KR20190124839A - 표시 장치 - Google Patents

표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20190124839A
KR20190124839A KR1020180048522A KR20180048522A KR20190124839A KR 20190124839 A KR20190124839 A KR 20190124839A KR 1020180048522 A KR1020180048522 A KR 1020180048522A KR 20180048522 A KR20180048522 A KR 20180048522A KR 20190124839 A KR20190124839 A KR 20190124839A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adhesive member
pad
display device
disposed
terminal
Prior art date
Application number
KR1020180048522A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102555446B1 (ko
Inventor
이대근
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020180048522A priority Critical patent/KR102555446B1/ko
Priority to US16/384,834 priority patent/US10847746B2/en
Publication of KR20190124839A publication Critical patent/KR20190124839A/ko
Priority to US16/951,969 priority patent/US11489138B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102555446B1 publication Critical patent/KR102555446B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H01L27/3297
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8426Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L51/5203
    • H01L51/56
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111Flexible substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/13123Magnesium [Mg] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/13124Aluminium [Al] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13139Silver [Ag] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13144Gold [Au] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13147Copper [Cu] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13155Nickel [Ni] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13163Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/13164Palladium [Pd] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13163Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/13166Titanium [Ti] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13163Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/13169Platinum [Pt] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13163Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/13171Chromium [Cr] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13163Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/13178Iridium [Ir] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13163Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/1318Molybdenum [Mo] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13163Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/13181Tantalum [Ta] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13163Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/13184Tungsten [W] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/165Material
    • H01L2224/16501Material at the bonding interface
    • H01L2224/16503Material at the bonding interface comprising an intermetallic compound
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81193Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed on both the semiconductor or solid-state body and another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812Applying energy for connecting
    • H01L2224/81201Compression bonding
    • H01L2224/81205Ultrasonic bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8138Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/81399Material
    • H01L2224/814Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/81417Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/81418Zinc [Zn] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8138Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/81399Material
    • H01L2224/814Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/81417Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/81423Magnesium [Mg] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8138Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/81399Material
    • H01L2224/814Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/81417Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/81424Aluminium [Al] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8138Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/81399Material
    • H01L2224/814Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/81438Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8138Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/81399Material
    • H01L2224/814Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/81438Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/81439Silver [Ag] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8138Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/81399Material
    • H01L2224/814Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/81438Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/81444Gold [Au] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8138Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/81399Material
    • H01L2224/814Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/81438Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/81447Copper [Cu] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8138Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/81399Material
    • H01L2224/814Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/81438Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/81455Nickel [Ni] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8138Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/81399Material
    • H01L2224/814Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/81463Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/81464Palladium [Pd] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8138Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/81399Material
    • H01L2224/814Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/81463Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/81466Titanium [Ti] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8138Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/81399Material
    • H01L2224/814Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/81463Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/81469Platinum [Pt] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8138Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/81399Material
    • H01L2224/814Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/81463Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/81471Chromium [Cr] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8138Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/81399Material
    • H01L2224/814Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/81463Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/81478Iridium [Ir] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8138Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/81399Material
    • H01L2224/814Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/81463Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/81481Tantalum [Ta] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8138Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/81399Material
    • H01L2224/814Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/81463Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/81484Tungsten [W] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818Bonding techniques
    • H01L2224/81801Soldering or alloying
    • H01L2224/8181Soldering or alloying involving forming an intermetallic compound at the bonding interface
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/311Flexible OLED
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

표시 장치가 제공된다. 표시 장치는, 제1 부분(110A) 및 상기 제1 부분(110A) 주변에 위치하는 제2 부분(110B)을 포함하는 플렉시블 베이스층(110), 상기 제1 부분(110A)의 일면 상에 위치하고, 발광소자를 포함하는 표시부, 상기 제2 부분(110B)의 일면 상에 위치하고 구동칩을 포함하는 구동회로, 상기 제1 부분(110A)의 타면 및 상기 제2 부분(110B)의 타면에 배치된 지지 부재, 상기 플렉시블 베이스층(110)과 상기 지지 부재 사이에 배치된 접착 부재를 포함하되, 상기 접착 부재는 제1 접착 부재 및 상기 제1 접착 부재에 비하여 높은 탄성계수를 갖는 제2 접착 부재를 포함하고, 상기 제2 접착 부재는 상기 구동회로와 중첩한다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 데이터를 시각적으로 표시하는 장치이다. 이러한 표시 장치는 표시 영역과 비표시 영역으로 구획된 기판을 포함한다. 상기 표시 영역에서 상기 기판 상에는 디스플레이부가 배치되며, 상기 비표시 영역에서 상기 기판 상에는 패드(pad) 등이 배치된다. 상기 패드에는 구동 회로 등이 장착되어 상기 디스플레이부에 구동 신호를 전달한다.
최근에는 상기 기판으로서 유연한 소재인 플라스틱 등을 적용하여 표시 장치를 슬림화하는 방안, 표시 장치의 적어도 일부를 벤딩시킴으로써 시인되는 비표시 영역의 면적을 감소시키는 방안 등이 모색되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 시인되는 비표시 영역의 면적이 감소된 표시 장치를 제공하는데 있다.
또한 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 신뢰도가 향상된 표시 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 제1 부분(110A) 및 상기 제1 부분(110A) 주변에 위치하는 제2 부분(110B)을 포함하는 플렉시블 베이스층(110), 상기 제1 부분(110A)의 일면 상에 위치하고, 발광소자를 포함하는 표시부, 상기 제2 부분(110B)의 일면 상에 위치하고 구동칩을 포함하는 구동회로, 상기 제1 부분(110A)의 타면 및 상기 제2 부분(110B)의 타면에 배치된 지지 부재, 상기 플렉시블 베이스층(110)과 상기 지지 부재 사이에 배치된 접착 부재를 포함하되, 상기 접착 부재는 제1 접착 부재 및 상기 제1 접착 부재에 비하여 높은 탄성계수를 갖는 제2 접착 부재를 포함하고, 상기 제2 접착 부재는 상기 구동회로와 중첩한다.
상기 제2 접착 부재의 탄성계수는 8Mpa 이상일 수 있다.
평면상에서 상기 제2 접착 부재의 면적은 상기 구동회로의 면적과 동일하거나 클 수 있다.
평면상에서 상기 제2 접착 부재는 상기 제2 부분(110B) 전면에 배치될 수 있다.
상기 제2 부분(110B) 상에 위치하는 제1 패드를 더 포함하고, 상기 구동회로는, 상기 구동칩과 상기 제1 패드 사이에 위치하고 상기 제1 패드와 직접 접촉하는 제1 단자(230)를 포함할 수 있다.
상기 제2 접착 부재는 상기 제1 패드와 중첩할 수 있다.
