JP2010021041A - イオン注入装置のウェーハ保持具 - Google Patents
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Abstract
【課題】ビームの照射によってウェーハと保持ピンとの間に温度差が生じるのを防ぐことのできるウェーハ保持具について、提供する。
【解決手段】イオン注入装置においてウェーハを保持する保持ピンを複数有するウェーハ保持具であって、該保持ピンは、ウェーハの端面と接してウェーハの動きを規制するヘッドと、該ヘッドから突出しウェーハが載置されるフランジとを有し、前記ヘッドは、ウェーハが載置される側とは異なる向きに延びる庇部を備える。
【選択図】図3
【解決手段】イオン注入装置においてウェーハを保持する保持ピンを複数有するウェーハ保持具であって、該保持ピンは、ウェーハの端面と接してウェーハの動きを規制するヘッドと、該ヘッドから突出しウェーハが載置されるフランジとを有し、前記ヘッドは、ウェーハが載置される側とは異なる向きに延びる庇部を備える。
【選択図】図3
Description
本発明は、シリコンウェーハ等のウェーハにイオンを注入する際に用いる、イオン注入装置において該ウェーハを保持する保持具に関し、特に、ウェーハ面内の温度分布を抑制できるウェーハ保持具に関する。
現在、SIMOXウェーハの代表的な製造方法は、MLD(Modified Low Dose)法と呼ばれ、この方法では酸素イオンの注入を2段階に分けて行う(特許文献1参照)。すなわち、1回目の酸素イオン注入はシリコンウェーハを高温に加熱して行い、続いて2回目の酸素イオン注入はシリコンウェーハの温度を室温程度に下げて行う。1回目の酸素イオン注入は、シリコンウェーハを加熱することによって、シリコンウェーハ表面を単結晶のまま維持して、酸素の高濃度層を形成し、次いで、2回目の酸素イオン注入では、アモルファス層を形成する。その後、酸素とアルゴンの混合ガスにて、高温熱処理を施して、SOI構造を形成する。
米国特許第5,930,643号明細書
ところで、上記のようなSIMOXウェーハの製造に用いられる酸素イオン注入装置において、ウェーハの保持具としては、図1に示すような保持具1が知られている(特許文献2参照)。このウェーハ保持具1は、図2に示すように、略Y字状の枠体からなるホルダー10の端部3箇所に、ウェーハの保持ピン2を固定し、これら保持ピン2を介してホルダーの3箇所でウェーハ3を保持する仕組みになっている。
米国特許第6,794,662号
前掲の保持ピン2は、図2に示すように、ウェーハ3の端面と接してウェーハ3の動きを規制するヘッド4と、該ヘッド2aから突出しウェーハ3が載置されるフランジ5とを有し、図2(c)に示すように、ヘッド4とフランジ5とに挟まれる形でウェーハ3が保持される。
従来のウェーハの保持具1は、例えばSIMOXウェーハの製造における酸素イオン注入工程において、照射ビームがウェーハの端部にまで万遍なく行き届くように、いわゆるシャドウイングを防止するために、ヘッド4を小さく形成し、フランジ5はヘッド4より大きな径に形成されている。例えば、保持ピン2の形状が一般的な円筒形の場合、フランジ5の径はヘッド4の径の1.5倍以上あるのが一般的である。
しかし、上記したMLD法のSIMOXウェーハ製造方法では、特に2回目の酸素イオン注入において、ビームの照射によってウェーハの温度が上昇すると、ウェーハと保持ピンとは形状や材質が異なることから、両者間に温度差が生じることになる。この温度差の影響は、保持ピン近傍のウェーハにおいて、アモルファス層の膜厚むらとして現れる。従って、高温熱処理後のウェーハには、特に保持ピン2の近傍において、SOI層やBOX層に膜厚むらが生じることが問題になっていた。
本発明は、上記の問題を有利に解決するものであり、特にビームの照射によってウェーハと保持ピンとの間に温度差が生じるのを防ぐことのできるウェーハ保持具について、提供することを目的とする。
すなわち、本発明の要旨構成は、次のとおりである。
(1)イオン注入装置においてウェーハを保持する保持ピンを複数有するウェーハ保持具であって、該保持ピンは、ウェーハの端面と接してウェーハの動きを規制するヘッドと、該ヘッドから突出しウェーハが載置されるフランジとを有し、前記ヘッドは、ウェーハが載置される側とは異なる向きに延びる庇部を備えることを特徴とするイオン注入装置のウェーハ保持具。
(1)イオン注入装置においてウェーハを保持する保持ピンを複数有するウェーハ保持具であって、該保持ピンは、ウェーハの端面と接してウェーハの動きを規制するヘッドと、該ヘッドから突出しウェーハが載置されるフランジとを有し、前記ヘッドは、ウェーハが載置される側とは異なる向きに延びる庇部を備えることを特徴とするイオン注入装置のウェーハ保持具。
(2)前記庇部は、扇形の平面形状を有することを特徴とする前記(1)に記載のイオン注入装置のウェーハ保持具。
(3)前記庇部の扇形の拡開角度が−50°以上であることを特徴とする前記(2)に記載のイオン注入装置のウェーハ保持具。
(4)前記庇部の扇形の拡開角度が180°以下であることを特徴とする前記(2)または(3)に記載のイオン注入装置のウェーハ保持具。
本発明によれば、ウェーハの保持ピンのヘッドに庇部を設けて、ビームによる注入熱量を庇部に受けて保持ピンの温度上昇を図れるため、保持ピンとウェーハとの温度差が抑制され、ウェーハの保持ピン近傍部分の膜厚むらを回避できる。
以下、本発明を具体的に説明する。
本発明に従うウェーハ保持具1は、図1に示した、略Y字状の枠体からなるホルダー10の端部3箇所に、ウェーハの保持ピン2を固定し、これら保持ピン2を介してホルダーの3箇所でウェーハ3を保持するのは、従前と同様である。
本発明では、図3に示すように、ウェーハ3の端面と接してウェーハ3の動きを規制するヘッド4と、該ヘッド4から突出しウェーハ3が載置されるフランジ5とを有する、保持ピン2において、さらにヘッド4に、ウェーハ3が載置される側とは異なる向き、図示例では、ヘッド4の径方向外側で、かつウェーハ3の載置側とヘッド4を挟んで対向する向きに延びる、庇部6を設けることが肝要である。
本発明に従うウェーハ保持具1は、図1に示した、略Y字状の枠体からなるホルダー10の端部3箇所に、ウェーハの保持ピン2を固定し、これら保持ピン2を介してホルダーの3箇所でウェーハ3を保持するのは、従前と同様である。
本発明では、図3に示すように、ウェーハ3の端面と接してウェーハ3の動きを規制するヘッド4と、該ヘッド4から突出しウェーハ3が載置されるフランジ5とを有する、保持ピン2において、さらにヘッド4に、ウェーハ3が載置される側とは異なる向き、図示例では、ヘッド4の径方向外側で、かつウェーハ3の載置側とヘッド4を挟んで対向する向きに延びる、庇部6を設けることが肝要である。
すなわち、庇部6は、図3(a)および(b)に示すように、ヘッド4から扇形に拡開させて延ばした形状を有し、照射ビームの受容面積を確保する必要がある。この庇部6を介して、ビームによる注入熱量を保持ピン2に貯える。庇部6がビームから得る熱量は、該庇部6の面積に比例するため、この面積に比例して庇部6、ひいては保持ピン2の温度上昇幅は大きくなり、特にウェーハ3へのイオン注入工程において、保持ピン2とウェーハ3との温度差を抑制するのに有効な手立てとなる。
ここで、庇部6が扇形である場合、その拡開角度は図3に示す事例に限らず、例えば図4に示すような拡開角度の小さい扇形にしたり、逆に、図5に示すような拡開角度の大きい扇形にすることも可能である。
その際、拡開角度を−50〜180°の範囲とすることが好ましい。なお、拡開角度とは、扇形の中心角であり、具体的には、図3(b)に示すところの角度αであり、この拡開角度αが−50°以上であることが好ましい。なぜなら、角度αが−50°未満では、照射ビームの受容面積を十分に確保することが難しくなるからである。
その際、拡開角度を−50〜180°の範囲とすることが好ましい。なお、拡開角度とは、扇形の中心角であり、具体的には、図3(b)に示すところの角度αであり、この拡開角度αが−50°以上であることが好ましい。なぜなら、角度αが−50°未満では、照射ビームの受容面積を十分に確保することが難しくなるからである。
なお、拡開角度αが0°とは、扇形の半径部分である二辺が平行になって、庇部がヘッド4の直径の幅で矩形状に延びることを意味し、さらに図4に示したように、前記二辺が平行状態から閉じる向きの配置をとる場合の、α:0°の平行辺に対する角度の二辺の合計をマイナス(−)にて表示した。例えば、図4に示す庇部の拡開角度は、−40°となる。
一方、庇部6の拡開角度の上限は、180°であることが好ましい。すなわち、拡開角度が180°を超えると、庇部がウェーハ側にまで回り込む事になって、照射ビームが遮られてウェーハ端部にまで届かなくなる、おそれがある。
なお、庇部6に関する拡開角度の条件は、図3(b)に示すように、各保持ピン2において、ウェーハ3を保持ピン2のフランジ5に載置した際に、該ウェーハ3と接触するヘッド4の部分を基準点Pとし、かつヘッドの周面を円弧に見立てたとき、この基準点Pを通る法線Lが、上記した拡開角度αの中心になるように、庇部を設ければよい。
また、図示例においては、庇部6をフランジ5の突出量と同等にしてあるが、図6に示すように、フランジ5の突出量を超えて庇部6をヘッド4から突出させてもよい。その際、庇部6の半径を、庇部6の強度が低下して変形することのない突出量とすることが好ましい。
さらに、庇部6の厚みは、熱容量を小さくできる薄板であって、かつ、庇部6の強度が低下して変形することのない厚みとすることが好ましい。
次に、本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。
表1に示す仕様の保持ピンを、図1に示したホルダーに備える保持具を作製し、MLD−SIMOXの酸素イオン注入に適用した。1回目の酸素イオン注入は、ウェーハを400℃に加熱して、加速エネルギー180keVで、2.4×1017atoms/cm2の酸素イオンを注入した。2回目の酸素イオン注入は、ウェーハを100℃以下まで冷却して、加速エネルギー170keVで、6.0×1015atoms/cm2の酸素イオンを注入した。続いて、1300℃で、酸素分圧40%の酸素とアルゴンの混合ガスで高温熱処理を施し、SIMOXウェーハを作製した。
表1に示す仕様の保持ピンを、図1に示したホルダーに備える保持具を作製し、MLD−SIMOXの酸素イオン注入に適用した。1回目の酸素イオン注入は、ウェーハを400℃に加熱して、加速エネルギー180keVで、2.4×1017atoms/cm2の酸素イオンを注入した。2回目の酸素イオン注入は、ウェーハを100℃以下まで冷却して、加速エネルギー170keVで、6.0×1015atoms/cm2の酸素イオンを注入した。続いて、1300℃で、酸素分圧40%の酸素とアルゴンの混合ガスで高温熱処理を施し、SIMOXウェーハを作製した。
また、比較として、庇部を持たない図2に示した保持ピンを、図1に示したホルダーに備える保持具を作製し、同様のMLD−SIMOXの酸素イオン注入に適用した。
各保持具を用いて行った酸素イオン注入について、得られたSIMOXウェーハの膜厚を分光エリプソメーターによって57点測定し、そのSOI層の膜厚均一性を膜厚レンジ(最大値と最小値の差)にて評価した。その結果を、表1に併記する。
表1に示すように、本発明に従う保持具を使用した場合、SIMOXウェーハのSOI膜厚が均一になっていることから、保持ピンとウェーハとの温度差が低減されたことが分かる。
1 保持具
2 保持ピン
3 ウェーハ
4 ヘッド
5 フランジ
6 庇部
10 ホルダ
2 保持ピン
3 ウェーハ
4 ヘッド
5 フランジ
6 庇部
10 ホルダ
Claims (4)
- イオン注入装置においてウェーハを保持する保持ピンを複数有するウェーハ保持具であって、該保持ピンは、ウェーハの端面と接してウェーハの動きを規制するヘッドと、該ヘッドから突出しウェーハが載置されるフランジとを有し、前記ヘッドは、ウェーハが載置される側とは異なる向きに延びる庇部を備えることを特徴とするイオン注入装置のウェーハ保持具。
- 前記庇部は、扇形の平面形状を有することを特徴とする請求項1に記載のイオン注入装置のウェーハ保持具。
- 前記庇部の扇形の拡開角度が−50°以上であることを特徴とする請求項2に記載のイオン注入装置のウェーハ保持具。
- 前記庇部の扇形の拡開角度が180°以下であることを特徴とする請求項2または3に記載のイオン注入装置のウェーハ保持具。
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