KR20190080730A - 접착제 조성물, 적층체 및 그 제조 방법, 그리고 전자 부품의 제조 방법 - Google Patents

접착제 조성물, 적층체 및 그 제조 방법, 그리고 전자 부품의 제조 방법 Download PDF

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KR20190080730A
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다카히로 요시오카
히로후미 이마이
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도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
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Abstract

(과제) 내열성 및 내약품성이 보다 높아져, 고온 처리 및 약액 처리의 영향을 잘 받지 않는 접착층을 형성할 수 있는 접착제 조성물을 제공한다.
(해결 수단) 일반식 (u1-1) 로 나타내는 구성 단위를 갖는 엘라스토머를 함유하는 접착제 조성물을 채용한다. 식 (u1-1) 중, Rα1 은, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 수소 원자를 나타낸다. R01 은, 지환식기를 포함하는 기를 나타낸다. R02 는, 할로겐 원자, 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬기, 탄소수 6 ∼ 12 의 아릴기, 시아노기, 니트로기, 수산기, 카르복실기, -OR 로 나타내는 기 및 -COOR 로 나타내는 기 (단, R 은, 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬기이다.) 로 이루어지는 군에서 선택되는 기이다. m 은 1 ∼ 5 의 자연수이고, n1 은 0 이상의 정수이다.
[화학식 1]
Figure pat00013

(선택도) 없음

Description

접착제 조성물, 적층체 및 그 제조 방법, 그리고 전자 부품의 제조 방법 {ADHESIVE COMPOSITION, LAMINATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING ELECTRONIC COMPONENT}
본 발명은 접착제 조성물, 적층체 및 그 제조 방법, 그리고 전자 부품의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 포함하는 반도체 패키지 (전자 부품) 에는, 대응 사이즈에 따라 다양한 형태가 존재하고, 예를 들어 WLP (Wafer Level Package), PLP (Panel Level Package) 등이 있다.
반도체 패키지의 기술로는, 팬 인형 기술, 팬 아웃형 기술을 들 수 있다. 팬 인형 기술에 의한 반도체 패키지로는, 베어 칩 단부 (端部) 에 있는 단자를 칩 에어리어 내에 재배치하는, 팬 인형 WLP (Fan-in Wafer Level Package) 등이 알려져 있다. 팬 아웃형 기술에 의한 반도체 패키지로는, 그 단자를 칩 에어리어 밖에 재배치하는, 팬 아웃형 WLP (Fan-out Wafer Level Package) 등이 알려져 있다.
최근, 특히 팬 아웃형 기술은, 패널 상에 반도체 소자를 배치하여 패키지화하는 팬 아웃형 PLP (Fan-out Panel Level Package) 에 응용되는 등, 반도체 패키지에 있어서의, 보다 한층 고집적화, 박형화 및 소형화 등을 실현할 수 있는 방법으로서 주목을 끌고 있다.
반도체 패키지의 소형화를 도모하기 위해서는, 장착되는 소자에 있어서의 기판의 두께를 얇게 하는 것이 중요해진다. 그러나, 기판의 두께를 얇게 하면, 그 강도가 저하되고, 반도체 패키지 제조시에 기판의 파손을 발생하기 쉬워진다. 이에 대해, 기판에 지지체를 첩합 (貼合) 한 적층체가 채용되어 있다.
여기서 기판과 지지체를 첩합할 때에는, 종래, 광의 투과율이 우수한 점에서, 시클로올레핀 구조를 갖는 폴리머를 함유하는 접착제가 범용되고 있다.
특허문헌 1 에는, 시클로올레핀 구조를 갖는 폴리머와, 당해 폴리머에 상용하는 (메트)아크릴레이트 모노머를 함유하는 접착제 조성물이 개시되어 있다.
일본 공개특허공보 2014-105316호
그런데, 반도체 패키지 제조시에는, 기판과 지지체를 접착제에 의해 첩합한 후, 봉지 (封止), 박막 형성, 소성 등의 고온 처리가 실시되거나, 재배선층을 형성할 때의 리소그래피 조작 등으로 약액 처리가 실시되거나 한다.
특허문헌 1 에 기재된 접착제에 의해 기판과 지지체가 첩합되어 있는 경우, 상기의 고온 처리의 영향에 의해, 예를 들어 봉지 조작 전후로 기판의 위치 어긋남을 일으키는 등의 문제가 있었다. 또, 상기의 고온 처리시에, 봉지재가 함유하는 수지 중의 수분 등이 기화하여 가스를 발생하고, 봉지재층과 지지체의 사이에 보이드가 발생하여, 지지체가 박리되기 쉬워지는 등의 문제의 발생이 염려된다. 또, 상기의 약액 처리의 영향에 의해, 기판과 지지체의 접착성이 저하되는 등의 문제도 염려된다.
본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 내열성 및 내약품성이 보다 높아져, 고온 처리 및 약액 처리의 영향을 잘 받지 않는 접착층을 형성할 수 있는 접착제 조성물, 적층체 및 그 제조 방법, 그리고 전자 부품의 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
상기의 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 이하의 구성을 채용하였다.
즉, 본 발명의 제 1 양태는, 하기 일반식 (u1-1) 로 나타내는 구성 단위 (u1) 을 갖는 엘라스토머를 함유하는 것을 특징으로 하는, 접착제 조성물이다.
[화학식 1]
Figure pat00001
[일반식 (u1-1) 중, Rα1 은, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 수소 원자를 나타낸다. R01 은, 지환식기를 포함하는 기를 나타낸다. R02 는, 할로겐 원자, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬기, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 6 ∼ 12 의 아릴기, 시아노기, 니트로기, 수산기, 카르복실기, -OR 로 나타내는 기 및 -COOR 로 나타내는 기 (단, R 은, 탄소수 1 ∼ 8 의 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬기이다.) 로 이루어지는 군에서 선택되는, R01 에 해당하지 않는 기이다. m 은 1 ∼ 5 의 자연수이고, n1 은 0 이상의 정수이다. 단, m 과 n1 의 합은 5 를 초과하는 경우는 없다.]
본 발명의 제 2 양태는, 지지체, 접착층 및 디바이스층이 이 순서로 적층된 적층체로서, 상기 접착층은, 상기 제 1 양태에 관련된 접착제 조성물의 건조체인 것을 특징으로 하는, 적층체이다.
본 발명의 제 3 양태는, 지지체, 접착층 및 디바이스층이 이 순서로 적층된 적층체의 제조 방법으로서, 상기 지지체 상에, 상기 제 1 양태에 관련된 접착제 조성물을 사용하여 상기 접착층을 형성하는 접착층 형성 공정과, 금속 또는 반도체에 의해 구성되는 부재와, 상기 부재를 봉지 또는 절연하는 수지의 복합체인 디바이스층을, 상기 접착층 상에 형성하는 디바이스층 형성 공정을 갖는 것을 특징으로 하는, 적층체의 제조 방법이다.
본 발명의 제 4 양태는, 상기 제 3 양태에 관련된 적층체의 제조 방법에 의해 적층체를 얻은 후, 상기 지지 기체를 통해서 상기 분리층에 광을 조사하여, 상기 분리층을 변질시킴으로써, 상기 디바이스층으로부터 상기 지지 기체를 분리하는 분리 공정과, 상기 분리 공정 후, 상기 디바이스층에 부착하는 상기 접착층 및 상기 분리층을 제거하는 제거 공정을 갖는 것을 특징으로 하는, 전자 부품의 제조 방법이다.
발명에 의하면, 내열성 및 내약품성이 보다 높아져, 고온 처리 및 약액 처리의 영향을 잘 받지 않는 접착층을 형성할 수 있는 접착제 조성물, 적층체 및 그 제조 방법, 그리고 전자 부품의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1 은, 본 발명을 적용한 적층체의 일 실시형태를 나타내는 단면도이다.
도 2 는, 본 발명을 적용한 적층체의 다른 실시형태를 나타내는 단면도이다.
도 3 은, 본 발명을 적용한 적층체의 다른 실시형태를 나타내는 단면도이다.
도 4 는, 본 발명을 적용한 적층체의 다른 실시형태를 나타내는 단면도이다.
도 5 는, 적층체의 제조 방법의 일 실시형태의 일부를 설명하는 개략 공정도이다. 도 5(a) 는, 지지 기체 및 분리층으로 이루어지는 지지 기체를 나타내는 도면이고, 도 5(b) 는, 접착층 형성 공정을 설명하는 도면이다.
도 6 은, 접착층이 부착된 지지체 (123) 로부터 적층체 (100) 를 제조하는 방법의 일 실시형태를 설명하는 개략 공정도이다. 도 6(a) 는, 접착층이 부착된 지지체 (123) 를 나타내는 도면이고, 도 6(b) 는, 기판 고정 공정을 나타내는 도면이고, 도 6(c) 는, 봉지 공정을 설명하는 도면이다.
도 7 은, 적층체 (100) 로부터 적층체 (200) 를 제조하는 방법의 일 실시형태를 설명하는 개략 공정도이다. 도 7(a) 는, 적층체 (100) 를 나타내는 도면이고, 도 7(b) 는, 연삭 공정을 설명하는 도면이고, 도 7(c) 는 재배선 형성 공정을 설명하는 도면이다.
도 8 은, 적층체 (200) 로부터 반도체 패키지 (전자 부품) 를 제조하는 방법의 일 실시형태를 설명하는 개략 공정도이다. 도 8(a) 는, 적층체 (200) 를 나타내는 도면이고, 도 8(b) 는, 분리 공정을 설명하는 도면이고, 도 8(c) 는, 제거 공정을 설명하는 도면이다.
도 9 는, 실시예 및 비교예의 접착제 조성물을 사용하여 형성한 접착층에 대한, 온도에 대한 복소 탄성률의 거동을 나타내는 그래프이다.
본 명세서 및 본 특허 청구의 범위에 있어서, 「지방족」 이란, 방향족에 대한 상대적인 개념으로서, 방향족성을 갖지 않는 기, 화합물 등을 의미하는 것으로 정의한다.
「알킬기」 는, 특별히 언급이 없는 한, 직사슬형, 분기사슬형 및 고리형의 1 가의 포화 탄화수소기를 포함하는 것으로 한다. 알콕시기 중의 알킬기도 동일하다.
「알킬렌기」 는, 특별히 언급이 없는 한, 직사슬형, 분기사슬형 및 고리형의 2 가의 포화 탄화수소기를 포함하는 것으로 한다.
「할로겐화 알킬기」 는, 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이며, 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다.
「구성 단위」 란, 고분자 화합물 (수지, 중합체, 공중합체) 을 구성하는 모노머 단위 (단량체 단위) 를 의미한다.
「노광」 은, 방사선의 조사 전반을 포함하는 개념으로 한다.
본 명세서 및 본 특허 청구의 범위에 있어서, 화학식으로 나타내는 구조에 따라서는 부제 탄소가 존재하고, 에난티오 이성체 (enantiomer) 나 디아스테레오 이성체 (diastereomer) 가 존재할 수 있는 것이 있지만, 그 경우에는 하나의 식으로 그들 이성체를 대표하여 나타낸다. 그들 이성체는 단독으로 사용해도 되고, 혼합물로서 사용해도 된다.
(접착제 조성물)
본 발명의 제 1 양태에 관련된 접착제 조성물은, 일반식 (u1-1) 로 나타내는 구성 단위 (u1) 을 갖는 엘라스토머를 함유한다.
＜수지 성분 (P)＞
본 실시형태의 접착제 조성물은, 수지 성분 (P) (이하 「(P) 성분」 이라고도 한다.) 를 함유한다. 이 (P) 성분은, 적어도, 상기 구성 단위 (u1) 을 갖는 엘라스토머 (이하 「(EP1) 성분」 이라고도 한다.) 를 포함한다.
(P) 성분은, 상기 (EP1) 성분에 더하여, 이 이외의 수지를 포함해도 된다. 또한, 본 실시형태에 있어서의 (P) 성분은, 수지 외에, 접착층을 구성하는 매트릭스가 될 수 있는 모노머, 예를 들어 후술하는 경화성 모노머를 포함하는 것으로 한다.
≪엘라스토머：(EP1) 성분≫
본 실시형태에 있어서, (EP1) 성분은, 하기 일반식 (u1-1) 로 나타내는 구성 단위 (u1) 을 갖는다.
·구성 단위 (u1) 에 대해서
일반식 (u1-1) 로 나타내는 구성 단위 (u1) 은, 벤젠 고리에, 적어도 1 개의 R01 (지환식기를 포함하는 기) 이 결합하고 있다.
구성 단위 (u1) 을 갖는 엘라스토머를 함유함으로써, 형성하는 접착층의 복소 탄성률 E* 및 유리 전이 온도 (Tg) 가 높아지고, 내열성 및 내약품성이 보다 높아진다.
[화학식 2]
Figure pat00002
[일반식 (u1-1) 중, Rα1 은, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 수소 원자를 나타낸다. R01 은, 지환식기를 포함하는 기를 나타낸다. R02 는, 할로겐 원자, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬기, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 6 ∼ 12 의 아릴기, 시아노기, 니트로기, 수산기, 카르복실기, -OR 로 나타내는 기 및 -COOR 로 나타내는 기 (단, R 은, 탄소수 1 ∼ 8 의 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬기이다.) 로 이루어지는 군에서 선택되는, R01 에 해당하지 않는 기이다. m 은 1 ∼ 5 의 자연수이고, n1 은 0 이상의 정수이다. 단, m 과 n1 의 합은 5 를 초과하는 경우는 없다.]
상기 식 (u1-1) 중, Rα1 은, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 수소 원자를 나타낸다.
Rα1 에 있어서의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기를 들 수 있으며, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, Rα1 은, 메틸기 또는 수소 원자가 바람직하고, 수소 원자가 보다 바람직하다.
상기 식 (u1-1) 중, R01 은, 지환식기를 포함하는 기를 나타낸다.
R01 에 있어서의 지환식기는, 다고리형기여도 되고, 단고리형기여도 된다.
단고리형의 지환식기로는, 모노시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 모노시클로알칸으로는, 탄소수 3 ∼ 6 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다.
다고리형의 지환식기로는, 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다. 그 폴리시클로알칸으로는, 탄소수 7 ∼ 30 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 가교 탄소 고리계의 다고리형 골격을 갖는 폴리시클로알칸；스테로이드 골격을 갖는 고리형기 등의 축합 고리계의 다고리형 골격을 갖는 폴리시클로알칸을 들 수 있다. 즉, 다고리형의 지환식기로는, 가교 탄소 고리형기, 축합 고리형기를 들 수 있다.
R01 에 있어서의, 지환식기를 포함하는 기는, 예를 들어, 상기의 모노시클로알칸 또는 폴리시클로알칸에 있어서의 수소 원자 1 개가 알킬렌기로 치환된 기 등을 들 수 있다. 이 알킬렌기의 탄소수는, 1 ∼ 4 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 또는 2 인 것이 보다 바람직하다.
R01 로는, 형성하는 접착층의 복소 탄성률 E* 및 유리 전이 온도 (Tg) 가 보다 높아지기 쉽다는 점에서, 가교 탄소 고리형기를 포함하는 기인 것이 바람직하다. 이 중에서도, R01 은, 상기 가교 탄소 고리형기에 있어서의 가교 탄소 부위가, 상기 일반식 (u1-1) 중의 벤젠 고리를 구성하는 탄소 원자와 직접 결합하는 기가 특히 바람직하다.
