JP2018173514A - 光電気混載基板および光電気混載基板アセンブリ - Google Patents

Abstract

【課題】一端部に電極を有する光素子から出射された光を確実に受光でき、光素子との光学的な接続信頼性の低下が抑制された光電気混載基板、および、それを備える光電気混載基板アセンブリを提供すること。
【解決手段】光電気混載基板１は、光導波路３０と、電気回路基板４０とを上側に向かって順に備え、先端部５９に電極４６を有し、先端部５９および他端部の間から光を出射する光素子５０を光学的および電気的に接続する。電気回路基板４０は、電極４６と電気的に接続される端子部５５と、光素子５０の先端部５９を支持する支持部５６とを備える。光導波路３０は、光素子５０から出射される光を受光するためのミラー面３４を備える。ミラー面３４は、平面視において、端子部５５および支持部５６の間に位置する。光素子５０の上面が、支持部５６の上面に対して、下側に位置している。
【選択図】図１

Description

本発明は、光電気混載基板および光電気混載基板アセンブリ、詳しくは、光電気混載基板、および、それを備える光電気混載基板アセンブリに関する。

従来より、光電気混載基板は、光素子を、光学的および電気的に接続して用いられている。

例えば、ミラー面を有し、一方向に延びる光導波路と、光導波路が取り付けられる基板と、基板から電気信号が入力されることにより、ミラー面に対して光を射出する光源とを備える光伝送装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

特許文献１では、光源が設置される矩形状の設置領域の四隅にパッドを設け、四隅のパッドのそれぞれは、樹脂コア半田ボール（導電部材）を介して光源と電気的に接続されている。

特許文献１では、設置領域における一方側端部（一端部）にある二隅のパッドの上面に設けられた樹脂コア半田ボールと、他方側端部（他端部）にある二隅のパッドの上面に設けられた樹脂コア半田ボールとの厚さが異なり、たとえ、一方向に沿う仮想面に対して光源が傾斜しても、光源から射出された光の進む方向と、ミラー面の法線方向とが所定の式を満足するようにしているので、ミラー面を透過する光（透過損失）を低減している。

特開２０１３−１９５６４２号公報

しかるに、光伝送装置のデザインによっては、パッドおよび樹脂コア半田ボールを、設置領域において、他端部に設けず、一端部のみに設けたい場合がある。

しかし、パッドおよび樹脂コア半田ボールが両端部に設けられている特許文献１が想定するよりも光源が大きく傾斜し易く、そのため、光源から射出された光は、ミラー面に至らず、その結果、光源が光導波路に光結合できないという不具合がある。

本発明は、一端部に電極を有する光素子から出射された光を確実に受光でき、光素子との光学的な接続信頼性の低下が抑制された光電気混載基板、および、それを備える光電気混載基板アセンブリを提供することにある。

本発明（１）は、光導波路と、電気回路基板とを厚み方向一方向に向かって順に備えており、前記厚み方向に直交する第１方向一端部に電極を有し、前記第１方向一端部および他端部の間から光を出射する光素子を光学的および電気的に接続するための光電気混載基板であり、前記電気回路基板は、前記電極と電気的に接続される端子部と、前記光素子の前記第１方向他端部を支持する支持部とを備え、前記光導波路は、前記光素子から出射される光を受光するための受光部を備え、前記受光部は、前記厚み方向に投影したときに、前記端子部および前記支持部の間に位置し、前記端子部の前記厚み方向一方面が、前記支持部の前記厚み方向一方面に対して、厚み方向他方側に位置している、光電気混載基板を含む。

この光電気混載基板では、端子部が、光素子の第１方向一端部における電極と接続する一方、支持部により、光素子の第１方向他端部を支持することができる。

また、端子部の厚み方向一方面が、支持部の厚み方向一方面に対して、厚み方向他方側に位置するので、端子部に電気接合部材を設けて、端子部と電極とを電気的に接続しても、光素子の第１方向一端部が第１方向他端部に対して厚み方向一方側に相対的に位置することを抑制することができる。

そのため、光素子の傾斜を抑制することができる。

その結果、受光部により、光素子から出射される光を確実に受光して、光導波路と光素子との光学的な接続信頼性の低下を抑制することができる。

本発明（２）は、前記電気回路基板は、前記光電気混載基板が前記光素子と接続するときに、前記光素子と前記厚み方向に対向する対向面を有し、前記対向面は、前記光素子と接触する第１面と、前記第１面に対して前記光素子から離れる位置に位置する第２面とを有する、（１）に記載の光電気混載基板を含む。

この光電気混載基板では、第２面は、光電気混載基板が光素子と接続するときに、光素子と接触する第１面に対して光素子から離れる位置に位置するので、光素子と第２面との間に、硬化性樹脂が硬化してなる封止部を設けることができる。そのため、硬化性樹脂が硬化時に厚み方向に収縮するときに、光素子と第２面とが近接する力を受けるので、光素子は、第１面に密着できる。その結果、光素子が第１面により一層確実に接着することできる。

本発明（３）は、前記電気回路基板は、ベース絶縁層と、端子を有する導体層と、前記端子を露出するカバー絶縁層とを前記厚み方向一方向に向かって順に備え、前記端子部は、前記端子を備え、前記ベース絶縁層の一部は、前記端子部の厚み方向他方側に配置され、前記導体層および前記カバー絶縁層の一部は、前記支持部である、（１）または（２）に記載の光電気混載基板を含む。

この光電気混載基板によれば、ベース絶縁層の一部は、端子部の厚み方向他方側に配置され、導体層およびカバー絶縁層の一部は、ベース絶縁層の厚み方向一方側に位置する支持部であるので、端子部の厚み方向一方面を、支持部の厚み方向一方面に対して、厚み方向他方側により一層確実に位置させることができる。

本発明（４）は、前記ベース絶縁層は、前記端子部と前記厚み方向に対向する第１ベース部と、前記支持部と前記厚み方向に対向する第２ベース部とを備え、前記第１ベース部は、前記第２ベース部より薄い、（３）に記載の光電気混載基板を含む。

この光電気混載基板によれば、第１ベース部と第２ベース部とを備えるベース絶縁層によって、簡易な構成によって、端子部の厚み方向一方面を、支持部の厚み方向一方面に対して、厚み方向他方側に簡便に位置させることができる。

本発明（５）は、（１）〜（４）のいずれか一項に記載の光電気混載基板と、前記厚み方向に直交する第１方向一端部に電極を有し、前記第１方向一端部および他端部の間から光を出射する光素子とを備え、前記光素子の前記電極が、前記端子部と電気的に接続され、かつ、前記光素子の前記第１方向他端部が、前記支持部に支持されている、光電気混載基板アセンブリを含む。

この光電気混載基板アセンブリでは、光素子の電極が、端子部と電気的に接続され、かつ、光素子の第１方向他端部が、支持部に支持されている。

また、端子部の厚み方向一方面が、支持部の厚み方向一方面に対して、厚み方向他方側に位置するので、端子部に電気接合部材を設けて、端子部と電極とを電気的に接続しても、光素子の第１方向一端部が第１方向他端部に対して厚み方向一方側に相対的に位置することを抑制することができる。

そのため、光素子の傾斜を抑制することができる。

その結果、受光部により、光素子から出射される光を確実に受光して、光導波路と光素子との光学的な接続信頼性の低下を抑制することができる。

本発明（６）は、前記光素子を封止する封止部をさらに備え、前記封止部は、硬化性樹脂を硬化してなる、請求項５に記載の光電気混載基板アセンブリを含む。

この光電気混載基板アセンブリは、光素子を封止する封止部を備えるので、光素子の耐久性を向上させることができる。

一方、封止部が、硬化性樹脂を硬化してなるので、電気回路基板が支持部を備えない場合には、硬化性樹脂が硬化時に厚み方向に収縮するときに、光素子は、その第１方向他端部が厚み方向方側に移動しようする力を受けるが、この光電気混載基板アセンブリでは、電気回路基板が支持部を備えるので、支持部によって、光素子の第１方向他端部の下側への移動を規制することができる。

そのため、光素子の傾斜を確実に抑制することができる。

本発明の光電気混載基板および光電気混載基板アセンブリによれば、光導波路と光素子との光学的な接続信頼性の低下を抑制することができる。

図１は、本発明の光電気混載基板の一実施形態の平面図を示す。 図２は、図１に示す光電気混載基板の光素子実装領域の一部切り欠き正面斜視図を示す。 図３は、図１に示す光電気混載基板のＡ−Ａ線に沿う側断面図を示す。 図４は、図１に示す光電気混載基板のＢ−Ｂ線に沿う側断面図を示す。 図５Ａ〜図５Ｅは、光電気混載基板の製造工程図であり、図５Ａが、金属支持層を準備する工程、図５Ｂが、ベース絶縁層を形成する工程、図５Ｃが、導体層を形成する工程、図５Ｄが、カバー絶縁層を形成する工程図５Ｅが、金属保護層を形成する工程を示し、各図の左側図および右側図は、それぞれ、図３および図４に対応する。 図６Ｆ〜図６Ｉは、図５Ｅに引き続き、光電気混載基板の製造工程図であり、図６Ｆが、支持開口部を形成する工程、図６Ｇが、アンダークラッド層、コア層およびオーバークラッド層を形成する工程、図６Ｈが、ミラー面を形成する工程、図６Ｉが、電気接合部材を設置する工程を示し、各図の左側図および右側図は、それぞれ、図３および図４に対応する。 図７は、光電気混載基板の変形例であって、図４に対応する側断面図を示す。 図８は、光電気混載基板の変形例であって、図４に対応する側断面図を示す。 図９は、光電気混載基板の変形例であって、図４に対応する側断面図を示す。 図１０は、図９に示す光電気混載基板であって、図３に対応する側断面図を示す。 図１１Ａ〜図１１Ｃは、図９および図１０に示すカバー支持部を形成する工程図であり、図１１Ａが、電気信号パターンを形成する工程、図１１Ｂが、カバー絶縁層を形成する工程、図１１Ｃが、カバー支持部を形成する工程を示す。 図１２は、光電気混載基板の変形例であって、図３に対応する側断面図を示す。 図１３は、光電気混載基板の変形例であって、図３に対応する側断面図を示す。 図１４は、光電気混載基板の変形例であって、図３に対応する側断面図を示す。 図１５は、光電気混載基板の変形例であって、図１に対応する平面図を示す。

本発明の光電気混載基板の一実施形態を図１〜図４を参照して説明する。

図２において、紙面左右方向は、先後方向（第１方向の一例、長手方向）である。紙面左側が後側（第１方向一方、長手方向一方）であり、紙面右側が先側（第１方向他方、長手方向他方）である。

図２において、紙面上下方向は、上下方向（厚み方向の一例、第１方向に直交する第２方向）である。紙面上側が上側（厚み方向一方、第２方向一方）であり、紙面下側が下側（厚み方向他方、第２方向他方）である。

図２において、奥行き方向は、幅方向（直交方向の一例、左右方向、第１方向および第２方向に直交する第３方向）である。なお、図１において、紙面上下方向が、幅方向である。

具体的には、方向は、各図の方向矢印に準拠する。

この方向の定義により、光電気混載基板１および光電気混載基板アセンブリ７の製造時および使用時の向きを限定する意図はない。

なお、図２において、光導波路３０（後述）および金属保護層４５（後述）は、ベース絶縁層４２（後述）、導体層４３（後述）およびカバー絶縁層４４（後述）の相対配置および形状を明確に示すために、省略している。

図１に示すように、光電気混載基板１は、先後方向に延びる略平板形状を有する。具体的には、光電気混載基板１は、平面視（「厚み方向に投影したときに」と同義）において、略Ｔ字形状を有する。光電気混載基板１は、光素子実装部２と、光伝送部３とを連続して備える。

光素子実装部２は、光電気混載基板１における後側に位置する。光素子実装部２は、幅方向に延びる略矩形平板形状を有する。光素子実装部２は、複数（３つ）の光素子実装領域４と、それらに連続する電気伝送領域５とを有する。

複数の光素子実装領域４は、光素子５０（後述）が実装される領域である。複数の光素子実装領域４は、光素子実装部２の先端部において、幅方向に互いに間隔を隔てて整列配置される。複数の光素子実装領域４のそれぞれは、平面視略矩形状である。複数の光素子実装領域４のそれぞれには、光素子５０（後述）と、支持部５６（後述、図３参照）とが設けられる。

電気伝送領域５は、複数の光素子実装領域４から後側に延びる領域である。電気伝送領域５には、配線２３および外部側端子２４（後述）が設けられる。

光伝送部３は、光電気混載基板１において、光素子実装部２の先側に連続して形成されている。具体的には、光伝送部３は、光素子実装部２の先端縁の略中央部から先側に向かって延びる略矩形平板（ストリップ）形状を有する。光伝送部３には、複数（３つ）のコア層３２および導体支持パターン２２（後述）が設けられている。

そして、図３に示すように、この光伝送部３は、光導波路３０と、電気回路基板４０とを上側に向かって順に備える。

光導波路３０は、光電気混載基板１の下層を形成する。光導波路３０は、平面視において、光電気混載基板１の外形形状と同一の外形形状を有する。

光導波路３０は、例えば、ストリップ型光導波路である。具体的には、図３および図４に示すように、光導波路３０は、アンダークラッド層３１と、コア層３２と、オーバークラッド層３３とを下側に向かって順に備える。詳しくは、光導波路３０は、アンダークラッド層３１と、アンダークラッド層３１の下面に配置されるコア層３２と、アンダークラッド層３１の下面に、アンダークラッド層３１を被覆するように配置されるオーバークラッド層３３とを備える。光導波路３０は、好ましくは、アンダークラッド層３１と、コア層３２と、オーバークラッド層３３とのみからなる。

アンダークラッド層３１は、平面視において、光導波路３０の外形形状と同一の外形形状を有する。アンダークラッド層３１は、先後方向に延びる略シート（平板）形状を有する。アンダークラッド層３１は、光伝送部３の全領域と、光素子実装部２における光素子実装領域４とにわたって連続して配置されている。

アンダークラッド層３１は、電気回路基板４０の下側に設けられている。詳しくは、アンダークラッド層３１は、金属支持層４１およびベース絶縁層４２（後述）の下面に配置される。なお、アンダークラッド層３１の一部は、支持開口部４８（後述）に充填されるとともに、金属支持層４１の側面を被覆する。

アンダークラッド層３１の材料としては、例えば、透明性を有する樹脂、好ましくは、絶縁性および透明性を有する樹脂が挙げられ、具体的には、エポキシ樹脂、ポリアミック酸樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ノルボルネン樹脂などが挙げられる。アンダークラッド層３１の厚みは、例えば、２μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、６００μｍ以下、好ましくは、４０μｍ以下である。

コア層３２は、アンダークラッド層３１の下面に接触している。図１の太い破線で示すように、コア層３２は、幅方向に互いに間隔を隔てて配置される。複数（３つ）のコア層３２のそれぞれは、先後方向に延びる断面視略矩形状を有する。複数のコア層３２は、平面視において、アンダークラッド層３１に含まれるパターンを有する。また、図１のハッチング部分に示すように、複数のコア層３２のそれぞれは、その後端部に、受光部の一例としてのミラー面３４を有する。

図３に示すように、ミラー面３４は、アンダークラッド層３１の下面（面方向に沿う面）に対して４５度の角度を成す斜面である。また、ミラー面３４は、光素子５０から入射する光（光信号）の伝送方向を上下方向から先後方向に変更する光伝送方向変換部材（あるいは光路変換部材）である。つまり、ミラー面３４は、光素子５０から出射される光を受光する部材である。

コア層３２のアンダークラッド層３１の屈折率は、アンダークラッド層３１の屈折率に対して高く設定されている。コア層３２の材料は、上記した屈折率を満足する材料から選択され、具体的には高い屈折率と、優れた絶縁性および透明性を有する樹脂が選択され、具体的には、アンダークラッド層３１で例示した樹脂から選択される。コア層３２の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、７０μｍ以下である。コア層３２の幅は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。隣接するコア層３２間の間隔は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、１５０μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１５００μｍ以下である。

図３に示すように、オーバークラッド層３３は、コア層３２を被覆する。具体的には、オーバークラッド層３３は、コア層３２の下面および幅方向両側面を被覆する。オーバークラッド層３３は、平面視において、アンダークラッド層３１の外形形状と同一の外形形状を有する。オーバークラッド層３３は、先後方向に延びる略シート（平板）形状を有する。

オーバークラッド層３３の屈折率は、コア層３２の屈折率に対して低く設定されている。好ましくは、オーバークラッド層３３の屈折率は、アンダークラッド層３１の屈折率と同一である。オーバークラッド層３３の材料は、上記した屈折率を満足する材料から選択され、具体的には低い屈折率と、優れた絶縁性および透明性とを有する樹脂が選択され、具体的には、アンダークラッド層３１と同一の樹脂が選択される。オーバークラッド層３３の厚みは、例えば、２μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、６００μｍ以下、好ましくは、４０μｍ以下である。

電気回路基板４０は、光導波路３０の上に配置されている。電気回路基板４０は、光電気混載基板１の上層を形成する。図１に示すように、電気回路基板４０は、光素子実装部２の全領域（光素子実装領域４および電気伝送領域５）と、光伝送部３の全領域とにわたって連続して配置されている。このため、電気回路基板４０は、平面視で、光電気混載基板１と同一の外形形状を有する。

図２および図３に示すように、電気回路基板４０は、金属支持層４１と、ベース絶縁層４２と、導体層４３と、カバー絶縁層４４とを上側に向かって順に備える。具体的には、電気回路基板４０は、金属支持層４１と、金属支持層４１の上面に配置されるベース絶縁層４２と、ベース絶縁層４２の上面に配置される導体層４３と、ベース絶縁層４２の上面に、導体層４３の一部を被覆するように配置されるカバー絶縁層４４とを備える。

図３に示すように、電気回路基板４０は、金属保護層４５をさらに備える。電気回路基板４０は、好ましくは、金属支持層４１と、ベース絶縁層４２と、導体層４３と、カバー絶縁層４４と、金属保護層４５とのみからなる。

金属支持層４１は、導体層４３を支持する補強層である。図１に描画されないが、金属支持層４１は、光素子実装部２（光素子実装領域４および電気伝送領域５）に設けられている。

図１〜図３に示すように、金属支持層４１は、複数（３つ）の光素子実装領域４に対応する複数（３つ）の支持開口部４８を有する。なお、図２および図３では、１つの支持開口部４８のみが描画されている。複数の支持開口部４８のそれぞれは、金属支持層４１を厚み方向に貫通する。複数の支持開口部４８のそれぞれは、平面視において、ミラー面３４を包含する。なお、複数の支持開口部４８のそれぞれには、アンダークラッド層３１の一部が充填されている。そのため、支持開口部４８内においては、ベース絶縁層４２の下面が、アンダークラッド層３１の上面に直接接触している。

金属支持層４１の材料としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅、銅、銀、アルミニウム、ニッケル、クロム、チタン、タンタル、白金、金などの金属が挙げられる。金属支持層４１の厚みは、例えば、３μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。

ベース絶縁層４２は、金属支持層４１とともに、導体層４３を支持する支持層（ベース支持層）である。また、ベース絶縁層４２は、導体層４３と金属支持層４１とを絶縁する絶縁層である。

図１に描画されないが、ベース絶縁層４２は、光素子実装部２および光伝送部３の両方に設けられている。ベース絶縁層４２は、平面視において、電気回路基板４０の外形形状と同一の外形形状を有する。ベース絶縁層４２は、略平板形状を有する。

図２および図３に示すように、ベース絶縁層４２は、厚肉部５１と、厚肉部５１より薄い薄肉部５２（図１の細い破線で囲まれる領域）とを連続して有する。

図１の細い破線で示すように、薄肉部５２は、複数（３つ）の光素子実装領域４のそれぞれに対応して設けられる。複数（３つ）の薄肉部５２のそれぞれは、平面視略矩形の領域である。

図２および図３に示すように、薄肉部５２の下面は、厚肉部５１の下面に共通する同一平面を形成する。一方、薄肉部５２の上面は、厚肉部５１の上面に対して、下側に位置する。

図１に示すように、複数の薄肉部５２のそれぞれは、複数の光素子実装領域４のそれぞれと部分的に重複する。具体的には、薄肉部５２は、光素子実装領域４に対して後側にわずかにずれて位置する。

詳しくは、薄肉部５２の先端縁は、光素子実装領域４の先端縁および先後方向中央部の間に位置する。つまり、薄肉部５２の先端縁は、光素子実装領域４の先端縁の直ぐ後側に配置されている。

薄肉部５２の後端縁は、光素子実装領域４の後端縁の後側に間隔を隔てて位置する。具体的には、薄肉部５２の後端縁は、光素子実装領域４の後端縁のすぐ後側に配置されている。

また、図２および図３に示すように、薄肉部５２の上面は、その中央部において、面方向に平行する平面部６１と、平面部６１の周りに配置され、外側に向かうに従って上側に進む（傾斜する）斜面部６２とを一体的に有する。平面部６１の中央部は、平面視において、ミラー面３４と重複する。

厚肉部５１は、薄肉部５２の周端縁から面方向（先後方向および幅方向）外側に広がる。

ベース絶縁層４２の材料は、例えば、絶縁性を有する樹脂、好ましくは、絶縁性および可撓性を有する樹脂である。ベース絶縁層４２の材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの樹脂が挙げられ、好ましくは、ポリイミドが挙げられる。

厚肉部５１の厚みＴ１は、例えば、２μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、１５μｍ以下である。

薄肉部５２の厚みＴ２の厚みは、例えば、１８μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下であり、また、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上である。

厚肉部５１および薄肉部５２の厚みの差（Ｔ１−Ｔ２）は、厚肉部５１の厚みＴ１ １００％に対して、例えば、９５％以下、好ましくは、９０％以下であり、また、例えば、１０％以上、好ましくは、５０％以上である。

薄肉部５２の平面視における寸法は、光素子５０の平面視における寸法などによって適宜設定される。

図１および図３に示すように、導体層４３は、電気（電気信号）を外部の回路基板（図示せず）および光素子５０間を伝送する電気信号パターン２１と、電気（電気信号）を伝送せず、光素子５０を支持する導体支持パターン２２とを含む。

電気信号パターン２１は、導体層４３における後部に位置する後側パターンである。電気信号パターン２１は、光素子実装領域４の後端部、および、電気伝送領域５にわたって位置する。電気信号パターン２１は、複数の配線２３と、複数の外部側端子２４と、複数の端子の一例としての素子側端子２５とを連続して備える。

複数の配線２３は、幅方向に互いに間隔を隔てて整列配置されている。複数の配線２３のそれぞれは、先後方向に沿って延びるストリップ形状を有する。配線２３は、電気伝送領域５における後端部以外において、ベース絶縁層４２の厚肉部５１の上に設けられる。

複数の外部側端子２４のそれぞれは、複数の配線２３のそれぞれの後端部に連続する。複数の外部側端子２４は、幅方向に互いに間隔を隔てて整列配置されている。複数の外部側端子２４のそれぞれは、平面視略矩形形状（角ランド形状）を有する。図３に描画されないが、複数の外部側端子２４は、電気伝送領域５における後端部において、厚肉部５１の上に設けられる。

複数の素子側端子２５のそれぞれは、複数の配線２３のそれぞれの先端部に連続する。複数の素子側端子２５は、幅方向に互いに間隔を隔てて整列配置されている。複数の素子側端子２５のそれぞれは、平面視略矩形形状（角ランド形状）を有する。図２および図３に示すように、複数の素子側端子２５は、光素子実装領域４の後端部において、ベース絶縁層４２の薄肉部５２の上に設けられる。具体的には、複数の素子側端子２５のそれぞれは、薄肉部５２の後端部における平面部６１および斜面部６２の上に配置されている。つまり、素子側端子２５の先側部分は、平面部６１の後端部の上に設けられる一方、素子側端子２５の後側部分は、斜面部６２の上に設けられる。そのため、素子側端子２５は、その先後方向中央部において屈曲する断面形状を有する。また、素子側端子２５は、平面部６１の先後方向中央部および先端部に設けられず、それらを露出する。

素子側端子２５の下側に対向する薄肉部５２は、第１ベース部５３に相当する。

また、図１および図２に示すように、複数の配線２３のそれぞれと、複数の外部側端子２４のそれぞれと、複数の素子側端子２５のそれぞれとは、１つの光素子実装領域４に対して２つ（１対）設けられる。とりわけ、電気回路基板４０には、３つの光素子実装領域４に対応する、３対の素子側端子２５が設けられている。１つの光素子実装領域４に対応する２つの素子側端子２５は、幅方向に間隔を隔てて対向配置されている。具体的には、２つの素子側端子２５は、幅方向に投影したときに、互いに重複する。

図１および図３に示すように、導体支持パターン２２は、導体層４３における先部に位置する先側パターンである。導体支持パターン２２は、電気信号パターン２１の先側に間隔を隔てて配置されている。つまり、導体支持パターン２２は、電気信号パターン２１と独立して設けられている。導体支持パターン２２は、電気信号パターン２１と絶縁されている。

導体支持パターン２２は、複数の配線２３に対応して設けられる、複数（６つ）の導体ライン２６を備える。複数の導体ライン２６は、幅方向に互いに間隔を隔てて整列配置されている。複数の導体ライン２６のそれぞれは、先後方向に沿って延びるストリップ形状を有する。複数の導体ライン２６は、光素子実装領域４における先端部、および、光伝送部３において、ベース絶縁層４２の厚肉部５１の上に設けられている。

複数の導体ライン２６は、先後方向に投影したときに、複数の配線２３と重複する。要するに、複数の導体ライン２６は、複数の配線２３を先側に向かって延長した延長線上に、配置されている。例えば、複数の導体ライン２６は、複数の配線２３と同幅、かつ、同一の間隔（幅方向において同一間隔）で配置されている。

