KR20160150247A - 파장 가변 레이저 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
도 1(b)는 도 1(a)의 단일집적 파장 가변 레이저의 구성을 도시한 상면도이다.
도 2는 열 도파로가 형성되지 않은 경우의 열 전달 경로의 일례를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 제 1 도파로가 형성된 경우의 열 전달 경로의 일례를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 제 2 도파로가 형성된 경우의 열 전달 경로의 일례를 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 제 3 도파로가 형성된 경우의 열 전달 경로의 일례를 도시한 도면이다.
130: 광 도파로 층 131: 능동 광 도파로
133: 전단 수동 광 도파로 135: 후단 수동 광 도파로
137: 전단 추출형 회절격자 139: 후단 추출형 회절격자
150: 클래드 층 170: 파장 가변층
171: 전극 173, 175, 177: 히터
Claims (11)
- 기판상에 형성되며, 능동 광 도파로, 전단 수동 광 도파로 및 후단 수동 광 도파로를 포함하는 광 도파로 층;
상기 광 도파로 층 상부에 위치하는 클래드 층; 및
상기 클래드 층 상부에 위치하며, 외부로부터 인가되는 전력을 공급받아 열을 발생하여 상기 클래드 층을 통해 상기 전단 및 후단 수동 광 도파로로 공급하는 파장 가변층을 포함하는 파장 가변 레이저 장치. - 제 1항에 있어서,
상기 전단 수동 광 도파로 및 상기 후단 수동 광 도파로는 상기 능동 광 도파로의 양측에 각각 Butt-Joint 방식으로 결합되는 파장 가변 레이저 장치. - 제 1항에 있어서,
상기 파장 가변층은 적어도 하나 이상의 히터를 포함하는 파장 가변 레이저 장치. - 제 3항에 있어서,
상기 히터의 양측 주변에 위치하는 클래드 층에 제 1 홈이 형성되어, 상기 광 도파로 층이 상기 제 1 홈 사이에 위치하는 파장 가변 레이저 장치. - 제 4항에 있어서,
상기 광 도파로 층의 하부에 위치하며, 상기 제 1 홈의 하부를 연결하는 제 2 홈이 더 형성되어, 상기 광 도파로 층이 상기 제 1 및 제 2 홈에 의해 감싸지는 파장 가변 레이저 장치. - 제 4항에 있어서,
상기 제 1 홈이 마름모 형태인 경우, 상기 제 1 및 제 2 홈에 의해 감싸지는 영역은 역 마름모 형태가 되는 파장 가변 레이저 장치. - 제 4항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 홈에는 공기 또는 단열재가 채워지는 파장 가변 레이저 장치. - 제 1항에 있어서,
전단 추출형 회절격자가 상기 전단 수동 광 도파로의 상부에 형성되고, 후단 추출형 회절격자가 상기 후단 수동 광 도파로의 상부에 형성되는 파장 가변 레이저 장치. - 상기 제 8항에 있어서,
상기 전단 추출형 회절격자 및 상기 후단 추출형 회절격자는 상기 파장 가변층으로부터 발생되어 상기 클래드 층을 통해 전달되는 열에 의해 굴절률이 변화되는 파장 가변 레이저 장치. - 제 1항에 있어서,
상기 파장 가변층은,
상기 전단 수동 광 도파로와 대응하도록 상기 클래드 층 상부에 위치하는 제 1 히터; 및
상기 후단 수동 광 도파로와 대응하도록 상기 클래드 층 상부에 위치하는 제 2 히터를 포함하는 파장 가변 레이저 장치. - 제 10항에 있어서,
상기 파장 가변층은,
외부로부터 인가되는 전류를 공급받으며, 상기 능동 광 도파로와 대응하도록 상기 클래드 층 상부에 위치하는 전극; 및
상기 전극과 상기 제 1 히터 또는 상기 전극과 상기 제 2 히터 사이에 위치하는 제 3 히터를 포함하는 파장 가변 레이저 장치.
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JP2014192247A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 熱光学素子およびその作製方法 |
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2019107580A1 (ko) * | 2017-11-28 | 2019-06-06 | (주)오이솔루션 | 파장 가변 레이저 |
KR20190062655A (ko) * | 2017-11-28 | 2019-06-07 | 주식회사 오이솔루션 | 파장 가변 레이저 |
CN111418121A (zh) * | 2017-11-28 | 2020-07-14 | 光电子学解决方案公司 | 波长可调谐激光器 |
JP2021504976A (ja) * | 2017-11-28 | 2021-02-15 | オプト エレクトロニクス ソリューションズ | 波長可変レーザー |
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