이하에, R01 (지환식기를 포함하는 기) 의 구체예를 나타낸다. 화학식 중, * 는, 일반식 (u1-1) 중의 벤젠 고리를 구성하는 탄소 원자에 결합하는 결합손인 것을 나타낸다.
[화학식 3]
Figure pat00003
상기 식 (u1-1) 중, R02 는, 할로겐 원자, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬기, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 6 ∼ 12 의 아릴기, 시아노기, 니트로기, 수산기, 카르복실기, -OR 로 나타내는 기 및 -COOR 로 나타내는 기 (단, R 은, 탄소수 1 ∼ 8 의 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬기이다.) 로 이루어지는 군에서 선택되는, R01 에 해당하지 않는 기이다.
R02 에 있어서의 할로겐 원자는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다.
R02 에 있어서의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 8 이고, 탄소수 1 ∼ 5 가 바람직하고, 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기를 들 수 있다.
R02 에 있어서의 아릴기는, 탄소수 6 ∼ 12 이고, 페닐기, 나프틸기가 바람직하다.
R 에 있어서의 할로겐 원자는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다.
R 에 있어서의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 8 이고, 탄소수 1 ∼ 5 가 바람직하고, 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기를 들 수 있다.
상기 식 (u1-1) 중, m 은 1 ∼ 5 의 자연수이고, n1 은 0 이상의 정수이다. 단, m 과 n1 의 합은 5 를 초과하는 경우는 없다.
m 은, 1 ∼ 5 의 자연수이고, 1 또는 2 가 바람직하고, 1 이 보다 바람직하다.
n1 은, 0 이상의 정수이고, 0 또는 1 이 바람직하고, 0 이 보다 바람직하다.
이하에, 구성 단위 (u1) 의 구체예를 나타낸다. 이하의 각 식 중, Rα10 은, 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.
[화학식 4]
Figure pat00004
(EP1) 성분이 갖는 구성 단위 (u1) 은, 1 종이어도 되고, 2 종 이상이어도 된다.
(EP1) 성분 중의 구성 단위 (u1) 의 비율은, (EP1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계 (100 몰％) 에 대하여, 1 ∼ 40 몰％ 가 바람직하고, 5 ∼ 35 몰％ 가 보다 바람직하고, 10 ∼ 30 몰％ 가 더욱 바람직하다.
구성 단위 (u1) 의 비율이, 상기의 바람직한 범위의 하한값 이상이면, 내열성 및 내약품성이 보다 높아지기 쉬워지고, 한편, 상기의 바람직한 범위의 상한값 이하이면, 다른 구성 단위와의 밸런스를 잡기 쉬워진다.
·그 외 구성 단위에 대해서
(EP1) 성분은, 상기 구성 단위 (u1) 이외의 구성 단위를 가져도 된다.
(EP1) 성분으로는, 예를 들어 접착층에 대한 유연성 부여의 점에서, 상기 구성 단위 (u1) 에 더하여, 또한, 일반식 (u2-1) 로 나타내는 구성 단위 (u2) 를 갖는 엘라스토머를 적합하게 들 수 있다.
··구성 단위 (u2) 에 대해서
구성 단위 (u2) 는, 하기 일반식 (u2-1) 로 나타내는 구성 단위이다.
[화학식 5]
Figure pat00005
[일반식 (u2-1) 중, Rα2 는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 수소 원자를 나타낸다. R03 은, 할로겐 원자, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬기, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 6 ∼ 12 의 아릴기, 시아노기, 니트로기, 수산기, 카르복실기, -OR 로 나타내는 기 및 -COOR 로 나타내는 기 (단, R 은, 탄소수 1 ∼ 8 의 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬기이다.) 로 이루어지는 군에서 선택되는 기이며, 전술한 R01 에 해당하지 않는 기이다. n2 는 0 이상 5 이하의 정수이다.]
상기 식 (u2-1) 중, Rα2 는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 수소 원자를 나타낸다. Rα2 에 대해서는, 상기 식 (u1-1) 중의 Rα1 과 동일한 것을 들 수 있다.
상기 식 (u2-1) 중, R03 은, 할로겐 원자, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬기, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 6 ∼ 12 의 아릴기, 시아노기, 니트로기, 수산기, 카르복실기, -OR 로 나타내는 기 및 -COOR 로 나타내는 기 (단, R 은, 탄소수 1 ∼ 8 의 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬기이다.) 로 이루어지는 군에서 선택되는 기이며, 전술한 R01 에 해당하지 않는 기이다. R03 에 대해서는, 상기 식 (u1-1) 중의 R02 와 동일한 것을 들 수 있다.
상기 식 (u2-1) 중, n2 는 0 이상 5 이하의 정수이고, 0 또는 1 이 바람직하고, 0 이 보다 바람직하다.
이하에, 구성 단위 (u2) 의 구체예를 나타낸다. 이하의 각 식 중, Rα20 은, 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.
[화학식 6]
Figure pat00006
(EP1) 성분이 갖는 구성 단위 (u2) 는, 1 종이어도 되고, 2 종 이상이어도 된다.
(EP1) 성분 중의 구성 단위 (u2) 의 비율은, (EP1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계 (100 몰％) 에 대하여, 1 ∼ 50 몰％ 가 바람직하고, 5 ∼ 40 몰％ 가 보다 바람직하고, 10 ∼ 40 몰％ 가 더욱 바람직하다.
구성 단위 (u2) 의 비율이, 상기의 바람직한 범위의 하한값 이상이면, 접착층에 대한 유연성이 높아지기 쉬워지고, 한편, 상기의 바람직한 범위의 상한값 이하이면, 다른 구성 단위와의 밸런스를 잡기 쉬워진다.
본 실시형태에 있어서의 (EP1) 성분이 갖는 상기 구성 단위 (u1) 과 상기 구성 단위 (u2) 의 몰비는, 구성 단위 (u1)/구성 단위 (u2) = 0.2 ∼ 5 인 것이 바람직하고, 0.3 ∼ 5 인 것이 보다 바람직하고, 0.4 ∼ 5 인 것이 더욱 바람직하다.
이러한 몰비가, 상기의 바람직한 범위의 하한값 이상이면, 내열성 및 내약품성이 보다 높아지기 쉬워지고, 한편, 상기의 바람직한 범위의 상한값 이하이면, 접착층에 대한 유연성이 높아지기 쉬워진다.
상기 구성 단위 (u1) 이외의 구성 단위로는, 상기 구성 단위 (u2) 외에, 예를 들어, 올레핀계 모노머로부터 유도되는 구성 단위 등을 들 수 있다.
「올레핀계 모노머」 란, 분자 내에 탄소 원자간 (C-C 간) 의 이중 결합을 1 개 이상 갖는 지방족 탄화수소를 말한다.
「올레핀계 모노머로부터 유도되는 구성 단위」 란, 올레핀계 모노머의 에틸렌성 이중 결합이 개열되어 구성되는 구성 단위를 의미한다.
올레핀계 모노머로는, 예를 들어, 에틸렌, 프로필렌, 1-부텐, 1,3-부타디엔 등이 바람직하다.
(EP1) 성분이 갖는, 올레핀계 모노머로부터 유도되는 구성 단위는, 1 종이어도 되고, 2 종 이상이어도 된다.
상기 (EP1) 성분 중의, 올레핀계 모노머로부터 유도되는 구성 단위의 비율은, (EP1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계 (100 몰％) 에 대하여, 10 ∼ 90 몰％ 가 바람직하고, 20 ∼ 90 몰％ 가 보다 바람직하고, 30 ∼ 90 몰％ 가 더욱 바람직하다.
본 실시형태에 있어서, (EP1) 성분은, 구성 단위 (u1) 을 갖는 엘라스토머이고, 내열성 및 내약품성, 그리고 접착층으로서의 유연성의 점에서, 구성 단위 (u1) 과 구성 단위 (u2) 를 갖는 공중합체가 바람직하다. 이 중에서도, 바람직한 (EP1) 성분으로는, 구성 단위 (u1) 과, 구성 단위 (u2) 와, 올레핀계 모노머로부터 유도되는 구성 단위를 갖는 공중합체를 들 수 있다.
이러한 (EP1) 성분으로서 구체적으로는, 구성 단위 (u1) 과, 구성 단위 (u2) 와, 에틸렌으로부터 유도되는 구성 단위와, 프로필렌으로부터 유도되는 구성 단위를 갖는 공중합체；구성 단위 (u1) 과, 구성 단위 (u2) 와, 1,3-부타디엔으로부터 유도되는 구성 단위와, 1-부텐으로부터 유도되는 구성 단위를 갖는 공중합체 등을 적합하게 들 수 있다.
(EP1) 성분의 중량 평균 분자량 (Mw) (겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 에 의한 폴리스티렌 환산 기준) 은, 10000 ∼ 500000 이 바람직하고, 30000 ∼ 300000 이 보다 바람직하고, 50000 ∼ 250000 이 더욱 바람직하다.
(EP1) 성분의 Mw 가, 상기의 바람직한 범위의 상한값 이하이면, 용제에 대한 용해성이 보다 향상되고, 한편, 상기의 바람직한 범위의 하한값 이상이면, 접착층으로서의 강도가 유지되고 유지되기 쉬워진다.
(EP1) 성분의 분자량 분산도 (Mw/Mn) 는, 특별히 한정되지 않고, 1.0 ∼ 3.0 이 바람직하고, 1.0 ∼ 2.5 가 보다 바람직하고, 1.0 ∼ 2.0 이 특히 바람직하다. 또한, Mn 은 수 평균 분자량을 나타낸다.
(EP1) 성분은, 공지된 합성 방법에 의해 합성할 수 있으며, 예를 들어, 토요타 아키노리 씨 문헌 『고분자 반응법에 의한 부피가 큰 탄화수소기 함유 폴리머의 합성과 그 성질』 에 기재된 방법과 동일하게 하여 제조된다.
(P) 성분이 포함하는 (EP1) 성분은, 1 종이어도 되고, 2 종 이상이어도 된다.
(P) 성분에서 차지하는, (EP1) 성분의 함유 비율은, (P) 성분의 총량 (100 질량％) 에 대하여, 20 질량％ 이상이 바람직하고, 20 ∼ 100 질량％ 가 보다 바람직하고, 25 ∼ 100 질량％ 가 더욱 바람직하고, 50 ∼ 100 질량％ 가 특히 바람직하다. (EP1) 성분의 함유 비율이, 상기의 바람직한 범위 내이면, 내열성 및 내약품성이 보다 높아지기 쉬워진다.
≪(EP1) 성분 이외의 수지≫
본 실시형태에 있어서의 (P) 성분이 포함해도 되는, 상기 (EP1) 성분 이외의 수지로는, 예를 들어, 구성 단위 (u1) 을 갖지 않는 엘라스토머 (이하 이것을 「(EP2) 성분」 이라고도 한다.), 시클로올레핀 폴리머, 아크릴 수지, 접착층을 구성하는 매트릭스가 될 수 있는 경화성 모노머 등을 들 수 있다.
·구성 단위 (u1) 을 갖지 않는 엘라스토머 ((EP2) 성분) 에 대해서
구성 단위 (u1) 을 갖지 않는 엘라스토머 ((EP2) 성분) 는, 예를 들어, 주사슬의 구성 단위로서, 스티렌으로부터 유도되는 구성 단위, 또는 스티렌 유도체로부터 유도되는 구성 단위 (이들을 정리하여 「스티렌 단위」 라고 한다.) 를 갖는 중합체를 적합하게 들 수 있다.
여기서 「스티렌 유도체」 란, 스티렌의 α 위치의 수소 원자가 알킬기, 할로겐화 알킬기 등의 다른 치환기로 치환된 것, 그리고 그들의 유도체를 포함하는 개념으로 한다. 그들 유도체로는, α 위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 스티렌의 벤젠 고리에 치환기가 결합한 것 등을 들 수 있다.
상기 α 위치의 치환기로서의 알킬기는, 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 (메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기) 등을 들 수 있다.
또, α 위치의 치환기로서의 할로겐화 알킬기는, 구체적으로는, 「상기 α 위치의 치환기로서의 알킬기」 의 수소 원자의 일부 또는 전부를, 할로겐 원자로 치환한 기를 들 수 있다. 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있으며, 특히 불소 원자가 바람직하다.
스티렌의 벤젠 고리에 결합해도 되는 치환기로는, 예를 들어, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시알킬기, 아세톡시기, 카르복실기 등을 들 수 있다.
또한, α 위치 (α 위치의 탄소 원자) 란, 특별히 언급이 없는 한, 벤젠 고리가 결합하고 있는 탄소 원자를 말한다.
「스티렌으로부터 유도되는 구성 단위」, 「스티렌 유도체로부터 유도되는 구성 단위」 란, 스티렌 또는 스티렌 유도체의 에틸렌성 이중 결합이 개열되어 구성되는 구성 단위를 의미한다.
상기 (EP2) 성분으로는, 예를 들어, 폴리스티렌-폴리(에틸렌/프로필렌) 블록 코폴리머 (SEP), 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 코폴리머 (SIS), 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 코폴리머 (SBS), 스티렌-부타디엔-부틸렌-스티렌 블록 코폴리머 (SBBS) 또는 이들의 수소 첨가물；스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 블록 코폴리머 (SEBS), 스티렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 코폴리머 (스티렌-이소프렌-스티렌 블록 코폴리머) (SEPS), 스티렌-에틸렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 코폴리머 (SEEPS), 스티렌 블록이 반응 가교형의 스티렌-에틸렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 코폴리머 (SeptonV9461 (주식회사 쿠라레 제조), SeptonV9475 (주식회사 쿠라레 제조)), 스티렌 블록이 반응 가교형의 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 블록 코폴리머 (반응성의 폴리스티렌계 하드 블록을 갖는, SeptonV9827 (주식회사 쿠라레 제조)) 등을 들 수 있다.
상기 (EP2) 성분 중의 스티렌 단위의 비율은, (EP2) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계 (100 몰％) 에 대하여, 10 ∼ 70 몰％ 가 바람직하고, 20 ∼ 60 몰％ 가 보다 바람직하고, 25 ∼ 50 몰％ 가 더욱 바람직하고, 30 ∼ 45 몰％ 가 특히 바람직하다.
스티렌 단위의 비율이, 상기의 바람직한 범위의 하한값 이상이면, 지지체와 기판의 첩합성 또는 연삭성을 저하시키는 일 없이, 박화 (薄化), 실장 등의 프로세스에 제공하는 것이 용이해진다. 상기의 바람직한 범위의 상한값 이하이면, 접착제 조성물이 형성하는 접착층의 내약품성을 적합하게 유지할 수 있다.
상기 (EP2) 성분의 중량 평균 분자량은, 20000 ∼ 200000 의 범위가 바람직하고, 50000 ∼ 150000 의 범위가 보다 바람직하다.
(EP2) 성분의 중량 평균 분자량이, 상기의 바람직한 범위 내이면, 탄화수소계의 용제에 용이하게 용해하여 제거되는 접착층을 형성할 수 있는 접착제 조성물이 얻어지기 쉬워진다. 또, (EP2) 성분의 중량 평균 분자량이, 상기의 바람직한 범위 내임으로써, 접착제 조성물이 형성하는 접착층의 내약품성이 높아진다.
(P) 성분이 포함해도 되는 (EP2) 성분은, 1 종이어도 되고, 2 종 이상이어도 된다.
상기 (EP2) 성분으로서 사용하는 것이 가능한 엘라스토머의 시판품으로는, 예를 들어, 주식회사 쿠라레 제조의 「세프톤 (상품명)」, 주식회사 쿠라레 제조의 「하이브라 (상품명)」, 아사히 화성 주식회사 제조의 「터프텍 (상품명)」, JSR 주식회사 제조의 「다이나론 (상품명)」 등을 들 수 있다.
상기 (P) 성분에서 차지하는, (EP2) 성분의 함유 비율은, (P) 성분의 총량 (100 질량％) 에 대하여, 80 질량％ 이하가 바람직하고, 0 ∼ 80 질량％ 가 보다 바람직하고, 0 ∼ 75 질량％ 가 더욱 바람직하고, 0 ∼ 50 질량％ 가 특히 바람직하다.
(P) 성분이 (EP1) 성분과 (EP2) 성분을 포함하는 경우, (EP1) 성분과 (EP2) 성분의 질량비는, (EP1) 성분/(EP2) 성분 = 1/4 ∼ 3/1 이 바람직하고, 1/3 ∼ 2/1 이 보다 바람직하고, 1/3 ∼ 1/1 이 더욱 바람직하다.
이러한 질량비가, 상기의 바람직한 범위의 하한값 이상이면, 내열성 및 내약품성이 보다 높아지기 쉬워지고, 한편, 상기의 바람직한 범위의 상한값 이하이면, 접착층의 유연성이 높아져 접착성이 보다 향상된다.
상기 (P) 성분에 있어서의 엘라스토머는, 엘라스토머 중에서도 수소 첨가물이 보다 바람직하다. 수소 첨가물이면, 열에 대한 안정성이 한층 향상되고, 분해나 중합 등의 변질이 잘 일어나지 않는다. 게다가, 탄화수소계의 용제에 대한 용해성 및 레지스트 용제에 대한 내성의 관점에서도 보다 바람직하다.
또, 엘라스토머 중에서도, 주사슬의 양단이 스티렌으로 된 블록 중합체인 것이 보다 바람직하다. 열 안정성이 높은 스티렌으로 양말단이 블록되어 있음으로써, 보다 높은 내열성이 얻어지기 쉽다.
보다 구체적으로는, 엘라스토머는, 스티렌과 공액 디엔의 블록 코폴리머의 수소 첨가물인 것이 보다 바람직하다. 이에 따라, 열에 대한 안정성이 한층 향상되고, 분해나 중합 등의 변질이 잘 일어나지 않는다. 또, 열 안정성이 높은 스티렌으로 양말단이 블록되어 있음으로써 보다 높은 내열성을 나타낸다. 또한, 탄화수소계의 용제에 대한 용해성 및 용제에 대한 내성의 관점에서도 보다 바람직하다.
·시클로올레핀 폴리머에 대해서
시클로올레핀 폴리머로는, 예를 들어, 시클로올레핀 모노머를 포함하는 단량체 성분의 개환 중합체, 시클로올레핀 모노머를 포함하는 단량체 성분을 부가 중합 시킨 부가 중합체를 적합하게 들 수 있다.
상기 시클로올레핀 모노머로는, 예를 들어, 노르보르넨, 노르보르나디엔 등의 2 고리체, 디시클로펜타디엔, 하이드록시디시클로펜타디엔 등의 3 고리체, 테트라시클로도데센 등의 4 고리체, 시클로펜타디엔 3 량체 등의 5 고리체, 테트라시클로펜타디엔 등의 7 고리체, 또는 이들 다고리체의 알킬 (메틸, 에틸, 프로필, 부틸 등) 치환체, 알케닐 (비닐 등) 치환체, 알킬리덴 (에틸리덴 등) 치환체 혹은 아릴 (페닐, 톨릴, 나프틸 등) 치환체 등의 모노머를 들 수 있다.
상기 중에서도, 특히, 노르보르넨, 테트라시클로도데센 및 이들의 알킬 치환체로 이루어지는 군에서 선택되는, 노르보르넨 구조를 갖는 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 폴리머가 바람직하다. 이와 같은, 노르보르넨 구조를 가지는 시클로올레핀 폴리머를 사용함으로써, 예를 들어, 레지스트 용제에 대한 높은 내약품성을 구비하면서, 탄화수소계의 용제에 용이하게 용해하여 제거되는 접착층을 형성할 수 있는 접착제 조성물이 얻어지기 쉬워진다.
시클로올레핀 폴리머는, 상기 시클로올레핀 모노머와 공중합 가능한 모노머를 단량체 단위로서 가지고 있어도 된다.
이러한 공중합 가능한 모노머로는, 예를 들어, 알켄 모노머를 적합하게 들 수 있다. 이 알켄 모노머는, 직사슬형이어도 되고, 분기사슬형이어도 되고, 탄소수 2 ∼ 10 의 알켄 모노머를 들 수 있고, 예를 들어, 에틸렌, 프로필렌, 1-부텐, 이소부텐, 1-헥센 등의 α-올레핀이 바람직하고, 이들 중에서도, 에틸렌을 단량체 단위로 하는 것이 보다 바람직하다.
시클로올레핀 폴리머 중의 시클로올레핀 모노머 단위의 비율은, 시클로올레핀 폴리머를 구성하는 전체 구성 단위의 합계 (100 몰％) 에 대하여, 10 ∼ 100 몰％ 가 바람직하고, 20 ∼ 100 몰％ 가 보다 바람직하다.
또한, 시클로올레핀 폴리머는, 예를 들어, 시클로올레핀 모노머와 알켄 모노머로 이루어지는 단량체 성분을 중합시켜 이루어지는 수지와 같이, 극성기를 갖고 있지 않은 수지인 것이, 고온하에서의 가스의 발생을 억제하는 점에서 바람직하다.
단량체 성분을 중합할 때의 중합 방법이나 중합 조건 등에 대해서는, 특별히 제한은 없고, 통상적인 방법에 따라 적절히 설정하면 된다.
상기 시클로올레핀 폴리머는, 중량 평균 분자량이 10000 ∼ 2000000 의 범위가 바람직하고, 30000 ∼ 1500000 의 범위가 보다 바람직하다.
시클로올레핀 폴리머의 중량 평균 분자량이, 상기의 바람직한 범위의 하한값 이상이면, 당해 폴리머의 연화 온도를, 지지체와 기판의 첩합에 적합한 온도로 제어하기 쉬워진다. 상기의 바람직한 범위의 상한값 이하이면, 탄화수소계의 용제에 용이하게 용해하여 제거되는 접착층을 형성할 수 있는 접착제 조성물이 얻어지기 쉬워진다.
(P) 성분이 포함해도 되는 시클로올레핀 폴리머는, 1 종이어도 되고, 2 종 이상이어도 된다.
상기 시클로올레핀 폴리머로서 사용하는 것이 가능한 시판품으로는, 예를 들어, 폴리플라스틱스 주식회사 제조의 「TOPAS (상품명)」, 미츠이 화학 주식회사 제조의 「APEL (상품명)」, 닛폰 제온 주식회사 제조의 「ZEONOR (상품명)」, 닛폰 제온 주식회사 제조의 「ZEONEX (상품명)」, JSR 주식회사 제조의 「ARTON (상품명)」 등을 들 수 있다.
·아크릴 수지에 대해서
본 실시형태에 있어서, (P) 성분은, 상기 (EP1) 성분에 더하여, 아크릴 수지를 포함해도 된다. (P) 성분이 아크릴 수지를 포함함으로써, 지지체와 기판의 접착성을 보다 향상시킬 수 있다.
아크릴 수지로는, 예를 들어, (메트)아크릴산에스테르를 단량체로서 사용하여 중합한 수지 (단독 중합체, 공중합체) 를 들 수 있다.
「(메트)아크릴」 이란, 아크릴 또는 메타크릴 중 적어도 일방을 의미한다.
(메트)아크릴산에스테르로는, 예를 들어, 사슬형 구조로 이루어지는 (메트)아크릴산알킬에스테르, 지방족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르, 방향족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르를 들 수 있다. 이들 중에서도, 지방족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르를 사용하는 것이 바람직하다.
사슬형 구조로 이루어지는 (메트)아크릴산알킬에스테르로는, 예를 들어, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기를 갖는 아크릴계 알킬에스테르를 들 수 있다.
여기서 말하는 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기는, 직사슬형이어도 되고 분기사슬형이어도 되고, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 2-에틸헥실기, 이소옥틸기, 이소노닐기, 이소데실기, 도데실기, 라우릴기, 트리데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기 (스테아릴기), n-노나데실기, n-에이코실기 등이고, 탄소수 15 ∼ 20 의 알킬기를 갖는 아크릴계 알킬에스테르가 바람직하다.
지방족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르로는, 예를 들어, 시클로헥실 (메트)아크릴레이트, 시클로펜틸(메트)아크릴레이트, 1-아다만틸(메트)아크릴레이트, 노르보르닐(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 트리시클로데카닐(메트)아크릴레이트, 테트라시클로도데카닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 1-아다만틸(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트가 바람직하다.
방향족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르에 있어서, 당해 방향족 고리로는, 예를 들어, 페닐기, 벤질기, 톨릴기, 자일릴기, 비페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페녹시메틸기, 페녹시에틸기 등을 들 수 있다. 당해 방향족 고리는, 치환기를 가지고 있어도 되고, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬기를 가지고 있어도 된다.
아크릴 수지 중, 상기 서술한 (메트)아크릴산에스테르는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
아크릴 수지는, 사슬형 구조로 이루어지는 (메트)아크릴산알킬에스테르, 지방족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르, 및 방향족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상을 중합한 수지가 바람직하다.
이 중에서도, (메트)아크릴산알킬에스테르와, 지방족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르를 중합한 수지가 보다 바람직하다.
아크릴 수지는, (메트)아크릴산에스테르 단량체와, 이것과 중합 가능한 다른 단량체를 중합한 수지여도 된다.
이러한 중합 가능한 단량체로는, 예를 들어 스티렌, 스티렌 유도체, 말레이미드기를 함유하는 모노머 등을 들 수 있다. 여기서의 스티렌 유도체는, 상기 「스티렌 유도체」 와 동일하다. 여기서의 말레이미드기를 함유하는 모노머는, 상기 구성 단위 (u21) 을 유도하는 단량체와 동일한 것을 들 수 있다.
또, 아크릴 수지 중에서도, (메트)아크릴산에스테르 단량체와, 스티렌을 중합한 수지가 바람직하다. 아크릴 수지가 스티렌 단위를 가지고 있음으로써, 아크릴 수지의 내열성이 향상된다. 게다가, 다른 수지와의 상용성, 탄화수소계의 용제에 대한 용해성이 높아진다.
이 중에서도, 아크릴 수지로는, 사슬형 구조로 이루어지는 (메트)아크릴산알킬에스테르와, 지방족 고리를 갖는 (메트)아크릴산에스테르와, 스티렌을 중합한 수지가 특히 바람직하다.
아크릴 수지의 용해도 파라미터 (SP 값) 는, 6 이상 10 이하인 것이 바람직하고, 6.5 이상, 9.5 이하인 것이 보다 바람직하다. SP 값이 상기의 바람직한 범위 내임으로써, 아크릴 수지와 다른 수지의 상용성이 높아지고, 보다 안정된 접착제 조성물이 얻어지기 쉬워진다.
아크릴 수지의 중량 평균 분자량은, 2000 ∼ 100000 인 것이 바람직하고, 5000 ∼ 50000 인 것이 보다 바람직하다.
아크릴 수지의 중량 평균 분자량이 상기의 바람직한 범위 내임으로써, 예를 들어 기판과 지지체의 첩합에 적합한 열 유동성을 갖는 접착제 조성물을 용이하게 제공할 수 있다.
(P) 성분이 포함해도 되는 아크릴 수지는, 1 종이어도 되고, 2 종 이상이어도 된다.
·경화성 모노머
본 실시형태에 있어서, (P) 성분은, 상기의 (P1) 성분에 더하여, 경화성 모노머를 포함해도 된다. (P) 성분이 경화성 모노머를 포함함으로써, 접착층의 내열성을 보다 향상시킬 수 있다.
경화성 모노머는, 라디칼 중합에 의해 고분자화하는 모노머인 것이 바람직하고, 전형적으로는, 다관능형의 경화성 모노머를 들 수 있으며, 다관능형의 (메트)아크릴레이트 모노머가 특히 바람직하다.
다관능형의 (메트)아크릴레이트 모노머로는, 예를 들어, 에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 부틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산글리리콜디(메트)아크릴레이트, 1,4-시클로헥산디메탄올디(메트)아크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올디(메트)아크릴레이트, 9,9-비스[4-2-(메트)아크릴로일옥시에톡시)페닐]플루오렌, 프로폭시화 비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트, 1,3-아다만탄디올디(메트)아크릴레이트, 5-하이드록시-1,3-아다만탄디올디(메트)아크릴레이트, 1,3,5-아다만탄트리올트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 글리세린디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-(메트)아크릴로일옥시프로필(메트)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디글리시딜에테르디(메트)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디글리시딜에테르디(메트)아크릴레이트, 프탈산디글리시딜에스테르디(메트)아크릴레이트, 글리세린트리(메트)아크릴레이트, 글리세린폴리글리시딜에테르폴리(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트 (즉, 톨릴렌디이소시아네이트), 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트와 헥사메틸렌디이소시아네이트와 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트의 반응물 등을 들 수 있다.
이들 다관능의 (메트)아크릴레이트는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
경화성 모노머는, 고리형 구조를 포함하는 것이 바람직하고, 다고리형 지방족 구조를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 경화성 모노머가, 바람직하게는 고리형 구조, 보다 바람직하게는 다고리형 지방족 구조를 포함하고 있음으로써, 시클로올레핀 폴리머와의 상용성을 보다 높일 수 있다. 또, 시클로올레핀 폴리머와 병용한 경화성 모노머를 중합시킴으로써, 접착층의 내열성을 더욱 높일 수 있다.
경화성 모노머 중에서도, 특히 고리형기를 갖는 (메트)아크릴레이트 모노머가 바람직하고, 트리시클로데칸디메탄올디(메트)아크릴레이트, 1,3-아다만탄디올디(메트)아크릴레이트, 5-하이드록시-1,3-아다만탄디올디(메트)아크릴레이트, 1,3,5-아다만탄트리올트리(메트)아크릴레이트, 1,4-시클로헥산디메탄올디(메트)아크릴레이트, 9,9-비스[4-(2-(메트)아크릴로일옥시에톡시)페닐]플루오렌 및 프로폭시화 비스페놀 A 디(메트)아크릴레이트로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 보다 바람직하고, 트리시클로데칸디메탄올디(메트)아크릴레이트가 특히 바람직하다.
본 실시형태의 접착제 조성물 중, (P) 성분의 함유량은, 형성하고자 하는 접착층의 두께, 각 수지의 종류 등에 따라 조정하면 된다.
