DE3737191A1 - Halbleiterdiodenlaser - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft einen Halbleiterdiodenlaser mit einem Kühlsockel, mit einem PN-Übergang, mit einer Elektrodenanordnung für den Anschluß an die Pole we­ nigstens einer den Halbleiterlaser aufheizenden Speisestromquelle sowie mit einem mit dem Kühlsockel thermisch gekoppelten verstärkenden aktiven Teil und mit einem vom Licht des aktiven Teils beaufschlagten passiven Teil in der Gestalt eines schmalbandigen DBR-Reflektors.

Außerdem betrifft die Erfindung einen Halbleiterdioden­ laser, bei dem der schmalbandige DBR-Reflektor durch einen breitbandigen Reflektor ersetzt ist, der einen passiven Wellenleiter enthält.

Ein Halbleiterdiodenlaser der eingangs genannten Art ist aus Y. Shani, A. Katzir, K.-H. Bachem, P. Norton, M. Tacke, H. M. Preier: 77 K cw Operation of Distributed Bragg Reflektor Pb_1-x Sn _x Se/Pb_1-x-y Eu _y Sn _x Se Diode Lasers, Appl. Phys. Lett., 48, 1178 (1986) bekannt. Der aktive Teil des Halbleiterlasers ist bei der bekannten Anordnung mit dem Kühlsockel gekoppelt, während der passive, mit einer Korrugation versehene Teil frei über den Kühlsockel hinausragend angeordnet ist und von dem mit Strom beaufschlagten Teil miterhitzt wird und daher infolge der fehlenden thermischen Kopplung mit dem Kühlsockel eine höhere Temperatur annimmt, als der aktive Laserbereich und der Kühlsockel. Durch einen solchen Halbleiterlaser mit einer periodischen Struk­ tur, durch die die Güte des Resonators schmalbandig erhöht wird, kann zwar eine Erweiterung des einmodigen Abstimmbereichs des Halbleiterlasers bei einer Ab­ stimmung durch Verändern des Speisestroms erreicht werden, jedoch ergeben sich Modensprünge zu kürzeren Wellenlängen, wobei beim Durchstimmen des Lasers Fre­ quenzlücken entstehen, die beim Einsatz eines solchen Halbleiterdiodenlasers als schmalbandige spektrosko­ pische Lichtquelle, insbesondere zur hochempfindlichen und selektiven Analyse von Abgasen sowie von atmos­ phärischen Spurengasen, besonders störend sind, da hierdurch diejenigen Absorptionslinien von Gasen, die in solche Lücken fallen, spektroskopisch nicht erfaßt werden können.

Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der Er­ findung die Aufgabe zugrunde, einen Halbleiterdioden­ laser zu schaffen, der es gestattet, eine einmodige Strahlung zu erzeugen, die über einen möglichst großen Abstimmbereich lückenlos durchgestimmt werden kann.

Diese Aufgabe wird bei einem Halbleiterdiodenlaser mit einem passiven Teil in Gestalt eines schmalbandigen DBR-Reflektors dadurch gelöst, daß die Heizung der aktiven sowie passiven Teile durch den Strom der Speisestromquelle und deren Kühlung durch die thermi­ schen Kopplungen mit dem Kühlsockel so ausgebildet sind, daß die resultierenden Wärmebilanzen beim Abstim­ men des Halbleiterlasers durch Verändern des Speise­ stroms am Arbeitspunkt Temperaturveränderungen im passiven und aktiven Teil bewirken, bei denen die Stromabstimmrate der DBR-Resonanzfrequenz gleich oder kleiner als die Stromabstimmrate der Moden ist.

Durch die Ankopplung des passiven Teils an den Kühl­ sockel lassen sich Modensprünge zu höheren Frequenzen vermeiden, wenn die spezielle Heizung und Kühlung in ihrer Abstimmung an die Modenabstimmung angepaßt wer­ den. Es ergeben sich dabei "Rückwärtsmodensprünge" zu niedrigeren Frequenzen oder bei ganz genauer Anpassung im Idealfall sogar ein maximaler einmodiger Bereich ohne Sprünge, wenn beim Durchstimmen eine Erhöhung des Stroms der Speisestromquelle erfolgt. Bei den Rück­ wärtsmodensprüngen wird zwar ein Teil des Abstimmbe­ reichs erneut überstrichen, jedoch ist dies weit weni­ ger störend als das Überspringen von Abstimmbereichen ohne Erzeugung eines Ausgangssignals.

Um miteinander konkurrierende FP-Moden zu unterdrücken, ist es zweckmäßig, einen kurzen aktiven Bereich und einen langen passiven Bereich vorzusehen. Die Länge des aktiven, gepumpten Bereichs kann beispielsweise 230 µm und die des passiven Bereichs mit der Korrugation bei­ spielsweise 920 µm lang sein, wobei die Breite 530 µm beträgt und die Dicke der aktiven Laserschicht 1 µm. Der passive Teil ist mit dem Kühlsockel thermisch gut gekoppelt, um die Stromabstimmrate der DBR-Resonanz­ frequenz herabzusetzen, wodurch Modensprünge zu höheren Frequenzen beim Erhöhen des Speisestroms vermieden werden. Infolge der thermischen Kopplung wird der passive Teil durch den Strom weniger stark erwärmt als der aktive Teil. Wenn die Resonatorstromabstimmrate identisch mit der Modenabstimmrate ist, läßt sich ein kontinuierlich durchstimmbarer Mode innerhalb des maximalen Verstärkungsbandes erhalten.

Eine kleinere Aufheizrate des passiven Teils im Ver­ gleich zur Aufheizrate des aktiven Teils mit Modenrück­ sprüngen läßt sich gemäß einer weiteren Ausbildung der Erfindung auch in der Weise erreichen, daß die dem Kühlsockel gegenüberliegende Elektrode des Halbleiter­ diodenlasers gesonderte Kontaktflächen für den aktiven und passiven Teil aufweist.

Die oben genannte Aufgabe läßt sich gemäß dem Neben­ anspruch 6 bei einem Halbleiterlaser mit einem breit­ bandigen Reflektor in der Weise lösen, daß die Heizung der aktiven sowie passiven Teile durch den Strom der Speisestromquelle und deren Kühlung durch die thermi­ schen Kopplungen mit dem Kühlsockel so ausgebildet sind, daß die resultierenden Wärmebilanzen beim Abstim­ men des Halbleiterlasers durch Verändern des Speise­ stroms am Arbeitspunkt Temperaturveränderungen im passiven und aktiven Teil bewirken, bei denen die Stromabstimmrate der Moden des Gesamtresonators in etwa gleich der Stromabstimmrate der Verstärkung ist.

Weitere Ausgestaltungen und zweckmäßige Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnung näher beschrieben. Es zeigen:

Fig. 1 einen Halbleiterdiodenlaser mit einem DBR-Re­ flektor gemäß der Erfindung in einer perspek­ tivischen Ansicht,

Fig. 2 einen Halbleiterlaser entsprechend Fig. 1 mit getrennten Kontaktelektroden für den aktiven und passiven Teil,

Fig. 3 einen Halbleiterdiodenlaser mit einem breit­ bandigen Reflektor in einer perspektivischen Ansicht,

Fig. 4 einen Halbleiterdiodenlaser mit einem breit­ bandigen Reflektor, dem eine gesonderte passive Kontaktelektrode zugeordnet ist,

Fig. 5 eine Abwandlung des Halbleiterdiodenlasers nach Fig. 4, bei dem die zusätzliche Auf­ heizung des passiven Teils durch eine iso­ lierende Zwischenschicht ohne passive Kon­ taktelektrode erfolgt.

Fig. 6 eine weitere Abwandlung eines Halbleiterdio­ denlasers mit einem verstärkt aufheizbaren breitbandigen Reflektor und

Fig. 7 Diagramme zur Veranschaulichung der Funk­ tionsweise der erfindungsgemäßen Halbleiter­ diodenlaser.

Der in Fig. 1 dargestellte abstimmbare DBR-Halbleiter­ diodenlaser besteht aus einem Halbleitersubstrat 1, das auf der in Fig. 1 nach oben weisenden Seite mit einer Kontaktelektrode 2 versehen ist, mit der ein Anschluß­ draht 3 zum Anschluß an einen Pol der Speisestromquelle verbunden ist.

Der zweite Pol der Speisestromquelle ist über einen in der Fig. 1 nicht dargestellten Draht mit einem Kühl­ sockel 4 verbunden, auf dem der DBR-Laser ganzflächig montiert ist. Auf der der Kontaktelektrode 2 gegen­ überliegenden Seite ist eine Streifenelektrode 5 vorge­ sehen, die sich in Längsrichtung entlang dem in Fig. 1 links dargestellten aktiven Teil 6 des DBR-Lasers erstreckt.

Der in Fig. 1 rechts dargestellte Teil des Halbleiter­ substrats 1 bildet einen passiven Teil 7 in Gestalt eines schmalbandigen Bragg Reflektors. Auf der der Kontaktelektrode 2 gegenüberliegenden Seite ist der passive Teil 7 mit einer periodischen Struktur in Gestalt einer Korrugation 12 versehen, die in der Zeichnung schematisch dargestellt ist und deren Ver­ tiefungen und Erhebungen sich quer zur Längsrichtung der Streifenelektrode 5 erstrecken.

Das Halbleitersubstrat 1 verfügt über eine linke Spalt­ fläche 8 und eine rechte Spaltfläche 9. Die Spaltfläche 8 bildet einen Resonatorspiegel des Lasers. Ein PN-Übergang 10 erstreckt sich parallel zur Kontaktelek­ trode 2 und bildet den aktiven Bereich, aus dem im Bereich der Streifenelektrode 5 die Strahlung austritt, die in Fig. 1 durch Pfeile 11 veranschaulicht ist. Die Emmission des DBR-Lasers liegt beispielsweise im mittleren infraroten Spektralbereich zwischen 7,7 und 7,9 µm.

Der passive Teil 7 mit der Korrugation 12 wirkt als schmalbandiger Reflektor, dessen Durchlaßcharakteristik oder Filterkurve temperaturabhängig ist und durch den über den Anschlußdraht 3 und den Kühlsockel 4 fließen­ den Strom infolge der erzeugten Joule′schen Wärme abge­ stimmt werden kann. Infolge der ganzflächigen Montage läßt sich erreichen, daß die Stromabstimmrate der DBR-Resonanzfrequenz kleiner als die Stromabstimmrate der Moden ist.

Die Kopplung des passiven Teils 7 mit dem Kühlsockel 4 erfolgt über eine in Fig. 2 deutlicher erkennbare Foto­ lackschicht, durch die der DBR-Reflektor von dem Kühl­ sockel 4 getrennt ist und somit schwächer gekühlt wird. Bei dem in Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel erkennt man eine Weichmetallschicht 13, z.B. aus Indi­ um, die als Bondmaterial zur Befestigung des Halblei­ tersubstrats 1 auf dem Kühlsockel 4 dient. Der Kühl­ sockel 4 kann wie in den Zeichnungen dargestellt, einstückig ausgebildet sein oder aber auch aus zwei getrennten, in der Zeichnung nicht dargestellten, separaten Kühlkörpern bestehen, um die Wärmebilanz im aktiven Teil 6 und passiven Teil 7 unterschiedlich zu beeinflussen. Die gesonderte Schicht, mit der der passive Teil 7 des in Fig. 1 dargestellten Ausführungs­ beispiels mit dem Kühlsockel 4 gekoppelt ist, gestattet durch die Auswahl ihrer Dicke eine Beeinflussung des Abstimmverhaltens des DBR-Reflektors.

Durch eine Schicht aus Fotolack, die etwa 2 µm stark ist, kann die Kühlung des den DBR-Reflektor bildenden passiven Teils 7 so angepaßt werden, daß der passive Teil 7 durch den über die Kontaktelektrode 2 fließenden Strom, der zum Teil durch den passiven Teil 7 und zum größten Teil durch aktiven Teil 6 fließt, gerade so erhitzt wird, daß er etwas weniger verstimmt wird als die Moden, wenn eine Stromänderung erfolgt. Bei einer solchen Abstimmung ergeben sich Modensprünge, die keine Lücken im monomodigen Abstimmbereich lassen.

In Fig. 2 ist ein DBR-Laser dargestellt, dessen Kon­ taktelektrode in eine aktive Kontaktelektrode 14 und eine passive Kontaktelektrode 15 aufgeteilt ist. Die Bauteile, die mit denjenigen nach Fig. 1 überein­ stimmen, tragen die gleichen Bezugszeichen. Zur Ver­ deutlichung der Schichtenfolge sind einzelne Schichten des Aufbaus auseinandergezogen dargestellt. Auch bei einer solchen Anordnung läßt sich durch ein Anpassen der Dicke einer Fotolackschicht 16, der Temperatur des Kühlsockels 4 sowie der Ströme über die aktive Kon­ taktelektrode 14 und die passive Kontaktelektrode 15 eine spezielle Heizung und Kühlung in der Weise er­ reichen, daß der passive Teil 7 in seiner Abstimmung an die Modenabstimmung angepaßt wird, wodurch ein lücken­ loser Bereich durch "Rückwärtsmodensprünge" erreicht wird oder im Idealfall bei genauer Anpassung sogar ein maximaler einmodiger Bereich ohne Sprünge.

Fig. 7b veranschaulicht die Funktionsweise des in den Fig. 1 und 2 dargestellten DBR-Lasers und zeigt das Emmissionsspektrum als Funktion des Stromes. Wie man Fig. 7b entnehmen kann, erhöht sich der Frequenz der Laserstrahlung beim Ansteigen des Speisestromes aus­ gehend von einem Arbeitspunkt 17 bis zu einem Arbeits­ punkt 18, bei dem ein Modensprung zu einem Arbeitspunkt 19 erfolgt, dem eine zwischen den Arbeitspunkten 17 und 18 liegende Frequenz zugeordnet ist. Beim weiteren Ansteigen des Stromes erfolgt eine Frequenzerhöhung bis zu einem weiteren Paar von Arbeitspunkten 20, 21 mit einem weiteren Modensprung in rückwärtiger Richtung. Diese Modensprünge ergeben sich dadurch, daß die Strom­ abstimmrate der DBR-Resonanzfrequenz kleiner als die Stromabstimmrate der Moden des aktiven Teils 6 ist.

Fig. 7a zeigt im Vergleich hierzu den Verlauf eines Spektrums bei einem DBR-Laser gemäß dem Stand der Technik oder bei sonstigen Halbleiterdiodenlasern, die Modensprünge aufweisen, bei denen jeweils ein Frequenz­ bereich unter Bilden von Lücken im Spektrum übersprun­ gen wird. Die Rücksprünge in Fig. 7b treten auf, wenn die Stromabstimmrate der Moden kleiner als die der DBR-Resonanzfrequenz ist. Durch Verkleinern der Diffe­ renz läßt sich die Zahl der Rücksprünge verkleinern, um eine durchgehende Abstimmkurve anzustreben. Mit den in den Fig. 1 und 2 dargestellten DBR-Lasern können bei einem Betrieb mit einer Kühlsockeltemperatur im Bereich von 25 bis 75 Kelvin im cw-Betrieb bei etwa 7,8 µm Wellenlänge einmodige Abstimmbereiche von etwa 10 cm^-1 erhalten werden. Durch Abstimmen der Laserdioden mit Hilfe des Speisestroms konnte ein Bereich von 24 cm^-1 vollständig in einem einmodigen Betrieb abgedeckt werden.

In den Fig. 3 bis 6 sind Halbleiterdiodenlaser dargestellt, deren passiver Teil als integrierter breitbandiger FP-Reflektor 27 ausgebildet ist. Dieje­ nigen Bauteile, die mit den Bauteilen in den Fig. 1 und 2 übereinstimmen, sind mit den gleichen Bezugszei­ chen versehen. Der in Fig. 3 dargestellte Laser, der üblicherweise mit den Spaltflächen 8, 9 als Spiegel­ flächen für den Resonator ausgestattet ist, wird über die Kontaktelektrode 2 angesteuert und vom Kühlsockel 4 gekühlt. Wie bei den vorbeschriebenen Lasern ist ein PN-Übergang 10 vorgesehen. Der breitbandige integrierte Reflektor ist mit dem Bezugszeichen 27 versehen. Bei dem in Fig. 4 dargestellten Ausführungsbeispiel ist dem Reflektor 27 im Gegensatz zum Ausführungsbeispiel nach Fig. 3 eine gesonderte passive Kontaktelektrode 15 zugeordnet. Außerdem ist der breitbandige Reflektor 27 ebenfalls mit dem Kühlsockel 4 thermisch gekoppelt. Diese thermische Kopplung kann direkt in der in Fig. 4 veranschaulichten Weise erfolgen oder aber mit Hilfe einer Fotolackschicht 16, deren Stärke die Größe der Wärmekopplung bestimmt. Bei dem in Fig. 5 dargestellten Ausführungsbeispiel befindet sich die Fotolackschicht 16 zwischen dem Streifenkontakt 5 und der Oberseite des Kühlsockels 4. Der Fig. 5 entnimmt man weiterhin, daß nur der aktive Teil mit einer aktiven Kontaktelektrode 14 versehen ist. Die Stromwege des Stromes I _a im akti­ ven Teil 6 und des Stromes I _p im passiven Teil 27 sind in den Fig. 5 und 6 durch Pfeile veranschaulicht.

Bei dem in Fig. 6 dargestellten Ausführungsbeispiel ist eine großflächige Kontaktelektrode 2 vorgesehen, die sich über den aktiven Teil 6 und den breitbandigen integrierten Reflektor 27 erstreckt. Die Gegenelektrode wird durch den Streifenkontakt 5 gebildet, der sich bei diesem Ausführungsbeispiel nur über den aktiven Bereich 6 erstreckt.

Der integrierte Reflektor 27 ist in den Fig. 3 bis 6 nur auf einer Seite des aktiven Teils 6 dargestellt. Es sind jedoch in der Zeichnung nicht dargestellte Aus­ führungsformen möglich, bei denen auf beiden Seiten des aktiven Teils 6 jeweils ein integrierter Reflektor 27 angeordnet ist.

Bei den Ausführungsbeispielen gemäß den Fig. 3 bis 6 mit dem breitbandigen Reflektor 27 mit Phasenverschie­ bung wird die Modenabstimmrate oder Stromabstimmrate der Moden des Gesamtresonators durch eine stärkere Erwärmung des passiven Teils, d.h. des Reflektors 27, erhöht und damit der Stromabstimmrate der Laserver­ stärkung angepaßt. Durch eine stärkere Erwärmung des Reflektors 27 durch einen zusätzlichen Strom oder durch eine geringere thermische Kopplung kann erreicht wer­ den, daß die Stromabstimmrate der Moden des Gesamtreso­ nators in etwa gleich der Stromabstimmrate des Verstär­ kers ist. Hierdurch läßt sich ein größerer Abstimmbe­ reich ohne Lücken im Spektrum erzielen.

In Fig. 7c ist dargestellt, wie ein Halbleiterlaser gemäß Fig. 4 schrittweise über einen besonders großen Abstimmbereich einmodig durchgestimmt werden kann. Durch die passive Kontaktelektrode 15 erfolgt eine separate Aufwärmung des passiven Teils 27 und damit eine Abstimmung. Wenn der Strom über die passive Kon­ taktelektrode 15 Null ist, folgt der in Fig. 4 darge­ stellte Laser den üblichen Abstimmkurven 28. Ausgehend von einem Strom I ₁ ergibt sich damit ein Spektrum, das beim Ansteigen des Stromes durch die aktive Kontakt­ elektrode 14 dem in Fig. 7c dargestellten Abschnitt 29 folgt. Bei einem zusätzlich steigenden Strom durch die passive Kontaktelektrode 15 erhöht sich die Modenab­ stimmrate so, daß das Emmissionsspektrum der Abstimm­ kurve 30 zwischen den Stromwerten I ₂ und I ₃ folgt. Bei Erreichen einer weiteren Modenabstimmkurve der Schar der Abstimmkurven 28 kann durch Unterbrechen des Stromes durch die passive Kontaktelektrode 15 ein Modensprung zum Arbeitspunkt 31 erzeugt werden. Dieser Sprung entspricht dem Modensprung eines Lasers nach dem Stand der Technik von einer Mode der Schar 28 zur benachbarten, wie in Fig. 7a gezeigt. Bei Erhöhen des Stroms über I ₃ hinaus, und gleichzeitigem Wiederan­ fahren des Stroms durch den passiven Teil 27 folgt der Laser weiter der Abstimmkurve 32.

Bei dem in Fig. 3 dargestellten Ausführungsbeispiel wird der Reflektor 27 durch einen Strom über die Kon­ taktelektrode 2 erwärmt, aber nicht durch den Kühl­ sockel 4 gekühlt. In ähnlicher Weise erfolgt eine entsprechend der Kopplung durch die Fotolackschicht 16 definierte mehr oder weniger große Isolation bei den Ausführungsbeispielen gemäß den Fig. 5 und 6.

Der Aufbau gemäß den Fig. 3, 5 und 6 führt zu einer stärkeren Erwärmung des passiven Teils 27 des Lasers im Vergleich zum aktiven Teil 6. Diese erhöhte Erwärmung führt zu einer schnelleren Abstimmung der Moden, z.B. mit dem Strom oder der Temperatur. Diese Abstimmung entspricht der Kurvenschar mit den Abstimmkurven 30, 32, die im Vergleich zur Kurvenschar der Abstimmkurven 28 flacher ist, und damit der Abstimmung des Verstär­ kers des Halbleiters angepaßt ist. Durch genaue An­ passung lassen sich somit Modensprünge vermeiden.

Claims (11)

1. Halbleiterdiodenlaser mit einem Kühlsockel, mit einem TN-Übergang mit einer Elektrodenanordnung für den Anschluß an die Pole wenigstens einer den Halbleiterlaser aufheizenden Speisestromquelle sowie mit einem mit dem Kühlsockel thermisch gekoppelten verstärkenden aktiven Teil und mit einem vom Licht des aktiven Teils beaufschlagten passiven Teil in der Gestalt eines schmalbandigen DBR-Reflektors, dadurch gekennzeich­ net, daß die Heizung der aktiven sowie passiven Teile (6, 7) durch den Strom der Speisestromquelle und deren Kühlung durch die thermischen Kopplungen mit dem Kühlsockel (4) so ausgebildet sind, daß die resultierenden Wärmebilanzen beim Abstimmen des Halbleiterlasers durch Verändern des Speise­ stroms (3) am Arbeitspunkt Temperaturveränderungen im passiven und aktiven Teil (6, 7) bewirken, bei denen die Stromabstimmrate der DBR-Resonanzfre­ quenz gleich oder kleiner als die Stromabstimmrate der Moden ist.

2. Halbleiterdiodenlaser nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterlaser mit ganzflächiger Montage auf dem Kühlsockel (4) angeordnet ist, und daß der DBR-Resonator mit dem Kühlsockel (4) über eine Fotolackschicht (16) thermisch gekoppelt ist.

3. Halbleiterdiodenlaser nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Fotolackschicht (16) eine Fotoresistschicht mit einer Stärke von etwa 1 bis 2 µm ist.

4. Halbleiterdiodenlaser nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß für den aktiven Teil (6) und den den passiven Teil (7) bildenden DBR-Resonatorteil getrennte Elektro­ denflächen (14, 15) vorgesehen sind, die mit voneinander verschiedenen Strömen zum Abstimmen des Lasers beaufschlagbar sind.

5. Halbleiterdiodenlaser nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der DBR-Resonator (7) mit seiner eine periodische Struktur in Gestalt einer Korrugation (12) aufweisenden Seite zum Kühlsockel (4) weist.

6. Halbleiterdiodenlaser mit einem Kühlsockel, mit einem PN-Übergang, mit einer Elektrodenanordnung für den Anschluß an die Pole wenigstens einer den Halbleiterlaser aufheizenden Speisestromquelle sowie mit einem mit dem Kühlsockel thermisch gekoppelten verstärkenden aktiven Teil und mit einem vom Licht des aktiven Teils beaufschlagten passiven Teil in Gestalt eines breitbandigen Reflektors, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizung der aktiven sowie passiven Teile (6, 27) durch den Strom der Speisestromquelle und deren Kühlung durch die thermischen Kopplungen mit dem Kühlsockel (4) so ausgebildet sind, daß die resultierenden Wärmebilanzen beim Abstimmen des Halbleiterlasers durch Verändern des Speisestroms am Arbeitspunkt Temperaturveränderungen im passi­ ven und aktiven Teil (6, 27) bewirken, bei denen die Stromabstimmrate der Moden des Gesamtresona­ tors in etwa gleich der Stromabstimmrate der Verstärkung ist.

7. Halbleiterdiodenlaser nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktelektrode (2) den breitbandigen Reflektor (27) überdeckt, der über den Kühlsockel (4) hinausragt, um eine Erhöhung der Modenabstimmrate durch verstärkte Erwärmung des passiven Teils zur Anpassung an die Verstärkungsrate zu erzielen.

8. Halbleiterdiodenlaser nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Reflektor (27) mit dem Kühlsockel (4) thermisch gekoppelt ist und über den Strom durch eine passive Kontaktelektrode (15) zur Erhöhung der Modenabstimmrate aufheizbar ist.

9. Halbleiterdiodenlaser nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktelektrode (2) den breitbandigen Reflektor (27) überdeckt, der über eine Fotolackschicht (16) mit dem Kühl­ sockel (4) thermisch gekoppelt ist.

10. Halbleiterdiodenlaser nach Anspruch 6, 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Strei­ fenelektrode (5) sich über die gesamte Länge des Halbleitersubstrats (1) erstreckt.

11. Halbleiterdiodenlaser nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktelektrode (2) den aktiven Teil (6) überdeckt, während die Streifenelektrode (5) sich vom aktiven Teil (6) bis zum passiven Teil (27) erstreckt und daß der durch den Reflektor (27) gebildete passive Teil vom Kühlsockel (4) durch eine thermische Isolator­ schicht (16) getrennt ist.