KR20190085148A - 반도체 디바이스를 제조하기 위한 웨이퍼 에지 리프트 핀 - Google Patents

반도체 디바이스를 제조하기 위한 웨이퍼 에지 리프트 핀 Download PDF

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KR20190085148A
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에드워드 디. 한즐리크
션 무어
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티이엘 에프에스아이, 인코포레이티드
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Abstract

반도체 디바이스를 제조하기 위한 장치의 웨이퍼 에지 리프트 핀이 기재된다. 웨이퍼 에지 리프트 핀은, 웨이퍼를 지지하기 위해 수평으로 위를 향한 표면 및 웨이퍼의 측방향 구속을 위해 수직으로 경사진 표면을 갖는 노치 부분을 포함한 상부 섹션으로서, 상기 노치 부분은 반경을 따라 상기 웨이퍼로부터 멀리 수평으로 스윕되는 것인, 상기 상부 섹션, 상기 상부 섹션 아래의 베이스 섹션으로서, 상기 노치 부분에 걸친 상기 상부 섹션의 직경보다 더 큰 직경을 갖는, 상기 베이스 섹션, 및 상기 베이스 섹션의 직경보다 더 작은 직경을 갖는 하부 섹션을 포함한다. 장치는, 웨이퍼가 처리되는 곳인 프로세스 챔버, 웨이퍼가 위에 로딩되는 척 어셈블리, 및 웨이퍼를 위아래로 이동시키기 위한 복수의 적어도 3개의 웨이퍼 에지 리프트 핀들을 포함한다.

Description

반도체 디바이스를 제조하기 위한 웨이퍼 에지 리프트 핀
관련 출원에 대한 상호참조
본 출원은 2016년 12월 7일 출원된 미국 가특허 출원 번호 제62/431,175호와 관련되고 이의 우선권을 주장하며, 이 출원의 전체 내용은 참조에 의해 여기에 포함된다.
기술분야
본 발명은 반도체 디바이스를 제조하기 위한 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 프로세스 챔버에서 웨이퍼를 위아래로 이동시키는 웨이퍼 에지 리프트 핀(wafer edge lift pin)에 관한 것이다.
웨이퍼 에지 리프트 핀은 웨이퍼를 픽/플레이스시키기 위한 엔드 이펙터(end effector)(예컨대, 로봇 암)에 대하여 클리어런스(clearance)를 얻기 위해 척 어셈블리로부터/척 어셈블리로 웨이퍼를 올리도록/낮추도록 반도체 산업에서 사용되고 있다. 에지 리프트 핀 설계에 대한 문제점은, 웨이퍼 리프트 메커니즘이 웨이퍼를 떨어뜨리지 않음을 보장해야 할 필요가 있다는 것이며, 웨이퍼의 에지에 관련한 에지 리프트 핀의 측방향 위치는 결정적이다(critical). 웨이퍼가 떨어지지 않음을 보장하기 위해, 에지 리프트 핀은 척 어셈블리의 에지까지 수천분의 일 인치 내에 위치된다. 수반되는 프로세싱 시스템 컴포넌트(즉, 리프트 플레이트, 리프트 핀, 및 척 어셈블리)의 공차 분석은 간섭 가능성을 드러낸다.
반도체 디바이스를 제조하기 위한 장치의 웨이퍼 에지 리프트 핀이 기재된다. 웨이퍼 에지 리프트 핀은, 웨이퍼를 지지하기 위해 수평으로 위를 향한 표면 및 웨이퍼의 측방향 구속을 위해 수직으로 경사진 표면을 갖는 노치 부분을 포함한 상부 섹션을 포함하며, 노치 부분은 반경을 따라 웨이퍼로부터 멀리 수평으로 스윕(sweep)된다. 웨이퍼 에지 리프트 핀은, 상부 섹션 아래의 베이스 섹션으로서, 노치 부분에 걸친 상부 섹션의 직경보다 더 큰 직경을 갖는 베이스 섹션, 및 베이스 섹션의 직경보다 더 작은 직경을 갖는 하부 섹션을 더 포함한다.
웨이퍼를 사용하여 반도체 디바이스를 제조하기 위한 장치가 기재된다. 장치는, 웨이퍼가 처리되는 곳인 프로세스 챔버, 웨이퍼가 위에 로딩되는 척 어셈블리, 및 웨이퍼를 위아래로 이동시키기 위한 복수의 적어도 3개의 웨이퍼 에지 리프트 핀들을 포함한다. 복수의 적어도 3개의 웨이퍼 에지 리프트 핀들의 각각은, 웨이퍼를 지지하기 위해 수평으로 위를 향한 표면 및 웨이퍼의 측방향 구속을 위해 수직으로 경사진 표면을 갖는 노치 부분을 포함한 상부 섹션으로서, 노치 부분은 반경을 따라 웨이퍼로부터 멀리 수평으로 스윕되는 것인 상부 섹션, 상부 섹션 아래의 베이스 섹션으로서, 노치 부분에 걸친 상부 섹션의 직경보다 더 큰 직경을 갖는 베이스 섹션, 및 베이스 섹션의 직경보다 더 작은 수평 직경을 갖는 하부 섹션을 포함한다.
다음의 상세한 설명을 참조하여, 첨부 도면과 관련하여 고려할 때, 본 발명 및 이의 많은 동반 이점을 더 잘 이해하게 됨에 따라 이를 보다 완전한 평가를 용이하게 얻을 수 있을 것이다.
도 1a는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 에지 리프트 핀의 측면도를 도시한다.
도 1b는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 에지 리프트 핀의 또다른 측면도를 도시한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 리프트 플레이트 및 웨이퍼 에지 리프트 핀을 도시한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따라 리프트 플레이트 및 웨이퍼 에지 리프트 핀에 의해 지지되는 웨이퍼를 도시한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따라 척 어셈블리, 리프트 플레이트, 및 웨이퍼 에지 리프트 핀에 의해 척 어셈블리 위에 올려진 웨이퍼를 도시한다.
도 5a 및 도 5b는 웨이퍼 에지 리프트 핀에 의해 지지되는 웨이퍼의 평면도를 도시한다.
본 발명의 하나의 실시예는 프로세싱 시스템의 프로세스 챔버에 위치된 웨이퍼를 지지하기 위한 3개의 웨이퍼 에지 리프트 핀 시스템에 대해 기재한다. 각각의 웨이퍼 에지 리프트 핀의 측방향 위치는 웨이퍼 및 척 어셈블리에 관련하여 쉽게 조정될 수 있고, 위치 조정은 모든 다른 어셈블리 작업이 완료된 후에 프로세스 챔버 내에서 행해질 수 있다. 웨이퍼 에지 리프트 핀 시스템은 웨이퍼의 에지에 있는 웨이퍼 정렬 노치에 관련하여 그의 위치에 관계없이 웨이퍼를 유지할 수 있다. 조정가능한 에지 리프트 핀 시스템은 일반적인 기계 가공 프로세스를 사용하여 용이하게 제조될 수 있다.
도 1a는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 에지 리프트 핀(10)의 측면도를 도시한다. 하나의 예에서, 웨이퍼 에지 리프트 핀(10)은 폴리에테르 에테르 케톤(PEEKTM) 플라스틱으로부터 제조될 수 있다. 웨이퍼 에지 리프트 핀(10)은 상부 섹션(17), 둥근 베이스 섹션(16) 및 둥근 하부 섹션(15)을 갖는다. 상부 섹션(17)은 웨이퍼(도시되지 않음)를 지지하기 위해 수평으로 위를 향한 표면(11) 및 웨이퍼의 측방향 구속을 위해 수직으로 경사진 표면(14)을 갖는 노치 부분(12)을 갖는다. 수직으로 경사진 표면(14)과 수평으로 위를 향한 표면(11)의 교차는 90도보다 더 큰 각을 갖는다. 노치 부분(12)은 큰 반경을 따라 웨이퍼로부터 멀리 수평으로 스윕된다. 노치 부분(12)의 스윕 프로파일은, 웨이퍼 에지 리프트 핀(10)이 그의 베이스 섹션(16)을 중심으로 수평으로 회전될 때에 웨이퍼 에지 리프트 핀(10)이 웨이퍼 구속 윈도우를 증가시키거나 감소시킬 수 있게 해준다. 또한, 노치 부분(12)의 스윕 프로파일은, 웨이퍼의 에지에서의 웨이퍼 정렬 노치가 노치의 경사 주변에 안착하는 것을 막을 정도로 충분히 큰 반경을 갖는다.
도 1b는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 에지 리프트 핀(10)의 일부의 또다른 측면도를 도시한다. 상부 섹션(17) 아래의 베이스 섹션(16)은 노치 부분(12)에 걸친 상부 섹션(17)의 직경(34)보다 더 큰 직경(32)을 갖는다. 또한, 하부 섹션(15)은 베이스 섹션(16)의 직경(32)보다 더 작은 직경(36)을 갖는다. 하나의 실시예에서, 상부 섹션(17) 및 베이스 섹션(16)의 수직 중심선(17a)은 하부 섹션(15)의 수직 중심선(15a)과 정렬되지 않지만 오프셋(19)만큼 떨어져 있다. 하나의 예에서, 오프셋(19)은 약 0.020 인치와 약 0.025 인치 사이일 수 있다. 그러나, 다른 예에서, 오프셋(19)은 약 0.025 인치보다 더 크거나 약 0.020 인치보다 더 작을 수 있다. 하나의 실시예에 따르면, 상부 섹션(17) 및 베이스 섹션(16)의 수직 중심선(17a)과 하부 섹션(15)의 수직 중심선(15a)은 정렬될 수 있고 그에 따라 오프셋(19)은 0이다.
웨이퍼 에지 리프트 핀(10)의 강성을 증가시키고 웨이퍼 에지 리프트 핀(10)이 도 2에 도시된 리프트 플레이트(20)에 장착될 때 직각/수직임을 보장하는 것을 돕기 위하여, 베이스 섹션(16)의 직경(32)은 노치 부분(12)에 걸친 상부 섹션(17)의 직경(34)보다 더 크다. 웨이퍼 에지 리프트 핀(10)은 베이스 섹션(16) 아래의 밀착(close-fit) 하부 섹션(15)(예컨대, 보스 피처)을 사용하여 리프트 플레이트(20) 상의 원형 리세싱된 특징부(도시되지 않음)에 장착된다. 웨이퍼 에지 리프트 핀(10)의 하부 섹션(15)을 리프트 플레이트(20)에 고정시키는데 나사(도시되지 않음)가 사용될 수 있다. 다시 도 1a를 참조하면, 프로세스 챔버 내의 진공 환경에서 가상 누설을 막기 위하여, 하부 섹션(15), 베이스 섹션(16) 및 상부 섹션(17)에서의 나사 구멍(도시되지 않음)의 단부에서 웨이퍼 에지 리프트 핀(10)의 측벽(21)을 통해 작은 벤트 홀(13)이 천공된다. 베이스 섹션(16)은 또한, 웨이퍼 에지 리프트 핀(10)이 리프트 플레이트(20) 상에서 쉽게 회전될 수 있게 해주는 렌치 플랫(wrench flat)(18)을 갖는다. 렌치 플랫(18)은 프로세스 챔버와 같은 의도된 장비에 설치되는 동안 측방향 웨이퍼 수납(containment) 윈도우의 조정을 수용한다. 조정은 다양한 동작 온도, 웨이퍼 직경, 및 제조 및 어셈블리 공차를 보상하도록 완료될 수 있다. 오프셋(19)의 존재는, 웨이퍼 에지 리프트 핀(10)이 리프트 플레이트(20) 상에서 회전될 때에 측방향 웨이퍼 수납 윈도우의 증가된 조정을 가능하게 한다. 리프트 플레이트(20)의 중심을 도 4에서 아래에 기재되는 척 어셈블리(40)의 중심과 정렬하기 위해 리프트 플레이트(20)의 센터링 부분(22)이 사용될 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따라 리프트 플레이트(20) 및 3개의 웨이퍼 에지 리프트 핀(10)에 의해 지지되는 웨이퍼(30)를 도시한다. 웨이퍼(30)는, 집적 회로의 제조를 위한 전자기기 및 종래의 웨이퍼 기반의 태양 전지를 위한 광전지에 사용되는, 단결정질 실리콘과 같은 반도체 재료의 얇은 슬라이스일 수 있다. 웨이퍼(30)는 웨이퍼(30) 내에 그리고 웨이퍼(30) 위에 구축되는 마이크로전자 디바이스를 위한 기판으로서 작용할 수 있고, 웨이퍼(30)는 도핑 또는 이온 주입, 에칭, 다양한 재료의 퇴적, 및 포토리소그래피 패터닝과 같은 많은 마이크로제조 프로세스 단계들을 겪는다. 일부 예에서, 웨이퍼(30)는 100 mm, 200 mm, 300 mm 또는 450 mm의 직경을 가질 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 웨이퍼를 사용하여 반도체 디바이스를 제조하기 위한 장치가 제공된다. 장치는 웨이퍼가 처리되는 곳인 프로세스 챔버, 웨이퍼가 위에 로딩되는 척 어셈블리, 및 웨이퍼를 위아래로 이동시키기 위한 복수의 적어도 3개의 웨이퍼 에지 리프트 핀을 포함한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따라 척 어셈블리(40), 리프트 플레이트(20), 및 3개의 웨이퍼 에지 리프트 핀(10)에 의해 척 어셈블리(40) 위에 올려진 웨이퍼(30)를 도시한다. 어셈블리 중에, 웨이퍼 리프트 핀(10)은 프로세스 챔버 외부에 있는 동안 리프트 플레이트(20)에 연결될 수 있다. 각각의 웨이퍼 에지 리프트 핀(10)의 회전 위치는, 척 어셈블리(40)의 외측 에지 상의 클리어런스 슬롯(clearance slot)(42)을 통해 지나감을 보장할 만큼만 충분하도록 대략 행해질 수 있다. 리프트 플레이트(20) 및 척 어셈블리(40)가 설치되면, 웨이퍼 에지 리프트 핀(10)은 상승/이송 위치로 상승될 수 있다. 이 점에서, 웨이퍼 에지 리프트 핀(10)은 웨이퍼 에지 리프트 핀(10)과 척 어셈블리(40) 간의 원하는 클리어런스를 달성하도록 회전될 수 있다. 클리어런스는 필러 게이지(feeler gauges)를 사용하여 측정될 수 있다.
계속해서 도 4를 참조하면, 웨이퍼(30)는, 웨이퍼(30)의 에지의 하측과 접촉하며 웨이퍼(30)를 측방향으로 구속하는 3개의 웨이퍼 에지 리프트 핀(10)을 포함하는 리프트 플레이트(20)를 사용하여 척 어셈블리(40)로부터 상승/하강될 수 있다. 웨이퍼(30)의 하측과 접촉하는 웨이퍼 엔드 이펙터 또는 로봇 암(도시되지 않음)이, 웨이퍼(30)를 프로세스 챔버 안으로 가져가고 웨이퍼(30)를 3개의 웨이퍼 에지 리프트 핀(10) 위에 위치시키는데 사용될 수 있다. 그 후에, 웨이퍼 엔드 이펙터는 웨이퍼(30)가 3개의 웨이퍼 에지 리프트 핀(10)에 의해 지지될 때에 하강되어 프로세스 챔버로부터 인출될 수 있다. 그러면, 3개의 웨이퍼 에지 리프트 핀(10)이 웨이퍼(30)를 척 어셈블리(40) 위로 하강시키는데 사용될 수 있다. 또한, 웨이퍼(30)를 처리한 후에, 3개의 웨이퍼 에지 리프트 핀(10)을 사용하여 웨이퍼(30)가 척 어셈블리(40)로부터 상승되면 웨이퍼 엔드 이펙터가 웨이퍼(30)를 제거하는데 사용될 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 웨이퍼 에지 리프트 핀(10)에 의해 지지되는 웨이퍼(30)의 평면도를 도시한다. 웨이퍼 에지 리프트 핀(10)의 설계는 일관된 측방향 수납 클리어런스를 유지하면서 수직 웨이퍼 지지를 가능하게 한다. 도 5a에서의 웨이퍼 에지 리프트 핀(10) 및 도 5b에서의 회전하는 웨이퍼 에지 리프트 핀(10)에 의해 보이듯이, 웨이퍼 에지 수납을 방해할 수 있는 액티브 그립은 이 설계에 의해 사용되지 않는다. 조정가능 설계는 수직 지지 구역을 타협하지 않고서 일관된 측방향 수납 윈도우를 유지한다(즉, 웨이퍼(30)는 한 방향으로 자리맞춤된다면(justified) 웨이퍼 에지 리프트 핀(10)에서 떨어지지 않을 것임). 조정가능 설계는 또한, 노치 부분(12)의 스윕 프로파일이 웨이퍼 정렬 노치(38)보다 더 크므로, 웨이퍼(30)의 웨이퍼 정렬 노치(38)의 정렬에 관계없이 기능한다. 노치 부분(12)의 스윕 프로파일은 웨이퍼 정렬 노치(38)가 노치 부분(12)의 경사 주변에 안착하는 것을 막을 만큼 충분히 큰 반경으로 이루어진다. 비교를 위해, 일부 다른 웨이퍼 에지 지지 핀 설계는 웨이퍼 정렬 노치의 위치를 수용하도록 3쌍의 리프트 핀을 이용한다.
마이크로전자 디바이스를 제조하는데 사용되는 웨이퍼를 지지하기 위한 웨이퍼 에지 리프트 핀 설계가 다양한 실시예에서 개시되었다. 본 발명의 실시예의 전술한 설명은 예시 및 설명을 위한 목적으로 제시된 것이다. 본 발명을 개시된 정확한 형태에 망라하거나 한정하고자 하지 않는다. 이 설명과 다음의 청구항은, 단지 서술을 위한 목적으로만 사용되는 용어를 포함하며, 한정하는 것으로서 해석되지 않는다. 관련 기술 분야에서의 숙련자는, 상기 교시에 비추어 많은 수정과 변형이 가능하다는 것을 알 수 있을 것이다. 당해 기술 분야에서의 숙련자는 도면에 도시된 다양한 컴포넌트에 대한 등가의 조합 및 교체를 인식할 것이다. 따라서, 본 발명의 범위는 이 상세한 설명에 의해서가 아니라 여기에 첨부된 청구항에 의해 해석되는 것으로 의도된다.

Claims (20)

  1. 반도체 디바이스를 제조하기 위한 장치의 웨이퍼 에지 리프트 핀(wafer edge lift pin)에 있어서,
    웨이퍼를 지지하기 위해 수평으로 위를 향한 표면 및 웨이퍼의 측방향 구속(confinement)을 위해 수직으로 경사진 표면을 갖는 노치 부분을 포함한 상부 섹션으로서, 상기 노치 부분은 반경을 따라 상기 웨이퍼로부터 멀리 수평으로 스윕(sweep)되는 것인, 상기 상부 섹션;
    상기 상부 섹션 아래의 베이스 섹션으로서, 상기 노치 부분에 걸친 상기 상부 섹션의 직경보다 더 큰 직경을 갖는, 상기 베이스 섹션; 및
    상기 베이스 섹션의 직경보다 더 작은 직경을 갖는 하부 섹션
    을 포함하는, 웨이퍼 에지 리프트 핀.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 베이스 섹션의 수직 중심선과 상기 하부 섹션의 수직 중심선이 수평으로 오프셋되는, 웨이퍼 에지 리프트 핀.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 베이스 섹션의 수직 중심선과 상기 하부 섹션의 수직 중심선이 약 0.020 인치 내지 약 0.025 인치만큼 수평으로 오프셋되는, 웨이퍼 에지 리프트 핀.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 베이스 섹션의 수직 중심선과 상기 하부 섹션의 수직 중심선이 정렬되는, 웨이퍼 에지 리프트 핀.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 노치 부분의 스윕 프로파일은 상기 웨이퍼 상의 웨이퍼 정렬 노치가 상기 노치 부분 주변에 안착하는 것을 막는, 웨이퍼 에지 리프트 핀.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 수직으로 경사진 표면과 상기 수평으로 위를 향한 표면의 교차는 90도보다 더 큰 각을 갖는, 웨이퍼 에지 리프트 핀.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 반경은 상기 웨이퍼 상의 웨이퍼 정렬 노치가 상기 노치 부분의 경사 주변에 안착하는 것을 막을 정도로 충분히 큰 것인, 웨이퍼 에지 리프트 핀.
  8. 반도체 디바이스를 제조하기 위한 장치의 웨이퍼 에지 리프트 핀에 있어서,
    웨이퍼를 지지하기 위해 수평으로 위를 향한 표면 및 웨이퍼의 측방향 구속을 위해 수직으로 경사진 표면을 갖는 노치 부분을 포함한 상부 섹션으로서, 상기 노치 부분은 반경을 따라 상기 웨이퍼로부터 멀리 수평으로 스윕되고, 상기 수직으로 경사진 표면과 상기 수평으로 위를 향한 표면의 교차는 90도보다 더 큰 각을 가지며, 상기 노치 부분의 스윕 프로파일은 상기 웨이퍼 상의 웨이퍼 정렬 노치가 상기 노치 부분 주변에 안착하는 것을 막는 것인, 상기 상부 섹션;
    상기 상부 섹션 아래의 베이스 섹션으로서, 상기 노치 부분에 걸친 상기 상부 섹션의 직경보다 더 큰 직경을 갖는, 상기 베이스 섹션; 및
    상기 베이스 섹션의 직경보다 더 작은 직경을 갖는 하부 섹션을 포함하고,
    상기 베이스 섹션의 수직 중심선과 상기 하부 섹션의 수직 중심선이 수평으로 오프셋되는 것인, 웨이퍼 에지 리프트 핀.
  9. 청구항 8에 있어서, 상기 베이스 섹션의 수직 중심선과 상기 하부 섹션의 수직 중심선은 약 0.020 인치 내지 약 0.025 인치만큼 수평으로 오프셋되는 것인, 웨이퍼 에지 리프트 핀.
  10. 청구항 8에 있어서, 상기 반경은 상기 웨이퍼 상의 웨이퍼 정렬 노치가 상기 노치 부분의 경사 주변에 안착하는 것을 막을 정도로 충분히 큰 것인, 웨이퍼 에지 리프트 핀.
  11. 웨이퍼를 사용하여 반도체 디바이스를 제조하기 위한 장치에 있어서,
    상기 웨이퍼가 처리되는 곳인 프로세스 챔버;
    상기 웨이퍼가 위에 로딩되는 척 어셈블리; 및
    상기 웨이퍼를 위아래로 이동시키기 위한 복수의 적어도 3개의 웨이퍼 에지 리프트 핀들을 포함하고, 상기 복수의 적어도 3개의 웨이퍼 에지 리프트 핀들의 각각은,
    웨이퍼를 지지하기 위해 수평으로 위를 향한 표면 및 웨이퍼의 측방향 구속을 위해 수직으로 경사진 표면을 갖는 노치 부분을 포함한 상부 섹션으로서, 상기 노치 부분은 반경을 따라 상기 웨이퍼로부터 멀리 수평으로 스윕되는 것인, 상기 상부 섹션;
    상기 상부 섹션 아래의 베이스 섹션으로서, 상기 노치 부분에 걸친 상기 상부 섹션의 직경보다 더 큰 직경을 갖는, 상기 베이스 섹션; 및
    상기 베이스 섹션의 직경보다 더 작은 수평 직경을 갖는 하부 섹션
    을 포함하는 것인, 반도체 디바이스 제조 장치.
  12. 청구항 11에 있어서, 상기 복수의 적어도 3개의 웨이퍼 에지 리프트 핀들을 지지하는 리프트 플레이트를 더 포함하는, 반도체 디바이스 제조 장치.
  13. 청구항 11에 있어서, 상기 리프트 플레이트는 상기 리프트 플레이트의 중심을 상기 척 어셈블리의 중심과 정렬하기 위한 센터링 부분을 포함하는 것인, 반도체 디바이스 제조 장치.
  14. 청구항 11에 있어서, 상기 척 어셈블리의 외측 에지는, 상기 웨이퍼를 위아래로 이동시킬 때 상기 복수의 적어도 3개의 웨이퍼 에지 리프트 핀들이 지나가는 클리어런스 슬롯(clearance slot)을 포함하는 것인, 반도체 디바이스 제조 장치.
  15. 청구항 11에 있어서, 상기 베이스 섹션의 수직 중심선과 상기 하부 섹션의 수직 중심선이 수평으로 오프셋되는, 반도체 디바이스 제조 장치.
  16. 청구항 11에 있어서, 상기 베이스 섹션의 수직 중심선과 상기 하부 섹션의 수직 중심선이 약 0.020 인치 내지 약 0.025 인치만큼 수평으로 오프셋되는, 반도체 디바이스 제조 장치.
  17. 청구항 11에 있어서, 상기 베이스 섹션의 수직 중심선과 상기 하부 섹션의 수직 중심선이 정렬되는, 반도체 디바이스 제조 장치.
  18. 청구항 11에 있어서, 상기 노치 부분의 스윕 프로파일은 웨이퍼 정렬 노치가 상기 노치 부분 주변에 안착하는 것을 막는, 반도체 디바이스 제조 장치.
  19. 청구항 11에 있어서, 상기 수직으로 경사진 표면과 상기 수평으로 위를 향한 표면의 교차는 90도보다 더 큰 각을 갖는 것인, 반도체 디바이스 제조 장치.
  20. 청구항 11에 있어서, 상기 반경은 상기 웨이퍼 상의 웨이퍼 정렬 노치가 상기 노치 부분의 경사 주변에 안착하는 것을 막을 정도로 충분히 큰 것인, 반도체 디바이스 제조 장치.
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