＜임의 성분＞
본 실시형태의 접착제 조성물은, 상기 서술한 (P) 성분 이외의 성분 (임의 성분) 을 추가로 함유해도 된다.
이러한 임의 성분으로는, 예를 들어, 이하에 나타내는 용제 성분, 중합 금지제, 중합 개시제, 가소제, 접착 보조제, 안정제, 착색제, 계면 활성제 등을 들 수 있다.
≪용제 성분≫
본 실시형태의 접착제 조성물은, 용제 성분에, (P) 성분과 필요에 따라 임의 성분을 용해하여 조제할 수 있다.
용제 성분에는, 예를 들어, 접착제 조성물용의 각 성분을 용해하고, 균일한 용액으로 할 수 있는 것을 사용할 수 있으며, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.
용제 성분으로는, 예를 들어 탄화수소 용제, 석유계 용제를 들 수 있다.
또한, 탄화수소 용제 및 석유계 용제를, 이하 정리하여 「(S1) 성분」 이라고도 한다. (S1) 성분 이외의 용제 성분을 「(S2) 성분」 이라고 하는 경우가 있다.
탄화수소 용제로는, 직사슬형, 분기사슬형 또는 고리형의 탄화수소를 들 수 있으며, 예를 들어, 헥산, 헵탄, 옥탄, 노난, 메틸옥탄, 데칸, 운데칸, 도데칸, 트리데칸 등의 직사슬형의 탄화수소；이소옥탄, 이소노난, 이소도데칸 등의 분기사슬형의 탄화수소；p-멘탄, o-멘탄, m-멘탄, 디페닐멘탄, 1,4-테르핀, 1,8-테르핀, 보르난, 노르보르난, 피난, 투우잔, 카란, 롱기폴렌, α-테르피넨, β-테르피넨, γ-테르피넨, α-피넨, β-피넨, α-투우존, β-투우존, 시클로헥산, 시클로헵탄, 시클로옥탄, 인덴, 펜탈렌, 인단, 테트라하이드로인덴, 나프탈렌, 테트라하이드로나프탈렌 (테트랄린), 데카하이드로나프탈렌 (데칼린) 등의 고리형의 탄화수소를 들 수 있다.
석유계 용제란, 중유로부터 정제되는 용제이며, 예를 들어 백등유, 파라핀계 용제, 이소파라핀계 용제를 들 수 있다.
또, (S2) 성분으로는, 극성기로서 산소 원자, 카르보닐기 또는 아세톡시기 등을 갖는 테르펜 용제를 들 수 있으며, 예를 들어, 게라니올, 네롤, 리날롤, 시트랄, 시트로넬롤, 멘톨, 이소멘톨, 네오멘톨, α-테르피네올, β-테르피네올, γ-테르피네올, 테르피넨-1-올, 테르피넨-4-올, 디하이드로터피닐아세테이트, 1,4-시네올, 1,8-시네올, 보르네올, 카르본, 요논, 투욘, 캠퍼 등을 들 수 있다.
또, (S2) 성분으로는, γ-부티로락톤 등의 락톤류；아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 (CH), 메틸-n-펜틸케톤, 메틸이소펜틸케톤, 2-헵타논 등의 케톤류；에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜 등의 다가 알코올류；에틸렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 또는 디프로필렌글리콜모노아세테이트 등의 에스테르 결합을 갖는 화합물, 상기 다가 알코올류 또는 상기 에스테르 결합을 갖는 화합물의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르 등의 모노알킬에테르 또는 모노페닐에테르 등의 에테르 결합을 갖는 화합물 등의 다가 알코올류의 유도체 (이들 중에서는, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르 (PGME) 가 바람직하다)；디옥산과 같은 고리형 에테르류；락트산메틸, 락트산에틸, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메톡시프로피온산메틸, 에톡시프로피온산에틸 등의 에스테르류；아니솔, 에틸벤질에테르, 크레질메틸에테르, 디페닐에테르, 디벤질에테르, 페네톨, 부틸페닐에테르 등의 방향족계 유기 용제도 들 수 있다.
본 실시형태의 접착제 조성물에 있어서의 용제 성분의 함유량은, 성막하는 접착층의 두께에 따라 적절히 조정하면 되고, 예를 들어, 접착제 조성물의 총량 (100 질량％) 에 대하여, 20 ∼ 90 질량％ 의 범위 내인 것이 바람직하다.
즉, 본 실시형태의 접착제 조성물은, 고형분 (용제 성분을 제외한 배합 성분의 합계량) 농도가 10 ∼ 80 질량％ 의 범위 내인 것이 바람직하다.
용제 성분의 함유량이 상기의 바람직한 범위 내이면, 점도 조정이 용이해진다.
≪중합 금지제≫
본 실시형태의 접착제 조성물은, 추가로, 중합 금지제를 함유해도 된다.
중합 금지제는, 열이나 광에 의한 라디칼 중합 반응을 방지하는 기능을 갖는 성분을 말한다.
중합 금지제로는, 페놀 골격을 갖는 것이 바람직하다. 예를 들어, 이러한 중합 금지제에는, 힌다드페놀계의 산화 방지제를 사용하는 것이 가능하다.
≪중합 개시제≫
본 실시형태의 접착제 조성물은, 추가로, 중합 개시제를 함유하고 있어도 된다.
중합 개시제는, 상기 서술한 경화성 모노머의 중합 반응을 촉진시키는 기능을 갖는 성분을 말한다. 중합 개시제로는, 공지된 열 중합 개시제, 광 중합 개시제 등을 들 수 있다.
중합 개시제는, 경화성 모노머와 조합하여 사용하는 것이 적합하다. 이 중합 개시제의 사용량은, 경화성 모노머의 사용량에 따라 조정하면 된다.
본 실시형태의 접착제 조성물에 있어서는, 상기 접착제 조성물을 도포하고, 건조시킴으로써 시험편 (접착층) 을 얻었을 때에, 당해 시험편의 유리 전이 온도 (Tg) 가, 100 ℃ 이상이 되는 것이 바람직하고, 110 ∼ 250 ℃ 가 보다 바람직하고, 120 ∼ 240 ℃ 가 더욱 바람직하고, 150 ∼ 220 ℃ 가 특히 바람직하다.
당해 시험편의 Tg 가, 상기의 바람직한 범위의 하한값 이상이면, 보다 내열성이 높아진 접착층을 용이하게 형성할 수 있으며, 한편, 상기의 바람직한 범위의 상한값 이하이면, 접착층의 유연성이 유지되기 쉬워진다.
시험편 (접착층) 에 대한 유리 전이 온도 (Tg/℃) 는, 동적 점탄성 측정에 의해 구해진다. 예를 들어, 동적 점탄성 측정 장치 Rheogel-E4000 (UBM 주식회사 제조) 을 사용하여, 주파수 1 ㎐ 의 조건으로, 5 ℃/분의 승온 속도로, 25 ℃ 에서 300 ℃ 까지 온도를 상승시킴으로써 측정한 점탄성의 변화에 기초하여, 유리 전이 온도를 구할 수 있다.
본 실시형태의 접착제 조성물에 있어서는, 상기 접착제 조성물을 도포하고, 건조시킴으로써, 두께 500 ㎛ 의 시험편 (접착층) 을 제조하고, 개시 온도：25 ℃, 승온 속도：5 ℃/min, 주파수：1 ㎐ 의 조건에서의 동적 점탄성 측정에 제공했을 때에, 당해 시험편의 150 ℃ 에 있어서의 복소 탄성률 E*150 이, 0.1 ㎫ 이상이 되는 것이 바람직하고, 1 ∼ 150 ㎫ 가 보다 바람직하고, 10 ∼ 140 ㎫ 가 더욱 바람직하고, 20 ∼ 120 ㎫ 가 특히 바람직하다.
당해 시험편의 복소 탄성률 E*150 이, 상기의 바람직한 범위의 하한값 이상이면, 보다 내열성이 높아진 접착층을 용이하게 형성할 수 있으며, 한편, 상기의 바람직한 범위의 상한값 이하이면, 접착층의 유연성이 유지되기 쉬워진다.
본 실시형태의 접착제 조성물에 있어서는, 상기 접착제 조성물을 도포하고, 건조시킴으로써, 두께 500 ㎛ 의 시험편 (접착층) 을 제조하고, 개시 온도：25 ℃, 승온 속도：5 ℃/min, 주파수：1 ㎐ 의 조건에서의 동적 점탄성 측정에 제공했을 때에, 당해 시험편의 50 ℃ 에 있어서의 복소 탄성률 E*50 이, 30 ㎫ 이상이 되는 것이 바람직하고, 50 ∼ 300 ㎫ 가 보다 바람직하고, 70 ∼ 250 ㎫ 가 더욱 바람직하고, 80 ∼ 240 ㎫ 가 특히 바람직하다.
당해 시험편의 복소 탄성률 E*50 이, 상기의 바람직한 범위의 하한값 이상이면, 보다 내열성이 높아진 접착층을 용이하게 형성할 수 있으며, 한편, 상기의 바람직한 범위의 상한값 이하이면, 접착층의 유연성이 유지되기 쉬워진다.
본 실시형태의 접착제 조성물에 있어서, 상기 조건으로 동적 점탄성 측정을 실시했을 때의, 50 ℃ 에 있어서의 복소 탄성률 E*50 과, 150 ℃ 에 있어서의 복소 탄성률 E*150 의 비 (E*50/E*150) 가, 5000 이하가 되는 것이 바람직하고, 3000 이하가 보다 바람직하고, 그 중에서도 1000 이하가 바람직하고, 500 이하가 보다 바람직하고, 2 ∼ 200 이 더욱 바람직하고, 2 ∼ 100 이 특히 바람직하고, 2 ∼ 10 이 가장 바람직하다.
당해 비 (E*50/E*150) 가, 상기의 바람직한 범위의 하한값 이상이면, 보다 내열성이 높아진 접착층을 용이하게 형성할 수 있으며, 한편, 상기의 바람직한 범위의 상한값 이하이면, 접착층의 유연성이 유지되기 쉬워진다.
시험편 (접착층) 에 대한 복소 탄성률 E*50, 복소 탄성률 E*150 은, 예를 들어, 동적 점탄성 측정 장치 Rheogel-E4000 (UBM 주식회사 제조) 을 사용하여, 주파수 1 ㎐ 의 조건으로, 5 ℃/분의 승온 속도로, 50 ℃ 에서 300 ℃ 까지 온도를 상승시킴으로써 점탄성의 변화를 측정하고, 50 ℃, 150 ℃ 에 있어서의 각 복소 탄성률을 각각 판독한다.
이러한 본 실시형태의 접착제 조성물은, 예를 들어, 반도체 패키지 제조용의 접착제로서 유용하다. 구체적으로는, 지지체, 접착층 및 디바이스층이 이 순서로 적층된 적층체에 있어서의 상기 접착층을 형성하기 위해서 사용되는 접착제로서 적합하게 이용할 수 있다. 상기 디바이스층은, 일례로서, 금속 또는 반도체에 의해 구성되는 부재와, 상기 부재를 봉지 (封止) 또는 절연하는 수지, 의 복합체인 것을 들 수 있다.
이상 설명한 본 실시형태의 접착제 조성물에 있어서는, 스티렌 단위에 있어서의 벤젠 고리에 R01 (지환식기를 포함하는 기) 이 결합한 구성 단위 (u1) 을 갖는 엘라스토머를 함유하기 때문에, 내열성 및 내약품성이 보다 높아진 접착층을 형성할 수 있다. 이에 따라, 본 실시형태의 접착제 조성물에 의해 형성된 접착층은, 예를 들어, 반도체 패키지 제조시, 고온 처리의 영향에 의해, 봉지 조작의 전후로 기판의 위치 어긋남을 잘 일으키지 않는다. 또, 상기의 고온 처리시에, 봉지재가 함유하는 수지 중의 수분 등이 기화하여 가스를 발생하지만, 봉지재층과 지지체의 사이에 보이드가 잘 발생하지 않아, 지지체의 박리가 방지된다. 또, 재배선층을 형성할 때의 리소그래피 조작 등에서의 약액 처리의 영향에 의해, 기판과 지지체의 접착성의 저하도 억제된다.
게다가, 본 실시형태의 접착제 조성물에 의하면, 형성되는 접착층의, 탄화수소계의 용제에 대한 용해성이 높다. 이에 따라, 반도체 패키지 제조시, 접착층을, 기판으로부터 용이하게 세정 제거할 수 있다.
또한, 본 실시형태의 접착제 조성물에 의해 형성되는 접착층은, 상기의 고온 처리시에, 봉지재가 함유하는 수지로부터 발생하는 가스를 잘 통과시키지 않아, 디바이스층으로부터의 가스 방출이 억제된다.
(적층체)
본 발명의 제 2 양태에 관련된 적층체는, 지지체, 접착층 및 디바이스층이 이 순서로 적층된 것이다.
도 1 은, 제 2 양태에 관련된 적층체의 일 실시형태를 나타내고 있다.
도 1 에 나타내는 적층체 (100) 는, 지지 기체 (1) 와 분리층 (2) 이 적층된 지지체 (12) 와, 접착층 (3) 과, 기판 (4) 및 봉지재층 (5) 으로 이루어지는 디바이스층 (45) 을 구비하고 있다. 적층체 (100) 에 있어서, 지지체 (12), 접착층 (3) 및 디바이스층 (45) 이, 이 순서로 적층되어 있다.
또한, 도 1 의 예에서는, 지지체 (12) 는, 지지 기체 (1) 및 분리층 (2) 으로 이루어지지만, 이것에 한정되지 않고, 지지 기체로만 지지체를 구성해도 된다.
도 2 는, 제 2 양태에 관련된 적층체의 다른 실시형태를 나타내고 있다.
도 2 에 나타내는 적층체 (200) 는, 디바이스층이, 기판 (4), 봉지재층 (5) 및 배선층 (6) 으로 이루어지는 디바이스층 (456) 인 것 이외에는, 적층체 (100) 와 동일한 구성이다.
도 3 은, 제 2 양태에 관련된 적층체의 추가적인 다른 실시형태를 나타내고 있다.
도 3 에 나타내는 적층체 (300) 는, 디바이스층이 배선층 (6) 으로 이루어지는 것 이외에는, 적층체 (100) 와 동일한 구성이다.
도 4 는, 제 2 양태에 관련된 적층체의 추가적인 다른 실시형태를 나타내고 있다.
도 4 에 나타내는 적층체 (400) 는, 디바이스층이, 배선층 (6), 기판 (4) 및 봉지재층 (5) 으로 이루어지는 디바이스층 (645) 인 것 이외에는, 적층체 (100) 와 동일한 구성이다.
＜접착층＞
적층체 (100), 적층체 (200), 적층체 (300) 및 적층체 (400) 에 있어서의 각 접착층 (3) 은, 상기 서술한 제 1 양태에 관련된 접착제 조성물의 건조체이다.
접착층 (3) 의 두께는, 예를 들어 1 ㎛ 이상, 200 ㎛ 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 5 ㎛ 이상, 150 ㎛ 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다.
＜지지체＞
지지체는, 기판을 지지하는 부재이며, 접착층을 통해서 지지체 상에 기판이 고정된다. 도 1 및 도 2 의 예에서는, 지지체 (12) 는, 지지 기체 (1) 와, 지지 기체 (1) 상에 형성된 분리층 (2) 을 구비하고 있다. 또한, 분리층 (2) 을 형성하지 않는 경우에는, 지지 기체 (1) 가 지지체가 된다.
≪지지 기체≫
지지 기체는, 광을 투과하는 특성을 갖고, 기판을 지지하는 부재이다. 도 1 및 도 2 와 같이 분리층을 형성하는 경우, 지지 기체는, 분리층 및 접착층을 통해서 기판에 첩합된다. 분리층을 형성하지 않는 경우에는, 지지 기체는, 접착층을 통해서 기판에 첩합된다. 그 때문에, 지지 기체로는, 디바이스의 박화, 기판의 반송, 기판에 대한 실장 등 시에, 기판의 파손 또는 변형을 방지하기 위해서 필요한 강도를 가지고 있는 것이 바람직하다. 또, 지지 기체는, 분리층을 변질시킬 수 있는 파장의 광을 투과하는 것이 바람직하다.
지지 기체의 재료로는, 예를 들어, 유리, 실리콘, 아크릴계 수지 등이 사용된다. 지지 기체의 형상으로는, 예를 들어 사각형, 원형 등을 들 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 또, 지지 기체로는, 추가적인 고밀도 집적화나 생산 효율의 향상을 위해서, 원형인 지지 기체의 사이즈를 대형화한 것, 평면에서 보았을 때의 형상이 사각형인 대형 패널을 사용할 수도 있다.
≪분리층≫
분리층은, 접착층에 인접하고, 광의 조사에 의해 변질되어, 지지체에 첩합되는 기판으로부터 지지 기체를 분리 가능하게 하는 층이다.
이 분리층은, 후술하는 분리층 형성용 조성물을 사용하여 형성할 수 있고, 예를 들어, 분리층 형성용 조성물이 함유하는 성분을 소성함으로써, 또는 화학 기상 퇴적 (CVD) 법에 의해 형성된다. 이 분리층은, 지지 기체를 투과하여 조사되는 광을 흡수함으로써 적합하게 변질된다.
분리층이 「변질된다」 는 것은, 분리층이 외력을 받아 파괴될 수 있는 상태, 또는 분리층과 접하는 층과의 접착력이 저하된 상태가 되는 현상을 말한다. 분리층은, 광을 흡수함으로써 물러지고, 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 잃는다. 이러한 분리층의 변질은, 흡수한 광의 에너지에 의한 분해, 입체 배치의 변화 또는 관능기의 해리 등을 발생시킴으로써 일어난다.
분리층은, 광을 흡수하는 재료로만 형성되어 있는 것이 바람직하지만, 본 발명에 있어서의 본질적인 특성을 저해하지 않는 범위에서, 광을 흡수하는 구조를 갖고 있지 않은 재료가 배합된 층이어도 된다.
분리층의 두께는, 예를 들어 0.05 ㎛ 이상, 50 ㎛ 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 0.3 ㎛ 이상, 1 ㎛ 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 분리층의 두께가 0.05 ㎛ 이상, 50 ㎛ 이하의 범위 내이면, 단시간의 광의 조사 및 저에너지의 광의 조사에 의해, 분리층에 원하는 변질을 발생시킬 수 있다. 또, 분리층의 두께는, 생산성의 관점에서 1 ㎛ 이하의 범위 내인 것이 특히 바람직하다.
분리층은, 접착층에 접하는 측의 면이 평탄한 (요철이 형성되어 있지 않은) 것이 바람직하고, 이에 따라, 접착층의 형성을 용이하게 실시할 수 있고, 또한, 기판 또는 배선층과, 지지 기체를 균일하게 첩부 (貼付) 하는 것이 용이해진다.
[분리층 형성용 조성물]
분리층을 형성하기 위한 재료인 분리층 형성용 조성물은, 예를 들어, 플루오로카본, 광 흡수성을 가지고 있는 구조를 포함하는 반복 단위를 갖는 중합체, 무기물, 적외선 흡수성의 구조를 갖는 화합물, 적외선 흡수 물질, 반응성 폴리실세스퀴옥산, 또는 페놀 골격을 갖는 수지 성분을 함유하는 것을 들 수 있다.
또, 분리층 형성용 조성물은, 임의 성분으로서 필러, 가소제, 열산 발생제 성분, 광산 발생제 성분, 유기 용제 성분, 계면 활성제, 증감제, 또는 지지 기체의 분리성을 향상시킬 수 있는 성분 등을 함유해도 된다.
·플루오로카본
분리층은, 플루오로카본을 함유하고 있어도 된다. 플루오로카본에 의해 구성되는 분리층은, 광을 흡수함으로써 변질되게 되어 있고, 그 결과, 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 잃는다. 따라서, 약간 외력을 가함 (예를 들어, 지지체를 들어 올리는 등) 으로써, 분리층이 파괴되어, 지지체와, 기판 또는 배선층을 분리하기 쉽게 할 수 있다. 분리층을 구성하는 플루오로카본은, 플라즈마 CVD 법에 의해 적합하게 성막할 수 있다.
플루오로카본은, 그 종류에 따라 고유 범위의 파장을 갖는 광을 흡수한다. 분리층에 사용한 플루오로카본이 흡수하는 범위의 파장의 광을 분리층에 조사함으로써, 플루오로카본을 적합하게 변질시킬 수 있다. 분리층에 있어서의 광의 흡수율은, 80 ％ 이상인 것이 바람직하다.
분리층에 조사하는 광으로는, 플루오로카본이 흡수 가능한 파장에 따라, 예를 들어, YAG 레이저, 루비 레이저, 유리 레이저, YVO4 레이저, LD 레이저, 파이버 레이저 등의 고체 레이저, 색소 레이저 등의 액체 레이저, CO2 레이저, 엑시머 레이저, Ar 레이저, He-Ne 레이저 등의 기체 레이저, 반도체 레이저, 자유 전자 레이저 등의 레이저 광, 또는 비레이저 광을 적절히 사용하면 된다. 플루오로카본을 변질시킬 수 있는 파장으로는, 예를 들어 600 ㎚ 이하 범위의 파장을 사용할 수 있다.
·광 흡수성을 가지고 있는 구조를 포함하는 반복 단위를 갖는 중합체
분리층은, 광 흡수성을 가지고 있는 구조를 포함하는 반복 단위를 갖는 중합체를 함유하고 있어도 된다. 그 중합체는, 광의 조사를 받아 변질된다.
광 흡수성을 가지고 있는 구조는, 예를 들어, 치환 혹은 비치환의 벤젠 고리, 축합 고리 또는 복소 고리로 이루어지는 공액 π 전자계를 포함하는 원자단을 들 수 있다. 광 흡수성을 가지고 있는 구조는, 보다 구체적으로는, 카르도 구조, 또는 그 중합체의 측사슬에 존재하는 벤조페논 구조, 디페닐술폭시드 구조, 디페닐술폰 구조 (비스페닐술폰 구조), 디페닐 구조 혹은 디페닐아민 구조를 들 수 있다.
상기의 광 흡수성을 가지고 있는 구조는, 그 종류에 따라, 원하는 범위의 파장을 가지고 있는 광을 흡수할 수 있다. 예를 들어, 상기의 광 흡수성을 가지고 있는 구조가 흡수 가능한 광의 파장은, 100 ∼ 2000 ㎚ 의 범위 내인 것이 바람직하고, 100 ∼ 500 ㎚ 의 범위 내인 것이 보다 바람직하다.
상기의 광 흡수성을 가지고 있는 구조가 흡수 가능한 광은, 예를 들어, 고압 수은 램프 (파장 254 ㎚ 이상, 436 ㎚ 이하), KrF 엑시머 레이저 (파장 248 ㎚), ArF 엑시머 레이저 (파장 193 ㎚), F2 엑시머 레이저 (파장 157 ㎚), XeCl 레이저 (파장 308 ㎚), XeF 레이저 (파장 351 ㎚) 혹은 고체 UV 레이저 (파장 355 ㎚) 로부터 발해지는 광, 또는 g 선 (파장 436 ㎚), h 선 (파장 405 ㎚) 혹은, 선 (파장 365 ㎚) 등이다.
·무기물
분리층은, 무기물로 이루어지는 것이어도 된다. 이 무기물은, 광을 흡수함으로써 변질되는 것이면 되고, 예를 들어, 금속, 금속 화합물 및 카본으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종류 이상을 적합하게 들 수 있다. 금속 화합물이란, 금속 원자를 포함하는 화합물이며, 예를 들어 금속 산화물, 금속 질화물을 들 수 있다.
이와 같은 무기물로는, 금, 은, 동, 철, 니켈, 알루미늄, 티탄, 크롬, SiO2, SiN, Si3N4, TiN, 및 카본으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종류 이상을 들 수 있다.
또한, 카본이란, 탄소의 동소체도 포함될 수 있는 개념이며, 예를 들어 다이아몬드, 풀러렌, 다이아몬드 라이크 카본, 카본 나노 튜브 등을 포함한다.
상기 무기물은, 그 종류에 따라 고유 범위의 파장을 갖는 광을 흡수한다.
무기물로 이루어지는 분리층에 조사하는 광으로는, 상기 무기물이 흡수 가능한 파장에 따라, 예를 들어, YAG 레이저, 루비 레이저, 유리 레이저, YVO4 레이저, LD 레이저, 파이버 레이저 등의 고체 레이저, 색소 레이저 등의 액체 레이저, CO2 레이저, 엑시머 레이저, Ar 레이저, He-Ne 레이저 등의 기체 레이저, 반도체 레이저, 자유 전자 레이저 등의 레이저 광, 또는 비레이저 광을 적절히 사용하면 된다.
무기물로 이루어지는 분리층은, 예를 들어 스퍼터, 화학 증착 (CVD), 도금, 플라즈마 CVD, 스핀 코트 등의 공지된 기술에 의해, 지지 기체 상에 형성될 수 있다.
·적외선 흡수성의 구조를 갖는 화합물
분리층은, 적외선 흡수성의 구조를 갖는 화합물을 함유하고 있어도 된다. 이, 적외선 흡수성의 구조를 갖는 화합물은, 적외선을 흡수함으로써 변질된다.
적외선 흡수성을 가지고 있는 구조, 또는 이 구조를 갖는 화합물로는, 예를 들어, 알칸, 알켄 (비닐, 트랜스, 시스, 비닐리덴, 3 치환, 4 치환, 공액, 쿠물렌, 고리형), 알킨 (1 치환, 2 치환), 단고리형 방향족 (벤젠, 1 치환, 2 치환, 3 치환), 알코올 혹은 페놀류 (자유 OH, 분자내 수소 결합, 분자간 수소 결합, 포화 제 2 급, 포화 제 3 급, 불포화 제 2 급, 불포화 제 3 급), 아세탈, 케탈, 지방족 에테르, 방향족 에테르, 비닐에테르, 옥시란 고리 에테르, 과산화물 에테르, 케톤, 디알킬카르보닐, 방향족 카르보닐, 1,3-디케톤의 에놀, o-하이드록시아릴케톤, 디알킬알데히드, 방향족 알데히드, 카르복실산 (2 량체, 카르복실산 아니온), 포름산에스테르, 아세트산에스테르, 공액 에스테르, 비공액 에스테르, 방향족 에스테르, 락톤 (β-, γ-, δ-), 지방족산 염화물, 방향족산 염화물, 산 무수물 (공액, 비공액, 고리형, 비고리형), 제 1 급 아미드, 제 2 급 아미드, 락탐, 제 1 급 아민 (지방족, 방향족), 제 2 급 아민 (지방족, 방향족), 제 3 급 아민 (지방족, 방향족), 제 1 급 아민염, 제 2 급 아민염, 제 3 급 아민염, 암모늄 이온, 지방족 니트릴, 방향족 니트릴, 카르보디이미드, 지방족 이소니트릴, 방향족 이소니트릴, 이소시안산에스테르, 티오시안산에스테르, 지방족 이소티오시안산에스테르, 방향족 이소티오시안산에스테르, 지방족 니트로 화합물, 방향족 니트로 화합물, 니트로아민, 니트로소아민, 질산에스테르, 아질산에스테르, 니트로소 결합 (지방족, 방향족, 단량체, 2 량체), 메르캅탄 혹은 티오페놀 혹은 티올산 등의 황 화합물, 티오카르보닐기, 술폭시드, 술폰, 염화술포닐, 제 1 급 술폰아미드, 제 2 급 술폰아미드, 황산에스테르, 탄소-할로겐 결합, Si-A1 결합 (A1 은, H, C, O 또는 할로겐), P-A2 결합 (A2 는, H, C 또는 O) 또는 Ti-O 결합을 들 수 있다.
상기의 탄소-할로겐 결합을 포함하는 구조로는, 예를 들어 -CH2Cl, -CH2Br, -CH2I, -CF2-, -CF3, -CH=CF2, -CF=CF2, 불화아릴 또는 염화아릴 등을 들 수 있다.
상기의 Si-A1 결합을 포함하는 구조로는, 예를 들어, SiH, SiH2, SiH3, Si-CH3, Si-CH2-, Si-C6H5, SiO-지방족, Si-OCH3, Si-OCH2CH3, Si-OC6H5, Si-O-Si, Si-OH, SiF, SiF2 또는 SiF3 등을 들 수 있다. Si-A1 결합을 포함하는 구조로는, 특히, 실록산 골격 또는 실세스퀴옥산 골격을 형성하고 있는 것이 바람직하다.
상기의 P-A2 결합을 포함하는 구조로는, 예를 들어, PH, PH2, P-CH3, P-CH2-, P-C6H5, A3 3-P-O (A3 은 지방족기 또는 방향족기), (A4O)3-P-O (A4 는 알킬기), P-OCH3, P-OCH2CH3, P-OC6H5, P-O-P, P-OH 또는 O=P-OH 등을 들 수 있다.
상기의 Ti-O 결합을 포함하는 화합물로는, 예를 들어, (i) 테트라-i-프로폭시티탄, 테트라-n-부톡시티탄, 테트라키스(2-에틸헥실옥시)티탄 또는 티타늄-i-프로폭시옥틸렌글리콜레이트 등의 알콕시티탄；(ii) 디-i-프로폭시·비스(아세틸아세토나토)티탄 또는 프로판디옥시티탄비스(에틸아세토아세테이트) 등의 킬레이트 티탄；(iii) i-C3H7O-[-Ti(O-i-C3H7)2-O-]n-i-C3H7 또는 n-C4H9O-[-Ti(O-n-C4H9)2-O-]n-n-C4H9 등의 티탄 폴리머；(iv) 트리-n-부톡시티탄모노스테아레이트, 티타늄스테아레이트, 디-i-프로폭시티탄디이소스테아레이트 또는 (2-n-부톡시카르보닐벤조일옥시)트리부톡시티탄 등의 아실레이트티탄；(v) 디-n-부톡시·비스(트리에탄올아미나토)티탄 등의 수용성 티탄 화합물 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, Ti-O 결합을 포함하는 화합물로는, 디-n-부톡시·비스(트리에탄올아미나토)티탄 (Ti(OC4H9)2[OC2H4N(C2H4OH)2]2) 가 바람직하다.
상기의 적외선 흡수성의 구조는, 그 종류의 선택에 의해, 원하는 범위의 파장을 가지고 있는 적외선을 흡수할 수 있다. 구체적으로는, 상기의 적외선 흡수성의 구조가 흡수 가능한 적외선의 파장은, 예를 들어 1 ∼ 20 ㎛ 의 범위 내이며, 2 ∼ 15 ㎛ 의 범위 내를 보다 적합하게 흡수할 수 있다.
또한, 상기 구조가 Si-O 결합, Si-C 결합 또는 Ti-O 결합인 경우에는, 9 ∼ 11 ㎛ 의 범위 내가 바람직하다.
또한, 상기의 각 구조를 흡수할 수 있는 적외선의 파장은, 당업자이면 용이하게 이해할 수 있다. 예를 들어, 각 구조에 있어서의 흡수대로서, 비특허문헌：SILVERSTEIN·BASSLER·MORRILL 저 「유기 화합물의 스펙트럼에 의한 동정법 (제5 판) -MS, IR, NMR, UV 의 병용-」 (1992년 발행) 제 146 페이지부터 제 151 페이지의 기재를 참조할 수 있다.
분리층의 형성에 사용되는, 적외선 흡수성의 구조를 갖는 화합물로는, 상기 서술한 바와 같은 구조를 가지고 있는 화합물 중, 도포를 위해서 용매에 용해할 수 있고, 고화하여 고층을 형성할 수 있는 것이면, 특별히 한정되는 것은 아니다. 그러나, 분리층에 있어서의 화합물을 효과적으로 변질시키고, 지지 기체와 기판의 분리를 용이하게 하려면, 분리층에 있어서의 적외선의 흡수가 큰 것, 즉, 분리층에 적외선을 조사했을 때의 적외선의 투과율이 낮은 것이 바람직하다. 구체적으로는, 분리층에 있어서의 적외선의 투과율이 90 ％ 보다 낮은 것이 바람직하고, 적외선의 투과율이 80 ％ 보다 낮은 것이 보다 바람직하다.
·적외선 흡수 물질
분리층은, 적외선 흡수 물질을 함유하고 있어도 된다. 이 적외선 흡수 물질은, 광을 흡수함으로써 변질되는 것이면 되고, 예를 들어, 카본 블랙, 철 입자, 또는 알루미늄 입자를 적합하게 사용할 수 있다.
적외선 흡수 물질은, 그 종류에 따라 고유 범위의 파장을 갖는 광을 흡수한다. 분리층에 사용한 적외선 흡수 물질이 흡수하는 범위의 파장의 광을 분리층에 조사함으로써, 적외선 흡수 물질을 적합하게 변질시킬 수 있다.
·반응성 폴리실세스퀴옥산
분리층은, 반응성 폴리실세스퀴옥산을 중합시킴으로써 형성할 수 있다. 이로 인해 형성되는 분리층은, 높은 내약품성과 높은 내열성을 구비하고 있다.
「반응성 폴리실세스퀴옥산」 이란, 폴리실세스퀴옥산 골격의 말단에 실란올기, 또는, 가수 분해함으로써 실란올기를 형성할 수 있는 관능기를 갖는 폴리실세스퀴옥산을 말한다. 당해 실란올기, 또는 실란올기를 형성할 수 있는 관능기를 축합함으로써, 서로 중합할 수 있다. 또, 반응성 폴리실세스퀴옥산은, 실란올기, 또는, 실란올기를 형성할 수 있는 관능기를 가지고 있으면, 랜덤 구조, 바구니형 구조, 래더 구조 등의 실세스퀴옥산 골격을 구비하고 있는 반응성 폴리실세스퀴옥산을 채용할 수 있다.
반응성 폴리실세스퀴옥산의 실록산 함유량은, 70 ∼ 99 몰％ 인 것이 바람직하고, 80 ∼ 99 몰％ 인 것이 보다 바람직하다.
반응성 폴리실세스퀴옥산의 실록산 함유량이, 상기의 바람직한 범위 내이면, 적외선 (바람직하게는 원적외선, 보다 바람직하게는 파장 9 ∼ 11 ㎛ 의 광) 을 조사함으로써 적합하게 변질시킬 수 있는 분리층을 형성할 수 있다.
반응성 폴리실세스퀴옥산의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 500 ∼ 50000 인 것이 바람직하고, 1000 ∼ 10000 인 것이 보다 바람직하다.
반응성 폴리실세스퀴옥산의 중량 평균 분자량 (Mw) 이, 상기의 바람직한 범위 내이면, 용제에 적합하게 용해시킬 수 있고, 서포트 플레이트 상에 적합하게 도포할 수 있다.
반응성 폴리실세스퀴옥산으로서 사용할 수 있는 시판품으로는, 예를 들어, 코니시 화학 공업 주식회사 제조의 SR-13, SR-21, SR-23 또는 SR-33 (상품명) 등을 들 수 있다.
·페놀 골격을 갖는 수지 성분
분리층은, 페놀 골격을 갖는 수지 성분을 함유하고 있어도 된다. 페놀 골격을 가짐으로써, 가열 등에 의해 용이하게 변질 (산화 등) 되어 광 반응성이 높아진다.
여기서 말하는 「페놀 골격을 갖는다」 는 것은, 하이드록시벤젠 구조를 포함하고 있는 것을 의미한다.
페놀 골격을 갖는 수지 성분은, 막형성능을 갖고, 바람직하게는 분자량이 1000 이상이다. 당해 수지 성분의 분자량이 1000 이상임으로써, 막형성능이 향상된다. 당해 수지 성분의 분자량은, 1000 ∼ 30000 이 보다 바람직하고, 1500 ∼ 20000 이 더욱 바람직하고, 2000 ∼ 15000 이 특히 바람직하다. 당해 수지 성분의 분자량이, 상기의 바람직한 범위의 상한값 이하임으로써, 분리층 형성용 조성물의 용매에 대한 용해성이 높아진다.
또한, 수지 성분의 분자량으로는, GPC (겔 퍼미에이션 크로마토그래피) 에 의한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량 (Mw) 을 사용하는 것으로 한다.
페놀 골격을 갖는 수지 성분으로는, 예를 들어 노볼락형 페놀 수지, 레조르형 페놀 수지, 하이드록시스티렌 수지, 하이드록시페닐실세스퀴옥산 수지, 하이드록시벤질실세스퀴옥산 수지, 페놀 골격 함유 아크릴 수지, 후술하는 일반식 (P2) 로 나타내는 반복 단위를 갖는 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 노볼락형 페놀 수지, 레조르형 페놀 수지가 보다 바람직하다.
＜디바이스층＞
디바이스층은, 금속 또는 반도체에 의해 구성되는 부재와, 상기 부재를 봉지 또는 절연하는 수지의 복합체이다. 구체적으로는, 디바이스층은, 봉지재층 및 배선층의 적어도 일방을 포함하고, 추가로 기판을 포함할 수 있다.
도 1 에 나타내는 적층체 (100) 에서는, 디바이스층 (45) 은, 기판 (4) 및 봉지제층 (5) 에 의해 구성되어 있다. 도 2 에 나타내는 적층체 (200) 에서는, 디바이스층 (456) 은, 기판 (4) 과 봉지재층 (5), 및 배선층 (6) 에 의해 구성되어 있다. 도 3 에 나타내는 적층체 (300) 에서는, 디바이스층은 배선층 (6) 에 의해 구성되어 있다. 도 4 에 나타내는 적층체 (400) 에서는, 디바이스층 (645) 은, 배선층 (6), 기판 (4) 및 봉지재층 (5) 에 의해 구성되어 있다.
≪기판≫
기판 (베어 칩) 은, 지지체에 지지된 상태에서, 박화, 실장 등의 프로세스에 제공된다. 기판에는, 예를 들어 집적 회로나 금속 범프 등의 구조물이 실장된다.
기판으로는, 전형적으로는, 실리콘 웨이퍼 기판이 사용되지만, 이것에 한정되지 않고, 세라믹스 기판, 얇은 필름 기판, 플렉시블 기판 등을 사용해도 된다.
기판은, 반도체 소자 또는 그 외 소자여도 되고, 단층 또는 복수 층의 구조를 가질 수 있다. 또한, 기판이 반도체 소자인 경우, 디바이스층을 다이싱함으로써 얻어지는 전자 부품은 반도체 장치가 된다. 바람직하게는, 기판은 반도체 소자이다.
≪봉지재층≫
봉지재층은, 기판을 봉지하기 위해서 형성되는 것이며, 봉지재를 사용하여 형성된다. 봉지재에는, 금속 또는 반도체에 의해 구성되는 부재를, 절연 또는 봉지가 가능한 부재가 사용된다.
본 실시형태에 있어서, 봉지재로는, 수지를 포함하는 수지 조성물이 사용된다. 봉지재에 사용되는 수지는, 금속 또는 반도체를, 봉지 및/또는 절연이 가능한 것이면, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 에폭시 수지, 폴리이미드 등을 들 수 있다.
봉지재는, 수지 외에, 필러 등의 다른 성분을 포함하고 있어도 된다. 필러로는, 예를 들어, 구상 (球狀) 실리카 입자 등을 들 수 있다.
봉지재에 사용되는 수지는, 흡습성을 갖고, 승온에 수반하여 가스를 발생하는 경우가 있다. 이 경우, 봉지재로부터 발생하는 가스의 대부분은, 수증기이다.
전자 부품 제조 프로세스 중의 열 처리 공정에서, 이와 같이 수증기가 발생 하면, 접착층 중의 보이드의 원인이 된다. 본 실시형태의 적층체에서는, 접착층의 재료로서, 구성 단위 (u1) 을 갖는 엘라스토머를 함유하는 접착제 조성물이 사용되고 있다. 이에 따라, 접착층의 탄성률이 높아지고, 보다 단단한 막이 형성된다. 그 때문에, 디바이스층과 지지체의 사이에 있어서의 보이드의 발생이 억제된다.
≪배선층≫
배선층은, RDL (Redistribution Layer：재배선층) 이라고도 불리고, 기판에 접속하는 배선을 구성하는 박막의 배선체이며, 단층 또는 복수 층의 구조를 가질 수 있다. 배선층은, 패턴화된 수지 재료 (감광성을 갖는 폴리이미드나, 감광성을 갖는 아크릴 수지 등) 의 사이에 도전체 (예를 들어, 알루미늄, 구리, 티탄, 니켈, 금 및 은 등의 금속 그리고 은-주석 합금 등의 합금) 에 의해 배선이 형성된 것일 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다.
디바이스층에 있어서, 접착층에 인접하여 수지 재료를 포함하는 층이 형성되는 경우, 열 처리 공정에 의해, 당해 수지 재료로부터 가스가 방출되어, 보이드의 원인이 된다. 본 실시형태의 적층체에서는, 접착층의 재료로서, 구성 단위 (u1) 을 갖는 엘라스토머를 함유하는 접착제 조성물이 사용되고 있기 때문에, 보이드의 발생을 저감할 수 있다.
또한, 도 1 ∼ 도 4 의 적층체에서는, 지지 기체 (1) 와 분리층 (2) 이 인접하고 있지만, 이것에 한정되지 않고, 지지 기체 (1) 와 분리층 (2) 의 사이에 다른 층이 추가로 형성되어 있어도 된다. 이 경우, 다른 층은, 광을 투과하는 재료로 구성되어 있으면 된다. 이것에 의하면, 분리층 (2) 으로의 광의 입사를 방해하는 일 없이, 적층체에 바람직한 성질 등을 부여하는 층을 적절히 추가할 수 있다. 분리층 (2) 을 구성하고 있는 재료의 종류에 따라, 사용할 수 있는 광의 파장이 상이하다. 따라서, 다른 층을 구성하는 재료는, 모든 파장의 광을 투과시킬 필요는 없고, 분리층 (2) 을 구성하는 재료를 변질시킬 수 있는 파장의 광을 투과하는 재료에서 적절히 선택할 수 있다.
(적층체의 제조 방법)
본 발명의 제 3 양태는, 지지체, 접착층 및 디바이스층이 이 순서로 적층된 적층체의 제조 방법이며, 접착층 형성 공정과, 디바이스층 형성 공정을 갖는다. 상기 적층체의 제조 방법은, 추가로, 분리층 형성 공정을 포함하고 있어도 된다. 디바이스층 형성 공정은, 기판 고정 공정, 봉지 공정, 연삭 공정 및 배선층 형성 공정 중 어느 것을 포함할 수 있다.
＜제 1 실시형태＞
제 1 실시형태에 관련된 적층체의 제조 방법은, 지지체를 제조하는 공정과, 접착층 형성 공정과, 디바이스층 형성 공정을 갖는다.
도 5 는, 적층체의 제조 방법의 일 실시형태의 일부를 설명하는 개략 공정도이다. 도 5(a) 는, 지지체를 제조하는 공정을 설명하는 도면이고, 도 5(b) 는, 접착층 형성 공정을 설명하는 도면이다.
도 6 은, 접착층이 부착된 지지체 (123) 로부터 적층체 (100) 를 제조하는 방법의 일 실시형태를 설명하는 개략 공정도이다. 도 6(a) 는, 접착층이 부착된 지지체 (123) 를 나타내는 도면이고, 도 6(b) 는, 기판 고정 공정을 나타내는 도면이고, 도 6(c) 는, 봉지 공정을 설명하는 도면이다.
도 7 은, 적층체 (100) 로부터 적층체 (200) 를 제조하는 방법의 일 실시형태를 설명하는 개략 공정도이다. 도 7(a) 는, 적층체 (100) 를 나타내는 도면이고, 도 7(b) 는, 연삭 공정을 설명하는 도면이고, 도 7(c) 는 재배선 형성 공정을 설명하는 도면이다.
본 실시형태의 적층체의 제조 방법에 있어서는, 분리층 형성용 조성물로서, 플루오로카본을 함유하는 것이 사용되고 있다. 또, 접착층 형성용 조성물로서, 상기 서술한 실시형태에 관련된 (EP1) 성분을 함유하는 것이 사용되고 있다.
[지지체를 제조하는 공정]
실시형태에 있어서의 지지체를 제조하는 공정은, 지지 기체 상의 일방에, 분리층 형성용 조성물을 사용하여 분리층을 형성하여, 지지체를 얻는 공정이다.
도 5(a) 에서는, 지지 기체 (1) 상에, 분리층 형성용 조성물 (플루오로카본을 함유하는 것) 을 사용함으로써 분리층 (2) 이 형성되어 있다 (즉, 분리층이 부착된 지지 기체가 제조되어 있다).
지지 기체 (1) 상에 대한 분리층 (2) 의 형성 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 스핀 코트, 딥핑, 롤러 블레이드, 스프레이 도포, 슬릿 도포, 화학 기상 성장 (CVD) 등의 방법을 들 수 있다.
예를 들어, 지지체를 제조하는 공정에서는, 가열 환경하 혹은 감압 환경하, 지지 기체 (1) 상에 도포된 분리층 형성용 조성물의 도공층으로부터 용제 성분을 제거하여 성막하거나 (분리층 (2) 을 형성한다), 또는, 지지 기체 (1) 상에, 증착법에 의해 성막함 (분리층 (2) 을 형성한다) 으로써, 지지체 (12) 를 얻는다.
[접착층 형성 공정]
실시형태에 있어서의 접착층 형성 공정은, 지지체 상의 일방에, 상기 서술한 실시형태의 접착층 형성용 조성물을 사용하여 접착층을 형성하는 공정이다.
도 5(b) 에서는, 지지체 (12) 의 분리층 (2) 측의 면에, 상기 서술한 실시형태의 접착층 형성용 조성물을 사용하여 접착층 (3) 이 형성되어 있다 (즉, 접착층이 부착된 지지체 (123) 가 제조되어 있다).
지지체 (12) 상에 대한 접착층 (3) 의 형성 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 스핀 코트, 딥핑, 롤러 블레이드, 스프레이 도포, 슬릿 도포 등의 방법을 들 수 있다. 그리고, 지지체 (12) 상에, 접착제 조성물을 도포하여 가열하거나, 또는, 감압 환경하에서 접착제 조성물에 포함되어 있는 용제 성분을 제거한다.
그 후, 접착층 (3) 이 경화성 모노머 및 열 중합 개시제를 함유하는 경우, 가열에 의해, 당해 경화성 모노머를 중합시키면 된다. 접착층 (3) 을 가열하는 조건은, 열 중합 개시제에 있어서의 1 분간 반감 온도, 및 1 시간 반감 온도에 기초하여 적절히 설정하면 되고, 예를 들어 50 ∼ 300 ℃ 의 범위 내의 온도에 있어서, 진공하, 또는 질소 가스 등의 불활성 가스 분위기하에서 실시하는 것이 바람직하고, 불활성 가스 분위기하에서 실시하는 것이 보다 바람직하다.
또, 접착층 (3) 이 경화성 모노머 및 광 중합 개시제를 포함하고 있는 경우, 질소 가스 등의 불활성 가스 분위기하에서 노광함으로써, 경화성 모노머를 중합시키면 된다. 노광하는 조건은, 광 중합 개시제의 종류 등에 따라 적절히 설정하면 된다.
[디바이스층 형성 공정]
본 실시형태에 있어서의 디바이스층 형성 공정에서는, 금속 또는 반도체에 의해 구성되는 부재와, 상기 부재를 봉지 또는 절연하는 수지의 복합체인 디바이스층을 형성한다. 디바이스층 형성 공정은, 기판 고정 공정, 봉지 공정, 연삭 공정, 및 배선층 형성 공정 중 어느 것을 포함할 수 있다.
그 일 실시양태에 있어서, 디바이스층 형성 공정은, 기판 고정 공정 및 봉지 공정을 포함한다. 이 경우, 디바이스층 형성 공정은, 추가로, 연삭 공정 및 배선층 형성 공정을 포함하고 있어도 된다.
다른 실시양태에 있어서, 디바이스층 형성 공정은, 배선층 형성 공정을 포함한다. 이 경우, 디바이스층 형성 공정은, 추가로, 기판 고정 공정, 봉지 공정 및 연삭 공정을 포함하고 있어도 된다.
·기판 고정 공정에 대해서
기판 고정 공정은, 접착층을 통해서, 지지체 상에 기판 (베어 칩) 을 고정시키는 공정이다.
도 6(b) 에서는, 분리층 (2) 이 형성된 지지 기체 (1) (지지체 (12)) 와, 기판 (4) 이, 접착층 (3) 을 통해서 적층되고, 지지체 (12), 접착층 (3), 기판 (4) 의 순서로 겹쳐진 구조체 (30) 가 얻어져 있다.
접착층 (3) 을 통해서 지지체 (12) 상에 기판 (4) 을 고정시키는 방법은, 접착층 (3) 상의 소정 위치에 기판 (4) 을 배치하고, 진공하에서 가열 (예를 들어 100 ℃ 정도) 하면서, 다이 본더 등에 의해 지지체 (12) 와 기판 (4) 을 압착함으로써 실시할 수 있다.
·봉지 공정에 대해서
봉지 공정은, 지지체 상에 고정된 기판을, 봉지재를 사용하여 봉지하는 공정이다.
도 6(c) 에서는, 접착제층 (3) 을 통해서 지지체 (12) 에 고정된 기판 (4) 의 전체가, 봉지재층 (5) 에 의해 봉지된 적층체 (100) 가 얻어져 있다. 적층체 (100) 에 있어서, 기판 (4) 및 봉지재층 (5) 은, 디바이스층 (45) 을 구성한다.
봉지 공정에 있어서는, 예를 들어 130 ∼ 170 ℃ 로 가열된 봉지재가, 고점도 상태를 유지하면서, 기판 (4) 을 덮도록, 접착제층 (3) 상에 공급되고, 압축 성형됨으로써, 접착제층 (3) 상에 봉지재층 (5) 이 형성된 적층체 (100) 가 제조된다.
그 때, 온도 조건은, 예를 들어 130 ∼ 170 ℃ 이다.
기판 (4) 에 가해지는 압력은, 예를 들어 50 ∼ 500 N/㎠ 이다.
봉지재층 (5) 은, 개개의 기판 (4) 마다 형성되어 있는 것은 아니고, 접착제층 (3) 상의 기판 (4) 전부를 덮도록 형성되어 있는 것이 바람직하다.
·연삭 공정에 대해서
연삭 공정은, 상기 봉지 공정 후, 봉지체에 있어서의 봉지재 부분 (봉지재층 (5)) 을, 기판의 일부가 노출하도록 연삭하는 공정이다.
봉지재 부분의 연삭은, 예를 들어 도 7(b) 에 나타내는 바와 같이, 봉지재층 (5) 을, 기판 (4) 과 거의 동등한 두께가 될 때까지 깎아냄으로써 실시한다.
·배선층 형성 공정에 대해서
배선층 형성 공정은, 상기 연삭 공정 후, 상기의 노출된 기판 상에 배선층을 형성하는 공정이다.
도 7(c) 에서는, 기판 (4) 및 봉지재층 (5) 상에, 배선층 (6) 이 형성되어 있다. 이에 따라, 적층체 (200) 를 얻을 수 있다. 적층체 (200) 에 있어서, 기판 (4), 봉지재층 (5) 및 배선층 (6) 은, 디바이스층 (456) 을 구성한다.
배선층 (6) 을 형성하는 방법으로는, 예를 들어, 이하의 방법을 들 수 있다.
먼저, 봉지재층 (5) 상에, 산화실리콘 (SiOx), 감광성 수지 등의 유전체층을 형성한다. 산화실리콘으로 이루어지는 유전체층은, 예를 들어 스퍼터법, 진공 증착법 등에 의해 형성할 수 있다. 감광성 수지로 이루어지는 유전체층은, 예를 들어 스핀 코트, 딥핑, 롤러 블레이드, 스프레이 도포, 슬릿 도포 등의 방법에 의해, 봉지재층 (5) 상에, 감광성 수지를 도포함으로써 형성할 수 있다.
계속해서, 유전체층에, 금속 등의 도전체에 의해 배선을 형성한다. 배선을 형성하는 방법으로는, 예를 들어, 포토 리소그래피 (레지스트 리소그래피) 등의 리소그래피 처리, 에칭 처리 등의 공지된 반도체 프로세스 수법을 이용할 수 있다. 이와 같은, 리소그래피 처리로는, 예를 들어, 포지티브형 레지스트 재료를 사용한 리소그래피 처리, 네거티브형 레지스트 재료를 사용한 리소그래피 처리를 들 수 있다.
이와 같이, 포토리소그래피 처리 및 에칭 처리 등을 실시할 때, 봉지체 (적층체 (100)) 는, 불화수소산 등의 산, 수산화테트라메틸암모늄 (TMAH) 등의 알칼리, 또는 레지스트 재료를 용해하기 위한 레지스트 용제에 노출됨과 함께, 고온에서 처리된다.
그러나, 상기 서술한, 구성 단위 (u1) 을 갖는 엘라스토머를 함유하는 접착제 조성물을 사용하여 접착층 (3) 을 형성함으로써, 봉지재층 (5) 으로부터의 가스의 방출이 억제된다. 이 때문에, 봉지재층 (5) 과 지지체 (12) 사이에서의 보이드 발생을 방지할 수 있고, 배선층 (6) 을 적합하게 형성할 수 있다.
본 실시형태에 관련된 적층체의 제조 방법에 의하면, 지지체 (12) 와, 접착층 (3) 과, 디바이스층 (45) (기판 (4) 및 봉지재층 (5)) 또는 디바이스층 (456) (기판 (4), 봉지재층 (5) 및 배선층 (6)) 이, 이 순서로 적층되어 이루어지는 적층체 (100) 또는 적층체 (200) 를 안정적으로 제조할 수 있다.
이러한 적층체 (100) 또는 적층체 (200) 는, 기판 (4) 에 형성된 단자가 칩 에어리어 밖으로 넓어지는 배선층 (6) 에 실장되는, 팬 아웃형 기술에 기초하는 과정에 있어서 제조되는 적층체이다.
본 실시형태에 관련된 적층체의 제조 방법에 있어서는, 또한, 배선층 (6) 상에 범프의 형성, 또는 소자의 실장을 실시할 수 있다. 배선층 (6) 상에 대한 소자의 실장은, 예를 들어, 칩마운터 등을 사용하여 실시할 수 있다.
(전자 부품의 제조 방법)
본 발명의 제 4 양태에 관련된 전자 부품의 제조 방법은, 상기 제 3 양태에 관련된 적층체의 제조 방법에 의해 적층체를 얻은 후, 분리 공정과, 제거 공정을 갖는다.
도 8 은, 반도체 패키지 (전자 부품) 의 제조 방법의 일 실시형태를 설명하는 개략 공정도이다. 도 8(a) 는, 적층체 (200) 를 나타내는 도면이고, 도 8(b) 는, 분리 공정을 설명하는 도면이고, 도 8(c) 는, 제거 공정을 설명하는 도면이다.
[분리 공정]
실시형태에 있어서의 분리 공정은, 지지 기체 (1) 를 통해서 분리층 (2) 에 광 (화살표) 을 조사하여, 분리층 (2) 을 변질시킴으로써, 디바이스층 (456) 으로부터 지지 기체 (1) 를 분리하는 공정이다.
도 8(a) 에 나타내는 바와 같이, 분리 공정에서는, 지지 기체 (1) 를 통해서, 분리층 (2) 에 광 (화살표) 을 조사함으로써, 분리층 (2) 을 변질시킨다.
분리층 (2) 을 변질시킬 수 있는 파장으로는, 예를 들어 600 ㎚ 이하의 범위를 들 수 있다.
조사하는 광의 종류 및 파장은, 지지 기체 (1) 의 투과성, 및 분리층 (2) 의 재질에 따라 적절히 선택하면 되고, 예를 들어, YAG 레이저, 루비 레이저, 유리 레이저, YVO4 레이저, LD 레이저, 파이버 레이저 등의 고체 레이저, 색소 레이저 등의 액체 레이저, CO2 레이저, 엑시머 레이저, Ar 레이저, He-Ne 레이저 등의 기체 레이저, 반도체 레이저, 자유 전자 레이저 등의 레이저 광, 비레이저 광을 사용할 수 있다. 이에 따라, 분리층 (2) 을 변질시켜, 지지 기체 (1) 와 디바이스층 (456) 을 용이하게 분리 가능한 상태로 할 수 있다.
레이저 광을 조사하는 경우, 레이저 광 조사 조건의 일례로서, 이하의 조건을 들 수 있다.
레이저 광의 평균 출력값은, 1.0 W 이상, 5.0 W 이하가 바람직하고, 3.0 W 이상, 4.0 W 이하가 보다 바람직하다. 레이저 광의 반복 주파수는, 20 ㎑ 이상, 60 ㎑ 이하가 바람직하고, 30 ㎑ 이상, 50 ㎑ 이하가 보다 바람직하다. 레이저 광의 주사 속도는, 100 ㎜/s이상, 10000 ㎜/s 이하가 바람직하다.
분리층 (2) 에 광 (화살표) 을 조사하여 분리층 (2) 을 변질시킨 후, 도 8(b) 에 나타내는 바와 같이, 디바이스층 (456) 으로부터 지지 기체 (1) 를 분리한다.
예를 들어, 지지 기체 (1) 와 디바이스층 (456) 이 서로 떨어지는 방향으로 힘을 가함으로써, 지지 기체 (1) 와 디바이스층 (456) 을 분리한다. 구체적으로는, 지지 기체 (1) 또는 디바이스층 (456) 측 (배선층 (6)) 의 일방을 스테이지에 고정시킨 상태에서, 타방을 벨로우즈 패드 등의 흡착 패드를 구비한 분리 플레이트에 의해 흡착 유지하면서 들어 올림으로써, 지지 기체 (1) 와 디바이스층 (456) 을 분리할 수 있다.
적층체 (200) 에 가해지는 힘은, 적층체 (200) 의 크기 등에 따라 적절히 조정하면 되고, 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 직경이 300 ㎜ 정도의 적층체이면, 0.1 ∼ 5 kgf (0.98 ∼ 49 N) 정도의 힘을 가함으로써, 지지 기체 (1) 와 디바이스층 (456) 을 적합하게 분리할 수 있다.
[제거 공정]
실시형태에 있어서의 제거 공정은, 상기 분리 공정 후, 디바이스층에 부착하는 접착층 및 분리층을 제거하는 공정이다.
도 8(b) 에서는, 분리 공정 후, 디바이스층 (456) 에 접착층 (3) 및 분리층 (2) 이 부착되어 있다. 본 실시형태에서는, 제거 공정에 있어서, 디바이스층 (456) 에 부착되는 접착층 (3) 및 분리층 (2) 을 제거함으로써, 전자 부품 (50) 이 얻어져 있다.
디바이스층 (456) 에 부착하는 접착층 (3) 등을 제거하는 방법으로는, 예를 들어, 세정액을 사용하여 접착층 (3) 및 분리층 (2) 의 잔류물을 제거하는 방법을 들 수 있다.
세정액에는, 유기 용제를 함유하는 세정액이 적합하게 사용된다. 이 세정액에 있어서의 유기 용제로는, 분리층 형성용 조성물에 배합의 유기 용제, 접착층 형성용 조성물에 배합의 용제 성분을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 서술한 실시형태의 접착층 형성용 조성물을 사용하여 형성되는 접착층은, 탄화수소계의 용제에 대한 용해성이 높아져 있다. 이 때문에, 실시형태에 있어서, 접착층의 세정 제거성은 양호하다.
본 실시형태의 전자 부품의 제조 방법은, 상기의 제거 공정 후, 또한, 전자 부품 (50) 에 대하여 솔더 볼 형성, 다이싱, 또는 산화 막 형성 등의 처리를 실시해도 된다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하는데, 본 발명은 이들 예에 의해 한정되는 것은 아니다.
＜접착제 조성물의 조제＞
(실시예 1 ∼ 5, 비교예 1 ∼ 2)
표 1 에 나타내는 수지 성분을, 용매 (데카하이드로나프탈렌) 에 용해하여, 각 예의 접착제 조성물 (수지 성분 농도 30 질량％) 을 각각 조제하였다.
Figure pat00007
표 1 중, 각 약호는 각각 이하의 의미를 갖는다. [ ] 내의 수치는 배합량 (질량부) 이다.
또한, 이하에 나타내는 수지 성분에 대한 중량 평균 분자량 및 분산도는, GPC (겔 퍼미에이션 크로마토그래피) 에 의한 폴리스티렌 환산의 값을 사용하여 구하였다.
또, 이하에 나타내는 수지 성분에 대한 1 ％ 중량 감소 온도 (℃) 는, 질소 분위기하에 있어서, 25 ℃ 에서 가열을 개시하고, 1 분 간격으로 10 ℃ 씩 가열 온도를 올린 경우에, 초기 중량의 1 중량％ 분의 중량이 감소했을 때의 온도이다. 또한, 본 실시예에 있어서는, 이 1 ％ 중량 감소 온도를, 열 중량 측정 장치로 측정하였다.
(EP)-1：Septon2002 (상품명), 주식회사 쿠라레 제조. 스티렌 함유량 13 몰％, 중량 평균 분자량 54000；하기 화학식 (EP)-1 로 나타내는 복수의 구성 단위를 갖는 엘라스토머 (1).
[화학식 7]
Figure pat00008
(EP)-2：Septon8004 (상품명), 주식회사 쿠라레 제조. 스티렌 함유량 12 몰％, 중량 평균 분자량 98000；하기 화학식 (EP)-2 로 나타내는 복수의 구성 단위를 갖는 엘라스토머 (2).
[화학식 8]
Figure pat00009
(EP)-3：상기 화학식 (EP)-1 로 나타내는 엘라스토머 (1) 을, 토요타 아키노리 씨 문헌 『고분자 반응법에 의한 부피가 큰 탄화수소기 함유 폴리머의 합성과 그 성질』 에 기재된 순서에 따라서, 아다만탄올과 반응시켜 변성하고, 아다만탄 변성 엘라스토머 (1) 을 얻었다. 엘라스토머 (1) 에 있어서의 스티렌 유닛 전체 중, 53 ％ (몰비) 의 스티렌 유닛에 아다만틸기가 부가되었다. 중량 평균 분자량 70600, 분산도 1.37；1 ％ 중량 감소 온도 365 ℃.
(EP)-4：상기 화학식 (EP)-2 로 나타내는 엘라스토머 (2) 를, 토요타 아키노리 씨 문헌 『고분자 반응법에 의한 부피가 큰 탄화수소기 함유 폴리머의 합성과 그 성질』 에 기재된 순서에 따라서, 아다만탄올와 반응시켜 변성하고, 아다만탄 변성 엘라스토머 (2) 를 얻었다. 엘라스토머 (2) 에 있어서의 스티렌 유닛 전체 중, 60 ％ (몰비) 의 스티렌 유닛에 아다만틸기가 부가되었다. 중량 평균 분자량 219200, 분산도 1.78；1 ％ 중량 감소 온도 365 ℃.
＜평가＞
각 예의 접착제 조성물에 대해서, 이하에 나타내는 방법에 의해, 복소 탄성률 (E*150, E*50), 유리 전이 온도 (Tg) 를 각각 구하였다. 또, 각 예의 접착제 조성물을 사용하여 형성되는 접착층에 대해서, 이하에 나타내는 방법에 의해, 내약품성, 세정 제거성을 각각 평가하였다. 이들 결과를 표 2 에 나타내었다.
≪탄성률의 측정≫
각 예의 접착제 조성물에 대해서, 동적 점탄성 측정 장치 Rheogel-E4000 (UBM 주식회사 제조) 을 사용하여, 150 ℃ 및 50 ℃ 에 있어서의 복소 탄성률 (E*150, E*50) 을 각각 측정하고, 또, 복소 탄성률의 비 (E*50/E*150) 를 구하였다.
먼저, 접착제 조성물을, 이형제가 부착된 PET 필름 상에 도포하고, 대기압하의 오븐에 의해, 50 ℃ 에서 60 분간, 이어서 150 ℃ 에서 60 분간, 가열하여 시험편을 형성하였다 (두께 500 ㎛). 그 후, PET 필름으로부터 떼어낸 시험편 (사이즈 2 ㎝ × 0.5 ㎝, 두께 500 ㎛) 의 복소 탄성률을, 상기의 동적 점탄성 측정 장치를 사용하여 측정하였다.
측정 조건을, 주파수 1 ㎐ 의 인장 조건에 있어서, 개시 온도 25 ℃ 에서 300 ℃ 까지, 승온 속도 5 ℃/분으로 승온하는 조건으로 하였다.
도 9 는, 각 예의 접착제 조성물을 사용하여 형성한 시험편 (접착층) 에 대한, 온도에 대한 복소 탄성률의 거동을 나타내는 그래프이다.
비교예 1, 2 의 접착제 조성물에 대해서, 150 ℃ 에서의 인장의 조건으로는 시험편이 끊어졌기 때문에, 측정 불가였다. 실시예 1 ∼ 5 의 접착제 조성물을 사용한 경우에서는, 동일 온도에 있어서, 비교예 1, 2 의 접착제 조성물을 사용한 경우에 비해, 높은 복소 탄성률을 나타내고, 게다가, 보다 고온측까지 측정 가능하였다.
≪유리 전이 온도 (Tg) 의 측정≫
상기와 동일하게 하여 각 예의 접착제 조성물을 사용하여 형성한 시험편 (접착층) 에 대해서, 동적 점탄성 측정 장치 Rheogel-E4000 (UBM 주식회사 제조) 을 사용하여, 주파수 1 ㎐ 의 조건으로, 5 ℃/분의 승온 속도로, 25 ℃ 에서 300 ℃ 까지 온도를 상승시킴으로써 측정한 점탄성의 변화에 기초하여, 유리 전이 온도를 구하였다.
≪내약품성≫
각 예의 접착제 조성물을, 유리 기판에 도포하고, 건조시켜, 두께 50 ㎛ 의 접착층을 형성하였다. 이어서, 이 접착층이 형성된 유리 기판을, N-메틸-2-피롤리돈 (NMP) 에 70 ℃, 10 분간 침지하였다. 이 후, 침지 전후의 막두께 변화의 비율 (팽윤도) 을 구하고, 하기의 평가 기준에 따라서, 내약품성을 평가하였다.
평가 기준
○：이러한 막두께 변화의 비율이 20 ％ 미만이었다.
×：이러한 막두께 변화의 비율이 20 ％ 이상이었다.
각 예의 접착제 조성물을 사용하여, 이하와 같이 하여 적층체, 전자 부품을 제조하였다.
[접착층 형성 공정]
유리 지지 기체 (사이즈 10 ㎝ × 10 ㎝, 두께 700 ㎛) 상에, 유량 400 sccm, 압력 700 mTorr, 고주파 전력 2500 W 및 성막 온도 240 ℃ 의 조건 아래, 반응 가스로서 C4F8 을 사용한 CVD 법에 의해, 분리층인 플루오로카본막 (두께 1 ㎛) 을 형성하여 지지체를 제조하였다.
이어서, 각 예의 접착제 조성물을 각각, 유리 지지 기체에 형성된 분리층 상에, 스핀 코트법에 의해 1500 rpm 으로 회전시키면서 도포하였다.
이어서, 각 예의 접착제 조성물을 도포한 지지체를 각각, 160 ℃ 에서 4 분간, 예비 가열함으로써, 두께 5 ㎛ 의 접착층을 형성하였다.
[디바이스층 형성 공정]
상기 서술한 바와 같이 형성한 접착층 상에, 봉지 기판 (디바이스층) 을 배치하고, 이어서, 10 ㎩ 보다 저압의 감압 조건 아래, 첩부 장치를 사용하여, 215 ℃ 로 가열한 압압용 (押壓用) 플레이트 (300 ㎜ φ) 로 압압하여, 4 톤의 힘을 가하면서, 3 분간 압축하여 적층체를 얻었다.
[분리 공정]
상기 디바이스층 형성 공정에서 얻어진 적층체에 대하여, 유리 지지 기체측으로부터 분리층 (플루오로카본막) 을 향하여, 파장 532 ㎚ 의 레이저 광을 조사하였다. 이에 따라, 당해 분리층을 변질시켜, 상기 적층체가 구비하는 상기 기판 (베어 칩) 으로부터 상기 유리 지지 기체를 분리하고, 접착층이 노출된 봉지 기판을 얻었다.
[제거 공정]
이어서, 얻어진 봉지 기판에 대하여, 세정액으로서 p-멘탄을 사용하여 스프레이 세정을 5 분간 실시하고, 봉지 기판에 부착하는 접착층을 제거하여 전자 부품을 얻었다.
≪세정 제거성≫
상기의 제거 공정에 있어서, 이하에 나타내는 평가 기준에 따라서, 세정 제거성을 평가하였다.
평가 기준
○：스프레이 세정 후, 봉지 기판에 접착층의 잔류물이 전혀 보이지 않은 경우
×：스프레이 세정 후, 봉지 기판에 접착층의 잔류물이 보인 경우
Figure pat00010
표 2 에 나타내는 결과로부터, 실시예 1 ∼ 5 의 접착제 조성물은, 비교예 1 ∼ 2 의 접착제 조성물에 비해, 탄성률 및 유리 전이 온도가 모두 높은 결과였다. 이로부터, 본 발명을 적용한 실시예 1 ∼ 5 의 접착제 조성물은, 내열성 및 내약품성이 보다 높아져, 고온 처리 및 약액 처리의 영향을 잘 받지 않는 접착층을 형성할 수 있는 것이 확인되었다.
1：지지 기체
2：분리층
3：접착층
4：기판
5：봉지재층
6：배선층
50：전자 부품
100：적층체
200：적층체
300：적층체
400：적층체

Claims (16)

  1. 하기 일반식 (u1-1) 로 나타내는 구성 단위 (u1) 을 갖는 엘라스토머를 함유하는, 접착제 조성물.
    [화학식 1]
    Figure pat00011

    [일반식 (u1-1) 중, Rα1 은, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 수소 원자를 나타낸다. R01 은, 지환식기를 포함하는 기를 나타낸다. R02 는, 할로겐 원자, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬기, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 6 ∼ 12 의 아릴기, 시아노기, 니트로기, 수산기, 카르복실기, -OR 로 나타내는 기 및 -COOR 로 나타내는 기 (단, R 은, 탄소수 1 ∼ 8 의 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬기이다.) 로 이루어지는 군에서 선택되는, R01 에 해당하지 않는 기이다. m 은 1 ∼ 5 의 자연수이고, n1 은 0 이상의 정수이다. 단, m 과 n1 의 합은 5 를 초과하는 경우는 없다.]
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 엘라스토머는, 추가로, 하기 일반식 (u2-1) 로 나타내는 구성 단위 (u2) 를 갖는, 접착제 조성물.
    [화학식 2]
    Figure pat00012

    [일반식 (u2-1) 중, Rα2 는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기 또는 수소 원자를 나타낸다. R03 은, 할로겐 원자, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬기, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 6 ∼ 12 의 아릴기, 시아노기, 니트로기, 수산기, 카르복실기, -OR 로 나타내는 기 및 -COOR 로 나타내는 기 (단, R 은, 탄소수 1 ∼ 8 의 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 알킬기이다.) 로 이루어지는 군에서 선택되는 기이며, 상기 R01 에 해당하지 않는 기이다. n2 는 0 이상 5 이하의 정수이다.]
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 엘라스토머가 갖는 상기 구성 단위 (u1) 과 상기 구성 단위 (u2) 의 몰비는, 구성 단위 (u1)/구성 단위 (u2) = 0.2 ∼ 5 인, 접착제 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 엘라스토머가 갖는 구성 단위 (u1) 의 비율은, 상기 엘라스토머를 구성하는 전체 구성 단위 (100 몰％) 에 대하여 1 ∼ 40 몰％ 인, 접착제 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 일반식 (u1-1) 중의 R01 은, 가교 탄소 고리형기를 포함하는 기인, 접착제 조성물.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 가교 탄소 고리형기에 있어서의 가교 탄소 부위가, 상기 일반식 (u1-1) 중의 벤젠 고리를 구성하는 탄소와 직접 결합하는, 접착제 조성물.
  7. 제 1 항에 있어서,
    지지체, 접착층 및 디바이스층이 이 순서로 적층된 적층체에 있어서의 상기 접착층을 형성하기 위해서 사용되는, 접착제 조성물.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 디바이스층은, 금속 또는 반도체에 의해 구성되는 부재와, 상기 부재를 봉지 (封止) 또는 절연하는 수지의 복합체인, 접착제 조성물.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 접착제 조성물을 도포하고, 건조시킴으로써 시험편을 얻었을 때에, 당해 시험편의 유리 전이 온도 (Tg) 가, 100 ℃ 이상이 되는, 접착제 조성물.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 접착제 조성물을 도포하고, 건조시킴으로써, 두께 500 ㎛ 의 시험편을 제조하고, 개시 온도：25 ℃, 승온 속도：5 ℃/min, 주파수：1 ㎐ 의 조건에서의 동적 점탄성 측정에 제공했을 때에, 당해 시험편의 150 ℃ 에 있어서의 복소 탄성률 E*150 이, 0.1 ㎫ 이상이 되는, 접착제 조성물.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 접착제 조성물을 도포하고, 건조시킴으로써, 두께 500 ㎛ 의 시험편을 제조하고, 개시 온도：25 ℃, 승온 속도：5 ℃/min, 주파수：1 ㎐ 의 조건에서의 동적 점탄성 측정에 제공했을 때에, 당해 시험편의 50 ℃ 에 있어서의 복소 탄성률 E*50 이, 30 ㎫ 이상이 되는, 접착제 조성물.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 조건으로 동적 점탄성 측정을 실시했을 때의, 50 ℃ 에 있어서의 복소 탄성률 E*50 과, 150 ℃ 에 있어서의 복소 탄성률 E*150 의 비 (E*50/E*150) 가, 5000 이하가 되는, 접착제 조성물.
  13. 지지체, 접착층 및 디바이스층이 이 순서로 적층된 적층체로서,
    상기 접착층은, 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 기재된 접착제 조성물의 건조체인, 적층체.
  14. 지지체, 접착층 및 디바이스층이 이 순서로 적층된 적층체의 제조 방법으로서,
    상기 지지체 상에, 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 기재된 접착제 조성물을 사용하여 상기 접착층을 형성하는 접착층 형성 공정과,
    금속 또는 반도체에 의해 구성되는 부재와, 상기 부재를 봉지 또는 절연하는 수지, 의 복합체인 디바이스층을, 상기 접착층 상에 형성하는 디바이스층 형성 공정,
    을 갖는, 적층체의 제조 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 지지체가, 지지 기체 및 광의 조사에 의해 변질되는 분리층으로 구성 되어 있고,
    상기 접착층 형성 공정이, 상기 분리층 상에 접착층을 형성하는 공정인, 적층체의 제조 방법.
  16. 제 15 항에 기재된 적층체의 제조 방법에 의해 적층체를 얻은 후,
    상기 지지 기체를 통해서 상기 분리층에 광을 조사하여, 상기 분리층을 변질시킴으로써, 상기 디바이스층으로부터 상기 지지 기체를 분리하는 분리 공정과,
    상기 분리 공정 후, 상기 디바이스층에 부착하는 상기 접착층 및 상기 분리층을 제거하는 제거 공정,
    을 갖는, 전자 부품의 제조 방법.
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