상기 제1 단자(230)는 상기 제1 패드가 포함하는 제1 도전물질을 미포함하고 상기 제1 도전물질과 다른 제2 도전물질을 포함하는 제1 단자(230) 영역, 및 상기 제1 도전물질과 상기 제2 도전물질을 포함하는 제2 단자(250) 영역을 포함할 수 있다.
상기 제2 부분(110B) 상에 위치하고 상기 제1 패드와 이격된 제2 패드를 포함하고, 상기 구동회로는, 상기 구동칩과 상기 제2 패드 사이에 위치하고 상기 제2 패드와 직접 접촉하는 제2 단자(250)를 더 포함할 수 있다.
상기 제2 접착 부재는 상기 제1 패드 및 상기 제2 패드와 중첩할 수 있다.
상기 제1 접착 부재와 상기 제2 접착 부재는 불연속적일 수 있다.
상기 제1 접착 부재는 감압 점착제(PSA)이고, 제2 접착 부재는 경화형 접착제일 수 있다.
상기 제1 접착 부재와 상기 제2 접착 부재는 일체화된 하나의 접착 부재로서, 연속적으로 배치될 수 있다.
상기 제1 접착 부재 및 상기 제2 접착 부재는 경화형 접착제일 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는, 제1 부분(110A), 상기 제1 부분(110A) 주변에 위치하는 제2 부분(110B), 및 상기 제1 부분(110A)과 상기 제2 부분(110B) 사이에 위치하는 벤딩 부분을 포함하는 플렉시블 베이스층(110), 상기 제1 부분(110A)의 일면 상에 위치하고, 발광소자를 포함하는 표시부, 상기 제2 부분(110B)의 일면 상에 위치하고, 구동칩을 포함하는 구동회로, 상기 제1 부분(110A)의 타면 및 상기 제2 부분(110B)의 타면에 배치된 지지 부재, 상기 플렉시블 베이스층(110)과 상기 지지 부재 사이에 배치된 접착 부재를 포함하되, 상기 접착 부재는 제1 접착 부재 및 상기 제1 접착 부재에 비하여 높은 탄성계수를 갖는 제2 접착 부재를 포함하고, 상기 제2 접착 부재는 상기 구동회로와 중첩한다.
상기 지지 부재 및 상기 접착 부재는 상기 벤딩 부분에 비중첩할 수 있다.
평면상에서 상기 제2 접착 부재의 면적은 상기 구동회로의 면적과 동일하거나 클 수 있다.
평면상에서 상기 제2 접착 부재는 상기 제2 부분(110B) 전면에 배치될 수 있다.
상기 제2 접착 부재의 탄성계수는 8Mpa 이상일 수 있다.
상기 제1 접착 부재는 감압 점착제(PSA)이고, 제2 접착 부재는 경화형 접착제일 수 있다.
상기 제1 접착 부재 및 상기 제2 접착 부재는 경화형 접착제일 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 시인되는 비표시 영역이 감소된 표시 장치를 제공할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예들에 의하면 신뢰도가 향상된 표시 장치를 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 배면도이다.
도 3은 도 2의 III-III'을 따라 덜단한 단면도이다.
도 4는 도 3의 Q1을 확대한 도면이다.
도 5는 도 3의 Q2를 확대한 도면이다.
도 6은 도 3의 Q3을 확대한 도면이다.
도 7 내지 도 9는 도 3에 도시된 구동회로와 제1 패드, 제2 패드 간 결합 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도로서, 벤딩전 상태의 표시 장치를 도시한 평면도이다.
도 11은 도 10에 도시된 표시 장치의 배면도로서, 벤딩전 상태의 표시 장치를 도시한 배면도이다.
도 12는 도 10 및 도 11의 XII-XII'를 따라 절단한 단면도로서, 도 10 및 도 11에 도시된 표시 장치의 벤딩 후 상태를 도시한 단면도이다.
도 13은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 배면도로서, 벤딩전 상태의 표시 장치를 도시한 배면도이다.
도 14는 도 13의 XIV-XIV'를 따라 절단한 단면도로서, 도 13에 도시된 표시 장치의 벤딩 후 상태를 도시한 단면도이다.
도 15 및 도 16은 또 다른 실시예들에 따른 표시 장치의 배면도로서, 벤딩전 상태의 표시 장치를 도시한 배면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다른 형태로 구현될 수도 있다. 즉, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위 뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있음을 의미한다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.
명세서 전체를 통하여 동일하거나 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 표시 장치의 배면도이다. 도 3은 도 2의 III-III'을 따라 자른 단면도이고, 도 4는 도 3의 Q1을 확대한 도면이며, 도 5는 도 3의 Q2를 확대한 도면이고, 도 6은 도 3의 Q3을 확대한 도면이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1)는 표시 영역(DA) 및 표시 영역(DA) 주변의 비표시 영역(NDA)을 포함한다. 표시 영역(DA)은 영상이 표시되는 영역이며, 비표시 영역(NDA)은 영상이 표시되지 않는 영역이다.
표시 장치(1)는 플렉시블 베이스층(110), 표시부(130), 구동회로(200), 및 지지 부재(700)를 포함할 수 있다. 또한, 표시 장치(1)는 플렉시블 베이스층(110)과 지지 부재(700) 사이에 배치된 접착 부재(500)를 더 포함할 수 있으며, 회로기판부(300) 및 봉지부(150)를 더 포함할 수 있다.
플렉시블 베이스층(110)은 절연 기판일 수 있다. 플렉시블 베이스층(110)은 일 실시예로, 유연성을 갖는 고분자 물질을 포함할 수 있다. 여기서, 고분자 물질은 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리에테르술폰(polyethersulphone: PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate: PA), 폴리아릴레이트(polyarylate: PAR), 폴리에테르이미드(polyetherimide: PEI), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenapthalate: PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(polyethyleneterepthalate: PET), 폴리페닐렌설파이드 (polyphenylenesulfide: PPS), 폴리알릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리카보네이트(polycarbonate: PC), 셀룰로오스 트리아세테이트(cellulosetriacetate: CAT), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP) 또는 이들의 조합일 수 있다.
플렉시블 베이스층(110)은 제1 부분(110A) 및 제2 부분(110B)을 포함할 수 있다. 제1 부분(110A)에는 표시부(130)가 배치되는 표시 영역(DA)이 정의될 수 있으며, 또한 비표시 영역(NDA)의 일부분이 정의될 수 있다. 제2 부분(110B)에는 비표시 영역(NDA)의 다른 일부가 정의될 수 있으며, 구동회로(200)가 배치될 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 부분(110A)및 제2 부분(110B)은 실질적으로 평탄할 수 있다. 여기서 "실질적으로 평탄"하다는 용어는 완전히 평탄한 경우 뿐만 아니라 완전히 평탄하지 않고 부분적으로 볼록하거나 부분적으로 오목한 부분이 있는 경우도 포함하는 개념이다.
