TW202007783A - 層合體的製造方法、層合體，及電子裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

[目的] 經由抑制接著層上所形成的絕緣層之變形或移動、以優良精準度實施重新佈線之方式，抑制產率之降低。 [解決手段] 層合體(100)的製造方法為包含：依序層合支撐體(10)，與經由吸收光線或加熱而變質的分離層(20)，與接著層(30)，與形成導線重佈層(RDL)(71)所使用的熔點為300℃以上之保護層(40)之方法。

Description

層合體的製造方法、層合體，及電子裝置的製造方法
本發明為有關層合體的製造方法、層合體，及電子裝置的製造方法。
近年來，製造電子裝置的方法之一例示，已知有稱為扇出型PLP(Fan-out Panel Level Package)技術之方法。扇出型PLP技術，例如為：於晶圓等之支撐體上，形成經由吸收光線或加熱而變質的分離層，於其上層合具有電子零件的基板。隨後，將光或熱施加於分離層，使支撐體由基板分離，將基板由電子零件逐個切斷而製得電子裝置之方法(例如：專利文獻1)。
該些扇出型PLP技術中，有區分為於分離層上層合基板之後，於基板實施重新佈線的稱為晶片優先之方法，與於分離層上實施重新佈線之後，於重新佈線上層合基板的稱為RLD優先之方法。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 特開平9-29167號公報
[發明所欲解決之問題]
上述RLD優先之技術中，為於分離層上形成接著層，於接著層上經重新佈線進行圖型形成(Patterning)。實施重新佈線形成圖型時，例如於接著層上全面形成絕緣層，於絕緣層上塗佈光阻劑進行曝光及顯影。該些處理中，因包含加熱光阻劑之步驟，故接著層會有因熱而發生收縮或變形之情形。接著層發生收縮或變形時，會造成接著層上形成的絕緣層發生移動，而使經圖型形成後的絕緣層位置或間隔與其設計值發生偏差。其結果，會造成形成於絕緣層之間的重新佈線之位置發生偏移或造成配線寬度變動，故使用該些重新佈線時，將會發生不良品而為造成產率降低之要因。
本發明，則以提供一種可抑制接著層上所形成的絕緣層之變形或移動、以優良精準度實施重新佈線而可抑制產率降低之層合體的製造方法、層合體，及電子裝置的製造方法為目的。 [解決問題之方法]
本發明之第1態樣為，提供一種層合體的製造方法，其為依序層合支撐體，與經由吸收光線或加熱而變質的分離層，與接著層，與形成導線重佈層(RDL)所使用的熔點為300℃以上之保護層之方法。
本發明之第2態樣為，提供一種層合體，其為依序層合支撐體，與經由吸收光線或加熱而變質的分離層，與接著層，與形成導線重佈層(RDL)所使用的熔點為500℃以上之保護層者。
本發明之第3態樣為，提供一種電子裝置的製造方法，其為包含：製造由第1態樣之層合體的製造方法所製得之層合體、使前述分離層變質後，將前述層合體由前述支撐體分離的同時，由前述基板去除前述接著層及前述分離層，而製得含有前述電子零件的電子裝置之方法。 [發明之效果]
本發明因於接著層上層合熔點為300℃以上的保護層，故即使於保護層上實施重新佈線之際所進行的加熱步驟之情形時，也可抑制接著層之變形或移動。如此，可抑制接著層上所形成的重新佈線之移動或配線寬度之變動、以優良精準度實施重新佈線而抑制不良品的發生，且可抑制產率之降低。
以下，將參酌圖式，對本發明之實施形態進行說明。以下，於圖式中，為使各結構內容容易瞭解，會有部份強調，或部份簡略化表示，而會與實際的結構或形狀、縮尺等有差異之情形。
圖1，為實施形態中層合體的製造方法及電子裝置的製造方法流程之一例示。本實施形態，為使用所謂的扇出型PLP技術以製造電子裝置。實施形態中層合體的製造方法及電子裝置的製造方法，係如圖1所示般，為包含：形成分離層之步驟S01，與形成接著層之步驟S02，與形成保護層之步驟S03，與形成導線重佈層(RDL)之步驟S04，與形成基板之步驟S05，與模具研磨之步驟S06，與使分離層變質之步驟S07，與剝離玻璃支撐體之步驟S08，與去除接著層之步驟S09。
圖3至圖11，為實施形態中層合體的製造方法及電子裝置的製造方法之一步驟例示圖。以下，於圖3至圖11中，為使用XYZ座標系以說明圖中之方向。該XYZ座標系中，於玻璃支撐體中，與形成分離層的分離層形成面為平行之面，稱為XY平面。與該XY平面為平行之方向(例如：玻璃支撐體的短邊方向)標記為X方向，與X方向形成垂直交叉之方向(例如：玻璃支撐體的長邊方向)標記為Y方向。又，與XY平面形成垂直之方向標記為Z方向。即，分離層形成面的法線方向為Z方向。X方向、Y方向及Z方向之標示，於圖中的箭頭之方向為「＋」方向，與箭頭方向相反之方向則為「-」方向。
＜形成分離層之步驟＞ 形成分離層之步驟S01，例如：如圖3(A)所示般，例如於矩形的玻璃支撐體10之分離層形成面10f上形成分離層20。形成分離層之步驟S01，例如將玻璃支撐體10放置於平台上(未於圖式中標示)，由狹縫噴嘴(slit nozzle)等吐出於玻璃支撐體10上的分離層形成面10f上形成分離層20的液狀物。於此狀態下使平台與狹縫噴嘴形成相對性的移動，而於玻璃支撐體10上形成分離層20，而形成層合體100。又，玻璃支撐體10，例如可使用厚度500μm以上、2000μm以下的玻璃板等，經載置、吸附於圖式中無標示的平台部等，而使分離層形成面10f保持特定的平面度之狀態。形成分離層20的液狀物之塗佈方法，並未有特別之限定，例如：可使用旋轉塗佈法、浸漬法、滾輪刮刀法(rollerblade)、刮刀法(doctorblade)、噴霧法、狹縫噴嘴法、噴墨法等塗佈法等。又，於玻璃支撐體10上塗佈形成分離層20所使用的液狀物之後，亦可經由加熱處理等使其乾燥。
分離層20，例如由吸收光線而變質的材料所形成。本實施形態中，分離層20變質之意，係指分離層20將形成僅需些許外力即可被破壞之狀態，或形成分離層20與其鄰接層的接著力降低之狀態。分離層20，經由吸收光線而變質後，其與變質前相比較時，會使強度或對玻璃支撐體10之接著性降低。因此，變質後的分離層20，經施加些許外力(例如將玻璃支撐體10提起等)時，即會被破壞或由玻璃支撐體10剝離。
分離層20之變質，係指經由吸收的光之能量(發熱性或非發熱性)而發生的分解、交聯、立體配置的變化或官能基之解離(以下，該些統稱為分離層20之硬化、脫氣、收縮或膨脹)等。分離層20之變質，為形成分離層20的材料於吸收光線後所發生的結果。因此，分離層20變質之種類，為依形成分離層20的材料之種類而有所變化。又，分離層20，並不僅限定於經由吸收光線而變質的材料。例如亦可為不僅為光線，於吸收熱量而發生變質之材料，或經由其他的溶劑等而發生變質之材料等。
分離層20之厚度，例如以0.05μm至50μm為較佳，以0.3μm至1.0μm為更佳。分離層20之厚度集中於0.05μm至50μm之範圍內時，只要經由短時間的光線照射及低能量的光照射，或短時間的加熱、短時間浸漬於溶劑等方法，即可使分離層20發生所期待的變質。又，分離層20之厚度，就生產性之觀點，以集中於1μm以下之範圍內為特佳。
以下，將說明經由吸收光能量而變質的分離層20。分離層20，雖以由僅具有可吸收光線的結構之材料所形成者為佳，但於無損其本質上特性之範圍，亦可添加不具有吸收光線的結構之材料，而形成分離層20。又，分離層20中，如後述之與接著層30為對向之側的面，以平坦(無形成凹凸狀)者為佳，如此，可使接著層30達到平滑化，因而可於接著層30上更精確地形成金屬層70(導線重佈層(RDL)71)。
分離層20，可為吸收雷射照射之光線而變質者。即，為使分離層20發生變質而對分離層20照射之光線，可為由雷射產生之照射者。可發出對分離層20進行照射之光線的雷射之例，例如：YAG雷射、紅寶石雷射、玻璃雷射、YVO4 雷射、LD雷射、纖維雷射等的固體雷射、色素雷射等的液體雷射、CO2 雷射、準分子雷射、Ar雷射、He-Ne雷射等的氣體雷射、半導體雷射、自由電子雷射等的雷射光，或非雷射光等。可發出對分離層20進行照射之光線的雷射，可配合形成分離層20的材料作適當之選擇，只要選擇可發出使形成分離層20的材料發生變質的波長之光線的雷射即可。
(氟化碳) 分離層20，可由氟化碳結構者亦可。分離層20，由氟化碳結構者時，可經由吸收光線而發生變質，其結果將會喪失照射光線前的強度或接著性。因此，於僅施加些許外力(例如將玻璃支撐體10提起等)時，即可使分離層20被破壞，而容易將玻璃支撐體10與基板80分離。形成分離層20的氟化碳，可使用電漿CVD(化學氣相堆積)法適當地形成膜。
氟化碳，依其種類之不同而會吸收具有特定範圍之波長。使用分離層20所使用的氟化碳的吸收範圍的波長之光線照射分離層時，可使氟化碳適當地發生變質。又，分離層20中之光吸收率以80%以上為佳。
照射分離層20之光線，可配合氟化碳可吸收之波長，而適當地使用例如：YAG雷射、紅寶石雷射、玻璃雷射、YVO4雷射、LD雷射、纖維雷射等的固體雷射、色素雷射等的液體雷射、CO2 雷射、準分子雷射、Ar雷射、He-Ne雷射等的氣體雷射、半導體雷射、自由電子雷射等的雷射光，或非雷射光。可使氟化碳發生變質之波長，並不限定於該些內容，但例如可使用600nm以下之範圍者。
(於該重複單位中含有具有光吸收性之結構的聚合物) 分離層20，可含有於該重複單位中含有具有光吸收性之結構的聚合物。該聚合物，可經由光線照射而發生變質。該聚合物之變質，為於上述結構吸收到所照射的光線而發生變質。分離層20，於該聚合物發生變質結果，將會喪失照射光線前的強度或接著性。因此，於僅施加些許外力(例如將玻璃支撐體10提起等)時，即可使分離層20被破壞，而容易將玻璃支撐體10與基板80分離。
具有光吸收性之上述結構為，於吸收光之後，可使含有作為重複單位的該結構之聚合物發生變質之化學結構。該結構，例如含有由被取代或未被取代的苯環、縮合環或雜環所形成的共軛π電子系之原子團。更詳細而言，該結構為存在於軸節型結構，或上述聚合物側鏈的二苯甲酮結構、二苯基亞碸結構、二苯碸結構(雙苯碸結構)、二苯基結構或二苯胺結構。
上述結構存在於上述聚合物側鏈時，該結構可以下述式表示。
Figure 02_image001
(式中，R分別獨立為烷基、芳基、鹵素、羥基、酮基、磺酸酯基、碸基或N(R1 )(R2 )基(其中，R1 及R2 分別獨立為氫原子或碳數1至5之烷基)，Z為不存在，或為-CO-、-SO2 -、-SO-或-NH-，n為0或1至5之整數)。 又，上述聚合物，於該主鏈中，可含有例如以下式中之(a)至(d)中任一者所表示之重複單位，或含有以(e)表示，或(f)表示之結構。
Figure 02_image003
(式中，l為1以上之整數；m為0或1至2之整數；X為：(a)至(e)中，以上述化學式[化1]所表示之任一化學式，或(f)中之以上述[化1]所表示之任一化學式，或不存在；Y1 及Y2 為各別獨立之-CO-或-SO2 -。l較佳為10以下之整數)。 以上述化學式[化1]表示之苯環、縮合環及雜環之例，可列舉如：苯基、被取代之苯基、苄基、被取代之苄基、萘、被取代之萘、蒽、被取代之蒽、蒽醌、被取代之蒽醌、吖啶、被取代之吖啶、偶氮苯、被取代之偶氮苯、茀、被取代之茀、茀酮、被取代之茀酮、咔唑、被取代之咔唑、N-烷基咔唑、二苯併呋喃、被取代之二苯併呋喃、菲、被取代之菲、芘及被取代之芘等。該例示之取代基尚具有取代基時，該取代基，例如由烷基、芳基、鹵素原子、烷氧基、硝基、醛、氰基、醯胺、二烷胺基、磺醯胺、醯亞胺、羧酸、羧酸酯、磺酸、磺酸酯、烷胺基及芳胺基中所選出者。
上述化學式[化1]所示之取代基中，為具有2個苯基的第5號之取代基，且Z為-SO2 -的情形之例，可列舉如：雙(2,4-二羥苯基)碸、雙(3,4-二羥苯基)碸、雙(3,5-二羥苯基)碸、雙(3,6-二羥苯基)碸、雙(4-羥苯基)碸、雙(3-羥苯基)碸、雙(2-羥苯基)碸，及雙(3,5-二甲基-4-羥苯基)碸等。
上述化學式[化1]所示之取代基中，為具有2個苯基的第5號之取代基，且Z為-SO-的情形之例，可列舉如：雙(2,3-二羥苯基)磺酸酯、雙(5-氯-2,3-二羥苯基)磺酸酯、雙(2,4-二羥苯基)磺酸酯、雙(2,4-二羥基-6-甲苯基)磺酸酯、雙(5-氯-2,4-二羥苯基)磺酸酯、雙(2,5-二羥苯基)磺酸酯、雙(3,4-二羥苯基)磺酸酯、雙(3,5-二羥苯基)磺酸酯、雙(2,3,4-三羥苯基)磺酸酯、雙(2,3,4-三羥基-6-甲苯基)-磺酸酯、雙(5-氯-2,3,4-三羥苯基)磺酸酯、雙(2,4,6-三羥苯基)磺酸酯、雙(5-氯-2,4,6-三羥苯基)磺酸酯等。
上述化學式[化1]所示之取代基中，為具有2個苯基的第5號之取代基，且Z為-C(＝O)-的情形之例，可列舉如：2,4-二羥基二苯甲酮、2,3,4-三羥基二苯甲酮、2,2’,4,4’-四羥基二苯甲酮、2,2’,5,6’-四羥基二苯甲酮、2-羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2-羥基-4-辛氧基二苯甲酮、2-羥基-4-十二烷氧基二苯甲酮、2,2’-二羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2,6-二羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2,2’-二羥基-4,4’-二甲氧基二苯甲酮、4-胺基-2’-羥基二苯甲酮、4-二甲胺基-2’-羥基二苯甲酮、4-二乙胺基-2’-羥基二苯甲酮、4-二甲胺基-4’-甲氧基-2’-羥基二苯甲酮、4-二甲胺基-2’,4’-二羥基二苯甲酮，及4-二甲胺基-3’,4’-二羥基二苯甲酮等。
上述結構存在於上述聚合物的側鏈時，含有上述結構的重複單位，於上述聚合物中所佔之比例，為使分離層20之光線穿透率達0.001%以上、10%以下之範圍。將該比例集中於該些範圍而製得的聚合物時，可使分離層20充份吸收光線，而可確實且迅速地變質。即，可容易由基板80去除玻璃支撐體10，且可縮短去除時所必需的光線照射時間。
上述結構中，可依種類選擇之不同，而可吸收具有所期待之範圍的波長之光線。例如：上述結構可吸收的光線之波長，以100nm以上、2,000nm以下之範圍內為較佳。於該範圍內，上述結構可吸收的光線之波長以更短波長之側為佳，例如為100nm以上、500nm以下之範圍內。例如上述結構中，較佳為吸收具有約300nm以上、370nm以下之範圍內的波長之紫外光時，即可使含有該結構的聚合物發生變質。
上述結構可吸收之光線，例如：高壓水銀燈(波長：254nm以上、436nm以下)、KrF準分子雷射(波長：248nm)、ArF準分子雷射(波長：193nm)、F2 準分子雷射(波長：157nm)、XeCl雷射(波長：308nm)、XeF雷射(波長：351nm)或固體UV雷射(波長：355nm)所發出之光線，或g線(波長：436nm)、h線(波長：405nm)或i線(波長：365nm)等。
上述分離層20，為含有含重複單位的上述結構之聚合物，分離層20中，可再含有上述聚合物以外的成份。該成份，例如：填料、可塑劑，及提高玻璃支撐體10的剝離性之成份等。該些的成份，只要不會妨礙上述結構的光線吸收，及聚合物變質，或促進聚合物變質時，可由以往公知的物質或材料中適當地選擇使用。
(無機物) 分離層20，亦可由無機物所形成者。分離層20，為由無機物所形成時，可經由吸收光線而變質，其結果將會喪失照射光線前的強度或接著性。因此，於僅施加些許外力(例如將玻璃支撐體10提起等)時，即可使分離層20被破壞，而容易將玻璃支撐體10與基板80分離。
上述無機物，只要具有可經由吸收光線而變質的結構內容者即可，例如可適當地使用由金屬、金屬化合物及碳所成之群所選出之1種以上的無機物。金屬化合物，係指含有金屬原子的化合物，例如：金屬氧化物、金屬氮化物等。該些無機物之例示，並不限定於下述內容，但可列舉如：由金、銀、銅、鐵、鎳、鋁、鈦、鉻、SiO2 、SiN、Si3 N4 、TiN，及碳所成之群所選出之1種類以上的無機物。又，亦包含碳與碳的同位素之概念，例如：石墨、富勒烯、類金鋼石碳、碳奈米管等。
上述無機物，依其種類之不同，而會吸收具有特定範圍的波長之光線。使用分離層20所使用的無機物的吸收範圍的波長之光線，照射分離層時，可使上述無機物適當地變質。
照射由無機物所形成的分離層20之光線，可配合上述無機物可吸收之波長，適當地使用例如：YAG雷射、紅寶石雷射、玻璃雷射、YVO4 雷射、LD雷射、纖維雷射等的固體雷射、色素雷射等的液體雷射、CO2 雷射、準分子雷射、Ar雷射、He-Ne雷射等的氣體雷射、半導體雷射、自由電子雷射等的雷射光，或非雷射光。
由無機物所形成的分離層20，例如，可使用濺鍍、化學蒸鍍(CVD)、鍍敷、電漿CVD、旋轉塗佈等的公知技術，而形成於玻璃支撐體10上。由無機物所形成的分離層20之厚度，並未有特別之限定，只要具有可充份吸收所使用的光線之膜厚即可，又例如以具有0.05μm以上、10μm以下範圍內之膜厚為更佳。又，可預先將接著劑塗佈於由形成分離層20的無機物所形成的無機膜(例如：金屬膜)的兩面或單面，再貼合於玻璃支撐體10及基板80亦可。
又，使用作為分離層20的金屬膜時，依分離層20之膜質、雷射光源之種類、雷射輸出等的條件，而會造成雷射之反射或引起膜之靜電反應等。因此，較佳為將抗反射膜或抗靜電膜設置於分離層20之上下或任一側面，作為該些之對策。
(具有紅外線吸收性結構之化合物) 分離層20，可由具有紅外線吸收性結構之化合物所形成。該化合物，可經由吸收紅外線而發生變質。分離層20中，經該化合物變質之結果，將會喪失照射紅外線前的強度或接著性。因此，僅施加些許之外力(例如：將支撐體提起等)時，即可使分離層20被破壞，而容易將玻璃支撐體10與基板80分離。
具有紅外線吸收性之結構，或含有具有紅外線吸收性之結構的化合物，例如：鏈烷、烯烴(乙烯基、反、順、亞乙烯、三取代、四取代、共軛、疊烯、環式)、炔烴(一取代、二取代)、單環式芳香族(苯、一取代、二取代、三取代)、醇及酚類(自由OH基、分子內氫鍵結、分子間氫鍵結、飽和二級、飽和三級、不飽和二級、不飽和三級)、縮醛、縮酮、脂肪族醚、芳香族醚、乙烯醚、環氧乙烷環醚、過氧化物醚、酮、二烷羰基、芳香族羰基、1,3-二酮之烯醇、o-羥基芳酮、二烷基醛、芳香族醛、羧酸(二聚體、羧酸陰離子)、甲酸酯、乙酸酯、共軛酯、非共軛酯、芳香族酯、內酯(β-、γ-、δ-)、脂肪族氯氧化物、芳香族氯氧化物、酸酐(共軛、非共軛、環式、非環式)、一級醯胺、二級醯胺、內醯胺、一級胺(脂肪族、芳香族)、二級胺(脂肪族、芳香族)、三級胺(脂肪族、芳香族)、一級胺鹽、二級胺鹽、三級胺鹽、銨離子、脂肪族腈、芳香族腈、碳二亞胺)、脂肪族異腈、芳香族異腈、異氰酸酯、硫氰酸酯、脂肪族異硫氰酸酯、芳香族異硫氰酸酯、脂肪族硝基化合物、芳香族硝基化合物、硝胺、亞硝胺、硝酸酯、亞硝酸酯、亞硝基鍵結(脂肪族、芳香族、單體、二聚體)、硫醇及硫酚及硫醇酸等的硫化合物、硫羰基、磺酸酯、碸、氯化磺醯基、一級磺醯胺、二級磺醯胺、硫酸酯、碳-鹵素鍵結、Si-A1 鍵結(A1 為H、C、O或鹵素)、P-A2 鍵結(A2 為H、C或O)，或Ti-O鍵結。
上述含有碳-鹵素鍵結之結構，例如：-CH2 Cl、-CH2 Br、-CH2 I、-CF2 -、-CF3 、-CH＝CF2 、-CF＝CF2 、氟化芳基，及氯化芳基等。
上述含有Si-A1 鍵結之結構，例如：SiH、SiH2 、SiH3 、Si-CH3 、Si-CH2 -、Si-C6 H5 、SiO-脂肪族、Si-OCH3 、Si-OCH2 CH3 、Si-OC6 H5 、Si-O-Si、Si-OH、SiF、SiF2 ，及SiF3 等。含有Si-A1 鍵結之結構，特別是以可形成矽氧烷骨架及倍半矽氧烷骨架者為佳。
上述含有P-A2 鍵結之結構，例如：PH、PH2 、P-CH3 、P-CH2 -、P-C6 H5 、A3 3 -P-O(A3 為脂肪族或芳香族)、(A4 O)3 -P-O(A4 為烷基)、P-OCH3 、P-OCH2 CH3 、P-OC6 H5 、P-O-P、P-OH，及O＝P-OH等。
上述結構中，可經由種類之選擇，而可吸收具有所期待之範圍的波長之紅外線。具體而言，例如：上述結構可吸收的紅外線之波長，例如為1μm以上、20μm以下之範圍，又以2μm以上、15μm以下之範圍內為更適合吸收。此外，上述結構為Si-O鍵結、Si-C鍵結及Ti-O鍵結時，為9μm以上、11μm以下之範圍內。又，各結構可吸收的紅外線之波長，為熟悉該項技術之人士所容易理解者。例如：各結構的吸收帶，可參考非專利文獻：SILVERSTEIN・BASSLER・MORRILL著「有機化合物圖譜之鑑識法(第5版)-MS、IR、NMR、UV之併用-」(1992年發行)第146頁至第151頁的記載內容。
形成分離層20所使用的具有紅外線吸收性結構之化合物，只要為具有上述結構的化合物中，可溶解於塗佈所使用的溶劑，且可固化形成固化層者時，則無特別限定者。但，就使分離層20中的化合物可有效地變質，而容易使玻璃支撐體10與基板80分離之觀點，以分離層20中之紅外線吸收較大者，即，於對分離層20照射紅外線時，紅外線的穿透率較低者為佳。具體而言，例如：分離層20中的紅外線穿透率以低於90%者為佳，以紅外線穿透率低於80%者為更佳。
舉一例說明時，例如可使用具有矽氧烷骨架之化合物，例如由下述化學式[化3]所表示之重複單位及下述化學式[化4]所表示之重複單位的共聚物之樹脂，或下述化學式[化4]所表示之重複單位及丙烯酸系化合物所產生之重複單位的共聚物之樹脂。
Figure 02_image005
Figure 02_image007
(上述化學式[化4]中，R3 為氫、碳數10以下之烷基，或碳數10以下之烷氧基)。 其中，具有矽氧烷骨架之化合物，又以上述化學式[化3]所表示之重複單位及下述化學式[化5]所表示之重複單位的共聚物之t-丁基苯乙烯(TBST)-二甲基矽氧烷共聚物為較佳，以上述化學式[化3]所表示之重複單位及下述化學式[化5]所表示之重複單位的含有比例為1：1的TBST-二甲基矽氧烷共聚物為更佳。
Figure 02_image009
又，具有倍半矽氧烷骨架之化合物，例如可使用由下述化學式[化6]所表示之重複單位及下述化學式[化7]所表示之重複單位的共聚物之樹脂。
Figure 02_image011
Figure 02_image013
(上述化學式[化6]中，R4 為氫或碳數1以上、10以下之烷基；上述化學式[化7]中，R5 為碳數1以上、10以下之烷基，或苯基)。 具有倍半矽氧烷骨架之化合物，其他可適當地使用例如：特開2007-258663號公報(2007年10月4日公開)、特開2010-120901號公報(2010年6月3日公開)、特開2009-263316號公報(2009年11月12日公開)及特開2009-263596號公報(2009年11月12日公開)中所揭示之各個倍半矽氧烷樹脂。
其中，具有倍半矽氧烷骨架之化合物，以下述化學式[化8]所表示之重複單位及下述化學式[化9]所表示之重複單位的共聚物為較佳，以下述化學式[化8]所表示之重複單位及下述化學式[化9]所表示之重複單位的含有比例為5：5～9：1之範圍(例如7：3)的共聚物為更佳。
Figure 02_image015
Figure 02_image017
具有倍半矽氧烷骨架的聚合物，可為無規結構、梯形結構，及籠型結構，亦可為任意之結構。
又，含有Ti-O鍵結之化合物，例如：(i)四-i-丙氧基鈦、四-n-丁氧基鈦、四(2-乙基己氧基)鈦，及鈦-i-丙氧基伸辛基乙醇酸鹽等之烷氧基鈦；(ii)二-i-丙氧基・雙(乙醯基乙酸鹽)鈦，及丙烷二氧鈦雙(乙基乙醯乙酸鹽)等的鈦螯合物；(iii)i-C3 H7 O-[-Ti(O-i-C3 H7 )2 -O-]n -i-C3 H7 ，及n-C4 H9 O-[-Ti(O-n-C4 H9 )2 -O-]n -n-C4 H9 等的鈦聚合物；(iv)三-n-丁氧基鈦單硬脂酸鹽、鈦硬脂酸鹽、二-i-丙氧基鈦二異硬脂酸鹽，及(2-n-丁氧羰基苯甲醯氧基)三丁氧基鈦等之鈦醯酸鹽；(v)二-n-丁氧基・雙(三乙醇胺根)鈦等的水溶性鈦化合物等。
其中，含有Ti-O鍵結之化合物，又以二-n-丁氧基・雙(三乙醇胺根)鈦(Ti(OC4 H9 )2 [OC2 H4 N(C2 H4 OH)2 ]2 )為佳。
上述分離層20，為含有具有紅外線吸收性結構之化合物，但分離層20可再含有上述化合物以外的成份。該成份，可列舉如：填料、可塑劑，及提高玻璃支撐體10剝離性之成份等。該些的成份，只要不會妨礙上述結構對紅外線之吸收，及化合物發生變質，或促進變質者時，可由以往公知物質或材料中適當地選擇使用。
(紅外線吸收物質) 分離層20中，可含有紅外線吸收物質。分離層20，因由含有紅外線吸收物質所構成者，故經由吸收光線而會發生變質，其結果將會喪失照射光線前的強度或接著性。因此，於僅施加些許外力(例如將玻璃支撐體10提起等)時，即可使分離層20被破壞，而容易將玻璃支撐體10與基板80分離。
紅外線吸收物質，只要具有因吸收紅外線而發生變質之結構內容者可，例如可適當地使用碳黑、鐵粒子，或鋁粒子等。紅外線吸收物質，依其種類之不同而可吸收具有特定範圍的波長之光線。使用分離層20所使用的紅外線吸收物質的吸收範圍的波長之光線，照射分離層20時，可使紅外線吸收物質適當地發生變質。
＜形成接著層之步驟＞ 形成接著層之步驟S02，為於形成分離層之步驟S01之後進行。形成接著層之步驟S02，例如圖3(B)所示般，為於分離層20的不存在玻璃支撐體10之側，即，於分離層20的接著層形成面20f上，以與分離層20互相接合之方式形成接著層30。形成接著層之步驟S02，為使接著層30形成於分離層20上之步驟。
形成接著層之步驟S02，例如與形成分離層之步驟S01相同般，將玻璃支撐體10放置於平台(於圖式中無標示)上，使用狹縫噴嘴等向分離層20的接著層形成面20f吐出形成接著層30之液狀物。於該狀態下，使平台與狹縫噴嘴形成相對性的移動，而於分離層20上形成接著層30。接著層30，例如以形成厚度為1μm以上、100μm以下者為佳。
(接著層的製造方法例) 形成接著層之步驟S02中，可使用含有接著劑的液狀物塗佈於分離層20亦可、將兩面塗佈接著劑的接著膠布貼合於分離層20亦可。接著劑之塗佈方法，並未有特別之限定，例如可使用旋轉塗佈法、浸漬法、滾輪刮刀法、刮刀法、噴霧法、狹縫噴嘴法、噴墨法等的塗佈法等。又，將接著劑塗佈於分離層20上之後，可施以加熱等處理使其乾燥。又，接著劑可使用例如丙烯酸系、酚醛清漆系、萘醌系、烴系、聚醯亞胺系、彈性體等於該領域所公知的各種接著劑。
接著層30所含有的樹脂，只要為具備接著性者即可，例如：烴樹脂、丙烯酸-苯乙烯系樹脂、馬來醯亞胺系樹脂、彈性體樹脂等，或該些之組合等。
接著劑的熔點，為依上述樹脂之種類或分子量，及使用於接著劑的可塑劑等的摻合物而有所變化。上述接著劑所含有的樹脂之種類或分子量，可配合基板及支撐體之種類作適當之選擇，一般接著劑所使用的樹脂之熔點，以50℃以上、300℃以下之範圍內為佳。接著劑所使用的樹脂之熔點為50℃以上、300℃以下之範圍內時，可抑制加熱時所造成的接著層之流動性。又，接著層30之熔點，可以適當地添加可塑劑或低聚合度之樹脂等方式進行調整。熔點，例如可使用公知差示掃瞄熱量測定裝置(DSC)進行測定。
(烴樹脂) 烴樹脂，為具有烴骨架之單體組成物經聚合而得之樹脂。烴樹脂，可列舉如：由環烯烴系聚合物(以下，亦稱為「樹脂(A)」)，及萜烯樹脂、松脂系樹脂及石油樹脂所成群所選出之至少1種的樹脂(以下，亦稱為「樹脂(B)」)等，但並不僅限定於該些內容。
樹脂(A)，可為由含有環烯烴系單體之單體成份經聚合而得之樹脂。具體而言，例如：含有環烯烴系單體之單體成份的開環(共)聚合物、含有環烯烴系單體的單體成份經加成(共)聚合而得之樹脂等。
結構樹脂(A)之單體成份所含的前述環烯烴系單體，例如：降莰烯、降冰片二烯等的二環體、二環戊二烯、二羥基戊二烯等的三環體、四環十二烯等的四環體、環戊二烯三聚物等的五環體、四環戊二烯等的七環體，或該些多環體之烷基(甲基、乙基、丙基、丁基等)取代物、烯基(乙烯基等)取代物、亞烷(亞乙基等)取代物、芳基(苯基、甲苯基、萘基等)取代物等。該些之中，特別是以由降莰烯、四環十二烯，或該些的烷基取代物所成之群所選出之降莰烯系單體為佳。
結構樹脂(A)之單體成份，可含有與上述環烯烴系單體進行共聚的其他單體，例如以含有烯烴單體者為佳。烯烴單體，例如：伸乙基、伸丙基、1-丁烯、異丁烯、1-己烯、α-烯烴等。烯烴單體，可為直鏈狀亦可、支鏈狀亦可。
又，結構樹脂(A)之單體成份，因含有環烯烴單體，故就高耐熱性(低熱分解、熱重量降低性)之觀點為較佳。相對於結構樹脂(A)之單體成份全體，環烯烴單體之比例，以5莫耳%以上為佳，以10莫耳%以上為較佳，以20莫耳%以上為更佳。又，相對於結構樹脂(A)之單體成份全體，環烯烴單體之比例，並未有特別之限定，但就溶解性及溶液中之存放安定性之觀點，以80莫耳%以下為佳，以70莫耳%以下為較佳。
又，結構樹脂(A)之單體成份，亦可含有直鏈狀或支鏈狀之烯烴單體。相對於結構樹脂(A)之單體成份全體，烯烴單體之比例就溶解性及柔軟性之觀點，以10至90莫耳%為佳，以20至85莫耳%為較佳，以30至80莫耳%為更佳。
又，樹脂(A)，例如由環烯烴系單體與烯烴單體所形成的單體成份進行聚合而得之樹脂般，為不具有極性基之樹脂，其就抑制高溫下造成的氣體之發生之觀點為更佳。
使單體成份進行聚合時的聚合方法或聚合條件等，並未有特別之限制，而可依通常方法進行適當之設定即可。
可作為樹脂(A)使用的市售品，例如：聚塑膠股份有限公司製的「TOPAS」、三井化學股份有限公司製的「APEL」、日本Zeon股份有限公司製的「ZEONOR」及「ZEONEX」、JSR股份有限公司製的「ARTON」等。
樹脂(B)，為由萜烯系樹脂、松脂系樹脂及石油樹脂所成群所選出之至少1種樹脂。具體而言，萜烯系樹脂例如：萜烯樹脂、萜烯酚樹脂、改質萜烯樹脂、氫化萜烯樹脂、氫化萜烯酚樹脂等。松脂系樹脂，例如：松脂、松脂酯、氫化松脂、氫化松脂酯、聚合松脂、聚合松脂酯、改質松脂等。石油樹脂，例如：脂肪族或芳香族石油樹脂、氫化石油樹脂、改質石油樹脂、脂環族石油樹脂、苯併呋喃・茚石油樹脂等。該些之中，又以氫化萜烯樹脂、氫化石油樹脂為較佳。
樹脂(B)的重量平均分子量並未有特別之限定，一般以300至3,000為佳。樹脂(B)的重量平均分子量為300以上時，可形成具有充份耐熱性者，而於高溫環境下可降低脫氣量。另一方面，樹脂(B)的重量平均分子量為3,000以下時，於剝離層合體時為具有良好的剝離速度者。又，本實施形態中，樹脂(B)的重量平均分子量，係指使用凝膠・滲透・色層分析儀(GPC)所測定的聚苯乙烯換算的分子量之意。
又，樹脂，亦可樹脂(A)與樹脂(B)混合而得者。經混合結果，可得到具有優良耐熱性及剝離速度者。例如：樹脂(A)與樹脂(B)之混合比例，於(A)：(B)＝80：20至55：45(質量比)時，以其具有優良的剝離速度、高溫環境時之熱耐性，及柔軟性等而為較佳。
(丙烯酸-苯乙烯系樹脂) 丙烯酸-苯乙烯系樹脂，例如：苯乙烯或苯乙烯之衍生物，與(甲基)丙烯酸酯等作為單體使用進行聚合而得之樹脂等。
(甲基)丙烯酸酯，例如：由鏈式結構所形成的(甲基)丙烯酸烷酯、具有脂肪族環之(甲基)丙烯酸酯、具有芳香族環之(甲基)丙烯酸酯等。由鏈式結構所形成的(甲基)丙烯酸烷酯，可列舉如：具有碳數15至20之烷基的丙烯酸系長鏈烷酯、具有碳數1至14之烷基的丙烯酸系烷酯等。丙烯酸系長鏈烷酯，可列舉如：烷基為n-十五烷基、n-十六烷基、n-十七烷基、n-十八烷基、n-十九烷基、n-二十烷基等的丙烯酸或甲基丙烯酸之烷酯等。又，該烷基亦可為分支狀者。
具有碳數1至14之烷基的丙烯酸系烷酯，可列舉如：現有的丙烯酸系接著劑所使用的公知的丙烯酸系烷酯等。例如烷基為：由甲基、乙基、丙基、丁基、2-乙基己基、異辛基、異壬基、異癸基、十二烷基(dodecyl)、月桂基、十三烷基等所形成之丙烯酸或甲基丙烯酸烷酯等。
具有脂肪族環之(甲基)丙烯酸酯，可列舉如：(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸環戊酯、(甲基)丙烯酸1-金剛烷酯、(甲基)丙烯酸降莰酯、(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸三環癸酯、(甲基)丙烯酸四環十二烷酯、(甲基)丙烯酸二環戊烷酯等，又以甲基丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸二環戊烷酯為較佳。
具有芳香族環之(甲基)丙烯酸酯，並無特別限定者，但芳香族環例如為：苯基、苄基、甲苯基、二甲苯基、聯苯、萘基、蒽基、苯氧甲基、苯氧乙基等。又，芳香族環，可具有碳數1至5的鏈狀或分支狀之烷基。具體而言，以丙烯酸苯氧乙酯為佳。
(馬來醯亞胺系樹脂) 馬來醯亞胺系樹脂，例如：單體為具有N-甲基馬來醯亞胺、N-乙基馬來醯亞胺、N-n-丙基馬來醯亞胺、N-異丙基馬來醯亞胺、N-n-丁基馬來醯亞胺、N-異丁基馬來醯亞胺、N-sec-丁基馬來醯亞胺、N-tert-丁基馬來醯亞胺、N-n-戊基馬來醯亞胺、N-n-己基馬來醯亞胺、N-n-庚基馬來醯亞胺、N-n-辛基馬來醯亞胺、N-月桂馬來醯亞胺、N-硬脂基馬來醯亞胺等的烷基之馬來醯亞胺；具有N-環丙基馬來醯亞胺、N-環丁基馬來醯亞胺、N-環戊基馬來醯亞胺、N-環己基馬來醯亞胺、N-環庚基馬來醯亞胺、N-環辛基馬來醯亞胺等的脂肪族烴基之馬來醯亞胺；具有N-苯基馬來醯亞胺、N-m-甲苯基馬來醯亞胺、N-o-甲苯基馬來醯亞胺、N-p-甲苯基馬來醯亞胺等的芳基之芳香族馬來醯亞胺等，經聚合而得之樹脂等。
例如：可將具有下述化學式[化10]所表示之重複單位及下述化學式[化11]所表示之重複單位的共聚物之環烯烴共聚物作為接著成份之樹脂使用。
Figure 02_image019
Figure 02_image021
(上述化學式[化11]中，n為0或1至3之整數)。 該些環烯烴共聚物，可使用APL 8008T、APL 8009T，及APL 6013T(全部皆為三井化學股份有限公司製)等。
(彈性體) 彈性體，以含有苯乙烯單位作為主鏈之結構單位者為佳，該「苯乙烯單位」亦可具有取代基。取代基，例如：碳數1至5之烷基、碳數1至5之烷氧基、碳數1至5之烷氧烷基、乙醯氧基、羧基等。又，該苯乙烯單位之含量，以14重量%以上、50重量%以下之範圍內為較佳。又，彈性體之重量平均分子量以10,000以上、200,000以下之範圍內為佳。
苯乙烯單位之含量為14重量%以上、50重量%以下之範圍內、彈性體的重量平均分子量為10,000以上、200,000以下之範圍內時，因可容易溶解於後述的烴系溶劑，故可更容易且迅速地去除接著層30。又，苯乙烯單位之含量及重量平均分子量為上述之範圍內時，對於晶圓進行阻劑微影蝕刻步驟時所使用的阻劑溶劑(例如PGMEA、PGME等)、酸(氟化氫酸等)、鹼(TMAH等)等，可發揮優良的耐性。
又，彈性體中，可再與上述(甲基)丙烯酸酯混合。
又，苯乙烯單位之含量，較佳為17重量%以上，又，較佳為40重量%以下。
重量平均分子量的較佳範圍為20,000以上，又，較佳範圍為150,000以下。
彈性體中，苯乙烯單位之含量為14重量%以上、50重量%以下之範圍內，若彈性體的重量平均分子量為10,000以上、200,000以下之範圍內時，可使用各種的彈性體。例如：聚苯乙烯-聚(伸乙基/伸丙基)嵌段共聚物(SEP)、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS)、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)、苯乙烯-丁二烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBBS)，及該些的氫化物、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物)(SEPS)、苯乙烯-乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEEPS)、苯乙烯嵌段為反應交聯型的苯乙烯-乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(SeptonV9461(Kurare股份有限公司製))、苯乙烯嵌段為反應交聯型的苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(具有反應性聚苯乙烯系硬嵌段，SeptonV9827(Kurare股份有限公司製))等，其可使用苯乙烯單位之含量及重量平均分子量為上述之範圍內者。
又，彈性體中，又以氫化物為較佳。為氫化物時，可提高對熱之安定性、不易引起分解或聚合等的變質。又，就對烴系溶劑之溶解性及對阻劑溶劑之耐受性之觀點為更佳。
又，彈性體中，又以兩端為苯乙烯的嵌段聚合物為較佳。具有高度熱安定性的苯乙烯位於兩末端的嵌段時可具有更高的耐熱性。
更具體而言，彈性體，以苯乙烯及共軛二烯的嵌段共聚物之氫化物為較佳。其可提高對熱之安定性，且不易引起分解或聚合等的變質。又，具有高度熱安定性的苯乙烯位於兩末端的嵌段時可具有更高的耐熱性。又，就對烴系溶劑之溶解性及對阻劑溶劑之耐受性之觀點為更佳。
形成接著層30的接著劑所含的彈性體可使用市售品，例如：Kurare股份有限公司製「SEPTON(商品名)」、Kurare股份有限公司製「HYBAR(商品名)」、旭化成股份有限公司製「TUFTEC(商品名)」、JSR股份有限公司製「DYNARON(商品名)」等。
形成接著層30的接著劑所含的彈性體之含量，例如：於接著劑組成物全量為100重量份時，以50重量份以上、99重量份以下之範圍內為佳，以60重量份以上、99重量份以下之範圍內為較佳，以70重量份以上、95重量份以下之範圍內為最佳。於該些範圍內時，可維持耐熱性的同時，亦可使晶圓與支撐體適當地貼合。
又，彈性體，亦可為複數種類之混合體。即，形成接著層30的接著劑可含有複數種類的彈性體。只要複數種類的彈性體中的至少1個為含有作為主鏈的結構單位之苯乙烯單位即可。又，只要複數種類的彈性體中的至少1個，其苯乙烯單位之含量為14重量%以上、50重量%以下之範圍內，或重量平均分子量為10,000以上、200,000以下之範圍內時，即屬本發明之範疇。又，形成接著層30的接著劑中，含有複數種類的彈性體時，亦可經由混合之結果，將苯乙烯單位之含量調整至上述之範圍內。例如：將苯乙烯單位之含量為30重量%之Kurare股份有限公司製的SEPTON(商品名)之Septon4033，與苯乙烯單位之含量為13重量%之SEPTON(商品名)之Septon2063，以重量比1對1之方式混合，即可達成相對於接著劑所含的彈性體全體，該苯乙烯含量為21至22重量%，或14重量%以上者。又，例如：將苯乙烯單位為10重量%者與60重量%者，以重量比1對1方式混合而形成35重量%，即可達到上述之範圍內。本發明亦可為該些之形態。又，形成接著層30的接著劑所含的複數種類的彈性體，以苯乙烯單位全部為上述之範圍內，且為上述之範圍內的重量平均分子量者為最佳。
又，以使用光硬化性樹脂(例如：UV硬化性樹脂)以外的樹脂形成接著層30為佳。使用光硬化性樹脂以外的樹脂時，於剝離或去除接著層30之後，可防止玻璃支撐體10周邊的微小凹凸內殘留殘渣。特別使形成接著層30的接著劑，以不會溶解於通常之溶劑，而以溶解於特定溶劑者為佳。如此，於無須對基板80施加物理性施力下，接著層30即可經由溶解於溶劑之方式而被去除。故於去除接著層30之際，可於施力於強度降低後之基板80時，不會造成基板80破損、變形之狀態下，而可容易地去除接著層30。
(稀釋溶劑) 形成接著層30(及分離層20)時，所使用的稀釋溶劑，例如：己烷、庚烷、辛烷、壬烷、甲基辛烷、癸烷、十一烷、十二烷、十三烷等之直鏈狀之烴、碳數4至15的分支狀之烴，例如：環己烷、環庚烷、環辛烷、萘、十氫萘、四氫萘等之環狀烴；p-薄荷烷、o-薄荷烷、m-薄荷烷、二苯基薄荷烷、1,4-松節油、1,8-松節油、莰烷、降莰烷、蒎烷(pinane)、側柏烷(thujane)、長松針烷(carane)、長葉烯(longifolene)、香草醇(geraniol)、橙花醇(nerol)、沈香醇(linalool)、檸檬醛(citral)、香茅醇(citronellol)、薄荷醇(Menthol)、異薄荷醇(Menthol)、新薄荷醇(Menthol)、α-萜品醇、β-萜品醇、γ-萜品醇、萜品烯-1-醇、萜品烯-4-醇、二氫松油醇乙酸酯、1,4-桉樹腦(Cineole)、1,8-桉樹腦、莰醇(borneol)、香旱芹酮(Carvone)、紫蘿酮(Ionone)、側柏烯(thujene)、樟腦、d-檸檬烯、l-檸檬烯、二戊烯等的萜烯系溶劑；γ-丁內酯等的內酯類；丙酮、甲乙酮、環己酮(CH)、甲基-n-戊酮、甲基異戊酮、2-庚酮等的酮類；乙二醇、二乙二醇、丙二醇、二丙二醇等的多元醇類；乙二醇單乙酸酯、二乙二醇單乙酸酯、丙二醇單乙酸酯，或二丙二醇單乙酸酯等的具有酯鍵結之化合物、前述多元醇類或前述具有酯鍵結之化合物的單甲醚、單乙醚、單丙醚、單丁醚等的單烷醚或單苯醚等的具有醚鍵結的化合物等的多元醇類之衍生物(該些之中，又以丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單甲醚(PGME)為佳)；二噁烷等的環式醚類，或乳酸甲酯、乳酸乙酯(EL)、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、甲氧基丁基乙酸酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯等的酯類；苯甲醚、乙基苄醚、甲苯酚甲醚、二苯醚、二苄醚、苯乙醚、丁基苯醚等之芳香族系有機溶劑等。
(其他成份) 形成接著層30的接著劑，於無損其本質上的特性之範圍，可再使用含有具有混合性的其他物質。例如：改善接著劑性能的加成性樹脂、可塑劑、接著輔助劑、安定劑、著色劑、抗熱聚合劑及界面活性劑等，慣用的各種添加劑。
＜形成保護層之步驟＞ 形成保護層之步驟S03，例如於形成接著層之步驟S02後進行。形成保護層之步驟S03，如圖4(A)所示般，於接著層30的不存在玻璃支撐體10之側，即於接著層30的保護層形成面30f上，以與接著層30互相接合方式形成保護層40。形成保護層之步驟S03，為於接著層30上形成保護層40。形成保護層之步驟S03，例如可使用濺鍍法等的方法，於接著層30的保護層形成面30f的全面，形成保護層40。又，保護層40，可使用濺鍍法以外的任意方法形成。
保護層40，為使用於後述導線重佈層(RDL)71之形成上。經設置保護層40時，可抑制導線重佈層(RDL)的位置偏移。保護層40，可以導電性或非導電性的金屬層之方式形成。保護層40，例如可使用含有Ti及Cu中之一者或二者的金屬予以形成。保護層40之熔點為300℃以上。可使用於保護層40的金屬，可列舉如；銀(Ag)、鋁(Al)、金(Au)、碳(C)、鉻(Cr)、銅(Cu)、鐵(Fe)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鋅(Zn)、鈀(Pd)等。又，銀(Ag)之熔點為約961℃。鋁(Al)之熔點為約660℃。金(Au)之熔點為約1063℃。碳(C)之熔點為約3600℃。鉻(Cr)之熔點為約1900℃。銅(Cu)之熔點為約1083℃。鐵(Fe)之熔點為約1539℃。鈦(Ti)之熔點為約1727℃。鎳(Ni)之熔點為約1455℃。鋅(Zn)之熔點為約419℃。鈀(Pd)之熔點為約328℃。又，上述接著層30之軟化點(softening point)為約170℃至220℃。
依此方式，本實施形態中，於保護層40使用熔點為300℃以上之金屬等時，即使於加熱中造成接著層30軟化時，也可使保護層40之流動性受到抑制。又，保護層40之熔點以500℃以上為佳。保護層40之熔點為500℃以上時，得更能使保護層40之流動性受到抑制。熔點為500℃以上的保護層40，例如：銀(Ag)、鋁(Al)、金(Au)、碳(C)、鉻(Cr)、銅(Cu)、鐵(Fe)、鈦(Ti)、鎳(Ni)等。又，保護層40之形成後的步驟中，含有加熱之步驟者，例如：後述形成導線重佈層(RDL)之步驟S04等。
＜形成導線重佈層(RDL)之步驟＞ 形成導線重佈層(RDL)之步驟S04，為於形成保護層之步驟S03之後進行。形成導線重佈層(RDL)之步驟S04，為於保護層40的不存在玻璃支撐體10之側的面上，形成導線重佈層(RDL)71。本實施形態中，為形成導線重佈層(RDL)71之後，於導線重佈層(RDL)71上層合電子零件81之稱為RLD優先之方法。
圖2為，形成導線重佈層(RDL)之步驟S04中，處理流程之例示圖。如圖2所示般，形成導線重佈層(RDL)之步驟S04，為包含：形成絕緣層之步驟S41，與形成阻劑層之步驟S42，與形成阻劑圖型之步驟S43，與蝕刻絕緣層之步驟S44，與形成金屬層之步驟S45，與鍍敷步驟S46，與去除金屬層上部之步驟S47，與去除阻劑之步驟S48。
首先，形成絕緣層之步驟S41，如圖4(B)所示般，於保護層40全面，使用聚醯亞胺等的材料形成絕緣層50。形成絕緣層之步驟S41，例如將玻璃支撐體10設置於平台(圖式中無標示)上，使用狹縫噴嘴等將含有聚醯亞胺等的液狀物吐出於保護層40上。於該狀態下，使平台與狹縫噴嘴形成相對性移動之方式，於保護層40上形成絕緣層50。可作為絕緣層50之材質，例如：聚醯亞胺、丙烯酸樹脂等。又，形成絕緣層50時所使用的液狀物之塗佈方法，並未有特別之限定，例如：旋轉塗佈法、浸漬法、滾輪刮刀法、刮刀法、噴霧法、狹縫噴嘴法、噴墨法等塗佈法等。又，於將形成絕緣層50的液狀物塗佈於保護層40上之後，可進行加熱等的乾燥處理。
形成絕緣層50之後，再進行形成阻劑層之步驟S42。形成阻劑層之步驟S42，如圖5(A)所示般，為於絕緣層50的全面上，形成阻劑層60。形成阻劑層之步驟S42，為使用狹縫噴嘴等，將含有阻劑的液狀物吐出於絕緣層50上。可作為阻劑層60之阻劑，可為正型亦可、負型亦可，而可配合製程作適當之設定。又，形成阻劑層60的液狀物之塗佈方法，並未有特別之限定，例如：旋轉塗佈法、浸漬法、滾輪刮刀法、刮刀法、噴霧法、狹縫噴嘴法、噴墨法等的塗佈法等。又，將形成阻劑層60的液狀物塗佈於絕緣層50上之後，可進行加熱等處理。
形成阻劑層60之後，再進行形成阻劑圖型之步驟S43。形成阻劑圖型之步驟S43，為使用對應於導線重佈層(RDL)71的圖型之圖型對阻劑層60進行曝光，隨後將其浸漬於特定顯影液之方式進行顯影。該些處理，包含對阻劑層60進行曝光之前或對阻劑層60進行曝光之後，對阻劑層60加熱之步驟。本實施形態，為於接著層30與絕緣層50之間設置保護層40，故對阻劑層60加熱之際，可抑制因熱量所造成的接著層30之收縮或變形。其結果如圖5(B)所示般，可使形成圖型的阻劑層61，不會由所期待的位置產生移動，且可使阻劑層61相互間維持初期間隔之狀態。阻劑層61，具有相對於導線重佈層(RDL)71之圖型為鏡像之圖型。
於形成圖型後的阻劑層61，再進行蝕刻絕緣層之步驟S44。蝕刻絕緣層之步驟S44，為將絕緣層50中，露出阻劑層61之部份浸漬於蝕刻液予以去除。蝕刻液，可使用可溶解絕緣層50的任意液體。絕緣層50之蝕刻結果，如圖6(A)所示般，可形成具有與阻劑層61相同或幾乎相同的圖型之絕緣層51。又，因該些絕緣層51及阻劑層61被蝕刻，而使得保護層40部份露出。
絕緣層50被蝕刻之後，再進行形成金屬層之步驟S45。形成金屬層之步驟S45，如圖6(B)所示般，例如使用濺鍍等的方法，對包含露出保護層40之部份的絕緣層51全面，形成作為導線重佈層(RDL)71的材料之金屬層70。導線重佈層(RDL)71所使用的材料，例如：金、銀、銅、鋁等金屬以外，亦可使用導電性樹脂等。又，於形成金屬層之步驟S45之後，可再進行鍍敷步驟S46。鍍敷步驟S46，為使用無電解鍍敷或電解鍍敷等方法，於金屬層70上形成鍍敷層。圖6(B)中，包含鍍敷層彙整標記為金屬層70。鍍敷步驟S46，為將層合體100浸漬於特定鍍敷槽結果，而於金屬層70上形成鍍敷層。形成鍍敷層所使用的材料，例如：可使用焊鍍、鍍銅、鍍金、鍍鎳、鍍銀錫用之藥液。又，若依濺鍍等方法可形成具有充份厚度的金屬層70時，亦可省略鍍敷步驟S46。
形成金屬層70之後，再進行去除金屬層上部之步驟S47。去除金屬層上部之步驟S47，例如：使阻劑層61全面露出之方式，對金屬層70之上面進行研磨等方式予以去除。其結果，如圖7(A)所示般，即可使阻劑層61露出。又，於絕緣層51及阻劑層61的層合部份間之區域，即於保護層40露出之區域中形成導線重佈層(RDL)71。
去除金屬層70之上部後，再進行去除阻劑之步驟S48。去除阻劑之步驟S48，為對阻劑層61以供應氣體或溶劑等之方式，去除阻劑層61。其結果，如圖7(B)所示般，於保護層40上形成絕緣層51及導線重佈層(RDL)71。又，導線重佈層(RDL)71，可含有介電體層及導電體層。該些介電體層，例如：可使用含有聚醯胺酸、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺，及聚醯胺中之至少1個的樹脂。
＜形成基板之步驟＞ 形成基板之步驟S05，例如於形成導線重佈層(RDL)之步驟S04後進行。形成基板之步驟S05，為對導線重佈層(RDL)71形成可連接電路的具有具有電子零件81之基板80。形成基板之步驟S05，例如：形成50μm以上、1000μm以下厚度的基板80，使基板80的厚度較玻璃支撐體10的厚度為更薄。形成基板之步驟S05中，首先，如圖8(A)所示般，導線重佈層(RDL)71上，配置複數個電子零件81，使其接著固定於絕緣層51。電子零件81與導線重佈層(RDL)71，為使用導電性接著劑或金屬凸點、焊料等形成電路連接。又，電子零件81之配置數，可對應導線重佈層(RDL)71之數，亦可為任意之數。電子零件81，例如：包含使用半導體等所形成的晶片等。
隨後，如圖8(B)所示般，以全面被覆包含電子零件81的絕緣層51之方式形成模具82。形成模具82後，即可保持電子零件81被埋入模具82中之狀態。又，亦可以露出部份(例如上面)電子零件81之方式形成模具82。又，例如可使用使分離層20變質而可透過光線的材料形成模具82。該些材料，例如：玻璃、矽、丙烯酸樹脂等。
＜模具研磨之步驟＞ 模具研磨之步驟S06，為於形成基板之步驟S05之後進行。又，模具研磨之步驟S06，亦可包含於形成基板之步驟S05中。模具研磨之步驟S06，如圖9(A)所示般，為研磨模具82的不存在玻璃支撐體10之側，即研磨模具82之上面82a，使電子零件81露出。經模具研磨之步驟S06，可使電子零件81的上面(＋Z側之面)與模具82的上面82a形成相同平面或幾乎相同平面之狀態。模具研磨之步驟S06，例如：可使用公知之方法研磨模具。又，形成基板之步驟S05中，若以部份露出電子零件81之方式形成模具82之情形時，則可省略模具研磨之步驟S06。
又，模具研磨之步驟S06之後，於電子零件81及模具82的上面82a，可使用具有導電性的材料形成配線。又，亦可以該電子零件81與該配線係以形成電路連接之方式進行配置，並以被覆該電子零件81之方式，再形成模具82。配線與電子零件81之連接，為使用金屬凸點、焊料等。依此方式，亦可形成由配置電子零件81之層經複數層合而得之基板80。
＜使分離層變質之步驟＞ 使分離層變質之步驟S07，為於模具研磨之步驟S06或形成基板之步驟S05之後進行。使分離層變質之步驟S07，如圖9(B)所示般，使用照射裝置IR，將光線L或圖式中無標示的加熱裝置，由玻璃支撐體10的不存在分離層20之側，即玻璃支撐體10的底面10r，對分離層20照射熱量。光線L，為使用上述具有可使分離層20發生變質的波長之光線L。加熱裝置之熱量，為同樣地使用可將分離層20加熱至可使分離層20發生變質的溫度的熱量。使分離層變質之步驟S07，可使分離層20發生變質，而使強度或對玻璃支撐體10之接著力降低。又，圖9(B)中，為將玻璃支撐體10(層合體100)上下顛倒(基板80向下方)，並由上方的照射裝置IR將光線L或由加熱裝置照射熱量，但並不限定於該形態。例如：亦可使基板80面向上，使用照射裝置IR由玻璃支撐體10的下方照射光線L或使用加熱裝置照射熱量。
＜剝離玻璃支撐體之步驟＞ 剝離玻璃支撐體之步驟S08，例如使分離層變質之步驟S07後進行。剝離玻璃支撐體之步驟S08，如圖10(A)所示般，於使基板80面向下之狀態，將玻璃支撐體10向上提起時，即可使分離層20被破壞，而可由基板80剝離玻璃支撐體10。玻璃支撐體10向上提起之作業，可使用吸附玻璃支撐體10向上提起之裝置，或由操作者將玻璃支撐體10向上提起皆可。此時，基板80，例如可使吸附於平台等之方式，將玻璃支撐體10起，而可將玻璃支撐體10拉離。經玻璃支撐體剝離之步驟S08，即可使含有接著層30及基板80的層合體100由玻璃支撐體10剝離。
＜去除接著材之步驟＞ 去除接著層之步驟S09，為於玻璃支撐體剝離之步驟S08後進行。去除接著層之步驟S09，如圖10(B)所示般，為於接著層30上供應一不會溶解基板80(配線及模具82)，但可溶解接著層30之溶劑S1。將溶劑S1供應接著層30之方法，例如：可使用分配器等的供給裝置S於接著層30上進行掃瞄之方式供應，或由儲存溶劑S1之槽滴入基板80之方式進行皆可。溶解接著層30之溶劑S1，可依接著層30所使用的材質予以選擇，例如：接著層30為烴系彈性體時，溶劑S1可使用烴系溶劑。該烴系溶劑，例如：萜烯系之烴系溶劑、鏈烷系之烴系溶劑、芳香族烴系溶劑等。其結果，可使接著層30被溶劑S1溶解，而由基板80將接著層30去除，而製得如圖11(A)所示般，由複數的電子零件81之間配置模具82，且電子零件81及模具82之一側之面上，具備有導線重佈層(RDL)71及絕緣層51，且具備保護層40的形成1片的板狀之結構體101。 又，溶劑S1並不僅限定於烴系溶劑，而可配合接著層30之材料，選擇烴系溶劑以外者。典型之例，例如：含有由酯鍵結、醚鍵結、酮基、醯胺鍵結，及羥基所成之群所選出之至少1種結構的溶劑者，該些可單獨使用亦可、組合使用亦可。又，該些溶劑，亦可與前述之烴系溶劑組合使用。
隨後，如圖11(B)所示般，經由結構體101去除保護層40後，即可製得不具有保護層40的結構體102。去除保護層40之方法，例如可使用蝕刻等方法。又，結構體101亦可無須去除保護層40。將由上述方法所得的結構體101或結構體102，切割含有1個或複數個電子零件81範圍的模具82之部份時，可製得電子裝置。切割結構體101時，可製得具有保護層40的電子裝置，切結構體102時，可製得不具有保護層40的電子裝置。
如上所述般，依實施形態的層合體的製造方法及電子裝置的製造方法時，因於接著層30上設有熔點300℃以上的保護層40，故可抑制隨後步驟的因受熱而使接著層30發生收縮或變形之情形。其結果，可抑制接著層30上所形成的絕緣層51之變形或移動，而可更精確地形成導線重佈層(RDL)71，進而可抑制產率之降低。
上述之實施形態，為舉例說明先形成絕緣層50，隨後於該絕緣層50上形成阻劑層60之例，但並不僅限定於該形態，例如亦可使用感光性聚醯亞胺等具有感光性的絕緣層50，而無須使用上述阻劑層60之形態。
圖12為表示其他例示中，形成導線重佈層(RDL)之步驟S14的步驟圖。圖12中，為形成層合體200。如圖12所示般，形成導線重佈層(RDL)之步驟S14，為包含：形成絕緣層之步驟S141，與形成絕緣層圖型之步驟S142，與形成金屬層之步驟S143，與鍍敷步驟S144，與去除金屬層上部之步驟S145。又，於形成導線重佈層(RDL)之步驟S14前的步驟之形成分離層之步驟S01(圖13(A))、形成接著層之步驟S02(圖13(B))，及形成保護層之步驟(圖14(A))，因與上述實施形態為相同，故省略該說明。
形成導線重佈層(RDL)之步驟S14，首先，於形成絕緣層之步驟S141中，如圖13(B)所示般，為使用感光性聚醯亞胺等的感光性絕緣材料於保護層40的全面上，形成絕緣層150。感光性絕緣材料，除感光性聚醯亞胺以外，例如有感光性的丙烯酸材料。形成絕緣層之步驟S141，例如將玻璃支撐體10設置於平台(圖式中無標示)，再使用狹縫噴嘴等將含有感光性聚醯亞胺等的液狀物吐出於保護層40。於該狀態下，使平台與狹縫噴嘴相對性的移動方式，於保護層40上形成絕緣層150。形成絕緣層150的液狀物之塗佈方法，並未有特別之限定，例如：可使用旋轉塗佈法、浸漬法、滾輪刮刀法、刮刀法、噴霧法、狹縫噴嘴法、噴墨法等塗佈法等。又，將形成絕緣層150的液狀物塗佈於保護層40上之後，可實施加熱等進行乾燥處理。
形成絕緣層150之後，再進行絕緣層圖型形成步驟S142。絕緣層圖型形成步驟S142，為對對應導線重佈層(RDL)171的圖型之絕緣層150進行曝光，隨後浸漬於特定顯影液使其顯影。其結果，如圖15(A)所示般，形成經圖型形成(Patterning)的絕緣層151。絕緣層151，為具有與導線重佈層(RDL)171之圖型為鏡像的圖型。
絕緣層151形成圖型之後，再進行形成金屬層之步驟S143。形成金屬層之步驟S143，如圖15(B)所示般，例如使用濺鍍等的方法，對包含露出於保護層40部份的絕緣層151之全面，形成作為導線重佈層(RDL)171的材料之金屬層170。導線重佈層(RDL)171所使用的材料，例如：除金、銀、銅、鋁等金屬以外，亦可使用導電性樹脂等。又，形成金屬層之步驟S143後，亦可進行鍍敷步驟S144。鍍敷步驟S144中，為使用無電解鍍敷或電解鍍敷於金屬層170上形成鍍敷層。圖15(B)中，包含鍍敷層皆標記為金屬層170。鍍敷步驟S144，為將層合體200浸漬於特定的鍍敷槽，而於金屬層170上形成鍍敷層。形成鍍敷層所使用的材料，例如：焊鍍、鍍銅、鍍金、鍍鎳、鍍銀錫用之藥液等。又，若使用濺鍍等方法可形成具有充份厚度的金屬層170時，亦可省略鍍敷步驟S144。
形成金屬層170之後，再進行去除金屬層上部之步驟S145。去除金屬層上部之步驟S145，例如以研磨金屬層170的上面，使絕緣層151全面露出之方式予以去除。其結果，如圖16(A)所示般，使絕緣層151全面露出。又，於絕緣層151間之區域，即，於露出保護層40之區域中，形成導線重佈層(RDL)171。
形成基板之步驟S05，例如於形成導線重佈層(RDL)之步驟S14之後進行。形成基板之步驟S05，為依與上述實施形態為相同之方法，於導線重佈層(RDL)171上形成具有電子零件81之基板80。形成基板之步驟S05為，首先，如圖16(B)所示般，於導線重佈層(RDL)171上配置複數個電子零件81，使其接著固定於絕緣層151。電子零件81與導線重佈層(RDL)171，為經由導電性接著劑或金屬凸點、焊料等形成電路連接。又，電子零件81的配置數，可對應於導線重佈層(RDL)171之數，亦可為任意之數。
隨後，如圖17(B)所示般，以被覆包含電子零件81的絕緣層151之全面的方式，形成模具82。經形成模具82時，可使電子零件81維持為埋入模具82中之狀態。又，模具82，亦與上述之實施形態為相同。隨後，模具研磨之步驟S06，如圖17(B)所示般，以研磨模具82的不存在玻璃支撐體10之側，即研磨模具82之上面82a，而使電子零件81露出。如此，可使電子零件81的上面(＋Z側之面)與模具82之上面82a，形成為相同面或幾乎相同面之狀態。模具研磨之步驟S06，為與上述實施形態為相同。
又，模具研磨之步驟S06之後，於電子零件81及模具82的上面82a上，使用具有導電性的材料形成配線之點，及使該配線形成電路連接之方式配置該電子零件81，再被覆該電子零件81，再形成模具82等方式之點，皆與上述實施形態為相同。
隨後，與上述實施形態相同般，經進行使分離層變質之步驟S07、剝離玻璃支撐體之步驟S08，及去除接著層之步驟S09結果，即製得包含複數個電子零件81的形成1片板狀的結構體101。又，由結構體101去除保護層40時，即可製得不具有保護層40的結構體102。經對結構體101或結構體102進行切割時，即可製得電子裝置之點，與上述實施形態為相同。
如此，依本實施形態，絕緣層150，於使用感光性聚醯亞胺等的感光性材料時，亦可省略去除阻劑層之形成及阻劑層之去除等步驟。 [實施例]
其次，將對由本實施形態之層合體的製造方法所製得的製品，與不使用本實施形態而製得的製品進行比較。圖18(A)，為表示依比較例的製造方法所形成的導線重佈層(RDL)之部份圖，圖18(B)為使用上述實施形態之層合體的製造方法所形成的導線重佈層(RDL)之部份圖。比較例之製造方法，為於分離層上無形成接著層、設置保護層，而於接著層上形成導線重佈層(RDL)者。又，比較例及實施例等二者，為使其由外觀上容易進行比較等觀點，任一者皆為將相同的導線重佈層(RDL)以複數層重疊之方式形成者。
如圖18(A)所示般，由比較例的製造方法所形成時，原本應以重疊方式形成的導線重佈層(RDL)271則於平面方向發生偏移現象。相對於此，如圖18(B)所示般，本實施形態的製造方法所形成的導線重佈層(RDL)71、171，則未發現於該些平面方向的偏移現象。如此，於上述實施例中，因形成保護層40，確認可使導線重佈層(RDL)71、171的平面方向之偏移現象受到抑制。
以上，為說明實施形態及實施例之內容，但，本發明並不受上述說明所限定，只要不超出本發明要旨之範圍時，皆可進行各種的變更。
10‧‧‧玻璃支撐體 10f‧‧‧分離層形成面 20‧‧‧分離層 20f‧‧‧接著層形成面 30‧‧‧接著層 30f‧‧‧保護層形成面 40‧‧‧保護層 50,51,150,151‧‧‧絕緣層 60,61‧‧‧阻劑層 70‧‧‧金屬層 71,171‧‧‧導線重佈層(RDL) 80‧‧‧基板 81‧‧‧電子零件 82‧‧‧模具 100,200‧‧‧層合體 101,102‧‧‧結構體(電子裝置)
[圖1] 有關實施形態的層合體的製造方法及電子裝置的製造方法流程之一例示。 [圖2] 有關形成導線重佈層(RDL)之步驟處理流程之一例示。 [圖3] (A)及(B)為表示電子裝置的製造方法之一步驟圖。 [圖4] (A)及(B)為接續圖3之層合體的製造方法及電子裝置的製造方法之一步驟圖。 [圖5] (A)及(B)為接續圖4之層合體的製造方法及電子裝置的製造方法之一步驟圖。 [圖6] (A)及(B)為接續圖5之層合體的製造方法及電子裝置的製造方法之一步驟圖。 [圖7] (A)及(B)為接續圖6之層合體的製造方法及電子裝置的製造方法之一步驟圖。 [圖8] (A)及(B)為接續圖7之層合體的製造方法及電子裝置的製造方法之一步驟圖。 [圖9] (A)及(B)為接續圖8之層合體的製造方法及電子裝置的製造方法之一步驟圖。 [圖10] (A)及(B)為接續圖9之層合體的製造方法及電子裝置的製造方法之一步驟圖。 [圖11] (A)及(B)為接續圖10之層合體的製造方法及電子裝置的製造方法之一步驟圖。 [圖12] 有關形成導線重佈層(RDL)之步驟處理流程之其他例示。 [圖13] (A)及(B)為表示層合體的製造方法及電子裝置的製造方法之一步驟圖。 [圖14] (A)及(B)為接續圖13之層合體的製造方法及電子裝置的製造方法之一步驟圖。 [圖15] (A)及(B)為接續圖14之層合體的製造方法及電子裝置的製造方法之一步驟圖。 [圖16] (A)及(B)為接續圖15之層合體的製造方法及電子裝置的製造方法之一步驟圖。 [圖17] (A)及(B)為接續圖16之層合體的製造方法及電子裝置的製造方法之一步驟圖。 [圖18] (A)為依比較例、(B)為依實施例的製造方法所製得的導線重佈層(RDL)之一例示圖。

Claims (15)

  1. 一種層合體的製造方法，其特徵為包含：依序層合支撐體，與經由吸收光線或加熱而變質的分離層，與接著層，與形成導線重佈層(RDL)所使用的熔點為300℃以上之保護層。
  2. 如請求項1之層合體的製造方法，其中，前述保護層為由導電性或非導電性的金屬所形成。
  3. 如請求項1或請求項2之層合體的製造方法，其中，前述保護層為含有Ti及Cu中之一者或二者之金屬所形成。
  4. 如請求項1至請求項3中任一項之層合體的製造方法，其中，前述保護層為包含濺鍍形成者。
  5. 如請求項1至請求項4中任一項之層合體的製造方法，其中，前述接著層之熔點為50℃以上、300℃以下。
  6. 如請求項1至請求項5中任一項之層合體的製造方法，其中，前述基板之厚度為50μm以上、1000μm以下， 前述支撐體之厚度為500μm以上、2000μm以下，且較前述基板之厚度為更厚。
  7. 如請求項1至請求項6中任一項之層合體的製造方法，其中，前述接著層之厚度為1μm以上、100μm以下。
  8. 如請求項1至請求項7中任一項之層合體的製造方法，其中，前述支撐體為由玻璃、其他可穿透光線之材料所形成。
  9. 如請求項1至請求項8中任一項之層合體的製造方法，其包含於前述保護層上，形成導線重佈層(RDL)。
  10. 如請求項9之層合體的製造方法，其中，前述導線重佈層(RDL)包含介電體層及導電體層。
  11. 如請求項10記載之層合體的製造方法，其中，前述介電體層為使用包含聚醯胺酸、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺，及聚醯胺中之至少1個的樹脂。
  12. 如請求項9至請求項11中任一項之層合體的製造方法，其包含於前述導線重佈層(RDL)上，層合具有電子零件之基板。
  13. 如請求項12之層合體的製造方法，其中，前述基板為使用前述電子零件作為模具材予以成模者。
  14. 一種層合體，其特徵為，依序層合支撐體，與經由吸收光線或加熱而變質的分離層，與接著層，與形成導線重佈層(RDL)所使用的熔點為500℃以上之保護層。
  15. 一種電子裝置的製造方法，其特徵為包含： 依請求項12或請求項13之層合體的製造方法製造層合體、 使前述分離層發生變質、將前述層合體由前述支撐體分離的同時， 由前述基板去除前述接著層及前述分離層，而製得含有前述電子零件的電子裝置。
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