JP2008103466A - 半導体レーザ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】異なる周期L1、L2を有し、活性導波路層2と非活性導波路層3とが光の伝搬方向に沿って交互に複数繰り返す周期構造を有する複数のレーザ部A1、A2を直列に接続した光導波路層において、レーザ部A1、A2の活性導波路層2と非活性導波路層3の長さの比を全て等しくし、各活性導波路層2a1、2a2に対応して設けた電極7a1、7a2同士を短絡し、各非活性導波路層3t1、3t2に対応して設けた電極8t1、8t2同士を短絡し、光導波路層の全長に渡って回折格子5を設け、回折格子5の途中に位相シフト10を設けた半導体レーザ。
【選択図】図1
Description
TTGレーザでは、光の増幅作用を行う活性導波路層に電流注入してレーザ発振動作を生じさせ、該活性導波路層のすぐ近くに形成される波長制御用非活性導波路層に独立に電流注入することにより、発振波長を変化させる。ここで、回折格子の周期をΛ、導波路の等価屈折率をnとすれば、ブラッグ波長λbは、
λb=2nΛ (1)
と表される。レーザはこのブラッグ波長近傍の1つの共振縦モードで発振動作する。非活性導波路層に電流注入を行うと、導波路の等価屈折率が変化し、式(1)より、ブラッグ波長もそれに比例して変化する。ここで、ブラッグ波長の変化の割合△λb/λbは、
△λb/λb=△n/n (2)
となり、等価屈折率の変化の割合△n/nと等しくなる。又、電流注入による等価屈折率の変化に伴い、共振縦モード波長も変化する。TTGレーザの場合、共振器全体の等価屈折率が一様に変化するので、共振縦モード波長の変化の割合△λr/λrは等価屈折率の変化の割合△n/nに等しくなる。すなわち、
△λr/λr=△n/n (3)
となる。式(2)、式(3)より、TTGレーザでは、ブラッグ波長の変化と共振縦モードの変化が等しくなるので、最初に発振したモードが保たれたまま連続的に発振波長が変化するという大きな特徴を有する。しかしながら、単一横モード発振動作をさせるためには二重導波路の幅は1〜2μmにする必要があり、更に活性層と波長制御層との間に形成されるn型スペーサ層の厚さを1μm以下まで薄くする必要があるため、通常の半導体レーザで用いられている埋め込み構造にすることができず、それぞれの導波路層に効率良く電流を注入するための構造にすることが、製作上非常に困難であるという問題があった。又、通常の半導体レーザ構造と異なるため、半導体光増幅器などとの集積化が困難であり、多機能な集積デバイスを構成できないという問題点があった。
△λr/λr=(Le/L)・(△n/n) (4)
となる。従って、式(2)、式(4)より、DBRレーザでは波長制御電流を注入するにつれてブラッグ波長と共振縦モード波長とが相対的に離れていくため、モード跳びを生じてしまうという欠点を持っていた。モード跳びを生じさせないためには、回折格子が形成されていない位相調整領域を設けて、そこへの電流注入により共振縦モードの変化量とブラッグ波長の変化量とを一致させる必要がある。しかし、この方法では2つの電極への波長制御電流を制御するための外部回路が必要になり、装置構造及び制御が複雑になるという問題があった。モード跳びを生じさせないもう一つの方法として、共振器長を短くして縦モード間隔を広げる短共振器DBRレーザが考えられるが、活性層を短くする必要があるため、大きな出力を得るのが困難であるという問題点があった。
この分布活性DFBレーザは、下部クラッド21上に、活性導波路層22と非活性導波路層23(波長制御領域)が交互に周期的に縦続接続された構造となっている。そして、それらの上に上部クラッド24が形成されて、その上部クラッド24上に、活性導波路層22、非活性導波路層23に対応する電極25、26が形成されると共に、下部クラッド21の下部に共通の電極27が形成されている。活性導波路層22への電流注入により発光するとともに利得が生じるが、それぞれの導波路には凹凸、すなわち回折格子28が形成されており、回折格子周期に応じた波長のみ選択的に反射されレーザ発振が起こる。一方、非活性導波路層23への電流注入によりキャリア密度に応じてプラズマ効果により屈折率が変化するため、非活性導波路層23の回折格子28の光学的な周期は変化する。非活性導波路層23の等価屈折率が変化し、1周期の長さに対する波長制御領域の長さの割合分だけ共振縦モード波長が短波長側にシフトする。繰り返し構造の1周期の長さをL、波長制御領域長をLtとすれば、共振縦モード波長の変化の割合は、
△λr/λr=(Lt/L)・(△n/n) (5)
となる。
△λS/λS=(Lt/L)・(△n/n) (6)
となる。
式(5)、式(6)より、反射ピーク波長と共振縦モード波長とは同じ量だけシフトする。従って、このレーザでは、最初に発振したモードを保ったまま連続的に波長が変化する。
この分布活性DFBレーザも、下部クラッド31上に、活性導波路層32と非活性導波路層33が交互に周期的に縦続接続されたものであり、それらの上に上部クラッド34が形成されて、その上部クラッド34上に、活性導波路層32、非活性導波路層33に対応する電極35、36が形成されると共に、下部クラッド31の下部に共通の電極37が形成された構造である。この分布活性DFBレーザでは、回折格子38を一部のみに形成しているが、図6の分布活性DFBレーザと同じように連続的に波長変化する。又、特許文献1においては、図7に示す分布活性DFBレーザの構造を、周期をL1、L2に変えて2つ縦続接続した構造(図8)も開示されている。
半導体基板上に、該半導体基板より光学的屈折率が大きい光導波路層と、該光導波路層より屈折率が小さい光閉じ込め層とをそれぞれ1層以上含む直線光導波路を有する半導体レーザであって、
前記光導波路層の全長に渡って、同一周期で形成した回折格子と、
前記回折格子の途中に形成した位相シフトとを備えると共に、
前記光導波路層を、発振波長帯の光に対して光学的利得を有する活性領域と光学的利得を持たない非活性領域とが、光の伝搬方向に沿って、第一の周期で交互に複数繰り返す周期構造を有する第一のレーザ部と、発振波長帯の光に対して光学的利得を有する活性領域と光学的利得を持たない非活性領域とが、光の伝搬方向に沿って、前記第一の周期とは異なる第二の周期で交互に複数繰り返す周期構造を有する第二のレーザ部とを直列に接続して構成し、かつ、前記第一のレーザ部の周期構造における一周期中の前記活性領域と前記非活性領域の長さ比と前記第二のレーザ部の周期構造における一周期中の前記活性領域と前記非活性領域の長さの比を等しくし、
前記活性領域の上方に、電流を注入する第一の電極を各々設けると共に、該第一の電極同士を短絡し、かつ、前記非活性領域の上方に、前記第一の電極とは独立して電流を注入する第二の電極を各々設けると共に、該第二の電極同士を短絡したことを特徴とする。
半導体基板上に、該半導体基板より光学的屈折率が大きい光導波路層と、該光導波路層より屈折率が小さい光閉じ込め層とをそれぞれ1層以上含む直線光導波路を有する半導体レーザであって、
前記光導波路層の全長に渡って、同一周期で形成した回折格子と、
前記回折格子の途中に形成した位相シフトとを備えると共に、
前記光導波路層を、発振波長帯の光に対して光学的利得を有する活性領域と光学的利得を持たない非活性領域とが、光の伝搬方向に沿って交互に複数繰り返す周期構造を有するレーザ部を3つ以上直列に接続して構成すると共に、該3つ以上のレーザ部を各々異なる周期の周期構造とし、かつ、前記3つ以上のレーザ部の周期構造における一周期中の前記活性領域と前記非活性領域の長さ比を全て等しくし、
前記活性領域の上方に、電流を注入する第一の電極を各々設けると共に、該第一の電極同士を短絡し、かつ、前記非活性領域の上方に、前記第一の電極とは独立して電流を注入する第二の電極を各々設けると共に、該第二の電極同士を短絡したことを特徴とする。
第1又は第2の発明に記載の半導体レーザにおいて、
前記回折格子の途中に形成する位相シフトを複数個としたことを特徴とする。
図1は本発明に係る半導体レーザの第一の実施形態を示す図である。図1(a)は素子の上面から見た図であり、図1(b)及び(c)は、図1(a)におけるx−x’断面及びy−y’断面である。
図1に示す本実施形態の半導体レーザは、図6の半導体レーザの構造を、活性導波路層と非活性導波路層の繰り返し周期を変えて、直列に接続した構造となっている。従って、本実施形態の半導体レーザ、即ち、図1における第一のレーザ部A1及び第二のレーザ部A2を説明するため、その構成要素となる図6の半導体レーザの構造を参照して説明を行う。
図1に示す本実施形態の半導体レーザは、n型InPからなる上部クラッド1(半導体基板)上に、上部クラッド1より光学的屈折率が大きい光導波路層と、この光導波路層より屈折率が小さい光閉じ込め層とをそれぞれ1層以上含む直線光導波路を有するものである。
なお、電極同士を素子上で短絡しているので、活性層電極7が活性導波路層2のみに電流を注入できるように、活性層電極7の下層においては、活性導波路層2の上方の領域にのみコンタクト層6が形成され(図1(a)の電極幅の広い部分)、非活性導波路層3の上方の領域には絶縁層11が形成されている(図1(a)の電極幅の狭い部分、図1(c)参照)。同様に、波長制御電極8が非活性導波路層3のみに電流を注入できるように、波長制御電極8の下層においても、非活性導波路層3の上方の領域にのみコンタクト層6が形成され(図1(a)の電極幅の広い部分)、活性導波路層2の上方の領域には絶縁層11が形成されている(図1(a)の電極幅の狭い部分、図1(c)参照)。
最初に有機金属気相エピタキシャル成長法と、これによる選択成長法を用いて、n型InP下部からなる下部クラッド1上に、活性導波路層2(2a1、2a2)と非活性導波路層3(3t1、3t2)とを作製する。その後、塗布したレジストに、電子ビーム露光法を用いて回折格子5のパターンを転写し、転写パターンをマスクとしてエッチングを行い、回折格子5を形成する。p型InPからなる上部クラッド4及びp型InGaAsからなるコンタクト層6を成長した後、横モードを制御するために、幅1.2μmのストライプ状に導波路を加工し、その両側にp型半導体/n型半導体よりなるInP電流ブロック層を成長する。そして、活性層電極7及び波長制御電極8を形成した後、活性層駆動用の活性層電極7と波長制御用の波長制御電極8とを電気的に分離するために、それらの電極間のコンタクト層6を除去する。
なお、電極同士を素子上で短絡すると共に、活性層電極7が活性導波路層2のみに電流を注入できるように、活性層電極7を形成する前に、活性導波路層2の上方の領域にコンタクト層6を形成し、非活性導波路層3の上方の領域に絶縁層11を形成し、それらの上層に活性層電極7を形成している。同様に、電極同士を素子上で短絡すると共に、波長制御電極8が非活性導波路層3のみに電流を注入できるように、波長制御電極8を形成する前に、非活性導波路層3の上方の領域にコンタクト層6を形成し、活性導波路層2の上方の領域に絶縁層11を形成し、それらの上層に波長制御電極8を形成している。
図4は、本発明に係る半導体レーザの第二の実施形態を説明する図である。
図5は、本発明に係る半導体レーザの第三の実施形態を説明する図である。
本実施形態の半導体レーザは、図5に示すように、各レーザ部の基本的構成は、第一の実施形態の半導体レーザにおけるレーザ部と同等の構成であるが、領域数(レーザ部の数)を、第二の実施形態と同様に、第一のレーザ部A1、第二のレーザ部A2、第三のレーザ部A3、第四のレーザ部A4と増やし、活性導波路層2と非活性導波路層3の繰返し周期が各々異なる複数の領域を直列に接続した構造である。具体的には、第一のレーザ部A1は、長さLa1の活性導波路層2a1と長さLt1の非活性導波路層3t1とが、周期L1で交互に複数繰り返して縦続接続されたものであり、第二のレーザ部A2は、長さLa2の活性導波路層2a2と長さLt2の非活性導波路層3t2とが、周期L2で交互に複数繰り返して縦続接続されたものであり、第三のレーザ部A3は、長さLa3の活性導波路層2a3と長さLt3の非活性導波路層3t3とが、周期L3で交互に複数繰り返して縦続接続されたものであり、第四のレーザ部A4は、長さLa4の活性導波路層2a4と長さLt4の非活性導波路層3t4とが、周期L4で交互に複数繰り返して縦続接続されたものである。
2 活性導波路層
3 非活性導波路層
4 上部クラッド
5 回折格子
6 コンタクト層
7 活性層用電極
8 波長制御用電極
9 電極
10 位相シフト
Claims (3)
- 半導体基板上に、該半導体基板より光学的屈折率が大きい光導波路層と、該光導波路層より屈折率が小さい光閉じ込め層とをそれぞれ1層以上含む直線光導波路を有する半導体レーザであって、
前記光導波路層の全長に渡って、同一周期で形成した回折格子と、
前記回折格子の途中に形成した位相シフトとを備えると共に、
前記光導波路層を、発振波長帯の光に対して光学的利得を有する活性領域と光学的利得を持たない非活性領域とが、光の伝搬方向に沿って、第一の周期で交互に複数繰り返す周期構造を有する第一のレーザ部と、発振波長帯の光に対して光学的利得を有する活性領域と光学的利得を持たない非活性領域とが、光の伝搬方向に沿って、前記第一の周期とは異なる第二の周期で交互に複数繰り返す周期構造を有する第二のレーザ部とを直列に接続して構成し、かつ、前記第一のレーザ部の周期構造における一周期中の前記活性領域と前記非活性領域の長さ比と前記第二のレーザ部の周期構造における一周期中の前記活性領域と前記非活性領域の長さの比を等しくし、
前記活性領域の上方に、電流を注入する第一の電極を各々設けると共に、該第一の電極同士を短絡し、かつ、前記非活性領域の上方に、前記第一の電極とは独立して電流を注入する第二の電極を各々設けると共に、該第二の電極同士を短絡したことを特徴とする半導体レーザ。 - 半導体基板上に、該半導体基板より光学的屈折率が大きい光導波路層と、該光導波路層より屈折率が小さい光閉じ込め層とをそれぞれ1層以上含む直線光導波路を有する半導体レーザであって、
前記光導波路層の全長に渡って、同一周期で形成した回折格子と、
前記回折格子の途中に形成した位相シフトとを備えると共に、
前記光導波路層を、発振波長帯の光に対して光学的利得を有する活性領域と光学的利得を持たない非活性領域とが、光の伝搬方向に沿って交互に複数繰り返す周期構造を有するレーザ部を3つ以上直列に接続して構成すると共に、該3つ以上のレーザ部を各々異なる周期の周期構造とし、かつ、前記3つ以上のレーザ部の周期構造における一周期中の前記活性領域と前記非活性領域の長さ比を全て等しくし、
前記活性領域の上方に、電流を注入する第一の電極を各々設けると共に、該第一の電極同士を短絡し、かつ、前記非活性領域の上方に、前記第一の電極とは独立して電流を注入する第二の電極を各々設けると共に、該第二の電極同士を短絡したことを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項1又は請求項2に記載の半導体レーザにおいて、
前記回折格子の途中に形成する位相シフトを複数個としたことを特徴とする半導体レーザ。
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