KR20180041365A - 금속막 식각액 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 금속막 식각액 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 제조 공정 중에 사용되는 금속막 식각액 조성물에 관한 것이다.
Description
본 발명은 금속막 식각액 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 제조 공정 중에 사용되는 금속막 식각액 조성물에 관한 것이다.
반도체 소자 제조공정은 집적도의 증가로 인해 디바이스의 사이즈 감소가 요구되고 있으며, 배선 선폭이 감소하면서 스몰사이즈 패턴의 패턴 형상을 깨끗하게 구현하기가 어려워지고 있다. 이에 따라 반도체 제조 공정시 이용되는 가공기술도 점점 엄격해 지고 있다.
일반적으로 반도체의 게이트 전극을 형성하는 방법으로 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 포토레지스트 패턴하부에 있는 막질, 즉, 산화막이나 금속 막질, 또는 산화질화막 등을 에싱 또는 에칭처리를 실시한다. 그러나 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하는 경우 포토레지스트의 변형에 의하여 패턴 형상을 유지하기 어려운 단점이 있다.
이러한 이유로 반도체 소자의 게이트 전극 등을 형성하는 경우 TiN 등의 금속막을 이용한 하드마스크(hard mask)를 이용하는 기술이 사용되고 있다. 상기 기술을 적용하여 게이트 전극을 형성하는 공정을 간단히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 기판위에 게이트 산화막, 폴리실리콘막, 절연막(TiN 등을 하드마스크로 이용)을 증착한다. 다음으로 포토레지스트를 도포한 후 패턴 형성 후, TiN 등의 절연막을 식각하여 포토마스크를 형성시킨 후, 에싱, 포토레지스트 박리 과정을 진행한다. 다음으로 TiN 등의 절연막을 하드마스크로 이용하여 폴리실리콘막을 식각하여 게이트 전극을 형성한다.
이후, 습식공정으로 상기 절연막을 제거하여 게이트 전극을 형성하게 하는데, 이때 절연막을 제거하기 위하여 사용되는 식각액은 식각하고자 하는 금속막에 대해서는 높은 식각 성능을 가지면서도, TaN막에 대해서는 어택(attack)이 발생하지 않는 것이 요구된다.
그러나, 식각하고자 하는 금속막에 대한 식각 선택성을 충분히 확보하려고 하는 경우, TaN막에 대한 어택(attack) 또는 데미지(damage)가 발생하는 문제점이 있다.
따라서 이러한 문제점을 개선하여 원하는 금속막을 선택적으로 식각하고, TaN 막에 대한 어택(attack)이 발생하지 않는 식각액의 개발이 요구되고 있다.
본 발명은, 상기와 같은 종래 기술의 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 반도체 제조 공정 중에 사용되는 금속막을 효율적으로 식각할 수 있는 금속막 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은, 질화탄탈륨(TaN)막에 대한 어택(attack) 및 데미지(damage)없이, 식각하고자 하는 TiN, Ti, TiAlN, TiAlC, TiCN 등의 금속막에 대한 우수한 식각 성능을 가지는 금속막 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, (A) N-옥사이드(N-oxide)계 화합물 및 4차 알킬암모늄하이드록사이드 중 선택되는 1종 이상의 화합물, (B) 카보닐이미다졸계 화합물, (C) 유기 인산계 화합물, (D) 물 및 (E) 과산화수소를 포함하는 금속막 식각액 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은
상기 금속막 식각액 조성물 제조용 예비-조성물(pre-composition)로서,
(A) N-옥사이드(N--oxide)계 화합물 및 4차 알킬암모늄하이드록사이드 중 선택되는 1종 이상의 화합물; (B) 카보닐이미다졸계 화합물; (C) 유기 인산계 화합물; 및 (D) 물을 포함하는 예비-조성물을 제공한다.
본원에서 상기 예비-조성물에 과산화수소를 첨가함으로써, 본 발명의 금속막 식각액 조성물을 제조할 수 있다.
본 발명의 식각액 조성물로 금속막을 식각 시, 질화탄탈륨(TaN)막에 대한 어택(attack) 및 데미지(damage)가 발생하지 않으면서도, 식각하고자 하는 금속막, 구체적으로는 TiN, Ti, TiAlN, TiAlC, TiCN 등의 막에 대해 식각 성능이 우수하고, 식각 잔사가 발생하지 않는 효과를 제공할 수 있다.
본 발명은 금속막 식각액 조성물에 관한 것으로, 반도체 제조 공정 중에 사용되는 금속막의 식각액 조성물에 관한 것이다.
본 발명자들은, (A) N-옥사이드(N-oxide)계 화합물 및 4차 알킬암모늄하이드록사이드 중 선택되는 1종 이상의 화합물, (B) 카보닐이미다졸계 화합물, (C) 유기 인산계 화합물, (D) 물 및 (E) 과산화수소를 포함함으로써, 질화탄탈륨(TaN)막에 대해서는 어택 및 데미지가 발생하지 않으면서도, 식각하고자 하는 TiN, Ti, TiAlN, TiAlC, TiCN 등의 금속막에 대해서는 우수한 식각 성능을 가지며, 식각 잔사가 발생하지 않는 금속막 식각액 조성물을 제공할 수 있음을 확인하고 본 발명을 완성하였다.
상기 금속막 식각액 조성물은, (A) N-옥사이드(N-oxide)계 화합물 및 4차 알킬암모늄하이드록사이드 중 선택되는 1종 이상의 화합물, (B) 카보닐이미다졸계 화합물, (C) 유기 인산계 화합물 및 (D) 물을 포함하는 금속막 식각액 조성물 제조용 예비-조성물(pre-composition)에 과산화수소를 첨가하여 제조되는 것일 수 있다.
즉, 본 발명은 (A) N-옥사이드계 화합물 및 4차 알킬암모늄하이드록사이드 중 선택되는 1종 이상의 화합물, (B) 카보닐이미다졸계 화합물, (C) 유기 인산계 화합물 및 (D) 물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 본 발명의 금속막 식각액 조성물 제조용 예비-조성물(pre-composition)도 포함한다.
상기 금속막 식각액 조성물 제조용 예비-조성물은, 금속막 식각액 조성물을 제조하기 위한 용도로 제조되는 것으로서, 제조하고자 하는 금속막 식각액 조성물에서 하나 이상의 성분을 포함하지 않으며, 본 발명에서 상기 예비-조성물에 과산화수소를 첨가하여 금속막 식각액 조성물을 제조할 수 있다.
본 발명의 식각액 조성물은 금속막으로서 TiN, Ti, TiAlN, TiAlC 및 TiCN 로부터 선택되는 1종 이상의 막을 식각할 수 있으며, 질화탄탈륨(TaN)막에 대해서는 어택(attack) 및 데미지(damage)를 발생하지 않는다.
상기 금속막은 단일막 및 하나 이상의 막을 포함하는 다층막을 포함하는 개념일 수 있다.
이하, 본 발명의 식각액 조성물을 구성하는 각 성분을 설명한다.
(A) N-옥사이드( N-oxide)계 화합물 및 4차 알킬암모늄하이드록사이드 중 선택되는 1종 이상의 화합물
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 N-옥사이드계 화합물 및 4차 알킬암모늄하이드록사이드 중 선택되는 1종 이상의 화합물은, TiN, TiAlC 등의 금속막의 식각을 촉진하는 역할을 한다.
상기 N-옥사이드계 화합물의 구체적인 예로서는 메틸몰포린 N-옥사이드 (Methyl morpholine N-oxide, NMMO) 및 트리메틸아민 N-옥사이드(Trimethyl amine N-oxide) 등을 들 수 있으나 이에 한정하지 않으며, 이로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다.
상기 4차 알킬암모늄하이드록사이드의 구체적인 예로서는 테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 테트라에틸암모늄 하이드록사이드, 테트라부틸암모늄 하이드록사이드 및 콜린 하이드록사이드 등을 들 수 있으나 이에 한정하지 않으며, 이로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다.
본 발명의 식각액 조성물이 상기 N-옥사이드계 화합물을 포함하는 경우 함량은, 식각액 조성물 총 중량에 대하여 5 내지 15 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 5 내지 10 중량%로 포함되는 것이 보다 바람직할 수 있다. 상기한 기준으로 함량이 5 중량% 미만이거나 15 중량%를 초과하는 경우, 식각하고자 하는 금속막에 대한 식각 속도가 현저히 떨어지는 문제가 발생할 수 있다.
본 발명의 식각액 조성물이 상기 4차 알킬암모늄하이드록사이드를 포함하는 경우 함량은, 식각액 조성물 총 중량에 대하여 바람직하게는 0.1 내지 1 중량%, 보다 바람직하게는 0.1 내지 0.5 중량%로 포함될 수 있다. 상기한 기준으로 함량이 0.1 중량% 미만인 경우 식각하고자 하는 금속막의 식각 속도가 현저히 저하되는 문제가 발생할 수 있으며, 1 중량% 초과하는 경우 TaN막에 대한 식각 및 데미지가 발생할 우려가 있다.
(B)
카보닐이미다졸계
화합물
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 카보닐이미다졸계 화합물은, 하나의 화합물에 카보닐기 및 이미다졸기를 포함하는 화합물로서, 후술하는 과산화수소와 상호작용하여 식각하고자 하는 금속막인 TiN, TiAlC 등의 막에 대한 식각 속도를 증가시키는 역할을 한다.
상기 카보닐이미다졸계 화합물은 하나의 화합물에 이미다졸기를 두 개 이상 포함하는 것으로서, 그 종류를 특별히 한정하지 않으나, 카보닐기(carbonyl group)를 중심으로 양 옆에 이미다졸기를 포함하는 화합물인 것이 식각 속도 향상을 위해 보다 바람직할 수 있다.
상기 카보닐이미다졸계 화합물은, 구체적으로 1,1'-카보닐디이미다졸(1,1'-Carbonyldiimidazole, CDI) 및 1,1'-카보닐비스(2-메틸이미다졸) (1,1'-Carbonylbis(2-methylimidazole)) 등으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.
상기 카보닐이미다졸계 화합물은 식각액 조성물 총 중량에 대하여, 0.1 내지 2 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 0.1 내지 1 중량%로 포함될 수 있다. 상기한 기준으로 카보닐이미다졸계 화합물의 함량이 0.1 중량% 미만인 경우 식각 대상 금속막에 대한 식각 속도 향상 효과가 미미한 문제가 발생할 수 있으며, 2 중량%를 초과하는 경우 산화제인 과산화수소의 폭발적인 반응으로 인해 조성물의 안정성이 나빠지는 문제가 발생할 수 있다.
(C) 유기 인산계 화합물
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 유기 인산계 화합물은 식각 대상이 아닌 질화탄탈륨(TaN)막을 보호하고, 어택 및 데미지 발생을 방지하는 역할을 한다.
상기 유기 인산계 화합물의 종류는 특별히 한정하지 않으나, 구체적으로 모노메틸포스페이트(monomethyl phosphate), 에틸포스페이트(ethyl phosphate) 및 페닐포스폰산(Phenylphosphonic acid) 등으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.
상기 유기 인산계 화합물은 식각액 조성물 총 중량에 대하여, 0.1 내지 2 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 0.1 내지 1 중량%로 포함될 수 있다. 상기한 기준으로 유기 인산계 화합물의 함량이 0.1 중량% 미만인 경우 TaN 막의 부식 방지 효과가 미미하다는 문제가 발생할 우려가 있다. 반면, 2 중량%를 초과하는 경우 식각하고자 하는 TiN, TiAlC막 등에 대한 식각 속도가 감소하여 공정 시간이 증가하는 문제가 발생할 수 있다.
(D) 물
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 물은 특별히 한정하지 않으나, 반도체 공정용으로서 탈이온수(DIW)를 이용하는 것이 바람직하며, 물속에 이온이 제거된 정도를 보여주는 비저항값이 18 ㏁/㎝ 이상인 탈이온수를 이용하는 것이 보다 바람직하다.
상기 물은 식각액 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량으로 포함될 수 있다.
(E) 과산화수소
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 과산화수소는 식각하고자 하는 금속막인 TiN, TiAlC 등의 막을 산화시키고, 식각 속도를 증가시키는 역할을 한다.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 과산화수소는, 상술한 N-옥사이드계 화합물 및 4차 알킬암모늄하이드록사이드 중 선택되는 1종 이상의 화합물; 카보닐이미다졸계 화합물; 유기 인산계 화합물 및 물을 포함하는, 본 발명의 식각액 조성물 제조용 예비-조성물에 최종적으로 첨가하여 사용하는 것이 식각액 조성물의 안정성, 식각 성능 유지 등을 위해 보다 바람직할 수 있다.
상기 과산화수소는 식각액 조성물 총 중량에 대하여, 바람직하게는 18 내지 28 중량%로 포함될 수 있으며, 보다 바람직하게는 18 내지 24 중량%로 포함될 수 있다. 상기한 기준으로 과산화수소의 함량이 18 중량% 미만인 경우 식각하고자 하는 금속막에 대한 식각 속도가 현저히 감소하는 문제가 있다. 반면, 28 중량%를 초과하는 경우 질화탄탈륨(TaN)막에 데미지가 발생할 수 있다.
본 발명의 금속막 식각액 조성물은 전술한 성분 이외에 통상의 첨가제를 더 포함할 수 있으며, 상기 첨가제로는 부식 방지제, 금속이온 봉쇄제, 계면활성제 등을 들 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.
상술한 바와 같이, 본 발명은
(A) N-옥사이드계 화합물 및 4차 알킬암모늄하이드록사이드 중 선택되는 1종 이상의 화합물; (B) 카보닐이미다졸계 화합물; (C) 유기 인산계 화합물; 및 (D) 물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 본 발명의 금속막 식각액 조성물 제조용 예비-조성물을 제공한다.
상기 금속막 식각액 조성물 제조용 예비-조성물은,
(A) N-옥사이드계 화합물 5 내지 15 중량부 및 4차 알킬암모늄하이드록사이드 0.1 내지 1 중량부 중 선택되는 1종 이상의 화합물;
(B) 카보닐이미다졸계 화합물 0.1 내지 2 중량부;
(C) 유기 인산계 화합물 0.1 내지 2 중량부; 및
(D) 물 52 내지 81.7 중량부로 포함하는 것이 바람직할 수 있다.
상기한 기준으로 N-옥사이드계 화합물의 함량이 5 내지 15 중량부 범위를 벗어나는 경우 식각하고자 하는 금속막에 대한 식각 속도 저하 우려가 있다.
상기 4차 알킬암모늄하이드록사이드의 함량이 0.1 내지 1 중량부 범위를 벗어나는 경우 식각 대상 금속막의 식각속도 저하, TaN막에 대한 데미지 발생 우려가 있다.
상기 카보닐이미다졸계 화합물의 함량이 0.1 내지 2 중량부 범위를 벗어나는 경우 식각 속도 또는 안정성 등에 문제가 발생할 우려가 있다.
상기 유기 인산계 화합물의 함량이 0.1 내지 2 중량부 범위를 벗어나는 경우 TaN 막의 데미지 발생 또는 식각 대상 금속막의 식각 속도 감소 우려가 있다.
또한, 본 발명은
(1) (A) N-옥사이드계 화합물 및 4차 알킬암모늄하이드록사이드 중 선택되는 1종 이상의 화합물; (B) 카보닐이미다졸계 화합물; (C) 유기 인산계 화합물; 및 (D) 물을 포함하는 금속막 식각액 조성물 제조용 예비-조성물을 제조하는 단계; 및
(2) 상기 예비-조성물에 과산화수소를 첨가하는 단계를 포함하는, 본 발명의 금속막 식각액 조성물의 제조 방법을 제공한다.
상기에서 금속막은 TiN, Ti, TiAlN, TiAlC 및 TiCN로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예 및 비교예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기 실시예에 의해 한정되지 않으며, 다양하게 수정 및 변경될 수 있다.
<
실시예
및
비교예
>
금속막
식각액
조성물 제조용 예비-조성물 및
금속막
식각액 조성물의 제조
하기 표 1의 성분 및 함량에 따라 실시예 1-1 내지 17-1 및 비교예 1-1 내지 8-1의 금속막 식각액 조성물 제조용 예비-조성물을 제조하였다.
하기 표 2의 성분 및 함량에 따라 실시예 1-2 내지 17-2 및 비교예 1-2 내지 8-2의 금속막 식각액 조성물 6kg을 각각 제조하였으며, 상기 실시예 1-1 내지 17-1 및 비교예 1-1 내지 8-1의 예비-조성물에 과산화수소를 첨가하는 방법으로 제조하였다.
주) 상기 표 1 및 2에서
1) A-1: N-메틸 모폴린 옥사이드(NMMO)
2) A-2: 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드(TMAH)
3) B-1: 1,1'-카보닐디이미다졸(1,1'-Carbonyldiimidazole, CDI)
4) B-2: 1,1'-카보닐비스(2-메틸이미다졸) (1,1'-Carbonylbis (2-methylimidazole))
5) B-3: 이미다졸(imidazole)
6) C-1: 모노메틸포스페이트(monomethyl phosphate)
7) C-2: 페닐포스폰산(Phenylphosphonic acid)
8) C-3: 락트산(Lactic acid)
9) C-4: 글루콘산(Gluconic acid)
<
실험예
>
식각액
조성물의 성능 테스트
실험예
1.
금속막의
식각
속도 및
질화탄탈륨(TaN)막의
데미지
발생 평가
상기 실시예 1-2 내지 17-2 및 비교예 1-2 내지 8-2의 식각액 조성물의 성능 테스트를 위해 실리콘 웨이퍼 위에 식각하고자 하는 질화티타늄(TiN)막 및 보호하고자 하는 질화탄탈륨(TaN)막이 증착된 웨이퍼를 각각 준비하였다.
상기 기판을 2x2cm 크기로 샘플링하여, 상기 제조된 실시예 1-2 내지 17-2 및 비교예 1-2 내지 8-2의 조성물 50℃인 조건에서, 상기 기판을 1분간 또는 5분간 침적 후 물로 세정하였다. 세정된 기판은 엘립소미터(Ellipsomter, SE-MG-1000)을 통해 각각의 막질의 손상 여부를 아래와 같은 기준으로 판단하여 그 결과를 표 3에 표시하였다.
<식각 속도 평가 기준> (1분간 침적)
◎: 250 Å/min ≤ 식각 속도
○: 150 Å/min ≤ 식각 속도 < 250 Å/min
△: 50 Å/min ≤ 식각 속도 < 150 Å/min
Х: 식각 속도 < 50 Å/min
<TaN 막의 데미지 발생 평가 기준> (5분간 침적)
◎: 식각 속도 < 2 Å/min
Х: 식각 속도 ≥ 2 Å/min
상기 표 3의 결과를 통해 알 수 있듯이, 본 발명에 해당하는 실시예 1-2 내지 17-2의 식각액 조성물은 식각하고자 하는 TiN막에 대해 우수한 식각 성능을 나타내었으며, 식각 대상막이 아닌 TaN 막에 대해서는 어택(attack)이 발생하지 않는 것을 확인하였다.
반면, 본 발명의 식각액 조성물의 구성 성분 중 하나 이상을 포함하지 않는 비교예 1-2 내지 8-2의 경우, TiN 막에 대한 식각 불량이 발생하거나(비교예 1-2 내지 2-2, 5-2 내지 6-2), TaN 막에 대한 어택이 발생(비교예 3-2 내지 4-2, 7-2 내지 8-2)하여 사용에 부적합한 것을 확인하였다.
Claims (10)
- (A) N-옥사이드계 화합물 및 4차 알킬암모늄하이드록사이드 중 선택되는 1종 이상의 화합물, (B) 카보닐이미다졸계 화합물, (C) 유기 인산계 화합물, (D) 물 및 (E) 과산화수소를 포함하는 금속막 식각액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 식각액 조성물 총 중량에 대하여,
(A) N-옥사이드계 화합물 5 내지 15 중량% 및 4차 알킬암모늄하이드록사이드 0.1 내지 1 중량% 중 선택되는 1종 이상의 화합물;
(B) 카보닐이미다졸계 화합물 0.1 내지 2 중량%;
(C) 유기 인산계 화합물 0.1 내지 2 중량%;
(E) 과산화수소 18 내지 28 중량% 및
(D) 물 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속막 식각액 조성물. - 청구항 1에 있어서,
상기 N-옥사이드계 화합물은 메틸몰포린 N-옥사이드 (Methyl morpholine N-oxide, NMMO) 및 트리메틸아민 N-옥사이드(Trimethyl amine N-oxide)로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 금속막 식각액 조성물. - 청구항 1에 있어서,
상기 4차 알킬암모늄하이드록사이드는 테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 테트라에틸암모늄 하이드록사이드, 테트라부틸암모늄 하이드록사이드 및 콜린 하이드록사이드로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 금속막 식각액 조성물. - 청구항 1에 있어서,
상기 카보닐이미다졸계 화합물은 1,1'-카보닐디이미다졸(1,1'-Carbonyldiimidazole) 및 1,1'-카보닐비스(2-메틸이미다졸) (1,1'-Carbonylbis(2-methylimidazole))로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 금속막 식각액 조성물. - 청구항 1에 있어서,
상기 유기 인산계 화합물은
모노메틸포스페이트(monomethyl phosphate), 에틸포스페이트(ethyl phosphate) 및 페닐포스폰산(Phenylphosphonic acid)으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 금속막 식각액 조성물. - 청구항 1에 있어서,
상기 금속막은 TiN, Ti, TiAlN, TiAlC 및 TiCN로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 금속막 식각액 조성물. - (A) N-옥사이드계 화합물 및 4차 알킬암모늄하이드록사이드 중 선택되는 1종 이상의 화합물, (B) 카보닐이미다졸계 화합물, (C) 유기 인산계 화합물 및 (D) 물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 금속막 식각액 조성물 제조용 예비-조성물.
- (1) (A) N-옥사이드계 화합물 및 4차 알킬암모늄하이드록사이드 중 선택되는 1종 이상의 화합물, (B) 카보닐이미다졸계 화합물, (C) 유기 인산계 화합물, 및 (D) 물을 포함하는 금속막 식각액 조성물 제조용 예비-조성물을 제조하는 단계; 및
(2) 상기 예비-조성물에 과산화수소를 첨가하는 단계를 포함하는,
(A) N-옥사이드계 화합물 및 4차 알킬암모늄하이드록사이드 중 선택되는 1종 이상의 화합물, (B) 카보닐이미다졸계 화합물, (C) 유기 인산계 화합물, (D) 물 및 (E) 과산화수소를 포함하는 금속막 식각액 조성물의 제조 방법. - 청구항 9에 있어서,
상기 금속막은 TiN, Ti, TiAlN, TiAlC 및 TiCN로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 금속막 식각액 조성물의 제조 방법.
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|---|---|---|---|
| KR1020160133409A KR20180041365A (ko) | 2016-10-14 | 2016-10-14 | 금속막 식각액 조성물 |
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| KR (1) | KR20180041365A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11427759B2 (en) | 2019-10-17 | 2022-08-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Etchant compositions for metal-containing films and methods of manufacturing integrated circuit devices using the etchant compositions |
| WO2023244825A1 (en) * | 2022-06-16 | 2023-12-21 | Entegris, Inc. | Method for etching polysilicon |
-
2016
- 2016-10-14 KR KR1020160133409A patent/KR20180041365A/ko unknown
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