KR20190132373A - 광전기 혼재 기판 및 광전기 혼재 기판 어셈블리 - Google Patents
광전기 혼재 기판 및 광전기 혼재 기판 어셈블리 Download PDFInfo
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 65
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 235
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 88
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 45
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 45
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 19
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 189
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 41
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 41
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 39
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 25
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 22
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 12
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- -1 stainless steel Chemical class 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000282472 Canis lupus familiaris Species 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
광전기 혼재 기판은, 광도파로와, 전기 회로 기판을 두께 방향 일방향을 향하여 순서대로 구비한다. 광전기 혼재 기판은, 두께 방향에 직교하는 제 1 방향 일단부에 전극을 갖는다. 광전기 혼재 기판은, 제 1 방향 일단부 및 타단부 사이로부터 광을 출사하는 광소자를 광학적 및 전기적으로 접속한다. 전기 회로 기판은, 전극과 전기적으로 접속되는 단자부와, 광소자의 제 1 방향 타단부를 지지하는 지지부를 구비한다. 광도파로는, 광소자로부터 출사되는 광을 수광하기 위한 수광부를 구비한다. 수광부는, 두께 방향으로 투영했을 때에, 단자부 및 지지부 사이에 위치하고, 단자부의 두께 방향 일방면이, 지지부의 두께 방향 일방면에 대해, 두께 방향 타방측에 위치하고 있다.
Description
본 발명은, 광전기 혼재 (混載) 기판 및 광전기 혼재 기판 어셈블리, 상세하게는, 광전기 혼재 기판, 및, 그것을 구비하는 광전기 혼재 기판 어셈블리에 관한 것이다.
종래부터, 광전기 혼재 기판은, 광소자를, 광학적 및 전기적으로 접속하여 사용되고 있다.
예를 들어, 미러면을 갖고, 일방향으로 연장되는 광도파로와, 광도파로가 장착되는 기판과, 기판으로부터 전기 신호가 입력됨으로써, 미러면에 대해 광을 사출 하는 광원을 구비하는 광전송 장치가 제안되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1 에서는, 광원이 설치되는 사각형상의 설치 영역의 4 구석에 패드를 형성하고, 4 구석의 패드의 각각은, 수지 코어 땜납 볼 (도전 부재) 을 개재하여 광원과 전기적으로 접속되어 있다.
특허문헌 1 에서는, 설치 영역에 있어서의 일방측 단부 (일단부) 에 있는 2 구석의 패드의 상면에 형성된 수지 코어 땜납 볼과, 타방측 단부 (타단부) 에 있는 2 구석의 패드의 상면에 형성된 수지 코어 땜납 볼의 두께가 상이하고, 설령, 일방향을 따른 가상면에 대해 광원이 경사져도, 광원으로부터 사출된 광이 진행되는 방향과, 미러면의 법선 방향이 소정의 식을 만족하도록 하고 있기 때문에, 미러면을 투과하는 광 (투과 손실) 을 저감시키고 있다.
그런데, 광전송 장치의 디자인에 따라서는, 패드 및 수지 코어 땜납 볼을, 설치 영역에 있어서, 타단부에 형성하지 않고, 일단부에만 형성하고자 하는 경우가 있다.
그러나, 패드 및 수지 코어 땜납 볼이 양 단부에 형성되어 있는 특허문헌 1 이 상정하는 것보다도 광원이 크게 경사지기 쉽고, 그 때문에, 광원으로부터 사출된 광은, 미러면에 이르지 않고, 그 결과, 광원이 광도파로에 광결합할 수 없다는 문제가 있다.
본 발명은, 일단부에 전극을 갖는 광소자로부터 출사된 광을 확실하게 수광할 수 있고, 광소자와의 광학적 접속 신뢰성의 저하가 억제된 광전기 혼재 기판, 및, 그것을 구비하는 광전기 혼재 기판 어셈블리를 제공하는 것에 있다.
본 발명 (1) 은, 광도파로와, 전기 회로 기판을 두께 방향 일방향을 향하여 순서대로 구비하고 있고, 상기 두께 방향에 직교하는 제 1 방향 일단부에 전극을 갖고, 상기 제 1 방향 일단부 및 타단부 사이로부터 광을 출사하는 광소자를 광학적 및 전기적으로 접속하기 위한 광전기 혼재 기판이고, 상기 전기 회로 기판은, 상기 전극과 전기적으로 접속되는 단자부와, 상기 광소자의 상기 제 1 방향 타단부를 지지하는 지지부를 구비하고, 상기 광도파로는, 상기 광소자로부터 출사되는 광을 수광하기 위한 수광부를 구비하고, 상기 수광부는, 상기 두께 방향으로 투영했을 때에, 상기 단자부 및 상기 지지부 사이에 위치하고, 상기 단자부의 상기 두께 방향 일방면이, 상기 지지부의 상기 두께 방향 일방면에 대해, 두께 방향 타방측에 위치하고 있는, 광전기 혼재 기판을 포함한다.
이 광전기 혼재 기판에서는, 단자부가, 광소자의 제 1 방향 일단부에 있어서의 전극과 접속하는 한편, 지지부에 의해, 광소자의 제 1 방향 타단부를 지지할 수 있다.
또, 단자부의 두께 방향 일방면이, 지지부의 두께 방향 일방면에 대해, 두께 방향 타방측에 위치하므로, 단자부에 전기 접합 부재를 형성하여, 단자부와 전극을 전기적으로 접속해도, 광소자의 제 1 방향 일단부가 제 1 방향 타단부에 대해 두께 방향 일방측에 상대적으로 위치하는 것을 억제할 수 있다.
그 때문에, 광소자의 경사를 억제할 수 있다.
그 결과, 수광부에 의해, 광소자로부터 출사되는 광을 확실하게 수광하여, 광도파로와 광소자의 광학적 접속 신뢰성의 저하를 억제할 수 있다.
본 발명 (2) 는, 상기 전기 회로 기판은, 상기 광전기 혼재 기판이 상기 광소자와 접속할 때에, 상기 광소자와 상기 두께 방향으로 대향하는 대향면을 갖고, 상기 대향면은, 상기 광소자와 접촉하는 제 1 면과, 상기 제 1 면에 대해 상기 광소자로부터 멀어지는 위치에 위치하는 제 2 면을 갖는, (1) 에 기재된 광전기 혼재 기판을 포함한다.
이 광전기 혼재 기판에서는, 제 2 면은, 광전기 혼재 기판이 광소자와 접속할 때에, 광소자와 접촉하는 제 1 면에 대해 광소자로부터 멀어지는 위치에 위치하므로, 광소자와 제 2 면 사이에, 경화성 수지가 경화되어 이루어지는 봉지부를 형성할 수 있다. 그 때문에, 경화성 수지가 경화시에 두께 방향으로 수축할 때에, 광소자와 제 2 면이 근접하는 힘을 받기 때문에, 광소자는, 제 1 면에 밀착시킬 수 있다. 그 결과, 광소자를 제 1 면에 한층 더 확실하게 접착시킬 수 있다.
본 발명 (3) 은, 상기 전기 회로 기판은, 베이스 절연층과, 단자를 갖는 도체층과, 상기 단자를 노출하는 커버 절연층을 상기 두께 방향 일방향을 향하여 순서대로 구비하고, 상기 단자부는, 상기 단자를 구비하고, 상기 베이스 절연층의 일부는, 상기 단자부의 두께 방향 타방측에 배치되고, 상기 도체층 및 상기 커버 절연층의 일부는, 상기 지지부인, (1) 또는 (2) 에 기재된 광전기 혼재 기판을 포함한다.
이 광전기 혼재 기판에 의하면, 베이스 절연층의 일부는, 단자부의 두께 방향 타방측에 배치되고, 도체층 및 커버 절연층의 일부는, 베이스 절연층의 두께 방향 일방측에 위치하는 지지부이므로, 단자부의 두께 방향 일방면을, 지지부의 두께 방향 일방면에 대해, 두께 방향 타방측에 한층 더 확실하게 위치시킬 수 있다.
본 발명 (4) 는, 상기 베이스 절연층은, 상기 단자부와 상기 두께 방향으로 대향하는 제 1 베이스부와, 상기 지지부와 상기 두께 방향으로 대향하는 제 2 베이스부를 구비하고, 상기 제 1 베이스부는, 상기 제 2 베이스부보다 얇은, (3) 에 기재된 광전기 혼재 기판을 포함한다.
이 광전기 혼재 기판에 의하면, 제 1 베이스부와 제 2 베이스부를 구비하는 베이스 절연층에 의해, 간이한 구성에 의해, 단자부의 두께 방향 일방면을, 지지부의 두께 방향 일방면에 대해, 두께 방향 타방측에 간편하게 위치시킬 수 있다.
본 발명 (5) 는, (1) ∼ (4) 중 어느 한 항에 기재된 광전기 혼재 기판과, 상기 두께 방향에 직교하는 제 1 방향 일단부에 전극을 갖고, 상기 제 1 방향 일단부 및 타단부 사이로부터 광을 출사하는 광소자를 구비하고, 상기 광소자의 상기 전극이, 상기 단자부와 전기적으로 접속되고, 또한, 상기 광소자의 상기 제 1 방향 타단부가, 상기 지지부에 지지되어 있는, 광전기 혼재 기판 어셈블리를 포함한다.
이 광전기 혼재 기판 어셈블리에서는, 광소자의 전극이, 단자부와 전기적으로 접속되고, 또한, 광소자의 제 1 방향 타단부가, 지지부에 지지되어 있다.
또, 단자부의 두께 방향 일방면이, 지지부의 두께 방향 일방면에 대해, 두께 방향 타방측에 위치하므로, 단자부에 전기 접합 부재를 형성하여, 단자부와 전극을 전기적으로 접속해도, 광소자의 제 1 방향 일단부가 제 1 방향 타단부에 대해 두께 방향 일방측에 상대적으로 위치하는 것을 억제할 수 있다.
그 때문에, 광소자의 경사를 억제할 수 있다.
그 결과, 수광부에 의해, 광소자로부터 출사되는 광을 확실하게 수광하여, 광도파로와 광소자의 광학적 접속 신뢰성의 저하를 억제할 수 있다.
본 발명 (6) 은, 상기 광소자를 봉지하는 봉지부를 추가로 구비하고, 상기 봉지부는, 경화성 수지를 경화하여 이루어지는, 청구항 5 에 기재된 광전기 혼재 기판 어셈블리를 포함한다.
이 광전기 혼재 기판 어셈블리는, 광소자를 봉지하는 봉지부를 구비하기 때문에, 광소자의 내구성을 향상시킬 수 있다.
한편, 봉지부가, 경화성 수지를 경화하여 이루어지기 때문에, 전기 회로 기판이 지지부를 구비하지 않는 경우에는, 경화성 수지가 경화시에 두께 방향으로 수축할 때에, 광소자는, 그 제 1 방향 타단부가 두께 방향 방측으로 이동하고자 하는 힘을 받지만, 이 광전기 혼재 기판 어셈블리에서는, 전기 회로 기판이 지지부를 구비하기 때문에, 지지부에 의해, 광소자의 제 1 방향 타단부의 하측으로의 이동을 규제할 수 있다.
그 때문에, 광소자의 경사를 확실하게 억제할 수 있다.
본 발명의 광전기 혼재 기판 및 광전기 혼재 기판 어셈블리에 의하면, 광도파로와 광소자의 광학적 접속 신뢰성의 저하를 억제할 수 있다.
도 1 은, 본 발명의 광전기 혼재 기판의 일 실시형태의 평면도를 나타낸다.
도 2 는, 도 1 에 나타내는 광전기 혼재 기판의 광소자 실장 영역의 일부 절결 정면 사시도를 나타낸다.
도 3 은, 도 1 에 나타내는 광전기 혼재 기판의 A-A 선을 따른 측단면도를 나타낸다.
도 4 는, 도 1 에 나타내는 광전기 혼재 기판의 B-B 선을 따른 측단면도를 나타낸다.
도 5A ∼ 도 5E 는, 광전기 혼재 기판의 제조 공정도로서, 도 5A 가, 금속 지지층을 준비하는 공정, 도 5B 가, 베이스 절연층을 형성하는 공정, 도 5C 가, 도체층을 형성하는 공정, 도 5D 가, 커버 절연층을 형성하는 공정, 도 5E 가, 금속 보호층을 형성하는 공정을 나타내고, 각 도면의 좌측도 및 우측도는, 각각, 도 3 및 도 4 에 대응한다.
도 6F ∼ 도 6I 는, 도 5E 에 계속하여, 광전기 혼재 기판의 제조 공정도로서, 도 6F 가, 지지 개구부를 형성하는 공정, 도 6G 가, 언더 클래드층, 코어층 및 오버 클래드층을 형성하는 공정, 도 6H 가, 미러면을 형성하는 공정, 도 6I 가, 전기 접합 부재를 설치하는 공정을 나타내고, 각 도면의 좌측도 및 우측도는, 각각, 도 3 및 도 4 에 대응한다.
도 7 은, 광전기 혼재 기판의 변형예로서, 도 4 에 대응하는 측단면도를 나타낸다.
도 8 은, 광전기 혼재 기판의 변형예로서, 도 4 에 대응하는 측단면도를 나타낸다.
도 9 는, 광전기 혼재 기판의 변형예로서, 도 4 에 대응하는 측단면도를 나타낸다.
도 10 은, 도 9 에 나타내는 광전기 혼재 기판으로서, 도 3 에 대응하는 측단면도를 나타낸다.
도 11A ∼ 도 11C 는, 도 9 및 도 10 에 나타내는 커버 지지부를 형성하는 공정도로서, 도 11A 가, 전기 신호 패턴을 형성하는 공정, 도 11B 가, 커버 절연층을 형성하는 공정, 도 11C 가, 커버 지지부를 형성하는 공정을 나타낸다.
도 12 는, 광전기 혼재 기판의 변형예로서, 도 3 에 대응하는 측단면도를 나타낸다.
도 13 은, 광전기 혼재 기판의 변형예로서, 도 3 에 대응하는 측단면도를 나타낸다.
도 14 는, 광전기 혼재 기판의 변형예로서, 도 3 에 대응하는 측단면도를 나타낸다.
도 15 는, 광전기 혼재 기판의 변형예로서, 도 1 에 대응하는 평면도를 나타낸다.
도 2 는, 도 1 에 나타내는 광전기 혼재 기판의 광소자 실장 영역의 일부 절결 정면 사시도를 나타낸다.
도 3 은, 도 1 에 나타내는 광전기 혼재 기판의 A-A 선을 따른 측단면도를 나타낸다.
도 4 는, 도 1 에 나타내는 광전기 혼재 기판의 B-B 선을 따른 측단면도를 나타낸다.
도 5A ∼ 도 5E 는, 광전기 혼재 기판의 제조 공정도로서, 도 5A 가, 금속 지지층을 준비하는 공정, 도 5B 가, 베이스 절연층을 형성하는 공정, 도 5C 가, 도체층을 형성하는 공정, 도 5D 가, 커버 절연층을 형성하는 공정, 도 5E 가, 금속 보호층을 형성하는 공정을 나타내고, 각 도면의 좌측도 및 우측도는, 각각, 도 3 및 도 4 에 대응한다.
도 6F ∼ 도 6I 는, 도 5E 에 계속하여, 광전기 혼재 기판의 제조 공정도로서, 도 6F 가, 지지 개구부를 형성하는 공정, 도 6G 가, 언더 클래드층, 코어층 및 오버 클래드층을 형성하는 공정, 도 6H 가, 미러면을 형성하는 공정, 도 6I 가, 전기 접합 부재를 설치하는 공정을 나타내고, 각 도면의 좌측도 및 우측도는, 각각, 도 3 및 도 4 에 대응한다.
도 7 은, 광전기 혼재 기판의 변형예로서, 도 4 에 대응하는 측단면도를 나타낸다.
도 8 은, 광전기 혼재 기판의 변형예로서, 도 4 에 대응하는 측단면도를 나타낸다.
도 9 는, 광전기 혼재 기판의 변형예로서, 도 4 에 대응하는 측단면도를 나타낸다.
도 10 은, 도 9 에 나타내는 광전기 혼재 기판으로서, 도 3 에 대응하는 측단면도를 나타낸다.
도 11A ∼ 도 11C 는, 도 9 및 도 10 에 나타내는 커버 지지부를 형성하는 공정도로서, 도 11A 가, 전기 신호 패턴을 형성하는 공정, 도 11B 가, 커버 절연층을 형성하는 공정, 도 11C 가, 커버 지지부를 형성하는 공정을 나타낸다.
도 12 는, 광전기 혼재 기판의 변형예로서, 도 3 에 대응하는 측단면도를 나타낸다.
도 13 은, 광전기 혼재 기판의 변형예로서, 도 3 에 대응하는 측단면도를 나타낸다.
도 14 는, 광전기 혼재 기판의 변형예로서, 도 3 에 대응하는 측단면도를 나타낸다.
도 15 는, 광전기 혼재 기판의 변형예로서, 도 1 에 대응하는 평면도를 나타낸다.
본 발명의 광전기 혼재 기판의 일 실시형태를 도 1 ∼ 도 4 를 참조하여 설명한다.
도 2 에 있어서, 지면 (紙面) 좌우 방향은, 선후 (先後) 방향 (제 1 방향의 일례, 길이 방향) 이다. 지면 좌측이 후측 (제 1 방향 일방, 길이 방향 일방) 이고, 지면 우측이 선측 (제 1 방향 타방, 길이 방향 타방) 이다.
도 2 에 있어서, 지면 상하 방향은, 상하 방향 (두께 방향의 일례, 제 1 방향에 직교하는 제 2 방향) 이다. 지면 상측이 상측 (두께 방향 일방, 제 2 방향 일방) 이고, 지면 하측이 하측 (두께 방향 타방, 제 2 방향 타방) 이다.
도 2 에 있어서, 안깊이 방향은, 폭 방향 (직교 방향의 일례, 좌우 방향, 제 1 방향 및 제 2 방향에 직교하는 제 3 방향) 이다. 또한, 도 1 에 있어서, 지면 상하 방향이, 폭 방향이다.
구체적으로는, 방향은, 각 도면의 방향 화살표에 준거한다.
이 방향의 정의에 의해, 광전기 혼재 기판 (1) 및 광전기 혼재 기판 어셈블리 (7) 의 제조시 및 사용시의 방향을 한정할 의도는 없다.
또한, 도 2 에 있어서, 광도파로 (30) (후술) 및 금속 보호층 (45) (후술) 은, 베이스 절연층 (42) (후술), 도체층 (43) (후술) 및 커버 절연층 (44) (후술) 의 상대 배치 및 형상을 명확하게 나타내기 위하여, 생략하고 있다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 광전기 혼재 기판 (1) 은, 선후 방향으로 연장되는 대략 평판 형상을 갖는다. 구체적으로는, 광전기 혼재 기판 (1) 은, 평면에서 보아 (「두께 방향으로 투영했을 때에」와 동일한 의미), 대략 T 자 형상을 갖는다. 광전기 혼재 기판 (1) 은, 광소자 실장부 (2) 와, 광전송부 (3) 를 연속하여 구비한다.
광소자 실장부 (2) 는, 광전기 혼재 기판 (1) 에 있어서의 후측에 위치한다. 광소자 실장부 (2) 는, 폭 방향으로 연장되는 대략 사각형 평판 형상을 갖는다. 광소자 실장부 (2) 는, 복수 (3) 의 광소자 실장 영역 (4) 과, 그것들에 연속하는 전기 전송 영역 (5) 을 갖는다.
복수의 광소자 실장 영역 (4) 은, 광소자 (50) (후술) 가 실장되는 영역이다. 복수의 광소자 실장 영역 (4) 은, 광소자 실장부 (2) 의 선단부에 있어서, 폭 방향으로 서로 간격을 두고 정렬 배치된다. 복수의 광소자 실장 영역 (4) 의 각각은, 평면에서 보아 대략 사각형상이다. 복수의 광소자 실장 영역 (4) 의 각각에는, 광소자 (50) (후술) 와, 지지부 (56) (후술, 도 3 참조) 가 형성된다.
전기 전송 영역 (5) 은, 복수의 광소자 실장 영역 (4) 으로부터 후측으로 연장되는 영역이다. 전기 전송 영역 (5) 에는, 배선 (23) 및 외부측 단자 (24) (후술) 가 형성된다.
광전송부 (3) 는, 광전기 혼재 기판 (1) 에 있어서, 광소자 실장부 (2) 의 선측에 연속하여 형성되어 있다. 구체적으로는, 광전송부 (3) 는, 광소자 실장부 (2) 의 선단 가장자리의 대략 중앙부에서 선측을 향하여 연장되는 대략 사각형 평판 (스트립) 형상을 갖는다. 광전송부 (3) 에는, 복수 (3 개) 의 코어층 (32) 및 도체 지지 패턴 (22) (후술) 이 형성되어 있다.
그리고, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 이 광전송부 (3) 는, 광도파로 (30) 와, 전기 회로 기판 (40) 을 상측을 향하여 순서대로 구비한다.
광도파로 (30) 는, 광전기 혼재 기판 (1) 의 하층을 형성한다. 광도파로 (30) 는, 평면에서 보아, 광전기 혼재 기판 (1) 의 외형 형상과 동일한 외형 형상을 갖는다.
광도파로 (30) 는, 예를 들어, 스트립형 광도파로이다. 구체적으로는, 도 3 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, 광도파로 (30) 는, 언더 클래드층 (31) 과, 코어층 (32) 과, 오버 클래드층 (33) 을 하측을 향하여 순서대로 구비한다. 상세하게는, 광도파로 (30) 는, 언더 클래드층 (31) 과, 언더 클래드층 (31) 의 하면에 배치되는 코어층 (32) 과, 언더 클래드층 (31) 의 하면에, 언더 클래드층 (31) 을 피복하도록 배치되는 오버 클래드층 (33) 을 구비한다. 광도파로 (30) 는, 바람직하게는, 언더 클래드층 (31) 과, 코어층 (32) 과, 오버 클래드층 (33) 만으로 이루어진다.
언더 클래드층 (31) 은, 평면에서 보아, 광도파로 (30) 의 외형 형상과 동일한 외형 형상을 갖는다. 언더 클래드층 (31) 은, 선후 방향으로 연장되는 대략 시트 (평판) 형상을 갖는다. 언더 클래드층 (31) 은, 광전송부 (3) 의 전체 영역과, 광소자 실장부 (2) 에 있어서의 광소자 실장 영역 (4) 에 걸쳐 연속하여 배치되어 있다.
언더 클래드층 (31) 은, 전기 회로 기판 (40) 의 하측에 형성되어 있다. 상세하게는, 언더 클래드층 (31) 은, 금속 지지층 (41) 및 베이스 절연층 (42) (후술) 의 하면에 배치된다. 또한, 언더 클래드층 (31) 의 일부는, 지지 개구부 (48) (후술) 에 충전됨과 함께, 금속 지지층 (41) 의 측면을 피복한다.
언더 클래드층 (31) 의 재료로는, 예를 들어, 투명성을 갖는 수지, 바람직하게는, 절연성 및 투명성을 갖는 수지를 들 수 있고, 구체적으로는, 에폭시 수지, 폴리아믹산 수지, 폴리이미드 수지, 아크릴 수지, 노르보르넨 수지 등을 들 수 있다. 언더 클래드층 (31) 의 두께는, 예를 들어, 2 ㎛ 이상, 바람직하게는, 10 ㎛ 이상이고, 또, 예를 들어, 600 ㎛ 이하, 바람직하게는, 40 ㎛ 이하이다.
코어층 (32) 은, 언더 클래드층 (31) 의 하면에 접촉하고 있다. 도 1 의 굵은 파선으로 나타내는 바와 같이, 코어층 (32) 은, 폭 방향으로 서로 간격을 두고 배치된다. 복수 (3 개) 의 코어층 (32) 의 각각은, 선후 방향으로 연장되는 단면에서 보아 대략 사각형상을 갖는다. 복수의 코어층 (32) 은, 평면에서 보아, 언더 클래드층 (31) 에 포함되는 패턴을 갖는다. 또, 도 1 의 해칭 부분에 나타내는 바와 같이, 복수의 코어층 (32) 의 각각은, 그 후단부에, 수광부의 일례로서의 미러면 (34) 을 갖는다.
도 3 에 나타내는 바와 같이, 미러면 (34) 은, 언더 클래드층 (31) 의 하면 (면 방향을 따른 면) 에 대해 45 도의 각도를 이루는 경사면이다. 또, 미러면 (34) 은, 광소자 (50) 로부터 입사되는 광 (광 신호) 의 전송 방향을 상하 방향으로부터 선후 방향으로 변경하는 광전송 방향 변환 부재 (혹은 광로 변환 부재) 이다. 요컨대, 미러면 (34) 은, 광소자 (50) 로부터 출사되는 광을 수광하는 부재이다.
코어층 (32) 의 언더 클래드층 (31) 의 굴절률은, 언더 클래드층 (31) 의 굴절률에 대해 높게 설정되어 있다. 코어층 (32) 의 재료는, 상기한 굴절률을 만족하는 재료에서 선택되고, 구체적으로는 높은 굴절률과, 우수한 절연성 및 투명성을 갖는 수지가 선택되고, 구체적으로는, 언더 클래드층 (31) 에서 예시한 수지에서 선택된다. 코어층 (32) 의 두께는, 예를 들어, 5 ㎛ 이상, 바람직하게는, 30 ㎛ 이상이고, 또, 예를 들어, 100 ㎛ 이하, 바람직하게는, 70 ㎛ 이하이다. 코어층 (32) 의 폭은, 예를 들어, 5 ㎛ 이상, 바람직하게는, 50 ㎛ 이상이고, 또, 예를 들어, 200 ㎛ 이하, 바람직하게는, 100 ㎛ 이하이다. 인접하는 코어층 (32) 간의 간격은, 예를 들어, 10 ㎛ 이상, 바람직하게는, 150 ㎛ 이상이고, 또, 예를 들어, 2000 ㎛ 이하, 바람직하게는, 1500 ㎛ 이하이다.
도 3 에 나타내는 바와 같이, 오버 클래드층 (33) 은, 코어층 (32) 을 피복 한다. 구체적으로는, 오버 클래드층 (33) 은, 코어층 (32) 의 하면 및 폭 방향 양 측면을 피복한다. 오버 클래드층 (33) 은, 평면에서 보아, 언더 클래드층 (31) 의 외형 형상과 동일한 외형 형상을 갖는다. 오버 클래드층 (33) 은, 선후 방향으로 연장되는 대략 시트 (평판) 형상을 갖는다.
오버 클래드층 (33) 의 굴절률은, 코어층 (32) 의 굴절률에 대해 낮게 설정되어 있다. 바람직하게는, 오버 클래드층 (33) 의 굴절률은, 언더 클래드층 (31) 의 굴절률과 동일하다. 오버 클래드층 (33) 의 재료는, 상기한 굴절률을 만족하는 재료에서 선택되고, 구체적으로는 낮은 굴절률과, 우수한 절연성 및 투명성을 갖는 수지가 선택되고, 구체적으로는, 언더 클래드층 (31) 과 동일한 수지가 선택된다. 오버 클래드층 (33) 의 두께는, 예를 들어, 2 ㎛ 이상, 바람직하게는, 5 ㎛ 이상이고, 또, 예를 들어, 600 ㎛ 이하, 바람직하게는, 40 ㎛ 이하이다.
전기 회로 기판 (40) 은, 광도파로 (30) 위에 배치되어 있다. 전기 회로 기판 (40) 은, 광전기 혼재 기판 (1) 의 상층을 형성한다. 도 1 에 나타내는 바와 같이, 전기 회로 기판 (40) 은, 광소자 실장부 (2) 의 전체 영역 (광소자 실장 영역 (4) 및 전기 전송 영역 (5)) 과, 광전송부 (3) 의 전체 영역에 걸쳐 연속하여 배치되어 있다. 이 때문에, 전기 회로 기판 (40) 은, 평면에서 보아, 광전기 혼재 기판 (1) 과 동일한 외형 형상을 갖는다.
도 2 및 도 3 에 나타내는 바와 같이, 전기 회로 기판 (40) 은, 금속 지지층 (41) 과, 베이스 절연층 (42) 과, 도체층 (43) 과, 커버 절연층 (44) 을 상측을 향하여 순서대로 구비한다. 구체적으로는, 전기 회로 기판 (40) 은, 금속 지지층 (41) 과, 금속 지지층 (41) 의 상면에 배치되는 베이스 절연층 (42) 과, 베이스 절연층 (42) 의 상면에 배치되는 도체층 (43) 과, 베이스 절연층 (42) 의 상면에, 도체층 (43) 의 일부를 피복하도록 배치되는 커버 절연층 (44) 을 구비한다.
도 3 에 나타내는 바와 같이, 전기 회로 기판 (40) 은, 금속 보호층 (45) 을 추가로 구비한다. 전기 회로 기판 (40) 은, 바람직하게는, 금속 지지층 (41) 과, 베이스 절연층 (42) 과, 도체층 (43) 과, 커버 절연층 (44) 과, 금속 보호층 (45) 만으로 이루어진다.
금속 지지층 (41) 은, 도체층 (43) 을 지지하는 보강층이다. 도 1 에 묘화되지 않지만, 금속 지지층 (41) 은, 광소자 실장부 (2) (광소자 실장 영역 (4) 및 전기 전송 영역 (5)) 에 형성되어 있다.
도 1 ∼ 도 3 에 나타내는 바와 같이, 금속 지지층 (41) 은, 복수 (3) 의 광소자 실장 영역 (4) 에 대응하는 복수 (3 개) 의 지지 개구부 (48) 를 갖는다. 또한, 도 2 및 도 3 에서는, 1 개의 지지 개구부 (48) 만이 묘화되어 있다. 복수의 지지 개구부 (48) 의 각각은, 금속 지지층 (41) 을 두께 방향으로 관통한다. 복수의 지지 개구부 (48) 의 각각은, 평면에서 보아, 미러면 (34) 을 포함한다. 또한, 복수의 지지 개구부 (48) 의 각각에는, 언더 클래드층 (31) 의 일부가 충전되어 있다. 그 때문에, 지지 개구부 (48) 내에 있어서는, 베이스 절연층 (42) 의 하면이, 언더 클래드층 (31) 의 상면에 직접 접촉하고 있다.
금속 지지층 (41) 의 재료로는, 예를 들어, 스테인리스, 42 알로이, 알루미늄, 구리-베릴륨, 인청동, 구리, 은, 알루미늄, 니켈, 크롬, 티탄, 탄탈, 백금, 금 등의 금속을 들 수 있다. 금속 지지층 (41) 의 두께는, 예를 들어, 3 ㎛ 이상, 바람직하게는, 10 ㎛ 이상이고, 또, 예를 들어, 100 ㎛ 이하, 바람직하게는, 50 ㎛ 이하이다.
베이스 절연층 (42) 은, 금속 지지층 (41) 과 함께, 도체층 (43) 을 지지하는 지지층 (베이스 지지층) 이다. 또, 베이스 절연층 (42) 은, 도체층 (43) 과 금속 지지층 (41) 을 절연하는 절연층이다.
도 1 에 묘화되지 않지만, 베이스 절연층 (42) 은, 광소자 실장부 (2) 및 광전송부 (3) 의 양방에 형성되어 있다. 베이스 절연층 (42) 은, 평면에서 보아, 전기 회로 기판 (40) 의 외형 형상과 동일한 외형 형상을 갖는다. 베이스 절연층 (42) 은, 대략 평판 형상을 갖는다.
도 2 및 도 3 에 나타내는 바와 같이, 베이스 절연층 (42) 은, 후육부 (51) 와, 후육부 (51) 보다 얇은 박육부 (52) (도 1 의 가는 파선으로 둘러싸이는 영역) 를 연속하여 갖는다.
도 1 의 가는 파선으로 나타내는 바와 같이, 박육부 (52) 는, 복수 (3) 의 광소자 실장 영역 (4) 의 각각에 대응하여 형성된다. 복수 (3 개) 의 박육부 (52) 의 각각은, 평면에서 보아 대략 사각형의 영역이다.
도 2 및 도 3 에 나타내는 바와 같이, 박육부 (52) 의 하면은, 후육부 (51) 의 하면에 공통되는 동일 평면을 형성한다. 한편, 박육부 (52) 의 상면은, 후육부 (51) 의 상면에 대해, 하측에 위치한다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 복수의 박육부 (52) 의 각각은, 복수의 광소자 실장 영역 (4) 의 각각과 부분적으로 중복된다. 구체적으로는, 박육부 (52) 는, 광소자 실장 영역 (4) 에 대해 후측으로 조금 어긋나 위치한다.
상세하게는, 박육부 (52) 의 선단 가장자리는, 광소자 실장 영역 (4) 의 선단 가장자리 및 선후 방향 중앙부 사이에 위치한다. 요컨대, 박육부 (52) 의 선단 가장자리는, 광소자 실장 영역 (4) 의 선단 가장자리의 바로 후측에 배치되어 있다.
박육부 (52) 의 후단 가장자리는, 광소자 실장 영역 (4) 의 후단 가장자리의 후측에 간격을 두고 위치한다. 구체적으로는, 박육부 (52) 의 후단 가장자리는, 광소자 실장 영역 (4) 의 후단 가장자리의 바로 후측에 배치되어 있다.
또, 도 2 및 도 3 에 나타내는 바와 같이, 박육부 (52) 의 상면은, 그 중앙부에 있어서, 면 방향과 평행한 평면부 (61) 와, 평면부 (61) 의 둘레로 배치되고, 외측을 향함에 따라 상측으로 진행되는 (경사지는) 경사면부 (62) 를 일체적으로 갖는다. 평면부 (61) 의 중앙부는, 평면에서 보아, 미러면 (34) 과 중복된다.
후육부 (51) 는, 박육부 (52) 의 둘레 단부 가장자리로부터 면 방향 (선후 방향 및 폭 방향) 외측으로 넓어진다.
베이스 절연층 (42) 의 재료는, 예를 들어, 절연성을 갖는 수지, 바람직하게는, 절연성 및 가요성을 갖는 수지이다. 베이스 절연층 (42) 의 재료로는, 예를 들어, 폴리이미드 수지, 폴리에테르니트릴 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트 수지, 폴리염화비닐 수지 등의 수지를 들 수 있고, 바람직하게는, 폴리이미드를 들 수 있다.
후육부 (51) 의 두께 (T1) 는, 예를 들어, 2 ㎛ 이상, 바람직하게는, 5 ㎛ 이상이고, 또, 예를 들어, 50 ㎛ 이하, 바람직하게는, 15 ㎛ 이하이다.
박육부 (52) 의 두께 (T2) 의 두께는, 예를 들어, 18 ㎛ 이하, 바람직하게는, 10 ㎛ 이하이고, 또, 예를 들어, 1 ㎛ 이상, 바람직하게는, 3 ㎛ 이상이다.
후육부 (51) 및 박육부 (52) 의 두께의 차 (T1 - T2) 는, 후육부 (51) 의 두께 (T1) 100 % 에 대해, 예를 들어, 95 % 이하, 바람직하게는, 90 % 이하이고, 또, 예를 들어, 10 % 이상, 바람직하게는, 50 % 이상이다.
박육부 (52) 의 평면에서 본 치수는, 광소자 (50) 의 평면에서 본 치수 등에 의해 적절히 설정된다.
도 1 및 도 3 에 나타내는 바와 같이, 도체층 (43) 은, 전기 (전기 신호) 를 외부의 회로 기판 (도시 생략) 및 광소자 (50) 간을 전송하는 전기 신호 패턴 (21) 과, 전기 (전기 신호) 를 전송하지 않고, 광소자 (50) 를 지지하는 도체 지지 패턴 (22) 을 포함한다.
전기 신호 패턴 (21) 은, 도체층 (43) 에 있어서의 후부 (後部) 에 위치하는 후측 패턴이다. 전기 신호 패턴 (21) 은, 광소자 실장 영역 (4) 의 후단부, 및, 전기 전송 영역 (5) 에 걸쳐 위치한다. 전기 신호 패턴 (21) 은, 복수의 배선 (23) 과, 복수의 외부측 단자 (24) 와, 복수의 단자의 일례로서의 소자측 단자 (25) 를 연속하여 구비한다.
복수의 배선 (23) 은, 폭 방향으로 서로 간격을 두고 정렬 배치되어 있다. 복수의 배선 (23) 의 각각은, 선후 방향을 따라 연장되는 스트립 형상을 갖는다. 배선 (23) 은, 전기 전송 영역 (5) 에 있어서의 후단부 이외에 있어서, 베이스 절연층 (42) 의 후육부 (51) 위에 형성된다.
복수의 외부측 단자 (24) 의 각각은, 복수의 배선 (23) 의 각각의 후단부에 연속한다. 복수의 외부측 단자 (24) 는, 폭 방향으로 서로 간격을 두고 정렬 배치되어 있다. 복수의 외부측 단자 (24) 의 각각은, 평면에서 보아 대략 사각형 형상 (각 (角) 랜드 형상) 을 갖는다. 도 3 에 묘화되지 않지만, 복수의 외부측 단자 (24) 는, 전기 전송 영역 (5) 에 있어서의 후단부에 있어서, 후육부 (51) 위에 형성된다.
복수의 소자측 단자 (25) 의 각각은, 복수의 배선 (23) 의 각각의 선단부에 연속한다. 복수의 소자측 단자 (25) 는, 폭 방향으로 서로 간격을 두고 정렬 배치되어 있다. 복수의 소자측 단자 (25) 의 각각은, 평면에서 보아 대략 사각형 형상 (각 랜드 형상) 을 갖는다. 도 2 및 도 3 에 나타내는 바와 같이, 복수의 소자측 단자 (25) 는, 광소자 실장 영역 (4) 의 후단부에 있어서, 베이스 절연층 (42) 의 박육부 (52) 위에 형성된다. 구체적으로는, 복수의 소자측 단자 (25) 의 각각은, 박육부 (52) 의 후단부에 있어서의 평면부 (61) 및 경사면부 (62) 위에 배치되어 있다. 요컨대, 소자측 단자 (25) 의 선측 부분은, 평면부 (61) 의 후단부 위에 형성되는 한편, 소자측 단자 (25) 의 후측 부분은, 경사면부 (62) 위에 형성된다. 그 때문에, 소자측 단자 (25) 는, 그 선후 방향 중앙부에 있어서 굴곡되는 단면 형상을 갖는다. 또, 소자측 단자 (25) 는, 평면부 (61) 의 선후 방향 중앙부 및 선단부에 형성되지 않고, 그것들을 노출시킨다.
소자측 단자 (25) 의 하측에 대향하는 박육부 (52) 는, 제 1 베이스부 (53) 에 상당한다.
또, 도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 복수의 배선 (23) 의 각각과, 복수의 외부측 단자 (24) 의 각각과, 복수의 소자측 단자 (25) 의 각각은, 1 개의 광소자 실장 영역 (4) 에 대해 2 개 (1 쌍) 형성된다. 특히, 전기 회로 기판 (40) 에는, 3 개의 광소자 실장 영역 (4) 에 대응하는, 3 쌍의 소자측 단자 (25) 가 형성되어 있다. 1 개의 광소자 실장 영역 (4) 에 대응하는 2 개의 소자측 단자 (25) 는, 폭 방향으로 간격을 두고 대향 배치되어 있다. 구체적으로는, 2 개의 소자측 단자 (25) 는, 폭 방향으로 투영했을 때에, 서로 중복된다.
도 1 및 도 3 에 나타내는 바와 같이, 도체 지지 패턴 (22) 은, 도체층 (43) 에 있어서의 선부 (先部) 에 위치하는 선측 패턴이다. 도체 지지 패턴 (22) 은, 전기 신호 패턴 (21) 의 선측에 간격을 두고 배치되어 있다. 요컨대, 도체 지지 패턴 (22) 은, 전기 신호 패턴 (21) 과 독립적으로 형성되어 있다. 도체 지지 패턴 (22) 은, 전기 신호 패턴 (21) 과 절연되어 있다.
도체 지지 패턴 (22) 은, 복수의 배선 (23) 에 대응하여 형성되는, 복수 (6 개) 의 도체 라인 (26) 을 구비한다. 복수의 도체 라인 (26) 은, 폭 방향으로 서로 간격을 두고 정렬 배치되어 있다. 복수의 도체 라인 (26) 의 각각은, 선후 방향을 따라 연장되는 스트립 형상을 갖는다. 복수의 도체 라인 (26) 은, 광소자 실장 영역 (4) 에 있어서의 선단부, 및, 광전송부 (3) 에 있어서, 베이스 절연층 (42) 의 후육부 (51) 위에 형성되어 있다.
복수의 도체 라인 (26) 은, 선후 방향으로 투영했을 때에, 복수의 배선 (23) 과 중복된다. 요컨데, 복수의 도체 라인 (26) 은, 복수의 배선 (23) 을 선측을 향하여 연장된 연장선 상에 배치되어 있다. 예를 들어, 복수의 도체 라인 (26) 은, 복수의 배선 (23) 과 동일 폭, 또한 동일한 간격 (폭 방향에 있어서 동일 간격) 으로 배치되어 있다.
도체 지지 패턴 (22) 중, 광소자 실장 영역 (4) 에 위치하는 부분은, 도체층 (43) 의 일부의 일례인 도체 지지부 (57) 에 상당한다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 도체 라인 (26) 은, 1 개의 광소자 실장 영역 (4) 에 대해 2 개 (1 쌍) 형성된다. 1 개의 광소자 실장 영역 (4) 에 대응하는 2 개 (1 쌍) 의 도체 라인 (26) 은, 선후 방향을 따라, 그것들의 폭 방향에 있어서의 간격이 일정해지도록 배치되어 있고, 구체적으로는, 평면에서 보아 평행하다. 1 개의 광소자 실장 영역 (4) 에 대응하는 2 개의 도체 라인 (26) 은, 폭 방향 일방측에 위치하는 제 1 라인 (27) 과, 제 1 라인 (27) 의 폭 방향 타방측에 간격을 두고 위치하는 제 2 라인 (28) 이다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 제 1 라인 (27) 및 제 2 라인 (28) 의 각각의 후단면은, 그 폭 방향 양 측면 및 상면을 피복하는 커버 절연층 (44) 의 후단면과 두께 방향 및 폭 방향에 있어서 면일 (面一) 하다. 제 1 라인 (27) 및 제 2 라인 (28) 의 후단면과, 상기한 커버 절연층 (44) 의 후단면은 연속한다. 제 1 라인 (27) 및 제 2 라인 (28) 의 후단면은, 모두 커버 절연층 (44) 으로부터 노출된다.
또한, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 제 1 라인 (27) 및 제 2 라인 (28) 의 각각은, 단면에서 보아 대략 사각형상을 갖는다. 그 때문에, 제 1 라인 (27) 및 제 2 라인 (28) 의 각각은, 상면 및 측면이 교차하는 2 개의 능선 (29) 을 갖는다.
도체층 (43) 의 재료로는, 예를 들어, 구리, 니켈, 금, 땜납 등의 도체를 들 수 있고, 바람직하게는, 구리를 들 수 있다.
도체층 (43) 의 두께는, 예를 들어, 2 ㎛ 이상, 바람직하게는, 5 ㎛ 이상이고, 또, 예를 들어, 20 ㎛ 이하, 바람직하게는, 15 ㎛ 이하이다.
도 3 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, 커버 절연층 (44) 은, 광소자 실장부 (2) 및 광전송부 (3) 의 양방에 형성되어 있다. 또, 커버 절연층 (44) 은, 베이스 절연층 (42) 의 후육부 (51) 위에 형성되지만, 박육부 (52) (보다 구체적으로는, 평면부 (61)) 위에 형성되지 않는다 (박육부 (52) 를 노출하는 패턴을 갖는다). 커버 절연층 (44) 은, 평면에서 보아, 베이스 절연층 (42) 의 외형 형상과 동일한 외형 형상을 갖는다.
커버 절연층 (44) 은, 배선 (23) 및 도체 라인 (26) 을 피복하는 보호 절연층이다. 한편, 커버 절연층 (44) 은, 외부측 단자 (24) 및 소자측 단자 (25) 를 노출시킨다.
또한, 커버 절연층 (44) 은, 박육부 (52) 를 노출시키는 커버 개구부 (9) 를 갖는다.
커버 절연층 (44) 은, 베이스 절연층 (42) 의 상면, 및, 배선 (23) 및 도체 라인 (26) 의 상면에 추종하는 단면 형상을 갖는다. 또, 도체 라인 (26) 위에 위치하는 커버 절연층 (44) 중, 광소자 실장 영역 (4) 에 위치하는 부분은, 커버 절연층 (44) 의 일부의 일례로서의 커버 지지부 (58) 에 상당한다. 커버 지지부 (58) 는, 광소자 (50) 를 도체 지지 패턴 (22) 과 함께 지지한다.
구체적으로는, 커버 지지부 (58) 는, 광소자 실장 영역 (4) 에 있어서, 도체 지지 패턴 (22) 위에 위치하는 부분이다. 상세하게는, 커버 절연층 (44) 은, 2 개의 도체 라인 (26) (제 1 라인 (27) 및 제 2 라인 (28)) 의 각각의 상면 및 폭 방향 양 측면과, 도체 라인 (26) 과 두께 방향에 있어서 대향하지 않는 (평면에서 보아 어긋나는) 베이스 절연층 (42) 의 상면을 피복하고 있다.
광소자 실장 영역 (4) 에 있어서의 커버 절연층 (44) 의 상면은, 광소자 (50) 가 실장될 때, 광소자 (50) 와 두께 방향으로 대향하는 대향면의 일례로서의 소자 대향면 (8) 이다. 소자 대향면 (8) 은, 2 개의 도체 라인 (26) 에 상면에 대응하는 2 개의 제 1 면 (35) 과, 2 개의 도체 라인 (26) 사이의 베이스 절연층 (42) 의 상면에 대응하는 제 2 면 (36) 을 연속하여 갖는다.
2 개의 제 1 면 (35) 은, 폭 방향과 서로 간격을 두고 배치된다. 2 개의 제 1 면 (35) 은, 두께 방향에 있어서, 동일 위치에 위치한다. 제 1 면 (35) 은, 커버 지지부 (58) 의 상면이다.
제 2 면 (36) 은, 제 1 면 (35) 으로부터 하측으로 멀어지는 위치에 위치한다. 요컨대, 제 2 면 (36) 은, 제 1 면 (35) 으로부터 하측에 위치한다. 제 2 면 (36) 은, 평면에서 보아, 2 개의 제 1 면 (35) 사이에 위치한다. 구체적으로는, 제 2 면 (36) 은, 2 개의 제 1 면 (35) 을 연결한다. 또, 제 2 면 (36) 은, 2 개의 제 1 면 (35) 의 각각의 폭 방향 내단부로부터 능선 (29) 에 대응하여 만곡하는 2 개의 만곡면 (37) 과, 2 개의 만곡면 (37) 의 폭 방향 내단부를 연결하는 평면 (38) 을 연속하여 갖는다. 평면 (38) 은, 베이스 절연층 (42) 의 상면에 평행하다.
한편, 커버 지지부 (58) 는, 도체 지지부 (57) 와 함께, 지지부 (56) 를 구성한다.
지지부 (56) 는, 광소자 (50) 의 후단부의 하면을 지지하기 위한 대좌 (臺座) 이다. 구체적으로는, 지지부 (56) 는, 도체 지지부 (57) 와, 커버 지지부 (58) 를 구비한다. 지지부 (56) 는, 바람직하게는, 도체 지지부 (57) 와, 커버 지지부 (58) 만으로 이루어진다. 지지부 (56) 의 상면 (제 1 면 (35)) 은, 광소자 (50) 의 선단부가 직접 접촉하는 대좌면이다.
지지부 (56) 와 광소자 (50) 사이에는, 그것들을 두께 방향으로 투영했을 때에, 미러면 (34) 이 위치한다. 상세하게는, 지지부 (56) 와 광소자 (50) 사이에는, 그것들을 두께 방향 및 폭 방향의 양방에 투영한 투영면에 있어서, 미러면 (34) 이 위치한다.
한편, 베이스 절연층 (42) 에 있어서, 지지부 (56) 의 하측에 대향하는 부분은, 후육부 (51) 에 포함되어 있고, 이러한 부분은, 제 2 베이스부 (54) 이다.
커버 절연층 (44) 의 재료는, 베이스 절연층 (42) 에서 예시한 수지를 들 수 있다.
커버 절연층 (44) 의 두께는, 예를 들어, 2 ㎛ 이상, 바람직하게는, 4 ㎛ 이상이고, 또, 예를 들어, 20 ㎛ 이하, 바람직하게는, 10 ㎛ 이하이다. 또한, 커버 절연층 (44) 의 두께는, 도체층 (43) 과 겹치지 않는 영역에서는, 베이스 절연층 (42) 의 상면에서 커버 절연층 (44) 의 상면까지의 길이이고, 도체층 (43) 과 겹치는 영역에서는, 도체층 (43) 의 상면에서 커버 절연층 (44) 의 상면까지의 길이이다. 특히, 커버 지지부 (58) 의 두께는, 도체 지지부 (57) 의 상면에서 제 1 면 (35) 까지의 길이이다.
금속 보호층 (45) 은, 외부측 단자 (24) (도 1 참조, 도 3 에서는 묘화되지 않는다) 및 소자측 단자 (25) 의 표면에 형성되어 있다. 특히, 소자측 단자 (25) 의 상면 및 좌우 양 측면 및 선면 (先面) 을 연속하여 피복하고 있다.
금속 보호층 (45) 은, 예를 들어, 도금층이다. 금속 보호층 (45) 의 재료로는, 예를 들어, 금 등의 도금 재료를 들 수 있다.
그리고, 소자측 단자 (25) 와, 그것에 대응하는 금속 보호층 (45) 은, 단자부 (55) 를 구성한다. 요컨대, 단자부 (55) 는, 금속 보호층 (45) 과 소자측 단자 (25) 를 구비한다. 바람직하게는, 단자부 (55) 는, 금속 보호층 (45) 과 소자측 단자 (25) 만으로 이루어진다.
단자부 (55) 의 상면은, 금속 보호층 (45) 의 상면으로서, 지지부 (56) 의 상면에 대해, 하측에 위치한다. 구체적으로는, 단자부 (55) 의 상면은, 지지부 (56) 의 상면에 대해, 예를 들어, 1 ㎛ 이상, 바람직하게는, 10 ㎛ 이상, 하측에 위치한다.
다음으로, 광전기 혼재 기판 (1) 의 제조 방법을, 도 5A ∼ 도 6I 를 참조하여 설명한다.
광전기 혼재 기판 (1) 의 제조 방법에서는, 전기 회로 기판 (40) 을 제조하는 제 1 공정과, 광도파로 (30) 를 제조하는 제 2 공정이 순서대로 실시된다.
제 1 공정에서는, 도 5A 에 나타내는 바와 같이, 먼저, 금속 지지층 (41) 을 준비한다. 금속 지지층 (41) 은, 평판 형상으로 (구체적으로는, 지지 개구부 (48) (도 6F 참조) 를 갖지 않는 금속판으로서) 준비된다.
도 5B 에 나타내는 바와 같이, 이어서, 베이스 절연층 (42) 을, 금속 지지층 (41) 위에, 후육부 (51) 및 박육부 (52) 를 갖도록 형성한다.
예를 들어, 수지를 함유하는 감광성 수지 조성물을 금속 지지층 (41) 위에 도포하고, 그 후, 계조 노광법을 포함하는 포토리소그래피법에 의해, 후육부 (51) 및 박육부 (52) 를 갖는 베이스 절연층 (42) 을 형성하고, 그 후, 필요에 따라, 가열 (경화) 시킨다.
혹은, 계조 노광법을 포함하지 않는 포토리소그래피법에 의해, 박육부 (52) 를 갖지 않고, 후육부 (51) 를 갖는 베이스 절연층 (42) 을 형성하고, 이어서, 에칭 또는 레이저 가공 등에 의해, 박육부 (52) 를 형성할 수도 있다. 혹은, 박육부 (52) 에 대응하는 제 1 층과, 후육부 (51) 에 대응하는 제 2 층의 2 개 (2 층) 를 순서대로 적층함으로써, 베이스 절연층 (42) 을 형성할 수도 있다.
도 5C 에 나타내는 바와 같이, 이어서, 도체층 (43) 을, 베이스 절연층 (42) 위에 형성한다. 구체적으로는, 도체층 (43) 을, 애디티브법 또는 서브트랙티브법, 바람직하게는, 애디티브법으로, 전기 신호 패턴 (21) 및 도체 지지 패턴 (22) (도체 지지부 (57) 을 포함한다) 을 갖는 패턴으로 형성한다. 이 때, 소자측 단자 (25) 는, 박육부 (52) 의 후단 가장자리의 경사면, 및 그것의 선측에 연속하는 평면에 추종하여 형성된다.
도 5D 에 나타내는 바와 같이, 이어서, 커버 절연층 (44) (커버 지지부 (58) 를 포함한다) 을, 베이스 절연층 (42) 의 후육부 (51) 위에, 외부측 단자 (24) (도 1 참조) 및 소자측 단자 (25) 와, 박육부 (52) 를 노출하고, 배선 (23) 및 도체 지지 패턴 (22) 을 피복하도록 형성한다.
구체적으로는, 상기한 수지를 함유하는 감광성 수지 조성물을, 베이스 절연층 (42) 및 도체층 (43) 위에 도포하고, 그 후, 포토리소그래피법에 의해, 커버 절연층 (44) 을 형성하고, 그 후, 필요에 따라, 가열 (경화) 시킨다.
이로써, 도체 지지부 (57) 및 커버 지지부 (58) 를 구비하는 지지부 (56) 가 형성된다.
이어서, 도 5E 에 나타내는 바와 같이, 금속 보호층 (45) 을, 외부측 단자 (24) (도 1 참조) 및 소자측 단자 (25) 의 표면에 형성한다.
예를 들어, 전해 도금 등에 의해, 금속 보호층 (45) 을 형성한다. 이로써, 소자측 단자 (25) 및 금속 보호층 (45) 을 구비하는 광소자 (50) 가 형성된다.
도 6F 에 나타내는 바와 같이, 그 후, 금속 지지층 (41) 을, 예를 들어, 에칭 등에 의해 외형 가공하여, 지지 개구부 (48) 를 형성한다.
이와 같은 제 1 공정에 의해, 전기 회로 기판 (40) 이 얻어진다.
다음으로, 광도파로 (30) 를 제조하는 제 2 공정을 실시한다.
도 6G 및 도 6H 에 나타내는 바와 같이, 제 2 공정에서는, 광도파로 (30) 를, 광전기 혼재 기판 (3) 아래에 제조한다. 상세하게는, 광도파로 (30) 를, 베이스 절연층 (42) 및 금속 지지층 (41) 아래에 만들어 넣는다.
도 6G 가 참조되도록, 구체적으로는, 상기한 수지를 함유하는 감광성 수지 조성물을, 베이스 절연층 (42) 및 금속 지지층 (41) 아래에 도포하고, 그 후, 포토리소그래피법에 의해, 언더 클래드층 (31) 을 형성한다.
계속해서, 상기한 수지를 함유하는 감광성 수지 조성물을, 언더 클래드층 (31) 아래에 도포하고, 그 후, 포토리소그래피법에 의해, 코어층 (32) 을 형성한다.
그 후, 도 6G 에 나타내는 바와 같이, 상기한 수지를 함유하는 감광성 수지 조성물을, 언더 클래드층 (31) 및 코어층 (32) 아래에 도포하고, 그 후, 포토리소그래피법에 의해, 오버 클래드층 (33) 을 형성한다.
그 후, 도 6H 에 나타내는 바와 같이, 예를 들어, 코어층 (32) 에 대해, 레이저 가공 또는 절삭 가공을 실시하여, 코어층 (32) 에 미러면 (34) 을 형성한다.
이와 같은 제 2 공정에 의해, 광도파로 (30) 를 제조한다.
이로써, 전기 회로 기판 (40) 및 광도파로 (30) 를 구비하는 광전기 혼재 기판 (1) 이 얻어진다.
이 광전기 혼재 기판 (1) 은, 단독으로 유통하고, 산업상 이용가능한 디바이스이다. 구체적으로는, 광전기 혼재 기판 (3) 은, 다음에 설명하는 전기 접합 부재 (39) (도 6I 참조) 및 광소자 (50) (도 3 참조) 와는 별도로, 단독으로 유통할 수 있다. 요컨대, 광전기 혼재 기판 (3) 은, 광전기 혼재 기판 어셈블리 (7) 를 아직 구성 (제조) 하고 있지 않은 상태이다.
도 6I 에 나타내는 바와 같이, 그 후, 광전기 혼재 기판 (1) 에 전기 접합 부재 (39) 를 형성한다.
전기 접합 부재 (39) 는, 단자부 (55) 와 다음에 설명하는 전극 (46) 을 전기적으로 접속함과 함께, 그것들을 접합하여 고정시키는 부재이다. 전기 접합 부재 (39) 의 재료로는, 예를 들어, 초음파 및 가압에 의해 용융 가능한 재료, 구체적으로는, 땜납 등을 들 수 있다. 전기 접합 부재 (39) 는, 예를 들어, 땜납 볼 등이다. 전기 접합 부재 (39) 를, 단자부 (55) 에 있어서의 금속 보호층 (45) 위에 재치 (載置) 한다. 보다 구체적으로는, 전기 접합 부재 (39) 를, 적어도 소자측 단자 (25) 의 선측 부분 (경사면부 (62) 에 대향하는 부분) 에 배치한다. 전기 접합 부재 (39) 의 양은, 그 상단 가장자리가, 제 1 면 (35) 과 동일한 높이 혹은 그것보다 상측에 위치하도록 설정된다.
이로써, 전기 접합 부재 (39) 가 형성된 광전기 혼재 기판 (1) 이 얻어진다. 전기 접합 부재 (39) 가 형성된 광전기 혼재 기판 (1) 도, 단독으로 유통하고, 산업상 이용가능한 디바이스이다. 구체적으로는, 광전기 혼재 기판 (3) 은, 다음에 설명하는 광소자 (50) (도 3 참조) 와는 별도로, 단독으로 유통할 수 있다.
또한, 필요에 따라, 외부측 단자 (24) 를 외부의 회로 기판 (도시 생략) 과 전기적으로 접속한다.
다음으로, 상기한 광전기 혼재 기판 (1) 을 사용하여 광전기 혼재 기판 어셈블리 (7) 를 제조하는 방법, 및, 광전기 혼재 기판 어셈블리 (7) 에 대해 설명한다.
또한, 이하의 설명에 있어서, 광전기 혼재 기판 어셈블리 (7) 를 간단히「어셈블리 (7)」로 칭호하는 경우가 있다.
어셈블리 (7) 를 제조하려면, 광전기 혼재 기판 (1) 과, 복수 (3 개) 의 광소자 (50) 를 준비한다.
복수의 광소자 (50) 의 각각은, 평면에서 보아 대략 사각형 평판 형상을 갖고 있고, 도 3 에 나타내고, 도 1 에서 검게 칠해진 바와 같이, 2 개의 전극 (46) 과 1 개의 출사구 (47) 를 구비한다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 2 개의 전극 (46) 은, 광소자 (50) 의 하면에 있어서의 후단부의 폭 방향 양 단부에, 서로 간격을 두고 대향 배치되어 있다. 2 개의 전극 (46) 간의 길이는, 1 개의 광소자 실장 영역 (4) 에 대응하는 광소자 실장부 (2) 에 있어서의 2 개의 소자측 단자 (25) 간의 간격에 대응하고 있다.
또한, 전극 (46) 은, 광소자 (50) 의 선단부에 형성되어 있지 않다.
출사구 (47) 는, 전극 (46) 에 대해 후측에 간격을 두고 배치되어 있다. 구체적으로는, 출사구 (47) 는, 하면에 있어서의 면 방향 중앙부 (선후 방향 중앙부 및 폭 방향 중앙부) 에 위치한다.
다음으로, 광소자 (50) 를, 2 개의 전극 (46) 및 출사구 (47) 가 아래를 향하는 상태에서, 예를 들어, 초음파 접합 장치의 아암 (도시 생략) 에 의해 파지하고, 광소자 (50) 를 광소자 실장 영역 (4) 의 상측에 대향 배치시킨다. 이 때, 출사구 (47) 가, 평면에서 보아, 미러면 (34) 과 중복 (대향) 되도록, 광소자 (50) 를 이동시킨다.
계속해서, 광소자 (50) 를 하측으로 이동시켜, 광소자 (50) 의 전극 (46) 을, 전기 접합 부재 (39) 에 접촉시킴과 함께, 광소자 (50) 의 후단부를 지지부 (56) 의 상면 (대좌면) 에 접촉시킨다. 동시에, 광소자 (50) 에 초음파를 부여하면서, 광소자 (50) 를 전기 접합 부재 (39) 에 대해 비교적 약한 힘으로 가압한다. 그러면, 전기 접합 부재 (39) 가 용융되고, 계속해서, 전기 접합 부재 (39) 가 냉각되어 고화 (응고) 된다. 이로써, 단자부 (55) 와, 광소자 (50) 의 전극 (46) 이, 전기적으로 접속된다. 이로써, 광소자 (50) 는, 전기 신호 패턴 (21) 및 전기 접합 부재 (39) 를 개재하여, 외부의 회로 기판 (도시 생략) 과 전기적으로 접속된다. 요컨대, 광소자 (50) 는, 출사구 (47) 로부터 광을 출사 가능한 상태가 된다. 또한, 이 광전기 혼재 기판 (1) 에 있어서, 광소자 (50) 의 하면은, 광소자 실장부 (2) 의 면 방향에 대해 대략 평행하다.
한편, 출사구 (47) 는, 평면에서 보아, 미러면 (34) 에 대향하기 때문에, 출사구 (47) 로부터 광을 하측을 향하여 출사하면, 광은, 미러면 (34) 에 수광되어, 코어층 (32) 내에 있어서, 선측을 향하여 전송된다. 이로써, 광소자 (50) 는, 광전기 혼재 기판 (1) 에 대해, 광학적으로 접속된다.
그 후, 도 3 의 가상선 및 도 4 의 가상선으로 나타내는 바와 같이, 봉지 수지를, 박육부 (52) 및 광소자 (50) 에 대해, 예를 들어, 도포, 주입 등에 의해 형성한다. 구체적으로는, 봉지 수지로, 전기 접합 부재 (39) 및 광소자 (50) 를 매설하도록, 박육부 (52) 의 상면을 피복하도록, 커버 개구부 (9) 내에 충전한다 (가득 담는다).
봉지 수지로는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 에폭시 수지, 실리콘 수지 등의, 투명성을 갖는 경화성 수지를 들 수 있다.
그 후, 봉지 수지가 경화성 수지이면, 이것을 경화시킨다. 이로써, 봉지부 (6) 를 형성한다.
이로써, 광전기 혼재 기판 (1) 과, 광소자 (50) 와, 그것들을 전기적으로 접합하는 전기 접합 부재 (39) 와, 광소자 (50) 를 봉지하는 봉지부 (6) 를 구비하는 어셈블리 (7) 가 제조된다.
그리고, 이 광전기 혼재 기판 (1) 에서는, 단자부 (55) 가, 광소자 (50) 의 후단부에 있어서의 전극 (46) 과 접속하는 한편, 지지부 (56) 에 의해, 광소자 (50) 의 선단부 (59) 를 지지할 수 있다.
또, 단자부 (55) 의 상면이, 지지부 (56) 의 상면에 대해, 하측에 위치하므로, 단자부 (55) 에 전기 접합 부재 (39) 를 형성하여, 단자부 (55) 와 전극 (46) 을 전기적으로 접속해도, 광소자 (50) 의 선단부 (59) 가 후단부에 대해 상측에 위치하는 것을 억제할 수 있다.
그 때문에, 광소자 (50) 의 경사를 억제할 수 있다.
그 결과, 미러면 (34) 에 의해, 광소자 (50) 로부터 출사되는 광을 확실하게 수광하여, 광도파로와 단자부 (55) 의 광학적 접속 신뢰성의 저하를 억제할 수 있다.
이 광전기 혼재 기판 (1) 에서는, 제 2 면 (36) 은, 광전기 혼재 기판 (1) 이 광소자 (50) 와 접속할 때에, 광소자 (50) 와 접촉하는 제 1 면에 대해 광소자 (50) 로부터 멀어지는 위치에 위치하는, 요컨대, 하측에 위치하므로, 광소자 (50) 와 제 2 면 (36) 사이에, 경화성 수지가 경화되어 이루어지는 봉지부 (6) 를 형성할 수 있다. 그 때문에, 경화성 수지가 경화시에 두께 방향으로 수축할 때에, 광소자 (50) 와 제 2 면 (36) 이 근접하는 힘을 받기 때문에, 광소자 (50) 는, 제 1 면에 밀착시킬 수 있다. 그 결과, 광소자 (50) 를 제 1 면에 한층 더 확실하게 접착시킬 수 있다.
이 광전기 혼재 기판 (1) 에 의하면, 베이스 절연층 (42) 의 일부는, 단자부 (55) 의 하측에 배치되어 있고, 도체층 (43) 및 커버 절연층 (44) 의 각각의 일부인 도체 지지부 (57) 및 커버 지지부 (58) 는, 베이스 절연층 (42) 의 하측에 위치하는 지지부 (56) 이므로, 단자부 (55) 의 상면을, 지지부 (56) 의 상면에 대해, 하측에 한층 더 확실하게 위치시킬 수 있다.
이 광전기 혼재 기판 (1) 에 의하면, 제 1 베이스부 (53) 와 제 2 베이스부 (54) 를 구비하는 베이스 절연층 (42) 에 의해, 간이한 구성에 의해, 단자부 (55) 의 상면을, 지지부 (56) 의 상면에 대해, 하측에 간편하게 위치시킬 수 있다.
이 어셈블리 (7) 에서는, 광소자 (50) 의 전극 (46) 이, 단자부 (55) 와 전기적으로 접속되고, 또한, 광소자 (50) 의 선단부 (59) 가, 지지부 (56) 에 지지되어 있다.
또, 단자부 (55) 의 상면이, 지지부 (56) 의 상면에 대해, 하측에 위치하므로, 단자부 (55) 에 전기 접합 부재 (39) 를 형성하여, 단자부 (55) 와 전극 (46) 을 전기적으로 접속해도, 광소자 (50) 의 선단부 (59) 가 후단부에 대해 상측에 위치하는 것을 억제할 수 있다.
그 때문에, 광소자 (50) 의 경사를 억제할 수 있다.
그 결과, 미러면 (34) 에 의해, 광소자 (50) 로부터 출사되는 광을 확실하게 수광하여, 광도파로와 광소자 (50) 의 광학적 접속 신뢰성의 저하를 억제할 수 있다.
이 어셈블리 (7) 는, 광소자 (50) 를 봉지하는 봉지부 (6) 를 구비하기 때문에, 광소자 (50) 의 내구성을 향상시킬 수 있다.
한편, 봉지부 (6) 가, 경화성 수지를 경화하여 이루어지기 때문에, 전기 회로 기판이 지지부 (56) 를 구비하지 않는 경우에는, 경화성 수지가 경화시에 두께 방향으로 수축할 때에, 광소자 (50) 는, 그 선단부 (59) 가 두께 방향 방측으로 이동하고자 하는 힘을 받지만, 이 어셈블리 (7) 에서는, 전기 회로 기판이 지지부 (56) 를 구비하기 때문에, 지지부 (56) 에 의해, 광소자 (50) 의 선단부 (59) 의 하측으로의 이동을 규제할 수 있다.
그 때문에, 광소자 (50) 의 경사를 확실하게 억제할 수 있다.
다음으로, 상기한 일 실시형태의 변형예를 설명한다.
이하의 각 변형예에 있어서, 상기한 일 실시형태와 동일한 부재 및 공정에 대해서는, 동일한 참조 부호를 부여하고, 그 상세한 설명을 생략한다. 또, 각 변형예를 적절히 조합할 수 있다. 또한, 각 변형예는, 특별히 기재하는 것 이외에는, 일 실시형태와 동일한 작용 효과를 발휘할 수 있다.
도 3 에 나타내는 바와 같이, 일 실시형태에서는, 광소자 (50) 의 선단부의 하면은, 제 1 면 (35) 에 직접 접촉하고 있다 (지지되어 있다). 그러나, 예를 들어, 도시하지 않지만, 광소자 (50) 의 선단부의 하면에 더미 전극을 형성하고, 이것을 금속 지지부로서 사용하여, 제 1 면 (35) 에 직접 접촉할 (지지될) 수도 있다.
도 3 의 가상선 및 도 4 의 가상선으로 나타내는 바와 같이, 일 실시형태에서는, 어셈블리 (7) 는 봉지부 (6) 를 구비한다. 그러나, 예를 들어, 도 3 의 실선 및 도 4 의 실선으로 나타내는 바와 같이, 어셈블리 (7) 는, 봉지부 (6) 를 구비하지 않아, 전기 접합 부재 (39) 및 광소자 (50) 가 외부에 노출될 수도 있다.
도 4 에 나타내는 바와 같이, 일 실시형태에서는, 1 개의 광소자 실장 영역 (4) 에 대응하는 도체 라인 (26) 은, 2 개 (제 1 라인 (27) 및 제 2 라인 (28)) 갖지만, 그 수는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 도시하지 않지만, 3 개 이상이어도 된다.
도 7 에 나타내는 바와 같이, 1 개의 광소자 실장 영역 (4) 에 대응하는 도체 라인 (26) 은, 1 개여도 된다. 도체 라인 (26) 은, 도시하지 않지만, 선후 방향으로 투영했을 때에, 광소자 실장 영역 (4) 의 폭 방향 중앙에 투영되도록 위치한다.
제 1 면 (35) 은, 1 개의 광소자 실장 영역 (4) 에 대응하여 1 개 형성된다.
제 2 면 (36) 은, 제 1 면 (35) 의 폭 방향 양측에 위치한다.
도 7 의 가상선에서 나타내는 바와 같이, 봉지부 (6) 는, 커버 지지부 (58) 의 폭 방향 양측에 있어서, 광소자 (50) 의 하면과, 2 개의 제 2 면 (36) 사이에 충전된다.
이 광전기 혼재 기판 (1) 이면, 1 개의 제 1 면 (35) 과, 2 개의 전극 (46) 의 2 개 (3 점 지지) 라는 간이한 구성으로, 광소자 (50) 를, 간편하게 지지할 수 있다.
한편, 바람직하게는, 도체 라인 (26) 의 수는, 복수이고, 보다 바람직하게는, 2 개이기도 하다. 도체 라인 (26) 의 수가 복수이면, 제 1 면 (35) 의 수가, 복수가 되어, 광소자 (50) 의 선단부 (59) 를 안정적으로 지지할 수 있다. 특히, 제 1 면 (35) 의 수가 2 개이면, 광소자 (50) 를, 2 개의 제 1 면 (35) 과, 2 개의 전극 (46) 의 4 점으로, 보다 안정적으로 지지할 수 있다.
또, 일 실시형태에서는, 복수의 도체 라인 (26) 은, 복수의 배선 (23) 과 동일 폭 또한 동일 간격으로 배치되어 있다. 그러나, 복수의 도체 라인 (26) 및 복수의 배선 (23) 은, 상이한 폭 및/또는 간격으로 배치되어도 된다. 바람직하게는, 동일 폭 또한 동일 간격으로, 복수의 도체 라인 (26) 과 복수의 배선 (23) 이 배치된다. 이 구성에 의하면, 도체 라인 (26) 을 포함하는 도체 지지 패턴 (22) 과, 배선 (23) 을 포함하는 전기 신호 패턴 (21) 을 획일적으로 또한 간편하게 형성할 수 있다.
또한, 일 실시형태에서는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 도체 라인 (26) 의 배치는, 선후 방향으로 투영했을 때에, 배선 (23) 과 중복되고 있지만, 도체 라인 (26) 의 배치는, 상기에 한정되지 않고, 예를 들어, 도시하지 않지만, 배선 (23) 과 중복되지 않아도 되고, 또, 그 일부가 배선 (23) 과 중복되고, 잔부가 배선 (23) 과 중복되지 않아도 된다.
또, 도 8 에 나타내는 바와 같이, 도체 지지 패턴 (22) 의 폭이, 비교적 넓어도 된다. 구체적으로는, 도체 지지 패턴 (22) 의 폭은, 광소자 (50) 의 폭보다 넓다. 또, 제 1 면 (35) 의 폭도, 광소자 (50) 의 폭보다 넓다.
이 변형예에서는, 소자 대향면 (8) 은, 제 2 면 (36) 을 갖지 않고, 제 1 면 (35) 을 갖는다.
단, 도 8 에 나타내는 변형예에 비하여, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 소자 대향면 (8) 이 제 2 면 (36) 을 갖는 일 실시형태가 바람직하다. 일 실시형태이면, 광소자 (50) 와 제 2 면 (36) 사이에 경화성 수지를 충전하고, 이 경화성 수지가 수축되면, 광소자 (50) 는, 제 2 면 (36) (하측) 을 향하여 가압 (탄성 지지) 된다. 그 때문에, 광소자 (50) 는, 제 1 면 (35) 에 한층 더 확실하게 접촉할 수 있다.
도 4 에 나타내는 바와 같이, 일 실시형태에서는, 지지부 (56) 는, 도체 지지부 (57) 및 커버 지지부 (58) 를 구비한다. 한편, 도 9 에 나타내는 바와 같이, 지지부 (56) 는, 도체 지지부 (57) 를 구비하지 않고, 커버 지지부 (58) 를 구비할 수도 있다. 지지부 (56) 는, 바람직하게는, 커버 지지부 (58) 만으로 이루어진다.
커버 지지부 (58) 를 형성하려면, 먼저, 도 11A 에 나타내는 바와 같이, 도체층 (43) 을, 도체 지지 패턴 (22) (도 5C 의 우측도 참조) 을 갖지 않고, 전기 신호 패턴 (21) 을 갖는 패턴으로 형성한다.
도 11B 에 나타내는 바와 같이, 이어서, 커버 절연층 (44) 을 형성한다.
도 11C 에 나타내는 바와 같이, 그 후, 커버 절연층 (44) 을, 에칭 (드라이 에칭 등) 등에 의해, 커버 절연층 (44) 의 일부를 제거하여, 커버 지지부 (58) 를 형성한다.
도 2 및 도 3 에 나타내는 바와 같이, 일 실시형태에서는, 도체 라인 (26) (도체 지지 패턴 (22)) 의 후단면은, 커버 절연층 (44) 의 후단면과 연속한다. 그러나, 도 12 에 나타내는 바와 같이, 도체 라인 (26) 의 후단면을, 커버 절연층 (44) 에 의해 피복할 수도 있다.
이것에 의하면, 도체 라인 (26) 이, 전기 접합 부재 (39) 및 광소자 (50) 와 단락될 가능성을 저감시킬 수 있다.
도 1 이 참조되어, 도 13 에 나타내는 바와 같이, 전기 전송 영역 (5) 에 있어서, 베이스 절연층 (42) 을 박육부 (52) 로 할 수 있다.
박육부 (52) 는, 광소자 실장 영역 (4) 및 전기 전송 영역 (5) 에 걸쳐 형성된다.
전기 신호 패턴 (21) 의 전부 (배선 (23), 외부측 단자 (24) 및 소자측 단자 (25)) 는, 박육부 (52) 의 상면에 형성된다.
또, 도 14 에 나타내는 바와 같이, 베이스 절연층 (42) 이, 박육부 (52) 를 갖지 않고, 후육부 (51) 를 가질 수도 있다. 베이스 절연층 (42) 은, 균일한 두께 (T2) 를 갖는다.
소자측 단자 (25) 는, 후육부 (51) 의 상면에 형성되어 있다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 일 실시형태에서는, 박육부 (52) 는, 그 둘레 단부 가장자리에 경사면을 갖는다. 그러나, 도시하지 않지만, 박육부 (52) 는, 경사면을 갖지 않고, 균일한 두께 (T1) 를 가질 수도 있다.
이 일 실시형태에서는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 1 개의 광전기 혼재 기판 (1) 에 대해 1 개의 광소자 (50) 가 형성되지만, 도 15 에 나타내는 바와 같이, 복수여도 된다.
또한, 1 개의 광소자 (50) 에 대한 전극 (46) 의 수는, 한정되지 않고, 예를 들어, 단수여도 되고, 또, 도 15 에 나타내는 바와 같이, 3 개 이상 (예를 들어, 6개 등) 이어도 된다.
또한, 상기 발명은, 본 발명의 예시의 실시형태로서 제공했지만, 이것은 단순한 예시에 지나지 않으며, 한정적으로 해석해서는 안된다. 당해 기술 분야의 당업자에 의해 분명한 본 발명의 변형예는, 이후에 기재하는 청구의 범위에 포함된다.
산업상 이용가능성
광전기 혼재 기판은, 어셈블리에 구비된다.
1 : 광전기 혼재 기판
6 : 봉지부
7 : 어셈블리
8 : 소자 대향면
25 : 소자측 단자
34 : 미러면
30 : 광도파로
35 : 제 1 면
36 : 제 2 면
40 : 전기 회로 기판
42 : 베이스 절연층
43 : 도체층
45 : 금속 보호층
50 : 광소자
53 : 제 1 베이스부
54 : 제 2 베이스부
55 : 단자부
56 : 지지부
57 : 도체 지지부
58 : 커버 지지부
59 : 선단부 (제 1 방향 일단부의 일례)
6 : 봉지부
7 : 어셈블리
8 : 소자 대향면
25 : 소자측 단자
34 : 미러면
30 : 광도파로
35 : 제 1 면
36 : 제 2 면
40 : 전기 회로 기판
42 : 베이스 절연층
43 : 도체층
45 : 금속 보호층
50 : 광소자
53 : 제 1 베이스부
54 : 제 2 베이스부
55 : 단자부
56 : 지지부
57 : 도체 지지부
58 : 커버 지지부
59 : 선단부 (제 1 방향 일단부의 일례)
Claims (6)
- 광도파로와, 전기 회로 기판을 두께 방향 일방향을 향하여 순서대로 구비하고 있고,
상기 두께 방향에 직교하는 제 1 방향 일단부에 전극을 갖고, 상기 제 1 방향 일단부 및 타단부 사이로부터 광을 출사하는 광소자를 광학적 및 전기적으로 접속하기 위한 광전기 혼재 기판이고,
상기 전기 회로 기판은,
상기 전극과 전기적으로 접속되는 단자부와,
상기 광소자의 상기 제 1 방향 타단부를 지지하는 지지부를 구비하고,
상기 광도파로는, 상기 광소자로부터 출사되는 광을 수광하기 위한 수광부를 구비하고,
상기 수광부는, 상기 두께 방향으로 투영했을 때에, 상기 단자부 및 상기 지지부 사이에 위치하고,
상기 단자부의 상기 두께 방향 일방면이, 상기 지지부의 상기 두께 방향 일방면에 대해, 두께 방향 타방측에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는, 광전기 혼재 기판. - 제 1 항에 있어서,
상기 전기 회로 기판은, 상기 광전기 혼재 기판이 상기 광소자와 접속할 때에, 상기 광소자와 상기 두께 방향으로 대향하는 대향면을 갖고,
상기 대향면은,
상기 광소자와 접촉하는 제 1 면과,
상기 제 1 면에 대해 상기 광소자로부터 멀어지는 위치에 위치하는 제 2 면을 갖는 것을 특징으로 하는, 광전기 혼재 기판. - 제 1 항에 있어서,
상기 전기 회로 기판은, 베이스 절연층과, 단자를 갖는 도체층과, 상기 단자를 노출하는 커버 절연층을 상기 두께 방향 일방향을 향하여 순서대로 구비하고,
상기 단자부는, 상기 단자를 구비하고,
상기 베이스 절연층의 일부는, 상기 단자부의 두께 방향 타방측에 배치되고,
상기 도체층 및 상기 커버 절연층의 일부는, 상기 지지부인 것을 특징으로 하는, 광전기 혼재 기판. - 제 3 항에 있어서,
상기 베이스 절연층은,
상기 단자부와 상기 두께 방향으로 대향하는 제 1 베이스부와,
상기 지지부와 상기 두께 방향으로 대향하는 제 2 베이스부를 구비하고,
상기 제 1 베이스부는, 상기 제 2 베이스부보다 얇은 것을 특징으로 하는, 광전기 혼재 기판. - 제 1 항에 기재된 광전기 혼재 기판과,
상기 두께 방향에 직교하는 제 1 방향 일단부에 전극을 갖고, 상기 제 1 방향 일단부 및 타단부 사이로부터 광을 출사하는 광소자를 구비하고,
상기 광소자의 상기 전극이, 상기 단자부와 전기적으로 접속되고, 또한, 상기 광소자의 상기 제 1 방향 타단부가, 상기 지지부에 지지되어 있는 것을 특징으로 하는, 광전기 혼재 기판 어셈블리. - 제 5 항에 있어서,
상기 광소자를 봉지하는 봉지부를 추가로 구비하고,
상기 봉지부는, 경화성 수지를 경화하여 이루어지는 것을 특징으로 하는, 광전기 혼재 기판 어셈블리.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017070902A JP6941460B2 (ja) | 2017-03-31 | 2017-03-31 | 光電気混載基板および光電気混載基板アセンブリ |
JPJP-P-2017-070902 | 2017-03-31 | ||
PCT/JP2018/013193 WO2018181693A1 (ja) | 2017-03-31 | 2018-03-29 | 光電気混載基板および光電気混載基板アセンブリ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190132373A true KR20190132373A (ko) | 2019-11-27 |
KR102597730B1 KR102597730B1 (ko) | 2023-11-02 |
Family
ID=63677635
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020197026943A KR102597730B1 (ko) | 2017-03-31 | 2018-03-29 | 광전기 혼재 기판 및 광전기 혼재 기판 어셈블리 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11022768B2 (ko) |
JP (1) | JP6941460B2 (ko) |
KR (1) | KR102597730B1 (ko) |
CN (1) | CN110494783B (ko) |
TW (1) | TWI771399B (ko) |
WO (1) | WO2018181693A1 (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7359579B2 (ja) * | 2019-07-05 | 2023-10-11 | 日東電工株式会社 | 光電気複合伝送モジュール |
WO2021132339A1 (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-01 | 日東電工株式会社 | 光電気混載基板 |
CN114567962B (zh) * | 2020-11-27 | 2023-11-10 | 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 | 电路板的制造方法及电路板 |
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JP2013195642A (ja) | 2012-03-19 | 2013-09-30 | Fujitsu Ltd | 光結合構造及び光伝送装置 |
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JP2016206377A (ja) * | 2015-04-21 | 2016-12-08 | 新光電気工業株式会社 | 光導波路装置及びその製造方法 |
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- 2018-03-29 US US16/495,984 patent/US11022768B2/en active Active
- 2018-03-29 KR KR1020197026943A patent/KR102597730B1/ko active IP Right Grant
- 2018-03-29 WO PCT/JP2018/013193 patent/WO2018181693A1/ja active Application Filing
- 2018-03-29 CN CN201880022818.XA patent/CN110494783B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2018-03-30 TW TW107111270A patent/TWI771399B/zh not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
---|---|
US11022768B2 (en) | 2021-06-01 |
TW201842377A (zh) | 2018-12-01 |
JP2018173514A (ja) | 2018-11-08 |
TWI771399B (zh) | 2022-07-21 |
WO2018181693A1 (ja) | 2018-10-04 |
US20200150359A1 (en) | 2020-05-14 |
CN110494783B (zh) | 2022-01-04 |
JP6941460B2 (ja) | 2021-09-29 |
KR102597730B1 (ko) | 2023-11-02 |
CN110494783A (zh) | 2019-11-22 |
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