KR20190143385A - 배선 고정 구조 및 처리 장치 - Google Patents

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KR20190143385A
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히로토 나카오
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

금속 부재 또는 유전체 부재 위에 배선을 협피치로 배치하고 고정할 수 있는 기술을 제공한다. 본 개시의 일 태양에 의한 배선 고정 구조는, 금속면을 갖는 금속 부재와, 판 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍을 갖는 도체판을, 소정 간격을 두고 서로 평행하게 복수 배치한 배선과, 상기 관통 구멍에 감합 가능한 볼록부가 형성된 복수의 제 1 보지부와, 상기 복수의 제 1 보지부를 상기 소정 간격으로 접속하는 제 1 접속부와, 상기 제 1 접속부로부터 상기 제 1 보지부와 평행하게 연장되어 형성되며, 상기 금속면에 고정되는 다리부를 갖는 제 1 절연 부재와, 상기 복수의 제 1 보지부의 각각과 협동해서 상기 도체판을 협지하여 보지하는 복수의 제 2 보지부와, 상기 복수의 제 2 보지부를 상기 소정 간격으로 접속하는 제 2 접속부를 갖는 제 2 절연 부재를 구비하고, 상기 배선은 상기 제 1 절연 부재 및 상기 제 2 절연 부재에 의해 상기 금속면으로부터 이격되어 보지된다.

Description

배선 고정 구조 및 처리 장치{WIRING FIXING STRUCTURE AND PROCESSING APPARATUS}
본 개시는 배선 고정 구조 및 처리 장치에 관한 것이다.
종래, 금속 부재 위에 절연 부재를 개재하고 배선이 존재하는 구조가 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
일본 특허 공개 제 2011-029584 호 공보
본 개시는 금속 부재 또는 유전체 부재 위에 배선을 협피치로 배치하고 고정할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 태양에 의한 배선 고정 구조는, 금속면을 갖는 금속 부재와, 판 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍을 갖는 도체판을, 소정 간격을 두고 서로 평행하게 복수 배치한 배선과, 상기 관통 구멍에 감합(嵌合) 가능한 볼록부가 형성된 복수의 제 1 보지부와, 상기 복수의 제 1 보지부를 상기 소정 간격으로 접속하는 제 1 접속부와, 상기 제 1 접속부로부터 상기 제 1 보지부와 평행하게 연장되어 형성되며, 상기 금속면에 고정되는 다리부를 갖는 제 1 절연 부재와, 상기 복수의 제 1 보지부의 각각과 협동해서 상기 도체판을 협지하여 보지하는 복수의 제 2 보지부와, 상기 복수의 제 2 보지부를 상기 소정 간격으로 접속하는 제 2 접속부를 갖는 제 2 절연 부재를 구비하고, 상기 배선은 상기 제 1 절연 부재 및 상기 제 2 절연 부재에 의해 상기 금속면으로부터 이격되어 보지된다.
본 개시에 의하면, 금속 부재 또는 유전체 부재 위에 배선을 협피치로 배치하고 고정할 수 있다.
도 1은 배선 고정 구조의 구성예를 도시하는 사시도.
도 2는 도 1의 배선 고정 구조의 분해 사시도.
도 3은 도 1의 A-A선 단면도.
도 4는 배선 고정 구조의 다른 구성예를 도시하는 사시도.
도 5는 도 4의 배선 고정 구조의 분해 사시도.
도 6은 도 4의 B-B선 단면도.
도 7은 배선 고정 구조를 구비하는 처리 장치의 구성예를 도시하는 단면도.
도 8은 도 7의 처리 장치의 고주파 안테나의 구성예를 도시하는 평면도.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서, 본 개시의 한정적이지 않은 예시의 실시형태에 대해 설명한다. 첨부된 전체 도면 중, 동일 또는 대응하는 부재 또는 부품에 대해서는, 동일 또는 대응하는 참조 부호를 부여하고, 중복된 설명을 생략한다.
[배선 고정 구조]
본 개시의 실시형태에 따른 배선 고정 구조의 일 예에 대해 설명한다. 도 1은 배선 고정 구조의 구성예를 도시하는 사시도이다. 도 2는 도 1의 배선 고정 구조의 분해 사시도이다. 도 3은 도 1의 A-A선 단면도이다.
도 1 내지 도 3에 도시하는 바와 같이, 배선 고정 구조(100)는 금속 부재(1)와 배선(2)과 제 1 절연 부재(3)와 제 2 절연 부재(4)를 구비한다. 제 1 절연 부재(3) 및 제 2 절연 부재(4)는 협동하여 배선(2)을 보지하는 배선 보지구로서 기능한다.
금속 부재(1)는 배선 고정 구조(100)를 고정하는 고정면인 금속면(11)을 갖는다. 금속 부재(1)는, 예컨대 알루미늄, 알루미늄을 포함한 합금이어도 좋다.
배선(2)은 소정 간격(예컨대 10~15㎜)을 두고 서로 평행하게 배치된 복수(예컨대 9개)의 도체판(21)에 의해 형성되어 있다. 배선(2)은 제 1 절연 부재(3) 및 제 2 절연 부재(4)에 의해 금속면(11)으로부터 이격되어 보지된다. 각 도체판(21)의 주면(主面)은, 예컨대 금속면(11)과 직교한다. 각 도체판(21)은 판 두께 방향으로 관통하는 하나 또는 복수의 관통 구멍(22)을 갖는다. 도시의 예에서는, 각 도체판(21)에 2개의 관통 구멍(22)이 도체판(21)의 길이 방향을 따라서 형성되어 있다. 도체판(21)은, 예컨대 구리에 의해 형성되어 있다.
제 1 절연 부재(3)는, 예컨대 폴리에테르이미드 등의 탄성 부재에 의해 형성되어 있다. 제 1 절연 부재(3)는 복수의 제 1 보지부(31)와 제 1 접속부(32)와 다리부(33)를 갖는다.
제 1 보지부(31)는 대략 직사각형의 판 형상으로 형성된 부위이다. 제 1 보지부(31)의 일방의 면에는 관통 구멍(22)에 감합 가능한 볼록부(34)가 형성되어 있다. 볼록부(34)의 높이는, 예컨대 도체판(21)의 두께 이상인 것이 바람직하다.
제 1 접속부(32)는 복수의 제 1 보지부(31)를 소정 간격으로 접속하는 부위이다. 소정 간격은 배선(2)을 구성하는 복수의 도체판(21)의 배열 간격과 동일 또는 대략 동일한 간격이다. 제 1 접속부(32)는, 예컨대 복수의 제 1 보지부(31)가 배열되어 있는 방향을 길이 방향으로 하는 판 형상으로 형성되어 있다. 제 1 접속부(32)에는, 그 길이 방향을 따라서 소정 간격을 두고 판 두께 방향으로 관통하는 복수의 개구(35)가 형성되어 있다. 소정 간격은 배선(2)을 구성하는 복수의 도체판(21)의 배열 간격과 동일 또는 대략 동일한 간격이다. 복수의 개구(35)는, 후술하는 제 2 절연 부재(4)의 복수의 제 2 보지부(41)가 관통 삽입 가능한 크기로 형성되어 있다. 제 1 접속부(32)에는, 그 길이 방향의 양단에 볼트 등의 제 1 체결 부재(5)가 관통 삽입 가능한 관통 삽입 구멍(36)이 형성되어 있다.
다리부(33)는 금속면(11)에 고정되는 부위이다. 다리부(33)는 제 1 접속부(32)의 길이 방향의 양단에 있어서의 하면으로부터 제 1 보지부(31)와 평행하게 하방으로 연장되어 형성되어 있다. 다리부(33)에는, 볼트 등의 제 2 체결 부재(6)가 관통 삽입 가능한 관통 삽입 구멍(37)이 형성되어 있다. 금속면(11)에 제 2 체결 부재(6)에 의해 다리부(33)가 고정됨으로써, 도체판(21)은 금속면(11)으로부터 이격되어 보지된다.
제 2 절연 부재(4)는, 예컨대 폴리에테르이미드 등의 탄성 부재에 의해 형성되어 있다. 제 2 절연 부재(4)는 복수의 제 2 보지부(41)와 제 2 접속부(42)를 갖는다.
제 2 보지부(41)는 복수의 제 1 보지부(31)의 각각과 협동해서 복수의 도체판(21)을 협지하여 보지하는 부위이다. 일 실시형태에서는, 제 2 보지부(41)는, 제 1 접속부(32)에 형성된 개구(35)에 관통 삽입되는 것에 의해, 제 1 보지부(31)와의 사이에 도체판(21)을 협지하여 보지한다. 제 2 보지부(41)의 일방의 면에는 볼록부(34)의 선단과 접촉하는 위치에 오목부(43)가 형성되어 있다. 오목부(43)의 깊이는 도체판(21)의 두께 및 볼록부(34)의 높이에 따라서 정해지며, 예컨대 볼록부(34)를 도체판(21)의 관통 구멍(22)에 관통 삽입했을 때에 관통 구멍(22)으로부터 돌출하는 부분의 높이와 동일 또는 대략 동일한 깊이로 할 수 있다.
제 2 접속부(42)는 복수의 제 2 보지부(41)를 소정 간격으로 접속한다. 소정 간격은 배선(2)을 구성하는 복수의 도체판(21)의 배열 간격과 동일 또는 대략 동일한 간격이다. 제 2 접속부(42)는 인접한 제 2 보지부(41)의 일방과의 접속부로부터 타방과의 접속부를 향하여 단면 볼록 형상으로 굴곡하는 굴곡부(44)를 갖는다. 이에 의해, 제 2 보지부(41)를 개구(35)에 관통 삽입시킬 때, 제 2 보지부(41)가 제 2 접속부(42)의 길이 방향으로 탄성 변형하여 휘기 때문에, 제 1 절연 부재(3) 및 제 2 절연 부재(4)에 제작 공차가 있어도, 개구(35)에의 관통 삽입을 용이하게 실행할 수 있다.
이상에 설명한 배선 고정 구조(100)에 의하면, 제 1 절연 부재(3)(제 1 보지부(31))와 제 2 절연 부재(4)(제 2 보지부(41)) 사이에 도체판(21)을 끼우는 것에 의해, 복수의 도체판(21)을 소정 간격으로 보지한다. 이에 의해, 금속 부재(1) 위에 배선(2)을 협피치로 배치하고 고정할 수 있다. 또한, 한쌍의 절연 부재에 의한 끼움 구조이므로, 조립이 용이하고, 조립에 필요한 공수를 삭감할 수 있다.
또한, 배선 고정 구조(100)에 의하면, 배선(2)을 구성하는 도체판(21)은 판 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍(22)을 갖고, 제 1 절연 부재(3)는 관통 구멍(22)에 감합 가능한 볼록부(34)를 갖는다. 이에 의해, 도체판(21)을 고정할 때, 관통 구멍(22)에 볼록부(34)가 감합되므로, 도체판(21)이 어긋나는 것을 억제할 수 있다.
또한, 배선 고정 구조(100)에 의하면, 볼록부(34)의 높이는, 도체판(21)의 두께 이상이다. 이에 의해, 제 1 절연 부재(3)와 제 2 절연 부재(4)에 의해 도체판(21)을 협지하여 보지했을 때에 도체판(21)이 어긋나는 것을 억제할 수 있다.
또한, 배선 고정 구조(100)에 의하면, 제 2 절연 부재(4)는 탄성 부재에 의해 형성되어 있으며, 제 2 접속부(42)는 인접한 제 2 보지부(41)의 일방과의 접속부로부터 타방과의 접속부를 향하여 단면 볼록 형상으로 굴곡하는 굴곡부(44)를 갖는다. 이에 의해, 제 2 보지부(41)를 개구(35)에 관통 삽입시킬 때, 제 2 보지부(41)가 제 2 접속부(42)의 길이 방향으로 탄성 변형하여 휘기 때문에, 제 1 절연 부재(3) 및 제 2 절연 부재(4)에 제작 공차가 있어도, 개구(35)에의 관통 삽입을 용이하게 실행할 수 있다.
본 개시의 실시형태에 따른 배선 고정 구조의 다른 예에 대해 설명한다. 도 4는 배선 고정 구조의 다른 구성예를 도시하는 사시도이다. 도 5는 도 4의 배선 고정 구조의 분해 사시도이다. 도 6은 도 4의 B-B선 단면도이다.
도 4 내지 도 6에 도시하는 바와 같이, 배선 고정 구조(100A)는 판 형상으로 형성된 제 2 접속부(42A)를 갖는 제 2 절연 부재(4A)를 구비한다. 환언하면, 배선 고정 구조(100A)가 구비하는 제 2 접속부(42A)는 굴곡부(44)를 갖고 있지 않다. 또한, 그 이외의 점에 대해서는, 배선 고정 구조(100)와 마찬가지이다.
배선 고정 구조(100A)에 의하면, 제 1 절연 부재(3)(제 1 보지부(31))와 제 2 절연 부재(4A)(제 2 보지부(41)) 사이에 도체판(21)을 끼우는 것에 의해, 복수의 도체판(21)을 소정 간격으로 보지한다. 이에 의해, 금속 부재(1) 위에 배선(2)을 협피치로 배치하고 고정할 수 있다. 또한, 한쌍의 절연 부재에 의한 끼움 구조이므로, 조립이 용이하고, 조립에 필요한 공수를 삭감할 수 있다.
또한, 배선 고정 구조(100A)에 의하면, 배선(2)을 구성하는 도체판(21)은 판 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍(22)을 갖고, 제 1 절연 부재(3)는 관통 구멍(22)에 감합 가능한 볼록부(34)를 갖는다. 이에 의해, 도체판(21)을 고정할 때, 관통 구멍(22)에 볼록부(34)가 감합되므로, 도체판(21)이 어긋나는 것을 억제할 수 있다.
또한, 배선 고정 구조(100A)에 의하면, 볼록부(34)의 높이는 도체판(21)의 두께 이상이다. 이에 의해, 특히 제 1 절연 부재(3)와 제 2 절연 부재(4A)에 의해 도체판(21)을 협지하여 보지했을 때에 도체판(21)이 어긋나는 것을 특히 억제할 수 있다.
[처리 장치]
본 개시의 실시형태에 따른 배선 고정 구조(100, 100A)를 적용 가능한 처리 장치의 일 예에 대해 설명한다. 도 7은 배선 고정 구조를 구비하는 처리 장치의 구성예를 도시하는 단면도이다. 도 8은 도 7의 처리 장치의 고주파 안테나의 구성예를 도시하는 평면도이다.
도 7에 도시하는 처리 장치(200)는, 예컨대 액정 디스플레이, 유기 EL 디스플레이 등의 FPD(Flat Panel Display; 평판 디스플레이)용의 유리 기판(이하, 「기판(S)」이라 함)에 대해 플라즈마 처리를 실행하기 위한 진공 처리 장치이다.
처리 장치(200)는 도전성 재료에 의해 형성된 각통 형상의 기밀한 처리 용기(201)를 갖는다. 처리 용기(201)는 접지되어 있다. 처리 용기(201)는 처리 용기(201)와 절연되어 형성된 창 부재인 금속창(202)에 의해 상하로 안테나실(203) 및 처리실(204)로 구획되어 있다. 금속창(202)은, 일 실시형태에서는 처리실(204)의 천정벽을 구성한다. 금속창(202)은 지지 선반(205) 및 지지 비임(211) 위에 절연물(216)을 개재하고 탑재된다. 금속창(202)은, 예컨대 비자성체이며 도전성의 금속으로 구성된다. 비자성체이며 도전성의 금속으로서는, 예컨대 알루미늄, 알루미늄을 포함한 합금을 들 수 있다. 절연물(216)은, 예컨대 세라믹, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)이어도 좋다.
안테나실(203)의 측벽(203a)과 처리실(204)의 측벽(204a) 사이에는, 처리 용기(201)의 내측으로 돌출하는 지지 선반(205), 및 처리 가스 공급용의 샤워 하우징을 겸하는 십자 형상의 지지 비임(211)이 마련되어 있다. 지지 비임(211)이 샤워 하우징을 겸하는 경우에는, 지지 비임(211)의 내부에, 기판(S)의 표면에 대해 평행하게 연장되는 가스 유로(212)가 형성되며, 가스 유로(212)에는, 처리실(204) 내에 가스를 분출하는 복수의 가스 토출 구멍(212a)이 연통된다. 또한, 지지 비임(211)의 상부에는, 가스 유로(212)와 연통되도록 가스 공급관(220a)이 마련된다. 가스 공급관(220a)은 처리 용기(201)의 천정으로부터 그 외측으로 관통하여, 처리 가스 공급원 및 밸브 시스템 등을 포함하는 처리 가스 공급계(220)에 접속되어 있다. 따라서, 플라즈마 처리에 있어서는, 처리 가스 공급계(220)로부터 공급된 처리 가스가 가스 공급관(220a)을 거쳐서 지지 비임(211) 내에 공급되고, 가스 토출 구멍(212a)으로부터 처리실(204) 내로 토출된다. 지지 선반(205) 및 지지 비임(211)은 도전성 재료, 바람직하게는 알루미늄 등의 금속으로 구성된다.
안테나실(203) 내에는 금속창(202) 위에는, 금속창(202)에 면하도록 고주파 안테나(213)가 배설되어 있다. 고주파 안테나(213)는 금속창(202)으로부터 이격되어 있다. 플라즈마 처리 중, 제 1 고주파 전원(215)으로부터, 유도 전계 형성용의, 예컨대 주파수가 13.56㎒인 고주파 전력이 정합기(214)를 거쳐서 고주파 안테나(213)에 공급된다.
고주파 안테나(213)는, 도 8에 도시하는 바와 같이, 2개의 소용돌이 형상 안테나(213a, 213b)를 갖는다. 각 소용돌이 형상 안테나(213a, 213b)에는, 제 1 고주파 전원(215)으로부터의 고주파 전력이 정합기(214)를 거쳐서 공급된다. 각 소용돌이 형상 안테나(213a, 213b)의 종단에는 콘덴서(218)가 접속되며, 각 소용돌이 형상 안테나(213a, 213b)는 콘덴서(218)를 거쳐서 접지되어 있다. 이와 같이 고주파 전력이 공급된 고주파 안테나(213)에 의해, 처리실(204) 내에 유도 전계가 형성되고, 유도 전계에 의해 복수의 가스 토출 구멍(212a)으로부터 공급된 처리 가스가 플라즈마화 된다. 고주파 안테나(213)를 구성하는 소용돌이 형상 안테나(213a, 213b)를 금속창(202)으로부터 이격시켜 보지할 때, 전술한 배선 고정 구조(100, 100A)를 이용할 수 있다.
처리실(204) 내의 하방에는, 금속창(202)을 사이에 두고 고주파 안테나(213)와 대향하도록, 기판(S)을 탑재하기 위한 탑재대(223)가 마련되어 있다. 탑재대(223)는 도전성 재료, 예컨대 표면이 양극 산화 처리된 알루미늄으로 구성되어 있다. 탑재대(223)에 탑재된 기판(S)은 정전 척(도시하지 않음)에 의해 흡착 보지된다.
탑재대(223)는 절연체 프레임(224) 내에 수납되고, 중공의 지주(225)에 지지된다. 지주(225)는 처리 용기(201)의 바닥부를, 기밀 상태를 유지하면서 관통하여, 처리 용기(201) 외부에 배설된 승강 기구(도시하지 않음)에 지지되고, 기판(S)의 반입출 시에 승강 기구에 의해 탑재대(223)가 상하 방향으로 구동된다. 탑재대(223)를 수납하는 절연체 프레임(224)과 처리 용기(201)의 바닥부 사이에는, 지주(225)를 기밀하게 포위하는 벨로우즈(226)가 배설되어 있다. 이에 의해, 탑재대(223)의 상하 이동에 의해도 처리실(204) 내의 기밀성이 보증된다. 처리실(204)의 측벽(204a)에는, 기판(S)을 반입출하기 위한 반입출구(227a) 및 반입출구(227a)를 개폐하는 게이트 밸브(227)가 마련되어 있다.
탑재대(223)에는, 중공의 지주(225) 내에 마련된 급전선(225a)에 의해, 정합기(228)를 거쳐서 제 2 고주파 전원(229)이 접속되어 있다. 제 2 고주파 전원(229)은, 플라즈마 처리 중에, 바이어스용의 고주파 전력, 예컨대, 주파수가 3.2㎒인 고주파 전력을 탑재대(223)에 인가한다. 바이어스용의 고주파 전력에 의해, 처리실(204) 내에 생성된 플라즈마 중의 이온이 효과적으로 기판(S)에 인입된다.
탑재대(223) 내에는, 기판(S)의 온도를 제어하기 위해, 세라믹 히터 등의 가열 수단이나 냉매 유로 등으로 이루어진 온도 제어 기구와, 온도 센서가 마련되어 있다(모두 도시하지 않음). 이들 기구나 부재에 대한 배관이나 배선은 모두 중공의 지주(225)를 통해서 처리 용기(201) 외부로 도출된다.
처리실(204)의 바닥부에는, 배기관(231)을 거쳐서 진공 펌프 등을 포함하는 배기 장치(230)가 접속된다. 배기 장치(230)에 의해, 처리실(204)이 배기되며, 플라즈마 처리 중, 처리실(204) 내가 소정의 진공 분위기(예컨대 1.33㎩)로 설정, 유지된다.
처리 장치(200)는, 각 부(部)의 동작을 제어하는 제어부(250)를 갖는다. 제어부(250)는 CPU(Central Processing Unit; 중앙 처리 장치), ROM(Read Only Memory; 롬) 및 RAM(Random Access Memory; 램)을 갖는다. CPU는, RAM 등의 기억 영역에 격납된 레시피에 따라서, 소망의 처리를 실행한다. 레시피에는, 프로세스 조건에 대한 장치의 제어 정보가 설정되어 있다. 제어 정보는, 예컨대 가스 유량, 압력, 온도, 프로세스 시간이어도 좋다. 레시피 및 제어부(250)가 사용하는 프로그램은, 예컨대 하드 디스크, 반도체 메모리에 기억되어도 좋다. 레시피 등은 CD-ROM, DVD 등의 가반성의 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 수용된 상태에서 소정의 위치에 세트되고, 판독되도록 해도 좋다.
이상에 설명한 처리 장치(200)에 의하면, 제 1 절연 부재(3)(제 1 보지부(31))와 제 2 절연 부재(4, 4A)(제 2 보지부(41)) 사이에 도체판(21)을 끼우는 것에 의해, 복수의 도체판(21)을 소정 간격으로 보지하는 배선 고정 구조(100, 100A)를 구비한다. 이에 의해, 금속창(202) 위에 고주파 안테나(213)를 협피치로 배치하고 고정할 수 있으므로, 단위 면적 당의 권취 수를 증가시킬 수 있다.
또한, 상기의 처리 장치(200)에 대해서는 창 부재가 금속창(202)인 경우에 대해 설명했지만, 창 부재가 유전체창이어도 좋다. 고주파 안테나(213)를 직접 유전체창에 배치한 경우, 유전체창의 표면에서 연면 방전을 일으키는 경우가 있으며, 이와 같은 경우에는 상기의 배선 고정 구조(100, 100A)를 적용하는 것에 의해 연면 방전을 방지할 수 있다. 유전체창의 경우도, 금속창(202)의 경우와 마찬가지의 구조로 지지 비임(211)에 의해 지지할 수 있으며, 유전체창의 고정면에 배선 고정 구조(100, 100A)를 고정할 수 있다. 또한, 금속창(202)의 경우와 마찬가지로 제 1 절연 부재(3)의 다리부(33)를 직접 유전체창의 고정면에 볼트 등으로 고정해도 좋지만, 다른 부재를 거쳐서 간접적으로 고정해도 좋다. 유전체창의 재료는, 예컨대, 세라믹스나 석영으로 구성된다.
금회 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 여겨져야 한다. 상기의 실시형태는 첨부된 청구범위 및 그 취지를 일탈하는 일 없이, 여러 가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.
100: 배선 고정 구조 1: 금속 부재
11: 금속면 2: 배선
21: 도체판 3: 제 1 절연 부재
31: 제 1 보지부 32: 제 1 접속부
33: 다리부 34: 볼록부
4: 제 2 절연 부재 41: 제 2 보지부
42: 제 2 접속부

Claims (12)

  1. 금속면을 갖는 금속 부재와,
    판 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍을 갖는 도체판을, 소정 간격을 두고 서로 평행하게 복수 배치한 배선과,
    상기 관통 구멍에 감합(嵌合) 가능한 볼록부가 형성된 복수의 제 1 보지부와, 상기 복수의 제 1 보지부를 상기 소정 간격으로 접속하는 제 1 접속부와, 상기 제 1 접속부로부터 상기 제 1 보지부와 평행하게 연장되어 형성되며, 상기 금속면에 고정되는 다리부를 갖는 제 1 절연 부재와,
    상기 복수의 제 1 보지부의 각각과 협동해서 상기 도체판을 협지하여 보지하는 복수의 제 2 보지부와, 상기 복수의 제 2 보지부를 상기 소정 간격으로 접속하는 제 2 접속부를 갖는 제 2 절연 부재를 구비하고,
    상기 배선은 상기 제 1 절연 부재 및 상기 제 2 절연 부재에 의해 상기 금속면으로부터 이격되어 보지되는
    배선 고정 구조.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 접속부는 판 형상으로 형성되며, 판 두께 방향으로 관통하는 복수의 개구를 갖고,
    상기 복수의 개구의 각각에 상기 복수의 제 2 보지부의 각각이 관통 삽입되는 것에 의해, 상기 도체판이 협지되는
    배선 고정 구조.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 도체판의 주면(主面)은 상기 금속면과 직교하는
    배선 고정 구조.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 볼록부의 높이는 상기 도체판의 두께 이상인
    배선 고정 구조.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 보지부에는, 상기 볼록부와 접촉하는 위치에 오목부가 형성되어 있는
    배선 고정 구조.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 접속부는, 인접한 상기 제 2 보지부의 일방과의 접속부로부터 타방과의 접속부를 향하여 단면 볼록 형상으로 굴곡하는 굴곡부를 갖는
    배선 고정 구조.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 절연 부재는 탄성 부재에 의해 형성되어 있는
    배선 고정 구조.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 탄성 부재는 폴리에테르이미드인
    배선 고정 구조.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 금속 부재는 기판을 수용하고 처리를 실시하는 처리 용기의 천정벽을 형성하는
    배선 고정 구조.
  10. 고정면을 갖는 창 부재를 포함하는 처리 용기와,
    판 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍을 갖는 도체판을, 소정 간격을 두고 서로 평행하게 복수 배치한 배선과,
    상기 관통 구멍에 감합 가능한 볼록부가 형성된 복수의 제 1 보지부와, 상기 복수의 제 1 보지부를 상기 소정 간격으로 접속하는 제 1 접속부와, 상기 제 1 접속부로부터 상기 제 1 보지부와 평행하게 연장되어 형성되며, 상기 고정면에 고정되는 다리부를 갖는 제 1 절연 부재와,
    상기 복수의 제 1 보지부의 각각과 협동해서 상기 도체판을 협지하여 보지하는 복수의 제 2 보지부와, 상기 복수의 제 2 보지부를 상기 소정 간격으로 접속하는 제 2 접속부를 갖는 제 2 절연 부재를 구비하고,
    상기 배선은 상기 제 1 절연 부재 및 상기 제 2 절연 부재에 의해 상기 고정면으로부터 이격되어 보지되는
    처리 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 창 부재는 금속창인
    처리 장치.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 창 부재는 유전체창인
    처리 장치.
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