KR20210101084A - 더미 화소가 구비된 표시 패널을 포함하는 전자 장치 - Google Patents

더미 화소가 구비된 표시 패널을 포함하는 전자 장치 Download PDF

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KR20210101084A
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신성영
허용구
신현창
양병덕
엄민석
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삼성전자주식회사
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Abstract

표시 패널을 포함하고, 상기 표시 패널은, 제1 방향으로 마주하는 제1 면과 제2 면을 포함하는 기판, 복수의 화소들이 배치되어 상기 제1 면으로 이미지를 표시하는 표시 영역, 상기 표시 영역으로 둘러싸인 제1 비표시 영역, 상기 제1 비표시 영역 내에 위치하는 투과 영역, 상기 투과 영역의 둘레를 따라 연장되는 제1 곡선부를 포함하는 제1 배선 및 상기 제1 배선의 상기 제1 곡선부의 적어도 일부와 상기 제1 방향으로 중첩하는 더미 트랜지스터를 포함하는 전자 장치가 개시된다. 이 외에도 명세서를 통해 파악되는 다양한 실시 예가 가능하다.

Description

더미 화소가 구비된 표시 패널을 포함하는 전자 장치{ELECTRONIC DEVICE COMPRISING DISPLAY PANEL COMPRISING DUMMY PIXEL}
본 문서에서 개시되는 실시 예들은 더미 화소가 구비된 표시 패널을 포함하는 전자 장치와 관련된다.
최근, 액정 표시 패널 및 유기 발광 표시 패널 등과 같은 표시 패널을 포함하는 전자 장치가 널리 사용되고 있다. 표시 패널은 화소 구동을 위한 구동부들 또는 신호 배선들이 위치하여 이미지를 표시하지 않는 데드 스페이스(dead space)를 포함한다.
표시 패널의 데드 스페이스의 면적이 넓으면, 데드 스페이스가 사용자에 의해 쉽게 시인될 수 있고, 표시 패널에서 이미지를 표시하는 영역이 상대적으로 좁아질 수 있다. 따라서, 표시 패널에 포함된 데드 스페이스의 면적을 줄이기 위한 여러가지 방안에 대한 요구가 증대되고 있다.
실시 예들은 데드 스페이스의 면적을 최소화하여, 더 넓은 면적에서 이미지 표현이 가능한 표시 패널을 포함하는 전자 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 문서에 개시되는 일 실시 예에 따른 전자 장치는, 표시 패널을 포함하고, 상기 표시 패널은, 제1 방향으로 마주하는 제1 면과 제2 면을 포함하는 기판, 복수의 화소들이 배치되어 상기 제1 면으로 이미지를 표시하는 표시 영역, 상기 표시 영역으로 둘러싸인 제1 비표시 영역, 상기 제1 비표시 영역 내에 위치하는 투과 영역, 상기 투과 영역의 둘레를 따라 연장되는 제1 곡선부를 포함하는 제1 배선 및 상기 제1 배선의 상기 제1 곡선부의 적어도 일부와 상기 제1 방향으로 중첩하는 더미 트랜지스터를 포함할 수 있다.
또한, 본 문서에 개시되는 일 실시 예에 따른 전자 장치는, 표시 패널을 포함하고, 상기 표시 패널은, 제1 방향으로 마주하는 제1 면과 제2 면을 포함하는 기판, 복수의 화소들이 배치되어 상기 제1 면으로 이미지를 표시하는 표시 화소 영역, 상기 복수의 화소들이 배치되지 않는 투과 영역, 상기 투과 영역을 둘러싸도록 배치된 복수의 더미 화소들이 위치하는 더미 화소 영역, 상기 투과 영역의 둘레를 따라 연장되는 제1 곡선부를 포함하는 제1 배선, 상기 더미 화소 영역에 위치하는 제1 더미 트랜지스터 및 상기 제1 더미 트랜지스터에 전기적으로 연결된 제1 화소 전극을 포함하고, 상기 제1 화소 전극은 상기 제1 곡선부의 적어도 일부와 상기 제1 방향으로 중첩할 수 있다.
본 문서에 개시되는 실시 예들에 따르면, 전자 장치의 데드 스페이스의 면적을 최소화할 수 있고, 더 넓은 면적에서 이미지 표현이 가능할 수 있다.
이 외에, 본 문서를 통해 직접적 또는 간접적으로 파악되는 다양한 효과들이 제공될 수 있다.
도 1은 일 실시 예에 따른 전자 장치를 나타내는 블록도이다.
도 2는 일 실시 예에 따른 전자 장치에서 도 1의 A 영역을 확대 도시한 확대도이다.
도 3은 일 실시 예에 따른 전자 장치에서 도 2의 B 영역을 확대 도시한 확대도이다.
도 4는 일 실시 예에 따른 전자 장치에 포함되는 하나의 화소의 등가 회로도이다.
도 5는 일 실시 예에 따른 전자 장치에 포함되는 하나의 화소를 나타내는 배치도이다.
도 6은 일 실시 예에 따른 전자 장치에서 도 5의 VI-VI' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 7은 일 실시 예에 따른 전자 장치에 포함되는 하나의 더미 화소를 나타내는 배치도이다.
도 8은 일 실시 예에 따른 전자 장치에서 도 7의 VIII-VIII' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 9는 일 실시 예에 따른 전자 장치에서 도 2의 B 영역을 확대 도시한 확대도이다.
도 10은 일 실시 예에 따른 전자 장치에서 도 9의 C 영역을 확대 도시한 확대도이다.
도 11은 일 실시 예에 따른 전자 장치에서 도 10의 XI-XI' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 12는 일 실시 예에 따른 전자 장치에서 도 2의 B 영역을 확대 도시한 확대도이다.
도 13는 일 실시 예에 따른 전자 장치에서 도 12의 D 영역을 확대 도시한 확대도이다.
도 14는 일 실시 예에 따른 전자 장치에서 도 2의 B 영역을 확대 도시한 확대도이다.
도 15는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 발광 영역을 나타내는 배치도이다.
도 16은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 발광 영역을 나타내는 배치도이다.
도 17은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 발광 영역을 나타내는 배치도이다.
도 18은 일 실시 예에 따른 전자 장치에서 도 2의 B 영역을 확대 도시한 확대도이다.
도 19는 일 실시 예에 따른 전자 장치에서 도 2의 B 영역을 확대 도시한 확대도이다.
도 20은 일 실시예에 따른 전자 장치의 전면 사시도이다.
도 21는 일 실시예에 따른 전자 장치의 배면 사시도이다.
도 22는 일 실시예에 따른 전자 장치의 전개 사시도이다.
도 23은 일 실시예에 따른 전자 장치에 포함되는 디스플레이의 전개 사시도이다.
도 24는 일 실시예에 따른 전자 장치에서 도 20의 E-E' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 25는 일 실시예에 따른 전자 장치에서 도 24의 F 영역을 확대한 확대도이다.
도 26은 일 실시예에 따른 전자 장치에서 도 20의 E-E' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 27은 다양한 실시 예에 따른 네트워크 환경 내의 전자 장치를 나타낸다.
도 28은 다양한 실시 예들에 따른 표시 장치의 블럭도이다.
도면의 설명과 관련하여, 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일 또는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.
이하, 본 발명의 다양한 실시 예가 첨부된 도면을 참조하여 기재된다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 실시 예의 다양한 변경(modification), 균등물(equivalent), 및/또는 대체물(alternative)을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
먼저, 도 1 내지 도 3을 참조하여, 일 실시 예에 따른 전자 장치(100)에 대해 설명한다. 도 1은 일 실시 예에 따른 전자 장치를 나타내는 블록도이다. 도 2는 일 실시 예에 따른 전자 장치에서 도 1의 A 영역을 확대 도시한 확대도이다. 도 3은 일 실시 예에 따른 전자 장치에서 도 2의 B 영역을 확대 도시한 확대도이다.
도 1을 참조하면, 일 실시 예에 따른 전자 장치(100)는 표시 패널(110) 및 디스플레이 드라이버 IC(DDI)(160)를 포함할 수 있다. 표시 패널(110)은 이미지(image)를 표시하는 표시 영역(DA), 표시 영역(DA)으로 둘러싸이는 제1 비표시 영역(NA1) 및 표시 영역(DA)의 주변부에 위치하는 제2 비표시 영역(NA2)을 포함할 수 있다.
표시 패널(110)은 표시 영역(DA)에 위치하는 복수의 화소(PX)와 복수의 신호선(120, 130)을 포함할 수 있다. 또한, 표시 패널(110)은 제1 비표시 영역(NA1) 내에 위치하는 투과 영역(TA)을 포함할 수 있고, 제2 비표시 영역(NA2)에 위치하는 게이트 구동부(150)를 포함할 수 있다.
표시 영역(DA)은 복수의 화소(PX)를 통해 이미지를 표시할 수 있다. 화소(PX)는 이미지를 표시하는 최소 단위일 수 있다. 복수의 신호선(120, 130)은 게이트선(120) 및 데이터선(130)을 포함할 수 있다. 게이트선(120)은 게이트 구동부(150)에 전기적으로 연결될 수 있고, 게이트 신호를 전달할 수 있다. 게이트선(120)은 표시 영역(DA)에서 제3 방향(D3)으로 연장될 수 있다. 데이터선(130)은 디스플레이 드라이버 IC(DDI)(160)에 전기적으로 연결될 수 있고, 데이터 전압을 전달할 수 있다. 데이터선(130)은 표시 영역(DA)에서 제3 방향(D3)에 수직한 제2 방향(D2)으로 연장될 수 있다. 게이트선(120)과 데이터선(130)의 연장 방향은 도 1에 도시된 바에 한정되지 않는다. 즉, 실시예에 따라서는, 게이트선(120)이 제2 방향(D2)으로 연장되고, 데이터선(130)이 제3 방향(D3)으로 연장될 수도 있다.
제1 비표시 영역(NA1)은 표시 영역(DA)으로 둘러싸이며, 이미지를 표시하지 않는 영역일 수 있다. 제1 비표시 영역(NA1) 내에 위치하는 투과 영역(TA)에 대응하는 영역에 카메라 모듈(예: 도 22의 카메라 모듈(500))이 배치될 수 있다. 예를 들어, 투과 영역(TA)은 표시 패널(110)을 제1 방향(D1)으로 관통하는 관통 홀을 포함할 수 있고, 관통 홀 내에 또는 관통 홀과 중첩하는 위치에 카메라 모듈이 배치될 수 있다. 즉, 관통 홀을 통해 빛이 카메라 모듈에 입사할 수 있다. 다른 예를 들어, 투과 영역(TA)은 관통 홀을 포함하지 않고, 표시 패널(110)의 배면에 카메라 모듈이 위치할 수도 있다. 이 때, 투과 영역(TA)은 투명 부재를 포함할 수 있고, 빛이 표시 패널의 투과 영역(TA)을 투과할 수 있다. 투과 영역(TA)을 투과한 빛은 카메라 모듈에 입사할 수 있다. 도 1에서는 제1 비표시 영역(NA1)을 원형으로 도시하였으나, 제1 비표시 영역(NA1)의 모양은 이에 제한되지 않는다. 또한, 일 실시예에 따른 전자 장치는 서로 이격된 복수 개의 제1 비표시 영역(NA1)들을 포함할 수도 있다.
제2 비표시 영역(NA2)에는 표시 영역(DA)에 인가되는 각종 신호들을 생성하고 전달하기 위한 소자 또는 배선들이 위치할 수 있다. 제2 비표시 영역(NA2)은 표시 영역(DA)을 둘러싸며 위치할 수 있다. 제2 비표시 영역(NA2)에 위치하는 게이트 구동부(150)는 외부로부터 공급되는 구동 전원 및 제어 신호들에 대응하여 게이트 신호를 생성하고, 이를 게이트선(120)으로 공급할 수 있다. 복수의 화소(PX)는 게이트 신호에 의해 선택되어 순차적으로 데이터 전압을 공급받을 수 있다. 이 때, 표시 패널(110)의 데드 스페이스는 이미지를 표시하지 않는 제1 비표시 영역(NA1)과 제2 비표시 영역(NA2)일 수 있다.
게이트 구동부(150)는 복수의 화소(PX)에 포함되는 화소 회로와 함께 기판 위에 박막 트랜지스터의 형태로 구비되거나, 칩의 형태로 기판 위에 실장될 수 있다. 게이트 구동부(150)는 표시 영역(DA)을 사이에 두고 위치하는 제1 게이트 구동부(151)와 제2 게이트 구동부(152)를 포함할 수 있다. 제1 게이트 구동부(151)와 제2 게이트 구동부(152)는 각각, 종속적으로 연결된 복수의 스테이지들을 포함할 수 있다. 복수의 스테이지들은 복수의 게이트선(120) 각각에 전기적으로 연결되어 게이트 신호를 순차적으로 출력할 수 있다. 게이트 구동부(150)는 제1 게이트 구동부(151)와 제2 게이트 구동부(152)를 포함하는 것으로 설명하였으나, 게이트 구동부(150)는 표시 패널(110)의 양측에 위치하지 않고 일 측에만 위치할 수도 있다.
디스플레이 드라이버 IC(DDI)(160)는 외부로부터 공급되는 데이터 및 제어 신호들에 대응하여 데이터 전압을 생성하고, 이를 데이터선(130)으로 공급할 수 있다.
실시 예에 따라서는, 표시 패널(110)은 가요성 기판을 포함할 수 있다. 다시 말해, 일 실시예에 따른 전자 장치(100)는 폴더블(foldable) 디스플레이, 롤러블(rollable) 디스플레이, 확장가능한(extendable) 디스플레이, 플렉서블(flexible) 디스플레이와 같은 변형가능한(deformable) 디스플레이를 포함할 수 있다.
도 2를 참조하면, 복수의 데이터선(130) 중 투과 영역(TA)에 인접하는 데이터선(130a)은 투과 영역(TA)의 둘레를 따라 연장되는 데이터 곡선부(DB), 데이터 곡선부(DB)의 일 단으로부터 제2 방향(D2)으로 연장되는 제1 데이터 직선부(SP1) 및 데이터 곡선부(DB)의 타 단으로부터 제2 방향(D2)으로 연장되는 제2 데이터 직선부(SP2)를 포함할 수 있다. 데이터 곡선부(DB)는 투과 영역(TA)의 주변부를 따라 만곡된 형태를 가질 수 있다. 데이터 곡선부(DB)가 위치하는 곡선부 영역(DBA)은 투과 영역(TA)의 가장자리를 따라 투과 영역(TA)의 주변부에 위치할 수 있다.
일 실시예에 따른 전자 장치에서 투과 영역(TA)을 지나는 게이트선(120)은 투과 영역(TA)에 대응하는 영역에서 단선될 수 있다. 또는, 일 실시예에 따른 전자 장치는 투과 영역(TA)의 주변부를 따라 만곡되는 게이트선(120)의 굴곡부를 포함할 수도 있다.
일 실시예에 따른 전자 장치는 투과 영역(TA)의 둘레를 따라 위치하는 차광 부재(예: 도 24의 인쇄 영역(322))를 더 포함할 수도 있다. 이 때, 차광 부재는 제1 비표시 영역(NA1)에서 투과 영역(TA)을 제외한 영역에 위치할 수 있다.
도 3을 참조하면, 일 실시 예에 따른 전자 장치는 복수의 화소(PX)가 위치하는 표시 화소 영역(PXA), 복수의 더미 화소(DP)가 위치하는 더미 화소 영역(DPA), 데이터 곡선부(DB)가 위치하는 곡선부 영역(DBA) 및 투과 영역(TA)을 포함할 수 있다.
복수의 더미 화소(DP)는 복수의 화소(PX)의 주변부에 위치할 수 있다. 다시 말해, 더미 화소 영역(DPA)은 표시 화소 영역(PXA)의 가장자리를 따라 위치할 수 있고, 표시 화소 영역(PXA)과 투과 영역(TA) 사이에 위치할 수 있다.
복수의 화소(PX)는 복수의 박막 트랜지스터 및 복수의 신호 배선들을 포함할 수 있다. 화소(PX)의 박막 트랜지스터 및 신호 배선들은 식각 공정을 통해 형성될 수 있다. 식각 공정은 도전층 위에 포토 레지스트층을 도포하고, 포토 레지스트층을 노광 및 현상한 후, 식각액을 도포하여 수행될 수 있다. 이 때, 부하 효과(loading effect)에 의해, 패턴의 밀도에 따라 영역별 식각률(etch rate)이 달라질 수 있다. 이로 인해, 패턴 밀도가 큰 영역 중 패턴 밀도가 상대적으로 낮은 영역과 인접한 영역에서, 패턴의 선 폭이 균일하지 않을 수 있다. 즉, 패턴 밀도가 큰 영역의 가장자리에 위치하는 패턴의 선 폭이 균일하지 않을 수 있다. 따라서, 복수의 화소(PX)가 위치하는 표시 화소 영역(PXA)의 주변부에 위치하는 패턴은 선 폭이 균일하지 않을 수 있다.
일 실시예에 따른 전자 장치는 박막 트랜지스터로부터 출력되는 전류에 따라 발광하여 계조를 표현할 수 있다. 따라서, 패턴의 선 폭이 균일하지 않으면, 트랜지스터로부터 출력되는 전류 차이에 의한 휘도 차이가 발생할 수 있다. 즉, 패턴의 선 폭이 균일하지 않으면 표현하고자 하는 휘도를 정확히 구현하기 어려울 수 있다. 일 실시 예에 따른 전자 장치에서는 선 폭이 균일하지 않은 영역의 패턴들을 이미지를 표시하지 않는 더미 화소(DP)로 사용할 수 있다. 이 때, 복수의 화소(PX)는 적어도 하나의 박막 트랜지스터를 포함하는 화소 회로 및 유기 발광 소자(예: 도 4의 OLED)를 포함할 수 있다. 복수의 더미 화소(DP)는 적어도 하나의 박막 트랜지스터를 포함하는 더미 화소 회로를 포함할 수 있고, 이에 연결된 유기 발광 소자는 포함하지 않을 수 있다. 즉, 복수의 더미 화소(DP)는 화소 전극 및 유기 발광층을 포함하지 않을 수 있다.
복수의 더미 화소(DP)에 포함되는 패턴의 선 폭은 복수의 화소(PX)에 포함되는 패턴의 선 폭과 다를 수 있다. 예를 들어, 더미 화소(DP)의 게이트 전극의 너비(d2, 도 7 참조)는 화소(PX)의 게이트 전극의 너비(d1, 도 5 참조)보다 클 수 있다. 이 때, 게이트 전극의 너비는 게이트 전극의 제2 방향(D2)으로의 폭을 의미할 수 있다.
비교예에 따른 전자 장치에서, 더미 화소(DP)는 데이터 곡선부(DB)와 제1 방향(D1)으로 중첩하지 않을 수 있다. 이 경우, 제1 비표시 영역(NA1)은 투과 영역(TA)이 위치하는 영역에 더하여, 더미 화소 영역(DPA) 및 곡선부 영역(DBA)에 해당하는 면적을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치에서, 적어도 하나의 더미 화소(DP)는 더미 화소(DP)와 연결되는 데이터선(130)을 포함하지 않고, 데이터 곡선부(DB)와 제1 방향(D1)으로 중첩할 수 있다. 다시 말해, 더미 화소 영역(DPA)은 곡선부 영역(DBA)과 중첩할 수 있다. 이 때, 제1 비표시 영역(NA1)은 곡선부 영역(DBA) 및 투과 영역(TA)이 위치하는 영역일 수 있고, 표시 영역(DA)은 곡선부 영역(DBA)을 둘러싸는 영역에 위치할 수 있다. 일 실시 예에 따른 전자 장치는 더미 화소(DP)가 데이터 곡선부(DB)와 중첩하여, 비교예에 따른 전자 장치에 비하여 제1 비표시 영역(NA1)의 면적을 줄일 수 있다. 즉, 일 실시 예에 따른 전자 장치에서 더미 화소 영역(DPA)이 곡선부 영역(DBA)과 중첩하여, 더미 화소(DP)에 의한 데드 스페이스(dead space)를 최소화 할 수 있다.
이하, 일 실시 예에 따른 전자 장치에 포함되는 화소(PX)에 대해 설명한다. 도 4는 일 실시 예에 따른 전자 장치에 포함되는 하나의 화소의 등가 회로도이다.
도 4를 참조하면, 하나의 화소(PX)는 복수의 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7), 복수의 신호선(120, 130, 421, 423, 424, 425, 472, 490), 스토리지 커패시터(storage capacitor, Cst) 및 유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)를 포함할 수 있다.
복수의 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7)는 제1 트랜지스터(예: 구동 트랜지스터, driving transistor)(T1), 제2 트랜지스터(예: 스위칭 트랜지스터, switching transistor)(T2), 제3 트랜지스터(예: 보상 트랜지스터, compensation transistor)(T3), 제4 트랜지스터(예: 초기화 트랜지스터, initialization transistor)(T4), 제5 트랜지스터(예: 동작 제어 트랜지스터, operation control transistor)(T5), 제6 트랜지스터(예: 발광 제어 트랜지스터, light emission control transistor)(T6) 및 제7 트랜지스터(예: 바이패스 트랜지스터, bypass transistor)(T7)를 포함할 수 있다.
복수의 신호선(120, 130, 421, 423, 424, 425, 472, 490)은 게이트 신호(Sn)를 전달하는 게이트선(120), 게이트선(120)과 교차하며 데이터 전압(Dm)를 전달하는 데이터선(130), 제4 트랜지스터(T4)에 전단 게이트 신호(Sn-1)를 전달하는 전단 게이트선(421), 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)에 발광 제어 신호(EM)를 전달하는 발광 제어선(423), 제1 트랜지스터(T1)를 초기화하는 초기화 전압(Vint)을 전달하는 초기화 전압선(424), 제7 트랜지스터(T7)에 바이패스 신호(BP)를 전달하는 바이패스 제어선(425), 구동 전압(ELVDD)을 전달하는 구동 전압선(472) 및 공통 전압(ELVSS)을 전달하는 공통 전압선(490)을 포함할 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)은 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 스토리지 전극(Cst1)과 연결될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극(S1)은 제5 트랜지스터(T5)를 경유하여 구동 전압선(472)과 연결될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)의 드레인 전극(D1)은 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여 유기 발광 소자(OLED)의 애노드(anode)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 제2 트랜지스터(T2)의 스위칭 동작에 따라 데이터 전압(Dm)을 전달받아 유기 발광 소자(OLED)에 구동 전류(Id)를 공급할 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극(G2)은 게이트선(120)과 연결될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)의 소스 전극(S2)은 데이터선(130)과 연결될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)의 드레인 전극(D2)은 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극(S1)과 연결될 수 있고, 제5 트랜지스터(T5)을 경유하여 구동 전압선(472)과도 연결될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 게이트선(120)을 통해 전달받은 게이트 신호(Sn)에 따라 턴 온되어 데이터선(130)으로부터 데이터 전압(Dm)을 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극(S1)으로 전달하는 스위칭 동작을 수행할 수 있다.
제3 트랜지스터(T3)의 게이트 전극(G3)은 게이트선(120)에 연결될 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)의 소스 전극(S3)은 제1 트랜지스터(T1)의 드레인 전극(D1)과 연결될 수 있고, 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여 유기 발광 소자(OLED)의 애노드(anode)와도 연결될 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)의 드레인 전극(D3)은 제4 트랜지스터(T4)의 드레인 전극(D4), 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 스토리지 전극(Cst1) 및 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)에 함께 연결될 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는 게이트선(120)을 통해 전달받은 게이트 신호(Sn)에 따라 턴 온되어 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)과 드레인 전극(D1)을 서로 연결하여 제1 트랜지스터(T1)를 다이오드 연결시킬 수 있다.
제4 트랜지스터(T4)의 게이트 전극(G4)은 전단 게이트선(421)과 연결될 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)의 소스 전극(S4)은 초기화 전압선(424)과 연결될 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)의 드레인 전극(D4)은 제3 트랜지스터(T3)의 드레인 전극(D3), 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 스토리지 전극(Cst1) 및 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)에 함께 연결될 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)는 전단 게이트선(421)을 통해 전달받은 전단 게이트 신호(Sn-1)에 따라 턴 온되어 초기화 전압(Vint)을 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)에 전달하여 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)의 전압을 초기화시키는 초기화 동작을 수행할 수 있다.
제5 트랜지스터(T5)의 게이트 전극(G5)은 발광 제어선(423)과 연결될 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)의 소스 전극(S5)은 구동 전압선(472)과 연결될 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)의 드레인 전극(D5)은 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극(S1) 및 제2 트랜지스터(T2)의 드레인 전극(S2)에 연결될 수 있다.
제6 트랜지스터(T6)의 게이트 전극(G6)은 발광 제어선(423)과 연결될 수 있다. 제6 트랜지스터(T6)의 소스 전극(S6)은 제1 트랜지스터(T1)의 드레인 전극(D1) 및 제3 트랜지스터(T3)의 소스 전극(S3)과 연결될 수 있다. 제6 트랜지스터(T6)의 드레인 전극(D6)은 유기 발광 소자(OLED)의 애노드(anode)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제5 트랜지스터(T5) 및 제6 트랜지스터(T6)는 발광 제어선(423)을 통해 전달받은 발광 제어 신호(EM)에 따라 동시에 턴 온되어, 구동 전류(Id)를 유기 발광 소자(OLED)에 공급할 수 있다.
제7 트랜지스터(T7)의 게이트 전극(G7)은 바이패스 제어선(425)과 연결될 수 있다. 제7 트랜지스터(T7)의 소스 전극(S7)은 제6 트랜지스터(T6)의 드레인 전극(D6) 및 유기 발광 소자(OLED)의 애노드에 함께 연결될 수 있다. 제7 트랜지스터(T7)의 드레인 전극(D7)은 초기화 전압선(424) 및 제4 트랜지스터(T4)의 소스 전극(S4)에 함께 연결될 수 있다. 구동 전류(Id)의 일부는 바이패스 전류(Ibp)로 제7 트랜지스터(T7)를 통해 빠져나갈 수 있다. 이 때, 바이패스 전류(Ibp)의 전류량만큼 감소된 발광 전류(Ioled)가 유기 발광 소자(OLED)에 공급될 수 있다. 도 4에서 바이패스 제어선(425)이 전단 게이트선(421)과 연결된 것으로 도시하였으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
스토리지 커패시터(Cst)의 제2 스토리지 전극(Cst2)은 구동 전압선(472)과 연결되어 있으며, 유기 발광 소자(OLED)의 캐소드(cathode)는 공통 전압(ELVSS)을 전달하는 공통 전압선(490)과 연결될 수 있다.
유기 발광 소자(OLED)는 제6 트랜지스터(T6)를 통해 제1 트랜지스터(T1)의 드레인 전극(D1)과 연결되는 제1 전극 및 공통 전압(ELVSS)이 인가되는 제2 전극를 포함한다. 유기 발광 소자(OLED)의 제1 전극은 애노드(anode)이고, 유기 발광 소자(OLED)의 제2 전극은 캐소드(cathode)일 수 있다. 유기 발광 소자(OLED)는 제1 트랜지스터(T1)로부터 출력되는 구동 전류(Id)에 따라 발광하여 계조를 표현할 수 있다.
한편, 도 4에서는 7개의 트랜지스터와 1개의 커패시터 구조를 도시하고 있지만, 트랜지스터 및 커패시터의 개수는 이에 한정되는 것은 아니며, 트랜지스터의 수와 커패시터의 수는 다양하게 변형 가능하다.
이하, 도 5를 참조하여, 일 실시 예에 따른 전자 장치에 포함되는 하나의 화소(PX)의 평면상 구조에 대해 설명한다. 도 5는 일 실시 예에 따른 전자 장치에 포함되는 하나의 화소를 나타내는 배치도이다.
도 5를 참조하면, 일 실시 예에 따른 전자 장치의 화소(PX)는 게이트선(120), 전단 게이트선(421), 초기화 전압선(424), 발광 제어선(423), 바이패스 제어선(425), 데이터선(130) 및 구동 전압선(472)을 포함할 수 있다.
게이트선(120)은 게이트 신호(Sn)를 전달하고, 전단 게이트선(421)은 전단 게이트 신호(Sn-1)를 전달할 수 있다. 초기화 전압선(424)은 초기화 전압(Vint)을 전달하고, 발광 제어선(423)은 발광 제어 신호(EM)를 전달하며, 바이패스 제어선(425)은 바이패스 신호(BP)를 전달할 수 있다.
데이터선(130)은 제2 방향(D2)으로 연장되며 화소(PX)에 데이터 전압(Dm)을 인가할 수 있다.