표시부(130)는 플렉시블 베이스층(110)의 제1 부분(110A) 상에 위치할 수 있으며, 표시부(130) 상에는 봉지부(150)가 위치할 수 있다.
표시부(130)는 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(TFT) 및 박막 트랜지스터(TFT)와 연결된 발광소자(OLED)를 포함하며, 이외 버퍼층(BU), 게이트 절연막(GI), 층간 절연막(ILD), 평탄화막(PLA), 화소 정의막(PDL), 게이트선(미도시) 및 데이터선(미도시) 등을 더 포함할 수 있다.
버퍼층(BU)은 플렉시블 베이스층(110)의 제1 부분(110A) 상에 위치할 수 있다. 버퍼층(BU)은 불순물 이온이 확산되는 것을 방지하고, 수분이나 외기의 침투를 방지하며, 표면 평탄화 기능을 수행할 수 있다. 버퍼층(BU)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 또는 실리콘 산질화물 등을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 버퍼층(BU)은 공정 조건 등에 따라 생략될 수도 있다.
버퍼층(BU) 상에는 반도체층(SM)이 위치할 수 있다. 반도체층(SM)은 단결정 실리콘, 저온 다결정 실리콘, 비정질 실리콘 등을 포함할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 다른 실시예에서 반도체층(SM)은 ITZO(인듐, 주석, 티타늄을 포함하는 산화물)나 IGZO(인듐, 갈륨, 주석을 포함하는 산화물)를 포함할 수도 있다.
반도체층(SM) 상에는 게이트 절연막(GI)이 위치할 수 있다. 게이트 절연막(GI)은 무기물로 이루어질 수 있으며, 예시적으로 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 알루미늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있다.
게이트 절연막(GI) 상에는 게이트 전극(GE)이 위치할 수 있다. 게이트 전극(GE)은 제1 방향(DR1)을 따라 연장된 게이트선(미도시)과 연결되어 게이트 전압 등의 게이트 신호를 전달받을 수 있다.
게이트 전극(GE) 상에는 층간 절연막(ILD)이 위치할 수 있다. 층간 절연막(ILD)은 유기물 또는 무기물로 이루어질 수 있으며, 단일막 또는 서로 다른 물질의 적층막으로 이루어진 다층막일 수도 있다.
층간 절연막(ILD) 상에는 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 위치할 수 있다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 각각 층간 절연막(ILD) 및 게이트 절연막(GI)을 관통하여 반도체층(SM)에 연결될 수 있다. 소스 전극(SE)은 제2방향(DE2)을 따라 연장된 데이터선과 연결되어 데이터 전압 등의 데이터 신호를 전달받을 수 있다.
반도체층(SM), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(TFT)를 이룰 수 있다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 상에는 평탄화막(PLA)이 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 평탄화막(PLA)은 유기물로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
평탄화막(PLA) 상에는 제1 전극(E1)이 위치할 수 있다. 제1 전극(E1)은 평탄화막(PLA)을 관통하여 드레인 전극(DE)과 연결될 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 전극(E1)은 애노드 전극일 수 있다.
평탄화막(PLA) 상에는 제1 전극(E1)을 부분적으로 노출하는 화소 정의막(PDL)이 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 화소 정의막(PDL)은 유기물로 이루어질 수 있다.
화소 정의막(PDL)에 의해 노출된 제1 전극(E1) 상에는 유기 발광층(OL)이 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 유기 발광층(OL)은 저분자 유기물 또는 PEDOT(Poly 3,4-ethylenedioxythiophene) 등의 고분자 유기물로 이루어질 수 있다. 또한, 유기 발광층(OL은 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공 수송층(hole transporting layer, HTL), 전자 수송층(electron transporting layer, ETL), 및 전자 주입층(electron injection layer, EIL) 중 하나 이상을 더 포함하는 다중막일 수 있다.
유기 발광층(OL) 및 화소 정의막(PDL) 상에는 제2 전극(E2)이 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 전극(E2)은 공통전원(ELVSS)이 제공되는 캐소드 전극일 수 있다.
제1 전극(E1), 유기 발광층(OL) 및 제2 전극(E2)은 발광소자(OLED)를 이룰 수 있다.
발광소자(OLED) 상에는 봉지부(150)가 위치할 수 있다. 봉지부(150)는 발광소자(OLED)를 밀봉하고 외부에서 발광소자(OLED)로 수분 등이 유입되는 것을 방지할 수 있다. 몇몇 실시예에서 봉지부(150)는 표시부(130)를 완전히 감쌀 수 있다.
봉지부(150)는 박막봉지(Thin Film Encapsulation)로 형성될 수 있으며, 하나 이상의 유기막과 하나 이상의 무기막을 포함할 수 있다. 예시적으로 봉지부(150)는 제2 전극(E2) 상에 위치하는 제1 무기막(151), 제1 무기막(151) 상에 위치하는 유기막(153), 유기막(153) 상에 위치하는 제2 무기막(155)을 포함할 수 있다.
제1 무기막(151)은 발광소자(OLED)로 수분, 산소 등이 침투하는 것을 방지할 수 있다. 제1 무기막(151)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물, 실리콘 산질화물(SiON) 등으로 이루어질 수 있다.
유기막(153)은 평탄도를 향상시킬 수 있다. 유기막(153)은 액상 유기 재료로 형성될 수 있으며, 예컨대 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지 등으로 형성할 수 있다.
제2 무기막(155)은 제1 무기막(151)과 실질적으로 동일하거나 유사한 역할을 수행할 수 있으며, 제1 무기막(151)과 실질적으로 동일하거나 유사한 물질로 이루어질 수 있다. 제2 무기막(155)은 유기막(153)을 완전히 덮을 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 무기막(155)과 제1 무기막(151)은 비표시 영역(NDA)에서 서로 접하여 무기-무기 접합을 형성할 수 있다.
플렉시블 베이스층(110)의 제2 부분(110B) 상에는 구동회로(200)가 결합될 수 있다. 구동회로(200)는 구동칩(210), 구동칩(210)과 연결된 제1 단자(230), 제1 단자(230)와 이격되고 구동칩(210)과 연결된 제2 단자(250)를 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 구동칩(210)은 표시부(130)를 구동하기 위한 데이터 신호 등을 제공하는 데이터 드라이버 IC일 수 있다.
제1 단자(230)는 표시부(130)를 구동하기 위한 구동 신호를 출력하는 단자일 수 있으며, 제2 단자(250)는 회로기판부(300)에서 제공되는 제어 신호 및 전원 등을 입력받는 입력 단자일 수 있다. 제1 단자(230)제1 패드(193)에 대응하여 제1 방향(DR1)(DR1)을 따라 복수개 구비될 수 있으며, 제2 방향(DR2)(DR2)을 따라 제2 단자(250)와 이격될 수 있다. 제2 단자(250)도 제2 패드(195)에 대응하여 제1 방향(DR1)을 따라 복수개 구비될 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 단자(230) 및 제2 단자(250)는 각각 제1 도전물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서 상기 제1 도전물질은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘 (Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 단자(230) 및 제2 단자(250)는 서로 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
플렉시블 베이스층(110)의 제2 부분(110B) 상에는 제1 패드(193) 및 제2 패드(195)가 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 패드(193)는 제1 방향(DR1)을 따라 복수개 구비될 수 있으며, 제2 방향(DR2)을 따라 제2 패드(195)와 이격될 수 있다. 제2 패드(195)도 제1 방향(DR1)을 따라 복수개 구비될 수 있다. 제1 패드(193) 및 제2 패드(195)는 구동회로(200)와 전기적으로 연결될 수 있다.
플렉시블 베이스층(110) 상에는 제1 패드(193)와 표시부(130)를 전기적으로 연결하는 제1 배선부(181)가 위치할 수 있다. 제1 배선부(181)는 플렉시블 베이스층(110)의 제2 부분(110B) 뿐만 아니라 제1 부분(110A) 상에도 위치할 수 있다.
회로기판(310)부(300)는 외부 시스템 및 전원 공급부(미도시) 등과 접속된다. 회로기판(310)부(300)는 표시부(130) 및 구동회로(200)에 제어 신호 및 전원 등을 공급한다. 회로기판(310)부(300)는 플렉시블 베이스층(110)의 제2 부분(110B) 상에 위치하며, 구동회로(200)에 비해 표시 영역(DA)으로부터 멀리 이격되어 있다.
몇몇 실시예에서 회로기판(310)부(300)는 회로기판(310) 및 회로기판(310)과 연결된 회로 단자(330)를 포함할 수 있다.
회로기판(310)은 인쇄회로기판일 수 있으며, 리지드하거나 또는 플렉시블 할 수 있다. 몇몇 실시예에서 회로기판(310)의 일부는 리지드하고, 다른 일부는 플렉시블 할 수도 있다.
회로 단자(330)는 도전물질로 이루어질 수 있다. 회로 단자(330)는 제1 단자(230) 및 제2 단자(250)와 동일한 물질을 포함하거나, 제1 단자(230) 및 제2 단자(250)의 구성 물질로 예시된 물질에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 회로 단자(330)는 복수개 구비될 수 있으며, 제1 방향(DR1)을 따라 배열될 수 있다.
플렉시블 베이스층(110)의 제2 부분(110B) 상에는 회로 패드(197)가 더 위치할 수 있으며, 회로 패드(197)는 회로기판(310)부(300)와 전기적으로 연결될 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 패드(193) 및 제2 패드(195)는 회로 패드(197)보다 상대적으로 표시 영역(DA)에 인접하여 위치할 수 있다. 또한, 플렉시블 베이스층(110)의 제2 부분(110B) 상에는 제2 패드(195)와 회로 패드(197)를 전기적으로 연결하는 제2 배선부(183)가 위치할 수 있다. 몇몇 실시예에서 회로 패드(197)는 회로 단자(330)에 대응하여 제1 방향(DR1)을 따라 복수개 구비될 수 있다.
제1 패드(193)는 구동회로(200)에서 출력되는 구동 신호를 제공받는 부분이다. 구동회로(200)에서 출력된 구동신호는 제1 패드(193) 및 제1 배선부(181)를 경유하여 표시부(130)에 제공될 수 있다.
제2 패드(195)는 회로기판(310)부(300)에서 제공된 제어신호 및 전원 등을 구동회로(200)에 전달하는 부분일 수 있으며, 회로 패드(197)는 회로기판(310)부(300)에서 제공된 제어신호 및 전원 등을 입력받는 부분일 수 있다.
회로기판(310)부(300)에서 제공된 제어신호 및 전원 등은 회로 패드(197), 제2 배선부(183) 및 제2 패드(195)를 경유하여 구동회로(200)에 제공될 수 있다.
제1 패드(193)는 제1 단자(230)와 전기적으로 연결되고 제2 패드(195)는 제2 단자(250)와 전기적으로 연결된다.
제1 패드(193)와 제1 단자(230)는 서로 직접 접촉할 수 있다. 즉, 제1 패드(193)와 제1 단자(230) 사이에는 별도의 이방성 도전필름 등이 위치하지 않을 수 있다. 또한, 제2 패드(195)와 제2 단자(250)는 서로 직접 접촉할 수 있으며, 제2 패드(195)와 제2 단자(250) 사이에도 별도의 이방성 도전필름 등이 위치하지 않을 수 있다.
따라서, 별도의 이방성 도전필름을 사용하지 않음에 따라 재료비가 절감되는 이점, 접속 저항이 감소하는 이점이 발생한다.
제1 패드(193) 및 제2 패드(195)는 각각 제2 도전물질을 포함할 수 있다. 상기 제2도전물질은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘 (Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다. 제1 패드(193) 및 제2 패드(195)는 단일막 또는 다층막일 수 있다. 예를 들어, 제1 패드(193) 및 제2 패드(195)는 Ti/Al/Ti, Mo/Al/Mo, Mo/AlGe/Mo, Ti/Cu 등의 적층구조로 형성될 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 패드(193) 및 제2 패드(195)는 서로 동일한 물질로 이루어질 수도 있다.
회로 단자(330)는 제1 패드(193) 및 제2 패드(195)와 동일한 물질을 포함하거나 제1 패드(193) 및 제2 패드(195)의 구성 물질로 예시된 물질에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 단자(230) 및 제2 단자(250)가 포함하는 상기 제1 도전물질과 제1 패드(193) 및 제2 패드(195)가 포함하는 상기 제2 도전물질은 서로 다를 수 있다. 예시적으로 제1 단자(230) 및 제2 단자(250)가 상기 제1 도전물질로서 금(Au)을 포함하는 경우, 제1 패드(193) 및 제2 패드(195)는 상기 제2 도전물질로서 티타늄(Ti) 또는 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 패드(193)와 제1 단자(230)는 초음파 본딩 방식으로 상호 결합될 수 있다. 초음파 본딩이란 적당한 압력과 초음파 진동을 가하여 두 금속을 접합하는 방법이다.
