기 위해 최적으로 수행하는 특이한 목적을 위해 개발되었다. 특히, 인코넬과 티타늄 모두 유사한 높은 열 전달 특성을 갖지만 기계가공 시에 현저히 상이한 특성을 갖는다.

자세히 설명하자면, 시험된 여러 설계 중 청구된 설계는 인코넬을 기계가공 시 다른 설계보다 저하되고 티타늄을 기계가공 시 일부 설계보다 저하되지만 모든 설계보다 평균적으로 더 우수하다(칩의 요인을 고려하여 두 재료를 기계가공할 때 비교적 얕은 절삭 깊이, 비교적 깊은 절삭 깊이에서의 공구 수명).

본 출원의 요지의 제1 양태에 따르면, 단지 하나의 v-형 요홈만을 포함하는 칩 형성 장치를 포함하는 선삭 인서트가 제공된다. 요홈은 인코넬 및 티타늄 가공물의 마무리 깊이 기계가공을 위해 구성된다.

더욱 구체적으로, 인서트는 마주보는 제1 및 제2 표면, 상기 제1 및 제2 표면에 수직으로 연장되고 이를 연결하는 주변방향으로 연장된 주변 표면, 제1 표면 및 주변 표면의 교차부에 형성된 주변 에지 - 주변 에지는 코너 반경을 갖는 하나 이상의 코너를 가짐 - , 코너의 상이한 측면으로부터 연장되고 이에 연결된 제1 및 제2 에지 부분 및 코너 반경을 따라 연장되고 주변 에지의 일부를 따라 형성된 절삭 에지, 코너 반경을 이등분하고 제1 및 제2 표면에 수직인 이등분선 평면(P1), 이등분선 평면과 절삭 에지의 교차부에 형성된 이등분선 점(P), 이등분선 점을 교차하고 주변 표면에 수직인 수평 평면, 제2 표면을 향하여 수평 평면으로부터 수직으로 향하는 하향 방향, 하향 방향에 마주보는 상향 방향, 주변 표면과 이등분선 평면의 교차부로부터 인서트 내로 향하는 내향 방향, 및 상면도에서 코너 반경의 양 측면에서 연장되는 단일의 연속적인 v-형 요홈으로 구성되고 절삭 에지에 인접한 제1 표면에 형성된 칩 형성 장치를 포함하고, 상기 요홈은 곡선 요홈 부분의 일 측면에 연결된 2개의 직선 연장 부분 및 코너 반경에 인접한 곡선 요홈 부분, 요홈의 최하위 부분에 하향-내항 방향으로 절삭 에지로부터 직접 연장되는 하강 표면, 및 상향-내향 방향으로 최하위 지점으로부터 최고 지점으로 연장되는 상승 표면을 포함하고, 이등분선 평면을 따라, 최하위 지점은 조건 0.50mm ≤ D1 ≤ 1.20mm을 만족하도록 이등분선 점으로부터 제1 수평 거리(D1)이고, 최하위 지점은 조건 0.15mm ≤ H1 ≤ 0.30mm을 만족하도록 수평면으로부터 하향으로 제1 수직 거리(H1)이고, 최고 지점은 조건 1.10mm ≤ D2 ≤ 1.70mm을 만족하도록 이등분선 지점으로부터 제2 수평 거리(D2)이다.

시험된 다른 설계를 참조하여 아래에 도시된 바와 같이, 상기 요소의 특정 위치가 약간이라도 변경될 때 유사한 칩 형성 장치조차 놀랍게 상이하게 거동하였다.

바람직하게, 제1 수평 거리(D1)는 조건 0.70mm ≤ D1 ≤ 1.10mm을 충족시킨다. 더욱 선호되는 값은 D1 = 0.85mm에 더 근접한다.

바람직하게, 수직 거리(H1)는 조건 0.20mm ≤ H1 ≤ 0.30mm을 충족시킨다. 더욱 선호되는 값은 H1 = 0.25mm에 더 근접한다.

