KR20200005706A - 디스플레이 장치 - Google Patents

디스플레이 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20200005706A
KR20200005706A KR1020180078935A KR20180078935A KR20200005706A KR 20200005706 A KR20200005706 A KR 20200005706A KR 1020180078935 A KR1020180078935 A KR 1020180078935A KR 20180078935 A KR20180078935 A KR 20180078935A KR 20200005706 A KR20200005706 A KR 20200005706A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pixel
display area
disposed
layer
insulating film
Prior art date
Application number
KR1020180078935A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102635542B1 (ko
Inventor
박준현
김선광
조강문
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020180078935A priority Critical patent/KR102635542B1/ko
Priority to US16/376,608 priority patent/US10916595B2/en
Priority to CN201910601509.4A priority patent/CN110690254A/zh
Publication of KR20200005706A publication Critical patent/KR20200005706A/ko
Priority to US17/170,313 priority patent/US11653549B2/en
Priority to US18/313,198 priority patent/US20230276684A1/en
Priority to KR1020240012444A priority patent/KR20240016393A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102635542B1 publication Critical patent/KR102635542B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
    • H01L27/32—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H01L51/50—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/341—Short-circuit prevention
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 디스플레이 영역의 형상을 다양화함과 동시에 디스플레이 품질을 향상시킨 디스플레이 장치를 위하여, 기판, 상기 기판 상에 배치된 제1 절연막, 상기 기판과 상기 제1 절연막을 관통하는 관통부, 상기 제1 절연막 상에 위치하는 발광소자를 각각 구비하며, 상기 관통부를 적어도 부분적으로 둘러싸도록 배열된 화소들을 포함하는 디스플레이부, 상기 화소전극의 가장자리를 덮고 중앙부를 노출시키는 개구를 갖는 제2 절연막, 및 상기 관통부와 상기 디스플레이부 사이에 위치하고, 상기 화소전극과 동일물질을 포함하는 금속패턴을 구비하며, 상기 디스플레이부에 인접하여 배열된 더미화소들을 포함하는 더미화소부를 구비하는, 디스플레이 장치를 제공한다.

Description

디스플레이 장치{Display apparatus}
본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 디스플레이 영역의 형상을 다양화함과 동시에 디스플레이 품질을 향상시킨 디스플레이 장치에 관한 것이다.
근래에 디스플레이 장치는 그 용도가 다양해지고 있다. 또한, 디스플레이 장치의 두께가 얇아지고 무게가 가벼워 그 사용의 범위가 광범위해지고 있는 추세이다. 특히, 근래에 디스플레이 장치는 모니터, 휴대폰뿐만 아니라 시계 등과 같이 다양한 형태의 기기에 사용되고 있으며, 이에 따라 디스플레이 장치의 형태를 설계하는데 다양한 방법이 연구되고 있다.
이와 같이 디스플레이 장치의 형태를 다양하게 설계함에 있어서, 설계 변형된 부분에서 복합적인 이슈들로 인해 디스플레이 품질이 저하되는 등의 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 디스플레이 영역의 형상을 다양화함과 동시에 디스플레이 품질을 향상시킨 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 기판; 상기 기판 상에 배치된, 제1 절연막; 상기 기판과 상기 제1 절연막을 관통하는, 관통부; 상기 제1 절연막 상에 위치하고, 서로 마주보는 화소전극과 대향전극, 및 이들 사이에 개재되는 발광층을 포함하는 발광소자를 각각 구비하며, 상기 관통부를 적어도 부분적으로 둘러싸도록 배열된 화소들을 포함하는, 디스플레이부; 상기 화소전극의 가장자리를 덮고 중앙부를 노출시키는 개구를 갖는 제2 절연막; 및 상기 관통부와 상기 디스플레이부 사이에 위치하고, 상기 화소전극과 동일물질을 포함하는 금속패턴을 구비하며, 상기 디스플레이부에 인접하여 배열된 더미화소들을 포함하는, 더미화소부를 구비하는, 디스플레이 장치가 제공된다.
본 실시예에 있어서, 상기 더미화소부의 상기 더미화소들은 상기 디스플레이부의 상기 화소들과 연속적으로 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 기판 상에 위치한 박막트랜지스터를 각각 포함하는 제1 화소회로 및 제2 화소회로를 더 포함하고, 상기 화소는 상기 제1 화소회로에 전기적으로 연결되고, 상기 더미화소는 상기 제2 화소회로와 전기적으로 절연될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 화소회로 및 상기 제2 화소회로를 덮으며 상면을 평탄화하게 하고, 상기 화소와 상기 제1 화소회로 각각을 전기적으로 연결하는 컨택홀을 갖는 비아층을 더 포함하고, 상기 컨택홀은 상기 제2 화소회로와 상기 금속패턴 사이에는 위치하지 않을 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 화소전극은 상기 제1 화소회로의 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되고, 상기 금속패턴은 상기 제2 화소회로의 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 절연될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 화소전극의 가장자리를 덮고 중앙부를 노출시키는 개구를 갖는 제2 절연막을 더 포함하고, 상기 제2 절연막은 상기 금속패턴의 상면을 덮도록 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 절연막 상에 상기 금속패턴과 대응되는 위치에 배치된 유기패턴을 더 포함하고, 상기 유기패턴은 상기 발광층과 동일물질을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 금속패턴과 상기 유기패턴은 상기 제2 절연막을 사이에 두고 이격될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 화소전극의 가장자리를 덮고 중앙부를 노출시키는 제1 개구 및 상기금속패턴의 가장자리를 덮고 중앙부를 노출시키는 제2 개구를 갖는 제2 절연막을 더 포함하고, 상기 제2 개구를 통해 노출되는 금속패턴은 상기 대향전극과 컨택할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 발광층은 상기 제1 개구를 통해 노출되는 화소전극 상에만 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 관통부와 상기 더미화소부 사이에 상기 제1 절연막의 두께 방향을 따라 오목한 그루브를 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 그루브를 커버하도록 상기 제1 절연막 상에 배치되며, 상기 제1 절연막과는 상이한 물질을 포함하는 클래딩막을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 그루브는 상기 제1 절연막의 두께보다 작거나 상기 제1 절연막의 두께에 대응하는 깊이를 가질 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 홈부와 상기 더미화소부 사이에 배치된 배선연결부를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 주변부는, 상기 배선연결부와 상기 더미배선부 사이에 위치하는 이격영역을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 주변부의 상기 이격영역 상에는 상기 관통부를 둘러싸고 상기 관통부의 직경보다 큰 직경을 갖는 고리 형상의 금속층이 더 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 기판은 상기 디스플레이부가 위치하는 표시영역 및 상기 표시영역과 이웃하는 비표시영역을 포함하고, 상기 비표시영역은, 상기 기판의 가장자리를 포함한 상기 표시영역 외측 가장자리의 적어도 일부를 둘러싸는 제1 비표시영역 및 상기 관통부와 상기 표시영역 사이에서 상기 관통부의 외측 가장자리의 적어도 일부를 둘러싸는 제2 비표시영역을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 관통부는 상기 기판의 가장자리에 인접하게 위치하고, 상기 제1 비표시영역과 상기 제2 비표시영역은 서로 연결될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 관통부는 서로 인접하여 배치된 제1 관통홀 및 제2 관통홀을 포함하고, 상기 더미화소부의 적어도 일부는 상기 제1 관통홀과 상기 제2 관통홀 사이에 위치할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 관통부는 단일 폐곡선일 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.
이러한 일반적이고 구체적인 측면이 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램, 또는 어떠한 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램의 조합을 사용하여 실시될 수 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 디스플레이 영역의 형상을 다양화함과 동시에 디스플레이 품질을 향상시킨 디스플레이 장치를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 2는 도 1의 관통부를 중심으로 표시영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 3은 도 2의 III-III선을 따라 취한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예들에 관한 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예들에 관한 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 6는 도 5의 VI부분을 확대하여 도시한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예들에 관한 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도들이다.
도 8 및 도 9은 도 1의 화소 구조를 확대하여 도시한 단면도들이다.
도 10는 본 발명의 일 실시예에 관한 디스플레이 장치에 있어서 관통부를 중심으로 표시영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 11은 도 10의 XI-XI 선을 따라 취한 단면도이다.
도 12은 본 발명의 일 실시예에 관한 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 13는 도 12의 관통부를 중심으로 표시영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 14은 본 발명의 일 실시예에 관한 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 15는 도 14의 관통부를 중심으로 표시영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 16 및 도 17은 본 발명의 일 실시예에 관한 디스플레이 장치의 일부를 확대하여 도시한 단면도들이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(1)는 기판(100) 및 기판(100) 상에 위치한 디스플레이부(10)를 포함한다.
기판(100)은 유리, 금속 또는 유기물과 같은 재질로 형성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 기판(100)은 유연한 재료로 형성될 수 있다. 예컨대, 기판(100)은 잘 휘어지고 구부러지거나 돌돌 말 수 있는 폴리이미드(PI)와 같은 재질로 형성될 수 있으나. 이는 예시적인 것일 뿐 본 발명은 이에 제한되지 않는다.
기판(100)은 표시영역(DA) 및 비표시영역(NDA)을 포함하고, 표시영역(DA)에는 관통부(TH)가 위치한다. 관통부(TH)는 기판(100) 및 기판(100) 상에 형성된 각종 층들을 관통하는 홀이며, 표시영역(DA)의 내측에 위치하여 복수의 화소(P)들을 포함하는 디스플레이부(10)로 둘러싸인다.
디스플레이부(10)의 각 화소(P)는 화소회로 및 화소회로와 전기적으로 연결된 발광소자, 예컨대 유기발광소자(OLED, organic light emitting diode)를 구비하며, 발광소자에서 방출되는 빛을 통해 소정의 이미지를 제공한다. 디스플레이부(10)는 후술할 봉지막에 의해 밀봉된다. 봉지막은 유기물을 포함하는 층 및 무기물을 포함하는 층을 포함하는 다층 막일 수 있다.
비표시영역(NDA)은 이미지를 제공하지 않는 영역으로, 기판(100)의 에지를 따라 표시영역(DA)의 외측 가장자리를 둘러싸는 제1 비표시영역(NDA1) 및 관통부(TH)의 외측 가장자리를 둘러싸는 제2 비표시영역(NDA2)을 포함한다.
제1 비표시영역(NDA1)에는 표시영역(DA)의 각 화소(P)에 소정의 신호를 전달하기 위한 주사 구동부(미도시) 및 데이터 구동부(미도시)와 같은 구동부가 위치할 수 있다. 제2 비표시영역(NDA2)은 관통부(TH)와 표시영역(DA) 사이에 개재된다. 제2 비표시영역(NDA2)에는 제2 비표시영역(NDA2)과 인접한 화소(P)들이 연결되는 배선 라우팅부(미도시)가 위치할 수 있다.
도 1의 디스플레이 장치(1)에서는 관통부(TH)가 디스플레이 장치(1)의 표시영역(DA)의 상단 오른쪽에 위치하도록 도시되었으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 관통부(TH)는 화소(P)들에 의해 둘러싸인 상태로 표시영역(DA)에 어디든 위치할 수 있으며, 그 구체적인 위치를 한정되지 않는다.
또한, 도 1에서는 관통부(TH)가 원형인 경우를 도시하고 있으며 하나의 관통부(TH)가 형성된 경우를 도시하고 있으나. 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 관통부(TH)의 형상은 사각형과 같은 다각형 또는 타원형 등 다양한 형상을 가질 수 있으며, 관통부(TH)의 개수는 1개 또는 그 이상으로 형성될 수 있다. 이에 대한 실시예에 대해서는 도 12 및 도 13의 설명에서 자세히 후술한다.
또한, 도 1에는 표시영역(DA)이 사각형인 경우를 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 표시영역(DA)은 사각형이 아닌 다각형이거나, 원형, 타원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.
도 2는 도 1의 관통부를 중심으로 표시영역을 확대하여 도시한 평면도이고, 도 3은 도 2의 III-III선을 따라 취한 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 관통부(TH)는 디스플레이부(10) 내에 위치하며, 이는 관통부(TH)가 화소(P)들에 의해 둘러싸여 있는 것을 의미한다. 관통부(TH)와 화소(P)들 사이에는 화소(P)가 구비되지 않은 영역, 즉 제2 비표시영역(NDA2)이 위치한다.
관통부(TH)는 기판(100), 봉지막(400), 및 이들 사이에 개재되는 층들을 관통하도록 형성된다. 관통부(TH)는 레이저 등을 이용한 커팅/펀칭 장비를 통해 형성될 수 있다. 커팅 장비를 이용한 관통부(TH) 형성 공정에서의 충격에 의해 관통부(TH) 주변에서 크랙이 발생하고 크랙이 화소(P)를 향해 전파되는 것을 방지하기 위해, 제2 비표시영역(NDA2) 상에는 크랙방지패턴(300A)이 배치된다.
크랙방지패턴(300A)은 그루브(310A) 및 그루브(310A)를 커버하는 클래딩막(320A)을 포함한다. 그루브(310A)는 도 2에 도시된 바와 같이 관통부(TH)의 반경 보다 큰 반경을 갖는 고리 형상으로, 관통부(TH)의 외측 가장자리를 둘러싼다. 도 2에서는 관통부(TH)가 원형인 경우로 그루브(310A)가 원형 고리 형상인 경우를 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 그루브(310A)는 삼각형 고리 형상, 사각형 고리 형상 등 다각형의 고리 형상이거나, 타원 고리 형상일 수 있다.
그루브(310A)는 기판(100) 상에 위치하는 제1 절연막(110)의 두께 방향을 따라 오목하게 형성된 일종의 홈으로, 크랙이 표시영역(DA) 측으로 전파되는 것을 차단할 수 있다. 그루브(310A)의 깊이(d1)는 제1 절연막(110)의 두께(t) 보다 작거나 제1 절연막(110)의 두께(t)에 대응하는 깊이를 가질 수 있다. 본 발명의 비제한적인 실시예로, 그루브(310A)의 깊이(d1)는 약 6000 Å 내지 8000Å 일 수 있다.
이러한 그루브(310A)를 구비하는 제1 절연막(110)은 무기막으로, 제1 절연막(110) 단일의 무기층 또는 복수의 무기층일 수 있다. 예컨대, 제1 절연막(110)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 무기물로 이루어질 수 있다.
클래딩막(320A)은 그루브(310A)를 커버하도록 그루브(310A)와 중첩되게 배치된다. 클래딩막(320A)은 그루브(310A)와 직접 접촉하도록 그루브(310A)를 구비하는 제1 절연막(110) 바로 위에 배치되고, 클래딩막(320A)의 일부는 그루브(310A) 내에 배치될 수 있다.
클래딩막(320A)은 유기 절연물로 이루어질 수 있다. 예컨대, 클래딩막(320A)은 후술할 비아층(130) 또는/및 제2 절연막(150)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
클래딩막(320A)은 그루브(310A)를 커버하면서 비교적 편평한 상면을 제공할 수 있다. 클래딩막(320A)의 전체 두께, 즉 그루브(310A)에 채워진 클래딩막(320A)의 바닥면으로부터 상면까지의 두께는 약 7000Å 내지 15000Å일 수 있으나, 본 발명은 이에 제한되지 않는다.
클래딩막(320A)은 무기막인 제1 절연막(110) 중 그루브(310A)가 형성된 부분의 스트레스를 줄여주어 크랙이 전파되는 것을 방지한다. 또한, 클래딩막(320A)은 그루브(310A)를 커버하여, 제조 공정 중 발생하는 파티클이 그루브(310A) 내에 저장되었다가 화소(P)의 발광소자(500)로 이동하여 암점을 유발하는 것을 방지할 수 있다.
한편, 제2 비표시영역(NDA2) 상에는 더미화소부(20)가 배치된다. 더미화소부(20)는 표시영역(DA)과 크랙방지패턴(300A) 사이에 위치할 수 있으며, 더미화소(DP)들을 포함한다. 더미화소부(20)는 제2 비표시영역(NDA2) 중에서도 표시영역(DA)에 인접한 부분에 위치하여, 더미화소부(20)가 배치된 영역은 더미영역(DA)으로 정의될 수 있다.
도 3에 도시된 것과 같이, 더미화소부(20)는 디스플레이부(10)로부터 연장되어 디스플레이부(10)와 일체(一體)로 구비된 영역으로, 화소가 위치하나 그 화소가 실제로 발광하지 않고 더미로 배치된 부분일 수 있다. 따라서, 더미화소부(20)의 더미화소(DP)들은 디스플레이부(10)의 화소(P)들과 연속적으로 배치된다.
본 실시예에서, 약 1 내지 3 개의 화소를 더미화소(DP) 화 시킬 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 더미화소(DP)의 개수는 관통부(TH)의 크기 및 형상, 데드 스페이스의 폭 등을 고려하야 다양하게 설계될 수 있다.
비교예로서, 더미화소부(20)를 더미화소(DP)들이 아닌, 정상적으로 발광하는 화소(P)들이 위치하게 할 수 있다. 이 경우 레이저 등을 이용한 커팅/펀칭 장비를 통해 관통부(TH)을 형성함에 있어서 공정 데미지로 인해 관통부(TH) 주변에 위치한 화소(P)들이 손상될 가능성이 있다. 또한, 관통부(TH)에 의해 그 주변에 위치한 화소(P)들의 배열 변화로 인한 화소회로 특성이 변화되고, 이는 관통부(TH) 주변이 아닌 일반적인 화소(P)들과 기생 캡 차이를 유발한다. 이러한 문제들은 결과적으로 관통부(TH) 주변에 위치한 화소(P)들의 얼룩 유발로 이어지며, 디스플레이부 전체의 신뢰성을 저하시키는 문제가 있다.
한편, 디스플레이부(10)는 크랙방지패턴(300A)과 더미화소부(20) 사이에 배선연결부(330)가 위치한다. 배선연결부(330)는 관통부(TH) 주변에 배치된 화소(P)들에 신호를 공급하는 배선들로서, 예컨대, 주사 신호 배선 또는 데이터 신호 배선 등 일 수 있으며, 관통부(TH)를 우회하여 설계된다.
이와 같이 관통부(TH)가 표시영역(DA) 내측에 위치함에 따라, 관통부(TH) 주변 화소(P)들과 이들에 신호를 공급하는 배선들의 설계가 변형되고 이는 화소 간 기생캡 편차를 유발하여 결국 관통부(TH) 주변 화소들의 얼룩을 유발한다.
이에 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(1)에서는 관통부(TH) 주변에 위치한 화소들을 실제로는 발광하지 않는 더미화소(DP)들로 구성함으로써, 관통부(TH) 주변의 화소들의 얼룩 불량을 제거하고, 디스플레이부(10) 전체의 품질을 향상시킬 수 있다.
도 3의 표시영역(PA)을 참조하면, 표시영역(DA)에는 화소회로(200) 및 발광소자(500)가 위치한다.
발광소자(500)는 컨택홀(CH)을 갖는 비아층(130)을 사이에 두고 화소회로(200)와 전기적으로 연결된 화소전극(510), 화소전극(510)과 마주보는 대향전극(530) 및 이들 사이에 개재되는 발광층(520)을 포함한다. 일 실시예로, 비아층(130)은 절연성 유기물로 형성될 수 있다.
화소전극(510)은 화소정의막으로 이해되는 제2 절연막(150)에 구비된 개구(OP)를 통해 노출되며, 화소전극(510)의 가장자리는 절연성 유기물로 형성된 제2 절연막(150)에 의해 커버될 수 있다. 일 실시예로서, 화소전극(510)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켓(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함할 수 있다.
대향전극(530)은 일체로 형성되어 표시영역(DA)을 전체적으로 커버할 수 있다. 일 실시예로서, 대향전극(530)은 은(Ag)과 마그네슘(Mg)을 함유하는 박막 금속층, 또는 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3 indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminium zinc oxide)와 같은 투광성 도전층(TCO, transparent conductive oxide)일 수 있다.
대향전극(530)의 단부(530E)는 도 3과 같이 비아층(130)의 단부(130E)를 덮으며, 비아층(130)과 배선연결부(330)에 위치할 수 있다. 다른 실시예로, 대향전극(530)의 단부(530E)는 도 4에 도시된 것과 같이, 관통부(TH)가 형성된 기판(100)의 에지(100E)까지 연장될 수도 있다. 도 4와 같은 대향전극(530)의 구조는 이하 다른 실시예 및 도면에 적용될 수 있다.
발광층(520)은 적색, 녹색 및 청색의 빛을 방출하는 형광 또는 인광 물질을 포함하는 유기물로 형성될 수 있으며, 표시영역(DA) 중 화소(P)에 대응하여 패터닝될 수 있다. 발광층(520)을 사이에 두고 발광층(520)과 화소전극(510) 사이에 개재되는 제1 기능층(522) 및 발광층(520)과 대향전극(530) 사이에 개재되는 제2 기능층(524) 중 적어도 어느 하나의 기능층을 포함할 수 있다. 제1 기능층(522)과 제2 기능층(524)는 화소전극(510) 상에 패터닝되어 형성되는 발광층(520)과는 달리, 디스플레이부(10) 전면에 형성되는 공통층일 수 있다.
제1 기능층은 예컨대, 정공 주입층(HIL: Hole Injection Layer) 및 정공 수송층(HTL: Hole Transport Layer) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 정공 주입층은 애노드에서 정공을 용이하게 방출되게 하며, 정공 수송층은 정공 주입층의 정공이 발광층까지 전달되게 한다.
정공 주입층은 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물, DNTPD (N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine, N,N'-디페닐-N,N'-비스-[4-(페닐-m-톨일-아미노)-페닐]-비페닐-4,4'-디아민), m-MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino) triphenylamine, 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페닐아민), TDATA(4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine, 4,4',4"-트리스(N,N'-디페닐아미노)트리페닐아민), 2T-NATA(4,4',4"-tris{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine, 4,4',4"-트리스{N,-(2-나프틸)-N-페닐아미노}-트리페닐아민), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), Pani/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid, 폴리아닐린/도데실벤젠술폰산), Pani/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid, 폴리아닐린/캠퍼술폰산) 또는 PANI/PSS (Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate) 또는 폴리아닐린/폴리(4-스티렌술포네이트)) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
정공 수송층은 N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민), NPB(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine, N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐벤지딘), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine, 4,4',4"-트리스(N-카바졸일)트리페닐아민) 등과 같은 트리페닐아민계 물질을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 기능층은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 전자 주입층은 캐소드에서 전자를 용이하게 방출되게 하며, 전자 수송층은 전자 주입층의 전자가 발광층까지 전달되게 한다.
전자 수송층은 Alq3, BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline, 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline, 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole, 3-(4-비페닐릴)-4-페닐-5-터트-부틸페닐-1,2,4-트리아졸), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole, 4-(나프탈렌-1-일)-3,5-디페닐-4H-1,2,4-트리아졸), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole, 2-(4-비페닐릴)-5-(4-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum, 비스(2-메틸-8-퀴놀리노라토-N1,O8)-(1,1'-비페닐-4-오라토)알루미늄), Bebq2(beryllium bis(benzoquinolin-10-olate, 베릴륨 비스(벤조퀴놀리-10-노에이트)), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthrascene, 9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센) 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 주입층은 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO, Liq 등의 물질을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 실시예에 있어서, 각각의 더미화소(DP)는 일반 화소(P)와는 달리 제2 절연막(150)에 개구(OP)가 형성되지 않는다.
상술한 것과 같이, 디스플레이부(10)의 화소(P)는 제2 절연막(150)의 개구(OP)를 통해 화소전극(510)의 중앙부가 노출되고, 발광층(520)이 이러한 화소전극(510)의 상에 배치되어 발광층(520)은 화소전극(510)과 대향전극(530) 사이에 개재된다.
반면, 더미화소(DP)는 화소(P)의 화소전극(510)에 대응되는 금속패턴(510D)을 포함하며, 제2 절연막(150)은 금속패턴(510D)을 완전히 덮으며 화소(P)와 같은 개구(OP)를 구비하지 않는다. 따라서, 더미화소(DP)에서는 화소(P)의 발광층(520)에 대응하는 유기패턴(520D)과 금속패턴(510D) 사이에 제2 절연막(150)이 온전히 개재된다. 따라서, 더미화소(DP)의 유기패턴(520D)과 금속패턴(510D)은 직접 접촉하지 않아 더미화소(DP)는 실제로 발광하지 않으며, 구동시에는 제2 비표시영역(NDA2)과 같이 블랙의 데드스페이스로 표현된다.
화소(P)들 및 더미화소들(DP) 상에는 봉지막(400)이 배치된다. 다만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 봉지막 대신에 기판(100) 상부에 봉지기판(미도시)를 구비하고, 기판(100)의 외곽에 실런트(미도시)를 이용하여 기판(100)과 봉지기판을 접합시킴으로써 디스플레이부(10)를 밀봉하는 구조를 구비할 수도 있다. 본 실시예에서는 봉지막(400)을 통해 디스플레이부(10)를 밀봉하는 구조에 대하여 설명하도록 한다.
봉지막(400)은 무기 봉지층(410, 430)과 유기 봉지층(420)을 포함한다. 예컨대, 봉지막(400)은 무기 봉지층(410), 유기 봉지층(420), 및 무기 봉지층(430)이 순차적으로 적층되어 형성될 수 있다. 무기 봉지층(410, 430)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산화질화물 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함할 수 있다. 무기 봉지층(410, 430)은 예컨대 화학기상증착(CVD) 공정에 의해 형성될 수 있다.
유기 봉지층(420)은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예로서, 유기 봉지층(420)은 HMDSO (Hexamethyldisiloxane) 또는 TEOS (tetraethly orthosilicate)와 같은 물질을 원료가스로 사용한 원자층증착(ALD: Atomic Layer Deposition) 공정에 의해 형성될 수 있다.
또 다른 실시예로, 유기 봉지층(420)은 액상의 모노머를 증착한 후 열이나 자외선과 같은 빛을 이용하여 경화시킴으로써 형성될 수 있다. 여기서, 액상의 모노머가 크랙방지패턴(300A)을 향해 흘러 유기 봉지층(420)의 에지 테일이 형성되는 것을 방지하기 위해, 제2 비표시영역(NDA2)에는 댐(미도시)이 배치될 수도 있다. 댐(미도시)에 의해 유기 봉지층(420)의 단부는 댐(미도시)과 화소(P) 사이에 위치한다.
본 실시예에서는 봉지막(400)이 2개의 무기 봉지층(410, 430) 및 1개의 유기 봉지층(420)을 구비하는 경우를 설명하였으나, 무기 봉지층과 유기 봉지층의 적층 순서 및 개수는 이에 한정되지 않는다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예들에 관한 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도들이다.
도 5 및 도 7의 실시예는 도 3의 실시예와 더미화소부(20)의 더미화소(DP) 구조에서 차이가 있다. 이하에서는 더미화소(DP) 구조의 차이점 위주로 설명하고, 중복되는 내용은 전술한 실시예를 원용한다.
도 5를 참조하면, 더미화소(DP)는 도 3과는 달리 유기패턴(520D)(즉, 발광부)이 배치되지 않는다.
디스플레이부(10)의 화소(P)에서, 제2 절연막(150)은 화소전극(510)의 중앙부를 노출하는 제1 개구(OP1)를 갖고, 발광층(520)은 이러한 화소전극(510) 상에 배치되고, 대향전극(530)이 발광층(520) 상에 배치된다.
이와 유사하게, 더미화소부(20)의 더미화소(DP)에서, 제2 절연막(150)은 금속패턴(510D)의 중앙부를 노출하는 제2 개구(OP2)를 갖는다. 다만 이때 금속패턴(510D) 상에 발광층(520)에 대응하는 유기패턴이 배치되지 않는다. 따라서, 도 5의 확대도와 같이 대향전극(530)은 금속패턴(510D)의 상면과 직접 컨택할 수 있다.
도 5의 VI 부분을 확대한 도 6를 참조하면, 제1,2 기능층(522, 524)에는 금속패턴(510D) 상면을 노출하는 개구(OP3)가 형성되고, 금속패턴(510D)의 상면은 이러한 개구(OP3)를 통해 노출될 수 있다. 유기패턴은 제조과정에서 금속패턴(510D) 상에 형성되었다가, 개구(OP3)를 형성하는 과정에서 함께 제거될 수 있다. 제1,2 기능층(522, 524)에 형성된 개구(OP3)를 통해 대향전극(530)의 적어도 일부가 금속패턴(510D)의 상면에 직접 컨택할 수 있다.
한편 도 7을 참조하면, 더미화소(DP)의 구조는 화소(P)와 동일하게 형성될 수 있다. 이때, 화소(P)의 발광소자(500)는 화소전극(510), 발광층(520), 대향전극(530)을 포함하고, 더미화소(DP)는 이와 유사하게 금속패턴(510D), 유기패턴(520D), 대향전극(530)을 포함한다.
다만, 도 7의 실시예에서 더미화소(DP)는 하부에 배치된 제2 화소회로(200D)에 전기적으로 연결되지 않는다. 제2 화소회로(200D)는 디스플레이부(10)에 위치한 제1 화소회로(200)과 동일한 회로소자일 수 있다.
디스플레이부(10)의 화소(P)에서, 화소전극(510)은 비아층(130)에 형성된 컨택홀(CH)을 통해 하부에 배치된 제1 화소회로(200)에 전기적으로 연결된다. 화소전극(510)이 제1 화소회로(200)에 전기적으로 연결된다고 함은 제1 화소회로(200)의 박막트랜지스터의 소스전극 또는 드레인전극에 전기적으로 연결되는 것을 의미할 수 있다.
더미화소부(20)의 더미화소(DP)에서, 금속패턴(510D)의 하부에 제2 화소회로(200D)과 위치하나, 금속패턴(510D)은 제2 화소회로(200D)와 전기적으로 절연된다. 즉, 컨택홀(CH)은 제2 화소회로(200D)와 금속패턴(510D) 사이에는 배치되지 않는다.
즉, 금속패턴(510D)이 위치한 비아층(130)에는 컨택홀이 형성되지 않고, 따라서 더미화소(DP)는 제2 화소회로(200D)와 전기적으로 연결되지 않는다. 다른 실시예로, 더미화소(DP) 하부에 화소회로가 실질적으로 구비되지 않을 수도 있다.
도 8 및 도 9는 도 1의 화소 구조를 확대하여 도시한 단면도들이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 장치의 표시영역의 화소(P) 일부 발췌하여 나타낸 단면도이다. 도 8 및 도 9의 디스플레이 장치는 도 3을 참조하여 설명한 디스플레이 장치와 동일한 구성을 포함하므로, 이하에서는 화소회로(200)를 중심으로 설명한다.
도 8을 참조하면, 화소회로(200)는 박막트랜지스터(210) 및 스토리지 커패시터(220)를 포함한다. 제1 절연막(110)은 기판(100) 상에 순차적으로 위치하는 버퍼층(101), 게이트절연층(103), 유전체 절연층(105), 및 층간 절연층(107)을 포함할 수 있다.
버퍼층(101)은 불순물의 침투를 방지하기 위해, 기판(100) 상에 배치되며, 게이트절연층(103)은 박막트랜지스터(210)의 반도체층(211)과 게이트전극(213) 사이에 개재되며, 유전체 절연층(105)은 스토리지 커패시터(220)의 하부전극(221)과 상부전극(223) 사이에 개재되고, 층간 절연층(107)은 박막트랜지스터(210)의 게이트전극(213)과 소스전극(215s) 및 드레인전극(215d) 사이에 개재된다.
버퍼층(101), 게이트절연층(103), 유전체 절연층(105), 및 층간 절연층(107)은 모두 절연성 무기물로 형성된다. 예컨대, 버퍼층(101), 게이트절연층(103), 유전체 절연층(105), 및 층간 절연층(107)은 각각 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 및/또는 실리콘산질화물로 형성될 수 있다.
도 8에서는, 박막트랜지스터(210)와 스토리지 커패시터(220)가 중첩되도록 배치되어, 박막트랜지스터(210)의 게이트전극(213)이 스토리지 커패시터(220)의 하부전극(221)인 경우를 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
도 9를 참조하면, 화소회로(200)의 박막트랜지스터(210) 및 스토리지 커패시터(220)는 서로 다른 위치에 배치될 수 있다.
화소회로(200)의 구조에 따라, 제1 절연막(110)은 기판(100) 상에 순차적으로 위치하는 버퍼층(101), 게이트절연층(103), 및 층간 절연층(107)을 포함할 수 있다. 도 9에 도시된 바와 같이, 층간 절연층(107)이 스토리지 커패시터(220)의 하부전극(221)과 상부전극(223) 사이에 개재되어 유전체로서의 기능을 수행할 수 있다.
도 8 및 도 9에서는, 화소회로(200)의 박막트랜지스터(210)가 탑 게이트 타입인 경우를 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 또 다른 실시예로, 박막트랜지스터(210)는 바텀 게이트 타입일 수 있다. 또한, 도 8에서는 스토리지 커패시터(220)의 하부전극(221)과 상부전극(223)이 각각 게이트전극(213)과 소스전극(215s) 및 드레인전극(215d)과 동일한 물질을 포함하도록 동일 층에 위치하는 경우를 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 다양하게 변경 가능하다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 관한 디스플레이 장치에 있어서 관통부를 중심으로 표시영역을 확대하여 도시한 평면도이고, 도 11은 도 10의 IX-IX 선을 따라 취한 단면도이다.
도 10 및 도 11의 실시예에서는 배선연결부(330)와 더미화소부(20) 사이에 위치하는 금속층(600)을 더 구비한다. 금속층(600)은 배선연결부(330)와 더미화소부(20) 사이의 이격영역(SA) 상에 위치할 수 있다.
금속층(600)은 도 10과 같이 관통부(TH) 주변을 둘러싸고 관통부(TH)의 직경보다 큰 고리 형상을 가질 수 있다. 그러나 금속층(600)의 형상이 이에 한정되는 것은 아니며, 관통부(TH)의 형상에 따라 변형 가능함은 물론이고, 관통부(TH)의 형상과는 별개로 설계될 수도 있다.
도 11에서 금속층(600)은 화소전극(510)과 동일 물질을 포함하도록 형성된다. 다른 실시예로, 금속층(600)은 화소회로(200)에 포함된 다른 도전층들과 동일 물질을 포함할 수도 있다. 일 예로, 도 8의 화소회로(200) 구조에서 금속층(600)은 박막트랜지스터(210)의 게이트전극(213) 또는 커패시터(220)의 상부전극(223)과 동일 물질을 포함할 수도 있고, 박막트랜지스터(210)의 소스전극(215s) 및 드레인전극(215d)과 동일 물질을 포함할 수도 있다. 일 예로, 도 8의 화소회로(200) 구조에서 금속층(600)은 박막트랜지스터(210)의 게이트전극(213) 또는 소스전극(215s) 및 드레인전극(215d)과 동일 물질을 포함할 수도 있다.
이와 같은 금속층(600)은 배선연결부(330)와 인접 화소(P)들을 물리적으로 분리시킴과 동시에, 커플링을 방지할 수 있다.
한편, 본 발명의 디스플레이 장치에 있어서 더미화소영역(DMA)는 관통부(TH) 주변을 둘러싸도록 대략 원형으로 구현된다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 더미화소영역(DMA)은 예컨대, 타원형, 직선형, U자 형 등 다양한 형상으로 구현될 수 있다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 관한 디스플레이 장치(2)를 개략적으로 도시하는 평면도이고, 도 13는 도 12의 관통부(TH)를 중심으로 표시영역(DA)을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 12 및 도 13는 관통부(TH) 및 그 주변의 제2 비표시영역(NDA2)의 형상에서 전술한 실시예들과 차이가 있다. 그 외의 구성들은 전술한 실시예들과 동일한바, 이하에서는 관통부(TH) 및 제2 비표시영역(NDA2)을 중심으로 설명한다.
도 12를 참조하면, 본 실시예의 디스플레이 장치(2)는 표시영역(DA) 내에 2개 이상의 관통부들(TH1, TH2)을 포함할 수 있다. 관통부(TH)는 제1 관통부(TH1) 및 제2 관통부(TH2)를 포함할 수 있으며, 관통부(TH) 주변에는 제2 비표시영역(NDA2)이 관통부(TH)를 둘러싸도록 배치된다.
도 13을 참조하면, 표시영역(DA) 내에 관통부(TH)가 위치하며, 관통부(TH)는 제1 관통부(TH1) 및 제2 관통부(TH2)를 포함한다. 본 실시예에서 관통부(TH)은 2개의 관통부를 포함하나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
관통부(TH)의 주변에는 전술한 실시예들과 마찬가지로 크랙방지패턴(300A)이 제1 관통부(TH1) 및 제2 관통부(TH2)를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 크랙방지패턴(300A)의 외측에는 배선연결부(330)가 위치할 수 있다.
관통부(TH) 주변에는 더미화소(DP)들을 포함하는 더미화소부(20)가 배치된다. 더미화소(DP)들의 구조들은 전술한 도 3 내지 6의 실시예 중 적어도 하나를 적용할 수 있다. 더미화소부(20)는 배선연결부(330)과 디스플레이부(10) 사이에 위치한다.
더미화소(DP)들은 관통부(TH) 주변에 위치한 제2 비표시영역(NDA2)에 위치할 수 있다. 더미화소(DP)들은 제1 관통부(TH1) 및 제2 관통부(TH2) 주변을 둘러싸도록 배치된다. 특히, 본 실시예에서 더미화소(DP)들은 제1 관통부(TH1)와 제2 관통부(TH2) 사이 영역에도 위치할 수 있다. 외부에서, 더미화소(DP)들은 발광하지 않는 데드 스페이스로 인식되기 때문에, 더미화소(DP)을 제1 관통부(TH1)와 제2 관통부(TH2) 사이 영역에도 위치하게 함으로써, 제1 관통부(TH1)와 제2 관통부(TH2)가 서로 연결된 듯한 시인성을 줄 수 있다.
전술한 것과 같이 관통부(TH)는 원형뿐만 아니라, 다양한 형상으로 구현될 수 있다. 관통부 자체를 도 13와 같이 타원형(또는 바(bar)형)으로 형성하기 위해서는 기판 및 기판 상에 형성된 구조물이 레이저에 상대적으로 더 장시간 노출되게 되고, 이를 관통부 주변 소자들의 불량으로 이어진다.
따라서, 이러한 경우 관통부(TH) 자체는 최소한의 시간으로 형성 가능한 형상으로 설계하되, 주변에 더미화소(DP)를 배치함으로써, 외부에서 인식되는 관통부(TH) 및 제2 비표시영역(NDA2)의 형상을 다양하게 구현하는 것이 가능하다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 관한 디스플레이 장치(3)를 개략적으로 도시하는 평면도이고, 도 15은 도 14의 관통부(TH)를 중심으로 표시영역(DA) 및 비표시영역(NDA)을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 14 및 도 15는 관통부(TH)의 위치 및 그 주변의 비표시영역(NDA)의 형상에서 전술한 실시예들과 차이가 있다. 그 외의 구성들은 전술한 실시예들과 동일한바, 이하에서는 관통부(TH) 및 비표시영역(NDA)을 중심으로 설명한다.
도 14를 참조하면, 디스플레이 장치(3)는 표시영역(DA) 외측 가장자리의 적어도 일부를 둘러싸는 제1 비표시영역(NDA1) 및 관통부(TH)와 표시영역(DA) 사이에서 관통부(TH)의 외측 가장자리의 적어도 일부를 둘러싸는 제2 비표시영역(NDA2)를 포함한다. 관통부(TH)는 표시영역(DA)의 상단 중앙부에 위치하며, 기판(100)의 가장자리에 인접하게 배치된다. 전술한 실시예들에서는 제2 비표시영역(NDA2)이 표시영역(DA)에 의해 둘러싸인 것으로 구비된 반면, 본 실시예에서는 표시영역(DA)은 제2 비표시영역(NDA2)의 일부를 둘러싸고 나머지 부분의 제2 비표시영역(NDA2)는 제1 비표시영역(NDA1)과 서로 연결된다.
디스플레이부(10)가 발광하는 경우, 도 14의 디스플레이 장치(3)의 표시영역(DA)은 관통부(TH)가 위치한 부분에 U자형 홈(U)이 형성된 것과 같이 인지될 수 있다.
도 15를 참조하면, 관통부(TH)를 둘러싸는 크랙방지패턴(300A) 및 배선연결부(330)는 실질적으로 제1 비표시영역(NDA1)으로부터 이격되나, 제1 비표시영역(NDA1)과 배선연결부(330) 사이에 위치한 더미화소부(20)를 통해 시각적으로 제1 비표시영역(NDA1)과 제2 비표시영역(NDA2)은 서로 연결된 것과 같이 인식될 수 있다.
이처럼, 더미화소부(20)의 위치, 면적을 다양하게 설계함으로써, 관통홀(TH)로 인한 주변 화소(P)의 발광 균일도가 저하되는 것을 방지함과 동시에, 시각적으로 표시되는 비표시영역(NDA)의 형상을 자유롭게 구현할 수 있다.
한편, 도 16 및 도 17은 크랙방지패턴(300A')의 다른 실시예를 도시한다. 도 16 및 도 17을 참조하면, 크랙방지패턴(300A')은 제1 그루브(310A1) 및 제2 그루브(310A2)를 포함한다. 제1, 2 그루브(310A1, 310A2)는 제1 절연막(110)을 완전히 관통하여 기판(100)의 적어도 일부까지 연장될 수 있다. 즉, 제1, 2 그루브(310A1, 310A2)의 깊이(t2)는 제1 절연막(110)의 두께(t1) 보다 깊게 형성될 수 있다.
제1, 2 그루브(310A1, 310A2)의 끝단에는 언더컷 형상의 단차부(UC1, UC2)가 형성될 수 있다. 제1, 2 그루브(310A1, 310A2) 각각은 기판(100) 방향으로 연장되면서 폭이 점차 좁아지는 구조를 갖는데, 단차부(UC1, UC2) 부분에서 상대적으로 폭이 넓어지도록 구비된다. 이러한 단차부(UC1, UC2)의 언더컷 형상에 의해 후술하는 바와 같이 대향전극(530)이 단선된다. 대향전극(530)이 단선되므로, 대향전극(530) 및 이와 인접한 층들 사이의 계면을 통한 측면 투습 경로가 차단될 수 있다.
제1 그루브(310A1) 및 제2 그루브(310A2) 상에는 대향전극(530) 및 무기 봉지층(410, 430)이 배치될 수 있다. 대향전극(530) 및 무기 봉지층(410, 430)은 기판(100) 상의 전면(全面)에 형성되어 관통부(TH)의 에지(100E)까지 연장될 수 있다. 상술한 것과 같이 단차부(UC1, UC2)의 언더컷 형상에 의해 대향전극(530)이 단선되며, 이때, 대향전극(530)의 일부(530A)는 제1, 2 그루브(310A1, 310A2) 내부에 위치할 수 있다.
크랙방지패턴(300A')의 제1 그루브(310A)는 제2 그루브(310A2)에 비해 상대적으로 관통부(TH)에 인접하게 배치된다. 즉, 제2 그루브(310A2)는 디스플레이 영역(DA)에 인접하게 배치된다. 제2 그루브(310A2) 내부에는 유기물질(420A)이 채워질 수 있다. 유기물질(420A)은 봉지막(400)의 유기층(420)과 동일 물질일 수 있다. 제2 그루브(310A2)는 무기 봉지층(410)이 제2 그루브(310A2)의 내측 표면을 덮도록 배치되고, 유기층(420A)이 제2 그루브(310A2) 내부를 채우며, 무기 봉지층(430)이 유기층(420A)을 덮도록 배치된다.
도 16도 17은 크랙방지패턴(300A')을 포함한 적층 구조를 더욱 상세히 도시하고 있다.
도 17의 기판(100)은 유무기 복합막의 다층 구조로 형성될 수 있다. 기판(100)은 이중층 구조의 제1, 2 기판층(100a1, 100a2)을 포함하고, 제1, 2 기판층(100a1, 100a2) 과 교번하여 제1, 2 배리어층(100b1, 100b2)이 배치된다.
기판(100) 상에는 도 8과 유사하게, 버퍼층(101), 게이트절연층(103), 유전체 절연층(105), 및 층간 절연층(107)을 포함하는 제1 절연막(110), 비아층(130), 제2 절연막(150)이 순차적으로 배치된다. 비아층(130), 제2 절연막(150)의 일부는 그루브 영역(GA)에서는 제거되며, 그루브 영역(GA)에는 제1, 2 그루브(310A1, 310A2)를 포함하는 크랙방지패턴(300A')이 배치된다.
크랙방지패턴(300A')은 관통부(TH)에 인접한 제1 그루브(310A1) 및 제1 그루브(310A1) 외곽의 제2 그루브(310A2)를 포함한다. 제1, 2 그루브(310A1, 310A2)는 제2 기판층(100a2)까지 연장되며, 제2 기판층(100a2)과 제2 배리어층(200b2) 사이에서 언더컷 형상의 단차부(UC1, UC2)가 형성된다.
제1, 2 그루브(310A1, 310A2)는 도 17에 도시된 것과 같이, 버퍼층(101)과 게이트절연층(103) 및 층간절연층(107)과 비아층(130) 사이에서도 단차부(ST1, ST2)를 가질 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것 이다.
TH: 관통부
1, 2, 3: 디스플레이 장치
10: 디스플레이부
20: 더미화소부
100: 기판
110: 제1 절연막
130: 비아층
150: 제2 절연막
200: 화소회로
210: 박막트랜지스터
220: 커패시터
300A: 크랙방지패턴
310A: 그루브
320A: 클래딩막
330: 배선연결부
400: 봉지막
500: 발광소자
510D: 금속패턴
510: 화소전극
520: 발광층
520D: 유기패턴
530: 대향전극
600: 금속층

Claims (21)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치된, 제1 절연막;
    상기 기판과 상기 제1 절연막을 관통하는, 관통부;
    상기 제1 절연막 상에 위치하고, 서로 마주보는 화소전극과 대향전극, 및 이들 사이에 개재되는 발광층을 포함하는 발광소자를 각각 구비하며, 상기 관통부를 적어도 부분적으로 둘러싸도록 배열된 화소들을 포함하는, 디스플레이부;
    상기 화소전극의 가장자리를 덮고 중앙부를 노출시키는 개구를 갖는 제2 절연막; 및
    상기 관통부와 상기 디스플레이부 사이에 위치하고, 상기 화소전극과 동일물질을 포함하는 금속패턴을 구비하며, 상기 디스플레이부에 인접하여 배열된 더미화소들을 포함하는, 더미화소부;
    를 구비하는, 디스플레이 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 더미화소부의 상기 더미화소들은 상기 디스플레이부의 상기 화소들과 연속적으로 배치되는, 디스플레이 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기판 상에 위치한 박막트랜지스터를 각각 포함하는 제1 화소회로 및 제2 화소회로를 더 포함하고,
    상기 화소는 상기 제1 화소회로에 전기적으로 연결되고, 상기 더미화소는 상기 제2 화소회로와 전기적으로 절연된, 디스플레이 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 화소회로 및 상기 제2 화소회로를 덮으며 상면을 평탄화하게 하고, 상기 화소와 상기 제1 화소회로 각각을 전기적으로 연결하는 컨택홀을 갖는 비아층을 더 포함하고,
    상기 컨택홀은 상기 제2 화소회로와 상기 금속패턴 사이에는 위치하지 않는, 디스플레이 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 화소전극은 상기 제1 화소회로의 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되고, 상기 금속패턴은 상기 제2 화소회로의 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 절연된, 디스플레이 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 화소전극의 가장자리를 덮고 중앙부를 노출시키는 개구를 갖는 제2 절연막을 더 포함하고,
    상기 제2 절연막은 상기 금속패턴의 상면을 덮도록 배치되는, 디스플레이 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제2 절연막 상에 상기 금속패턴과 대응되는 위치에 배치된 유기패턴을 더 포함하고,
    상기 유기패턴은 상기 발광층과 동일물질을 포함하는, 디스플레이 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 금속패턴과 상기 유기패턴은 상기 제2 절연막을 사이에 두고 이격된, 디스플레이 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 화소전극의 가장자리를 덮고 중앙부를 노출시키는 제1 개구 및 상기금속패턴의 가장자리를 덮고 중앙부를 노출시키는 제2 개구를 갖는 제2 절연막을 더 포함하고,
    상기 제2 개구를 통해 노출되는 금속패턴은 상기 대향전극과 컨택하는, 디스플레이 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 발광층은 상기 제1 개구를 통해 노출되는 화소전극 상에만 배치되는, 디스플레이 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 관통부와 상기 더미화소부 사이에 상기 제1 절연막의 두께 방향을 따라 오목한 그루브를 포함하는, 디스플레이 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 그루브를 커버하도록 상기 제1 절연막 상에 배치되며, 상기 제1 절연막과는 상이한 물질을 포함하는 클래딩막을 포함하는, 디스플레이 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 그루브는 상기 제1 절연막의 두께보다 작거나 상기 제1 절연막의 두께에 대응하는 깊이를 갖는, 디스플레이 장치.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 홈부와 상기 더미화소부 사이에 배치된 배선연결부를 더 포함하는, 디스플레이 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 배선연결부와 상기 더미배선부 사이에 위치하는 이격영역을 더 포함하는, 디스플레이 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 주변부의 상기 이격영역 상에는 상기 관통부를 둘러싸고 상기 관통부의 직경보다 큰 직경을 갖는 고리 형상의 금속층이 더 배치되는, 디스플레이 장치.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 상기 디스플레이부가 위치하는 표시영역 및 상기 표시영역과 이웃하는 비표시영역을 포함하고,
    상기 비표시영역은, 상기 기판의 가장자리를 포함한 상기 표시영역 외측 가장자리의 적어도 일부를 둘러싸는 제1 비표시영역 및 상기 관통부와 상기 표시영역 사이에서 상기 관통부의 외측 가장자리의 적어도 일부를 둘러싸는 제2 비표시영역을 포함하는, 디스플레이 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 관통부는 상기 기판의 가장자리에 인접하게 위치하고,
    상기 제1 비표시영역과 상기 제2 비표시영역은 서로 연결된, 디스플레이 장치.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 관통부는 서로 인접하여 배치된 제1 관통홀 및 제2 관통홀을 포함하고,
    상기 더미화소부의 적어도 일부는 상기 제1 관통홀과 상기 제2 관통홀 사이에 위치하는, 디스플레이 장치.
  20. 제1항에 있어서
    상기 관통부는 단일 폐곡선인, 디스플레이 장치.
  21. 제11항에 있어서
    상기 그루브는 상기 제1 절연막을 관통하여 상기 기판의 적어도 일부까지 연장되는, 디스플레이 장치.
KR1020180078935A 2018-07-06 2018-07-06 디스플레이 장치 KR102635542B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180078935A KR102635542B1 (ko) 2018-07-06 2018-07-06 디스플레이 장치
US16/376,608 US10916595B2 (en) 2018-07-06 2019-04-05 Display device
CN201910601509.4A CN110690254A (zh) 2018-07-06 2019-07-04 显示装置
US17/170,313 US11653549B2 (en) 2018-07-06 2021-02-08 Display device
US18/313,198 US20230276684A1 (en) 2018-07-06 2023-05-05 Display device
KR1020240012444A KR20240016393A (ko) 2018-07-06 2024-01-26 디스플레이 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180078935A KR102635542B1 (ko) 2018-07-06 2018-07-06 디스플레이 장치

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020240012444A Division KR20240016393A (ko) 2018-07-06 2024-01-26 디스플레이 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200005706A true KR20200005706A (ko) 2020-01-16
KR102635542B1 KR102635542B1 (ko) 2024-02-13

Family

ID=69102171

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180078935A KR102635542B1 (ko) 2018-07-06 2018-07-06 디스플레이 장치
KR1020240012444A KR20240016393A (ko) 2018-07-06 2024-01-26 디스플레이 장치

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020240012444A KR20240016393A (ko) 2018-07-06 2024-01-26 디스플레이 장치

Country Status (3)

Country Link
US (3) US10916595B2 (ko)
KR (2) KR102635542B1 (ko)
CN (1) CN110690254A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021157923A1 (ko) * 2020-02-07 2021-08-12 삼성전자 주식회사 더미 화소가 구비된 표시 패널을 포함하는 전자 장치
US11711953B2 (en) 2020-09-03 2023-07-25 Samsung Display Co., Ltd. Display panel and display apparatus including the same

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102635542B1 (ko) 2018-07-06 2024-02-13 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US10719687B2 (en) * 2018-07-27 2020-07-21 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel capable of fingerprint identification
CN109950426B (zh) * 2019-03-29 2021-08-24 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示基板的制备方法
CN110610667B (zh) * 2019-10-28 2022-01-14 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN111129034A (zh) * 2019-12-20 2020-05-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
JP2023529032A (ja) * 2020-04-09 2023-07-07 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 表示パネル及び表示装置
CN111834413A (zh) * 2020-04-17 2020-10-27 昆山国显光电有限公司 显示面板以及显示装置
KR20220016422A (ko) * 2020-07-31 2022-02-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN112018158B (zh) * 2020-08-06 2022-07-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板以及显示装置
KR20220027448A (ko) * 2020-08-27 2022-03-08 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
JP2022047608A (ja) * 2020-09-14 2022-03-25 キヤノン株式会社 有機発光装置、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置、および移動体
KR20220047419A (ko) * 2020-10-08 2022-04-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20220053757A (ko) * 2020-10-22 2022-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2022080093A (ja) * 2020-11-17 2022-05-27 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20220120793A (ko) * 2021-02-23 2022-08-31 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR20230016773A (ko) * 2021-07-26 2023-02-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2023127158A1 (ja) * 2021-12-29 2023-07-06 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008282029A (ja) * 2004-07-26 2008-11-20 Seiko Epson Corp 発光装置及び電子機器
KR20170115177A (ko) * 2016-04-05 2017-10-17 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
JP2018087863A (ja) * 2016-11-28 2018-06-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006065284A (ja) 2004-07-26 2006-03-09 Seiko Epson Corp 発光装置及び電子機器
JP2010164765A (ja) 2009-01-15 2010-07-29 Toshiba Mobile Display Co Ltd 液晶表示装置
KR101993334B1 (ko) * 2013-04-01 2019-06-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치, 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법 및 유기 발광 표시 장치의 구동 방법
KR102059943B1 (ko) * 2013-10-16 2019-12-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20150102788A (ko) * 2014-02-28 2015-09-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102152950B1 (ko) * 2014-04-09 2020-09-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102308620B1 (ko) * 2014-11-27 2021-10-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102295172B1 (ko) * 2014-12-31 2021-08-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102282943B1 (ko) * 2015-05-13 2021-07-29 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 리페어 방법
KR102386706B1 (ko) 2015-06-11 2022-04-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 구비한 시계
KR20160149384A (ko) * 2015-06-17 2016-12-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102516592B1 (ko) * 2015-08-24 2023-03-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102476563B1 (ko) 2015-12-01 2022-12-12 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102490891B1 (ko) 2015-12-04 2023-01-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102526110B1 (ko) * 2016-04-12 2023-04-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US10354578B2 (en) 2016-04-15 2019-07-16 Samsung Display Co., Ltd. Display device
KR102360094B1 (ko) * 2017-09-15 2022-02-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN107994054B (zh) * 2017-11-07 2020-05-29 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
KR102635542B1 (ko) 2018-07-06 2024-02-13 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008282029A (ja) * 2004-07-26 2008-11-20 Seiko Epson Corp 発光装置及び電子機器
KR20170115177A (ko) * 2016-04-05 2017-10-17 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
JP2018087863A (ja) * 2016-11-28 2018-06-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021157923A1 (ko) * 2020-02-07 2021-08-12 삼성전자 주식회사 더미 화소가 구비된 표시 패널을 포함하는 전자 장치
US11711953B2 (en) 2020-09-03 2023-07-25 Samsung Display Co., Ltd. Display panel and display apparatus including the same

Also Published As

Publication number Publication date
US20200013834A1 (en) 2020-01-09
US20210167141A1 (en) 2021-06-03
KR20240016393A (ko) 2024-02-06
US11653549B2 (en) 2023-05-16
CN110690254A (zh) 2020-01-14
US20230276684A1 (en) 2023-08-31
US10916595B2 (en) 2021-02-09
KR102635542B1 (ko) 2024-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102635542B1 (ko) 디스플레이 장치
KR102462418B1 (ko) 디스플레이 장치
US10991903B2 (en) Display panel capable of preventing a defect in light emission of an organic light emitting element
US10096662B2 (en) Organic light emitting display device including a tandem structure and method of manufacturing the organic light emitting display device including the tandem structure
KR102525501B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102562897B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102605247B1 (ko) 표시 장치
EP3236506B1 (en) Organic light emitting diode and organic light emitting display panel having the same
KR20220122578A (ko) 유기발광표시장치 및 그 제조방법
WO2013080490A1 (ja) 有機ｅｌ表示パネルおよびその製造方法
KR20140140484A (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 및 전자 기기
KR20140033671A (ko) 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법
KR102247825B1 (ko) 칼라 필터를 구비한 하부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법
US9105877B2 (en) Organic light-emitting diode display and method of manufacturing the same
KR100581901B1 (ko) 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자
KR20150037278A (ko) 대면적 상부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치
KR20220143252A (ko) 유기발광 표시장치 및 제조방법
KR101939798B1 (ko) 유기전계발광표시장치
KR20100055255A (ko) 유기전계발광표시장치
KR20170003829A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant