DE1816204A1 - Halbleiterlaser - Google Patents

Description

6694-68/Dr.ν.Β/Ε

RCA 59,027

U.S. Serial No. 716, 538

Piled; March 27, 1968

Radio Corporation of America New York3 N.Y. (V.St.A.)

Halbleiterlaser

Die vorlegende Erfindung betrifft Halbleiterlaser, insbesondere Injektionslaser mit verhältnismäßig hoher Ausgangsleistung.

Halbleiterlaser des Injektionstyps arbeiten im allgemeinen mit Injektion von Minoritätsträgern durch einen pn-übergang, wo sie mit Majoritätsträgern unter Erzeugung von sichtbarem, infrarotem oder ultraviolettem Licht strahlend rekombinieren. Der Halbleiterkörper eines solchen Lasers ist mit zwei beabstandeten reflektierenden Oberflächen versehen, die zwischen sich einen optischen Resonator bilden.

Wenn durch den pn-übergang ein in Flußrichtung gepolter Strom fließt, der einen bestimmten Schwellwert übersteigt, bei dem die resultierende Verstärkung infolge von stimulierter Emission die resultierende Dämpfung innerhalb der Einrichtung Überschreitet, tritt eine optische Rückkopplung oder eine Laserwirkung auf und es wird dann kohärentes Licht durch die (teilweise) reflektierende(n) Oberfläche(n) emittiert.

Um einen praktisch brauchbaren Halbleiterlaser mit vernünftiger Ausgangsleistung zu erhalten, muß der Schwellwertstrom so niedrig wie möglich gehalten werden. Anderenfalls kann der

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Schwellwertstrom so groß sein, daß die entstehende Joule¹sehe Wärme die Einrichtung zerstört, bevor eine Laserwirkung eintreten kann.

Beim derzeitigen Stand der Technik ist ein Dauerbetrieb von Injektionslasern bei Raumtemperatur nicht möglich und beim Impulsbetrieb ist man auf kleine Tastverhältnisse beschränkt.

Eine Möglichkeit, bei Injektionslasern zu günstigeren Schwellwerten zu kommen, besteht darin, dem Halbleiterkörper die Form eines rechteckigen Prismas zu geben, das in der Richtung zwischen den reflektierenden Flächen verhältnismäßig lang und in der Richtung zwischen den Seiten der Einrichtung verhältnismäßig schmal ist; die Elektroden der Einrichtung werden dabei auf der oberen und unteren Seite des Halbleiterkörpers angeordnet Der Grund für die Verwendung einer solchen langgestreckten Anordnung besteht darin, daß die Verstärkung für optische Schwingungszustände zwischen den reflektierenden Oberflächen, d.h. für die gewünschten Schwingungszustände, erhöht wird, da der Verstärkungsgrad proportional zur Kristall-Länge ist, während der Verstärkungsgrad für unerwünschte Schwingungszustände in anderen Richtungen entsprechend klein gehalten wird.

Bauelemente dieser Art sind z.B. in den USA-Patentschriften 3 248 670, 3 3¹U 937 und 3 349 475 beschrieben. Im Grenzfall nähert sich ein Laser dieses Typs einer Linie oder einem Streifen, wie es z.B. aus der USA-Patentschrift 3 363 bekannt ist.

Sehr langgestreckte, "fadenförmige" Laser haben jedoch den Nachteil, daß die Breite des Überganges an der Stelle, wo das kohärente Licht aus der (teilweise reflektierenden) Halbleiteroberfläche austritt, verhältnismäßig klein ist, so daß sich nur relativ begrenzte Ausgangsleistungen erzielen lassen.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, diese Mängel zu beseitigen..

Gemäß der Erfindung wird ein Halbleiterlaser mit einem

im wesentlichen prismatischen Halbleiterkörper vorgesehen, der

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einander gegenüberliegende obere und untere, Stirn- und Seitenflächen aufweist. Der Halbleiterkörper weist einen pn-übergang auf, der im wesentlichen parallel.zur oberen und unteren Fläche verläuft.

Die Ebene des Überganges umfaßt einen Hauptteil und einen Seitenteil. Auf der oberen Fläche befindet sich eine Elektrode, die nur dem Hauptteil gegenüberliegt und diesem in ihrer Abmessung entspricht. An der unteren Seite befindet sich eine entgegengesetzte Elektrode.

Die Breite des Hauptteiles der Ebene des Überganges in Richtung zwischen den Seiten ist mindestens gleich der Länge des Hauptteiles in der Richtung zwischen den Stirnflächen. Die Dicke der an die obere Fläche angrenzenden Halbleiterzone ist wesentlich kleiner als die Breite des Hauptteiles der Ebene des Überganges.

Die Erfindung wird anhand dar Zeichnung näher erläutert, es zeigen:

Fig. 1 eine isometrische Ansicht des Halbleiterkörpers eines Injektionslasers gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;

Fig. 2 eine Querschnittsansicht des Lasers nach Fig. 1, nachdem am Halbleiterkörper Elektroden angebracht worden sind;

Fig. 3 eine isometrische Schnittansieht eines Injektions lasers gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung

Fig. 4 einen Teil einer Halbleiterscheibe, die zur Herstellung des in Fig. 3 dargestellten Lasers verwendet wird, in einem Zwischenzustand bei der Herstellung; und

Fig. 5 eine Hochleistungsanordnung mit zwei Injektionslasern des in Fig. 3 dargestellten Typs.

Der in Fig. 1 und 2 dargestellte Injektionslaser 1 kann einen Körper aus einem sogenannten direkten Halbleitermaterial, wie Galliumarsenid oder Galliumarsenidphosphid GaAs_1- P ent-

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-Inhalten, wobei χ kleiner als 0,44 ist. Bei den folgenden Beispielen besteht das Halbleitermaterial aus Galliumarsenid.

Der Injektionslaser 1 ist in Fig. 1 der Deutlichkeit halber ohne Elektroden dargestellt. Die Elektroden sind in Fig. 2 genauer gezeigt.

Der Injektionslaser 1 hat eine im wesentlichen prismatische Form mit einer oberen und einer unteren Fläche 2 bzw. 3> Seitenflächen 4 und 5 sowie reflektierenden Stirnflächen 6 und 7. Die Stirnflächen 6 und 7 sind durch Spalten, Polieren und/ oder Beschichten mit einem geeigneten reflektierenden Material reflektierend gemacht. Vorzugsweise ist die Stirnfläche 7 totalreflektierend, während die Stirnfläche 6 nur teilweise reflektieren soll.

Der Laser 1 enthält eine relativ dünne p-Zone 8 und eine relativ dicke n-Zone 9, zwischen denen sich eine pn-übergangsebene 10 befindet.

Auf der oberen Fläche 2 befindet sich bei einem Hauptteil 12 der übergangsebene 10 eine Elektrode 11 (Fig. 2). Die Elektrode 11 wird durch eine Schichtstruktur von stromlos aufgebrachten Nickel- und Goldschichten 13 bzw. 14 gebildet.

Auf der unteren Fläche 3 befindet sich eine Elektrode 15, die durch eine Schichtstruktur aus einer aufgedampften Zinnschicht 16, einer stromlos erzeugten Nickelschicht 17 und einer stromlos erzeugten Goldschicht 18 besteht.

Die Seitenflächen 4 und 5 sind aufgerauht, z.B. durch Läppen oder Sägen, so daß sie relativ schlecht reflektieren oder streuen.

Der Teil der p-Zone 8 der an den Hauptteil 12 der pnübergangsebene 10 angrenzt und diesem in seiner Abmessung entspricht, hat eine Breite w, die gleich oder größer als seine Länge 1 zwischen den reflektierenden Stirnfü&hen 6 und 7 ist. Typischerweise kann die Breite w in der Größenordnung von 1,25mm und die Länge 1 in der Größenordnung von 0,3mm liegen.

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. Die Ebene 10 des pn-überganges hat Seitenteile 19 und 20, durch die kein wesentlicher Strom fließt, wenn der pn-übergang in Plußrichtung vorgespannt wird. Der Teil der p-Zone, der sich über die seitlichen Teile 19 und 20 des pn-überganges erstreckt, hat eine Dicke τ, die kleiner als die Dicke t des Teiles der p-Zone 8 ist, der die gleiche Erstreckung wie der Hauptteil 12 des Überganges hat. Die Dicke τ kann typischerweise in der Größenordnung von 12,5 \m liegen, während t größenordnungsmäßig 25 ym betragen kann. Die Gesamthöhe h des Halbleiterkörpers kann 0,075 bis 0,1 mm betragen. Die Breite d der Seitenteile 19 bzw. 20 kann jeweils etwa 0,38 mm betragen.

Im Betrieb wird an die Elektrode 11 ein relativ positives Potential und an die Elektrode 15 ein relativ negatives Potential angelegt, um den pn-übergang 10 in Flußrichtung vorzuspannen. Da die Elektrode 11 so angeordnet ist, daß sie sich nur über den Hauptteil 12 des pn-überganges erstreckt, ist der durch den übergang fließende Strom in der Hauptsache auf diesen Hauptteil beschränkt. Da die Breite w des Teiles der p-Zone 8, der die gleiche Erstreckung wie der Hauptteil 12 des Überganges hat, wesentlich größer ist als die Dicke t dieses Teiles, kann sich der .Strom nur unwesentlich über die seitlichen Grenzen der Elektrode 11 ausbreiten.

Wenn die Potentialdifferenz zwischen den Elektroden 11 und 15 auf einen Wert erhöht wird, der einen den Schwellwert überschreitenden Strom durch den pn-übergang 10 erzeugt, tritt der Lasereffekt auf und aus der Stirnfläche 6 tritt kohärentes Licht in Richtung des strichpunktiert gezeichneten Pfeiles (Fig. 1) aus.

Wegen der relativ großen Breite des Hauptteiles 12 des pn-überganges 10 lassen sich verhältnismäßig hohe Ausgangsleistungen erzielen. In den seitlichen Teilen 19 und 20 tritt keine Verstärkung auf und werden unerwünschte Störschwingungen durch Absorption an freien Trägern in der Masse des p-leitenden Halbleitermaterials gedämpft.

-s-

Um die Verlustwärme möglichst gering zu halten, soll die Leitfähigkeit der p-Zone 8 ziemlich hoch. sein. Wenn Zink als Akzeptor verwendet wird, arbeitet man vorzugsweise mit einer Do-

19 3 tierungskonzentration in der Größenordnung von 3 x 10 /cm . Die entsprechende Dotierungskonzentration in der n-Zone 8 sollte mit

l8 ~*t Tellur als Donator in der Größenordnung von 2 χ 10 /cnr liegen, um einen guten Wirkungsgrad zu gewährleisten.

Die Dicke t des Teiles der p-Zone 8, der die gleiche Erstreckung wie der Hauptteil 12 des pn-überganges 10 hat, ist nichjb wesentlich, er liegt vorzugsweise in der Größenordnung zwischen 2,5 bis 50 μπι.

Mit der inFL-g. 1 dargestellten Anordnung und der in Fig. 3 dargestellten bevorzugten Ausführungsform werden Ausgangsleistungen erreicht, die um den Faktor 3 bis 4 größer sind als die von ähnlichen Injektionslasern ohne die seitlichen Bereiche 19 und 20.

Der in den Fig. 1 und 2 dargestellte Injektionslaser wird durch epitaktisches Züchten einer mit Zink dotierten pleitenden Schicht aus einer Lösung auf einem mit Tellur dotierten η-leitenden Substrat hergestellt. Nachdem die Epitaxialschicht durch Läppen auf die gewünschte Dicke abgearbeitet worden und eine saubere Oberfläche erzeugt worden ist, wird auf die untere Fläche der Scheibe bei einer Temperatur in der Größenordnung von 400 bis 550 ⁰C eine dünne Zinnschicht aufgedampft. Anschließend wird die Scheibe in ein stromloses Nickelplattierbad eingetaucht und hierauf in eine stromlose Goldplattierlössung, um die Elektroden 11 und 15 zu bilden.

Nach der Bildung der Elektroden wird die p-leitende Epitaxialschicht geläppt, um das Metall von den Teilen der p-Schicht 8, die an die seitlichen Teile 19 und 20 des pn-überganges 10 angrenzen, zu entfernen und die Dicke dieser Teile zu verringern. Die Scheibe wird dann in einzelne Systeme verteilt, indem durch Sägen die rauhen Seitenflächen 4 und 5 der einzelnen Halbleiterkörper und durch Spalten die reflektierenden Stirnflächen 6 und

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7 gebildet werden.

In Fig. 1 und 2 ist ein Injektionslaser mit zwei beabstandeten seitlichen Teilen 19 und 2Oj zwischen denen sich der Hauptteil 12 des Überganges 10 befindet, dargestellt, eine Verbesserung gegenüber dem Stand der Technik wird jedoch auch mit nur einem solchen seitlichen Teil erreicht.

_Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 1 und 2 sind die Teile der p-Schicht 8, die die gleiche Erstreckung wie die seitlichen Teile 19 und 20 des pn-überganges 10 haben, in ihrer Dick verringert, um die Stromausbreitung so klein wie möglich zu halten, vorzugsweise wird jedoch eine Struktur verwendet, bei der die p-leitende Epitaxialschicht überall die gleiche Dicke hat. Eine solche Anordnung wird bei der in Fig. 3 dargestellten Laserdiode 30 verwendet. Wie bei der Diode 1 gemäß Fig. 1 und 2 enthält der Laser 30 einen Körper aus Halbleitermaterial mit einer oberen und einer unteren Fläche, die einander entgegengesetzt sind, streuenden Seitenflächen und reflektierenden Stirnflächen, welch letztere einen optischen Resonanzhohlraum bilden. Der Laser 30 hat eine obere Elektrode 31, die an einen Hauptteil 32 des pn-überganges 33 angrenzt und die gleiche Erstreckun wie dieser hat. Die übergangsebene 33 liegt zwischen einem nleitenden Substrat 3*! und einer p-leitenden Epitaxialschicht 35. Auf der Unterseite der Diode 30 ist eine Elektrode 36 angeordnet.

Die Abmessungen L, W und H des Lasers 30 entsprechen den Abmessungen 1, w bzw. h des Lasers 1 und sind diesen gleich. Die Dicke der' Epitaxialschicht 35 des Lasers 30 hat die gleiche Größenordnung wie die Dicke τ der p-leitenden Epitaxialschicht 8 des Lasers 1. Die Elektroden 31 und 36 der Laserdiode 30 entsprechen den Elektroden 11 bzw. 15 der Laserdiode 1.

Die pn-übergangsebene 33 weist einen seitlichen Teil 37 auf, der von der Elektrode 31 relativ entfernt und mit einer dünnen isolierenden Schutzschicht 38 aus Siliciummonoxid, deren

Dicke in der Größenordnung von 1000 8 liegt, überzogen ist. Der 909842/1089

seitliche Teil 37 der übergangsebene verstärkt nicht, da der ganze Strom, der in Plußrichtung durch den pn-übergang 33 fließt, im wesentlichen auf den Hauptteil 32 beschränkt ist. In dem Teil der p-leitenden Epitaxialschicht 35, der die gleiche Erstreckung wie der seitliche Teil 37 der übergangsebene hat, werden unerwünschte optische Schwingungszustände,die im Hauptteil 32 des Überganges entstehen, durch Absorption an freien Trägern gedämpft.

Da das in der Nähe des in Plußrichtung vorgespannten pn-überganges eines Injektionslasers erzeugte Licht an der p-leitenden Seite des Überganges austritt, wird eine verstärkte Absorption von unerwünschten optischen Schwingungszuständen erreicht, indem man einen Teil der p-Schicht selbst als lichtabsorbierendes Medium verwendet. Dies ist sowohl bei der Laser-' diode 1 vom Mesa-Typ als auch bei der Laserdiode 30 vom Planartyp der Fall.

In typischen Fällen liegt die Breite W des Hauptteiles 32 der übergangsebene 33 in der Größenordnung von 1,25 nun, während die Breite des seitlichen Teiles 37 der übergangsebene 33 größenordnungsmäßig etwa 0,75 mm betragen kann, so daß die Gesamtbreite des Lasers etwa 2,0 mm ist. Die entsprechende Länge L des optischen Resonators kann in der Größenordnung von 0,3mm liegen.

Eine Anzahl von Lasern 30 kann wirtschaftlich aus einer verhältnismäßig großen Halbleiterscheibe 40 hergestellt werden, wie es in Fig. 4 dargestellt ist.

Bei der Herstellung der Scheibe 40 wird zuerst eine pleitende Epitaxialschicht auf einem η-leitenden Substrat mit einem dazwischenliegenden, einer Strahlungsemission fähigen pnübergang gebildet. Nachdem die Epitaxialschicht durch Läppen und Polieren auf die gewünschte Dicke gebracht worden ist, wird eine Anzahl von Streifen 41 gebildet, indem Siliciummonoxid auf die Scheibe 40 bei einer Scheibentemperatur in der Größenordnung von 450 ⁰C mit Hilfe einer entsprechenden Maske aufgedampft wird.

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Die Siliciummonoxidstreifen werden sorgfältig so niedergeschlagen, daß ihre Längsrichtung jeweils genau parallel zur kristallographischen £"110J-Spaltebene verläuft. Die Breiten der Strei fen sind so bemessen, daß χ, y und ζ ungefähr 1,0 mm, 3,0 mm bzw. 2,0 mm betragen.

Die Elektrodenschichten 31 und 36 werden dann auf die obere und untere Seite der Scheibe 40 mit der Ausnahme der von den Siliciummonoxidstreifen 41 bedeckten Bereichen ähnlich wie es für die Metallisierung der Laserdiode 1 beschrieben wurde, aufgebracht. Anschließend wird die Scheibe längs der Linien a-a¹ parallel zur /~110_7-Ebene gespalten. Die Spaltflächen, die den Seiten der einzelnen Laserdioden 30 entsprechen, werden durch Läppen aufgerauht. Durch das Läppen werden von jeder Seite jedes gespaltenen Streifens etwa 0,25 mm Halbleitermaterial abgetragen

Die gespaltenen und geläppten Streifen werden dann längs der Linien b-b' parallel zur £"lT0_J-Ebene des Kristalls gespalten, wobei man die einzelnen Laserdioden 30 erhält.

Laserdioden des in Fig. 3 dargestellten Typs liefern zwar eine hohe Ausgangsleistung mit gutem Wirkungsgrad, man benötigt jedoch unter Umständen sehr hohe Ströme für die gewünschten Leistungspegel. So kann z.B. eine einzelne Laserdiode 30 mit einer aktiven Breite W von 1,25 mm einen Spitzenstrom in der Größenordnung von 600A erfordern, um eine Ausgangsleistung von 100 Watt zu erzeugen. Impulsschaltungen für Ströme dfeser Größe sind jedoch sehr aufwendig, unzuverlässig und unhandlich.

Es ist daher zweckmäßig, z.B. zwei elektrisch in Reihe geschaltete Dioden zu verwenden, um den erforderlichen Spitzenstrom herabzusetzen. Die üblichen Strukturen erlauben es jedoch nicht, solche in Serie geschaltete Dioden nahe b-^eieinander ausgerichtet anzuordnen, so daß es bisher praktisch nicht möglich war, eine Reihenschaltung von zwei Dioden vorzusehen, die so nahe benachbart sind, daß die von ihnen emittierte optische Strahlung von einer einzigen Strahlungsquelle auszugehen scheint.

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Eine solche Anordnung ist jedoch bei den Laserdioden des in Fig. 3 dargestellten Typs ohne weiteres möglich, wie Fig. 5 zeigt.

Bei der in Fig. 5 dargestellten Reihenschaltung steht die an die η-Zone angrenzende Elektrode der einen Laserdiode 30 in inniger Berührung mit einem verhältnismäßig massiven Metallteil 50, das eine gute thermische und elektrische Leitfähigkeit aufweist. In entsprechender Weise ist eine zweite Laserdiode 30 mit der an ihre ρ-Zone angrenzenden Elektrode in inniger Berührunjg mit einem anderen relativ massiven Metallteil 51 angeordnet, das ebenfalls Wärme und Elektrizität gut leitet.

Die Metallteile 50 und 51 sind nahe beieinander angeordnet und werden durch eine dünne Isolierschicht 52 voneinander getrennt, deren Dicke ungefähr 25 pm betragen kann. Die Laserdioden sind auf den Metallteilen 50 und 51 so angeordnet, daß die Hauptteile ihrer pn~übergänge nahe benachbart sind; die benachbarten Seiten der Dioden sind ungefähr 25 pm voneinander entfernt.

Mit der jeweils anderen Efektrode der beiden Laserdioden 30 steht eine leitende Fläche eines dritten relativ massiven Metallteiles 53 guter thermischer und elektrischer Leitfähigkeit in inniger Berührung. Mit den Metallteilen 50 und 51 sind Anschlußleitungen 54 bzw. 55 verbunden. Wenn man an die Anschlußleitung 55 ein Potential anlegt, das bezüglich des Potentiales der Anschlußleitung 54 positiv ist, fließt ein Strom in Flußrichtung durch beide pn-übergänge.

Bei einem speziellen Versuch lieferten zwei 0,63 mm breite Dioden in einer Anordnung gemäß Fig. 5 bei einem Spitzenstrom von 220 A eine Ausgangsleistung von 70 Watt. Eine einzelne, 1,25 mm breite in üblicher Weise montierte Diode erforderte einen Spitzenstrom von 400 Ampere für dieselbe Ausgangsleistung.

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Claims (7)

Patentansprüche

1. Halbleiterlaser mit einem im wesentlichen prismatischen Körper aus Halbleitermaterial, der eine obere und eine untere Fläche, die einander entgegengesetzt und mit Elektroden versehen sind, zwei entgegengesetzte, mindestens teilweise reflektierende Stirnflächen, die die obere und untere Fläche schnei den, und zwei entgegengesetzt relativ nicht reflektierende Seiten, die die obere und untere Fläche sowie die Stirnflächen schneiden, ferner zwei zusammenhängende Zonen entgegengesetzten Leitungstyps, die an ihrer Grenzfläche einen pn-übergang bilden, aufweist, welcher bei Stromdurchgang in Flußrichtung optische Strahlung emittiert und mit seiner Ebene im wesentlichen parallel zur oberen und unteren Fläche sowie im wesentlichen senkrecht zu den Stirnflächen verläuft, dadurch gekennzeichnet, daß die Ebene (10, 33) des pn-überganges einen Hauptteil (12, 32) und mindestens einen Seitenteil (19 oder 20; 37) aufweist; daß die auf der oberen Fläche (2) angeordnete, die erste Zone (8, 35) kontaktierende erste Elektrode (11, 31) nur dem Hauptteil (12, 32) des pn-überganges gegenüberliegt und diesem in ihrer Abmessung entspricht, während die zweite Elektrode (15, 36), die die zweite Zone (9, 34) kontaktiert, der ersten Elektrode gegenüberliegt, und daß die Breite (w, W) des Hauptteiles (12) des pn-überganges in der Richtung zwischen den Seiten (¹J, 5) mindestens gleich der Länge (1,L des Hauptteiles in der Richtung zwischen den Stirnflächen (6, 7) ist und die Dicke (t) der ersten Zone wesentlich kleiner als die Breite des Hauptteiles ist.

2. Halbleiterlaser nach Anspruch 1, dadurch g < kennzeichnet, daß die erste Zone (8, 35) p-leitend ist.

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3. Halbleiterlaser nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Teil der ersten Zone (8), der an den Hauptteil (12) der übergangsebene (10) angrenzt, dicker ist als der Teil der ersten Zone, der an den Seitenteil (19) der übergangsebene (10) angrenzt.

4. Halbleiterlaser nach Anspruch 2 oder 3, d a d u r ch gekennzeichnet, daß der seitliche Teil zwei im Abstand voneinander angeordnete Bereiche (19, 20) umfaßt und daß der Hauptteil (12) in der Mitte zwischen diesen Bereichen liegt.

5. Halbleiterlaser nach einem der vorhergehenden An- sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitermaterial Galliumarsenid oder Galliumarsenidphosphid enthält oder hieraus besteht.

6. Halbleiterlaser nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Breite (w) des Teiles der ersten Zone (8) der an den Seitenteil (19) der übergangsebene (10) angrenzt, wesentlich größer ist als die Dicke (t) der ersten

7. Laseranordnung mit zwei in Reihe geschalteten Halbleiterlasern gemäß Anspruch 1, gekennzeichnet durch ein erstes relativ massives Bauteil (50), das eine gute Wärmeleitfähigkeit und eine elektrisch leitende Oberfläche aufweist, die mit der zweiten Elektrode (36) des einen Halbleiterlasers (30) in Berührung steht; ein zweites relativ massives Bauteil (51), das eine gute Wärmeleitfähigkeit und eine elektrisch leitende Oberfläche aufweist, die mit der ersten Elektrode (31) des zweiten Halbleiterlasers in Berührung steht, wobei die leitenden Oberflächen so ausgerichtet sind, daß sie im wesentlichen eine Anschlu3ebene definieren, ferner dadurch gekennzeichnet, daß die Laser auf

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den Bauteilen (50, 51) so angeordnet sind, daß die Hauptteile ihrer Übergänge nahe beieinander liegen; daß eine elektrisch leitende Hauptfläche eines dritten relativ massiven Bauteils (53 guter Wärmeleitfähigkeit mit der ersten Elektrode (31) des einen Lasers und der zweiten Elektrode (36) des anderen Lasers in Berührung steht, und daß mit den leitenden Flächen des ersten und zweiten Bauteils (50, 51) jeweils eine elektrische Anschlußleitung (5^ bzw. 55) elektrisch gekoppelt ist.

3. Halbleitereinrichtung , insbesondere Halbleiterlaser nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch a) einen Körper aus Halbleitermaterial mit einer p-Zone (3*0 und einer n-Zone (35), die zwischen sich einen im wesentlichen ebenen pn-übergang (33) bilden, und mit zwei Stirnflächen an entgegengesetzten Enden des Körpers, die im wesentlichen senkrecht zu dem pn-übergang und einer vorgegebenen Achse des Bauelements verlaufen; b) eine erste Elektrode (31), die auf einer Oberfläche einer der Zonen angeordnet ist und im wesentlichen parallel zum Übergang (33) verläuft; c) eine zweite Elektrode, die auf einer Oberfläche der anderen Zone (34) angeordnet ist und im wesentlichen parallel zum pn-übergang verläuft, und d) eine Abmessung der ersten Elektrode (31) parallel zum pn-übergang und senkrecht zu der Achse, die

i) wesentlich kleiner als die entsprechende Abmessung

des Übergangs ist,
ii) mindestens gleich der axialen Abmessung des pn-über-

ganges (33) ist, und
iii) wesentlich größer als die Dicke der der einen Zone

(35) senkrecht zum pn-übergang ist.

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