導体支持パターン２２のうち、光素子実装領域４に位置する部分は、導体層４３の一部の一例である導体支持部５７に相当する。

図１に示すように、導体ライン２６は、１つの光素子実装領域４に対して２つ（１対）設けられる。１つの光素子実装領域４に対応する２つ（１対）の導体ライン２６は、先後方向に沿って、それらの幅方向における間隔が一定となるように、配置されており、具体的には、平面視において、平行する。１つの光素子実装領域４に対応する２つの導体ライン２６は、幅方向一方側に位置する第１ライン２７と、第１ライン２７の幅方向他方側に間隔を隔てて位置する第２ライン２８とである。

図２に示すように、第１ライン２７および第２ライン２８のそれぞれの後端面は、その幅方向両側面および上面を被覆するカバー絶縁層４４の後端面と厚み方向および幅方向において面一である。第１ライン２７および第２ライン２８の後端面と、上記したカバー絶縁層４４の後端面とは、連続する。第１ライン２７および第２ライン２８の後端面は、ともにカバー絶縁層４４から露出する。

さらに、図４に示すように、第１ライン２７および第２ライン２８のそれぞれは、断面視略矩形状を有する。そのため、第１ライン２７および第２ライン２８のそれぞれは、上面および側面が交わる２つの稜線２９を有する。

導体層４３の材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだなどの導体が挙げられ、好ましくは、銅が挙げられる。

導体層４３の厚みは、例えば、２μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、２０μｍ以下、好ましくは、１５μｍ以下である。

図３および図４に示すように、カバー絶縁層４４は、光素子実装部２および光伝送部３の両方に設けられている。また、カバー絶縁層４４は、ベース絶縁層４２の厚肉部５１の上に設けられるが、薄肉部５２（より具体的には、平面部６１）の上に設けられない（薄肉部５２を露出するパターンを有する。）。カバー絶縁層４４は、平面視において、ベース絶縁層４２の外形形状と同一の外形形状を有する。

カバー絶縁層４４は、配線２３および導体ライン２６を被覆する保護絶縁層である。一方、カバー絶縁層４４は、外部側端子２４および素子側端子２５を露出する。

なお、カバー絶縁層４４は、薄肉部５２を露出するカバー開口部９を有する。

カバー絶縁層４４は、ベース絶縁層４２の上面、および、配線２３および導体ライン２６の上面に追従する断面形状を有する。また、導体ライン２６の上に位置するカバー絶縁層４４のうち、光素子実装領域４に位置する部分は、カバー絶縁層４４の一部の一例としてのカバー支持部５８に相当する。カバー支持部５８は、光素子５０を、導体支持パターン２２とともに支持する。

具体的には、カバー支持部５８は、光素子実装領域４において、導体支持パターン２２の上に位置する部分である。詳しくは、カバー絶縁層４４は、２つの導体ライン２６（第１ライン２７および第２ライン２８）のそれぞれの上面および幅方向両側面と、導体ライン２６と厚み方向において対向しない（平面視においてずれる）ベース絶縁層４２の上面とを被覆している。

光素子実装領域４におけるカバー絶縁層４４の上面は、光素子５０が実装されるときに、光素子５０と厚み方向に対向する対向面の一例としての素子対向面８である。素子対向面８は、２つの導体ライン２６に上面に対応する２つの第１面３５と、２つの導体ライン２６の間のベース絶縁層４２の上面に対応する第２面３６とを連続して有する。

２つの第１面３５は、幅方向に互いに間隔を隔てて配置される。２つの第１面３５は、厚み方向において、同一位置に位置する。第１面３５は、カバー支持部５８の上面である。

第２面３６は、第１面３５から下側に離れる位置に位置する。つまり、第２面３６は、第１面３５から下側に位置する。第２面３６は、平面視において、２つの第１面３５の間に位置する。具体的には、第２面３６は、２つの第１面３５を連結する。また、第２面３６は、２つの第１面３５のそれぞれの幅方向内端部から稜線２９に対応して湾曲する２つの湾曲面３７と、２つの湾曲面３７の幅方向内端部を連結する平面３８とを連続して有する。平面３８は、ベース絶縁層４２の上面に平行する。

一方、カバー支持部５８は、導体支持部５７とともに、支持部５６を構成する。

支持部５６は、光素子５０の後端部の下面を支持するための台座である。具体的には、支持部５６は、導体支持部５７と、カバー支持部５８とを備える。支持部５６は、好ましくは、導体支持部５７と、カバー支持部５８とのみからなる。支持部５６の上面（第１面３５）は、光素子５０の先端部が直接接触する台座面である。

支持部５６と光素子５０との間には、それらを厚み方向に投影したときに、ミラー面３４が位置する。詳しくは、支持部５６と光素子５０との間には、それらを厚み方向および幅方向の両方に投影した投影面におて、ミラー面３４が位置する。

他方、ベース絶縁層４２において、支持部５６の下側に対向する部分は、厚肉部５１に含まれており、かかる部分は、第２ベース部５４である。

カバー絶縁層４４の材料は、ベース絶縁層４２で例示した樹脂が挙げられる。

カバー絶縁層４４の厚みは、例えば、２μｍ以上、好ましくは、４μｍ以上であり、また、例えば、２０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下である。なお、カバー絶縁層４４の厚みは、導体層４３と重ならない領域では、ベース絶縁層４２の上面からカバー絶縁層４４の上面までの長さであり、導体層４３と重なる領域では、導体層４３の上面からカバー絶縁層４４の上面までの長さである。とりわけ、カバー支持部５８の厚みは、導体支持部５７の上面から第１面３５までの長さである。

金属保護層４５は、外部側端子２４（図１参照、図３では描画されない）および素子側端子２５の表面に設けられている。とりわけ、素子側端子２５の上面および左右両側面および先面を連続して被覆している。

金属保護層４５は、例えば、めっき層である。金属保護層４５の材料としては、例えば、金などのめっき材料が挙げられる。

そして、素子側端子２５と、それに対応する金属保護層４５とは、端子部５５を構成する。つまり、端子部５５は、金属保護層４５と、素子側端子２５とを備える。好ましくは、端子部５５は、金属保護層４５と、素子側端子２５とのみからなる。

端子部５５の上面は、金属保護層４５の上面であって、支持部５６の上面に対して、下側に位置する。具体的には、端子部５５の上面は、支持部５６の上面に対して、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上、下側に位置する。

次に、光電気混載基板１の製造方法を、図５Ａ〜図６Ｉを参照して説明する。

光電気混載基板１の製造方法では、電気回路基板４０を製造する第１工程と、光導波路３０を製造する第２工程とが順に実施される。

第１工程では、図５Ａに示すように、まず、金属支持層４１を準備する。金属支持層４１は、平板形状で（具体的には、支持開口部４８（図６Ｆ参照）を有しない金属板として）準備される。

図５Ｂに示すように、次いで、ベース絶縁層４２を、金属支持層４１の上に、厚肉部５１および薄肉部５２を有するように、設ける。

例えば、樹脂を含有する感光性樹脂組成物を金属支持層４１の上に塗布し、その後、階調露光法を含むフォトリソグラフィ法によって、厚肉部５１および薄肉部５２を有するベース絶縁層４２を形成し、その後、必要により、加熱（硬化）させる。

あるいは、階調露光法を含まないフォトリソグラフィ法によって、薄肉部５２を有さず、厚肉部５１を有するベース絶縁層４２を形成し、次いで、エッチングまたはレーザー加工などによって、薄肉部５２を形成することもできる。あるいは、薄肉部５２に対応する第１層と、厚肉部５１に対応する第２層との２つ（２層）を順に積層することにより、ベース絶縁層４２を形成することもできる。

図５Ｃに示すように、次いで、導体層４３を、ベース絶縁層４２の上に形成する。具体的には、導体層４３を、アディティブ法またはサブトラクティブ法、好ましくは、アディティブ法で、電気信号パターン２１および導体支持パターン２２（導体支持部５７を含む）を有するパターンで形成する。このとき、素子側端子２５は、薄肉部５２の後端縁の斜面、および、それの先側に連続する平面に追従して設けられる。

図５Ｄに示すように、次いで、カバー絶縁層４４（カバー支持部５８を含む）を、ベース絶縁層４２の厚肉部５１の上に、外部側端子２４（図１参照）および素子側端子２５と、薄肉部５２とを露出し、配線２３および導体支持パターン２２を被覆するように、形成する。

具体的には、上記した樹脂を含有する感光性樹脂組成物を、ベース絶縁層４２および導体層４３の上に塗布し、その後、フォトリソグラフィ法によって、カバー絶縁層４４を形成し、その後、必要により、加熱（硬化）させる。

これによって、導体支持部５７およびカバー支持部５８を備える支持部５６が形成される。

次いで、図５Ｅに示すように、金属保護層４５を、外部側端子２４（図１参照）および素子側端子２５の表面に設ける。

例えば、電解めっきなどによって、金属保護層４５を設ける。これによって、素子側端子２５および金属保護層４５を備える光素子５０が形成される。

図６Ｆに示すように、その後、金属支持層４１を、例えば、エッチングなどにより外形加工して、支持開口部４８を形成する。

このような第１工程によって、電気回路基板４０が得られる。

次に、光導波路３０を製造する第２工程を実施する。

図６Ｇおよび図６Ｈに示すように、第２工程では、光導波路３０を、光電気混載基板３の下に作製する。詳しくは、光導波路３０を、ベース絶縁層４２および金属支持層４１の下に作り込む。

図６Ｇが参照されるように、具体的には、上記した樹脂を含む感光性樹脂組成物を、ベース絶縁層４２および金属支持層４１の下に塗布し、その後、フォトリソグラフィ法によって、アンダークラッド層３１を形成する。

続いて、上記した樹脂を含む感光性樹脂組成物を、アンダークラッド層３１の下に塗布し、その後、フォトリソグラフィ法によって、コア層３２を形成する。

その後、図６Ｇに示すように、上記した樹脂を含む感光性樹脂組成物を、アンダークラッド層３１およびコア層３２の下に塗布し、その後、フォトリソグラフィ法によって、オーバークラッド層３３を形成する。

その後、図６Ｈに示すように、例えば、コア層３２に対して、レーザ加工または切削加工を施して、コア層３２にミラー面３４を形成する。

このような第２工程によって、光導波路３０を作製する。

これによって、電気回路基板４０および光導波路３０を備える光電気混載基板１が得られる。

この光電気混載基板１は、単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。具体的には、光電気混載基板３は、次に説明する電気接合部材３９（図６Ｉ参照）および光素子５０（図３参照）とは別に、単独で流通することができる。つまり、光電気混載基板３は、光電気混載基板アセンブリ７をまだ構成（製造）していない状態である。

図６Ｉに示すように、その後、光電気混載基板１に電気接合部材３９を設ける。

電気接合部材３９は、端子部５５と次に説明する電極４６とを電気的に接続するとともに、それらを接合して固定する部材である。電気接合部材３９の材料としては、例えば、超音波および加圧によって溶融可能な材料、具体的には、はんだなどが挙げられる。電気接合部材３９は、例えば、はんだボールなどである。電気接合部材３９を、端子部５５における金属保護層４５の上に載置する。より具体的には、電気接合部材３９を、少なくとも素子側端子２５の先側部分（斜面部６２に対向する部分）に配置する。電気接合部材３９の量は、その上端縁が、第１面３５と同じ高さあるいはそれより上側に位置するように設定される。

これにより、電気接合部材３９が設けられた光電気混載基板１が得られる。電気接合部材３９が設けられた光電気混載基板１も、単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。具体的には、光電気混載基板３は、次に説明する光素子５０（図３参照）とは別に、単独で流通することができる。

さらに、必要により、外部側端子２４を外部の回路基板（図示せず）と電気的に接続する。

次に、上記した光電気混載基板１を用いて光電気混載基板アセンブリ７を製造する方法、および、光電気混載基板アセンブリ７について説明する。

なお、以下の説明において、光電気混載基板アセンブリ７を単に「アセンブリ７」と称呼する場合がある。

アセンブリ７を製造するには、光電気混載基板１と、複数（３つ）の光素子５０とを準備する。

複数の光素子５０のそれぞれは、平面視略矩形平板形状を有しており、図３に示され、図１で黒塗りされるように、２つの電極４６と、１つの出射口４７とを備える。

図１に示すように、２つの電極４６は、光素子５０の下面における後端部の幅方向両端部に、互いに間隔を隔てて対向配置されている。２つの電極４６間の長さは、１つの光素子実装領域４に対応する光素子実装部２における２つの素子側端子２５間の間隔に対応している。

なお、電極４６は、光素子５０の先端部に設けられていない。

出射口４７は、電極４６に対して後側に間隔を隔てて配置されている。具体的には、出射口４７は、下面における面方向中央部（先後方向中央部および幅方向中央部）に位置する。

次に、光素子５０を、２つの電極４６および出射口４７が下を向く状態で、例えば、超音波接合装置のアーム（図示せず）によって把持し、光素子５０を光素子実装領域４の上側に対向配置させる。この際、出射口４７が、平面視において、ミラー面３４と重複（対向）するように、光素子５０を移動させる。

続いて、光素子５０を下側に移動させて、光素子５０の電極４６を、電気接合部材３９に接触させるとともに、光素子５０の後端部を支持部５６の上面（台座面）に接触させる。同時に、光素子５０に超音波を付与しながら、光素子５０を電気接合部材３９に対して比較的弱い力で押圧する。すると、電気接合部材３９が溶融して、続いて、電気接合部材３９が冷却して固化（凝固）する。これによって、端子部５５と、光素子５０の電極４６とが、電気的に接続される。これにより、光素子５０は、電気信号パターン２１および電気接合部材３９を介して、外部の回路基板（図示せず）と電気的に接続される。つまり、光素子５０は、出射口４７から光を出射可能な状態となる。なお、この光電気混載基板１において、光素子５０の下面は、光素子実装部２の面方向に対して略平行する。

一方、出射口４７は、平面視において、ミラー面３４に対向するため、出射口４７から光を下側に向かって出射すれば、光は、ミラー面３４に受光されて、コア層３２内において、先側に向かって伝送される。これによって、光素子５０は、光電気混載基板１に対して、光学的に接続される。

その後、図３の仮想線および図４の仮想線で示すように、封止樹脂を、薄肉部５２および光素子５０に対して、例えば、塗布、注入などによって設ける。具体的には、封止樹脂で、電気接合部材３９および光素子５０を埋設するように、薄肉部５２の上面を被覆するように、カバー開口部９内に充填する（盛り込む）。

封止樹脂としては、特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの、透明性を有する硬化性樹脂が挙げられる。

その後、封止樹脂が硬化性樹脂であれば、これを硬化させる。これによって、封止部６を形成する。

これにより、光電気混載基板１と、光素子５０と、それらを電気的に接合する電気接合部材３９と、光素子５０を封止する封止部６とを備えるアセンブリ７が製造される。

そして、この光電気混載基板１では、端子部５５が、光素子５０の後端部における電極４６と接続する一方、支持部５６により、光素子５０の先端部５９を支持することができる。

また、端子部５５の上面が、支持部５６の上面に対して、下側に位置するので、端子部５５に電気接合部材３９を設けて、端子部５５と電極４６とを電気的に接続しても、光素子５０の先端部５９が後端部に対して上側に位置することを抑制することができる。

そのため、光素子５０の傾斜を抑制することができる。

その結果、ミラー面３４により、光素子５０から出射される光を確実に受光して、光導波路と端子部５５との光学的な接続信頼性の低下を抑制することができる。

この光電気混載基板１では、第２面３６は、光電気混載基板１が光素子５０と接続するときに、光素子５０と接触する第１面に対して光素子５０から離れる位置に位置する、つまり、下側に位置するので、光素子５０と第２面３６との間に、硬化性樹脂が硬化してなる封止部６を設けることができる。そのため、硬化性樹脂が硬化時に厚み方向に収縮するときに、光素子５０と第２面３６とが近接する力を受けるので、光素子５０は、第１面に密着できる。その結果、光素子５０が第１面により一層確実に接着することできる。

この光電気混載基板１によれば、ベース絶縁層４２の一部は、端子部５５の下側に配置されており、導体層４３およびカバー絶縁層４４のそれぞれの一部である導体支持部５７およびカバー支持部５８は、ベース絶縁層４２の下側に位置する支持部５６であるので、端子部５５の上面を、支持部５６の上面に対して、下側により一層確実に位置させることができる。

この光電気混載基板１によれば、第１ベース部５３と第２ベース部５４とを備えるベース絶縁層４２によって、簡易な構成によって、端子部５５の上面を、支持部５６の上面に対して、下側に簡便に位置させることができる。

このアセンブリ７では、光素子５０の電極４６が、端子部５５と電気的に接続され、かつ、光素子５０の先端部５９が、支持部５６に支持されている。

また、端子部５５の上面が、支持部５６の上面に対して、下側に位置するので、端子部５５に電気接合部材３９を設けて、端子部５５と電極４６とを電気的に接続しても、光素子５０の先端部５９が後端部に対して上側に位置することを抑制することができる。

そのため、光素子５０の傾斜を抑制することができる。

その結果、ミラー面３４により、光素子５０から出射される光を確実に受光して、光導波路と光素子５０との光学的な接続信頼性の低下を抑制することができる。

このアセンブリ７は、光素子５０を封止する封止部６を備えるので、光素子５０の耐久性を向上させることができる。

一方、封止部６が、硬化性樹脂を硬化してなるので、電気回路基板が支持部５６を備えない場合には、硬化性樹脂が硬化時に厚み方向に収縮するときに、光素子５０は、その先端部５９が厚み方向方側に移動しようする力を受けるが、このアセンブリ７では、電気回路基板が支持部５６を備えるので、支持部５６によって、光素子５０の先端部５９の下側への移動を規制することができる。

そのため、光素子５０の傾斜を確実に抑制することができる。

次に、上記した一実施形態の変形例を説明する。

以下の各変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、各変形例を適宜組み合わせることができる。さらに、各変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。

図３に示すように、一実施形態では、光素子５０の先端部の下面は、第１面３５に直接接触している（支持されている）。しかし、例えば、図示しないが、光素子５０の先端部の下面にダミー電極を設け、これを金属支持部として用い、第１面３５に直接接触する（支持される）こともできる。

図３の仮想線および図４の仮想線で示すように、一実施形態では、アセンブリ７は、封止部６を備える。しかし、例えば、図３の実線および図４の実線で示すように、アセンブリ７は、封止部６を備えず、電気接合部材３９および光素子５０が外部に露出することもできる。

図４に示すように、一実施形態では、１つの光素子実装領域４に対応する導体ライン２６は、２つ（第１ライン２７および第２ライン２８）有するが、その数は、特に限定されず、例えば、図示しないが、３つ以上であってもよい。

図７に示すように、１つの光素子実装領域４に対応する導体ライン２６は、１つであってもよい。導体ライン２６は、図示しないが、先後方向に投影したときに、光素子実装領域４の幅方向中央に投影されるように、位置する。

第１面３５は、１つの光素子実装領域４に対応して１つ設けられる。

第２面３６は、第１面３５の幅方向両側に位置する。

図７の仮想線で示すように、封止部６は、カバー支持部５８の幅方向両側において、光素子５０の下面と、２つの第２面３６との間に充填される。

この光電気混載基板１であれば、１つの第１面３５と、２つの電極４６との２つ（３点支持）という簡易な構成で、光素子５０を、簡便に支持することができる。

他方、好ましくは、導体ライン２６の数は、複数であり、より好ましくは、２でもある。導体ライン２６の数が複数であれば、第１面３５の数が、複数となり、光素子５０の先端部５９を安定して支持することができる。とりわけ、第１面３５の数が２であれば、光素子５０を、２つの第１面３５と、２つの電極４６との４点で、より安定して支持することができる。

また、一実施形態では、複数の導体ライン２６は、複数の配線２３と同幅かつ同一間隔で配置されている。しかし、複数の導体ライン２６および複数の配線２３は、異なる幅、および／または間隔で配置されてもよい。好ましくは、同幅かつ同一間隔で、複数の導体ライン２６と、複数の配線２３とが配置される。この構成によれば、導体ライン２６を含む導体支持パターン２２と、配線２３を含む電気信号パターン２１とを画一的にかつ簡便に形成することができる。

さらに、一実施形態では、図１に示すように、導体ライン２６の配置は、先後方向に投影したときに、配線２３と重複しているが、導体ライン２６の配置は、上記に限定されず、例えば、図示しないが、配線２３と重複しなくてよく、また、その一部が配線２３と重複し、残部が配線２３と重複しなくてもよい。

また、図８に示すように、導体支持パターン２２の幅が、比較的広くてもよい。具体的には、導体支持パターン２２の幅は、光素子５０の幅より広い。また、第１面３５の幅も、光素子５０の幅より広い。

この変形例では、素子対向面８は、第２面３６を有さず、第１面３５を有する。

但し、図８に示す変形例に比べて、図４に示すように、素子対向面８が第１面３５を有する一実施形態が好適である。一実施形態であれば、光素子５０と第２面３６との間に、硬化性樹脂を充填し、この硬化性樹脂が収縮すれば、光素子５０は、第２面３６（下側）に向かって押圧（付勢）される。そのため、光素子５０は、第１面３５により一層確実に接触できる。

図４に示すように、一実施形態では、支持部５６は、導体支持部５７およびカバー支持部５８を備える。一方、図９に示すように、支持部５６は、導体支持部５７を備えず、カバー支持部５８を備えることもできる。支持部５６は、好ましくは、カバー支持部５８のみからなる。

カバー支持部５８を形成するには、まず、図１１Ａに示すように、導体層４３を、導体支持パターン２２（図５Ｃの右側図参照）を有さず、電気信号パターン２１を有するパターンで形成する。

図１１Ｂに示すように、次いで、カバー絶縁層４４を形成する。

図１１Ｃに示すように、その後、カバー絶縁層４４を、エッチング（ドライエッチングなど）などによって、カバー絶縁層４４の一部を除去して、カバー支持部５８を形成する。

図２および図３に示すように、一実施形態では、導体ライン２６（導体支持パターン２２）の後端面は、カバー絶縁層４４の後端面と連続する。しかし、図１２に示すように、導体ライン２６の後端面を、カバー絶縁層４４によって被覆することもできる。

これによれば、導体ライン２６が、電気接合部材３９および光素子５０との短絡する可能性を低減することができる。

図１が参照され、図１３に示すように、電気伝送領域５において、ベース絶縁層４２を薄肉部５２とすることができる。

薄肉部５２は、光素子実装領域４および電気伝送領域５にわたって形成される。

電気信号パターン２１の全部（配線２３、外部側端子２４および素子側端子２５）は、薄肉部５２の上面に設けられる。

また、図１４に示すように、ベース絶縁層４２が、薄肉部５２を有さず、厚肉部５１を有することもできる。ベース絶縁層４２は、均一な厚みＴ２を有する。

素子側端子２５は、厚肉部５１の上面に設けられている。

図２に示すように、一実施形態では、薄肉部５２は、その周端縁に斜面を有する。しかし、図示しないが、薄肉部５２は、斜面を有さず、均一な厚みＴ１を有することもできる。

この一実施形態では、図１に示すように、１つの光電気混載基板１について１つの光素子５０が設けられるが、図１５に示すように、複数であってもよい。

さらに、１つの光素子５０に対する電極４６の数は、限定されず、例えば、単数でもよく、また、図１５に示すように、３つ以上（例えば、６つなど）であってもよい。

１ 光電気混載基板
６ 封止部
７ アセンブリ
８ 素子対向面
２５ 素子側端子
３４ ミラー面
３０ 光導波路
３５ 第１面
３６ 第２面
４０ 電気回路基板
４２ ベース絶縁層
４３ 導体層
４５ 金属保護層
５０ 光素子
５３ 第１ベース部
５４ 第２ベース部
５５ 端子部
５６ 支持部
５７ 導体支持部
５８ カバー支持部
５９ 先端部（第１方向一端部の一例）

Claims (6)

1. 光導波路と、電気回路基板とを厚み方向一方向に向かって順に備えており、
   前記厚み方向に直交する第１方向一端部に電極を有し、前記第１方向一端部および他端部の間から光を出射する光素子を光学的および電気的に接続するための光電気混載基板であり、
   前記電気回路基板は、
   前記電極と電気的に接続される端子部と、
   前記光素子の前記第１方向他端部を支持する支持部とを備え、
   前記光導波路は、前記光素子から出射される光を受光するための受光部を備え、
   前記受光部は、前記厚み方向に投影したときに、前記端子部および前記支持部の間に位置し、
   前記端子部の前記厚み方向一方面が、前記支持部の前記厚み方向一方面に対して、厚み方向他方側に位置していることを特徴とする、光電気混載基板。
2. 前記電気回路基板は、前記光電気混載基板が前記光素子と接続するときに、前記光素子と前記厚み方向に対向する対向面を有し、
   前記対向面は、
   前記光素子と接触する第１面と、
   前記第１面に対して前記光素子から離れる位置に位置する第２面と
   を有することを特徴とする、請求項１に記載の光電気混載基板。
3. 前記電気回路基板は、ベース絶縁層と、端子を有する導体層と、前記端子を露出するカバー絶縁層とを前記厚み方向一方向に向かって順に備え、
   前記端子部は、前記端子を備え、
   前記ベース絶縁層の一部は、前記端子部の厚み方向他方側に配置され、
   前記導体層および前記カバー絶縁層の一部は、前記支持部であることを特徴とする、請求項１または２に記載の光電気混載基板。
4. 前記ベース絶縁層は、
   前記端子部と前記厚み方向に対向する第１ベース部と、
   前記支持部と前記厚み方向に対向する第２ベース部とを備え、
   前記第１ベース部は、前記第２ベース部より薄いことを特徴とする、請求項３に記載の光電気混載基板。
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の光電気混載基板と、
   前記厚み方向に直交する第１方向一端部に電極を有し、前記第１方向一端部および他端部の間から光を出射する光素子とを備え、
   前記光素子の前記電極が、前記端子部と電気的に接続され、かつ、前記光素子の前記第１方向他端部が、前記支持部に支持されていることを特徴とする、光電気混載基板アセンブリ。
6. 前記光素子を封止する封止部をさらに備え、
   前記封止部は、硬化性樹脂を硬化してなることを特徴とする、請求項５に記載の光電気混載基板アセンブリ。

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