KR20180115286A - 임프린트 장치, 그 동작 방법 및 물품 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

임프린트 장치는 임프린트재가 몰드와 접촉하고 있는 상태에서 기판 상의 임프린트재를 경화시킴으로써 기판(101) 상에 패턴을 형성한다. 임프린트 장치는 기판을 보유지지하는 기판 보유지지 영역을 갖는 기판 척(102), 기판 척에 의해 보유지지된 기판의 측면을 둘러싸도록 배치되는 주변 부재(113), 및 대전 유닛을 포함하는 클리닝 부재(170)를 사용하여 주변 부재의 적어도 일부의 영역을 클리닝하는 클리닝 처리를 제어하도록 구성되는 제어 유닛을 포함한다. 클리닝 처리는 대전 유닛이 주변 부재의 적어도 일부의 영역에 대향하는 상태에서 주변 부재에 대해 클리닝 부재를 상대적으로 이동시킴으로써 일부의 영역의 파티클을 대전 유닛에 끌어당기는 동작을 포함한다.

Description

임프린트 장치, 그 동작 방법 및 물품 제조 방법
본 발명은 임프린트 장치, 그 동작 방법 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.
기판의 상에 배치된 임프린트재에 몰드를 접촉시킨 상태에서 임프린트재를 경화시킴으로써 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 기술이 크게 주목받고 있다. 몰드에는 오목부로 이루어진 패턴이 형성된다. 기판 상의 임프린트재에 몰드를 접촉시킬 때, 모세관 현상에 의해 오목부에 임프린트재가 충전된다. 오목부에의 임프린트재의 충전을 촉진하고, 공기(산소)에 의한 임프린트재의 경화를 방지하기 위해서, 기판과 몰드 사이의 공간에, 퍼지 가스가 공급된다. 오목부에 임프린트재가 충분히 충전될 때, 임프린트재에 광 또는 열 등의 에너지가 부여된다. 따라서, 임프린트재가 경화되고, 몰드에 형성된 오목부로 이루어진 패턴이 기판 상의 임프린트재에 전사된다. 임프린트재가 경화된 후에, 임프린트재로부터 몰드가 분리된다.
기판 상의 경화된 임프린트재로부터 몰드를 분리할 때, 몰드가 대전될 수 있다. 이 대전에 의해 형성되는 전계에 의해 파티클에 정전기력(쿨롱 힘)이 작용한다. 이에 의해 파티클이 몰드에 끌어당겨져서 파티클이 몰드에 부착될 수 있다. 파티클은, 임프린트 장치의 챔버의 외부로부터 침입할 수 있거나, 챔버에서, 기계 부재 사이의 마찰 및 기계 부재와 기판 또는 원판 사이의 마찰에 의해 발생할 수 있다. 혹은, 기판 상에 미경화 임프린트재를 배치하기 위해서 토출구로부터 임프린트재가 토출될 때에, 임프린트재 미스트가 발생한다. 그리고, 임프린트재 미스트를 고화시키는 것에 의해 파티클이 발생할 수 있다.
일본 특허 공개 공보 제2014-175340호에는, 몰드에 이물 포획 영역을 형성하고, 그 이물 포획 영역을 대전시킴으로써 전사 위치에의 기판의 반송 시에, 분위기 중 및/또는 기판 상에 존재하는 이물을 제거하는 것이 기재되어 있다. 일본 특허 공개 공보 제2015-149390호에는, 몰드의 제1 면에 패턴부와 제1 도전막을 형성하고, 제2 면에 제2 도전막을 형성하며, 제1 도전막 및 제2 도전막을 대전시켜서 패턴부의 근방의 파티클을 제1 도전막에 끌어당기는 것이 기재되어 있다.
몰드에 파티클이 부착된 상태에서, 몰드를 기판 상의 임프린트재에 접촉시켜서 패턴을 형성하면, 결함을 갖는 패턴이 형성되거나, 기판 및/또는 몰드가 손상될 수 있다. 한편, 퍼지 가스를 기판과 몰드 사이의 공간에 효율적으로 공급하기 위해서, 기판의 측면을 둘러싸도록 주변 부재를 배치하는 구성이 고려되고 있다. 주변 부재를 배치함으로써, 몰드 아래의 공간의 체적을 감소시키고, 퍼지 가스를 해당 공간에 효율적으로 유지할 수 있다.
그러나, 주변 부재를 배치하면, 기판 상의 임프린트재로부터 몰드를 분리한 후에 기판을 이동시킬 때에, 주변 부재가 몰드에 대하여 가까운 거리에서 대향한다. 정전기력은 거리의 제곱에 반비례하므로, 주변 부재 상의 파티클에 작용하는 정전기력은, 주변 부재가 없는 경우에 기판 보유지지부 상의 파티클에 작용하는 정전기력보다 상당히 커질 수 있다. 파티클은 다수의 기판의 처리를 통해서 부착될 수 있다. 이러한 파티클 중 주변 부재에 대하여 약한 부착력으로 부착되어 있는 파티클은, 거기에 작용하는 정전기력에 의해 용이하게 주변 부재로부터 이탈해서 몰드에 부착될 수 있다.
본 발명은, 주변 부재로부터 용이하게 이탈하는 파티클에 의해 발생할 수 있는 패턴 결함 및 기판 및/또는 몰드의 손상을 저감하는데 유리한 기술을 제공한다.
본 발명의 양태에 따르면, 기판 상의 임프린트재에 몰드를 접촉시킨 상태에서 상기 임프린트재를 경화시킴으로써 상기 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 장치가 제공되며, 상기 임프린트 장치는, 상기 기판을 보유지지하는 기판 보유지지 영역을 갖는 기판 척, 상기 기판 척에 의해 보유지지되는 상기 기판의 측면을 둘러싸도록 배치된 주변 부재, 및 대전 유닛을 포함하는 클리닝 부재를 사용하여 상기 주변 부재의 적어도 일부의 영역을 클리닝하는 클리닝 처리를 제어하도록 구성되는 제어 유닛을 포함하고, 상기 클리닝 처리는, 상기 대전 유닛을 상기 주변 부재의 상기 적어도 일부의 영역에 대향시킨 상태에서 상기 클리닝 부재를 상기 주변 부재에 대하여 상대적으로 이동시킴으로써 상기 일부의 영역의 파티클을 상기 대전 유닛에 흡착시키는 동작을 포함한다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 임프린트 장치의 일부의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 2는 본 발명에 실시형태에 따른 임프린트 장치의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 3a는 클리닝 부재를 예시하는 도면이다.
도 3b는 클리닝 부재를 예시하는 도면이다.
도 3c는 클리닝 부재를 예시하는 도면이다.
도 4는 클리닝 부재를 보유지지하는 보유지지 유닛을 설명하는 도면이다.
도 5는 주변 부재를 예시하는 도면이다.
도 6a는 주변 부재의 클리닝 처리를 예시하는 도면이다.
도 6b는 주변 부재의 클리닝 처리를 예시하는 도면이다.
도 6c는 주변 부재의 클리닝 처리를 예시하는 도면이다.
도 6d는 주변 부재의 클리닝 처리를 예시하는 도면이다.
도 7은 주변부의 클리닝 시퀀스를 예시하는 도면이다.
도 8은 기판 척의 클리닝 처리를 예시하는 도면이다.
도 9는 기판 척의 클리닝 시퀀스를 예시하는 흐름도이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 임프린트 장치의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 11은 클리닝 부재의 구성예를 도시하는 도면이다.
도 12는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 임프린트 장치의 동작을 예시하는 도면이다.
도 13은 다른 클리닝 부재의 구성을 도시하는 도면이다.
도 14는 또 다른 클리닝 부재의 구성을 도시하는 도면이다.
도 15a는 도 14에 도시된 클리닝 부재에 의한 주변 부재의 클리닝을 설명하는 도면이다.
도 15b는 도 14에 도시된 클리닝 부재에 의한 주변 부재의 클리닝을 설명하는 도면이다.
도 16a는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 몰드의 제전을 도시하는 도면이다.
도 16b는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 몰드의 제전을 도시하는 도면이다.
첨부 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 임프린트 장치 및 그 동작 방법을 예시적인 실시형태를 사용하여 설명한다.
도 2는, 본 발명에 일 실시형태에 따른 임프린트 장치(IMP)의 구성예를 도시한다. 임프린트 장치(IMP)는, 몰드(100)의 패턴을 임프린트 동작에 의해 기판(101)에 전사한다. 즉, 임프린트 장치(IMP)는, 몰드(100)의 패턴을 임프린트 동작에 의해 기판(101) 상의 임프린트재(피전사재)에 전사한다. 임프린트 동작은, 임프린트재에 몰드를 접촉시키고 해당 임프린트재를 경화시키는 것을 의미한다. 몰드(100)는, 오목부로 형성된 패턴을 갖는다. 기판(101) 상의 임프린트재(미경화 수지)에 몰드(100)를 접촉시킴으로써 패턴의 오목부에 임프린트재가 충전된다. 이 상태에서, 임프린트재에 대하여 임프린트재를 경화시키는 에너지를 부여함으로써, 임프린트재가 경화한다. 이에 의해, 몰드(100)의 패턴이 임프린트재에 전사되어, 경화된 임프린트재로 이루어진 패턴이 기판(101) 상에 형성된다.
