KR20180109521A - 식각액 조성물 - Google Patents
식각액 조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20180109521A KR20180109521A KR1020170039358A KR20170039358A KR20180109521A KR 20180109521 A KR20180109521 A KR 20180109521A KR 1020170039358 A KR1020170039358 A KR 1020170039358A KR 20170039358 A KR20170039358 A KR 20170039358A KR 20180109521 A KR20180109521 A KR 20180109521A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- etchant composition
- composition
- fluorine
- film
- quaternary ammonium
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 88
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 64
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 62
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 34
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 claims abstract description 34
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 32
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 25
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 claims abstract description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 34
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical group OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid group Chemical group S(O)(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 7
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical group OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- FPGGTKZVZWFYPV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium fluoride Chemical compound [F-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC FPGGTKZVZWFYPV-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 239000004254 Ammonium phosphate Substances 0.000 claims description 5
- 229910000148 ammonium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 235000019289 ammonium phosphates Nutrition 0.000 claims description 5
- MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N diammonium hydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].[NH4+].OP([O-])([O-])=O MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ARRNBPCNZJXHRJ-UHFFFAOYSA-M hydron;tetrabutylazanium;phosphate Chemical compound OP(O)([O-])=O.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC ARRNBPCNZJXHRJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- ZXUCBXRTRRIBSO-UHFFFAOYSA-L tetrabutylazanium;sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC ZXUCBXRTRRIBSO-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- KJFVITRRNTVAPC-UHFFFAOYSA-L tetramethylazanium;sulfate Chemical compound C[N+](C)(C)C.C[N+](C)(C)C.[O-]S([O-])(=O)=O KJFVITRRNTVAPC-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 6-methoxy-8-nitroquinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC(OC)=CC([N+]([O-])=O)=C21 MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N methyl 2-amino-5-methoxybenzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC(OC)=CC=C1N MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UVVFKNZCYIIHGM-UHFFFAOYSA-L tetrabutylazanium;carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC UVVFKNZCYIIHGM-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- DMUXGOVRWIDZEU-UHFFFAOYSA-M tetrapentylazanium;fluoride Chemical compound [F-].CCCCC[N+](CCCCC)(CCCCC)CCCCC DMUXGOVRWIDZEU-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- POSYVRHKTFDJTR-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;fluoride Chemical compound [F-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC POSYVRHKTFDJTR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 claims 3
- QSUJAUYJBJRLKV-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;fluoride Chemical compound [F-].CC[N+](CC)(CC)CC QSUJAUYJBJRLKV-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 3
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 30
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 description 22
- KZEVSDGEBAJOTK-UHFFFAOYSA-N 1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-2-[5-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]-1,3,4-oxadiazol-2-yl]ethanone Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)C(CC=1OC(=NN=1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)=O KZEVSDGEBAJOTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 5
- OHVLMTFVQDZYHP-UHFFFAOYSA-N 1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-2-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]ethanone Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)C(CN1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)=O OHVLMTFVQDZYHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LDXJRKWFNNFDSA-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]ethanone Chemical compound C1CN(CC2=NNN=C21)CC(=O)N3CCN(CC3)C4=CN=C(N=C4)NCC5=CC(=CC=C5)OC(F)(F)F LDXJRKWFNNFDSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JQMFQLVAJGZSQS-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-N-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)acetamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)NC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 JQMFQLVAJGZSQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 4
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C(CN1CC2=C(CC1)NN=N2)=O HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VWVRASTUFJRTHW-UHFFFAOYSA-N 2-[3-(azetidin-3-yloxy)-4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound O=C(CN1C=C(C(OC2CNC2)=N1)C1=CN=C(NC2CC3=C(C2)C=CC=C3)N=C1)N1CCC2=C(C1)N=NN2 VWVRASTUFJRTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JVKRKMWZYMKVTQ-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]pyrazol-1-yl]-N-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)acetamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C=NN(C=1)CC(=O)NC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 JVKRKMWZYMKVTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YJLUBHOZZTYQIP-UHFFFAOYSA-N 2-[5-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-1,3,4-oxadiazol-2-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1=NN=C(O1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 YJLUBHOZZTYQIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CONKBQPVFMXDOV-QHCPKHFHSA-N 6-[(5S)-5-[[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]methyl]-2-oxo-1,3-oxazolidin-3-yl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C[C@H]1CN(C(O1)=O)C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 CONKBQPVFMXDOV-QHCPKHFHSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZVLDJSZFKQJMKD-UHFFFAOYSA-N [Li].[Si] Chemical compound [Li].[Si] ZVLDJSZFKQJMKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- SXAMGRAIZSSWIH-UHFFFAOYSA-N 2-[3-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-1,2,4-oxadiazol-5-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1=NOC(=N1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 SXAMGRAIZSSWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWSJZGAPAVMETJ-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-3-ethoxypyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C(=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2)OCC WWSJZGAPAVMETJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZRPAUEVGEGEPFQ-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]pyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 ZRPAUEVGEGEPFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYQJWBKHBIJIFN-UHFFFAOYSA-N [F].C(C)[N+](CC)(CC)CC Chemical compound [F].C(C)[N+](CC)(CC)CC AYQJWBKHBIJIFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010420 art technique Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- DQWPFSLDHJDLRL-UHFFFAOYSA-N triethyl phosphate Chemical compound CCOP(=O)(OCC)OCC DQWPFSLDHJDLRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVLBCYQITXONBZ-UHFFFAOYSA-N trimethyl phosphate Chemical compound COP(=O)(OC)OC WVLBCYQITXONBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
본 발명은 불산을 포함하지 않는 불소계 화합물, 해리되어 수소 이온을 공급하는 4급 암모늄염, 물 및 과산화수소를 포함하는 식각액 조성물, 상기 식각액 조성물 제조용 예비-조성물 및 상기 식각액 조성물의 제조방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 식각액 조성물에 관한 것으로, 보다 자세하게는 불산을 포함하지 않는 불소계 화합물, 해리되어 수소 이온을 공급하는 4급 암모늄염, 물 및 과산화수소를 포함하는 식각액 조성물에 관한 것이다.
