KR20190062655A - 파장 가변 레이저 - Google Patents

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Abstract

실시 예는, 이득 영역 및 파장 가변 영역을 포함하고, 상기 파장 가변 영역은, 하부 클래드층; 상기 하부 클래드층 상에 배치되는 수동 광도파로; 상기 수동 광도파로 상에 배치되는 상부 클래드층; 상기 상부 클래드층 상에 배치되는 구동전극; 상기 구동전극 상에 배치되는 전류 차단층; 상기 전류 차단층 상에 배치되는 히터; 및 상기 수동 광도파로를 사이에 두고 서로 마주보게 배치되는 제1단열홈과 제2단열홈을 포함하는 파장 가변 레이저를 개시한다.

Description

파장 가변 레이저{TUNABLE LASER}
본 발명의 일 실시 예는 파장 가변 레이저에 관한 것이다.
일반적으로 단일 파장을 출력하는 레이저 광원을 사용할 경우, 각 채널의 수만큼 레이저 광원의 수를 요구하게 되므로, 광 통신 시스템에서 파장 자원을 효율적으로 사용할 수 없다. 따라서, DWDM(Dense Wavelength Division Multiplexing) 등과 같은 광 통신 시스템에서는 파장 자원을 효율적으로 사용하기 위해 파장 가변 레이저를 요구한다.
일반적으로, 파장 가변 레이저는 한 칩에 파장 가변 레이저를 구성하는 단일집적 방식과 둘 이상의 칩을 각각 제작한 후, 칩들을 결합하는 외부공진 방식이 있다.
단일집적 방식의 파장 가변 레이저는 하나의 칩으로 구성되므로 소형화와 저전력화가 가능한 반면, 외부공진 방식의 파장 가변 레이저는 큰 전력이 필요하고 부피가 커지는 단점이 있다.
파장가변 레이저의 경우, 광을 생성하는 이득영역과 파장가변을 위한 파장가변영역을 포함할 수 있다. 반도체 레이저의 파장을 가변시키기 위한 방법으로 전류를 인가하는 방식과 마이크로 히터(micro-heater)를 이용한 열 인가 방식이 있다.
이 중에서 열 인가 방식의 경우, 단일 파장대의 광을 원하는 파장으로 조정하기 위해서 큰 전압을 인가해야 하므로 파장가변을 위한 열효율이 낮은 단점이 있다.
파장가변을 위한 열효율을 증가시키기 위해 반도체 레이저 칩 내에 식각 방지층(예, InGaAs 층)를 삽입한 후, 파장가변 영역에는 식각 방지층까지 선택적으로 식각하여 단열홈을 형성할 수 있다. 그러나, 레이저 내의 모든 영역(특히 이득영역)에 식각 방지층이 존재하므로 레이저의 특성이 저하되는 문제가 있다.
또한, 종래 구조에서는 파장을 가변하는 방법으로 전류를 인가하는 방식과 열을 인가하는 방식 중 어느 하나만이 선택적으로 가능하여 선택의 폭이 좁은 문제가 있다.
실시 예는 단열홈을 형성하기 위한 식각 방지층이 없는 파장 가변 레이저를 제공한다.
실시 예는 열 인가 방식과 전류 인가 방식이 모두 적용 가능한 파장 가변 레이저를 제공한다.
실시 예에서 해결하고자 하는 과제는 이에 한정되는 것은 아니며, 아래에서 설명하는 과제의 해결수단이나 실시 형태로부터 파악될 수 있는 목적이나 효과도 포함된다고 할 것이다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 파장 가변 레이저는, 이득 영역 및 파장 가변 영역을 포함하고, 상기 파장 가변 영역은, 하부 클래드층; 상기 하부 클래드층 상에 배치되는 수동 광도파로; 상기 수동 광도파로 상에 배치되는 상부 클래드층; 상기 상부 클래드층 상에 배치되는 구동전극; 상기 구동전극 상에 배치되는 전류 차단층; 상기 전류 차단층 상에 배치되는 히터; 및 상기 수동 광도파로를 사이에 두고 서로 마주보게 배치되는 제1단열홈과 제2단열홈을 포함한다.
상기 하부 클래드층은 상기 제1단열홈과 제2단열홈이 연결되어 형성되는 돌기부를 포함하고, 상기 돌기부는 제2방향으로 갈수록 폭이 좁아지는 제1돌기부를 갖고, 상기 제2방향은 상기 상부 클래드층에서 상기 하부 클래드층 방향일 수 있다.
상기 돌기부는 상기 제2방향으로 갈수록 폭이 넓어지는 제2돌기부를 가질 수 있다.
상기 제2돌기부는 상기 제1돌기부의 하부에 배치될 수 있다.
상기 제1돌기부의 면적은 상기 제2돌기부의 면적보다 클 수 있다.
상기 돌기부는 가장 폭이 넓은 제1영역과 가장 폭이 좁은 제2영역의 폭의 비는 1:0.1 내지 1:0.5일 수 있다.
상기 수동 광도파로는 상기 제1전극에 의해 전류가 주입되거나 상기 히터에 의해 열이 주입되는 경우 굴절률이 변화할 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따른 파장 가변 레이저는, 이득 영역 및 파장 가변 영역을 포함하고, 상기 파장 가변 영역은, 하부 클래드층; 상기 하부 클래드층 사이에 배치되는 수동 광도파로; 상기 수동 광도파로 상에 배치되는 상부 클래드층; 상기 상부 클래드층 상에 배치되는 히터; 및 상기 하부 클래드층 상에 배치되는 제1단열홈과 제2단열홈을 포함하고, 상기 제1단열홈과 제2단열홈은 상기 수동 광도파로를 사이에 두고 서로 마주보게 배치되고, 상기 하부 클래드층은 상기 제1단열홈과 제2단열홈이 연결되어 형성되는 돌기부를 포함하고, 상기 돌기부는 상기 수동 광도파로와 멀어질수록 폭이 좁아질 수 있다.
상기 돌기부의 하부 모서리 각도는 50도 내지 70도일 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 별도의 식각 정지층 없이 단열홈을 형성할 수 있다. 따라서, 파장가변 레이저의 성능 저하 없이 저전력 파장가변이 가능해지는 장점이 있다.
또한, 식각 정지층이 생략되므로 에피 성장이 간단해지고, 단열홈 형성을 위한 공정이 간단해지는 장점이 있다.
또한, 반도체물질의 식각률만을 조절하여 단열홈을 형성하므로, 칩의 균일성이 보장되는 장점이 있다.
또한, 열 또는 전류의 선택적 주입에 의해 파장을 조절할 수 있는 장점이 있다.
본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 파장 가변 레이저의 평면도이고,
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 파장 가변 레이저의 단면도이고,
도 3은 도 2의 변형예이고,
도 4는 도 1의 B-B 방향 단면도이고,
도 5는 도 1의 C-C 방향 단면도이고,
도 6 및 도 7은 하부 클래드층에 단열홈을 형성하는 과정을 보여주는 도면이고,
도 8은 종래 파장 가변 레이저의 파장 가변 영역의 단면도이고,
도 9는 도 8의 변형예이고,
도 10은 종래 파장 가변 레이저의 이득 영역의 단면도이고,
도 11은 도 5의 변형예이고,
도 12는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 파장 가변 레이저의 평면도이고,
도 13은 도 12의 D-D 방향 단면도이다.
본 실시예들은 다른 형태로 변형되거나 여러 실시예가 서로 조합될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 각각의 실시예로 한정되는 것은 아니다.
특정 실시예에서 설명된 사항이 다른 실시예에서 설명되어 있지 않더라도, 다른 실시예에서 그 사항과 반대되거나 모순되는 설명이 없는 한, 다른 실시예에 관련된 설명으로 이해될 수 있다.
예를 들어, 특정 실시예에서 구성 A에 대한 특징을 설명하고 다른 실시예에서 구성 B에 대한 특징을 설명하였다면, 구성 A와 구성 B가 결합된 실시예가 명시적으로 기재되지 않더라도 반대되거나 모순되는 설명이 없는 한, 본 발명의 권리범위에 속하는 것으로 이해되어야 한다.
실시예의 설명에 있어서, 어느 한 element가 다른 element의 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
이하에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.
본 실시 예에서는 단일집적 파장 가변 레이저의 구성을 기반으로 본 발명의 기술적 사상을 설명하나, 본 발명의 사상이 단일집적 파장 가변 레이저에 국한되는 것은 아니며 다른 형태의 파장 가변 레이저에도 적용될 수 있음은 물론이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 파장 가변 레이저의 평면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 파장 가변 레이저의 단면도이고, 도 3은 도 2의 변형예이고, 도 4는 도 1의 B-B 방향 단면도이고, 도 5는 도 1의 C-C 방향 단면도이고, 도 6 및 도 7은 하부 클래드층에 단열홈을 형성하는 과정을 보여주는 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 실시 예에 따른 파장 가변 레이저는 하부 전극(15), 상부 클래드층(120b), 하부 클래드층(120a), 광도파로(130), 및 제1 전극(13a)을 포함할 수 있다.
파장 가변 레이저는 이득 영역(10)과 및 파장 가변 영역(20)을 포함할 수 있다. 광도파로(130)는 이득 영역(10)에 배치되는 광도파로(이하 능동 광도파로)와 파장 가변 영역(20)에 배치되는 광도파로(수동 광도파로)로 구분될 수 있으며, 능동 광도파로(130a)와 수동 광도파로(130b)는 광학적으로 연결될 수 있다. 예시적으로 능동 광도파로(130a)와 수동 광도파로(130b)는 Butt-Joint 방식 또는 Integrated twin guide 방식으로 결합될 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다.
이득 영역(10)은 복수 개의 반도체층을 에피 성장을 통해 제작할 수 있다. 복수 개의 반도체층의 구성은 특별히 한정하지 않는다. 예시적으로 이득 영역(10)의 반도체층은 원하는 파장대의 광을 생성하기 위해 적절한 조성비 및 도핑 농도가 조절될 수 있다. 예시적으로 이득 영역(10)의 능동 광도파로(130a)는 우물층과 장벽층이 교번 적층된 MQW(Multi Quantum well) 구조일 수 있다. 우물층과 장벽층의 조성은 InAlGaAs 또는 InGaAsP를 포함할 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다.
파장 가변 영역(20)은 이득 영역(10)에서 생성된 광의 파장을 변화시킬 수 있다. 파장 가변 영역(20)은 파장을 가변시키기 위해서 파장 가변 필터가 필요하며, 예시적으로 DBR(distributed bragg reflector) 구조(122)를 가질 수 있다. DBR(distributed bragg reflector) 구조(122)는 열 또는 전류가 주입되면 회절격자의 굴절률이 변화하여 파장이 가변될 수 있다.
이때, DBR 구조(122)는 이득 영역(10)의 전단에만 배치된 것으로 도시하였으나 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 이득 영역(10)의 전단과 후단에 각각 SG-DBR(sampled-grating distributed bragg reflector)이 배치될 수도 있다.
제1단열홈(211)과 제2단열홈(212)은 수동 광도파로(130b)를 사이에 두고 서로 마주보게 배치될 수 있다. 즉, 평면상에서 수동 광도파로(130b)는 제1단열홈(211)과 제2단열홈(212) 사이에 배치될 수 있다. 제1단열홈(211)과 제2단열홈(212)은 복수 개로 배치될 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다.
광도파로(130)는 하부 클래드층(120a) 상에 배치될 수 있고, 상부 클래드층(120b)은 광도파로(130) 상에 배치될 수 있다. 상부 클래드층(120b)과 하부 클래드층(120a)은 InP를 포함할 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다.
상부 클래드층(120b) 상에는 제1전극(13a)이 배치될 수 있다. 제1전극(13a)은 이득 영역(10)에 전류를 인가하여 광을 생성할 수 있다. 히터(22)는 수동 광도파로(130b)에 열을 인가하여 굴절률을 변화시킴으로써 광의 파장을 조절할 수 있다.
도 3을 참조하면, 실시 예에 따른 파장 가변 레이저는 능동 광도파로(130a)가 수동 광도파로(130b) 상에 배치되는 Integrated twin guide 구조를 가질 수도 있다. 또한, DBR 구조(122)는 수동 광도파로(130b)의 상부에 배치될 수도 있다. 또한 서브 전극(13b)을 더 구비할 수도 있다. 서브 전극(13b)은 위상 제어, 열 제어, 광 제어 중 적어도 하나를 위한 전극일 수 있다.
도 4를 참조하면, 상부 클래드층(120b)은 능동 광도파로(130a)의 일부 영역 상에 배치될 수 있다. 즉, 상부 클래드층(120b)은 식각 과정을 통해 도파로 모드(221) 상에만 배치될 수 있다. 실시 예에 따르면 이득 영역에서 식각 방지층이 없으므로 레이저의 광학적 및/또는 전기적 특성이 개선될 수 있다.
도 5를 참조하면, 파장 가변 영역에서 제1단열홈(211)과 제2단열홈(212)은 하부 전극(15)에 가까워질수록 폭이 증가하는 역메사 형상을 가질 수 있다. 또한, 제1단열홈(211)과 제2단열홈(212)은 하부 클래드층(120a)에서 서로 연결되어 수동 광도파로(130b)를 둘러싸는 하나의 홈을 형성할 수 있다. 제1단열홈(211)과 제2단열홈(212)에는 별도의 단열재(미도시)가 배치될 수도 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다.
제1단열홈(211)과 제2단열홈(212)은 하부전극(15)에 가까워질수록 점차 면적이 증가하는 제1구간(C1), 및 하부전극(15)에 가까워질수록 점차 면적이 감소하는 제2구간(C3)을 가질 수 있다. 제1구간(C1)과 제2구간(C3)의 깊이 및 면적 등은 식각용액의 종류에 따라 달라질 수 있다. 또한, 제1단열홈(211)과 제2단열홈(212)의 하부면은 평탄면(C2)을 가질 수 있다.
하부 클래드층(120a)은 제1단열홈(211)과 제2단열홈(212)에 둘러싸인 돌기부(123)를 포함할 수 있다. 파장 가변 영역은 상부 클래드층(120b), 수동 광도파로(130b), 및 하부 클래드층(120a)의 돌기부(123)로 구성되는 제어 영역(222)을 포함할 수 있다. 제어 영역(222)은 열이 주입되어 굴절률이 변화하는 영역일 수 있다. 즉, 제어 영역(222)은 파장을 제어하는 영역일 수 있다.
히터(22)는 제어 영역(222)상에 배치될 수 있다. 히터(22)는 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 플래티늄(Pt), 니켈(Ni), 및 금(Au)을 포함하는 금속 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다.
제어 영역(222)의 돌기부(123)가 하부 클래드층(120a)과 연결되어 있으면 히터(22)에서 주입되는 열의 일부가 하부 클래드층(120a)으로 빠져나가므로 수동 광도파로(130b)로 인가되는 열 효율이 떨어질 수 있다.
그러나, 실시 예는 돌기부(123)로 전달된 열이 제1단열홈(211)과 제2단열홈(212)에 의해 차단될 수 있다. 따라서, 수동 광도파로(130b)의 굴절률의 변화폭이 커지므로 파장 가변 범위가 넓어질 수 있다. 또한, 주입 전류를 줄일 수도 있다.
실시 예에 따르면, 제1단열홈(211)과 제2단열홈(212)은 식각 용액의 노출 시간을 제어하여 형성할 수 있다. 하부 클래드층(120a)을 식각할 수 있는 식각 용액을 선택하고, 해당 식각 용액에 의한 식각 각도가 정해지면 돌기부(123)를 형성할 수 있는 식각 깊이 및 식각 시간을 산출할 수 있다. 식각 용액은 Hbr 등이 선택될 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다.
도 6을 참조하면, 식각 용액을 이용하여 제1시간동안 식각하면 제1크기를 갖는 제1, 제2단열홈(R1, R2)을 각각 형성할 수 있다. 이후, 식각 시간을 늘리면 도 7과 같이 제1, 제2단열홈(R1, R2)이 점차 커져 결국 서로 연결될 수 있다. 따라서, 돌기부(123)가 형성될 수 있다. 식각 용액은 식각 각도가 정해지므로 돌기부를 만들기 위한 식각 시간을 산출할 수 있다.
실시 예에 따르면, 식각 용액의 식각률만을 조정하여 돌기부(123)를 형성하므로 식각을 종료하기 위한 식각 정지층(예: InGaAs 층)을 생략할 수 있다. 따라서, 에피 성장시 간단해지고 레이저 효율이 개선될 수 있다.
도 8은 종래 파장 가변 레이저의 파장 가변 영역의 단면도이고, 도 9는 도 8의 변형예이고, 도 10은 종래 파장 가변 레이저의 이득 영역의 단면도이고, 도 11은 도 5의 변형예이다.
도 8을 참조하면, 파장 가변 영역(20)의 하부 클래드층(120a)에는 별도의 식각 정지층(16)이 배치될 수 있다. 이 경우 식각 정지층(16)까지 클래드층을 식각한 후 다시 식각 정지층(16)을 제거하여 최종적으로 단열홈(21)을 형성할 수 있다. 따라서, 2단계 식각이 필요하다. 이때, 도 9와 같이 단열홈은 역메사 구조로 형성할 수도 있다.
그러나, 단일 집적 구조에서는 도 10과 같이 이득 영역(10)과 파장 가변 영역(20)이 동일한 에피 구조를 갖게 되므로 필연적으로 이득 영역(10)에서도 식각 정지층(16)을 갖게 되는 문제가 있다. 따라서, 이득 영역(10)에 식각 정지층(16)이 남아 있게 되므로, 레이저의 특성 저하의 원인이 될 수 있다. 또한, 에피 제조 공정이 복잡해지는 문제가 있다.
그러나, 실시 예에 따르면, 식각 용액의 식각률만을 조절하여 제어 영역(222)을 형성하므로 식각을 종료하기 위한 식각 정지층을 생략할 수 있다. 따라서, 에피 성장시 간단해지고 레이저 효율이 개선될 수 있다.
다시 도 5를 참조하면, 실시 예에 따른 돌기부(123)는 하부로 갈수록 폭이 좁아질 수 있다. 이때, 돌기부(123)의 단면은 삼각형 형상일 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다.
단면이 삼각 형상인 돌기부(123)는 하부 전극(15)과 가장 가까운 제1모서리(222a)를 포함할 수 있다. 이때, 제1모서리(222a)의 제1 각도(θ1)는 30도 내지 70도일 수 있다. 제1모서리의 제1각도(θ1)와 제2각도(θ2)는 식각 용액의 식각 각도에 의해 결정될 수 있다.
그러나, 식각 정지층을 갖는 종래 구조는 클래드층의 일부만을 식각하고 이후에 다시 식각 정지층을 제거하는 구조이므로 제어 영역(222)의 하부면이 샤프하지 않고 평탄면을 가질 수 있다(도 8 및 도 9의 B1). 이러한 평탄면은 열 효율 관점에서 유지하지 않을 수 있다.
도 11을 참조하면, 실시 예에 따른 제1단열홈(211)과 제2단열홈(212)은 하부 클래드층(120a)에서 서로 연결되지 않을 수도 있다. 즉, 제어 영역(222)의 돌기부(123)는 하부 클래드층(120a)과 연결될 수 있다.
돌기부(123)는 하부로 갈수록 폭이 좁아지는 제1돌기부(123a) 및 하부로 갈수록 폭이 넓어지는 제2돌기부(123b)를 포함할 수 있다. 이러한 구조에 의하면, 제2돌기부(123b)가 제1돌기부(123a)를 지지함으로써 제어 영역(222)의 안정적인 구동이 가능해질 수 있다. 특히, 제1 단열홈(211)과 제2 단열홈(212)에 별도의 단열재가 배치되지 않은 경우 이러한 지지구조는 더욱 효과적일 수 있다.
제1돌기부(123a)의 면적은 제2돌기부(123b)보다 클 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 제1돌기부(123a)의 면적은 제2돌기부(123b)보다 작거나 동일할 수 있다. 즉, 제1돌기부(123a)과 제2돌기부(123b)의 면적 및 높이는 식각 용액의 종류에 따라 달라질 수도 있다.
돌기부(123)는 가장 폭이 넓은 제1영역(W1)과 가장 폭이 좁은 제2영역(W2)의 비(W1:W2)가 1: 0.1 내지 1: 0.5일 수 있다. 가장 폭이 넓은 제1영역(W1)은 제1돌기부(123a)의 상면일 수도 있고, 가장 폭이 좁은 제2영역(W2)은 제1돌기부(123a)와 제2돌기부(123b)의 경계(124)일 수 있다.
비가 1:0.1보다 작은 경우에는 제2영역(W2)의 폭이 너무 좁아져 제1돌기부(123a)를 안정적으로 지지하기 어려울 수 있다. 또한, 비가 1:0.5보다 큰 경우 제2영역(W2)을 통한 열 손실이 커지는 문제가 있다. 예시적으로 제2영역(W2)의 폭은 0.1㎛ 내지 0.5㎛일 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다.
도 12은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 파장 가변 레이저의 평면도이고, 도 13은 도 12의 D-D 방향 단면도이고, 도 12 및 은 식각 시간이 증가함에 따라 반사층의 식각 영역이 넓어지는 상태를 보여주는 도면이다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 파장 가변 레이저는 이득 영역(10)과 및 파장 가변 영역(20)을 포함할 수 있다. 광도파로(130)는 이득 영역(10)에 배치되는 광도파로(이하 능동 광도파로)와 파장 가변 영역(20)에 배치되는 광도파로(수동 광도파로)로 구분될 수 있으며, 능동 광도파로(130a)와 수동 광도파로(130b)는 광학적으로 연결될 수 있다. 예시적으로 능동 광도파로(130a)와 수동 광도파로(130b)는 Integrated twin guide 또는 Butt-Joint 방식으로 결합될 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다.
도 13을 참조하면 파장 가변 영역(20)은, 하부 클래드층(120a)상에 배치되는 수동 광도파로(130b), 수동 광도파로(130b) 상에 배치되는 상부 클래드층(120b), 및 상부 클래드층(120b)상에 배치되는 제3전극(23), 제3전극(23) 상에 배치되는 전류 차단층(24), 전류 차단층(24) 상에 배치되는 히터(22), 및 수동 광도파로(130b)를 사이에 두고 서로 마주보게 배치되는 제1단열홈(211)과 제2단열홈(212)을 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 제1단열홈(211)과 제2단열홈(212)은 하부 클래드층(120a)의 일부 영역까지 형성될 수 있다. 이때, 제1단열홈(211)과 제2단열홈(212)은 하부 클래드층(120a)에서 서로 연결되지 않을 수 있다. 즉, 제어 영역(222)의 돌기부(123)는 하부 클래드층(120a)과 연결될 수 있다. 따라서, 전류 주입에 따른 굴절률 제어가 가능해질 수 있다.
돌기부(123)는 하부로 갈수록 폭이 좁아지는 제1돌기부(123a) 및 하부로 갈수록 폭이 넓어지는 제2돌기부(123b)를 포함할 수 있다. 이러한 구조에 의하면, 제2돌기부(123b)가 제1돌기부(123a)를 지지함으로써 제어영역의 안정적인 구동이 가능해질 수 있다. 특히, 제1단열홈(123a)과 제2단열홈(123b)에 별도의 단열재가 배치되지 않은 경우 이러한 지지구조는 더욱 효과적일 수 있다. 제1돌기부(123a)와 제2돌기부(123b)의 높이는 식각 용액의 종류에 따라 달라질 수도 있다.
제3전극(구동전극, 23)은 상부 클래드층(120b) 상에 배치될 수 있다. 제3전극(23)과 하부 전극(15)에 전류가 주입되면 수동 광도파로(130b)의 굴절률이 변화하여 파장이 가변될 수 있다. 전류 차단층(24)은 제3전극(23)과 히터(22) 사이에 배치될 수 있다.
실시 예에 따르면 히터(23)의 열을 제어 영역(222)에 인가하여 수동 광도파로(130b)의 굴절률을 변화시킴으로써 파장을 가변시킬 수도 있고, 전류를 주입하여 광도파로(130b)의 굴절률을 변화시킴으로써 파장을 가변시킬 수도 있다.
즉, 파장 가변을 위해 제3전극(23)에 전류를 주입하거나 히터(22)에 전압을 인가할 수 있다. 실시 예에 따르면, 히터(22)만을 제어하여 열 인가 방식으로 파장을 제어할 수도 있고, 제3전극(23)에 전류를 주입하여 전류 인가 방식으로 파장을 제어할 수도 있다.
그러나, 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 히터(22)에 전압을 인가하는 동시에 제3전극(23)에 전류를 주입함으로써 열과 전류를 동시에 인가할 수도 있다. 이 경우 열과 전류에 의해 동시에 굴절률을 제어할 수 있으므로 파장 가변 범위가 증가할 수 있다.
돌기부(123)는 가장 폭이 넓은 제1영역(W1)과 가장 폭이 좁은 제2영역(W2)의 비(W1:W2)가 1: 0.1 내지 1: 0.5일 수 있다. 비가 1:0.1보다 작은 경우에는 제2영역(W2)의 폭이 너무 좁아져 제1돌기부(123a)를 안정적으로 지지하기 어려울 수 있다. 또한, 제2영역(W2)의 폭이 너무 좁아져 제3전극(23)에 의한 전류 인가시 저항이 커지는 문제가 있다.
비가 1:0.5보다 큰 경우 제2영역(W2)을 통한 열 손실이 커지는 문제가 있다. 예시적으로 도파로 모드가 단열홈의 영향을 받지 않게 하기 위해 제1영역(W1)은 대략 10㎛ 이상일 수 있다. 또한, 제2영역(124)의 폭은 0.1㎛ 내지 0.5㎛일 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (9)

  1. 이득 영역 및 파장 가변 영역을 포함하고,
    상기 파장 가변 영역은,
    하부 클래드층;
    상기 하부 클래드층 상에 배치되는 수동 광도파로;
    상기 수동 광도파로 상에 배치되는 상부 클래드층;
    상기 상부 클래드층 상에 배치되는 구동전극;
    상기 구동전극 상에 배치되는 전류 차단층;
    상기 전류 차단층 상에 배치되는 히터; 및
    상기 수동 광도파로를 사이에 두고 서로 마주보게 배치되는 제1단열홈과 제2단열홈을 포함하는 파장 가변 레이저.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 하부 클래드층은 상기 제1단열홈과 제2단열홈이 연결되어 형성되는 돌기부를 포함하고,
    상기 돌기부는 제2방향으로 갈수록 폭이 좁아지는 제1돌기부를 갖고,
    상기 제2방향은 상기 상부 클래드층에서 상기 하부 클래드층 방향인 파장 가변 레이저.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 돌기부는 상기 제2방향으로 갈수록 폭이 넓어지는 제2돌기부를 갖는 파장 가변 레이저.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2돌기부는 상기 제1돌기부의 하부에 배치되는 파장 가변 레이저.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1돌기부의 면적은 상기 제2돌기부의 면적보다 큰 파장 가변 레이저.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 돌기부는 가장 폭이 넓은 제1영역과 가장 폭이 좁은 제2영역의 폭의 비는 1:0.1 내지 1:0.5인 파장 가변 레이저.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 수동 광도파로는 상기 구동전극에 의해 전류가 주입되거나 상기 히터에 의해 열이 주입되는 경우 굴절률이 변화하는 파장 가변 레이저.
  8. 이득 영역 및 파장 가변 영역을 포함하고,
    상기 파장 가변 영역은,
    하부 클래드층;
    상기 하부 클래드층 사이에 배치되는 수동 광도파로;
    상기 수동 광도파로 상에 배치되는 상부 클래드층;
    상기 상부 클래드층 상에 배치되는 히터; 및
    상기 하부 클래드층 상에 배치되는 제1단열홈과 제2단열홈을 포함하고,
    상기 제1단열홈과 제2단열홈은 상기 수동 광도파로를 사이에 두고 서로 마주보게 배치되고,
    상기 하부 클래드층은 상기 제1단열홈과 제2단열홈이 연결되어 형성되는 돌기부를 포함하고,
    상기 돌기부는 상기 수동 광도파로와 멀어질수록 폭이 좁아지는 파장 가변 레이저.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 돌기부의 하부 모서리 각도는 50도 내지 70도인 파장 가변 레이저.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023229437A1 (ko) * 2022-05-26 2023-11-30 주식회사 포벨 광소자

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112563878B (zh) * 2020-12-10 2023-11-07 武汉光迅科技股份有限公司 一种热调谐半导体芯片及其制备方法
GB202217254D0 (en) * 2022-11-17 2023-01-04 Sivers Photonics Ltd Suspended active photonic devices

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160150247A (ko) * 2015-06-19 2016-12-29 한국전자통신연구원 파장 가변 레이저 장치
KR20170055902A (ko) * 2015-11-12 2017-05-22 한국전자통신연구원 박막 히터 집적 파장가변 분포 궤환형 레이저 다이오드

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0697602A (ja) * 1992-09-14 1994-04-08 Anritsu Corp 分布ブラッグ反射型レーザ
JPH10506756A (ja) * 1994-10-05 1998-06-30 マサチューセッツ インスティトゥート オブ テクノロジー 一次元周期誘導体導波路を使用する共振微小空洞
JPH08222808A (ja) * 1995-02-15 1996-08-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体発光装置の製造方法
US6665105B2 (en) * 2001-07-31 2003-12-16 Agility Communications, Inc. Tunable electro-absorption modulator
JP4078898B2 (ja) * 2002-06-28 2008-04-23 日本電気株式会社 熱光学位相シフタ及びその製造方法
JP4130799B2 (ja) * 2003-12-24 2008-08-06 三星電子株式会社 マルチビーム型半導体レーザ
US7760777B2 (en) * 2007-04-13 2010-07-20 Finisar Corporation DBR laser with improved thermal tuning efficiency
JP2009020356A (ja) * 2007-07-12 2009-01-29 Nec Corp シリコン構造体
JP2012112984A (ja) * 2009-02-25 2012-06-14 Nec Corp 光導波路、光導波回路およびその製造方法
US8428091B2 (en) 2009-12-21 2013-04-23 Electronics And Telecommunications Research Institute Tunable laser module
KR101382522B1 (ko) * 2009-12-21 2014-04-18 한국전자통신연구원 파장 가변 레이저 광원 모듈
KR101381235B1 (ko) * 2010-08-31 2014-04-04 한국전자통신연구원 이중 모드 반도체 레이저 및 이를 이용한 테라헤르츠파 장치
GB2493988B (en) * 2011-08-26 2016-01-13 Oclaro Technology Ltd Monolithically integrated tunable semiconductor laser
US9046650B2 (en) * 2013-03-12 2015-06-02 The Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus for mid-infrared sensing
WO2014179461A2 (en) * 2013-04-30 2014-11-06 Huawei Technologies Co., Ltd. Tunable laser with high thermal wavelength tuning efficiency
US9817190B2 (en) * 2013-10-24 2017-11-14 Chemoptics Inc. Tunable wavelength filter with embedded metal temperature sensor and its application to external-cavity type tunable wavelength laser
US9397254B2 (en) 2013-10-24 2016-07-19 Electronics And Telecommunications Research Institute Superluminescent diode and method for implementing the same
KR102049342B1 (ko) * 2013-10-24 2019-11-29 한국전자통신연구원 수퍼루미네센트 다이오드 및 그의 구현 방법
CN107230930A (zh) * 2016-03-23 2017-10-03 华为技术有限公司 一种可调激光器及制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160150247A (ko) * 2015-06-19 2016-12-29 한국전자통신연구원 파장 가변 레이저 장치
KR20170055902A (ko) * 2015-11-12 2017-05-22 한국전자통신연구원 박막 히터 집적 파장가변 분포 궤환형 레이저 다이오드

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023229437A1 (ko) * 2022-05-26 2023-11-30 주식회사 포벨 광소자

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