구동 전압선(472)은 구동 전압(ELVDD)을 전달할 수 있다. 구동 전압선(472)은 제3 방향(D3)으로 연장되는 제1 구동 전압선(472a)과 제2 방향(D2)으로 연장되는 제2 구동 전압선(472b)을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치의 화소(PX)는 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 제3 트랜지스터(T3), 제4 트랜지스터(T4), 제5 트랜지스터(T5), 제6 트랜지스터(T6), 제7 트랜지스터(T7), 스토리지 커패시터(Cst), 그리고 유기 발광 소자(OLED)를 포함할 수 있다. 이 때, 제3 트랜지스터(T3)와 제4 트랜지스터(T4)는 누설 전류를 차단하기 위해 듀얼 게이트(dual gate) 구조를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치에 포함되는 화소(PX)는 반도체(510)를 포함할 수 있다. 반도체(510)는 N형 불순물 또는 P형 불순물로 채널 도핑이 되어 있는 채널(channel) 및 채널의 양 옆에 위치하며 채널에 도핑된 도핑 불순물보다 도핑 농도가 높은 소스 전극과 드레인 전극을 포함할 수 있다. 반도체(510)는 다양한 형상으로 굴곡될 수 있다. 반도체(510)는 다결정 규소 또는 산화물 반도체로 이루어질 수 있다. 반도체(510)가 산화물 반도체로 이루어지는 경우에는 고온 등의 외부 환경에 취약한 산화물 반도체 물질를 보호하기 위해 별도의 보호층이 추가될 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)는 제1 게이트 전극(520a), 제1 채널(530a), 제1 소스 전극(541a) 및 제1 드레인 전극(542a)을 포함할 수 있다. 제1 게이트 전극(520a)은 제1 채널(530a)과 중첩할 수 있다. 제1 소스 전극(541a) 및 제1 드레인 전극(542a)은 제1 채널(530a)의 양 옆에 인접하여 각각 위치할 수 있다. 제1 게이트 전극(520a)은 접촉 구멍(51)을 통해 제1 연결 부재(571)와 연결될 수 있다. 제1 채널(530a)은 굴곡된 형상일 수 있다. 제1 채널(530a)이 굴곡된 형상을 가지면, 좁은 공간 내에 길게 제1 채널(530a)을 형성할 수 있어 제1 게이트 전극(520a)과 제1 소스 전극(541a) 간의 구동 게이트-소스 전압의 구동 범위(driving range)가 넓어질 수 있고, 유기 발광 소자(OLED)에서 방출되는 빛의 계조를 세밀하게 제어할 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)는 제2 게이트 전극(520b), 제2 채널(530b), 제2 소스 전극(541b) 및 제2 드레인 전극(542b)을 포함할 수 있다. 게이트선(120)에 위치하는 제2 게이트 전극(520b)은 제2 채널(530b)과 중첩할 수 있다. 제2 소스 전극(541b) 및 제2 드레인 전극(542b)은 제2 채널(530b)의 양 옆에 인접하여 각각 위치할 수 있다. 제2 소스 전극(541b)은 접촉 구멍(52)을 통해 데이터선(130)과 연결될 수 있다.
제3 트랜지스터(T3)는 제3 게이트 전극(520c), 제3 채널(530c), 제3 소스 전극(541c) 및 제3 드레인 전극(542c)을 포함할 수 있다. 게이트선(120)의 일부인 제3 게이트 전극(520c)은 제3 채널(530c)과 중첩할 수 있다. 제3 게이트 전극(520c)은 듀얼 게이트 구조를 포함할 수 있다. 즉, 제3 게이트 전극(520c)은 2개의 게이트 전극을 포함할 수 있다. 제3 소스 전극(541c) 및 제3 드레인 전극(542c)은 제3 채널(530c)의 양 옆에 인접하여 각각 위치할 수 있다. 제3 드레인 전극(542c)은 접촉 구멍(53)을 통해 제1 연결 부재(571)와 연결될 수 있다.
제4 트랜지스터(T4)는 제4 게이트 전극(520d), 제4 채널(530d), 제4 소스 전극(541d) 및 제4 드레인 전극(542d)을 포함할 수 있다. 전단 게이트선(421)의 일부인 제4 게이트 전극(520d)은 제4 채널(530d)과 중첩할 수 있다. 제4 게이트 전극(520d)은 듀얼 게이트 구조를 포함할 수 있다. 즉, 제4 게이트 전극(520d)은 2개의 게이트 전극을 포함할 수 있다. 제4 소스 전극(541d) 및 제4 드레인 전극(542d)은 제4 채널(530d)의 양 옆에 인접하여 각각 위치할 수 있다. 제4 소스 전극(541d)은 접촉 구멍(54)을 통해 제2 연결 부재(572)와 연결될 수 있다.
제5 트랜지스터(T5)는 제5 게이트 전극(520e), 제5 채널(530e), 제5 소스 전극(541e) 및 제5 드레인 전극(542e)을 포함할 수 있다. 발광 제어선(423)의 일부인 제5 게이트 전극(520e)은 제5 채널(530e)과 중첩할 수 있다. 제5 소스 전극(541e) 및 제5 드레인 전극(542e)은 제5 채널(530e)의 양 옆에 인접하여 각각 위치할 수 있다. 제5 소스 전극(541e)은 접촉 구멍(55)을 통해 제2 구동 전압선(472b)과 연결될 수 있다.
제6 트랜지스터(T6)는 제6 게이트 전극(520f), 제6 채널(530f), 제6 소스 전극(541f) 및 제6 드레인 전극(542f)을 포함할 수 있다. 발광 제어선(423)의 일부인 제6 게이트 전극(520f)은 제6 채널(530f)과 중첩할 수 있다. 제6 소스 전극(541f) 및 제6 드레인 전극(542f)은 제6 채널(530f)의 양 옆에 인접하여 각각 위치할 수 있다. 제6 드레인 전극(542f)은 접촉 구멍(56)을 통해 제3 연결 부재(573)와 연결되어 있다.
제7 트랜지스터(T7)는 제7 게이트 전극(520g), 제7 채널(530g), 제7 소스 전극(541g) 및 제7 드레인 전극(542g)을 포함할 수 있다. 바이패스 제어선(425)의 일부인 제7 게이트 전극(520g)은 제7 채널(530g)과 중첩할 수 있다. 제7 소스 전극(541g) 및 제7 드레인 전극(542g)은 제7 채널(530g)의 양 옆에 인접하여 각각 위치할 수 있다. 제7 소스 전극(541g)은 제6 드레인 전극(542f)과 직접 연결될 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1 절연막(632, 도 6 참조)을 사이에 두고 배치되는 제1 스토리지 전극(520a)과 제2 스토리지 전극(550)을 포함할 수 있다. 제1 절연막(632)은 유전체가 되며, 스토리지 커패시터(Cst)에서 축전된 전하와 양 축전판(520a, 550) 사이의 전압에 의해 스토리지 커패시턴스(Storage Capacitance)가 결정될 수 있다.
제1 스토리지 전극(520a)은 제1 게이트 전극(520a)일 수 있다. 제1 스토리지 전극(520a)은 접촉 구멍(51)을 통하여 제1 연결 부재(571)와 연결될 수 있다. 제2 스토리지 전극(550)은 제1 구동 전압선(472a)에서 돌출된 확장 영역일 수 있다. 제2 스토리지 전극(550)은 스토리지 홈(550a)을 포함할 수 있다. 제1 연결 부재(571)와 제1 게이트 전극(520a)을 연결하는 접촉 구멍(51)은 스토리지 홈(550a) 내부에 위치할 수 있다.
제1 연결 부재(571)는 접촉 구멍(53)을 통해 제3 트랜지스터(T3)의 제3 드레인 전극(542c) 및 제4 트랜지스터(T4)의 제4 드레인 전극(542d)과 연결될 수 있다. 따라서, 제1 연결 부재(571)는 제1 게이트 전극(520a)과 제3 트랜지스터(T3)의 제3 드레인 전극(542c) 및 제4 트랜지스터(T4)의 제4 드레인 전극(542d)을 서로 연결할 수 있다.
제2 연결 부재(572)는 접촉 구멍(57)을 통해 초기화 전압선(424)과 연결될 수 있다. 제3 연결 부재(573)는 접촉 구멍(58)을 통해 화소 전극(580)과 연결될 수 있다.
이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 하나의 화소(PX)의 단면 구조에 대해 설명한다. 도 6은 일 실시 예에 따른 전자 장치에서 도 5의 VI-VI' 선을 따라 자른 단면도이다.
일 실시 예에 따른 전자 장치는 기판(610)을 포함할 수 있다. 기판(610)은 마주하는 제1 면과 제2 면을 포함할 수 있다. 기판(610)은 유리, 석영, 세라믹, 폴리머 등으로 이루어진 절연성 기판일 수 있다.
기판(610) 위에는 버퍼층(621)이 위치할 수 있다. 버퍼층(621)은 다결정 규소를 형성하기 위한 결정화 공정 시 기판(610)으로부터 불순물을 차단하여 다결정 규소의 특성을 향상시키고, 기판(610)을 평탄화하여 버퍼층(621) 위에 위치하는 반도체(510)의 스트레스를 완화할 수 있다. 버퍼층(621)은 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2)를 포함할 수 있다.
버퍼층(621) 위에는 반도체(510)가 위치할 수 있고, 반도체(510) 위에는 게이트 절연막(631)이 위치할 수 있다.
게이트 절연막(631) 위에는 게이트 도전층(120, 421, 423, 425, 520a)이 위치할 수 있다. 게이트 도전층(120, 421, 423, 425, 520a)은 게이트선(120), 전단 게이트선(421), 발광 제어선(423), 바이패스 제어선(425), 및 제1 게이트 전극(제1 스토리지 전극)(520a)을 포함할 수 있다.
게이트 도전층(120, 421, 423, 425, 520a) 및 게이트 절연막(631) 위에는 제1 절연막(632)이 위치할 수 있다. 제1 절연막(632)은 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2)를 포함할 수 있다.
제1 절연막(632) 위에는 제2 스토리지 전극(550)을 포함하는 제1 구동 전압선(472a) 및 초기화 전압선(424)이 위치할 수 있다.
제2 스토리지 전극(550) 및 초기화 전압선(424) 위에는 제2 절연막(633)이 위치할 수 있다. 제2 절연막(633)은 유기 물질을 포함하는 유기 절연막일 수 있다.
제2 절연막(633) 위에는 데이터 도전층(130, 472b, 571, 572, 573)이 위치할 수 있다. 데이터 도전층(130, 472b, 571, 572, 573)은 데이터선(130), 제2 구동 전압선(472b), 제1 연결 부재(571), 제2 연결 부재(572) 및 제3 연결 부재(573)를 포함할 수 있다. 데이터선(130)은 접촉 구멍(52)을 통해 제2 트랜지스터(T2)의 제2 소스 전극(541b)과 연결될 수 있다. 제3 연결 부재(573)는 접촉 구멍(56)을 통해 제6 트랜지스터(T6)의 제6 드레인 전극(542f)과 연결될 수 있다.
데이터 도전층(130, 472b, 571, 572, 573) 및 제2 절연막(633) 위에는 보호막(640)이 위치할 수 있다. 보호막(640)은 데이터 도전층(130, 472b, 571, 572, 573)을 덮어 평탄화하여 보호막(640) 위에 위치하는 화소 전극(580)을 단차없이 형성할 수 있다. 보호막(640)은 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin), 폴리이미드계 수지(polyimides resin) 등의 유기물을 포함할 수 있다. 또는, 보호막(640)은 유기물과 무기물의 적층막일 수도 있다.
보호막(640) 위에는 화소 전극(580)이 위치할 수 있다. 제3 연결 부재(573)는 보호막(640)에 위치하는 접촉 구멍(58)을 통해 화소 전극(580)과 연결될 수 있다.
보호막(640)과 화소 전극(580)의 위에는 격벽(650)이 위치할 수 있다. 격벽(650)은 화소 전극(580)을 드러내는 화소 개구부(651)를 포함할 수 있다. 격벽(650)은 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin), 폴리이미드계 수지(polyimides resin)등의 유기물 또는 실리카 계열의 무기물을 포함할 수 있다.
화소 개구부(651)에 의해 노출된 화소 전극(580) 위에는 유기 발광층(660)이 위치하고, 유기 발광층(660) 위에는 공통 전극(670)이 위치할 수 있다. 공통 전극(670)은 격벽(650) 위에도 형성되어 복수의 화소(PX)에 걸쳐 위치할 수 있다. 화소 전극(580), 유기 발광층(660) 및 공통 전극(670)은 유기 발광 소자(OLED)를 이룰 수 있다. 화소 전극(580)은 정공 주입 전극인 애노드이며, 공통 전극(670)은 전자 주입 전극인 캐소드일 수 있다. 화소 전극(580) 및 공통 전극(670)으로부터 각각 정공과 전자가 유기 발광층(660) 내부로 주입되고, 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exiton)이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발광이 이루어질 수 있다.
유기 발광층(660)은 적색을 발광하는 적색 유기 발광층, 녹색을 발광하는 녹색 유기 발광층 및 청색을 발광하는 청색 유기 발광층을 포함할 수 있다. 적색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층 및 청색 유기 발광층은 각각 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소에 형성되어 컬러 화상을 구현할 수 있다. 실시예에 따라서는, 유기 발광층(660)은 적색 유기 발광층, 녹색 유기 발광층, 청색 유기 발광층 및 백색을 발광하는 백색 유기 발광층을 포함할 수도 있다.
공통 전극(670) 위에는 유기 발광 소자(OLED)를 보호하는 봉지층(140)이 위치할 수 있다. 봉지층(140)은 표시 패널의 상면과 측면을 모두 덮어 표시 패널을 밀봉할 수 있다. 유기 발광 소자(OLED)는 수분과 산소에 매우 취약하므로, 봉지층(140)이 표시 패널을 밀봉하여 외부의 수분 및 산소의 유입을 차단할 수 있다. 봉지층(140)은 복수의 층을 포함할 수 있고, 무기막, 유기막, 무기막이 순차적으로 위치하는 3중층을 포함할 수 있다.
이하, 도 7을 참조하여, 일 실시 예에 따른 전자 장치에 포함되는 하나의 더미 화소(DP)의 평면상 구조에 대해 설명한다. 도 7은 일 실시 예에 따른 전자 장치에 포함되는 하나의 더미 화소를 나타내는 배치도이다. 도 7의 더미 화소(DP)는 더미 트랜지스터(DT1, DT2, DT3, DT4, DT5, DT6, DT7)를 포함하고, 데이터 곡선부(DB)와 중첩하는 것을 제외하면 그 구조가 도 5와 유사하므로, 중복되는 설명은 생략한다.
도 7을 참조하면, 일 실시 예에 따른 전자 장치의 더미 화소(DP)는 게이트선(120), 전단 게이트선(421), 초기화 전압선(424), 발광 제어선(423), 바이패스 제어선(425) 및 제1 구동 전압선(472a)을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치의 더미 화소(DP)는 제1 더미 트랜지스터(DT1), 제2 더미 트랜지스터(DT2), 제3 더미 트랜지스터(DT3), 제4 더미 트랜지스터(DT4), 제5 더미 트랜지스터(DT5), 제6 더미 트랜지스터(DT6), 제7 더미 트랜지스터(DT7) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
제1 더미 트랜지스터(DT1)는 제1 더미 게이트 전극(520h), 제1 더미 채널(530h), 제1 더미 소스 전극(541h) 및 제1 더미 드레인 전극(542h)을 포함할 수 있다.
제2 더미 트랜지스터(DT2)는 제2 더미 게이트 전극(520i), 제2 더미 채널(530i), 제2 더미 소스 전극(541i) 및 제2 더미 드레인 전극(542i)을 포함할 수 있다. 도 5와는 달리, 제2 더미 소스 전극(541i)은 어느 데이터선(130)과도 연결되지 않을 수 있다. 다시 말해, 제2 더미 트랜지스터(DT2)는 데이터선(130)과 연결되지 않고 이격될 수 있다.
제3 더미 트랜지스터(DT3)는 제3 더미 게이트 전극(520j), 제3 더미 채널(530j), 제3 더미 소스 전극(541j) 및 제3 더미 드레인 전극(542j)을 포함할 수 있다.
제4 더미 트랜지스터(DT4)는 제4 더미 게이트 전극(520k), 제4 더미 채널(530k), 제4 더미 소스 전극(541k) 및 제4 더미 드레인 전극(542k)을 포함할 수 있다.
제5 더미 트랜지스터(DT5)는 제5 더미 게이트 전극(520l), 제5 더미 채널(530l), 제5 더미 소스 전극(541l) 및 제5 더미 드레인 전극(542l)을 포함할 수 있다.
제6 더미 트랜지스터(DT6)는 제6 더미 게이트 전극(520m), 제6 더미 채널(530m), 제6 더미 소스 전극(541m) 및 제6 더미 드레인 전극(542m)을 포함할 수 있다.
제7 더미 트랜지스터(DT7)는 제7 더미 게이트 전극(520n), 제7 더미 채널(530n), 제7 더미 소스 전극(541n) 및 제7 더미 드레인 전극(542n)을 포함할 수 있다.
데이터선(130)의 데이터 곡선부(DB)는 더미 화소(DP)와 중첩할 수 있다. 다시 말해, 데이터선(130)의 데이터 곡선부(DB)는 제1 더미 트랜지스터(DT1), 제2 더미 트랜지스터(DT2), 제3 더미 트랜지스터(DT3), 제4 더미 트랜지스터(DT4), 제5 더미 트랜지스터(DT5), 제6 더미 트랜지스터(DT6) 및 제7 더미 트랜지스터(DT7) 중 적어도 하나와 중첩할 수 있다.
도 5의 화소(PX)와 달리, 일 실시 예에 따른 전자 장치에 포함되는 하나의 더미 화소(DP)는 제1 연결 부재(571, 도 5 참조), 제2 연결 부재(572, 도 5 참조), 제3 연결 부재(573, 도 5 참조), 화소 전극(580, 도 5 참조), 유기 발광층(660, 도 6 참조) 및/또는 제2 방향(D2)으로 연장되는 제2 구동 전압선(472b, 도 5 참조)을 포함하지 않을 수 있다. 따라서, 더미 화소(DP)는 데이터선(130)의 데이터 곡선부(DB)와 중첩할 수 있다. 그 결과, 투과 영역(TA) 주변의 제1 비표시 영역(NA1)의 면적을 줄일 수 있고, 데드 스페이스를 최소화 할 수 있다.
이하, 도 7 및 도 8을 참조하여 하나의 더미 화소(DP)의 단면 구조에 대해 설명한다. 도 8은 일 실시 예에 따른 전자 장치에서 도 7의 VIII-VIII' 선을 따라 자른 단면도이다.
기판(610) 위에는 버퍼층(621)이 위치할 수 있고, 버퍼층(621) 위에는 반도체(510)가 위치할 수 있다. 반도체(510)는 제1 더미 채널(530h), 제2 더미 채널(530i), 제3 더미 채널(530j), 제4 더미 채널(530k), 제5 더미 채널(530l), 제6 더미 채널(530m) 및/또는 제7 더미 채널(530n)을 포함할 수 있다.
또한, 반도체(510)는 제1 더미 채널(530h)의 양 옆에 위치하는 제1 더미 소스 전극(541h)과 제1 더미 드레인 전극(542h), 제2 더미 채널(530i)의 양 옆에 위치하는 제2 더미 소스 전극(541i)과 제2 더미 드레인 전극(542i), 제3 더미 채널(530j)의 양 옆에 위치하는 제3 더미 소스 전극(541j)과 제3 더미 드레인 전극(542j), 제4 더미 채널(530k)의 양 옆에 위치하는 제4 더미 소스 전극(541k)과 제4 더미 드레인 전극(542k), 제5 더미 채널(530l)의 양 옆에 위치하는 제5 더미 소스 전극(541l)과 제5 더미 드레인 전극(542l), 제6 더미 채널(530m)의 양 옆에 위치하는 제6 더미 소스 전극(541m)과 제6 더미 드레인 전극(542m) 및/또는 제7 더미 채널(530n)의 양 옆에 위치하는 제7 더미 소스 전극(541n)과 제7 더미 드레인 전극(542n)을 포함할 수 있다.
반도체(510) 위에는 게이트 절연막(631)이 위치할 수 있다.
게이트 절연막(631) 위에는 게이트 도전층(120, 421, 423, 425, 520h)이 위치할 수 있다. 게이트 도전층(120, 421, 423, 425, 520h)은 게이트선(120), 전단 게이트선(421), 발광 제어선(423), 바이패스 제어선(425), 및/또는 제1 더미 게이트 전극(제1 스토리지 전극)(520h)을 포함할 수 있다.
게이트 도전층(120, 421, 423, 425, 520a) 및 게이트 절연막(631) 위에는 제1 절연막(632)이 위치할 수 있다.
제1 절연막(632) 위에는 제2 스토리지 전극(550)을 포함하는 제1 구동 전압선(472a) 및 초기화 전압선(424)이 위치할 수 있다.
제2 스토리지 전극(550) 및 초기화 전압선(424) 위에는 제2 절연막(633)이 위치할 수 있다.
제2 절연막(633) 위에는 데이터 도전층(DB)이 위치할 수 있다. 데이터 도전층(DB)은 데이터 곡선부(DB)를 포함할 수 있다. 도 6과는 달리, 더미 화소(DP)는 데이터 곡선부(DB)와 동일한 층에 위치하는 데이터선(130), 제2 구동 전압선(472b), 제1 연결 부재(571), 제2 연결 부재(572) 및/또는 제3 연결 부재(573)를 포함하지 않을 수 있다. 따라서, 더미 화소(DP)는 복수의 데이터선(130)의 데이터 곡선부(DB)와 중첩할 수 있다. 그 결과, 투과 영역(TA) 주변의 데드 스페이스의 면적이 작아질 수 있다.
데이터 곡선부(DB) 및 제2 절연막(633) 위에는 보호막(640)이 위치할 수 있고, 보호막(640) 위에는 격벽(650)이 위치할 수 있다. 격벽(650) 위에는 공통 전극(670)이 위치할 수 있고, 공통 전극(670) 위에는 봉지층(140)이 위치할 수 있다.
도 6과는 달리, 더미 화소(DP)는 화소 전극(580)과 유기 발광층(660)을 포함하지 않을 수 있다. 따라서, 더미 화소(DP)는 빛을 방출하지 않을 수 있다.
이하, 도 9 내지 도 11을 참조하여, 일 실시 예에 따른 전자 장치(900)에 대해 설명한다. 도 9는 일 실시 예에 따른 전자 장치에서 도 2의 B 영역을 확대 도시한 확대도이다. 도 10은 일 실시 예에 따른 전자 장치에서 도 9의 C 영역을 확대 도시한 확대도이다. 도 11은 일 실시 예에 따른 전자 장치에서 도 10의 XI-XI' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 9를 참조하면, 일 실시 예에 따른 전자 장치(900)는 복수의 화소(PX)가 위치하는 표시 화소 영역(PXA), 복수의 더미 화소(DP)가 위치하는 더미 화소 영역(DPA) 및 복수의 데이터선(130)의 데이터 곡선부(DB)가 위치하는 곡선부 영역(DBA)을 포함할 수 있다. 더미 화소 영역(DPA)은 표시 화소 영역(PXA)과 곡선부 영역(DBA) 사이에 위치할 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치(900)는 더미 화소(DP)와 전기적으로 연결되는 이동 화소 전극(981) 및 화소 전극 연결부(981a)를 포함할 수 있다. 이동 화소 전극(981)은 전기적으로 연결되는 더미 화소(DP)와 중첩하지 않고 곡선부 영역(DBA)에 위치할 수 있다. 즉, 이동 화소 전극(981)은 데이터 곡선부(DB)와 제1 방향(D1)으로 중첩할 수 있다. 화소 전극 연결부(981a)는 이동 화소 전극(981)과 더미 화소(DP)를 연결할 수 있다. 화소 전극 연결부(981a)는 데이터 곡선부(DB)와 중첩할 수 있다. 실시 예에 따라서는, 화소 전극 연결부(981a)는 인접하는 더미 화소(DP)와도 중첩할 수 있다.
도 10을 참조하면, 도 7과는 달리, 일 실시 예에 따른 전자 장치의 더미 화소(DP)는 제1 연결 부재(571), 제2 연결 부재(572), 제3 연결 부재(573) 및/또는 제2 방향(D2)으로 연장되는 제2 구동 전압선(472b)을 포함할 수 있다. 또한, 일 실시예에 따른 전자 장치는 더미 화소(DP)에 전기적으로 연결되는 이동 화소 전극(981) 및 화소 전극 연결부(981a)를 포함할 수 있다. 이하에서는, 도 7과 중복되는 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
일 실시 예에 따른 전자 장치에서 제2 더미 트랜지스터(DT2)는 접촉 구멍을 통해 데이터선(130)과 연결될 수 있다. 화소 전극 연결부(981a)의 일 단은 접촉 구멍(58)을 통해 제3 연결 부재(573)에 연결될 수 있고, 제3 연결 부재(573)는 제6 더미 트랜지스터(DT6)와 연결될 수 있다. 화소 전극 연결부(981a)의 타 단은 이동 화소 전극(981)에 연결될 수 있다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 일 실시 예에 따른 전자 장치는 이동 화소 전극(981)이 곡선부 영역(DBA)에 위치할 수 있다. 따라서, 제1 비표시 영역(NA1)은 투과 영역(TA)이 위치하는 영역일 수 있고, 표시 영역(DA)은 표시 화소 영역(PXA), 더미 화소 영역(DPA) 및 곡선부 영역(DBA)이 위치하는 영역일 수 있다. 즉, 표시 영역(DA)이 곡선부 영역(DBA)까지 확장될 수 있고, 투과 영역(TA) 주위의 데드 스페이스의 면적을 줄이는 것이 가능할 수 있다.
도 11을 참조하면, 기판(610) 위에는 버퍼층(621)이 위치하고, 버퍼층(621) 위에는 층간 절연막(630)이 위치할 수 있다.
층간 절연막(630) 위에는 데이터 곡선부(DB)가 위치하고, 데이터 곡선부(DB) 위에는 보호막(640)이 위치할 수 있다.
보호막(640) 위에는 이동 화소 전극(981)과 화소 전극 연결부(981a)가 위치할 수 있다. 이동 화소 전극(981)과 화소 전극 연결부(981a)는 동일한 층에 위치할 수 있다.
보호막(640), 이동 화소 전극(981) 및 화소 전극 연결부(981a) 위에는 격벽(650)이 위치할 수 있다. 격벽(650)은 이동 화소 전극(981)을 드러내는 화소 개구부(651)를 포함할 수 있다.
화소 개구부(651)에 의해 노출된 이동 화소 전극(981) 위에는 유기 발광층(660)이 위치하고, 유기 발광층(660) 위에는 공통 전극(670)이 위치할 수 있다. 이동 화소 전극(981), 유기 발광층(660) 및 공통 전극(670)은 유기 발광 소자(OLED)를 이룰 수 있다. 유기 발광 소자(OLED)는 데이터 곡선부(DB)와 중첩할 수 있다.
공통 전극(670) 위에는 유기 발광 소자(OLED)를 보호하는 봉지층(140)이 위치할 수 있다.
도 9 내지 도 11에서, 이동 화소 전극(981)이 데이터 도전층의 데이터 곡선부(DB)와 중첩하는 것으로 설명하였으나, 실시예에 따라서는, 데이터 곡선부(DB)는 데이터선(130)과 오프닝을 통해 연결되어 게이트 도전층에 위치할 수도 있다. 즉, 이동 화소 전극(981)은 게이트 도전층에 위치하는 데이터 곡선부(DB)와 제1 방향(D1)으로 중첩할 수 있다. 다른 예를 들어, 일 실시예에 따른 전자 장치는 게이트선(120)이 연장되어 투과 영역(TA)의 주변부를 따라 만곡되는 굴곡부를 포함할 수도 있다. 이 경우, 이동 화소 전극(981)은 게이트선(120)의 굴곡부와 제1 방향(D1)으로 중첩할 수 있다. 다시 말해, 일 실시예에 따른 전자 장치는 투과 영역(TA)의 주변부를 따라 만곡되는 굴곡부를 포함하는 배선을 포함할 수 있고, 이동 화소 전극(981)은 배선의 굴곡부와 제1 방향(D1)으로 중첩할 수 있다.
이하, 도 12 및 도 13을 참조하여, 일 실시 예에 따른 전자 장치(1200)에 대해 설명한다. 도 12는 일 실시 예에 따른 전자 장치에서 도 2의 B 영역을 확대 도시한 확대도이다. 도 13은 일 실시 예에 따른 전자 장치에서 도 12의 D 영역을 확대 도시한 확대도이다. 일 실시 예에 따른 전자 장치(1200)는 더미 화소 전극(1281)을 더 포함하는 것을 제외하면, 도 9 내지 도 11과 동일할 수 있다.
도 12를 참조하면, 일 실시 예에 따른 전자 장치(1200)는 복수의 화소(PX)가 위치하는 표시 화소 영역(PXA), 복수의 더미 화소(DP)가 위치하는 더미 화소 영역(DPA) 및 복수의 데이터선(130)의 데이터 곡선부(DB)가 위치하는 곡선부 영역(DBA)을 포함할 수 있다. 더미 화소 영역(DPA)은 표시 화소 영역(PXA)과 곡선부 영역(DBA) 사이에 위치할 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치(1200)는 더미 화소(DP)와 전기적으로 연결되는 더미 화소 전극(1281), 이동 화소 전극(981) 및 화소 전극 연결부(981a)를 포함할 수 있다.
더미 화소 전극(1281)은 더미 화소(DP)와 전기적으로 연결되며 더미 화소 영역(DPA)에 위치할 수 있다. 더미 화소 전극(1281)의 적어도 일부는 전기적으로 연결되는 더미 화소(DP)와 중첩할 수 있다.
이동 화소 전극(981)은 더미 화소(DP)와 중첩하지 않고, 곡선부 영역(DBA)에 위치할 수 있다. 이동 화소 전극(981)과 더미 화소 전극(1281)은 하나의 더미 화소(DP)에 전기적으로 연결될 수 있다. 화소 전극 연결부(981a)는 이동 화소 전극(981)과 더미 화소(DP)를 연결할 수 있다. 화소 전극 연결부(981a)의 일 단은 더미 화소 전극(1281) 및 더미 화소(DP)와 연결되고, 화소 전극 연결부(981a)의 타 단은 이동 화소 전극(981)과 연결될 수 있다.
도 13을 참조하면, 일 실시 예에 따른 전자 장치의 더미 화소(DP)는 더미 트랜지스터(DT1, DT2, DT3, DT4, DT5, DT6, DT7), 제1 연결 부재(571), 제2 연결 부재(572), 제3 연결 부재(573) 및/또는 제2 방향(D2)으로 연장되는 제2 구동 전압선(472b)을 포함할 수 있다. 또한, 일 실시예에 따른 전자 장치는 더미 화소(DP)에 전기적으로 연결되는 이동 화소 전극(981), 화소 전극 연결부(981a) 및/또는 더미 화소 전극(1281)을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따른 전자 장치에서 제2 더미 트랜지스터(DT2)는 접촉 구멍을 통해 데이터선(130)과 연결될 수 있다.
더미 화소 전극(1281)은 접촉 구멍(58)을 통해 제3 연결 부재(573)에 연결될 수 있고, 제3 연결 부재(573)는 제6 더미 트랜지스터(DT6)와 연결될 수 있다. 화소 전극 연결부(981a)의 일 단은 더미 화소 전극(1281)에 연결되고, 화소 전극 연결부(981a)의 타 단은 이동 화소 전극(981)에 연결될 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치(1200)는 하나의 더미 화소(DP)에 연결된 더미 화소 전극(1281)과 이동 화소 전극(981)를 포함하여 더미 화소 영역(DPA) 및 곡선부 영역(DBA)에서도 이미지를 표시할 수 있다. 따라서, 표시 영역(DA)이 곡선부 영역(DBA)까지 확장될 수 있고, 투과 영역(TA) 주위의 데드 스페이스를 최소화할 수 있다.
도 12 및 도 13에서, 이동 화소 전극(981)이 데이터 도전층의 데이터 곡선부(DB)와 중첩하는 것으로 설명하였으나, 실시예에 따라서는, 데이터 곡선부(DB)는 데이터선(130)과 오프닝을 통해 연결되어 게이트 도전층에 위치할 수도 있다. 즉, 이동 화소 전극(981)은 게이트 도전층에 위치하는 데이터 곡선부(DB)와 제1 방향(D1)으로 중첩할 수 있다. 다른 예를 들어, 일 실시예에 따른 전자 장치는 게이트선(120)이 연장되어 투과 영역(TA)의 주변부를 따라 만곡되는 굴곡부를 포함할 수도 있다. 이 경우, 이동 화소 전극(981)은 게이트선(120)의 굴곡부와 제1 방향(D1)으로 중첩할 수 있다. 다시 말해, 일 실시예에 따른 전자 장치는 투과 영역(TA)의 주변부를 따라 만곡되는 굴곡부를 포함하는 배선을 포함할 수 있고, 이동 화소 전극(981)은 배선의 굴곡부와 제1 방향(D1)으로 중첩할 수 있다.
이하, 도 14를 참조하여, 일 실시 예에 따른 전자 장치(1400)에 대해 설명한다. 도 14는 일 실시 예에 따른 전자 장치에서 도 2의 B 영역을 확대 도시한 확대도이다.
도 14를 참조하면, 일 실시 예에 따른 전자 장치(1400)는 복수의 화소(PX), 복수의 더미 화소(DP), 데이터 곡선부(DB), 이동 화소 전극(981), 화소 전극 연결부(981a) 및/또는 투과 영역(TA)을 포함할 수 있다. 이 때, 더미 화소(DP)는 도 7의 더미 화소(DP)와 동일한 구조일 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치(1400)에서, 적어도 하나의 더미 화소(DP)는 데이터선(130)의 데이터 곡선부(DB)와 제1 방향(D1)으로 중첩할 수 있다. 다시 말해, 더미 화소 영역(DPA)은 곡선부 영역(DBA)과 중첩할 수 있다.
표시 화소 영역(PXA)에 위치하며 적어도 하나의 박막 트랜지스터를 포함하는 화소 회로(PXc)와 전기적으로 연결되는 이동 화소 전극(981)은 데이터 곡선부(DB)와 제1 방향(D1)으로 중첩할 수 있다. 즉, 이동 화소 전극(981)은 곡선부 영역(DBA)에 위치할 수 있다. 이 때, 화소 회로(PXc)는 유기 발광 소자에 연결되는 적어도 하나의 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다. 예를 들어, 화소 회로(PXc)는 도 5의 화소(PX)에서 화소 전극(580)을 제외한 회로 구성일 수 있다. 이동 화소 전극(981)이 더미 화소 영역(DPA)에 위치하는 경우, 이동 화소 전극(981)은 더미 화소(DP)와도 제1 방향(D1)으로 중첩할 수 있다.
화소 전극 연결부(981a)의 일 단은 표시 화소 영역(PXA)의 화소 회로(PXc)와 연결되고 화소 전극 연결부(981a)의 타 단은 이동 화소 전극(981)과 연결될 수 있다. 화소 전극 연결부(981a)는 데이터 곡선부(DB) 및/또는 더미 화소(DP) 중 적어도 어느 하나와 제1 방향(D1)으로 중첩할 수 있다. 예를 들어, 이동 화소 전극(981)은 데이터 곡선부(DB)들 중 어느 하나인 제1 데이터 곡선부(DB)와 제1 방향(D1)으로 중첩할 수 있고, 화소 전극 연결부(981a)는 데이터 곡선부(DB)들 중 다른 하나인 제2 데이터 곡선부(DB)와 제1 방향(D1)으로 중첩할 수 있다.
이 때, 제1 비표시 영역(NA1)은 투과 영역(TA)이 위치하는 영역일 수 있고, 표시 영역(DA)은 표시 화소 영역(PXA) 및 곡선부 영역(DBA)일 수 있다.
이하, 도 15를 참조하여, 일 실시 예에 따른 전자 장치의 화소 배열에 대해 설명한다. 도 15는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 발광 영역을 나타내는 배치도이다. 구체적으로, 도 15는 도 14의 실시 예에 따른 전자 장치(1400)에서 이동 화소 전극(981)이 곡선부 영역(DBA)으로 이동됨에 따른 발광 영역들의 배치를 나타낸다.
일 실시 예에 따른 전자 장치는 적색 발광 영역(R), 녹색 발광 영역(G) 및 청색 발광 영역(B)을 포함할 수 있다. 표시 화소 영역(PXA)에서 적색 발광 영역(R), 녹색 발광 영역(G) 및 청색 발광 영역(B)은 펜타일(pentile) 구조로 배치될 수 있다.
제N 행에는 적색 발광 영역(R)과 청색 발광 영역(B)이 교대로 배치될 수 있다. 제N 행에 인접하는 제N+1 행에는 녹색 발광 영역(G)이 이격되어 배치될 수 있다. 제N+1 행에 인접하는 제N+2 행에는 적색 발광 영역(R)과 청색 발광 영역(B)이 교대로 배치될 수 있다. 제N 행에 배치된 적색 발광 영역(R)과 청색 발광 영역(B)은 제N+1 행에 배치된 녹색 발광 영역(G)과 엇갈려 배치될 수 있다. 제N+1 행에 배치된 녹색 발광 영역(G)은 제N+2 행에 배치된 적색 발광 영역(R)과 청색 발광 영역(B)과 엇갈려 배치될 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치에서 곡선부 영역(DBA)의 화소 배열은 표시 화소 영역(PXA)의 화소 배열과 동일할 수 있다. 즉, 곡선부 영역(DBA)에서 적색 발광 영역(R), 녹색 발광 영역(G) 및 청색 발광 영역(B)은 펜타일 구조로 배치될 수 있다.
도 15에서 표시 화소 영역(PXA)이 펜타일(pentile) 구조인 것으로 설명하였으나, 화소 배열은 이에 제한되지 않는다.
이하, 도 16을 참조하여, 일 실시 예에 따른 전자 장치의 화소 배열에 대해 설명한다. 도 16은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 발광 영역을 나타내는 배치도이다. 구체적으로, 도 16는 도 14의 실시 예에 따른 전자 장치(1400)에서 이동 화소 전극(981)이 곡선부 영역(DBA)으로 이동됨에 따른 발광 영역들의 배치를 나타낸다.
일 실시 예에 따른 전자 장치는 적색 발광 영역(R), 녹색 발광 영역(G) 및 청색 발광 영역(B)을 포함할 수 있다. 표시 화소 영역(PXA)에서 적색 발광 영역(R), 녹색 발광 영역(G) 및 청색 발광 영역(B)은 펜타일 구조로 배치될 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치에서 곡선부 영역(DBA)의 화소 배열은 표시 화소 영역(PXA)의 화소 배열과 다를 수 있다. 예를 들어, 표시 화소 영역(PXA)에서 녹색 발광 영역(G)이 곡선부 영역(DBA)으로 이동되는 경우 표시 화소 영역(PXA)에서는 표시 화소 영역(PXA) 및 곡선부 영역(DBA)의 경계를 따라 적색 발광 영역(R)과 청색 발광 영역(B)이 교대로 배치되는 반면, 곡선부 영역(DBA)에서는 표시 화소 영역(PXA) 및 곡선부 영역(DBA)의 경계를 따라 녹색 발광 영역(G)이 이격되어 배치될 수 있다.
이하, 도 17을 참조하여, 일 실시 예에 따른 전자 장치의 화소 배열에 대해 설명한다. 도 17은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 발광 영역을 나타내는 배치도이다. 구체적으로, 도 17은 도 14의 실시 예에 따른 전자 장치(1400)에서 이동 화소 전극(981)이 곡선부 영역(DBA)으로 이동됨에 따른 발광 영역들의 배치를 나타낸다.
일 실시 예에 따른 전자 장치는 적색 발광 영역(R), 녹색 발광 영역(G) 및 청색 발광 영역(B)을 포함할 수 있다. 표시 화소 영역(PXA)에서 적색 발광 영역(R), 녹색 발광 영역(G) 및 청색 발광 영역(B)은 펜타일 구조로 배치될 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치에서 곡선부 영역(DBA)의 화소 배치 간격(W2)은 표시 화소 영역(PXA)의 화소 배치 간격(W1)과 다를 수 있다. 예를 들어, 표시 화소 영역(PXA)의 적색 발광 영역(R)과 녹색 발광 영역(G) 사이의 제1 간격(W1)은 곡선부 영역(DBA)의 적색 발광 영역(R)과 녹색 발광 영역(G) 사이의 제2 간격(W2)보다 작을 수 있다. 그러나, 제1 간격(W1)과 제2 간격(W2)은 도 17에 도시된 바에 한정되지 않고, 제1 간격(W1)은 제2 간격(W2)보다 클 수도 있다.
이하, 도 18을 참조하여, 일 실시 예에 따른 전자 장치(1800)에 대해 설명한다. 도 18은 일 실시 예에 따른 전자 장치에서 도 2의 B 영역을 확대 도시한 확대도이다.
도 18을 참조하면, 일 실시 예에 따른 전자 장치(1800)는 복수의 화소(PX), 복수의 더미 화소(DP), 데이터 곡선부(DB), 화소 전극(580), 이동 화소 전극(981), 화소 전극 연결부(981a) 및 투과 영역(TA)을 포함할 수 있다. 이 때, 더미 화소(DP)는 도 7의 더미 화소(DP)와 동일한 구조를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치(1400)에서, 적어도 하나의 더미 화소(DP)는 데이터선(130)의 데이터 곡선부(DB)와 제1 방향(D1)으로 중첩할 수 있다. 다시 말해, 더미 화소 영역(DPA)은 곡선부 영역(DBA)과 중첩할 수 있다.
화소 전극(580)은 화소 회로(PXc)와 전기적으로 연결되며 표시 화소 영역(PXA)에 위치할 수 있다. 화소 전극(580)의 적어도 일부는 전기적으로 연결되는 화소 회로(PXc)와 중첩할 수 있다.
이동 화소 전극(981)은 곡선부 영역(DBA)에 위치할 수 있다. 이동 화소 전극(981)과 화소 전극(580)은 하나의 화소 회로(PXc)에 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 이동 화소 전극(981)과 화소 전극(580)은 동일한 발광 전류를 인가 받을 수 있다. 화소 전극 연결부(981a)는 이동 화소 전극(981)과 화소(PX)를 연결할 수 있다. 화소 전극 연결부(981a)의 일 단은 화소 전극(580) 및 화소(PX)와 연결되고, 화소 전극 연결부(981a)의 타 단은 이동 화소 전극(981)과 연결될 수 있다.
이하, 도 19을 참조하여, 일 실시 예에 따른 전자 장치(1900)에 대해 설명한다. 도 19은 일 실시 예에 따른 전자 장치에서 도 2의 B 영역을 확대 도시한 확대도이다.
일 실시 예에 따른 전자 장치(1900)는 복수의 화소(PX)가 위치하는 표시 화소 영역(PXA), 복수의 더미 화소(DP)가 위치하는 더미 화소 영역(DPA) 및 복수의 데이터선(130)의 데이터 곡선부(DB)가 위치하는 곡선부 영역(DBA)을 포함할 수 있다. 더미 화소 영역(DPA)은 표시 화소 영역(PXA)과 곡선부 영역(DBA) 사이에 위치할 수 있다.
일 실시 예에 따른 전자 장치(1200)는 더미 화소(DP)와 전기적으로 연결되는 더미 화소 전극(1281)을 포함할 수 있다. 더미 화소 전극(1281)은 더미 화소(DP)와 전기적으로 연결되며 더미 화소 영역(DPA)에 위치할 수 있다. 더미 화소 전극(1281)의 적어도 일부는 전기적으로 연결되는 더미 화소(DP)와 중첩할 수 있다.
도 20은 일 실시예에 따른 전자 장치(2000)의 전면 사시도이다. 도 21는 일 실시예에 따른 전자 장치(2000)의 배면 사시도이다.
도 20 및 도 21을 참조하면, 일 실시예에 따른 전자 장치(2000)는 하우징(2010)을 포함할 수 있다. 하우징(2010)은 제1 면(또는 전면)(2010A), 제2 면(또는 후면)(2010B) 및 제1 면(2010A)과 제2 면(2010B) 사이의 공간을 둘러싸는 측면(2010C)을 포함할 수 있다. 실시예에 따라서는, 하우징(2010)은 도 20의 제1 면(2010A), 제2 면(2010B) 및 측면(2010C) 중 일부를 지칭할 수도 있다. 하우징(2010)의 제1 면(2010A)은 적어도 일부분이 실질적으로 투명한 전면 플레이트(2002)(예: 다양한 코팅 레이어들을 포함하는 글라스 플레이트, 또는 폴리머 플레이트)를 포함할 수 있다. 하우징(2010)의 제2 면(2010B)은 실질적으로 불투명한 후면 플레이트(2011)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 후면 플레이트(2011)는 코팅 또는 착색된 유리, 세라믹, 폴리머, 금속(예: 알루미늄, 스테인레스 스틸(STS), 또는 마그네슘) 또는 상기 물질들 중 적어도 둘의 조합을 포함할 수 있다. 하우징(2010)의 측면(2010C)은 전면 플레이트(2002) 및 후면 플레이트(2011)와 결합하며, 금속 및/또는 폴리머를 포함하는 측면 베젤 구조(2018)(또는 "측면 부재")를 포함할 수 있다. 실시예에 따라서는, 후면 플레이트(2011) 및 측면 베젤 구조(2018)는 일체로 형성되거나, 동일한 물질(예: 알루미늄과 같은 금속 물질)을 포함할 수 있다.
전면 플레이트(2002)는 제1 면(2010A)으로부터 후면 플레이트(2011) 쪽으로 휘어져 심리스하게(seamless) 연장된 제1 영역(2010D)을 포함할 수 있다. 전면 플레이트(2002)의 제1 영역(2010D)은 전면 플레이트(2002)의 긴 엣지(long edge) 양단에 위치할 수 있다. 후면 플레이트(2011)는 제2 면(2010B)으로부터 전면 플레이트(2002) 쪽으로 휘어져 심리스하게 연장된 제2 영역(2010E)을 포함할 수 있다. 제2 영역(2010E)은 후면 플레이트(2011)의 긴 엣지 양단에 위치할 수 있다. 실시예에 따라서는, 전자 장치(2000)는 전면 플레이트(2002)의 제1 영역(2010D) 또는 후면 플레이트(2011)의 제2 영역(2010E) 중 어느 하나 만을 포함할 수 있다. 실시예에 따라서는 전면 플레이트(2002)와 후면 플레이트(2011)는 제1 영역(2010D) 및 제2 영역(2010E)을 포함하지 않을 수도 있다. 제1 영역(2010D) 또는 제2 영역(2010E)을 포함하지 않는 영역에서, 측면 베젤 구조(2018)는 제1 두께(또는 폭)를 가질 수 있다. 제1 영역(2010D) 또는 제2 영역(2010E)을 포함하는 영역에서, 측면 베젤 구조(2018)는 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 가질 수 있다.
일 실시예에 따른 전자 장치(2000)는 디스플레이(2001), 입력 장치(2003), 음향 출력 장치(2007, 2014), 센서 모듈(2004, 2019), 카메라 모듈(2005, 2012, 2013), 키 입력 장치(2017), 인디케이터(미도시) 및 커넥터(2008, 2009) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 실시예에 따라서는, 전자 장치(2000)는 구성 요소들 중 적어도 하나(예: 키 입력 장치(2017) 또는 인디케이터)를 생략하거나 다른 구성 요소를 추가적으로 포함할 수 있다.
디스플레이(2001)는 전면 플레이트(2002)의 상당 부분을 통하여 보여질 수 있다. 실시예에 따라서는, 제1 면(2010A) 및 전면 플레이트(2002)의 제1 영역(2010D)을 통하여 디스플레이(2001)의 적어도 일부가 보여질 수 있다. 디스플레이(2001)는 터치 감지 회로, 터치의 세기(압력)를 측정할 수 있는 압력 센서 및/또는 자기장 방식의 스타일러스 펜을 검출하는 디지타이저와 결합되거나 인접하여 배치될 수 있다. 센서 모듈(2004, 2019)의 적어도 일부 및/또는 키 입력 장치(2017)의 적어도 일부가 제1 영역(2010D) 및/또는 제2 영역(2010E)에 배치될 수 있다.
입력 장치(2003)는 마이크를 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 입력 장치(2003)는 소리의 방향을 감지할 수 있도록 배치되는 복수개의 마이크를 포함할 수 있다.
음향 출력 장치(2007, 2014)는 스피커들을 포함할 수 있다. 음향 출력 장치(2007, 2014)는 외부 스피커(2007) 및 통화용 리시버(2014)를 포함할 수 있다. 입력 장치(2003), 음향 출력 장치(2007, 2014) 및 커넥터들(2008, 2009)은 하우징(2010)에 형성된 적어도 하나의 홀을 통하여 외부 환경에 노출될 수 있다. 실시예에 따라서는, 하우징(2010)에 형성된 홀은 입력 장치(2003) 및 음향 출력 장치(2007, 2014)를 위하여 공용으로 사용될 수 있다. 실시예에 따라서는, 음향 출력 장치(2007, 2014)는 하우징(2010)의 홀 없이 동작되는 스피커(예: 피에조 스피커)를 포함할 수 있다.
센서 모듈(2004, 2019)은 전자 장치(2000)의 내부의 작동 상태 또는 외부의 환경 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 예를 들어, 센서 모듈(2004, 2019)은 하우징(2010)의 제1 면(2010A)에 배치된 제1 센서 모듈(2004)(예: 근접 센서)와 제2 센서 모듈(미도시)(예: 지문 센서) 및/또는 하우징(2010)의 제2 면(2010B)에 배치된 제3 센서 모듈(2019)(예: HRM 센서)을 포함할 수 있다. 지문 센서는 하우징(2010)의 제1 면(2010A)(예: 홈 키 버튼), 제2 면(2010B)의 일부 영역 또는 디스플레이(2001)의 아래에 배치될 수 있다. 일 실시예에 따른 전자 장치(2000)는 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서 또는 조도 센서 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
카메라 모듈(2005, 2012, 2013)은, 전자 장치(2000)의 제1 면(2010A)에 배치된 제1 카메라 장치(2005), 및 제2 면(2010B)에 배치된 제2 카메라 장치(2012) 및/또는 플래시(2013)를 포함할 수 있다. 카메라 모듈(2005, 2012)은, 하나 또는 복수의 렌즈들, 이미지 센서 및/또는 이미지 시그널 프로세서를 포함할 수 있다. 예를 들어, 플래시(2013)는 발광 다이오드 또는 제논 램프(xenon lamp)를 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 2개 이상의 렌즈들(예: 광각 렌즈, 초광각 렌즈 또는 망원 렌즈) 및 이미지 센서들이 전자 장치(2000)의 일 면에 배치될 수 있다.
키 입력 장치(2017)는 하우징(2010)의 측면(2010C)에 배치될 수 있다. 실시예에 따라서는, 전자 장치(2000)는 키 입력 장치(2017)들 중 일부 또는 전부를 포함하지 않을 수 있고 포함되지 않은 키 입력 장치(2017)는 디스플레이(2001) 상에 소프트 키 등의 형태로 구현될 수 있다. 다른 실시예로, 키 입력 장치(2017)는 디스플레이(2001)에 포함된 압력 센서를 이용하여 구현될 수 있다.
인디케이터는 하우징(2010)의 제1 면(2010A)에 배치될 수 있다. 인디케이터는 전자 장치(2000)의 상태 정보를 광 형태로 제공할 수 있다. 발광 소자는 카메라 모듈(2005)의 동작과 연동되는 광원을 제공할 수 있다. 인디케이터는 LED, IR LED 및 제논 램프를 포함할 수 있다.
커넥터 홀(2008, 2009)은 외부 전자 장치와 전력 및/또는 데이터를 송수신하기 위한 커넥터(예를 들어, USB 커넥터)를 수용할 수 있는 제1 커넥터 홀(2008) 및/또는 외부 전자 장치와 오디오 신호를 송수신하기 위한 커넥터를 수용할 수 있는 제2 커넥터 홀(또는 이어폰 잭)(2009)을 포함할 수 있다.
제1 카메라 장치(2005), 제1 센서 모듈(2004) 또는 인디케이터는 디스플레이(2001)를 통해 보이도록 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 카메라 장치(2005), 제1 센서 모듈(2004) 또는 인디케이터는 전자 장치(2000)의 내부 공간에 위치할 수 있고, 디스플레이(2001)의 전면 플레이트(2002)까지 천공된 관통 홀을 통해 외부 환경과 접할 수 있도록 배치될 수 있다. 다른 실시예로, 제1 센서 모듈(2004)은 전자 장치의 내부 공간에서 전면 플레이트(2002)를 통해 시각적으로 노출되지 않고 그 기능을 수행하도록 배치될 수도 있다. 이 경우, 디스플레이(2001)의 제1 센서 모듈(2004)과 대면하는 영역은 관통홀이 불필요할 수도 있다.
도 22는 일 실시예에 따른 전자 장치(300)의 전개 사시도이다. 일 실시예에 따른 전자 장치(300)는 도 20 및 도 21의 전자 장치(2000)와 적어도 일부 유사하거나, 전자 장치의 다른 실시예를 더 포함할 수 있다.
도 22를 참조하면, 전자 장치(300)(예: 도 20 또는 도 21의 전자 장치(2000))는 측면 부재(310)(예: 측면 베젤 구조), 제1 지지 부재(311)(예: 브라켓 또는 지지 구조), 전면 플레이트(320)(예: 전면 커버), 디스플레이(400), 인쇄 회로 기판(340), 배터리(350), 제2 지지 부재(360)(예: 리어 케이스), 안테나(370) 및 후면 플레이트(380)(예: 후면 커버)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 전자 장치(300)는 구성 요소들 중 적어도 하나(예: 제1 지지 부재(311), 또는 제2 지지 부재(360))를 생략하거나 다른 구성 요소를 추가적으로 포함할 수 있다. 전자 장치(300)의 구성 요소들 중 적어도 하나는, 도 20 또는 도 21의 전자 장치(2000)의 구성 요소들 중 적어도 하나와 동일 또는 유사할 수 있으며, 중복되는 설명은 이하 생략한다.
제1 지지 부재(311)는 전자 장치(300) 내부에 배치되어 측면 부재(310)와 연결되거나, 측면 부재(310)와 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 지지 부재(311)는 금속 재질 및/또는 비금속(예: 폴리머) 재질을 포함할 수 있다. 제1 지지 부재(311)는 일면에 디스플레이(400)가 결합되고 타면에 인쇄 회로 기판(340)이 결합될 수 있다. 인쇄 회로 기판(340)에는 프로세서, 메모리 및/또는 인터페이스가 장착될 수 있다. 프로세서는 중앙처리장치, 어플리케이션 프로세서, 그래픽 처리 장치, 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
메모리는 휘발성 메모리 또는 비휘발성 메모리를 포함할 수 있다.
인터페이스는 HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스 및/또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다. 예를 들어, 인터페이스는 전자 장치(300)를 외부 전자 장치와 전기적 또는 물리적으로 연결시킬 수 있으며, USB 커넥터, SD 카드/MMC 커넥터, 또는 오디오 커넥터를 포함할 수 있다.
배터리(350)는 전자 장치(300)의 적어도 어느 하나의 구성 요소에 전력을 공급할 수 있다. 예를 들면, 배터리(350)는 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다. 배터리(350)의 적어도 일부는 인쇄 회로 기판(340)과 실질적으로 동일 평면상에 배치될 수 있다. 배터리(350)는 전자 장치(300) 내부에 일체로 배치될 수 있다. 다른 실시예로, 배터리(350)는 전자 장치(300)로부터 탈부착 가능하게 배치될 수도 있다.
안테나(370)는 후면 플레이트(380)와 배터리(350) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 안테나(370)는 NFC(near field communication) 안테나, 무선 충전 안테나 및/또는 MST(magnetic secure transmission) 안테나를 포함할 수 있다. 안테나(370)는 외부 장치와 근거리 통신을 하거나, 충전에 필요한 전력을 무선으로 송수신 할 수 있다. 다른 실시예에서는, 상기 측면 부재(310) 및/또는 상기 제1 지지 부재(311)의 일부 또는 그 조합에 의하여 안테나가 형성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 측면 부재(310)의 제1 지지 부재(311)는 전면 플레이트(320)를 향하는 제1 면(3101) 및 제1 면(3101)과 반대 방향(예: 후면 플레이트 방향)을 향하는 제2 면(3102)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 카메라 모듈(500)(예: 도 20의 카메라 모듈(2005))은 제1 지지 부재(311)와 후면 플레이트(380) 사이에 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 카메라 모듈(500)은 제1 지지 부재(311)의 제1 면(3101)으로부터 제2 면(3102)까지 연결된 관통 홀(301)을 통해 전면 플레이트(320) 방향으로 향하도록 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 카메라 모듈(500)에서 관통 홀(301)을 통해 돌출된 부분은 디스플레이(400)의 대응되는 위치에 형성되는 적어도 하나의 오프닝(예: 도 24의 제1 오프닝(OP1) 및 제2 오프닝(OP2))을 통해 전면 플레이트(320)의 배면과 근접하도록 배치될 수 있다. 다른 실시예로, 카메라 모듈(500)이 디스플레이(400)와 제1 지지 부재(311) 사이에 배치될 경우, 관통 홀(301)은 불필요할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 카메라 모듈(500)은, 전자 장치(300)의 내부 공간에서, 관통 홀(301) 및 디스플레이의 적어도 하나의 오프닝(OP1, OP2)에 적어도 부분적으로 배치될 수 있다. 카메라 모듈(500)은 전면 플레이트(320)의 카메라 노출 영역(321)을 통해 외부 환경을 검출하도록 배치될 수 있다. 카메라 노출 영역(321)은 실질적으로 카메라 모듈(500)의 렌즈(예: 도 24의 제1 렌즈(2431))의 유효 영역과 대면하는 투명 영역 및 투명 영역을 둘러싸는 일정 폭을 갖는 인쇄 영역(예: 도 24의 인쇄 영역(322))을 포함할 수 있다.
이하, 도 23을 참조하여, 전자 장치(300)에서 디스플레이(400)와 카메라 모듈(500)의 배치 관계에 대해 상세히 기술한다. 도 23은 일 실시예에 따른 전자 장치에 포함되는 디스플레이의 전개 사시도이다. 도 23의 디스플레이(400)는 도 20의 디스플레이(2001)와 적어도 일부 유사하거나, 디스플레이의 다른 실시예를 더 포함할 수 있다.
도 23을 참고하면, 디스플레이(400)는 접착 부재(예: 도 24의 접착 부재(410))를 통해 전면 커버(320)(예: 전면 플레이트, 글래스 플레이트 또는 커버 부재)의 배면에 접착되는 POL(polarizer)(432)(예: 편광 필름), 표시 패널(431) 및/또는 표시 패널(431)의 배면에 부착되는 적어도 하나의 부자재층(440)을 포함할 수 있다. 접착 부재는 OCA(optical clear adhesive), PSA(pressure sensitive adhesive), 열 반응 접착제, 일반 접착제 또는 양면 테이프를 포함할 수 있다.
전면 커버(320)는 카메라 모듈(예: 도 24의 카메라 모듈(500))과 대응 하는 위치에 배치되는 카메라 노출 영역(321)을 포함할 수 있다. 카메라 노출 영역(321)은 그 주변을 감싸도록 배치되는 인쇄 영역(예: BM 영역)(예: 도 24의 인쇄 영역(322))에 의해 결정될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 인쇄 영역(예: 도 24의 인쇄 영역(322))은 카메라 모듈(500)의 화각에 의해 그 크기 또는 형상이 결정될 수 있다. 다른 실시예로, 전면 커버(320)는 별도의 인쇄 영역 없이, 카메라 노출 영역(321)만을 포함할 수도 있다.
다양한 실시예에 따르면, 표시 패널(431)과 POL(432)은 일체로 형성될 수도 있다. 일 실시예에 따르면, 디스플레이(400)는 제어 회로(미도시)를 포함할 수 있다. 제어 회로는 전자 장치(예: 도 22의 전자 장치(300))의 메인 인쇄 회로 기판(예: 도 22의 인쇄 회로 기판(340))과 표시 패널(431)을 전기적으로 연결시키는 FPCB(flexible printed circuit board)와, FPCB에 실장되는 DDI(display driver IC)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 디스플레이(400)는 추가적으로 터치 패널(433)을 포함할 수도 있다. 일 실시예에 따르면, 디스플레이(400)는 터치 패널(433)의 배치 위치에 따라 in-cell 방식 또는 on-cell 방식의 터치 디스플레이로 동작할 수 있고, 제어 회로는 TDDI(touch display driver IC)를 포함할 수도 있다. 다른 실시예로, 디스플레이(400)는 제어 회로의 주변에 배치되는 지문 센서(미도시)를 포함할 수도 있다. 지문 센서는 디스플레이(400)의 구성 요소들 중 일부 구성 요소에 적어도 부분적으로 형성된 홀을 통해 전면 커버(320)의 외면으로부터 접촉되거나, 근접한 손가락의 지문을 인식할 수 있는 초음파 방식 지문 센서 또는 광학식 지문 센서를 포함할 수 있다.
적어도 하나의 부자재층(440)은 표시 패널(431)의 배면에 배치되는 적어도 하나의 폴리머 부재(441, 442), 적어도 하나의 폴리머 부재(441, 442)의 배면에 배치되는 적어도 하나의 기능성 부재(443) 및 적어도 하나의 기능성 부재(443)의 배면에 배치되는 도전성 부재(444)를 포함할 수 있다. 적어도 하나의 폴리머 부재(441, 442)는 표시 패널(431)과 그 하부 부착물들간에 발생될 수 있는 기포를 제거하고 외부로부터 입사하는 빛을 차단하기 위한 차광층(441)(예: 울퉁불퉁한 패턴을 포함하는 블랙층) 및/또는 충격 완화를 위하여 배치되는 완충층(442)(예: 스폰지층을 포함할 수 있다. 적어도 하나의 기능성 부재(443)는 방열을 위한 그라파이트(graphite) 시트, added 디스플레이, 포스터치 FPCB, 지문 센서 FPCB, 통신용 안테나 방사체, 방열 시트, 도전/비도전 테이프 또는 open cell 스폰지를 포함할 수 있다. 도전성 부재(444)는 금속 플레이트로서, 전자 장치(예: 도 22의 전자 장치(300))의 강성 보강에 도움을 줄 수 있고, 주변 노이즈를 차폐하며, 주변의 열 방출 부품으로부터 방출되는 열을 분산시키기 위하여 사용될 수 있다. 도전성 부재(444)는 Cu, Al, SUS 또는 CLAD(예: SUS와 Al이 교번하여 배치된 적층 부재)를 포함할 수 있다. 실시예에 따라서는, 디스플레이(400)는 전자기 유도 방식의 필기 부재(예: 전자 펜)에 의한 입력을 검출하기 위한 검출 부재(445)를 더 포함할 수도 있다. 검출 부재(445)는 디지타이저를 포함할 수 있다. 한 실시예에 따르면, 검출 부재(445)는 적어도 하나의 폴리머 부재(442)와 기능성 부재(443) 사이에 배치될 수 있다. 다른 실시예로, 검출 부재(445)는 표시 패널(431)과 적어도 하나의 폴리머 부재(441) 사이에 배치될 수도 있다.
전면 커버(320)는, 전면 커버(320)를 위에서 바라볼 때, 표시 패널(431)과 중첩되는 영역에 적어도 부분적으로 형성되는 카메라 노출 영역(321)을 포함할 수 있다. 전면 커버(320)를 위에서 바라볼 때, 표시 패널(431)은 카메라 노출 영역(321)과 중첩되는 영역에 형성되는 제1 오프닝(4311)(예: 도 1의 투과 영역(TA))을 포함할 수 있다. 표시 패널(431)에 부착되는 POL(432) 및/또는 터치 패널(433)은 제1 오프닝(4311)과 대응되는 위치에 오프닝들(4321, 4331)을 포함할 수 있다. 또한, POL(432) 또는 터치 패널(433)을 전면 커버(320)에 부착하는 접착 부재(예: 도 24의 접착 부재(410))는 오프닝을 포함할 수 있다. 전면 커버(320)를 위에서 바라볼 때, 적어도 하나의 부자재층(440)은 제1 오프닝(4211)과 적어도 부분적으로 중첩되도록 형성되는 제2 오프닝(4411, 4421, 4441, 4451)(예: 도 24의 제2 오프닝(OP2))을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제2 오프닝(OP2)은 제1 오프닝(OP1)보다 클 수 있다.
도 24는 일 실시예에 따른 전자 장치에서 도 20의 E-E' 선을 따라 자른 단면도이다. 도 25는 일 실시예에 따른 전자 장치에서 도 24의 F 영역을 확대한 확대도이다.
도 24를 참조하면, 전자 장치(300)는 제1 방향(D1)을 향하는 전면 커버(320)(예: 커버 부재, 전면 플레이트, 전면 윈도우 또는 제1 플레이트), 제1 방향(D1)과 반대 방향으로 향하는 후면 커버(380)(예: 후면 커버 부재, 후면 플레이트, 후면 윈도우 또는 제2 플레이트) 및 전면 커버(320)와 후면 커버(380) 사이의 공간(3001)을 둘러싸는 측면 부재(310)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 전자 장치(300)는 디스플레이(400)의 부자재층(440)과 측면 부재(310) 사이에 배치되는 제1 방수 부재(3201)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 전자 장치(300)는 측면 부재(310)와 후면 플레이트(380) 사이에 배치되는 제2 방수 부재(3801)를 포함할 수 있다. 제1 방수 부재(3201) 및 제2 방수 부재(3801)는 외부의 이물질 또는 수분이 전자 장치(300)의 내부 공간(3001)으로 유입되는 것을 방지할 수 있다. 다른 실시예로, 방수 부재는 카메라 모듈(500)과 측면 부재 사이의 실장 지지 구조 중 적어도 일부에 배치될 수도 있다. 측면 부재(310)는 전자 장치(300)의 내부 공간(3001)에 적어도 부분적으로 연장되는 제1 지지 부재(311)를 더 포함할 수 있다. 제1 지지 부재(311)는 측면 부재(310)와 구조적 결합에 의해 형성될 수도 있다. 제1 지지 부재(311)는 카메라 모듈(500)이 디스플레이(400)의 부자재층(440)의 제2 오프닝(OP2)에 적어도 부분적으로 배치되고, 표시 패널(431)의 제1 오프닝(OP1) 근처에 배치되도록 카메라 모듈(500)을 지지할 수 있다.
카메라 모듈(500)은 카메라 하우징(2410), 카메라 하우징(2410)의 내부 공간(5101)에 배치되고 적어도 일부가 디스플레이 방향(예: 제1 방향(D1))으로 돌출되는 렌즈 하우징(2420), 렌즈 하우징(2420)의 내부 공간(5201)에서 일정 간격으로 배치되는 복수의 렌즈들(2430: 2431, 2432, 2433, 2434) 및 카메라 하우징(2410)의 내부 공간에서 복수의 렌즈들(2430)과 정렬되도록 배치되는 적어도 하나의 이미지 센서(2440)를 포함할 수 있다. 카메라 모듈(500)이 AF(auto focus) 기능을 포함할 경우, 렌즈 하우징(2420)은 카메라 하우징(2410)에서 소정의 구동 유닛을 통해 표시 패널(431)과의 거리가 가변되도록 유동될 수 있다. 다른 실시예로, 카메라 모듈(500)은 카메라 하우징(2410)이 생략되고, 렌즈 하우징(2420)이 소정의 정렬 공정을 통해 제1 지지 부재(311)에 직접 배치될 수도 있다. 카메라 모듈(500)은 제1 지지 부재(311)의 관통 홀(301)을 통해 디스플레이(400)에 형성된 제2 오프닝(OP2)과 정렬된 후 접착 부재(312)(예: 본딩 부재 또는 테이프 부재)를 통해 제1 지지 부재(311)의 배면에 부착될 수 있다. 카메라 모듈(500)은 제2 지지 부재(360)(예: 리어 케이스)에 의해 지지될 수 있다.
디스플레이(400)는 터치 패널(예: 도 23의 터치 패널(433)), POL(432), 표시 패널(431), 차광층(441), 완충층(예: 도 23의 쿠션층(442)), 디지타이저(예: 도 23의 검출 부재(445)), 기능성 부재(예: 도 23의 기능성 부재(443)) 및/또는 도전성 부재(예: 도 23의 도전성 부재(444))를 포함할 수 있다.
도 24 및 도 25를 참조하면, 일 실시예에 따른 전자 장치(300)는 전면 커버(320)의 배면에서 측면 부재(310)와의 사이에 배치되는 접착 부재(410), POL(432), 표시 패널(431) 및 부자재층(440)을 포함할 수 있다. 전면 플레이트(320)를 위에서 바라볼 때, POL(432)은 카메라 모듈(500)의 광학적 투과율 향상을 위하여 오프닝(예: 도 23의 오프닝(4321))이 형성될 수 있다. 다른 실시예로, 그 상부에 배치되는 접착 부재(410) 역시 제1 오프닝(OP1)과 대응되는 부분이 적어도 부분적으로 생략될 수도 있다. 전면 커버(320)를 위에서 바라볼 때, 부자재층(440)은 복수의 렌즈들(2430)과 중첩되는 영역에 형성되는 제2 오프닝(OP2)을 포함할 수 있다. 제1 오프닝(OP1)과 제2 오프닝(OP2)은 동일한 중심을 갖고 서로 다른 크기를 갖도록 형성될 수 있다. 제1 오프닝(OP1)은 제2 오프닝(OP2)보다 작게 형성될 수 있다. 제1 오프닝(OP1) 및 제2 오프닝(OP2)은 동일한 중심을 가지며, 서로 다른 크기를 갖는 원형으로 형성될 수 있다. 카메라 모듈(500)은 복수의 렌즈들(2430)의 중심이 제1 오프닝(OP1) 및 제2 오프닝(OP2)의 중심과 일치하도록 배치될 수 있다. 디스플레이(400)는 표시 패널(431), POL(432) 및 부자재층(440)에 각각 형성된 서로 크기가 다른 오프닝들(OP1, OP2)의 연결을 통해 단차 구조를 갖도록 형성되는 오프닝을 포함할 수 있다.
디스플레이(400)에 위치하는 오프닝들(OP1, OP2)은 레이저 커팅을 통해 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 오프닝들(OP1, OP2)의 내면 및/또는 인쇄 영역(322)은 정렬 공정를 통해 형성될 수 있으며, 세정 공정을 통해 완성될 수 있다. 오프닝들(OP1, OP2)을 포함하는 디스플레이(400)는 측면 부재(310)의 제1 지지 부재(311)에 먼저 부착될 수 있다. 카메라 모듈(500)은 제1 지지 부재(311)의 관통 홀(301)을 통해 노출된 오프닝들(OP1, OP2)과 정렬된 후 접착 부재(312)를 통해 제1 지지 부재(311)의 배면에 부착될 수 있다.
카메라 모듈(500)은, 렌즈 하우징(2420)을 통해 배치되고, 복수의 렌즈들(2430) 중 표시 패널(431)과 가장 가깝게 배치되는 제1 렌즈(2431)를 포함할 수 있다. 제1 렌즈(2431)는 제2 오프닝(OP2)에 적어도 부분적으로 배치되거나, 근처에 배치될 수 있다. 제1 렌즈(2431)는 렌즈 하우징(2420)의 상면(2421)과 일치하거나, 상면(2421)보다 적어도 부분적으로 돌출되도록 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 렌즈(2431)를 지지하는 렌즈 하우징(2420)(예: 경통 부재)의 선단 지지 구조가 생략될 수 있다. 이 경우, 디스플레이(400)의 제1 오프닝(OP1) 및 제2 오프닝(OP2)의 단차 구조를 이용하여 화각이 조절할 수 있으므로, 표시 패널(431)의 제1 오프닝(OP1)의 크기가 축소될 수 있고, 전면 커버(320)의 카메라 노출 영역(321)이 축소될 수 있다.
이하, 도 26을 참조하여, 다른 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면 구조에 대해 설명한다. 도 26은 일 실시예에 따른 전자 장치에서 도 20의 E-E' 선을 따라 자른 단면도이다. 이하, 도 24 및 도 25와 중복되는 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 24 및 도 25와는 달리, 도 26의 전자 장치(300)의 표시 패널(431)은 제1 오프닝(OP1)을 포함하지 않을 수 있다. 이 경우, 전면 플레이트(320)의 카메라 노출 영역(321, 도 22 참조)과 카메라 모듈(500) 사이에 표시 패널(431)이 위치할 수 있다. 표시 패널(431)에서 카메라 노출 영역(321)에 대응하는 영역(예: 도 1의 투과 영역(TA))은 투명 부재들을 포함하여, 빛이 투과할 수 있다.
도 27은, 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경(2700) 내의 전자 장치(2701)의 블럭도이다. 도 27을 참조하면, 네트워크 환경(2700)에서 전자 장치(2701)는 제 1 네트워크(2798)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(2702)와 통신하거나, 또는 제 2 네트워크(2799)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(2704) 또는 서버(2708)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(2701)는 서버(2708)를 통하여 전자 장치(2704)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(2701)는 프로세서(2720), 메모리(2730), 입력 장치(2750), 음향 출력 장치(2755), 표시 장치(2760), 오디오 모듈(2770), 센서 모듈(2776), 인터페이스(2777), 햅틱 모듈(2779), 카메라 모듈(2780), 전력 관리 모듈(2788), 배터리(2789), 통신 모듈(2790), 가입자 식별 모듈(2796), 또는 안테나 모듈(2797)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(2701)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 표시 장치(2760) 또는 카메라 모듈(2780))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들은 하나의 통합된 회로로 구현될 수 있다. 예를 들면, 센서 모듈(2776)(예: 지문 센서, 홍채 센서, 또는 조도 센서)은 표시 장치(2760)(예: 디스플레이)에 임베디드된 채 구현될 수 있다
프로세서(2720)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(2740))를 실행하여 프로세서(2720)에 연결된 전자 장치(2701)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(2720)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(2776) 또는 통신 모듈(2790))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(2732)에 로드하고, 휘발성 메모리(2732)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(2734)에 저장할 수 있다. 일실시예에 따르면, 프로세서(2720)는 메인 프로세서(2721)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서), 및 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(2723)(예: 그래픽 처리 장치, 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 추가적으로 또는 대체적으로, 보조 프로세서(2723)는 메인 프로세서(2721)보다 저전력을 사용하거나, 또는 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(2723)는 메인 프로세서(2721)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
보조 프로세서(2723)는, 예를 들면, 메인 프로세서(2721)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(2721)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(2721)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(2721)와 함께, 전자 장치(2701)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 표시 장치(2760), 센서 모듈(2776), 또는 통신 모듈(2790))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(2723)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성 요소(예: 카메라 모듈(2780) 또는 통신 모듈(2790))의 일부로서 구현될 수 있다.
메모리(2730)는, 전자 장치(2701)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(2720) 또는 센서모듈(2776))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(2740)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(2730)는, 휘발성 메모리(2732) 또는 비휘발성 메모리(2734)를 포함할 수 있다.
프로그램(2740)은 메모리(2730)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(2742), 미들 웨어(2744) 또는 어플리케이션(2746)을 포함할 수 있다.
입력 장치(2750)는, 전자 장치(2701)의 구성요소(예: 프로세서(2720))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(2701)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 장치(2750)는, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.
음향 출력 장치(2755)는 음향 신호를 전자 장치(2701)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 장치(2755)는, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있고, 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
표시 장치(2760)는 전자 장치(2701)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 표시 장치(2760)는, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 표시 장치(2760)는 터치를 감지하도록 설정된 터치 회로(touch circuitry), 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 센서 회로(예: 압력 센서)를 포함할 수 있다.
오디오 모듈(2770)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일실시예에 따르면, 오디오 모듈(2770)은, 입력 장치(2750)를 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 장치(2755), 또는 전자 장치(2701)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(2702))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.
센서 모듈(2776)은 전자 장치(2701)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일실시예에 따르면, 센서 모듈(2776)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.
인터페이스(2777)는 전자 장치(2701)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(2702))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 인터페이스(2777)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.
연결 단자(2778)는, 그를 통해서 전자 장치(2701)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(2702))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 연결 단자(2778)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.
햅틱 모듈(2779)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일실시예에 따르면, 햅틱 모듈(2779)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.
카메라 모듈(2780)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일실시예에 따르면, 카메라 모듈(2780)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.
전력 관리 모듈(2788)은 전자 장치(2701)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(2788)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.
배터리(2789)는 전자 장치(2701)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일실시예에 따르면, 배터리(2789)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.
통신 모듈(2790)은 전자 장치(2701)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(2702), 전자 장치(2704), 또는 서버(2708))간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(2790)은 프로세서(2720)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 통신 모듈(2790)은 무선 통신 모듈(2792)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(2794)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제 1 네트워크(2798)(예: 블루투스, WiFi direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제 2 네트워크(2799)(예: 셀룰러 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부 전자 장치(2704)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(2792)은 가입자 식별 모듈(2796)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제 1 네트워크(2798) 또는 제 2 네트워크(2799)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(2701)를 확인 및 인증할 수 있다.
안테나 모듈(2797)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(2797)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 하나의 안테나를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(2797)은 복수의 안테나들을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(2798) 또는 제 2 네트워크(2799)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(2790)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(2790)과 외부 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC)이 추가로 안테나 모듈(2797)의 일부로 형성될 수 있다.
상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.
일실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제 2 네트워크(2799)에 연결된 서버(2708)를 통해서 전자 장치(2701)와 외부의 전자 장치(2704)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부 전자 장치(2702, 2704) 각각은 전자 장치(2701)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(2701)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부 전자 장치들(2702, 2704, 또는 2708) 중 하나 이상의 외부 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(2701)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(2701)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(2701)로 전달할 수 있다. 전자 장치(2701)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다.
도 28는 다양한 실시예들에 따른, 표시 장치(2760)의 블록도(2800)이다. 도 28를 참조하면, 표시 장치(2760)는 디스플레이(2810), 및 이를 제어하기 위한 디스플레이 드라이버 IC(DDI)(2830)를 포함할 수 있다. DDI(2830)는 인터페이스 모듈(2831), 메모리(2833)(예: 버퍼 메모리), 이미지 처리 모듈(2835), 또는 맵핑 모듈(2837)을 포함할 수 있다. DDI(2830)은, 예를 들면, 영상 데이터, 또는 상기 영상 데이터를 제어하기 위한 명령에 대응하는 영상 제어 신호를 포함하는 영상 정보를 인터페이스 모듈(2831)을 통해 전자 장치 2701의 다른 구성요소로부터 수신할 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 영상 정보는 프로세서(2720)(예: 메인 프로세서(2721)(예: 어플리케이션 프로세서) 또는 메인 프로세서(2721)의 기능과 독립적으로 운영되는 보조 프로세서(2723)(예: 그래픽 처리 장치)로부터 수신될 수 있다. DDI(2830)는 터치 회로(2850) 또는 센서 모듈(2776) 등과 상기 인터페이스 모듈(2831)을 통하여 커뮤니케이션할 수 있다. 또한, DDI(2830)는 상기 수신된 영상 정보 중 적어도 일부를 메모리(2833)에, 예를 들면, 프레임 단위로 저장할 수 있다. 이미지 처리 모듈(2835)은, 예를 들면, 상기 영상 데이터의 적어도 일부를 상기 영상 데이터의 특성 또는 디스플레이(2810)의 특성에 적어도 기반하여 전처리 또는 후처리(예: 해상도, 밝기, 또는 크기 조정)를 수행할 수 있다. 맵핑 모듈(2837)은 이미지 처리 모듈(2735)를 통해 전처리 또는 후처리된 상기 영상 데이터에 대응하는 전압 값 또는 전류 값을 생성할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전압 값 또는 전류 값의 생성은 예를 들면, 디스플레이(2810)의 픽셀들의 속성(예: 픽셀들의 배열(RGB stripe 또는 pentile 구조), 또는 서브 픽셀들 각각의 크기)에 적어도 일부 기반하여 수행될 수 있다. 디스플레이(2810)의 적어도 일부 픽셀들은, 예를 들면, 상기 전압 값 또는 전류 값에 적어도 일부 기반하여 구동됨으로써 상기 영상 데이터에 대응하는 시각적 정보(예: 텍스트, 이미지, 또는 아이콘)가 디스플레이(2810)를 통해 표시될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 표시 장치(2760)는 터치 회로(2850)를 더 포함할 수 있다. 터치 회로(2850)는 터치 센서(2851) 및 이를 제어하기 위한 터치 센서 IC(2853)를 포함할 수 있다. 터치 센서 IC(2853)는, 예를 들면, 디스플레이(2810)의 특정 위치에 대한 터치 입력 또는 호버링 입력을 감지하기 위해 터치 센서(2851)를 제어할 수 있다. 예를 들면, 터치 센서 IC(2853)는 디스플레이(2810)의 특정 위치에 대한 신호(예: 전압, 광량, 저항, 또는 전하량)의 변화를 측정함으로써 터치 입력 또는 호버링 입력을 감지할 수 있다. 터치 센서 IC(2853)는 감지된 터치 입력 또는 호버링 입력에 관한 정보(예: 위치, 면적, 압력, 또는 시간)를 프로세서(2720) 에 제공할 수 있다. 일실시예에 따르면, 터치 회로(2850)의 적어도 일부(예: 터치 센서 IC(2853))는 디스플레이 드라이버 IC(2830), 또는 디스플레이(2810)의 일부로, 또는 표시 장치(2760)의 외부에 배치된 다른 구성요소(예: 보조 프로세서(2723))의 일부로 포함될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 표시 장치(2760)는 센서 모듈(2776)의 적어도 하나의 센서(예: 지문 센서, 홍채 센서, 압력 센서 또는 조도 센서), 또는 이에 대한 제어 회로를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 적어도 하나의 센서 또는 이에 대한 제어 회로는 표시 장치(2760)의 일부(예: 디스플레이(2810) 또는 DDI(2830)) 또는 터치 회로(2850)의 일부에 임베디드될 수 있다. 예를 들면, 표시 장치(2760)에 임베디드된 센서 모듈(2776)이 생체 센서(예: 지문 센서)를 포함할 경우, 상기 생체 센서는 디스플레이(2810)의 일부 영역을 통해 터치 입력과 연관된 생체 정보(예: 지문 이미지)를 획득할 수 있다. 다른 예를 들면, 표시 장치(2760)에 임베디드된 센서 모듈(2776)이 압력 센서를 포함할 경우, 상기 압력 센서는 디스플레이(2810)의 일부 또는 전체 영역을 통해 터치 입력과 연관된 압력 정보를 획득할 수 있다. 일실시예에 따르면, 터치 센서(2851) 또는 센서 모듈(2776)은 디스플레이(2810)의 픽셀 레이어의 픽셀들 사이에, 또는 상기 픽셀 레이어의 위에 또는 아래에 배치될 수 있다.
본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치 (예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.
본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나",“A 또는 B 중 적어도 하나”, "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나” 및 “A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, “기능적으로” 또는 “통신적으로”라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, “커플드” 또는 “커넥티드”라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.
본 문서에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.
본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(2701)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(2736) 또는 외장 메모리(2738))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(2740))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(2701))의 프로세서(예: 프로세서(2720))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, ‘비일시적 저장매체’는 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다. 예로, ‘비일시적 저장매체’는 데이터가 임시적으로 저장되는 버퍼를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어™)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품(예: 다운로더블 앱(downloadable app))의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.

Claims (20)

  1. 전자 장치에 있어서,
    표시 패널을 포함하고,
    상기 표시 패널은,
    제1 방향으로 마주하는 제1 면과 제2 면을 포함하는 기판;
    복수의 화소들이 배치되어 상기 제1 면으로 이미지를 표시하는 표시 영역;
    상기 표시 영역으로 둘러싸인 제1 비표시 영역;
    상기 제1 비표시 영역 내에 위치하는 투과 영역;
    상기 투과 영역의 둘레를 따라 연장되는 제1 곡선부를 포함하는 제1 배선; 및
    상기 제1 배선의 상기 제1 곡선부의 적어도 일부와 상기 제1 방향으로 중첩하는 더미 트랜지스터를 포함하는 전자 장치.
  2. 제1 항에서,
    상기 더미 트랜지스터는 상기 제1 배선과 전기적으로 연결되지 않는 전자 장치.
  3. 제2 항에서,
    상기 표시 패널은,
    상기 표시 영역에 위치하는 제1 트랜지스터; 및
    상기 표시 영역에서 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 연장된 제2 배선을 더 포함하고,
    상기 제1 트랜지스터는 상기 제2 배선과 전기적으로 연결된 전자 장치.
  4. 제3 항에서,
    상기 표시 패널은 상기 제1 트랜지스터와 전기적으로 연결된 제1 화소 전극을 더 포함하고,
    상기 제1 화소 전극은 상기 제1 배선의 상기 제1 곡선부와 상기 제1 방향으로 중첩하는 전자 장치.
  5. 제4 항에서,
    상기 표시 패널은 상기 제1 화소 전극과 상기 제1 트랜지스터를 연결하는 화소 전극 연결부를 더 포함하는 전자 장치.
  6. 제5 항에서,
    상기 표시 패널은 상기 투과 영역의 둘레를 따라 연장되는 제2 곡선부를 포함하는 제3 배선을 더 포함하고,
    상기 화소 전극 연결부는 상기 제2 곡선부와 상기 제1 방향으로 중첩하는 전자 장치.
  7. 제5 항에서,
    상기 제1 화소 전극은 상기 더미 트랜지스터와 상기 제1 방향으로 중첩하는 전자 장치.
  8. 제5 항에서,
    상기 표시 패널은 상기 제1 트랜지스터와 전기적으로 연결된 제2 화소 전극을 더 포함하고,
    상기 제2 화소 전극은 상기 표시 영역에 위치하는 전자 장치.
  9. 제3 항에서,
    상기 표시 패널은,
    상기 제1 트랜지스터와 전기적으로 연결된 제1 화소 전극; 및
    상기 투과 영역의 둘레를 따라 연장되는 제2 곡선부를 포함하는 제3 배선을 더 포함하고,
    상기 제1 화소 전극은 상기 제3 배선의 상기 제2 곡선부와 상기 제1 방향으로 중첩하는 전자 장치.
  10. 제9 항에서,
    상기 표시 패널은,
    상기 제1 화소 전극 위에 위치하는 제1 유기 발광층; 및
    상기 제1 유기 발광층 위에 위치하는 공통 전극을 더 포함하는 전자 장치.
  11. 제3 항에서,
    상기 제1 트랜지스터는,
    제1 게이트 전극; 및
    상기 제1 게이트 전극과 중첩하는 제1 채널을 포함하고,
    상기 더미 트랜지스터는,
    더미 게이트 전극; 및
    상기 더미 게이트 전극과 중첩하는 더미 채널을 포함하고,
    상기 더미 게이트 전극의 상기 제2 방향으로의 너비는 상기 제1 게이트 전극의 상기 제2 방향으로의 너비보다 넓은 전자 장치.
  12. 제1 항에서,
    상기 표시 패널은,
    상기 표시 영역을 둘러싸는 제2 비표시 영역; 및
    상기 제2 비표시 영역에서, 상기 표시 영역을 사이에 두고 위치하는 제1 게이트 구동부 및 제2 게이트 구동부를 더 포함하는 전자 장치.
  13. 전자 장치에 있어서,
    표시 패널을 포함하고,
    상기 표시 패널은,
    제1 방향으로 마주하는 제1 면과 제2 면을 포함하는 기판;
    복수의 화소들이 배치되어 상기 제1 면으로 이미지를 표시하는 표시 화소 영역;
    상기 복수의 화소들이 배치되지 않는 투과 영역;
    상기 투과 영역을 둘러싸도록 배치된 복수의 더미 화소들이 위치하는 더미 화소 영역;
    상기 투과 영역의 둘레를 따라 연장되는 제1 곡선부를 포함하는 제1 배선;
    상기 더미 화소 영역에 위치하는 제1 더미 트랜지스터; 및
    상기 제1 더미 트랜지스터에 전기적으로 연결된 제1 화소 전극을 포함하고,
    상기 제1 화소 전극은 상기 제1 곡선부의 적어도 일부와 상기 제1 방향으로 중첩하는 전자 장치.
  14. 제13 항에서,
    상기 표시 패널은 상기 제1 화소 전극과 상기 제1 더미 트랜지스터를 연결하는 화소 전극 연결부를 더 포함하는 전자 장치.
  15. 제14 항에서,
    상기 표시 패널은 상기 제1 더미 트랜지스터에 전기적으로 연결된 제2 화소 전극을 더 포함하고,
    상기 제2 화소 전극은 상기 더미 화소 영역에 위치하는 전자 장치.
  16. 제15 항에서,
    상기 제1 화소 전극, 상기 제2 화소 전극 및 상기 화소 전극 연결부는 동일한 층에 위치하는 전자 장치.
  17. 제15 항에서,
    상기 표시 패널은 상기 제2 화소 전극 위에 위치하는 유기 발광층을 더 포함하는 전자 장치.
  18. 제13 항에서,
    상기 표시 패널은,
    상기 투과 영역의 둘레를 따라 연장되는 제2 곡선부를 포함하는 제2 배선; 및
    상기 더미 화소 영역에 위치하는 제2 더미 트랜지스터를 더 포함하고,
    상기 제2 곡선부의 적어도 일부는 상기 제2 더미 트랜지스터와 상기 제1 방향으로 중첩하는 전자 장치.
  19. 제13 항에서,
    상기 표시 패널은,
    상기 제1 화소 전극 위에 위치하는 제1 유기 발광층; 및
    상기 제1 유기 발광층 위에 위치하는 공통 전극을 더 포함하는 전자 장치.
  20. 제13 항에서,
    상기 표시 패널은,
    상기 표시 화소 영역을 둘러싸는 비표시 영역; 및
    상기 비표시 영역에 위치하는 제1 게이트 구동부 및 제2 게이트 구동부를 더 포함하는 전자 장치.
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