트랜지스터 크기를 감소하려는 요구는 집적회로 분야에서 해결 되어야 할 지속적인 문제이다. 트랜지스터 크기를 감소시키는 종래기술의 하나는 채널의 길이를 줄이는 것이다. 그렇게 함으로써, 트랜지스터가 차지하는 전체 점유공간을 효과적으로 줄였다. 그러나, 트랜지스터의 물리적 변수와 관련된 최소 채널길이는 예컨대, 단채널 효과와 같은 다른 문제를 발생시켰다.
종래기술은 적어도 최소한 채널길이를 유지하면서 트랜지스터의 점유공간의 크기를 줄이는 트랜지스터 구조의 발전에 대응하여 왔다. 플래너 채널을 사용하는 트랜지스터 구조의 점유공간이 점점 커지는 데 반해, 접혀진 형태의(folded) 채널을 사용하는 트랜지스터 구조의 점유공간은 점점 작아지고 있다.
트랜지스터의 크기를 줄이려는 지속적인 노력은 다중 브릿지(bridge) 채널형 FET(MBCFET)을 개발해냈다. MBCFET는 사각형의 단면을 가진 채널이 적층된 구조를 가진 FET으로 알려졌다. 다중 브릿지 채널형 FET는 상기 문제를 해결 할수 있었으나, 상기 다중 브릿지 채널형 FET는 일반적으로 NMOS 및 PMOS를 동시에 사용하는 CMOS형으로 형성된다. CMOS형 트랜지스터를 식각할 경우, 실리콘 산화막 또는 폴리실리콘 막의 식각을 최소화 하면서, 실리콘 저매늄막의 식각속도를 유지해야 하고, 이러한 선택성이 우수한 식각액에 대한 개발이 필요한 실정이다.
일본 공개특허 평13-148473(이하, "인용 특허"라고 한다.)에 실리콘 저매늄의 식각방법이 개시되어 있다. 상기 인용 특허는 질산, 불산(HF) 및 탈이온수로 이루어진 식각액을 이용하여 실리콘 저매늄을 식각하고 있다. 그러나, 실제적으로 공정에 적용하기 위해서는 실리콘에 대해 실리콘 저매늄의 선택비가 매우 높아야 하는 반면, 상기 인용 특허의 식각액은 실제적으로 약 1:2의 선택비를 가지므로, 실제 공정에 적용하기에 한계가 있다. 즉, 원하는 양만큼 실리콘 저매늄을 식각하기 위해서는 실리콘의 소모량도 함께 증가하여 선택적인 식각을 구현하는데 한계가 있다. 또한, 식각 공정 후, 린스 공정으로 이송 중에도 계속적인 식각이 발생하여 불필요한 실리콘의 손실을 초래한다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로서,
실리콘 산화막의 식각을 방지하면서도 실리콘 저매늄막에 대한 우수한 식각 성능을 가지는 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여,
본 발명은 (A)불산을 포함하지 않는 불소계 화합물, (B)하기 화학식 1의 수소 이온을 공급할 수 있는 4급 암모늄염, (C)물 및 (D)과산화수소를 포함하는 식각액 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
상기 R1 내지 R4는 각각 같거나 상이하게 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이며,
상기 Y는 황산, 인산 또는 탄산이다.
또한, 본 발명은 (A)불산을 포함하지 않는 불소계 화합물, (B)상기 화학식 1의 수소 이온을 공급할 수 있는 4급 암모늄염 및 (C)물을 포함하는 식각액 조성물 제조용 예비-조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 (1) (A)불산을 포함하지 않는 불소계 화합물, (B)상기 화학식 1의 수소 이온을 공급할 수 있는 4급 암모늄염, (C)물을 포함하는 식각액 조성물 제조용 예비-조성물을 제조하는 단계; 및
(2)상기 예비-조성물에 (D)과산화수소를 첨가하는 단계를 포함하는,
(A)불산을 포함하지 않는 불소계 화합물, (B)상기 화학식 1의 수소 이온을 공급할 수 있는 4급 암모늄염, (C)물 및 (D)과산화수소를 포함하는 식각액 조성물의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 식각액 조성물은 실리콘 산화막의 식각을 방지하면서도 실리콘 저매늄막에 대해서는 우수한 식각 성능을 나타내는 효과를 지니고 있다.
이하, 본 발명을 보다 자세히 설명한다.
본 발명은 (A)불산을 포함하지 않는 불소계 화합물, (B)하기 화학식 1의 수소 이온을 공급할 수 있는 4급 암모늄염, (C)물 및 (D)과산화수소를 포함하는 식각액 조성물에 관한 것이다.
[화학식 1]
상기 R1 내지 R4는 각각 같거나 상이하게 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이며,
상기 Y는 황산, 인산 또는 탄산이다.
본 발명은 (A)불산을 포함하지 않는 불소계 화합물, (B)상기 화학식 1의 수소 이온을 공급할 수 있는 4급 암모늄염, (C)물 및 (D)과산화수소를 포함함으로써, 실리콘 산화막(SiOx)의 식각을 방지하면서도, 실리콘 저매늄막(SiGe)에 대해서는 우수한 식각 성능을 나타내는 식각액 조성물을 제공할 수 있다.
상기 식각액 조성물은 (A)불산을 포함하지 않는 불소계 화합물, (B)상기 화학식 1의 수소 이온을 공급할 수 있는 4급 암모늄염 및 (C)물을 포함하는 식각액 조성물 제조용 예비-조성물(pre-composition)에 (D)과산화수소를 첨가하여 제조되는 것일 수 있다.
즉, 본 발명은 (A)불산을 포함하지 않는 불소계 화합물, (B)상기 화학식 1의 수소 이온을 공급할 수 있는 4급 암모늄염 및 (C)물을 포함하는 것을 특징으로 하는 본 발명의 식각액 조성물 제조용 예비-조성물(pre-composition)도 포함한다.
상기 식각액 조성물 제조용 예비-조성물은, 식각액 조성물을 제조하기 위한 용도로 제조되는 것으로서, 제조하고자 하는 식각액 조성물에서 하나 이상의 성분을 포함하지 않으며, 본 발명에서 상기 예비-조성물에 과산화수소를 첨가하여 식각액 조성물을 제조할 수 있다.
본 발명의 식각액 조성물은 실리콘 저매늄막에 대한 선택적 식각액 조성물이며, 구체적으로 실리콘 저매늄막 및 실리콘 산화막 이중막(SiGe/SiOx)식각 시, 실리콘 저매늄막을 식각하면서도 실리콘 산화막의 식각을 방지하는 실리콘 저매늄막에 대한 선택적 식각액 조성물이다.
상기 실리콘 저매늄막은 저매늄(Ge)이 20% 이상 100% 미만으로 포함된 실리콘 저매늄 막에 대한 것이며, 상기 범위에서 본 발명의 식각액 조성물이 실리콘 저매늄막을 보다 빠르게 식각할 수 있다.
이하, 본 발명의 식각액 조성물을 구성하는 각 성분을 설명한다.
(A)
불산을
포함하지 않는 불소계 화합물
본 발명의 불산을 포함하지 않는 불소계 화합물은 실리콘 저매늄막을 식각하는 역할을 한다.
상기 불산(hydro fluoride)은 실리콘 저매늄막 대비 실리콘 산화막을 과식각하므로, 본 발명의 불소계 화합물은 불산을 포함하지 않는다.
상기 불산을 포함하지 않는 불소계 화합물은 그 종류가 특별히 한정되는 것은 아니나, 불화암모늄(ammonium fluoride), 중불화암모늄(ammonium bifluoride), 불화테트라메틸암모늄(tetramethyl ammonium fluoride), 불화테트라에틸암모늄(tetraethyl ammonium fluoride), 불화테트라프로필암모늄(tetrapropyl ammonium fluoride), 불화테트라부틸암모늄(tetrabutyl ammonium fluoride) 및 불화테트라펜틸암모늄(tetrapenthyl ammonium fluoride)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
또한, 상기 불산을 포함하지 않는 불소계 화합물은 본 발명의 식각액 조성물 총 중량에 대하여 2 내지 20 중량%, 바람직하게는 4 내지 16 중량%로 포함될 수 있다.
상기 불산을 포함하지 않는 불소계 화합물을 2 중량% 미만으로 포함하면 실리콘 저매늄막의 식각 속도가 현저하게 감소하는 문제가 발생할 수 있으며, 20 중량%를 초과하여 포함하면 실리콘 산화막에 과식각이 발생할 수 있다.
(B)화학식 1의 수소 이온을 공급할 수 있는 4급 암모늄염
본 발명의 4급 암모늄염은 해리되어 수소이온을 공급할 수 있는 것으로, 하기 화학식 1의 구조를 갖는다.
[화학식 1]
상기 R1 내지 R4는 각각 같거나 상이하게 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이며,
상기 Y는 황산, 인산 또는 탄산이다.
상기 화학식 1의 4급 수소 이온을 공급할 수 있는 암모늄염은 본 발명의 식각액 조성물 내에서 해리되어 4급 암모늄 양이온과 카운터(counter) 음이온이 되어 실리콘 산화막의 식각을 방지하며, 상기 음이온은 다시 해리되어 수소 이온(H+)을 공급하여 실리콘 저매늄막의 식각을 보조하는 역할을 한다.
즉, 본 발명의 식각액 조성물이 상기 화학식 1의 수소 이온을 공급할 수 있는 4급 암모늄염을 포함함으로써, 실리콘 저매늄막을 식각하는 동시에 실리콘 산화막의 식각을 방지할 수 있다.
상기 화학식 1의 음이온 Y-는 중심 원자로부터 수소 해리가 가능한 음이온산이며, 본 발명에서는 황산, 인산 또는 탄산의 음이온이 바람직하다.
상기 화학식 1의 4급 암모늄염은 바람직하게는 암모늄 포스페이트, 테트라메틸암모늄 설페이트, 테트라뷰틸암모늄 설페이트, 테트라뷰틸암모늄 포스페이트 및 테트라뷰틸암모늄 카보네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다.
또한, 상기 화학식 1의 수소 이온을 공급할 수 있는 4급 암모늄염은 본 발명의 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 5 중량%, 바람직하게는 0.5 내지 3 중량%로 포함될 수 있다.
상기 화학식 1의 수소 이온을 공급할 수 있는 4급 암모늄염을 0.1 중량% 미만으로 포함하면 실리콘 저매늄막의 식각 능력이 저하될 수 있으며, 5 중량%를 초과하여 포함하면 실리콘 산화막이 과식각되는 문제가 발생할 수 있다.
(C)물
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 물은 특별히 한정하지 않으나, 반도체 공정용으로서 탈이온수(DIW)를 이용하는 것이 바람직하며, 물속에 이온이 제거된 정도를 보여주는 비저항값이 18 ㏁/㎝ 이상인 탈이온수를 이용하는 것이 보다 바람직하다.
상기 물은 식각액 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량으로 포함될 수 있다.
(D)과산화수소
본 발명의 과산화수소는 식각하고자 하는 금속막인 실리콘 저매늄막을 산화시키는 산화제의 역할을 한다.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 과산화수소는, 상술한 불산을 포함하지 않는 불소계 화합물; 상기 화학식 1의 4급 암모늄염 및 물을 포함하는, 본 발명의 식각액 조성물 제조용 예비-조성물에 최종적으로 첨가하여 사용하는 것이 식각액 조성물의 안정성, 식각 성능 유지 등을 위해 보다 바람직할 수 있다.
상기 과산화수소는 본 발명의 식각액 조성물 총 중량에 대하여 4 내지 30 중량%, 바람직하게는 10 내지 20 중량%로 포함될 수 있다.
상기 과산화수소를 4 중량% 미만으로 포함하면 실리콘 저매늄막의 식각 속도가 현저하게 감소할 수 있으며, 30 중량%를 초과하여 포함하면 30 중량% 이하일 때와 산화 속도가 유사하므로, 경제적이지 못하다.
또한, 본 발명의 식각액 조성물은 (A)불산을 포함하지 않는 불소계 화합물로 인한 실리콘 산화막의 식각을 방지하기 위하여 추가로 첨가제를 포함할 수 있다.
상기 첨가제로는 무기산계 첨가제, 아졸계 첨가제 및 계면활성제 등을 들 수 있으며, 구체적으로 예를 들어 트리에틸 포스페이트(triethyl phosphate), 트리메틸 포스페이트(trimethyl phosphate), 암모늄 포스페이트(Ammonium phosphate), 5-아미노-1H-테트라졸(5-amino-1H-tetrazole) 및 F-444(DIC corporation) 등을 들 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은
(A)불산을 포함하지 않는 불소계 화합물; (B)상기 화학식 1의 수소 이온을 공급할 수 있는 4급 암모늄염; 및 (C)물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 본 발명의 식각액 조성물 제조용 예비-조성물을 제공한다.
상기 식각액 조성물 제조용 예비-조성물은,
(A)불산을 포함하지 않는 불소계 화합물 2 내지 20 중량부;
(B)상기 화학식 1의 수소 이온을 공급할 수 있는 4급 암모늄염 0.1 내지 5 중량부; 및
(C)물 75 내지 97.9 중량부로 포함하는 것이 바람직할 수 있다.
상기한 기준으로 불산을 포함하지 않는 불소계 화합물의 함량이 2 내지 20 중량부 범위를 벗어나는 경우 식각하고자 하는 금속막인 실리콘 저매늄막에 대한 식각 속도 저하 우려가 있거나, 식각액 조성물의 용해도 문제가 발생할 수 있다.
상기 상기 화학식 1의 수소 이온을 공급할 수 있는 4급 암모늄염의 함량이 0.1 내지 5 중량부 범위를 벗어나는 경우 식각 대상 금속막인 실리콘 저매늄막의 식각속도 저하, 실리콘 산화막이 식각되는 문제 발생 우려가 있다.
또한, 본 발명은
(1)불산을 포함하지 않는 불소계 화합물; (B)상기 화학식 1의 수소 이온을 공급할 수 있는 4급 암모늄염; 및 (C)물을 포함하는 식각액 조성물 제조용 예비-조성물을 제조하는 단계; 및
(2)상기 예비-조성물에 (D)과산화수소를 첨가하는 단계를 포함하는, 본 발명의 식각액 조성물의 제조 방법을 제공한다.
상기에서 식각액 조성물은 실리콘 저매늄막을 선택적으로 식각하는 식각액 조성물이다. 구체적으로, 실리콘 저매늄막 및 실리콘 산화막의 이중막(SiGe/ SiOx) 식각 시, 실리콘 저매늄막을 선택적으로 식각하면서 실리콘 산화막의 식각을 방지하는 식각액 조성물이다.
이하, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예 및 비교예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기 실시예에 의해 한정되지 않으며, 다양하게 수정 및 변경될 수 있다.
실시예
1-1 내지 10-1
비교예
1-1 내지 6-1.
식각액
조성물 제조
하기 표 1의 성분 및 함량에 따라 실시예 1-1 내지 10-1 및 비교예 1-1 내지 6-1의 식각액 조성물 제조용 예비-조성물을 제조하였다.
| 구분 | 불소계 화합물 | 4급 암모늄염 | 유기산 | 물 | ||||||
| A-1 | A-2 | B-1 | B-2 | B-3 | B-4 | B-5 | B-6 | |||
| 실시예 1-1 | - | 16 | 1 | - | - | - | - | - | 63 | |
| 실시예 2-1 | 16 | - | 0.1 | - | - | - | - | 63.9 | ||
| 실시예 3-1 | - | 16 | - | 0.5 | - | - | - | - | 63.5 | |
| 실시예 4-1 | - | 16 | - | 1 | - | - | - | - | 63 | |
| 실시예 5-1 | - | 8 | - | 3 | - | - | - | - | 77 | |
| 실시예 6-1 | - | 16 | - | 5 | - | - | - | - | - | 67 |
| 실시예 7-1 | - | 16 | - | - | 1 | - | - | - | - | 63 |
| 실시예 8-1 | - | 16 | - | 0.5 | 0.5 | - | - | - | - | 63 |
| 실시예 9-1 | - | 8 | - | 3 | - | 2 | - | - | - | 75 |
| 실시예10-1 | - | 16 | - | - | 1 | 2 | - | - | - | 61 |
| 비교예 1-1 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | 89 |
| 비교예 2-1 | 16 | - | - | 1 | - | 2 | - | - | - | 71 |
| 비교예 3-1 | - | 16 | - | - | - | - | - | - | - | 62 |
| 비교예 4-1 | - | 16 | - | - | - | - | 1 | - | - | 61 |
| 비교예 5-1 | - | 16 | - | - | - | - | - | 1 | - | 61 |
| 비교예 6-1 | - | 8 | - | - | - | - | - | - | 1 | 79 |
실시예
1-2 내지 10-2
비교예
1-2 내지 6-2.
식각액
조성물 제조
하기 표 2의 성분 및 함량에 따라 실시예 1-2 내지 10-2 및 비교예 1-2 내지 6-2의 식각액 조성물 6kg을 각각 제조하였으며, 상기 실시예 1-1 내지 10-1 및 비교예 1-1 내지 6-1의 예비-조성물에 과산화수소를 첨가하는 방법으로 제조하였다.
| 구분 | 불소계 화합물 | 4급 암모늄염 | 유기산 | 과산화수소 | 물 | ||||||
| A-1 | A-2 | B-1 | B-2 | B-3 | B-4 | B-5 | B-6 | ||||
| 실시예 1-2 | - | 16 | 1 | - | - | - | - | - | 20 | 잔량 | |
| 실시예 2-2 | 16 | - | 0.1 | - | - | - | - | 20 | 잔량 | ||
| 실시예 3-2 | - | 16 | - | 0.5 | - | - | - | - | 20 | 잔량 | |
| 실시예 4-2 | - | 16 | - | 1 | - | - | - | - | 20 | 잔량 | |
| 실시예 5-2 | - | 8 | - | 3 | - | - | - | - | 12 | 잔량 | |
| 실시예 6-2 | - | 16 | - | 5 | - | - | - | - | 12 | 잔량 | |
| 실시예 7-2 | - | 16 | - | - | 1 | - | - | - | 20 | 잔량 | |
| 실시예 8-2 | - | 16 | - | 0.5 | 0.5 | - | - | - | 20 | 잔량 | |
| 실시예9-2 | - | 8 | - | 3 | - | 2 | - | - | - | 12 | 잔량 |
| 실시예10-2 | - | 16 | - | - | 1 | 2 | - | - | - | 20 | 잔량 |
| 비교예 1-2 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | 10 | 잔량 |
| 비교예 2-2 | 16 | - | - | 1 | - | 2 | - | - | - | 10 | 잔량 |
| 비교예 3-2 | - | 16 | - | - | - | - | - | - | - | 20 | 잔량 |
| 비교예 4-2 | - | 16 | - | - | - | - | 1 | - | - | 20 | 잔량 |
| 비교예 5-2 | - | 16 | - | - | - | - | - | 1 | - | 20 | 잔량 |
| 비교예 6-2 | - | 8 | - | - | - | - | - | - | 1 | 12 | 잔량 |
A-1 : HF
A-2 : Ammonium fluoride
B-1 : Tetramethylammonium sulfate
B-2 : Tetrabutylammonium sulfate
B-3 : Tetrabutylammonium phosphate
B-4 : Ammonium phosphate
B-5 : Tetramethylammonium hydroxide
B-6 : Tetrabutylammonium hydroxide
유기산 : Lactic acid
실험예
1.
금속막의
식각
속도 측정
폴리실리콘(poly Si) 웨이퍼에 실리콘 저매늄(Si0.7Ge0.3)막이 증착된 금속막을 준비하였다. 상기 기판을 1.5x1.5cm 크기로 샘플링한 후, 25℃에서 상기 실시예 1-2 내지 10-2 및 비교예 1-2 내지 6-2의 각각의 식각액 조성물(500ppm)에 1분간 침적한 후 물로 세정하였다. 세정된 기판은 엘립소미터(Ellipsomter, SE-MG-1000)을 통해 각각의 막질의 손상 여부를 아래와 같은 기준으로 판단하여 그 결과를 표 3에 표시하였다.
<식각 속도 평가 기준>
50 Å/min < Si0 . 7Ge0 .3의 식각속도≤ 150 Å/min 일 때,
◎: 매우좋음(0 Å/min < SiOx 식각속도≤ 5 Å/min)
○: 좋음(5 Å/min < SiOx 식각속도≤ 10 Å/min)
△: 보통(10 Å/min < SiOx 식각속도≤ 15 Å/min)
Х: 나쁨(15 Å/min > SiOx 식각속도)
150 Å/min < Si0 . 7Ge0 .3의 식각속도≤ 250 Å/min 일 때,
◎: 매우좋음(0 Å/min < SiOx 식각속도≤ 10 Å/min)
○: 좋음(10 Å/min < SiOx 식각속도≤ 20 Å/min)
△: 보통(20 Å/min < SiOx 식각속도≤ 30 Å/min)
Х: 나쁨(30 Å/min > SiOx 식각속도)
Si0 . 7Ge0 .3의 식각속도 > 250 Å/min 일 때,
◎: 매우좋음(0 Å/min < SiOx 식각속도≤ 15 Å/min)
○: 좋음(15 Å/min < SiOx 식각속도≤ 25 Å/min)
△: 보통(25 Å/min < SiOx 식각속도≤ 35 Å/min)
Х: 나쁨(35 Å/min > SiOx 식각속도)
| ER(Å/min) | 평가 | ||
| Si0 . 7Ge0 .3 | SiOx | ||
| 실시예 1-2 | 209.2 | 16.7 | ○ |
| 실시예 2-2 | 50.6 | 1.4 | ◎ |
| 실시예 3-2 | 104.3 | 2.7 | ◎ |
| 실시예 4-2 | 258.8 | 17.3 | ○ |
| 실시예 5-2 | 171.4 | 10.5 | ○ |
| 실시예 6-2 | 324.0 | 12.3 | ◎ |
| 실시예 7-2 | 161.0 | 7.1 | ◎ |
| 실시예 8-2 | 159.9 | 9.1 | ◎ |
| 실시예 9-2 | 101.5 | 4.5 | ◎ |
| 실시예 10-2 | 115.9 | 4.7 | ◎ |
| 비교예 1-2 | 30.7 | 16.5 | Х |
| 비교예 2-2 | 14.5 | 9.4 | X |
| 비교예 3-2 | 4.1 | 0.6 | Х |
| 비교예 4-2 | 0.8 | 0.5 | Х |
| 비교예 5-2 | 5.0 | 0.3 | Х |
| 비교예 6-2 | 230.9 | 27.7 | △ |
상기 표 3의 결과에서, 본 발명의 식각액 조성물인 실시예 1-2 내지 10-2는 Si0.7Ge0.3의 식각속도가 우수할 뿐만 아니라, 상기 Si0 . 7Ge0 .3을 식각하면서도 SiOx 막을 거의 식각하지 않는 것을 확인할 수 있었다.
반면, 불산만을 포함한 비교예 1-2의 식각액 조성물 및 불산을 포함한 비교예 2-2의 식각액 조성물은 Si0 . 7Ge0 .3의 식각속도가 현저히 낮을 뿐 아니라, Si0 . 7Ge0 .3의 식각 속도 대비 SiOx의 식각 속도도 높아 SiOx의 식각을 방지하지 못하였다.
해리되어 수소이온을 공급할 수 있는 상기 화학식 1의 4급 암모늄을 포함하지 않거나, 상기 화학식 1의 4급 암모늄 대신 해리되어 수소이온을 공급하지 못하는 4급 암모늄을 포함한 비교예 3-2 내지 5-2의 식각액 조성물은 SiOx막을 거의 식각하지 않았으나, Si0.7Ge0.3도 거의 식각하지 못하였다.
또한, 상기 화학식 1의 4급 암모늄 대신 유기산을 포함한 비교예 6-2의 식각액 조성물은 SiOx의 식각을 방지하지 못하여 불량한 결과를 나타내었다.
따라서, 본 발명의 식각액 조성물은 실리콘 산화막의 식각을 방지하면서도 실리콘 저매늄막에 대해서는 우수한 식각 성능을 나타내는 것을 확인할 수 있었다.
Claims (15)
- (A)불산을 포함하지 않는 불소계 화합물, (B)하기 화학식 1의 수소 이온을 공급할 수 있는 4급 암모늄염, (C)물 및 (D)과산화수소를 포함하는 식각액 조성물.
[화학식 1]
상기 R1 내지 R4는 각각 같거나 상이하게 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이며,
상기 Y는 황산, 인산 또는 탄산이다. - 청구항 1에 있어서, 식각액 조성물 총 중량에 대하여,
(A)불산을 포함하지 않는 불소계 화합물 2 내지 20 중량%;
(B)상기 화학식 1의 4급 암모늄염 0.1 내지 5 중량%
(D)과산화수소 4 내지 30 중량%; 및
(C)물 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물. - 청구항 1에 있어서, 상기 (A)불산(HF)을 포함하지 않는 불소계 화합물은 불화암모늄(ammonium fluoride), 중불화암모늄(ammonium bifluoride), 불화테트라메틸암모늄(tetramethyl ammonium fluoride), 불화테트라에틸암모늄(tetraethyl ammonium fluoride), 불화테트라프로필암모늄(tetrapropyl ammonium fluoride), 불화테트라부틸암모늄(tetrabutyl ammonium fluoride) 및 불화테트라펜틸암모늄(tetrapenthyl ammonium fluoride)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 수소 이온을 공급할 수 있는 4급 암모늄염은 암모늄 포스페이트, 테트라메틸암모늄 설페이트, 테트라뷰틸암모늄 설페이트, 테트라뷰틸암모늄 포스페이트 및 테트라뷰틸암모늄 카보네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 식각액 조성물은 실리콘 저매늄막 및 실리콘 산화막의 이중막을 식각하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
- 청구항 5에 있어서, 상기 식각액 조성물은 실리콘 저매늄막을 선택적으로 식각하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
- (A)불산을 포함하지 않는 불소계 화합물, (B)하기 화학식 1의 수소 이온을 공급할 수 있는 4급 암모늄염 및 (C)물을 포함하는 식각액 조성물 제조용 예비-조성물.
[화학식 1]
상기 R1 내지 R4는 각각 같거나 상이하게 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이며,
상기 Y는 황산, 인산 또는 탄산이다. - 청구항 7에 있어서, 식각액 조성물 총 중량에 대하여,
(A)불산을 포함하지 않는 불소계 화합물 2 내지 20 중량부;
(B)상기 화학식 1의 4급 암모늄염 0.1 내지 5 중량부; 및
(C)물 75 내지 97.9 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물 제조용 예비-조성물. - 청구항 7에 있어서, 상기 (A)불산을 포함하지 않는 불소계 화합물은 불화암모늄(ammonium fluoride), 중불화암모늄(ammonium bifluoride), 불화테트라메틸암모늄(tetramethyl ammonium fluoride), 불화테트라에틸암모늄(tetraethyl ammonium fluoride), 불화테트라프로필암모늄(tetrapropyl ammonium fluoride), 불화테트라부틸암모늄(tetrabutyl ammonium fluoride) 및 불화테트라펜틸암모늄(tetrapenthyl ammonium fluoride)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 식각액 조성물 제조용 예비-조성물.
- 청구항 7에 있어서, 상기 화학식 1의 수소 이온을 공급할 수 있는 4급 암모늄염은 암모늄 포스페이트, 테트라메틸암모늄 설페이트, 테트라뷰틸암모늄 설페이트, 테트라뷰틸암모늄 포스페이트 및 테트라뷰틸암모늄 카보네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물 제조용 예비-조성물.
- 청구항 7에 있어서, 상기 식각액 조성물 제조용 예비-조성물은 실리콘 저매늄막 및 실리콘 산화막의 이중막을 식각하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물 제조용 예비-조성물.
- 청구항 11에 있어서, 상기 식각액 조성물 제조용 예비-조성물의 식각액 조성물은 실리콘 저매늄막 및 실리콘 산화막의 이중막을 식각하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
- (1) (A)불산을 포함하지 않는 불소계 화합물, (B)하기 화학식 1의 수소 이온을 공급할 수 있는 4급 암모늄염 및 (C)물을 포함하는 식각액 조성물 제조용 예비-조성물을 제조하는 단계; 및
(2)상기 예비-조성물에 (D)과산화수소를 첨가하는 단계를 포함하는,
(A)불산을 포함하지 않는 불소계 화합물, (B)하기 화학식 1의 수소 이온을 공급할 수 있는 4급 암모늄염, (C)물 및 (D)과산화수소를 포함하는 식각액 조성물의 제조방법.
[화학식 1]
상기 R1 내지 R4는 각각 같거나 상이하게 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이며,
상기 Y는 황산, 인산 또는 탄산이다. - 청구항 13에 있어서, 상기 식각액 조성물은 실리콘 저매늄막 및 실리콘산화막의 이중막을 식각하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물의 제조방법.
- 청구항 14에 있어서, 상기 식각액 조성물은 실리콘 저매늄막을 선택적으로 식각하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170039358A KR102379073B1 (ko) | 2017-03-28 | 2017-03-28 | 식각액 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020170039358A KR102379073B1 (ko) | 2017-03-28 | 2017-03-28 | 식각액 조성물 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180109521A true KR20180109521A (ko) | 2018-10-08 |
| KR102379073B1 KR102379073B1 (ko) | 2022-03-28 |
Family
ID=63864189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170039358A KR102379073B1 (ko) | 2017-03-28 | 2017-03-28 | 식각액 조성물 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102379073B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102447288B1 (ko) | 2022-03-22 | 2022-09-26 | 영창케미칼 주식회사 | 몰리브데늄막 식각액 조성물 및 그를 이용한 식각 방법 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20080047285A (ko) * | 2006-11-23 | 2008-05-28 | 에스.오.아이. 테크 실리콘 온 인슐레이터 테크놀로지스 | Ｓｉ－기판 및 ＳｉＧｅ－기판을 위한 크롬이 없는 식각용액, 상기 식각 용액을 이용하여 결함을 나타내기위한방법 및 상기 식각 용액을 이용하여 Ｓｉ－기판 및ＳｉＧｅ－기판을 처리하기 위한 프로세스 |
| KR20130042273A (ko) * | 2011-10-18 | 2013-04-26 | 삼성전자주식회사 | 식각용 조성물 및 이를 이용하는 반도체 기억 소자의 형성 방법 |
| JP2013148473A (ja) | 2012-01-19 | 2013-08-01 | Toyota Industries Corp | 電流センサ |
| JP2015030809A (ja) * | 2013-08-05 | 2015-02-16 | 三和油化工業株式会社 | エッチング液組成物 |
| KR20150024764A (ko) * | 2013-08-27 | 2015-03-09 | 동우 화인켐 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 |
| KR20170034036A (ko) * | 2015-09-18 | 2017-03-28 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 식각 조성물 |
-
2017
- 2017-03-28 KR KR1020170039358A patent/KR102379073B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20080047285A (ko) * | 2006-11-23 | 2008-05-28 | 에스.오.아이. 테크 실리콘 온 인슐레이터 테크놀로지스 | Ｓｉ－기판 및 ＳｉＧｅ－기판을 위한 크롬이 없는 식각용액, 상기 식각 용액을 이용하여 결함을 나타내기위한방법 및 상기 식각 용액을 이용하여 Ｓｉ－기판 및ＳｉＧｅ－기판을 처리하기 위한 프로세스 |
| KR20130042273A (ko) * | 2011-10-18 | 2013-04-26 | 삼성전자주식회사 | 식각용 조성물 및 이를 이용하는 반도체 기억 소자의 형성 방법 |
| JP2013148473A (ja) | 2012-01-19 | 2013-08-01 | Toyota Industries Corp | 電流センサ |
| JP2015030809A (ja) * | 2013-08-05 | 2015-02-16 | 三和油化工業株式会社 | エッチング液組成物 |
| KR20150024764A (ko) * | 2013-08-27 | 2015-03-09 | 동우 화인켐 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 |
| KR20170034036A (ko) * | 2015-09-18 | 2017-03-28 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 식각 조성물 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102447288B1 (ko) | 2022-03-22 | 2022-09-26 | 영창케미칼 주식회사 | 몰리브데늄막 식각액 조성물 및 그를 이용한 식각 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102379073B1 (ko) | 2022-03-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10711227B2 (en) | TiN hard mask and etch residue removal | |
| CN111164183B (zh) | 用于在半导体器件制造过程中从硅-锗/硅堆叠同时去除硅和硅-锗合金的蚀刻溶液 | |
| EP3076424B1 (en) | Selectively removing titanium nitride hard mask | |
| US8778210B2 (en) | Compositions and methods for the selective removal of silicon nitride | |
| KR101380487B1 (ko) | 실리콘 질화막의 에칭 용액 | |
| TWI721311B (zh) | 於製造一半導體裝置時用於相對氮化鈦選擇性移除氮化鉭的蝕刻組合物 | |
| KR20180041936A (ko) | 금속막 식각액 조성물 | |
| KR20180109521A (ko) | 식각액 조성물 | |
| KR102379074B1 (ko) | 식각액 조성물 | |
| KR20170084600A (ko) | 질화 티탄(TiN) 막의 식각액 조성물 및 그를 이용한 금속배선의 형성 방법 | |
| KR20150088356A (ko) | 실리콘계 화합물막 식각액 조성물 | |
| KR102379072B1 (ko) | 식각액 조성물 | |
| KR20150031269A (ko) | 에칭방법, 이것을 사용한 반도체 기판 제품 및 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR102372879B1 (ko) | 식각액 조성물 | |
| US20230340370A1 (en) | Composition, Its Use And A Process For Removing Post-Etch Residues | |
| KR102532413B1 (ko) | 폴리실리콘 식각액 조성물 및 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR20190007636A (ko) | 니켈계 및 질화티타늄계 금속 제거용 조성물 | |
| KR20180041365A (ko) | 금속막 식각액 조성물 | |
| JP7363078B2 (ja) | 底部反射防止膜の除去液、及び半導体素子の製造方法 | |
| KR20170047921A (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR102636997B1 (ko) | 폴리실리콘 식각액 제조용 조성물 및 이를 포함하는 폴리실리콘 식각액 | |
| CN115074131B (zh) | 蚀刻剂的组合物、使用其之半导体装置的形成方法、以及半导体装置 | |
| KR20220031291A (ko) | 식각액 조성물, 식각액 예비-조성물 및 이의 제조방법 | |
| TWI856294B (zh) | 蝕刻劑的組合物、使用其之半導體裝置的形成方法、以及半導體裝置 | |
| KR20170011587A (ko) | 구리계 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |