JPH0697602A - 分布ブラッグ反射型レーザ - Google Patents
分布ブラッグ反射型レーザInfo
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- JPH0697602A JPH0697602A JP27105892A JP27105892A JPH0697602A JP H0697602 A JPH0697602 A JP H0697602A JP 27105892 A JP27105892 A JP 27105892A JP 27105892 A JP27105892 A JP 27105892A JP H0697602 A JPH0697602 A JP H0697602A
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- layer
- heating means
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
- H01S5/06255—Controlling the frequency of the radiation
- H01S5/06256—Controlling the frequency of the radiation with DBR-structure
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】加熱することにより導波路の屈折率を変化させ
る方法と電流を注入することにより波長を制御する方法
とを併用した分布ブラッグ反射型レーザでは、熱により
電極の金が半導体結晶中に拡散し、非発光再結合の増大
を招く。 【構成】請求項１では、電流を注入する電極を加熱する
手段からの熱の影響を受けない位置に取付け、また、熱
流の流れる経路を確保した。
る方法と電流を注入することにより波長を制御する方法
とを併用した分布ブラッグ反射型レーザでは、熱により
電極の金が半導体結晶中に拡散し、非発光再結合の増大
を招く。 【構成】請求項１では、電流を注入する電極を加熱する
手段からの熱の影響を受けない位置に取付け、また、熱
流の流れる経路を確保した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、屈折率変化のために導
波路に対する加熱手段を備えた分布ブラッグ反射型レー
ザに関する。
波路に対する加熱手段を備えた分布ブラッグ反射型レー
ザに関する。
【０００２】
【従来の技術】まず、波長可変レーザとしては、周期構
造が活性領域（または、発光領域ともいう。）の外側に
ある分布ブラッグ反射型レーザ（Distributed Bragg Re
flector:以下、ＤＢＲレーザという。）が知られてい
る。ＤＢＲレーザは電流を注入して利得を得る活性領域
と、グレーティング導波路からなる反射領域であるＤＢ
Ｒ領域とで構成される。この構造では、活性領域に電流
を注入してレーザ発振させるとともに、ＤＢＲ領域に電
流を注入してキャリア密度を増やし、プラズマ効果によ
って導波路の屈折率を変えることで波長をシフトさせ
る。これにより数ｍＷ以上の光出力で数ｎｍ以上の波長
を変えることを実現できる。しかし、このプラズマ効果
を用いて屈折率を変化させる方法は、キャリア密度のゆ
らぎが生じる結果、屈折率が不安定となり、スペクトル
線幅の大きな劣化を伴うという問題点がある。
造が活性領域（または、発光領域ともいう。）の外側に
ある分布ブラッグ反射型レーザ（Distributed Bragg Re
flector:以下、ＤＢＲレーザという。）が知られてい
る。ＤＢＲレーザは電流を注入して利得を得る活性領域
と、グレーティング導波路からなる反射領域であるＤＢ
Ｒ領域とで構成される。この構造では、活性領域に電流
を注入してレーザ発振させるとともに、ＤＢＲ領域に電
流を注入してキャリア密度を増やし、プラズマ効果によ
って導波路の屈折率を変えることで波長をシフトさせ
る。これにより数ｍＷ以上の光出力で数ｎｍ以上の波長
を変えることを実現できる。しかし、このプラズマ効果
を用いて屈折率を変化させる方法は、キャリア密度のゆ
らぎが生じる結果、屈折率が不安定となり、スペクトル
線幅の大きな劣化を伴うという問題点がある。
【０００３】それに対して、活性領域内に回折格子を備
えた分布帰還型レーザ（以下、ＤＦＢレーザという。）
に関する技術として温度により活性層の屈折率を変え、
波長を可変する方法が提示された（特開平４−７２７８
３号）。この構造を図６に示す。（Ａ）は上面図、
（Ｂ）は上面図（Ａ）の破線イ−ロによる断面図であ
る。この方法では、温度によって屈折率を変える場合の
欠点である応答速度の遅いという点は、活性層２の直上
の近傍に設けた薄膜抵抗を加熱手段８として利用するこ
とにより改善されている。この方法では、電流を注入す
るための電極９の上に、絶縁膜７を介して加熱手段８と
して薄膜抵抗を設けている。この温度により活性層２の
屈折率を変え、波長を可変するＤＦＢレーザでは、薄膜
抵抗により発生するジュール熱により屈折率は変化し、
スペクトル線幅の大きな劣化を生じることなく約４ｎｍ
の波長可変を達成した。しかし、この構造では、活性層
２の直上の近傍から直接加熱しているため、活性層２が
高温にさらされ、加熱を行わない場合の素子の寿命が約
１０万時間であるとすると、波長を４ｎｍシフトさせた
状態では、１万時間以下に寿命が短縮してしまう。
えた分布帰還型レーザ（以下、ＤＦＢレーザという。）
に関する技術として温度により活性層の屈折率を変え、
波長を可変する方法が提示された（特開平４−７２７８
３号）。この構造を図６に示す。（Ａ）は上面図、
（Ｂ）は上面図（Ａ）の破線イ−ロによる断面図であ
る。この方法では、温度によって屈折率を変える場合の
欠点である応答速度の遅いという点は、活性層２の直上
の近傍に設けた薄膜抵抗を加熱手段８として利用するこ
とにより改善されている。この方法では、電流を注入す
るための電極９の上に、絶縁膜７を介して加熱手段８と
して薄膜抵抗を設けている。この温度により活性層２の
屈折率を変え、波長を可変するＤＦＢレーザでは、薄膜
抵抗により発生するジュール熱により屈折率は変化し、
スペクトル線幅の大きな劣化を生じることなく約４ｎｍ
の波長可変を達成した。しかし、この構造では、活性層
２の直上の近傍から直接加熱しているため、活性層２が
高温にさらされ、加熱を行わない場合の素子の寿命が約
１０万時間であるとすると、波長を４ｎｍシフトさせた
状態では、１万時間以下に寿命が短縮してしまう。
【０００４】そこで、素子の寿命を短縮せず、かつ、発
振しきい値の上昇の抑制が可能にした発明が本出願人の
先願としてある（特願平４−１８２９８１号）。この発
明では活性層以外の導波路を加熱して導波路の屈折率を
変化させ、波長をシフトさせる。この発明は活性層に対
して加熱しない構造を採用したので、素子の寿命を維持
し、かつ、スペクトル線幅の大きな劣化もなく、波長を
変化させることができる。すなわち、活性層に対して熱
の影響がないように活性層以外の導波路を加熱すること
が後述する本発明にとって前提条件である。
振しきい値の上昇の抑制が可能にした発明が本出願人の
先願としてある（特願平４−１８２９８１号）。この発
明では活性層以外の導波路を加熱して導波路の屈折率を
変化させ、波長をシフトさせる。この発明は活性層に対
して加熱しない構造を採用したので、素子の寿命を維持
し、かつ、スペクトル線幅の大きな劣化もなく、波長を
変化させることができる。すなわち、活性層に対して熱
の影響がないように活性層以外の導波路を加熱すること
が後述する本発明にとって前提条件である。
【０００５】図７に示すＤＢＲレーザ素子は、活性層２
の延長上にある導波路近傍に金属薄膜抵抗などの加熱手
段８を実装し、これを用いて活性層２以外の導波路（図
７ではガイド層１０となる）の温度を変えることにより
導波路の屈折率を制御する技術を示す。この例では、加
熱手段８としてストライプ状の金属薄膜抵抗がＳｉＯ２
の絶縁膜７をはさんで位相制御領域及びＤＢＲ領域（以
下両者を一括して発光領域に対する概念として受動領域
という。）のクラッド層３の直上部に形成されており、
この金属薄膜抵抗に電力が与えられて発熱すると、温度
上昇によって受動領域中の導波路の屈折率が変化し、ひ
いては素子の発振波長が変化する。金属薄膜抵抗の端部
と発光領域の上面との間の間隔は、金属薄膜抵抗の発す
る熱の到達を防止するのに十分なだけの距離があるもの
とする。
の延長上にある導波路近傍に金属薄膜抵抗などの加熱手
段８を実装し、これを用いて活性層２以外の導波路（図
７ではガイド層１０となる）の温度を変えることにより
導波路の屈折率を制御する技術を示す。この例では、加
熱手段８としてストライプ状の金属薄膜抵抗がＳｉＯ２
の絶縁膜７をはさんで位相制御領域及びＤＢＲ領域（以
下両者を一括して発光領域に対する概念として受動領域
という。）のクラッド層３の直上部に形成されており、
この金属薄膜抵抗に電力が与えられて発熱すると、温度
上昇によって受動領域中の導波路の屈折率が変化し、ひ
いては素子の発振波長が変化する。金属薄膜抵抗の端部
と発光領域の上面との間の間隔は、金属薄膜抵抗の発す
る熱の到達を防止するのに十分なだけの距離があるもの
とする。
【０００６】しかし、加熱手段８のみにより活性層以外
の導波路の屈折率を変化させる方法では、導波路の屈折
率は増大する方向にしか変化させることはできない。ま
た、熱による制御方式は応答速度が電流注入による制御
方式に比べ遅くならざるを得ない、という問題は残る。
の導波路の屈折率を変化させる方法では、導波路の屈折
率は増大する方向にしか変化させることはできない。ま
た、熱による制御方式は応答速度が電流注入による制御
方式に比べ遅くならざるを得ない、という問題は残る。
【０００７】図８もまたＤＢＲレーザ素子における実施
例であるが、この例においては受動領域のクラッド層３
と絶縁膜７との間に、電流注入用の電極９を備えてい
る。これを用いて電流を流すことで受動領域の導波路
（図８ではガイド層１０となる。）の中にキャリアが注
入され、プラズマ効果によって導波路の屈折率が変化
し、素子の発振波長が変化する。一方で加熱手段８であ
る金属薄膜抵抗から生じる熱は、この電極部分を伝導し
て導波路に達し、上記プラズマ効果とは独立に屈折率変
化が生じさせる。
例であるが、この例においては受動領域のクラッド層３
と絶縁膜７との間に、電流注入用の電極９を備えてい
る。これを用いて電流を流すことで受動領域の導波路
（図８ではガイド層１０となる。）の中にキャリアが注
入され、プラズマ効果によって導波路の屈折率が変化
し、素子の発振波長が変化する。一方で加熱手段８であ
る金属薄膜抵抗から生じる熱は、この電極部分を伝導し
て導波路に達し、上記プラズマ効果とは独立に屈折率変
化が生じさせる。
【０００８】このように、加熱手段８と活性層以外の導
波路との間に電流注入用の電極９を形成すると、注入電
流に変調信号を付加することで高速応答が得られる上、
加熱手段８による温度上昇の効果と電流注入による効果
とを併用することにより、屈折率は増大及び減少の両方
に変化させることができ、波長を変化させる点において
大いにその有用性が期待されている。
波路との間に電流注入用の電極９を形成すると、注入電
流に変調信号を付加することで高速応答が得られる上、
加熱手段８による温度上昇の効果と電流注入による効果
とを併用することにより、屈折率は増大及び減少の両方
に変化させることができ、波長を変化させる点において
大いにその有用性が期待されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】この加熱手段８を用い
て温度変化による屈折率の変化を利用する方法と電流注
入の効果を併用することは上記のようにすぐれた点を有
しており、先に述べた特開平４−７２７８３号において
も、活性層についてではあるが加熱手段８による温度変
化と電極９による電流注入による効果とを併用してい
る。しかし、一般的にＤＢＲレーザの電流注入用の電極
９として使用されるオーミック性Ａｕ電極では、金属薄
膜抵抗から供給される熱によって電極を構成する物質で
あるＡｕが半導体結晶中に次第に拡散していき、半導体
電子のエネルギーバンド構造中に不純物準位を形成し
て、非発光再結合の増大を招いてしまう。すなわち、加
熱手段８を形成して温度上昇によって導波路の屈折率を
制御する方式と、オーミック電極を形成してキャリア注
入によって屈折率を制御する方式とを併用すると、加熱
手段８の発する波長制御用の熱の効果でオーミック電極
に含まれるＡｕの原子が半導体結晶中に拡散してしま
い、半導体レーザの特性を著しく損なってしまうという
問題がある。さらにこの場合、導波路に対する加熱を行
うにあたり、応答速度との関係上できるだけ加熱を施す
導波路の近傍に加熱手段８を設けなければならない。
て温度変化による屈折率の変化を利用する方法と電流注
入の効果を併用することは上記のようにすぐれた点を有
しており、先に述べた特開平４−７２７８３号において
も、活性層についてではあるが加熱手段８による温度変
化と電極９による電流注入による効果とを併用してい
る。しかし、一般的にＤＢＲレーザの電流注入用の電極
９として使用されるオーミック性Ａｕ電極では、金属薄
膜抵抗から供給される熱によって電極を構成する物質で
あるＡｕが半導体結晶中に次第に拡散していき、半導体
電子のエネルギーバンド構造中に不純物準位を形成し
て、非発光再結合の増大を招いてしまう。すなわち、加
熱手段８を形成して温度上昇によって導波路の屈折率を
制御する方式と、オーミック電極を形成してキャリア注
入によって屈折率を制御する方式とを併用すると、加熱
手段８の発する波長制御用の熱の効果でオーミック電極
に含まれるＡｕの原子が半導体結晶中に拡散してしま
い、半導体レーザの特性を著しく損なってしまうという
問題がある。さらにこの場合、導波路に対する加熱を行
うにあたり、応答速度との関係上できるだけ加熱を施す
導波路の近傍に加熱手段８を設けなければならない。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この問題の解決するため
の手段を以下に３つ述べる。まず、第１の手段として、
電流注入用の電極９を加熱手段８からの熱の影響を受け
ない位置に取付けること、すなわち、加熱手段８から導
波路へと至る波長を制御するための熱流の伝導経路上に
は電流注入用の電極９を形成せず、その熱流の影響を受
けない位置に形成した電極９から導波路への電流伝導経
路を確保することにより達成される。この構成では、加
熱手段８は従来どおり導波路の近傍に設けられている。
の手段を以下に３つ述べる。まず、第１の手段として、
電流注入用の電極９を加熱手段８からの熱の影響を受け
ない位置に取付けること、すなわち、加熱手段８から導
波路へと至る波長を制御するための熱流の伝導経路上に
は電流注入用の電極９を形成せず、その熱流の影響を受
けない位置に形成した電極９から導波路への電流伝導経
路を確保することにより達成される。この構成では、加
熱手段８は従来どおり導波路の近傍に設けられている。
【００１１】次に、第２の手段として、電流注入用の電
極９とクラッド層３との間に金属の拡散を停止させるた
めの層を設けることにより達成される。この構成でも、
加熱手段は従来どおり導波路の近傍に設けられている。
極９とクラッド層３との間に金属の拡散を停止させるた
めの層を設けることにより達成される。この構成でも、
加熱手段は従来どおり導波路の近傍に設けられている。
【００１２】さらに、第３の手段として、電流注入用の
電極９をショットキー型電極１３とすることにより達成
される。この構成でも、加熱手段８は従来どおり導波路
の近傍に設けられている。
電極９をショットキー型電極１３とすることにより達成
される。この構成でも、加熱手段８は従来どおり導波路
の近傍に設けられている。
【００１３】
【作用】請求項１及び３の発明の実施により、電流注入
用の電極９に含まれる金属の拡散は防止される。また、
請求項２の発明の実施により、レーザの発光特性を損な
わない程度に抑制される。また、加熱手段８は導波路の
直上の近傍に設けられているので、応答速度は従来のも
のと変わらない。
用の電極９に含まれる金属の拡散は防止される。また、
請求項２の発明の実施により、レーザの発光特性を損な
わない程度に抑制される。また、加熱手段８は導波路の
直上の近傍に設けられているので、応答速度は従来のも
のと変わらない。
【００１４】
【実施例】以下、請求項毎に実施例を説明する。 （第１の実施例）図１に請求項１に対応した実施例を示
す。縦方向は任意スケール、横方向はμｍである（但
し、回折格子の部分は強調してある。）（Ａ）は正面
図、（Ｂ）はイ−ロでの断面図である。ｐ型ＩｎＰの基
板１の上にエネルギーギャップ波長１．５５μｍのＩｎ
ＧａＡｓＰの活性層２またはエネルギーギャップ波長
１．３μｍのガイド層１０、さらにｎ型ＩｎＰのクラッ
ド層３をそれぞれ成長する。次いでこれらをメサ状にエ
ッチングした後ｎ型ＩｎＰの電流阻止層４およびｐ型Ｉ
ｎＰの電流阻止層５によって埋込み、さらに全面にわた
ってｎ型ＩｎＰの電流バイパス層６を成長させる。この
上に導波路部分を充分に覆うようにＳｉＯ２の絶縁膜７
を形成し、さらに受動領域の導波路直上に加熱手段８で
ある金属薄膜抵抗を形成する。一方電流注入用の電極９
を導波路直上から水平距離にして３０μｍ以上離れた位
置に形成する。受動領域の導波路内には波長選択のため
の回折格子１１が形成されている。
す。縦方向は任意スケール、横方向はμｍである（但
し、回折格子の部分は強調してある。）（Ａ）は正面
図、（Ｂ）はイ−ロでの断面図である。ｐ型ＩｎＰの基
板１の上にエネルギーギャップ波長１．５５μｍのＩｎ
ＧａＡｓＰの活性層２またはエネルギーギャップ波長
１．３μｍのガイド層１０、さらにｎ型ＩｎＰのクラッ
ド層３をそれぞれ成長する。次いでこれらをメサ状にエ
ッチングした後ｎ型ＩｎＰの電流阻止層４およびｐ型Ｉ
ｎＰの電流阻止層５によって埋込み、さらに全面にわた
ってｎ型ＩｎＰの電流バイパス層６を成長させる。この
上に導波路部分を充分に覆うようにＳｉＯ２の絶縁膜７
を形成し、さらに受動領域の導波路直上に加熱手段８で
ある金属薄膜抵抗を形成する。一方電流注入用の電極９
を導波路直上から水平距離にして３０μｍ以上離れた位
置に形成する。受動領域の導波路内には波長選択のため
の回折格子１１が形成されている。
【００１５】（第２の実施例）図２に請求項２に対応し
た実施例を示す。（Ａ）は正面図、（Ｂ）はイ−ロでの
断面図である。第１の実施例の電流バイパス層６の代わ
りに、Ａｕ原子が活性層への拡散を防止するためのエネ
ルギーギャップ１．３μｍのＩｎＧａＡｓＰの金属拡散
阻止層１２を成長し、そのあと電流注入用の電極９を形
成する。絶縁膜７及び加熱手段８である金属薄膜抵抗は
前記の第１の実施例と同様である。この構造によれば加
熱手段８の発する熱によって電極９からＡｕが拡散して
も、金属拡散阻止層１２によってトラップされるため、
活性層２及びガイド層１０まで達することはない。この
金属拡散阻止層１２の存在による注入電流の経路の抵抗
の増大は小さいので、クラッド層３と同程度まで層厚を
厚くすることで拡散阻止の効果を高めることができる。
た実施例を示す。（Ａ）は正面図、（Ｂ）はイ−ロでの
断面図である。第１の実施例の電流バイパス層６の代わ
りに、Ａｕ原子が活性層への拡散を防止するためのエネ
ルギーギャップ１．３μｍのＩｎＧａＡｓＰの金属拡散
阻止層１２を成長し、そのあと電流注入用の電極９を形
成する。絶縁膜７及び加熱手段８である金属薄膜抵抗は
前記の第１の実施例と同様である。この構造によれば加
熱手段８の発する熱によって電極９からＡｕが拡散して
も、金属拡散阻止層１２によってトラップされるため、
活性層２及びガイド層１０まで達することはない。この
金属拡散阻止層１２の存在による注入電流の経路の抵抗
の増大は小さいので、クラッド層３と同程度まで層厚を
厚くすることで拡散阻止の効果を高めることができる。
【００１６】この実施例について金属拡散阻止層１２の
層厚とその下にある活性層及びガイド層の加熱による温
度変化との関係を調べた解析モデルを図３及び図４に示
す。図３はモデルの形状を示した図であり以下のように
なる。解析のモデルは、厚さ１００μｍ、幅４００μ
ｍ、長さ１０００μｍのＩｎＰ層２１を半導体レーザ結
晶として考え、その上面にＩｎＧａＡｓＰの金属拡散阻
止層１２を全面に形成する。活性領域以外の受動領域を
後側６５０μｍとしてこの部分全域に厚さ２０００オン
グストロームのＡｕ電極２２を形成し、さらにこの領域
の中央部に幅５０μｍのストライプ状ＳｉＯ２絶縁膜２
３及び幅１５μｍのＡｕ薄膜抵抗２４をそれぞれ厚さ５
０００オングストローム及び１０００オングストローム
として作成した。さらに以上の構成はＳｉＣ２５のサブ
マウント上にあって、ＳｉＣの底面はヒートシンクによ
って常に２５度に保たれているとする。また熱伝導率は
ＩｎＰ層２１は０．７Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇ、Ａｕ層は３．
２Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇ、ＳｉＯ２層は０．０１４Ｗ／ｃｍ
・ｄｅｇ、ＳｉＣ層は２．７Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇとした。
解析を容易にするため、本来は半導体結晶中に含まれる
活性層及びガイド層のＩｎＧａＡｓＰは体積が極めて小
さいことから無視し、また空気中への熱の放出はないも
のとした。解析はこのモデルにおいて薄膜抵抗に１Ｗの
電力を与えたときのヒータ直下のＩｎＰ表面から深さ２
μｍの位置の温度分布を調べ、さらにはＩｎＰ上面に拡
散阻止層ＩｎＧａＡｓＰを厚さ１、２、３、５μｍで全
面に形成したときの上記温度分布の変化を調べた。
層厚とその下にある活性層及びガイド層の加熱による温
度変化との関係を調べた解析モデルを図３及び図４に示
す。図３はモデルの形状を示した図であり以下のように
なる。解析のモデルは、厚さ１００μｍ、幅４００μ
ｍ、長さ１０００μｍのＩｎＰ層２１を半導体レーザ結
晶として考え、その上面にＩｎＧａＡｓＰの金属拡散阻
止層１２を全面に形成する。活性領域以外の受動領域を
後側６５０μｍとしてこの部分全域に厚さ２０００オン
グストロームのＡｕ電極２２を形成し、さらにこの領域
の中央部に幅５０μｍのストライプ状ＳｉＯ２絶縁膜２
３及び幅１５μｍのＡｕ薄膜抵抗２４をそれぞれ厚さ５
０００オングストローム及び１０００オングストローム
として作成した。さらに以上の構成はＳｉＣ２５のサブ
マウント上にあって、ＳｉＣの底面はヒートシンクによ
って常に２５度に保たれているとする。また熱伝導率は
ＩｎＰ層２１は０．７Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇ、Ａｕ層は３．
２Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇ、ＳｉＯ２層は０．０１４Ｗ／ｃｍ
・ｄｅｇ、ＳｉＣ層は２．７Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇとした。
解析を容易にするため、本来は半導体結晶中に含まれる
活性層及びガイド層のＩｎＧａＡｓＰは体積が極めて小
さいことから無視し、また空気中への熱の放出はないも
のとした。解析はこのモデルにおいて薄膜抵抗に１Ｗの
電力を与えたときのヒータ直下のＩｎＰ表面から深さ２
μｍの位置の温度分布を調べ、さらにはＩｎＰ上面に拡
散阻止層ＩｎＧａＡｓＰを厚さ１、２、３、５μｍで全
面に形成したときの上記温度分布の変化を調べた。
【００１７】この解析結果を図４に示す。縦軸は導波路
の温度変化、横軸は素子の位置関係を示す。この解析結
果からわかるように、金属拡散阻止層１２の層厚は２μ
ｍ程度までなら導波路の温度制御に大きな影響を与えず
にすむことがわかる。
の温度変化、横軸は素子の位置関係を示す。この解析結
果からわかるように、金属拡散阻止層１２の層厚は２μ
ｍ程度までなら導波路の温度制御に大きな影響を与えず
にすむことがわかる。
【００１８】（第３の実施例）図５に請求項３に対応し
た実施例を示す。第２の実施例における金属拡散阻止層
１２を成長せず、電流注入用の電極９をショットキー型
電極１３としたものである。この手段ではオーミック電
極に比べ、電極部分での電圧の上昇は避けられないが、
これは本発明の効果による特性の向上を考えれば充分に
容認される程度の反作用にすぎない。
た実施例を示す。第２の実施例における金属拡散阻止層
１２を成長せず、電流注入用の電極９をショットキー型
電極１３としたものである。この手段ではオーミック電
極に比べ、電極部分での電圧の上昇は避けられないが、
これは本発明の効果による特性の向上を考えれば充分に
容認される程度の反作用にすぎない。
【００１９】
【発明の効果】本発明の手段を採用することにより、半
導体の電子のエネルギーバンド構造を損なうことなく、
熱による屈折率変化と電流注入による屈折率変化を併用
して、より高性能な波長可変特性が得られる。
導体の電子のエネルギーバンド構造を損なうことなく、
熱による屈折率変化と電流注入による屈折率変化を併用
して、より高性能な波長可変特性が得られる。
【００２０】
【図１】 請求項１の実施例を示す図であり、（Ａ）は
素子の正面図、（Ｂ）は素子の出射方向に平行な方向か
らみた断面図である。
素子の正面図、（Ｂ）は素子の出射方向に平行な方向か
らみた断面図である。
【図２】 請求項２の実施例を示す図。
【図３】 請求項２における解析モデルの形状を示す
図。
図。
【図４】 請求項２における解析モデルの温度と層厚の
関係を示した図。
関係を示した図。
【図５】 請求項３の実施例を示す図。
【図６】 従来の技術を示す図。
【図７】 従来の技術を示す図。
【図８】 従来の技術を示す図。
１ 基板 ２ 活性層 ３ クラッド層 ４ 電流阻止層 ５ 電流阻止層 ６ 電流バイパス層 ７ 絶縁膜 ８ 加熱手段 ９ 電極 １０ ガイド層 １１ 回折格子 １２ 金属拡散阻止層。 １３ ショットキー型電極。 ２１ ＩｎＰ層 ２２ Ａｕ電極 ２３ ＳｉＯ２絶縁膜 ２４ Ａｕ薄膜抵抗 ２５ ＳｉＣ。
Claims (3)
- 【請求項１】 活性層以外の導波路近傍に加熱手段
（８）を備え、かつ該加熱手段（８）によって発生した
熱が発光領域には影響を及ぼさない構造を有する分布ブ
ラッグ反射型レーザにおいて、 加熱手段（８）からの熱の影響を受けない位置に取付け
た電流注入用の電極（９）を備えたことを特徴とする分
布ブラッグ反射型レーザ。 - 【請求項２】 活性層以外の導波路近傍に加熱手段
（８）を備え、かつ該加熱手段（８）によって発生した
熱が発光領域には影響を及ぼさない構造を有する分布ブ
ラッグ反射型レーザにおいて、 電流注入用の電極（９）と導波路の上部のクラッド層
（３）との間に金属の拡散を停止させるための金属拡散
阻止層（１２）を有する分布ブラッグ反射型レーザ。 - 【請求項３】 活性層以外の導波路近傍に加熱手段
（８）を備え、かつ該加熱手段（８）によって発生した
熱が発光領域には影響を及ぼさない構造を有する分布ブ
ラッグ反射型レーザにおいて、 電流注入用の電極（９）がショットキー型電極（１３）
であることを特徴とした分布ブラッグ反射型レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27105892A JPH0697602A (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 分布ブラッグ反射型レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27105892A JPH0697602A (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 分布ブラッグ反射型レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697602A true JPH0697602A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17494818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27105892A Pending JPH0697602A (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 分布ブラッグ反射型レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697602A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0717302A3 (en) * | 1994-12-15 | 1997-08-13 | Anritsu Corp | External stabilization of the output power of a light source with tunable wavelength |
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-
1992
- 1992-09-14 JP JP27105892A patent/JPH0697602A/ja active Pending
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