TWI781162B - 光電混合基板、連接器組及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種光電混合基板，可裝設於具備底壁的連接器。光電混合基板是朝向光波導、電路基板的厚度方向一側依序具有該光波導和電路基板。光波導具備下包覆層、配置於下包覆層的一表面上的芯材層、及在下包覆層的一表面上配置成被覆芯材層的上包覆層。下包覆層與前述電路基板的厚度方向另一表面接觸。電路基板的厚度方向一表面可放置於底壁。

Description

光電混合基板、連接器組及其製造方法

發明領域

本發明是有關於一種光電混合基板、連接器組及其製造方法，詳而言之，是有關於光電混合基板、具有該光電混合基板的連接器組、以及連接器組的製造方法。

發明背景

過去以來，混合有電氣配線與光波導的光電混合基板已為眾所周知。

已有例如具備光元件搭載基板與光電路層之光電混合基板的方案被提出，其中該光元件搭載基板具有絕緣性基板及電氣配線，該光電路層具有複數個芯材部及被覆該芯材部之包覆層(參照例如專利文獻1)。

在專利文獻1的光電混合基板中，光電路層具有在前後方向上較長的帶狀，且在光電路層的後端部之上積層有光元件搭載基板。另一方面，在光電路層的前端部設置PMT光連接器，並利用所述的PMT光連接器，來將光電路層對光纖進行光連接。

PMT光連接器(第1連接器)是將規格形成為具有PMT本體，且該PMT本體是具有2個銷孔(第1銷孔)之正面視角下呈

字形狀的本體(參照例如非專利文獻 1)。將光電混合基板裝設到PMT光連接器時，是將光電混合基板的前端部載置於PMT本體上。

當將光電混合基板裝設到PMT光連接器時，會使連結複數個芯材部的厚度方向中心的第1假想線與連結2個銷孔的第2假想線一致。

之後，對銷孔插入導銷(圖未示)，並將所述導銷插入裝設有光纖的另外的PMT光連接器(第2連接器)所具有的第2銷孔(圖未示)，可以將光電路層對光纖進行光連接。

先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2011-170251號公報

非專利文獻1：PMT光連接器之詳細規格、JPCA-PE03-01-07S-2006，日本電子電路工業會

發明概要

但是，如圖16所示，在光電混合基板103中，依據目的及用途，有時會在光電路層114的後端部及前端部之雙方積層光元件搭載基板115。

在該情況下，所試行的方案是如圖17A所示，在光電混合基板103中，將光電路層114配置在下側，並將所述光電路層114放置於PMT本體104的底壁107。若 是該試行方案，從底壁107到第1線L11的厚度方向位置的公差可以因為主要包含上包覆層118的厚度而將其降低。

但是，近年來，將從底壁107到第1線L11在厚度方向位置的公差更進一步降低之情形仍持續被要求。

另一方面，由於上包覆層118的厚度T是指從芯材部121的下表面到上包覆層118的下表面為止的厚度，且會因應於芯材部121的厚度而變動，所以導致上包覆層118的厚度T容易產生偏差。在該情況下，因為上包覆層118的厚度T之偏差包含在上述之公差中，所以會有無法充分地降低所述之公差的不良狀況。

本發明在於提供一種可以降低從設置於連接器的底壁到芯材層的厚度方向位置中的公差之連接器組、其製造方法、以及設置於連接器組的光電混合基板。

本發明(1)包含一種連接器組，其可裝設於具備底壁的連接器，且朝向光波導、電路基板的厚度方向一側依序具有該光波導和電路基板，前述光波導具備下包覆層、配置於前述下包覆層的一表面上的芯材層、及在前述下包覆層的前述一表面上配置成被覆前述芯材層的上包覆層，前述下包覆層與前述電路基板的前述厚度方向另一表面接觸，且前述電路基板的前述厚度方向一表面可放置於前述底壁。

在此光電混合基板中，是使位於光波導中的下包覆層與電路基板的厚度方向另一表面接觸。並且，只 要將此光電混合基板裝設於連接器，電路基板的厚度方向的一表面即與底壁接觸。因此，從底壁到芯材層的厚度方向位置中的公差，雖然包含電路基板與接觸於其之下包覆層的公差，但並未包含上包覆層的厚度之公差(偏差)。其結果，可以降低芯材層在厚度方向位置中的公差。從而，光電混合基板具有優異的光連接可靠性。

本發明(2)是包含(1)所記載的光電混合基板，其中前述電路基板的端緣比前述光波導的端緣更位於內側。

若是該光電混合基板，由於電路基板的端緣比光波導的端緣更位於內側，所以即使在電路基板及底壁之間過剩地配置具有流動性的接著劑，仍然可以讓多餘的接著劑朝電路基板的端緣的外側逸散，而將其收容於電路基板的端緣的外側，且光波導的端緣的厚度方向一側。

本發明(3)是包含(1)或(2)所記載的光電混合基板，其中前述電路基板具有中央部及端部，前述中央部與前述底壁之距離比前述端部與前述底壁間之距離更短。

根據該連接器組，可以讓電路基板的中央部相較於端部，對底壁較確實地接近。因此，可以降低從底壁到芯材層的厚度方向位置中的公差。

本發明(4)是包含(1)~(3)中任一項所記載的光電混合基板，其中前述光波導的前述厚度方向另一表面具有溝。

只要連接器具有凸部，就可以藉由將連接器的凸部嵌合於光波導的溝，而確實地相對於連接器來裝設光電混合基板。

本發明(5)包含一種連接器組，其具備(1)~(4)中任一項所記載的光電混合基板、以及裝設前述光電混合基板且具備底壁之連接器，前述光電混合基板中的電路基板的前述厚度方向一表面是放置於前述底壁。

在連接器組中，是光波導的下包覆層與電路基板的厚度方向另一表面接觸，且將電路基板的厚度方向一表面放置於底壁。因此，從底壁到芯材層的厚度方向位置的公差，雖然包含電路基板與接觸於其之下包覆層的厚度之公差，但並未包含上包覆層的厚度之公差(偏差)。其結果，可以降低從底壁到芯材層的厚度方向位置中的公差。從而，本發明的連接器組具有優異的光連接可靠性。

本發明(6)包含一種連接器組，其具備(4)所記載的光電混合基板、及連接器，該連接器裝設有前述光電混合基板，且具備：具有底壁之本體、及配置於前述底壁的前述厚度方向另一側之蓋件，前述光電混合基板中的電路基板的前述厚度方向一表面是放置於前述底壁，前述蓋件具有可嵌合於前述溝之突部。

根據該連接器組，可以將蓋件的突部嵌合於光波導的溝，藉此，可以將光電混合基板相對於連接器定位。

本發明(7)包含一種連接器組的製造方法，其 準備：第1步驟，準備(1)~(4)中任一項所記載之光電混合基板；第2步驟，準備具備底壁的連接器；及第3步驟，以前述光電混合基板中的電路基板的厚度方向一表面放置於前述底壁的方式，將前述光電混合基板裝設於前述連接器。

在連接器組的製造方法中，只要實施第3步驟，即可使光波導中的下包覆層與電路基板的厚度方向的另一表面接觸，且電路基板的厚度方向一表方會與底壁接觸。因此，配置於下包覆層一表面的芯材層的厚度方向位置之公差，雖然包含下包覆層及電路基板的厚度之公差，但並未包含上包覆層的厚度之公差(偏差)。其結果，可以降低芯材層的厚度方向位置中的公差。從而，本發明的製造方法，可以製造具有優異的光連接可靠性的連接器組。

本發明的光電混合基板，可以降低芯材層的厚度方向位置中的公差，並且具有優異的光連接可靠性。

本發明的連接器組可以降低從底壁到芯材層的厚度方向位置中的公差，且本發明的連接器組具有優異的光連接可靠性。

又，根據本發明的連接器組，可以將光電混合基板相對於連接器定位。

本發明之連接器組的製造方法，可以製造具 有優異的光連接可靠性的連接器組。

1:連接器組

2:連接器

3、103:光電混合基板

4:本體

5:蓋件

6:裝設輔助構件

7、107:底壁

8:延伸壁

9:本體缺口部

10:蓋件缺口部

11:光元件安裝區域

12:光波導區域

13:光元件

14:光波導

15:電路基板

16:下包覆層

17:芯材層

18、118:上包覆層

19:第1下表面

20:第1上表面(一表面之一例)

21、121:芯材部

22:第2連接器組

23、123:光纖

24:連接器缺口部

25:第1側面

26:第1前表面

27:第2連接器

28:第2芯材部

29:導銷

31:第2下表面

32:第2上表面

33:第2側面

34:第2前表面

35:鏡面

37:接著劑層

38:接著劑組成物

39:空氣

41:第3下表面

42:第3上表面

43:第3側面

44:第3前表面

45:光連接面

48:接合面

49:後表面

51:金屬支撐層

52:基底絕緣層

53:導體層

54:覆蓋絕緣層

55:開口部

56:金屬上表面

57:金屬下表面

58:金屬連結面

61:基底上表面(電路基板的厚度方向另一表面之一例)

62:基底下表面(電路基板的厚度方向一表面之一例)

63:基底前表面

64:基底側面

65:露出部

66:溝

67:蓋件突部

68:第1溝

69:第2溝

71:光側端子

72:配線

73:第1端子

74:第2端子

76:外部側端子

77:底面

85:基準孔

91:覆蓋上表面

92:覆蓋下表面

93:覆蓋連結面

104:PMT本體

114:光電路層

115:光元件搭載基板

L1:第1假想線

L11:第1線

L2:第2假想線

T:厚度

圖1A及圖1B是顯示本發明的連接器組的一實施形態，圖1A顯示立體圖，圖1B顯示分解立體圖。

圖2A及圖2B是顯示圖1A所示的連接器組，圖2A顯示平面圖，圖2B顯示仰視圖。

圖3A及圖3B是顯示圖1A所示的連接器組之側視截面圖，圖3A顯示與第2連接器組連接前的狀態，圖3B顯示與第2連接器組連接時的狀態。

圖4A及圖4B是顯示圖1A所示的連接器組，圖4A顯示分解正面圖，圖4B顯示正面圖。

圖5A及圖5B是顯示圖4B所示之連接器組的第1變形例，圖5A顯示將光電混合基板接著於連接器前的狀態，圖5B顯示已將光電混合基板接著於連接器時的狀態。

圖6A及圖6B的每一個是顯示圖4B所示之連接器組的第2變形例及第3變形例的每一個，圖6A顯示電路基板的左右兩端緣在平面視角下與光波導的左右兩端緣位於相同位置的第2變形例，圖6B顯示電路基板的左右兩端緣在平面視角下比光波導的左右兩端緣更位於內側的第3變形例。

圖7A及圖7B的每一個是顯示圖4B所示之連接器組的第4變形例及第5變形例的每一個，圖7A顯示相較於光電混合基板的左右兩端部，光電混合基板的中央部較接近於底壁的第4變形例，圖7B顯示相較於光電混合基板的左右兩端部，光電混合基板的中央部較遠離底壁的第5變形例。

圖8A及圖8B是顯示圖1B所示的連接器組的第6變形例，圖8A顯示從下側觀看蓋件之立體圖，圖8B顯示從上側觀看本體及光電混合基板之立體圖。

圖9A及圖9B是顯示圖1B所示的連接器組的第7變形例，圖9A顯示從下側觀看蓋件的立體圖，圖9B顯示從上側觀看本體及光電混合基板的立體圖。

圖10是顯示圖4A所示的連接器組的第8變形例之正面圖。

圖11是顯示圖4A所示的連接器組的第9變形例之正面圖。

圖12是顯示圖4A所示的連接器組的第10變形例之正面圖。

圖13是顯示圖4A所示的連接器組的第11變形例之正面圖。

圖14是顯示圖4A所示的連接器組的第12變形例之正面圖。

圖15是顯示圖4A所示的連接器組的第13變形例之正面圖。

圖16是顯示比較例1(依據專利文獻1及非專利文獻1的試行方案)之連接器組(於光元件安裝區域具有光電混合基板(基底絕緣層)的態樣)之側視截面圖。

圖17是顯示圖16所示的連接器組之正面圖，圖17A顯示與第2連接器組連接前的狀態，圖17B顯示已與第2連接器組連接時的狀態。

用以實施發明之形態

連接器組的一實施形態

在圖4A及圖4B中，紙面上下方向是指上下方向(厚度方向之一例，第1方向)，紙面下側為下側(厚度方向一側，第1方向一側)，紙面上側為上側(厚度方向另一側，第1方向另一側)。

在圖4A及圖4B中，紙面左右方向是指左右方向(正交於厚度方向的寬度方向(第1正交方向)、或正交於第1方向的第2方向)。

在圖3A及圖3B中，紙面左右方向是指前後方向(長度方向(第2正交方向)，正交於第1方向及第2方向的第3方向)，紙面右側為前側(長邊方向一側，第3方向一側)，紙面左側為後側(長邊方向另一側，第3方向另一側)。

具體而言，方向是遵循各圖之方向箭號。

並無以該方向之定義來限定光電混合基板及連接器組的製造時及使用時的方向之用意。

參照圖1A至圖4B來說明本發明之連接器組的一實施形態。

再者，在圖2A中，為了讓後述之光波導14中的芯材層17的相對配置及形狀明確，而將後述之上包覆層18省略。

在圖2B中，為了讓後述之電路基板15中的導體層53及金屬支撐層51的相對配置及形狀明確，而將後述 之覆蓋絕緣層54省略。

如圖1A及圖1B所示，連接器組1是構成為可以和第2連接器組22連接(接合)，該第2連接器組22具有作為外部的光電路之一例之光纖23(假想線)。具體來說，連接器組1具備連接器2及光電混合基板3。

連接器2可以列舉例如符合於JPCA規格(PMT光連接器的詳細規格，JPCA-PE03-01-07S-2006，日本電子電路工業會)的PMT光連接器等。連接器2具有在前後方向上稍微延伸的大致方形筒形狀。藉此，連接器2在正面視角下具有大致矩形框形狀。連接器2是以分開方式具備本體4、蓋件5及裝設輔助構件6。

本體4具有朝向上側開放之正面視角下的

字形狀。本體4是一體地具備底壁7與2個延伸壁8。

底壁7具有在左右方向上延伸之大致矩形平板形狀。底壁7包含本體4中的底面77。底面77是底壁7的上表面，且為沿左右方向(面方向)的平面。

延伸壁8具有從底壁7的左右兩端緣朝上側延伸的形狀。2個延伸壁8的每一個具有在上下方向上延伸之大致矩形平板形狀。

又，2個延伸壁8的每一個具有作為基準部之一例的基準孔85。2個基準孔85的每一個是從2個延伸壁8的每一個的前表面朝向後側穿孔的孔。又，2個基準孔85是一起位於從底壁7的底面77起算規定的厚度方向位置。2個基準孔85會在朝左右方向投影時重複。

如參照圖4A及圖4B，2個基準孔85是成為後述之芯材層17與光纖23(參照圖1B)的光連接的基準。2個基準孔85的每一個是位於從底壁7的底面77起算規定的厚度方向位置。具體來說，2個基準孔85是位於從底面77到預先設定(固定)為從光電混合基板3的前端部中的下表面到芯材部21的厚度方向中心為止之長度量的厚度方向位置。2個基準孔85是沿著左右方向而形成連結其等的第2假想線L2。

又，本體4是如圖1B所示，具有本體缺口部9。本體缺口部9是藉由將本體4的後端部之內表面切除而形成。詳而言之，本體缺口部9是藉由將底壁7的後端部的上表面、及從2個延伸壁8的後端部的下端部涵蓋到上下方向中央部的內表面接續切除而形成。

蓋件5具有朝左右方向延伸之大致矩形平板形狀。蓋件5的前後方向長度，實質上是與本體4的前後方向相同。蓋件5的左右方向長度，實質上是與2個延伸壁8之間的間隔相同。蓋件5具有蓋件缺口部10。蓋件缺口部10是藉由將蓋件5的後端部的下表面切除而形成。蓋件缺口部10與本體缺口部9共同構成連接器缺口部24。連接器缺口部24是接續而具有蓋件缺口部10及本體缺口部9。

裝設輔助構件6是配置於連接器2中的後端部。裝設輔助構件6具有左右方向較長，且朝前後方向延伸之大致方形筒(方形圈)形狀。具體來說，裝設輔助構件6具有其前端部嵌合於連接器缺口部24的尺寸。再者，裝設 輔助構件6的後端部是從本體缺口部9及蓋件缺口部10朝後側突出。再者，裝設輔助構件6在例如JPCA規格中是稱為引出罩(boot)。

作為連接器2的材料，只要可以精度良好地成形為上述之本體4、蓋件5及裝設輔助構件6的形狀，並且可精度良好地裝設光電混合基板3即可，並未特別限定，可列舉例如樹脂、金屬，且較佳為樹脂。

連接器2的尺寸可依照裝設的光電混合基板3的尺寸而適當設定。

光電混合基板3是裝設在連接器2上。光電混合基板3具有朝前後方向延伸之大致平板形狀。詳而言之，光電混合基板3具有後端部成為寬度較寬(左右方向長度較長)之平面視角下的大致T字形狀。光電混合基板3是一體地具有光元件安裝區域11與光波導區域12。

如圖2A及圖2B所示，光元件安裝區域11是位於光電混合基板3的後端部之區域。光元件安裝區域11是安裝後述之光元件13的區域。光元件安裝區域11在平面視角下具有大致矩形狀。光元件安裝區域11具有剛性。

光波導區域12是位於光電混合基板3的前側之區域。具體來說，光波導區域12具有從光元件安裝區域11的前端緣的左右方向中央部朝前側延伸的形狀。光波導區域12具有相對於光元件安裝區域11寬度較窄(左右方向長度較短)之平面視角下的大致矩形狀。光波導區域12的前後方向的長度比光元件安裝區域11的前後方向的長度 長。光波導區域12具有比光元件安裝區域11柔軟的可撓性。

並且，如圖3A及圖4A所示，光電混合基板3是朝向下側依序具備光波導14及電路基板15。光電混合基板3具備光波導14、及位於光波導14之下的電路基板15。

如圖2A及圖2B所示，光波導14在平面視角下，具有與光電混合基板3的外形形狀相同的外形形狀。光波導14具有可撓性。光波導14是長條型光波導。具體來說，如圖3A及圖4A所示，光波導14是朝向上側依序具備下包覆層16、芯材層17、及上包覆層18。詳而言之，光波導14具備下包覆層16、配置於下包覆層16一表面的一例即第1上表面20的芯材層17、及在下包覆層16的第1上表面20配置成被覆下包覆層16的上包覆層18。較佳的是，光波導14僅由下包覆層16、芯材層17及上包覆層18所構成。

如圖2A所示，下包覆層16在平面視角下，具有與光波導14的外形形狀相同的外形形狀。下包覆層16具有在前後方向上延伸之大致片材(平板)形狀。下包覆層16是涵蓋光元件安裝區域11及光波導區域12之雙方而配置。如圖3A及圖4A所示，下包覆層16是接續而具有第1下表面19、在第1下表面19之上隔著間隔而相向配置的第1上表面20、及連結其等的端緣的第1連結面。

第1下表面19是形成光波導14的最下表面。第1下表面19是朝面方向延伸。又，第1下表面19是接觸於後述之電路基板15的上表面(厚度方向另一表面之一例)。

第1上表面20是平行於面方向的平面。

第1連結面包含連結第1下表面19左右兩端緣以及第1上表面20左右兩端緣的2個第1側面25(參照圖4A)、以及連結第1下表面19及第1上表面20的前端緣的1個第1前表面26(參照圖3A)。第1側面25及第1前表面26是沿厚度方向的平面。第1側面25是沿前後方向延伸的平面(左側面及右側面)。第1前表面26是沿著左右方向的前端面。

作為下包覆層16的材料，可列舉例如具有透明性及可撓性的樹脂，較佳為具有絕緣性、透明性及可撓性的樹脂，具體來說，可列舉環氧樹脂、聚醯胺酸樹脂、聚醯亞胺樹脂等。

下包層16的厚度為例如2μm以上，較佳為10μm以上，又，為例如100μm以下，較佳為40μm以下。下包覆層16的厚度是從第1下表面19中的最下部到第1上表面20為止的長度。

芯材層17是接觸於下包覆層16的第1上表面20。如圖2A所示，芯材層17具有在左右方向上相互隔著間隔而配置的複數個(3個)芯材部21。複數個芯材部21具有朝前後方向延伸的形狀。複數個芯材部21是涵蓋光元件安裝區域11及光波導區域12之雙方而配置。如圖4A所示，複數個芯材部21的每一個在正面視角下具有大致矩形狀。藉此，複數個芯材部21的每一個是接續而具有第2下表面31、在其上隔著間隔而相向配置的第2上表面32、以 及連結其等的端緣的第2連結面。

第2下表面31是朝前後方向延伸的平面。第2下表面31是接觸於下包覆層16的第1上表面20。又，對應於複數個芯材部21的複數個第2下表面31的全部，在朝左右方向投影時，是位於相同位置。

第2上表面32是朝前後方向延伸的平面。第2上表面32是平行於第2下表面31。又，對應於複數個芯材部21的複數個第2上表面32的全部，在朝左右方向投影時，是位於相同位置。

如圖3A及圖4所示，第2連結面是接續而具有連結第2下表面31的左右兩緣及第2上表面32左右兩端緣的2個第3側面33、連結2個第3側面31的前端緣的第2前表面34、及連結2個第3側面31的後端緣的鏡面35。

第2側面33是與第2下表面31及第2上表面32一起朝前後方向延伸的平面(左側面及右側面)。

第2前表面34是朝左右方向延伸的平面。第2前表面34是相對於第1前表面26而在厚度方向形成齊平面。第2前表面34是接續於第1前表面26。又，對應於複數個芯材部21的複數個第2前表面34的下端緣的全部，在朝左右方向投影時，是位於相同位置，又，對應於複數個芯材部21的複數個第2前表面34的上端緣的全部，在朝左右方向投影時，是位於同位置。因此，對應於複數個芯材部21的複數個第2前表面34的厚度方向中心(第2前表面34中的下端緣及上端緣之間的中間點)，會形成通過其等的第1 假想線L1。

鏡面35是在芯材層17中的第2後表面，且為相對於第2下表面31(沿面方向的假想面)成45度的角度之斜面。又，鏡面35是光傳輸方向轉換構件(或是光路轉換構件)，其是將從光元件13射入之光(光訊號)的傳輸方向從上下方向變更為前後方向。

芯材層17之下包覆層16的折射率，是相對於下包覆層16之折射率而設定得較高。

芯材層17的材料，是從滿足上述之折射率的材料中選擇，具體而言，是選擇具有高折射率、優異之絕緣性、透明性及可撓性的樹脂，具體來說，是從在下包覆層16中例示的樹脂中選擇。

芯材層17的尺寸可依照光電混合基板3的用途及目的而適當設定。具體來說，也可依所製造的複數個光電混合基板3(每個、或每批次的光電混合基板3)而變動。

芯材層17的厚度為例如10μm以上，較佳為30μm以上，又，為例如2000μm以下，較佳為70μm以下。芯材部21的寬度為例如10μm以上，較佳為150μm以上，又，為例如200μm以下，較佳為100μm以下。相鄰之芯材部21之間的間隔為例如10μm以上，較佳為150μm以上，又，為例如2000μm以下，較佳為1500μm以下。

上包覆層18會被覆下包覆層16。上包覆層18在平面視角下，具有與下包覆層16之外形形狀相同的外形 形狀。上包覆層18具有在前後方向上延伸之大致片材(平板)形狀。上包覆層18是涵蓋並位於光元件安裝區域11及光波導區域12之雙方。如圖4A所示，上包覆層18是接觸於下包覆層16的第1上表面20中被芯材層17的第2下表面31所接觸的部分以外的部分，並且接觸於芯材層17的第2上表面32及第2側面33。藉此，上包覆層18會被覆(埋設)芯材層17。上包覆層18是接續而具有第3下表面41、在第3下表面41之上隔著間隔而相向配置的第3上表面42、以及連結其等的端緣的第3連結面。

第3下表面41是接觸於下包覆層16的第1上表面20當中未接觸有芯材層17的第2下表面31的部分、及芯材層17的第2上表面32及第2側面33。第3下表面41是朝前後方向延伸，且具有相向於第1上表面20、第2上表面32及第2側面33的複數個平面，且所述的複數個平面是相接續。

第3上表面42是形成光波導14的最上表面。第3上表面42是沿著前後方向且沿前後方向延伸。第3上表面42是平行於第1上表面20。

如圖3A及圖4A所示，第3連結面是接續而具有連結第3下表面41的左右兩端緣及第3上表面42的左右兩端緣的2個第3側面43(參照圖4A)、及連結2個第3側面43的前端面的第3前表面44(參照圖3A)。

第3側面43是沿前後方向的平面(左側面及右側面)。第3側面43是與下包覆層16的第1側面25在厚度 方向上形成為齊平面。第3側面43是接續於第1側面25。

第3前表面44是沿著左右方向的前端面。第3前表面44是與第2前表面34在厚度方向上形成為齊平面。第3前表面44是接續於第2前表面34。

於是，第3前表面44、第2前表面34及第1前表面26是形成在厚度方向及左右方向上延伸的1個光連接面45。光連接面45是具有第1前表面26、第2前表面34及第3前表面44的平面。光連接面45宜僅由第1前表面26、第2前表面34及第3前表面44所構成。

上包覆層18的折射率，是相對於芯材層17之折射率而設定得較低。較佳為上包覆層18的折射率與下包覆層16的折射率相同。

上包覆層18的材料是從滿足上述之折射率的材料中選擇，具體來說，是選擇具有低折射率、優異的絕緣性、透明性及可撓性的樹脂，具體來說，是選擇與下包覆層16相同的樹脂。

上包覆層18的厚度T為例如2μm以上，較佳為5μm以上，又，為例如50μm以下，較佳為40μm以下。上包覆層18的厚度T是從芯材層17的第2上表面32到上包覆層18的第3上表面42為止的長度。詳而言之，是從下包覆層16的第1上表面20到上包覆層18的第3上表面42中的位於最上部的部分為止的長度。

再者，當在複數個批次或單一片材內製造複數個光電混合基板3時，即使製造處理方法為相同條件， 對應於複數個光電混合基板3的複數個上包覆層18的厚度T的偏差仍然較大。具體來說，複數個上包覆層18的厚度T的標準偏差為例如0.5μm以上，進一步為1.0μm以上、更進一為1.5μm以上，又，為例如為3.0μm以下。

如圖3A所示，電路基板15是配置在光波導14的下表面。電路基板15是涵蓋光元件安裝區域11及光波導區域12之雙方而配置。

如圖2B所示，電路基板15在仰視視角下，具有比光波導14更小的相似形狀。具體來說，電路基板15在仰視視角下，是相對於光波導14的左右兩端緣的每一個端緣，而具有配置於左右方向內側(寬度方向內側)的左右兩端緣的每一個端緣。也就是，在光波導區域12中的電路基板15是相對於光波導區域12中的光波導14而寬度較窄(左右方向的長度較短)。

如圖3A所示，電路基板15是朝向厚度方向下側依序具備金屬支撐層51、基底絕緣層52、導體層53、及覆蓋絕緣層54。具體來說，電路基板15具備金屬支撐層51、配置在金屬支撐層51之下的基底絕緣層52、配置在基底絕緣層52之下的導體層53、及在基底絕緣層52之下配置成被覆導體層53的一部分的覆蓋絕緣層54。較佳的是，電路基板15是僅由金屬支撐層51、基底絕緣層52、導體層53、及覆蓋絕緣層54所構成。

金屬支撐層51是支撐導體層53的補強層。

如圖2B所示，金屬支撐層51是設置在光元件 安裝區域11。詳而言之，金屬支撐層51並未設置在光波導區域12，而僅設置在光元件安裝區域11。金屬支撐層51具有朝左右方向延伸之大致矩形平板形狀。再者，金屬支撐層51具有相對於在光元件安裝區域11中的電路基板15的外形形狀稍小的相似形狀。又，金屬支撐層51具有對應於複數個(3個)芯材部21的複數個(3個)開口部55。如圖3B所示，複數個開口部55的每一個是在厚度方向上貫穿金屬支撐層51。複數個開口部55的每一個在平面視角下具有大致圓形狀(或者橢圓形狀)。如圖3A所示，複數個開口部55的每一個在平面視角下包含鏡面35。

如圖3A所示，又，金屬支撐層51是接續而具有金屬上表面56、在其下隔著間隔而相向配置的金屬下表面57、及連結其等的端緣的金屬連結面58。

金屬上表面56是朝面方向延伸的平面。金屬下表面57是平行於金屬上表面56的平面。金屬上表面56及金屬連結面58是接觸於下包覆層16的第1下表面19。藉此，金屬支撐層51是相對於下包覆層16而潛入(被埋設)。

作為金屬支撐層51的材料，可列舉例如不銹鋼、42合金、鋁、銅鈹合金、磷青銅、銅、銀、鋁、鎳、鉻、鈦、鉭、鉑、金等之金屬，從補強性(機械強度)的觀點來看，可列舉不銹鋼。

金屬支撐層51的厚度為例如3μm以上，較佳為10μm以上，又，為例如100μm以下，較佳為50μm以下。再者，金屬支撐層51的厚度宜比下包覆層16的厚度 更薄。

基底絕緣層52是與金屬支撐層51一起支撐導體層53的支撐層(基底層)。又，基底絕緣層52是將導體層53和金屬支撐層51一起絕緣的絕緣層。

基底絕緣層52是設置於光元件安裝區域11及光波導區域12之雙方。基底絕緣層52在仰視視角下，具有與電路基板15的外形形狀相同的外形形狀。也就是，基底絕緣層52是接續而具有對應於光元件安裝區域11之電路基板15的外形形狀、以及對應於光波導區域12之電路基板15的外形形狀。基底絕緣層52在光元件安裝區域11及光波導區域12中，具有朝前後方向延伸之大致矩形平板形狀。

如圖3A及圖4A所示，基底絕緣層52是接續而具有基底上表面61、在其下隔著間隔而相向配置之基底下表面62、及連結其等的端緣的基底連結面。

基底上表面61是沿面方向的平面。基底上表面61是接觸於金屬支撐層51的金屬上表面56、及下包覆層16的第1下表面19。

基底下表面62是平行於基底上表面61。基底下表面62是接觸於後述之導體層53和覆蓋絕緣層54。

基底連結面具有連結基底上表面61及基底下表面62之前端緣的基底前表面63、及連結基底上表面61的左右兩端緣及基底下表面62的左右兩端緣的2個基底側面64。

基底前表面63是與光波導14的光連接面45在厚度方向為齊平面而接續於光連接面45。由基底前表面63及光連接面45可形成接合面48。

2個基底側面64是相互平行的平面。又，2個基底側面64在仰視視角下，是相對於光波導14的第1側面25及第3側面43而配置於內側。也就是，基底絕緣層52的左右兩端緣比光波導14的左右兩端緣更位於內側。因此，基底側面64是使光波導14的第1下表面19的兩端部面朝向下側而露出。藉此，可在第1下表面19形成露出部65。

基底絕緣層52的材料為例如具有絕緣性之樹脂，較佳為具有絕緣性及可撓性之樹脂。作為基底絕緣層52的材料，可列舉例如聚醯亞胺樹脂、聚醚腈樹脂、聚醚碸樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、聚氯乙烯樹脂等之樹脂，較佳可列舉聚醯亞胺。

基底絕緣層52的厚度為例如2μm以上，較佳為5μm以上，又，為例如為20μm以下，較佳為15μm以下。露出部65的寬度(左右方向長度)為例如2μm以上，較佳為5μm以上，又，為例如2mm以下，較佳為1mm以下。

導體層53是在外部的電路基板(圖未示)及光元件13之間傳輸電(電氣訊號)的訊號層。

導體層53是設置在光元件安裝區域11。導體層53是接觸於光元件安裝區域11中的基底絕緣層52的基底下表面62。導體層53是接續而具有光側端子71、接續於 光側端子71的配線72、及外部側端子76的圖案形狀。

如圖2A所示，光側端子71是在前後方向及左右方向的每個方向上相互隔著間隔而成行配置。光側端子71是相對於複數個芯材部21的每一個而設置有2個(1對)，具體來說，是相對於各芯材部21而具備第1端子73、及在其後側隔著間隔而相向配置的第2端子74。第1端子73是複數個在左右方向上相互隔著間隔而成行配置。第2端子74是複數個在左右方向上相互隔著間隔而成行配置。又，複數個第2端子74是相對於複數個第1端子73而隔著開口部55配置於後側。第1端子73及第2端子74的每一個在仰視視角下具有大致矩形形狀(方形焊盤形狀)。

配線72是相對於第1端子73及第2端子74的每一個而接續並設置有複數條。複數條配線72是朝前後方向延伸，且於第1端子73的後側，在左右方向上相互隔著間隔而成行配置。再者，複數條配線72當中接續於第1端子73的部分是朝左右方向延伸。

外部側端子76是設置在端子71的後側。外部側端子76是複數個(6個)在左右方向上相互隔著間隔而成行配置。複數個外部側端子76的後端緣是沿著光電混合基板3的後端緣。複數個外部側端子76的每一個是接續於複數條配線72的每一條。複數個外部側端子76的每一個具有在前後方向上較長之仰視視角下的大致矩形的形狀(方形焊盤形狀)。

作為導體層53的材料，可列舉例如銅、鎳、 金、銲錫等的導體，較佳可列舉銅。

導體層53的厚度為例如2μm以上，較佳為5μm以上，又，為例如20μm以下，較佳為15μm以下。

如圖3A所示，覆蓋絕緣層54是設置成對應於導體層53，具體來說，是設置於光波導區域12。覆蓋絕緣層54是接觸於光元件安裝區域11中的基底絕緣層52的基底下表面62(導體層53所接觸的部分以外)。覆蓋絕緣層54在光元件安裝區域11中，在仰視視角下，具有與基底絕緣層52相同的外形形狀。

覆蓋絕緣層54會被覆配線72，並且具有使光側端子71及外部側端子76露出的圖案形狀。

覆蓋絕緣層54是接續而具備覆蓋上表面91、在其下隔著間隔而相向配置的覆蓋下表面92、以及連結其等的端緣的覆蓋連結面93。

覆蓋絕緣層54的材料，可列舉在基底絕緣層52中所例示之樹脂。

覆蓋絕緣層54的厚度為例如2μm以上，較佳為4μm以上，又，為例如20μm以下，較佳為10μm以下。

電路基板15的厚度是金屬支撐層51、基底絕緣層52及覆蓋絕緣層54的總厚度(具體來說，是從金屬支撐層51的金屬上表面56中的最上部到覆蓋絕緣層54在覆蓋下表面92中的最下部為止的厚度方向長度)，且為例如13μm以上，較佳為20μm以上，又，為例如110μm以下， 較佳為60μm以下。

再者，若在複數個批次或單一片材內，並以相同處理方法製造複數個光電混合基板3，對應於複數個光電混合基板3的複數個電路基板15的厚度的偏差會較小。具體來說，複數個電路基板15的厚度的標準偏差為例如2.0μm以下，較佳為1.0μm以下，更佳為0.5μm以下，又，為例如0.1μm以上。

接著，說明連接器組1的製造方法。

首先，製造連接器組1時，首先是如圖1B所示，準備光電混合基板3(第1步驟)，並且準備連接器2(第2步驟)。

在準備光電混合基板3(實施第1步驟)時，是例如，如圖3A所示，首先依序形成電路基板15及光波導14。

具體來說，首先，是以平板形狀(具體來說，是形成不具有開口部55的金屬板)來準備金屬支撐層51。

接著，在金屬支撐層51的金屬下表面57形成基底絕緣層52。具體來說，是在金屬下表面57塗佈含有上述之樹脂的感光性樹脂組成物，之後藉由光刻法形成基底絕緣層52，且之後依據需要來使其加熱(硬化)。再者，基底絕緣層52是以比之後形成(精密地製成)的光波導14更大的尺寸或相同尺寸來形成。

接著，在基底絕緣層52的基底下表面62形成導體層53。具體來說，是以添加法或消去法，較佳為添加 法，並以具有光側端子71及配線72的圖案形成導體層53。

接著，將覆蓋絕緣層54在基底絕緣層52之下形成為露出光側端子71，且被覆配線72。具體來說，是對基底絕緣層52的基底下表面62、導體層53的表面(露出面)塗佈含有上述之樹脂的感光性樹脂組成物，之後藉由光刻法形成基底絕緣層52，且之後依據需要來使其加熱(硬化)。

之後，藉由例如蝕刻等對金屬支撐層51進行外形加工，以形成開口部55。

藉此，準備(製作)電路基板15。

之後，在光電混合基板3的上側製作光波導14。詳而言之，是在基底絕緣層52及金屬支撐層51之上精密地製成光波導14。

具體來說，是對基底絕緣層52的基底上表面61、金屬支撐層51的金屬上表面56及金屬連結面58塗佈含有上述之樹脂的感光性樹脂組成物，且之後利用光刻法來形成下包覆層16。

接著，對下包覆層16的第1上表面20塗佈含有上述之樹脂的感光性樹脂組成物，且之後利用光刻法來形成芯材層17。

接著，參照圖4A，是對下包覆層16的第1上表面20、芯材層17的第2上表面32及第2側面33塗佈含有上述之樹脂的感光性樹脂組成物，之後利用光刻法來形成上包覆層18。

接下來，如參照圖3A地，藉由雷射加工或切 割加工來形成鏡面35。

藉此，製作光波導14。

之後，藉由雷射加工等的外形加工，將基底絕緣層52形成為上述之形狀(較佳是比光波導14更小的形狀)。藉此，將基底絕緣層52的第1下表面19的左右兩端緣設為露出部65。

藉此，準備(製作)光電混合基板3。

此光電混合基板3是用於製作連接器組1的零件，此外，是光電混合基板3中的電路基板15是可相對於連接器2的底壁7來放置的零件，且並未包含後述之光元件13或連接器2。具體來說，光電混合基板3是以單一零件的形式流通，且產業上可利用的裝置。詳而言之，光電混合基板3可以和連接器2分開地以單一的形式流通。或者，光電混合基板3也可以和連接器2做成套組來流通。在該情況下，光電混合基板3是在尚未構成(製造)連接器組1的狀態，且在上述的套組中，連接器2及光電混合基板3是以分開的構件(2個構件)來流通(具體來說，是成套販售)。

接著，將光元件13安裝到光電混合基板3。與此同時，將外部電路(圖未示)安裝到外部側端子76。

光元件13是例如發光元件或受光元件，且具有未圖示的2個端子(圖未示)、發光口(圖未示)。

將光元件13安裝到光電混合基板3時，是如圖3A的粗的假想線及圖2B的粗的假想線所示，將3個光元件13的每一個所具有2個端子(圖未示)，與對應於3個芯材 部21的每一個的2個光側端子71電連接，來將光元件13安裝於光元件安裝區域11。光元件13是由金屬支撐層51、基底絕緣層52及覆蓋絕緣層54所支撐。在仰視視角下，光元件13的發光口(圖未示)是包含於開口部55，並與鏡面35重複。

另外，如圖1B所示，準備連接器2(實施第2步驟)。在準備連接器2時，是準備本體4、蓋件5及裝設輔助構件6的每一個。

接著，將光電混合基板3裝設到連接器2(第3步驟)。

將光電混合基板3裝設到連接器2(實施第3步驟)時，首先，是將光電混合基板3(安裝有光元件13及外部側端子76的光電混合基板3)的前端部裝入(插入)裝設輔助構件6。

接著，以設成電路基板15朝下，光波導14朝上的狀態，將光電混合基板3放置於本體4的底壁7。具體來說，是如圖3A及圖4A所示，在光波導區域12中，設成基底絕緣層52的基底下表面62朝下，另一方面光波導14的上包覆層18第3上表面42朝上的狀態，來使電路基板15的下表面，也就是光波導區域12中的基底絕緣層52的基底下表面62接觸於底壁7的底面77。與此同時，使裝設輔助構件6的前端部嵌合於本體缺口部9。

於是，如圖4A及圖4B所示，基於連接器2中的2個基準孔85的第2假想線L2、和光電混合基板3的第1 假想線L1即一致。

接下來，將蓋件5配置在2個延伸壁8的上端部間，並且使蓋件5的蓋件缺口部10嵌合於裝設輔助構件6的上端部。

藉此，將光電混合基板3裝設在連接器2。藉此，製造連接器組1。

接著，說明有關連接器組1和第2連接器組22的連接。

如圖1A及圖3A所示，第2連接器組22具備第2連接器27和光纖23。

第2連接器27與連接器2實質上具有相同的構成，且具有2個第2基準孔(圖未示)。

光纖23是對應於光波導14的芯材部21，並具有在左右方向上排列的複數個第2芯材部28。

又，在第2連接器組22中，依據第2連接器27中的2個第2基準孔所形成的假想線、及在光纖23中通過複數個第2芯材部28的厚度方向中心的假想線會一致。

然後，首先準備連接器組1、第2連接器組22與2個導銷29，將導銷29的後部及前部的每一個插入連接器組1的基準孔85、以及第2連接器組22的第2基準孔(圖未示)。於是，接合面48即與光纖23的後表面(第2接觸面)相接觸。藉此，芯材部21的第2前表面34與第2芯材部28的後表面49進行面接觸。芯材部21與第2芯材部28於朝前後方向投影時重複。再者，可將連接器2與第2連接器27藉由夾 具(未圖示)等來結合。

藉此，可將光波導14與光纖23進行光連接。

然後，在該連接器組1中，是如圖4B所示，光波導14中的下包覆層16與電路基板15中的基底絕緣層52的基底上表面61相接觸，且將電路基板15中的基底絕緣層52的基底下表面62放置於底壁7。

因此，與配置於下包覆層16的第1上表面20的芯材層17的厚度方向的中心位置相關的公差，雖然包含下包覆層16及電路基板15的厚度之公差，但並未含上包覆層18的厚度T之公差(偏差)。

其結果，可以降低芯材層17的厚度方向的中心位置中的公差。

從而，該連接器組1具有優異的光連接可靠性。

如圖17A所示，在比較例1(參照專利文獻1)中，是將上包覆層18的第3上表面42放置於底面77。另一方面，芯材層17的形狀及尺寸會依據所製造的複數個光電混合基板3而變動。如此一來，上包覆層18的厚度T也會變動。如此一來，與芯材層17的厚度方向的中心位置相關的公差，會因為包含上述之上包覆層18的厚度T而增大。如此一來，如圖17B所示，導致第1假想線L1和第2假想線L2偏離(未一致)，在該情況下，即使例如與連接器2相關的第2假想線L2、及與第2連接器27的第2基準孔(圖未示)相關的假想線(圖未示)一致，第1假想線L1和與第2芯材部28相 關的假想線(圖未示)仍相偏離。也就是，光波導14的芯材部21和光纖23的第2芯材部28相偏離。其結果，與光纖123的連接可靠性題著地降低。

另一方面，在該實施形態中，例如，如圖4A所示，與芯材層17的厚度方向的中心位置相關的公差原本就未包含上包覆層18的厚度T之公差(偏差)。因此，可以確實地降低芯材層17的厚度方向的中心位置中的公差。

從而，該連接器組1具有更優異的光連接可靠性。

又，此連接器組1可以將延伸壁8的基準孔85作為光波導14中的芯材層17與第2芯材部28的光連接之基準來使用。

也就是，只要第1假想線L1與第2假想線L2一致，又，與第2芯材部28相關的假想線(圖未示)、及與第2連接器27的第2基準孔(圖未示)相關的假想線(圖未示)一致，即可以藉由以導銷29來使連接器組1中的與連接器2相關的第2假想線L2、及與第2連接器27的第2基準孔(圖未示)相關的假想線(圖未示)一致，而使第1假想線L1、及與第2芯材部28相關的假想線(圖未示)一致。也就是，可以確實且簡單地於連接器組1中的芯材部21、及第2連接器組22中的第2芯材部28的厚度方向中實施對位。

因此，可以謀求光波導14與光纖23的確實的光連接。

變形例

在以下的各變形例中，針對與上述之一實施形態同樣的構件及步驟，是附加相同的參照符號，並省略其詳細的說明。

又，可以適當地組合各變形例。

此外，各變形例，除特別記載以外，皆可以發揮與一實施形態同樣的作用效果。

第1變形例

在一實施形態中，如圖4A及圖4B所示，是將基底絕緣層52的基底下表面62、及底壁7的底面77直接接觸。但是，基底下表面62(電路基板15的下表面)只要可相對於底壁7放置即可。

在第1變形例中，是例如，如圖5B所示，基底下表面62是透過接著劑層37而接著(固定)於裝設輔助構件6。

接著劑層37是介於於基底下表面62與底面77之間。

透過接著劑層37將基底下表面62接著於裝設輔助構件6時，是如圖5A所示，首先將接著劑組成物38配置於底壁7的底面77。

接著劑組成物38為例如液態、半固態或固態。從將接著層38形成得較薄的觀點來看，宜為液態或半固態。也就是，較佳的是，接著劑組成物38具有流動性。又，接著劑組成物38可列舉硬化型、感壓接著型，從得到較高的接著性的觀點來看，可列舉硬化型。

接著劑組成物38若為液態或半固體態，即可以將接著劑組成物38塗佈在基底下表面62。

接著，使底壁7的底面77接觸於接著劑組成物38(若為固態，則為接著劑層37)。藉此，將接著劑組成物38在厚度方向上包夾(緊壓)於底面77與基底下表面62之間。

之後，若接著劑組成物38為硬化型，即藉由熱、活性能量線照射、濕氣等使接著劑組成物38硬化，以形成接著劑層37。

如圖5B所示，藉由該接著劑層37，可將基底絕緣層52的基底下表面62固定於底壁7。

接著劑組成物38在具有流動性的情況下，是形成為當被底面77與基底下表面62在厚度方向上夾住(緊壓)時，接著劑組成物38會朝外側逸散(流動)。但是，若是該光電混合基板3，由於基底絕緣層52的左右兩端緣比光波導14的左右兩端緣更位於內側，所以可以讓接著劑組成物38朝基底絕緣層52的左右兩端緣的外側逸散，而將其收容在基底絕緣層52的左右兩端緣的外側且光波導14左右兩端緣的下側。

第2變形例以及第3變形例

如圖6A所示，在第2變形例中，是在光波導區域12中，電路基板15相對於光波導14為同寬。詳而言之，是在光波導區域12中，電路基板15的左右兩端緣的每一個，相對於光波導14的左右兩端緣的每一個，在仰視視角下位於相同 位置。

如圖6B所示，在第3變形例中，是在光波導區域12中，電路基板15相對於光波導14而寬度較寬。詳而言之，是在光波導區域12中，電路基板15的左右兩端緣的每一個，相對於光波導14的左右兩端緣的每一個，在仰視視角下位於外側。

但是，相較於第2變形例及第3變形例，以第1變形例為較理想。在使用流動性的接著劑組成物38的情況下，若是第2變形例，如參照圖6A，會沿著光電混合基板3的左右兩側面(基底絕緣層52、第1側面25及第3側面43)朝向上側上爬，因此，會有接著劑層37的厚度不穩定的情況。又，若是第3變形例，如參照圖6B，會在電路基板15的左右兩端部之上，於接著劑組成物38上爬之時導致電路基板15彎折、或左右的位置偏離，而有因電路基板15左右的接著劑組成物38的厚度的不同而左右的位置偏離之情況。此外，如參照圖6A及圖6B，在第2變形例或第3變形例中，若電路基板15的寬度與2個延伸壁8之間的間隔為相同長度，會因剩餘之已失去逸散空間的接著劑組成物38，而有產生空隙的情況。

但是，如圖5A及圖5B所示，由於在第1變形例中，即使光波導14的寬度與2個延伸壁8間的間隔為相同長度，電路基板15的寬度相較於光波導14為寬度較狹窄，所以將基底下表面62放置於底面77時，可以讓剩餘的接著劑組成物38逸散到基底絕緣層52的端緣的外側且光波導 14的端緣的下側，來收容被基底下表面62與底面77夾住的接著劑組成物38。因此，根據第1變形例，可以使接著劑組成物38的厚度穩定，並降低從底壁7到芯材層17在厚度方向的中心位置中的公差。

第4變形例以及第5變形例

在一實施形態中，如圖4A所示，基底下表面62為平坦面。詳而言之，基底下表面62的中央部及底面77的距離，與基底下表面62的左右兩端部及底面77的距離相同。

另一方面，如圖7A及圖7B所示，在第4變形例及第5變形例中，基底下表面62的中央部朝上下方向的任一方翹曲，則基底下表面62的中央部及底面77的距離，與基底下表面62的左右方向兩端部和底面77的距離會不同。

在第4變形例中，是如圖7A所示，基底下表面62的中央部及底面77的距離，比基底下表面62的左右兩端部及底面77的距離更短。具體來說，具有光電混合基板3的左右方向中央部，相對於光電混合基板3的左右方向兩端部為位於下側之截面視角下的大致圓弧(弓形)形狀。詳而言之，光電混合基板3是從左右方向中央部隨著朝向左右兩端部而彎曲(翹曲)成朝上側前進。

另一方面，在第5變形例中，如圖7B所示，基底下表面62的中央部及底面77的距離，會比基底下表面62的左右兩端部及底面77的距離長。具體來說，具有光電混合基板3的左右方向中央部，相對於光電混合基板3的左 右方向兩端部位於上側之截面視角下的大致圓弧(弓形)形狀。詳而言之，光電混合基板3是從左右中央部隨著朝向左右兩端部而彎曲(翹曲)成朝下側前進。

第4變形例及第5變形例當中，較佳的是第4變形例。

在第5變形例中，如圖7B所示，在基底下表面62及底壁7的底面77之間配置具有流動性的接著劑組成物38的情況下，於基底下表面62對底壁7接近之時，基底下表面62的左右兩端部會易於捕捉(吃進)空氣(氣泡、空隙)39，如此一來，會使空氣39持續滯留在電路基板15的下側。如此一來，會有下述可能性：起因於空氣39，而使光電混合基板3中的第1假想線L1的位置上升，因此，第1假想線L1和基於2個基準孔85的第2假想線L2未相符合。

另一方面，若是第4變形例，即使在基底下表面62及底壁7的底面77之間配置具有流動性的接著劑組成物38，仍然可以讓接著劑組成物38從左右方向中央部分朝左右方向外側逸散。此外，相較於基底下表面62的左右方向兩端部，基底下表面62的左右方向中央部較接近於底面77，並且可以確實地進行接觸。因此，可以讓基底下表面62相對於底面77確實地接著，而可以在排除因第4變形例所產生的可能性。

再者，雖然未圖示，但也可以具有基底下表面62的前後方向中央部，朝下側及上側的任一方翹曲之截面視角下的大致圓弧(弓形)形狀。

第6變形例

在第6變形例中，如圖8B所示，上包覆層18的第3上表面42具有朝下側凹陷的溝66。溝66在平面視角下，是在相鄰的芯材部21之間沿著芯材部21而設置複數條(2條)。複數條溝66是在左右方向上相互隔著間隔而配置。

如圖8A所示，蓋件5在下表面具有作為可以嵌合於複數條溝槽66的突部之一例的複數個蓋件突部67。複數個蓋件突部67具有軌道形狀。

在連接器組1中，於配置蓋件5時，是相對於上包覆層18配置蓋件5，以使蓋件突部67嵌合(鑰匙式嵌合)於溝66。

藉此，可以將連接器2中的芯材部21的左右方向位置定位。

再者，雖然未圖示，但也可試行下述方案：在電路基板15的下表面(具體來說，是基底絕緣層52的基底下表面62)設置第3溝，並且在底壁7的底面77設置底突部，而謀求與上述同様的嵌合。但是，當接著劑組成物38被夾在電路基板15的下表面和底面77之間時，接著劑組成物38會因上述的嵌合而大幅流動。具體來說，接著劑組成物38會從第3溝溢出。因此，可能有無法降低芯材層17的厚度方向中的公差的情況。

但是，在第6變形例中，是如上述，使光波導14的上表面，具體來說，是上包覆層18的第2上表面32，具有溝66。因此，可以防止起因於上述之接著劑組成物38 的芯材層的厚度方向中的公差之增大。

第7變形例

在第6變形例中，是溝66全部沿著芯材部21。

另一方面，在第7變形例中，例如，如圖9B所示，溝66的一部分是與芯材部21交叉(具體來說，是正交)。

溝66是接續而具有第1溝68及第2溝69。

第1溝68是在相鄰的芯材部21之間，沿著芯材部21而設置複數條(2條)。

第2溝69會連結相鄰的第1溝68。第2溝69在平面視角下，是與芯材部21正交。再者，是將第2溝69的深度調整(切除)在下述深度：在上包覆層18中，未露出芯材層17的深度(或者，未接觸到芯材層17的深度)。

如圖9A所示，蓋件5的蓋件突部67具有對應於第1溝68及第2溝69的形狀。

藉由蓋件突部67嵌合於溝66之作法，可以將連接器2中的芯材部21的左右方向位置與前後方向位置之雙方都定位。

第8變形例~第13變形例

在一實施形態中，如圖3A及圖4A所示，在光波導區域12中，電路基板15具備基底絕緣層52。但是，對芯材部21中的電路基板15的層構成並未限定於此，具體來說，在第8變形例~第13變形例中，是參照圖10~圖15來揭示層構成。

第8變形例

如圖10所示，在第8變形例中，是在光波導區域12中，電路基板15具備基底絕緣層52及覆蓋絕緣層54。

於底壁7的底面77會接觸有覆蓋絕緣層54的覆蓋下表面92。

第9變形例

如圖11所示，在第9變形例中，在光波導區域12中，電路基板15具備基底絕緣層52、導體層53(配線72)及覆蓋絕緣層54。

於底壁7的底面77會接觸有覆蓋絕緣層54的覆蓋下表面92。

第10變形例

如圖12所示，在第10變形例中，在光波導區域12中，電路基板15具備金屬支撐層51及基底絕緣層52。

金屬支撐層51的金屬上表面56及金屬連結面58是接觸於下包覆層16的第1下表面19。

於底壁7的底面77會接觸有覆蓋絕緣層54的基底下表面62。

第11變形例

如圖13所示，在第11變形例中，在光波導區域12中，電路基板15具備金屬支撐層51、基底絕緣層52及覆蓋絕緣層54。

金屬支撐層51的金屬上表面56及金屬連結面58是接觸光波導14中的下包覆層16的第1下表面19。

於底壁7的底面77會接觸有覆蓋絕緣層54的覆蓋下表面92。

第12變形例

如圖14所示，如第12變形例所示，在光波導區域12中，電路基板15具備金屬支撐層51。

金屬支撐層51的金屬上表面56及金屬連結面58是接觸於下包覆層16的第1下表面19。

於底壁7的底面77會接觸有金屬支撐層51的金屬下表面57。

第13變形例

如圖15所示，在光波導區域12中，電路基板15具備金屬支撐層51、基底絕緣層52、導體層53(配線72)及覆蓋絕緣層54。

金屬支撐層51的金屬上表面56及金屬連結面58是接觸於下包覆層16的第1下表面19。

於底壁7的底面77會接觸有覆蓋絕緣層54的覆蓋下表面92。

其他變形例

光元件13的光電混合基板3的安裝時期，並未特別限定。例如，可以首先將光電混合基板3裝設到連接器2來製造連接器組1，之後，將光元件13安裝到連接器組1中的光電混合基板3。

在一實施形態中，如圖4A所示，基底前表面63接續於光連接面45。也就是，於厚度方向投影時，基底 絕緣層52的前端緣為與光波導14的前端緣位於相同位置。

但是，例如，如參照圖3A，可以將電路基板15的前端緣相對於光波導14的前端緣，例如朝後側或前側偏離來配置，且較佳的是朝後側偏離來配置。在該情況下，電路基板15的前端緣所偏離的範圍，是在基底下表面62與底壁7相向的範圍內。

在該情況下，接合面48會不包含基底前表面63，而僅包含光連接面45(第3前表面44、第2前表面34及第1前表面26)。

在一實施形態中，是將光波導14於電路基板15之上精密地製成。但是，光電混合基板3的製造方法(第1步驟)並不限定於此。例如，也可以首先形成下包覆層16、芯材層17及上包覆層18，以製造光波導14，並將所述光波導14透過例如接著劑等來貼附(積層、接著)於電路基板15之上。

在光波導14中，鏡面35亦可為將在複數個芯材部21中傳輸的光的傳輸方向從前後方向變更為上下方向的光傳輸方向轉換構件(或光路轉換構件)。

雖然未圖示，但上包覆層18的第3上表面42亦可具有凹凸面。

再者，上述發明雖然是作為本發明的例示之實施形態而提供，但其只不過是例示，並不是要限定地進行解釋。對該技術領域之通常知識者來說可明瞭之本發明的變形例均可包含在後述申請專利範圍中。

產業上之可利用性

光電混合基板可設置於連接器組。

2‧‧‧連接器

3‧‧‧光電混合基板

4‧‧‧本體

5‧‧‧蓋件

7‧‧‧底壁

12‧‧‧光波導區域

14‧‧‧光波導

15‧‧‧電路基板

16‧‧‧下包覆層

17‧‧‧芯材層

18‧‧‧上包覆層

19‧‧‧第1下表面

20‧‧‧第1上表面(一表面之一例)

21‧‧‧芯材部

25‧‧‧第1側面

26‧‧‧第1前表面

31‧‧‧第2下表面

32‧‧‧第2上表面

33‧‧‧第2側面

34‧‧‧第2前表面

41‧‧‧第3下表面

42‧‧‧第3上表面

43‧‧‧第3側面

44‧‧‧第3前表面

52‧‧‧基底絕緣層

61‧‧‧基底上表面(電路基板的厚度方向另一表面之一例)

62‧‧‧基底下表面(電路基板的厚度方向一表面之一例)

64‧‧‧基底側面

65‧‧‧露出部

77‧‧‧底面

85‧‧‧基準孔

L1‧‧‧第1假想線

L2‧‧‧第2假想線

T‧‧‧厚度

Claims (10)

1. 一種光電混合基板，其特徵在於：可裝設於具備底壁的連接器，且朝向光波導、電路基板的厚度方向一側依序具有該光波導和該電路基板，前述光波導具備下包覆層、配置於前述下包覆層的一表面上的芯材層、及在前述下包覆層的前述一表面上配置成被覆前述芯材層的上包覆層，前述下包覆層與前述電路基板的前述厚度方向另一表面接觸，且前述電路基板的前述厚度方向一表面可放置於前述底壁，可放置於前述底壁之前述電路基板的前述厚度方向一表面包含絕緣層。
2. 如請求項1之光電混合基板，其中前述電路基板的端緣比前述光波導的端緣更位於內側。
3. 如請求項1之光電混合基板，其中前述電路基板具有中央部及端部，前述中央部與前述底壁之距離比前述端部與前述底壁之距離更短。
4. 如請求項1之光電混合基板，其中前述光波導的前述厚度方向另一表面具有溝。
5. 一種連接器組，其特徵在於：具備： 如請求項1之光電混合基板；及裝設前述光電混合基板且具備底壁之連接器，前述光電混合基板中的電路基板的前述厚度方向一表面是放置於前述底壁。
6. 一種連接器組，其特徵在於：具備：如請求項4之光電混合基板；及連接器，裝設有前述光電混合基板，且具備：具有底壁之本體、及配置於前述底壁的前述厚度方向另一側之蓋件，前述光電混合基板中的電路基板的前述厚度方向一表面是放置於前述底壁，前述蓋件具有可以嵌合於前述溝之突部。
7. 一種連接器組的製造方法，其特徵在於具備：第1步驟，準備如請求項1之光電混合基板；第2步驟，準備具備底壁的連接器；及第3步驟，以前述光電混合基板中的電路基板的厚度方向一表面放置於前述底壁的方式，將前述光電混合基板裝設於前述連接器。
8. 如請求項1之光電混合基板，其中前述電路基板的前述絕緣層是基底絕緣層。
9. 如請求項8之光電混合基板，其中前述基底絕緣層的厚度為2μm以上、20μm以下。
10. 一種連接器組，其特徵在於：具備：光電混合基板，可裝設於具備底壁的連接器，且前述光電混合基板是：朝向光波導、電路基板的厚度方向一側依序具有該光波導和該電路基板，前述光波導具備下包覆層、配置於前述下包覆層的一表面上的芯材層、及在前述下包覆層的前述一表面上配置成被覆前述芯材層的上包覆層，前述下包覆層與前述電路基板的前述厚度方向另一表面接觸，且前述電路基板的前述厚度方向一表面可放置於前述底壁，前述光波導的前述厚度方向另一表面具有溝；及連接器，裝設有前述光電混合基板，且具備：具有底壁之本體、及配置於前述底壁的前述厚度方向另一側之蓋件，前述光電混合基板中的電路基板的前述厚度方向一表面是放置於前述底壁，前述蓋件具有可以嵌合於前述溝之突部。

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