KR20190133113A - 감광성 수지 조성물, 그 경화물 및 그 경화물을 포함하는 표시 장치 - Google Patents

감광성 수지 조성물, 그 경화물 및 그 경화물을 포함하는 표시 장치 Download PDF

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KR20190133113A
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acid
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마사시 니이나
치하루 이모토
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닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤
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Abstract

(과제) 어떠한 도포 프로세스에 대해서도 도포 불균일 및 스트리에이션의 발생이 억제되어 균일한 박막을 형성할 수 있는 감광성 수지 조성물, 그 경화물 및 상기 경화물을 포함하는 표시 장치를 제공하는 것.
(해결 수단) (A) 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지와, (B) 적어도 2개의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 광 중합성 모노머와, (C) 에폭시 화합물과, (D) 광 중합개시제와, (E) 계면활성제와, (F) 3종 이상의 용제를 포함하는 감광성 수지 조성물로서, (F)성분은 20℃에 있어서의 증기압이 100Pa 미만이며, 비점이 200℃ 미만인 제 1 용제와, 증기압이 100Pa 이상이며, 비점이 120℃ 이상인 제 2 용제와, PGMEA인 제 3 용제를 포함하고, 감광성 수지 조성물의 표면 장력을 σ, 감광성 수지 조성물로부터 (E)성분을 제외한 감광성 수지 조성물의 표면 장력을 σ0라고 했을 경우, 0.85≤σ/σ0≤1인 감광성 수지 조성물.

Description

감광성 수지 조성물, 그 경화물 및 그 경화물을 포함하는 표시 장치{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, CURED MATERIALS THEREOF, AND DISPLAY DEVICES WITH THEM}
본 발명은 감광성 수지 조성물, 그 경화물 및 상기 경화물을 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
기판 상에 감광성 수지 조성물의 도막을 형성(성막)할 때에는 스핀 코터, 슬릿＆스핀 코터, 슬릿 코터, 롤 코터, 바 코터 등의 도포 장치가 사용되는 경우가 있다. 그러나, 최근의 액정 패널의 대형화가 진행됨에 따라 상기 방법에서는 도포 불균일이나 스트리에이션의 발생 등의 문제가 발생되고 있었다. 이 문제에 대응하기 위해 감광성 수지 조성물의 점도를 낮추고, 스핀 코터 등의 회전수를 낮춤으로써 도포 불균일 등의 경감을 도모해 왔지만 고품질의 도막이 얻어지는 대신에 생산성이 나빠진다는 문제가 발생되고 있다. 또한, 컬러 필터 제조 시에 2층째 이후의 성막을 할 때에 패턴 형성되어 요철이 있는 기판 상에 성막하는 경우, 스핀 코터로 도포하면 형성된 요철을 계기로 해서 도포면 상에 방사선 형상의 줄무늬가 생긴다는 스트리에이션이라는 도포 불량이 일어나버리는 경우가 있다. 그래서, 이들의 문제를 해소하기 위해서 도포 불균일이나 스트리에이션의 발생을 억제하기 위한 감광성 수지 조성물이 개시되어 있다.
예를 들면, 특허문헌 1에는 스핀레스 코터 등의 액 절약 코터를 사용했을 때에도 헤이즈 불균일이 없는 도막 표면이 양호한 도포성을 갖는 특정 구조를 갖는 화합물을 포함하는 혼합 용제를 사용하는 것을 특징으로 하는 착색 감광성 수지 조성물이 개시되어 있다. 또한, 특허문헌 2에는 서로 다른 용제를 2종류 이상 사용함으로써 스트리에이션의 발생을 억제하는 감광성 수지 조성물이 개시되어 있다.
일본특허공개 2004-126549호 공보 일본특허공개 2010-152336호 공보
그러나, 특허문헌 1에는 계면활성제에 의해 착색 감광성 수지 조성물의 표면 장력을 조정함으로써 헤이즈 불균일의 발생을 억제하는 것은 기재되어 있지만, 스트리에이션이 개선되는지의 여부는 기재되어 있지 않다. 또한, 특허문헌 2에 개시되어 있는 감광성 수지 조성물에는 서로 다른 2종류의 용제를 감광성 수지 조성물에 사용함으로써 스트리에이션의 발생을 억제하는 것은 기재되어 있지만, 도포 불균일이 개선되어 있는지의 여부는 기재되어 있지 않다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것이며, 도포 불균일 및 스트리에이션의 발생이 억제되어 균일한 박막을 형성할 수 있는 감광성 수지 조성물, 그 경화물 및 상기 경화물을 포함하는 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 의한 감광성 수지 조성물은,
(A) 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지와,
(B) 적어도 2개의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 광 중합성 모노머와,
(C) 에폭시 화합물과,
(D) 광 중합개시제와,
(E) 계면활성제와,
(F) 3종 이상의 용제를 포함하는 감광성 수지 조성물로서, 상기 (F)성분은 20℃에 있어서의 증기압이 100Pa 미만이며, 또한 비점이 200℃ 미만인 제 1 용제를 전체 (F)성분 중 10~30% 포함하고, 20℃에 있어서의 증기압이 100Pa 이상이며, 또한 비점이 120℃ 이상인 제 2 용제(단, 제 2 용제는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 이외의 용제임)를 전체 (F)성분 중 20~60% 포함하고, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트인 제 3 용제를 전체 (F)성분 중 10~60% 포함하고, 상기 감광성 수지 조성물의 표면 장력을 σ, 상기 감광성 수지 조성물로부터 상기 (E)성분을 제외한 감광성 수지 조성물의 표면 장력을 σO라고 했을 때, 0.85≤σ/σ0≤1이다.
본 발명에 의한 경화물은 상기 감광성 수지 조성물로 구성된다.
본 발명에 의한 표시 장치는 상기 경화물을 구성요소로서 포함한다.
(발명의 효과)
본 발명에 의하면 도포 불균일 및 스트리에이션의 발생이 억제되어 균일한 박막을 형성할 수 있는 감광성 수지 조성물, 그 경화물 및 상기 경화물을 포함하는 표시 장치를 제공할 수 있다.
이하 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
((A)성분)
감광성 수지 조성물 중의 (A)성분인 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지는 분자 내에 중합성 불포화기와 산성기를 갖는 수지이면 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. 여기서, 중합성 불포화기의 대표적인 예로서는 아크릴기 또는 메타크릴기가 있고, 산성기의 대표적인 예로서는 카르복실기가 있다.
이 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지의 바람직한 중량 평균 분자량(Mw)과 산가의 범위는 수지의 골격에 따라 다르지만, 통상 Mw는 2000~50000이며, 산가는 30~120mgKOH/g인 것이 바람직하다. Mw가 2000 미만인 경우에는 알칼리 현상 시의 패턴의 밀착성이 저하할 우려가 있고, Mw가 50000을 초과하는 경우에는 현상성이 현저히 저하하여 적정한 현상 시간의 감광성 수지 조성물을 얻을 수 없게 될 우려가 있다. 또한, 산가의 값이 30보다 작은 경우에는 알칼리 현상 시에 잔사가 남기 쉬워지고, 산가의 값이 120보다 커지는 경우에는 알칼리 현상액의 침투가 지나치게 빨라져 소망하는 용해 현상이 이루어지지 않고 박리 현상이 일어나버리므로 모두 바람직하지 않다. 또한, Mw가 2000~25000인 것, 산가는 40~110mgKOH/g인 것이 보다 바람직하다. 또한, (A)성분의 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지는 1종류만을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.
