CN110690254A - 显示装置 - Google Patents

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金善光
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Abstract

提供了一种显示装置。所述显示装置包括：基底；第一绝缘层，设置在基底上；贯通部分，穿过基底和第一绝缘层；显示单元，设置在第一绝缘层上，并且包括围绕贯通部分的至少一部分的多个像素；以及虚设像素单元。每个像素包括发光元件，发光元件包括彼此面对的像素电极和对电极以及设置在像素电极与对电极之间的发射层。虚设像素单元包括设置在贯通部分与显示单元之间并包括金属图案的多个虚设像素，金属图案包括与像素电极的材料相同的材料。虚设像素与显示单元相邻设置。

Description

显示装置
本申请要求于2018年7月6日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0078935号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
示例性实施例涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种提供不同的显示区域形状并改善显示质量的显示装置。
背景技术
随着显示装置变得更薄且更轻，它们的使用情况已经扩展。例如，具有各种形状的显示装置正在被用于诸如监控器、移动电话、时钟等的装置。当将显示装置设计为具有特定形状时，由于实施特定改变，因此会使显示质量劣化。
发明内容
示例性实施例包括显示装置，该显示装置使显示区域的形状多样化并且同时改善显示质量。
根据示例性实施例，显示装置包括：基底；第一绝缘层，设置在基底上；贯通部分，穿过基底和第一绝缘层；显示单元，设置在第一绝缘层上，并且包括围绕贯通部分的至少一部分的多个像素；以及虚设像素单元。每个像素包括发光元件，发光元件包括彼此面对的像素电极和对电极以及设置在像素电极与对电极之间的发射层。虚设像素单元包括设置在贯通部分与显示单元之间并包括金属图案的多个虚设像素，金属图案包括与像素电极的材料相同的材料。虚设像素与显示单元相邻设置。
在示例性实施例中，虚设像素单元的虚设像素与显示单元的像素连续设置。
在示例性实施例中，显示装置还包括第一像素电路和第二像素电路。第一像素电路和第二像素电路中的每个包括设置在基底上的薄膜晶体管。来自多个像素当中的第一像素电连接到第一像素电路，并且来自多个虚设像素当中的第一虚设像素与第二像素电路电绝缘。
在示例性实施例中，显示装置还包括覆盖第一像素电路和第二像素电路的过孔层。过孔层使过孔层的顶表面平坦化，并且包括将第一像素电连接到第一像素电路的接触孔。接触孔未设置在第二像素电路与金属图案之间。
在示例性实施例中，像素电极电连接到第一像素电路的薄膜晶体管，并且金属图案与第二像素电路的薄膜晶体管电绝缘。
在示例性实施例中，显示装置还包括覆盖像素电极的边缘的第二绝缘层。第二绝缘层暴露像素电极的一部分并覆盖金属图案的顶表面。
在示例性实施例中，显示装置还包括在与金属图案对应的区域中设置在第二绝缘层上的有机图案。有机图案包括与发射层的材料相同的材料。
在示例性实施例中，金属图案和有机图案彼此间隔开，并且第二绝缘层设置在金属图案与有机图案之间。
在示例性实施例中，显示装置还包括第二绝缘层。第二绝缘层覆盖像素电极的边缘并且包括暴露像素电极的一部分的第一开口，并且第二绝缘层覆盖金属图案的边缘并且包括暴露金属图案的一部分的第二开口。金属图案的通过第二开口暴露的所述一部分与对电极接触。
在示例性实施例中，发射层设置在像素电极的通过第一开口暴露的所述一部分上，并且不设置在像素电极的剩余部分上。
在示例性实施例中，显示装置还包括在贯通部分与虚设像素单元之间设置在第一绝缘层中的沟槽。
在示例性实施例中，显示装置还包括设置在第一绝缘层上的包覆层。包覆层覆盖沟槽并包括与第一绝缘层的材料不同的材料。
在示例性实施例中，沟槽的深度大约等于或小于第一绝缘层的厚度。
在示例性实施例中，显示装置还包括设置在沟槽与虚设像素单元之间的布线连接单元。
在示例性实施例中，显示装置还包括设置在布线连接单元与虚设像素单元之间的间隔区域。
在示例性实施例中，显示装置还包括具有环形形状的金属层。金属层设置在间隔区域中并围绕贯通部分，并且金属层的直径大于贯通部分的直径。
在示例性实施例中，基底包括其中设置有显示单元的显示区域以及与显示区域相邻设置的非显示区域。非显示区域包括沿基底的边缘围绕显示区域的外边缘的至少一部分的第一非显示区域以及在贯通部分与显示区域之间围绕贯通部分的外边缘的至少一部分的第二非显示区域。
在示例性实施例中，贯通部分与基底的边缘相邻设置，并且第一非显示区域连接到第二非显示区域。
在示例性实施例中，贯通部分包括第一通孔和设置为与第一通孔相邻的第二通孔。虚设像素单元的至少一部分设置在第一通孔与第二通孔之间。
在示例性实施例中，贯通部分包括单个闭合曲线形状。
在示例性实施例中，沟槽穿过第一绝缘层，并且延伸到基底的至少一部分。
根据示例性实施例，显示装置包括：基底；第一绝缘层，设置在基底上；贯通部分，穿过基底和第一绝缘层；第二绝缘层，设置在第一绝缘层上；多个像素，围绕贯通部分的至少一部分；以及多个虚设像素，设置在贯通部分与多个像素之间。多个像素中的每个像素包括发光元件，发光元件包括彼此面对的像素电极和对电极以及设置在像素电极与对电极之间的发射层。多个虚设像素中的每个虚设像素包括金属图案，金属图案包括与像素电极的材料相同的材料。第二绝缘层包括暴露多个像素的每个像素电极的多个开口，并且第二绝缘层完全覆盖多个虚设像素的每个金属图案。
附图说明
通过参照附图详细描述本公开的示例性实施例，本公开的以上和其他特征将变得更明显，在附图中：
图1是根据示例性实施例的显示装置的平面图；
图2是根据示例性实施例的图1的显示区域中的贯通部分的放大平面图；
图3是根据示例性实施例的沿图2的线III-III截取的剖视图；
图4是根据示例性实施例的显示装置的剖视图；
图5是根据示例性实施例的显示装置的剖视图；
图6是根据示例性实施例的图5的部分VI的放大剖视图；
图7是根据示例性实施例的显示装置的剖视图；
图8和图9是根据示例性实施例的图1的像素结构的放大剖视图；
图10是根据示例性实施例的显示装置的显示区域中的贯通部分的放大平面图；
图11是根据示例性实施例的沿图10的线XI-XI截取的剖视图；
图12是根据示例性实施例的显示装置的平面图；
图13是根据示例性实施例的图12的显示区域中的贯通部分的放大平面图；
图14是根据示例性实施例的显示装置的平面图；
图15是根据示例性实施例的图14的显示区域中的贯通部分的放大平面图；以及
图16和图17是根据示例性实施例的显示装置的放大剖视图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更充分地描述本公开的示例性实施例。在整个附图中，同样的附图标记可以表示同样的元件。
将理解的是，这里使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来将一个元件与另一元件区分开，但是所述元件不受这些术语限制。因此，在示例性实施例中的“第一”元件可以在另一示例性实施例中被描述为“第二”元件。
如这里使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一个(种/者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。
将理解的是，当层、区域或组件被称作“形成在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接地或间接地形成在所述另一层、区域或组件上。也就是说，例如，可以存在中间层、区域或组件。
当可以不同地实施某一示例性实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行具体的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
示例性实施例可以防止诸如以设置在显示区域的外部的布线为例的显示装置组件由于外部光而被观看到。示例性实施例还允许实现提供不同的显示区域形状并改善显示质量的显示装置。
将理解的是，当诸如膜、区域、层或元件的组件被称作“在”另一组件“上”、“连接到”、“结合到”另一组件或者“与”另一组件“相邻”时，该组件可以直接在所述另一组件上、直接连接、直接结合到所述另一组件或者与所述另一组件直接相邻，或者可以存在中间组件。还将理解的是，当组件被称作“在”两个组件“之间”时，该组件可以是所述两个组件之间的唯一组件，或者也可以存在一个或更多个中间组件。还将理解的是，当组件被称作“覆盖”另一组件时，该组件可以是覆盖所述另一组件的唯一组件，或者一个或更多个中间组件也可以覆盖所述另一组件。
图1是根据示例性实施例的显示装置1的平面图。图2是图1的显示区域DA中的贯通部分TH的放大平面图。图3是沿图2的线III-III截取的剖视图。图4是根据示例性实施例的显示装置的剖视图。
参照图1至图4，显示装置1包括基底100和设置在基底100上的显示单元10。
基底100可以包括诸如以玻璃、金属或有机材料为例的材料。根据示例性实施例，基底100可以包括柔性材料。例如，基底100可以包括可根据需要翘曲并且可弯折或可卷曲的材料，诸如以聚酰亚胺(PI)为例。然而，本公开的示例性实施例不限于此。
基底100包括显示区域DA和非显示区域NDA。贯通部分TH设置在显示区域DA中。贯通部分TH是穿过基底100和设置在基底100上的各个层的孔，并且设置在显示区域DA内部并由包括多个像素P的显示单元10围绕。
显示单元10的每个像素P包括像素电路200(在下文中，也可以称为第一像素电路200)和电连接到像素电路200的诸如以有机发光二极管(OLED)为例的发光元件500。每个像素P通过从发光元件500发射的光提供预定图像。显示单元10被下面描述的封装层400密封。封装层400可以是例如包括包含有机材料的层和包含无机材料的层的多层。
非显示区域NDA是不提供图像的区域，并且包括沿基底100的边缘围绕显示区域DA的外边缘的第一非显示区域NDA1以及围绕贯通部分TH的外边缘的第二非显示区域NDA2。
被构造为将预设信号传输到显示区域DA的每个像素P的诸如扫描驱动器和数据驱动器的驱动单元DU可以设置在第一非显示区域NDA1中。第二非显示区域NDA2设置在贯通部分TH与显示区域DA之间。与第二非显示区域NDA2相邻的像素P所连接到其的布线路由单元可以设置在第二非显示区域NDA2中。
尽管示出了贯通部分TH设置在图1的显示装置1中的显示区域DA的右上端中，但是本公开的示例性实施例不限于此。例如，根据示例性实施例，贯通部分TH可以设置在显示区域DA中的任何位置。
此外，尽管示出了贯通部分TH为圆形并且一个贯通部分TH设置在图1的显示装置1中，但是本公开的示例性实施例不限于此。例如，根据示例性实施例，贯通部分TH可以具有诸如多边形形状或单个闭合曲线形状(例如，椭圆形形状)的各种形状，并且可以设置一个或更多个贯通部分TH(见例如，图12和图13)。
此外，尽管示出了显示区域DA在图1的显示装置1中为四边形，但是本公开的示例性实施例不限于此。例如，显示区域DA可以为多边形而不是四边形，或者可以具有诸如圆形形状和椭圆形形状的各种形状。
参照图2和图3，贯通部分TH设置在显示单元10内部。结果，贯通部分TH被像素P围绕。其中未设置有像素P的区域(即，第二非显示区域NDA2)设置在贯通部分TH与像素P之间。
