JPH0472783A - 波長可変半導体レーザ - Google Patents
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
信用として有効な波長可変半導体レーザの構成に関する
。 (従来の技IFil 波長多重通信では、複数の波長の光に信号を乗せて1本
の光ファイバーで複数のチャネル情報を伝送できるため
、伝送容量が拡大する。この場合、受信側では波長多重
された受信光の中の特定の波長の信号だけを干渉を使っ
て選局するための局部発振レーザが必要である。この局
部発振レーザとしては、受信光の複数の波長の中の特定
の波長の信号を自由に選局できる波長可変レーザを用い
る。 この波長可変レーザには、(1)広い波長可変幅がある
こと、干渉を利用するため(2)狭いスペクトル線幅を
有すること、信号のS/Nを高めるため(3)光出力が
大きいことが要求される。 従ダ導体で構成された波長可変レーザとしては、エレク
トロニクスレターズ 25.15(1989)第990
頁から第991頁(Electoronics L
ettersVol、25 No、15 (19
89)pp。 990−991)に記載されているように、内部に回折
格子を有する分布帰還型半導体レーザの素子長を1.2
mmと長くして、電極を複数に分け。 その電極間の注入電流の比率を変えることで、光出力2
0mW以上、スペクトル線幅IMHz以下で波長可変@
2.2nmを得ている。 また、エレクトロニクスレターズ 26.1(1990
年)第46頁から第47頁(E l e ctoron
ics Letters Vol、26 No、
1 (1990) pP、 46−47)に記載のよ
うに分布帰還型半導体レーザの中に屈折率を変える先導
波路を挿入することで光出力は4mW以下と小さいが、
7nmの波長可変幅を得ていた。 さらに、半導体レーザを温度制御用のペルチェ素子に貼
付だ半導体レーザの波長がO,lnm/℃で変化するこ
とを利用して、温度で制御する方法も知られている。
帰還型半導体レーザの構造では、波長可変幅が内部の回
折格子の反射波長幅の約3nmで限定されるため4nm
以上に波長可変幅を広げることが難しい、また、第2の
屈折率可変の導波路を内蔵する構造では、屈折率を変え
るために注入したキャリアの吸収により光出力が低下し
、10mW以上の光出力が得られない、第3のペルチェ
素子による温度制御では、半導体レーザの活性層から離
れた基板の裏面にペルチェ素子を付は裏面から半導体素
子全体の温度を制御する方法であるため、温度を変える
ための応答速度が遅く1秒程度の時間でしか波長の切り
替えができない、即ち従来知られている可変長半導体レ
ーザでは、出力。 波長可変幅及び切り替え速度の条件を同時に実用範囲で
満たすものが実現されていない。 本発明の目的は、高出力で波長可変幅が広く、かつ切り
替え速度の速い波長可変半導体レーザを実現することで
ある。 本発明の他の目的は光出力10mW以上、スペクトルi
幅10MHz以下で、波長可変幅4nm以上を有し、応
答速度がl O−”秒(1m秒)のオーダ以下の実用可
能な波長可変レーザを実現することである。
性層の近傍の半導体基板の厚さより近い位置に可変熱源
を形成し、この可変熱源の温度を制御することによって
、半導体レーザの出力光の波長を変えるようにしたもの
である。 特に好ましい実施形態としては、半導体基板の上に少な
くとも上記半導体よりもバンドキャップエネルギーが小
さな活性層となる第1の半導体層及び上記半導体基板と
逆の導電極性をもつ第2の半導体層とをもち、上記第2
の半導体層の上部及び第1の半導体層の下部にキャリア
注入用の電極を有する半導体レーザ素子において、上記
第2の半導体層の上部の電極上にN縁膜を介して、可変
熱源として抵抗簿膜を形成する構成とする。
ため、活性層周辺の温度を高速で変えることができる。 特に、活性層に対して半導体基板と反対側の上部電極上
に熱源を形成した場合は、半導体基板のもつ熱勾配と熱
抵抗との関係によって、熱源の温度切り換えに対する活
性層の周辺熱応答が速くなる。半導体レーザの発振波長
は活性層の周辺の温度を変えるとそれに付随する屈折率
変化により、1.55μmの発信波長のレーザで0.1
nm/’C変る。これを利用することにより、活性層l
の周辺の温度を40℃変えることで、約4nmの発信波
長可変幅が得られる。 特に熱源として抵抗膜を用い、活性層に非常に近い素子
表面に上記抵抗膜を付は温度を制御する態様では、熱源
と活性層の距離を数μm程度とすることができ、厚みが
約200μmの半導体基板を介する従来の温度制御によ
る波長可変レーザと比べ活性層周辺の温度変化の応答が
著しく改善される。 第2図(a)は材料に200μm厚のInPを用い入た
とき、20℃から60”Cへ変化させるときの温度変化
で、裏面に熱源を配した場合の応答10と表面全体に熱
源を設けたときの応答11である。裏面にからの制御1
oでは基板を熱が拡散するための0.03m秒程度の時
間遅れを生じるのに対し、表面に熱源を設け、裏面では
20’C−定と成るように制御する場合では即座に応答
する。 さらに、表面に付ける熱源の抵抗膜の幅を活性層と同程
度にすることにより、温度の応答速度をより速くするこ
とができる。熱源となる表面近傍に活性層があるため、
熱源の寸法を活性層の幅と同程度にしても熱は拡散する
こと無く活性層1の温度を高める。このため、全表面に
熱を加える方法よりも熱源の幅を狭めることができる。 温度の変化は単位面積当りのパワー密度で決まるため、
幅を狭めることによりパワー密度が高くなり、エネルギ
ー効率を高めると同時に応答が著しく速くなる。第2図
(2)にInP材料で400pmの幅全面に熱源をもつ
場合の応答特性11と400μmに対し10μmの幅の
熱源をもつ場合の応答特性12を示す、パワー密度の高
まりに対応し、約1桁応答の変化が大きく、なっている
ことが分かる。また、注入パワーは10μm幅の方が1
76少ない、注入パワーが抵抗膜幅1oμmと素子@4
00μmの比に単純に一致しないのは熱が基板内で横に
広がるためである。 以上のように、熱源を素子表面に設けることで裏面に設
けた場合に比べ活性層周辺の温度変化の遅れ時間がなく
なり、さらに、熱源の幅を狭めることにより制御のため
のエネルギー効率を高めると同時に一層温度変化を進め
ることができる。
の構成を示すの概略斜視図である。以下簡単に作製方法
を述べながら構造を説明する。 n型のInP基板3上に有機金属結晶法でInG a
A s / I n G a A s Pの多重量子井
戸の構造をもつ活性層1及びp型のInP層2等を形成
した後、活性層1が幅1μm程度となるようにエツチン
グで他の領域を除去し、除去した領域にFeをドープし
た高抵抗層等を形成し、活性層1にのみ電流が流れ込む
ようにした。さらに、活性層1上部に窓をもつS i
O,絶縁膜5を形成し、レーザ発振のための電流注入用
Auを主体とするp電極6を形成した。この段階までは
従来の半導体レーザの製作方法と同じ方法で形成したも
のである。 特に、単一波長で狭スペクトルの波長可変レーザとする
ため、レーザ内部の活性層1下に光軸方向(第1図中で
は奥手方向)にはピッチ0.24μmの回折格子を有す
る分布帰還型レーザ構造を取った。p型電極6の右領域
に抵抗膜8用の電極9−1.9−2を島状に形成した後
、Sin、絶縁膜7を活性層上部1幅20μm程形成し
、さらにその上に抵抗膜8としてpt膜を厚さ0.7μ
m、@10μm形成した。このときpt膜8の両端は先
に形成した電極9−1と9−2に接するようにした。最
後に、裏面にAuを主体とするn電極を全面に形成した
。 以上のようにして作成した厚み200μmで幅400μ
mの試料をペルチェ素子で温度コントロールができる放
熱ブロックに裏面を接合させて特性を評価した。このブ
ロックの温度は20℃程度で一定になるように制御した
。p型電極6への電流を250mAとしたところ波長1
.54μmでI M Hzのスペクトル線幅、20mW
の光出力を得た。抵抗膜8に400mAの電流を電極9
−1と9−2を介して流したところ、10μ秒で2nm
の長波長への波長移動をII)IIIした。さらに、1
00μ秒で4nmの波長移動を得た。その後、波長観測
系からの負帰還制御により、1m秒内で、4nmの移動
点で安定した発振波長を得た。このときの光出力は10
mW以上、スペクトル線幅は10 M Hz以下であっ
た。 以上本発明の1実施例について説明したが1本発明は上
記実施例に限定されるものではない、上記実施例では、
可変熱源として抵抗薄膜を使用したが、活性層上部の活
性層近傍に活性層の幅より広く、半導体素子平面より狭
い形状の温度可変の熱源を形成するかぎり同様の効果を
得ることができる。また、抵抗薄膜で構成する場合、素
子形状を小型にし、かつ製造工程が簡易であるため、熱
応答が若干低下することを許容すれば、活性層の下部、
あるいは側部に形成してもよい。 (発明の効果] 本発明によ可変熱源を半導体レーザの活性層の近傍に形
成することによって、波長可変範囲が広く、熱応答が速
い半導体レーザを実現できる。特に実施例に示したよう
に、1m秒で4nmの波長可変が可能となる。従来の温
度制御による半導体レーザは半導体基板裏面の電極に直
接ペルチェ素子が接しているのではなく、ヒートシンク
の金属ブロックを介するため一層遅くなる。また、時間
遅れがあるため、オーバーシュートを生じ結果的に充分
の安定性を得るまでに秒近くかかっていた。 本発明では、温度変化が速くなるとともに活性層1周辺
の温度安定性も速い応答を利用することで実現すること
ができる。 また、熱源として抵抗膜を使用する場合、抵抗膜幅を狭
くすることで注入エネルギー密度が高くなり、−層の速
い応答、高いエネルギー効率が得られ、#御し易くなる
。特に実施例に示したように、波長1.54μmでI
M Hzのスペクトル線幅、20mWの光出力を、応答
速度が1m秒以内で、波長可変が4nmの実用可能な波
長可変半導体レーザが実現できた。
の斜視図、第2図(a)は本発明の効果説明のため、半
導体基板表面からと裏面から加熱した場合の温度応答比
較図、第2図(b)は表面全面に抵抗膜を形成した場合
と1表面の一部に抵抗膜を形成した場合の温度応答比較
図である。 ・・・表面から温度制御する場合の活性層の温度応答特
性、12・・・狭い抵抗膜を用いたときの活性層の応答
特性。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体基板の上に少なくとも上記半導体基板よりも
バンドキャップエネルギーが小さな活性層となる第1の
半導体層及び上記半導体基板と逆の導電極性をもつ第2
の半導体層と、上記第2の半導体層の上部及び第1の半
導体層の下部にキャリア注入用の電極を有する半導体レ
ーザにおいて、 上記活性層から、上記半導体基板の厚さより近い位置に
可変熱源を形成したことを特徴とする波長可変半導体レ
ーザ。 2、請求項第1記載において、上記可変熱源が上記第2
の半導体層の上部の電極上に形成され、かつ上記基板の
平面より狭い加熱平面をもつことを特徴とする波長可変
半導体レーザ。 3、半導体基板の上に少なくとも上記半導体基板よりも
バンドキャップエネルギーが小さな活性層となる第1の
半導体層及び上記半導体基板と逆の導電極性をもつ第2
半導体層とを有し、上記第2の半導体層の上部及び第1
の半導体層の下部にキャリア注入用の電極を有する半導
体レーザにおいて、 上記第2の半導体層の上部の電極上に絶縁膜を介して、
温度を変えるための加熱用の抵抗膜を形成して構成され
たことを特徴とする波長可変半導体レーザ。 4、請求項第3記載において、加熱用の抵抗膜が上記活
性層の平面より広く、上記基板の平面より狭い平面をも
つことを特徴とする波長可変半導体レーザ。 5、請求項第3及び第4記載において、上記半導体レー
ザが上記活性層の下部に光軸方向の回折格子を有する分
布帰還型レーザ構造をもつことを特徴とする波長可変半
導体レーザ。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06125138A (ja) * | 1992-10-10 | 1994-05-06 | Anritsu Corp | レーザ装置 |
US6826212B2 (en) | 2001-02-27 | 2004-11-30 | Hitachi, Ltd. | Module for optical communications |
US7620078B2 (en) | 2005-03-17 | 2009-11-17 | Anritsu Corporation | Tunable semiconductor laser device, manufacturing method therefor, and gas detector using therewith |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5262658A (en) * | 1991-12-24 | 1993-11-16 | Xerox Corporation | Thermally stabilized light emitting diode structure |
JPH05315706A (ja) * | 1992-05-11 | 1993-11-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
US5536085A (en) * | 1995-03-30 | 1996-07-16 | Northern Telecom Limited | Multi-wavelength gain-coupled distributed feedback laser array with fine tunability |
GB2309335B (en) * | 1996-01-22 | 1998-04-08 | Northern Telecom Ltd | Thin film resistor for optoelectronic integrated circuits |
DE19717545A1 (de) * | 1997-02-27 | 1998-09-03 | Deutsche Telekom Ag | Optoelektronisches Bauelement mit räumlich einstellbarer Temperaturverteilung |
US6392910B1 (en) | 1999-09-10 | 2002-05-21 | Sibercore Technologies, Inc. | Priority encoder with multiple match function for content addressable memories and methods for implementing the same |
DE10065723A1 (de) * | 2000-12-29 | 2002-07-04 | Bosch Gmbh Robert | Anordnung zur Temperaturmessung und -regelung |
US6717964B2 (en) * | 2001-07-02 | 2004-04-06 | E20 Communications, Inc. | Method and apparatus for wavelength tuning of optically pumped vertical cavity surface emitting lasers |
DE10158379B4 (de) * | 2001-11-28 | 2010-01-07 | Tem Messtechnik Gmbh | Monofrequent durchstimmbarer Halbleiterlaser mit thermisch abgeglichenen Komponenten |
US6998587B2 (en) * | 2003-12-18 | 2006-02-14 | Intel Corporation | Apparatus and method for heating micro-components mounted on a substrate |
DE102005040821A1 (de) * | 2005-08-29 | 2007-03-08 | Giesecke & Devrient Gmbh | Laser, Verfahren zum Betreiben eines Lasers und Prüfvorrichtung mit Laser |
JP5352042B2 (ja) * | 2005-10-12 | 2013-11-27 | 日本オクラロ株式会社 | 波長可変光送信器 |
JP2007294914A (ja) | 2006-03-30 | 2007-11-08 | Eudyna Devices Inc | 光半導体装置 |
WO2007129544A1 (ja) | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Anritsu Corporation | 半導体発光素子および波長可変レーザ光源 |
US7486709B2 (en) * | 2006-07-26 | 2009-02-03 | Corning Incorporated | Semiconductor laser micro-heating element structure |
DE102007039219B4 (de) * | 2007-08-20 | 2010-04-22 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Spektral abstimmbares Lasermodul |
KR100953559B1 (ko) * | 2007-12-13 | 2010-04-21 | 한국전자통신연구원 | 파장 가변 반도체 레이저 장치 |
US8675455B1 (en) | 2012-02-17 | 2014-03-18 | Western Digital (Fremont), Llc | Systems and methods for controlling light phase difference in interferometric waveguides at near field transducers |
US8670294B1 (en) | 2012-02-17 | 2014-03-11 | Western Digital (Fremont), Llc | Systems and methods for increasing media absorption efficiency using interferometric waveguides |
US8836949B1 (en) | 2012-09-17 | 2014-09-16 | Western Digital (Fremont), Llc | Systems and methods for characterizing near field transducer performance at wafer level using asymmetric interference waveguides |
US9373933B2 (en) | 2012-10-19 | 2016-06-21 | University of Maribor | Methods of driving laser diodes, optical wavelength sweeping apparatus, and optical measurement systems |
US9286920B1 (en) | 2013-01-31 | 2016-03-15 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for compensating for phase variations in an interferometric tapered waveguide in a heat assisted magnetic recording head |
US9336814B1 (en) | 2013-03-12 | 2016-05-10 | Western Digital (Fremont), Llc | Inverse tapered waveguide for use in a heat assisted magnetic recording head |
US9064527B1 (en) | 2013-04-12 | 2015-06-23 | Western Digital (Fremont), Llc | High order tapered waveguide for use in a heat assisted magnetic recording head |
US9064528B1 (en) | 2013-05-17 | 2015-06-23 | Western Digital Technologies, Inc. | Interferometric waveguide usable in shingled heat assisted magnetic recording in the absence of a near-field transducer |
US8923102B1 (en) | 2013-07-16 | 2014-12-30 | Western Digital (Fremont), Llc | Optical grating coupling for interferometric waveguides in heat assisted magnetic recording heads |
US8947985B1 (en) | 2013-07-16 | 2015-02-03 | Western Digital (Fremont), Llc | Heat assisted magnetic recording transducers having a recessed pole |
WO2015081220A1 (en) * | 2013-11-30 | 2015-06-04 | Thorlabs Quantum Electronics, Inc. | Tunable semiconductor radiation source |
US9142233B1 (en) | 2014-02-28 | 2015-09-22 | Western Digital (Fremont), Llc | Heat assisted magnetic recording writer having a recessed pole |
CN106684703B (zh) * | 2017-03-08 | 2019-12-31 | 成都优博创通信技术股份有限公司 | Twdm onu波长控制方法及其系统与关断深度控制电路 |
DE102018118694A1 (de) * | 2018-08-01 | 2020-02-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserdiodenchip |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2749038B2 (ja) * | 1987-07-31 | 1998-05-13 | 株式会社日立製作所 | 波長可変半導体レーザ |
DE3737191A1 (de) * | 1987-11-03 | 1989-05-24 | Fraunhofer Ges Forschung | Halbleiterdiodenlaser |
US4922480A (en) * | 1987-12-02 | 1990-05-01 | American Telephone And Telegraph Company | Technique for improving the percentage of semiconductor lasers usable with a predetermined wavelength specification |
US4829532A (en) * | 1988-04-25 | 1989-05-09 | Lightwave Electronics Corporation | Piezo-electrically tuned optical resonator and laser using same |
US4910741A (en) * | 1988-06-06 | 1990-03-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Laser diode source assembly |
-
1990
- 1990-07-13 JP JP18431690A patent/JP3152424B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-06-25 EP EP91110430A patent/EP0465914B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-06-25 US US07/720,691 patent/US5173909A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-06-25 DE DE69112725T patent/DE69112725T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06125138A (ja) * | 1992-10-10 | 1994-05-06 | Anritsu Corp | レーザ装置 |
US6826212B2 (en) | 2001-02-27 | 2004-11-30 | Hitachi, Ltd. | Module for optical communications |
US7620078B2 (en) | 2005-03-17 | 2009-11-17 | Anritsu Corporation | Tunable semiconductor laser device, manufacturing method therefor, and gas detector using therewith |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69112725T2 (de) | 1996-05-23 |
DE69112725D1 (de) | 1995-10-12 |
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