TWI841608B - 電子零件之製造方法，及套組 - Google Patents

Abstract

本發明之課題為提供可減低殘存於基板或電子裝置之分離層及接著層的殘渣之電子零件之製造方法，及用於該方法的套組。 其解決手段為一種電子零件之製造方法，其具有：隔著前述支撐基體，對依序層合有使光透過之支撐基體、藉由光照射而變質之分離層、接著層，與基板或電子裝置之層合體中之前述分離層照射光，使前述分離層變質，藉以使前述基板或電子裝置自前述支撐基體分離之分離步驟；於前述分離步驟之後，使用第1溶劑，使附著於前述基板或電子裝置之接著層膨潤之膨潤步驟；與於前述膨潤步驟之後，使用第2溶劑，溶解前述經膨潤之接著層，以去除前述接著層之去除步驟。

Description

電子零件之製造方法，及套組

本發明係關於電子零件之製造方法，及套組。

於包含半導體元件之半導體封裝(電子零件)，依所對應尺寸，存在有各種形態，例如係有WLP (Wafer Level Package)、PLP(Panel Level Package)等。 半導體封裝之技術，可列舉扇入型技術、扇出型技術。以扇入型技術所為之半導體封裝，已知有將位於裸晶(bare chip)端部之端子於晶片區域內進行再配置的扇入型WLP(Fan-in Wafer Level Package)等。以扇出型技術所為之半導體封裝，已知有將該端子於晶片區域外進行再配置的扇出型WLP(Fan-out Wafer Level Package)等。

近年來，特別是扇出型技術，作為應用於將半導體元件配置於面板上而封裝化的扇出型PLP(Fan-out Panel Level Package)等在半導體封裝中可實現更加高積體化、薄型化及小型化等之方法，而受到注目。

為了實現半導體封裝之小型化，使所組裝元件中的基板厚度變薄係重要的。但是，使基板厚度變薄時，其強度降低，製造半導體封裝時容易產生基板的破損。對此，係採用於基板貼合支撐基體而得的層合體。 專利文獻1中，揭示將光透過性之支撐基體與基板，隔著設置於支撐基體側之光熱變換層(分離層)及接著層進行貼合，將基板加工處理之後，自支撐基體側對分離層照射放射能量(光)，使分離層變質而分解，藉以使加工處理後之基板與支撐基體分離，來製造層合體之方法。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 日本特開2004-64040號公報

如專利文獻1所記載，使分離層變質，使加工處理後之基板或電子裝置自支撐基體分離之後，通常係藉由洗淨處理，自基板或電子裝置去除分離層或接著層之殘渣。但是，分離層係由硬化膜等構成時，係有無法充分進行附著於基板等之分離層殘渣的洗淨、去除之虞。於基板等殘留有分離層殘渣時，亦成為接著層洗淨、去除的妨礙，於基板等殘存有分離層或接著層之殘渣係成為問題。 本發明係有鑑於上述實情而為者，其課題為提供可減低殘存於基板或電子裝置之分離層及接著層的殘渣之電子零件之製造方法，及用於該方法的套組。

為了解決上述課題，本發明採用以下構成。

亦即，本發明之第1態樣，為一種電子零件之製造方法，其具有：對依序層合有使光透過之支撐基體、藉由光照射而變質之分離層、接著層，與基板或電子裝置之層合體中之前述分離層，隔著前述支撐基體照射光，使前述分離層變質，藉以使前述基板或電子裝置自前述支撐基體分離之分離步驟；於前述分離步驟之後，使用第1溶劑，使附著於前述基板或電子裝置之接著層膨潤之膨潤步驟；與於前述膨潤步驟之後，使用第2溶劑，溶解前述經膨潤之接著層，以去除前述接著層之去除步驟。

本發明之第2態樣，為一種套組，其係使用於前述第1態樣之電子零件之製造方法的套組，其含有使前述接著層膨潤之第1溶劑，與溶解前述接著層之第2溶劑。

依照本發明，提供可減低殘存於基板或電子裝置之分離層及接著層的殘渣之電子零件之製造方法，及用於該方法的套組。

本說明書及本申請專利範圍中，「脂肪族」係指相對於芳香族之概念，定義為意指不具芳香族性之基、化合物等者。

「烷基」，只要無特別指明，係包含直鏈狀、分支鏈狀及環狀之1價飽和烴基者。烷氧基中之烷基亦相同。

「伸烷基」，只要無特別指明，係包含直鏈狀、分支鏈狀及環狀之2價飽和烴基者。

「鹵化烷基」，為烷基之氫原子的一部分或全部被鹵素原子取代之基，該鹵素原子，可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。

「氟化烷基」或「氟化伸烷基」，係指烷基或伸烷基 之氫原子的一部分或全部被氟原子取代之基。

「構成單位」，意指構成高分子化合物(樹脂、聚合物、共聚物)之單體單位(單體單位)。

記載為「可具有取代基」或「亦可具有取代基」時，包含將氫原子(-H)以1價基取代的情況，與將亞甲基(-CH₂-)以2價基取代的情況兩者。

「曝光」，為包含全部放射線照射的概念。

「由羥基苯乙烯衍生之構成單位」，意指羥基苯乙烯之乙烯性雙鍵進行開裂所構成之構成單位。「由羥基苯乙烯衍生物所衍生之構成單位」，意指羥基苯乙烯衍生物之乙烯性雙鍵進行開裂所構成的構成單位。

「羥基苯乙烯衍生物」，為包含羥基苯乙烯之α位氫原子被烷基、鹵化烷基等其他取代基取代者，以及該等之衍生物之概念。該等之衍生物，可列舉α位氫原子可被取代基取代之羥基苯乙烯的羥基之氫原子經有機基取代者；α位氫原子可被取代基取代之羥基苯乙烯的苯環上鍵結有羥基以外之取代基者等。再者，α位(α位之碳原子)，只要無特別指明，係指鍵結有苯環之碳原子。

取代羥基苯乙烯之α位氫原子的取代基，可列舉與前述α取代丙烯酸酯中，作為α位之取代基所列舉的相同者。

作為上述α位之取代基的烷基，較佳為直鏈狀或分支鏈狀之烷基，具體而言，可列舉碳數1~5之烷基(甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基)等。

又，作為α位之取代基的鹵化烷基，具體而言，可列舉將上述「作為α位之取代基的烷基」之氫原子的一部分或全部，以鹵素原子取代之基。該鹵素原子，可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特佳為氟原子。

又，作為α位之取代基的羥基烷基，具體而言，可列舉將上述「作為α位之取代基的烷基」之氫原子的一部分或全部，以羥基取代之基。該羥基烷基中之羥基的數目，較佳為1~5、最佳為1。

本說明書及本申請專利範圍中，依化學式表示之結構不同，係有存在不對稱碳，而可存在有鏡像異構物(enantiomer)或非鏡像異構物(diastereomer)者，此時，係以一個化學式為代表，來表示該等之異構物。該等之異構物可單獨使用、亦可作為混合物來使用。

(電子零件之製造方法)

本發明之第1態樣之電子零件之製造方法，其特徵為具有：對依序層合有使光透過之支撐基體、藉由光照射而變質之分離層、接著層，與基板或電子裝置之層合體中之前述分離層，隔著前述支撐基體照射光，使前述分離層變質，藉以使前述基板或電子裝置自前述支撐基體分離之分離步驟；於前述分離步驟之後，使用第1溶劑，使附著於前述基板或電子裝置之接著層膨潤之膨潤步驟；與於前述膨潤步驟之後，使用第2溶劑，溶解前述經膨潤之接著層，以去除前述接著層之去除步驟。

圖1及圖2為說明本實施形態之電子零件之製造方法之一實施形態的概略步驟圖。 圖1為說明分離步驟的一例之圖。圖1(a)所示之層合體100，具備包含支撐基體1及分離層2的支撐體12、接著層3，以及包含基板4、密封材層5及配線層6的電子裝置456。層合體100中，支撐基體1、分離層2、接著層3，及基板4或電子裝置456，係依序層合。再者，層合體100中，電子裝置456，亦可置換為經加工處理之基板4。 圖1(a)為隔著支撐基體1對分離層2照射光之圖。圖1(b)顯示藉由光照射，使分離層2變質，成為經變質之分離層2’的狀態。圖1(c)顯示將支撐基體1自電子裝置456分離之狀態。接著層3係附著於自支撐基體1分離之電子裝置456，進一步地分離層2’之殘渣係附著而殘存。將其作為層合體200來表示。

圖2為說明膨潤步驟及去除步驟的一例之圖。圖2(a)為說明膨潤步驟的一例之圖。圖2(a)中，自噴霧器11，對分離步驟後之層合體200噴霧第1溶劑10，使第1溶劑10接觸於接著層3，使接著層3膨潤。圖2(b)為說明去除步驟的一例之圖。圖2(b)中，自噴霧器21，噴霧第2溶劑20，使第2溶劑20接觸於經膨潤之接著層3’，溶解接著層3’，將分離層2’之殘渣與接著層3’一起去除。圖2(c)顯示經去除分離層2’及接著層3’之電子裝置456。

[分離步驟] 分離步驟，係自依序層合有使光透過之支撐基體、藉由光照射而變質之分離層、接著層，與基板或電子裝置之層合體，隔著前述支撐基體照射光，使前述分離層變質，藉以將前述基板或電子裝置自前述支撐基體分離之步驟。

圖1(a)所示之分離層2，係由藉由光照射而會變質的材料所構成，且配置於支撐基體1與接著層3之間。支撐基體1，係由使光透過之材料所構成。因此，如圖1(a)所示，藉由隔著支撐基體1對分離層2照射光(箭頭)，可使分離層2變質。

本說明書中，分離層「變質」，意指使成為分離層可受到少許外力即被破壞的狀態，或分離層與鄰接層之接著力降低的狀態之現象。又，分離層之變質，可為所吸收之光的能量所致的(發熱性或非發熱性之)分解、交聯、立體配置之變化或官能基之解離(然後伴隨此等之分離層硬化、脫氣、收縮或膨脹)等。

如此地，藉由使分離層2變質，成為經變質之分離層2’，可降低分離層2之接著力(圖1之(b))。因此，可藉由對層合體100施加少許的力，即自層合體100使支撐基體1分離(圖1之(c))。

可使分離層2變質之波長，例如可列舉600nm以下之範圍。 所照射之光的種類及波長，可依支撐基體1之透過性，及分離層2之材質適當選擇，例如可使用YAG雷射、紅寶石雷射、玻璃雷射、YVO₄ 雷射、LD雷射、光纖雷射等之固體雷射、色素雷射等之液體雷射、CO₂ 雷射、準分子雷射、Ar雷射、He-Ne雷射等之氣體雷射、半導體雷射、自由電子雷射等之雷射光、非雷射光。藉此，可使分離層2變質，使支撐基體1與基板4或電子裝置456成為可容易分離的狀態。

照射雷射光時，雷射光照射條件之一例，可列舉以下之條件。 雷射光之平均輸出值，較佳為1.0W以上且5.0W以下、更佳為3.0W以上且4.0W以下。雷射光之重複頻率，較佳為20kHz以上且60kHz以下、更佳為30kHz以上且50kHz以下。雷射光之掃描速度，較佳為100mm/s以上且10000mm/s以下。

又，脈衝光之射束點直徑(beam spot diameter)及脈衝光之照射節距(pitch)，只要鄰接的射束點不重疊，且可使分離層2變質之節距即可。

對分離層2照射光(箭頭)使分離層2變質後，如圖1(c)所示，自基板4或電子裝置456使支撐基體1分離。 例如，藉由於支撐基體1與基板4或電子裝置456互相遠離的方向施加力，將支撐基體1與基板4或電子裝置456分離。具體而言，可藉由於將支撐基體1或基板4或電子裝置456側之一方固定於載台之狀態，將另一方以具備波紋管墊等之吸附墊的分離板一邊吸附保持一邊拉起，使支撐基體1與基板4或電子裝置456分離。 對層合體100所施加的力，只要依層合體100之大小等適當調整即可，並無限定，例如，若為直徑300mm左右之層合體，可藉由施加0.1~5kgf(0.98~49N)左右之力，將支撐基體1與基板4或電子裝置456適合地分離。

如圖1(c)所示，於與支撐基體1分離的基板4或電子裝置456上，係附著有接著層3，進而殘留有分離層2’之殘渣。

[膨潤步驟] 膨潤步驟，為於前述分離步驟之後，使用第1溶劑，使附著於前述基板或電子裝置之接著層膨潤之步驟。

如圖2之(a)所示，膨潤步驟中，藉由將接著層3以第1溶劑進行處理，使接著層3膨潤。本說明書中，接著層「膨潤」，意指藉由使溶劑浸潤於接著層內，使接著層之體積增加的現象。藉由使接著層接觸於具有使接著層膨潤之作用的溶劑，該溶劑浸潤於接著層內，接著層之體積增加所浸潤之該溶劑的體積量。亦即，接著層膨潤。

＜第1溶劑＞ 本步驟所用之第1溶劑，為具有使接著層膨潤之作用的溶劑。第1溶劑可依接著層之組成來適當選擇。前述接著層係使用後述接著劑組成物來形成。該接著劑組成物，只要係可接著由支撐基體及分離層所構成之支撐體，與基板或電子裝置者，則無特殊限定，較佳含有至少1種樹脂。

該第1溶劑，例如可列舉滿足以下(a)~(c)之任1者以上之溶劑。 (a)極性高於後述之第2溶劑。 (b)其漢森溶解度參數，與前述樹脂之漢森溶解度參數的相互作用間距離Ra(MPa^1/2 )之值，滿足5≦Ra≦10。 (c)滿足下述式(v1)。

[上述式中，V_ad1 表示浸漬於第1溶劑之前的接著層體積，V_ad2 表示浸漬於第1溶劑之後的接著層體積]。

≪關於(a)≫ 第1溶劑，較佳為極性高於後述第2溶劑。該溶劑之極性，例如能夠以LogP值為指標。 「LogP值」，係指辛醇/水分配係數(Pow)之對數值。「LogP值」，為對廣範圍之化合物，可賦予其親水性/疏水性特徵之有效的參數。LogP值，一般而言，不由實驗，而是藉由計算來求得分配係數，例如表示藉由CAChe Work System Pro Version 6.1.12.33所計算之值。 LogP值意指以0為中心，朝向正側增大時疏水性增加，於負側絕對值增大時水溶性增加(為高極性)。LogP值，與有機化合物之水溶性有負相關，作為估計有機化合物之親疏水性的參數而廣為被利用。

亦即，第1溶劑之LogP值，較佳低於第2溶劑之LogP值。 第1溶劑之LogP值，可依接著層中所含有的樹脂而變動，例如，LogP值可列舉3以下。第1溶劑之LogP值之範圍，例如可列舉-1以上3以下、0以上3以下，或0以上2以下等。

≪關於(b)≫ 又，第1溶劑，例如可列舉其漢森溶解度參數，與前述樹脂之漢森溶解度參數的相互作用間距離Ra(MPa^1/2 )之值，滿足5≦Ra≦10之溶劑。 漢森溶解度參數，例如可由Charles M.Hansen所著之「Hansen Solubility Parameters：A User’s Handbook」, CRC Press(2007)及Allan F. M. Barton(1999)編集之「The CRC Handbook and Solubility Parameters and Cohesion Parameters,」(1999)中，基於由Charles Hansen所說明之溶解度參數及凝集特性的特定參數所算出。

漢森溶解度參數，係作為數值常數而理論性地計算，其係預測溶劑材料溶解特定溶質之能力的有用工具。 漢森溶解度參數，可藉由組合實驗性及理論性地推導的下述3個漢森溶解度參數(亦即δD、δP及δH)，來作為材料全體的強度及選擇性的尺度。漢森溶解度參數之單位，係給定為MPa^1/2 或(J/cc)^1/2 。 ･δD：源自分子間之分散力之能量。 ･δP：源自分子間之極性力之能量。 ･δH：源自分子間之氫鍵力之能量。

將此等之3個參數(亦即δD、δP及δH)，作為關於亦已知為漢森空間之3次元內的點之座標，來進行作圖。 於該3次元空間(漢森空間)內，2種分子越加接近，顯示互相溶解的可能性越高。為了評估於漢森空間內，2種分子(分子(1)及(2))是否接近，係求出漢森溶解度參數間之相互作用間距離(Ra)。Ra係藉由以下之式來計算。

[上述式中， δ_d1 、δ_p1 ，及δ_h1 ，分別表示分子(1)之δD、δP，及δH。 δ_d2 、δ_p2 ，及δ_h2 ，分別表示分子(2)之δD、δP，及δH]。

亦即，第1溶劑之漢森溶解度參數，與接著層中所含有的樹脂之漢森溶解度參數的相互間距離Ra，可藉由以下之式計算。

[上述式中， δ_dS 、δ_pS ，及δ_hS ，分別表示第1溶劑之δD、δP，及δH。 δ_dp 、δ_pp ，及δ_hp ，分別表示接著層中所含有的樹脂之δD、δP，及δH]。

第1溶劑及接著層中所含有的樹脂之漢森溶解度參數，可藉由來自「Molecular Modeling Pro」軟體, version 5.1.9(ChemSW, Fairfield CA,www. chemsw. com)、Dynacomp Software之Hansen Solubility，或Hansen Solubility Parameter in Practice(HSPiP；Charles M. Hansen )等來計算。 接著層中所含有的樹脂為混合有複數種樹脂之混合樹脂時，漢森溶解度參數，亦可作為該混合樹脂之漢森溶解度參數來算出。混合樹脂之漢森溶解度參數，例如可藉由以接著層中所含有的各樹脂之莫耳比、構成各樹脂之構成單位的種類，及各樹脂中之各構成單位的莫耳比為輸入數據，使用Hansen Solubility Parameter in Practice(HSPiP；Charles M. Hansen)進行計算來算出。 又，使用混合溶劑作為第1溶劑時，漢森溶解度參數，亦可作為該混合溶劑之漢森溶解度參數來算出。混合溶劑之漢森溶解度參數，例如可藉由以各溶劑之種類及混合比(莫耳比)為輸入數據，使用Hansen Solubility Parameter in Practice(HSPiP；Charles M. Hansen)進行計算來算出。 相互作用間距離Ra，亦可使用上述例示之軟體來算出。

≪關於(c)≫ 又，第1溶劑，例如可列舉滿足下述式(v1)之溶劑。

[上述式中，V_ad1 表示浸漬於第1溶劑之前的接著層體積，V_ad2 表示浸漬於第1溶劑之後的接著層體積]。

滿足上述式(v1)之溶劑，為於該溶劑中浸漬接著層時，相對於該浸漬前之接著層體積V_ad1 而言，該浸漬後之接著層體積V_ad2 增加1%以上之溶劑。上述式(v1)中，V_ad2 /V_ad1 較佳為1.02以上、更佳為1.03以上。V_ad2 /V_ad1 之上限值並無特殊限制，例如為1.75以下。

溶劑是否滿足上述式(v1)，例如可藉由於玻璃板或矽晶圓等之適當的基體上形成接著層，將前述接著層浸漬於溶劑，且將該浸漬後之接著層體積V_ad2 與該浸漬前之接著層體積V_ad1 比較來確認。接著層體積V_ad1 、V_ad2 ，例如可藉著由以TalySurf CCI系列(TAYLOR HOBSON公司製)等之3次元表面性狀測定機3次元地進行測定之結果進行計算來求得。又，接著層體積V_ad1 、V_ad2 ，亦可由以光學系膜厚測定器測定之結果進行計算。

第1溶劑，較佳為滿足上述(a)~(c)之任1者以上者、更佳為滿足上述(a)~(c)之任2者以上者、又更佳為滿足上述(a)~(c)之全部者。

第1溶劑之具體例子，可列舉含極性基之溶劑，例如可列舉酯系溶劑、醚系溶劑，及酮系溶劑等。 酯系溶劑之具體例子，例如可列舉乳酸甲酯、乳酸乙酯(EL)、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸甲氧基丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)等。 醚系溶劑之具體例子，例如可列舉四氫呋喃、環戊基甲基醚、t-丁基甲基醚、苯甲醚、乙基苄基醚、甲苯酚基甲基醚、二苯基醚、二苄基醚、乙基苯基醚、丁基苯基醚、丙二醇單甲基醚(PGME)等。 酮系溶劑之具體例子，例如可列舉丙酮、甲基乙基酮、環己酮(CH)、甲基-n-戊基酮、甲基異戊基酮、2-庚酮、N-甲基吡咯啶酮、環戊酮、環庚酮等。

第1溶劑，可1種單獨使用、亦可為2種以上之混合溶劑。混合溶劑例如可列舉酯系溶劑及醚系溶劑之混合溶劑、醚系溶劑及酮系溶劑之混合溶劑、酯系溶劑及酮系溶劑之混合溶劑等。

･任意成分 第1溶劑，亦可適當添加添加劑等之任意成分。任意成分並無特殊限定，例如可列舉界面活性劑。

第1溶劑含有界面活性劑時，界面活性劑，可列舉非離子性界面活性劑及矽系界面活性劑。 非離子系界面活性劑，例如可列舉乙炔二醇系界面活性劑、聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯烷基苯基醚、聚氧乙烯烷酯、聚氧乙烯山梨醇酐脂肪酸酯等。其中尤以乙炔二醇系界面活性劑及聚氧乙烯烷基醚更佳。 乙炔二醇系界面活性劑，可作為市售品獲得，例如可列舉Air Products and Chemicals公司(美國)製之Surfynol系列。具體而言，可列舉Surfynol 104E、Surfynol 420、Surfynol 440、Surfynol 465、Surfynol 485等。

聚氧乙烯烷基醚，可作為市售品獲得，例如可列舉第一工業製藥股份有限公司製之Noigen系列、日本觸媒股份有限公司製之Softanol系列，及青木油脂工業股份有限公司製之Finesurf系列等。具體而言，可列舉Noigen XL-40、Noigen XL-80、Noigen TDS-50、Noigen TDS-70、Softanol 30、Softanol 50、Softanol 70、Softanol 90、Finesurf TD-70、Finesurf TD-75、Finesurf TD-80等。

矽系界面活性劑，例如可列舉聚醚改質聚二甲基矽氧烷、聚酯改質聚二甲基矽氧烷，及芳烷基改質聚甲基烷基矽氧烷等。 矽系界面活性劑，可作為市售品獲得，例如可列舉BYK-Chemie Japan股份有限公司製之BYK-331、BYK-310，及BYK-322等。

第1溶劑含有界面活性劑時，界面活性劑可為1種、亦可為2種以上。 第1溶劑含有界面活性劑時，界面活性劑之合計比例，較佳於0.1質量%以上且10質量%以下之範圍內添加、更佳於0.1質量%以上且5質量%以下之範圍內添加。界面活性劑之添加量若為0.1質量%以上且10質量%以下之範圍內，可於溶劑中適合地溶解界面活性劑。

本步驟中，使用第1溶劑使接著層膨潤之方法，只要可使第1溶劑接觸於接著層，其方法並無特殊限定，可應用一般用於接著層之溶解等的方法。例如圖2(a)之例子中，藉由以噴霧器11噴霧第1溶劑10，使第1溶劑10接觸於接著層3。噴霧器11，典型而言可列舉流體噴霧噴嘴。 又，亦可藉由於第1溶劑中浸漬接著層所附著之基板或電子裝置，使接著層接觸於第1溶劑。或亦可隔著殘存之分離層的殘渣於接著層上布滿第1溶劑，使接著層接觸於第1溶劑。 圖2(a)之例子中，於接著層3上殘留有經變質之分離層2’，藉由對接著層3噴霧第1溶劑10，或藉由將層合體200浸漬於第1溶劑中，第1溶劑10，係通過經變質之分離層2’，而接觸於接著層3。藉此，第1溶劑10浸潤於接著層3，使接著層3膨潤。

本實施形態之電子零件之製造方法中，藉由本步驟，藉由使接著層膨潤，於後述之去除步驟中，分離層的殘渣及接著層之洗淨性提高，於去除步驟後可減低殘存於基板或電子裝置之分離層或接著層的殘渣。

本步驟中，亦可使用第1溶劑使接著層3膨潤後，以噴霧器11等噴霧第1溶劑，藉以將殘留於接著層3之分離層2’的殘渣洗去。由於藉由第1溶劑使接著層3膨潤，因此可藉由第1溶劑之噴霧，容易地去除分離層2’。藉由以第1溶劑洗去分離層之殘渣，可效率良好地進行後述去除步驟中的接著層之去除。

[去除步驟] 去除步驟，係於前述膨潤步驟之後，使用第2溶劑，溶解前述經膨潤之接著層，去除前述接著層之步驟。

如圖2之(b)所示，去除步驟中，係藉由將經前述膨潤步驟膨潤之接著層3’以第2溶劑處理，溶解接著層3’並變質，一併去除分離層2’的殘渣與接著層3’。藉由前述膨潤步驟，接著層3係膨潤，成為經膨潤之接著層3’，因此本步驟中，伴隨接著層3’之溶解，亦可去除分離層2’的殘渣。

＜第2溶劑＞ 本步驟所用之第2溶劑，為具有溶解接著層之作用的溶劑。第2溶劑只要係可溶解接著層者則並無特殊限定，可依接著層之組成來適宜選擇。 該第2溶劑，例如可列舉其漢森溶解度參數，與接著層中所含有的樹脂之漢森溶解度參數的相互作用間距離Ra(MPa^1/2 )之值未達5之溶劑等。第2溶劑較佳為極性低於前述第1溶劑者。

第2溶劑之具體例子，可列舉烴系溶劑。烴系溶劑可為脂肪族烴系溶劑、亦可為芳香族烴系溶劑。 脂肪族烴系溶劑可列舉烷系之烴溶劑。烷系之烴系溶劑，可為直鏈狀、分支鏈狀，及環狀之任意者。直鏈狀或分支鏈狀烷之烴系溶劑，例如可列舉碳數4~20之直鏈狀或分支鏈狀烷，例如可列舉丁烷、戊烷、2-甲基丁烷、3-甲基戊烷、己烷、2,2-二甲基丁烷、2,3-二甲基丁烷、庚烷、辛烷、2,2,4-三甲基戊烷、2,2,3-三甲基己烷、壬烷、異壬烷、甲基辛烷、癸烷、十一烷、十二烷、2,2,4,6,6-五甲基庚烷、十三烷、十五烷、十四烷、十六烷等。環狀烷之烴系溶劑，例如可列舉碳數4~20之環狀烷，例如可列舉環戊烷、環己烷、甲基環己烷、乙基環己烷、環庚烷、環辛烷等之單環烷；十氫萘等之雙環烷等。 此等之中，烷系之烴系溶劑，尤以乙基環己烷及十氫萘為佳。 又，脂肪族烴系溶劑，亦可列舉萜烯系之烴溶劑。萜烯系之烴溶劑，例如可列舉D-檸檬烯、P-薄荷烷等。 芳香族烴系溶劑，例如可列舉苯、萘、四氫萘等。 又，烴系溶劑，較佳為例如藉由蒸餾等來去除較烴系溶劑之沸點更高沸點之雜質。藉此，藉由洗淨來去除接著劑時，可防止烴系溶劑所含有的高沸點之雜質作為殘渣殘留於基板。

･任意成分 第2溶劑，亦可適當添加添加劑等之任意成分。任意成分並無特殊限定，例如可列舉界面活性劑。界面活性劑可列舉與作為前述第1溶劑所列舉的相同者。界面活性劑之含量，亦可列舉與前述第1溶劑所列舉的含量相同之含量。

本步驟中，使用第2溶劑溶解接著層之方法，只要可使第2溶劑接觸於接著層，其方法並無特殊限定，可應用一般用於接著層之溶解等的方法。例如，圖2(b)之例子中，藉由以噴霧器21噴霧第2溶劑20，使第2溶劑20接觸於接著層3’。噴霧器21，典型而言可列舉流體噴霧噴嘴。藉由將第2溶劑以噴霧器21噴霧，可將第2溶劑20壓抵於接著層3’。藉此，可將附著於基板4或電子裝置456之接著層3及分離層2’的殘渣洗去，可適合地洗淨基板4或電子裝置456。 又，亦可藉由於第2溶劑中浸漬接著層所附著之基板或電子裝置，使接著層接觸於第2溶劑，溶解接著層。或亦可藉由於接著層上布滿第2溶劑，使接著層接觸於第2溶劑。

藉由前述膨潤步驟所膨潤之接著層3’，可藉由本步驟而容易地去除。又，伴隨接著層3’之溶解，亦可同時去除附著於基板4或電子裝置456之分離層2’。因此，可得到接著層及分離層的殘渣少之良好狀態的電子零件50。

本實施形態之電子零件之製造方法，於上述去除步驟之後，亦可進一步地對電子零件50進行焊球形成、切割，或氧化膜形成等之處理。

依照本實施形態之電子零件之製造方法，膨潤步驟中，係使附著於基板或電子裝置之接著層膨潤後，於去除步驟中，溶解經膨潤之接著層。此時，亦可有效率地一併去除接著層與分離層的殘渣。因此，相較於不具有膨潤步驟之以往的洗淨方法，可減低附著於基板或電子裝置之接著層及分離層的殘渣。藉此，可得到良好狀態的電子零件。

[層合體之各構成] 參照圖1(a)之層合體100說明用於本實施形態之製造方法的依序層合有使光透過之支撐基體、藉由光照射而變質之分離層、接著層，與基板或電子裝置之層合體的構成例子。

＜支撐體＞ 支撐體為支撐基板之構件，基板或電子裝置係隔著接著層而固定於支撐體上。支撐體係由支撐基體及分離層構成。例如，圖1(a)所示之層合體100，具備包含支撐基體1，與設置於支撐基體1上之分離層2的支撐體12。

≪支撐基體≫ 支撐基體具有使光透過之特性，其係支撐基板或電子裝置之構件。如圖1(a)所示，支撐基體，係隔著分離層及接著層，被貼合於基板。作為支撐基體，較佳為於裝置之薄化、基板之搬送、對基板之構裝等時，具有防止基板之破損或變形所必要的強度。又，支撐基體，較佳為使可將分離層變質之波長的光透過者。 支撐基體之材料，例如可使用玻璃、矽、丙烯酸系樹脂等。支撐基體之形狀，例如可列舉矩形、圓形等，但不限定於此。 又，為了進一步的高密度積體化或生產效率的提高，作為支撐基體，亦可使用將圓形的支撐基體之尺寸大型化者、於俯視之形狀為四角形的大型面板。

支撐基體，亦可為於含有如前述之材料的基體上具有塗覆層等者。前述塗覆層可為單層、亦可為複數層。塗覆層例如可列舉含有硬化樹脂之層(硬化膜)。前述硬化樹脂例如可列舉環氧樹脂、丙烯酸樹脂、烴系單體及丙烯酸單體之共聚物等，但不限定於此等。前述塗覆層，例如可配置於支撐基體與分離層之間。

≪分離層≫ 分離層為鄰接於接著層，藉由光照射而變質，而可自貼合於支撐體之基板或電子裝置分離支撐基體之層。 分離層可使用後述分離層形成用組成物來形成，例如，藉由使分離層形成用組成物所含有的成分熱硬化或光硬化，或藉由化學氣相堆積(CVD)法而形成。 本實施形態之電子零件之製造方法中，藉由包含上述膨潤步驟，即使對以往之洗淨方法難以去除的包含硬化膜之分離層，亦顯示良好的洗淨性。因此，本實施形態之方法，可對分離層為熱硬化膜或光硬化膜之層合體適合地應用。

分離層係藉由吸收透過支撐基體所照射之光而適合地變質。 分離層較佳為僅由吸收光之材料所形成，但在不損及本發明中之本質性特性的範圍內，亦可為經摻合不具有吸收光之結構的材料之層。

分離層之厚度，例如較佳為0.05μm以上且50μm以下之範圍內、更佳為0.3μm以上且1μm以下之範圍內。分離層之厚度若為0.05μm以上且50μm以下之範圍內，則可藉由短時間之光照射及低能量之光照射，使分離層產生所期望之變質。又，分離層之厚度，就生產性之觀點，特佳為1μm以下之範圍內。

分離層較佳係鄰接於接著層之側的面為平坦(未形成凹凸)，藉此，可容易地進行接著層之形成，且變得容易將基板或電子裝置與支撐基體均勻地貼附。

[分離層形成用組成物] 用以形成分離層之材料即分離層形成用組成物，例如可列舉具有酚骨架之樹脂成分、具有包含具有光吸收性之結構的重複單位之聚合物、氟碳、無機物、具有紅外線吸收性之結構的化合物、紅外線吸收物質、反應性聚倍半矽氧烷，或含有其者。 又，分離層形成用組成物，亦可含有填料、可塑劑、熱酸產生劑成分、光酸產生劑成分、有機溶劑成分、界面活性劑、增感劑，或可提高支撐基體之分離性的成分等，作為任意成分。

･具有酚骨架之樹脂成分 分離層亦可含有具有酚骨架之樹脂成分。藉由具有酚骨架，容易藉由加熱等而變質(氧化等)，光反應性提高。 此處所稱的「具有酚骨架」，意指包含羥基苯結構。 具有酚骨架之樹脂成分，具有膜形成能力，較佳為分子量1000以上。藉由使該樹脂成分之分子量為1000以上，膜形成能力會提高。該樹脂成分之分子量，更佳為1000~ 30000、又更佳為1500~20000、特佳為2000~15000。該樹脂成分之分子量，藉由為前述較佳範圍之上限值以下，分離層形成用組成物對溶劑之溶解性提高。 再者，樹脂成分之分子量，係使用以GPC(凝膠滲透層析)所得之聚苯乙烯換算之重量平均分子量(Mw)。

具有酚骨架之樹脂成分，例如可列舉酚醛清漆型酚樹脂、甲階酚醛型酚樹脂、羥基苯乙烯樹脂、羥基苯基倍半矽氧烷樹脂、羥基苄基倍半矽氧烷樹脂、含有酚骨架之丙烯酸樹脂、具有下述通式(P2)表示之重複單位的樹脂(以下稱「樹脂(P2)」)等。此等之中尤以酚醛清漆型酚樹脂、甲階酚醛型酚樹脂、樹脂(P2)等更佳。

[式中，L^p1 為2價連結基。R^P 為(n_P0 +1)價之芳香族烴基。n_P0 為1~3之整數]。

前述式(P2)中，L^p1 為2價連結基，較佳為包含雜原子之2價連結基。由於會賦予所期望之特性，L^p1 可列舉經導入各種骨架之連結基。 前述式(P2)中，R^P 為(n_P0 +1)價之芳香族烴基。 R^P 中之芳香族烴基，可列舉自芳香環去除(n_P0 +1)個氫原子之基。此處之芳香環，只要係具備4n+2個之π電子的環狀共軛系統則無特殊限定，可為單環式亦可為多環式。芳香環之碳數較佳為5~30、更佳為碳數5~20、又更佳為碳數6~15、特佳為碳數6~12。該芳香環具體而言，可列舉苯、萘、蒽、菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環之碳原子的一部分被雜原子取代之芳香族雜環等。芳香族雜環中之雜原子，可列舉氧原子、硫原子、氮原子等。芳香族雜環具體而言，可列舉吡啶環、噻吩環等。 又，R^P 中之芳香族烴基，亦可列舉自包含2個以上芳香環之芳香族化合物(例如聯苯、茀等)去除(n_P0 +1)個氫原子之基。 前述式(P2)中，n_P0 為1~3之整數、較佳為1或2、特佳為1。

上述樹脂(P2)，亦可使用使胺基酚類、胺基萘酚類或苯胺類，與1分子中具有2個環氧基之化合物反應所生成的樹脂。 胺基酚類可列舉2-胺基酚、3-胺基酚、4-胺基酚、4-胺基-3-甲基酚、2-胺基-4-甲基酚、3-胺基-2-甲基酚、5-胺基-2-甲基酚等。胺基萘酚類可列舉1-胺基-2-萘酚、3-胺基-2-萘酚、5-胺基-1-萘酚等。 1分子中具有2個環氧基之化合物，例如可列舉商品名為EPICLON850、EPICLON830(DIC股份有限公司製)、jERYX-4000(三菱化學股份有限公司製)等之雙酚型環氧樹脂；DENACOL EX-211、DENACOL EX-212、DENACOL EX-810、DENACOL EX-830、DENACOL EX-911、 DENACOL EX-920、DENACOL EX-930(Nagase ChemteX股份有限公司製)等之二醇型環氧樹脂；DENACOL EX-711、DENACOL EX-721(Nagase ChemteX股份有限公司製)、jER191P(三菱化學股份有限公司製)等之二羧酸酯型環氧樹脂；X-22-163、KF-105(信越化學工業股份有限公司製)等之聚矽氧型環氧樹脂等。 該反應時之加熱處理溫度，較佳為60℃以上且250℃以下、更佳為80℃以上且180℃以下。

･具有包含具有光吸收性之結構的重複單位之聚合物 分離層亦可含有具有包含具有光吸收性之結構的重複單位之聚合物。該聚合物係受到光照射而變質。 具有光吸收性之結構，例如可列舉含有包含取代或非取代之苯環、縮合環或雜環之共軛π電子系的原子團。具有光吸收性之結構，更具體而言，可列舉cardo結構，或存在於該聚合物之側鏈的二苯甲酮結構、二苯基亞碸結構、二苯基碸結構(雙苯基碸結構)、二苯基結構或二苯基胺結構。 上述具有光吸收性之結構，依其種類，可吸收具有所期望之範圍的波長之光。例如，上述具有光吸收性之結構可吸收之光的波長，較佳為100~2000nm之範圍內、更佳為100~500nm之範圍內。

上述具有光吸收性之結構可吸收之光，例如為由高壓水銀燈(波長254nm以上且436nm以下)、KrF準分子雷射(波長248nm)、ArF準分子雷射(波長193nm)、F₂ 準分子雷射(波長157nm)、XeCl雷射(波長308nm)、XeF雷射(波長351nm)或固體UV雷射(波長355nm)所發出之光，或g線(波長436nm)、h線(波長405nm)或i線(波長365nm)等。

･無機物 分離層亦可為含有無機物者。該無機物，只要係藉由吸收光而變質者即可，例如可適合列舉選自由金屬、金屬化合物及碳所成之群的1種以上。金屬化合物係指包含金屬原子之化合物，例如可列舉金屬氧化物、金屬氮化物。 如此的無機物，可列舉選自由金、銀、銅、鐵、鎳、鋁、鈦、鉻、SiO₂ 、SiN、Si₃ N₄ 、TiN，及碳所成之群的1種以上。 再者，碳係亦可包含碳之同素異形體的概念，例如包含金剛石、富勒烯、類金剛石碳、碳奈米管等。 上述無機物，依其種類，而吸收具有固有範圍的波長之光。

對含有無機物之分離層所照射的光，依上述無機物可吸收之波長，例如可適當使用YAG雷射、紅寶石雷射、玻璃雷射、YVO₄ 雷射、LD雷射、光纖雷射等之固體雷射、色素雷射等之液體雷射、CO₂ 雷射、準分子雷射、Ar雷射、He-Ne雷射等之氣體雷射、半導體雷射、自由電子雷射等之雷射光，或非雷射光。 含有無機物之分離層，例如可藉由濺鍍、化學蒸鍍(CVD)、鍍敷、電漿CVD、旋轉塗佈等之公知技術，形成於支撐基體上。

･具有紅外線吸收性之結構的化合物 分離層，亦可含有具有紅外線吸收性之結構的化合物。該具有紅外線吸收性之結構的化合物，係藉由吸收紅外線而變質。 具有紅外線吸收性之結構，或具有該結構之化合物，例如可列舉烷、烯(乙烯基、反式、順式、亞乙烯基、三取代、四取代、共軛、疊烯、環式)、炔(一取代、二取代)、單環式芳香族(苯、一取代、二取代、三取代)、醇或酚類(自由OH、分子內氫鍵、分子間氫鍵、飽和二級、飽和三級、不飽和二級、不飽和三級)、縮醛、縮酮、脂肪族醚、芳香族醚、乙烯基醚、環氧乙烷環醚、過氧化物醚、酮、二烷基羰基、芳香族羰基、1,3-二酮之烯醇、o-羥基芳基酮、二烷基醛、芳香族醛、羧酸(二聚體、羧酸陰離子)、甲酸酯、乙酸酯、共軛酯、非共軛酯、芳香族酯、內酯(β-、γ-、δ-)、脂肪族酸氯化物、芳香族酸氯化物、酸酐(共軛、非共軛、環式、非環式)、一級醯胺、二級醯胺、內醯胺、一級胺(脂肪族、芳香族)、二級胺(脂肪族、芳香族)、三級胺(脂肪族、芳香族)、一級胺鹽、二級胺鹽、三級胺鹽、銨離子、脂肪族腈、芳香族腈、碳二亞胺、脂肪族異腈、芳香族異腈、異氰酸酯、硫氰酸酯、脂肪族異硫氰酸酯、芳香族異硫氰酸酯、脂肪族硝基化合物、芳香族硝基化合物、硝基胺、亞硝基胺、硝酸酯、亞硝酸酯、亞硝基鍵結(脂肪族、芳香族、單體、二聚體)、硫醇或硫酚或硫醇酸等之硫化合物、硫羰基、亞碸、碸、磺醯氯、一級磺醯胺、二級磺醯胺、硫酸酯、碳-鹵素鍵結、Si-A¹ 鍵結(A¹ 為H、C、O或鹵素)、P-A² 鍵結(A² 為H、C或O)或Ti-O鍵結。

包含上述之碳-鹵素鍵結之結構，例如可列舉-CH₂ Cl、-CH₂ Br、-CH₂ I、-CF₂ -、-CF₃ 、-CH=CF₂ 、 -CF=CF₂ 、氟化芳基或氯化芳基等。

包含上述Si-A¹ 鍵結之結構，例如可列舉SiH、SiH₂ 、SiH₃ 、Si-CH₃ 、Si-CH₂ -、Si-C₆ H₅ 、SiO-脂肪族、Si-OCH₃ 、Si-OCH₂ CH₃ 、Si-OC₆ H₅ 、Si-O-Si、Si-OH、SiF、SiF₂ 或SiF₃ 等。包含Si-A¹ 鍵結之結構，特佳為形成矽氧烷骨架或倍半矽氧烷骨架。

包含上述P-A² 鍵結之結構，例如可列舉PH、PH₂ 、P-CH₃ 、P-CH₂ -、P-C₆ H₅ 、A³ ₃ -P-O(A³ 為脂肪族基或芳香族基)、(A⁴ O)₃ -P-O(A⁴ 為烷基)、P-OCH₃ 、P-OCH₂ CH₃ 、P-OC₆ H₅ 、P-O-P、P-OH或O=P-OH等。

包含上述之Ti-O鍵結之化合物，例如可列舉(i)四-i-丙氧基鈦、四-n-丁氧基鈦、肆(2-乙基己氧基)鈦或鈦-i-丙氧基辛二醇酸酯等之烷氧基鈦；(ii)二-i-丙氧基･雙(乙醯丙酮)鈦或丙烷二氧鈦雙(乙基乙醯乙酸酯)等之鈦鉗合物；(iii)i-C₃ H₇ O-[-Ti(O-i-C₃ H₇ )₂ -O-]_n -i-C₃ H₇ 或 n-C₄ H₉ O-[-Ti(O-n-C₄ H₉ )₂ -O-]_n -n-C₄ H₉ 等之鈦聚合物；(iv)三-n-丁氧基鈦單硬脂酸酯、鈦硬脂酸酯、二-i-丙氧基鈦二異硬脂酸酯或(2-n-丁氧基羰基苄醯氧基)三丁氧基鈦等之鈦醯化物；(v)二-n-丁氧基･雙(三乙醇胺)鈦等之水溶性鈦化合物等。 此等之中，包含Ti-O鍵結之化合物，尤以二-n-丁氧基･雙(三乙醇胺)鈦(Ti(OC₄ H₉ )₂ [OC₂ H₄ N(C₂ H₄ OH)₂ ]₂ )為佳。

上述紅外線吸收性之結構，依其種類的選擇，可吸收具有所期望之範圍的波長之紅外線。具體而言，上述紅外線吸收性之結構可吸收的紅外線之波長，例如為1~20μm之範圍內，可更適合地吸收2~15μm之範圍內。 進一步地，上述結構為Si-O鍵結、Si-C鍵結或Ti-O鍵結時，較佳為9~11μm之範圍內。

再者，上述各結構可吸收的紅外線之波長，可為所屬技術領域中具有通常知識者容易地理解。例如，各結構之吸收帶，可參照非專利文獻：SILVERSTEIN･BASSLER･MORRILL著「以有機化合物之光譜所為之鑑定法(第5版)-MS、IR、NMR、UV之併用-」(1992年發行)第146頁至第151頁之記載。

用於分離層之形成的具有紅外線吸收性之結構的化合物，只要係在具有如上述之結構的化合物當中，為了進行塗佈而可溶解於溶劑，且可固化而形成固相層者，則無特殊限定。但是，欲使分離層中之化合物有效果地變質，使支撐基體與基板的分離成為容易，較佳為分離層之紅外線的吸收大，亦即，對分離層照射紅外線時之紅外線的透過率低。具體而言，分離層中之紅外線的透過率較佳低於90%、紅外線的透過率更佳低於80%。

･紅外線吸收物質 分離層亦可含有紅外線吸收物質。該紅外線吸收物質，只要係藉由吸收光而變質者即可，例如可適合地使用碳黑、鐵粒子，或鋁粒子。 紅外線吸收物質，依其種類，而吸收具有固有範圍的波長之光。藉由對分離層照射用於分離層之紅外線吸收物質會吸收的範圍之波長的光，可適合地使紅外線吸收物質變質。

･反應性聚倍半矽氧烷 分離層可藉由使反應性聚倍半矽氧烷聚合來形成。藉此所形成之分離層，具備高的耐藥品性與高的耐熱性。

「反應性聚倍半矽氧烷」，係指於聚倍半矽氧烷骨架之末端具有矽醇基，或可藉由水解而形成矽醇基的官能基之聚倍半矽氧烷。藉由使該矽醇基，或可形成矽醇基的官能基縮合，可互相聚合。又，反應性聚倍半矽氧烷，只要具有矽醇基，或可形成矽醇基的官能基，則可採用具備隨機結構、籠型結構、梯狀結構等之倍半矽氧烷骨架的反應性聚倍半矽氧烷。

反應性聚倍半矽氧烷之矽氧烷含量，較佳為70~99莫耳%、更佳為80~99莫耳%。 反應性聚倍半矽氧烷之矽氧烷含量若為前述較佳範圍內，則可形成可藉由照射紅外線(較佳為遠紅外線、更佳為波長9~11μm之光)而適合地變質之分離層。

反應性聚倍半矽氧烷之重量平均分子量(Mw)，較佳為500~50000、更佳為1000~10000。 反應性聚倍半矽氧烷之重量平均分子量(Mw)若為前述較佳範圍內，則可適合地溶解於溶劑，可適合地塗佈於支撐板上。

可作為反應性聚倍半矽氧烷使用之市售品，例如可列舉小西化學工業股份有限公司製之SR-13、SR-21、SR-23或SR-33(商品名)等。

＜接著層＞ 接著層為用以將基板或電子裝置固定於支撐體之層。如圖1(a)所示，接著層3，係形成於支撐體12中之分離層2上，將基板4或電子裝置456接著於支撐體12。接著層可使用後述之接著劑組成物來形成，其係由接著劑組成物之乾燥體所構成。 接著層之厚度，例如，接著層之厚度，例如較佳為1μm以上且200μm以下之範圍內、更佳為5μm以上且150μm以下之範圍內。

[接著劑組成物] 接著劑組成物，例如可使用丙烯酸系、酚醛清漆系、萘醌系、烴系、聚醯亞胺系、彈性體、聚碸系等之該領域中公知之各種接著劑組成物。

接著劑組成物，例如可列舉含有熱可塑性樹脂、稀釋劑，及添加劑等之其他成分者。該熱可塑性樹脂，只要係展現接著力者即可，例如可較佳地使用烴樹脂、丙烯酸-苯乙烯系樹脂、馬來醯亞胺系樹脂、彈性體樹脂、聚碸系樹脂等，或此等之組合者等。

･烴樹脂 烴樹脂為具有烴骨架，且使單體組成物聚合而成的樹脂。烴樹脂可列舉環烯烴聚合物(以下有稱為「樹脂(A)」者)，以及選自由萜烯樹脂、松香系樹脂及石油樹脂所成之群的至少1種樹脂(以下有稱為「樹脂(B)」者)等，但不限定於此。

樹脂(A)例如可適合地列舉包含環烯烴單體之單體成分的開環聚合物、使包含環烯烴單體之單體成分加成聚合而得的加成聚合物。 環烯烴聚合物，亦可具有可與環烯烴單體共聚合之單體作為單體單位。

又，就高耐熱性(低熱分解、熱重量減少性)之觀點，較佳含有環烯烴單體作為構成樹脂(A)之單體成分。相對於構成樹脂(A)之單體成分全體而言，環烯烴單體之比例，較佳為5莫耳%以上、更佳為10莫耳%以上、又更佳為20莫耳%以上。又，相對於構成樹脂(A)之單體成分全體而言，環烯烴單體之比例並無特殊限定，就溶解性及於溶液之經時安定性的觀點，較佳為80莫耳%以下、更佳為70莫耳%以下。

又，亦可含有直鏈狀或分支鏈狀之烯單體作為構成樹脂(A)之單體成分。相對於構成樹脂(A)之單體成分全體而言，烯單體之比例，就溶解性及柔軟性之觀點較佳為10~90莫耳%、更佳為20~85莫耳%、又更佳為30~80莫耳%。

再者，就抑制於高溫下之氣體產生方面，樹脂(A)較佳例如如使包含環烯烴單體與烯單體之單體成分聚合而成的樹脂般，為不具有極性基之樹脂。 使單體成分聚合時之聚合方法或聚合條件等，並無特殊限制，可遵照常規方法適當設定。

可使用作為樹脂(A)之環烯烴聚合物的市售品，例如可列舉Polyplastics股份有限公司製之「TOPAS(商品名)」、三井化學股份有限公司製之「APEL(商品名)」、日本Zeon股份有限公司製之「ZEONOR(商品名)」、日本Zeon股份有限公司製之「ZEONEX(商品名)」、JSR股份有限公司製之「ARTON(商品名)」等。

樹脂(A)之玻璃轉移溫度(Tg)，較佳為60℃以上、特佳為70℃以上。樹脂(A)之玻璃轉移溫度為60℃以上時，暴露於高溫環境時可抑制接著層之軟化。

樹脂(B)，為選自由萜烯系樹脂、松香系樹脂及石油樹脂所成之群的至少1種樹脂。具體而言，萜烯系樹脂，例如可列舉萜烯樹脂、萜烯酚樹脂、改質萜烯樹脂、氫化萜烯樹脂、氫化萜烯酚樹脂等。松香系樹脂，例如可列舉松香、松香酯、氫化松香、氫化松香酯、聚合松香、聚合松香酯、改質松香等。石油樹脂，例如可列舉脂肪族或芳香族石油樹脂、氫化石油樹脂、改質石油樹脂、脂環族石油樹脂、香豆酮/茚石油樹脂等。此等之中尤以氫化萜烯樹脂、氫化石油樹脂更佳。

樹脂(B)之軟化點並無特殊限定，較佳為80~160℃。樹脂(B)之軟化點為80~160℃時，暴露於高溫環境時可抑制軟化，不產生接著不良。

樹脂(B)之重量平均分子量並無特殊限定，較佳為300~3,000。樹脂(B)之重量平均分子量為300以上時，耐熱性變得充分，於高溫環境下脫氣量變少。另一方面，樹脂(B)之重量平均分子量為3,000以下時，接著層對烴系溶劑之溶解速度變得良好。因此，可迅速地溶解而去除分離支撐體之後的裝置層上之接著層的殘渣。再者，本實施形態中之樹脂(B)之重量平均分子量，意指以凝膠滲透層析(GPC)所測定之聚苯乙烯換算的分子量。

烴樹脂亦可使用將樹脂(A)與樹脂(B)混合者。藉由進行混合，成為耐熱性良好者。例如，樹脂(A)與樹脂(B)之混合比例，由於高溫環境時之熱耐性，及柔軟性優良，故較佳為(A):(B)=80:20~55:45(質量比)。

･丙烯酸-苯乙烯系樹脂 丙烯酸-苯乙烯系樹脂，例如可列舉使用苯乙烯或苯乙烯之衍生物，與(甲基)丙烯酸酯等作為單體來聚合之樹脂。

(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉包含鏈式結構之(甲基)丙烯酸烷酯、具有脂肪族環之(甲基)丙烯酸酯、具有芳香族環之(甲基)丙烯酸酯。包含鏈式結構之(甲基)丙烯酸烷酯，可列舉具有碳數15~20之烷基的丙烯酸系長鏈烷酯、具有碳數1~14之烷基的丙烯酸系烷酯等。丙烯酸系長鏈烷酯，可列舉烷基為n-十五烷基、n-十六烷基、n-十七烷基、n-十八烷基、n-十九烷基、n-二十烷基等之丙烯酸或甲基丙烯酸之烷酯。再者，該烷基亦可為分支鏈狀。

具有碳數1~14之烷基的丙烯酸系烷酯，可列舉用於已知之丙烯酸系接著劑的公知之丙烯酸系烷酯。例如，可列舉烷基包含甲基、乙基、丙基、丁基、2-乙基己基、異辛基、異壬基、異癸基、十二烷基、月桂基、十三烷基等之丙烯酸或甲基丙烯酸之烷酯。

具有脂肪族環之(甲基)丙烯酸酯，可列舉(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸環戊酯、(甲基)丙烯酸1-金剛烷酯、(甲基)丙烯酸降莰酯、(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸三環癸酯、(甲基)丙烯酸四環十二烷酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯等，更佳為甲基丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯。

具有芳香族環之(甲基)丙烯酸酯，並無特殊限定，芳香族環，例如可列舉苯基、苄基、甲苯基、二甲苯基、聯苯基、萘基、蒽基、苯氧基甲基、苯氧基乙基等。又，芳香族環亦可具有碳數1~5之直鏈狀或分支鏈狀之烷基。具體而言，較佳為丙烯酸苯氧基乙酯。

･馬來醯亞胺系樹脂 馬來醯亞胺系樹脂，例如可列舉使N-甲基馬來醯亞胺、N-乙基馬來醯亞胺、N-n-丙基馬來醯亞胺、N-異丙基馬來醯亞胺、N-n-丁基馬來醯亞胺、N-異丁基馬來醯亞胺、N-sec-丁基馬來醯亞胺、N-tert-丁基馬來醯亞胺、N-n-戊基馬來醯亞胺、N-n-己基馬來醯亞胺、N-n-庚基馬來醯亞胺、N-n-辛基馬來醯亞胺、N-月桂基馬來醯亞胺、N-硬脂基馬來醯亞胺等之具有烷基之馬來醯亞胺；N-環丙基馬來醯亞胺、N-環丁基馬來醯亞胺、N-環戊基馬來醯亞胺、N-環己基馬來醯亞胺、N-環庚基馬來醯亞胺、N-環辛基馬來醯亞胺等之具有脂肪族烴基之馬來醯亞胺；N-苯基馬來醯亞胺、N-m-甲基苯基馬來醯亞胺、N-o-甲基苯基馬來醯亞胺、N-p-甲基苯基馬來醯亞胺等之具有芳基之芳香族馬來醯亞胺等作為單體聚合而得的樹脂。

･彈性體 彈性體較佳包含苯乙烯單位作為主鏈之構成單位，該「苯乙烯單位」亦可具有取代基。取代基例如可列舉碳數1~5之烷基、碳數1~5之烷氧基、碳數1~5之烷氧基烷基、乙醯氧基、羧基等。又，該苯乙烯單位之含量更佳為14重量%以上且50重量%以下之範圍內。進一步地，彈性體較佳為重量平均分子量10,000以上且200,000以下之範圍內。

若苯乙烯單位之含量為14重量%以上且50重量%以下之範圍內且彈性體之重量平均分子量為10,000以上且200,000以下之範圍內，則容易溶解於後述烴系之溶劑，因此可更容易且迅速地去除接著層。又，藉由使苯乙烯單位之含量及重量平均分子量在上述之範圍內，對阻劑微影術所用之阻劑溶劑(例如PGMEA、PGME等)、酸(氫氟酸等)、鹼(TMAH等)發揮優良的耐性。

再者，彈性體中亦可進一步混合上述(甲基)丙烯酸酯。

苯乙烯單位之含量，更佳為17重量%以上，又，更佳為40重量%以下。

重量平均分子量之更佳範圍係20,000以上，又，更佳範圍係150,000以下。

作為彈性體，只要苯乙烯單位之含量為14重量%以上且50重量%以下之範圍內，且彈性體之重量平均分子量為10,000以上且200,000以下之範圍內，則可使用各種彈性體。例如，可列舉聚苯乙烯-聚(乙烯/丙烯)嵌段共聚物(SEP)、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS)、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)、苯乙烯-丁二烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBBS)及此等之氫化物、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物)(SEPS)、苯乙烯-乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEEPS)、苯乙烯嵌段為反應交聯型之苯乙烯-乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(SeptonV9461(Kuraray股份有限公司製)、SeptonV9475(Kuraray股份有限公司製))、苯乙烯嵌段為反應交聯型之苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(具有反應性之聚苯乙烯系硬嵌段的SeptonV9827(Kuraray股份有限公司製))、聚苯乙烯-聚(乙烯-乙烯/丙烯)嵌段-聚苯乙烯嵌段共聚物(SEEPS-OH：末端羥基改質)等，可使用彈性體之苯乙烯單位之含量及重量平均分子量在上述之範圍內者。

又，彈性體之中尤以氫化物更佳。若為氫化物則對熱之安定性提高，不易引起分解或聚合等之變質。又，就對烴系溶劑之溶解性及對阻劑溶劑之耐性的觀點亦更佳。

又，彈性體之中，尤以兩端為苯乙烯之嵌段聚合物更佳。其係因藉由使兩末端有熱安定性高的苯乙烯嵌段，會顯示更高的耐熱性之故。

更具體而言，彈性體更佳為苯乙烯及共軛二烯之嵌段共聚物的氫化物。對熱之安定性提高，不易引起分解或聚合等之變質。又，藉由使兩末端有熱安定性高的苯乙烯嵌段，會顯示更高的耐熱性。進一步地，就對烴系溶劑之溶解性及對阻劑溶劑之耐性的觀點亦更佳。

可作為接著劑組成物中所含有的彈性體來使用之市售品，例如可列舉Kuraray股份有限公司製「Septon(商品名)」、Kuraray股份有限公司製「Hybrar(商品名)」、旭化成股份有限公司製「Tuftec(商品名)」、JSR股份有限公司製「Dynaron(商品名)」等。

接著劑組成物中所含有的彈性體之含量，例如，以接著劑組成物全量為100重量份計，較佳為50重量份以上且99重量份以下之範圍內、更佳為60重量份以上且99重量份以下之範圍內、最佳為70重量份以上且95重量份以下之範圍內。藉由為此等之範圍內，可在維持耐熱性之下，將基板適合地固定於支撐體。

又，彈性體亦可混合複數種類。亦即，接著劑組成物亦可含有複數種類之彈性體。而只要複數種類之彈性體中至少一者，含有苯乙烯單位作為主鏈之構成單位即可。又，只要複數種類之彈性體中至少一者，苯乙烯單位之含量係14重量%以上且50重量%以下之範圍內，或重量平均分子量係10,000以上且200,000以下之範圍內，則屬本發明之範疇。又，接著劑組成物中，含有複數種類之彈性體時，亦可調整為經混合的結果，苯乙烯單位之含量成為上述之範圍內。例如，將苯乙烯單位之含量30重量%之Kuraray股份有限公司製之Septon(商品名)之Septon4033，與苯乙烯單位之含量13重量%之Septon(商品名)之Septon2063以重量比1比1混合時，相對於接著劑中所含有的彈性體全體而言，苯乙烯含量係成為21~22重量%，因此為14重量%以上。又，例如將苯乙烯單位10重量%者與60重量%者以重量比1比1混合時，係成為35重量%，而為上述之範圍內。本發明亦可為如此的形態。又，最佳係接著劑組成物中所含有的複數種類之彈性體，全部含有上述範圍內之苯乙烯單位，且為上述範圍內之重量平均分子量。

･聚碸系樹脂 接著劑組成物，亦可含有聚碸系樹脂。藉由以聚碸系樹脂形成接著層3，即使於密封體形成步驟中進行高溫處理，之後之步驟中亦可溶解接著層3，而自密封體7剝離支撐基體1。接著層3若含有聚碸樹脂，則於密封體形成步驟中，可使用例如於300℃以上之高溫進行處理的高溫製程。

聚碸系樹脂，具有包含下述通式(ad1)表示之構成單位，及下述通式(ad2)表示之構成單位中至少1種構成單位之結構。

[式中，R^C3 、R^C4 、R^C5 、R^C3 及R^C4 ，係分別獨立地為選自由伸苯基、伸萘基及伸蒽基所成之群之基，X’為碳數1~3之伸烷基]。

聚碸系樹脂，藉由具備式(ad1)表示之聚碸構成單位及式(ad2)表示之聚醚碸構成單位中之至少1者，於支撐體上形成接著層之後，即使進行高溫度條件之處理，亦可防止因分解及聚合等而使接著層不溶化。又，聚碸系樹脂若為包含上述式(ad1)表示之聚碸構成單位之聚碸樹脂，則即使加熱至更高溫度，亦為安定。

聚碸系樹脂之重量平均分子量(Mw)，較佳為30,000以上且70,000以下之範圍內、更佳為30,000以上且50,000以下之範圍內。聚碸系樹脂之重量平均分子量(Mw)若為30,000以上之範圍內，則可得到例如可於300℃以上之高溫度使用的接著劑組成物。又，聚碸系樹脂之重量平均分子量(Mw)若為70,000以下之範圍內，則可藉由溶劑適合地溶解。換言之，可得到可藉由溶劑適合地去除的接著劑組成物。

･稀釋溶劑 稀釋溶劑例如可列舉己烷、庚烷、辛烷、壬烷、異壬烷、甲基辛烷、癸烷、十一烷、十二烷、十三烷等之直鏈狀之烴；碳數4至15之分支鏈狀之烴，例如環己烷、環庚烷、環辛烷、萘、十氫萘、四氫萘等之環狀烴；p-薄荷烷、o-薄荷烷、m-薄荷烷、二苯基薄荷烷、1,4-萜二醇、1,8-萜二醇、莰烷、降莰烷、蒎烷、側柏烷、長松針烷、長葉烯、香葉醇、橙花醇、沈香醇、檸檬醛、香茅醇、薄荷醇、異薄荷醇、新薄荷醇、α-萜品醇、β-萜品醇、γ-萜品醇、萜品烯-1-醇、萜品烯-4-醇、乙酸二氫萜品酯、1,4-桉樹腦、1,8-桉樹腦、龍腦、香芹酮、紫羅酮、側柏酮、樟腦、d-檸檬烯、l-檸檬烯、二戊烯等之萜烯系溶劑；γ-丁內酯等之內酯類；丙酮、甲基乙基酮、環己酮(CH)、甲基-n-戊基酮、甲基異戊基酮、2-庚酮等之酮類；乙二醇、二乙二醇、丙二醇、二丙二醇等之多元醇類；乙二醇單乙酸酯、二乙二醇單乙酸酯、丙二醇單乙酸酯，或二丙二醇單乙酸酯等之具有酯鍵之化合物、前述多元醇類或前述具有酯鍵之化合物的單甲基醚、單乙基醚、單丙基醚、單丁基醚等之單烷基醚或單苯基醚等之具有醚鍵之化合物等之多元醇類之衍生物(此等之中較佳為丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單甲基醚(PGME))；如二噁烷之環式醚類，或乳酸甲酯、乳酸乙酯(EL)、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸甲氧基丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯等之酯類；苯甲醚、乙基苄基醚、甲苯酚基甲基醚、二苯基醚、二苄基醚、乙基苯基醚、丁基苯基醚等之芳香族系有機溶劑等。

･其他成分 接著劑組成物，在不損及本質性特性之範圍，亦可進一步含有具有混合性之其他物質。例如，可進一步使用用以改良接著劑之性能的加成性樹脂、硬化性單體、聚合抑制劑、聚合起始劑、可塑劑、接著輔助劑、安定劑、著色劑，及界面活性劑等慣用的各種添加劑。

＜基板或電子裝置＞ 基板或電子裝置，係隔著接著層，而臨時接著於支撐體。如圖1(a)所示，基板4或電子裝置456，係隔著分離層2及接著層3，被固定於支撐基體1。

≪基板≫ 基板並無特殊限制，並無特殊限定，可為作為半導體用之基板而一般所使用者。基板(裸晶)係於被支撐於支撐體之狀態，供薄化、構裝等之製程。於基板上亦可構裝有例如積體電路或金屬凸塊等之結構物。 基板典型而言可列舉矽晶圓基板，但不限定於此，亦可為陶瓷基板、薄膜基板、可撓基板等。基板，可為半導體元件或其他元件，可具有單層或複數層之結構。

≪電子裝置≫ 電子裝置並無特殊限制，可為於半導體基板之表面形成有各種機械結構或電路者。電子裝置較佳亦可為由金屬或半導體所構成之構件，與密封或絕緣前述構件之樹脂的複合體。電子裝置可為後述之再配線層，及/或半導體元件或其他元件，經密封材或絕緣材密封或絕緣者，可具有單層或複數層之結構。電子裝置，較佳為由金屬或半導體所構成之構件，與密封或絕緣前述構件之樹脂的複合體。具體而言，電子裝置，包含密封材層及配線層之至少一者，且可進一步包含半導體基板。 圖1(a)所示之層合體100中，電子裝置456，係由基板4與密封材層5，及配線層6所構成。

[密封材層] 密封材層，係為了密封半導體基板所設置者，係使用密封材形成。密封材係使用可絕緣或密封由金屬或半導體所構成之構件的構件。 密封材例如可使用樹脂組成物。密封材層5，較佳以被覆接著層3上之基板4全部的方式設置，而非每個半導體基板4個別設置者。用於密封材之樹脂，只要係可將金屬或半導體密封及/或絕緣者，則無特殊限定，例如可列舉環氧系樹脂或聚矽氧系樹脂等。 密封材，除樹脂以外，亦可含有填料等之其他成分。填料例如可列舉球狀二氧化矽粒子等。

[配線層] 配線層，亦稱為RDL(Redistribution Layer：再配線層)，其係構成連接於基板之配線的薄膜之配線體，可具有單層或複數層之結構。配線層可為於介電體(氧化矽(SiO_x )、感光性環氧樹脂等之感光性樹脂等)之間藉由導電體(例如鋁、銅、鈦、鎳、金及銀等之金屬以及銀-錫合金等之合金)形成有配線者，但不限定於此。

再者，圖1(a)之層合體中，支撐基體1與分離層2係鄰接，但不限定於此，於支撐基體1與分離層2之間亦可進一步形成其他層。此時，其他層只要由使光透過之材料構成即可。藉此，可在不妨礙光對分離層2之入射下，適當追加對層合體100賦予較佳性質等之層。依構成分離層2之材料的種類，可使用之光波長係相異。因而，構成其他層之材料，沒有必要使全部波長之光透過，可由使可使構成分離層2之材料變質之波長的光透過之材料中適當選擇。

[層合體之製造方法] 具備上述構成之層合體，例如可藉由具有分離層形成步驟、接著層形成步驟、基板固定步驟、密封步驟、研削步驟、配線層形成步驟等之方法來製造。以下，參照圖3~5說明前述各步驟。

＜分離層形成步驟＞ 分離層形成步驟，係於支撐基體上之一方，使用分離層形成用組成物形成分離層，得到支撐體之步驟。 圖3(a)中，係藉由於支撐基體1上，使用分離層形成用組成物而形成分離層2。

分離層2對支撐基體1上之形成方法並無特殊限定，例如可列舉旋轉塗佈、浸漬、輥刀、噴霧塗佈、狹縫塗佈、化學氣相沈積(CVD)等之方法。 例如，分離層形成用組成物含有硬化性單體或硬化性樹脂及熱聚合起始劑時，可藉由將塗佈於支撐基體1上之分離層形成用組成物加熱，來得到作為分離層形成用組成物之熱硬化膜的分離層2。加熱條件只要基於熱聚合起始劑之1分鐘半衰溫度，及1小時半衰溫度來適當設定即可，例如較佳於50~300℃之範圍內的溫度，在真空下，或氮氣等之惰性氣體環境下進行；更佳在惰性氣體環境下進行。 又，分離層形成用組成物含有硬化性單體或硬化性樹脂及光聚合起始劑時，可藉由於氮氣等之惰性氣體環境下進行曝光，來得到作為光硬化膜之分離層2。曝光之條件，只要依光聚合起始劑之種類等適當設定即可。

＜接著層形成步驟＞ 接著層形成步驟，為於分離層2上，使用接著劑組成物形成接著層之步驟。 圖3(b)中，係於支撐體12之分離層2側之面，使用接著劑形成用組成物來形成接著層3。

接著層3對支撐體12上之形成方法並無特殊限定，例如可列舉旋轉塗佈、浸漬、輥刀、噴霧塗佈、狹縫塗佈等之方法。而於支撐體12上塗佈接著劑並加熱，或在減壓環境下將接著劑組成物中所含有的溶劑成分去除。

之後，接著層3含有硬化性單體及熱聚合起始劑時，可藉由加熱使該硬化性單體聚合。加熱接著層3之條件，只要基於熱聚合起始劑之1分鐘半衰溫度，及1小時半衰溫度來適當設定即可，例如較佳於50~300℃之範圍內的溫度，在真空下，或氮氣等之惰性氣體環境下進行，更佳在惰性氣體環境下進行。

又，接著層3含有硬化性單體及光聚合起始劑時，可藉由在氮氣等之惰性氣體環境下進行曝光，使硬化性單體聚合。曝光之條件，只要依光聚合起始劑之種類等來適當設定即可。

＜基板固定步驟＞ 基板固定步驟，為隔著接著層，於支撐體上固定基板(裸晶)之步驟。 圖4(b)中，形成有分離層2之支撐基體1(支撐體12)，與基板4，係隔著接著層3而層合，得到依序疊合有支撐體12、接著層3、基板4之層合體30。

隔著接著層3於支撐體12上固定基板4之方法，可藉由於接著層3上之特定位置配置基板4，一邊於真空下加熱(例如100℃左右)，一邊以固晶機(die bonder)等將支撐體12與基板4壓接來進行。

＜密封步驟＞ 密封步驟，為將固定於支撐體上之基板，使用密封材密封之步驟。 圖4(c)中，係得到隔著接著層3而被固定於支撐體12之基板4的全體，被密封材層5密封之層合體40。層合體40中，基板4及密封材層5，係構成電子裝置45。

密封步驟中，例如被加熱至130~170℃的密封材，在一邊維持高黏度之狀態下，以被覆基板4的方式，被供給至接著層3上，藉由壓縮成形，而製作於接著層3上設置有密封材層5之層合體40。 此時，溫度條件例如為130~170℃。 對基板4所施加之壓力，例如為50~500N/cm² 。

密封材層5，較佳以被覆接著層3上之基板4全部的方式設置，而非每個基板4個別設置者。

＜研削步驟＞ 研削步驟，為於前述密封步驟之後，研削密封體中之密封材部分(密封材層5)，使基板的一部分露出之步驟。 密封材部分之研削，例如如圖5(b)所示，係藉由將密封材層5，研削至成為與基板4大致同等之厚度來進行。

＜配線層形成步驟＞ 配線層形成步驟，為於前述研削步驟之後，於前述露出之基板上形成配線層之步驟。 圖5(c)中，係於基板4及密封材層5上，形成配線層6。藉此，可得到層合體200。層合體200中，基板4、密封材層5及配線層6，係構成電子裝置456。

形成配線層6之方法，例如可列舉以下方法。 首先，於密封材層5上，形成氧化矽(SiO_x )、感光性樹脂等之介電體層。含有氧化矽之介電體層，例如可藉由濺鍍法、真空蒸鍍法等形成。含有感光性樹脂之介電體層，例如可藉由以旋轉塗佈、浸漬、輥刀、噴霧塗佈、狹縫塗佈等之方法，於密封材層5上塗佈感光性樹脂來形成。

接著，藉由金屬等之導電體於介電體層形成配線。形成配線之方法，例如可使用光微影術(阻劑微影術)等之微影術處理、蝕刻處理等之公知的半導體製程手法。如此的微影術處理，例如可列舉使用正型阻劑材料之微影術處理、使用負型阻劑材料之微影術處理。

該層合體100，為基於設置於基板4之端子構裝於擴展至晶片區域外的配線層6之扇出型技術的製程中所製作的層合體。 得到上述層合體100之後，可進一步地，於配線層6上進行凸塊之形成，或元件之構裝。元件對配線層6上之構裝，例如可使用晶片構裝器(chip mounter)等來進行。

(使用於電子零件之製造方法之套組) 本發明之第2態樣之套組，其特徵為含有使前述接著層膨潤之第1溶劑，與溶解前述接著層之第2溶劑。該套組可使用於上述第1態樣之電子零件之製造方法。

使接著層膨潤之第1溶劑，係與上述第1態樣之電子零件之製造方法中的第1溶劑相同。 溶解接著層之第2溶劑，係與上述第1態樣之電子零件之製造方法中的第2溶劑相同。 作為以第1溶劑之膨潤，及以第2溶劑之溶解的對象之接著層，係與上述第1態樣之電子零件之製造方法中的接著層相同。 [實施例]

以下，藉由實施例以更詳細說明本發明，但本發明不受此等例子的限定。

＜層合體之製作＞ 於素玻璃(bare glass)支撐基體(12吋、厚度0.7mm)上，旋轉塗佈分離層形成用組成物，以溫度90℃、300秒之條件加熱，接著，藉由以溫度150℃、300秒之條件加熱，去除溶劑而形成膜。接著，將該形成的膜於大氣環境下、300℃10分鐘之條件燒成，於素玻璃支撐基體上形成厚度0.3μm之分離層，藉以得到附有分離層之支撐基體(分離層形成步驟)。 之後，於該分離層上，旋轉塗佈接著劑組成物，藉由於90℃加熱4分鐘、160℃加熱4分鐘、220℃加熱4分鐘，於分離層上形成厚度50μm之接著層(接著層形成步驟)。 接著，使用固晶機(TRESKY公司製)，將固晶機之平台加熱至150℃，以35N之壓力於前述接著層上壓接2mm見方之矽製之裸晶1秒。配置矽製之裸晶後，於氮環境下、200℃加熱1小時，得到層合體(基板固定步驟)。

分離層形成用組成物係使用以下者。 TZNR(註冊商標)-CTRL9(東京應化工業股份有限公司製)：具有胺基酚骨架之樹脂(GSP-01、GSP-02(群榮化學工業股份有限公司製)) 接著劑組成物係使用以下者。 TZNR(註冊商標)-A4017(東京應化工業股份有限公司製)：含有H1051(旭化成股份有限公司製)及Septon2002 (Kuraray股份有限公司製)之彈性體接著劑。

＜電子零件之製造＞ (實施例1~3、比較例1) [分離步驟] 自前述層合體之支撐基體側，對分離層，以掃描速度6400mm/秒、頻率40kHz、輸出(電流值)22A、照射節距180μm之條件，照射波長532nm之雷射光。之後，自前述層合體分離支撐基體。

[膨潤步驟] 對經分離支撐基體之層合體的接著層，將表1之「膨潤步驟」所示各例之溶劑布滿於基板上，進行1分鐘靜置。之後，將[膨潤步驟]所示各例之溶劑，進行噴霧1分鐘，進行分離層之去除。

[去除步驟] 前述膨潤步驟後，對前述層合體之接著層，進行噴霧表1「去除步驟」所示各例之溶劑7分鐘，將附著於裸晶之接著層溶解去除。

＜評估＞ 於去除步驟後，觀察附著於裸晶之分離層及接著層的殘渣，遵照以下所示之評估基準，評估洗淨去除性。其結果於表1表示為「洗淨性」。 評估基準 ○：相較於膨潤步驟前，分離層/接著層的殘渣大幅減低的情況 ×：相較於膨潤步驟前，分離層/接著層的殘渣幾乎未減低的情況

[表1]

	實施例1	實施例2	實施例3	比較例1
膨潤步驟	(S1)-1	(S1)-2	(S1)-3	(S)-1
去除步驟	(S2)-1	(S2)-1	(S2)-1	(S2)-1
洗淨性	○	○	○	×

表1中，各縮寫分別具有以下意義。 (S1)-1：乙酸丁酯(LogP：1.82、Ra：5.69、接著層之體積增加率：1.02) (S1)-2：環己酮(LogP：0.081、Ra：7.86、接著層之體積增加率：1.04) (S1)-3：乙酸丁酯/環己酮=80/20之混合溶劑。(Ra：5.82、接著層之體積增加率：1.02) (S)-1：TZNR(註冊商標)-SL Remover(東京應化工業股份有限公司製)、單乙醇胺/PGME之混合溶劑(Ra：15.11、接著層之體積增加率：1.00) (S2)-1：TZNR-HC Thinner(東京應化工業股份有限公司製)

由表1所示結果，得知使用實施例1~3之製造方法時，附著於裸晶之分離層及接著層的殘渣減低，可得到良好狀態之裸晶。

＜相互作用間距離Ra＞ 於上述，Ra表示溶劑之漢森溶解度參數，與接著層中所含有的樹脂之漢森溶解度參數之相互作用間距離。接著層中所含有的樹脂，及溶劑之漢森溶解度參數，以及相互作用間距離Ra，係使用軟體Hansen Solubility Parameter in Practice(HSPiP；Charles M. Hansen)算出。 接著層中所含有的樹脂之漢森溶解度參數，例如係以接著層中所含有的各樹脂之莫耳比、構成各樹脂之構成單位的種類，及各樹脂中之各構成單位的莫耳比為輸入數據，使用前述軟體，作為混合樹脂之漢森溶解度參數來算出。混合溶劑之漢森溶解度參數，係以各溶劑之種類及混合比(莫耳比)為輸入數據，使用前述軟體，作為混合溶劑之漢森溶解度參數來算出。 相互作用間距離Ra，係以前述混合樹脂之漢森溶解度參數，與各溶劑之漢森溶解度參數(混合溶劑時為混合溶劑之漢森溶解度參數)為輸入數據，使用前述軟體來算出。

＜接著層之體積增加率(V_ad2 /V_ad1 )之測定＞ 前述各溶劑所示之接著層之體積增加率(V_ad2 /V_ad1 )，係由以下方法測定。 於素玻璃支撐基體(12吋、厚度0.7mm)上，旋轉塗佈上述之接著劑組成物，藉由於90℃加熱4分鐘、160℃加熱4分鐘、220℃加熱4分鐘，於支撐基體上形成厚度50μm之接著層。使用TalySurf CCI系列(TAYLOR HOBSON公司製)，將接著層3次元地測定，求得接著層體積V_ad1 。接著，於表1之[膨潤步驟]所示各例之溶劑中，浸漬前述附有接著層之支撐基體1分鐘。之後，使用TalySurf CCI系列，將接著層3次元地測定，求得接著層體積V_ad2 。由前述V_ad1 及V_ad2 之值，求得接著層之體積增加率(V_ad2 /V_ad1 )。

1:支撐基體 2:分離層 3:接著層 3’:經膨潤之接著層 4:基板 5:密封材層 6:配線層 10:第1溶劑 11:噴嘴 20:第2溶劑 21:噴嘴 12:支撐體 30:層合體 40:層合體 50:電子零件 100:層合體 100’:層合體 200:層合體 456:電子裝置

[圖1]為說明本發明之一實施形態之電子零件之製造方法中的分離步驟之圖。

[圖2]為說明本發明之一實施形態之電子零件之製造方法中的膨潤步驟及去除步驟之圖。

[圖3]為說明可應用本發明之一實施形態之電子零件之製造方法的層合體之製造方法的一部分之概略之圖。

[圖4]為說明可應用本發明之一實施形態之電子零件之製造方法的層合體之製造方法中的步驟的一部分之圖。

[圖5]為說明可應用本發明之一實施形態之電子零件之製造方法的層合體之製造方法中的步驟的一部分之圖。

Claims (7)

1. 一種電子零件之製造方法，其具有：對依序層合有使光透過之支撐基體、藉由光照射而變質之分離層、接著層，與基板或電子裝置之層合體中之前述分離層，隔著前述支撐基體照射光，使前述分離層變質，藉以使前述基板或電子裝置自前述支撐基體分離之分離步驟；於前述分離步驟之後，使用第1溶劑，使附著於前述基板或電子裝置之接著層膨潤之膨潤步驟；與於前述膨潤步驟之後，使用第2溶劑，溶解前述經膨潤之接著層，以去除前述接著層之去除步驟；前述接著層含有至少1種樹脂，前述第1溶劑，為其漢森溶解度參數，與前述樹脂之漢森溶解度參數的相互作用間距離Ra(MPa^1/2)之值，滿足5≦Ra≦10之溶劑。
2. 如請求項1之電子零件之製造方法，其中前述第1溶劑，為具有高於前述第2溶劑之極性的溶劑。
3. 如請求項1之電子零件之製造方法，其中前述第1溶劑，為滿足下述式(v1)之溶劑；[數1]V_ad2/V_ad1≧1.01‧‧‧(v1)[上述式中，V_ad1表示浸漬於前述第1溶劑之前的前述接著層體積，V_ad2表示浸漬於前述第1溶劑之後的前述接著層 體積]。
4. 如請求項1~3中任一項之電子零件之製造方法，其中前述第1溶劑，包含具有至少1個選自由酯鍵、醚鍵，及酮基所成之群的結構之溶劑。
5. 如請求項1~3中任一項之電子零件之製造方法，其中前述第2溶劑為烴系溶劑。
6. 如請求項1~3中任一項之電子零件之製造方法，其中前述分離層係由硬化膜構成。
7. 一種使用於如前述請求項1~6中任一項之電子零件之製造方法的套組，其包含使前述接著層膨潤之第1溶劑，與溶解前述接著層之第2溶劑。

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