DE4237928C2 - Mikroschalter mit einem Magnetfeld-Sensor - Google Patents

Mikroschalter mit einem Magnetfeld-Sensor

Info

Publication number
DE4237928C2
DE4237928C2 DE4237928A DE4237928A DE4237928C2 DE 4237928 C2 DE4237928 C2 DE 4237928C2 DE 4237928 A DE4237928 A DE 4237928A DE 4237928 A DE4237928 A DE 4237928A DE 4237928 C2 DE4237928 C2 DE 4237928C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
magnetic field
field sensor
permanent magnets
magnetic
fixed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE4237928A
Other languages
English (en)
Other versions
DE4237928A1 (de
Inventor
Luc Jansseune
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE4237928A priority Critical patent/DE4237928C2/de
Priority to EP93110725A priority patent/EP0578172A1/de
Publication of DE4237928A1 publication Critical patent/DE4237928A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE4237928C2 publication Critical patent/DE4237928C2/de
Priority to US08/398,055 priority patent/US5554964A/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/94Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
    • H03K17/945Proximity switches
    • H03K17/95Proximity switches using a magnetic detector

Landscapes

  • Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft einen Mikroschalter mit einem Mag­ netfeld-Sensor nach den Oberbegriffen der Ansprüche 1, 4 und 5.
Aus der US-PS 3 226 631 ist bereits ein Magnetfeld-Schal­ ter bekannt, bei dem zwei mit ihren Achsen parallel an­ geordnete Dauermagneten mit jeweils einem gleichnamigen Pol über ein Joch verbunden sind, während die beiden ande­ ren, ebenfalls gleichnamigen Pole jeweils einen Polschuh tragen, wobei die freien Enden der Polschuhe einen Spalt bilden, in welchem ein Magnetfeld-Sensor angeordnet ist. Wird über den Spalt ein ferromagnetischer Auslösekörper, beispielsweise eine Eisenschiene, bewegt, wird dies über den Magnetfeld-Sensor erfaßt und ausgewertet. Allerdings ist der dortige Aufbau für einen Mikroschalter zu aufwen­ dig und zu groß.
Aus der DE 33 33 497 A1 ist ein Positionsgeber bekannt, welcher einen Magnetfeld-Sensor, zwei Dauermagneten und eine Schalteinrichtung aufweist, die entsprechend der magnetischen Induktion am Magnetfeld-Sensor ihren Schaltzustand ändert. Die dortige Anordnung der beiden Magneten ist jedoch nachteiligerweise nicht statisch, da der bekannte Positionsgeber durch Annäherung eines Steuermagneten an das Hallelement geschaltet wird. Diesem Stand der Technik ist andererseits jedoch kein Hinweis auf eine in Axialrichtung erfolgende Annäherung des Steuermagneten zu entnehmen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Mikro­ schalter der eingangs genannten Art zu schaffen, der mit möglichst wenigen und möglichst kleinen Bauteilen einfach aufgebaut ist und eine sichere Betätigung ermöglicht, ohne gegen unerwünschte Fremdeinflüsse empfindlich zu sein.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe mit einem Mikroschalter gelöst, dessen Merkmale in den Ansprüchen 1, 4 und 5 beschrieben sind.
Bei dem erfindungsgemäßen Schalter sind also die beiden Dauermagneten unmittelbar übereinander so angeordnet, daß sie selbst den Luftspalt für den Magnetfeld-Sensor bil­ den, so daß zusätzliche Joche oder Polschuhe nicht er­ forderlich werden. Für die Anordnung können kleine, beispielsweise runde Magneten verwendet werden, so daß sich insgesamt ein Schalter mit sehr kleinem Volumen bil­ den läßt.
Die Anordnung des Magnetfeld-Sensors ist somit getrennt von dem Schaltbereich für den Auslösekörper an einem der außenliegenden Dauermagnetpole. Auch hierdurch wird ein besonders einfacher Aufbau des Schalters ermöglicht.
Bei der Ausführungsform nach Anspruch 5 kann dabei der zweite Dauermagnet mit einem im Gehäuse axial geführten Betätigungsstößel aus nicht-ferromagnetischem Material verbunden sein.
Als Magnetfeld-Sensor kann je nach den Anwendungsbedingun­ gen ein Magnetfeld-Sensor oder ein Magnetoresistor (eine Feldplatte) Verwendung finden. Auch andere magnetfeldemp­ findliche Elemente, wie Magnetfelddioden und dergleichen sind denkbar.
Die Erfindung wird nachfolgend an Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen
Fig. 1 den grundsätzlichen Aufbau einer erfindungsgemäßen Ausführungsform eines Mikroschalters mit zwei Dauermagne­ ten, einem Magnetfeld-Schaltkreis und einem Auslösekörper,
Fig. 2 eine Kurve zur Darstellung eines beispielhaften Verlaufs der magnetischen Induktion am Magnetfeld-Sensor in Abhängigkeit vom Abstand eines Auslösekörpers gemäß Fig. 1,
Fig. 3 den konstruktiven Aufbau eines Mikroschalters mit einem Magnetfeld-Sensor in einem Gehäuse,
Fig. 4 ein Funktionsschaltbild eines integrierten Schalt­ kreises mit Magnetfeld-Sensor und Auswerteschaltung,
Fig. 5 eine weitere Ausführungsform eines Mikroschalters mit einem Magnetfeld-Sensor und einem beweglichen Dauermagneten,
Fig. 6 eine Kurve für einen beispielhaften Verlauf der magnetischen Induktion am Magnetfeld-Sensor in einer Anordnung gemäß Fig. 5.
Fig. 7 bis 12 den grundsätzlichen Aufbau weiterer Aus­ führungsformen eines erfindungsgemäßen Mikroschalters.
Fig. 1 zeigt schematisch die Anordnung eines Mikroschal­ ters mit Magnetfeld-Effekt. Dabei sind zwei Dauermagneten 1 und 2, die beispielsweise zylinderförmig oder auch qua­ derförmig sein können, koaxial mit entgegengesetzten Po­ larisierungsrichtungen übereinander angeordnet, so daß gleichnamige Pole, im Beispiel die Nordpole N, einander zugewandt sind. Zwischen den beiden Dauermagneten 1 und 2 ist ein Luftspalt 3 gebildet, in welchem ein Ma­ gnetfeld-Sensor 4 als Teil eines eine Auswerteschaltung enthaltenden Magnetfeld-Chips 5 angeordnet ist. Der Magnetfeld-Sensor 4 befindet sich dabei genau oder zu­ mindest annähernd in der neutralen Zone zwischen den beiden Dauermagneten. Die Flüsse von den gleichnamigen Polen der beiden Magneten stoßen einander ab, so daß der Magnetfeld-Sensor keine magnetische Induktion erfährt.
Wird jedoch ein ferromagnetischer Auslösekörper 6 an einen der außenliegenden Pole, im Beispiel an einen der Südpole S, angenähert, so wird das Gleichgewicht der Magnetfelder gestört; am Magnetfeld-Sensor tritt eine meßbare magneti­ sche Induktion auf. Diese wird zum Umschalten einer im Magnetfeld-Chip 5 enthaltenen Auswerteschaltung genutzt.
Eine integrierte Schaltung in Form eines Magnetfeld-Chips 5 mit einem Magnetfeld-Sensor 4, einer Schwellenwert­ schaltung (einem Schmitt-Trigger) 41 und einem Halblei­ terschalter 42 ist beispielshalber in Fig. 4 gezeigt. Derartige Magnetfeld-Sensor sind handelsüblich. Der dar­ gestellte Chip 5 besitzt in der Regel drei Anschlußfahnen, nämlich einen Versorgungsanschluß 51, einen Masseanschluß 52 und einen Signalausgangsanschluß 53.
Fig. 2 zeigt, lediglich beispielhaft, den Verlauf b1 der magnetischen Induktion am Magnetfeld-Sensor 4 in Fig. 1 in Ab­ hängigkeit vom Abstand z des Auslösekörpers 6 vom Dauerma­ gneten 2. Daraus ist ersichtlich, daß bei Verringerung des Abstandes z die magnetische Induktion B ansteigt. Bei dem gezeigten Beispiel liegt die Schaltschwelle des Hall-IC′s 5 bei 150 G, entsprechend einem Abstand z von annähernd 1,5 mm. Die Ausschaltschwelle liegt dagegen aufgrund der Hysterese im Schwellenwertschalter 41 bei etwa 100 G, ent­ sprechend einem Abstand z von etwa 2,2 mm. Dies sind le­ diglich Zahlenangaben eines ganz bestimmten Ausführungs­ beispiels; je nach den Kennwerten des verwendeten Hall- IC′s und der übrigen Teile variieren natürlich auch diese Schwellenwerte.
In Fig. 3 ist ein möglicher konstruktiver Aufbau für ei­ nen erfindungsgemäßen Schalter gezeigt. Dabei ist eine Leiterplatte 7 vorgesehen, welche den Hall-IC 5 trägt. Auf der Leiterplatte sind weitere Bauelemente, beispielsweise ein Widerstand 8 und ein Kondensator 9, andeutungsweise gezeigt. Diese dienen beispielsweise zur Sicherung des Hall-IC′s 5 gegen Überspannungen. Die Leiterplatte mit ih­ ren Bauteilen ist in einem in den Umrissen angedeuteten Gehäuse 10 untergebracht, wobei die Innengestaltung des Gehäuses mit entsprechenden Abstützungen und Führungen nicht gezeigt ist. Die beiden Dauermagneten 1 und 2 sind ebenfalls in dem Gehäuse in entsprechenden, nicht darge­ stellten Führungen angeordnet, wobei sie vorzugsweise mit Preßsitz in einem Führungskanal so angeordnet sind, daß sie zur Justierung verschoben werden können. Nach der Ju­ stierung kann die Leiterplatte mit den Dauermagneten bei­ spielsweise im Gehäuse fest verschlossen, vorzugsweise vergossen werden.
Fig. 5 zeigt eine weitere Ausführungsform für einen er­ findungsgemäßen Mikroschalter. In diesem Fall ist der Dauermagnet 1 mit dem darüberliegenden Hall-IC 5 fest in einem Gehäuse 11 angeordnet, während der zweite Dauerma­ gnet 2 in einer Gehäuseführung 12 axial verschiebbar ange­ ordnet ist. Der Dauermagnet 2 ist mit einem Schaltstößel 13 aus-nicht ferromagnetischem Material versehen, der von außen betätigbar ist. Da die beiden Nordpole N der Dauer­ magneten 1 und 2 einander zugewandt sind, stoßen sich die beiden Magnete ab, so daß der Dauermagnet 2 mit dem Schaltstößel 13 im Ruhezustand an einem oberen Gehäusean­ schlag 14 liegt. Wird der Schaltstößel zur Betätigung nach unten bewegt, verändert sich die magnetische Induktion an dem Magnetfeld-Sensor 4, was wiederum als Schaltsignal auswertbar ist.
Fig. 6 zeigt den Verlauf der magnetischen Induktion an einer beispielhaften Kurve b5 in Abhängigkeit vom Weg des Schaltstößels in Richtung y. Da der Dauermagnet 2 im Ruhe­ zustand weiter vom Magnetfeld-Sensor 4 entfernt ist als der Dauermagnet 1, wird im Ruhezustand, d. h. bei y = 0, eine magnetische Induktion B0 gemessen. Während der Bewegung des Schaltstößels 13 und des Dauermagneten 2 nach unten verringert sich diese magnetische Induktion entsprechend der Kurve b5, bis die Einschaltschwelle B1 an dem Punkt y1 erreicht ist. Wird der Schaltstößel los­ gelassen, so daß der Dauermagnet 2 aufgrund der magneti­ schen Abstoßung sich wieder nach oben bewegt, erreicht er die Ausschaltschwelle mit dem Induktionswert B2 an der Wegstelle y2. Auch in diesem Fall wird also durch die Hysterese sichergestellt, daß der Einschaltpunkt und der Ausschaltpunkt in einem gewissen Abstand voneinander liegen, um jeweils einen eindeutig definierten Schalt­ zustand zu gewährleisten.
Fig. 7 zeigt schematisch eine weitere mögliche Anordnung eines Mikroschalters mit Hall-Effekt. Im Unterschied zur Fig. 1 wird der Auslösekörper 6 nicht an einen der außen­ liegenden Pole, sondern an eine zur Axialrichtung paralle­ le Seite eines der beiden Dauermagneten angenähert. Die aktive Flache, über die das Gleichgewicht der Magnetfelder gestört wird, befindet sich in diesem Fall, ebenso wie bei den Ausführungsbeispielen gemäß Fig. 8 und 9, nicht an der Polfläche, sondern seitlich am Magneten. In Fig. 8 ist der plättchenförmige Magnetfeld-Sensor 4 in Axialrichtung zwi­ schen gleichnamigen Polen der beiden Dauermagneten ange­ ordnet. Bei dieser Ausrichtung des Sensors wird dieser oben und unten symmetrisch von Flußlinien durchflossen. Durch Annäherung des Auslöseteils 6 an eine Seite eines der Magneten wird dieses Gleichgewicht gestört.
Fig. 9 zeigt eine alternative Anordnung, bei der der Sen­ sor in Axialrichtung zwischen ungleichnamigen Polen an­ geordnet ist und der Auslösekörper 6 seitlich angenähert wird. Bei dieser Ausrichtung befindet sich der Sensor nicht in der Front zwischen zwei gegeneinander gerichteten Magnetfeldern, sondern er ist tangential zu den Magnet­ flußlinien ausgerichtet. Durch asymmetrische Änderung durch das umliegende Medium mittels des Auslösekörpers 6 verziehen sich, analog wie bei den anderen Ausführungs­ beispielen, die Feldlinien und laufen nicht mehr mit dem Sensor parallel. Nur die dabei entstehende, senkrecht auf dem Sensor stehende Magnetflußkomponente wird vom Sensor wahrgenommen und ausgewertet.
Die Erfindung ist nicht darauf beschränkt, daß der Fluß durch den Sensor im Ruhezustand gleich oder nahe Null ist. Die Anordnung kann beispielsweise auch derart gewählt sein, daß im Ruhezustand ein Fluß von 80 G durch den Sen­ sor fließt, der sich bei Betätigung erhöht, bis die Schaltschwelle von beispielsweise 100 G überschritten wird. Umgekehrt kann von der Anwendung her auch eine An­ ordnung vorteilhaft sein, bei der der Fluß zunächst über der Schaltschwelle liegt und durch die Annäherung des Auslösekörpers unter die Schaltschwelle gezogen wird.
Weiter Ausführungsformen sind in den Fig. 10 bis 12 dargestellt. Die Anordnung gemäß Fig. 10 funktioniert analog der Anordnung in Fig. 8, wobei in Fig. 10 jedoch ein radial aufmagnetisierter Magnet verwendet ist. Fig. 11 zeigt eine Anordnung wie Fig. 10, jedoch mit verein­ fachter Aufmagnetisierung. Fig. 12 zeigt eine Anordnung nach dem gleichen Prinzip wie in den Fig. 10 und 11, jedoch mit nur einem, in zwei gegenübergestellten Rich­ tungen aufmagnetisierten Magneten.
Die in den Ausführungsbeispielen verwendeten IC′s können nicht nur einen, sondern auch zwei aktive Bereiche haben (unipolares IC mit 2 Ausgängen), oder als Latch funktio­ nieren (bipolares IC).

Claims (8)

1. Mikroschalter mit einem Magnetfeld-Sensor (4) und einer Schalteinrichtung (41, 42), die entsprechend der magnetischen Induktion am Magnetfeld-Sensor ihren Schaltzustand ändert, sowie mit zwei Dauermagneten (1, 2), wobei der Magnetfeld-Sensor (4) im Grenzbereich der von beiden Dauermagneten erzeugten Magnetfelder angeordnet ist, die beiden säulenförmigen Dauermagneten (1, 2) koaxial zueinander und mit jeweils gleichnamigen Polen einander zugewandt unter Bildung eines Luftspaltes (3) angeordnet sind und daß in dem Luftspalt (3) der Magnetfeld-Sensor (4) fest angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Dauermagneten (1, 2) in einem festen Abstand zueinander angeordnet sind und daß der Magnetfeld-Sensor (4) in dem Luftspalt (3) ebenfalls in fester Beziehung zu beiden Dauermagneten derart fixiert ist, daß die magnetische Induktion am Magnetfeld-Sensor im Ruhezustand auf einen festen Wert eingestellt ist und bei Annäherung eines ferromagnetischen Auslösekörpers (6) an einen der Dauermagneten (2) eine gegenüber dem Ruhezustand veränderte, über die Schalteinrichtung (41, 42) auswertbare Größe annimmt.
2. Mikroschalter nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die Annäherung des Auslösekörpers (6) an einen vom Magnetfeld-Sensor (4) abgewandten Pols (S) eines der Dauermagneten (2).
3. Mikroschalter nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die Annäherung des Auslösekörpers (6) an eine zur Axialrichtung parallele Seite eines der Dauermagneten (2).
4. Mikroschalter mit einem Magnetfeld-Sensor (4) und einer Schalteinrichtung (41, 42), die entsprechend der magnetischen Induktion am Magnetfeld-Sensor ihren Schaltzustand ändert, sowie mit zwei Dauermagneten (1, 2), wobei der Magnetfeld-Sensor (4) im Grenzbereich der von beiden Dauermagneten erzeugten Magnetfelder angeordnet ist, die beiden säulenförmigen Dauermagneten (1, 2) koaxial zueinander und mit jeweils ungleichnamigen Polen einander zugewandt unter Bildung eines Luftspaltes (3) angeordnet sind und daß in dem Luftspalt (3) der Magnetfeld-Sensor (4) in Axialrichtung fest angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Dauermagneten (1, 2) in einem festen Abstand zueinander angeordnet sind und daß der Magnetfeld-Sensor (4) in dem Luftspalt (3) ebenfalls in fester Beziehung zu beiden Dauermagneten derart fixiert ist, daß die magnetische Induktion am Magnetfeld-Sensor im Ruhezustand auf einen festen Wert eingestellt ist und bei Annäherung eines ferromagnetischen Auslösekörpers (6) an eine zur Axialrichtung parallele Seite eines der Dauermagneten (2) eine gegenüber dem Ruhezustand veränderte, über die Schalteinrichtung (41, 42) auswertbare Größe annimmt.
5. Mikroschalter mit einem Magnetfeld-Sensor (4) und einer Schalteinrichtung (41, 42), die entsprechend der magnetischen Induktion am Magnetfeld-Sensor ihren Schaltzustand ändert, sowie mit zwei Dauermagneten (1, 2), wobei der Magnetfeld-Sensor (4) im Grenzbereich der von beiden Dauermagneten erzeugten Magnetfelder angeordnet ist, die beiden säulenförmigen Dauermagneten (1, 2) koaxial zueinander und mit jeweils gleichnamigen Polen einander zugewandt unter Bildung eines Luftspaltes (3) angeordnet sind, wobei in dem Luftspalt (3) der Magnetfeld-Sensor (4) fest angeordnet ist, und wobei ein erster der beiden Dauermagneten (1) zusammen mit dem Magnetfeld-Sensor (4) in fester Zuordnung fixiert ist, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Dauermagnet (2) in Axialrichtung verschiebbar geführt und durch eine Rückstellkraft in eine von dem Magnetfeld-Sensor entfernte Ruhestellung (14) vorgespannt ist, wobei in der Ruhestellung eine am Magnetfeld-Sensor wirksame magnetische Induktion auswertbar ist und bei Verschiebung des zweiten Dauermagneten (2) entgegen der Rückstellkraft in eine Arbeitsstellung am Magnetfeld-Sensor die gemessene Induktion um einen auswertbaren Betrag verringert wird und wobei die magnetische Abstoßung zwischen beiden Dauermagneten (1, 2) als Rückstellkraft verwendet wird.
6. Mikroschalter nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Dauermagnet (2) mit einem in einem Gehäuse (11) geführten Betätigungsstößel (13) aus nicht ferromagnetischem Material verbunden ist.
7. Mikroschalter nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß als Magnetfeld-Sensor jeweils ein Hall-Sensor verwendet ist.
8. Mikroschalter nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß als Magnetfeld-Sensor ein Magnetoresistor verwendet ist.
DE4237928A 1992-07-09 1992-11-10 Mikroschalter mit einem Magnetfeld-Sensor Expired - Fee Related DE4237928C2 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4237928A DE4237928C2 (de) 1992-07-09 1992-11-10 Mikroschalter mit einem Magnetfeld-Sensor
EP93110725A EP0578172A1 (de) 1992-07-09 1993-07-05 Mikroschalter mit einem Magnetfeld-Sensor
US08/398,055 US5554964A (en) 1992-07-09 1995-03-02 Microswitch with a magnetic field sensor

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4222617 1992-07-09
DE4237928A DE4237928C2 (de) 1992-07-09 1992-11-10 Mikroschalter mit einem Magnetfeld-Sensor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE4237928A1 DE4237928A1 (de) 1994-01-13
DE4237928C2 true DE4237928C2 (de) 1995-01-19

Family

ID=6462871

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4237928A Expired - Fee Related DE4237928C2 (de) 1992-07-09 1992-11-10 Mikroschalter mit einem Magnetfeld-Sensor

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5554964A (de)
DE (1) DE4237928C2 (de)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6031439A (en) * 1995-09-08 2000-02-29 Acuson Corporation Bi-directional hall-effect control device
DE19736454B4 (de) * 1997-08-21 2005-01-27 Infineon Technologies Ag Kontaktloser Näherungsschalter
US6578436B1 (en) 2000-05-16 2003-06-17 Fidelica Microsystems, Inc. Method and apparatus for pressure sensing
US7316167B2 (en) * 2000-05-16 2008-01-08 Fidelica, Microsystems, Inc. Method and apparatus for protection of contour sensing devices
DE10121776B4 (de) * 2001-05-04 2006-10-19 Sick Ag Sensor
JP4500472B2 (ja) * 2001-08-13 2010-07-14 アルプス電気株式会社 磁気スイッチ及び磁気センサ
WO2013159067A1 (en) * 2012-04-20 2013-10-24 Martin Bryan A Magnetic field switches
DE102013104001B3 (de) 2013-04-19 2014-10-16 Trw Automotive Electronics & Components Gmbh Näherungssensor sowie Baugruppe
KR20170093949A (ko) * 2014-12-10 2017-08-16 티이엘 에프에스아이, 인코포레이티드 회전 척으로부터 손실 웨이퍼의 검출
US9564378B2 (en) 2014-12-10 2017-02-07 Tel Fsi, Inc. Detection of lost wafer from spinning chuck
TWI766897B (zh) 2016-11-09 2022-06-11 美商東京威力科創Fsi股份有限公司 用於處理一微電子基板的設備及其方法
TWI765936B (zh) 2016-11-29 2022-06-01 美商東京威力科創Fsi股份有限公司 用以對處理腔室中之微電子基板進行處理的平移與旋轉夾頭
KR20190085148A (ko) 2016-12-07 2019-07-17 티이엘 에프에스아이, 인코포레이티드 반도체 디바이스를 제조하기 위한 웨이퍼 에지 리프트 핀
CN110268513A (zh) 2017-01-27 2019-09-20 东京毅力科创Fsi公司 用于在工艺室中旋转和平移衬底的系统和方法
US11020774B2 (en) 2018-02-19 2021-06-01 Tel Manufacturing And Engineering Of America, Inc. Microelectronic treatment system having treatment spray with controllable beam size
US11545387B2 (en) 2018-07-13 2023-01-03 Tel Manufacturing And Engineering Of America, Inc. Magnetic integrated lift pin system for a chemical processing chamber

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH393144A (de) * 1960-07-07 1965-05-31 Siemens Ag Magnetisch-elektrischer Signalgeber
DE3333497A1 (de) * 1983-09-16 1985-04-18 Vdo Adolf Schindling Ag, 6000 Frankfurt Positionsgeber mit mindestens einem hall-schaltelement
US5128641A (en) * 1987-06-08 1992-07-07 Hermetic Switch, Inc. Magnetic switches

Also Published As

Publication number Publication date
DE4237928A1 (de) 1994-01-13
US5554964A (en) 1996-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4237928C2 (de) Mikroschalter mit einem Magnetfeld-Sensor
DE3148754C2 (de)
DE3011462C2 (de)
EP0157916B2 (de) Analoger Wegsensor
DE102004057909A1 (de) Linearer Positionssensor
EP1477772A1 (de) Magnetischer Positions- oder Winkelsensor
EP0207270B1 (de) Berührungslos arbeitende Näherungsschalteinrichtung
DE4412555C2 (de) Ein analoges Steuersignal abgebendes Tastelement für die Steuerung von Elektromotoren
EP1175596B1 (de) Magnetischer positionssensor
WO2004070321A1 (de) Sensoranordnung
EP0578172A1 (de) Mikroschalter mit einem Magnetfeld-Sensor
DE19852915A1 (de) Meßvorrichtung zur berührungslosen Erfassung eines Drehwinkels
DE3619238C2 (de)
DE4429857C2 (de) Detektor für Magnetposition
DE10161541B4 (de) Sensoranordnung und Funktionseinheit mit Sensoranordnung
EP0578261A1 (de) Näherungsschalter mit einem Magnetfeld-Sensor
EP0108704A1 (de) Druckmittelbetätigter Arbeitszylinder
DE19917464A1 (de) Wegmeßvorrichtung
DE10056656C2 (de) Mikroschalter mit verstärkter Kontaktkraft
DE69820998T2 (de) Elektromechanischer doppelhubmagnet
DE4302379C1 (de) Justierbarer Näherungsschalter mit einem Magnetfeld-Sensor
DE20315448U1 (de) Magnetisches Sensorsystem
DE2057483B1 (de) Kontaktloses Schaltgeraet
DE4237929A1 (de) Näherungsschalter mit einem Magnetfeld-Sensor
DE4411758A1 (de) Vorrichtung zur Erkennung einer mechanischen Berührung zweier Bauteile, insbesondere für Kraftfahrzeuge

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee