JPS62174728A - 光スイツチ - Google Patents
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- JPS62174728A JPS62174728A JP61015632A JP1563286A JPS62174728A JP S62174728 A JPS62174728 A JP S62174728A JP 61015632 A JP61015632 A JP 61015632A JP 1563286 A JP1563286 A JP 1563286A JP S62174728 A JPS62174728 A JP S62174728A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3137—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure with intersecting or branching waveguides, e.g. X-switches and Y-junctions
- G02F1/3138—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure with intersecting or branching waveguides, e.g. X-switches and Y-junctions the optical waveguides being made of semiconducting materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はキャリヤ注入方式を用いた屈折率変化及び又は
吸収係数変化を利用した光スイッチに係り、特に高速動
作を行い、素子寸法が小さく、光集積回路に好適な光ス
イッチに関する。
吸収係数変化を利用した光スイッチに係り、特に高速動
作を行い、素子寸法が小さく、光集積回路に好適な光ス
イッチに関する。
従来のキャリヤ注入方式を用いた光スイッチとしては、
屈折率変化を利用した光路切替え光スイッチとして全反
射型光スイッチがあり、井上他。
屈折率変化を利用した光路切替え光スイッチとして全反
射型光スイッチがあり、井上他。
昭和６０年度電子通信学会半導体・材料部門全国大会予
稿集８７〜４に記載されている。又、吸収係数変化を利
用した光量調整開閉スイッチとして損失変調器型光スイ
ッチがあり、山口他、昭和６０年度電子通信学会総合全
国大会予稿集９２６に記載されている。これら光スイッ
チはキャリヤを注入した際に生じる大きな屈折率変化及
び又は吸収係数変化を利用するもので、小型で高消光比
を持つという特徴がある。しかし、これらの光スイッチ
では、光路切替え及び又は光量調節開閉を行なうスイッ
チ部に注入されたキャリヤはスイッチをＯＦＦにしたい
時、即ちキャリヤの注入を停止した時、スイッチ部のキ
ャリヤが再結合のライフタイムに従って消滅するためそ
の応答速度は数ｎ５ｅｃ〜数１０ｎｓｅｃ程度に制限さ
れていた。
稿集８７〜４に記載されている。又、吸収係数変化を利
用した光量調整開閉スイッチとして損失変調器型光スイ
ッチがあり、山口他、昭和６０年度電子通信学会総合全
国大会予稿集９２６に記載されている。これら光スイッ
チはキャリヤを注入した際に生じる大きな屈折率変化及
び又は吸収係数変化を利用するもので、小型で高消光比
を持つという特徴がある。しかし、これらの光スイッチ
では、光路切替え及び又は光量調節開閉を行なうスイッ
チ部に注入されたキャリヤはスイッチをＯＦＦにしたい
時、即ちキャリヤの注入を停止した時、スイッチ部のキ
ャリヤが再結合のライフタイムに従って消滅するためそ
の応答速度は数ｎ５ｅｃ〜数１０ｎｓｅｃ程度に制限さ
れていた。
上記従来技術は光スイッチの応答速度（スイッチング速
度）の高速化の点について配慮がされておらず、スイッ
チング時間をｎ５ａｃ以下に高速化することが困難とい
う問題があった。
度）の高速化の点について配慮がされておらず、スイッ
チング時間をｎ５ａｃ以下に高速化することが困難とい
う問題があった。
本発明の目的は素子寸法が小さく、高消光比を持ち、光
集積回路に好適なキャリヤ注入型光スイッチのスイッチ
ング速度を飛躍的に向上させることにある。
集積回路に好適なキャリヤ注入型光スイッチのスイッチ
ング速度を飛躍的に向上させることにある。
上記目的は、キャリヤ注入型光スイッチのスイッチ部又
はその近傍に電極を設けてスイッチＯＦＦ時にキャリヤ
を該電極を介して急速に取り除くことにより少なくとも
達成される。
はその近傍に電極を設けてスイッチＯＦＦ時にキャリヤ
を該電極を介して急速に取り除くことにより少なくとも
達成される。
本発明の光スイッチの１例として全反射型光スイッチを
第１図に示している。第１図（ａ）は（ｂ）に示した全
反射型光スイッチの交差部（スイッチ部）のＡ−Ａ’断
面図であり、光スイツチ部の構造を示している０図に示
したように半導体領域１，２．３に密接又は近接して電
極４，５゜６を設け、キャリヤの注入を停止した後の期
間において、電極４，５間及び又は電極５，６間に電位
差が生じるように回路を設定しておけば、光波が導波さ
れている半導体領域２から極めて高速にキャリヤを引き
抜くことができる。即ちキャリヤが半導体領域２内を移
動する距離をＷ、拡散定数をＤとすると次の式で表わさ
れるキャリヤの拡散による走行時間τ５に従ってキャリ
ヤを引き抜ける。
第１図に示している。第１図（ａ）は（ｂ）に示した全
反射型光スイッチの交差部（スイッチ部）のＡ−Ａ’断
面図であり、光スイツチ部の構造を示している０図に示
したように半導体領域１，２．３に密接又は近接して電
極４，５゜６を設け、キャリヤの注入を停止した後の期
間において、電極４，５間及び又は電極５，６間に電位
差が生じるように回路を設定しておけば、光波が導波さ
れている半導体領域２から極めて高速にキャリヤを引き
抜くことができる。即ちキャリヤが半導体領域２内を移
動する距離をＷ、拡散定数をＤとすると次の式で表わさ
れるキャリヤの拡散による走行時間τ５に従ってキャリ
ヤを引き抜ける。
ここで、キャリヤを例えば電子とし、半導体領域２に例
えばＧａＡｓｒ ＧａＡ Ｑ Ａｓ、 Ｉ ｎ Ｐ ｔ
ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ等の材料を用いると拡散
定数の大きさは約８０〜１３０ｃ＋＃／ｓｅｅであるこ
とが知られている。したがってＷ＝１μｍとするとて、
＝３９〜６３ ｐｓｅｃとなり、極めて高速にキャリヤ
を引き抜くことができることになる。
えばＧａＡｓｒ ＧａＡ Ｑ Ａｓ、 Ｉ ｎ Ｐ ｔ
ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ等の材料を用いると拡散
定数の大きさは約８０〜１３０ｃ＋＃／ｓｅｅであるこ
とが知られている。したがってＷ＝１μｍとするとて、
＝３９〜６３ ｐｓｅｃとなり、極めて高速にキャリヤ
を引き抜くことができることになる。
この時領域２内のキャリヤの変化量は、前記スイッチ部
の屈折率変化量及び又は吸収係数変化量となって直ちに
現れるので、第１図に示した全反射型光スイッチの光の
反射率が急変して高速スイッチ動作が得られる。このス
イッチ時間τは通常でゎの約２．３倍で表わされ、約９
０〜１４５ｐｓｅｃの高速動作が可能となる。上記のよ
うに領域２内のキャリヤ量の変化は屈折率及び又は吸収
係数の変化を生じさせるので、第１図に示したキャリヤ
注入により動作する全反射型光スイッチの他、方向性結
合器型、光干渉計型、光共振器型。
の屈折率変化量及び又は吸収係数変化量となって直ちに
現れるので、第１図に示した全反射型光スイッチの光の
反射率が急変して高速スイッチ動作が得られる。このス
イッチ時間τは通常でゎの約２．３倍で表わされ、約９
０〜１４５ｐｓｅｃの高速動作が可能となる。上記のよ
うに領域２内のキャリヤ量の変化は屈折率及び又は吸収
係数の変化を生じさせるので、第１図に示したキャリヤ
注入により動作する全反射型光スイッチの他、方向性結
合器型、光干渉計型、光共振器型。
損失変調器型、カットオフ型等の種々の光スイッチのう
ちキャリア注入により動作するような全ての光スイッチ
に対し１本願発明の原理を同様に適用できることは明ら
かである。
ちキャリア注入により動作するような全ての光スイッチ
に対し１本願発明の原理を同様に適用できることは明ら
かである。
以下１本発明の実施例を図を用いて説明する。
実施例１゜
第１図を用いて説明する。第１図（ａ）は第１図（ｂ）
のＡ−Ａ’断面図である。
のＡ−Ａ’断面図である。
まず、キャリア密度が２ Ｘ １０１Ｂａａ−”のｎ型
ＩｎＰ基板１の表面層の一部にＺｎ拡散領域７を形成し
、続いて液相エピタキシ法を用いて、ｐ−ＩｎＧａＡｓ
Ｐ層２．ｎ−ＩｎＰＪ５３およびｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層
（キャップ層）１３を順次形成した。
ＩｎＰ基板１の表面層の一部にＺｎ拡散領域７を形成し
、続いて液相エピタキシ法を用いて、ｐ−ＩｎＧａＡｓ
Ｐ層２．ｎ−ＩｎＰＪ５３およびｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層
（キャップ層）１３を順次形成した。
次にＩｎＰ層３およびキャップ層１３の一部にＺｎを拡
散して電流阻止領域８を形成した。
散して電流阻止領域８を形成した。
次に第１図に示すように、リッジ型光導波路９および１
０を凸状にて形成するように層２，３および２の一部を
、リン酸系エツチング液を用いて除去した。
０を凸状にて形成するように層２，３および２の一部を
、リン酸系エツチング液を用いて除去した。
最後に蒸着法を用いて、電極５をＡ ｕ −Ｚ ｎで。
電極４および６をＡｕＧｅ−Ｎｉでそれぞれ形成して本
願発明の２×２端子光スイツチを完成した。
願発明の２×２端子光スイツチを完成した。
この光スイッチの光入射端１４に波長１．５５μｍの光
を入射して光出射端１６および１７から出射する光の強
度を測定して、光スイツチング特性を調べた。この時、
電気的接続は第４図のようにした。発振器１９を用いて
パルス幅２ｎｓｅｃ。
を入射して光出射端１６および１７から出射する光の強
度を測定して、光スイツチング特性を調べた。この時、
電気的接続は第４図のようにした。発振器１９を用いて
パルス幅２ｎｓｅｃ。
パルス立上り０．１ ｎ５ｅｔおよびパルス振幅５Ｖｐ
−ｐの電気信号を印加したところ、光出射端１６および
１７からの出射光はそれぞれ極性が逆で、波形は上記電
気信号の波形と同一であった。
−ｐの電気信号を印加したところ、光出射端１６および
１７からの出射光はそれぞれ極性が逆で、波形は上記電
気信号の波形と同一であった。
応答の遅れは立上り立下り時間の遅れで０．５を用いた
ストリップ装荷型光Ｍスイッチを上記方法に準じて製作
した。その結果、上記実施例と同様の結果が得られた。
ストリップ装荷型光Ｍスイッチを上記方法に準じて製作
した。その結果、上記実施例と同様の結果が得られた。
なお、第２図（ａ）は第２図（ｂ）のＡ−Ａ’断面図で
ある。
ある。
本実施例に類似してＹ字型分岐路構造のＩＸ２端子光ス
イッチを上記方法に準じて製作した。その結果、上記実
施例と同様の結果が得られた。又、電極構成を第６図に
示したように配置しても同様の結果が得られた。この際
、電極６はその下にかくれて図示はされていない半導体
領域３のみに接し半導体領域２とは接しないように＃！
！縁層を挿入して作製した。
イッチを上記方法に準じて製作した。その結果、上記実
施例と同様の結果が得られた。又、電極構成を第６図に
示したように配置しても同様の結果が得られた。この際
、電極６はその下にかくれて図示はされていない半導体
領域３のみに接し半導体領域２とは接しないように＃！
！縁層を挿入して作製した。
実施例２゜
第３図を用いて説明する。
まず、キャリア密度が２ Ｘ １０１Ｂｙ−３のｎ型Ｉ
ｎＰ基板１の表面に２通常のエツチング法を用いて、実
施例１における光導波路９，１０に相当を形成した。
ｎＰ基板１の表面に２通常のエツチング法を用いて、実
施例１における光導波路９，１０に相当を形成した。
続いて、液相エピタキシ法を用いて、バンドギャップエ
ネルギーの波長換算値が１．５μｍのｐ−１ｎＧａＡｓ
ｐＨ２，ｎ−１ｎＰ＠３およびＩｎＧａＡｓＰによるギ
ャップ層１３を順次形成した。次にｎ −１ｎ Ｐ層３
およびギャップ層１３の一部にＺｎ拡散を行なって電流
経路１２（注入電流に対しては電流狭窄層となっている
）を形成した。最後にＣｒ−Ａｕを蒸着して電極５．６
を設け、Ａｕ−Ｑｅ−Ｎｉを蒸着して電極４を設けて光
スイッチを完成した。
ネルギーの波長換算値が１．５μｍのｐ−１ｎＧａＡｓ
ｐＨ２，ｎ−１ｎＰ＠３およびＩｎＧａＡｓＰによるギ
ャップ層１３を順次形成した。次にｎ −１ｎ Ｐ層３
およびギャップ層１３の一部にＺｎ拡散を行なって電流
経路１２（注入電流に対しては電流狭窄層となっている
）を形成した。最後にＣｒ−Ａｕを蒸着して電極５．６
を設け、Ａｕ−Ｑｅ−Ｎｉを蒸着して電極４を設けて光
スイッチを完成した。
この光スイッチの動作特性も実施例１の場合と同様であ
った。
った。
なお、本実施例における光導波路はチャネル・ストライ
プ型光導波路とよばれる。
プ型光導波路とよばれる。
本実施例においても、前記実施例１と同様にＹ字型分岐
路摺造を用いても、又電極構成を第６図に示したように
配置しても全く同様の結果が得られた。
路摺造を用いても、又電極構成を第６図に示したように
配置しても全く同様の結果が得られた。
実施例３゜
第５図を用いて説明する。
この実施例は、絶縁性基板上にＢＨ（ＢｕｒｉｅｄＨｅ
ｔ、ｒｏｊｕｎｃｔ、ｉｏｎ ：埋込ヘテロ接合型）構
造の光導波路を形成した光スイッチの一例である。
ｔ、ｒｏｊｕｎｃｔ、ｉｏｎ ：埋込ヘテロ接合型）構
造の光導波路を形成した光スイッチの一例である。
絶縁性１ｎＰ基板１００の上に液相エピタキシ法を用い
てｎ＋−ＩｎＰ層２１を成長させ、その一部にＺｎ拡散
を行ない、電流狭窄層７を形成した。
てｎ＋−ＩｎＰ層２１を成長させ、その一部にＺｎ拡散
を行ない、電流狭窄層７を形成した。
次にｐ−ＩｎＧｅＡｓＰ居２５．ｐ−ＩｎＧｅＡｓＰ光
導波層２６．ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層２７゜ｎ−１ｎＰク
ラッド層２８およびｎ−ｒｎＧａＡｓＰキャップ層１３
を順次層相３ピタキシ法で結晶成長した。続いてＢｒ−
メタノール系のエツチング液でメサエッチングを行なっ
て層７，２５，２６゜２７および２８をメサ状に成形し
１次にｐ −Ｔ ｎＧａＡｓＰ Ｍ！Ｉ ２２およびｎ
−１ｎＰ層２３を、このメサを埋めこむように成長させ
た。続いてＺｎを拡散して電流狭窄層２４を形成し、さ
らに選択エツチングを行なって電極形成部分を露出せし
め、そこに電極４．５および６を蒸着法で形成して光ス
イッチを完成した。
導波層２６．ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層２７゜ｎ−１ｎＰク
ラッド層２８およびｎ−ｒｎＧａＡｓＰキャップ層１３
を順次層相３ピタキシ法で結晶成長した。続いてＢｒ−
メタノール系のエツチング液でメサエッチングを行なっ
て層７，２５，２６゜２７および２８をメサ状に成形し
１次にｐ −Ｔ ｎＧａＡｓＰ Ｍ！Ｉ ２２およびｎ
−１ｎＰ層２３を、このメサを埋めこむように成長させ
た。続いてＺｎを拡散して電流狭窄層２４を形成し、さ
らに選択エツチングを行なって電極形成部分を露出せし
め、そこに電極４．５および６を蒸着法で形成して光ス
イッチを完成した。
この光スイッチは実施例１と同様に動作したが本実施例
の光スイッチは全ての電極が基板の片方の面にのみ形成
されているので、集積化への適用が容易である。
の光スイッチは全ての電極が基板の片方の面にのみ形成
されているので、集積化への適用が容易である。
本実施例においても前記実施例１，２と同様にＹ字型分
岐路構造を用いても、又、電極構成を第６図に示したよ
うに配置しても全く同様の結果が得られた。
岐路構造を用いても、又、電極構成を第６図に示したよ
うに配置しても全く同様の結果が得られた。
以上の実施例１，２．３は光スイッチの原理として、キ
ャリヤ注入部の屈折率変化を利用していることから容易
に理解できるように、光スイッチの構成としては全反射
型のみならず、方向性結合器型、光干渉計型、光共振器
型等の屈折率変化を利用した全ての光スイツチ構成に対
して本発明は適用できる。
ャリヤ注入部の屈折率変化を利用していることから容易
に理解できるように、光スイッチの構成としては全反射
型のみならず、方向性結合器型、光干渉計型、光共振器
型等の屈折率変化を利用した全ての光スイツチ構成に対
して本発明は適用できる。
実施例４゜
第７図を用いて説明する。第７図（ａ）は第７図（ｂ）
のＢ−Ｂ’断面図である。
のＢ−Ｂ’断面図である。
作製は実施例１と全く同様の手法を用いた。相異点は本
光スイッチが一本の光導波路９だけをもつことと、電極
６の幅すなわちＢ−Ｂ’力方向長さが光導波路９の幅と
同程度に大きいことである。
光スイッチが一本の光導波路９だけをもつことと、電極
６の幅すなわちＢ−Ｂ’力方向長さが光導波路９の幅と
同程度に大きいことである。
この光スイッチの光入射端１４に光を入射して光出射端
１６から８墜する光の強度を実施例１と同様に測定した
ところ、電極６に印加した信号波形に応じ光信号が変調
され、その応答速度特性は実施例１，２．３と同様であ
った。
１６から８墜する光の強度を実施例１と同様に測定した
ところ、電極６に印加した信号波形に応じ光信号が変調
され、その応答速度特性は実施例１，２．３と同様であ
った。
ストリップ装荷型光導波路を用いた上記実施例に類似し
て、実施例１，２．３と同様に光導波路構造をリッジ型
、チャンネル・ストライプ型。
て、実施例１，２．３と同様に光導波路構造をリッジ型
、チャンネル・ストライプ型。
ＢＨ型型厚導波路用いて構成しても同様の結果が得られ
た。
た。
以上の実施例１，２，３．４において、各半導体の導電
型を全く反対にしても同様の結果が得られた。
型を全く反対にしても同様の結果が得られた。
また半導体としてＧａＡｓ−ＧａＡＱＡｓ系、Ｓｔ系を
用いても同様の結果が得られ、さらに、半導体間の接合
がホモ接合であっても本発明を適用することができた。
用いても同様の結果が得られ、さらに、半導体間の接合
がホモ接合であっても本発明を適用することができた。
ここで記述した実施例においては、電流狭窄層７．８，
１２．２４を設けているが、この一部又は全部を取り除
いた構成においても同様の結果が得られた。この時、ス
イッチングの効率は電流の拡散のため若干悪化する傾向
にあるが１作製が容易であるという利点を持つ。
１２．２４を設けているが、この一部又は全部を取り除
いた構成においても同様の結果が得られた。この時、ス
イッチングの効率は電流の拡散のため若干悪化する傾向
にあるが１作製が容易であるという利点を持つ。
本発明によれば、小型で高消光比の性能を有し。
かつ応答速度が顕著に大きい光スイッチが得られるので
、大容量光伝送・通信システム及び光交換システムの構
築が容易となり、したがってその産業上の効果は極めて
大きいものである。
、大容量光伝送・通信システム及び光交換システムの構
築が容易となり、したがってその産業上の効果は極めて
大きいものである。
第１および２図は本発明の概要および実施例１を示す図
で、（ｂ）は光スイッチの上面図、（ａ）は（ｂ）のＡ
−Ａ’での断面図である。第３図は実施例２における素
子の断面図、第４図は実施例における素子特性評価の際
の結線回路図、第５図は実施例３における素子の断面図
である。第６図は電極構成の異なる実施例の上面図、第
７図は実施例４を示す図で、（ａ）、（ｂ）は各々光ス
イッチの断面図及び上面図である。 ■・・半導体領域１．２・・・半導体光導波路頭域２．
３・・・半導体領域３．４，５．６・・電極、７．８お
よび１２・・・電流狭窄のための電流ブロック層、９，
１０・・・光導波路、１１・・・光導波路を形成する溝
、１３・・・キャップ層、１４〜１７・・・光入出射端
、１８・・・抵抗器、１９・・・発振器、２０・・・定
電圧電源、２１・・・基板層、２２．２３・・・埋込み
層、２８−・・・クラッド層、２４・・・電流狭窄のた
めの電流ブロック層、２５．２７・・・バッファ層、２
６・・・光導波層。 代理人 弁理士 小川勝男 ′ 第 ／凶 ■ ＋、４ ／ １：ｆＬ−１，ｐ基板２ ／ ： ｌｆｃ＄［ＡｌＡ２
： Ｐ−１ｎζ；４Ａｆｉ／’ ／
、３ ： ｙｔＪｃｃｒｔｋ？３ ゛ 穴−１ｔ−
Ｐ （キイ
ク７ツ１）ａ 、 ｔ、 ｌ、 ： ４ｉｍ
／ｌ、ｔ７ 火Ｅ、ｐ４／４．ツタ゛ メ乙入鼾声勢
デ、／σ メジ基シ５１Ｌ寥る１第
４図 第Ｓ目 第２図 第７ ＋Ｂ
で、（ｂ）は光スイッチの上面図、（ａ）は（ｂ）のＡ
−Ａ’での断面図である。第３図は実施例２における素
子の断面図、第４図は実施例における素子特性評価の際
の結線回路図、第５図は実施例３における素子の断面図
である。第６図は電極構成の異なる実施例の上面図、第
７図は実施例４を示す図で、（ａ）、（ｂ）は各々光ス
イッチの断面図及び上面図である。 ■・・半導体領域１．２・・・半導体光導波路頭域２．
３・・・半導体領域３．４，５．６・・電極、７．８お
よび１２・・・電流狭窄のための電流ブロック層、９，
１０・・・光導波路、１１・・・光導波路を形成する溝
、１３・・・キャップ層、１４〜１７・・・光入出射端
、１８・・・抵抗器、１９・・・発振器、２０・・・定
電圧電源、２１・・・基板層、２２．２３・・・埋込み
層、２８−・・・クラッド層、２４・・・電流狭窄のた
めの電流ブロック層、２５．２７・・・バッファ層、２
６・・・光導波層。 代理人 弁理士 小川勝男 ′ 第 ／凶 ■ ＋、４ ／ １：ｆＬ−１，ｐ基板２ ／ ： ｌｆｃ＄［ＡｌＡ２
： Ｐ−１ｎζ；４Ａｆｉ／’ ／
、３ ： ｙｔＪｃｃｒｔｋ？３ ゛ 穴−１ｔ−
Ｐ （キイ
ク７ツ１）ａ 、 ｔ、 ｌ、 ： ４ｉｍ
／ｌ、ｔ７ 火Ｅ、ｐ４／４．ツタ゛ メ乙入鼾声勢
デ、／σ メジ基シ５１Ｌ寥る１第
４図 第Ｓ目 第２図 第７ ＋Ｂ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体光導波路領域２に隣接し、該半導体と反対の
導電型の半導体領域１及び該半導体領域１には隣接しな
いが該半導体光導波路領域２とは隣接し、該半導体領域
２と反対の導電型の半導体領域３を有し、かつ、前記３
つの半導体領域に機能するそれぞれの電極を有する光ス
イッチ。 ２、上記領域２の全部又は１部において上記領域１及び
又は上記領域３から注入されたキャリヤによる屈折率変
化及び又は吸収係数変化を利用して光の光路切替え及び
又は光量調節開閉を行い、かつ該領域１及び又は該領域
３から電流、電圧を制御して該注入されたキャリヤを急
速に引き抜き上記光の光路切替え及び又は光量調節開閉
のそれぞれ逆操作を高速に行う事を特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の光スイッチ。 ３、上記半導体が化合物半導体である特許請求の範囲第
１項もしくは、第２項記載の光スイッチ。 ４、上記半導体領域１、２、３内に少くとも１個の電流
狭窄領域を付加した特許請求の範囲第１、２もしくは３
項記載の光スイッチ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61015632A JPH0685035B2 (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 光スイツチ |
| EP87300718A EP0233011B1 (en) | 1986-01-29 | 1987-01-28 | Optical switch |
| DE8787300718T DE3781568T2 (de) | 1986-01-29 | 1987-01-28 | Optischer schalter. |
| US07/008,371 US4832430A (en) | 1986-01-29 | 1987-01-29 | Optical switch |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61015632A JPH0685035B2 (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 光スイツチ |
Publications (2)
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|---|---|
| JPS62174728A true JPS62174728A (ja) | 1987-07-31 |
| JPH0685035B2 JPH0685035B2 (ja) | 1994-10-26 |
Family
ID=11894094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61015632A Expired - Lifetime JPH0685035B2 (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 光スイツチ |
Country Status (4)
| Country | Link |
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| JP (1) | JPH0685035B2 (ja) |
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- 1986-01-29 JP JP61015632A patent/JPH0685035B2/ja not_active Expired - Lifetime
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- 1987-01-29 US US07/008,371 patent/US4832430A/en not_active Expired - Fee Related
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