임프린트재는, 그것에 경화용 에너지가 부여될 때 경화되는 경화성 조성물이다. 임프린트재는, 경화 상태의 재료 또는 미경화 상태의 재료를 의미할 수 있다. 경화용 에너지의 예는 전자기파 및 열이다. 전자기파는, 10 nm(포함) 내지 1 mm(포함)의 파장 범위 내에서 선택될 수 있는 광(예를 들어, 적외선, 가시광선, 또는 자외선)일 수 있다.
경화성 조성물은, 전형적으로는, 광의 조사 혹은 가열에 의해 경화되는 조성물이다. 광에 의해 경화되는 광경화성 조성물은 적어도 중합성 화합물 및 광중합 개시제를 함유할 수 있다. 또한, 광경화성 조성물은, 부가적으로 비중합성 화합물 또는 용제를 함유할 수 있다. 비중합성 화합물은, 증감제, 수소 공여체, 내부 이형제, 계면활성제, 산화방지제, 및 폴리머 성분을 포함하는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 재료일 수 있다.
본 명세서 및 첨부 도면에서는, 기판(101)의 표면에 평행한 방향을 XY 평면으로서 규정하는 XYZ 좌표계에서의 방향으로서 방향을 나타낸다. XYZ 좌표계에서의 X축, Y축, 및 Z축에 평행한 방향을 각각 X 방향, Y 방향, 및 Z 방향으로서 규정한다. X축, Y축, 및 Z축 둘레의 회전을 각각 θX, θY, 및 θZ로서 규정한다. X축, Y축, 및 Z축에서의 제어 또는 구동 동작은, 각각 X축, Y축, 및 Z축에 평행한 방향에서의 제어 또는 구동 동작을 의미한다. θX축, θY축, 및 θZ축에 관한 제어 또는 구동 동작은, X축, Y축, 및 Z축에 평행한 축 둘레의 회전에 관한 제어 또는 구동 동작을 의미한다. 위치는, X축, Y축, 및 Z축의 좌표에 기초해서 특정되는 정보이다. 자세는, θX축, θY축, 및 θZ축에 대한 상대적인 회전에 의해 특정되는 정보이다. 정렬은 위치 및/또는 자세의 제어를 의미한다.
임프린트 장치(IMP)는, 기판(101)을 정렬시키는 기판 구동 기구(SDM)를 포함한다. 기판 구동 기구(SDM)는 예를 들어 기판 척(102), 주변 부재(113), 미동 기구(114), 조동 기구(115) 및 베이스 구조체(116)를 포함한다. 기판 척(102)은, 기판(101)을 보유지지하는 기판 보유지지 영역을 갖고, 기판(101)을 흡착(예를 들어, 진공 흡착 또는 정전 흡착)에 의해 보유지지할 수 있다. 미동 기구(114)는, 기판 척(102) 및 주변 부재(113)를 지지하는 미동 스테이지 및 해당 미동 스테이지를 구동하는 구동 기구를 포함할 수 있다. 주변 부재(113)는, 기판(101)의 측면을 둘러싸도록 기판(101)이 배치되는 영역의 주위에 배치된다. 주변 부재(113)는, 기판(101)의 상면과 동일한 높이를 갖는 상면을 가질 수 있다. 주변 부재(113)는 복수의 부재로 분할될 수 있다. 또한, 복수의 부재의 전부 또는 일부는, 서로 이격되거나 서로 접촉하도록 배치될 수 있다.
미동 기구(114)는 기판 척(102)을 미세 구동함으로써 기판(101)을 미세 구동하는 기구이다. 조동 기구(115)는, 미동 기구(114)를 조 구동(coarsely driving)함으로써 기판(101)을 조 구동하는 기구이다. 베이스 구조체(116)는, 조동 기구(115), 미동 기구(114), 기판 척(102) 및 주변 부재(113)를 지지한다. 기판 구동 기구(SDM)는, 예를 들어 기판(101)을 복수의 축(예를 들어, X축, Y축, 및 θZ축을 포함하는 3축)에 대해서 구동하도록 구성될 수 있다. 미동 기구(114)의, 기판 척(102)과 일체화된 부분(미동 스테이지)의 위치는, 간섭계 등의 계측 유닛(117)에 의해 모니터된다.
임프린트 장치(IMP)는 몰드(100)를 정렬하기 위한 몰드 구동 기구(MDM)를 포함한다. 몰드 구동 기구(MDM)는, 몰드 척(110), 구동 기구(109) 및 주변 부재(151)를 포함할 수 있다. 주변 부재(151)는, 몰드(100)의 측면을 둘러싸도록, 몰드(100)가 배치되는 영역의 주위에 배치된다. 몰드 구동 기구(MDM) 및 주변 부재(151)는, 지지 구조체(108)에 의해 지지될 수 있다. 몰드 척(110)은, 몰드(100)를 흡착(예를 들어, 진공 흡착 또는 정전 흡착)에 의해 보유지지할 수 있다. 구동 기구(109)는, 몰드 척(110)을 구동함으로써 몰드(100)를 구동한다. 몰드 구동 기구(MDM)는, 예를 들어 몰드(100)를 복수의 축(예를 들어, X축, Y축, Z축, θX축, θY축, 및 θZ축을 포함하는 6축)에 대해서 구동하도록 구성될 수 있다.
기판 구동 기구(SDM) 및 몰드 구동 기구(MDM)는, 기판(101)과 몰드(100)를 상대적으로 정렬시키는 구동 유닛을 구성한다. 구동 유닛은, X축, Y축, θX축, θY축 및 θZ축에 관해서 기판(101)과 몰드(100) 사이의 상대 위치를 조정하며, 또한 Z축에 관해서 기판(101)과 몰드(100) 사이의 상대 위치를 조정한다. Z축에 관한 기판(101)과 몰드(100) 사이의 상대 위치의 정렬은, 기판(101) 상에서 임프린트재와 몰드(100)를 서로 접촉시키고 그들을 서로 분리시키는 동작을 포함한다.
임프린트 장치(IMP)는, 기판(101) 위에 미경화 임프린트재를 도포, 배치 혹은 공급하는 디스펜서(공급 유닛)(111)를 포함할 수 있다. 디스펜서(111)는, 예를 들어 기판(101) 위에 임프린트재를 복수의 액적의 형태로 배치하도록 구성될 수 있다. 지지 구조체(108)가 디스펜서(111)를 지지할 수 있다.
임프린트 장치(IMP)는, 기판(101) 상의 임프린트재에 UV 광 등의 광을 조사함으로써 해당 임프린트재를 경화시키는 경화 유닛(104)을 포함할 수 있다. 임프린트 장치(IMP)는 또한 임프린트의 상태의 관찰을 위한 카메라(103)를 포함할 수 있다. 경화 유닛(104)으로부터 사출된 광은, 미러(105)에 의해 반사되고, 몰드(100)를 투과해서 임프린트재에 조사될 수 있다. 카메라(103)는, 몰드(100) 및 미러(105)를 통해 임프린트의 상태, 예를 들어 임프린트재와 몰드(100) 사이의 접촉 상태를 관찰하도록 구성될 수 있다.
임프린트 장치(IMP)는, 기판(101) 상의 마크와 몰드(100) 상의 마크 사이의 상대 위치를 검출하기 위한 얼라인먼트 스코프(107a, 107b)를 포함할 수 있다. 얼라인먼트 스코프(107a, 107b)는, 지지 구조체(108)에 의해 지지된 상부 구조체(106)에 배치될 수 있다. 임프린트 장치(IMP)는, 기판(101) 상의 복수의 마크의 위치를 검출하기 위한 오프-액시스 스코프(112)를 포함할 수 있다. 오프-액시스 스코프(112)는, 지지 구조체(108)에 의해 지지될 수 있다.
임프린트 장치(IMP)는, 1개 또는 복수의 퍼지 가스 공급 유닛(118a, 118b)을 포함할 수 있다. 퍼지 가스 공급 유닛(118a, 118b)은, 몰드 척(110)을 둘러싸도록 몰드 척(110)의 주위에 배치될 수 있다. 퍼지 가스 공급 유닛(118a, 118b)은, 기판(101)과 몰드(100) 사이의 공간에 퍼지 가스를 공급한다. 퍼지 가스 공급 유닛(118a, 118b)은, 예를 들어 지지 구조체(108)에 의해 지지될 수 있다. 퍼지 가스로서는, 임프린트재의 경화를 저해하지 않는 가스, 예를 들어 헬륨 가스, 질소 가스 및 응축성 가스(예를 들어, 펜타플루오로프로판(PFP)) 중 적어도 하나를 포함하는 가스가 사용될 수 있다. 주변 부재(113, 151)가 제공된 구성은, 기판(101)과 몰드(100) 사이의 공간을 퍼지 가스로 효율적으로 충전시키는데 유리하다.
임프린트 장치(IMP)는 챔버(190)를 포함한다. 상술한 구성 요소는 챔버(190) 내에 배치될 수 있다. 임프린트 장치(IMP)는, 주 제어 유닛(제어 유닛)(126), 임프린트 제어 유닛(120), 조사 제어 유닛(121), 스코프 제어 유닛(122), 디스펜서 제어 유닛(123), 퍼지 가스 제어 유닛(124), 및 기판 제어 유닛(125)을 더 포함할 수 있다. 주 제어 유닛(126)은, 임프린트 제어 유닛(120), 조사 제어 유닛(121), 스코프 제어 유닛(122), 디스펜서 제어 유닛(123), 퍼지 가스 제어 유닛(124), 및 기판 제어 유닛(125)을 제어한다. 임프린트 제어 유닛(120)은, 몰드 구동 기구(MDM)를 제어한다. 조사 제어 유닛(121)은 경화 유닛(104)을 제어한다. 스코프 제어 유닛(122)은 얼라인먼트 스코프(107a, 107b) 및 오프-액시스 스코프(112)를 제어한다. 디스펜서 제어 유닛(123)은 디스펜서(111)를 제어한다. 퍼지 가스 제어 유닛(124)은 퍼지 가스 공급 유닛(118a, 118b)을 제어한다. 기판 제어 유닛(125)은 기판 구동 기구(SDM)를 제어한다.