바람직하게, 제2 수평 거리(D2)는 조건 1.20mm ≤ D1 ≤ 1.60mm을 충족시킨다. 더욱 선호되는 값은 D2 = 1.40mm에 더 근접한다. 명세서 및 청구항의 목적으로, 제2 수평 거리(D2)는 마무리 조건을 사용하여 기계가공 동안에 칩 형성에 기여하는 단일의 상승 표면의 곡선 및 직선 부분을 포함할 수 있다. 본 발명의 설계의 하강 및 상승 표면은 마무리 조건에서 기계가공 시에 칩 형성을 수행하는 표면으로 구성된다. 이는 상이한 예시적인 요소(랜드, 수평으로 연장되는 절삭 에지 길이, 접합 표면으로의 전리 릴리프 표면)와 관련하여 아래에서 상세하게 설명될 것이다.

바람직하게, 제2 수평 거리(D2)는 이등분선 평면 이외의 평면을 따라 취한 비교 거리에 비해 최대 거리이다. 바람직하게, V-형 요홈은 이등분선 평면을 따라 최대 폭을 가지며(즉, 최대 수평 거리(D2)를 가짐), 곡선 요홈 부분으로부터 이격되는 방향으로 요홈의 직선 연장 부분의 적어도 일부를 따라 지속적으로 더 좁아진다.

바람직하게, 칩 형성 장치는 이등분선 평면 주위에서 대칭을 이룬다.

바람직하게, 이등분선 평면을 따라 상승 표면이 매끄러운 오목한 형태로 연장된다.

바람직하게, 이등분선 평면을 따라 하강 표면의 대부분이 직선 형태로 연장된다.

바람직하게, 최고 지점은 수평면의 상향에 위치된다.

바람직하게, 최고 지점은 조건 H2 = H1±0.05mm를 충족시키도록 최하위 지점으로부터의 제2 수직 거리(H2)이다.

바람직하게, 최고 지점은 수평 평면의 0.1 mm 내에 있다.

바람직하게, 최고 지점은 수평면 위에 있다.

바람직하게, 절삭 에지는 원형 반경을 갖는다.

특히 바람직하게, E-유형 호닝 형상(E-type honed shape)이 바람직하다. 달리 언급하면, 절삭 에지는 바람직하게는 원형 반경을 갖도록 호닝될 수 있다.

바람직하게, 제1 수직 거리(H1)는 이등분선 평면 이외의 평면을 따라 비교 거리에 비해 최대 거리일 수 있다. 바람직하게, V-형 요홈은 이등분선 평면(P1)을 따라 최대 깊이를 가지며, 곡선 요홈 부분으로부터 이격되는 방향으로 요홈의 직선 연장 부분의 적어도 일부를 따라 지속적으로 더 얕아진다.

바람직하게, V-형 요홈은 이등분선 평면(P1)을 따라 최대 폭을 가지며, 곡선 요홈 부분으로부터 이격되는 방향으로 요홈의 직선 연장 부분의 적어도 일부를 따라 지속적으로 더 좁아진다.

바람직하게는, 칩 형성 장치에 인접한 절삭 에지는 수평면에 평행하게 연장된다. 상기 특징은 다른 특징과 마찬가지로 마무리 깊이 인서트가 작용하는 작업 영역에만 관련되는 것으로 이해될 것이다. 따라서, 보다 정확하게는, 칩 형성 장치에 인접한 절삭 날이 이등분선 점으로부터 2.5mm의 수평 거리 내에서 수평면에 평행하게 연장된다. 정교하게 말하면, 그 거리보다 더 멀리 칩 형성 장치와 관련이 없다.

바람직하게는, 인서트는 동일한 특징을 갖지만 상이한 위치, 예를 들어 제2 표면에 형성된 다른 칩 형성 장치를 갖는다. 예를 들어, 제1 및 제2 표면의 각 코너에는 상기 정의된 칩 형성 장치와 동일한 특징을 갖는 칩 형성 장치가 형성될 수 있다.