바람직하게 적용할 수 있는 (A)성분의 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지의 제 1 예에는 에폭시기를 2개 이상 갖는 화합물과 (메타)아크릴산(이것은 「아크릴산 및/또는 메타크릴산」의 의미임)을 반응시키고, 얻어진 히드록시기를 갖는 에폭시(메타)아크릴레이트 화합물에 (a) 디카르복실산 또는 트리카르복실산의 산 1무수물 및/또는 (b) 테트라카르복실산 2무수물을 반응시켜서 얻어지는 에폭시(메타)아크릴레이트산 부가물이다. 에폭시(메타)아크릴레이트산 부가물로 유도되는 에폭시기를 2개 이상 갖는 화합물로서는 비스페놀형 에폭시 화합물이나 노볼락형 에폭시 화합물이 포함된다.
비스페놀형 에폭시 화합물은 비스페놀류와 에피클로로히드린을 반응시켜서 얻어지는 2개의 글리시딜에테르기를 갖는 에폭시 화합물이다. 이 반응 시에는 일반적으로 디글리시딜에테르 화합물의 올리고머화를 수반하기 때문에 비스페놀 골격을 2개 이상 포함하는 에폭시 화합물을 포함하고 있다. 이 반응에 사용되는 비스페놀류의 예에는 비스(4-히드록시페닐)케톤, 비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)케톤, 비스(4-히드록시-3,5-디클로로페닐)케톤, 비스(4-히드록시페닐)술폰, 비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)술폰, 비스(4-히드록시-3,5-디클로로페닐)술폰, 비스(4-히드록시페닐)헥사플루오로프로판, 비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)헥사플루오로프로판, 비스(4-히드록시-3,5-디클로로페닐)헥사플루오로프로판, 비스(4-히드록시페닐)디메틸실란, 비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)디메틸실란, 비스(4-히드록시-3,5-디클로로페닐)디메틸실란, 비스(4-히드록시페닐)메탄, 비스(4-히드록시-3,5-디클로로페닐)메탄, 비스(4-히드록시-3,5-디브로모페닐)메탄, 2,2-비스(4-히드록시페닐)프로판, 2,2-비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)프로판, 2,2-비스(4-히드록시-3,5-디클로로페닐)프로판, 2,2-비스(4-히드록시-3-메틸페닐)프로판, 2,2-비스(4-히드록시-3-클로로페닐)프로판, 비스(4-히드록시페닐)에테르, 비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)에테르, 비스(4-히드록시-3,5-디클로로페닐)에테르, 9,9-비스(4-히드록시페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-히드록시-3-메틸페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-히드록시-3-클로로페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-히드록시-3-브로모페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-히드록시-3-플루오로페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-히드록시-3-메톡시페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-히드록시-3,5-디클로로페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-히드록시-3,5-디브로모페닐)플루오렌, 4,4'-비페놀, 3,3'-비페놀 등이 포함된다. 이 중에서도 플루오렌-9,9-디일기를 갖는 비스페놀류가 특히 바람직하다.
에폭시(메타)아크릴레이트에 반응시키는 (a) 디카르복실산 또는 트리카르복실산의 산 1무수물로서는 쇄식 탄화수소 디카르복실산 또는 트리카르복실산의 산 1무수물, 지환식 디카르복실산 또는 트리카르복실산의 산 1무수물, 방향족 디카르복실산 또는 트리카르복실산의 산 1무수물 등이 사용된다. 여기서, 쇄식 탄화수소 디카르복실산 또는 트리카르복실산의 산 1무수물의 예에는 숙신산, 아세틸숙신산, 말레산, 아디프산, 이타콘산, 아젤라산, 시트라말산, 말론산, 글루타르산, 시트르산, 주석산, 옥소글루타르산, 피멜산, 세바스산, 수베르산, 디글리콜산 등의 산 1무수물이 포함된다. 또한, 임의의 치환기가 도입된 디카르복실산 또는 트리카르복실산의 산 1무수물 등이 포함된다. 또한, 지환식 디카르복실산 또는 트리카르복실산의 산 1무수물의 예에는 시클로부탄디카르복실산, 시클로펜탄디카르복실산, 헥사히드로프탈산, 테트라히드로프탈산, 노르보르난디카르복실산 등의 산 1무수물이 포함된다. 또한, 임의의 치환기가 도입된 디카르복실산 또는 트리카르복실산의 산 1무수물 등도 포함된다. 또한, 방향족 디카르복실산 또는 트리카르복실산의 산 1무수물의 예에는 프탈산, 이소프탈산, 트리멜리트산 등의 산 1무수물이 포함된다. 또한, 임의의 치환기가 도입된 디카르복실산 또는 트리카르복실산의 산 1무수물이 포함된다.
또한, 에폭시(메타)아크릴레이트에 반응시키는 (b) 테트라카르복실산의 산 2무수물로서는 쇄식 탄화수소 테트라카르복실산의 산 2무수물, 지환식 테트라카르복실산의 산 2무수물 또는 방향족 테트라카르복실산의 산 2무수물이 사용된다. 여기서, 쇄식 탄화수소 테트라카르복실산의 산 2무수물의 예에는 부탄테트라카르복실산, 펜탄테트라카르복실산, 헥산테트라카르복실산 등의 산 2무수물이 포함되고, 또한, 임의의 치환기가 도입된 테트라카르복실산의 산 2무수물이 포함된다. 또한, 지환식 테트라카르복실산의 산 2무수물의 예에는 시클로부탄테트라카르복실산, 시클로펜탄테트라카르복실산, 시클로헥산테트라카르복실산, 시클로헵탄테트라카르복실산, 노르보르난테트라카르복실산 등의 산 2무수물이 포함되고, 또한 임의의 치환기가 도입된 테트라카르복실산의 산 2무수물이 포함된다. 또한, 방향족 테트라카르복실산의 산 2무수물의 예에는 피로멜리트산, 벤조페논테트라카르복실산, 비페닐테트라카르복실산, 비페닐에테르테트라카르복실산 등의 산 2무수물이 포함되고, 또한 임의의 치환기가 도입된 테트라카르복실산의 산 2무수물이 포함된다.
에폭시(메타)아크릴레이트에 반응시키는 (a) 디카르복실산 또는 트리카르복실산의 산 무수물과 (b) 테트라카르복실산의 산 2무수물의 몰비 (a)/(b)는 0.01~10.0인 것이 바람직하고, 0.02 이상 3.0 미만인 것이 보다 바람직하다. 몰비 (a)/(b)가 상기 범위를 일탈하면 양호한 광 패터닝성을 갖는 감광성 수지 조성물로 하기 위한 최적 분자량이 얻어지지 않기 때문에 바람직하지 않다. 또한, 몰비 (a)/(b)가 작을수록 분자량은 커지고, 알칼리 용해성은 저하하는 경향이 있다.
에폭시(메타)아크릴레이트 산 부가물은 기지의 방법, 예를 들면 일본특허공개 평8-278629호 공보나 일본특허공개 2008-9401호 공보 등에 기재된 방법에 의해 제조할 수 있다. 우선, 에폭시 화합물에 (메타)아크릴산을 반응시키는 방법의 예에는 에폭시 화합물의 에폭시기와 등몰의 (메타)아크릴산을 용제 중에 첨가하고, 촉매(트리에틸벤질암모늄클로라이드, 2,6-디이소부틸페놀 등)의 존재 하, 공기를 불어넣으면서 90~120℃로 가열·교반해서 반응시키는 방법이 있다. 이어서, 반응 생성물인 에폭시아크릴레이트 화합물의 수산기에 산 무수물을 반응시키는 방법의 예에는 에폭시아크릴레이트 화합물과 산 2무수물 및 산 1무수물의 소정량을 용제 중에 첨가하고, 촉매(브롬화테트라에틸암모늄, 트리페닐포스핀 등)의 존재 하, 90~130℃에서 가열·교반해서 반응시키는 방법이 있다. 이 방법에서 얻어진 에폭시아크릴레이트 산 부가물은 일반식(1)의 골격을 갖는다.
Figure pat00001
[식(1) 중 R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1~5개의 알킬기, 할로겐 원자 또는 페닐기를 나타내고, R5는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, A는 -CO-, -SO2-, -C(CF3)2-, -Si(CH3)2-, -CH2-, -C(CH3)2-, -O-, 플루오렌-9,9-디일기 또는 직결합을 나타내고, X는 4가의 카르복실산 잔기를 나타내고, Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 -OC-Z-(COOH)m(단, Z는 2가 또는 3가 카르복실산 잔기를 나타내고, m은 1 또는 2의 수를 나타냄)을 나타내고, n은 1~20의 정수를 나타낸다]
(A)성분인 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지로서 바람직한 수지의 다른 예에는 (메타)아크릴산, (메타)아크릴산에스테르 등의 공중합체이며 (메타)아크릴기와 카르복실기를 갖는 수지가 포함된다. 상기 수지는 예를 들면, 제 1 스텝으로서 글리시딜(메타)아크릴레이트를 포함하는 (메타)아크릴산에스테르류를 용제 중에서 공중합시켜 얻어진 공중합체에 제 2 스텝으로서 (메타)아크릴산을 반응시키고, 제 3 스텝에서 디카르복실산 또는 트리카르복실산의 무수물을 반응시켜서 얻어지는 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지이다. 이들 공중합체 중에서도 바람직하게 사용할 수 있는 예에 대해서는 일본특허출원 2017-33662에 구체적으로 나타내어져 있는 것을 참고로 할 수 있다. 이러한 (메타)아크릴기와 카르복실기를 갖는 수지(공중합체)를 얻기 위한 다른 방법으로서는 제 1 스텝으로서 (메타)아크릴산, (메타)아크릴산에스테르를 용제 중에서 공합시켜서 얻어진 공중합체에 제 2 스텝으로서 글리시딜(메타)아크릴레이트를 반응시키고, 제 3 스텝에서 디카르복실산 또는 트리카르복실산의 무수물을 반응시킨다는 방법으로도 가능하다.
또 하나의 다른 예에는 제 1 성분으로서 분자 중에 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 폴리올 화합물과, 제 2 성분으로서 분자 중에 카르복실기를 갖는 디올 화합물과 제 3 성분으로서 디이소시아네이트 화합물을 반응시켜서 얻어지는 우레탄 화합물이 포함된다. 이 계통의 수지로서는 일본특허공개 2017-76071호 공보에 나타내어져 있는 것을 참고로 할 수 있다.
((B)성분)
(B)성분에 있어서의 적어도 2개의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 광 중합성 모노머의 예에는 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 테트라메틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 글리세롤디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 트리메틸올에탄트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨디(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 글리세롤트리(메타)아크릴레이트, 소르비톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 소르비톨헥사(메타)아크릴레이트, 포스파젠의 알킬렌옥사이드 변성 헥사(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴산에스테르류, 에틸렌성 이중결합을 갖는 화합물로서 (메타)아크릴기를 갖는 수지(樹枝)상 폴리머 등이 포함된다. 이들의 모노머의 1종류만을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다. 또한, 상기 적어도 2개의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 광 중합성 모노머는 함유 알칼리 가용성 수지의 분자끼리를 가교하는 역할을 할 수 있는 것이며, 이 기능을 발휘시키기 위해서는 광 중합성기를 3개 이상 갖는 것을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 모노머의 분자량을 1분자 중의 (메타)아크릴기의 수로 나눈 아크릴 당량이 50~300인 것이 바람직하고, 아크릴 당량은 80~200인 것이 보다 바람직하다. 또한, (B)성분은 유리의 카르복시기를 갖지 않는다.
(B)성분으로서 조성물에 포함시킬 수 있는 에틸렌성 이중결합을 갖는 화합물로서 (메타)아크릴기를 갖는 수지상 폴리머의 예에는 다관능 (메타)아크릴레이트 화합물의 (메타)아크릴레이트기 중의 탄소-탄소 이중결합의 일부에 다가 메르캅토 화합물을 부가해서 얻어지는 수지상 폴리머를 예시할 수 있다. 구체적으로는 일반식(2)의 다관능 (메타)아크릴레이트 화합물의 (메타)아크릴레이트와 일반식(3)의 다가 메르캅토 화합물을 반응시켜서 얻어지는 수지상 폴리머 등이 포함된다.
Figure pat00002
여기서, R6은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R7은 R8(OH)k의 k개의 히드록실기 내 l개의 히드록실기를 식 중의 에스테르 결합에 공여한 나머지 부분을 나타내고, 바람직한 R8(OH)k로서는 탄소수 2~8개의 비방향족의 직쇄 또는 분지쇄의 탄화수소 골격에 의거하는 다가 알코올이거나, 상기 다가 알코올의 복수 분자가 알코올의 탈수 축합에 의해 에테르 결합을 통해 연결되어서 이루어지는 다가 알코올 에테르이거나, 또는 이들의 다가 알코올 또는 다가 알코올 에테르와 히드록시산의 에스테르이다. k 및 l은 독립적으로 2~20의 정수를 나타내지만, k≥l이다.
Figure pat00003
여기서, R9는 단결합 또는 2~6가의 C1~C6의 탄화수소기이며, m은 R9가 단결합일 때는 2이며, R9가 2~6가의 기일 때는 2~6의 정수를 나타낸다.
일반식(2)으로 나타내어지는 다관능 (메타)아크릴레이트 화합물의 구체예에는 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 에틸렌옥사이드 변성 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨디(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴산에스테르가 포함된다. 이들의 화합물은 그 1종만을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.
일반식(3)으로 나타내어지는 다가 메르캅토 화합물의 구체예에는 트리메틸올프로판트리(메르캅토아세테이트), 트리메틸올프로판트리(메르캅토프로피오네이트), 펜타에리스리톨테트라(메르캅토아세테이트), 펜타에리스리톨트리(메르캅토아세테이트), 펜타에리스리톨테트라(메르캅토프로피오네이트), 디펜타에리스리톨헥사(메르캅토아세테이트), 디펜타에리스리톨헥사(메르캅토프로피오네이트) 등이 포함된다. 이들의 화합물은 그 1종만을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.
((C)성분)
(C) 에폭시 화합물의 예에는 비스페놀 A형 에폭시 화합물, 비스페놀 F형 에폭시 화합물, 비스페놀 플루오렌형 에폭시 화합물, 페놀 노볼락형 에폭시 화합물, 크레졸 노볼락형 에폭시 화합물, 페놀아랄킬형 에폭시 화합물, 나프탈렌 골격을 포함하는 페놀 노볼락 화합물(예를 들면, Nippon Kayaku Co., Ltd.제 「NC-7000L」), 나프톨 아랄킬형 에폭시 화합물, 트리스페놀메탄형 에폭시 화합물, 테트라키스페놀에탄형 에폭시 화합물, 다가 알코올의 글리시딜에테르, 다가 카르복실산의 글리시딜에스테르, 메타크릴산과 메타크릴산글리시딜의 공중합체로 대표되는 (메타)아크릴산글리시딜을 유닛으로서 포함하는 (메타)아크릴기를 갖는 모노머의 공중합체, 3',4'-에폭시시클로헥실메틸3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트로 대표되는 지환식 에폭시 화합물, 디시클로펜타디엔 골격을 갖는 다관능 에폭시 화합물(예를 들면, DIC제 「HP-7200 시리즈」), 2,2-비스(히드록시메틸)-1-부탄올의 1,2-에폭시-4-(2-옥시라닐)시클로헥산 부가물(예를 들면, Daicel Corporation제 「EHPE3150」), 에폭시화 폴리부타디엔(예를 들면, NIPPON SODA CO., LTD.제 「NISSO-PB·JP-100」), 실리콘 골격을 갖는 에폭시 화합물 등이 포함된다. 이들 성분으로서는 에폭시 당량이 50~500g/eq인 화합물이 바람직하다. 또한, 1분자 중에 에폭시기를 2개 이상 갖는 에폭시 화합물을 사용하는 것이 보다 바람직하다. 또한, (C)성분은 1종만을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.
((D)성분)
(D) 광 중합개시제의 예에는 아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, p-디메틸아세토페논, p-디메틸아미노프로피오페논, 디클로로아세토페논, 트리클로로아세토페논, p-tert-부틸아세토페논 등의 아세토페논류; 벤조페논, 2-클로로벤조페논, p, p'-비스디메틸아미노벤조페논 등의 벤조페논류; 벤질, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르 등의 벤조인에테르류; 2-메틸-1 [4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄온-1 등의 α-아미노알킬페논류; 2-(o-클로로페닐)-4,5-페닐비이미다졸, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디(m-메톡시페닐)비이미다졸, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐비이미다졸, 2-(o-메톡시페닐)-4,5-디페닐비이미다졸, 2,4,5-트리아릴비이미다졸 등의 비이미다졸계 화합물류; 2-트리클로로메틸-5-스티릴-1,3,4-옥사디아졸, 2-트리클로로메틸-5-(p-시아노스티릴)-1,3,4-옥사디아졸, 2-트리클로로메틸-5-(p-메톡시스티릴)-1,3,4-옥사디아졸 등의 할로메틸티아졸 화합물류; 2,4,6-트리스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-메틸-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-페닐-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-클로로페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-메톡시나프틸)-4,6-비스(트리클로로R메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(3,4,5-트리메톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-메틸티오스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진 등의 할로메틸-S-트리아진계 화합물류; 1,2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)페닐]-, 2-(O-벤조일옥심), 1-(4-페닐술파닐페닐)부탄-1,2-디온-2-옥심-O-벤조에이트, 1-(4-메틸술파닐페닐)부탄-1,2-디온-2-옥심-O-아세테이트, 1-(4-메틸술파닐페닐)부탄-1-온 옥심-O-아세테이트 등의 O-아실옥심계 화합물류; 벤질디메틸케탈, 티옥산톤, 2-클로로티옥산톤, 2,4-디에틸티옥산톤, 2-메칠티옥산톤, 2-이소프로필티옥산톤 등의 황 화합물; 2-에틸안트라퀴논, 옥타메틸안트라퀴논, 1,2-벤즈안트라퀴논, 2,3-디페닐안트라퀴논 등의 안트라퀴논류; 아조비스이소부틸니트릴, 벤조일퍼옥사이드, 쿠멘퍼옥시드 등의 유기 과산화물, 2-메르캅토벤조이미다졸, 2-메르캅토벤조옥사졸, 2-메르캅토벤조티아졸 등의 티올 화합물;트리에탄올아민, 트리에틸아민 등의 제 3 급 아민 등이 포함된다. 이 중에서도 특히 착색제를 포함하는 감광성 수지 조성물로 하는 경우는 O-아실옥심계 화합물류(케토옥심을 포함함)가 바람직하다. 또한, 이들 광 중합개시제를 1종만을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다. 또한, 본 발명에서 말하는 「광 중합개시제」란 증감제를 포함하는 의미로 사용된다.
((E)성분)
(E)성분의 계면활성제로서는 실리콘계, 불소계 등의 공지의 계면활성제를 특별히 한정 없이 사용할 수 있다. 실리콘계 계면활성제의 예에는 측쇄 변성 폴리디메틸실록산, 양말단 변성 폴리디메틸실록산, 편말단 변성 폴리디메틸실록산, 측쇄 양말단 변성 폴리디메틸실록산 등이 포함된다. 불소계 계면활성제로서는 퍼플루오로알킬술폰산 화합물, 퍼플루오로알킬카르복실산 화합물, 퍼플루오로알킬인산에스테르 화합물, 퍼플루오로알킬에틸렌옥사이드 부가물 및 퍼플루오로알킬에테르기를 측쇄에 갖는 폴리옥시알킬렌에테르 폴리머 화합물 등이 포함된다. 또한, 이들 계면활성제를 1종만을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다. 계면활성제의 첨가량은 후에 상세히 설명하는 바와 같이 감광성 수지 조성물의 표면 장력을 측정하면서 결정하게 되지만, 그 첨가량 범위로서는 감광성 수지 조성물 중 0.001~0.1질량%이며, 계면활성제의 종류에 따라서도 첨가량의 범위는 다르고, 실리콘계 계면활성제의 경우에는 0.001~0.005질량%, 불소계 계면활성제이면 0.01~0.1질량%의 범위가 되는 경우가 통상이다.
((F)성분)
감광성 수지 조성물 중의 (F)성분인 용제는 제 1 용제, 제 2 용제 및 제 3 용제로 구성된다. 제 1 용매는 20℃에 있어서의 증기압이 100Pa 미만이며, 또한 비점이 200℃ 미만인 용제로부터 선택될 수 있다. 제 2 용제는 20℃에 있어서의 증기압이 100Pa 이상이며, 또한 비점이 120℃ 이상인 용제로부터 선택될 수 있다(단, 제 2 용제는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 이외의 용제임). 제 3 용제는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트이다.
제 1 용제의 예에는 에틸렌글리콜(EG), 프로필렌글리콜(PG), 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르(EDM), 3-메톡시-3메틸-1-부틸아세테이트(MMBA), 3-메톡시-3-메틸-1-부탄올(MMB), 프로필렌글리콜디아세테이트(PGDA), 디프로필렌글리콜모노메틸에테르(DPM), 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르(DEDG) 등이 포함된다. 제 2 용제의 예에는 크실렌, 셀로솔브, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 시클로헥산온(ANON), 3-메톡시프로피온산메틸(MMP), 3-메톡시부틸아세테이트(MBA), 1-메톡시-2-프로판올(PGME), 1-에톡시-2-프로판올, 아세트산부틸, 셀로솔브아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르(MDM), 3-에톡시프로피온산에틸(EEP), 락트산에틸(EL), 디아세톤알코올(DAA) 등이 포함된다. 또한, 본원 발명에 있어서는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)는 제 2 용제로서는 취급하지 않는다.
이들 중 제 1 용제는 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르(EDM), 3-메톡시-3메틸-1-부틸아세테이트(MMBA), 및 프로필렌글리콜디아세테이트(PGDA)가 바람직하다. 또한, 본원 발명의 감광성 수지 조성물을 예를 들면, 컬러 필터의 RGB의 화소를 형성한 후에 도포하는 경우에는 RGB 화소에 침투하기 쉬운 용제의 사용을 피하는 쪽이 바람직하다. 그 경우에는 제 1 용제로서 3-메톡시-3메틸-1-부틸아세테이트(MMBA),및 프로필렌글리콜디아세테이트(PGDA)가 바람직하다. 또한, 제 2 용제는 시클로헥산온(ANON), 3-메톡시프로피온산메틸(MMP), 3-메톡시부틸아세테이트(MBA), 및 1-메톡시-2-프로판올(PGME)이 바람직하다.
이들의 용매의 비점 및 20℃에 있어서의 증기압을 표 1에 나타낸다.
Figure pat00004
감광성 수지 조성물 중의 (F)성분인 용제는 제 1 용제~제 3 용제의 합계량이 (F)성분 중 90질량% 이상 포함되는 것이 바람직하지만, 제 1 용제~제 3 용제와 균일하게 혼합할 수 있는 용제이면 제 1 용제~제 3 용제 이외의 용제를 특별히 제한 없이 포함시킬 수 있다. 그들 용제로서는 예를 들면, 알코올류, 테르펜류, 케톤류, 방향족 탄화수소류, 글리콜에테르류 아세트산에스테르류 등이 포함된다.
비점이 높고, 증기압이 낮은 용제는 스트리에이션의 발생 억제에 유리하지만, 그 비점이나 비율에 따라서는 용제가 막 중에 잔존하여 제판 불량이나 현상의 면내 불균형을 일으키는 요인이 된다. 한편, 비점이 낮고, 증기압이 높은 용제는 막 중에의 용제의 잔존은 일어나기 어렵지만, 성막 시에 스트리에이션이 발생하기 쉽고, 또한 헤이즈 불균일 등의 다른 불균일의 원인도 된다. 그 때문에 불균일이 없는 균일한 막을 얻기 위해서는 비점 및 증기압이 소정의 범위인 제 1 용제 및 제 2 용제, 제 3 용제인 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)와 조합해서 적당한 비율로 혼합하는 것이 중요해진다. 구체적으로는 감광성 수지 조성물은 전체 (F)성분 중 제 1 용매를 10~30% 포함하고, 제 2 용매를 20~60% 포함하고, 제 3 용매를 10~60% 포함한다.
또한, 계면활성제(성분(E))의 배합량을 조정함으로써 감광성 수지 조성물의 표면 장력(σ)이 조정된다. 이 때, 감광성 수지 조성물의 표면 장력을 σ라고 하고, 상기 감광성 수지 조성물로부터 상기 (E)성분을 제외한 감광 수지 조성물의 표면 장력을 σ0라고 했을 때에 0.85≤σ/σ0≤1을 만족하도록 계면활성제의 배합량을 조정함으로써 스트리에이션의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 통상 실험적으로는 (E)성분을 첨가하기 전에 σ0를 측정하고, (E)성분을 첨가한 후에 σ를 측정하게 되지만, σ0를 본원 발명의 감광성 수지 조성물로부터 (E)성분을 제외한 감광성 수지 조성물의 표면 장력이라고 기재하고 있다.
표면 장력 σ 및 표면 장력 σO의 측정 방법은 이하와 같다.
(표면 장력의 측정 방법)
플레이트법 자동 표면 장력계(Kyowa Interface Science Co.,LTD.제 Model: CBVP-Z)를 사용하여 기온 23℃, 습도 50%의 조건 하, 표면 장력을 측정했다.
본 발명의 감광성 수지 조성물에는 필요에 따라 경화제, 경화 촉진제, 열 중합 금지제, 산화 방지제, 가소제, 충전재, 레벨링제, 소포제, 커플링제 등의 첨가제를 배합할 수 있다. 경화제로서는 에폭시 화합물에 통상 적용되는 공지의 화합물을 이용할 수 있다.
경화제는 에폭시 화합물의 경화제로서 사용되는 것이면 사용할 수 있고, 아민계 화합물, 다가 카르복실산계 화합물, 페놀 수지, 아미노 수지, 디시안디아미드, 루이스산 착화합물 등을 예시할 수 있다. 다가 카르복실산계 화합물로서는 다가 카르복실산, 다가 카르복실산의 무수물, 및 다가 카르복실산의 열 분해성 에스테르를 예시할 수 있다.
경화 촉진제는 에폭시 화합물의 경화 촉진제, 경화 촉매, 잠재성 경화제 등으로서 알려지는 공지의 화합물을 이용할 수 있고, 예를 들면 3급 아민, 4급 암모늄염, 3급 포스핀, 4급 포스포늄염, 붕산에스테르, 루이스산, 유기 금속 화합물, 이미다졸류 등을 들 수 있다.
열 중합 금지제 및 산화 방지제의 예에는 하이드로퀴논, 하이드로퀴논모노메틸에테르, 피로갈롤, tert-부틸카테콜, 페노티아진, 힌더드 페놀계 화합물 등이 포함된다. 가소제의 예에는 디부틸프탈레이트, 디옥틸프탈레이트, 인산트리크레실 등이 포함된다. 충전재의 예에는 실리카, 티타니아 등의 나노사이즈 입자로 도막의 투명성을 저해하지 않는 것이며 또한 유기용제에 분산될 수 있는 것이 포함된다. 레벨링제나 소포제의 예에는 실리콘계, 불소계, 아크릴계의 화합물이 포함된다. 또한, 실란 커플링제의 예에는 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-(글리시딜옥시)프로필트리메톡시실란, 3-이소시아나토프로필트리에톡시실란, 3-우레이도프로필트리에톡시실란 등이 포함된다.
본 발명의 감광성 수지 조성물의 고형분(고형분에는 경화 후에 고형분이 되는 모노머 성분을 포함함) 중의 (A)~(E)의 각 성분의 바람직한 구성 비율에 대해서는 다음과 같다. (A)성분과 (B)성분의 배합 비율[(A)/(b)]에 대해서는 20/80~90/10인 것이 바람직하고, 40/60~70/30인 것이 보다 바람직하다. 여기서, (A)성분의 배합 비율이 적으면 광 경화 반응 후의 경화물이 물러지고, 또한 미노광부에 있어서 도막의 산가가 낮기 때문에 알칼리 현상액에 대한 용해성이 저하하여 패턴 엣지가 흔들려 샤프해지지 않는다는 문제가 생긴다. 반대로, (A)성분의 배합 비율이 상기 범위보다 많아지면 광 반응 성분((A)성분＋(B)성분)에 차지하는 광반응성 관능기의 비율이 적어 광 경화 반응에 의한 가교 구조의 형성이 충분하지 않게 된다.
(C)성분의 사용량은 상기 (A)성분과 (B)성분의 합계 100질량부에 대하여 5~40질량부의 범위인 것이 바람직하다. 여기서, (C)성분의 사용량이 5질량부보다 적은 경우는 패터닝 후에 경화막을 형성했을 때에 잔존하는 카르복실기의 양이 많아지고, 내습 신뢰성을 확보할 수 없는 것이 우려된다. 에폭시 화합물의 사용량이 40질량부보다 많은 경우는 감광성 수지 조성물 중의 수지 성분에 있어서의 감광성기의 양이 감소하여 패터닝하기 위한 감도가 충분히 얻어지지 않게 될 가능성이 있다.
(D)성분의 첨가량은 (A)성분과 (B)성분의 합계량 100질량부에 대하여 0.1~10질량부인 것이 바람직하고, 1~5질량부인 것이 보다 바람직하다. 여기서, 0.1질량부 미만이면 감도가 충분히 얻어지지 않고, 10질량부를 초과하면 테이퍼 형상(현상 패턴 단면의 막 두께 방향 형상)이 샤프해지지 않으므로 끝을 뺀 상태가 되는 할레이션이 일어나기 쉬워짐과 아울러 후공정에서 고온에 폭로되었을 경우에 분해 가스가 발생할 가능성이 있다.
(F)성분은 제 1 용제, 제 2 용제, 제 3 용제로 구성되어 있다. 제 1 용제, 제 2 용제, 제 3 용제의 합계량은 목표로 하는 감광성 수지 조성물의 점도 등에 따라 변화되지만, 합계량으로서는 감광성 수지 조성물 중에 70~90질량%인 것이 바람직하다. 또한 제 1 용제, 제 2 용제, 제 3 용제의 전체 (F)성분 중에 차지하는 비율은 제 1 용제는 10~30%인 것이 바람직하고, 제 2 용제는 20~60%인 것이 바람직하고, 제 3 용제는 10~60%인 것이 바람직하다.
제 1 용제, 제 2 용제, 제 3 용제의 배합 비율을 조정함으로써 감광성 수지 조성물의 점도를 조정할 수 있다. 그 때문에 막 두께의 증감을 하기 쉬워질 뿐만 아니라 기판 상에 균일하게 퍼지는 속도도 조정할 수 있으므로 도포 불균일, 스트리에이션의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 증기압이 다른 용제를 조합함으로써 성막 후에 도막 표면만이 즉시 건조되어버리거나, 반대로 건조 속도가 느려지는 것을 억제할 수 있으므로 소성 시에 있어서는 도막을 균일하게 가열할 수 있다. 그 결과, 막 두께의 불균일을 억제할 수도 있다.
본 발명에 있어서의 감광성 수지 조성물을 사용한 경화막 패턴의 형성 방법은 통상의 포토리소그래피법이지만, 이하에 상세히 설명한다. 우선, 감광성 수지 조성물을 유리 기판, 플라스틱 기판 등 및 그들 상에 컬러 필터의 화소 패턴이나 TFT 등의 화소 구동용의 전극 패턴을 형성한 기판 상에 도포하고, 이어서 용제를 건조시킨(프리베이크) 후, 얻어진 도막에 포토마스크를 통해 자외선을 조사하여 노광부를 경화시키고, 또한 알칼리 수용액을 사용하여 미노광부를 용출시키는 현상을 행하여 패턴을 형성하고, 또한 후경화로서 포스트베이킹(열 소성)을 행하는 방법이다.
이들의 기판 상에 감광성 수지 조성물의 용액을 도포하는 방법으로서는 공지의 용액 침지법, 스프레이법 외, 롤러 코터기, 랜드 코터기, 슬릿 코터기나 스피너기를 사용하는 방법 등 중 어느 방법이나 채용할 수 있다. 이들의 방법에 의해 소망의 두께로 도포한 후, 용제를 제거(프리베이크)함으로써 피막이 형성된다. 프리베이크는 오븐, 핫플레이트 등에 의해 가열함으로써 행해진다. 프리베이크에 있어서의 가열 온도 및 가열 시간은 사용하는 용제에 따라 적당히 선택되고, 예를 들면 60~110℃의 온도(기판의 내열 온도를 초과하지 않도록 설정)에서 1~3분간 행해진다.
프리베이크 후에 행해지는 노광은 자외선 노광 장치에 의해 행해지고, 포토마스크를 통해 노광함으로써 패턴에 대응한 부분의 레지스트만을 감광시킨다. 노광 장치 및 그 노광 조사 조건은 적당히 선택되고, 초고압 수은등, 고압 수은 램프, 메탈할라이드 램프, 원자외선등 등의 광원을 이용하여 노광을 행하여 도막 중의 감광성 수지 조성물을 광 경화시킨다. 바람직하게는 파장 365nm의 광을 일정량 조사 함으로써 광 경화시킨다.
노광 후의 알칼리 현상은 노광되지 않은 부분의 레지스트를 제거하는 목적으로 행해지고, 이 현상에 의해 소망의 패턴이 형성된다. 이 알칼리 현상에 적당한 현상액으로서는 예를 들면, 알칼리 금속이나 알칼리 토류 금속의 탄산염의 수용액, 알칼리 금속의 수산화물의 수용액 등을 들 수 있지만, 0.01~3질량% 함유하는 약알칼리성 수용액을 사용하여 23~28℃의 온도에서 현상하는 것이 좋고, 시판의 현상기나 초음파 세정기 등을 사용하여 미세한 화상을 정밀하게 형성할 수 있다.
현상 후, 바람직하게는 80~250℃의 온도(기판의 내열 온도를 초과하지 않도록 설정) 및 20~90분의 조건에서 열 처리(포스트베이킹)가 행해진다. 이 포스트베이킹은 패터닝된 수지막과 기판의 밀착성을 높이기 위해서 등의 목적으로 행해진다. 이것은 프리베이크와 마찬가지로 오븐, 핫플레이트 등에 의해 가열함으로써 행해진다. 포스트베이크의 열 처리 조건의 보다 바람직한 범위는 온도 180~230℃, 가열 시간 30~60분이다. 본 발명의 패터닝된 수지막은 이상의 포토리소그래피법에 의한 각 공정을 거쳐 형성된다.
본 발명의 감광성 조성물은 솔더 레지스트, 도금 레지스트, 에칭 레지스트나, 반도체 소자를 탑재하는 배선 기판의 다층화용의 절연막, 반도체의 게이트 절연막, 컬러 필터용 보호막 및 평탄화막, 유기 EL 화소 형성용의 격벽재(RGB를 잉크젯법에 의해 형성하는 경우 등을 위한), 터치 패널용 절연막 등을 형성하는데에 유용하고, 이들의 수지막 패턴을 구성요소로서 포함하는 액정이나 유기 EL 등의 표시 장치용, 촬영 소자용, 터치 패널용의 부재용으로 하는 것이 가능하다.
(실시예)
이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명은 이것들에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 감광성 수지 조성물의 조제예로부터 설명하고, 상기 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성한 도막의 평가 결과를 설명한다.
우선, (A) 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지의 합성예를 나타낸다. 합성예에 있어서의 수지의 평가는 이하와 같이 행했다.
[고형분 농도]
합성예 중에서 얻어진 수지 용액 1g을 유리 필터〔중량: W0(g)〕에 함침시켜서 칭량하고〔W1(g)〕, 160℃에서 2시간 가열한 후의 중량〔W2(g)〕으로부터 다음식으로부터 구했다.
고형분 농도(중량%)=100×(W2-W0)/(W1-W0)
[산가]
수지 용액을 디옥산에 용해시키고, 전위차 적정 장치〔Hiranuma Inc.제, 상품명 COM-1600〕을 사용해서 1/10 N-KOH 수용액으로 적정해서 구했다.
[분자량]
겔 투과 크로마토그래피(GPC)[TOSOH CORPORATION제 상품명: HLC-8220GPC, 용매: 테트라히드로푸란, 컬럼: TSKgelSuperH-2000(2개)＋TSKgelSuperH-3000(1개)＋TSKgelSuperH-4000(1개)＋TSKgelSuper-H5000(1개)〔TOSOH CORPORATION제〕, 온도: 40℃, 속도: 0.6ml/min]로 측정하고, 표준 폴리스티렌〔TOSOH CORPORATION제 PS-Oligomer Kit〕환산값으로서 중량 평균 분자량(Mw)을 구했다.
또한, 합성예에서 사용하는 약호는 다음과 같다.
BPFE: 비스페놀 플루오렌형 에폭시 화합물(9,9-비스(4-히드록시페닐)플루오렌과 클로로메틸옥시란의 반응물. 에폭시 당량 250g/eq)
AA: 아크릴산
PGMEA: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트
TEAB: 브롬화테트라에틸암모늄
BPDA: 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 2무수물
THPA: 테트라히드로 무수프탈산
MAA: 메타크릴산
MMA: 메타크릴산메틸
CHMA:메타크릴산시클로헥실
AIBN: 아조비스이소부티로니트릴
GMA: 글리시딜메타크릴레이트
TPP: 트리페닐포스핀
TBPC: 2,6-디-tert-부틸-p-크레졸
[합성예 1]
환류 냉각기가 부착된 500ml 4구 플라스크 중에 BPFE 114.4g(0.23몰), AA 33.2g(0.46몰), PGMEA 157g 및 TEAB 0.48g을 투입하고, 100~105℃에서 가열 하에 20시간 교반해서 반응시켰다. 이어서, 플라스크 내에 BPDA 35.3g(0.12몰), THPA 18.3g(0.12몰)을 투입하고, 120~125℃에서 6시간 교반하여 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지(A)-1을 얻었다. 얻어진 수지 용액의 고형분 농도는 56.1질량%, 산가(고형분 환산)는 103mgKOH/g, GPC 분석에 의한 Mw는 3600이었다.
[합성예 2]
질소 도입관 및 환류관이 부착된 1000ml 4구 플라스크 중에 MAA 51.65g(0.60몰), MMA 36.04g(0.36몰), CHMA 40.38g(0.24몰), AIBN 5.91g, 및 PGMEA 360g을 투입하고, 80~85℃에서 질소 기류 하, 8시간 교반해서 중합시켰다. 또한, 플라스크 내에 GMA 61.41g(0.43몰), TPP 2.27g 및 TBPC 0.086g을 투입하고, 80~85℃에서 16시간 교반하여 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지(A)-2를 얻었다. 얻어진 수지 용액의 고형분 농도는 35.7질량%, 산가(고형분 환산)는 50mgKOH/g, GPC 분석에 의한 Mw는 19600이었다.
표 2에 기재된 배합량 (수치는 질량부)으로 실시예 1~13 및 비교예 1~5의 감광성 수지 조성물을 조제했다. 표 중에서 사용한 배합 성분은 이하와 같다.
(A) 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지:
(A)-1: 상기 합성예 1에서 얻어진 수지 용액(고형분 농도 56.1질량%)
(A)-2: 상기 합성예 2에서 얻어진 수지 용액(고형분 농도 35.7질량%)
(B) 광 중합성 모노머:
(B)-1: 디펜타에리스리톨펜타아크릴레이트와 헥사아크릴레이트의 혼합물(Nippon Kayaku Co., Ltd.제 상품명: DPHA)
(C) 에폭시 화합물:
(C)-1: 비스페놀 플루오렌형 에폭시 화합물(9,9-비스(4-히드록시페닐)플루오렌과 클로로메틸옥시란의 반응물. 에폭시 당량 250g/eq)
(D) 광 중합개시제:
(D)-1: 1,2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)페닐]-, 2-(O-벤조일옥심)(BASF제, 상품명: Irgacure OXE-01)
(E) 계면활성제:
(E)-1: Megafac F-556(DIC제)
(E)-2: SH3775(The Dow Chemical Company제)
(F) 용제:
(제 1 용제)
PGDA: 프로필렌글리콜디아세테이트
EDM: 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르
MMBA: 3메톡시-3메틸-1-부틸아세테이트
(제 2 용제)
PGME: 1-메톡시-2-프로판올
MBA: 3-메톡시부틸아세테이트
MMP: 3-메톡시프로피온산메틸
ANON: 시클로헥산온
EEP: 3-에톡시프로피온산에틸
EL: 락트산에틸
(제 3 용제)
PGMEA: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트
(G) 그 외 첨가제
(G)-1: 커플링제 3-글리시독시프로필트리메톡시실란
Figure pat00005
[평가]
실시예 1~13 및 비교예 1~5의 감광성 수지 조성물을 사용하여 이하에 기재하는 평가를 행했다. 실시예 1~13 및 비교예 1~5의 평가 결과를 표 3에 나타낸다.
<방사 불균일의 평가 방법>
스트리에이션 평가 기판으로서 5인치×5인치의 유리 기판 상에 블랙 레지스트이며 50㎛의 L＆S 패턴이 경화 후 2.5㎛의 막 두께로 형성된 것을 준비했다. 이 기판에 상기에서 얻어진 경화성 수지 조성물을 스핀 코터를 사용하여 경화 후 1.2㎛의 막 두께가 되는 조건에서 도포했다. 그 후, 100Pa가 될 때까지 감압 건조를 행하고, 90℃의 핫플레이트에서 2분간 건조시켜서 도막을 형성했다. 얻어진 도막을 Na 램프 아래 육안으로 표면의 상태를 관찰하여 스트리에이션의 유무를 확인했다.
○: 스트리에이션은 거의 확인되지 않았음
△: 스트리에이션이 약간 확인되었음
×: 스트리에이션을 명확하게 확인할 수 있었음
<헤이즈 불균일의 평가 방법>
4인치×4인치의 실리콘 웨이퍼 상에 실시예 1~13 및 비교예 1~5에서 얻어진 경화성 수지 조성물을 슬릿 코터를 사용하여 도포하고, 시험편을 제작했다. 이 때, 송액 압력, 기판과 도포 헤드의 간격, 도포 속도를 조절하여 제작되는 막 두께가 1.2㎛가 되도록 도포막 두께를 제어했다. 그 후, 100Pa가 될 때까지 감압 건조를 행하고, 90℃의 핫플레이트에서 2분간 건조시켜서 도막을 형성했다. 또한, 100mJ/㎡로 노광하고, 230℃의 열풍 오븐에서 30분간 소성하여 시험편을 얻었다. 얻어진 도막을 Na 램프 아래 육안으로 표면의 상태를 관찰하여 헤이즈 불균일의 유무를 확인했다.
○: 헤이즈 불균일는 거의 확인되지 않았음
△: 헤이즈 불균일이 약간 확인되었음
×: 헤이즈 불균일을 명확하게 확인할 수 있었음
Figure pat00006
표 3의 비교예 1 및 2에 나타내어지는 바와 같이 제 1 용제를 포함하지 않고, 표면 장력이 0.85≤σ/σ0≤1의 범위 밖인 감광성 수지 조성물에 있어서는 헤이즈 불균일 및 스트리에이션의 발생을 억제할 수 없는 것을 알 수 있었다. 또한, 표 3의 비교예 3 및 4에 나타내어지는 바와 같이 제 1 용제, 제 2 용제, 제 3 용제 모두를 포함하고 있었을 경우이어도 0.85≤σ/σ0≤1을 만족하지 않으면 헤이즈 불균일은 해소되었지만, 스트리에이션의 발생을 억제할 수 없었다. 또한, 비교예 5에 나타내어지는 바와 같이 제 1 용제를 포함하고 있지 않아도 0.85≤σ/σ0≤1을 만족하는 경우에는 헤이즈 불균일 및 스트리에이션의 발생이 약간 억제되어 있다. 이 점에서 감광성 수지 조성물의 표면 장력을 조정하는 것이 스트리에이션의 발생을 억제하는데에 중요한 요인인 것을 확인할 수 있었다.
그것에 대하여 실시예 1~13에 나타내어지는 바와 같이 제 1 용매, 제 2 용제, 제 3 용제 모두를 포함하고, 0.85≤σ/σ0≤1을 만족하도록 함으로써 헤이즈 불균일 및 스트리에이션의 발생을 억제할 수 있었다.

Claims (7)

  1. (A) 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지와,
    (B) 적어도 2개의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 광 중합성 모노머와,
    (C) 에폭시 화합물과,
    (D) 광 중합개시제와,
    (E) 계면활성제와,
    (F) 3종 이상의 용제를 포함하는 감광성 수지 조성물로서,
    상기 (F)성분은
    20℃에 있어서의 증기압이 100Pa 미만이며, 또한 비점이 200℃ 미만인 제 1 용제를 전체 (F)성분 중 10~30% 포함하고,
    20℃에 있어서의 증기압이 100Pa 이상이며, 또한 비점이 120℃ 이상인 제 2 용제(단, 제 2 용제는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 이외의 용제임)를 전체 (F)성분 중 20~60% 포함하고,
    프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트인 제 3 용제를 전체 (F)성분 중 10~60% 포함하고,
    상기 감광성 수지 조성물의 표면 장력을 σ, 상기 감광성 수지 조성물로부터 상기 (E)성분을 제외한 감광성 수지 조성물의 표면 장력을 σ0라고 했을 때, 0.85≤σ/σ0≤1인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 용제는 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 3-메톡시-3-메틸-1-부틸아세테이트, 프로필렌글리콜디아세테이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 용제는 시클로헥산온, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시부틸아세테이트, 1-메톡시-2-프로판올로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (E)성분은 불소계 계면활성제 또는 실리콘계 계면활성제인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (A)성분은 일반식(1)으로 나타내어지는 중합성 불포화기 함유 알칼리 가용성 수지인 감광성 수지 조성물.
    Figure pat00007

    [식(1) 중 R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1~5개의 알킬기, 할로겐 원자 또는 페닐기를 나타내고, R5는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, A는 -CO-, -SO2-, -C(CF3)2-, -Si(CH3)2-, -CH2-, -C(CH3)2-, -O-, 플루오렌-9,9-디일기 또는 직결합을 나타내고, X는 4가의 카르복실산 잔기를 나타내고, Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 -OC-Z-(COOH)m(단, Z는 2가 또는 3가 카르복실산 잔기를 나타내고, m은 1 또는 2의 수를 나타냄)을 나타내고, n은 1~20의 정수를 나타낸다]
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물을 경화해서 이루어지는 경화물.
  7. 제 6 항에 기재된 경화물을 구성요소로서 포함하는 표시 장치.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022172605A1 (ja) * 2021-02-09 2022-08-18 東レ株式会社 ネガ型感光性組成物、硬化膜、有機ｅｌ表示装置および硬化膜の製造方法
CN113075862A (zh) * 2021-03-03 2021-07-06 长春人造树脂厂股份有限公司 抗蚀刻组合物

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004126549A (ja) 2002-08-08 2004-04-22 Sumitomo Chem Co Ltd 着色感光性樹脂組成物
JP2010152336A (ja) 2008-11-18 2010-07-08 Sumitomo Chemical Co Ltd 感光性樹脂組成物及び表示装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005078524A1 (ja) * 2004-02-16 2005-08-25 Mitsubishi Chemical Corporation 硬化性樹脂組成物、カラーフィルタおよび液晶表示装置
JP2005255753A (ja) 2004-03-10 2005-09-22 Mitsubishi Chemicals Corp 硬化性樹脂組成物、カラーフィルタ、および液晶表示装置
JP4828275B2 (ja) * 2006-03-30 2011-11-30 新日鐵化学株式会社 カラーフィルター用遮光性樹脂組成物及びカラーフィルター
JPWO2008123340A1 (ja) * 2007-03-30 2010-07-15 新日鐵化学株式会社 カラーフィルター用遮光性樹脂組成物及びカラーフィルター
KR101390709B1 (ko) * 2008-11-07 2014-04-30 주식회사 엘지화학 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 미세패턴을 포함하는 액정표시소자
KR20170043307A (ko) * 2015-10-13 2017-04-21 주식회사 엘지화학 감광성 수지 조성물 및 이를 포함하는 감광재

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004126549A (ja) 2002-08-08 2004-04-22 Sumitomo Chem Co Ltd 着色感光性樹脂組成物
JP2010152336A (ja) 2008-11-18 2010-07-08 Sumitomo Chemical Co Ltd 感光性樹脂組成物及び表示装置

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