도 1은, 도 2의 임프린트 장치(IMP)의 일부를 개략적으로 도시한다. 챔버(190)의 내부 공간에는, 파티클(150)이 침입할 수 있다. 챔버(190) 내에서는, 예를 들어 기계 부재 사이의 마찰 및 기계 부재와 기판 또는 원판 사이의 마찰에 의해 파티클(150)이 발생할 수 있다. 혹은, 디스펜서(111)가 기판(101) 상에 미경화 임프린트재를 배치하기 위해서 토출구로부터 임프린트재를 토출할 때에, 임프린트재 미스트가 발생한다. 그리고, 임프린트재 미스트가 고화함으로써 파티클(150)이 발생할 수 있다.
파티클(150)은 주변 부재(113)의 상면 등에 부착될 수 있다. 파티클(150)은 다양한 강도로 주변 부재(113)에 부착된다. 주변 부재(113)에 부착된 파티클(150)이 주변 부재(113)로부터 이탈하지 않을 경우, 파티클(150)이 기판(101) 또는 몰드(100)에 부착될 때에 발생하는 패턴 결함 또는 기판 및/또는 몰드에 대한 손상은 발생하지 않는다. 대조적으로, 주변 부재(113)에 부착된 파티클(150)이 주변 부재(113)로부터 이탈하면, 파티클(150)은 기판(101) 또는 몰드(100)에 부착되거나, 기판(101)과 몰드(100) 사이에 유지된다.
기판(101) 상의 경화된 임프린트재로부터 몰드(100)를 분리할 때, 몰드(100)가 대전될 수 있다. 이 대전에 의해 형성되는 전계에 의해 파티클(150)에 대하여 정전기력(쿨롱 힘)이 작용한다. 이에 의해 파티클(150)이 몰드(100)에 끌어당겨지고 몰드(100)에 부착될 수 있다. 주변 부재(113)의 상면은 기판(101)의 상면과 동일한 높이를 가질 수 있으므로, 몰드(100)와 주변 부재(113) 사이의 거리는 매우 작다. 정전기력은 거리의 제곱에 반비례하므로, 주변 부재(113) 상의 파티클에 작용하는 정전기력은, 주변 부재(113)가 없는 경우에서의 기판 척(102) 및 그 주변에 존재하는 부재 상의 파티클에 작용하는 정전기력보다 상당히 클 수 있다. 주변 부재(113)에는 다수의 기판(101)의 처리를 통해서 다수의 파티클(150)이 부착될 수 있다.
이러한 상황하에서, 임프린트 장치(IMP)는, 대전 유닛을 포함하는 클리닝 부재(170)를 사용해서 주변 부재(113)의 적어도 일부의 영역을 클리닝하는 클리닝 처리를 실행한다. 주 제어 유닛(제어 유닛)(126)은 대전 유닛을 포함하는 클리닝 부재(170)의 구동 동작을 제어함으로써 클리닝 처리를 행할 수 있다. 클리닝 처리는, 클리닝 부재(170)의 대전 유닛이 주변 부재(113)의 적어도 일부의 영역에 대향하는 상태에서 클리닝 부재(170)를 해당 영역에 대하여 상대적으로 이동시킴으로써 해당 영역의 파티클(150)을 해당 대전 유닛에 끌어당기는 동작을 포함할 수 있다. 이 경우, 주변 부재(113)에 대하여 약한 부착력으로 부착되어 있는 파티클(150)은, 대전 유닛을 포함하는 클리닝 부재(170)가 주변 부재(113)에 대면할 때 정전기력에 의해 주변 부재(113)로부터 이탈해서 해당 대전 유닛에 부착될 수 있다. 전형적으로는, 클리닝 처리는, 기판(101) 상에 임프린트재가 존재하지 않는 상태에서 실행되고, 디스펜서(111)는 클리닝 처리 중에 기판(101) 상에 임프린트재를 공급하지 않는다.
도 1은, 기판 척(102)의 기판 보유지지 영역(1021) 상에 기판(101)이 존재하는 상태에서 클리닝 처리가 어떻게 실시되는지를 나타낸다. 그러나, 클리닝 처리는 기판 보유지지 영역(1021) 상에 기판(101)이 존재하지 않는 상태에서 행해질 수 있다. 기판 보유지지 영역(1021)은, 그 전체가 기판(101)과 접촉하거나 그 일부가 기판(101)과 접촉하는 영역일 수 있다. 후자의 경우에, 기판(101)과 접촉하는 영역의 일부분은 핀 및/또는 링을 가질 수 있다.
기판(101) 상의 경화된 임프린트재로부터 몰드(100)가 분리될 때, 몰드(100)가 -3kV로 대전되는 경우를 생각한다. 주변 부재(113)는 접지 전위에 접지되어 있는 것으로 한다. 주변 부재(113)와 몰드(100) 사이의 간극은 1 mm인 것으로 한다. 이 경우의 전계의 방향은 상향(Z축을 따르는 정 방향)이고, 전계의 강도는 3 kV/mm이다. 이 경우, 클리닝 부재(170)의 대전 유닛은 -3kV보다 낮은 전위(V)(V<-3kV)로 대전되는 것이 바람직하다. 클리닝 처리에서는, 클리닝 부재(170)의 대전 유닛이 대전되고, 주변 부재(113)의 적어도 일부의 영역에 대향되는 상태에서, 클리닝 부재(170)가 해당 영역에 대하여 상대적으로 이동된다. 이 클리닝 처리에 의해, 해당 일부의 영역에 약한 부착력으로 부착되는 파티클(150)이 해당 영역으로부터 이탈되고, 해당 대전 유닛에 의해 끌어당겨져서 해당 대전 유닛에 의해 포획된다.
클리닝 처리에서의 주변 부재(113)와 클리닝 부재(170)의 대전 유닛 사이의 간극을 작게 함으로써, 주변 부재(113)와 대전 유닛 사이의 전계를 증가시킬 수 있다. 이는 클리닝 처리의 효과를 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 디스펜서(111)로부터 기판(101) 위에 임프린트재를 공급하기 위해서 기판(101)을 이동시킬 때의 몰드(100)와 주변 부재(113) 사이의 간극을 GN으로 하고, 클리닝 처리에서의 주변 부재(113)와 대전 유닛 사이의 간극을 GC로 하면, GN>GC가 설정될 수 있다. 클리닝 처리에서의 주변 부재(113)와 클리닝 부재(170)의 대전 유닛 사이의 간극은 예를 들어 0.8 mm 이하로 설정될 수 있다.
클리닝 부재(170)는 보유지지 유닛(119)에 의해 보유지지 될 수 있다. 보유지지 유닛(119)은 클리닝 부재(170)를 보유지지할 수 있는 구조를 갖는 임의의 유닛일 수 있다. 예를 들어, 이 유닛은 로봇 아암 같은 가동 부재 또는 고정된 부재일 수 있다. 혹은, 몰드 척(110)이 유닛의 대용물로서 사용될 수 있다.
도 3a 내지 도 3c는 클리닝 부재(170)의 예를 각각 나타낸다. 도 3a에 나타낸 제1 예에서는, 클리닝 부재(170)는, 지지체(131)와, 지지체(131)에 의해 보유지지되는 대전 유닛(132)을 포함한다. 대전 유닛(132)은 석영 등으로 구성된 유전 부재를 대전시킴으로써 준비될 수 있다. 유전 부재는, 더미 기판의 상에 배치된 임프린트재에 접촉되고, 경화 유닛(104)에 의해 경화된 해당 임프린트재로부터 분리됨으로써 대전될 수 있다. 더미 기판은, 기판(101) 대신 기판 척(102) 상에 놓일 수 있는 기판이다. 지지체(131)와 대전 유닛(132)은 동일 재료로 구성될 수 있다.
임프린트재와 접촉하는 표면적이 클수록 대전량이 커진다. 따라서, 대전 유닛(132)은 그 표면에 패턴(오목/볼록 패턴)을 가질 수 있다. 지지체(131) 및 대전 유닛(132)을 포함하는 클리닝 부재(170)는, 예를 들어 사용되지 않는 물품(예를 들어, 사용된 또는 비규격 몰드)으로서의 몰드(100)일 수 있다. 혹은, 지지체(131) 및 대전 유닛(132)을 포함하는 클리닝 부재(170)는, 물품의 제조를 위한 몰드(100)보다 패턴 밀도가 높고 대전량의 증가에 유리한 부재(예를 들어, 임프린트 장치(IMP)의 검사에 사용되는 사용되지 않는 물품으로써의 몰드)일 수 있다. 사용되지 않는 물품은 그 본래의 목적을 위해 사용되지 않는 물품이다.
도 3b에 나타낸 제2 예에서는, 클리닝 부재(170)는, 지지체(131)와, 지지체(131)에 의해 지지된 일렉트릿(133)을 포함한다. 일렉트릿은, 고분자 재료 같은 유전 물질에 전하를 주입해서 고정함으로써 형성될 수 있는, 전계를 계속해서 형성하는 물질이다. 일렉트릿에 전하를 주입하는 방법의 예는, 용융 상태의 고분자 재료를 끼운 전극 사이에 고전압을 인가하면서 해당 고분자 재료를 고화하는 방법, 코로나 방전을 사용하는 방법, 및 이온 주입을 사용하는 방법을 포함한다. 전극 사이에 전압을 인가하는 방법에서는, 일렉트릿은 각각의 전극에 접촉하고 있었던 면이 정 및 부의 극성으로 대전된다. 코로나 방전을 사용하는 방법에서는, 일렉트릿은 부의 극성으로 대전된다. 이온 주입을 사용하는 방법에서는, 일렉트릿은 대체로 정의 극성으로 대전된다.
제1 예에서는, 대전 유닛(132)의 유전 부재의 표면에 걸쳐 과잉 전하가 분포하고 있으므로, 환경에 따라서는 대전량이 감소한다. 이와 대조적으로, 제2 예에서 사용되는 일렉트릿은, 전하가 유전 재료 내에 주입되기 때문에, 반영구적으로 전하를 보유지지할 수 있다. 도 3b에 나타낸 예에서는, 일렉트릿(133)이 지지체(131)의 하면 전역에 제공되어 있지만, 해당 하면의 일부분에만 일렉트릿(133)이 제공될 수 있다. 또한, 제1 예에서 설명된 바와 같이, 사용되지 않는 물품으로서의 몰드의 하면에 일렉트릿을 배치해도 된다.
일렉트릿의 재료의 예는, (a) 아크릴 수지, 나일론, 및 불소 수지 같은 고분자 재료, 및 (b) SiO2 막 및 SiO2/SixNy 다층막 같은 무기막일 수 있다. 불소 수지는, 스핀 코팅에 의해 형성될 수 있는 유기 일렉트릿 막으로서, Teflon AF®(Du Pont로부터 입수 가능) 및 CYTOP®(Asahi Glass로부터 입수 가능)을 포함한다. 특히, CYTOP는, 표면 전하 밀도가 높은 것이 특징이다.
대전 유닛으로서, 전극을 유전 재료로 덮도록 구성된 유닛을 사용하는 것도 가능하다. 대전 유닛이 노출된 전극으로 구성되고, 파티클이 금속 파티클인 것으로 상정한다. 이 경우, 대전 유닛에 부착된 파티클은, 전하 교환에 의해 전극의 극성과 동일한 극성으로 대전된다. 결과적으로, 파티클은 척력에 의해 대전 유닛으로부터 이탈하기 때문에, 대전 유닛에 의해 포획될 수 없다. 이런 이유로, 전극을 유전 재료로 덮는 것에 의해, 금속 파티클이라도 전하 교환을 방지함으로써 대전 유닛에 의해 포획할 수 있다.
도 3c에 나타낸 제3 예에서는, 클리닝 부재(170)는, 지지체(131)와, 지지체(131)에 의해 지지된 부극성 대전 유닛(134) 및 정극성 대전 유닛(135)을 포함한다. 부극성 대전 유닛(134) 및 정극성 대전 유닛(135)으로서는, 제2 예에서 설명한 일렉트릿을 사용할 수 있다. 부극성으로 대전된 부극성 대전 유닛(134)과 정극성으로 대전된 정극성 대전 유닛(135)을 제공함으로써 주변 부재(113)에 부착된 파티클을 파티클의 극성에 관계없이 제거할 수 있다.
도 4를 참조하여 클리닝 부재(170)를 보유지지하는 보유지지 유닛(119)에 대해서 보충하여 설명한다. 보유지지 유닛(119)은, 전술한 바와 같이, 클리닝 부재(170)를 보유지지할 수 있으면 된다. 예를 들어, 보유지지 유닛(119)은 로봇 아암 같은 가동 부재 또는 고정된 부재일 수 있다. 혹은, 몰드 척(110)이 유닛의 대용물로서 사용될 수 있다.
예를 들어, 보유지지 유닛(119)은 메인터넌스 유닛(136)의 구성 요소일 수 있다. 메인터넌스 유닛(136)은, 예를 들어 기판 척(102)의 부착/분리를 위한 유닛일 수 있다. 기판 척(102)은, 기판(101)과의 접촉에 의해 오염되거나 마모될 수 있으므로, 메인터넌스 유닛(136)을 사용해서 교환될 수 있다. 메인터넌스 유닛(136)은 기판 척(102)을 보유지지하기 위한 보유지지 기구를 갖는다. 이 보유지지 기구는 보유지지 유닛(119)으로서 사용될 수 있다. 주변 부재(113)의 클리닝 처리와 동시에 기판 척(102)이 교환되지는 않는다. 따라서, 메인터넌스 유닛(136)이 클리닝 부재(170)를 보유지지하면서 클리닝 처리를 행하는 경우에 특별한 불이익은 예상되지 않는다. 또한, 메인터넌스 유닛(136)이 클리닝 부재(170)를 보유지지하면서 클리닝 처리를 행하는 것은, 임프린트 장치(IMP)의 구성의 단순화에 기여한다.
클리닝 부재(170)를 몰드 척(110)에 의해 보유지지하면서 클리닝 처리를 행하는 경우에는, 몰드(100)를 몰드 척(110)에 반송하는 반송 기구를 사용해서 클리닝 부재(170)를 몰드 척(110)에 반송할 수 있다.
도 5는, 주변 부재(113)의 형상을 예시하고 있는, 주변 부재(113)의 상면도이다. 도 5에 도시된 경우에서는, 주변 부재(113)는, 예를 들어 직사각형 외형을 가지며, 다양한 외형을 가질 수 있다. 주변 부재(113)는, 기판(101)의 측면을 둘러싸는 개구부를 갖는다. 개구부의 형상은 기판(101)의 외형에 합치한다.
주변 부재(113)는, 매끄러운 표면을 갖는 연속부와, 거친 표면을 각각 갖는 불연속부를 포함할 수 있다. 주변 부재(113)에는, 몰드(100)와 임프린트 장치(IMP)의 기준 사이의 상대 위치를 계측하기 위한 기준 마크가 배치된다. 또한, 경화용의 에너지로서 광을 사용하는 경우, 주변 부재(113)에는 광의 조도를 계측하기 위한 조도계가 배치될 수 있다. 기준 마크 및 조도계에 의해 대표되는 부재 또는 유닛과 주변 부재(113) 사이에는 홈이나 단차부가 존재할 수 있다. 또한, 주변 부재(113)가 분할된 복수의 부품으로 구성되는 경우, 부품 사이에 홈이나 단차부가 존재할 수 있다. 또한, 주변 부재(113)를 미동 기구(114)에 체결하기 위한 체결부가 홈이나 단차부를 형성할 수 있다. 이러한 홈이나 단차부는, 거친 표면을 각각 갖는 불연속부의 예를 구성한다. 한편, 매끄러운 상면은 매끄러운 표면을 갖는 연속부의 일례이다. 주 제어 유닛(126)은, 단위 면적당의 불연속부에 클리닝 부재(170)의 대전 유닛을 대향시키는 총 시간이 단위 면적당의 연속부에 클리닝 부재(170)의 대전 유닛을 대향시키는 총 시간보다 길어지도록 클리닝 처리를 제어할 수 있다.
임프린트 장치(IMP)에서, 기판(101)의 복수의 샷 영역에 대하여 임프린트재를 사용하여 패턴을 형성하기 위해서, 복수의 임프린트 사이클로 구성되는 임프린트 시퀀스(패턴 형성 방법)가 실행될 수 있다. 각각의 임프린트 사이클은, 기판(101) 위에 디스펜서(111)에 의해 임프린트재를 배치하는 단계, 임프린트재에 몰드(100)를 접촉시키는 단계, 임프린트재를 경화시키는 단계, 및 경화된 임프린트재로부터 몰드(100)를 분리하는 단계를 포함할 수 있다.
도 5는, 기판(101) 상의 주어진 영역에 디스펜서(111)에 의해 임프린트재를 배치하는 경우에서의 주변 부재(113), 몰드(100), 및 디스펜서(111) 사이의 위치 관계를 예시한다. 몰드(100)의 패턴 영역(기판(101)에 전사해야 할 패턴을 갖는 영역)은, 주변 부재(113) 상에 배치된다.
임프린트 시퀀스가 실행되는 기간, 즉 기판의 복수의 샷 영역에 각각 패턴을 형성하는 기간에서, 영역(140)은 몰드(100)의 패턴 영역에 대향할 수 있는 영역이다. 영역(140)은, 주변 부재(113)의 전체 상면 중, 임프린트 시퀀스에 있어서 몰드(100)의 패턴 영역에 대한 파티클 공급원이 되는 경향이 있는 영역이다. 따라서, 클리닝 처리의 대상을 주변 부재(113)의 전체 상면이 아니라 일부의 영역으로 한정할 경우에는, 적어도 영역(140)을 포함하는 영역에 대하여 클리닝 처리를 실행해야 한다.
예를 들어, 몰드(100)를 구동하는 몰드 구동 기구(MDM)는, 디스펜서(111)로부터 볼 때 제1 방위(X축의 마이너스 방향)에 위치한다. 영역(140)은, 주변 부재(113)의 상면 중, 기판 척(102)에 의해 보유지지되는 기판(101)의, 제1 방위 측에 위치되는 측면보다 제1 방위 위치에 더 가깝게 위치되는 영역이다.
도 6a 내지 도 6d는, 클리닝 부재(170)의 대전 유닛을 주변 부재(113)의 적어도 일부의 영역에 대향시킨 상태에서 클리닝 부재(170)를 해당 일부의 영역에 대하여 상대적으로 이동시키는 클리닝 처리를 각각 예시하고 있다. 도 6a에 나타낸 예에서는, 주 제어 유닛(126)은, 주변 부재(113)의 영역(140)을 선택적으로 클리닝하도록 클리닝 처리를 제어한다. 이러한 클리닝 처리는, 그 처리에 요구되는 시간을 단축하는데 유리하다. 도 6b에 나타낸 예에서는, 주 제어 유닛(126)은, 주변 부재(113)의 전역을 클리닝하도록 클리닝 처리를 제어한다. 클리닝 처리에서의 주변 부재(113)에 대한 클리닝 부재(170)의 대전 유닛의 상대적인 이동은, 도 6a 및 도 6b에 의해 예시되는 바와 같이, 미리정해진 동작 단위의 연속적인 반복일 수 있다. 이 동작 단위는, 제1 방향(예를 들어, X축 방향)에 평행한 방향으로의 상대적인 이동과, 제1 방향에 교차하는 제2 방향(예를 들어, Y축 방향)으로의 상대적인 이동을 포함할 수 있다.
도 6c에 나타낸 예에서는, 주변 부재(113)에 대한 클리닝 부재(170)의 대전 유닛의 상대적인 이동의 경로는, 기판 보유지지 영역(1021)을 둘러싸는 복수의 루프를 포함할 수 있다. 이 경우, 복수의 루프는 기판 보유지지 영역(1021)으로부터 상이한 거리를 갖는다. 도 6c에 나타낸 예에서는, 해당 경로는 기판 보유지지 영역(1021)을 통과하지 않는다. 그러나, 해당 경로는 기판 보유지지 영역(1021)을 통과할 수 있다.
도 6d에 나타낸 예에서는, 주변 부재(113)는 홈 및/또는 단차부 같은 불연속부(141, 142, 143)와, 연속부로서의 나머지 부분을 갖는다. 불연속부(141, 142, 143)는 연속부보다 파티클을 더 용이하게 포획하기 때문에, 연속부보다 불연속부(141, 142, 143)에 더 많은 파티클이 존재할 수 있다. 주 제어 유닛(126)은, 단위 면적당의 불연속부(141, 142, 143)에 클리닝 부재(170)의 대전 유닛을 대향시키는 총 시간이 단위 면적당의 연속부에 클리닝 부재(170)의 대전 유닛을 대향시키는 총 시간보다 길어지도록 클리닝 처리를 제어할 수 있다.
주 제어 유닛(126)은, 예를 들어 기판에 임프린트에 의해 패턴을 형성하는 임프린트 처리의 실행 명령을 수신하면, 해당 명령에 응답해서 임프린트 처리를 실행하기 전에, 클리닝 처리를 실행할 수 있다. 혹은, 주 제어 유닛(126)은, 물품을 제조하지 않는 아이들 시에 클리닝 처리를 행할 수 있거나, 설정된 매수의 기판을 처리할 때마다 또는 1매의 기판을 처리할 때마다 클리닝 처리를 행할 수 있다. 혹은, 주 제어 유닛(126)은, 샷 영역에 패턴이 형성될 때마다 클리닝 처리를 행할 수 있다.
클리닝 처리를 실행할 필요성을 확인하기 위해 행해지는 평가에 기초해서 클리닝 처리를 실행해도 된다. 예를 들어, 평가용의 몰드를 사용해서 1개 또는 복수의 샷 영역에 대하여 임프린트에 의해 패턴(제1 샘플)을 형성한다. 몰드를 대전시킨 후에, 몰드를 주변 부재(113)에 대향시킨 상태에서 주변 부재(113)를 이동시킨다. 그리고, 그 몰드를 사용해서 1개 또는 복수의 샷 영역에 대하여 임프린트에 의해 패턴(제2 샘플)을 형성한다. 제1 샘플의 결함수를 제2 샘플의 결함수와 비교함으로써, 주변 부재(113)의 상태를 평가할 수 있다.
도 7은, 주변 부재(113)의 클리닝 시퀀스를 예시한다. 이 클리닝 시퀀스는, 주 제어 유닛(126)에 의해 제어된다. 단계 S201에서는, 주 제어 유닛(126)은, 반송 기구(도시하지 않음)에 지시하여, 보유지지 유닛(119)이 클리닝 부재(170)를 보유지지하게 한다. 단계 S202에서는, 주 제어 유닛(126)은 클리닝 부재(170)의 타입을 판별한다. 클리닝 부재(170)의 타입은, 예를 들어 클리닝 부재(170)에 대해 제공된 식별자에 의해 판별될 수 있다. 혹은, 클리닝 부재(170)의 타입은, 표면 전위를 계측하는 계측기를 사용해서 클리닝 부재(170)의 대전 유닛의 대전량을 계측한 결과에 기초해서 판별될 수 있다.
도 3a에 의해 예시된 바와 같이, 임프린트재에 유전 부재를 접촉시키고 그로부터 유전 부재를 분리하는 동작을 통해서 대전을 발생시키는 타입의 클리닝 부재를 비지속 타입이라 칭한다. 또한, 도 3b 및 도 3c에 예시된 바와 같이, 일렉트릿을 사용하는 타입의 클리닝 부재를 지속 타입이라 칭한다. 주 제어 유닛(126)이 단계 S202에서 클리닝 부재(170)가 비지속 타입이라고 판단한 경우, 처리는 단계 S203로 진행한다. 주 제어 유닛(126)이 클리닝 부재(170)가 지속 타입이라고 판단한 경우, 처리는 단계 S206으로 진행한다.
단계 S203에서, 주 제어 유닛(126)은, 반송 기구(도시하지 않음)에 지시하여, 더미 기판을 기판 척(102) 위에 반송한다. 단계 S204에서는, 주 제어 유닛(126)은, 더미 기판 상에 임프린트재를 배치하도록 기판 구동 기구(SDM) 및 디스펜서(111)를 제어한다. 단계 S205에서는, 주 제어 유닛(126)은, 더미 기판 상의 임프린트재에 클리닝 부재(170)의 유전 부재를 접촉시키고, 경화 유닛(104)이 임프린트재를 경화시키게 하며, 경화된 임프린트재로부터 유전 부재를 분리하는 더미 임프린트 동작을 제어한다. 이 더미 임프린트 동작에 의해, 유전 부재가 대전되고, 대전 유닛이 준비된다. 지속 타입 클리닝 부재(170)를 사용하면, 단계 S203 내지 S205에서 실행되는 것과 같은 대전을 위한 처리는 불필요하다.
단계 S206에서는, 주 제어 유닛(126)은 주변 부재(113)의 클리닝 처리를 실행한다. 더 구체적으로는, 주 제어 유닛(126)은, 클리닝 부재(170)의 대전 유닛을 주변 부재(113)의 적어도 일부의 영역에 대향시킨 상태에서 클리닝 부재(170)를 해당 일부의 영역에 대하여 상대적으로 이동(주사)시킨다. 이 동작에 의해, 해당 영역의 파티클(150)이 해당 영역으로부터 이탈해서 해당 대전 유닛에 부착됨으로써, 해당 영역이 클리닝된다.
단계 S207에서는, 주 제어 유닛(126)은, 반송 기구(도시하지 않음)에 지시하여, 클리닝 부재(170)를 반출시킨다. 이 경우, 클리닝 부재(170)를 보유지지하는 전용 보유지지 유닛(119)이 제공되어 있는 경우에는, 단계 S201 및 S207은 불필요하고, 클리닝 부재(170)는 보유지지 유닛(119)에 의해 보유지지된 상태로 유지될 수 있다.
상기 클리닝 처리는, 도 8에 의해 예시되는 바와 같이, 기판 척(102)(기판 보유지지 영역(1021))으로부터 파티클을 제거하도록 채용될 수 있다. 기판 척(102)의 기판 보유지지 영역(1021)은, 기판(101)을 지지하기 위한 핀 및/또는 링을 가질 수 있다. 핀 및/또는 링에 파티클이 부착되면, 기판(101)이 변형되어 형성된 패턴에 결함이 발생할 수 있다.
따라서, 주 제어 유닛(126)은, 기판 척(102)(기판 보유지지 영역(1021))의 클리닝 처리를 제어하도록 구성될 수 있다. 이 클리닝 처리에서는, 클리닝 부재(170)의 대전 유닛을 기판 척(102)에 대향시킨 상태에서 클리닝 부재(170)를 기판 척(102)에 대하여 상대적으로 이동시킴으로써 기판 척(102)의 파티클(150)이 해당 대전 유닛에 끌어당겨진다.
도 9는, 기판 척(102)의 클리닝 시퀀스를 예시한다. 이 클리닝 시퀀스는, 주 제어 유닛(126)에 의해 제어된다. 단계 S211에서는, 기판 척(102) 위에 기판(101)이 있을 경우에는, 주 제어 유닛(126)은 반송 기구(도시하지 않음)에 지시하여, 기판(101)을 반출시킨다. 단계 S212에서는, 주 제어 유닛(126)은, 반송 기구(도시하지 않음)에 지시하여, 보유지지 유닛(119)이 클리닝 부재(170)를 보유지지하게 한다. 단계 S213에서는, 주 제어 유닛(126)는 클리닝 부재(170)의 타입을 판별한다. 주 제어 유닛(126)이 단계 S213에서 클리닝 부재(170)가 비지속 타입이라고 판단한 경우에는, 처리는 단계 S214로 진행한다. 주 제어 유닛(126)이 클리닝 부재(170)가 지속 타입이라고 판단한 경우에는, 처리는 단계 S218로 진행한다.
단계 S214에서는, 주 제어 유닛(126)은, 반송 기구(도시하지 않음)에 지시하여, 더미 기판을 기판 척(102) 위에 반송한다. 단계 S215에서는, 주 제어 유닛(126)은, 더미 기판 상에 임프린트재가 배치되도록 기판 구동 기구(SDM) 및 디스펜서(111)를 제어한다. 단계 S216에서는, 주 제어 유닛(126)은, 더미 기판 위의 임프린트재에 클리닝 부재(170)의 유전 부재를 접촉시키고, 경화 유닛(104)이 임프린트재를 경화시키게 하며, 경화된 임프린트재로부터 유전 부재를 분리하는 더미 임프린트 동작을 제어한다. 이 더미 임프린트 동작에 의해, 유전 부재가 대전되고, 대전 유닛이 준비된다. 단계 S217에서, 주 제어 유닛(126)은, 반송 기구(도시하지 않음)에 지시하여, 더미 기판을 기판 척(102)으로부터 반출한다. 지속 타입의 클리닝 부재(170)에 대해서는, 단계 S214 내지 S217과 같은 대전을 위한 처리는 불필요하다.
단계 S218에서는, 주 제어 유닛(126)은 기판 척(102)의 클리닝 처리를 실행한다. 더 구체적으로는, 주 제어 유닛(126)은, 클리닝 부재(170)의 대전 유닛을 기판 척(102)의 적어도 일부의 영역에 대향시킨 상태에서 클리닝 부재(170)를 기판 척(102)에 대하여 상대적으로 이동(주사)시킨다. 이 동작에 의해, 기판 척(102)의 해당 일부의 영역의 파티클(150)이 기판 척(102)으로부터 이탈해서 해당 대전 유닛에 끌어당겨짐으로써, 기판 척(102)의 해당 일부의 영역이 클리닝된다.
단계 S219에서는, 주 제어 유닛(126)은, 반송 기구(도시하지 않음)에 지시하여, 클리닝 부재(170)를 반출시킨다. 이 경우, 클리닝 부재(170)를 보유지지하는 전용의 보유지지 유닛(119)이 제공되어 있는 경우에는, 단계 S212 및 S219는 불필요하고, 클리닝 부재(170)는 보유지지 유닛(119)에 의해 보유지지된 상태가 유지될 수 있다.
주 제어 유닛(126)은, FPGA(Field Programmable Gate Array) 같은 PLD(Programmable Logic Device)에 의해 구현될 수 있다. 혹은, 예를 들어, 주 제어 유닛(126)은 ASIC(Application Specific Integrated Circuit) 또는 프로그램을 내장한 범용 컴퓨터에 의해 구현될 수 있다. 또한, 주 제어 유닛(126)은 상기 구성 요소의 전부 또는 일부의 조합에 의해 구현될 수 있다. 나머지 제어 유닛(120 내지 125) 각각은 FPGA 같은 PLD, ASIC, 프로그램이 내장된 범용 컴퓨터, 또는 상기 구성 요소의 전부 또는 일부의 조합에 의해 구현될 수 있다.
이하에서 물품 제조 방법에 대해서 설명한다. 이하는 물품으로서 디바이스(반도체 집적 회로 소자, 액정 표시 소자 등)를 제조하는 방법을 예시한다. 물품 제조 방법은, 상기 임프린트 장치를 사용해서 기판(웨이퍼, 유리 플레이트, 필름 상 기판)에 패턴을 형성하는 단계를 포함한다. 또한, 해당 제조 방법은, 패턴이 형성된 기판을 처리(예를 들어, 에칭)하는 단계를 포함할 수 있다. 패턴드 미디어(기록 매체) 또는 광학 소자 같은 다른 물품을 제조하는 경우에는, 해당 제조 방법은 에칭 대신에 패턴이 형성된 기판을 가공하는 다른 처리를 포함할 수 있다. 본 실시형태에 따른 물품 제조 방법은, 종래 기술에 따른 방법에 비하여, 물품의 성능, 품질, 생산성 및 생산 비용 중 적어도 하나에서 유리하다.
(제2 실시형태)
상기 클리닝 처리는, (a) 임프린트 처리를 실행하기 전, (b) 임프린트 장치가 아이들 상태일 때, 또는 (c) 설정 매수의 기판이 처리된 후에 행하여 질 수 있다. 이하는, 임프린트 장치(IMP)의 특정 위치에 대전 유닛을 배치하여, 클리닝 처리를 위한 특정 시간을 제공하지 않고, 일련의 임프린트 동작과 병행해서 클리닝 처리를 실행하는 경우를 예시한다.
도 10은, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 임프린트 장치(IMP)의 구성을 예시한다. 클리닝 부재(170)는, 클리닝 부재(170)와 디스펜서(111) 사이에 몰드(100)가 위치되도록 배치된다. 몰드 척(110)의 주변에 배치된 주변 부재(151)가 클리닝 부재(170)를 보유지지할 수 있다. 도 11에 예시되는 바와 같이, 클리닝 부재(170)는 대전 유닛(171)을 갖는다.
제2 실시형태에서는, 클리닝 부재(170)와 디스펜서(111) 사이에 몰드(100)가 위치되도록 클리닝 부재(170)가 배치된다. 이 배치에 의해, 임프린트 대상으로서의 샷 영역을 디스펜서(111) 아래로 이동시키고, 그 후에 몰드(100)를 수직으로 이동시키는 시퀀스에서, 도 5에 도시된 영역(140)의 일부가 클리닝 부재(170)에 대향하여 클리닝된다. 이러한 시퀀스가 복수의 샷 영역에 대하여 순서대로 실행됨으로써 영역(140)의 전역이 클리닝 부재(170)에 의해 클리닝될 수 있다. 이는 주변 부재(113)를 클리닝하는데 요구되는 시간을 단축시킨다. 이것은, 임프린트에 의한 패턴 형성에 관한 스루풋의 향상에 기여한다.
클리닝 부재(170), 몰드(100) 및 디스펜서(111)가 배열되는 방향에 직교하는 방향에서의 대전 유닛(171)의 폭(L2)은, 몰드(100)의 패턴부(160)의 폭(L1)보다 큰 것이 클리닝의 효율의 관점에서 바람직하다.
도 12는, 제2 실시형태에 따른 임프린트 장치(IMP)의 동작을 예시한다. 이 경우에는, 클리닝 부재(170)의 대전 유닛(171)은, 대전을 위한 조작에 의해 대전 상태로 설정되고, 제전을 위한 조작에 의해 비대전 상태로 설정되는 것으로 한다. 단, 이러한 동작이 불필요한 대전 유닛(171)이 사용될 수 있다. 이러한 경우에는, 이하에서 설명하는 단계 S201 및 S205는 불필요하다. 단순한 예에서는, 대전 유닛(171)은 전하를 공급함으로써 대전 상태로 설정될 수 있고, 전하를 제거함으로써 비대전 상태로 설정될 수 있다.
먼저, 단계 S221에서는, 주 제어 유닛(126)은 대전 유닛(171)을 대전 상태로 설정한다. 단계 S222에서는, 주 제어 유닛(126)은, 임프린트 대상으로서의 샷 영역에 임프린트재가 배치되도록, 디스펜서(111) 및 기판 구동 기구(SDM)를 제어한다. 이 경우에는, 임프린트 대상으로서의 샷 영역이 디스펜서(111) 아래에 배치된다. 단계 S223에서는, 주 제어 유닛(126)은, 임프린트 대상으로서의 샷 영역이 몰드(100) 아래에 배치되도록 기판 구동 기구(SDM)를 제어한다. 단계 S222 및 S223에서, 주변 부재(113)의 표면 중 클리닝 부재(170)의 대전 유닛(171)에 대향하는 영역이 클리닝된다.
단계 S224에서는, 주 제어 유닛(126)은, 먼저, 임프린트 대상으로서의 샷 영역 위의 임프린트재에 몰드(100)가 접촉하도록 몰드 구동 기구(MDM)를 제어한다. 단계 S024에서는, 주 제어 유닛(126)은 임프린트재를 경화시키도록 경화 유닛(104)을 제어한다. 그 후, 주 제어 유닛(126)은 경화된 임프린트재로부터 몰드(100)를 분리시키도록 몰드 구동 기구(MDM)를 제어한다. 단계 S225에서는, 주 제어 유닛(126)은 대전 유닛(171)을 비대전 상태로 설정한다.
단계 S226에서는, 주 제어 유닛(126)은, 기판 상의 전체 샷 영역에 대해 임프린트가 완료되었는지를 판단한다. 임프린트가 행해지지 않은 샷 영역이 있는 경우에는, 처리는 단계 S221로 복귀되어 나머지 샷 영역에 대해서 처리를 반복한다. 전체 샷 영역에 대한 임프린트가 완료된 경우에는, 단계 S227에서, 주 제어 유닛(126)은, 모든 기판에 대한 임프린트가 완료되었는지를 판단한다. 임프린트가 행해지지 않은 샷 영역이 있는 경우에는, 주 제어 유닛(126)은 단계 S201로 복귀되어 나머지 기판에 대해서 처리를 반복한다.
주변 부재(113)보다 넓은 영역을 클리닝 부재(170)에 의해 클리닝하기 위해서는, 도 13에 예시되는 바와 같이, 더 넓은 면적을 갖는 클리닝 부재(170)가 유용하다. 도 13에 의해 예시된 클리닝 부재(170)는 몰드(100)를 모든 방향에서 둘러싸는 형상을 갖는다.
몰드(100)의 주위에는 다양한 종류의 기구가 배치될 수 있다. 이 경우, 몰드(100)를 모든 방향에서 둘러싸는 클리닝 부재(170)를 채용하는 것은 어려울 수 있다. 몰드(100)의 주위에 배치될 수 있는 기구의 예는, 몰드(100)의 측면에 힘을 가하는 것에 의해 몰드(100)를 변형시키는 기구, 몰드(100)의 기울기를 조정하는 기구, 및 몰드 구동 기구(MDM)의 일부로서의 기구를 포함한다.
도 14는, 클리닝 부재(170) 이외에, 클리닝 부재(180, 181)가 제공된 경우를 나타낸다. 즉, 도 14는, 복수의 클리닝 부재(170, 180, 181)가 제공되는 경우를 나타낸다. 도 15a에 의해 예시되는 바와 같이, 클리닝 부재(180)는 주변 부재(113) 중 일부의 영역(300)을 클리닝한다. 도 15b에 의해 예시되는 바와 같이, 클리닝 부재(181)는 주변 부재(113) 중 다른 영역(310)을 클리닝한다. 복수의 클리닝 부재를 제공하고 복수의 클리닝 부재에 클리닝할 영역을 할당함으로써 임프린트 장치(IMP)의 크기의 증가를 억제할 수 있다. 이 경우에, 클리닝 부재(170)는 기판(101) 상의 복수의 샷 영역에 대한 임프린트와 병행하여 주변 부재(113)를 클리닝하기 위해서 사용될 수 있다. 한편, 클리닝 부재(180, 181)는, 기판(101)에 대해 임프린트를 행하지 않는 기간, 예를 들어 메인터넌스 기간 또는 아이들 기간에 실행되는 전용 클리닝 시퀀스에서 사용될 수 있다.
(제3 실시형태)
임프린트 장치(IMP)는, 경화된 임프린트재로부터 몰드(100)를 분리할 때에 대전된 몰드(100)를 제전하는 제전 기구를 포함하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 이오나이저를 사용해서 몰드(100)를 제전한다. 코로나 방전 방식 및 에너지선 조사 방식(예를 들어, X선 조사 방식이나 α선 조사 방식) 등의 다양한 종류의 이오나이저가 존재한다. 코로나 방전 방식은 파티클을 발생시키는 요인일 수 있다. 청정도를 유지하면서 몰드(100)를 제전하기 위해서는, X선 조사 방식 또는 α선 조사 방식을 사용하는 것이 바람직하다. 몰드(100)와 기판(101) 사이의 공간은 매우 작기 때문에, 공간의 주위에 이오나이저를 배치하고, 몰드(100)에 직접 X선 또는 α선을 조사하는 것은 곤란하다. 몰드(100)에 직접 X선 또는 α선을 조사하는 방식을 제외하면, X선 또는 α선을 가스에 조사해서 가스를 이온화시키고, 이온화된 가스를 몰드(100) 아래의 공간에 공급하는 방식이 가용하다. 단, 이온화된 가스의 이온 농도는, 가스가 관로 및 노즐을 통과하고, 또한 해당 노즐로부터 몰드(100)와 기판(101) 사이의 공간까지의 경로를 통과하는 동안에 저하하기 때문에, 몰드(100) 아래 공간에서 충분한 이온 농도를 유지할 수 없는 경우가 있다. 이러한 경우에는, 몰드(100)는 효율적으로 제전될 수 없다.
따라서, 본 실시형태에서는, 퍼지 가스 공급 유닛(118)으로부터 제전용 가스를 공급한다. 제전용 가스는, 퍼지 가스 공급 유닛(118)과 상이한 가스 공급 유닛으로부터 공급될 수 있다. 도 16a에 도시하는 바와 같이, 제전용 가스는, 경화된 임프린트재로부터 몰드(100)의 패턴부(160)를 분리하기 전에, 몰드(100)의 주위의 공간에 충전되는 것이 바람직하다. 퍼지 가스 공급 유닛(118)은, 몰드(100)의 주위 공간이 제전용 가스로 충분히 충전되는 한은, 패턴부(160)를 분리하기 전에 제전용 가스의 공급을 중지할 수 있거나, 분리 동작 중에 제전용 가스의 공급을 계속할 수 있다. 결과적으로, 도 16b에 도시하는 바와 같이, 경화된 임프린트재로부터 패턴부(160)를 분리하는 단계에서, 주위의 제전용 가스가 패턴부(160)와 기판(101) 사이의 간극에 인입되어 치환된다.
제전용 가스는, 전자에 대한 평균 자유 행로가 공기보다 긴 기체를 포함할 필요가 있다. 제전용 가스는, 구체적으로는, 단원자 분자로 구성되는 희가스일 수 있다. 희가스 중, 가장 긴 평균 자유 행로를 갖는 헬륨이 특히 바람직하다. 전계 중에 존재하는 전자는, 전계에 의해 양극 측으로 운반되고, 운반 도중에 가스 분자에 충돌한다. 이 경우, 전자가 충분히 가속되어서 가스의 전리 에너지 보다 높은 에너지를 갖는 상태에서 가스 분자에 충돌하면, 전리가 발생하고, 전자-양이온 쌍이 생성된다. 생성된 전자도 전계에 의해 가속되어, 가스 분자를 전리시킨다. 이와 같이, 전리가 순차적으로 발생해서 많은 수의 전자-양이온 쌍이 생성된다. 이 현상을 전자 사태라 칭한다. 전자에 대한 평균 자유 행로가 긴 가스에서는, 가속 중의 전자가 가스 분자에 충돌하지 않고, 고에너지 상태까지 가속된다. 따라서, 전자에 대한 평균 자유 행로가 긴 가스는, 공기에 비하여, 낮은 전계 중에서도 전자 사태를 더 용이하게 발생시킨다. 이에 의해, 대량의 전압이 축적되기 전에 몰드(100)를 제전할 수 있다.
제전용 가스는, 일반적으로 확산성이 높고, 임프린트재를 패턴부(160)에 충전시킬 때, 임프린트 공간의 퍼지 가스로서 사용될 수 있다. 이하는, 클리닝 부재(170)의 대전 유닛(171)이 그 자신과 주변 부재(113)와의 사이에 전계를 발생시켜, 주변 부재(113)에 대한 클리닝 처리를 행하는 경우에, 대전 유닛(171)에 가해지는 전압에 대해서 설명한다. 전압을 인가한 대전 유닛(171)과 주변 부재(113) 사이의 간극에 제전용 가스가 진입하여, 전자 사태를 발생시키면, 많은 수의 전자 또는 양이온이 대전 유닛(171)의 표면에 공급되어 대전 유닛(171)의 전압 저하를 발생시키고, 이에 의해 클리닝 효과가 감소한다. 따라서, 대전 유닛(171)에 인가되는 전압은, 대전 유닛(171)과 주변 부재(113) 사이에 발생하는 전계의 강도가 제전용 가스를 통해서 방전이 일어나는 전계 강도 이하가 되도록 설정될 필요가 있다. 이런 이유로, 대전 유닛(171)에 인가되는 전압을 제어하는 전압 제어 유닛(172)이 제공될 수 있다. 전압 제어 유닛(172)은, 대전 유닛(171)에 인가되는 전압을, 대전 유닛(171)과 주변 부재(113) 사이에 발생하는 전계의 강도가 제전용 가스를 통해서 방전이 일어나는 전계 강도 이하가 되도록 설정한다. 대전 유닛(171)과 주변 부재(113) 사이에서 전자 사태가 발생할지 여부는, 전계 강도와 제전용 가스의 종류에 의존한다. 따라서, 대전 유닛(171)과 주변 부재(113) 사이의 거리와 제전용 가스의 종류에 따라, 대전 유닛(171)에 인가되는 전압의 값이 결정될 수 있다. 즉, 대전 유닛(171)에 인가되는 전압의 값은, 제전용 가스의 종류 및 대전 유닛(171)과 주변 부재(113) 사이의 거리에 따라 상이하다.
경화된 임프린트재로부터 몰드(100)를 분리하는 처리 후에는, 제전용 가스는 몰드(100)의 전압을 제전용 가스를 통해서 방전이 발생하는 전압 이하로 유지시킨다. 따라서, 대전 유닛(171)을 상기 전압으로 설정한 클리닝 부재(170)를 사용하여 주변 부재(113)의 클리닝 처리를 행함으로써, 파티클(150)이 몰드(100)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
퍼지 가스 공급 유닛(118)으로부터 제전용 가스를 공급하지 않는 동안에는, 대전 유닛(171)에 인가되는 전압은, 대전 유닛(171)과 주변 부재(113) 사이에 발생하는 전계의 강도가, 제전용 가스를 통해서 방전이 일어나는 전계 강도보다 높아지게 하는 값으로 설정될 수 있다. 예를 들어, 임프린트 처리를 행하지 않는 동안에는, 대전 유닛(171)에 임프린트 처리에서의 전압보다 높은 전압을 설정하여 클리닝 처리를 행할 수 있다. 임프린트 처리 중에도, 제전용 가스가 공급되지 않는 동안에는, 대전 유닛(171)에 인가되는 전압을 증가시켜 클리닝 효과를 향상시킬 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태로 제한되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위 내에서 다양한 변경 및 변형이 이루어질 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위를 공중에게 알리기 위해서, 이하의 청구항이 만들어졌다.
본 출원은 그 전문에 본원에 참조로 통합되는 2016년 2월 26일에 출원된 일본 특허 출원 제2016-036315호, 2016년 11월 18일에 출원된 일본 특허 출원 제2016-225379호, 및 2017년 2월 3일에 출원된 일본 특허 출원 제2017-018915호에 기초하여 우선권을 주장한다.
IMP: 임프린트 장치, 100: 몰드, 101: 기판, 102: 기판 척, 113: 주변 부재, 131: 지지체, 132-135: 대전 유닛, 150: 파티클, 170: 클리닝 부재

Claims (29)

  1. 기판 상의 임프린트재에 몰드를 접촉시킨 상태에서 상기 임프린트재를 경화시킴으로써 상기 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 장치에 있어서,
    상기 기판을 보유지지하는 기판 보유지지 영역을 갖는 기판 척;
    상기 기판 척에 의해 보유지지되는 상기 기판의 측면을 둘러싸도록 배치된 주변 부재; 및
    대전 유닛을 포함하는 클리닝 부재를 사용하여 상기 주변 부재의 적어도 일부의 영역을 클리닝하는 클리닝 처리를 제어하도록 구성되는 제어 유닛을 포함하고,
    상기 클리닝 처리는, 상기 대전 유닛을 상기 주변 부재의 상기 적어도 일부의 영역에 대향시킨 상태에서 상기 클리닝 부재를 상기 주변 부재에 대하여 상대적으로 이동시킴으로써 상기 일부의 영역의 파티클을 상기 대전 유닛에 흡착시키는 동작을 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 주변 부재에 대한 상기 대전 유닛의 상기 상대적인 이동은, 제1 방향에 평행한 방향으로의 상대적인 이동과, 상기 제1 방향에 교차하는 제2 방향으로의 상대적인 이동을 포함하는 동작 단위의 반복을 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 주변 부재에 대한 상기 대전 유닛의 상대적인 이동의 경로는, 상기 기판 보유지지 영역을 둘러싸는 복수의 루프를 포함하고, 상기 복수의 루프는 상기 기판 보유지지 영역으로부터 상이한 거리를 갖는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 기판 상에 임프린트재를 공급하도록 구성되는 공급 유닛과, 상기 몰드를 구동하도록 구성되는 몰드 구동 기구를 더 포함하며,
    상기 몰드 구동 기구는 상기 공급 유닛으로부터 볼 때 제1 방위 위치에 위치되고, 상기 일부의 영역은, 상기 주변 부재의 상면 중, 상기 기판 척에 의해 보유지지되는 상기 기판의, 상기 제1 방위 위치 측에 위치되는 측면보다 상기 제1 방위 위치에 가깝게 위치되는 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 클리닝 처리는 기판 상에 임프린트재가 존재하지 않는 상태에서 실행되며,
    상기 공급 유닛은, 상기 클리닝 처리 동안에는 상기 기판 상에 임프린트재를 공급하지 않는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어 유닛은, 상기 기판에 임프린트에 의해 패턴을 형성하는 임프린트 처리의 실행 명령이 발행된 후에, 상기 명령에 응답하여 상기 임프린트 처리를 실행하기 전에 상기 클리닝 처리를 실행하는 임프린트 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 주변 부재는 매끄러운 표면을 갖는 연속부와, 거친 표면을 갖는 불연속부를 포함하고, 상기 제어 유닛은, 단위 면적당의 상기 불연속부에 상기 대전 유닛을 대향시키는 총 시간을 단위 면적당의 상기 연속부에 상기 대전 유닛을 대향시키는 총 시간보다 길게 설정하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 몰드를 보유지지하도록 구성되는 몰드 척과, 상기 클리닝 부재를 보유지지하도록 구성되는 보유지지 유닛을 더 포함하며,
    상기 제어 유닛은, 상기 보유지지 유닛에 의해 상기 클리닝 부재가 보유지지된 상태에서 상기 클리닝 처리를 실행하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  9. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 몰드를 보유지지하도록 구성되는 상기 몰드 척에 의해 상기 클리닝 부재가 보유지지된 상태에서 상기 클리닝 처리가 실행되는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 클리닝 처리에서의 상기 대전 유닛과 상기 주변 부재 사이의 간극은, 상기 기판 상에 임프린트재를 공급하기 위해서 상기 기판을 이동시킬 때의 상기 몰드와 상기 주변 부재 사이의 간극보다 작은 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 클리닝 처리는, 상기 대전 유닛과 상기 주변 부재 사이의 간극을 0.8 mm 이하로 설정한 상태에서 실행되는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 대전 유닛은 대전된 유전 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  13. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 대전 유닛은 일렉트릿을 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  14. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 대전 유닛은 정의 전하를 보유지지하는 일렉트릿과 부의 전하를 보유지지하는 일렉트릿을 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어 유닛은, 상기 기판 척에 의해 상기 기판이 보유지지되어 있지 않은 상태에서 상기 대전 유닛을 상기 기판 척에 대하여 상대적으로 이동시킴으로써 상기 대전 유닛이 상기 기판 척의 파티클을 흡착하게 하는 동작을 제어하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  16. 기판을 보유지지하도록 구성되는 기판 척과, 상기 기판 척에 의해 보유지지되는 상기 기판의 측면을 둘러싸도록 배치된 주변 부재를 포함하는 임프린트 장치를 동작시키는 방법에 있어서,
    대전 유닛을 포함하는 클리닝 부재를 사용하여 상기 주변 부재의 적어도 일부의 영역을 클리닝하는 클리닝 처리를 행하는 단계; 및
    상기 기판 척에 의해 보유지지된 상기 기판 상에 임프린트재를 공급하고, 상기 임프린트재에 몰드를 접촉시킨 상태에서 상기 임프린트재를 경화시킴으로써 상기 기판 상에 패턴을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 클리닝 처리는, 상기 대전 유닛을 상기 주변 부재의 상기 적어도 일부의 영역에 대향시킨 상태에서 상기 클리닝 부재를 상기 주변 부재에 대하여 상대적으로 이동시킴으로써 상기 일부의 영역의 파티클을 상기 대전 유닛에 흡착시키는 동작을 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치를 동작시키는 방법.
  17. 물품 제조 방법에 있어서,
    제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에서 규정된 임프린트 장치를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 패턴이 형성된 상기 기판을 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 물품 제조 방법.
  18. 물품 제조 방법에 있어서,
    제16항에서 규정된 동작시키는 방법에 따라 임프린트 장치를 동작시키고, 상기 임프린트 장치를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 패턴이 형성된 상기 기판을 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 물품 제조 방법.
  19. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 클리닝 부재는, 기판 상에 임프린트재를 공급하도록 구성되는 디스펜서와 상기 클리닝 부재 사이에 몰드가 위치되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 제어 유닛은, 상기 클리닝 부재의 상기 대전 유닛을 대전 상태 또는 비대전 상태로 설정하기 위한 제어를 행하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  21. 제20항에 있어서, 상기 제어 유닛은, 상기 디스펜서가 상기 기판에 임프린트재를 공급하기 전에 상기 대전 유닛을 대전 상태로 설정하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  22. 제19항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 클리닝 부재 및 상기 디스펜서가 배열되는 방향에 직교하는 방향에서의 상기 대전 유닛의 폭이 패턴 영역의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  23. 제1항에 있어서,
    상기 몰드를 제전하기 위한 가스를 공급하도록 구성되는 가스 공급 유닛; 및
    상기 대전 유닛에 인가되는 전압을 제어하도록 구성되는 전압 제어 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  24. 제23항에 있어서, 상기 전압 제어 유닛은, 상기 대전 유닛에 인가되는 전압을, 상기 대전 유닛과 상기 주변 부재 사이에 발생하는 전계의 강도가 상기 가스를 통해서 방전이 일어나는 전계 강도 이하가 되도록 설정하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  25. 제24항에 있어서, 상기 대전 유닛에 인가되는 전압은, 상기 가스의 종류 및 상기 대전 유닛과 상기 주변 부재 사이의 거리에 따라 상이한 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  26. 제23항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 경화된 임프린트재로부터 분리된 상기 몰드와 상기 임프린트재 사이의 간극을 상기 가스로 치환함으로써 상기 몰드가 제전되는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  27. 제23항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가스는 전자에 대한 평균 자유 행로가 공기보다 긴 기체를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  28. 제23항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가스는 헬륨을 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
  29. 제23항에 있어서, 상기 전압 제어 유닛은, 상기 가스 공급 유닛이 상기 가스를 공급하지 않는 동안에는, 상기 대전 유닛에 인가되는 전압을, 상기 대전 유닛과 상기 주변 부재 사이에서 상기 대전 유닛에 의해 발생하는 전계의 강도가 상기 가스를 통해서 방전이 일어나는 전계 강도보다 높아지도록 설정하는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
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