제1 패드(193)와 제1 단자(230)가 초음파 본딩 방식으로 상호 결함됨에 따라, 본딩 과정에서 제1 패드(193)와 제1 단자(230)간의 접촉게면 주변에서 금속간 확산이 발생할 수 있다. 예컨대 제1 단자(230)가 포함하는 상기 제1 도전물질은 부분적으로 제1 패드(193)로 확산될 수 있으며, 제1 패드(193)가 포함하는 상기 제2 도전물질은 부분적으로 제1 단자(230)로 확산될 수 있다.
따라서, 제1 패드(193)는 제1 패드 영역(1931) 및 제2 패드 영역(1933)을 포함할 수 있다. 제1 패드 영역(1931)은 제2 부분(110B) 상에 위치하고 상기 제2 도전물질(예시적으로 Ti, Al 등)을 포함하고 상기 제1 도전물질을 포함하지 않는 부분이다. 제2 패드 영역(1933)은 제1 패드 영역(1931)과 접촉계면(S1) 사이에 위치하고, 상기 제2 도전물질(예시적으로 Ti, Al 등) 및 상기 제1 도전물질(예시적으로 Au 등)을 포함하는 부분이다.
유사하게, 제1 단자(230)는 제1 단자 영역(231) 및 제2 단자 영역(233)을 포함할 수 있다. 제1 단자 영역(231)은 상기 제1 도전물질(예시적으로 Au 등)을 포함하고, 상기 제2 도전 물질(예시적으로 Ti, Al 등)을 포함하지 않는 부분이다. 제2 단자 영역(233)은 제1 단자 영역(231)과 접촉계면(S1) 사이에 위치하고 상기 제2 도전 물질(예시적으로 Ti, Al 등) 및 상기 제1 도전물질(예시적으로 Au 등)을 포함하는 부분이다.
제2 패드(195)와 제2 단자(250)도 초음파 본딩 방식으로 상호 결합될 수 있다. 따라서 제2 패드(195)는 상기 제2 도전물질(예시적으로 Ti, Al 등)을 포함하고 상기 제1 도전물질(예시적으로 Au 등)을 포함하지 않는 제3 패드 영역(1955), 제1 패드(193)와 제1 단자(230)간의 접촉계면(S2)과 제3 패드 영역(1955) 사이에 위치하고 상기 제2 도전물질 및 상기 제1 도전물질을 포함하는 제4 패드 영역(1953)을 포함할 수 있다.
유사하게 제2 단자(250)는 상기 제1 도전물질을 포함하고 상기 제2 도전물질을 포함하지 않는 제3 단자 영역(251), 제3 단자 영역(251)과 접촉계면(S2) 사이에 위치하고, 상기 제1 도전물질 및 상기 제2 도전물질을 포함하는 제4 단자 영역(253)을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서 회로 패드(197)는 회로기판(310)부(300)의 회로 단자(330)와 전기적으로 연결될 수 있으며, 회로 패드(197)와 회로 단자(330)는 서로 직접 접촉할 수 있다. 회로 패드(197)와 회로 단자(330)도 초음파 본딩 방식으로 상호 결합될 수 있다.
따라서 회로 패드(197)가 제2 패드(195) 등과 동일한 물질로 이루어지고 회로 단자(330)가 제2 단자(250) 등과 동일한 물질로 이루어지는 경우를 가정하면, 회로 패드(197)는 상기 제2 도전물질을 포함하고 상기 제1 도전물질을 포함하지 않는 제1 회로 패드 영역(1971), 회로 패드(197)와 회로 단자(330)간의 접촉계면(S3)과 제1 회로 패드 영역(1971) 사이에 위치하고 상기 제2 도전 물질 및 상기 제1 도전 물질을 포함하는 제2 회로 패드 영역(1973)을 포함할 수 있다. 유사하게 회로 단자(330)는 상기 제1 도전물질을 포함하고 제2 도전물질을 포함하지 않는 제1 회로 단자 영역(331), 제1 회로 단자 영역(331)과 접촉계면(S3) 사이에 위치하고 상기 제1 도전물질 및 상기 제2 도전물질을 포함하는 제2 회로 단자 영역(333)을 포함할 수 있다. 다만 이에 제한되는 것은 아니며, 이외에도 회로 패드(197)와 회로 단자(330)는 이방성 도전필름 등을 매개로 결합될 수도 있다. 또는 회로 패드(197)와 회로 단자(330)는 커넥터 형태로 이루어져 상호 결합될 수도 있다.
플렉시블 베이스층(110) 아래에는 지지 부재(700)가 배치될 수 있다. 지지 부재(700)는 플렉시블 베이스층(110)의 강도 및/또는 견고성을 증가시키기 위한 부분으로서, 플렉시블 베이스층(110)의 하면에 결합될 수 있다.
몇몇 실시예에서 지지 부재(700)는, 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 다른 적합한 폴리머들, 이들 폴리머들의 조합 등으로 형성된 플라스틱 박막으로 이루어질 수 있다. 또는 지지 부재(700)는 다층 폴리머 스택 및 내부에 분산된 나노 입자들 또는 마이크로 입자들과 결합된 폴리머 재료를 포함하는 폴리머 합성 필름 등으로 이루어질 수도 있다.
플렉시블 베이스층(110)과 지지 부재(700)는 접착 부재(500)에 의하여 결합될 수 있다. 접착 부재(500)는 평면상에서 지지 부재(700)와 실질적으로 동일한 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 접착 부재(500)의 테두리는 지지 부재(700)의 테두리와 실질적으로 정렬될 수 있다.
접착 부재(500)는 제1 접착 부재(500A)와 제2 접착 부재(500B)를 포함할 수 있다. 제1 접착 부재(500A)는 대체로 지지 부재(700) 전면에 배치되며, 제2 접착 부재(500B)는 구동회로(200)와 중첩 배치될 수 있다. 구체적으로, 제2 접착 부재(500B)는 평면상에서 구동회로(200)의 면적보다 더 클 수 있다. 몇몇 실시예에서 도면에 도시된 바와 같이 제1 접착 부재(500A)와 제2 접착 부재(500B)는 서로 연결될 수 있다.
제2 접착 부재(500B)는 제1 접착 부재(500A)에 비하여 탄성계수(Modulus)가 더 클 수 있다. 예를 들어, 제2 접착 부재(500B)의 탄성계수는 8Mpa 이상일 수 있다. 제2 접착 부재(500B)의 탄성계수가 8Mpa 이상인 경우, 구동회로(200)가 초음파 접합 방식으로 플렉시블 베이스층(110)에 실장될 때, 초음파 진동을 흡수하지 않아 구동회로(200)의 제1 단자(230) 및 제2 단자(250)와 플렉시블 베이스층(110)의 제1 패드(193)와 제2 패드(195)가 안정적으로 결합될 수 있다. 아울러, 제1 접착 부재(500A)의 탄성 계수가 제2 접착 부재(500B)의 탄성 계수에 비하여 낮은 경우, 제1 접착 부재(500A)가 배치된 영역에서 플렉시블 베이스층(110)의 유연성(flexibility)을 유지할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 접착 부재(500A)와 제2 접착 부재(500B)는 서로 다른 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 접착 부재(500A)는 감압 점착제(pressure sensitive adhesive, PSA)이고, 제2 접착 부재(500B)는 경화형 접착제일 수 있다.
다른 실시예에서, 제1 접착 부재(500A)와 제2 접착 부재(500B)는 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 접착 부재(500A)와 제2 접착 부재(500B) 모두 경화형 접착제로서, 지지 부재(700) 전면에 경화형 접착제를 도포한 후 구동회로(200)가 배치될 영역에 한하여 광원(S) 또는 열원(S)을 이용하여 빛 또는 열을 조사함으로써 높은 탄성계수를 갖는 제2 접착 부재(500B)를 형성할 수 있다. 이하, 도 7 내지 도 9를 참조하여 제1 접착 부재(500A)와 제2 접착 부재(500B)가 동일한 물질인 경우에 도 3의 구동회로(200)와 제1 패드(193), 제2 패드(195)간 결합 과정에 대하여 설명한다.
도 7 내지 도 9는 도 3에 도시된 구동회로(200)와 제1 패드(193), 제2 패드(195) 간 결합 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 7 내지 도 9를 참조하면, 우선 도 7에 도시된 바와 같이 플렉시블 베이스층(110) 하부에 접착 부재(500)와 지지 부재(700)를 배치한다. 본 실시예에서는 접착 부재(500)로서 경화형 접착제가 사용된 경우로, 지지 부재(700) 전면에 경화형 접착제를 도포한다. 이어 제1 패드(193)와 제2 패드(195)가 배치된 영역, 다시 말해 구동회로(200)가 배치될 영역에 열 또는 빛을 조사하여 일부 영역만을 경화시킨다. 경화형 접착제 중 경화된 영역은 제2 접착 부재(500B)로 정의되고, 미경화된 영역은 제1 접착 부재(500A)로 정의된다.
다음으로 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이 제2 부분(110B) 상에 구동회로(200)를 배치한다. 구동회로(200)의 제1 단자(230)는 제1 패드(193)와 접촉하도록 배치되며, 제2 단자(250)는 제2 패드(195)와 접촉하도록 배치된다. 이후 헤드(UE)로 구동회로(200)의 상면에 압력을 가하고 헤드(UE)에 초음파 진동을 가한다. 즉, 초음파 본딩 방식으로 구동회로(200)를 제2 부분(110B) 상에 실장한다. 이에 따라 제1 단자(230)와 제1 패드(193)는 서로 접합되고, 제2 단자(250)와 제2 패드(195)는 서로 접합된다.
일반적으로 사용되는 감압 점착제(PSA) 또는 미경화된 경화형 접착제는 탄성계수가 낮아 초음파 진동을 흡수할 가능성이 높으며, 이에 따라 제1 패드(193) 및 제2 패드(195)와 구동회로(200)간 접합이 제대로 이루어지지 않을 가능성이 존재한다.
반면, 경화된 경화형 접착제는 탄성계수가 높아 초음파 진동을 대체로 흡수하지 않으며, 이에 따라 제1 패드(193) 및 제2 패드(195)와 구동회로(200)간 접합 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
이하, 표시 장치(1)의 다른 실시예에 대해 설명한다. 이하의 실시예에서, 이미 설명한 실시예와 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략하거나 간략화하고, 차이점을 위주로 설명하기로 한다.
도 10은 다른 실시예에 따른 표시 장치(1)의 평면도로서, 벤딩전 상태의 표시 장치(1)를 도시한 평면도이고, 도 11은 도 10에 도시된 표시 장치(1)의 배면도로서, 벤딩전 상태의 표시 장치(1)를 도시한 배면도이다. 도 12는 도 10 및 도 11의 XII-XII'를 따라 절단한 단면도로서, 도 10 및 도 11에 도시된 표시 장치(1)의 벤딩 후 상태를 도시한 단면도이다.
도 10 내지 도 12를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(2)는 플렉시블 베이스층(110-1)이 벤딩 부분(110C)을 더 포함한다는 점에서 도 1 내지 도 9에서 상술한 표시 장치(1)와 상이하다.
플렉시블 베이스층(110-1)은 제1 부분(110A), 제2 부분(110B), 및 제1 부분(110A)과 제2 부분(110B) 사이에 위치하는 벤딩 부분(110C)을 더 포함할 수 있다. 제1 부분(110A)에는 표시부(130)가 배치되는 표시 영역(DA)이 정의될 수 있으며, 또한 비표시 영역(NDA)의 일부분이 정의될 수 있다. 제2 부분(110B)에는 비표시 영역(NDA)의 다른 일부가 정의될 수 있으며, 구동회로(200)가 배치될 수 있다. 벤딩 부분(110C)에는 비표시 영역(NDA)의 또 다른 일부가 정의될 수 있으며, 표시부(130)와 제1 패드(193)를 전기적으로 연결하는 제1 배선부(181)가 배치될 수 있다.
벤딩 부분(110C)은 굽혀질 수 있는 부분이다. 몇몇 실시예에서 벤딩 부분(110C)은 제1 방향(DR1)을 따라 연장된 가상의 벤딩축을 따라 하측 방향으로 벤딩될 수 있으며, 벤딩된 상태에서 벤딩 부분(110C) 전체는 소정 곡률을 가질 수 있다. 벤딩 부분(110C)이 벤딩된 상태에서 제1 부분(110A)과 제2 부분(110B)은 서로 중첩할 수 있다.
플렉시블 베이스층(110-1) 아래에는 접착 부재(500) 및 지지 부재(700)가 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서 벤딩 부분(110C) 하면에는 접착 부재(500) 및 지지 부재(700)가 배치되지 않을 수 있다. 벤딩 부분(110C)의 하면에 접착 부재(500) 및 지지 부재(700)를 배치하지 않는 경우, 표시 장치(2)에서 벤딩이 이루어지는 부분의 전체 두께가 얇아지게 된다. 따라서, 더 작은 힘으로 표시 장치(2)를 벤딩할 수 있고, 표시 장치(2)에서 벤딩된 부분이 받는 스트레스가 감소된다.
제2 접착 부재(500B)는 제2 부분(110B) 상에 배치되며, 구동회로(200)와 중첩 배치된다. 평면상에서 제2 접착 부재(500B)는 구동회로(200)보다 더 클 수 있다. 제2 접착 부재(500B)는 벤딩 부분(110C)과 일정 간격 이격 배치될 수 있다. 제2 접착 부재(500B)는 탄성계수가 높으므로, 벤딩 부분(110C)에 제2 접착 부재(500B)가 배치되는 경우, 유연성이 감소하게 되어 벤딩이 제대로 이루어지기 어렵다.
도 13은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(3)의 배면도로서, 벤딩전 상태의 표시 장치(3)를 도시한 배면도이다. 도 14는 도 13의 XIV-XIV'를 따라 절단한 단면도로서, 도 13에 도시된 표시 장치(3)의 벤딩 후 상태를 도시한 단면도이다.
도 13 및 도 14를 참조하면, 표시 장치(3)의 제2 접착 부재(500B)의 면적은 평면상에서 구동회로(200)의 면적과 실질적으로 동일할 수 있다.
구동회로(200)가 배치되는 영역에 제2 접착 부재(500B)를 배치함으로써, 구동회로(200)가 제2 부분(110B)에 안정적으로 접착될 수 있는 최소한의 면적을 확보하면서도, 제2 접착 부재(500B)가 차지하는 면적을 최소화함으로써, 플렉시블 베이스층(110-1)의 유연성을 최대로 확보할 수 있다.
도 15 및 도 16은 또 다른 실시예들에 따른 표시 장치의 배면도로서, 벤딩전 상태의 표시 장치를 도시한 배면도이다.
도 15를 참조하면, 표시 장치(4)의 제2 접착 부재(500B)는 구동회로(200)가 배치되는 영역뿐만 아니라, 제2 부분(110B)의 대부분 영역에 배치될 수 있다. 즉, 제2 접착 부재(500B)는 제2 부분(110B)을 제1 방향(DR1)으로 가로지르도록 배치될 수 있다. 제2 접착 부재(500B)의 양측 끝단은 플렉시블 베이스층(110-1)의 양측 끝단에 실질적으로 정렬될 수 있다.
도 16을 참조하면, 표시 장치(5)의 제2 접착 부재(500B)는 제2 부분(110B)의 전면에 중첩하도록 배치될 수 있다.
제2 접착 부재(500B)의 테두리는 플렉시블 베이스층(110-1)의 테두리에 실질적으로 정렬되며, 내측에 배치되는 테두리는 벤딩 부분(110C)과 제2 부분(110B)의 경계에 실질적으로 정렬될 수 있다. 즉, 제2 접착 부재(500B)는 벤딩 부분(110C)과는 비중첩하도록 배치될 수 있다.
도 15 및 도 16의 표시 장치(4, 5)의 제2 접착 부재(500B)는 제2 부분(110B)의 대부분 영역 또는 전면에 배치됨으로써, 제2 부분(110B)을 더욱 견고하게 지지할 수 있다. 아울러, 구동회로(200)의 초음파 본딩 시 초음파 진동이 흡수되는 양을 더욱 감소시켜, 구동회로(200)의 접합 신뢰성이 더욱 향상될 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (20)

  1. 제1 부분 및 상기 제1 부분 주변에 위치하는 제2 부분을 포함하는 플렉시블 베이스층;
    상기 제1 부분의 일면 상에 위치하고, 발광소자를 포함하는 표시부;
    상기 제2 부분의 일면 상에 위치하고 구동칩을 포함하는 구동회로;
    상기 제1 부분의 타면 및 상기 제2 부분의 타면에 배치된 지지 부재;
    상기 플렉시블 베이스층과 상기 지지 부재 사이에 배치된 접착 부재를 포함하되,
    상기 접착 부재는 제1 접착 부재 및 상기 제1 접착 부재에 비하여 높은 탄성계수를 갖는 제2 접착 부재를 포함하고,
    상기 제2 접착 부재는 상기 구동회로와 중첩하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 접착 부재의 탄성계수는 8Mpa 이상인표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    평면상에서 상기 제2 접착 부재의 면적은 상기 구동회로의 면적과 동일하거나 큰 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    평면상에서 상기 제2 접착 부재는 상기 제2 부분 전면에 배치되는 표시 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 부분 상에 위치하는 제1 패드를 더 포함하고,
    상기 구동회로는, 상기 구동칩과 상기 제1 패드 사이에 위치하고 상기 제1 패드와 직접 접촉하는 제1 단자를 포함하는 표시 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제2 접착 부재는 상기 제1 패드와 중첩하는 표시 장치.
  7. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 단자는 상기 제1 패드가 포함하는 제1 도전물질을 미포함하고 상기 제1 도전물질과 다른 제2 도전물질을 포함하는 제1 단자 영역, 및 상기 제1 도전물질과 상기 제2 도전물질을 포함하는 제1 단자 영역을 포함하는 표시 장치.
  8. 제5 항에 있어서,
    상기 제2 부분 상에 위치하고 상기 제1 패드와 이격된 제2 패드를 포함하고,
    상기 구동회로는, 상기 구동칩과 상기 제2 패드 사이에 위치하고 상기 제2 패드와 직접 접촉하는 제1 단자를 더 포함하는 표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제2 접착 부재는 상기 제1 패드 및 상기 제2 패드와 중첩하는 표시 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 접착 부재와 상기 제2 접착 부재는 불연속적인 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 접착 부재는 감압 점착제(PSA)이고, 제2 접착 부재는 경화형 접착제인 표시 장치.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 접착 부재와 상기 제2 접착 부재는 일체화된 하나의 접착 부재로서, 연속적으로 배치되는 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 접착 부재 및 상기 제2 접착 부재는 경화형 접착제인 표시 장치.
  14. 제1 부분, 상기 제1 부분 주변에 위치하는 제2 부분, 및 상기 제1 부분과 상기 제2 부분 사이에 위치하는 벤딩 부분을 포함하는 플렉시블 베이스층;
    상기 제1 부분의 일면 상에 위치하고, 발광소자를 포함하는 표시부;
    상기 제2 부분의 일면 상에 위치하고, 구동칩을 포함하는 구동회로;
    상기 제1 부분의 타면 및 상기 제2 부분의 타면에 배치된 지지 부재;
    상기 플렉시블 베이스층과 상기 지지 부재 사이에 배치된 접착 부재를 포함하되,
    상기 접착 부재는 제1 접착 부재 및 상기 제1 접착 부재에 비하여 높은 탄성계수를 갖는 제2 접착 부재를 포함하고,
    상기 제2 접착 부재는 상기 구동회로와 중첩하는 표시 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 지지 부재 및 상기 접착 부재는 상기 벤딩 부분에 비중첩하는 표시 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    평면상에서 상기 제2 접착 부재의 면적은 상기 구동회로의 면적과 동일하거나 큰 표시 장치.
  17. 제16 항에 있어서,
    평면상에서 상기 제2 접착 부재는 상기 제2 부분 전면에 배치되는 표시 장치.
  18. 제14 항에 있어서,
    상기 제2 접착 부재의 탄성계수는 8Mpa 이상인 표시 장치.
  19. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 접착 부재는 감압 점착제(PSA)이고, 제2 접착 부재는 경화형 접착제인 표시 장치.
  20. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 접착 부재 및 상기 제2 접착 부재는 경화형 접착제인 표시 장치.
KR1020180048522A 2018-04-26 2018-04-26 표시 장치 KR102555446B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180048522A KR102555446B1 (ko) 2018-04-26 2018-04-26 표시 장치
US16/384,834 US10847746B2 (en) 2018-04-26 2019-04-15 Display device
US16/951,969 US11489138B2 (en) 2018-04-26 2020-11-18 Display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180048522A KR102555446B1 (ko) 2018-04-26 2018-04-26 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190124839A true KR20190124839A (ko) 2019-11-06
KR102555446B1 KR102555446B1 (ko) 2023-07-13

Family

ID=68292730

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180048522A KR102555446B1 (ko) 2018-04-26 2018-04-26 표시 장치

Country Status (2)

Country Link
US (2) US10847746B2 (ko)
KR (1) KR102555446B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113744630A (zh) * 2020-05-28 2021-12-03 云谷(固安)科技有限公司 显示模组、显示模组的制造方法及显示装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109461382B (zh) * 2018-12-03 2020-08-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 可弯折面板及其制作方法
CN109817684B (zh) * 2019-02-01 2020-12-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled模组堆叠结构及其制备方法
KR20210060732A (ko) * 2019-11-18 2021-05-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 방법
KR20220135274A (ko) 2021-03-29 2022-10-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160084536A (ko) * 2015-01-05 2016-07-14 삼성디스플레이 주식회사 표시장치의 제조방법 및 그에 의해 제조된 표시장치
KR20170137984A (ko) * 2016-06-03 2017-12-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20180026613A (ko) * 2016-09-02 2018-03-13 삼성디스플레이 주식회사 반도체 칩, 이를 구비한 전자장치 및 반도체 칩의 연결방법

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3610787B2 (ja) * 1998-03-24 2005-01-19 セイコーエプソン株式会社 半導体チップの実装構造体、液晶装置及び電子機器
JP3910527B2 (ja) * 2002-03-13 2007-04-25 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
US20090162645A1 (en) 2005-12-05 2009-06-25 Seiko Instruments Inc. Display Apparatus and Method of Manufacturing a Display Apparatus
JP2011198779A (ja) * 2008-07-22 2011-10-06 Sharp Corp 電子回路装置、その製造方法及び表示装置
KR101499120B1 (ko) * 2009-01-19 2015-03-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101010021B1 (ko) 2009-01-23 2011-01-21 중앙대학교 산학협력단 구동용 회로기판의 접합 장치
CN101996535A (zh) * 2009-08-25 2011-03-30 精工爱普生株式会社 电光学装置和电子设备
KR20140052732A (ko) 2012-10-25 2014-05-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102076666B1 (ko) * 2013-04-11 2020-02-12 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시패널
KR20150087494A (ko) * 2014-01-22 2015-07-30 삼성디스플레이 주식회사 윈도우 부재의 제조 방법
KR102334547B1 (ko) 2014-06-17 2021-12-03 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이를 이용한 집적 회로 실장 방법
US9397077B2 (en) * 2014-12-11 2016-07-19 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Display device having film substrate
KR102454152B1 (ko) * 2015-10-23 2022-10-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102433650B1 (ko) * 2015-10-29 2022-08-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20170072526A (ko) 2015-12-17 2017-06-27 엘지디스플레이 주식회사 기능성 기판을 구비한 표시 장치 및 이의 제조 방법
US10288974B2 (en) * 2016-04-06 2019-05-14 Amazon Technologies, Inc. Borderless display with curved edges
KR102559837B1 (ko) * 2016-06-02 2023-07-27 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20180018972A (ko) * 2016-08-12 2018-02-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102446203B1 (ko) * 2017-12-12 2022-09-23 삼성디스플레이 주식회사 구동칩 및 이를 포함하는 표시 장치
US10367173B1 (en) * 2018-03-15 2019-07-30 Innolux Corporation Display device
KR102543688B1 (ko) * 2018-04-02 2023-06-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160084536A (ko) * 2015-01-05 2016-07-14 삼성디스플레이 주식회사 표시장치의 제조방법 및 그에 의해 제조된 표시장치
KR20170137984A (ko) * 2016-06-03 2017-12-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20180026613A (ko) * 2016-09-02 2018-03-13 삼성디스플레이 주식회사 반도체 칩, 이를 구비한 전자장치 및 반도체 칩의 연결방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113744630A (zh) * 2020-05-28 2021-12-03 云谷(固安)科技有限公司 显示模组、显示模组的制造方法及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20210074948A1 (en) 2021-03-11
US20190333978A1 (en) 2019-10-31
US11489138B2 (en) 2022-11-01
KR102555446B1 (ko) 2023-07-13
US10847746B2 (en) 2020-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102555446B1 (ko) 표시 장치
US10658436B2 (en) Organic light emitting display device to implement narrow bezel and thin thickness
KR102508326B1 (ko) 표시장치
KR102184676B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US10515881B2 (en) Substrate, electronic device and display device having the same
KR102655241B1 (ko) 표시 장치
KR102664207B1 (ko) 스트레쳐블 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102192589B1 (ko) 플렉서블 디스플레이 장치
US10163384B2 (en) Flat panel display
US10014362B2 (en) Display device including metal layer and metal carbide layer covering the metal layer
US10777631B2 (en) Display device
US10936111B2 (en) Display device
KR20180049465A (ko) 표시 장치
KR20170063259A (ko) 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법
US11696473B2 (en) Display device
KR20200091060A (ko) 표시 장치
KR102193783B1 (ko) 유기 발광 표시장치
KR102471936B1 (ko) 플렉서블 표시장치 및 그의 제조방법
KR20160124325A (ko) 가요성 표시 장치
KR102328680B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US20230051284A1 (en) Display device and method of providing the same
US9385096B2 (en) Semiconductor device with bumps and display device module incorporating the same
US20220344618A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
US20230389379A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
US11404000B2 (en) Display device capable of determining a bonding state of a driver integrated circuit therein

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant