KR20190054954A

KR20190054954A - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체

Info

Publication number: KR20190054954A
Application number: KR1020180137299A
Authority: KR
Inventors: 가즈오 사카모토; 다카유키 도시마; 가즈오 데라다; 유코 오노
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2017-11-13
Filing date: 2018-11-09
Publication date: 2019-05-22
Also published as: KR102585500B1; JP6956603B2; CN109786285B; CN109786285A; JP2019091758A

Abstract

본 발명은, 웨이퍼의 처리에 이용하는 처리액의 종류를 늘리는 경우, 및 웨이퍼의 처리에서 발생하는 미스트나 파티클을 줄이기 위해 배기 용량을 증가시킨 경우에도, 제해 장치의 대형화를 억제하는 것을 목적으로 한다.
실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 공급 유로와, 배기 유로와, 순환로와, 배기 전환 밸브와, 제어부를 포함한다. 공급 유로는, 처리실에 청정 가스를 공급한다. 배기 유로는, 처리실로부터 배기되는 배기 가스를 외부로 흘려보낸다. 순환로는, 배기 유로를 흐르는 배기 가스를 공급 유로로 되돌린다. 배기 전환 밸브는, 배기 유로 또는 순환로에 설치되고, 배기 가스의 유로를 배기 유로와 순환로 사이에서 선택적으로 전환한다. 제어부는, 처리실에서 이용되는 처리액의 종류가 전환될 때에, 배기 가스의 유로가 순환로에서 배기 유로로 전환되도록 배기 전환 밸브를 제어한다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND STSORAGE MEDIUM}

개시된 실시형태는, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.

종래, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고도 호칭함) 등의 기판을 처리하는 기판 처리 장치에서는, 산이나 알칼리, 유기 용제 등의 다양한 종류의 처리액이 이용된다. 그리고, 이러한 처리액의 성분이 포함되는 배기는, 배기 제해 장치(이하, 제해 장치라고도 호칭함)로 유해 물질을 제거한 후에 외부로 배출된다(특허문헌 1 참조).

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2014-175361호 공보

그러나, 종래의 기판 처리 장치에서는, 웨이퍼의 처리에 이용하는 처리액의 종류를 늘리기 위해 배기 용량을 증가시킨 경우, 및 웨이퍼의 처리에서 발생하는 미스트나 파티클을 줄이기 위해 배기 용량을 증가시킨 경우, 제해 장치도 동시에 대형화시켜야만 했다.

실시형태의 일 양태는, 상기를 감안하여 이루어진 것으로서, 웨이퍼의 처리에 이용하는 처리액의 종류를 늘리는 경우, 및 웨이퍼의 처리에서 발생하는 미스트나 파티클을 줄이기 위해 배기 용량을 증가시킨 경우에도, 제해 장치의 대형화를 억제할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

실시형태의 일 양태에 따른 기판 처리 장치는, 공급 유로와, 배기 유로와, 순환로와, 배기 전환 밸브와, 제어부를 포함한다. 상기 공급 유로는, 처리실에 청정 가스를 공급한다. 상기 배기 유로는, 상기 처리실에서 배기되는 배기 가스를 외부로 흘려보낸다. 상기 순환로는, 상기 배기 유로를 흐르는 상기 배기 가스를 상기 공급 유로로 되돌린다. 상기 배기 전환 밸브는, 상기 배기 유로 또는 상기 순환로에 설치되고, 상기 배기 가스의 유로를 상기 배기 유로와 상기 순환로 사이에서 선택적으로 전환한다. 상기 제어부는, 상기 처리실에서 이용되는 처리액의 종류가 전환될 때에, 상기 배기 가스의 유로가 상기 순환로에서 상기 배기 유로로 전환되도록 상기 배기 전환 밸브를 제어한다.

실시형태의 일 양태에 따르면, 웨이퍼의 처리에 이용하는 처리액의 종류를 늘리는 경우, 및 웨이퍼의 처리에서 발생하는 미스트나 파티클을 줄이기 위해 배기 용량을 증가시킨 경우에도, 제해 장치의 대형화를 억제할 수 있다.

도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타낸 모식도이다.
도 2는 처리 유닛의 구성을 나타낸 모식도이다.
도 3은 처리 유닛의 구체적인 구성예를 나타낸 모식도이다.
도 4는 실시형태에 따른 배기 처리 시스템의 개요를 나타낸 도면이다.
도 5는 산 처리시에 있어서의 실시형태에 따른 배기 처리 시스템의 상태를 나타낸 도면이다.
도 6은 처리액 전환 처리시에 있어서의 실시형태에 따른 배기 처리 시스템의 상태를 나타낸 도면이다.
도 7은 유기 처리시에 있어서의 실시형태에 따른 배기 처리 시스템의 상태를 나타낸 도면이다.
도 8은 실시형태의 변형예 1에 따른 배기 처리 시스템의 개요를 나타낸 도면이다.
도 9는 산 처리시에 있어서의 실시형태의 변형예 1에 따른 배기 처리 시스템의 상태를 나타낸 도면이다.
도 10은 처리액 전환 처리시에 있어서의 실시형태의 변형예 1에 따른 배기 처리 시스템의 상태를 나타낸 도면이다.
도 11은 유기 처리시에 있어서의 실시형태의 변형예 1에 따른 배기 처리 시스템의 상태를 나타낸 도면이다.
도 12는 실시형태의 변형예 2에 따른 배기 처리 시스템의 개요를 나타낸 도면이다.
도 13은 기판 처리 시스템이 실행하는 기판 처리의 절차를 나타낸 흐름도이다.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체의 실시형태를 상세히 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시형태에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.

<기판 처리 시스템의 개요>

처음에, 도 1을 참조하면서, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 개략 구성에 대해서 설명한다. 도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 개략 구성을 나타낸 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확히 하기 위해, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 수직 상향 방향으로 한다.

도 1에 도시된 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 설치된다.

반입출 스테이션(2)은, 캐리어 배치부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는, 복수 장의 기판, 실시형태에서는 반도체 웨이퍼(W)(이하, 웨이퍼(W)라고 호칭함)를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다.

반송부(12)는, 캐리어 배치부(11)에 인접하여 설치되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 수직 방향으로의 이동 및 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.

처리 스테이션(3)은, 반송부(12)에 인접하여 설치된다. 처리 스테이션(3)은, 반송부(15)와, 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 복수의 처리 유닛(16)은, 반송부(15)의 양측에 나란히 설치된다.

반송부(15)는, 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 수직 방향으로의 이동 및 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.

처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 기판 처리를 행한다.

기판 처리 시스템(1)은, 제어 장치(4)를 더 구비한다. 제어 장치(4)는, 예컨대 컴퓨터로서, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는, 기억부(19)에 기억된 프로그램을 독출하여 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.

또한, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 광디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.

상기한 바와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 우선, 반입출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내고, 꺼낸 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 꺼내어져, 처리 유닛(16)으로 반입된다.

처리 유닛(16)으로 반입된 웨이퍼(W)는, 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어, 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리를 마친 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)로 되돌려진다.

또한, 기판 처리 시스템(1)은, 배기 처리 시스템(5)(도 4 참조)을 구비한다. 이러한 배기 처리 시스템(5)은, 처리 유닛(16)에 접속되고, 접속된 처리 유닛(16) 내에 청정 가스를 공급함과 더불어, 처리 유닛(16) 내의 분위기를 배기한다. 배기 처리 시스템(5)의 상세한 내용에 대해서는 후술한다.

<처리 유닛의 개요>

다음에, 처리 유닛(16)의 개요에 대해서, 도 2를 참조하면서 설명한다. 도 2는 처리 유닛(16)의 구성을 나타낸 모식도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 처리 유닛(16)은, 처리실(20)과, 기판 유지 기구(30)와, 처리 유체 공급부(40)와, 회수컵(50)을 구비한다.

처리실(20)은, 기판 유지 기구(30)와 처리 유체 공급부(40)와 회수컵(50)을 수용한다. 처리실(20)의 천장부에는 FFU(Fan Filter Unit)(21)가 설치된다. FFU(21)는, 처리실(20) 내에 공급되는 청정 가스의 다운 플로우를 형성한다.

기판 유지 기구(30)는, 유지부(31)와, 지주부(32)와, 구동부(33)를 구비한다. 유지부(31)는, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다. 지주부(32)는, 수직 방향으로 연장되는 부재로서, 기단부가 구동부(33)에 의해 회전 가능하게 지지되고, 선단부에 있어서 유지부(31)를 수평으로 지지한다. 구동부(33)는, 지주부(32)를 수직축 둘레로 회전시킨다.

이러한 기판 유지 기구(30)는, 구동부(33)를 이용하여 지주부(32)를 회전시킴으로써 지주부(32)에 지지된 유지부(31)를 회전시키고, 이에 따라, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다.

처리 유체 공급부(40)는, 웨이퍼(W)에 대하여 처리 유체를 공급한다. 처리 유체 공급부(40)는, 처리 유체 공급원(46)에 접속된다.

회수컵(50)은, 유지부(31)를 둘러싸도록 배치되고, 유지부(31)의 회전에 의해 웨이퍼(W)로부터 비산되는 처리액을 포집한다. 회수컵(50)의 바닥부에는, 배액구(51)가 형성되어 있고, 회수컵(50)에 의해 포집된 처리액은, 이러한 배액구(51)로부터 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다. 또한, 회수컵(50)의 바닥부에는, FFU(21)로부터 공급되는 청정 가스를 처리 유닛(16)의 외부로 배기하는 배기구(52)가 형성된다.

다음에, 처리 유닛(16)의 구체적인 구성예에 대해서, 도 3을 참조하면서 설명한다. 도 3은 처리 유닛(16)의 구체적인 구성예를 나타낸 모식도이다.

도 3에 도시된 바와 같이, 기판 유지 기구(30)가 구비하는 유지부(31)의 상면에는, 웨이퍼(W)를 측면으로부터 유지하는 유지 부재(311)가 설치된다. 웨이퍼(W)는, 이러한 유지 부재(311)에 의해 유지부(31)의 상면으로부터 약간 이격된 상태로 수평 유지된다. 또한, 웨이퍼(W)는, 기판 처리가 행해지는 표면을 상측으로 향하게 한 상태로 유지부(31)에 유지된다.

처리 유체 공급부(40)는, 복수(여기서는 4개)의 노즐(41a∼41d)과, 이러한 노즐(41a∼41d)을 수평으로 지지하는 아암(42)과, 아암(42)을 선회 및 승강시키는 선회 승강 기구(43)를 구비한다.

노즐(41a)은, 밸브(44a)와 유량 조정기(45a)를 통해 산계 처리액 공급원(46a)에 접속된다. 산계 처리액 공급원(46a)에는, 예컨대 DHF(Diluted HydroFluoric acid: 희불산) 등의 웨이퍼(W)를 처리하는 산계 처리액이 저장된다. 또한, 이러한 산계 처리액은 DHF에 한정되지 않고, 그 밖의 산계 처리액을 이용하여도 좋다.

노즐(41b)은, 밸브(44b)와 유량 조정기(45b)를 통해 알칼리계 처리액 공급원(46b)에 접속된다. 알칼리계 처리액 공급원(46b)에는, 예컨대 SC1(암모니아, 과산화수소 및 물의 혼합액) 등의 웨이퍼(W)를 처리하는 알칼리계 처리액이 저장된다. 또한, 이러한 알칼리계 처리액은 SC1에 한정되지 않고, 그 밖의 알칼리계 처리액을 이용하여도 좋다.

노즐(41c)은, 밸브(44c)와 유량 조정기(45c)를 통해 유기계 처리액 공급원(46c)에 접속된다. 유기계 처리액 공급원(46c)에는, 예컨대 IPA(IsoPropyl Alcohol) 등의 웨이퍼(W)를 처리하는 유기계 처리액이 저장된다. 또한, 이러한 유기계 처리액은 IPA에 한정되지 않고, 그 밖의 유기계 처리액을 이용하여도 좋다.

노즐(41d)은, 밸브(44d)와 유량 조정기(45d)를 통해 DIW 공급원(46d)에 접속된다. DIW(DeIonized Water: 탈이온수)는, 예컨대 처리액 전환 처리에 이용된다. 또한, 처리액 전환 처리에 이용되는 처리액은 DIW에 한정되지 않는다.

노즐(41a)로부터는, 산계 처리액 공급원(46a)으로부터 공급되는 DHF가 토출된다. 노즐(41b)로부터는, 알칼리계 처리액 공급원(46b)으로부터 공급되는 SC1이 토출된다. 노즐(41c)로부터는, 유기계 처리액 공급원(46c)으로부터 공급되는 IPA가 토출된다. 노즐(41d)로부터는, DIW 공급원(46d)으로부터 공급되는 DIW가 토출된다.

<배기 처리 시스템의 개요>

다음에, 기판 처리 시스템(1)의 배기를 처리하는 배기 처리 시스템(5)의 개략 구성에 대해서, 도 4를 참조하면서 설명한다. 도 4는 실시형태에 따른 배기 처리 시스템(5)의 개요를 나타낸 도면이다.

도 4에 도시된 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)의 배기를 처리하는 배기 처리 시스템(5)은, 복수의 처리 유닛(16)의 처리실(20A∼20C) 내에 청정 가스를 공급함과 더불어, 처리실(20A∼20C) 내의 분위기를 배기한다. 또한, 이후에, 처리실(20A∼20C)을 총칭하는 경우, 「처리실(20)」이라고도 호칭한다.

배기 처리 시스템(5)은, 청정 가스 공급부(60)와, 복수의 온습도 조정기(TH)(61)와, 공급 유로(62)와, 배기 유로(63)와, 제해 장치(64)와, 배출부(65)와, 순환로(70A∼70C)와, 공급 전환 밸브(80A∼80C)와, 배기 전환 밸브(90A∼90C)를 구비한다. 또한, 기판 처리 시스템(1)에는, 예컨대, 온습도 조정기(61)와, 공급 유로(62)의 일부와, 배기 유로(63)의 일부와, 제해 장치(64)와, 순환로(70A∼70C)와, 공급 전환 밸브(80A∼80C)와, 배기 전환 밸브(90A∼90C)가 구비된다.

청정 가스 공급부(60)는, 공급 유로(62)에 접속되고, 이러한 공급 유로(62)에 청정한 공기나 청정한 질소 가스 등의 청정 가스를 공급한다. 청정 가스 공급부(60)는, 예컨대, 기판 처리 시스템(1)이 가동되는 공장 등에 설치된다.

온습도 조정기(61)는, 공급 유로(62) 및 순환로(70A∼70C)에 설치되고, 이러한 공급 유로(62) 및 순환로(70A∼70C)를 통과하는 청정 가스의 온도 및 습도를 소정의 값으로 조정한다.

공급 유로(62)는, 청정 가스 공급부(60)로부터, 공급 전환 밸브(80A)(또는 공급 전환 밸브(80B, 80C))와, FFU(21A)(또는 FFU(21B, 21C))를 경유하여, 처리실(20A)(또는 처리실(20B, 20C))에 접속된다. 그리고, 이러한 공급 유로(62)는, 청정 가스 공급부(60)로부터의 청정 가스를 복수의 처리실(20)에 공급한다.

또한, 이후에는, 공급 전환 밸브(80A∼80C) 및 FFU(21A∼21C)를 총칭하는 경우, 「공급 전환 밸브(80)」 및 「FFU(21)」라고 호칭한다. 또한, 도 4의 예에서는, 공급 전환 밸브(80), FFU(21) 및 처리실(20)이 각각 3개씩 설치된 예에 대해서 나타내고 있지만, 공급 전환 밸브(80), FFU(21) 및 처리실(20)의 수는 3개씩으로 한정되지 않는다.

공급 전환 밸브(80)는, 공급 유로(62)에 설치됨과 더불어, 순환로(70A∼70C)에 접속된다. 또한, 실시형태에서는, 공급 전환 밸브(80)가 공급 유로(62)에 설치된 예에 대해서 나타내고 있지만, 공급 전환 밸브(80)는, 공급 유로(62)가 아닌 순환로(70A∼70C)에 설치되어도 좋다. 그리고, 공급 전환 밸브(80)는, 제어부(18)에 제어되어, 처리실(20)에 공급되는 가스의 유로를 공급 유로(62)와 순환로(70A∼70C) 사이에서 선택적으로 전환한다.

배기 유로(63)는, 처리실(20A)(또는 처리실(20B, 20C))의 배기구(52)로부터, 배기 전환 밸브(90A)(또는 배기 전환 밸브(90B, 90C)) 및 제해 장치(64)를 경유하여, 배출부(65)에 접속된다. 그리고, 이러한 배기 유로(63)는, 복수의 처리실(20)로부터의 배기 가스를 배출부(65)에 배출한다. 또한, 이후에는, 배기 전환 밸브(90A∼90C)를 총칭하는 경우, 「배기 전환 밸브(90)」라고 호칭한다.

배기 전환 밸브(90)는, 배기 유로(63)에 설치됨과 더불어, 순환로(70A∼70C)에 접속된다. 또한, 실시형태에서는, 배기 전환 밸브(90)가 배기 유로(63)에 설치된 예에 대해서 나타내고 있지만, 배기 전환 밸브(90)는, 배기 유로(63)가 아닌 순환로(70A∼70C)에 설치되어도 좋다. 그리고, 배기 전환 밸브(90)는, 제어부(18)에 제어되어, 처리실(20)로부터 배기되는 배기 가스의 유로를, 배기 유로(63)와 순환로(70A∼70C) 사이에서 선택적으로 전환한다.

제해 장치(64)는, 배기 유로(63)에 설치되고, 이러한 배기 유로(63) 내를 통과하는 배기 가스로부터 유해 물질을 제거하고, 무해화된 배기 가스를 배출부(65)에 흘려보낸다. 배출부(65)는, 처리실(20)로부터 배출되는 배기 가스를 외부로 배출한다. 배출부(65)는, 예컨대, 감압 분위기의 공장 배기계이다.

순환로(70A∼70C)는, 각각 순환 루프를 형성한다. 순환로(70A∼70C)는, 예컨대, 산계 처리액이 포함되는 배기 가스를 흘려보내는 순환로(70A)와, 알칼리계 처리액이 포함되는 배기 가스를 흘려보내는 순환로(70B)와, 유기계 처리액이 포함되는 배기 가스를 흘려보내는 순환로(70C)를 포함한다.

그리고, 순환로(70A∼70C)는, 배기 유로(63)를 지나고, 배기 전환 밸브(90)로부터 선택적으로 흐르는 배기 가스를 공급 전환 밸브(80)를 통해 공급 유로(62)로 되돌린다. 또한, 이후에는, 순환로(70A∼70C)를 총칭하는 경우, 「순환로(70)」라고 호칭한다.

다음으로는, 실시형태에 따른 배기 처리 시스템(5)을 이용한 배기 처리의 상세한 내용에 대해서, 도 5∼도 7을 참조하면서 설명한다. 여기서는, 처리실(20A)에 반입된 웨이퍼(W)에 대하여 처음에 DHF에 의한 산 처리가 행해지고, 다음에, DIW에 의한 처리액 전환 처리가 행해지며, 나중에 IPA에 의한 유기 처리가 행해져, 처리실(20A)로부터 웨이퍼(W)가 반출되는 경우의 배기 처리에 대해서 설명한다. 또한, 이후의 도면에 있어서는, 처리실(20A)에 공급되고, 처리실(20A)로부터 배출되는 가스의 유로를 굵은 파선으로 나타낸다.

도 5는 산 처리시에 있어서의 실시형태에 따른 배기 처리 시스템(5)의 상태를 나타낸 도면이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 처리실(20A)에 있어서 DHF에 의한 산 처리(단계 S10)가 행해질 때에는, 제어부(18)에 의해 공급 전환 밸브(80A)가 순환로(70A) 측으로 전환됨(단계 S11)과 더불어, 배기 전환 밸브(90A)가 순환로(70A) 측으로 전환된다(단계 S12).

이에 따라, 처리실(20A)로부터 배기되는 배기 가스가, 산용의 순환로(70A)를 이용하여 순환된다(단계 S13). 이 때, 산용의 순환로(70A)에는 DHF를 포함하는 배기 가스만이 흐르기 때문에, 순환로(70A)로부터 공급 전환 밸브(80A)를 경유하여 공급되는 배기 가스를 재차 처리실(20A)에 공급했다고 해도, 특별히 문제없이 산 처리를 행할 수 있다.

도 6은 처리액 전환 처리시에 있어서의 실시형태에 따른 배기 처리 시스템(5)의 상태를 나타낸 도면이다. 도 5에 도시된 산 처리가 종료된 후에, 산계 처리액에서 유기계 처리액으로 전환하는 처리액 전환 처리에서는, 처리실(20A) 내의 웨이퍼(W) 상에 DIW가 공급된다(단계 S14).

그리고, 이러한 처리액 전환 처리가 행해질 때에는, 제어부(18)에 의해 공급 전환 밸브(80A)가 공급 유로(62) 측으로 전환됨(단계 S15)과 더불어, 배기 전환 밸브(90A)가 배기 유로(63) 측으로 전환된다(단계 S16). 이에 따라, 청정 가스 공급부(60)로부터의 청정 가스가 처리실(20A)에 공급됨(단계 S17)과 더불어, 처리실(20A)로부터의 배기 가스가 외부(여기서는 배출부(65))로 배출된다(단계 S18).

이와 같이 공급 전환 밸브(80A) 및 배기 전환 밸브(90A)를 전환함으로써, 여기까지 처리실(20A)에서 이용된 산계 처리액을 포함하는 배기 가스를, 처리실(20A) 내로부터 배기할 수 있다. 따라서, 여기까지 이용된 산계 처리액을 포함하는 배기 가스와, 이후에 이용되는 다른 종류의 처리액(여기서는, 유기계 처리액)을 포함하는 배기 가스가 섞이는 것을 억제할 수 있다.

도 7은 유기 처리시에 있어서의 실시형태에 따른 배기 처리 시스템(5)의 상태를 나타낸 도면이다. 도 6에 도시된 처리액 전환 처리가 종료된 후에, 처리실(20A)로부터 IPA에 의한 유기 처리(단계 S19)가 행해질 때에는, 제어부(18)에 의해 공급 전환 밸브(80A)가 순환로(70C) 측으로 전환됨(단계 S20)과 더불어, 배기 전환 밸브(90A)가 순환로(70C) 측으로 전환된다(단계 S21).

이에 따라, 유기용의 순환로(70C)에서 처리실(20A)로부터 배기되는 배기 가스가 순환된다(단계 S22). 이 때, 유기용의 순환로(70C)에는 IPA를 포함하는 배기 가스만이 흐르기 때문에, 순환로(70C)로부터 공급 전환 밸브(80A)를 경유하여 공급되는 배기 가스를 재차 처리실(20A)에 공급했다고 해도, 특별히 문제없이 유기 처리를 행할 수 있다.

마지막에, 유기 처리된 웨이퍼(W)가 처리실(20A)로부터 반출된다. 이때에는, 도 6에 도시된 바와 같이, 공급 전환 밸브(80A) 및 배기 전환 밸브(90A)가 제어되어, 청정 가스 공급부(60)로부터의 청정 가스가 처리실(20A)에 공급됨과 더불어, 처리실(20A)로부터의 배기 가스가 외부로 배출된다.

여기까지 설명한 바와 같이, 실시형태에서는, 처리실(20) 내에서 산계 처리액이나 알칼리계 처리액, 유기계 처리액 등의 처리액에 의한 처리를 행하고 있을 때에는, 이용되는 처리액에 대응한 복수의 순환로(70)에서 배기 가스를 순환시킨다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 처리에 이용하는 처리액의 종류를 늘리는 경우에도, 처리액에 의한 처리 자체를 행할 때에는, 제해 장치(64)의 동작이 불필요해진다.

즉, 실시형태에서는, 제해 장치(64)가 처리액 전환 처리에 한해서 사용되게 되기 때문에, 그것에 따른 제해 처리 능력을 갖고 있으면 되게 된다. 따라서, 실시형태에 따르면, 웨이퍼(W)의 처리에 이용하는 처리액의 종류를 늘리는 경우에도, 제해 장치(64)의 대형화를 억제할 수 있다.

또한, 실시형태에서는, 산계 처리액, 알칼리계 처리액, 유기계 처리액과 같은 처리액마다의 순환로(70A∼70C)가 설치되어 있다. 이에 따라, 각각의 순환로(70A∼70C)에서 다른 종류의 처리액을 포함하는 배기 가스가 섞이는 것을 억제할 수 있다.

즉, 실시형태에서는, 다른 종류의 처리액을 포함하는 배기 가스가 섞임으로써 미스트나 파티클 등의 반응생성물이 발생하고, 이러한 반응생성물에 의해 기판 처리 시스템(1) 내에서의 프로세스에 악영향이 나타나는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 실시형태에 따르면, 웨이퍼(W)의 처리에서 발생하는 미스트나 파티클을 줄이기 위해 배기 용량을 증가시킨 경우에도, 제해 장치(64)의 대형화를 억제할 수 있다.

또한, 실시형태에서는, 순환로(70)가 3개 설치되는 예에 대해서 나타내었지만, 순환로(70)의 수는 3개로 한정되지 않고, 처리액의 종류에 따라 다양한 수 설치하면 좋다.

또한, 실시형태에서는, 복수의 처리실(20A∼20C)에 대하여, 공급 유로(62)와 배기 유로(63)가 공통으로 설치된다. 이에 따라, 기판 처리 시스템(1)이나 공장에 있어서의 배관 계통을 심플하게 형성할 수 있다.

또한, 실시형태에서는, 배기 유로(63)에 제해 장치(64)가 설치되어 있다. 이에 따라, 배기 가스를 무해화하여 배출부(65)에 배출할 수 있다. 제해 장치(64)에서는, 예컨대, 물 스크러버나 케미컬 필터 방식의 제해 장치, 약액 연소 방식의 제해 장치 등을 이용할 수 있다.

또한, 실시형태에서는, 산계 처리액, 알칼리계 처리액, 유기계 처리액과 같은 처리액마다의 배기 유로(63)를 별도 설치하고, 배기 유로(63)에 있어서의 배기 전환 밸브(90)의 하류측에 다른 배기 전환 밸브를 설치하여, 이러한 다른 배기 전환 밸브로부터 처리액마다의 배기 유로(63)에 배기 가스를 선택적으로 흘려보냄으로써, 제해 장치(64)를 생략하여도 좋다.

<변형예>

계속해서, 전술한 실시형태에 있어서의 각종 변형예에 대해서 설명한다. 도 8은 실시형태의 변형예 1에 따른 배기 처리 시스템(5)의 개요를 나타낸 도면이다.

전술한 실시형태에서는, 다른 종류의 처리액마다 순환로(70A∼70C)가 설치된 예에 대해서 나타내었지만, 순환로(70)는 반드시 다른 종류의 처리액마다 설치될 필요는 없고, 예컨대, 도 8에 도시된 바와 같이, 다른 처리실(20)마다 순환로(70D∼70F)가 설치되어도 좋다.

구체적으로는, 변형예 1에 따른 배기 처리 시스템(5)에서는, 처리실(20A)로부터 배기되는 배기 가스를 순환시키는 순환로(70D)와, 처리실(20B)로부터 배기되는 배기 가스를 순환시키는 순환로(70E)와, 처리실(20C)로부터 배기되는 배기 가스를 순환시키는 순환로(70F)가 설치된다.

즉, 순환로(70D)는, 처리실(20A)의 상류측에 설치되는 공급 전환 밸브(80A)와, 처리실(20A)의 하류측에 설치되는 배기 전환 밸브(90A)에 접속된다. 또한, 순환로(70E)는, 처리실(20B)의 상류측에 설치되는 공급 전환 밸브(80B)와, 처리실(20B)의 하류측에 설치되는 배기 전환 밸브(90B)에 접속된다.

또한, 순환로(70F)는, 처리실(20C)의 상류측에 설치되는 공급 전환 밸브(80C)와, 처리실(20C)의 하류측에 설치되는 배기 전환 밸브(90C)에 접속된다. 또한, 실시형태와 마찬가지로, 순환로(70D∼70F)에는 각각 온습도 조정기(61)가 설치된다. 또한, 이후에는, 순환로(70D∼70F)를 총칭하는 경우에도, 「순환로(70)」라고 호칭한다.

다음으로는, 변형예 1에 따른 배기 처리 시스템(5)을 이용한 배기 처리의 상세한 내용에 대해서, 도 9∼도 11을 참조하면서 설명한다. 여기서도, 실시형태와 마찬가지로, 처리실(20A)에 반입된 웨이퍼(W)에 대하여 처음에 DHF에 의한 산 처리가 행해지고, 다음에, DIW에 의한 처리액 전환 처리가 행해지며, 나중에 IPA에 의한 유기 처리가 행해져, 처리실(20A)로부터 웨이퍼(W)가 반출되는 경우의 배기 처리에 대해서 설명한다.

도 9는 산 처리시에 있어서의 실시형태의 변형예 1에 따른 배기 처리 시스템(5)의 상태를 나타낸 도면이다. 도 9에 도시된 바와 같이, 처리실(20A)로부터 DHF에 의한 산 처리(단계 S30)가 행해질 때에는, 제어부(18)에 의해 공급 전환 밸브(80A)가 순환로(70D) 측으로 전환됨(단계 S31)과 더불어, 배기 전환 밸브(90A)가 순환로(70D) 측으로 전환된다(단계 S32).

이에 따라, 처리실(20A)용의 순환로(70D)에서 처리실(20A)로부터 배기되는 배기 가스가 순환된다(단계 S33). 이 때, 순환로(70D)에는 DHF를 포함하는 배기 가스만이 흐르기 때문에, 순환로(70D)로부터 공급 전환 밸브(80A)를 경유하여 공급되는 배기 가스를 재차 처리실(20A)에 공급하였다고 해도, 특별히 문제없이 산 처리를 행할 수 있다.

도 10은 처리액 전환 처리시에 있어서의 실시형태의 변형예 1에 따른 배기 처리 시스템(5)의 상태를 나타낸 도면이다. 도 9에 도시된 산 처리가 종료된 후에, 산계 처리액에서 유기계 처리액으로 전환하는 처리액 전환 처리에서는, 처리실(20A) 내의 웨이퍼(W) 상에 DIW가 공급된다(단계 S34).

그리고, 이러한 처리액 전환 처리가 행해질 때에는, 제어부(18)에 의해 공급 전환 밸브(80A)가 공급 유로(62) 측으로 전환됨(단계 S35)과 더불어, 배기 전환 밸브(90A)가 배기 유로(63) 측으로 전환된다(단계 S36). 이에 따라, 청정 가스 공급부(60)로부터의 청정 가스가 처리실(20A)에 공급됨(단계 S37)과 더불어, 처리실(20A)로부터의 배기 가스가 외부(여기서는 배출부(65))로 배출된다(단계 S38).

또한, 변형예 1에 있어서, 처리액이 전환될 때에, 공급 전환 밸브(80)를 순환로(70) 측에 접속함과 더불어, 배기 전환 밸브(90)를 배기 유로(63) 측에 접속한다. 그 후, 배기 전환 밸브(90)를 순환로(70) 측으로 전환함과 더불어, 공급 전환 밸브(80)를 공급 유로(62) 측으로 전환하여, 청정 가스를 순환로(70)에 통류시킨다. 그 후, 배기 전환 밸브(90)를 배기 유로(63) 측으로 전환하여, 배기 가스를 외부로 흘려보내도록 하여도 좋다. 이에 따라, 순환로(70) 내를 청정 가스로 치환할 수 있다.

도 11은 유기 처리시에 있어서의 실시형태의 변형예 1에 따른 배기 처리 시스템(5)의 상태를 나타낸 도면이다. 도 10에 도시된 처리액 전환 처리가 종료된 후에, 처리실(20A)에서 IPA에 의한 유기 처리(단계 S39)가 행해질 때에는, 제어부(18)에 의해 공급 전환 밸브(80A)가 순환로(70D) 측으로 전환됨(단계 S40)과 더불어, 배기 전환 밸브(90A)가 순환로(70D) 측으로 전환된다(단계 S41).

이에 따라, 처리실(20A)용의 순환로(70D)에서 처리실(20A)로부터 배기되는 배기 가스가 순환된다(단계 S42). 이 때, 순환로(70D)에는 IPA를 포함하는 배기 가스만이 흐르기 때문에, 순환로(70D)로부터 공급 전환 밸브(80A)를 경유하여 공급되는 배기 가스를 재차 처리실(20A)에 공급했다고 해도, 특별히 문제없이 유기 처리를 행할 수 있다.

마지막에, 유기 처리된 웨이퍼(W)가 처리실(20A)로부터 반출된다. 이때에는, 도 10에 도시된 바와 같이, 공급 전환 밸브(80A) 및 배기 전환 밸브(90A)가 제어되어, 청정 가스 공급부(60)로부터의 청정 가스가 처리실(20A)에 공급됨과 더불어, 처리실(20A)로부터의 배기 가스가 외부로 배출된다.

여기까지 설명한 바와 같이, 변형예 1에서는, 복수의 처리실(20)마다 전용의 순환로(70)를 설치하여, 처리실(20) 내에서 처리액에 의한 처리를 행하고 있을 때에는, 처리실(20)용의 순환로(70)에서 배기 가스를 순환시킨다.

이에 따라, 하나의 처리실(20)에서 처리액을 전환할 때에 발생하는 압력 변동에 의해, 다른 처리실(20)에서 배기 가스의 역류나 누설 등이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 왜냐하면, 순환로(70D∼70F)는 각각 독립된 유로를 형성하고 있기 때문이다.

또한, 변형예 1에서는, 배기 유로(63)에 제해 장치(64)가 설치되어 있다. 이에 따라, 배기 가스를 무해화하여 배출부(65)로 배출할 수 있다.

또한, 변형예 1에서는, 산계 처리액, 알칼리계 처리액, 유기계 처리액이라는 처리액마다의 배기 유로(63)를 별도 설치하고, 배기 유로(63)에 있어서의 배기 전환 밸브(90)의 하류측에 다른 배기 전환 밸브를 설치하여, 이러한 다른 배기 전환 밸브로부터 처리액마다의 배기 유로(63)에 배기 가스를 선택적으로 흘려보냄으로써, 제해 장치(64)를 생략하여도 좋다.

다음에, 변형예 2에 따른 배기 처리 시스템(5)에 대해서, 도 12를 참조하면서 설명한다. 도 12는 실시형태의 변형예 2에 따른 배기 처리 시스템(5)의 개요를 나타낸 도면이다.

도 12에 도시된 바와 같이, 변형예 2에 따른 배기 처리 시스템(5)은, 처리실(20A∼20C)로부터 배기되는 배기 가스를 전부 하나의 순환로(70)로 흘려보내고, 이러한 순환로(70)에 설치된 제해 장치(64)로 배기 가스를 무해화한다. 그리고, 무해화된 배기 가스를 순환로(70)를 통해 공급 유로(62)로 되돌리고, 온습도 조정기(61)로 온도 및 습도를 조정하고 나서 처리실(20A∼20C)에 공급한다.

이와 같이, 처리실(20)에서 사용하는 가스의 전량을 제해 장치(64)로 무해화하여, 재차 처리실(20)에 공급함으로써, 청정 가스 공급부(60) 및 배출부(65)가 기본적으로 불필요해지기 때문에, 배관 계통을 심플하게 구성할 수 있다.

또한, 무해화된 배기 가스에 포함되는 처리액의 농도가 높은 경우에는, 도 12에 도시된 바와 같이, 청정 가스 공급부(60)로부터 청정 가스를 공급 유로(62)에 공급하여도 좋다. 또한, 순환로(70)를 흐르는 배기 가스의 풍량을 조정하기 위해서, 배기 유로(63)로부터 배출부(65)로 배기 가스를 배출하여도 좋다.

또한, 변형예 2에서는, 순환로(70)가 하나 설치된 예에 대해서 나타내었지만, 변형예 2에 있어서의 순환로(70)의 수는 하나로 한정되지 않는다. 예컨대, 실시형태에 나타낸 바와 같이, 다른 종류의 처리액마다 복수의 순환로(70)를 설치하여도 좋다. 이 경우, 처리실(20)과 복수의 순환로(70) 사이에 배기 전환 밸브(90)를 설치하여, 이러한 배기 전환 밸브(90)로부터 처리액마다의 순환로(70)에 배기 가스를 선택적으로 흘려보내면 좋다. 이 경우, 제해 장치(64)는 약액별로 다른 제해 능력을 가진 것을 설치할 수도 있다.

또한, 변형예 1에 나타낸 바와 같이, 복수의 처리실(20)마다 복수의 순환로(70)가 설치되어 있어도 좋다. 또한, 전술한 바와 같이, 처리액마다 또는 처리실(20)마다 복수의 순환로(70)를 설치하는 경우에는, 복수의 순환로(70)의 각각에 제해 장치(64)를 설치하면 좋다.

<기판 처리의 상세>

계속해서, 도 13을 참조하면서, 실시형태에 따른 기판 처리의 상세한 내용에 대해서 설명한다. 도 13은 기판 처리 시스템(1)이 실행하는 기판 처리의 절차를 나타낸 흐름도이다. 우선, 제어부(18)는, 기판 반송 장치(13) 및 기판 반송 장치(17)를 제어하여, 웨이퍼(W)를 처리 유닛(16)의 처리실(20)로 반입한다(단계 S101).

다음에, 제어부(18)는, 공급 전환 밸브(80) 및 배기 전환 밸브(90)를 제어하여, 처리실(20)로부터의 배기를 소정의 순환로(70)에 의해 순환시켜, 이러한 배기를 웨이퍼(W)에 공급한다(단계 S102). 그리고, 제어부(18)는, 처리 유닛(16)을 제어하여, 웨이퍼(W)에 소정의 약액을 공급하고, 이러한 약액으로 웨이퍼(W)를 처리한다(단계 S103).

다음에, 제어부(18)는, 웨이퍼(W)에 공급되는 약액의 종류를 전환할지 여부를 판정한다(단계 S104). 그리고, 약액의 종류를 전환하는 경우(단계 S104, Yes), 제어부(18)는, 공급 전환 밸브(80)를 제어하여, 공급 유로(62)로부터 청정 가스를 웨이퍼(W)에 공급함(단계 S105)과 더불어, 배기 전환 밸브(90)를 제어하여, 배기 유로(63)로부터 배기 가스를 외부(배출부(65))로 흘려보낸다(단계 S106).

그리고, 제어부(18)는, 약액 전환 처리가 완료되었는지 여부를 판정하고(단계 S107), 약액 전환 처리가 완료된 경우(단계 S107, Yes), 단계 S102의 처리로 되돌아간다. 한편, 약액 전환 처리가 완료되지 않은 경우(단계 S107, No), 단계 S105 및 S106의 처리를 계속한다.

또한, 단계 S104에 있어서 약액의 종류를 전환하지 않는 경우(단계 S104, No), 제어부(18)는, 기판 반송 장치(17) 및 기판 반송 장치(13)를 제어하여, 웨이퍼(W)를 처리 유닛(16)으로부터 반출하고(단계 S108), 처리를 종료한다.

이상, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 그 취지를 일탈하지 않는 한 여러 가지의 변경이 가능하다. 예컨대, 실시형태에서는, 처리 유닛(16)(즉, 처리실(20))에서 웨이퍼(W)에 액 처리를 행하는 경우에 대해서 나타내었지만, 처리 유닛(16)에서 행해지는 처리는 액 처리에 한정되지 않는다.

실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 공급 유로(62)와, 배기 유로(63)와, 순환로(70)와, 배기 전환 밸브(90)와, 제어부(18)를 구비한다. 공급 유로(62)는, 처리실(20)에 청정 가스를 공급한다. 배기 유로(63)는, 처리실(20)로부터 배기되는 배기 가스를 외부(배출부(65))로 흘려보낸다. 순환로(70)는, 배기 유로(63)를 흐르는 배기 가스를 공급 유로(62)로 되돌린다. 배기 전환 밸브(90)는, 배기 유로(63) 또는 순환로(70)에 설치되고, 배기 가스의 유로를 배기 유로(63)와 순환로(70) 사이에서 선택적으로 전환한다. 제어부(18)는, 처리실(20)에서 이용되는 처리액의 종류가 전환될 때에, 배기 가스의 유로가 순환로(70)로부터 배기 유로(63)로 전환되도록 배기 전환 밸브(90)를 제어한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 처리에 이용하는 처리액의 종류를 늘리는 경우, 및 웨이퍼의 처리에서 발생하는 미스트나 파티클을 줄이기 위해 배기 용량을 증가시킨 경우에도, 제해 장치(64)의 대형화를 억제할 수 있다.

또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 공급 유로(62)와, 배기 유로(63)와, 순환로(70)와, 공급 전환 밸브(80)와, 제어부(18)를 구비한다. 공급 유로(62)는, 처리실(20)에 청정 가스를 공급한다. 배기 유로(63)는, 처리실(20)로부터 배기되는 배기 가스를 외부(배출부(65))로 흘려보낸다. 순환로(70)는, 배기 유로(63)를 흐르는 배기 가스를 공급 유로(62)로 되돌린다. 공급 전환 밸브(80)는, 공급 유로(62) 또는 순환로(70)에 설치되고, 처리실(20)에 공급되는 가스의 유로를 공급 유로(62)와 순환로(70) 사이에서 선택적으로 전환한다. 제어부(18)는, 처리실(20)에서 이용되는 처리액의 종류가 전환될 때에, 처리실(20)에 공급되는 가스의 유로가 순환로(70)로부터 공급 유로(62)로 전환되도록 공급 전환 밸브(80)를 제어한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 처리에 이용하는 처리액의 종류를 늘리는 경우, 및 웨이퍼의 처리에서 발생하는 미스트나 파티클을 줄이기 위해 배기 용량을 증가시킨 경우에도, 제해 장치(64)의 대형화를 억제할 수 있다.

또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 순환로(70A∼70C)는, 복수의 처리액마다 복수개 설치된다. 이에 따라, 다른 종류의 처리액을 포함하는 가스가 섞임으로써 반응생성물이 발생하고, 이러한 반응생성물에 의해 기판 처리 시스템(1) 내에서의 프로세스에 악영향이 나타나는 것을 억제할 수 있다.

또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 처리실(20A∼20C)은, 복수개 설치되고, 순환로(70D∼70F)는, 복수의 처리실(20A∼20C)마다 복수개 설치된다. 이에 따라, 하나의 처리실(20)에서 처리액을 전환할 때에 발생하는 압력 변동에 의해, 다른 처리실(20)에 있어서 배기 가스의 역류나 누설 등이 발생하는 것을 억제할 수 있다.

또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 처리실(20A∼20C)은, 복수개 설치되고, 공급 유로(62)와 배기 유로(63)는, 복수의 처리실(20A∼20C)에 대하여 공통으로 설치된다. 이에 따라, 기판 처리 시스템(1)이나 공장에 있어서의 배관 계통을 심플하게 형성할 수 있다.

또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 배기 유로(63)에는, 배기 가스를 무해화하는 제해 장치(64)가 설치된다. 복수의 제해 장치(64)를 설치하는 경우는, 각각에 알맞은 제해 능력을 갖는 것을 부착함으로써, 제해 장치(64)의 대형화를 억제할 수 있다. 이에 따라, 배기 가스를 무해화하여 배출부(65)에 배출할 수 있다.

또한, 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서, 순환로(70)에는, 배기 가스를 무해화하는 제해 장치(64)가 설치된다. 이에 따라, 무해화한 배기 가스를 재차 처리실(20)에 공급할 수 있다.

또한, 실시형태에 따른 기판 처리 방법은, 기판(웨이퍼(W))에 대하여 처리액을 공급할 때에, 배기를 순환시켜 기판(웨이퍼(W))에 공급하는 공정(단계 S102)과, 처리액의 종류가 전환될 때에, 배기를 외부(배출부(65))로 흘려보내는 공정(단계 S106)을 포함한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 처리에 이용하는 처리액의 종류를 늘리는 경우, 및 웨이퍼의 처리에서 발생하는 미스트나 파티클을 줄이기 위해 배기 용량을 증가시킨 경우에도, 제해 장치(64)의 대형화를 억제할 수 있다.

또한, 실시형태에 따른 기판 처리 방법은, 기판(웨이퍼(W))에 대하여 처리액을 공급할 때에, 배기를 순환시켜 기판(웨이퍼(W))에 공급하는 공정(단계 S102)과, 처리액의 종류가 전환될 때에, 청정 가스를 기판(웨이퍼(W))에 공급하는 공정(단계 S105)을 포함한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 처리에 이용하는 처리액의 종류를 늘리는 경우, 및 웨이퍼의 처리에서 발생하는 미스트나 파티클을 줄이기 위해 배기 용량을 증가시킨 경우에도, 제해 장치(64)의 대형화를 억제할 수 있다.

보다 나은 효과나 변형예는, 당업자에 의해 용이하게 도출할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범위한 양태는, 이상과 같이 나타내고 또한 기술한 특정 상세 및 대표적인 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 첨부한 특허청구범위 및 그 균등물에 의해 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위에서 일탈하지 않고, 여러 가지 변경이 가능하다.

W : 웨이퍼
1 : 기판 처리 시스템
5 : 배기 처리 시스템
16 : 처리 유닛
18 : 제어부
20, 20A∼20C : 처리실
60 : 청정 가스 공급부
61 : 온습도 조정기
62 : 공급 유로
63 : 배기 유로
64 : 제해 장치
65 : 배출부
70, 70A∼70F : 순환로
80, 80A∼80C : 공급 전환 밸브
90, 90A∼90C : 배기 전환 밸브

Claims

기판 처리 장치에 있어서,
처리실에 청정 가스를 공급하는 공급 유로와,
상기 처리실로부터 배기되는 배기 가스를 외부로 흘려보내는 배기 유로와,
상기 배기 유로를 흐르는 상기 배기 가스를 상기 공급 유로로 되돌리는 순환로와,
상기 배기 유로 또는 상기 순환로에 설치되고, 상기 배기 가스의 유로를 상기 배기 유로와 상기 순환로 사이에서 선택적으로 전환하는 배기 전환 밸브와,
상기 처리실에서 이용되는 처리액의 종류가 전환될 때에, 상기 배기 가스의 유로가 상기 순환로에서 상기 배기 유로로 전환되도록 상기 배기 전환 밸브를 제어하는 제어부
를 포함하는, 기판 처리 장치.
기판 처리 장치에 있어서,
처리실에 청정 가스를 공급하는 공급 유로와,
상기 처리실로부터 배기되는 배기 가스를 외부로 흘려보내는 배기 유로와,
상기 배기 유로를 흐르는 상기 배기 가스를 상기 공급 유로로 되돌리는 순환로와,
상기 공급 유로 또는 상기 순환로에 설치되고, 상기 처리실에 공급되는 가스의 유로를 상기 공급 유로와 상기 순환로 사이에서 선택적으로 전환하는 공급 전환 밸브와,
상기 처리실에서 이용되는 처리액의 종류가 전환될 때에, 상기 처리실에 공급되는 가스의 유로가 상기 순환로에서 상기 공급 유로로 전환되도록 상기 공급 전환 밸브를 제어하는 제어부
를 포함하는, 기판 처리 장치.
제1항에 있어서,
상기 공급 유로 또는 상기 순환로에 설치되고, 상기 처리실에 공급되는 가스의 유로를 상기 공급 유로와 상기 순환로 사이에서 선택적으로 전환하는 공급 전환 밸브를 더 포함하고,
상기 제어부는, 상기 처리실에서 이용되는 처리액의 종류가 전환될 때에, 상기 처리실에 공급되는 가스의 유로가 상기 순환로에서 상기 공급 유로로 전환되도록 상기 공급 전환 밸브를 제어하는 것인, 기판 처리 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 순환로는, 복수의 상기 처리액마다 복수개 설치되는 것인, 기판 처리 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리실은, 복수개 설치되고,
상기 순환로는, 복수의 상기 처리실마다 복수개 설치되는 것인, 기판 처리 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리실은, 복수개 설치되고,
상기 공급 유로와 상기 배기 유로는, 복수의 상기 처리실에 대하여 공통으로 설치되는 것인, 기판 처리 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 배기 유로에는, 상기 배기 가스를 무해화하는 제해(除害) 장치가 설치되는 것인, 기판 처리 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 순환로에는, 상기 배기 가스를 무해화하는 제해 장치가 설치되는 것인, 기판 처리 장치.
기판 처리 방법에 있어서,
기판에 대하여 처리액을 공급할 때에, 배기를 순환시켜 상기 기판에 공급하는 공정과,
상기 처리액의 종류가 전환될 때에, 상기 배기를 외부로 흘려보내는 공정
을 포함하는, 기판 처리 방법.
기판 처리 방법에 있어서,
기판에 대하여 처리액을 공급할 때에, 배기를 순환시켜 상기 기판에 공급하는 공정과,
상기 처리액의 종류가 전환될 때에, 청정 가스를 상기 기판에 공급하는 공정
을 포함하는, 기판 처리 방법.
제9항 또는 제10항에 기재된 기판 처리 방법을 컴퓨터에 실행시키는 프로그램을 기억한 기억 매체.