KR20180109533A - 식각액 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 식각액 조성물에 관한 것으로, 보다 자세하게는 불산을 포함하지 않는 불산(HF)를 포함하지 않는 불소계 화합물; 유기인산; 인산계 첨가제; 물; 및 과산화수소를 포함하는 식각액 조성물, 상기 식각액 조성물 제조용 예비-조성물 및 상기 식각액 조성물의 제조방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 식각액 조성물에 관한 것으로, 보다 자세하게는 불산을 포함하지 않는 불산(HF)를 포함하지 않는 불소계 화합물; 유기인산; 인산계 첨가제; 물; 및 과산화수소를 포함하는 식각액 조성물, 상기 식각액 조성물 제조용 예비-조성물 및 상기 식각액 조성물의 제조방법에 관한 것이다.
트랜지스터 크기를 감소하려는 요구는 집적회로 분야에서 해결 되어져야 할 지속적인 문제이다. 트랜지스터 크기를 감소시키는 종래기술의 하나는 채널의 길이를 줄이는 것이다. 그렇게 함으로써, 트랜지스터가 차지하는 전체 점유공간을 효과적으로 줄였다. 그러나, 트랜지스터의 물리적 변수와 관련된 최소 채널길이는 예컨대, 단채널 효과와 같은 다른 문제를 발생시켰다.
종래기술은 적어도 최소한 채널길이를 유지하면서 트랜지스터의 점유공간의 크기를 줄이는 트랜지스터 구조의 발전에 대응하여 왔다. 플래너 채널을 사용하는 트랜지스터 구조의 점유공간이 점점 커지는 데 반해, 접혀진 형태의(folded) 채널을 사용하는 트랜지스터 구조의 점유공간은 점점 작아지고 있다.
트랜지스터의 크기를 줄이려는 지속적인 노력은 다중 브릿지(bridge) 채널형 FET(MBCFET)을 개발해냈다. MBCFET는 사각형의 단면을 가진 채널이 적층된 구조를 가진 FET으로 알려졌다. 다중 브릿지 채널형 FET는 상기 문제를 해결 할수 있었으나, 상기 다중 브릿지 채널형 FET는 일반적으로 NMOS 및 PMOS를 동시에 사용하는 CMOS형으로 형성된다. CMOS형 트랜지스터를 식각할 경우, 실리콘 산화막 또는 폴리실리콘 막의 식각을 최소화 하면서, 실리콘 저매늄막의 식각속도를 유지해야 하고, 이러한 선택성이 우수한 식각액에 대한 개발이 필요한 실정이다.
일본 공개특허 평13-148473(이하, "인용 특허"라고 한다.)에 실리콘 저매늄의 식각방법이 개시되어 있다. 상기 인용 특허는 질산, 불산 및 탈이온수로 이루어진 식각액을 이용하여 실리콘 저매늄을 식각하고 있다. 그러나, 실제적으로 공정에 적용하기 위해서는 실리콘에 대해 실리콘 저매늄의 선택비가 매우 높아야 하는 반면, 상기 인용 특허의 식각액은 실제적으로 약 1:2의 선택비를 가지므로, 실제 공정에 적용하기에 한계가 있다. 즉, 원하는 양만큼 실리콘 저매늄을 식각하기 위해서는 실리콘의 소모량도 함께 증가하여 선택적인 식각을 구현하는데 한계가 있다. 또한, 식각 공정 후, 린스 공정으로 이송 중에도 계속적인 식각이 발생하여 불필요한 실리콘의 손실을 초래한다.
본 발명은, 상기와 같은 종래 기술의 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로서,
실리콘 저매늄을 식각하는 동시에 실리콘 산화막에 대한 손상을 최소화할 수 있는 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은, 상기 식각액 조성물 제조용 예비-조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은, 상기 식각액 조성물의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, (A) 불산(HF)를 포함하지 않는 불소계 화합물; (B) 유기인산; (C) 인산계 첨가제; (D) 물; 및 (E) 과산화수소를 포함하는 식각액 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은,
상기 식각액 조성물 제조용 예비-조성물(pre-composition)로서,
(A) 불산(HF)를 포함하지 않는 불소계 화합물; (B) 유기인산; (C) 인산계 첨가제; 및 (D) 물을 포함하는 식각액 조성물 제조용 예비-조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은,
(1) (A) 불산(HF)를 포함하지 않는 불소계 화합물; (B) 유기인산; (C) 인산계 첨가제; 및 (D) 물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 식각액 조성물 제조용 예비-조성물을 제조하는 단계; 및
(2) 상기 예비-조성물에 과산화수소를 첨가하는 단계를 포함하는,
(A) 불산(HF)를 포함하지 않는 불소계 화합물; (B) 유기인산; (C) 인산계 첨가제; (D) 물; 및 (E) 과산화수소를 포함하는 식각액 조성물의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 식각액 조성물은 실리콘 저매늄을 식각하는 동시에 실리콘 산화막에 대한 손상을 최소화할 수 있는 우수한 식각 성능을 나타내는 효과를 지니고 있다.
이하, 본 발명을 보다 자세히 설명한다.
본 발명은, (A) 불산(HF)를 포함하지 않는 불소계 화합물; (B) 유기인산; (C) 인산계 첨가제; (D) 물; 및 (E) 과산화수소를 포함하는 식각액 조성물에 관한 것이다.
본 발명은 (A) 불산(HF)를 포함하지 않는 불소계 화합물; (B) 유기인산; (C) 인산계 첨가제; (D) 물; 및 (E) 과산화수소를 포함함으로써, 실리콘 산화막에 대한 손상을 최소화하면서도, 실리콘 저매늄막(SiGe)에 대해서는 우수한 식각 성능을 나타내는 식각액 조성물을 제공할 수 있다.
상기 식각액 조성물은 (A) 불산(HF)를 포함하지 않는 불소계 화합물; (B) 유기인산; (C) 인산계 첨가제; (D) 물에 (E)과산화수소를 첨가하여 제조되는 것일 수 있다.
즉, 본 발명은 (A) 불산(HF)를 포함하지 않는 불소계 화합물; (B) 유기인산; (C) 인산계 첨가제; 및 (D) 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물 제조용 예비-조성물도 포함한다.
상기 식각액 조성물 제조용 예비-조성물은, 식각액 조성물을 제조하기 위한 용도로 제조되는 것으로서, 제조하고자 하는 식각액 조성물에서 하나 이상의 성분을 포함하지 않으며, 본 발명에서 상기 예비-조성물에 과산화수소를 첨가하여 식각액 조성물을 제조할 수 있다.
상기 식각액 조성물은 실리콘 저매늄막 및 실리콘 산화막의 이중막을 식각할 수 있으며, 실리콘 저매늄막을 선택적으로 식각할 수 있다.
상기 식각액 조성물은 실리콘 저매늄막에 대한 선택적 식각용일 수 있다.
이하, 본 발명의 식각액 조성물을 구성하는 각 성분을 설명한다.
(A)
불산을
포함하지 않는 불소계 화합물
본 발명의 불산을 포함하지 않는 불소계 화합물은 실리콘 저매늄막을 식각하는 역할을 한다.
상기 불산(HF)은 실리콘 산화막을 과식각하므로, 본 발명의 불소계 화합물은 불산을 포함하지 않는다.
상기 불산을 포함하지 않는 불소계 화합물은 그 종류가 특별히 한정되는 것은 아니나, 불화암모늄(ammonium fluoride), 중불화암모늄(ammonium bifluoride), 불화테트라메틸암모늄(tetramethyl ammonium fluoride), 불화테트라에틸암모늄(tetraethyl ammonium fluoride), 불화테트라프로필암모늄(tetrapropyl ammonium fluoride), 불화테트라부틸암모늄(tetrabutyl ammonium fluoride) 및 불화테트라펜틸암모늄(tetrapenthyl ammonium fluoride)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
또한, 상기 불산을 포함하지 않는 불소계 화합물은 본 발명의 식각액 조성물 총 중량에 대하여 2 내지 20 중량%, 바람직하게는 4 내지 16 중량%로 포함될 수 있다.
불산을 포함하지 않는 불소계 화합물의 함량이 상기 범위를 만족하는 경우 실리콘 저매늄막의 식각 속도가 현저하게 감소하는 문제와 식각액 조성물 내에 포함되는 인산계 첨가제(예를 들어, 트리에틸 포스페이트)가 용해되지 않는 문제가 발생할 가능성이 낮아질 수 있다.
(B) 유기인산
본 발명의 유기인산은 식각액 조성물에 수소 이온(H+)을 공급하여 실리콘 저매늄막의 식각을 보조하는 역할을 한다.
본 발명에서 상기 유기인산의 종류를 특별히 한정하는 것은 아니나, 메틸 인산(methyl phosphoric acid), 페닐 인산(Phenyl phosphoric acid), 1-히드록시에탄-1,1-디포스폰산 (1-hydroxyethane-1,1-diphosphonic acid) 디메틸포스핀산(Dimethyl phosphinic acid), 아미노에틸 포스폰산(Aminoethyl phosphonic acid), 에틸포스폰산(ethyl phosphonic acid) 및 글리신-N,N-비스(메틸렌포스폰산)(Glycine-N,N-bis(methylenephosphonic Acid))으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 유기인산은 본 발명의 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.5 내지 5 중량%, 바람직하게는 0.5 내지 3 중량%로 포함될 수 있다.
상기 유기인산의 함량이 상기 범위를 만족하는 경우 실리콘 저매늄막의 식각능력이 감소되거나 실리콘 산화막이 과식각되는 문제가 발생할 가능성이 낮아질 수 있다.
(C) 인산계 첨가제
본 발명의 인산계 첨가제는 실리콘 산화막을 보호하는 역할을 한다.
본 발명에서 상기 인산계 첨가제의 종류를 특별히 한정하는 것은 아니나, 유기 인산염 또는 무기 인산염으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상 포함할 수 있다. 유기 인산염의 예로는 테트라부틸암모늄 포스페이트(tetrabutylammonium phosphate), 트리메틸 포스페이트(trimethyl phosphate), 트리에틸 포스페이트(triethyl phosphate), 디메틸 메틸포스피네이트(Dimethyl methylphosphinate), 디에틸포스파이트(Diethyl phosphite), 디메틸 포스포네이트(Dimethyl phosphonate), 트리메틸포스포아이트(Trimethyl phosphite), 및 디에틸아민 포스페이티(Diethyl amine phosphate)을 들 수 있고, 무기 인산염의 예로는 암모늄 포스페이트(ammonium phosphate), 및 암모늄 하이포포스파이트(ammonium hypophosphite)를 들 수 있다. 상기 인산계 첨가제는 테트라부틸암모늄 포스페이트(tetrabutylammonium phosphate), 트리메틸 포스페이트(trimethyl phosphate), 트리에틸 포스페이트(triethyl phosphate), 디메틸 메틸포스피네이트(Dimethyl methylphosphinate), 디에틸포스파이트(Diethyl phosphite), 디메틸 포스포네이트(Dimethyl phosphonate), 트리메틸포스포아이트(Trimethyl phosphite), 디에틸아민 포스페이티(Diethyl amine phosphate), 암모늄 포스페이트(ammonium phosphate), 및 암모늄 하이포포스파이트(ammonium hypophosphite)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
상기 인산계 첨가제는 본 발명의 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.5 내지 5 중량%, 바람직하게는 1 내지 3 중량%로 포함될 수 있다.
상기 인산계 첨가제의 함량이 상기 범위를 만족하는 경우 실리콘 산화막 보호와 실리콘 저매늄 식각 측면에서 유리할 수 있다.
(D) 물
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 물은 특별히 한정하지 않으나, 반도체 공정용으로서 탈이온수(DIW)를 이용하는 것이 바람직하며, 물속에 이온이 제거된 정도를 보여주는 비저항값이 18 ㏁·㎝ 이상인 탈이온수를 이용하는 것이 보다 바람직하다.
상기 물은 식각액 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량으로 포함될 수 있다.
(E) 과산화수소
본 발명의 과산화수소는 과산화수소는 실리콘 저매늄막의 산화시키는 역할을 한다.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 과산화수소는, 상술한 불산(HF)을 포함하지 않는 불소계 화합물; 유기인산; 인산계 첨가제 및 물을 포함하는, 본 발명의 식각액 조성물 제조용 예비-조성물에 최종적으로 첨가하여 사용하는 것이 식각액 조성물의 안정성, 식각 성능 유지 등을 위해 보다 바람직할 수 있다.
본 발명의 식각액 조성물 총 중량에 대하여 과산화수소는 4 내지 30 중량, 바람직하게는 10 내지 30 중량%로 포함될 수 있다.
상기 과산화수소의 함량을 함량이 상기 범위를 만족하는 경우 실리콘 저매늄의 식각 속도가 떨어지는 문제가 발생할 가능성이 낮아질 수 있다.
본 발명의 식각액 조성물은 전술한 성분 이외에 통상의 첨가제를 더 포함할 수 있으며, 상기 첨가제로는 부식 방지제, 금속이온 봉쇄제, 계면활성제 등을 들 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.
본 발명의 식각액 조성물은 상기 식각액 조성물은 실리콘 저매늄막 및 실리콘 산화막의 이중막을 식각할 수 있으며, 실리콘 저매늄막을 선택적으로 식각할 수 있다.
본 발명의 식각에 조성물은 실리콘 저매늄막에 대한 선택적 식각용일 수 있다. 즉, 본 발명의 식각액 조성물은 실리콘 저매늄을 식각하는 동시에 실리콘 산화막에 대한 손상을 최소화할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은
상기 식각액 조성물 제조용 예비-조성물(pre-composition)로서,
(A) 불산(HF)를 포함하지 않는 불소계 화합물; (B) 유기인산; (C) 인산계 첨가제; 및 (D) 물을 포함하는 식각액 조성물 제조용 예비-조성물을 제공한다.
상기 식각액 조성물 제조용 예비 조성물은,
(A) 불산(HF)를 포함하지 않는 불소계 화합물 2 내지 20 중량부;
(B) 유기인산 0.5 내지 5 중량부;
(C) 인산계 첨가제 0.5 내지 5 중량부; 및
(D) 물 40 내지 93 중량부로 포함하는 것이 바람직할 수 있다.
상기 식각액 조성물 제조용 예비 조성물에 (E) 과산화수소 4 내지 30 중량부가 첨가되어 식각액 조성물이 제조될 수 있다.
상기 식각액 조성물 제조용 예비 조성물에서 불산을 포함하지 않는 불소계 화합물은 2 내지 20 중량부, 바람직하게는 4 내지 16 중량부로 포함될 수 있다.
불산을 포함하지 않는 불소계 화합물의 함량이 상기 범위를 만족하는 경우 실리콘 저매늄막의 식각 속도가 현저하게 감소하는 문제와 식각액 조성물 내에 포함되는 인산계 첨가제(예를 들어, 트리에틸 포스페이트)가 용해되지 않는 문제가 발생할 가능성이 낮아질 수 있다.
상기 식각액 조성물 제조용 예비 조성물에서 유기인산은 0.5 내지 5 중량부, 바람직하게는 0.5 내지 3 중량부로 포함될 수 있다.
상기 유기인산의 함량이 상기 범위를 만족하는 경우 실리콘 저매늄막의 식각능력이 감소되거나 실리콘 산화막이 과식각되는 문제가 발생할 가능성이 낮아질 수 있다.
상기 식각액 조성물 제조용 예비 조성물에서 인산계 첨가제는 0.5 내지 5 중량부, 바람직하게는 1 내지 3 중량부로 포함될 수 있다.
상기 인산계 첨가제의 함량이 상기 범위를 만족하는 경우 실리콘 산화막 보호와 실리콘 저매늄 식각 측면에서 유리할 수 있다.
또한, 본 발명은
(1) (A) 불산(HF)를 포함하지 않는 불소계 화합물; (B) 유기인산; (C) 인산계 첨가제; 및 (D) 물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 식각액 조성물 제조용 예비-조성물을 제조하는 단계; 및
(2) 상기 예비-조성물에 과산화수소를 첨가하는 단계를 포함하는,
(A) 불산(HF)를 포함하지 않는 불소계 화합물; (B) 유기인산; (C) 인산계 첨가제; (D) 물; 및 (E) 과산화수소를 포함하는 식각액 조성물의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 식각액 조성물은 상기 식각액 조성물은 실리콘 저매늄막 및 실리콘 산화막의 이중막을 식각할 수 있으며, 실리콘 저매늄막을 선택적으로 식각할 수 있다. 구체적으로, 본 발명의 식각액 조성물은 실리콘 저매늄막 및 실리콘 산화막의 다중막 식각 시, 실리콘 저매늄막을 식각하면서도 실리콘 산화막의 식각을 방지할 수 있다.
본 발명의 식각에 조성물은 실리콘 저매늄막에 대한 선택적 식각용일 수 있다. 즉, 본 발명의 식각액 조성물은 실리콘 저매늄을 식각하는 동시에 실리콘 산화막에 대한 손상을 최소화할 수 있다.
상기 실리콘 저매늄막은 저매늄(Ge)이 20% 이상 100% 미만으로 포함된 실리콘 저매늄 막에 대한 것이며, 상기 범위에서 본 발명의 식각액 조성물이 실리콘 저매늄막을 보다 빠르게 식각할 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예 및 비교예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기 실시예에 의해 한정되지 않으며, 다양하게 수정 및 변경될 수 있다.
<
실시예
및
비교예
>
식각액
조성물 제조용 예비-조성물 및
식각액
조성물의 제조
하기 표 1의 성분 및 함량에 따라 실시예 1-1 내지 18-1 및 비교예 1-1 내지 4-1의 식각액 조성물 제조용 예비-조성물을 제조하였다.
[표 1]
하기 표 2의 성분 및 함량에 따라 실시예 1-2 내지 18-2 및 비교예 1-2 내지 4-2의 식각액 조성물 6kg을 각각 제조하였으며, 상기 실시예 1-1 내지 18-1 및 비교예 1-1 내지 4-1의 예비-조성물에 과산화수소를 첨가하는 방법으로 제조하였다.
[표 2]
주) 상기 표 1 및 2에서
A-1 : HF
A-2 : 불화암모늄(Ammonium fluoride)
B-1 : 페닐 인산(Phenyl phosphoric acid)
B-2 : 1-히드록시에탄-1,1-디포스폰산 (1-hydroxyethane-1,1-diphosphonic acid)
C : 젖산(Lactic acid)
D : 파라톨루엔설폰산(p-Toluenesulfonic acid)
E-1 : 암모늄 포스페이트(Ammonium phosphate)
E-2 : 테트라부틸암모늄 포스페이트(Tetrabutylammonium phosphate)
E-3 : 트리메틸 포스페이트(trimethyl phosphate)
<
실험예
>
식각액
조성물의 성능 테스트
실험예
1. 실리콘 산화막 및 실리콘
저매늄막의
식각
속도 측정
상기 실시예 1-2 내지 18-2 및 비교예 1-2 내지 4-2의 식각액 조성물의 성능 테스트를 위해 실시콘 웨이퍼를 열적으로 성장시킨 실리콘 산화막 웨이퍼와 실리콘 저매늄(Si0.75Ge0.25) 증착한 웨이퍼를 각각 준비하였다. 상기 기판을 1.5x1.5cm 크기로 샘플링한 후, 상기 실시예 1-2 내지 18-2 및 비교예 1-2 내지 4-2의 각각의 식각액 조성물(500ppm)에 1분간 침적한 후 물로 세정하였다. 세정된 기판은 엘립소미터(Ellipsomter, SE-MG-1000)을 통해 각각의 막질의 손상 여부를 아래와 같은 기준으로 판단하여 그 결과를 표 3에 표시하였다.
<식각 속도 평가 기준>
50 Å/min < Si0 . 75Ge0 .25의 식각속도≤ 150 Å/min 일 때,
◎: 매우좋음(0 Å/min < 실리콘 산화막 식각속도 ≤ 5 Å/min)
○: 좋음(5 Å/min < 실리콘 산화막 식각속도 ≤ 10 Å/min)
△: 보통(10 Å/min < 실리콘 산화막 식각속도 ≤ 20 Å/min)
Х: 나쁨(20 Å/min < 실리콘 산화막 식각속도)
150 Å/min < Si0 . 7Ge0 .3의 식각속도 ≤ 200 Å/min 일 때,
◎: 매우좋음(0 Å/min < 실리콘 산화막 식각속도 ≤ 10 Å/min)
○: 좋음(10 Å/min < 실리콘 산화막 식각속도 ≤ 20 Å/min)
△: 보통(20 Å/min < 실리콘 산화막 식각속도 ≤ 30 Å/min)
Х: 나쁨(30 Å/min < 실리콘 산화막 식각속도)
200 Å/min < Si0 . 7Ge0 .3의 식각속도 일 때,
◎: 매우좋음(0 Å/min < 실리콘 산화막 식각속도 ≤ 15 Å/min)
○: 좋음(15 Å/min < 실리콘 산화막 식각속도 ≤ 25 Å/min)
△: 보통(25 Å/min < 실리콘 산화막 식각속도 ≤ 35 Å/min)
Х: 나쁨(35 Å/min < 실리콘 산화막 식각속도)
[표 3]
상기 표 3의 결과에서, 본 발명의 식각액 조성물인 실시예 1-2 내지 18-2은 Si0.75Ge0. 25의 식각속도가 우수할 뿐만 아니라, 상기 Si0 . 75Ge0 . 25을 식각하면서도 실리콘 산화막을 거의 식각하지 않는 것을 확인할 수 있었다.
반면, 불산, 과산화수소 및 물만을 포함한 비교예 1의 식각액 조성물은 Si0.75Ge0.25의 식각속도가 현저히 낮을 뿐 아니라, Si0 . 7Ge0 .3의 식각 속도 대비 실리콘 산화막의 식각 속도도 높아 실리콘 산화막의 과식각을 방지하지 못하였다.
또한, 유기인산이 아닌 인산을 포함하고 인산계 첨가제를 포함하지 않는 비교예 2-2 내지 4-2는 실리콘 산화막을 방지하는 효과가 부족하여 불량한 결과를 나타내었다.
따라서, 본 발명의 식각액 조성물은 실리콘 저매늄을 식각하는 동시에 실리콘 산화막에 대한 손상을 최소화할 수 있는 우수한 식각 성능을 나타내는 것을 확인할 수 있었다.
Claims (17)
- (A) 불산(HF)를 포함하지 않는 불소계 화합물;
(B) 유기인산;
(C) 인산계 첨가제;
(D) 물; 및
(E) 과산화수소를 포함하는 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 조성물 총 중량에 대하여,
(A) 불산(HF)를 포함하지 않는 불소계 화합물 2 내지 20 중량%;
(B) 유기인산 0.5 내지 5 중량%;
(C) 인산계 첨가제 0.5 내지 5 중량%;
(E) 과산화수소 4 내지 30 중량%; 및
(D) 물 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서,
상기 (A)불산(HF)을 포함하지 않는 불소계 화합물은 불화암모늄(ammonium fluoride), 중불화암모늄(ammonium bifluoride), 불화테트라메틸암모늄(tetramethyl ammonium fluoride), 불화테트라에틸암모늄(tetraethyl ammonium fluoride), 불화테트라프로필암모늄(tetrapropyl ammonium fluoride), 불화테트라부틸암모늄(tetrabutyl ammonium fluoride) 및 불화테트라펜틸암모늄(tetrapenthyl ammonium fluoride)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서,
상기 (B) 유기인산은 메틸 인산(methyl phosphoric acid), 페닐 인산(Phenyl phosphoric acid), 1-히드록시에탄-1,1-디포스폰산 (1-hydroxyethane-1,1-diphosphonic acid), 디메틸포스핀산(Dimethyl phosphinic acid), 아미노에틸 포스폰산(Aminoethyl phosphonic acid), 에틸포스폰산(ethyl phosphonic acid) 및 글리신-N,N-비스(메틸렌포스폰산)(Glycine-N,N-bis(methylenephosphonic Acid))으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서,
상기 (C) 인산계 첨가제는 유기 인산염 또는 무기 인산염으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서,
상기 (C) 인산계 첨가제는 테트라부틸암모늄 포스페이트(tetrabutylammonium phosphate), 트리메틸 포스페이트(trimethyl phosphate), 트리에틸 포스페이트(triethyl phosphate), 디메틸 메틸포스피네이트(Dimethyl methylphosphinate), 디에틸포스파이트(Diethyl phosphite), 디메틸 포스포네이트(Dimethyl phosphonate), 트리메틸포스포아이트(Trimethyl phosphite), 디에틸아민 포스페이티(Diethyl amine phosphate), 암모늄 포스페이트(ammonium phosphate), 및 암모늄 하이포포스파이트(ammonium hypophosphite)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서,
상기 식각액 조성물은 실리콘 저매늄막 및 실리콘 산화막의 이중막을 식각하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
- 청구항 7에 있어서,
상기 식각액 조성물은 실리콘 저매늄막을 선택적으로 식각하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
- (A) 불산(HF)를 포함하지 않는 불소계 화합물; (B) 유기인산; (C) 인산계 첨가제; 및 (D) 물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 식각액 조성물 제조용 예비-조성물.
- 상기 식각액 조성물 제조용 예비 조성물은,
(A) 불산(HF)를 포함하지 않는 불소계 화합물 2 내지 20 중량부;
(B) 유기인산 0.5 내지 5 중량부;
(C) 인산계 첨가제 0.5 내지 5 중량부; 및
(D) 물 40 내지 93 중량부로 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물 제조용 예비-조성물.
- 청구항 9에 있어서,
상기 (A) 불산(HF)를 제외한 불소계 화합물은 불화암모늄(ammonium fluoride), 중불화암모늄(ammonium bifluoride), 불화테트라메틸암모늄(tetramethyl ammonium fluoride), 불화테트라에틸암모늄(tetraethyl ammonium fluoride), 불화테트라프로필암모늄(tetrapropyl ammonium fluoride), 불화테트라부틸암모늄(tetrabutyl ammonium fluoride) 및 불화테트라펜틸암모늄(tetrapenthyl ammonium fluoride)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물 제조용 예비-조성물.
- 청구항 9에 있어서,
상기 (B) 유기인산은 메틸 인산(methyl phosphoric acid), 페닐 인산(Phenyl phosphoric acid) 및 1-히드록시에탄-1,1-디포스폰산 (1-hydroxyethane-1,1-diphosphonic acid)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물 제조용 예비-조성물.
- 청구항 9에 있어서,
상기 (C) 인산계 첨가제는 유기 인산염 또는 무기 인산염으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물 제조용 예비-조성물.
- 청구항 9에 있어서,
상기 (C) 인산계 첨가제는 상기 (C) 인산계 첨가제는 테트라부틸암모늄 포스페이트(tetrabutylammonium phosphate), 트리메틸 포스페이트(trimethyl phosphate), 트리에틸 포스페이트(triethyl phosphate), 디메틸 메틸포스피네이트(Dimethyl methylphosphinate), 디에틸포스파이트(Diethyl phosphite), 디메틸 포스포네이트(Dimethyl phosphonate), 트리메틸포스포아이트(Trimethyl phosphite), 디에틸아민 포스페이티(Diethyl amine phosphate), 암모늄 포스페이트(ammonium phosphate), 및 암모늄 하이포포스파이트(ammonium hypophosphite)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 식각액 제조용 예비-조성물.
- (A) 불산(HF)를 포함하지 않는 불소계 화합물; (B) 유기인산; (C) 인산계 첨가제; 및 (D) 물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 식각액 조성물 제조용 예비-조성물을 제조하는 단계; 및
(2) 상기 예비-조성물에 과산화수소를 첨가하는 단계를 포함하는,
(A) 불산(HF)를 포함하지 않는 불소계 화합물; (B) 유기인산; (C) 인산계 첨가제; (D) 물; 및 (E) 과산화수소를 포함하는 식각액 조성물의 제조 방법.
- 청구항 15에 있어서,
상기 식각액 조성물은 실리콘 저매늄막 및 실리콘 산화막의 이중막을 식각하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물의 제조방법.
- 청구항 16에 있어서,
상기 식각액 조성물은 실리콘 저매늄막을 선택적으로 식각하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물의 제조방법.
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