贯通部分TH穿过基底100、封装层400以及设置在基底100与封装层400之间的层。贯通部分TH可以通过利用激光等的切割/冲压设备来形成。由于在通过使用切割设备形成贯通部分TH的工艺期间的冲击，导致在贯通部分TH附近会发生裂纹。因此，在示例性实施例中，防裂纹图案300A设置在第二非显示区域NDA2中。防裂纹图案300A可以防止裂纹朝向像素P传播。
防裂纹图案300A包括沟槽310A和覆盖沟槽310A的包覆层320A。如图2中所示，沟槽310A具有半径大于贯通部分TH的半径的环形形状，并且围绕贯通部分TH的外边缘。虽然示出了贯通部分TH为圆形且沟槽310A具有圆环形状，但是本公开的示例性实施例不限于此。例如，在示例性实施例中，沟槽310A可以具有诸如三角环形状和四边环形状的多边环形状或椭圆环形状。
沟槽310A是在设置在基底100上的第一绝缘层110的厚度方向上凹进的凹部，并且可以阻挡裂纹朝向显示区域DA传播。例如，沟槽310A可以形成在第一绝缘层110中，并且可以在朝向基底100的方向上凹进。沟槽310A可以具有大约等于或小于第一绝缘层110的厚度t的深度d1。在示例性实施例中，深度d1可以在大约
Figure BDA0002118246650000061
至大约
Figure BDA0002118246650000062
的范围。
包括沟槽310A的第一绝缘层110为无机层，并且可以为单个无机层或包括多个层的多个无机层。例如，第一绝缘层110可以包括诸如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的无机材料。
包覆层320A与沟槽310A叠置并覆盖沟槽310A。包覆层320A可以直接设置在第一绝缘层110上，使得包覆层320A与沟槽310A直接接触。包覆层320A的一部分可以设置在沟槽310A内部。
包覆层320A可以包括有机绝缘材料。例如，包覆层320A可以包括与过孔层130和/或第二绝缘层150的材料相同的材料。
包覆层320A的顶表面可以是相对平坦的，并且包覆层320A可以覆盖沟槽310A。在示例性实施例中，包覆层320A的总厚度(例如，从填充沟槽310A的包覆层320A的底表面到顶表面的厚度)可以在大约
Figure BDA0002118246650000071
至大约
Figure BDA0002118246650000072
的范围。然而，本公开的示例性实施例不限于此。
包覆层320A可以减小为无机层的第一绝缘层110的其中已经形成有沟槽310A的部分的应力，并且可以防止裂纹传播。此外，包覆层320A覆盖沟槽310A，并且可以防止颗粒在制造工艺期间聚集在沟槽310A中并防止颗粒移动到像素P的发光元件500(这会产生黑点)。
虚设像素单元20设置在第二非显示区域NDA2中。虚设像素单元20可以设置在显示区域DA与防裂纹图案300A之间，并且包括虚设像素DP。虚设像素单元20可以设置在第二非显示区域NDA2的与显示区域DA相邻的部分中。其中设置有虚设像素单元20的区域可以被定义为虚设像素区域DMA。
如图3中所示，虚设像素单元20是从显示单元10延伸并与显示单元10设置为一体的区域。虚设像素单元20是其中设置有像素但其中该像素实际上不发光并且被设置为虚设的单元。因此，虚设像素单元20的虚设像素DP与显示单元10的像素P连续设置。例如，在示例性实施例中，虚设像素单元20的虚设像素DP和显示单元10的像素P彼此对齐。
在示例性实施例中，大约一个像素至三个像素可以设置为虚设像素DP。然而，本公开的示例性实施例不限于此。例如，虚设像素DP的数量可以通过考虑不同的因素(诸如以贯通部分TH的尺寸、贯通部分TH的形状、无效区的宽度等为例)来改变。
作为对比示例，如果正常发光的像素P(例如，不是虚设像素DP)设置在虚设像素单元20中，当通过使用激光等的切割/冲压设备来形成贯通部分TH时，设置在贯通部分TH附近的一些像素P会被损坏。此外，像素电路的特性由与贯通部分TH邻近的像素P因贯通部分TH而导致的布置改变来改变，这导致与贯通部分TH邻近的像素P和不与贯通部分TH邻近的像素P之间的寄生电容差。结果，在对比示例中，会产生与贯通部分TH邻近的像素P的斑点，并且会降低显示单元10的可靠性。
布线连接单元330在第二非显示区域NDA2中设置在防裂纹图案300A与虚设像素单元20之间。布线连接单元330包括被构造为向设置在贯通部分TH附近的像素P供应信号的布线，可以是扫描信号布线或数据信号布线，并且被设计为绕过贯通部分TH。
由于贯通部分TH设置在显示区域DA内部，因此与贯通部分TH邻近的像素P和被构造为向该像素P供应信号的布线的设计被改变，这导致像素P之间的寄生电容的偏差，因此导致与贯通部分TH邻近的像素P的斑点。
因此，根据示例性实施例的显示装置1可以去除与贯通部分TH邻近的像素P的斑点缺陷，并且可以通过使用不发光的虚设像素DP构造设置在贯通部分TH附近的像素P来改善显示单元10的质量。
参照图3的显示区域DA，像素电路200和发光元件500设置在显示区域DA中。
发光元件500包括电连接到像素电路200的像素电极510、面对像素电极510的对电极530以及设置在像素电极510与对电极530之间的发射层520，具有接触孔CH的过孔层130设置在像素电路200与像素电极510之间。在示例性实施例中，过孔层130可以包括绝缘有机材料，过孔层130具有平坦的顶表面。
像素电极510通过设置在第二绝缘层150中的开口OP暴露，并且像素电极510的边缘可以被包括绝缘有机材料的第二绝缘层150覆盖。在示例性实施例中，像素电极510可以包括例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的混合物。第二绝缘层150为像素限定层。在示例性实施例中，第二绝缘层150覆盖像素电极510的边缘，并且暴露像素电极510的中心部分。
对电极530可以设置为一体，并且可以完全覆盖显示区域DA。在示例性实施例中，对电极530可以是例如包括Ag和Mg的薄膜金属层，或者诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)的透明导电氧化物(TCO)。
在示例性实施例中，如图3中所示，对电极530的端部530E可以覆盖过孔层130的端部130E，并且可以设置在过孔层130与布线连接单元330之间。在示例性实施例中，如图4中所示，对电极530的端部530E可以延伸到基底100的其中已经形成有贯通部分TH的边缘100E。图4中示出的对电极530的结构适用于这里描述的其他示例性实施例。
发射层520可以包括包含发射红色光、绿色光或蓝色光的荧光材料或磷光材料的有机材料，并且可以被图案化以对应于显示区域DA的像素P。可以设置第一功能层522和第二功能层524中的至少一个，第一功能层522设置在发射层520与像素电极510之间，第二功能层524设置在发射层520与对电极530之间。与在像素电极510上方被图案化的发射层520不同，第一功能层522和第二功能层524可以是设置在显示单元10的整个表面上的公共层。
第一功能层522可以包括例如空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)中的至少一个。HIL允许空穴从阳极发射，并且HTL允许HIL的空穴被传输到发射层520。
HIL可以包括诸如以铜酞菁为例的酞菁化合物、DNTPD(N,N'-二苯基-N,N'-二-[4-(苯基-间甲苯基-氨基)-苯基]-联苯-4,4'-二胺)、m-MTDATA(4,4',4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺)、TDATA(4,4',4"-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺)、2T-NATA(4,4',4"-三{N'-(2-萘基)-N-苯基氨基}-三苯胺)、PEDOT/PSS(聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐))、Pani/DBSA(聚苯胺/十二烷基苯磺酸)、Pani/CSA(聚苯胺/樟脑磺酸)或PANI/PSS(聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐))，但是不限于此。
HTL可以包括诸如以N-苯基咔唑、聚乙烯基咔唑等为例的咔唑衍生物、TPD(N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-联苯]-4,4'-二胺)、NPB(N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺)和诸如以TCTA(4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺)为例的三苯胺类材料，但是不限于此。
第二功能层524可以包括电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。EIL允许电子从阴极发射，并且ETL允许EIL的电子被传输到发射层520。
ETL可以包括例如Alq3、BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、Bphen(4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、TAZ(3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑)、NTAZ(4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑)、Butyl-PBD(2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑)、BAlq(二(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝)、Bebq2(二(苯并喹啉-10-羟基)铍)、ADN(9,10-二(萘-2-基)蒽)，但是不限于此。
EIL可以包括诸如以LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO和Liq为例的材料，但不限于此。
在示例性实施例中，与实际像素P不同，开口OP未形成在相对于虚设像素DP的第二绝缘层150中。
如上所述，在显示单元10的像素P中，像素电极510的中心部分通过第二绝缘层150的开口OP暴露，并且发射层520设置在像素电极510上，使得发射层520设置在像素电极510与对电极530之间。
相反，与实际像素P不同，虚设像素DP包括与像素P的像素电极510对应的金属图案510D，并且第二绝缘层150完全覆盖金属图案510D而不包括开口OP。因此，在虚设像素DP中，第二绝缘层150完全设置在金属图案510D与和像素P的发射层520对应的有机图案520D之间。因此，由于虚设像素DP的有机图案520D不与虚设像素DP的金属图案510D直接接触，所以虚设像素DP实际上不发光。相反，虚设像素DP在被驱动时被表示为类似于第二非显示区域NDA2的黑色无效区。
因此，在示例性实施例中，第二绝缘层150包括暴露多个像素P的每个像素电极510的多个开口OP，并且第二绝缘层150在与虚设像素DP对应的区域中不包括任何开口，因此，第二绝缘层150完全覆盖多个虚设像素DP的每个金属图案510D。
封装层400设置在像素P和虚设像素DP上。然而，本公开的示例性实施例不限于此。例如，在示例性实施例中，代替封装层400，通过在基底100上方设置封装基底并通过在基底100的外围上使用密封剂将基底100结合到封装基底上来密封显示单元10。这里描述了通过使用封装层400来密封显示单元10的结构。
封装层400包括无机封装层410和430以及有机封装层420。例如，封装层400可以包括顺序堆叠在彼此上的无机封装层410、有机封装层420和无机封装层430。无机封装层410和430可以包括例如氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铯和氮氧化硅中的至少一种。无机封装层410和430可以通过化学气相沉积(CVD)来形成。
有机封装层420可以包括例如丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸酯类树脂、聚异戊二烯乙烯类树脂、环氧树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素树脂和苝类树脂中的至少一种。
在示例性实施例中，有机封装层420可以通过原子层沉积(ALD)工艺来形成，该工艺使用诸如以六甲基二硅氧烷(HMDSO)或正硅酸乙酯(TEOS)为例的材料作为原料气体。
在示例性实施例中，有机封装层420可以通过沉积液态单体然后使用热或光(诸如紫外线)使液态单体硬化来形成。为了防止液态单体流向防裂纹图案300A并防止形成有机封装层420的边缘尾部，可以在第二非显示区域NDA2中设置坝部。有机封装层420的一端可以通过坝部设置在坝部与像素P之间。
尽管这里描述的示例性实施例中的封装层400包括两个无机封装层410和430以及一个有机封装层420，但是无机封装层和有机封装层的堆叠顺序和数量不限于此。
图5至图7是根据示例性实施例的显示装置的剖视图。
关于虚设像素单元20的虚设像素DP的结构，图5和图7的示例性实施例与图3的示例性实施例不同。为了便于解释，主要描述关于虚设像素DP的结构的不同之处，并且可以省略对先前描述的组件的进一步描述。
与图3不同，在图5的虚设像素DP中，不设置有机图案520D(对应于发射层520)。
在显示单元10的像素P中，第二绝缘层150包括暴露像素电极510的中心部分的第一开口OP1，并且覆盖像素电极510的边缘，发射层520设置在像素电极510上，并且对电极530设置在发射层520上。在示例性实施例中，发射层520设置在像素电极510的通过第一开口OP1暴露的部分(例如，像素电极510的暴露的中心部分)上，并且不设置在像素电极510的剩余部分上。也就是说，在示例性实施例中，像素电极510的仅其上设置有发射层520的部分是像素电极510的通过第一开口OP1暴露的部分(例如，像素电极510的暴露的中心部分)。
类似地，在虚设像素单元20的虚设像素DP中，第二绝缘层150包括暴露金属图案510D的中心部分的第二开口OP2，并且覆盖金属图案510D的边缘。然而，在这种情况下，对应于发射层520的有机图案520D未设置在金属图案510D上。因此，如作为图5中的部分VI的放大剖视图的图6中所示，对电极530可以与金属图案510D的顶表面直接接触。
参照图6，暴露金属图案510D的顶表面的开口OP3可以形成在第一功能层522和第二功能层524中。有机图案可以在制造工艺期间形成在金属图案510D上，并且同时在形成开口OP3的工艺期间被去除。对电极530的至少一部分可以通过形成在第一功能层522和第二功能层524中的开口OP3与金属图案510D的顶表面直接接触。
参照图7，在示例性实施例中，虚设像素DP的结构可以形成为与像素P的结构相同。在这种情况下，像素P的发光元件500包括像素电极510、发射层520和对电极530。类似地，虚设像素DP包括金属图案510D、有机图案520D和对电极530。
然而，在图7的示例性实施例中，虚设像素DP不电连接到设置在虚设像素DP下方的第二像素电路200D。第二像素电路200D可以与设置在显示单元10中的第一像素电路200为相同的电路元件。
在显示单元10的像素P中，像素电极510通过形成在过孔层130中的接触孔CH电连接到设置在像素电极510下方的第一像素电路200。电连接到第一像素电路200的像素电极510可以意味着像素电极510电连接到第一像素电路200的薄膜晶体管的源电极或漏电极。
在虚设像素单元20的虚设像素DP中，第二像素电路200D设置在金属图案510D下方，但是金属图案510D与第二像素电路200D电绝缘。例如，在示例性实施例中，接触孔CH未设置在第二像素电路200D与金属图案510D之间，结果，金属图案510D不连接到第二像素电路200D。
也就是说，在示例性实施例中，接触孔不形成在过孔层130的其上设置有金属图案510D的部分中，因此，虚设像素DP不电连接到第二像素电路200D。在示例性实施例中，像素电路200不设置在虚设像素DP下方。
图8和图9是根据示例性实施例的图1的像素结构的放大剖视图。
图8和图9是根据示例性实施例的显示装置的显示区域DA中的像素P的一部分的剖视图。为了便于解释，由于图8和图9的显示装置包括与参照图3描述的显示装置1的构造相同的构造，所以下面主要描述像素电路200，并且可以省略对先前描述的组件的进一步描述。
参照图8，在示例性实施例中，像素电路200包括薄膜晶体管210和存储电容器220。第一绝缘层110可以包括顺序设置在基底100上的缓冲层101、栅极绝缘层103、介电绝缘层105和层间绝缘层107。
缓冲层101可以防止杂质的渗透。栅极绝缘层103设置在薄膜晶体管210的半导体层211与栅电极213之间。介电绝缘层105设置在存储电容器220的底部电极221与顶部电极223之间。层间绝缘层107设置在薄膜晶体管210的栅电极213与源电极215s和漏电极215d之间。
缓冲层101、栅极绝缘层103、介电绝缘层105和层间绝缘层107中的全部可以包括绝缘无机材料。例如，缓冲层101、栅极绝缘层103、介电绝缘层105和层间绝缘层107中的每个可以包括氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅。
尽管图8的示例性实施例示出了薄膜晶体管210与存储电容器220叠置，因此，薄膜晶体管210的栅电极213用作存储电容器220的底部电极221，但是本公开的示例性实施例不限于此。
参照图9，像素电路200的薄膜晶体管210和存储电容器220可以设置在不同的位置处。
根据像素电路200的结构，第一绝缘层110可以包括顺序设置在基底100上的缓冲层101、栅极绝缘层103和层间绝缘层107。如图9中所示，层间绝缘层107可以设置在存储电容器220的底部电极221与顶部电极223之间，以执行电介质的功能。
尽管图8和图9中已经描述了像素电路200的薄膜晶体管210是顶栅型晶体管，但是示例性实施例不限于此。例如，在示例性实施例中，薄膜晶体管210可以是底栅型晶体管。此外，尽管图9中已经描述了这样的情况，其中存储电容器220的底部电极221和顶部电极223分别与栅电极213以及源电极215s和漏电极215d设置在同一层上并且分别包括与栅电极213以及源电极215s和漏电极215d的材料相同的材料，但是示例性实施例不限于此，并且可以进行各种修改。
图10是根据示例性实施例的显示装置1'的显示区域DA中的贯通部分TH的放大平面图。图11是根据示例性实施例的沿图10的线XI-XI截取的剖视图。
图10和图11的示例性实施例还包括设置在布线连接单元330与虚设像素单元20之间的金属层600。金属层600可以设置在位于布线连接单元330与虚设像素单元20之间的间隔区域SA中。
如图10中所示，金属层600可以包围围绕贯通部分TH的区域，并且可以具有其直径大于贯通部分TH的直径的环形形状。然而，金属层600的形状不限于此，可以根据贯通部分TH的形状进行修改，并且可以设计为与贯通部分TH的形状分开。
参照图11，在示例性实施例中，金属层600可以包括与像素电极510的材料相同的材料。在示例性实施例中，金属层600可以包括与包括在像素电路200中的其他导电层的材料相同的材料。例如，在像素电路200的结构中，金属层600可以包括与薄膜晶体管210的栅电极213或存储电容器220的顶部电极223的材料相同的材料，并且可以包括与薄膜晶体管210的源电极215s和漏电极215d的材料相同的材料。例如，在图8的像素电路200的结构中，金属层600可以包括与薄膜晶体管210的栅电极213的材料或薄膜晶体管210的源电极215s和漏电极215d的材料相同的材料。
金属层600可以将布线连接单元330与相邻的像素P物理地分开，并且可以同时防止耦合。
在根据示例性实施例的显示装置1'中，虚设像素区域DMA以近似圆形形状实现，并且围绕贯通部分TH的邻近区域。然而，示例性实施例不限于此。例如，根据示例性实施例，虚设像素区域DMA可以以诸如椭圆形形状、直线形状和U形形状的各种形状实现。
图12是根据示例性实施例的显示装置2的平面图。图13是根据示例性实施例的图12的显示区域DA中的贯通部分TH的放大平面图。
图12和图13与上述示例性实施例的不同之处在于贯通部分TH和在贯通部分TH的邻近区域中的第二非显示区域NDA2的形状。为了便于解释，由于其他构造与上述示例性实施例的构造类似，因此下面主要描述贯通部分TH和第二非显示区域NDA2，并且可以省略对先前描述的组件的进一步描述。
参照图12，在示例性实施例中，显示装置2可以包括设置在显示区域DA内部的两个或更多个贯通部分，例如，第一贯通部分TH1和第二贯通部分TH2。贯通部分TH可以包括第一贯通部分TH1和第二贯通部分TH2。第二非显示区域NDA2设置在贯通部分TH周围，使得第二非显示区域NDA2围绕贯通部分TH。
参照图13，在示例性实施例中，贯通部分TH设置在显示区域DA内部。贯通部分TH包括第一贯通部分TH1和第二贯通部分TH2。尽管贯通部分TH在这里描述的示例性实施例中包括两个贯通部分TH1和TH2，但是示例性实施例不限于此。
与上述示例性实施例类似，防裂纹图案300A可以设置在贯通部分TH周围，使得防裂纹图案300A围绕第一贯通部分TH1和第二贯通部分TH2。布线连接单元330可以设置在防裂纹图案300A的外部。
包括虚设像素DP的虚设像素单元20设置在贯通部分TH周围。关于虚设像素DP的结构，可应用图3至图7的示例性实施例中的至少一个。虚设像素单元20设置在布线连接单元330与显示单元10之间。
虚设像素DP可以设置在围绕贯通部分TH设置的第二非显示区域NDA2中。虚设像素DP围绕包围第一贯通部分TH1和第二贯通部分TH2的区域。例如，在示例性实施例中，虚设像素DP也可以设置在第一贯通部分TH1与第二贯通部分TH2之间的区域中。由于虚设像素DP被识别为不发光的无效区，因此可以通过在第一贯通部分TH1与第二贯通部分TH2之间的区域中布置虚设像素DP来实现可见性，如同第一贯通部分TH1连接到第二贯通部分TH2。
如上所述，贯通部分TH可以以除了圆形形状之外的各种形状来实现。如图13中所示，为了将贯通部分TH本身形成为椭圆形形状(或条形形状)，基底和基底上的结构暴露于激光相对较长的时间，这会导致与贯通部分TH邻近的元件的缺陷。
因此，可以通过将贯通部分TH本身设计成需要最少或减少的形成持续时间的形状并且通过在贯通部分TH周围布置虚设像素DP来不同地实现从外部可见的(例如，由使用显示装置2的用户可见的)贯通部分TH和第二非显示区域NDA2的形状。
图14是根据示例性实施例的显示装置3的平面图。图15是根据示例性实施例的图14的显示区域DA中的贯通部分和非显示区域NDA的放大平面图。
图14和图15的示例性实施例与上述示例性实施例的不同之处在于贯通部分TH的位置和在贯通部分TH周围的非显示区域NDA的形状。为了便于解释，由于其他构造与上述示例性实施例的构造类似，因此下面主要描述贯通部分TH和非显示区域NDA，并且可以省略对先前描述的组件的进一步描述。
参照图14，在示例性实施例中，显示装置3包括围绕显示区域DA的外边缘的至少一部分的第一非显示区域NDA1以及在贯通部分TH与显示区域DA之间围绕贯通部分TH的外边缘的至少一部分的第二非显示区域NDA2。贯通部分TH设置在显示区域DA的上中心部分中，并且设置为与基底100的边缘相邻。在上述示例性实施例中，第二非显示区域NDA2被显示区域DA围绕。相反，在这里描述的示例性实施例中，显示区域DA围绕第二非显示区域NDA2的一部分，并且第二非显示区域NDA2的其余部分连接到第一非显示区域NDA1。
在其中显示单元10发光的情况下，图14中的显示装置3的显示区域DA可以被识别，如同U形凹部形成在显示区域DA的其中设置有贯通部分TH的部分中。
参照图15，尽管围绕贯通部分TH的防裂纹图案300A和布线连接单元330与第一非显示区域NDA1基本间隔开，但是通过设置在第一非显示区域NDA1与布线连接单元330之间的虚设像素单元20可以识别出，如同第一非显示区域NDA1与第二非显示区域NDA2在视觉上连接。
如上所述，通过设计根据示例性实施例的如这里描述的虚设像素单元20的位置和区域，可以防止或减少与贯通部分TH邻近的像素P的发射均匀性的劣化，并且可以自由地实现非显示区域NDA的视觉显示的形状。
图16和图17示出了防裂纹图案300A'的示例性实施例。参照图16和图17，在示例性实施例中，防裂纹图案300A'包括第一沟槽310A1和第二沟槽310A2。第一沟槽310A1和第二沟槽310A2可以完全穿过第一绝缘层110，并且可以延伸到基底100的至少一部分。例如，第一沟槽310A1和第二沟槽310A2的深度t2可以大于第一绝缘层110的厚度t1。
底切形状的台阶差部分UC1和UC2可以形成在第一沟槽310A1和第二沟槽310A2的端部处。第一沟槽310A1和第二沟槽310A2中的每个具有这样的结构，该结构在基底100的厚度方向上延伸的同时具有朝向基底100逐渐减小的宽度。第一沟槽310A1和第二沟槽310A2的宽度在台阶差部分UC1和UC2处相对加宽。对电极530如下所述通过底切形状的台阶差部分UC1和UC2而断开。由于对电极530断开，因此可以阻挡穿过位于对电极530和与对电极530相邻设置的层之间的界面的横向湿气传输路径。
对电极530和无机封装层410和430可以设置在第一沟槽310A1和第二沟槽310A2上方。对电极530和无机封装层410和430可以完全设置在基底100上方，并且可以延伸到基底100的边缘100E。如上所述，对电极530可以通过底切形状的台阶差部分UC1和UC2而断开，并且在这种情况下，对电极530的部分530A可以设置在第一沟槽310A1和第二沟槽310A2内部。
与第二沟槽310A2相比，防裂纹图案300A'的第一沟槽310A1相对靠近贯通部分TH设置。例如，与第二沟槽310A2相比，第一沟槽310A1更靠近贯通部分TH设置，并且与第一沟槽310A1相比，第二沟槽310A2更靠近显示区域DA设置。第二沟槽310A2的内部可以利用有机材料420A填充。有机材料420A可以是与封装层400的有机封装层420的材料相同的材料。在第二沟槽310A2中，无机封装层410覆盖第二沟槽310A2的内表面，有机材料420A填充第二沟槽310A2的内部，并且无机封装层430覆盖有机材料420A。
图16和图17更详细地示出了包括防裂纹图案300A'的堆叠结构。
图17的基底100可以包括有机/无机复合层的多层结构。例如，基底100包括具有双层结构的第一基底层100a1和第二基底层100a2以及与第一基底层100a1和第二基底层100a2交替设置的第一阻挡层100b1和第二阻挡层100b2。
与图8类似，包括缓冲层101、栅极绝缘层103、介电绝缘层105和层间绝缘层107的第一绝缘层110、过孔层130以及第二绝缘层150顺序设置在基底100上。去除过孔层130和第二绝缘层150的对应于沟槽区域GA的部分。包括第一沟槽310A1和第二沟槽310A2的防裂纹图案300A'设置在沟槽区域GA中。
防裂纹图案300A'包括与贯通部分TH相邻设置的第一沟槽310A1以及设置在第一沟槽310A1外部的第二沟槽310A2。第一沟槽310A1和第二沟槽310A2延伸到第二基底层100a2，并且底切形状的台阶差部分UC1和UC2形成在第二基底层100a2与第二阻挡层100b2之间。
如图17中所示，第一沟槽310A1和第二沟槽310A2可以在缓冲层101与栅极绝缘层103之间以及层间绝缘层107与过孔层130之间具有台阶差部分ST1和ST2。
虽然已经参照本公开的示例性实施例具体示出并描述了本公开，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求限定的本公开的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式上和细节上的各种变化。

Claims (22)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
第一绝缘层，设置在所述基底上；
贯通部分，穿过所述基底和所述第一绝缘层；
显示单元，设置在所述第一绝缘层上，并且包括围绕所述贯通部分的至少一部分的多个像素，其中，每个像素包括发光元件，所述发光元件包括彼此面对的像素电极和对电极以及设置在所述像素电极与所述对电极之间的发射层；以及
虚设像素单元，包括设置在所述贯通部分与所述显示单元之间并包括金属图案的多个虚设像素，所述金属图案包括与所述像素电极的材料相同的材料，
其中，所述多个虚设像素与所述显示单元相邻设置。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述虚设像素单元的所述多个虚设像素与所述显示单元的所述多个像素连续设置。
3.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一像素电路；以及
第二像素电路，
其中，所述第一像素电路和所述第二像素电路中的每个包括设置在所述基底上的薄膜晶体管，
其中，来自所述多个像素当中的第一像素电连接到所述第一像素电路，并且来自所述多个虚设像素当中的第一虚设像素与所述第二像素电路电绝缘。
4.根据权利要求3所述的显示装置，所述显示装置还包括：
过孔层，覆盖所述第一像素电路和所述第二像素电路，
其中，所述过孔层使所述过孔层的顶表面平坦化，并且包括将所述第一像素电连接到所述第一像素电路的接触孔，
其中，所述接触孔未设置在所述第二像素电路与所述金属图案之间。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述像素电极电连接到所述第一像素电路的所述薄膜晶体管，并且所述金属图案与所述第二像素电路的所述薄膜晶体管电绝缘。
6.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第二绝缘层，覆盖所述像素电极的边缘，
其中，所述第二绝缘层暴露所述像素电极的一部分并覆盖所述金属图案的顶表面。
7.根据权利要求6所述的显示装置，所述显示装置还包括：
有机图案，在与所述金属图案对应的区域中设置在所述第二绝缘层上，
其中，所述有机图案包括与所述发射层的材料相同的材料。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述金属图案和所述有机图案彼此间隔开，并且所述第二绝缘层设置在所述金属图案与所述有机图案之间。
9.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述像素电极的边缘并且包括暴露所述像素电极的一部分的第一开口，并且所述第二绝缘层覆盖所述金属图案的边缘并且包括暴露所述金属图案的一部分的第二开口，
其中，所述金属图案的通过所述第二开口暴露的所述一部分与所述对电极接触。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述发射层设置在所述像素电极的通过所述第一开口暴露的所述一部分上，并且不设置在所述像素电极的剩余部分上。
11.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
沟槽，在所述贯通部分与所述虚设像素单元之间设置在所述第一绝缘层中。
12.根据权利要求11所述的显示装置，所述显示装置还包括：
包覆层，设置在所述第一绝缘层上，
其中，所述包覆层覆盖所述沟槽并包括与所述第一绝缘层的材料不同的材料。
13.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述沟槽的深度等于或小于所述第一绝缘层的厚度。
14.根据权利要求11所述的显示装置，所述显示装置还包括：
布线连接单元，设置在所述沟槽与所述虚设像素单元之间。
15.根据权利要求14所述的显示装置，所述显示装置还包括：
间隔区域，设置在所述布线连接单元与所述虚设像素单元之间。
16.根据权利要求15所述的显示装置，所述显示装置还包括：
金属层，具有环形形状，
其中，所述金属层设置在所述间隔区域中并围绕所述贯通部分，并且所述金属层的直径大于所述贯通部分的直径。
17.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述基底包括其中设置有所述显示单元的显示区域以及与所述显示区域相邻设置的非显示区域，
其中，所述非显示区域包括沿所述基底的边缘围绕所述显示区域的外边缘的至少一部分的第一非显示区域以及在所述贯通部分与所述显示区域之间围绕所述贯通部分的外边缘的至少一部分的第二非显示区域。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述贯通部分与所述基底的所述边缘相邻设置，并且所述第一非显示区域连接到所述第二非显示区域。
19.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述贯通部分包括：
第一通孔；以及
第二通孔，与所述第一通孔相邻设置，
其中，所述虚设像素单元的至少一部分设置在所述第一通孔与所述第二通孔之间。
20.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述贯通部分包括单个闭合曲线形状。
21.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述沟槽穿过所述第一绝缘层，并且延伸到所述基底的至少一部分。
22.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
第一绝缘层，设置在所述基底上；
贯通部分，穿过所述基底和所述第一绝缘层；
第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上；
多个像素，围绕所述贯通部分的至少一部分，其中，每个像素包括发光元件，所述发光元件包括彼此面对的像素电极和对电极以及设置在所述像素电极与所述对电极之间的发射层；以及
多个虚设像素，设置在所述贯通部分与所述多个像素之间，其中，每个虚设像素包括金属图案，所述金属图案包括与所述像素电极的材料相同的材料，
其中，所述第二绝缘层包括暴露所述多个像素的每个像素电极的多个开口，并且所述第二绝缘层完全覆盖所述多个虚设像素的每个金属图案。
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