KR20180128375A - 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 - Google Patents

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가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭
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Abstract

기판 처리 장치를 소형화하는 기술을 제공한다.
기판이 기판 보지구(保持具)에 이재되는 이재실; 상기 이재실의 상부 영역에 제1 가스 공급구로부터 가스를 공급하는 상부 가스 공급 기구; 및 상기 상부 가스 공급 기구의 하방에 설치되고, 상기 이재실의 하부 영역에 제2 가스 공급구로부터 가스를 공급하는 하부 가스 공급 기구;를 구비하고, 상기 상부 가스 공급 기구는, 제1 가스 공급구의 배면에 형성된 제1 버퍼실; 상기 제1 버퍼실의 측면에 형성된 상부 덕트; 및 상기 상부 덕트의 하단에 설치된 제1 공급부;를 포함한다.

Description

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROGRAM}
본 발명은 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 장치의 제조 공정에서 이용되는 종형(縱型) 기판 처리 장치는 웨이퍼를 처리하는 처리실의 하방(下方)측에 설치되며 기판 보지구(保持具)로 웨이퍼를 장전(loading)하거나 탈장(unloading)하는 것을 수행하기 위한 이재실을 구비한다. 이재실 내에는 한 쪽의 측벽을 따라 클린 유닛이 설치된다. 클린 유닛으로부터 이재실 내로 클린 에어를 분출(吹出)하는 것에 의해 이재실 내에 에어 플로우가 형성되도록 이루어진다(예컨대 특허문헌1 참조).
특허문헌1. 일본 특개 2002-175999호 공보
하지만 전술한 종래 기술에 의한 이재실의 구성에서는 기판 처리 장치를 소형화하는 것이 곤란한 경우가 있다.
본 발명의 목적은 기판 처리 장치를 소형화하는 것이 가능한 기술을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 일 형태에 의하면, 기판이 기판 보지구(保持具)에 이재되는 이재실; 상기 이재실의 상부 영역에 제1 가스 공급구로부터 가스를 공급하는 상부 가스 공급 기구; 및 상기 상부 가스 공급 기구의 하방에 설치되고, 상기 이재실의 하부 영역에 제2 가스 공급구로부터 가스를 공급하는 하부 가스 공급 기구;를 구비하고, 상기 상부 가스 공급 기구는, 제1 가스 공급구의 배면에 형성된 제1 버퍼실; 상기 제1 버퍼실의 측면에 형성된 상부 덕트; 및 상기 상부 덕트의 하단에 설치된 제1 공급부;를 포함하는 기술이 제공된다.
본 발명에 의하면, 기판 처리 장치를 소형화하는 것이 가능해진다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태로서 바람직하게 이용되는 기판 처리 장치의 개략적인 구성예를 도시하는 사투시도(斜透視圖).
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에 이용되는 처리로의 구성예를 도시하는 종단면도(縱斷面圖).
도 3은 본 발명의 제1 실시 형태로서 바람직하게 이용되는 기판 처리 장치의 이재실의 구성예와 가스 플로우를 도시하는 종단면도.
도 4의 (a)는 본 발명의 제1 실시 형태로서 바람직하게 이용되는 기판 처리 장치의 이재실의 가스 공급 기구의 구성예를 도시하는 평면도. 도 4의 (b)는 가스 공급 기구의 구성예를 도시하는 측면도.
도 5는 도 3의 a-a선을 따른 단면의 개략적인 구성을 나타내는 도면.
도 6은 도 3의 c-c선을 따른 단면의 개략적인 구성을 나타내는 도면.
도 7은 본 발명의 제1 실시 형태로서 바람직하게 이용되는 클린 유닛의 사시도.
도 8의 (a)는 제1 클린 유닛의 가스 흐름을 설명하기 위한 개략적인 도면이고, 도 8의 (b)는 제2 클린 유닛의 가스 흐름을 설명하기 위한 개략적인 도면.
도 9는 풍향판을 설명하기 위한 도면.
도 10은 클린 유닛에 풍향판을 설치한 도면.
도 11은 종래 구성을 설명하기 위한 도면.
<본 발명의 제1 실시 형태>
이하에 본 발명의 제1 실시 형태에 대해서 주로 도 1 내지 도 2를 참조하여 설명한다.
(1) 기판 처리 장치의 구성
도 1에 도시하는 바와 같이, 기판 처리 장치(10)는 내부에 처리로(40) 등의 주요부가 배치되는 광체[筐體(12)]를 구비한다. 광체(12)의 정면측에는 포드 스테이지(18)가 배치된다. 포드 스테이지(18)는 도시되지 않는 외부 반송 장치와의 사이에 웨이퍼(14)(기판)를 수납하는 기판 수납 도구로서의 후프(16)(포드)의 수수(授受)를 수행한다.
광체(12) 내의 정면측이며 포드 스테이지(18)에 대향하는 위치에는, 포드 반송 장치(20), 포드 선반(22) 및 포드 오프너(24)가 배치된다. 포드 반송 장치(20)는 포드 스테이지(18)와 포드 선반(22)과 포드 오프너(24)의 사이에서 포드(16)를 반송하도록 구성된다. 포드 선반(22)은 복수 단의 선반판을 포함하고, 포드(16)를 복수 개 재치(載置)한 상태에서 보지한다.
포드 오프너(24)보다도 광체(12) 내의 배면측에는, 기판 반송실(80)과 이재실(50)이 인접해서 형성된다. 이재실(50)에 대해서는 상세를 후술한다.
기판 반송실(80) 내에는, 기판 반송 기구로서의 기판 이재기(28)가 배치된다. 이재실(50) 내에는, 기판 보지구로서의 보트(30)가 배치된다. 기판 이재기(28)는 웨이퍼(14)를 취출(取出)할 수 있는 암(32)(트위저)을 포함한다. 기판 이재기(28)는 암(32)을 상하 회전 동작시키는 것에 의해 포드 오프너(24)에 재치된 포드(16)와 보트(30) 사이에 웨이퍼(14)를 반송시키도록 구성된다. 보트(30)는 복수 매(예컨대 25장 내지 150장 정도)의 웨이퍼(14)를 수평 자세로 종방향으로 다단 보지하도록 구성된다. 보트(30)의 하방에는 단열부(75)가 설치된다. 단열부(75)는 예컨대 석영이나 SiC 등의 단열 효과를 포함하는 내열성 재료로 형성되고, 예컨대 단열판(74)에 의해 구성된다. 또한 단열부(75)는 단열판(74) 대신에 통 형상[筒狀]의 부재로서 구성된 단열통을 포함해도 좋다. 보트(30) 및 단열판(75)은 승강 기구로서의 보트 엘리베이터(34)에 의해 승강되도록 구성된다.
광체(12) 내의 배면측 상부, 즉 이재실(50)의 상방(上方)측에는 처리로(40)가 배치된다. 처리로(40) 내에는 보트(30)가 하방으로부터 반입된다.
이재실(50)의 천정[天井]에는 보트(30)가 통과할 수 있는 형상 및 크기를 가지며 후술하는 처리실(42) 내에 연통(連通)하는 웨이퍼 반입 반출구(51)가 설치된다.
<처리로>
도 2에 도시하는 바와 같이, 처리로(40)는 대략 원통 형상의 반응관(41)을 구비한다. 반응관(41)은 예컨대 석영(SiO2)이나 탄화규소(SiC) 등의 내열성을 포함하는 비금속 재료로부터 구성되고, 상단부가 폐색(閉塞)되고, 하단부가 개방된 형상으로 구성된다.
반응관(41)의 내부에는 처리실(42)이 형성된다. 처리실(42) 내에 수용되는 보트(30)는 회전 기구(43)에 의해 회전축(44)을 회전시키는 것에 의해 복수의 웨이퍼(14)를 탑재한 상태에서 회전 가능하도록 구성된다.
반응관(41)의 하방에는 이 반응관(41)과 동심원 형상으로 매니폴드(45)가 배설된다. 매니폴드(45)는 예컨대 스텐레스 강철 등의 금속 재료로 구성된 원통 형상이다. 매니폴드(45)에 의해 반응관(41)은 하단부측으로부터 종방향으로 지지된다. 매니폴드(45)의 하단부는 씰 캡(46) 또는 셔터(64)에 의해 기밀하게 봉지되도록 구성된다. 씰 캡(46) 및 셔터(64)의 상면에는, 처리실(42) 내를 기밀하게 봉지하는 O링 등의 봉지 부재(46a)가 설치된다. 매니폴드(45)에는 처리실(42) 내에 처리 가스나 퍼지 가스 등을 도입하기 위한 가스 도입관(47)과 처리실(42) 내의 가스를 배기하기 위한 배기관(48)이 각각 접속된다.
가스 도입관(47)에는 상류 방향으로부터 순서대로 처리 가스의 유량을 제어하는 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC) 및 개폐 밸브인 밸브가 설치된다. 가스 도입관(47)의 선단에는 노즐이 접속되고, MFC, 밸브 및 노즐을 개재하여 처리실(42) 내에 처리 가스가 공급된다.
배기관(48)은 처리실(42) 내의 압력을 검출하는 압력 검출기(압력검출부)로서의 압력 센서(미도시) 및 압력 조정기(압력 조정부)로서의 APC(Automatic Pressure Controller)밸브를 개재하여 진공 배기 장치로서의 진공 펌프에 접속된다.
반응관(41)의 외주에는 반응관(41)과 동심원 형상으로 가열 수단(가열 기구)으로서의 히터 유닛(49)이 배치된다.
반응관(41) 내에는 온도 검출기로서의 온도 센서(미도시)가 설치된다. 온도 센서에 의해 검출된 온도 정보에 기초하여 히터(49)로의 통전 상태를 조정하는 것에 의해 처리실(42) 내의 온도가 원하는 온도 분포가 되도록 구성된다.
회전 기구(43), 보트 엘리베이터(34), MFC, 밸브, APC밸브 및 가스 공급 기구에는 이들을 제어하는 컨트롤러(121)가 접속된다. 컨트롤러(121)는 예컨대 CPU를 구비한 마이크로프로세서(컴퓨터)로 이루어지고, 기판 처리 장치(10)의 동작을 제어하도록 구성된다. 컨트롤러(121)에는 예컨대 터치패널 등으로서 구성된 입출력 장치(122)가 접속된다.
컨트롤러(121)에는 기억 매체로서의 기억부(123)가 접속된다. 기억부(123)에는 기판 처리 장치(10)의 동작을 제어하는 제어 프로그램이나 처리 조건에 따라 기판 처리 장치(10)의 각 구성부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램(레시피라고도 말한다)이 판독 가능하도록 격납된다.
기억부(123)는 컨트롤러(121)에 내장된 기억 장치(하드 디스크나 플래시 메모리)이어도 좋고, 가반성(可搬性)의 외부 기록 장치[자기(磁氣) 테이프, 플렉시블 디스크나 하드 디스크 등의 자기 디스크, CD나 DVD 등의 광(光)디스크, MO 등의 광자기 디스크, USB메모리나 메모리 카드 등의 반도체 메모리]이어도 좋다. 또한 컴퓨터로의 프로그램의 제공은 인터넷이나 전용 회선 등의 통신 수단을 이용해서 수행해도 좋다. 프로그램은 필요에 따라 입출력 장치(122)로부터의 지시 등으로 기억부(123)로부터 판독되고, 판독된 레시피를 따른 처리를 컨트롤러(121)가 실행하는 것에 의해 기판 처리 장치(10)는 컨트롤러(121)의 제어 하에서 원하는 처리를 실행한다.
(2) 기판 처리 공정
다음으로 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(10)를 이용해서 반도체 디바이스 제조의 일 공정으로서 기판 상에 막을 형성하는 처리(성막 처리)에 대해서 설명한다. 여기서는 웨이퍼(14)에 대하여 원료 가스로서 DCS(SiH2 Cl2:디클로로실란) 가스와 반응 가스로서 O2(산소) 가스를 공급하는 것에 의해 웨이퍼(14) 상에 실리콘 산화(SiO2)막을 형성하는 예에 대해서 설명한다. 또한 이하의 설명에서 기판 처리 장치(10)를 구성하는 각(各) 부(部)의 동작은 컨트롤러(121)에 의해 제어된다.
기판 이재기(28)가 포드(16)로부터 웨이퍼(14)를 취출해서 보트(30)에 이재한다(웨이퍼 차지). 이때, 후술하는 가스 공급 기구로부터 이재실(50) 내에 가스를 공급한다.
<반입 공정>
다음으로 처리실(42)의 하부의 웨이퍼 반입 반출구(51)를 폐색하는 셔터(64)를 셔터(64)가 수납되는 수납부(65)에 퇴피시키고, 처리실(42)의 웨이퍼 반입 반출구(51)를 연다. 계속해서 보트 엘리베이터에 의해 보트(30)를 상승시키고, 이재실(50) 내로부터 처리실(42) 내에 반입한다(보트 로딩). 이에 의해 씰 캡(46)은 봉지 부재(46a)를 개재하여 매니폴드(45)의 하단을 밀봉한 상태가 된다.
<처리 공정>
배기관(48)을 이용해서 처리실(42) 내의 배기를 수행하고, 처리실(42) 내가 원하는 압력(진공도)이 되도록 한다. 그리고 히터 유닛(49)을 이용해서 처리실(42) 내에 대한 가열을 수행하는 것과 함께, 회전 기구(43)를 동작시켜서 보트(30)를 회전시킨다. 또한 가스 도입관(47)에 의해 처리실(42) 내에 DCS가스와 O2가스를 공급한다. 이에 의해 웨이퍼(14)의 표면에 SiO2막이 형성된다.
성막 처리 후는 처리실(42) 내에 불활성 가스를 공급하고, 처리실(42) 내를 불활성 가스로 치환하는 것과 함께, 처리실(42) 내의 압력을 상압으로 복귀시킨다.
<반출 공정>
보트 엘리베이터(34)에 의해 씰 캡(46)을 하강시켜서 매니폴드(45)의 하단을 개구시키는 것과 함께, 보트(30)를 매니폴드(45)의 하단으로부터 처리실(42) 외에 반출(보트 언로딩)한다. 그 후, 처리실(42)의 웨이퍼 반입 반출구(51)를 셔터(64)로 폐색한다. 가스 공급 기구로부터 이재실(50) 내에 가스를 공급하고, 보트(30)에 지지된 웨이퍼(14)가 냉각될 때까지, 보트(30)를 이재실(50) 내의 소정 위치에서 대기시킨다.
<이재 공정>
대기시킨 보트(30)의 웨이퍼(14)가 소정 온도(예컨대 실온 정도)까지 냉각되면, 웨이퍼(14)를 기판 이재기(28)에 의해 보트(30)로부터 취출해서 포드(16)에 이재한다(웨이퍼 디스차지). 이때, 가스 공급 기구에 의한 이재실(50) 내로의 가스의 공급은 계속한다.
이와 같이 하여 본 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(10)에 의한 기판 처리 공정의 일련의 처리 동작이 완료된다.
(3) 이재실의 구성
다음으로 본 실시 형태에 따른 이재실(50)의 구성에 대해서 도 3 내지 6을 이용해서 설명한다.
<이재실>
도 3에 도시하는 바와 같이 이재실(50)은 천정, 바닥 및 사방을 둘러싸는 측벽에 의해 평면이 사각형인 형상으로 구성된다. 단, 반드시 평면이 사각형인 형상으로 한정될 일은 없고, 평면이 다각형인 형상(예컨대 평면이 삼각형인 형상, 평면이 오각형인 형상 등)으로 구성되면 좋다. 또한 이재실(50) 내에 로드록실이나 질소 퍼지 박스 등이 반드시 설치될 필요는 없고, 이재실(50) 내가 대기(大氣) 분위기이어도 좋다.
이재실(50) 내에 보트(30)가 대기(待期)하는 상태에서 웨이퍼(14)[보트(30)]가 위치하는 기판 영역을 상부 영역(60), 단열부(75)가 위치하는 단열부 영역을 하부 영역(61)으로 한다.
<가스 공급 기구>
이재실(50)의 한 측면에는 클린 유닛(가스 공급 기구)이 설치된다. 클린 유닛은 그 내부에서 상부 클린 유닛(52a)(상부 가스 공급 기구) 및 하부 클린 유닛(52b)(하부 가스 공급 기구)으로 상하로 분할된다. 상부 클린 유닛(52a)과 하부 클린 유닛(52b)은 상하로 인접하도록 배치된다. 또한 이재실(50)의 주위에 위치하는 공간에는 후술하는 제1 순환로(81) 및 제2 순환로(82)가 형성된다.
상부 클린 유닛(52a)은 상기 이재실(50) 내의 상부 공간인 상부 영역(60)에 가스를 공급하도록 구성된다. 하부 클린 유닛(52b)은 상기 이재실(50) 내의 하부 공간인 하부 영역(61)에 가스를 공급하도록 구성된다.
본 실시 형태에서는 클린 에어로서의 가스로서 불활성 가스를 이용하지만, 외부 분위기를 가스로서 이용해도 좋다. 외부 분위기를 이용하더라도 외부 분위기를 후술하는 필터(59a, 59b)에 통과시키는 것에 의해 청정 분위기(클린 에어)로 할 수 있다. 또한 본 명세서에서 가스 공급 기구라는 말을 이용한 경우는 상부 클린 유닛(52a)만을 포함하는 경우, 하부 클린 유닛(52b)만을 포함하는 경우 또는 그 양방(兩方)을 포함하는 경우가 있다.
<상부 클린 유닛>
도 4의 (a)에 도시하는 바와 같이, 상부 클린 유닛(52a)은 상류측으로부터 순서대로 송풍부인 제1 팬으로서의 팬(56a)과, 가스 경로의 일부인 제1 덕트로서의 덕트(90c)와, 가스의 확산 공간인 제1 버퍼실로서의 버퍼 영역(58a)과, 필터부(59a)와, 가스 공급구(67a)로 구성된다. 여기서는 팬(56a)은 복수 개, 예컨대 2개 설치된다. 덕트(90c)는 팬(56a)으로부터 송풍된 가스를 버퍼 영역(58a)의 측면으로부터 버퍼 영역(58a) 내에 흘리는 가스 경로다. 도 4의 (a)의 예에서는, 한 쌍의 팬(56a)에 대응하도록 2개의 덕트(90c)가 구비된다. 버퍼 영역(58a)은 덕트(90c)와 연통하고, 가스를 상부 영역(60)에 균일하게 공급하기 위한 확산 공간이다. 필터부(59a)는 가스에 포함되는 파티클을 제거하도록 구성된다.
도 4의 (a) 내지 도 4의 (b)에 도시하는 바와 같이, 덕트(90c)는 버퍼 영역(58a)의 좌우 양측면을 따라 상하 방향으로 상부 클린 유닛(52a)의 상단까지 연재한 공간이며, 버퍼 영역(58a)의 좌우 양측방으로부터 버퍼 영역(58a) 내에 가스를 공급하도록 구성된다. 이와 같이 버퍼 영역(58a)의 양측면으로부터 가스를 공급하는 것에 의해 버퍼 영역(58a) 내에서의 가스의 공급 편차를 방지하는 것이 가능해진다. 또한 팬(56a)은 상부 클린 유닛(52a)의 하단부에 설치된다. 또한 덕트(90c)는 단면적이 상방을 향할수록 서서히 작아지고, 소정 위치[버퍼 영역(58a)과 버퍼 영역(58b)과의 경계 위치]로부터 상방에서는 단면적이 일정하게 되도록 구성된다. 이와 같은 구성에 의해 단면적 일정 부분[버퍼 영역(58a)의 측방 부분]에서 가스의 유속을 빨리할 수 있고, 버퍼 영역(58a)까지[제1 덕트(90c)의 상단까지] 가스를 송출할 수 있기 때문에 상부까지 충분한 양의 가스를 공급할 수 있다.
<하부 클린 유닛>
하부 클린 유닛(52b)은, 상류측으로부터 순서대로 가스를 송풍하는 송풍부인 제2 팬으로서의 팬(56b)과, 팬(56b)으로부터 송풍된 가스를 제2 버퍼실로서의 버퍼 영역(58b)에 흘리는 가스 경로인 제2 덕트로서의 덕트(90e)와, 덕트(90e)에 연통하고 가스를 하부 영역(61)에 균일하게 공급하기 위한 확산 공간인 버퍼 영역(58b)과, 가스에 포함된 파티클을 제거하는 필터부(59b)와, 필터부(59b)를 경유한 가스를 하부 영역(61)에 분출하는 가스 공급구(67b)로 구성된다. 덕트(90e)는 버퍼 영역(58b)의 하면에 형성된 공간이며, 버퍼 영역(58b)의 하면측으로부터 버퍼 영역(58b) 내에 가스를 공급하도록 구성된다. 제2 덕트(90e)는 종단면으로부터 보았을 때에 깔때기 형상으로 형성된다. 즉 팬(56b) 방향으로부터 제2 버퍼실(58b)의 저면(연통부)에 근접할수록 단면적이 서서히 크게 되도록 형성된다. 팬(56b)은 하부 클린 유닛(52b)의 하단부에 상부 클린 유닛(52a)의 2개의 팬(56a)과 인접하고 개재되도록 설치된다. 바꿔 말하면 상부 클린 유닛(52a)의 2개의 팬(56a)은 하부 클린 유닛(52b)의 팬(56b)의 양측에 1개씩 설치된다.
이와 같이 가스 공급 기구는, 상부 영역(60)과 하부 영역(61)의 경계 부분에서 상하로 분할하고 각각이 독립한 가스 경로를 가지도록 구성된다. 또한 제1 버퍼실인 버퍼 영역(58a)이 제2 버퍼실인 버퍼 영역(58b)보다 더 크게 구성된다. 이 구성에 의해 상부 영역(60)과 하부 영역(61)에서 각각 다른 가스 플로우를 형성하거나 각각 다른 유량이나 유속으로 가스를 공급할 수 있다. 여기서 필터부(59a, 59b)는 예컨대 케미칼과 PTFE의 2층으로 구성된다.
<배기부>
도 3에 도시하는 바와 같이, 상부 클린 유닛(52a)의 대면(對面)측에는 측면 배기부가 설치된다. 측면 배기부는 주로 후술하는 제1 배기구로서의 상부 배기구(53a) 및 제2 배기구로서의 하부 배기구(53b)로 구성된다. 또한 배기 덕트(90a), 제1 라디에이터(100a), 배기 덕트(90b) 및 제2 라디에이터(100b)를 측면 배기부에 포함시켜서 생각해도 좋다. 상부 클린 유닛(52a)으로부터 상부 영역(60)에 공급된 가스는 상부 영역(60) 내를 냉각 및 퍼지하고 배기부(53a, 53b)로부터 배기된다.
배기구(53a)는 상부 클린 유닛(52a)과 보트(30)를 개재하여 대면하는 한 측면 중 상부 영역(60)의 상방에 설치된다. 본 실시 형태에서는 배기구(53a)가 설치되는 한 측면에는, 보트 엘리베이터(34)가 상하 방향으로 연장해서 설치된다. 제1 배기구(53a)로부터 배기된 가스는 덕트(90a)를 흐른다. 제2 배기구(53b)의 위치에서 덕트(90a)는 좁아진다. 가스는 덕트(90a) 내에서 라디에이터(100a)를 통과하여 냉각되고, 제2 배기구(53b)의 측부를 통과하여 이재실(50)의 하부에 보내진다.
배기구(53b)는 상부 클린 유닛(52a)과 보트(30)를 개재하여 대면하는 한 측면 중 상부 영역(60)의 하방에 설치된다. 배기구(53b)로부터 배기된 가스는 덕트(90b)를 흐른다. 가스는 덕트(90b) 내에서 라디에이터(100b)를 통과하여 냉각되고, 이재실(50)의 하부에서 덕트(90a)로부터 배기된 가스와 합류한다. 합류한 가스는 또한 후술하는 하부 영역(61)으로부터 배기된 가스와 합류한다. 이와 같이 상부 영역(60)에 2개의 배기구(53a, 53b)를 설치하는 것에 의해 상부 영역(60)에 공급된 가스를 신속하게 배기하는 것이 가능해진다.
다음으로 하부 영역(61)의 배기에 대해서 설명한다. 도 3 및 도 6에 도시하는 바와 같이, 위로부터 보았을 때 보트(30)의 전후의 바닥면에는 저면 배기부(68)가 설치된다. 저면 배기부(68)는 주로 전측(前側) 배기구(68a)(제3 배기구), 후측(後側) 배기구(68b)(제4 배기구)로 구성된다. 배기구(68a, 68b)는 이재실의 바닥면의 각부(角部)를 따라 직사각형 형상으로 형성된다. 하부 클린 유닛(52b)으로부터 하부 영역(61)에 공급된 가스는 하부 영역(61) 내를 냉각 및 퍼지하고 배기부(68)로부터 배기된다. 배기부(68)로부터 배기된 가스는 덕트(90f)를 흐르고 덕트(90f) 내이며 전측 배기구(68a) 및 후측 배기구(68b)의 하부에 설치된 제3 라디에이터(100c) 및 제4 라디에이터(100d)에서 냉각되어 이재실(50)의 하부로 배기된다. 하부 영역(61)으로부터 배기된 가스는 이재실(50)의 하부에서 전술한 상부 영역(60)으로부터 배기된 덕트(90a, 90b)를 통과한 가스와 합류한다. 합류한 가스는 제5 라디에이터(100e)에 의해서 다시 냉각된다. 다음으로 가스는 상부 클린 유닛(52a) 및 하부 클린 유닛(52b)으로 보내져 상부 영역(60) 및 하부 영역(61)에 재공급된다.
<순환로>
이재실(50) 내로부터 배기된 가스는 실선 화살표로 도시하는 제1 순환로(81) 및 파선 화살표로 도시하는 제2 순환로(82)를 경유해서 다시 이재실(50) 내에 공급된다. 제1 순환로(81)는 배기구(53a) 및 배기구(53b)에 의해 상부 영역(60)으로부터 배기된 가스를 상부 클린 유닛(52a)으로부터 다시 상부 영역(60)에 공급하는 가스 경로다. 제2 순환로(82)는 전측 배기구(68a) 및 후측 배기구(68b)에 의해 하부 영역(61)으로부터 배기된 가스를 하부 클린 유닛(52b)으로부터 다시 하부 영역(61)에 공급하는 가스 경로다. 본 명세서에서 순환로라는 말을 이용한 경우는 제1 순환로(81)만을 포함하는 경우, 제2 순환로(82)만을 포함하는 경우 또는 그 양방을 포함하는 경우가 있다.
제1 순환로(81)는 주로 덕트(90a, 90b, 90c, 90d)에 의해 구성된다. 덕트(90a)는 배기구(53a)와 덕트(90d)를 연통하는 경로이다. 덕트(90a)의 내부에는 라디에이터(100a)가 설치된다. 덕트(90b)는 배기구(53b)와 덕트(90d)를 연통하는 경로이다. 덕트(90b)의 내부에는 라디에이터(100b)가 설치된다. 또한 상부 클린 유닛(52a) 및 측면 배기부를 제1 순환로(81)에 포함시켜서 생각해도 좋다.
제2 순환로(82)는 주로 덕트(90f, 90e)에 의해 구성된다. 덕트(90f)는 배기구(68a, 68b)와 덕트(90d)를 연통하는 경로이다. 덕트(90f)의 내부에는 라디에이터(100c, 100d)가 설치된다. 덕트(90d)는 이재실(50)의 하면의 하측에 형성된 공간이다. 또한 하부 클린 유닛(52b) 및 저면 배기부(68)를 제2 순환로(82)에 더해서 생각해도 좋다.
덕트(90d)에서 제1 순환로(81)와 제2 순환로(82)는 일시적으로 합류한다. 즉 각각의 경로의 도중에서 그 일부분이 동일 경로(합류 경로)를 가지도록 구성된다. 즉 덕트(90d)는 덕트(90a) 및 덕트(90b)와 클린 유닛(52a) 및 클린 유닛(52b)를 연통하도록 구성된다. 제2 순환로(82)는 덕트(90d) 이외의 부분에서는 제1 순환로(81)와는 독립된 가스 경로이다. 제2 순환로(82)의 총 경로의 길이는 제1 순환로(81)보다 총 경로의 길이보다 짧아진다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 덕트(90d)에는 가스를 냉각하는 냉각 유닛인 라디에이터(100e)가 배치된다. 또한 덕트(90d)와 클린 유닛(52a, 52b)의 연통 부분, 즉 덕트(90d)의 단부이며 클린 유닛(52a, 52b)의 하단부에는, 2개의 팬(56a)과 팬(56b)이 배열되어서 설치된다. 팬(56a, 56b)의 출력을 조정하는 것에 의해 각 클린 유닛에 공급하는 가스의 유량이나 유속을 조정하는 것이 가능해진다.
제1 순환로(81)와 제2 순환로(82)에는 그 가스 경로 중에 도시하지 않는 가스 댐퍼가 설치된다. 가스 댐퍼는 제1 순환로(81)와 제2 순환로(82)를 흐르는 가스의 유량 조정을 수행하는 것이 가능하도록 구성된다. 예컨대 가스 댐퍼는 버터플라이 밸브나 니들 기구 등과 같은 공지된 유량 조정 기구를 이용해서 구성한다. 가스 댐퍼는 유량 조정을 자동 제어할 수 있는 기능을 가지며, 팬(56a, 56b)과의 연동 제어가 가능한 것이 바람직하다.
<비교예>
여기서 비교예로서 종래의 이재실 구성에 대해서 도 11을 참조하여 설명한다.
종래의 일반적인 클린 유닛의 구성은 필터(201)의 배면에 팬(200)이 설치된다. 종래의 일반적인 이재실은 이와 같은 클린 유닛이 이재실의 측면에 배치되고 이재실의 하부에 순환 경로가 배치되는 구성이었다. 이와 같은 구성인 경우, 클린 유닛을 배치하기 위해서 이재실의 측면에 큰 공간이 필요하다. 그렇기 때문에 장치의 소형화가 방해될 일이 있다. 또한 팬의 흡입 방향이 벽을 향하기 때문에, 압력 손실(壓損)이 높아 클린 유닛의 성능 저하가 발생할 일이 있다.
이것에 대하여 본 발명의 클린 유닛은 상부에는 필터를 하부에는 팬을 배치한 구성이다. 이에 의해 종래에 비해서 공간이 감소되기 때문에 이재실의 측면에 클린 유닛을 배치할 수 있다. 또한 팬의 흡입 방향과 분출 방향을 직교시키는 것에 의해 압력 손실을 억제하여 클린 유닛의 성능을 향상시킬 수 있다.
<가스 플로우>
다음으로 도 3을 이용해서 본 실시 형태에서의 가스 플로우에 대해서 상세하게 설명한다. 도 3 중 실선 화살표는 상부 영역(60)의 가스 플로우를 점선 화살표는 하부 영역(61)에 의한 가스 플로우를 각각 나타낸다.
우선 제1 순환로(81)인 상부 영역(60)의 가스 플로우에 대해서 설명한다. 클린 유닛(52a)의 공급구(67a)로부터 상부 영역(60)에 공급된 가스는 기판과 수평(평행) 방향으로 흐른다. 웨이퍼(14)를 냉각한 가스는 배기구(53a, 53b)로부터 배기되고, 덕트(90a, 90b) 내를 하향으로 흐른다. 다음으로 덕트(90a, 90b)와 덕트(90d)의 연통 부분에서 하향으로부터 수평 방향으로 흐름의 방향을 바꾸고, 덕트(90d) 내를 클린 유닛(52a)의 팬(56a)이 설치된 방향을 향해서 수평하게 흐른다. 그 후, 가스는 팬(56a)에 의해 2개의 덕트(90c) 내에 상향으로 송풍되어 덕트(90c) 내를 수직 방향으로 상향으로 흐른다. 그 후, 가스는 버퍼 영역(58a)의 양측면으로부터 버퍼 영역(58a) 내에 확산되고, 다시 상부 영역(60)에 공급된다.
다음으로 제2 순환로(82)인 하부 영역(61)의 가스 플로우에 대해서 설명한다. 클린 유닛(52b)의 공급구(57b)로부터 하부 영역(61)에 공급된 가스는 단열부(75)와 이재실 측면과의 공간을 하향으로 흐른다. 단열부(75)를 냉각한 가스는 배기구(68a, 68b)로부터 하향으로 배기되고, 덕트(90f) 내를 하향으로 흘러 제1 순환로(81)를 흐르는 가스와 합류한다. 그 후, 가스는 팬(56b)에 의해 덕트(90e) 내에 상향으로 송풍되어 덕트(90e) 내를 수직 방향의 상향으로 흐른다. 그 후, 가스는 덕트(90e)와 버퍼 영역(58b)의 하면으로부터 버퍼 영역(58b) 내에 확산되고, 다시 하부 영역(61)에 공급된다.
<셔터 배기부>
도 5에 도시하는 바와 같이, 수납부(65)의 측면에는 수납부(65)에 공급된 가스를 배기하는 배기구(76)가 설치되고, 수납부(65)에 대한 제3 순환로(83)가 형성된다. 제3 순환로(83)는 웨이퍼 반입 반출구(51)의 근방 및 수납부(65) 내에 공급된 가스를 배기구(76)로부터 배기하도록 구성되고, 상부 영역(60)보다 더 상방의 영역을 통과하는 가스 플로우를 형성한다. 여기서 제3 순환로(83)는 제1 순환로(81)의 경로인 실선 화살표의 일부를 사용한다. 즉 제3 순환로(83)는 제1 순환로(81)에서 분기되어서 형성된다.
수납부(65)는 상부 영역(60)에 공급된 가스를 배기구(76)로부터 흡입하는 것에 의해 웨이퍼 반입 반출구(51)의 주변 및 수납부(65) 내를 퍼지하도록 구성된다. 수납부(65)는 상기 이재실(50)의 측면의 상단에 상기 이재실(50)의 외측에 돌출해서 형성된다. 본 실시예에서는 수납부(65)는 위로부터 보았을 때 다각형(예컨대 직사각형)의 각들 중에서 하나의 각이 만곡한 형상이며, 수납부(65)의 한 측면에서 직선부와 만곡부가 형성된다. 배기구(76)는 직선부와 만곡부를 따르도록 형성된 복수의 배기구(76)에 의해 구성된다. 복수의 배기구(76)는 직선부 및 만곡부에 동수, 예컨대 각각 2개씩 형성된다. 또한 만곡부의 배기구(76)는 직선부와 연결되는 쪽에 편향되어 형성된다. 즉 배기구(76)는 만곡부 중에서 배기구(53a)로부터 이간되면서 직선부에 더 가까운 위치에 설치된다.
수납부(65)의 순환 배기를 수행하는 순환로(83)는 덕트(90a, 90c, 90g)에 의해 구성된다. 덕트(90g)는 덕트(90a)에 연통하고, 배기구(76)의 배면에 형성된 공간이다. 순환로(83) 중 덕트(90a)보다 하류는 제1 순환로(81)와 같은 경로를 가진다.
상부 클린 유닛(52a) 및 하부 클린 유닛(52b)에 의한 풍량과 각 배기구(53a, 53b) 및 라디에이터(100c, 100e)를 통과하는 가스의 총 풍량의 풍량 밸런스는 각각을 동등한 것이 바람직하지만, 처리실(42)에서의 처리 내용에 의해 웨이퍼 온도도 바뀌므로 적절히 결정하면 좋다.
<본 실시 형태에 따른 효과>
본 실시 형태에 의하면, 이하에 열거하는 하나 또는 복수의 효과를 갖는다.
(a) 송풍부를 필터의 배면이 아니고 필터보다 하방(가스 공급 기구의 하단부)에 설치하는 것에 의해서, 가스 공급 기구의 광체를 작게 할 수 있기 때문에 기판 처리 장치 전체의 풋프린트(footprint) 절약이 가능해진다. (b) 송풍부를 클린 유닛의 하단에 설치하는 것에 의해서, 송풍부의 흡입 방향을 이재실의 내측을 향하도록 할 수 있기 때문에 순환 경로 내의 가스 흐름의 압력 손실이나 정체를 저감하는 것이 가능해진다. 또한 이재실 내의 열로부터 송풍부를 이간시킬 수 있기 때문에 송풍부의 수명을 연장할 수 있다. 또한 클린 유닛의 정면측으로부터 송풍부나 필터를 유지 관리하는 것이 가능해진다. 이에 의해 메인터넌스가 용이해져 메인터넌스에 걸리는 시간을 단축할 수 있기 때문에 생산성을 향상시킬 수 있다. (c) 각 순환로의 배기구의 근방에 라디에이터를 설치하는 것에 의해서, 이재실 내에서 데워진 가스를 신속하게 냉각할 수 있기 때문에 순환로 내에서의 가스의 흐름을 부드럽게 형성할 수 있고, 가스의 정체의 발생을 억제할 수 있다. (d) 어떤 순환로를 통과하는 가스던지 각각 2개의 라디에이터를 통과하기 때문에 이재실 내에서 데워진 가스를 충분히 냉각할 수 있다. 이에 의해 순환로에 의한 가스 온도의 차이를 작게 할 수 있다. 또한 이재실 내에 재공급될 때의 가스의 온도 편차를 억제할 수 있고, 이재실 내를 균일하게 냉각하는 것이 가능해진다. (e) 상부 영역의 배기부를 상하에 2군데 형성하는 것에 의해서, 상부 영역을 효율적으로 퍼지할 수 있다. 상부 영역의 상부에 형성된 배기부에 의해 기판을 냉각해서 데워진 가스에 의해 발생하는 상승 기류의 열풍이나 노구부(爐口部)에서의 파티클을 신속하게 배기할 수 있다. 또한 상부 영역의 하부에 형성된 배기부에 의해서, 기판을 냉각하는 것에 따라 가열되는 가스나 보트 엘리베이터의 구동부에서의 파티클을 신속하게 배기할 수 있다. (f) 하부 영역의 배기부를 전후 2군데에 형성하는 것에 의해서, 상부 영역에 비해서 고온의 분위기가 되는 하부 영역의 분위기를 아래 방향으로 강제적으로 배기하는 것이 가능해져 하부 영역에서의 상승 기류의 발생을 억제할 수 있다. 또한 열용량이 높은 단열부의 열이 기판 영역에 흐르는 것을 억제해서 기판 냉각 시간의 단축이 가능해진다. 또한 열의 상승 기류에 의한 파티클의 상상(卷上)도 억제할 수 있기 때문에 기판으로의 파티클의 부착도 억제하는 것이 가능해진다. 또한 배기부를 가스의 정체가 발생하기 쉬운 바닥면의 각부(角部)를 따라 직사각형 형상으로 형성하는 것에 의해 바닥면의 각부를 신속하게 배기할 수 있다. (g) 상부 영역의 배기부는 가스 공급 기구에 대면하는 측면에 형성하고 하부 영역의 배기부는 이재실의 저부에 설치하는 것에 의해서, 상부 영역에는 사이드 플로우를 하부 영역에는 다운 플로우를 형성할 수 있다. (h) 하부 영역의 순환로는 상부 영역의 순환로보다 총 경로가 짧아지도록 형성하는 것에 의해서, 하부 영역에 공급하는 가스의 순환 사이클을 단축해서 단열부의 냉각 효율을 향상시키는 것이 가능해진다. (i) 각 배기부에 의한 총 배기 풍량과 가스 공급 기구에 의한 총 공급 풍량이 동등하게 되는 풍량 밸런스로 하는 것에 의해서, 밸런스 좋게 가스의 흐름을 형성할 수 있다. (j) 상부 클린 유닛의 팬과 하부 클린 유닛의 팬과의 출력을 조정하는 것에 의해서, 각 가스 공급 기구로부터 공급하는 가스의 유량을 조정하는 것이 가능해진다.
<제2 실시 형태>
다음으로 제2 실시 형태에 대해서 설명한다.
도 9 및 도 10에 도시하는 바와 같이 풍향부(57)를 클린 유닛(52) 전측에 설치하는 것에 의해서, 제1 실시 형태(도 7 및 도 8)에 비해서 가스의 공급 범위를 넓히는 것이 가능해진다. 풍향부(57)는 내부에 제3 버퍼 영역인 버퍼 영역(58c), 클린 유닛(52)과 연통하는 연통부(69), 가스 공급구로서의 패널인 센터 패널(57a) 및 사이드 패널(57c)로 구성된다. 센터 패널(57a)은 상부 클린 유닛(52a)의 공급구(67a)와 대략 같은 높이를 이재실(50)과 대략 같은 폭을 가진다. 사이드 패널(57c)은 센터 패널(57a)의 양쪽 사이드를 개재하도록 설치된다. 여기서는 센터 패널(57a)의 폭은 공급구(67a)와 대략 같은 폭이며, 사이드 패널(57c)의 폭은 덕트(90c)와 대략 같은 폭이다. 센터 패널(57a) 및 사이드 패널(57c)에는 각각 복수의 개공(開孔)이 형성되된다. 센터 패널(57a) 및 사이드 패널(57c)은 예컨대 펀칭 패널에 의해 구성된다. 클린 유닛으로부터 공급된 가스는 버퍼 영역(58c) 내에서 확산되고, 복수의 개공을 개재하여 이재실(50) 내에 공급된다.
센터 패널(57a)을 향해서는 클린 유닛(52)의 공급구로부터 가스가 직접 공급된다. 그래서 센터 패널(57a)의 개공률(開孔率)을 조정하는 것에 의해 센터 패널(57a)로부터 공급되는 가스량을 클린 유닛(52)의 공급구로부터 공급되는 가스량보다 적게 조정할 수 있다. 이에 의해 버퍼 영역(58c) 내에 가스가 확산되기 쉽게 할 수 있다. 또한 풍향부(57)의 복수의 개공의 개공률은 센터 패널(57a)의 개공률보다 사이드 패널(57b)의 개공률 쪽을 더 높게 하는 것에 의해 버퍼 영역(58c) 내에서의 사이드 패널(57b) 방향으로의 가스 확산을 촉진할 수 있다. 또한 풍향부(57)로부터의 가스 공급 풍량을 공급구의 전면(全面)에서 균일하게 할 수 있다.
이상의 설명에서는 상부 클린 유닛(52a) 및 하부 클린 유닛(52b)의 양방의 전방에 풍향부(57)를 설치하는 구성으로 했지만, 상부 클린 유닛(52a) 또는 하부 클린 유닛(52b) 중 적어도 1개에 풍향부(57)를 설치하는 구성으로 해도 좋다. 또한 풍향부(57)는 적어도 클린 유닛(52)의 필터면보다 더 큰 표면적[바람직하게는 웨이퍼(14)와 같은 폭, 보다 바람직하게는 이재실(50)과 대략 같은 폭]이라면 좋다. 또한 상부 클린 유닛(52a)에 설치된 풍향부의 패널의 개공률과 하부 클린 유닛에 설치된 풍향부의 패널의 개공률이 달라도 좋다. 또한 상부 클린 유닛(52a)에 설치된 풍향부의 패널의 폭과 하부 클린 유닛에 설치된 패널(57)의 폭이 달라도 좋다. 또한 상부 클린 유닛(52a)에 설치된 풍향부의 센터 패널(57a)의 면적은 하부 클린 유닛(52b)에 설치된 풍향부의 센터 패널(57b)의 면적보다 더 작아도 좋다.
본 실시 형태에 따른 효과
본 실시 형태에 의하면, 이하에 열거하는 하나 또는 복수의 효과를 갖는다. (a) 풍향부를 설치하는 것에 의해서, 가스 공급구의 면적(가스 분출 면적)을 확장할 수 있고, 이재실 내의 구석까지 가스를 공급하기 쉽게 할 수 있다. (b) 풍향부 내에 버퍼실을 형성하는 것에 의해서, 풍향부의 가스 공급구가 가스 공급 기구의 가스 공급구보다 더 큰 면적이어도 버퍼실 내에서 한번 가스를 확산할 수 있기 때문에 풍향부의 가스 공급구의 전면(全面)으로부터 가스를 공급할 수 있다. (c) 가스 공급구를 펀칭 패널로 형성하고, 가스 공급 기구의 가스 공급구에 대면하는 부분과 기타의 부분(확장 부분)에서 개공률을 바꾸는 것에 의해서, 확장 부분에서도 공급 유량(풍량)을 확보할 수 있고, 가스 공급구의 전면으로부터 동일 유량(풍량)으로 가스를 공급할 수 있다.
<본 발명의 다른 실시 형태>
다음으로 본 발명의 다른 실시 형태를 설명한다.
전술한 각 실시 형태 이외에도 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 갖가지 다양하게 변형해서 실시 가능한 것은 물론이다.
10: 기판 처리 장치 14: 웨이퍼(기판)
30: 보트(기판 보지구) 50: 이재실
52a: 상부 클린 유닛 52b: 하부 클린 유닛
56a, 56b: 팬 90a, 90b, 90c, 90d, 90f: 덕트

Claims (17)

  1. 기판이 기판 보지구(保持具)에 이재되는 이재실;
    상기 이재실의 상부 영역에 제1 가스 공급구로부터 가스를 공급하는 상부 가스 공급 기구; 및
    상기 상부 가스 공급 기구의 하방에 설치되고, 상기 이재실의 하부 영역에 제2 가스 공급구로부터 가스를 공급하는 하부 가스 공급 기구;를 구비하고,
    상기 상부 가스 공급 기구는,
    제1 가스 공급구의 배면에 형성된 제1 버퍼실; 상기 제1 버퍼실의 측면에 형성된 상부 덕트; 및 상기 상부 덕트의 하단에 설치된 제1 공급부;를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 상부 덕트는 상기 제1 버퍼실의 양측면에 형성되도록 구성되는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 상부 덕트는 상기 제1 버퍼실 및 상기 하부 가스 공급 기구의 측면에 형성되도록 구성되는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 상부 덕트는 상기 제1 버퍼실의 상단으로부터 상기 하부 가스 공급 기구의 양측면을 따라 상기 상부 덕트의 하단의 위치까지 연재하는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 공급부는 상기 상부 덕트에 대응하도록 상기 상부 덕트의 하단에 복수 설치되는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 상부 덕트는 상방을 향해서 단면적이 서서히 작아지도록 형성되는 기판 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 상부 가스 공급 기구의 대면측에는 측면 배기부가 더 구성되고,
    상기 측면 배기부는 상기 이재실의 상부 영역의 상방과 상기 이재실의 상부 영역의 하방에 각각 설치되는 기판 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 하부 가스 공급 기구는,
    제2 가스 공급구의 배면에 형성된 제2 버퍼실; 상기 제2 버퍼실의 하면에 형성된 하부 덕트; 및 상기 하부 덕트의 하단에 설치된 제2 공급부;를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 버퍼실이 상기 제2 버퍼실보다 더 큰 기판 처리 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 하부 덕트는 정면으로부터 보았을 때 깔때기 형상으로 형성되는 기판 처리 장치.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 하부 가스 공급 기구의 저면에는, 상기 상부 영역에 비해서 고온의 분위기가 되는 상기 하부 영역의 분위기를 아래 방향으로 강제적으로 배기하도록 저면 배기부가 설치되는 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 저면 배기부는 가스의 정체가 발생하기 쉬운 부분에 설치되는 기판 처리 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제1 가스 공급구 및 상기 제2 가스 공급구 중 적어도 일방의 가스 공급구에 패널을 설치하는 기판 처리 장치.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 패널은,
    상기 패널의 전면에 형성된 제3 가스 공급구; 및
    상기 제3 가스 공급구의 배면에 형성된 제3 버퍼실;을 구비하는 기판 처리 장치.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 제3 가스 공급구는 상기 제1 가스 공급구보다 큰 기판 처리 장치.
  16. 이재실 내에서 기판을 기판 보지구에 이재하는 공정; 및
    상기 기판 보지구에 보지된 상기 기판을 처리실 내에서 처리하는 공정;을 포함하고,
    상기 이재하는 공정에서는,
    제1 가스 공급구의 배면에 형성된 제1 버퍼실과 상기 제1 버퍼실의 측면에 형성된 상부 덕트와 상기 상부 덕트의 하단에 설치된 제1 공급부를 포함하는 상부 가스 공급 기구로부터 상기 이재실 내의 상부 영역에 가스를 공급하고, 상기 상부 가스 공급 기구의 하방에 설치된 하부 가스 공급 기구로부터 상기 이재실 내의 하부 영역에 가스를 공급하는 반도체 장치의 제조 방법.
  17. 기판 처리 장치의 이재실 내에서 기판을 기판 보지구에 이재하는 단계; 및
    상기 기판 보지구에 보지된 상기 기판을 처리실 내에서 처리하는 단계;를 포함하고,
    상기 이재하는 단계에서는,
    제1 가스 공급구의 배면에 형성된 제1 버퍼실과 상기 제1 버퍼실의 측면에 형성된 상부 덕트와 상기 상부 덕트의 하단에 설치된 제1 공급부를 포함하는 상부 가스 공급 기구로부터 상기 이재실 내의 상부 영역에 가스를 공급하고, 상기 상부 가스 공급 기구의 하방에 설치된 하부 가스 공급 기구로부터 상기 이재실 내의 하부 영역에 가스를 공급하도록 컴퓨터에 의해 상기 기판 처리 장치에 실행시키는 것인 기록 매체에 저장된 프로그램.
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