"절삭 에지로부터 직접 연장되는 하강 표면"이라는 표현은 하강 표면, 또는 다르게 칩 형성 장치가 랜드가 없음을 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 본 명세서 및 청구항의 목적 상, 랜드는 칩 형성에 현저한 부정적인 영향을 미칠 것으로 예상되지 않기 때문에 랜드가 0.1mm 이상의 수평 치수를 갖는 경우에만 고려된다.

도 1a는 본 발명의 요지에 다른 칩 형성 장치를 포함하는 인서트의 상면도.
도 1b는 도 1a의 인서트의 측면도.
도 1c는 도 1a의 부분(IC)의 확대도.
도 1d는 도 1b의 부분(ID)의 확대도.
도 2a는 도 1c에서의 선 B-B를 따라 취한 단면도.
도 2b는 도 1c에서의 선 X-X를 따라 취한 단면도.
도 3a 내지 도 3g는 비교 설계의 이등분선을 따라 취한 단면도.

도 1a 및 도 1b는 기계가공 작동을 위한 마무리 선삭 인서트(finish turning insert, 10)를 도시한다. 인서트(10)는 전형적으로 상당히 경질이고 초경합금과 같이 내마모성 재료로 제조된다.

인서트(10)는 마주보는 제1 및 제2 표면(12, 14) 및 제1 및 제2 표면(12, 14)에 연결된 주변방향으로 연장된 주변 표면(16)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 표면(12, 14)은 이 비제한 예시에서 동일하고 단지 제1 표면(12)만이 설명될 것이다. 인서트(10)는 적어도 하나의 코너(18A, 18B, 18C, 18D)를 포함한다.

인서트(10)는 코너(18A)와 제1 표면(12)과 연계된 적어도 하나의 칩 형성 장치(20)를 포함한다. 이와 달리 언급되지 않는 한, 하기 기술은 하나의 칩 형성 장치(즉, 도면부호 "20"으로 지정된 장치)에 관한 것이지만, 제1 및 제2 표면(12, 14)들 중 하나 또는 둘 모두에서 인서트(10)의 각각의 코너는 대응 칩 형성 장치를 가질 수 있다.

임의의 경우, 본 예에서, 인서트(10)는 각각의 코너의 제1 및 제2 표면(12, 14)에서, 즉 이러한 장치에서 및 각각의 모서리에서 대응 칩 형성 장치를 갖는다. 또한, 제1 표면(12)(도시된 예시에서 제2 표면(14))은 레이크 표면이고, 이에 걸쳐서 칩이 절단 가공물(도시되지 않음)으로부터 절단된다.

주변 표면(16)은 인서트(10)의 릴리프 표면을 구성하는 것으로 이해될 것이다. 도시된 바와 같이, 주변 표면(16)은 제1 및 제2 표면(12, 14)에 수직으로 연장된다. 달리 언급하면, 인서트(10)는 소위 네거티브 인서트이다.

도 1c 및 1d에서, 코너(18A)는 코너 반경(C)을 형성할 수 있다. 보다 정확하게는, 코너 반경(C)은 제1 표면(12)의 상면도에서 코너(18A)의 내접 원(I)을 따르는 원 호형 부분이다.

도 1a 내지 도 1d에서, 주변 에지(21)는 제1 표면(12)과 주변 표면(16) 사이에 형성된다. 절삭 에지(22)은 주변 에지(21)의 적어도 일부를 따라 형성되고 코너(18A)를 따라 연장되고 제1 및 제2에 서브 절삭 에지(22A, 22B)에 연결된 제3 서브 절삭 에지(22C)를 가지며 제1 및 제2 서브 절삭 에지(22A, 22B)를 포함할 수 있다.

코너(18A)의 곡률이 직선의 제1 및 제2 서브 절삭 에지(22A, 22B)로 전이되는 위치에서 제1 및 제2 서브 절삭 에지(22A, 22B)와 제3 서브 절삭 에지(22C)의 제1 및 제2 연결 지점(24A, 24B)(도 4A)이 위치된다.

도 1c에서, 라인 B-B를 따라 연장되는 이등분선 평면(P1)이 도시되어있다. 이등분선 평면(P1)은 제1 및 제2 표면(12, 14)에 수직이고 코너 반경(C)을 이등분한다(즉, 이론적으로 코너(18A)를 동일한 절반으로 나눔). 칩 형성 장치(20)는 바람직하게 도시된 바와 같이 이등분선 평면(P1)에 대해 대칭일 수 있다.

이등분선 점(P)은 이론적으로 절삭 에지와 이등분선 면(P1)의 교차점에서 형성된다.

내측 방향(DI)은 이등분선 면(B)과 주변 표면(16)의 교차점으로부터 인서트(10)로 향하도록 형성된다.

수평면(H)(도 1d)은 주변 표면(16)에 수직으로 연장되고 이등분선 점(P)과 교차하여 연장된다. 동일한 도면에서, 절삭 에지(22)는 수평면(H)과 평행하게 연장되는 것으로 이해될 수 있다.

하향 방향(DD)은 수평면(H)으로부터 제2 표면(14)을 향하여 수직으로 형성된다. 상향 방향(DU)은 하향 방향(DD)과 반대 방향으로 형성된다.

도 1c에 가장 잘 도시된 바와 같이, 코너(18A)에서, 칩 형성 장치(20)는 코너 반경(C)의 양 측면에서 연장되는 단일의 연속적인 v-형 요홈(28)만을 포함한다. 평면도에서 볼 때(도 1c) v-형상이 도시된다.

절삭 에지(22)와 유사하게, 요홈(28)은 인접한 제1 및 제2 서브 절삭 에지(22A, 22B)를 따라 연장되는 2개의 직선 연장 부분(28A, 28B) 및 제 3 서브 절삭 에지(22C)에 인접한 곡선형 요홈 부분(28C)을 포함한다.

도 2a에 도시된 바와 같이, 단면에서, 요홈(28)은 절삭 에지(22)로부터 직접 연장되는 하강 표면(30)과 상승 표면(32)을 포함한다.

도 2a를 참조하면, 하강 표면(30)은 하향 방향(DD) 및 내측 방향(DI)(하향 내측 방향으로 불림)에서 요홈(28)의 최저 지점(34)(즉, 이등분선 점(P)에 가장 근접한 최저 지점으로 고려됨)까지 연장되는 것으로 도시되고, 상승 표면(32)은 최저 지점(34)으로부터 상향 방향(DU) 및 내측 방향(DI)(상향 내측 방향으로도 지칭됨) 모두에서 최고 지점(36)까지 연장된다. 최고 지점(36)은 접합 표면(40)과 최고 지점(36) 사이에 전이 부분(38)이 있을지라도 칩 형성을 돕는 칩 형성 장치(20)의 마지막 부분이다. 전이 부분(38)은 칩 형성 기능을 갖지 않고 이에 따라서 칩 형성 장치(20)의 설명에 대해서는 무시된다.

특히, 하강 표면(30)은 도 3f 및 도 3g에서의 요소(38A 및 38B)에 의해 예시된 바와 같이 내향 방향(DI)이 아니라 하향 내향으로 직접 연장된다. 달리 말하면, 본 발명의 칩 형성 장치(20)는 랜드(land)가 없다.

비록 요소(38A 및 38B)가 또한 내향 방향(DI)으로 연장될지라도 본 발명의 목적으로 랜드인 것으로 고려되지 않고 이는 이러한 크기가 0.1 mm 이상인 것으로 고려되는 경우에 칩 형성에 상당히 영향을 미치기에 충분히 크지 않다. 다시 말해서, 본 출원의 목적으로, 절삭 에지에 인접한 구조는 적어도 0.1mm 이상이 아니면 "랜드"로 간주될 수 없다. 도시된 바와 같이, 최저 지점(34)에 근접할 때까지 하강 표면(30)은 직선으로 연장된다.

최저 지점(34)은 이등분선 평면(P1)을 따라 이등분선 점(P)으로부터의 제1 수평 거리(D1)이다. 이 바람직한 실시예에서, 조건(D1)은 0.85mm이다.

최고 지점(36)은 이등분선 평면(P1)을 따라 이등분선 점(P)으로부터의 제2 수평 거리(D2)이다. 이 바람직한 실시예에서, 제2 수평 거리(D2)는 1.40mm이다. 특히, 도 2b에서, 비교 거리(D2')는 0.94mm와 동일하다. 마찬가지로, 다른 모든 섹션에서 D2가 비교 거리보다 크다. 따라서, 제2 수평 거리(D2)는 비교 거리에 비해 가장 큰 거리인 것으로 이해 될 것이다(D2'는 예시된 비교 거리임). 다시 말해, V 자형 요홈(28)은 이등분선 평면(P1)을 따라 가장 넓다. 또한, V자형 요홈(28)은 바람직하게는 곡선 요홈 부분(2C)로부터 이격되는 방향으로 요홈의 직선 연장 부분(28A, 28B)의 적어도 일부를 따라 점진적으로 좁아지는 것이 바람직하다.

접합 표면(40)은 이등분선 점으로부터의 제3 수평 거리(D3)이다. 이 바람직한 실시예에서, D3 = 1.84mm이다.

최저 지점(34)은 수평면(H)으로부터 하향으로 제1 수직 거리(H1)이다. 이 바람직한 실시예에서, H1 = 0.25mm이다.

최고 지점(36)은 최저 지점(34)으로부터의 제2 수직 거리(H2)이다. 이 바람직한 실시 예에서, H2 = 0.30mm이다.

제3 수직 거리(H3)는 수평면으로부터 접합 표면(40)까지 상향으로 형성된다.이 바람직한 실시예에서, H3 = 0.10mm이다.

제4 수직 거리(H4)는 전이 부분(38)(최고 지점(36)과 접합 표면(40) 사이에서 연장되는)의 최저 지점으로 수평면으로부터 상향으로 형성된다. 이 선호되는 실시예에서, H4 = 0.05mm이다. 그럼에도 불구하고, 전이 부분(38)은 선택적이다.

완전성을 위해, 도 2b의 값은 다음과 같다: D1'= 0.47mm; D2'= 0.94mm; D3'= 1.32mm; H1'= 0.2mm; H3'0.1 = mm; H4'= 0.04mm; 그리고 H2'= H1'+ H4'= 0.24mm. 따라서, 제1 수직 거리(H1)(= 0.25mm)는 비교 거리(H1'= 0.20mm가 예시된 비교 거리임)와 비교하여 최대 거리인 것으로 이해될 것이다.

전술한 칩 형성 장치(20)는 이등분선 섹션이 도 3a 내지 도 3g에 도시된 몇몇 비교 유사 설계에 대해 전반적으로 개발되고 수행되었다. 이의 비교 값은 하기 표와 같다.

	도 2A	도 3A	도 3B	도 3C	도 3D	도 3E	도 3F	도 3G
H1	0.25	0.05	0.14	0.09	0.04	0.14	0.07	0.09
H2	0.30	0.15	0.24	0.12	0.14	0.26	0.20	0.15
H3	0.10	0.10	0.10	0.10	0.10	0.12	0.13	0.06
D1	0.85	0.19	0.48	0.32	0.15	0.42	0.41	0.41
D2	1.40	1.69	1.87	0.51	1.30	1.89	1.53	2.01

표에 대한 설명은 다음과 같다.

제2 수직 거리(H2)는 모든 도면에 도시되지 않았지만 제1 및 제3 수직 거리(H1, H3)의 합으로 계산된다. 특히 이 계산은 도 2a 및 3c에 대해 정확하지 않고 이에 따라 거리가 도시되어 제공된다.

도 3a 및 3d에 도시된 바와 같이, 칩은 비교적 얕은 요홈을 따라 롤링함으로써 형성되고, 따라서 제2 수평 거리(D2)는 도시된만큼 연장된다. 대조적으로, 도 2a 및 도 3c에서 칩 형성은 초기 상승 표면의 단부에서 이미 종료되고(따라서 칩 형성 장치의 기능 영역을 종료함), 따라서 제1 수직 거리(H1)의 위치는 도시된 바와 같다. 따라서, 도 2a 및 3c에서, 제1 및 제3 수직 거리(H1, H3)의 합은 제2 수직 거리(H2)와 동일하지 않다.

도 3a 및 3d에서, 치수는 제1 요홈으로부터 계산되지만, 청구된 개념과는 다른 2개의 요홈 배열이 있기 때문에 유추에 어려움이 있다. 임의의 경우, 이는 이러한 설계가 시험되었음을 입증하기 위해 제공된다. 임의의 경우, 두 실시예에서 제2 요홈의 높이는 0.15mm보다 상당히 작으며, 이는 청구된 범위의 낮은 값이다.

인코넬 및 티타늄 모두에 대해 칩 형성(또는 제어), 상대적으로 얕은 절삭 깊이 및 깊은 절삭 깊이에서의 공구 수명을 고려한 시험 결과 비교가 수행되었다.

본 설계(도 2a)는 시험된 모든 범주에서 도 3a의 비교 설계에 비해 상당히 유리하다.

본 설계(도 2a)는 공구 수명(깊은 절삭 깊이에서의 인코넬 기계가공) 및 칩 제어(티타늄 기계가공)의 범주에서도 3b의 비교 설계에 비해 상당히 선호된다.

본 설계(도 2a)는 공구 수명(깊은 절삭 깊이에서 인코넬 기계가공)의 범주에서 도 3c의 비교 설계에 비해 상당히 선호된다.

본 설계(도 2a)는 공구 수명(깊은 절삭 깊이에서 인코넬 기계가공) 및 칩 제어(티타늄 기계가공)의 범주에서 도 3D의 비교 설계에 비해 상당히 선호된다.

본 설계(도 2a)는 공구 수명(높은 절삭 깊이에서 인코넬 및 티타늄 가공) 및 칩 제어(티타늄 기계가공)의 범주에서도 3e의 비교 설계에 비해 상당히 유리하다.

본 설계(도 2a)는 공구 수명(얕고 깊은 절삭 깊이에서 인코넬 기계가공) 및 칩 제어(티타늄 기계가공)의 범주에서 도 3f의 비교 설계에 비해 상당히 유리하다.

본 설계(도 2a)는 공구 수명(얕고 깊은 절삭 깊이에서 티타늄 기계가공 및 깊은 절삭 깊이에서 인코넬 기계가공)의 범주에서 도 3g의 비교 설계에 비해 상당히 유리하다.

요약하면, 본 설계는 깊은 깊이에서 인코넬을 기계가공하기 위한 모든 설계 중에서 최상의 성능을 보였으며 티타늄 기계가공의 칩 제어에서 하나를 제외하고 모든 다른 설계보다 우수한 성능을 보였다(마지막 순간에 수행).

다른 값은 종종 비교 설계와 같거나 때로는 열등하지만, 언급된 모든 기준의 전체 평균 결과는 현재 설계에서 가장 높았다.

Claims (19)

1. 선삭 인서트로서,
   마주보는 제1 및 제2 표면,
   상기 제1 및 제2 표면에 수직으로 연장되고 이를 연결하는 주변방향으로 연장된 주변 표면,
   제1 표면 및 주변 표면의 교차부에 형성된 주변 에지 - 주변 에지는 코너 반경을 갖는 하나 이상의 코너를 가짐 - ,
   코너의 상이한 측면으로부터 연장되고 이에 연결된 제1 및 제2 에지 부분 및 코너 반경을 따라 연장되고 주변 에지의 일부를 따라 형성된 절삭 에지,
   코너 반경을 이등분하고 제1 및 제2 표면에 수직인 이등분선 평면(P1),
   이등분선 평면과 절삭 에지의 교차부에 형성된 이등분선 점(P),
   이등분선 점을 교차하고 주변 표면에 수직인 수평 평면,
   제2 표면을 향하여 수평 평면으로부터 수직으로 향하는 하향 방향,
   하향 방향에 마주보는 상향 방향,
   주변 표면과 이등분선 평면의 교차부로부터 인서트 내로 향하는 내향 방향, 및
   상면도에서 코너 반경의 양 측면에서 연장되는 단일의 연속적인 v-형 요홈으로 구성되고 절삭 에지에 인접한 제1 표면에 형성된 칩 형성 장치를 포함하고,
   상기 요홈은
   곡선 요홈 부분의 일 측면에 연결된 2개의 직선 연장 부분 및 코너 반경에 인접한 곡선 요홈 부분,
   요홈의 최하위 부분에 하향-내항 방향으로 절삭 에지로부터 직접 연장되는 하강 표면, 및
   상향-내향 방향으로 최하위 지점으로부터 최고 지점으로 연장되는 상승 표면을 포함하고,
   이등분선 평면을 따라,
   최하위 지점은 조건 0.50mm ≤ D1 ≤ 1.20mm을 만족하도록 이등분선 점으로부터 제1 수평 거리(D1)이고,
   최하위 지점은 조건 0.15mm ≤ H1 ≤ 0.30mm을 만족하도록 수평면으로부터 하향으로 제1 수직 거리(H1)이고,
   최고 지점은 조건 1.10mm ≤ D2 ≤ 1.70mm을 만족하도록 이등분선 지점으로부터 제2 수평 거리(D2)인 선삭 인서트.
2. 제1항에 있어서, 제1 수평 거리(D1)는 조건 0.70mm ≤ D1 ≤ 1.10mm을 충족시키는 선삭 인서트.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 수직 거리(H1)는 조건 0.20mm ≤ H1 ≤ 0.30mm을 충족시키는 선삭 인서트.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 제2 수평 거리(D2)는 조건 1.20mm ≤ D1 ≤ 1.60mm을 충족시키는 선삭 인서트.
5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 칩 형성 장치는 이등분선 평면 주위에서 대칭을 이루는 선삭 인서트.
6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 이등분선 평면을 따라 상승 표면은 매끄러운 오목한 형태로 연장되는 선삭 인서트.
7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 이등분선 평면을 따라 하강 표면의 대부분이 직선 형태로 연장되는 선삭 인서트.
8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 최고 지점은 수평면의 상향에 위치되는 선삭 인서트.
9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 최고 지점은 조건 H2 = H1±0.05mm를 충족시키도록 최하위 지점으로부터의 제2 수직 거리(H2)인 선삭 인서트.
10. 제9항에 있어서, 최고 지점은 수평 평면의 0.1 mm 내에 있는 선삭 인서트.
11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 제2 수평 거리(D2)는 이등분선 평면 이외의 평면을 따라 취한 비교 거리와 비교하여 최대 거리인 선삭 인서트.
12. 제11항에 있어서, V-형 요홈은 이등분선 평면(P1)을 따라 최대 폭을 가지며, 곡선 요홈 부분으로부터 이격되는 방향으로 요홈의 직선 연장 부분의 적어도 일부를 따라 지속적으로 더 좁아지는 선삭 인서트.
13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 절삭 에지는 원형 반경을 갖는 선삭 인서트.
14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 동일한 특징부를 갖지만 제2 표면에 형성되는 추가 칩 형성 장치를 추가로 포함하는 선삭 인서트.
15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 제1항에 따른 칩 형성 장치와 동일한 특징부를 갖는 제1 및 제2 표면의 각각의 코너에 칩 형성 장치를 포함하는 선삭 인서트.
16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 칩 형성 장치에 인접한 절삭 에지는 수평면에 평행하게 연장되는 선삭 인서트.
17. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 수직 거리(H1)는 이등분선 평면 이외의 평면을 따라 비교 거리에 비해 최대 거리인 선삭 인서트.
18. 제17항에 있어서, V-형 요홈은 이등분선 평면(P1)을 따라 최대 깊이를 가지며, 곡선 요홈 부분으로부터 이격되는 방향으로 요홈의 직선 연장 부분의 적어도 일부를 따라 지속적으로 더 얕아지는 선삭 인서트.
19. 제18항에 있어서, V-형 요홈은 이등분선 평면(P1)을 따라 최대 폭을 가지며, 곡선 요홈 부분으로부터 이격되는 방향으로 요홈의 직선 연장 부분의 적어도 일부를 따라 지속적으로 더 좁아지는 선삭 인서트.

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