CN109786285A - 基片处理装置、基片处理方法和存储介质 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种基片处理装置、基片处理方法和存储介质。实施方式的基片处理装置包括供给流路、排气流路、循环路径、排气切换阀和控制部。供给流路向处理室供给清洁气体。排气流路使从处理室排出的排出气体流到外部。循环路径使在排气流路流动的排出气体返回供给流路。排气切换阀设置于排气流路或循环路径，能够在排气流路与循环路径之间选择性地切换排出气体的流路。当处理室中使用的处理液的种类切换时，控制部控制排气切换阀，使得排出气体的流路从循环路径切换至排气流路。即使在增加晶片的处理中使用的处理液的种类增加的情况下，和为了减少晶片的处理中产生的雾或颗粒而增加排气容量的情况下，也能够抑制除害装置大型化。
Description
技术领域
公开的实施方式涉及基片处理装置、基片处理方法和存储介质。
背景技术
以往，在处理半导体晶片(以下也称为晶片)等基片的基片处理装置中，能够使用酸、碱和/或有机溶剂等各种种类的处理液。并且，在使用排气除害装置(以下也称为除害装置)除去有害物质后，含有该处理液的成分的排气被排出到外部(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014-175361号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
但是，在现有的基片处理装置中，在为了增加晶片的处理中使用的处理液的种类而增大排气容量的情况下，和为了减少晶片的处理中产生的雾或颗粒而增大排气容量的情况下，不得不同时增大除害装置。
实施方式的一个方式是鉴于上述内容完成的，其目的在于提供一种基片处理装置，该基片处理装置即使在增加晶片的处理中使用的处理液的种类的情况下，和为了减少晶片的处理中产生的雾或颗粒而增大排气容量的情况下，也能够抑制除害装置大型化。
用于解决技术问题的技术方案
实施方式的一个方式的基片处理装置包括供给流路、排气流路、循环路径、排气切换阀和控制部。上述供给流路向处理室供给清洁气体。上述排气流路使从上述处理室排出的排出气体流到外部。上述循环路径使在上述排气流路流动的上述排出气体返回上述供给流路。上述排气切换阀设置于上述排气流路或上述循环路径，能够在上述排气流路与上述循环路径之间选择性地切换上述排出气体的流路。当上述处理室中使用的处理液的种类切换时，上述控制部控制上述排气切换阀，使得上述排出气体的流路从上述循环路径切换至上述排气流路。
发明效果
依照实施方式的一个方式，在增加晶片的处理中使用的处理液的种类的情况下，和为了减少晶片的处理中产生的雾或颗粒而增大排气容量的情况下，也能够抑制除害装置大型化。
附图说明
图1是表示实施方式的基片处理系统的概略构成的示意图。
图2是表示处理单元的构成的示意图。
图3是表示处理单元的具体的构成例的示意图。
图4是表示实施方式的排气处理系统的概要的图。
图5是表示酸处理时的实施方式的排气处理系统的状态的图。
图6是表示处理液切换处理时的实施方式的排气处理系统的状态的图。
图7是表示有机处理时的实施方式的排气处理系统的状态的图。
图8是表示实施方式的变形例1的排气处理系统的概要的图。
图9是表示酸处理时的实施方式的变形例1的排气处理系统的状态的图。
图10是表示处理液切换处理时的实施方式的变形例1的排气处理系统的状态的图。
图11是表示有机处理时的实施方式的变形例1的排气处理系统的状态的图。
图12是表示实施方式的变形例2的排气处理系统的概要的图。
图13是表示基片处理系统所实施的基片处理的程序的流程图。
附图标记说明
W 晶片
1 基片处理系统
5 排气处理系统
16 处理单元
18 控制部
20、20A～20C 处理室
60 清洁气体供给部
61 温湿度调节机
62 供给流路
63 排气流路
64 除害装置
65 排出部
70、70A～70F 循环路径
80、80A～80C 供给切换阀
90、90A～90C 排气切换阀。
具体实施方式
以下，参照所附附图，对本申请公开的基片处理装置、基片处理方法和存储介质的实施方式进行详细说明。此外，并非利用下文所示的实施方式对本发明进行限定。
<基片处理系统的概要>
首先，参照图1对实施方式的基片处理系统1的概略构成进行说明。图1是表示实施方式的基片处理系统1的概略构成的图。在下文中，为了明确位置关系，规定相互正交的X轴、Y轴和Z轴，将Z轴正方向设为垂直向上的方向。
如图1所示，基片处理系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2和处理站3相邻设置。
送入送出站2包括载体载置部11和运送部12。载体载置部11载置有将多个基片(实施方式中为半导体晶片W(以下称为晶片W))以水平状态收纳的多个载体C。
运送部12与载体载置部11相邻设置，在内部具有基片运送装置13和交接部14。基片运送装置13具有保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片运送装置13能够向水平方向和铅垂方向移动以及以铅垂轴为中心旋转，使用晶片保持机构在载体C与交接部14之间运送晶片W。
处理站3与运送部12相邻设置。处理站3包括运送部15和多个处理单元16。多个处理单元16在运送部15的两侧排列设置。
运送部15在内部具有基片运送装置17。基片运送装置17具有保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片运送装置17能够向水平方向和铅垂方向移动以及以铅垂轴为中心旋转，使用晶片保持机构在交接部14与处理单元16之间运送晶片W。
处理单元16对由基片运送装置17运送的晶片W进行规定的基片处理。
另外，基片处理系统1具有控制装置4。控制装置4例如是计算机，包括控制部18和存储部19。存储部19储存有控制在基片处理系统1中执行的各种处理的程序。控制部18通过读取并执行存储在存储部19的程序来控制基片处理系统1的动作。
此外，该程序是存储在计算机可读取的存储介质中的程序，也可以是从该存储介质安装到控制装置4的存储部19的程序。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
在如上所述构成的基片处理系统1中，首先，送入送出站2的基片运送装置13从载置于载体载置部11的载体C取出晶片W，并将取出的晶片W载置到交接部14。利用处理站3的基片运送装置17将载置于交接部14的晶片W从交接部14取出，并送入处理单元16。
送入到处理单元16的晶片W被处理单元16处理后，利用基片运送装置17将其从处理单元16送出，并载置到交接部14。然后，利用基片运送装置13将载置于交接部14的处理完毕的晶片W送回载体载置部11的载体C。
而且，基片处理系统1具有排气处理系统5(参照图4)。该排气处理系统5与处理单元16连接，向与其连接的处理单元16内供给清洁气体，并将处理单元16内的气氛排出。排气处理系统5的详情将在后文叙述。
<处理单元的概要>
接着，参照图2对处理单元16的概要进行说明。图2是表示处理单元16的构成的示意图。如图2所示，处理单元16包括：处理室20、基片保持机构30、处理流体供给部40和回收杯50。
处理室20收纳基片保持机构30、处理流体供给部40和回收杯50。在处理室20的顶部设置有风机过滤机组(FFU：Fan Filter Unit)21。FFU21形成供给到处理室20内的清洁气体的下降流(down flow)。
基片保持机构30包括保持部31、支柱部32和驱动部33。保持部31用于水平地保持晶片W。支柱部32是沿着铅垂方向延伸的部件，其基端部被驱动部33可旋转地支承，在前端部水平地支承保持部31。驱动部33用于使支柱部32绕铅垂轴旋转。
该基片保持机构30中，通过使用驱动部33使支柱部32旋转，使支承于支柱部32的保持部31旋转，由此使保持于保持部31的晶片W旋转。
处理流体供给部40对晶片W供给处理流体。处理流体供给部40与处理流体供给源46连接。
回收杯50以包围保持部31的方式配置，通过保持部31的旋转来收集从晶片W飞散的处理液。在回收杯50的底部形成有排液口51，由回收杯50收集的处理液从该排液口51被排出到处理单元16的外部。另外，在回收杯50的底部形成有将从FFU21供给的清洁气体向处理单元16的外部排出的排气口52。
接着，参照图3，对处理单元16的具体的构成例进行说明。图3是表示处理单元16的具体的构成例的示意图。
如图3所示，在基片保持机构30所具有的保持部31的上表面，设置有从侧面保持晶片W的保持部件311。利用该保持部件311将晶片W以与保持部31的上表面略微分离的状态保持为水平。此外，将晶片W以要进行基片处理的表面朝向上方的状态保持在保持部31。
处理流体供给部40包括：多个(此处为4个)喷嘴41a～41d；水平地支承该喷嘴41a～41d的臂42；和使臂42旋转和升降的旋转升降机构43。
喷嘴41a经由阀44a和流量调节器45a与酸系处理液供给源46a连接。在酸系处理液供给源46a贮存有例如DHF(Diluted HydroFluoric acid：稀氢氟酸)等用于处理晶片W的酸系处理液。此外，该酸系处理液不限于DHF，也可以使用其他酸系处理液。
喷嘴41b经由阀44b和流量调节器45b与碱系处理液供给源46b连接。在碱系处理液供给源46b贮存有例如SC1(氨、过氧化氢和水的混合液)等用于处理晶片W的碱系处理液。此外，该碱系处理液不限于SC1，也可以使用其他碱系处理液。
喷嘴41c经由阀44c和流量调节器45c与有机系处理液供给源46c连接。在有机系处理液供给源46c贮存有例如IPA(IsoPropyl Alcohol：高纯度异丙醇)等用于处理晶片W的有机系处理液。此外，该有机系处理液不限于IPA，也可以使用其他有机系处理液。
喷嘴41d经由阀44d和流量调节器45d与DIW供给源46d连接。DIW(DeIonizedWater：去离子水)例如用于处理液切换处理。此外，用于处理液切换处理的处理液不限于DIW。
从喷嘴41a排出由酸系处理液供给源46a供给的DHF。从喷嘴41b排出由碱系处理液供给源46b供给的SC1。从喷嘴41c排出由有机系处理液供给源46c供给的IPA。从喷嘴41d排出由DIW供给源46d供给的DIW。
<排气处理系统的概要>
接下来，参照图4，对基片处理系统1的用于处理排气的排气处理系统5的概略构成进行说明。图4是表示实施方式的排气处理系统5的概要的图。
如图4所示，基片处理系统1的用于处理排气的排气处理系统5向多个处理单元16的处理室20A～20C内供给清洁气体，并将处理室20A～20C内的气氛排出。此外，在后文中，在对处理室20A～20C进行统称时，也称为“处理室20”。
排气处理系统5包括：清洁气体供给部60、多个温湿度调节机(TH)61、供给流路62、排气流路63、除害装置64、排出部65、循环路径70A～70C、供给切换阀80A～80C和排气切换阀90A～90C。此外，基片处理系统1例如包括温湿度调节机61、供给流路62的一部分、排气流路63的一部分、除害装置64、循环路径70A～70C、供给切换阀80A～80C和排气切换阀90A～90C。
清洁气体供给部60与供给流路62连接，向该供给流路62供给清洁的空气和清洁的氮气等清洁气体。清洁气体供给部60例如设置于有基片处理系统1运转的工厂等。
温湿度调节机61设置于供给流路62和循环路径70A～70C，将通过该供给流路62和循环路径70A～70C的清洁气体的温度和湿度调节为规定的值。
供给流路62从清洁气体供给部60经由供给切换阀80A(或供给切换阀80B、80C)和FFU21A(或FFU21B、FFU21C)，而与处理室20A(或处理室20B、20C)连接。并且，该供给流路62向多个处理室20供给来自清洁气体供给部60的清洁气体。
此外，在后文中，在对供给切换阀80A～80C和FFU21A～21C进行统称时，称为“供给切换阀80”和“FFU21”。另外，在图4的例子中，示出了供给切换阀80、FFU21和处理室20各设置有3个的例子，不过供给切换阀80、FFU21和处理室20的数量不限于各3个。
供给切换阀80设置于供给流路62，并与循环路径70A～70C连接。此外，在实施方式中，示出了供给切换阀80设置于供给流路62的例子，不过供给切换阀80也可以不设置于供给流路62而设置于循环路径70A～70C。并且，供给切换阀80由控制部18控制，能够在供给流路62与循环路径70A～70C之间选择性地切换向处理室20供给的气体的流路。
排气流路63从处理室20A(或处理室20B、20C)的排气口52经由排气切换阀90A(或排气切换阀90B、90C)和除害装置64，而与排出部65连接。并且，该排气流路63将来自多个处理室20的排出气体排出到排出部65。此外，在后文中，在对排气切换阀90A～90C进行统称时，称为“排气切换阀90”。
排气切换阀90设置于排气流路63，并与循环路径70A～70C连接。此外，在实施方式中，示出了排气切换阀90设置于排气流路63的例子，不过排气切换阀90也可以不设置于排气流路63而设置于循环路径70A～70C。并且，排气切换阀90由控制部18控制，能够在排气流路63与循环路径70A～70C之间选择性地切换从处理室20排出的排出气体的流路。
除害装置64设置于排气流路63，从通过该排气流路63内的排出气体中除去有害物质，使经无害的排出气体流到排出部65。排出部65将从处理室20排出的排出气体排出到外部。排出部65例如为减压气氛的工厂排气系统。
循环路径70A～70C各自形成循环回路。循环路径70A～70C例如包括：含有酸系处理液的排出气体流动的循环路径70A；含有碱系处理液的排出气体流动的循环路径70B；和含有有机系处理液的排出气体流动的循环路径70C。
并且，循环路径70A～70C中，使通过排气流路63并从排气切换阀90选择性地流入的排出气体经由供给切换阀80返回到供给流路62。此外，在后文中，在对循环路径70A～70C进行统称时，称为“循环路径70”。
接下来，参照图5～图7，对实施方式的使用排气处理系统5的排气处理的详情进行说明。此处，对如下所述的情况下的排气处理进行说明，即：对送入处理室20A的晶片W首先进行使用DHF的酸处理，接着，进行使用DIW的处理液切换处理，最后进行使用IPA的有机处理，并将晶片W从处理室20A送出。另外，在之后的附图中，用加粗的虚线表示向处理室20A供给并从处理室20A排出的气体的流路。
图5是表示酸处理时的实施方式的排气处理系统5的状态的图。如图5所示，当在处理室20A进行使用DHF的酸处理(步骤S10)时，利用控制部18将供给切换阀80A切换至循环路径70A侧(步骤S11)，并且将排气切换阀90A切换至循环路径70A侧(步骤S12)。
由此，从处理室20A排出的排出气体使用酸用的循环路径70A循环(步骤S13)。此时，因为在酸用的循环路径70A仅有含有DHF的排出气体流动，所以即使将从循环路径70A经由供给切换阀80A供给的排出气体再次供给到处理室20A，也能够基本无问题地进行酸处理。
图6是表示处理液切换处理时的实施方式的排气处理系统5的状态的图。在图5所示的酸处理结束后，在从酸系处理液切换为有机系处理液的处理液切换处理中，向处理室20A内的晶片W上供给DIW(步骤S14)。
并且，在进行该处理液切换处理时，利用控制部18将供给切换阀80A切换至供给流路62侧(步骤S15)，并且将排气切换阀90A切换至排气流路63侧(步骤S16)。由此，来自清洁气体供给部60的清洁气体被供给到处理室20A(步骤S17)，并且来自处理室20A的排出气体被排出到外部(此处为排出部65)(步骤S18)。
通过这样切换供给切换阀80A和排气切换阀90A，能够将含有此前在处理室20A使用的酸系处理液的排出气体从处理室20A内排出。因而，能够抑制含有此前使用的酸系处理液的排出气体与含有之后使用的其他种类的处理液(此处为有机系处理液)的排出气体混杂。
图7是表示有机处理时的实施方式的排气处理系统5的状态的图。在图6所示的处理液切换处理结束后，当在处理室20A进行使用IPA的有机处理(步骤S19)时，利用控制部18将供给切换阀80A切换至循环路径70C侧(步骤S20)，并且将排气切换阀90A切换至循环路径70C侧(步骤S21)。
由此，从处理室20A排出的排出气体在有机用的循环路径70C循环(步骤S22)。此时，因为在有机用的循环路径70C仅有含有IPA的排出气体流动，所以即使将从循环路径70C经由供给切换阀80A供给的排出气体再次供给至处理室20A，也能够基本无问题地进行有机处理。
最后，将有机处理后的晶片W从处理室20A送出。此时，如图6所示，控制供给切换阀80A和排气切换阀90A，使来自清洁气体供给部60的清洁气体供给至处理室20A，并将来自处理室20A的排出气体排出到外部。
如以上说明的那样，在实施方式中，当在处理室20内进行利用酸系处理液、碱系处理液或有机系处理液等处理液的处理时，使排出气体在与所使用的处理液对应的多个循环路径70循环。由此，即使在晶片W的处理中使用的处理液的种类增加的情况下，在进行使用处理液的处理本身时，不需要除害装置64动作。
即，在实施方式中，仅在处理液切换处理中使用除害装置64，因此，除害装置64只具有与之相应的除害处理能力即可。因而，依照实施方式，即使在晶片W的处理中使用的处理液的种类增加的情况下，也能够抑制除害装置64大型化。
另外，在实施方式中，设置有酸系处理液、碱系处理液、有机系处理液等处理液各自的循环路径70A～70C。由此，能够抑制含有不同种类的处理液的排出气体在各循环路径70A～70C混杂。
即，在实施方式中，能够抑制由于含有不同种类的处理液的排出气体混杂而生成雾或颗粒等反应生成物，并因该反应生成物而对基片处理系统1内的工序造成不良影响。因而，依照实施方式，即使在为了减少晶片W的处理中产生的雾或颗粒而增大排气容量的情况下，也能够抑制除害装置64大型化。
此外，在实施方式中，给出了设置3个循环路径70的例子，但循环路径70的数量不限于3个，可以根据处理液的种类设置任意数量。
另外，在实施方式中，对多个处理室20A～20C设置了共用的供给流路62和排气流路63。由此，能够简单地形成基片处理系统1或工厂中的配管系统。
另外，在实施方式中，在排气流路63设置有除害装置64。由此，能够使排出气体变得无害后排出到排出部65。作为除害装置64，例如可以使用水洗涤装置或化学过滤器(chemical filter)式的除害装置、药液燃烧式的除害装置等。
此外，在实施方式中，也可以另行设置酸系处理液、碱系处理液、有机系处理液等处理液各自的排气流路63，在排气流路63中排气切换阀90的下游侧设置另外的排气切换阀，使排出气体从该另外的排气切换阀选择性地流入各处理液的排气流路63，从而省略除害装置64。
<变形例>
接下来，对上述实施方式的各种变形例进行说明。图8是表示实施方式的变形例1的排气处理系统5的概要的图。
在上述实施方式中，给出了按照不同种类的处理液设置循环路径70A～70C的例子，但循环路径70不一定必须按照不同种类的处理液设置，例如也可以如图8所示，按照不同的处理室20设置循环路径70D～70F。
具体而言，在变形例1的排气处理系统5中，设置有：使从处理室20A排出的排出气体循环的循环路径70D；使从处理室20B排出的排出气体循环的循环路径70E；和使从处理室20C排出的排出气体循环的循环路径70F。
即，循环路径70D与设置于处理室20A的上游侧的供给切换阀80A和设置于处理室20A的下游侧的排气切换阀90A连接。另外，循环路径70E与设置于处理室20B的上游侧的供给切换阀80B和设置于处理室20B的下游侧的排气切换阀90B连接。
并且，循环路径70F与设置于处理室20C的上游侧的供给切换阀80C和设置于处理室20C的下游侧的排气切换阀90C连接。另外，与实施方式同样，在循环路径70D～70F分别设置有温湿度调节机61。此外，在后文中，在对循环路径70D～70F进行统称时，称为“循环路径70”。
接着，参照图9～图11，对使用变形例1的排气处理系统5的排气处理的详情进行说明。此处，与实施方式同样，对在如下所述的情况下的排气处理进行说明，即：对送入处理室20A的晶片W首先进行使用DHF的酸处理，接着，进行使用DIW的处理液切换处理，最后进行使用IPA的有机处理，并将晶片W从处理室20A送出。
图9是表示酸处理时的实施方式的变形例1的排气处理系统5的状态的图。如图9所示，当在处理室20A进行使用DHF的酸处理(步骤S30)时，利用控制部18将供给切换阀80A切换至循环路径70D侧(步骤S31)，并且将排气切换阀90A切换至循环路径70D侧(步骤S32)。
由此，使从处理室20A排出的排出气体在处理室20A用的循环路径70D循环(步骤S33)。此时，因为在循环路径70D仅有含有DHF的排出气体流动，所以即使将从循环路径70D经由供给切换阀80A供给的排出气体再次供给到处理室20A，也能够基本无问题地进行酸处理。
图10是表示处理液切换处理时的实施方式的变形例1的排气处理系统5的状态的图。在图9所示的酸处理结束后，在从酸系处理液切换为有机系处理液的处理液切换处理中，向处理室20A内的晶片W上供给DIW(步骤S34)。
并且，在进行该处理液切换处理时，利用控制部18将供给切换阀80A切换至供给流路62侧(步骤S35)，并且将排气切换阀90A切换至排气流路63侧(步骤S36)。由此，将来自清洁气体供给部60的清洁气体供给至处理室20A(步骤S37)，并且将来自处理室20A的排出气体排出到外部(此处为排出部65)(步骤S38)。
通过这样切换供给切换阀80A和排气切换阀90A，能够将含有此前在处理室20A使用的酸系处理液的排出气体从处理室20A内排出。因而，能够抑制含有此前使用的酸系处理液的排出气体与含有之后使用的其他种类的处理液(此处为有机系处理液)的排出气体混杂。
此外，在变形例1中，在切换处理液时，将供给切换阀80与循环路径70侧连接，并且将排气切换阀90与排气流路63侧连接。然后，将排气切换阀90切换至循环路径70侧，并将供给切换阀80切换至供给流路62侧，使清洁气体在循环路径70流通。之后，也可以将排气切换阀90切换至排气流路63侧，使排出气体流到外部。由此，能够将循环路径70内置换为清洁气体。
图11是表示有机处理时的实施方式的变形例1的排气处理系统5的状态的图。在图10所示的处理液切换处理结束后，当在处理室20A进行使用IPA的有机处理(步骤S39)时，利用控制部18将供给切换阀80A切换至循环路径70D侧(步骤S40)，并且将排气切换阀90A切换至循环路径70D侧(步骤S41)。
由此，使从处理室20A排出的排出气体在处理室20A用的循环路径70D循环(步骤S42)。此时，因为在循环路径70D仅有含有IPA的排出气体流动，所以即使将从循环路径70D经由供给切换阀80A供给的排出气体再次供给至处理室20A，也能够基本无问题地进行有机处理。
最后，将有机处理后的晶片W从处理室20A送出。此时，如图10所示的那样，控制供给切换阀80A和排气切换阀90A，将来自清洁气体供给部60的清洁气体供给至处理室20A，并将来自处理室20A的排出气体排出到外部。
如以上说明所示，在变形例1中，按照多个处理室20设置专用的循环路径70，当在处理室20内进行使用处理液的处理时，使排出气体在处理室20用的循环路径70循环。
由此，能够抑制由于在一个处理室20切换处理液时产生的压力变动，而在其他处理室20发生排出气体的逆流或泄漏等。其原因在于，循环路径70D～70F各自形成了独立的流路。
另外，在变形例1中，在排气流路63设置有除害装置64。由此，能够将使排出气体变得无害后排出到排出部65。
此外，在变形例1中，也可以另行设置酸系处理液、碱系处理液、有机系处理液等处理液各自的排气流路63，在排气流路63中排气切换阀90的下游侧设置其他排气切换阀，使排出气体从其他的排气切换阀选择性地流入各处理液的排气流路63，从而省略除害装置64。
接下来，参照图12，对变形例2的排气处理系统5进行说明。图12是表示实施方式的变形例2的排气处理系统5的概要的图。
如图12所示，变形例2的排气处理系统5使从处理室20A～20C排出的排出气体全部流入一个循环路径70，使用设置在该循环路径70的除害装置64使排出气体变得无害。之后，变得无害后的排出气体经由循环路径70返回供给流路62，通过温湿度调节机61对其温度和湿度进行调节后，供给至处理室20A～20C。
通过像这样使用除害装置64使在处理室20中使用的气体全部变得无害并再次供给至处理室20，则基本上不再需要清洁气体供给部60和排出部65，因此能够简单地构成配管系统。
此外，在变得无害后的排出气体中所含有的处理液的浓度较高的情况下，可以如图12所示，将清洁气体从清洁气体供给部60供给至供给流路62。另外，为了调节在循环路径70流动的排出气体的风量，也可以从排气流路63向排出部65排出排出气体。
另外，在变形例2中，给出了设置1个循环路径70的例子，但变形例2中的循环路径70的数量不限于1个。例如，也可以如实施方式所示的那样，按照不同种类的处理液设置多个循环路径70。在该情况下，在处理室20与多个循环路径70之间设置排气切换阀90，使排出气体从该排气切换阀90选择性地流入各处理液的循环路径70即可。在该情况下，除害装置64能够设为根据药液的不同而具有不同的除害能力。
另外，也可以如变形例1所示的那样，按照多个处理室20设置多个循环路径70。此外，如上所述，在按照处理液或处理室20设置多个循环路径70的情况下，分别在多个循环路径70设置除害装置64即可。
<基片处理的详情>
接下来，参照图13，对实施方式的基片处理的详情进行说明。图13是表示基片处理系统1所执行的基片处理程序的流程图。首先，控制部18控制基片运送装置13和基片运送装置17，将晶片W送入处理单元16的处理室20(步骤S101)。
接着，控制部18控制供给切换阀80和排气切换阀90，利用规定的循环路径70使来自处理室20的排出气体循环，并将该排出气体供给到晶片W(步骤S102)。之后，控制部18控制处理单元16，向晶片W供给规定的药液，利用该药液处理晶片W(步骤S103)。
接着，控制部18判断是否要切换向晶片W供给的药液的种类(步骤S104)。在要切换药液的种类的情况下(步骤S104：是(Yes))，控制部18控制供给切换阀80，从供给流路62向晶片W供给清洁气体(步骤S105)，并且控制排气切换阀90，使排出气体从排气流路63流向外部(排出部65)(步骤S106)。
随后，控制部18判断药液切换处理是否完成(步骤S107)，在药液切换处理完成的情况下(步骤S107：是)，返回步骤S102的处理。另一方面，在药液切换处理未完成的情况下(步骤S107：否(No))，继续进行步骤S105和S106的处理。
另外，在步骤S104中不切换药液的种类的情况下(步骤S104：否)，控制部18控制基片运送装置17和基片运送装置13，将晶片W从处理单元16送出(步骤S108)，处理结束。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明不限于上述实施方式，能够在不脱离其宗旨的情况下进行各种改变。例如，在实施方式中，给出了在处理单元16(即处理室20)中对晶片W进行液处理的情况，但在处理单元16中进行的处理不限于液处理。
实施方式的基片处理装置包括供给流路62、排气流路63、循环路径70、排气切换阀90和控制部18。供给流路62向处理室20供给清洁气体。排气流路63使从处理室20排出的排出气体流到外部(排出部65)。循环路径70使在排气流路63流动的排出气体返回供给流路62。排气切换阀90设置于排气流路63或循环路径70，能够在排气流路63与循环路径70之间选择性地切换排出气体的流路。在处理室20中所使用的处理液的种类切换时，控制部18控制排气切换阀90，使得排出气体的流路从循环路径70切换为排气流路63。由此，即使在晶片W的处理中使用的处理液的种类增加的情况下，和为了减少晶片的处理中产生的雾或颗粒而增大排气容量的情况下，也能够抑制除害装置64大型化。
另外，实施方式的基片处理装置包括供给流路62、排气流路63、循环路径70、供给切换阀80和控制部18。供给流路62向处理室20供给清洁气体。排气流路63使从处理室20排出的排出气体流到外部(排出部65)。循环路径70使在排气流路63流动的排出气体返回供给流路62。供给切换阀80设置于供给流路62或循环路径70，能够在供给流路62与循环路径70之间选择性切换向处理室20供给的气体的流路。在处理室20中使用的处理液的种类切换时，控制部18控制供给切换阀80，使得将向处理室20供给的气体的流路从循环路径70切换至供给流路62。由此，即使在晶片W的处理中使用的处理液的种类增加的情况下，和为了减少晶片的处理中产生的雾或颗粒而增大排气容量的情况下，也能够抑制除害装置64大型化。
另外，在实施方式的基片处理装置中，按照多个处理液设置有多个循环路径70A～70C。由此，能够抑制由于含有不同种类的处理液的气体混杂而生成反应生成物，并由于该反应生成物对基片处理系统1内的工序造成不良影响。
另外，在实施方式的基片处理装置中，设有多个处理室20A～20C，并按照多个处理室20A～20C设有多个循环路径70D～70F。由此，能够抑制因在一个处理室20切换处理液时所产生的压力变动而导致在其他处理室20发生排出气体的逆流或泄漏等。
另外，在实施方式的基片处理装置中，设置有多个处理室20A～20C，对多个处理室20A～20C设置共用的供给流路62和排气流路63。由此，能够简单地形成基片处理系统1或工厂中的配管系统。
另外，在实施方式的基片处理装置中，在排气流路63设置有使排出气体变得无害的除害装置64。在设置多个除害装置64的情况下，通过安装分别具有适宜的除害能力的除害装置，能够抑制除害装置64大型化。由此，能够使排出气体变得无害后排出到排出部65。
另外，在实施方式的基片处理装置中，在循环路径70设置有用于使排出气体变得无害的除害装置64。由此，能够将变得无害后的排出气体再次供给至处理室20。
另外，实施方式的基片处理方法包括：在对基片(晶片W)供给处理液时，使排气循环并供给到基片(晶片W)的工序(步骤S102)；和在处理液的种类切换时，使排气流到外部(排出部65)的工序(步骤S106)。由此，即使在晶片W的处理中使用的处理液的种类增加的情况下，画为了减少晶片的处理中产生的雾或颗粒而增大排气容量的情况下，也能够抑制除害装置64大型化。
另外，实施方式的基片处理方法包括：在对基片(晶片W)供给处理液时，使排气循环并供给到基片(晶片W)的工序(步骤S102)；和在切换处理液的种类时，向基片(晶片W)供给清洁气体的工序(步骤S105)。由此，即使在晶片W的处理中使用的处理液的种类增加的情况下，和为了减少晶片的处理中产生的雾或颗粒而增大排气容量的情况下，也能够抑制除害装置64大型化。
其余的效果或变形例能够由本领域技术人员容易地推导得到。因此，本发明的更广范围的方式不限于上文所示并记述的特定的详细内容和代表性的实施方式。因而，在不脱离由所附的权利要求的范围及其等同物所定义的总括性的发明概念的精神或范围的前提下，能够进行各种改变。
Claims (11)
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
向处理室供给清洁气体的供给流路；
排气流路，其使从所述处理室排出的排出气体流到外部；
循环路径，其使在所述排气流路流动的所述排出气体返回所述供给流路；
排气切换阀，其设置于所述排气流路或所述循环路径，能够在所述排气流路与所述循环路径之间选择性地切换所述排出气体的流路；和
控制部，当所述处理室中使用的处理液的种类切换时，其控制所述排气切换阀，使得所述排出气体的流路从所述循环路径切换至所述排气流路。
2.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
向处理室供给清洁气体的供给流路；
排气流路，其使从所述处理室排出的排出气体流到外部；
循环路径，其使在所述排气流路流动的所述排出气体返回所述供给流路；
供给切换阀，其设置于所述供给流路或所述循环路径，能够在所述供给流路与所述循环路径之间选择性地切换向所述处理室供给的气体的流路；和
控制部，当所述处理室中使用的处理液的种类切换时，其控制所述供给切换阀，使得向所述处理室供给的气体的流路从所述循环路径切换至所述供给流路。
3.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
还包括供给切换阀，其设置于所述供给流路或所述循环路径，能够在所述供给流路与所述循环路径之间选择性地切换向所述处理室供给的气体的流路，
当所述处理室中使用的处理液的种类切换时，所述控制部控制所述供给切换阀，使得向所述处理室供给的气体的流路从所述循环路径切换至所述供给流路。
4.如权利要求1～3的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
按照多个所述处理液设置有多个所述循环路径。
5.如权利要求1～3的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
设置有多个所述处理室，
按照多个所述处理室设置有多个所述循环路径。
6.如权利要求1～3的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
设置有多个所述处理室，
所述供给流路和所述排气流路以多个所述处理室共用的方式设置。
7.如权利要求1～3的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
在所述排气流路设置有使所述排出气体变得无害的除害装置。
8.如权利要求1～3的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
在所述循环路径设置有使所述排出气体变得无害的除害装置。
9.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
在对基片供给处理液时，使排气循环而将其供给到所述基片的工序；和
在切换所述处理液的种类时，使所述排气流到外部的工序。
10.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
在对基片供给处理液时，使排气循环而将其供给到所述基片的工序；和
在所述处理液的种类切换时，向所述基片供给清洁气体的工序。
11.一种存储介质，其特征在于：
存储有使计算机执行权利要求9或10所述的基片处理方法的程序。
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