KR20180104037A - 광학 위장 필터들 - Google Patents

광학 위장 필터들 Download PDF

Info

Publication number
KR20180104037A
KR20180104037A KR1020187023726A KR20187023726A KR20180104037A KR 20180104037 A KR20180104037 A KR 20180104037A KR 1020187023726 A KR1020187023726 A KR 1020187023726A KR 20187023726 A KR20187023726 A KR 20187023726A KR 20180104037 A KR20180104037 A KR 20180104037A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wavelength
selective
visible light
layer
optical filter
Prior art date
Application number
KR1020187023726A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102626262B1 (ko
Inventor
징페이 천
꾸앙레이 뚜
존 에이 휘틀리
이항 엘브이
앤서니 엠 렌스트롬
네에라지 사르마
푸꾸오 쉬
Original Assignee
쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=59361390&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR20180104037(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 filed Critical 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니
Publication of KR20180104037A publication Critical patent/KR20180104037A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102626262B1 publication Critical patent/KR102626262B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • G02B5/26Reflecting filters
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • G02B5/204Filters in which spectral selection is performed by means of a conductive grid or array, e.g. frequency selective surfaces
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • G02B5/206Filters comprising particles embedded in a solid matrix
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • G02B5/208Filters for use with infrared or ultraviolet radiation, e.g. for separating visible light from infrared and/or ultraviolet radiation
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • G02B5/22Absorbing filters
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • G02B5/22Absorbing filters
    • G02B5/223Absorbing filters containing organic substances, e.g. dyes, inks or pigments
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • G02B5/28Interference filters
    • G02B5/281Interference filters designed for the infrared light
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/21Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  by interference

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Blocking Light For Cameras (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

시스템은 발광기(46) 및 수광기(40) 중 하나 또는 둘 모두, 및 광학 필터(10)를 포함할 수 있다. 광학 필터(10)는 파장 선택적 산란층(14)을 포함한다. 파장 선택적 산란층(14)은 약 0.9 미만의 근적외선 산란비를 가질 수 있다. 필터(10)는 약 0.5 초과의 가시광 반사 탁도비를 가질 수 있다. 방법은 발광기(46) 및 수광기(40) 중 하나 또는 둘 모두에 인접하여 파장 선택적 산란층(14)을 배치하는 단계를 포함할 수 있다. 광학 필터(10)는 파장 선택적 반사층(16)을 포함할 수 있다. 광학 필터(10)는 파장 선택적 흡수층(34)을 포함할 수 있다. 물품은 광학 필터(10)를 포함할 수 있다. 파장 선택적 산란층(14)은 60% 미만의 평균 근적외선 산란, 10% 초과의 평균 가시광 산란, 및 총 가시광 반사율 %과 확산 가시광 반사율 % 간의 20 미만의 차이를 가질 수 있다.

Description

광학 위장 필터들
광은 예를 들어, 경면 반사(specular reflection) 또는 확산 반사(diffusive reflection)와 같은 상이한 방식으로 표면으로부터 반사될 수 있다. 불투명한 재료에서, 경면 반사는 재료의 최상위 표면 층 상에서, 예를 들어 공기/재료 계면에서 발생할 수 있으며, 반사는 입사광의 전체 스펙트럼을 전달할 수 있다. 경면 반사는 총 반사광의 4% 미만을 차지할 수 있는 반짝임(shininess)이나 광택으로 나타날 수 있다. 대조적으로, 확산 반사는 재료의 상부 표면 아래에서 발생할 수 있으며, 선택된 파장 또는 색상을 전달할 수 있다. 예를 들어, 색상은 비금속 물체의 확산 반사에서 볼 수 있다. 이 두 종류의 반사는 예를 들어, 혼성 표면, 예를 들어, 투명한 탑 코트(top coat)로 덮인 페인트 코트(paint coat)를 포함하는 표면에서 관찰될 수 있다. 따라서, 공기/탑 코트 계면에서 경면 반사가 발생할 수 있는 한편, 탑 코트/페인트 코트 계면에서 확산 반사가 발생할 수 있다.
광학 필터는 광학 통신 시스템, 센서, 이미징, 과학 및 산업 광학 장비 및 디스플레이 시스템과 같은 다양한 응용에 채용된다. 광학 필터는 광을 비롯한 입사 전자기 방사의 투과를 관리하는 광학 층을 포함할 수 있다. 광학 필터는 입사광의 일부분을 반사 또는 흡수하고, 입사광의 다른 부분을 투과시킬 수 있다. 광학 필터 내의 광학 층은 파장 선택도, 광 투과율, 광학 투명도, 광학 탁도 및 굴절률이 상이할 수 있다.
일례에서, 본 개시는 발광기 또는 수광기 중 하나 또는 둘 모두를 포함할 수 있는 예시적인 시스템을 설명한다. 시스템은 발광기 또는 수광기 중 하나 또는 둘 모두에 인접한 광학 필터를 포함할 수 있다. 광학 필터는 파장 선택적 산란층을 포함한다. 파장 선택적 산란층은 약 0.9 미만의 근적외선 산란비를 가질 수 있다. 근적외선 산란비는 평균 근적외선 산란 대 평균 가시광 산란(average visible scattering)의 비이다. 파장 선택적 산란층은 약 0.5 초과의 가시광 반사 탁도비를 가질 수 있다. 가시광 반사 탁도비는 평균 가시광 확산 반사율 대 평균 가시광 총 반사율의 비이다.
일례에서, 본 개시는 발광기 또는 수광기 중 하나 또는 둘 모두에 인접하여 광학 필터를 배치하는 것을 포함하는 예시적인 기술을 설명한다. 광학 필터는 파장 선택적 산란층을 포함한다. 파장 선택적 산란층은 약 0.9 미만의 근적외선 산란비를 가질 수 있다. 파장 선택적 산란층은 약 0.5 초과의 가시광 반사 탁도비를 가질 수 있다.
일례에서, 본 개시는 광학 필터를 포함하는 예시적인 물품을 설명한다. 광학 필터는 파장 선택적 산란층을 포함한다. 파장 선택적 산란층은 약 0.9 미만의 근적외선 산란비를 가질 수 있다. 파장 선택적 산란층은 약 0.5 초과의 가시광 반사 탁도비를 가질 수 있다.
일례에서, 본 개시는 광학 필터를 포함하는 예시적인 물품을 설명한다. 광학 필터는 파장 선택적 산란층을 포함한다. 파장 선택적 산란층은 60% 미만의 평균 근적외선 산란, 10% 초과의 평균 가시광 산란, 및 총 가시광 반사율 %과 확산 가시광 반사율 % 간의 20 미만의 차이를 가질 수 있다.
일례에서, 본 개시는 발광기 또는 수광기 중 하나 또는 둘 모두를 포함할 수 있는 예시적인 시스템을 설명한다. 예시적인 시스템은 발광기 또는 수광기 중 하나 또는 둘 모두에 인접한 광학 필터를 포함할 수 있다. 광학 필터는 가시광 파장을 실질적으로 산란시키도록 구성된 파장 선택적 산란 층을 포함할 수 있다. 광학 필터는 파장 선택적 반사층 및 적어도 하나의 파장 선택적 흡수층을 포함할 수 있다. 각각 개개의 파장 선택적 층은 근적외선 파장을 투과시키도록 구성될 수 있다.
일례에서, 본 개시는 발광기 또는 수광기 중 하나 또는 둘 모두에 인접한 광학 필터를 포함할 수 있는 예시적인 물품을 설명한다. 광학 필터는 가시광 파장을 실질적으로 산란시키도록 구성된 파장 선택적 산란 층을 포함할 수 있다. 광학 필터는 파장 선택적 반사층 및 적어도 하나의 파장 선택적 흡수층을 포함할 수 있다. 각각 개개의 파장 선택적 층은 근적외선 파장을 투과시키도록 구성될 수 있다.
일례에서, 본 개시는 발광기 또는 수광기 중 하나 또는 둘 모두를 포함할 수 있는 예시적인 시스템을 설명한다. 시스템은 발광기 또는 수광기 중 하나 또는 둘 모두에 인접한 광학 필터를 포함할 수 있다. 광학 필터는 파장 선택적 반사층 및 적어도 하나의 파장 선택적 흡수층을 포함할 수 있다. 각각 개개의 파장 선택적 층은 근적외선 파장을 투과시키도록 구성될 수 있다. 광학 필터는 380 내지 800 nm에서 0.1% 미만의 가시 투과율 및 830 내지 900 nm에서 50% 초과의 근적외선 투과율을 가질 수 있다.
일례에서, 본 개시는 발광기 또는 수광기 중 하나 또는 둘 모두에 인접한 광학 필터를 포함할 수 있는 예시적인 물품을 설명한다. 광학 필터는 파장 선택적 반사층 및 적어도 하나의 파장 선택적 흡수층을 포함할 수 있다. 각각 개개의 파장 선택적 층은 근적외선 파장을 투과시키도록 구성될 수 있다. 광학 필터는 0.1% 미만의 380 내지 800 nm에서의 가시광 투과율 및 50% 초과의 830 내지 900 nm에서의 근적외선 투과율을 가질 수 있다.
본 발명의 하나 이상의 양태의 상세 사항이 첨부 도면 및 이하의 설명에 기재되어 있다. 본 발명의 다른 특징, 목적 및 이점이 상세한 설명 및 도면으로부터 그리고 청구범위로부터 명백해질 것이다.
본 발명의 전술한 양태 및 다른 양태들은 첨부된 도면과 함께 판독될 때, 다음의 상세한 설명에서 보다 명백해질 것이다.
도 1a 내지 도 1k는 광학 필터를 포함하는 예시적인 물품의 측단면도이다.
도 2a 내지 도 2f는 광학 필터를 포함하는 예시적인 시스템의 개념도 및 개략도이다.
도 3a 내지 도 3d는 가시적으로 인지가능한 패턴 및 비가시적 근적외선 패턴을 디스플레이하는 예시적인 광학 필터 및 전자 디스플레이를 포함하는 예시적인 시스템의 개념도이다.
도 4는 예시적인 기술의 흐름도이다.
도 5는 예시적인 광학 필터 및 잉크 패턴을 포함하는 예시적인 물품의 사진이다.
도 6a는 태양 패널의 사진이다. 도 6b는 예시적인 광학 필터에 의해 위장된 태양 패널의 사진이다.
도 7은 예시적인 광학 필터 및 잉크 패턴을 포함하는 예시적인 물품의 사진이다.
도 8a 내지 도 8c는 예시적인 광학 필터 및 근적외선 LED를 포함하는 예시적인 시스템의 사진이다.
도 9는 예시적인 광학 필터의 표면의 원자력 현미경(AFM) 사진이다.
도 10a 및 도 10b는 예시적인 광학 필터의 주사 전자 현미경(scanning electron microscopy, SEM) 사진들이다.
도 11은 예시적인 광학 필터에 대해 반사율 % 및 투과율 % 대 파장을 나타낸 차트이다.
도 12a 및 도 12b는 예시적인 광학 필터에 대해 투과율 % 대 파장을 나타낸 차트이다.
도 13은 예시적인 광학 필터에 대해 투과율 % 대 파장을 나타낸 차트이다.
도 14는 예시적인 광학 필터에 대해 산란 효율 대 파장을 도시하는, 미 산란(Mie scattering)의 결과를 나타낸 차트이다.
도 15는 매질 및 복수의 입자를 포함하는 예시적인 파장 선택적 산란층에 대해, 입자 직경 및 굴절률 차이의 함수로서 근적외선 산란비를 나타낸 차트이다.
도 16a 내지 도 16d는 근적외선 블랙 잉크 코팅을 포함하는 근적외선 필름, 및 근적외선 블랙 잉크 코팅을 포함하지 않는 근적외선 필름의 웨트-아웃(wet-out)을 비교한 사진들이다.
도 17은 도 16a 내지 도 16d의 근적외선 필름에 대한 투과율 % 대 파장을 나타낸 차트이다.
도 18a 및 도 18b는 착색된 흡수층을 포함하는 예시적인 근적외선 필름들의 사진들이다.
도 19는 근적외선 반사방지 코팅이 없는 반사성 다층 광학 필름과 비교하여 근적외선 반사방지 코팅으로 코팅된 반사성 다층 광학 필름에 대한 투과율 % 대 파장을 나타낸 차트이다.
도 20a는 가시광 성분을 갖는 적외선 LED를 포함하는 예시적인 시스템의 사진이다. 도 20b는 흡수층이 없는 반사성 다층 광학 필름에 의해 가시광 성분이 필터링된 적외선 LED를 포함하는 예시적인 시스템의 사진이다.
도 21은 적외선 염료 코팅이 없는 반사성 다층 광학 필름의 투과율 % 대 파장을 나타낸 차트이다.
도 22는 염료 코팅이 없는 비교예의 광학 필터들과 비교하여 적외선 염료 코팅을 갖는 반사성 다층 광학 필름에 대한 투과율 % 대 파장을 나타낸 차트이다.
본 개시의 특정 도면들의 특징들은 반드시 일정한 비율로 그려진 것은 아니며, 도면들은 본 명세서에 개시된 기술들의 비독점적인 예들을 제시한다는 것이 이해되어야 한다.
본 개시에서, "가시광"은 약 400 nm 내지 약 700 nm 범위의 파장을 지칭하고, "근적외선"은 약 700 nm 내지 약 2000 nm 범위의 파장, 예를 들어, 약 800 nm 내지 약 1200 nm 범위의 파장을 지칭한다. ULI(ultra-low index) 필름은 본 명세서에 전체적으로 참고로 포함되는 미국 특허 출원 공보 제2012/0038990호에 기술된 바와 같이, 바인더, 복수의 입자 및 복수의 상호연결된 공극을 포함하는 광학 필름을 지칭한다.
주변의 전자기 방사의 소스들은 특정 파장의 광을 수광하거나 특정 광원으로부터 수광하도록 구성된 수광기, 또는 특정 파장의 광을 방출하도록 구성된 발광기와 간섭될 수 있다. 예를 들어, 가시광 파장은 예를 들어, 수광기 또는 발광기의 잡음을 증가시킴으로써 근적외선 파장의 수광, 감지 또는 투과와 간섭될 수 있다. 전자기 방사의 소스들은 또한 의도하지 않게 노출될 수 있다. 예를 들어, 근적외선 파장만을 방출하도록 구성된 발광기에 의해 방출된 광은 가시적으로 인지가능하지 않을 수 있지만, 광을 방출하는 것을 담당하는 디바이스 또는 구조체, 예를 들어 발광기의 하우징은 가시적으로 인지가능할 수 있다. 위장 기술은 근적외선 파장의 투과를 바람직하지 않게 차단, 간섭 또는 감소시킬 수 있기 때문에, 발광기를 마스킹, 은폐 또는 그 외의 방법으로 위장하는 것은 어려움을 일으킬 수 있다. 본 개시의 실시예에 따른 광학 필터는 원하는 근적외선 파장이 발광기에 의해 투과되거나 수광기에 의해 수광되도록 적어도 부분적으로 허용하거나, 상대적으로 높은 투명도를 갖는 근적외선 파장의 투과를 허용하는 한편, 가시광 파장의 원하지 않는 광학 간섭은 방지하거나, 전자기 방사의 소스가 가시적으로 인지되지 않게 위장하는 데 사용될 수 있다.
예를 들어, 근적외선 파장을 수광하거나 감지하도록 동작하는 수광기는 가시광 파장으로부터 차폐되어, 가시광 파장에 의해 유발될 수 있는 근적외선 파장의 수광 또는 감지와의 간섭을 방지할 수 있다. 근적외선 파장을 투과시키도록 동작하는 광 송신기는 가시광 파장을 산란시킴으로써 가시적으로 인지되지 않게 위장될 수 있다. 예를 들어, 산란된 가시광 파장은 근적외선 파장의 투과를 방해하지 않으면서 광 송신기의 존재를 은폐할 수 있다.
표면으로부터의 경면 반사의 양은 공기 계면의 프레즈넬 반사(Fresnel reflection)에 의해 결정될 수 있다. 투명한 상부 층을 갖는 불투명한 표면에 대해, 모든 경면 반사는 상부 공기 계면으로부터 발생하고, 나머지 반사는 하부 층으로부터의 확산 반사인 것으로 가정될 수 있다. 불투명한 착색된 재료는 또한 유사한 모델을 따르는 한편, 그의 굴절률을 사용하여 상부 표면 상의 프레즈넬 반사율을 계산하고 다른 모든 반사는 확산으로 처리한다. 예시적인 광학 필터는 투명 기판 또는 반사 필름 상에 배치된 확산 코팅을 가질 수 있다. 확산 코팅은 투명한 기판에 코팅되는 경우, 아래의 아이템들을 은닉하기 위해 더 높은 탁도를 가질 수 있다. 코팅이 반사기에 코팅되는 경우, 코팅은 반사에 의해 두 번 입사광을 확산시키게 된다. 이 경우에, 코팅은 더 낮은 탁도를 가질 수 있다.
따라서, 예시적인 시스템은 수광기 및 발광기 중 하나 또는 둘 모두, 및 가시광 파장의 투과를 적어도 부분적으로 감소시키는 한편, 근적외선 파장의 투과를 적어도 부분적으로 허용할 수 있는 파장 선택적 산란층을 포함하는 광학 필터를 포함할 수 있다. 예를 들어, 파장 선택적 산란층은 입사 가시광의 대부분을 산란시킬 수 있다. 본 개시에 따른 예시적인 시스템 및 물품은 가시광 파장의 투과를 감소시키면서, 예를 들어 가시광 파장을 선택적으로 산란 또는 반사시킴으로써 비교적 높은 투명도로 근적외선 광을 투과시키는 예시적인 파장 선택적 산란층을 포함하는 예시적인 광학 물품을 포함할 수 있다.
도 1a 내지 도 1k는 광학 필터를 포함하는 예시적인 물품의 측단면도이다. 도 1a는 예시적인 물품(10a)의 측단면도를 도시한다. 물품(10a)은 기판(12) 및 파장 선택적 산란층(14)을 포함한다. 기판(12)은 유리, 중합체, 금속 또는 임의의 다른 적합한 강성, 반 강성 또는 연질성 재료들 및 이들의 조합을 포함할 수 있다. 기판(12)은 도 1a의 예시적인 물품(10a)에서 층으로 도시되어 있지만, 예들에서, 기판(12)은 편평한, 실질적으로 편평한, 또는 텍스처화된 표면을 가질 수 있는 임의의 적합한 3차원 형상을 취할 수 있다. 예들에서, 기판(12)은 예를 들어, 디바이스의 하우징, 스크린, 부품 또는 표면, 예를 들어, 개인용 컴퓨팅 또는 통신 디바이스, 예를 들어, 휴대전화 또는 스마트워치와 같은 전자 디바이스의 하우징, 스크린, 부품 또는 표면을 포함할 수 있다.
파장 선택적 산란층(14)은 선택적으로 가시광을 산란시키고 근적외선 광을 투과시킨다. 예들에서, 파장 선택적 산란층은 약 0.9 미만, 약 0.8 미만, 약 0.7 미만, 약 0.6 미만, 또는 약 0.5 미만의 근적외선 산란비를 가질 수 있다. 근적외선 산란비는 평균 근적외선 산란 대 평균 가시광 산란의 비이다. 예를 들어, 선택된 좁거나 넓은 근적외선 파장 대역(예를 들어, 대역폭 1300 nm, 500 nm, 100 nm, 10 nm, 1 nm)의 평균 산란이 결정될 수 있고, 선택된 좁거나 넓은 가시광 파장 대역의 평균 산란이 결정될 수 있고, 각각의 평균들의 비율이 결정될 수 있다. 예들에서, 파장 선택적 산란층(14)은 약 0.5 초과, 또는 약 0.7 초과, 또는 약 0.9 초과의 가시광 반사 탁도비를 가질 수 있다. 가시광 반사 탁도비는 평균 가시광 확산 반사율 대 평균 가시광 총 반사율의 비이다. 예들에서, 파장 선택적 산란층(14)은 입사 가시광의 약 50% 미만을 투과시킬 수 있다. 예들에서, 파장 선택적 산란층(14)은 입사 근적외선 광의 약 50% 초과를 투과시킬 수 있다. 예들에서, 파장 선택적 산란층(14)은 입사 가시광의 약 50% 미만을 투과시킬 수 있고, 입사 근적외선 광의 약 50% 초과를 투과시킬 수 있다. 예들에서, 파장 선택적 산란층(14)은 입사 가시광의 약 50% 초과를 산란시킬 수 있다. 예를 들어, 파장 선택적 산란층(14)은 입사 가시광의 약 50% 초과를 산란시킴으로써 입사 가시광의 약 50% 미만을 투과시킬 수 있다. 예들에서, 파장 선택적 층(14)은 입사 가시광의 약 50% 초과를 백색광으로서 산란시킬 수 있다.
파장 선택적 산란층(14)은 각각 미리결정된 굴절률을 갖는 매질 및 복수의 입자를 포함할 수 있다. 예들에서, 파장 선택적 산란층(14)은 비드형(beaded) 확산기 층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 파장 선택적 산란층(14)은 매질 및 매질에 분산된 비드를 포함할 수 있다. 비드형 확산기 층의 매질은 유리, 중합체 또는 임의의 다른 적합한 광학 매질, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 비드는 실리카, 유리, 중합체, 유기, 무기, 금속 산화물, 폴리스티렌, 또는 다른 적합한 산란 재료, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 확산기 층은 공기와 같은 가스를 포함하는 기공(pore)을 포함할 수 있다. 예들에서, 가스를 포함하는 기공은 비드 내에 캡슐화될 수 있다.
파장 선택적 산란층(14)은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함할 수 있다. 광학 매질은 복수의 입자를 포함할 수 있다. 복수의 입자는 제1 굴절률과 제2 굴절률 사이의 절대차가 약 0.1 미만이 되도록 제2 굴절률을 가질 수 있다. 예들에서, 복수의 입자는 약 5㎛ 미만의 평균 입자 크기를 가질 수 있고, 제1 및 제2 굴절률 사이의 절대차는 약 0.1 미만일 수 있다. 예들에서, 복수의 입자는 약 1㎛ 미만의 평균 입자 크기를 가질 수 있고, 제1 및 제2 굴절률 사이의 절대차는 약 0.2 미만일 수 있다. 예들에서, 복수의 입자는 약 0.5㎛ 미만의 평균 입자 크기를 가질 수 있고, 제1 및 제2 굴절률 사이의 절대차는 약 0.4 미만일 수 있다. 예들에서, 복수의 입자는 약 0.3㎛ 미만의 평균 입자 크기를 가질 수 있고, 제1 및 제2 굴절률 사이의 절대차는 약 0.6 미만일 수 있다. 예들에서, 복수의 입자는 약 0.2㎛ 미만의 평균 입자 크기를 가질 수 있고, 제1 및 제2 굴절률 사이의 절대차는 약 1.8 미만일 수 있다.
예들에서, 복수의 입자의 평균 입자 크기, 제1 굴절률 및 제2 굴절률은 후술되는 도 15의 선(82) 아래의 영역으로부터 선택된다. 따라서, 파장 선택적 산란층(14)의 근적외선 산란비는 0.2 미만일 수 있다. 예들에서, 복수의 입자의 평균 입자 크기, 제1 굴절률 및 제2 굴절률은 도 15의 선(84) 아래의 영역으로부터 선택된다. 따라서, 파장 선택적 산란층(14)의 근적외선 산란비는 0.4 미만일 수 있다. 예들에서, 복수의 입자의 평균 입자 크기, 제1 굴절률 및 제2 굴절률은 도 15의 선(86) 아래의 영역으로부터 선택된다. 따라서, 파장 선택적 산란층(14)의 근적외선 산란비는 0.6 미만일 수 있다. 예들에서, 복수의 입자의 평균 입자 크기, 제1 굴절률 및 제2 굴절률은 도 15의 선(88) 아래의 영역으로부터 선택된다. 따라서, 파장 선택적 산란층(14)의 근적외선 산란비는 0.8 미만일 수 있다. 예들에서, 파장 선택적 산란층(14)의 근적외선 산란비는 0.7 미만, 또는 0.5 미만일 수 있다. 예들에서, 각각의 선들(82, 84, 86, 88) 아래의 영역 또는 임의의 다른 영역은 입자 크기의 하한(lower particle size bound)에 의해 경계지어질 수 있다. 예를 들어, 영역은 10 nm, 30 nm 또는 50 nm 초과의 입자 크기 또는 레일리(Rayleigh) 산란이 현저하거나 지배적일 수 있는 입자 크기보다 큰 입자 크기만 포함할 수 있다.
예들에서, 파장 선택적 산란층(14)은 50% 미만, 50% 이상, 또는 60% 이상, 또는 70% 이상의 총 가시광 반사율을 가질 수 있다. 예들에서, 총 가시광 반사율은 50% 미만일 수 있고, 파장 선택적 산란층(14)은 가시광 탁도에 의해 물체를 은폐할 수 있다. 예들에서, 총 가시광 반사율은 50% 초과일 수 있고, 파장 선택적 산란층(14)은 가시광 반사 및 가시광 탁도의 조합에 의해 물체를 은폐할 수 있다. 예들에서, 파장 선택적 산란층(14)은 60% 미만 또는 40% 미만의 평균 근적외선 산란을 가질 수 있다. 예들에서, 파장 선택적 산란층은 10% 초과, 또는 25% 초과, 또는 58% 초과의 평균 가시광 산란을 가질 수 있다. 예들에서, 파장 선택적 산란층(14)의 총 가시광 반사율 %과 확산 가시광 반사율 % 사이의 차는 20 미만일 수 있다. 예들에서, 파장 선택적 산란층은 40% 미만의 평균 근적외선 산란, 및 58% 초과의 평균 가시광 산란을 가질 수 있으며, 총 가시광 반사율 %과 확산 가시광 반사율 % 사이의 차는 18 미만일 수 있다.
예들에서, 파장 선택적 산란층(14)은 15% 이상, 또는 25% 이상, 또는 35% 이상, 또는 50% 이상의 가시광 탁도를 가질 수 있다. 예들에서, 광학 필터(10a)는 미세복제된 표면 구조체들과 같은 표면 광학 미세 구조체들을 포함할 수 있다.
예들에서, 파장 선택적 산란층(14)은 바인더, 복수의 입자, 및 복수의 상호연결된 공극을 포함하는 ULI 층을 포함할 수 있다. 광학 필터 내의 복수의 상호연결된 공극의 체적 분율은 약 20% 이상일 수 있다. 바인더 대 복수의 입자의 중량비는 약 1:2 이상일 수 있다.
도 1b는 예시적인 물품(10b)의 측단면도를 도시한다. 물품(10b)은 기판(12), 파장 선택적 산란층(14), 및 반사층(16)을 포함할 수 있다. 예들에서, 물품(10b) 내의 파장 선택적 산란층(14)과 기판(12) 사이에 반사층(16)이 도시되어 있지만, 물품(10b)은 기판(12)을 포함하지 않을 수 있고, 파장 선택적 산란층은 반사층(16) 상에 배치될 수 있다. 예들에서, 기판(12)은 예를 들어 기판(12)의 주 표면에 또는 내부 안에 반사층(16)을 포함할 수 있다. 예들에서, 반사층(16)은 기판(12) 아래에 배치될 수 있다. 예들에서, 반사층(16)은 기판(12) 위에 배치될 수 있다. 예들에서, 반사층(16)은 천공될 수 있다. 예들에서, 물품(10b)은 가시광의 50% 미만을 반사할 수 있고, 근적외선 광의 50% 초과를 투과시킬 수 있다. 예들에서, 반사층(16)은 파장 선택적으로, 예를 들어 선택된 파장만을 반사시킬 수 있다. 반사층(16)은 다층 광학 필름, 이색 반사기, 간섭 필름, 무기 다층 스택, 금속 유전체 스택, 연마된 기판, 거울, 반사 편광기, 또는 반사 금속 또는 유리 표면과 같은 반사 표면을 포함할 수 있다. 예들에서, 물품(10b)은 반사층과 파장 선택적 산란층(14) 사이, 또는 파장 선택적 산란층(14) 위, 또는 물품(10b) 내의 임의의 층에 인접하여 배치된 염료 층(도시하지 않음)을 포함할 수 있다. 염료 층은 반사층(16)의 가시광 반사를 감소시키도록, 근적외선에는 투과성 또는 투명성이고, 가시광에는 중성일 수 있는, 경면 선택적인 염료를 포함할 수 있다. 예들에서, 염료 층은 30%, 50%, 70% 또는 90% 이상의 흡수율을 가질 수 있다. 예들에서, 염료 층은 착색되어 가시적 색상을 갖는 한편, 근적외선에는 투과성을 유지할 수 있다.
도 1c는 예시적인 물품(10c)의 측방향 단면도를 도시한다. 물품(10c)은 기판(12) 및 파장 선택적 산란층(14)을 포함할 수 있다. 물품(10c)은 도 1c에 도시된 바와 같이, 반사층(16), 잉크 수용층(18), 인쇄 패턴 층(22) 및 보호 층(24) 중 하나 이상을 옵션적으로 포함할 수 있다. 한편, 도 1c에서 물품(10c)의 층들에 대한 특정 배열을 도시하고 있으나, 각각의 층들은 임의의 적합한 구성으로 재배열될 수 있다. 예를 들어, 반사층(16)이 존재할 때 기판(12)은 생략될 수 있다. 보호 층(24)은 실란트 층을 포함할 수 있다. 예들에서, 잉크 패턴 층(22)은 잉크 수용층(18) 상에 침착될 수 있는 잉크 또는 안료의 인쇄 패턴을 포함한다. 예들에서, 잉크 수용층은 생략될 수 있고, 잉크 패턴 층(22)은 파장 선택적 산란층(14) 상에 침착될 수 있다. 예들에서, 보호 층(24)은 잉크 패턴 층(22)과 파장 선택적 산란층(14) 사이에 배치될 수 있다. 예들에서, 2개의 보호 층(24)이 배치될 수 있으며, 하나는 잉크 패턴 층(22) 위에, 다른 하나는 파장 선택적 산란층(14)에 인접하여 배치될 수 있다.
도 1d는 예시적인 물품(10d)의 측방향 단면도를 도시한다. 물품(10d)은 기판(12), 파장 선택적 산란층(14), 제1 실란트 층(26) 및 제2 실란트 층(28)을 포함할 수 있다. 제1 실란트 층(26) 및 제2 실란트 층(28) 둘 중 하나는 라텍스 코팅을 포함할 수 있다. 각각의 실란트 층들은 예를 들어, 수분 또는 다른 반응물 또는 붕해물질(disintegrants)의 침투를 방지 또는 감소시킴으로써 파장 선택적 산란층(14)의 무결성을 보호할 수 있다. 각각의 실란트 층은 또한 파장 선택적 산란층(14)에 구조적 지지 및 물리적 안정성을 제공할 수 있다. 예를 들어, 제1 실란트 층(26) 및 제2 실란트(28) 중 하나 또는 둘 모두는 파장 선택적 산란층(14)이 제조 기판으로부터 박리되거나 제거된 다음 제품 기판 위로, 예를 들어, 기판(12) 위로 이송되어 적용되게 허용할 수 있다.
도 1e는 예시적인 물품(10e)의 측방향 단면도를 도시한다. 물품(10e)은 기판(12), 기판(12)에 인접한 파장 선택적 산란층(14), 및 파장 선택적 산란층(14) 상에 침착된 잉크 패턴 층(24)을 포함할 수 있다. 각각의 센서 세그먼트들(32a, 32b, 32c, 및 32d)을 포함하는 센서 층(32)은 기판(12)에 인접하여 배치될 수 있다. 예들에서, 기판(12)은 생략될 수 있고, 파장 선택적 산란층(14)은 센서 층(32) 상에 침착될 수 있다. 예들에서, 파장 선택적 산란층(14)은 각각의 센서 세그먼트들(32a, 32b, 32c 및 32d)과 정렬될 수 있는 각각의 선택적 산란 세그먼트들(14a, 14b, 14c 및 14d)을 포함할 수 있다. 선택적 산란 세그먼트들 중 하나 이상은, 파장 선택적 산란층(14)이 각각의 센서 세그먼트들 중 적어도 하나와 정렬될 수 있는 적어도 하나의 천공을 포함할 수 있도록 생략될 수 있다. 따라서, 상이한 선택적 산란 세그먼트는 근적외선 산란비, 가시광 탁도비 또는 각각의 선택적 산란 세그먼트와 정렬된 센서 세그먼트의 성능을 개선시킬 수 있는 다른 광학 특성들을 변화시킴으로써 조정될 수 있다. 도 1e의 파장 산란층(14) 및 센서 층(32)에 4개의 세그먼트들이 도시되어 있지만, 예들에서, 파장 산란층(14) 및 센서 층(32)은 임의의 적합한 수의 세그먼트들을 가질 수 있다. 센서 층(32)이 도 1e의 예에서 설명되었으나, 예들에서, 물품(10e)은 센서 세그먼트들 대신에 광원들(32a, 32b, 32c, 및 32d)을 포함할 수 있다.
도 1f는 예시적인 물품(10f)의 측방향 단면도를 도시한다. 물품(10f)은 기판(12), 파장 선택적 산란층(14), 반사층(16), 및 파장 선택적 흡수층(34)을 포함할 수 있다. 반사층(16)은 파장 선택적 반사층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반사층(16)은 파장 선택적 간섭 필터 또는 파장 선택적 다층 광학 필름을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 파장 선택적 흡수층(34)은 가시광 투과율보다 큰 적외선 투과율을 갖는 임의의 적합한 염료 또는 안료, 예를 들어 근적외선 파장을 투과시키면서 가시광 파장을 실질적으로 흡수하는 근적외선 블랙 잉크를 포함할 수 있다. 예를 들어, 파장 선택적 흡수층(34)은 Spectre™ 잉크들, 예를 들어, Spectre™ 100, 110, 120, 130, 140, 150 또는 160(미국 뉴저지주 뉴어크 소재의 에폴린(Epolin)); 미마키 잉크, 예를 들어 미마키 ES3, SS21, BS3, SS2 또는 HS(일본 나가노현 토미-시티 소재의 미마키 글로벌(Mimaki Global)); 또는 세이코 잉크, 예를 들어, 세이코 1000, 1300, SG700, SG740 또는 VIC(일본 소재의 세이코 어드밴스 리미티드(Seiko Advance Ltd.))와 같은 염료 또는 잉크를 포함할 수 있다. 예들에서, 파장 선택적 흡수층(34)은 시안, 마젠타, 옐로우 또는 블랙 염료 성분들 중 하나 이상을 포함할 수 있거나, 또는 예를 들어, 미리결정된 파장 대역, 피크, 또는 미리결정된 색과 관련된 스펙트럼을 산란 또는 반사시킴으로써 임의의 원하는 색을 갖는 염료를 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 파장 선택적 흡수층(34)은 가시광 투과율보다 큰 적외선 투과율을 가질 수 있는 스펙트럼 선택적 다층 흡수 필름을 포함할 수 있다. 예들에서, 파장 선택적 흡수층(34)의 색은 물품(10f) 전체의 외관을 조정하도록, 예를 들어, 물품(10f)의 주 표면에 나타난 물품(10f)의 겉보기 색을 변경하도록 반사 또는 산란된 파장을 조정하도록 선택될 수 있다. 파장 선택적 흡수층(34)은 가시광 파장을 차단하는 한편, 적어도 일부 또는 실질적으로 모든 근적외선 파장을 투과시킬 수 있다. 일부 예들에서, 파장 선택적 흡수층(34)은 염료 또는 안료 중 하나 또는 둘 모두를 포함하는 별도의 코팅을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 파장 선택적 흡수층(34)은 염료를 포함하지 않을 수 있고, 근적외선 투과성 가시광 차단 안료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 파장 선택적 흡수층(34)은 루모겐(Lumogen)® 블랙 FK 4280 또는 루모겐 블랙 FK 4281(미국 미시건주 사우스필드 소재의 바스프)을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 파장 선택적 흡수층(34)은 다층 필름을 포함할 수 있으며, 다층 필름의 하나 이상의 층은 염료 또는 안료 중 하나 또는 둘 모두를 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 파장 선택적 흡수층(34)은 접착제층, 중합체층, 스킨층, 또는 염료 또는 안료를 포함하는 다층 필름의 임의의 다른 층이거나 이를 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 물품(1f)은 별도의 파장 선택적 흡수층(34)을 포함하지 않을 수 있고, 대신에, 임의의 다른 적절한 층 내에 파장 선택적 염료 또는 안료를 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 물품(10f)의 파장 선택적 흡수층(34) 또는 임의의 다른 층은 미리결정된 패턴 또는 구역 내에 다만 염료 또는 안료만을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 파장 선택적 흡수층(34)은 미리결정된 파장 대역의 적어도 각각의 서브 대역을 흡수하는 하나 이상의 흡수성 염료 또는 안료를 포함함으로써 광대역 흡수, 예를 들어, 미리결정된 파장 대역에 걸친 흡수를 나타낼 수 있다.
일부 예들에서, 파장 선택적 흡수층(34)은 확산 또는 산란을 나타내는 비드 또는 입자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 파장 선택적 흡수층(34)은 매질 및 매질 내에 분산된 비드 또는 입자를 포함할 수 있다. 매질은 유리, 중합체 또는 임의의 다른 적합한 광학 매질, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 비드 또는 입자는 실리카, 유리, 중합체, 유기, 무기, 금속 산화물, 폴리스티렌, 또는 다른 적합한 산란 재료, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 파장 선택적 흡수층(34)은 확산 또는 산란 공극 또는 기공을 포함할 수 있으며, 공극 또는 기공은 공기와 같은 가스를 포함할 수 있다.
따라서, 각각 개개의 파장 선택적 층(14, 16, 34)은 근적외선 파장을 투과시킬 수 있다. 예를 들어, 파장 선택적 층들 중 하나 이상, 또는 물품(10f) 전체는 830 nm 초과의 파장에서 예를 들어, 5% 초과, 또는 10% 초과, 또는 20% 초과, 또는 50% 초과, 또는 7% 초과의 근적외선 투과율을 가질 수 있다. 예들에서, 물품(10f)은 5% 미만, 또는 1% 미만, 또는 약 0을 투과시킬 수 있다. 예들에서, 물품(10f)은 830 nm 초과의 파장에 대해 10% 초과의 근적외선 투과율을 가질 수 있다. 예들에서, 물품(10f)은 850 nm 초과의 파장에 대해 20% 초과의 근적외선 투과율을 가질 수 있다. 예들에서, 물품(10f)은 870 nm 초과의 파장에 대해 50% 초과의 근적외선 투과율을 가질 수 있다. 예들에서, 물품(10f)은 900 nm 초과의 파장에 대해 50% 초과의 근적외선 투과율을 가질 수 있다. 예들에서, 물품(10f)은 900 nm 초과의 파장에 대해 75% 초과의 평균 근적외선 투과율을 가질 수 있다.
일부 예들에서, 도 1f에 도시된 바와 같이, 파장 선택적 흡수층(34)은 파장 선택적 산란층(14)과 파장 선택적 반사층(16) 사이에 있을 수 있다. 파장 선택적 흡수층(34)을 파장 선택적 산란층(14) 뒤에 위치시키는 것은 파장 선택적 산란층(14)의 그레이 스케일 또는 외관상 백색도(apparent whiteness)를 조정하는데 사용될 수 있다. 전술한 바와 같이, 파장 선택적 흡수층(34)은 시각적 외관, 예를 들어, 미리결정된 색 공간의 색좌표를 조정하기 위한 비-중간색을 포함할 수 있다. 예들에서, 파장 선택적 흡수층(34)은 총 근적외선 투과율을 실질적으로 감소시키지 않으면서 광학 필터의 총 가시광 반사율을 미리결정된 크기만큼 감소시킬 수 있다. 예시적인 물품(10f)은 별도의 파장 선택적 흡수층(34)을 포함하지만, 일부 예들에서, 예를 들어, 도 1g의 예시적인 물품(10g)에서, 파장 선택적 염료가 파장 선택적 산란층(14g)에 부가되어 파장 선택적 산란층이 또한 흡수층으로서 작용할 수 있다. 예들에서, 파장 선택적 산란층(14)은 염색된 파장 선택적 산란층(14g)의 상부에 배치될 수 있다.
일부 예들에서, 도 1h에 도시된 바와 같이, 예시적인 물품(10h)은 파장 선택적 산란층(14)과 파장 선택적 흡수층(34) 사이에 위치된 파장 선택적 반사층(16)을 포함할 수 있다. 파장 선택적 흡수층(34)은 총 근적외선 투과율을 실질적으로 감소시키지 않으면서 총 가시광 반사율을 물품(10h)의 주 표면의 영역에 걸쳐 균일하게 감소시킬 수 있다. 총 가시광 반사율의 균일한 감소는 웨트-아웃을 감소 또는 방지하기 위해 사용될 수 있다. 웨트-아웃은 광학 필터의 균일한 외관의 가시적인 불연속성, 중단, 수차(aberration), 변동, 또는 교란을 낳을 수 있는, 물품(10h)의 모든 층을 통한 가시광 누출 또는 가시광의 투과로 인해 발생할 수 있는 현상이다. 예를 들어, 광학 필터가 하부 기판과 접촉하는 영역들은 웨트-아웃을 나타낼 수 있고, 이로써 접촉 영역에 대응하는 형상이 광학 필터를 통해 인지가능할 수 있다. 파장 선택적 흡수층(34)은 물품(10h)의 전체 면적에 걸쳐 가시광 반사율을 균일하게 감소시키고 가시광 누출을 방지하는 한편, 근적외선 파장을 여전히 투과시킬 수 있으므로, 불연속성 또는 교란이 물품(10h)의 주 표면에 걸쳐 가시적으로 나타나지 않고 따라서 웨트-아웃을 방지할 수 있다.
일부 예들에서, 파장 선택적 흡수층(34)은 파장 선택적 반사층(16)의 주 표면에 인접한 완전한 중간 영역을 점유할 수 있다. 그러나, 일부 예들에서, 도 1h에 도시된 바와 같이, 파장 선택적 흡수층(34)은 파장 선택적 반사층(16)의 주 표면에 인접한 부분적 영역을 점유할 수 있으며, 광 확산층(36)이 파장 선택적 반사층(16)의 주 표면에 인접한 나머지 영역을 점유할 수 있다. 이러한 구성은 예를 들어 상대적으로 어두운 또는 가시광 흡수 성분이 광 확산층(36)에 인접하게 배치될 수 있는 경우에 파장 선택적 흡수층(34)을 생성하는데 요구될 수 있는 근적외선 염료의 양을 감소시키는데 사용될 수 있다. 가시광 흡수 성분, 예를 들어, 센서가 파장 선택적 반사층(16)의 영역에 인접하여 배치되는 예들에서, 그러한 영역에는 웨트-아웃은 나타나지 않을 것으로 예상될 수 있다. 따라서, 파장 선택적 흡수층(34)으로 그 영역을 덮는 것이 불필요할 수 있고, 대신에 광 확산층(36)이 그 성분에 인접하여 사용될 수 있어, 예를 들어, 근적외선 염료와 관련된 비용이 감소될 수 있다.
일부 예들에서, 예시적인 물품들은 파장 선택적 산란층(14)을 포함하지 않을 수 있으며, 도 1i 내지 도 1k에 도시된 바와 같이, 파장 선택적 반사층(16) 및 파장 선택적 흡수층(34)만을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 도 1i에 도시된 바와 같이, 예시적인 물품(10i)은 기판(12)에 인접하게 배치된 파장 선택적 반사층(16)을 포함할 수 있으며, 파장 선택적 흡수층(34)은 기판(12)과 파장 선택적 반사층(16) 사이에 있다. 일부 예들에서, 도 1j에 도시된 바와 같이, 예시적인 물품(10j)은 기판(12)에 인접하여 배치된 파장 선택적 반사층(16)을 포함할 수 있으며, 파장 선택적 반사층(16)은 파장 선택적 흡수층(34)과 기판(12) 사이에 있을 수 있다. 일부 예들에서, 도 1k에 도시된 바와 같이, 예시적인 물품(10k)은 제1 파장 선택적 흡수층(34a)과 제2 파장 선택적 흡수층(34b) 사이의 파장 선택적 반사층(16)을 포함할 수 있다. 파장 선택적 흡수층들(34, 34a 및 34b)은 파장 선택적 반사층(16)에 의한 가시광 파장의 불균일한 차단을 보상하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 파장 선택적 반사층(16)이 대부분의 가시광 파장의 투과를 차단할 수 있는 반면, 파장 선택적 반사층(16)은 여전히 특정 가시광 파장의 피크 또는 대역이 통과하도록 허용할 수 있다. 따라서, 파장 선택적 반사층(16)은 일부 가시광을 "누출"시킬 수 있고, 이는 예를 들어 시각적으로 인지되지 않게 파장 선택적 반사층(16)에 의해 은폐되어야 할 물체들을 드러낼 수 있다. 파장 선택적 염료는 파장 선택적 반사층(16)에 의해 투과되는 적어도 그러한 가시광 파장을 차단하도록 선택될 수 있으며, 따라서 예시적인 물품들(10i 내지 10k)이 근적외선 파장을 투과시키는 한편 모든 가시광 파장을 실질적으로 차단한다.
예들에서, 예시적인 물품들(10i 내지 10k)은 380 내지 800 nm에서 0.1% 미만의 가시광 투과율 및 830 내지 900 nm에서 50% 초과의 근적외선 투과율을 가질 수 있다. 예들에서, 예시적인 물품들(10i 내지 10k)은 380 내지 800 nm에서 0.01% 미만의 가시광 투과율 및 830 내지 900 nm에서 75% 초과의 근적외선 투과율을 가질 수 있다. 예들에서, 예시적인 물품들(10i 내지 10k)은 도 1a 내지 도 1e를 참조하여 전술된 바와 같이 실란트 층 또는 보호 층을 더 포함할 수 있다.
도 1a 내지 도 1k는 평탄한 층들을 포함하는 각각의 물품들(10a 내지 10k)을 도시한 것으로서, 다양한 예들에서, 물품들(10a 내지 10k)은 임의의 적합한 형상, 주변부, 또는 단면을 취하며, 물품들(10a 내지 10k) 내의 층들은 규칙적인, 불규칙적인, 또는 복합 곡률을 취할 수 있거나, 상이한 영역들에서 편평하거나 만곡된 기하학적 구조들을 취할 수 있거나, 그렇지 않으면, 층들 또는 물품들(10a 내지 10k) 아래의 기판의 윤곽과 일치할 수 있다. 예를 들어, 물품들(10a 내지 10k)은 반구 또는 렌티큘러(lenticular) 형상, 또는 불규칙적 윤곽을 갖는 표면을 취할 수 있다. 일부 예들에서, 각각의 파장 선택적 층들의 임의의 층, 예를 들어, 파장 선택적 산란층(14), 반사층(16), 및 파장 선택적 흡수층(34)은, 예를 들어, 약 1 내지 약 100% 면적의 기판(12) 또는 하부 층의 적어도 일부 면적을 커버하는 공간적으로 변이 형이거나 주기적인 패턴을 가짐으로써 주요 치수에 걸쳐 변하는 형상 또는 두께를 가질 수 있다. 또한, 전술한 일부 실시예들에서 도 1a 내지 도 1k의 물품들(10a 내지 10k)은 기판(12)을 포함할 수 있고, 다른 예들에서, 물품들(10a 내지 10k)은 기판(12)을 포함하지 않을 수 있다. 일부 예들에서, 기판(12)은 가요성일 수 있다. 일부 예들에서, 물품들(10a 내지 10k)은 가요성일 수 있고 가요성 기판 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 가요성 기판은 광원, 센서 또는 광전지를 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 물품들(10a 내지 10k)은 연속적으로 가요성이거나 단지 미리결정된 영역들에서만 가요성일 수 있다. 따라서, 도 1a 내지 도 1k를 참조하여 기술된 예들에 따른 예시적인 물품들은 가시광 파장의 투과를 차단하는 한편 근적외선 파장의 투과를 허용하는 광학 필터들을 포함할 수 있다. 예시적인 물품들 및 광학 필터들은 후술되는 예시적인 광학 시스템들에 사용될 수 있다.
도 2a 내지 도 2f는 광학 필터를 포함하는 예시적인 광학 시스템의 개념도 및 개략도이다. 도 2a는 광학 필터(10) 및 수광기(40)를 포함하는 예시적인 광학 시스템의 개념도 및 개략도이다. 예들에서, 수광기(40)는 광 센서, 카메라, CCD, 또는 광의 적어도 미리결정된 파장 영역을 감지하도록 구성된 임의의 다른 센서를 포함할 수 있다. 예를 들어, 수광기(40)는 근적외선 센서를 포함할 수 있다. 예들에서, 수광기(40)는 광을 수광하는 물체, 예를 들어, 태양 전지나 입사광을 적어도 부분적으로 흡수하는 물체, 예를 들어, 태양열 히터나 광을 수광하는 임의의 다른 물체를 포함할 수 있다. 광학 필터(10)는 도 1a 내지 도 1e를 참조하여 상술한 바와 같이, 파장 선택적 산란층을 포함하는 예시적인 광학 필터들 중 임의의 것, 또는 본 개시에서 설명된 다른 예시적인 광학 필터를 포함할 수 있다. 도 2a에 도시된 바와 같이, 광학 필터(10)는 수광기(40)에 인접하여 배치될 수 있다. 입사 근적외선 광선(42a)은 근적외선 파장을 포함할 수 있으며, 광학 필터(10)를 통해 수광기(40)로 실질적으로 투과될 수 있다. 입사 가시광선(44a)은 가시광 파장을 포함할 수 있고 광학 필터(10)에 의해 실질적으로 반사 또는 산란될 수 있으므로, 수광기(40)는 가시광선(44a)으로부터 적어도 부분적으로 차폐되는 한편, 근적외선 광선(42a)을 적어도 부분적으로 수광할 수 있다. 예들에서, 수광기는 광학 필터(10)에 의해 가시광선(44a)으로부터 실질적으로 또는 완전히 차폐될 수 있고, 근적외선 광선(42a)의 실질적으로 전부를 수광할 수 있다.
도 2b는 광학 필터(10), 수광기(40), 발광기(46) 및 물체(48)를 포함하는 예시적인 광학 시스템의 개념도 및 개략도이다. 예들에서, 발광기(46)는 가시, 근적외선 또는 자외선 파장을 포함하는 광 또는 전자기 방사의 임의의 적합한 파장의 소스를 포함할 수 있다. 예들에서, 발광기(46)는 전구, 백열 광원, 소형 형광등, LED, 도광체, 또는 임의의 천연 또는 인공 광원들을 포함할 수 있다. 예들에서, 발광기(46)는 광을 생성하지 않을 수 있으며, 오로지 광원에 의해 생성된 광만 반사 또는 투과시킬 수 있다. 광학 필터(10)는 수광기(40)와 물체(48) 사이에 배치될 수 있다. 발광기는 수광기(40)와 동일한 광학 필터(10) 측면 상에 배치될 수 있다. 발광기(46)로부터 투과되는 근적외선 광선(42b)은 근적외선 파장을 포함할 수 있으며, 광학 필터(10)를 통해 물체(48)로 실질적으로 투과될 수 있다. 광선(42b)은 물체(48)에 의해 다시 반사될 수 있고, 반사된 광선은 물체(48)의 광학 특성에 의해 수정될 수 있다. 반사된 광선(42)은 광학 필터(10)를 통해 수광기(40)로 실질적으로 투과될 수 있다. 입사 가시광선(44b)은 가시광 파장을 포함할 수 있고 광학 필터(10)에 의해 실질적으로 반사되거나 산란될 수 있음으로써 수광기(40) 및 발광기(46) 중 하나 또는 둘 모두는 가시광선(44a)으로부터 적어도 부분적으로 차폐된다. 예들에서, 수광기는 광학 필터(10)에 의해 가시광선(44b)으로부터 실질적으로 또는 완전히 차폐될 수 있고, 근적외선 광선(42b)의 실질적으로 전부를 수광할 수 있다.
도 2c는 광학 필터(10), 수광기(40) 및 물체(48)를 포함하는 예시적인 광학 시스템의 개념도 및 개략도이다. 광학 필터(10)는 수광기(40)와 물체(48) 사이에 배치될 수 있다. 입사 근적외선 광선(42c)은 근적외선 파장을 포함할 수 있으며, 물체(48) 및 광학 필터(10)를 통해 수광기(40)로 실질적으로 투과될 수 있다. 입사 가시광선(44c)은 가시광 파장을 포함할 수 있고 광학 필터(10)에 의해 실질적으로 반사 또는 산란될 수 있으므로, 수광기(40)는 가시광선(44c)으로부터 적어도 부분적으로 차폐되는 한편, 근적외선 광선(42c)을 적어도 부분적으로 수광할 수 있다. 예들에서, 수광기(40)는 광학 필터(10)에 의해 가시광선(44c)으로부터 실질적으로 또는 완전히 차폐될 수 있고, 근적외선 광선(42c)의 실질적으로 전부를 수광할 수 있다.
도 2d는 광학 필터(10) 및 수광기(40)를 포함하는 예시적인 광학 시스템의 개념도 및 개략도이다. 광학 필터(10)는 수광기(40)에 인접하여 배치될 수 있다. 입사 근적외선 광선(42d)은 근적외선 파장을 포함할 수 있으며, 광학 필터(10)에서 수광기(40)로 실질적으로 반사될 수 있다. 입사 가시광선(44d)은 가시광 파장을 포함할 수 있고 광학 필터(10)에 의해 실질적으로 반사 또는 산란될 수 있으므로, 수광기(40)는 가시광선(44d)을 적어도 부분적으로 수광하는 한편, 근적외선 광선(42d)을 적어도 부분적으로 수광할 수 있다.
도 2e는 광학 필터(10), 수광기(40), 및 발광기(46)를 포함하는 예시적인 광학 시스템의 개념도 및 개략도이다. 광학 필터(10)는 발광기(46)와 수광기(40) 사이에 배치될 수 있다. 발광기(46)로부터 투과되는 근적외선 광선(42e)은 근적외선 파장을 포함할 수 있으며, 광학 필터(10)를 통해 수광기(40)로 실질적으로 투과될 수 있다. 입사 가시광선(44e)은 가시광 파장을 포함할 수 있고 광학 필터(10)에 의해 실질적으로 반사 또는 산란될 수 있으므로, 발광기(46)는 가시광선(44e)으로부터 적어도 부분적으로 차폐된다. 예들에서, 발광기(46)는 광학 필터(10)에 의해 가시광선(44e)으로부터 실질적으로 또는 완전히 차폐될 수 있다. 도 2e의 예시적인 광학 시스템에서 수광기(40)가 설명되었으나, 예들에서, 도 2e의 예시적인 광학 시스템은 수광기(40)를 포함하지 않을 수 있다. 예를 들어, 예시적인 광학 시스템은 발광기(46) 및 광학 필터(10)를 포함할 수 있으며, 광학 필터(10)는 발광기(46)가 가시적으로 보이지 않도록 은폐할 수 있다.
도 2f는 광학 필터(10), 수광기(40), 발광기(46) 및 물체(48f)를 포함하는 예시적인 광학 시스템의 개념도 및 개략도이다. 예들에서, 발광기(46)는 근적외선 파장의 소스, 예를 들어 근적외선 전구 또는 LED를 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광기는 레이저, 레이저 다이오드, 또는 인젝션 레이저(injection laser)를 포함할 수 있다. 광 수신기(40)는 근적외선 파장에 민감한 센서 또는 카메라를 포함할 수 있다. 예를 들어, 센서는 제스처 센서, 광 터치 센서, 또는 연속적으로 감지된 광 빔의 중단을 검출하는 센서와 같은 광전 센서를 포함할 수 있다. 센서는 한 종류의 센서들 또는 상이한 종류들의 센서들의 어레이 또는 임의의 다른 그룹을 포함할 수 있다. 광학 필터(10)는 수광기(40)와 물체(48f) 사이에 배치될 수 있다. 발광기(46)는 광학 필터(10)의 동일한 측면 상에 수광기(40)와 배치될 수 있다. 발광기(46)로부터 투과되는 근적외선 광선(42b)은 근적외선 파장을 포함할 수 있으며, 광학 필터(10)를 통해 물체(48f)로 실질적으로 투과될 수 있다. 광선(42b)은 물체(48)에 의해 다시 반사될 수 있고, 반사된 광선은 물체(48f)의 광학 특성에 의해 수정될 수 있다. 반사된 광선(42)은 광학 필터(10)를 통해 수광기(40)로 실질적으로 투과될 수 있다. 일부 예들에서, 입사 가시광선(44b)은 가시광 파장을 포함할 수 있고 광학 필터(10)에 의해 실질적으로 반사되거나 산란될 수 있음으로써 수광기(40) 및 발광기(46) 중 하나 또는 둘 모두는 가시광선(44a)으로부터 적어도 부분적으로 차폐된다. 예들에서, 수광기는 광학 필터(10)에 의해 가시광선(44b)으로부터 실질적으로 또는 완전히 차폐될 수 있고, 근적외선 광선(42b)의 실질적으로 전부를 수광할 수 있다.
일부 예들에서, 홍채 스캐닝 시스템은 도 2f의 예시적인 광학 시스템을 포함할 수 있으며, 예를 들어, 물체(48f)는 눈 또는 홍채를 포함하고, 수광기(40)는 광 방출기(46)에 의해 방출되고 물체(48f)에 의해 튕겨 돌아오는 근적외선 광을 수광하는 홍채 스캐너이다. 발광기(46)는 근적외선 파장을 방출할 수 있지만, 발광기(46)는 예를 들어 사용자 또는 관찰자에게 발광기(46)의 존재를 나타낼 수 있는 가시광 파장을 또한 방출할 수도 있다. 파장 선택적 층(16)을 포함하는 물품들은 발광기(46)가 가시적으로 인지되지 않도록 위장하기 위해 가시광 파장의 투과를 차단하는 데 사용될 수 있는 한편, 파장 선택적 반사층(16)은 가시광 파장의 피크 또는 대역과 같은 일부 가시광 파장이 투과되도록 허용할 수 있다. 일부 예들에서, 광학 필터(10)는 도 1i 내지 도 1k를 참조하여 전술된 바와 같이, 파장 선택적 반사층(16)에 의해 투과된 가시광 파장의 투과를 차단하는 파장 선택적 흡수층(34)을 포함할 수 있다. 따라서, 예들에서, 광학 필터(10)는 380 내지 800 nm에서 0.1% 미만의 가시 투과율 및 830 내지 900 nm에서 50% 초과의 근적외선 투과율을 가질 수 있다. 따라서, 광학 필터(10)는 광 방출기(46)가 가시광 파장을 방출하더라도 발광기(46)가 가시적으로 인지되지 않도록 위장하는 한편, 근적외선 파장을 광학 필터(10)를 가로 질러 양방향으로 투과시킴으로써 홍채 스캐닝 시스템이 홍채를 스캔하도록 허용할 수 있다. 일부 예들에서, 도 2f의 예시적인 광학 시스템은 하나 초과의 광학 필터(10)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 광학 필터가 발광기(46) 또는 수광기(40)에 인접하게 배치될 수 있고, 제2 광학 필터가 물체(48f)의 주 표면에 인접하게 배치될 수 있다. 일부 예들에서, 제1 및 제2 광학 필터 각각은 동일하거나 상이한 광학 필터들을 포함한다. 일부 예들에서, 광학 필터(10)는 재귀반사 필름을 포함할 수 있거나 재귀반사 경로를 가로 질러 또는 재귀반사 경로를 따라 배치될 수 있다. 일부 예들에서, 물체(48f)는 재귀반사 필름을 포함할 수 있다. 홍채 스캐닝 시스템이 도 2f를 참조하여 상술되었으나, 일부 예들에서, 도 2f의 예들은 가시적으로 인지되지 않도록 은폐 또는 위장되어야 할 가시광 파장을 방출하면서, 식별을 위해 근적외선 파장을 사용하는 임의의 생체인식 또는 식별 시스템을 포함할 수 있다. 예를 들어,도 2f의 예시적인 시스템은 지문 스캐너, 안면 인식 시스템 또는 열 인식 시스템을 포함할 수 있다.
예들에서, 광학 필터(10)는 적어도 하나의 제거가능하거나 재위치가능한 층을 포함할 수 있거나, 광학 필터(10)는 전체적으로, 광학 필터(10) 아래 또는 인접한 기판에 대하여 제거되거나 재배치될 수 있도록 제거가능하거나 재위치가능할 수 있다. 예들에서, 광학 필터(10)의 주변부는 발광기(46) 또는 수광기(40) 중 하나 또는 둘 모두의 주변부를 넘어 연장될 수 있거나, 또는 광학 필터(10)의 주 표면의 면적이 발광기(46) 또는 수광기(40) 중 하나 또는 둘 모두의 표면적보다 크거나 작을 수 있다. 예들에서, 광학 필터(10)는 전자기기, 회로, 기판들, 센서들, 송신기들과 같은 다른 컴포넌트들이 시각적으로 인지되지 않도록 광학 필터에 의해 차폐함으로써 이들 컴포넌트들을 위장하도록 구성될 수 있다. 예들에서, 하나 이상의 발광기(46) 또는 수광기(40), 예를 들어 어레이가 광학 필터(10)에 인접하여 위치될 수 있다. 예들에서, 발광기(46) 또는 수광기(40) 중 하나 또는 둘 모두는 광학 필터(10)로부터 상대적으로 멀리 떨어져 있을 수 있으며, 예를 들어, 1 cm, 또는 10 cm, 또는 1 m, 또는 10 m, 또는 100 m, 또는 1 km 이상 떨어져 있거나, 심지어 더 멀리 떨어져 있을 수 있다. 도 2a 내지 도 2f에는 예를 들어, 발광기(46)와 수광기(40) 중 하나 또는 둘 모두와 광학 필터(10) 사이의 광의 직접적 경로가 도시되어 있으나, 예들에서, 발광기(46)와 수광기(40) 중 하나 또는 둘 모두와 광학 필터(10) 사이의 광은 광학적으로 안내된 경로들, 반사된 경로들, 또는 굴절 또는 필터링을 포함하는 광학적 조작을 포함한 경로들, 또는 상이한 광학 매체를 통해 이동하는 경로들을 포함한 간접적 경로들을 따를 수 있다.
따라서, 예들에서, 광학 필터(10)는 수광기(40)가 근적외선 파장을 수광하도록 실질적으로 허용하는 동안, 수광기(40)를 가시광 파장으로부터 적어도 부분적으로 차폐하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 광학 필터(10)는 수광기(40), 발광기(46) 또는 물체(48) 중 하나 이상을 은폐 또는 위장하도록 구성될 수 있다. 예들에서, 도 2a 내지 도 2f를 참조하여 전술된 바와 같이, 광학 필터(10)는, 예를 들어, 가시광 파장을 산란시킴으로써, 수광기(40) 또는 발광기(46) 중 하나 또는 둘 모두를 시각적으로 인지되지 않게 위장하도록 구성될 수 있다.
도 3a 내지 도 3d는 가시적으로 인지가능한 패턴 및 비가시적 근적외선 패턴을 디스플레이하는 예시적인 광학 필터 및 전자 디스플레이를 포함하는 예시적인 시스템의 개념도이다. 전하 결합 디바이스(CCD)와 같은 이미징 센서는 근적외선 영역에서 검출되므로, 시각적으로 반사되는 그래픽을 포함하는 신호를 생성할 수 있다. 표지판(sign)은 카메라에 의해 검출될 수 있는 비가시적 이미지를 은폐할 수 있다. 예를 들어, 이미지는 바코드, 2D 바코드 또는 QR 코드와 같은 신호 또는 정보를 인코딩하는 미리결정된 패턴을 포함할 수 있다. QR 코드들의 실제 크기는 그것들에 포함될 수 있는 정보의 양을 제한할 수 있다. 그러나 비가시적 QR 코드는 물리적으로 표지판과 같은 크기일 수 있으면서도 가시적 그래픽을 어지럽히거나 손상시키지 않을 수 있다. 일례에서, 전자 디스플레이(60)는 디스플레이(60) 뒤에 은폐된 각각의 가시광 발광기 및 근적외선 광 발광기에 의해 방출된 가시광 패턴 및 근적외선 패턴을 동시에 디스플레이할 수 있다. 전자 디스플레이(60)는 도 1a 내지 도 1e를 참조하여 전술한 예시적인 광학 필터로 덮일 수 있다. 예를 들어, 전자 디스플레이(60)는 도 3b에 도시된 바와 같이, 가시광 패턴(62) 및 비가시광 근적외선 패턴(64)을 동시에 디스플레이할 수 있다. 패턴(62)은 상대적으로 더 작은 QR 코드 또는 상대적으로 작은 디스플레이 풋프린트(footprint)를 갖는 다른 표지(indicia)를 포함할 수 있는 한편, 패턴(64)은 상대적으로 더 큰 QR 코드 또는 상대적으로 더 큰 풋프린트를 갖는 다른 표지를 포함할 수 있다. 패턴(62)은 광학 필터(도시되지 않음)에 의한 가시광 파장의 반사 또는 산란의 결과로서 가시성이 될 수 있다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 오로지 패턴(62)만이 시각적으로 인지될 수 있고, 패턴(64)은 시각적 인지에 비가시적으로 유지되는 한편, 근적외선 파장에서는 비교적 높은 투명도로 제공될 수 있다. 따라서, 근적외선 파장을 감지할 수 있는 카메라는 충분한 해상도로, 예를 들어 패턴(64)에 포함될 수 있는 정보를 디코딩하기에 충분한 해상도로 패턴(64)을 감지할 수 있다. 도 3c에 도시된 예에서, 오로지 미리결정된 패턴만이 디스플레이(60) 상에서 가시적으로 인식가능한 반면, 도 3d에 도시된 바와 같이, 오로지 근적외선 카메라에 의해서만 검출될 수 있는 비가시광 근적외선 패턴이 디스플레이(60) 상에 동시에 디스플레이될 수 있다. 따라서, 도 3a 및 도 3b, 및 도 3c 및 도 3d의 각각의 예시적인 시스템들에서, 예시적인 광학 필터는 미리결정된 가시광 패턴만을 노출시키면서 근적외선 패턴의 소스를 은폐 또는 위장하는 데 사용될 수 있다. 일부 예들에서, 비가시광 근적외선 패턴(64)들은 은폐된 정보를 인코딩하는 데 사용될 수 있는 한편, 가시적으로 인식가능한 패턴(62)들은 가시적으로 인식가능한 정보, 또는 적어도 인코딩될 수 있으나 인코딩됨에 따라 가시적으로 인식가능한 정보를 제시하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 패턴(62)은 웹 사이트와 같은 제1 정보의 세트를 인코딩할 수 있는 한편, 패턴(64)은 디스플레이(60)의 위치와 같은 제2 정보의 세트를 인코딩할 수 있다. 예들에서, 전자 디스플레이(60)는 가시광 패턴, 비가시광 패턴 또는 둘 모두를 디스플레이할 수 있다. 예들에서, 전자 디스플레이(60)는 다수의 패턴을 디스플레이할 수 있다. 예들에서, 전자 디스플레이는 정적 패턴 또는 동적 패턴을 디스플레이할 수 있다. 따라서, 예시적인 광학 필터들은 높은 투명도의 근적외선 투과를 갖는 위장을 제공할 수 있다.
도 4는 예시적인 기술의 흐름도이다. 예시적인 기술은 발광기(46) 또는 수광기(40) 중 하나 또는 둘 모두에 인접하게 광학 필터(10)를 배치하는 단계(52)를 포함할 수 있다. 광학 필터(10)는 도 1a 내지 도 1e 및 도 2a 내지 도 2e를 참조하여 전술한 바와 같이, 파장 선택적 산란층을 포함한다. 예시적인 기술은 광학 필터(10)와 발광기(46) 또는 수광기(40) 중 하나 또는 둘 모두 사이에 반사층(16)을 배치하는 단계(54)를 옵션적으로 더 포함할 수 있다. 광학 필터(10)는 옵션적으로 발광기(46) 또는 수광기(40) 중 하나 또는 둘 모두를 위장할 수 있다(56). 광학 필터(10)는 가시광 파장으로부터 발광기 또는 수광기 중 하나 또는 둘 모두를 옵션적으로 적어도 부분적으로 차폐할 수 있다(58).
전술한 물품들은 다층 필름들을 포함하거나 다수의 층을 포함할 수 있지만, 일부 예들에서는 하나 이상의 층이 인접한 층에 블렌딩되거나 인접 층과 가시적으로 불불명한 그레이딩된(graded) 경계를 형성할 수 있다. 일부 예들에서, 다층 필름들 또는 물품들은 식별가능한 경계들 또는 주 표면들이 하나 이상의 층을 분리하지 않고, 상이한 층들이 인접한 층들로 전이할 수 있도록 처리될 수 있다. 일부 예들에서, 층은 물리적으로 구별되는 층 또는 별개의 층이 아닌 미리결정된 실질적으로 평탄한 또는 만곡된 기하학적 영역을 나타낼 수 있다.
따라서, 본 개시에 따른 예시적인 시스템들, 물품들 및 기술들은 가시광 파장의 투과를 감소시키면서, 예를 들어 가시광 파장을 선택적으로 산란 또는 반사시킴으로써 비교적 높은 투명도로 근적외선 광을 투과시키는 예시적인 파장 선택적 산란층들을 포함하는 예시적인 광학 물품들을 포함할 수 있다.
본 개시에 따른 예시적인 물품들 및 기술들은 하기 비제한적인 실시 형태들 및 실시예들에 의해 예시될 것이다.
실시 형태
발명의 실시 형태들은 다음의 열거된 항목들을 포함한다.
항목 1.
발광기 또는 수광기 중 하나 또는 둘 모두; 및
발광기 또는 수광기 중 하나 또는 둘 모두에 인접한 광학 필터를 포함하며, 광학 필터는 파장 선택적 산란층을 포함하고, 파장 선택적 산란층은 약 0.9 미만의 근적외선 산란비를 가지며, 근적외선 산란비는 평균 근적외선 산란 대 평균 가시광 산란의 비이며, 파장 선택적 산란층은 약 0.5 초과의 가시광 반사 탁도비를 가지며, 가시광 반사 탁도비는 평균 가시광 확산 반사율 대 평균 가시광 총 반사율의 비인, 시스템.
항목 2. 항목 1에 있어서, 파장 선택적 산란층은 약 0.7 미만의 근적외선 산란비를 갖는, 시스템.
항목 3. 항목 1에 있어서, 파장 선택적 산란층은 약 0.6 미만의 근적외선 산란비를 갖는, 시스템.
항목 4. 항목 1 내지 항목 3 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 약 0.6 초과의 가시광 반사 탁도비를 갖는, 시스템.
항목 5. 항목 1 내지 항목 4 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 약 0.7 초과의 가시광 반사 탁도비를 갖는, 시스템.
항목 6. 항목 1 내지 항목 5 중 어느 한 항목에 있어서, 발광기 또는 수광기 중 하나 또는 둘 모두는 근적외선 범위 내의 동작 파장을 갖는, 시스템.
항목 7. 항목 1 내지 항목 6 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 입사 가시광의 약 50% 미만을 투과시키고, 파장 선택적 산란층은 입사 근적외선 광의 약 50% 초과를 투과시키는, 시스템.
항목 8. 항목 1 내지 항목 7 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 입사 가시광의 약 50% 초과를 산란시키는, 시스템.
항목 9. 항목 1 내지 항목 8 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 입사 가시광의 약 50% 초과를 백색광으로서 산란시키는, 시스템.
항목 10. 항목 1 내지 항목 9 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률 및 약 5㎛ 미만의 평균 입자 크기를 가지며, 제1 굴절률과 제2 굴절률 사이의 절대차는 약 0.1 미만인, 시스템.
항목 11. 항목 1 내지 항목 9 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률 및 약 1㎛ 미만의 평균 입자 크기를 가지며, 제1 굴절률과 제2 굴절률 사이의 절대차는 약 0.2 미만인, 시스템.
항목 12. 항목 1 내지 항목 9 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률 및 약 0.5㎛ 미만의 평균 입자 크기를 가지며, 제1 굴절률과 제2 굴절률 사이의 절대차는 약 0.4 미만인, 시스템.
항목 13. 항목 1 내지 항목 9 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률 및 약 0.3㎛ 미만의 평균 입자 크기를 가지며, 제1 굴절률과 제2 굴절률 사이의 절대차는 약 0.6 미만인, 시스템.
항목 14. 항목 1 내지 항목 9 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률 및 약 0.2㎛ 미만의 평균 입자 크기를 가지며, 제1 굴절률과 제2 굴절률 사이의 절대차는 약 1.8 미만인, 시스템.
항목 15. 항목 1 내지 항목 9 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률을 가지며, 복수의 입자의 평균 입자 크기, 제1 굴절률 및 제2 굴절률은 도 15의 선(82) 아래의 영역으로부터 선택되는, 시스템.
항목 16. 항목 1 내지 항목 9 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률을 가지며, 복수의 입자의 평균 입자 크기, 제1 굴절률 및 제2 굴절률은 도 15의 선(84) 아래의 영역으로부터 선택되는, 시스템.
항목 17. 항목 1 내지 항목 9 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률을 가지며, 복수의 입자의 평균 입자 크기, 제1 굴절률 및 제2 굴절률은 도 15의 선(86) 아래의 영역으로부터 선택되는, 시스템.
항목 18. 항목 1 내지 항목 9 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률을 가지며, 복수의 입자의 평균 입자 크기, 제1 굴절률 및 제2 굴절률은 도 15의 선(88) 아래의 영역으로부터 선택되는, 시스템.
항목 19. 항목 1 내지 항목 18 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 25% 이상의 가시광 탁도를 갖는, 시스템.
항목 20. 항목 1 내지 항목 19 중 어느 한 항목에 있어서, 광학 필터는 표면 광학 미소구조체들을 포함하는, 시스템.
항목 21. 항목 1 내지 항목 20 중 어느 한 항목에 있어서, 발광기는 근적외선 LED 또는 근적외선 레이저를 포함하는, 시스템.
항목 22. 항목 1 내지 항목 21 중 어느 한 항목에 있어서, 수광기는 근적외선 카메라 또는 근적외선 수광 대역을 갖는 광 센서를 포함하는, 시스템.
항목 23. 항목 1 내지 항목 9 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 바인더, 복수의 입자 및 복수의 상호연결된 공극을 포함하며, 파장 선택적 산란층 내의 복수의 상호연결된 공극의 체적 분율은 약 20% 이상이고, 바인더 대 복수의 입자의 중량비는 약 1:2 이상인, 물품.
항목 24. 항목 1 내지 항목 23 중 어느 한 항목에 있어서, 광학 필터는 반사층을 포함하는, 시스템.
항목 25. 항목 1 내지 항목 23 중 어느 한 항목에 있어서, 광학 필터는 비드형 확산기 층을 포함하는, 시스템.
항목 26. 항목 1 내지 항목 25 중 어느 한 항목에 있어서, 광학 필터는 수광기를 가시광 파장으로부터 적어도 부분적으로 차폐하는 한편, 수광기가 근적외선 파장을 수광하도록 실질적으로 허용하도록 구성되는, 시스템.
항목 27. 항목 1 내지 항목 26 중 어느 한 항목에 있어서, 광학 필터는 수광기 또는 발광기 중 하나 또는 둘 모두를 시각적으로 인지되지 않게 위장하도록 구성되는, 시스템.
항목 28. 항목 27에 있어서, 광학 필터는 가시광 파장을 산란시킴으로써 수광기 또는 발광기 중 하나 또는 둘 모두를 시각적으로 인지되지 않게 적어도 부분적으로 위장하도록 구성되는, 시스템.
항목 29.
발광기 또는 수광기 중 하나 또는 둘 모두에 인접하여 광학 필터를 배치하는 단계를 포함하며, 광학 필터는 파장 선택적 산란층을 포함하고, 파장 선택적 산란층은 약 0.9 미만의 근적외선 산란비를 가지며, 근적외선 산란비는 평균 근적외선 산란 대 평균 가시광 산란의 비이고, 파장 선택적 산란층은 약 0.5 초과의 가시광 반사 탁도비를 가지며, 가시광 반사 탁도비는 평균 가시광 확산 반사율 대 평균 가시광 총 반사율의 비인, 방법.
항목 30. 항목 29에 있어서, 광학 필터와 발광기 또는 수광기 중 하나 또는 둘 모두 사이에 반사층을 배치하는 단계를 더 포함하는, 방법.
항목 31. 발광기 또는 수광기 중 하나 또는 둘 모두를 적어도 부분적으로 위장하는 단계를 포함하는 방법으로서, 위장하는 단계는 항목 29 또는 항목 30의 방법을 포함하는, 방법.
항목 32. 발광기 또는 수광기 중 하나 또는 둘 모두를 가시광 파장으로부터 적어도 부분적으로 차폐하는 단계를 포함하는 방법으로서, 차폐하는 단계는 항목 29 또는 항목 30의 방법을 포함하는, 방법.
항목 33. 항목 29 내지 항목 32 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 입사 가시광의 약 50% 초과를 산란시키는, 방법.
항목 34. 항목 33에 있어서, 파장 선택적 산란층은 입사 가시광의 약 50% 초과를 백색광으로서 산란시키는, 방법.
항목 35. 광학 필터를 포함하는 물품으로서, 광학 필터는 파장 선택적 산란층을 포함하고, 파장 선택적 산란층은 약 0.9 미만의 근적외선 산란비를 가지며, 근적외선 산란비는 평균 근적외선 산란 대 평균 가시광 산란의 비이고, 파장 선택적 산란층은 약 0.5 초과의 가시광 반사 탁도비를 가지며, 가시광 반사 탁도비는 평균 가시광 확산 반사율 대 평균 가시광 총 반사율의 비인, 물품.
항목 36. 항목 35에 있어서, 파장 선택적 산란층은 약 0.7 미만의 근적외선 산란비를 갖는, 물품.
항목 37. 항목 36에 있어서, 파장 선택적 산란층은 약 0.6 미만의 근적외선 산란비를 갖는, 물품.
항목 38. 항목 35 내지 항목 37 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 약 0.6 초과의 가시광 반사 탁도비를 갖는, 물품.
항목 39. 항목 35 내지 항목 37 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 약 0.7 초과의 가시광 반사 탁도비를 갖는, 물품.
항목 40. 항목 35 내지 항목 39 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 입사 가시광의 약 50% 미만을 투과시키고, 파장 선택적 산란층은 입사 근적외선 광의 약 50% 초과를 투과시키는, 물품.
항목 41. 항목 35 내지 항목 40 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 입사 가시광의 약 50% 초과를 산란시키는, 물품.
항목 42. 항목 35 내지 항목 40 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 입사 가시광의 약 50% 초과를 백색광으로서 산란시키는, 물품.
항목 43. 항목 35 내지 항목 42 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률 및 약 5㎛ 미만의 평균 입자 크기를 가지며, 제1 굴절률과 제2 굴절률 사이의 절대차는 약 0.1 미만인, 물품.
항목 44. 항목 35 내지 항목 42 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률 및 약 1㎛ 미만의 평균 입자 크기를 가지며, 제1 굴절률과 제2 굴절률 사이의 절대차는 약 0.2 미만인, 물품.
항목 45. 항목 35 내지 항목 42 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률 및 약 0.5㎛ 미만의 평균 입자 크기를 가지며, 제1 굴절률과 제2 굴절률 사이의 절대차는 약 0.4 미만인, 물품.
항목 46. 항목 35 내지 항목 42 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률 및 약 0.3㎛ 미만의 평균 입자 크기를 가지며, 제1 굴절률과 제2 굴절률 사이의 절대차는 약 0.6 미만인, 물품.
항목 47. 항목 35 내지 항목 42 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률 및 약 0.2㎛ 미만의 평균 입자 크기를 가지며, 제1 굴절률과 제2 굴절률 사이의 절대차는 약 1.8 미만인, 물품.
항목 48. 항목 35 내지 항목 42 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률을 가지며, 복수의 입자의 평균 입자 크기, 제1 굴절률 및 제2 굴절률은 도 15의 선(82) 아래의 영역으로부터 선택되는, 물품.
항목 49. 항목 35 내지 항목 42 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률을 가지며, 복수의 입자의 평균 입자 크기, 제1 굴절률 및 제2 굴절률은 도 15의 선(84) 아래의 영역으로부터 선택되는, 물품.
항목 50. 항목 35 내지 항목 42 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률을 가지며, 복수의 입자의 평균 입자 크기, 제1 굴절률 및 제2 굴절률은 도 15의 선(86) 아래의 영역으로부터 선택되는, 물품.
항목 51. 항목 35 내지 항목 42 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률을 가지며, 복수의 입자의 평균 입자 크기, 제1 굴절률 및 제2 굴절률은 도 15의 선(88) 아래의 영역으로부터 선택되는, 물품.
항목 52. 항목 35 내지 항목 51 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 25% 이상의 가시광 탁도를 갖는, 물품.
항목 53. 항목 35 내지 항목 52 중 어느 한 항목에 있어서, 광학 필터는 표면 광학 미소구조체들을 포함하는, 물품.
항목 54. 항목 35 내지 항목 42 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란 층은 바인더, 복수의 입자 및 복수의 상호연결된 공극을 포함하며, 파장 선택적 산란층 내의 복수의 상호연결된 공극의 체적 분율은 약 20% 이상이고, 바인더 대 복수의 입자의 중량비는 약 1:2 이상인, 물품.
항목 55. 항목 35 내지 항목 54 중 어느 한 항목에 있어서, 광학 필터는 반사층을 포함하는, 물품.
항목 56. 항목 35 내지 항목 55 중 어느 한 항목에 있어서, 광학 필터는 비드형 확산기 층을 포함하는, 물품.
항목 57. 항목 35 내지 항목 56 중 어느 한 항목에 있어서, 광학 필터는 수광기를 가시광 파장으로부터 적어도 부분적으로 차폐하는 한편, 수광기가 근적외선 파장을 적어도 부분적으로 수광하도록 허용하도록 구성되는, 물품.
항목 58. 항목 35 내지 항목 56 중 어느 한 항목에 있어서, 광학 필터는 수광기 및 발광기 중 하나 또는 둘 모두를 시각적으로 인지되지 않게 적어도 부분적으로 위장하도록 구성되는, 물품.
항목 59. 항목 58에 있어서, 광학 필터는 가시광 파장을 적어도 부분적으로 산란시킴으로써 수광기 또는 발광기 중 하나 또는 둘 모두를 시각적으로 인지되지 않게 적어도 부분적으로 위장하도록 구성되는, 물품.
항목 60. 항목 35 내지 항목 59 중 어느 한 항목에 있어서, 광학 필터는 파장 선택적 산란층에 인접한 잉크 수용 코팅을 포함하는, 물품.
항목 61. 항목 35 내지 항목 60 중 어느 한 항목에 있어서, 광학 필터는 잉크 수용 코팅 상에 배치된 잉크 패턴을 포함하는, 물품.
항목 62. 항목 35 내지 항목 61 중 어느 한 항목에 있어서, 광학 필터는 실란트 층을 포함하는, 물품.
항목 63. 항목 35 내지 항목 62 중 어느 한 항목에 있어서, 광학 필터는 보호 코팅을 포함하는, 물품.
항목 64. 항목 35 내지 항목 63 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 50% 이상의 총 가시광 반사율을 갖는, 물품.
항목 65. 항목 64에 있어서, 파장 선택적 산란층은 60% 이상의 총 가시광 반사율을 갖는, 물품.
항목 66. 항목 65에 있어서, 파장 선택적 산란층은 70% 이상의 총 가시광 반사율을 갖는, 물품.
항목 67. 광학 필터를 포함하는 물품으로서, 광학 필터는 파장 선택적 산란층을 포함하고, 파장 선택적 산란층은 60% 미만의 평균 근적외선 산란을 가지고, 파장 선택적 산란층은 10% 초과의 평균 가시광 산란을 가지며, 총 가시광 반사율 %과 확산 가시광 반사율 % 간의 차는 20 미만인, 물품.
항목 68. 항목 67에 있어서, 파장 선택적 산란층은 40% 미만의 평균 근적외선 산란을 가지고, 파장 선택적 산란층은 58% 초과의 평균 가시광 산란을 가지며, 총 가시광 반사율 %과 확산 가시광 반사율 % 간의 차는 18 미만인, 물품.
항목 69.
발광기 또는 수광기 중 하나 또는 둘 모두; 및
발광기 또는 수광기 중 하나 또는 둘 모두에 인접한 광학 필터를 포함하며, 광학 필터는:
파장 선택적 산란층 - 파장 선택적 산란층은 가시광 파장을 실질적으로 산란시키도록 구성됨 -,
파장 선택적 반사층, 및
적어도 하나의 파장 선택적 흡수층을 포함하고, 각각 개개의 파장 선택적 층은 근적외선 파장을 투과시키도록 구성되는, 시스템.
항목 70. 항목 69에 있어서, 광학 필터는 830 nm 초과의 파장에 대해 5% 미만의 가시광 투과율 및 5% 초과의 근적외선 투과율을 갖는, 시스템.
항목 71. 항목 70에 있어서, 광학 필터는 1% 미만의 가시광 투과율을 갖는, 시스템.
항목 72. 항목 70 또는 항목 71에 있어서, 광학 필터는 830 nm 초과의 파장에 대해 10% 초과의 근적외선 투과율을 갖는, 시스템.
항목 73. 항목 72에 있어서, 광학 필터는 850 nm 초과의 파장에 대해 20% 초과의 근적외선 투과율을 갖는, 시스템.
항목 74. 항목 73에 있어서, 광학 필터는 870 nm 초과의 파장에 대해 50% 초과의 근적외선 투과율을 갖는, 시스템.
항목 75. 항목 74에 있어서, 광학 필터는 900 nm 초과의 파장에 대해 50% 초과의 근적외선 투과율을 갖는, 시스템.
항목 76. 항목 75에 있어서, 광학 필터는 900 nm 초과의 파장에 대해 75% 초과의 평균 근적외선 투과율을 갖는, 시스템.
항목 77. 항목 69 내지 항목 76 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 약 0.9 미만의 근적외선 산란비를 가지고, 근적외선 산란비는 평균 근적외선 산란 대 평균 가시광 산란의 비이고, 파장 선택적 산란층은 약 0.5 초과의 가시광 반사 탁도비를 가지며, 가시광 반사 탁도비는 평균 가시광 확산 반사율 대 평균 가시광 총 반사율의 비인, 시스템.
항목 78. 항목 69 내지 항목 76 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 60% 미만의 평균 근적외선 산란을 가지고, 파장 선택적 산란층은 10% 초과의 평균 가시광 산란을 가지며, 총 가시광 반사율 %과 확산 가시광 반사율 % 간의 차는 20 미만인, 시스템.
항목 79. 항목 69 내지 항목 76 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 입사 가시광의 약 50% 미만을 투과시키고, 파장 선택적 산란층은 입사 근적외선 광의 약 50% 초과를 투과시키는, 시스템.
항목 80. 항목 69 내지 항목 79 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 바인더, 복수의 입자 및 복수의 상호연결된 공극을 포함하며, 파장 선택적 산란층 내의 복수의 상호연결된 공극의 체적 분율은 약 20% 이상이고, 바인더 대 복수의 입자의 중량비는 약 1:2 이상인, 시스템.
항목 81. 항목 69 내지 항목 80 중 어느 한 항목에 있어서, 발광기는 근적외선 LED 또는 근적외선 레이저를 포함하는, 시스템.
항목 82. 항목 69 내지 항목 81 중 어느 한 항목에 있어서, 수광기는 근적외선 카메라 또는 근적외선 수광 대역을 갖는 광 센서를 포함하는, 시스템.
항목 83. 항목 69 내지 항목 82 중 어느 한 항목에 있어서, 반사층은 다층 광학 필름을 포함하는, 시스템.
항목 84. 항목 69 내지 항목 83 중 어느 한 항목에 있어서, 반사층은 파장 선택적 간섭 필터를 포함하는, 시스템.
항목 85. 항목 69 내지 항목 84 중 어느 한 항목에 있어서, 광학 필터는 기판 층 상에 배치되는, 시스템.
항목 86. 항목 69 내지 항목 85 중 어느 한 항목에 있어서, 광학 필터는 수광기를 가시광 파장으로부터 적어도 부분적으로 차폐하는 한편, 수광기가 근적외선 파장을 수광하도록 실질적으로 허용하도록 구성되는, 시스템.
항목 87. 항목 69 내지 항목 86 중 어느 한 항목에 있어서, 광학 필터는 수광기 또는 발광기 중 하나 또는 둘 모두를 시각적으로 인지되지 않게 위장하도록 구성되는, 시스템.
항목 88. 항목 87에 있어서, 광학 필터는 가시광 파장을 산란시킴으로써 수광기 또는 발광기 중 하나 또는 둘 모두를 시각적으로 인지되지 않게 적어도 부분적으로 위장하도록 구성되는, 시스템.
항목 89. 항목 69 내지 항목 88 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 흡수층은 파장 선택적 산란층과 파장 선택적 반사층 사이에 있으며, 파장 선택적 흡수층은 총 근적외선 투과율을 실질적으로 감소시키지 않으면서 광학 필터의 총 가시광 반사율을 미리결정된 크기만큼 감소시키도록 구성되는, 시스템.
항목 90. 항목 69 내지 항목 88 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 반사층은 파장 선택적 산란층과 파장 선택적 흡수층 사이에 있으며, 파장 선택적 흡수층은 총 근적외선 투과율을 실질적으로 감소시키지 않으면서 총 가시광 반사율을 광학 필터의 주 표면의 면적에 걸쳐 균일하게 감소시키도록 구성되는, 시스템.
항목 91. 광학 필터를 포함하는 물품으로서, 광학 필터는:
파장 선택적 산란층 - 파장 선택적 산란층은 가시광 파장을 실질적으로 산란시키도록 구성됨 -,
파장 선택적 반사층, 및
적어도 하나의 파장 선택적 흡수층을 포함하며, 각각 개개의 파장 선택적 층은 근적외선 파장을 투과시키도록 구성되는, 물품.
항목 92. 항목 91에 있어서, 광학 필터는 830 nm 초과의 파장에 대해 5% 미만의 가시광 투과율 및 5% 초과의 근적외선 투과율을 갖는, 물품.
항목 93. 항목 92에 있어서, 광학 필터는 1% 미만의 가시광 투과율을 갖는, 물품.
항목 94. 항목 92 또는 항목 93에 있어서, 광학 필터는 830 nm 초과의 파장에 대해 10% 초과의 근적외선 투과율을 갖는, 물품.
항목 95. 항목 94에 있어서, 광학 필터는 850 nm 초과의 파장에 대해 20% 초과의 근적외선 투과율을 갖는, 물품.
항목 96. 항목 95에 있어서, 광학 필터는 870 nm 초과의 파장에 대해 50% 초과의 근적외선 투과율을 갖는, 물품.
항목 97. 항목 96에 있어서, 광학 필터는 900 nm 초과의 파장에 대해 50% 초과의 근적외선 투과율을 갖는, 물품.
항목 98. 항목 97에 있어서, 광학 필터는 900 nm 초과의 파장에 대해 75% 초과의 평균 근적외선 투과율을 갖는, 물품.
항목 99. 항목 91 내지 항목 98 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 약 0.9 미만의 근적외선 산란비를 가지고, 근적외선 산란비는 평균 근적외선 산란 대 평균 가시광 산란의 비이고, 파장 선택적 산란층은 약 0.5 초과의 가시광 반사 탁도비를 가지며, 가시광 반사 탁도비는 평균 가시광 확산 반사율 대 평균 가시광 총 반사율의 비인, 물품.
항목 100. 항목 91 내지 항목 99 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 60% 미만의 평균 근적외선 산란을 가지고, 파장 선택적 산란층은 10% 초과의 평균 가시광 산란을 가지며, 총 가시광 반사율 %과 확산 가시광 반사율 % 간의 차는 20 미만인, 물품.
항목 101. 항목 91 내지 항목 100 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란층은 입사 가시광의 약 50% 미만을 투과시키고, 파장 선택적 산란층은 입사 근적외선 광의 약 50% 초과를 투과시키는, 물품.
항목 102. 항목 91 내지 항목 101 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 산란 층은 바인더, 복수의 입자 및 복수의 상호연결된 공극을 포함하며, 파장 선택적 산란층 내의 복수의 상호연결된 공극의 체적 분율은 약 20% 이상이고, 바인더 대 복수의 입자의 중량비는 약 1:2 이상인, 물품.
항목 103. 항목 91 내지 항목 102 중 어느 한 항목에 있어서, 반사층은 다층 광학 필름을 포함하는, 물품.
항목 104. 항목 91 내지 항목 103 중 어느 한 항목에 있어서, 반사층은 파장 선택적 간섭 필터를 포함하는, 물품.
항목 105. 항목 91 내지 항목 104 중 어느 한 항목에 있어서, 광학 필터는 기판 층 상에 배치되는, 물품.
항목 106. 항목 91 내지 항목 105 중 어느 한 항목에 있어서, 광학 필터는 파장 선택적 산란층에 인접한 잉크 수용 코팅을 포함하는, 물품.
항목 107. 항목 106에 있어서, 광학 필터는 잉크 수용 코팅 상에 배치된 잉크 패턴을 포함하는, 물품.
항목 108. 항목 91 내지 항목 107 중 어느 한 항목에 있어서, 광학 필터는 실란트 층을 포함하는, 물품.
항목 109. 항목 91 내지 항목 107 중 어느 한 항목에 있어서, 광학 필터는 보호 코팅을 포함하는, 물품.
항목 110. 항목 91 내지 항목 109 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 흡수층은 파장 선택적 산란층과 파장 선택적 반사층 사이에 있으며, 파장 선택적 흡수층은 총 근적외선 투과율을 실질적으로 감소시키지 않으면서 광학 필터의 총 가시광 반사율을 미리결정된 크기만큼 감소시키도록 구성되는, 물품.
항목 111. 항목 91 내지 항목 109 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 반사층은 파장 선택적 산란층과 파장 선택적 흡수층 사이에 있으며, 파장 선택적 흡수층은 총 근적외선 투과율을 실질적으로 감소시키지 않으면서 총 가시광 반사율을 광학 필터의 주 표면의 면적에 걸쳐 균일하게 감소시키도록 구성되는, 물품.
항목 112. 시스템으로서,
발광기 또는 수광기 중 하나 또는 둘 모두; 및
발광기 또는 수광기 중 하나 또는 둘 모두에 인접한 광학 필터를 포함하며, 광학 필터는:
파장 선택적 반사층, 및
적어도 하나의 파장 선택적 흡수층을 포함하며, 각각 개개의 파장 선택적 층은 근적외선 파장을 투과시키도록 구성되고, 광학 필터는 380 내지 800 nm에서 0.1% 미만의 가시광 투과율 및 830 내지 900 nm에서 50% 초과의 근적외선 투과율을 갖는, 시스템.
항목 113. 항목 112에 있어서, 광학 필터는 380 내지 800 nm에서 0.01% 미만의 가시광 투과율 및 830 내지 900 nm에서 75% 초과의 근적외선 투과율을 갖는, 시스템.
항목 114. 항목 112 또는 항목 113에 있어서, 발광기는 근적외선 LED 또는 근적외선 레이저를 포함하는, 시스템.
항목 115. 항목 112 내지 항목 114 중 어느 한 항목에 있어서, 수광기는 근적외선 카메라 또는 근적외선 수광 대역을 갖는 광 센서를 포함하는, 시스템.
항목 116. 항목 112 내지 항목 115 중 어느 한 항목에 있어서, 수광기는 홍채 스캐닝 시스템을 포함하는, 시스템.
항목 117. 항목 112 내지 항목 116 중 어느 하나의 항목의 시스템을 포함하는 홍채 기반 식별 시스템을 포함하는, 시스템.
항목 118. 항목 112 내지 항목 117 중 어느 한 항목에 있어서, 반사층은 파장 선택적 간섭 필터를 포함하는, 시스템.
항목 119. 항목 112 내지 항목 118 중 어느 한 항목에 있어서, 반사층은 다층 광학 필름을 포함하는, 시스템.
항목 120. 항목 112 내지 항목 119 중 어느 한 항목에 있어서, 광학 필터는 기판 층 상에 배치되는, 시스템.
항목 121. 항목 112 내지 항목 120 중 어느 한 항목에 있어서, 광학 필터는 수광기를 가시광 파장으로부터 적어도 부분적으로 차폐하는 한편, 수광기가 근적외선 파장을 수광하도록 실질적으로 허용하도록 구성되는, 시스템.
항목 122. 항목 112 내지 항목 121 중 어느 한 항목에 있어서, 광학 필터는 수광기 또는 발광기 중 하나 또는 둘 모두를 시각적으로 인지되지 않게 위장하도록 구성되는, 시스템.
항목 123. 항목 112 내지 항목 122 중 어느 한 항목에 있어서, 적어도 하나의 파장 선택적 흡수층은 제1 파장 선택적 흡수층 및 제2 파장 선택적 흡수층을 포함하며, 파장 선택적 반사층은 제1 파장 선택적 흡수층과 제2 파장 선택적 흡수층 사이에 있는, 시스템.
항목 124. 광학 필터를 포함하는 물품으로서,
파장 선택적 반사층, 및
적어도 하나의 파장 선택적 흡수층을 포함하며, 각각 개개의 파장 선택적 층은 근적외선 파장을 투과시키도록 구성되고, 광학 필터는 380 내지 800 nm에서 0.1% 미만의 가시광 투과율 및 830 내지 900 nm에서 50% 초과의 근적외선 투과율을 갖는, 물품.
항목 125. 항목 124에 있어서, 광학 필터는 380 내지 800 nm에서 0.01% 미만의 가시광 투과율 및 830 내지 900 nm에서 75% 초과의 근적외선 투과율을 갖는, 물품.
항목 126. 항목 124 또는 항목 125에 있어서, 반사층은 파장 선택적 간섭 필터를 포함하는, 물품.
항목 127. 항목 124 내지 항목 126 중 어느 한 항목에 있어서, 반사층은 다층 광학 필름을 포함하는, 물품.
항목 128. 항목 124 내지 항목 127 중 어느 한 항목에 있어서, 광학 필터는 기판 층 상에 배치되는, 물품.
항목 129. 항목 124 내지 항목 128 중 어느 한 항목에 있어서, 적어도 하나의 파장 선택적 흡수층은 제1 파장 선택적 흡수층 및 제2 파장 선택적 흡수층을 포함하며, 파장 선택적 반사층은 제1 파장 선택적 흡수층과 제2 파장 선택적 흡수층 사이에 있는, 물품.
항목 130. 항목 124 내지 항목 130 중 어느 한 항목에 있어서, 광학 필터는 실란트 층을 포함하는, 물품.
항목 131. 항목 124 내지 항목 130 중 어느 한 항목에 있어서, 광학 필터는 보호 코팅을 포함하는, 물품.
항목 132. 항목 124 내지 항목 131 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 흡수층은 파장 선택적 염료 또는 파장 선택적 안료 중 하나 또는 둘 모두를 포함하는, 물품.
항목 133. 항목 69 내지 항목 90 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 흡수층은 파장 선택적 염료 또는 파장 선택적 안료 중 하나 또는 둘 모두를 포함하는, 시스템.
항목 134. 항목 91 내지 항목 111 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 흡수층은 파장 선택적 염료 또는 파장 선택적 안료 중 하나 또는 둘 모두를 포함하는, 물품.
항목 135. 항목 112 내지 항목 123 중 어느 한 항목에 있어서, 파장 선택적 흡수층은 파장 선택적 염료 또는 파장 선택적 안료 중 하나 또는 둘 모두를 포함하는, 시스템.
실시예
실시예 1
다양한 샘플 광학 필름에 대한 광학 특성들을 결정하였다. 샘플 광학 필름들(S01 내지 S34)을 아래에 기술된 바와 같이 제조하였다. 확산 및 경면 반사율을 얻기 위해 적분 구체를 갖는 분광계(Lambda 900, PerkinElmer)를 사용하여 샘플들(S01 내지 S33)의 각각에 대해 가시광 산란, 근적외선 산란, 총 가시광 반사율 및 확산 가시광 반사율을 측정하였다. 결과는 표 1에 제시되어 있다. 제시된 반사율 값들은 경면 포함(specular included(SPIN) 또는 전체) 반사율 및 경면 비포함(specular excluded(SPEX) 또는 확산) 반사율을 포함한다. 각각의 샘플 필름으로 덮인 근접 센서의 감도를 결정하여 "작동 안함", "기능함", "양호" 및 "우수" 중 하나로 분류하였다. 샘플들(S01 내지 S34)에 대해 탁도 측정기(헤이즈-가드 플러스(Haze-gard Plus), 비와이케이 가드너)를 사용하여 투과율, 탁도 및 투명도를 측정하였다. 결과는 표 2에 제시되어 있다.
샘플들(S01 내지 S03)은 고탁도 고투명도 ULI 필름을 포함하는 샘플(S02)을 갖는 ULI 필름이었다. 실퀘스트 A-174 75 nm 실란 입자(모멘티브)와 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트 단량체(SR444, 사토머) 60% 중량비, 및 2.5%의 이르가큐어 184(미국 노스캐롤라이나주 하이 포인트 소재의 시바 스페셜티 케미칼스 컴퍼니)를 배합하여 샘플(S01)을 제조하여 10μm의 코팅 두께를 얻었다. 샘플(S04)에는 TiO2 나노 입자 및 실리콘 미립자의 필름이 포함된다. 샘플(S04)은 19.13 g의 M1192(미원), 3.38 g의 CN9018(사토머), 2.5 g의 토스펄 145(모멘티브), 12.5 g의 SR415(사토머), 12.5 g의 IBOA 중의 42.3 중량% TiO2(UV-TITAN L-530, 작트레벤), 25 g의 메틸에틸케톤, 및 0.5 g의 광개시제 TPO-L(바스프)를 혼합하고, 이 제형을 #8 메이어 바(Mayer bar)로 코팅하여 제조하였다. 샘플(S05)은 미세복제된 표면 구조체를 갖는 필름이었다(도 9). 샘플(S06)에는 10 마이크로미터 건조 두께의 ESR2 필름(인핸스드 스페큘라 리플렉터(ESR, 3M) 상에 코팅된 3 μm 폴리스티렌 비드와 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트 바인더(SR444, 사토머) 및 아이소프로필 알코올 용매가 포함된다. 샘플(S07)에는 부직 재료(소니 TV 모델 40W600B에서 해체된 저부 확산기)가 포함된다. 샘플(S08)에는 TiO2 코팅 PET 필름, SH2FGST 파사라 필름(3M)이 포함된다. 샘플들(S09 및 S10)은 상이한 탁도 값들을 갖는 벌크 확산기이다. 샘플(S09)에는 PATTCLR0 프로스트 아크릴레이트 시트(이플라스틱스, 미국 캘리포니아주 샌디에고 소재)가 포함된다. 샘플(S10)에는 TCL TV(모델 40FD2700)로부터의 확산기 판이 포함된다. 샘플(S11)은 아이패드(제1 세대, 애플) 백라이트로부터의 하부 확산기 시트였다. 샘플(S12)에는 분산된 TiO2가 포함된 플라스틱 필름(미국 일리노이주 벤센빌 소재의 엘케이 플라스틱스로부터의, 백색의 쓰기 블록이 구비된 플라스틱 6''×8'' 파인트 사이즈의 상부 밀봉형 음식 백)이 포함된다. 샘플(S13)에는 백지(햄머밀 카피 플러스(Hammermill Copy Plus) 다목적 프린터 용지)가 포함된다. 샘플(S14)에는 미세복제된 표면 구조체를 갖는 필름(아이폰 6 백라이트)이 포함된다. 샘플들(S15 내지 S22)에는 ULI 재료의 필름들이 포함된다. 샘플(S23)은 절첩된 샘플(S04)을 포함한다. 샘플(S24)은 절첩된 샘플(S03)을 포함한다. 샘플(S25)은 절첩된 샘플(S15)을 포함한다. 샘플(S26)은 절첩된 샘플(S16)을 포함한다. 샘플(S27)은 절첩된 샘플(S17)을 포함한다. 샘플(S28)은 절첩된 샘플(S18)을 포함한다. 샘플(S29)은 절첩된 샘플(S19)을 포함한다. 샘플(S30)은 절첩된 샘플(S20)을 포함한다. 샘플(S31)은 절첩된 샘플(S21)을 포함한다. 샘플(S32)은 절첩된 샘플(S2)을 포함한다. 샘플(S33)은 절첩된 샘플(S22)을 포함한다.
[표 1]
Figure pct00001
[표 2]
Figure pct00002
실시예 2
도 5는 예시적인 광학 필터 및 잉크 패턴을 포함하는 예시적인 물품의 사진이다. ESR2는 반사층으로 사용된다. ULI 층(샘플(S01) 코팅)은 반사층에 파장 선택적 산란층으로서 적용된다. 라텍스 코팅 층(프린트라이트 DP 261, 루브리졸)은 잉크 수용체 층과 실란트 층의 조합으로서 ULI 층 상에 코팅되며, 건조 시 1 밀(mil) 두께이다. 잉크 수용체 층의 상부 상에 잉크젯(용매 잉크) 인쇄 패턴을 인쇄하였다. 도 5에 도시된 바와 같이, 잉크젯 인쇄 패턴은 선명(sharp)하였으며, 번짐, 흐려짐 또는 다른 결함이 없었다.
실시예 3
도 6a는 태양 패널의 사진이다. 도 6b는 예시적인 광학 필터에 의해 위장된 태양 패널의 사진이다. ESR2 층 상에 ULI 층(샘플(S01))을 침착시킴으로써 다층 광학 필터를 형성하였다. 광학 필터를 위장 패턴(배경 나무 질감과 유사한 인조 나무)으로 인쇄하였다. 도 6a의 CIGS(구리 인듐 갈륨 셀레나이드) 필름 태양 패널을 도 6b에 도시된 바와 같이, 예시적인 광학 필터로 위장하였다. 필터를 3M 8211 옵티컬리 클리어 어드헤시브(Optically Clear adhesive)로 태양 패널에 라미네이팅하였다. 위장된 필름 패널은 그의 원래 전력의 45%를 생성하였다. 후면 상의 ESR2 필름은 거의 모든 가시광을 반사시켰다. IV5 태양광 출력 시험 장비(PV 메저먼츠 인크.(PV Measurements, Inc.), 미국 콜로라도주 볼더 소재)를 이용하여 전력을 측정했다.
실시예 4
도 7은 예시적인 광학 필터 및 잉크 패턴을 포함하는 예시적인 물품의 사진이다. 광학 필터는 반사성 기판 상에 침착된 ULI 층으로 형성하였다. 광학 필터의 우측면은 건조 후 잉크 수용층 영역으로서 투명 필름을 형성한 라텍스 코팅(프린트라이트 DP 261, 루브리졸)으로 코팅하였다. 잉크 수용성 코팅 영역과 코팅되지 않은 광학 필터 영역 상에 패턴을 잉크젯 인쇄하였다. 도 7에 도시된 바와 같이, 좌측의 코팅되지 않은 영역 상의 인쇄 품질은 우측의 잉크 수용층으로 코팅된 영역에서 보다 열악했다. 예를 들어, 코팅되지 않은 영역 상의 인쇄 패턴은 흐릿하고(fuzzy) 줄무늬가 형성되어 있었다.
실시예 5
도 8a 내지 도 8c는 예시적인 광학 필터 및 근적외선 LED를 포함하는 예시적인 시스템(도 2e에 도시된 예시적인 광학 시스템과 유사함)의 사진이다. 근적외선 발광 LED를 포함하는 구조체가 도 8a에 도시되어 있다. 구조체를 ESR2 층 상에 코팅된 ULI의 층(샘플(S01))을 포함하는 예시적인 광학 필터로 덮었다. 덮인 구조체를 적외선 카메라를 사용하여 이미지화하여, 도 8b에 도시된 적외선 이미지를 생성하였다. 도 8b에 도시된 바와 같이, LED 소스의 이미지는 도 8c에 도시된 불투명한 적외선 이미지와는 대조적으로 비교적 명확하다. 도 8b와 달리, 도 8c의 구조체(샘플(S06))는 파장 선택적 산란층을 포함하는 광학 필터 대신에 비드 층으로 코팅하였다. 도 8c에 도시된 바와 같이, 비선택적 비드 층은 매우 열악한 투명도로 IR LED의 이미지를 투과했다.
실시예 6
도 9는 예시적인 광학 필터의 표면의 원자력 현미경(AFM) 사진이다. 광학 필터에는 표면 텍스쳐화된 필름(샘플(S05))이 포함된다.
실시예 7
도 10a 및 도 10b는 예시적인 광학 필터의 주사 전자 현미경(SEM) 사진들이다. 도 10a는 고탁도 저투명도 ULI 층(샘플(S22))을 포함하는 광학 필터를 도시하고, 도 10b는 고탁도 고투명도 ULI 층(샘플(S02))을 포함하는 광학 필터를 도시한다.
실시예 8
도 11은 예시적인 광학 필터에 대해 반사율 % 및 투과율 % 대 파장을 나타낸 차트이다. 곡선(72)은 제1 샘플 ULI 층(샘플(S01))의 투과율 %을 나타낸다. 곡선(74)은 제2 샘플 ULI 층(샘플(S01)로서, 50% 더 두꺼움)의 투과율 %을 나타낸다. 곡선(76)은 제1 샘플 ULI 층의 투과율 %을 나타낸다. 곡선(78)은 제2 샘플 ULI 층의 반사율 %을 나타낸다. 도 11에 도시된 바와 같이, 두 샘플 ULI 층은 가시광 파장을 선택적으로 반사하는 한편, 근적외선 파장은 투과시킨다.
실시예 9
도 12a 및 도 12b는 예시적인 광학 필터에 대해 투과율 % 대 파장을 나타낸 차트이다. 도 12a는 비드로 코팅된 ESR2(샘플(S06))를 포함하고 PET로 라미네이팅된 제1 샘플 광학 필터에 대한 투과율 %을 나타낸다. 도 12b는 ULI로 코팅된 ESR2를 포함하고 PET로 라미네이팅된 제2 샘플 광학 필터에 대한 투과율을 나타낸다. 두 샘플 광학 필터가 근적외선 파장을 투과시킨 반면, 도 12a 및 도 12b에 도시된 바와 같이, ULI 코팅된 ESR은 가시광 파장을 보다 낮은 정도로 차단한 비드 코팅된 ESR과 비교하여 가시광 파장의 투과를 선택적으로 차단했다.
실시예 10
도 13은 샘플 필름에 대한 투과율 % 대 파장을 나타낸 차트이다. 가장 위의 곡선은 코팅되지 않은 PET에 대한 투과율 %을 나타내며, 스펙트럼의 가시광 및 근적외선 영역에 걸쳐 상대적으로 편평한 것으로 보여질 수 있다. 중간 곡선 및 아래의 곡선은 #3 메이어 바 비드 코팅된 PET 층 및 #10 메이어 바 비드 코팅된 PET 층에 대한 투과율 %을 각각 나타낸다. 비드 코팅은 투과율을 감소시키지만, 투과율을 선택적으로 감소시키지 않으며, 생성된 투과율 곡선은 또한 스펙트럼의 가시광 영역 및 근적외선 영역에 걸쳐 비교적 편평했다. 따라서, 비드 코팅된 PET는 ULI 코팅에 의해 형성된 파장 선택적 산란층으로서 양호하게 기능하지 않았다.
실시예 11
도 14는 상이한 크기의 입자를 포함하는 광학 필터에 대한 산란 효율 대 파장을 도시하는, 미 산란의 결과를 나타낸 차트이다. 매질에 분산된 입자를 포함하는 광학 필터들에 대해, 매질에 분산된 입자의 입자 크기 및 매질과 입자의 굴절률 간의 차이에 대한 함수로서 산란 효율에 대한 미 산란에 기초한 모델을 준비하였다. 매질의 굴절률을 1.5, 산란 입자의 굴절률을 1.0으로 하여 모델을 평가하였다. 입자 크기를 0.1 μm 간격으로 0.2 μm에서 1.0 μm까지 변화시켰다(좌측에서 우측으로의 곡선들).
실시예 12
도 15는 매질 및 매질에 분산된 복수의 입자를 포함하는 광학 필터에 대해 입자 직경과 굴절률 차이의 함수로서 근적외선 산란비를 나타낸 차트이다. 근적외선 산란비에 대해 입자 크기 및 매질과 입자의 굴절률 간의 차이에 대한 영향을 모델을 이용하여 평가하였고, 모델의 결과를 도 15에 나타내었다. X 축은 굴절률(매질-입자)간의 차이를 나타내고 Y 축은 입자 직경(마이크로미터 단위)을 나타낸다. 등고선들은 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 1, 1.2, 1.4, 1.6 및 1.8과 같은 상이한 산란비들을 나타낸다. 따라서, 곡선(82)은 0.2의 근적외선 산란비를 나타낸다. 곡선(84)은 0.4의 근적외선 산란비를 나타낸다. 곡선(86)은 0.6의 근적외선 산란비를 나타낸다. 곡선(88)은 0.8의 근적외선 산란비를 나타낸다.
실시예 13
표 3은 공기 계면에서 특정 굴절률을 갖는 혼성 표면(또는 비금속)을 시뮬레이션할 수 있는 확산 코팅의 최소 산란(투과)을 나타낸다.
[표 3]
Figure pct00003
표면은 백색인 것으로 간주하였다. R%는 공지된 RI의 재료에 대한 공기의 프레즈넬 반사로 계산하였다. SPEX/SPIN의 이론적 최대비(확산/총 가시광 반사)는, 100% 총 반사 = 프레즈넬 반사 + 확산 반사로 가정하여 계산하였다.
실시예 14
다수의 샘플에 대한 확산 및 총 반사율은 X-Rite를 사용하여 측정하였다. 결과는 표 4에 제시되어 있다.
[표 4]
Figure pct00004
실시예 15
근적외선 필름의 웨트-아웃을 평가했다. 웨트-아웃은 기판에 적용된 광학 필름의 균일한 외관에서, 특히 광학 필름이 기판과 접촉하는 영역들에서의 가시적인 중단 또는 교란이다. 반사성 다층 광학 ESR2 필름 상에 파장 선택적 적외선 투과성 가시광 차폐 산란 ULI 층을 적용하여 2개의 근적외선 필름을 제조하였다. 근적외선 투과성 블랙 잉크를 필름들 중 하나에 도포하였다. 도 16a 내지 도 16d는 근적외선 필름의 웨트-아웃을 비교한 사진들이다. 도 16a는 정면도이고, 도 16b는 각각의 근적외선 필름들의 후면을 도시한 것으로, 하나는 근적외선 잉크 코팅이 없고 하나는 근적외선 잉크 코팅을 구비한다. 양면 테이프를 양 필름의 후면에 적용하고, 필름들을 각각의 유리 슬라이드들에 각각 접착시켰다. 도 16c는 정면도이고, 도 16d는 각각의 근적외선 필름들의 후면을 도시한 것으로, 하나는 근적외선 잉크 코팅이 없고 하나는 근적외선 잉크 코팅을 구비하며, 각각은 양면 테이프를 이용하여 유리 슬라이드들에 접착되어 있다. 도 16a 및 도 16c와 비교하여 알 수 있는 바와 같이, 근적외선 잉크 코팅이 없는 근적외선 필름은 가시적인 웨트-아웃을 나타낸 반면, 근적외선 잉크 코팅을 갖는 근적외선 필름은 균일하게 나타나 웨트-아웃을 나타내지 않았다. 도 17은 도 16a 내지 도 16d의 근적외선 필름에 대한 투과율 % 대 파장을 나타낸 차트이다. 도 17에 도시된 바와 같이, 곡선(92)은 근적외선 블랙 잉크 코팅이 없는 근적외선 필름의 투과 스펙트럼을 나타낸 반면, 곡선(94)은 근적외선 블랙 잉크 코팅을 갖는 근적외선 필름의 투과 스펙트럼을 나타낸다. 따라서, 근적외선 블랙 잉크 코팅을 적용하는 것은 근적외선 필름의 가시광 차단 및 적외선 투과에 현저한 영향을 미치지 않았는데, 왜냐하면 각각 개개의 필름이 약 800 nm 미만의 파장의 투과를 계속해서 차단하는 한편, 약 800 nm 초과의 파장을 투과시켰기 때문이다. 따라서, 근적외선 필름의 근적외선 필터링 특성에 영향을 주지 않으면서 웨트-아웃이 제거되었다.
실시예 16
착색된 염료를 근적외선 필름에 적용했다. 도 18a 및 도 18b는 착색된 염료 층을 포함하는 예시적인 근적외선 필름들의 사진들이다. 반사성 다층 광학 ESR2 필름 상에 파장 선택적 적외선 투과성 가시광 차폐 산란 ULI 층을 적용하여 근적외선 필름을 제조하였다. 도 18a의 예에서, 시안 염료를 반사 필름으로부터 떨어진 표면에서 산란층의 상부에 적용하였다. 염료 코팅은 도 18a에 도시된 바와 같이 가시적인 불균일성을 나타냈다. 도 18b의 예에서, 시안 염료를 산란층과 반사 필름 사이에 적용하였다. 시안 염료 층은 도 18b에 도시된 바와 같이, 가시적으로 균일한 시안 색채(cyan tinge)를 근적외선 필름에 부여하였다.
실시예 17
근적외선 필름 상에 근적외선 반사방지 코팅을 적용한 효과를 평가하였다. 적외선 반사방지 코팅이 없는 반사성 다층 광학 필름에 대하여 근적외선 반사방지 코팅으로 코팅된 반사성 다층 광학 필름의 투과율을 비교하였다. 도 19는 근적외선 반사방지 코팅이 없는 반사성 다층 광학 필름(곡선(96))과 비교하여, 근적외선 반사방지 코팅으로 코팅된 반사성 다층 광학 필름(곡선(98))에 대한 투과율 % 대 파장을 나타낸 차트이다. 곡선(96)에서 알 수 있듯이, 반사성 다층 광학 필름은 주 반사 대역 외부의 더 높은 차수의 고조파를 나타냈다. 고조파 리플은 주 반사 대역에 가까울수록 더 셌다. 곡선(98)에서 알 수 있듯이, 근적외선 반사방지 코팅을 적용하는 것은 투과를 증가시키고 고조파 리플을 평활하게 하였다.
실시예 18
적외선 소스에 의해 방출된 가시광 적색 성분의 반사성 다층 광학 필름에 의한 차단에 대한 근적외선 염료 코팅의 효과를 평가하였다. 도 20a는 가시광 적색 성분을 갖는 적외선 LED를 포함하는 예시적인 시스템의 사진이다. 도 20b는 염료 코팅을 포함하지 않는 반사성 다층 광학 필름(ESR2)에 의해 가시광 성분이 필터링된 적외선 LED를 포함하는 예시적인 시스템의 사진이다. 도 20b에 도시된 바와 같이, ESR2 필름은 적외선 LED에 의해 방출된 가시광 성분의 강도를 어느 정도 감소시키지만, 가시광 성분의 투과를 완전히 차단하지는 못했다. 도 21은 염료 코팅이 없는 반사성 다층 광학 필름(ESR2)의 투과율 % 대 파장을 나타낸 차트이다. 도 21에 도시된 바와 같이, ESR2는 약 830 nm 초과의 파장(근적외선 파장 포함)을 투과시키고 830 nm 미만의 파장(가시광 파장 포함)을 차단하지만, ESR2는 모든 가시광 파장을 차단할 수는 없다. 예를 들어, 투과 스펙트럼은 380 내지 450 nm 및 550 내지 650 nm 사이의 피크를 나타냈다. 도 22는 염료 코팅이 없는 비교예의 광학 필터들과 비교하여 적외선 염료 코팅을 갖는 반사성 다층 광학 필름에 대한 투과율 % 대 파장을 나타낸 차트이다. 곡선들(102 및 106)은 염료 코팅을 포함하지 않는 상이한 광학 필터의 투과율을 나타낸다. 도 22에 도시된 바와 같이, 곡선들(102 및 106)의 광학 필터들은 가시광 파장을 어느 정도 차단한 반면, 이들은 스펙트럼의 가시광 성분들을 완전히 차단하지는 못했다. 대조적으로, 근적외선 파장을 실질적으로 투과시키면서 가시광 파장을 완전히 차단하는 곡선(104)은 근적외선 염료 코팅, 밍보(MingBo) 잉크 IR 9508-A 및 밍보 잉크 IR9508-B(중국, 광동 소재의 밍보 안티포저리 테크놀러지(심천) 컴퍼니 리미티드로부터 입수가능함)를 포함하는 ESR2 필름을 나타낸다. 380 내지 800 nm의 파장은 밍보 IR 잉크에 흡수되지만 830 내지 900 nm의 파장은 투과된다. 곡선(104)의 예에서 밍보 IR 잉크는 ESR2의 양면에 코팅하였다. 380 내지 800 nm의 투과율은 0%에 가까운 반면, 830 내지 900 nm의 투과율은 75%를 초과했다. 곡선(104)의 필름을 홍채 스캐닝 장치 내 적외선 소스를 은폐하기 위해 사용하였다. 따라서, 근적외선 염료 코팅을 적용하는 것은 근적외선 파장의 투과를 허용하면서 ESR2에 의한 가시광 성분의 차단을 개선시켰다.
본 발명의 다양한 실시예가 기술되었다. 이들 및 다른 실시예들은 아래 청구범위의 범주 내에 속한다.

Claims (135)

  1. 발광기 또는 수광기 중 하나 또는 둘 모두; 및
    발광기 또는 수광기 중 하나 또는 둘 모두에 인접한 광학 필터를 포함하며, 광학 필터는 파장 선택적 산란층을 포함하고, 파장 선택적 산란층은 약 0.9 미만의 근적외선 산란비를 가지며, 근적외선 산란비는 평균 근적외선 산란 대 평균 가시광 산란의 비이고, 파장 선택적 산란층은 약 0.5 초과의 가시광 반사 탁도비를 가지며, 가시광 반사 탁도비는 평균 가시광 확산 반사율 대 평균 가시광 총 반사율(average visible total reflectance)의 비인, 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 약 0.7 미만의 근적외선 산란비를 갖는, 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 약 0.6 미만의 근적외선 산란비를 갖는, 시스템.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 약 0.6 초과의 가시광 반사 탁도비를 갖는, 시스템.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 약 0.7 초과의 가시광 반사 탁도비를 갖는, 시스템.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 발광기 또는 수광기 중 하나 또는 둘 모두는 근적외선 범위 내의 동작 파장을 갖는, 시스템.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 입사 가시광의 약 50% 미만을 투과시키고, 파장 선택적 산란층은 입사 근적외선 광의 약 50% 초과를 투과시키는, 시스템.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 입사 가시광의 약 50% 초과를 산란시키는, 시스템.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 입사 가시광의 약 50% 초과를 백색광으로서 산란시키는, 시스템.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률 및 약 5㎛ 미만의 평균 입자 크기를 가지며, 제1 굴절률과 제2 굴절률 사이의 절대차는 약 0.1 미만인, 시스템.
  11. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률 및 약 1㎛ 미만의 평균 입자 크기를 가지며, 제1 굴절률과 제2 굴절률 사이의 절대차는 약 0.2 미만인, 시스템.
  12. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률 및 약 0.5㎛ 미만의 평균 입자 크기를 가지며, 제1 굴절률과 제2 굴절률 사이의 절대차는 약 0.4 미만인, 시스템.
  13. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률 및 약 0.3㎛ 미만의 평균 입자 크기를 가지며, 제1 굴절률과 제2 굴절률 사이의 절대차는 약 0.6 미만인, 시스템.
  14. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률 및 약 0.2㎛ 미만의 평균 입자 크기를 가지며, 제1 굴절률과 제2 굴절률 사이의 절대차는 약 1.8 미만인, 시스템.
  15. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률을 가지며, 복수의 입자의 평균 입자 크기, 제1 굴절률 및 제2 굴절률은 도 15의 선(82) 아래의 영역으로부터 선택되는, 시스템.
  16. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률을 가지며, 복수의 입자의 평균 입자 크기, 제1 굴절률 및 제2 굴절률은 도 15의 선(84) 아래의 영역으로부터 선택되는, 시스템.
  17. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률을 가지며, 복수의 입자의 평균 입자 크기, 제1 굴절률 및 제2 굴절률은 도 15의 선(86) 아래의 영역으로부터 선택되는, 시스템.
  18. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률을 가지며, 복수의 입자의 평균 입자 크기, 제1 굴절률 및 제2 굴절률은 도 15의 선(88) 아래의 영역으로부터 선택되는, 시스템.
  19. 제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 25% 이상의 가시광 탁도를 갖는, 시스템.
  20. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 필터는 표면 광학 미소구조체들을 포함하는, 시스템.
  21. 제1항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서, 발광기는 근적외선 LED 또는 근적외선 레이저를 포함하는, 시스템.
  22. 제1항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서, 수광기는 근적외선 카메라 또는 근적외선 수광 대역을 갖는 광 센서를 포함하는, 시스템.
  23. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 바인더, 복수의 입자 및 복수의 상호연결된 공극을 포함하며, 파장 선택적 산란층 내의 복수의 상호연결된 공극의 체적 분율은 약 20% 이상이고, 바인더 대 복수의 입자의 중량비는 약 1:2 이상인, 시스템.
  24. 제1항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 필터는 반사층을 포함하는, 시스템.
  25. 제1항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 필터는 비드형 확산기 층을 포함하는, 시스템.
  26. 제1항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 필터는 수광기를 가시광 파장으로부터 적어도 부분적으로 차폐하는 한편, 수광기가 근적외선 파장을 수광하도록 실질적으로 허용하도록 구성되는, 시스템.
  27. 제1항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 필터는 수광기 또는 발광기 중 하나 또는 둘 모두를 시각적으로 인지되지 않게 위장하도록 구성되는, 시스템.
  28. 제27항에 있어서, 광학 필터는 가시광 파장을 산란시킴으로써 수광기 또는 발광기 중 하나 또는 둘 모두를 시각적으로 인지되지 않게 적어도 부분적으로 위장하도록 구성되는, 시스템.
  29. 발광기 또는 수광기 중 하나 또는 둘 모두에 인접하여 광학 필터를 배치하는 단계를 포함하며, 광학 필터는 파장 선택적 산란층을 포함하고, 파장 선택적 산란층은 약 0.9 미만의 근적외선 산란비를 가지며, 근적외선 산란비는 평균 근적외선 산란 대 평균 가시광 산란의 비이고, 파장 선택적 산란층은 약 0.5 초과의 가시광 반사 탁도비를 가지며, 가시광 반사 탁도비는 평균 가시광 확산 반사율 대 평균 가시광 총 반사율의 비인, 방법.
  30. 제29항에 있어서, 광학 필터와 발광기 또는 수광기 중 하나 또는 둘 모두 사이에 반사층을 배치하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  31. 발광기 또는 수광기 중 하나 또는 둘 모두를 적어도 부분적으로 위장하는 단계를 포함하는 방법으로서, 위장하는 단계는 제29 항 또는 제30 항의 방법을 포함하는, 방법.
  32. 발광기 또는 수광기 중 하나 또는 둘 모두를 가시광 파장으로부터 적어도 부분적으로 차폐하는 단계를 포함하는 방법으로서, 차폐하는 단계는 제29 항 또는 제30 항의 방법을 포함하는, 방법.
  33. 제29항 내지 제32항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 입사 가시광의 약 50% 초과를 산란시키는, 방법.
  34. 제33항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 입사 가시광의 약 50% 초과를 백색광으로서 산란시키는, 방법.
  35. 광학 필터를 포함하는 물품으로서, 광학 필터는 파장 선택적 산란층을 포함하고, 파장 선택적 산란층은 약 0.9 미만의 근적외선 산란비를 가지며, 근적외선 산란비는 평균 근적외선 산란 대 평균 가시광 산란의 비이고, 파장 선택적 산란층은 약 0.5 초과의 가시광 반사 탁도비를 가지며, 가시광 반사 탁도비는 평균 가시광 확산 반사율 대 평균 가시광 총 반사율의 비인, 물품.
  36. 제35항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 약 0.7 미만의 근적외선 산란비를 갖는, 물품.
  37. 제36항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 약 0.6 미만의 근적외선 산란비를 갖는, 물품.
  38. 제35항 내지 제37항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 약 0.6 초과의 가시광 반사 탁도비를 갖는, 물품.
  39. 제35항 내지 제37항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 약 0.7 초과의 가시광 반사 탁도비를 갖는, 물품.
  40. 제35항 내지 제39항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 입사 가시광의 약 50% 미만을 투과시키고, 파장 선택적 산란층은 입사 근적외선 광의 약 50% 초과를 투과시키는, 물품.
  41. 제35항 내지 제40항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 입사 가시광의 약 50% 초과를 산란시키는, 물품.
  42. 제35항 내지 제40항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 입사 가시광의 약 50% 초과를 백색광으로서 산란시키는, 물품.
  43. 제35항 내지 제42항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률 및 약 5㎛ 미만의 평균 입자 크기를 가지며, 제1 굴절률과 제2 굴절률 사이의 절대차는 약 0.1 미만인, 물품.
  44. 제35항 내지 제42항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률 및 약 1㎛ 미만의 평균 입자 크기를 가지며, 제1 굴절률과 제2 굴절률 사이의 절대차는 약 0.2 미만인, 물품.
  45. 제35항 내지 제42항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률 및 약 0.5㎛ 미만의 평균 입자 크기를 가지며, 제1 굴절률과 제2 굴절률 사이의 절대차는 약 0.4 미만인, 물품.
  46. 제35항 내지 제42항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률 및 약 0.3㎛ 미만의 평균 입자 크기를 가지며, 제1 굴절률과 제2 굴절률 사이의 절대차는 약 0.6 미만인, 물품.
  47. 제35항 내지 제42항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률 및 약 0.2㎛ 미만의 평균 입자 크기를 가지며, 제1 굴절률과 제2 굴절률 사이의 절대차는 약 1.8 미만인, 물품.
  48. 제35항 내지 제42항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률을 가지며, 복수의 입자의 평균 입자 크기, 제1 굴절률 및 제2 굴절률은 도 15의 선(82) 아래의 영역으로부터 선택되는, 물품.
  49. 제35항 내지 제42항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률을 가지며, 복수의 입자의 평균 입자 크기, 제1 굴절률 및 제2 굴절률은 도 15의 선(84) 아래의 영역으로부터 선택되는, 물품.
  50. 제35항 내지 제42항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률을 가지며, 복수의 입자의 평균 입자 크기, 제1 굴절률 및 제2 굴절률은 도 15의 선(86) 아래의 영역으로부터 선택되는, 물품.
  51. 제35항 내지 제42항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 제1 굴절률을 갖는 광학 매질을 포함하고, 광학 매질은 복수의 입자를 포함하며, 복수의 입자는 제2 굴절률을 가지며, 복수의 입자의 평균 입자 크기, 제1 굴절률 및 제2 굴절률은 도 15의 선(88) 아래의 영역으로부터 선택되는, 물품.
  52. 제35항 내지 제51항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 25% 이상의 가시광 탁도를 갖는, 물품.
  53. 제35항 내지 제52항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 필터는 표면 광학 미소구조체들을 포함하는, 물품.
  54. 제35항 내지 제42항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란 층은 바인더, 복수의 입자 및 복수의 상호연결된 공극을 포함하며, 파장 선택적 산란층 내의 복수의 상호연결된 공극의 체적 분율은 약 20% 이상이고, 바인더 대 복수의 입자의 중량비는 약 1:2 이상인, 물품.
  55. 제35항 내지 제54항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 필터는 반사층을 포함하는, 물품.
  56. 제35항 내지 제55항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 필터는 비드형 확산기 층을 포함하는, 물품.
  57. 제35항 내지 제56항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 필터는 수광기를 가시광 파장으로부터 적어도 부분적으로 차폐하는 한편, 수광기가 근적외선 파장을 적어도 부분적으로 수광하도록 허용하도록 구성되는, 물품.
  58. 제35항 내지 제56항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 필터는 수광기 및 발광기 중 하나 또는 둘 모두를 시각적으로 인지되지 않게 적어도 부분적으로 위장하도록 구성되는, 물품.
  59. 제58항에 있어서, 광학 필터는 가시광 파장을 적어도 부분적으로 산란시킴으로써 수광기 또는 발광기 중 하나 또는 둘 모두를 시각적으로 인지되지 않게 적어도 부분적으로 위장하도록 구성되는, 물품.
  60. 제35항 내지 제59항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 필터는 파장 선택적 산란층에 인접한 잉크 수용 코팅을 포함하는, 물품.
  61. 제35항 내지 제60항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 필터는 잉크 수용 코팅 상에 배치된 잉크 패턴을 포함하는, 물품.
  62. 제35항 내지 제61항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 필터는 실란트 층을 포함하는, 물품.
  63. 제35항 내지 제62항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 필터는 보호 코팅을 포함하는, 물품.
  64. 제35항 내지 제63항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 50% 이상의 총 가시광 반사율을 갖는, 물품.
  65. 제64항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 60% 이상의 총 가시광 반사율을 갖는, 물품.
  66. 제65항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 70% 이상의 총 가시광 반사율을 갖는, 물품.
  67. 광학 필터를 포함하는 물품으로서, 광학 필터는 파장 선택적 산란층을 포함하고, 파장 선택적 산란층은 60% 미만의 평균 근적외선 산란을 가지고, 파장 선택적 산란층은 10% 초과의 평균 가시광 산란을 가지며, 총 가시광 반사율 %과 확산 가시광 반사율 % 간의 차는 20 미만인, 물품.
  68. 제67항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 40% 미만의 평균 근적외선 산란을 가지고, 파장 선택적 산란층은 58% 초과의 평균 가시광 산란을 가지며, 총 가시광 반사율 %과 확산 가시광 반사율 % 간의 차는 18 미만인, 물품.
  69. 발광기 또는 수광기 중 하나 또는 둘 모두; 및
    발광기 또는 수광기 중 하나 또는 둘 모두에 인접한 광학 필터를 포함하며, 광학 필터는:
    파장 선택적 산란층 - 파장 선택적 산란층은 가시광 파장을 실질적으로 산란시키도록 구성됨 -,
    파장 선택적 반사층, 및
    적어도 하나의 파장 선택적 흡수층을 포함하고, 각각 개개의 파장 선택적 층은 근적외선 파장을 투과시키도록 구성되는, 시스템.
  70. 제69항에 있어서, 광학 필터는 830 nm 초과의 파장에 대해 5% 미만의 가시광 투과율 및 5% 초과의 근적외선 투과율을 갖는, 시스템.
  71. 제70항에 있어서, 광학 필터는 1% 미만의 가시광 투과율을 갖는, 시스템.
  72. 제70항 또는 제71항에 있어서, 광학 필터는 830 nm 초과의 파장에 대해 10% 초과의 근적외선 투과율을 갖는, 시스템.
  73. 제72항에 있어서, 광학 필터는 850 nm 초과의 파장에 대해 20% 초과의 근적외선 투과율을 갖는, 시스템.
  74. 제73항에 있어서, 광학 필터는 870 nm 초과의 파장에 대해 50% 초과의 근적외선 투과율을 갖는, 시스템.
  75. 제74항에 있어서, 광학 필터는 900 nm 초과의 파장에 대해 50% 초과의 근적외선 투과율을 갖는, 시스템.
  76. 제75항에 있어서, 광학 필터는 900 nm 초과의 파장에 대해 75% 초과의 평균 근적외선 투과율을 갖는, 시스템.
  77. 제69항 내지 제76항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 약 0.9 미만의 근적외선 산란비를 가지고, 근적외선 산란비는 평균 근적외선 산란 대 평균 가시광 산란의 비이고, 파장 선택적 산란층은 약 0.5 초과의 가시광 반사 탁도비를 가지며, 가시광 반사 탁도비는 평균 가시광 확산 반사율 대 평균 가시광 총 반사율의 비인, 시스템.
  78. 제69항 내지 제76항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 60% 미만의 평균 근적외선 산란을 가지고, 파장 선택적 산란층은 10% 초과의 평균 가시광 산란을 가지며, 총 가시광 반사율 %과 확산 가시광 반사율 % 간의 차는 20 미만인, 시스템.
  79. 제69항 내지 제76항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 입사 가시광의 약 50% 미만을 투과시키고, 파장 선택적 산란층은 입사 근적외선 광의 약 50% 초과를 투과시키는, 시스템.
  80. 제69항 내지 제79항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 바인더, 복수의 입자 및 복수의 상호연결된 공극을 포함하며, 파장 선택적 산란층 내의 복수의 상호연결된 공극의 체적 분율은 약 20% 이상이고, 바인더 대 복수의 입자의 중량비는 약 1:2 이상인, 시스템.
  81. 제69항 내지 제80항 중 어느 한 항에 있어서, 발광기는 근적외선 LED 또는 근적외선 레이저를 포함하는, 시스템.
  82. 제69항 내지 제81항 중 어느 한 항에 있어서, 수광기는 근적외선 카메라 또는 근적외선 수광 대역을 갖는 광 센서를 포함하는, 시스템.
  83. 제69항 내지 제82항 중 어느 한 항에 있어서, 반사층은 다층 광학 필름을 포함하는, 시스템.
  84. 제69항 내지 제83항 중 어느 한 항에 있어서, 반사층은 파장 선택적 간섭 필터를 포함하는, 시스템.
  85. 제69항 내지 제84항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 필터는 기판 층 상에 배치되는, 시스템.
  86. 제69항 내지 제85항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 필터는 수광기를 가시광 파장으로부터 적어도 부분적으로 차폐하는 한편, 수광기가 근적외선 파장을 수광하도록 실질적으로 허용하도록 구성되는, 시스템.
  87. 제69항 내지 제86항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 필터는 수광기 또는 발광기 중 하나 또는 둘 모두를 시각적으로 인지되지 않게 위장하도록 구성되는, 시스템.
  88. 제87항에 있어서, 광학 필터는 가시광 파장을 산란시킴으로써 수광기 또는 발광기 중 하나 또는 둘 모두를 시각적으로 인지되지 않게 적어도 부분적으로 위장하도록 구성되는, 시스템.
  89. 제69항 내지 제88항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 흡수층은 파장 선택적 산란층과 파장 선택적 반사층 사이에 있으며, 파장 선택적 흡수층은 총 근적외선 투과율을 실질적으로 감소시키지 않으면서 광학 필터의 총 가시광 반사율을 미리결정된 크기만큼 감소시키도록 구성되는, 시스템.
  90. 제69항 내지 제88항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 반사층은 파장 선택적 산란층과 파장 선택적 흡수층 사이에 있으며, 파장 선택적 흡수층은 총 근적외선 투과율을 실질적으로 감소시키지 않으면서 총 가시광 반사율을 광학 필터의 주 표면의 면적에 걸쳐 균일하게 감소시키도록 구성되는, 시스템.
  91. 광학 필터를 포함하는 물품으로서, 광학 필터는:
    파장 선택적 산란층 - 파장 선택적 산란층은 가시광 파장을 실질적으로 산란시키도록 구성됨 -,
    파장 선택적 반사층, 및
    적어도 하나의 파장 선택적 흡수층을 포함하고, 각각 개개의 파장 선택적 층은 근적외선 파장을 투과시키도록 구성되는, 물품.
  92. 제91항에 있어서, 광학 필터는 830 nm 초과의 파장에 대해 5% 미만의 가시광 투과율 및 5% 초과의 근적외선 투과율을 갖는, 물품.
  93. 제92항에 있어서, 광학 필터는 1% 미만의 가시광 투과율을 갖는, 물품.
  94. 제92항 또는 제93항에 있어서, 광학 필터는 830 nm 초과의 파장에 대해 10% 초과의 근적외선 투과율을 갖는, 물품.
  95. 제94항에 있어서, 광학 필터는 850 nm 초과의 파장에 대해 20% 초과의 근적외선 투과율을 갖는, 물품.
  96. 제95항에 있어서, 광학 필터는 870 nm 초과의 파장에 대해 50% 초과의 근적외선 투과율을 갖는, 물품.
  97. 제96항에 있어서, 광학 필터는 900 nm 초과의 파장에 대해 50% 초과의 근적외선 투과율을 갖는, 물품.
  98. 제97항에 있어서, 광학 필터는 900 nm 초과의 파장에 대해 75% 초과의 평균 근적외선 투과율을 갖는, 물품.
  99. 제91항 내지 제98항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 약 0.9 미만의 근적외선 산란비를 가지고, 근적외선 산란비는 평균 근적외선 산란 대 평균 가시광 산란의 비이고, 파장 선택적 산란층은 약 0.5 초과의 가시광 반사 탁도비를 가지며, 가시광 반사 탁도비는 평균 가시광 확산 반사율 대 평균 가시광 총 반사율의 비인, 물품.
  100. 제91항 내지 제99항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 60% 미만의 평균 근적외선 산란을 가지고, 파장 선택적 산란층은 10% 초과의 평균 가시광 산란을 가지며, 총 가시광 반사율 %과 확산 가시광 반사율 % 간의 차는 20 미만인, 물품.
  101. 제91항 내지 제100항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란층은 입사 가시광의 약 50% 미만을 투과시키고, 파장 선택적 산란층은 입사 근적외선 광의 약 50% 초과를 투과시키는, 물품.
  102. 제91항 내지 제101항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 산란 층은 바인더, 복수의 입자 및 복수의 상호연결된 공극을 포함하며, 파장 선택적 산란층 내의 복수의 상호연결된 공극의 체적 분율은 약 20% 이상이고, 바인더 대 복수의 입자의 중량비는 약 1:2 이상인, 물품.
  103. 제91항 내지 제102항 중 어느 한 항에 있어서, 반사층은 다층 광학 필름을 포함하는, 물품.
  104. 제91항 내지 제103항 중 어느 한 항에 있어서, 반사층은 파장 선택적 간섭 필터를 포함하는, 물품.
  105. 제91항 내지 제104항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 필터는 기판 층 상에 배치되는, 물품.
  106. 제91항 내지 제105항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 필터는 파장 선택적 산란층에 인접한 잉크 수용 코팅을 포함하는, 물품.
  107. 제106항에 있어서, 광학 필터는 잉크 수용 코팅 상에 배치된 잉크 패턴을 포함하는, 물품.
  108. 제91항 내지 제107항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 필터는 실란트 층을 포함하는, 물품.
  109. 제91항 내지 제107항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 필터는 보호 코팅을 포함하는, 물품.
  110. 제91항 내지 제109항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 흡수층은 파장 선택적 산란층과 파장 선택적 반사층 사이에 있으며, 파장 선택적 흡수층은 총 근적외선 투과율을 실질적으로 감소시키지 않으면서 광학 필터의 총 가시광 반사율을 미리결정된 크기만큼 감소시키도록 구성되는, 물품.
  111. 제91항 내지 제109항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 반사층은 파장 선택적 산란층과 파장 선택적 흡수층 사이에 있으며, 파장 선택적 흡수층은 총 근적외선 투과율을 실질적으로 감소시키지 않으면서 총 가시광 반사율을 광학 필터의 주 표면의 면적에 걸쳐 균일하게 감소시키도록 구성되는, 물품.
  112. 발광기 또는 수광기 중 하나 또는 둘 모두; 및
    발광기 또는 수광기 중 하나 또는 둘 모두에 인접한 광학 필터를 포함하며, 광학 필터는:
    파장 선택적 반사층, 및
    적어도 하나의 파장 선택적 흡수층을 포함하고, 각각 개개의 파장 선택적 층은 근적외선 파장을 투과시키도록 구성되며, 광학 필터는 380 내지 800 nm에서 0.1% 미만의 가시광 투과율 및 830 내지 900 nm에서 50% 초과의 근적외선 투과율을 갖는, 시스템.
  113. 제112항에 있어서, 광학 필터는 380 내지 800 nm에서 0.01% 미만의 가시광 투과율 및 830 내지 900 nm에서 75% 초과의 근적외선 투과율을 갖는, 시스템.
  114. 제112항 또는 제113항에 있어서, 발광기는 근적외선 LED 또는 근적외선 레이저를 포함하는, 시스템.
  115. 제112항 내지 제114항 중 어느 한 항에 있어서, 수광기는 근적외선 카메라 또는 근적외선 수광 대역을 갖는 광 센서를 포함하는, 시스템.
  116. 제112항 내지 제115항 중 어느 한 항에 있어서, 수광기는 홍채 스캐닝 시스템을 포함하는, 시스템.
  117. 제112항 내지 제116항 중 어느 하나의 시스템을 포함하는 홍채 기반 식별 시스템을 포함하는, 시스템.
  118. 제112항 내지 제117항 중 어느 한 항에 있어서, 반사층은 파장 선택적 간섭 필터를 포함하는, 시스템.
  119. 제112항 내지 제118항 중 어느 한 항에 있어서, 반사층은 다층 광학 필름을 포함하는, 시스템.
  120. 제112항 내지 제119항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 필터는 기판 층 상에 배치되는, 시스템.
  121. 제112항 내지 제120항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 필터는 수광기를 가시광 파장으로부터 적어도 부분적으로 차폐하는 한편, 수광기가 근적외선 파장을 수광하도록 실질적으로 허용하도록 구성되는, 시스템.
  122. 제112항 내지 제121항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 필터는 수광기 또는 발광기 중 하나 또는 둘 모두를 시각적으로 인지되지 않게 위장하도록 구성되는, 시스템.
  123. 제112항 내지 제122항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 파장 선택적 흡수층은 제1 파장 선택적 흡수층 및 제2 파장 선택적 흡수층을 포함하며, 파장 선택적 반사층은 제1 파장 선택적 흡수층과 제2 파장 선택적 흡수층 사이에 있는, 시스템.
  124. 광학 필터를 포함하는 물품으로서,
    파장 선택적 반사층, 및
    적어도 하나의 파장 선택적 흡수층을 포함하고, 각각 개개의 파장 선택적 층은 근적외선 파장을 투과시키도록 구성되며, 광학 필터는 380 내지 800 nm에서 0.1% 미만의 가시광 투과율 및 830 내지 900 nm에서 50% 초과의 근적외선 투과율을 갖는, 물품.
  125. 제124항에 있어서, 광학 필터는 380 내지 800 nm에서 0.01% 미만의 가시광 투과율 및 830 내지 900 nm에서 75% 초과의 근적외선 투과율을 갖는, 물품.
  126. 제124항 또는 제125항에 있어서, 반사층은 파장 선택적 간섭 필터를 포함하는, 물품.
  127. 제124항 내지 제126항 중 어느 한 항에 있어서, 반사층은 다층 광학 필름을 포함하는, 물품.
  128. 제124항 내지 제127항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 필터는 기판 층 상에 배치되는, 물품.
  129. 제124항 내지 제128항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 파장 선택적 흡수층은 제1 파장 선택적 흡수층 및 제2 파장 선택적 흡수층을 포함하며, 파장 선택적 반사층은 제1 파장 선택적 흡수층과 제2 파장 선택적 흡수층 사이에 있는, 물품.
  130. 제124항 내지 제130항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 필터는 실란트 층을 포함하는, 물품.
  131. 제124항 내지 제130항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 필터는 보호 코팅을 포함하는, 물품.
  132. 제124항 내지 제131항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 흡수층은 파장 선택적 염료 또는 파장 선택적 안료 중 하나 또는 둘 모두를 포함하는, 물품.
  133. 제69항 내지 제90항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 흡수층은 파장 선택적 염료 또는 파장 선택적 안료 중 하나 또는 둘 모두를 포함하는, 시스템.
  134. 제91항 내지 제111항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 흡수층은 파장 선택적 염료 또는 파장 선택적 안료 중 하나 또는 둘 모두를 포함하는, 물품.
  135. 제112항 내지 제123항 중 어느 한 항에 있어서, 파장 선택적 흡수층은 파장 선택적 염료 또는 파장 선택적 안료 중 하나 또는 둘 모두를 포함하는, 시스템.
KR1020187023726A 2016-01-21 2016-05-06 광학 위장 필터들 KR102626262B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662281643P 2016-01-21 2016-01-21
US62/281,643 2016-01-21
PCT/CN2016/081271 WO2017124664A1 (en) 2016-01-21 2016-05-06 Optical camouflage filters

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180104037A true KR20180104037A (ko) 2018-09-19
KR102626262B1 KR102626262B1 (ko) 2024-01-16

Family

ID=59361390

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187023726A KR102626262B1 (ko) 2016-01-21 2016-05-06 광학 위장 필터들
KR1020187023573A KR20180097757A (ko) 2016-01-21 2017-01-19 광학 위장 필터

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187023573A KR20180097757A (ko) 2016-01-21 2017-01-19 광학 위장 필터

Country Status (7)

Country Link
US (4) US11269121B2 (ko)
EP (2) EP3405819A4 (ko)
JP (4) JP6895443B2 (ko)
KR (2) KR102626262B1 (ko)
CN (2) CN108603958B (ko)
TW (1) TW201738587A (ko)
WO (2) WO2017124664A1 (ko)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11054556B2 (en) 2016-01-21 2021-07-06 3M Innovative Properties Company Optical camouflage filters
CN108603958B (zh) 2016-01-21 2022-03-04 3M创新有限公司 光学掩蔽滤光器
US10466395B1 (en) * 2016-09-21 2019-11-05 Apple Inc. Systems with matte infrared-transparent layers
US11448808B2 (en) 2017-01-04 2022-09-20 3M Innovative Properties Company Color compensating optical filters having low refractive index layer
JP7057487B2 (ja) * 2017-09-20 2022-04-20 Agc株式会社 光学装置および光学部材
JP6812936B2 (ja) * 2017-09-22 2021-01-13 豊田合成株式会社 近赤外線センサ用カバー装置
US10739661B2 (en) 2017-09-25 2020-08-11 Gentex Corporation IR transmitting coating for electro-optic element
CN111263903A (zh) * 2017-11-07 2020-06-09 3M创新有限公司 光学膜和包括该光学膜的系统
US20200264354A1 (en) * 2017-11-07 2020-08-20 3M Innovative Properties Company Optical articles and systems including the same
EP3732039A4 (en) * 2017-12-31 2021-09-22 3M Innovative Properties Company VISIBLY TRANSPARENT INFRARED REFLECTIVE ARTICLES
CN108509088B (zh) * 2018-03-09 2020-10-16 Oppo广东移动通信有限公司 电子装置及其制造方法
CN108490525A (zh) * 2018-03-14 2018-09-04 维沃移动通信有限公司 一种截止膜制造方法和截止膜
CN108663738B (zh) * 2018-05-23 2021-04-27 上海道助电子科技有限公司 运用于光通讯及生物辨识系统中通过高分子与氧化物光学结合显色的方法
KR102558858B1 (ko) * 2018-05-28 2023-07-21 코닝 인코포레이티드 유기발광장치의 광추출기판 및 그 제조방법
EP3644222A4 (en) 2018-08-24 2020-08-26 Shenzhen Goodix Technology Co., Ltd. BACKLIGHT MODULE, METHOD AND DEVICE FOR FINGERPRINT RECOGNITION UNDER A SCREEN AND ELECTRONIC DEVICE
CN109128510B (zh) * 2018-09-10 2020-08-11 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 光学元件制备方法和太赫兹波段光学元件
EP3632517B1 (en) * 2018-10-05 2023-08-23 HTC Corporation Electronic apparatus
WO2020155158A1 (en) * 2019-02-02 2020-08-06 3M Innovative Properties Company Optical diffuser with high infrared clarity
CN114041074A (zh) * 2019-07-02 2022-02-11 3M创新有限公司 包括具有降频转换器的波长选择性光学滤光器的光学装置
US20230228919A1 (en) * 2020-05-08 2023-07-20 3M Innovative Properties Company Optical Films and Stacks Including Optically Diffusive Layer
EP4150271A1 (en) 2020-05-15 2023-03-22 3M Innovative Properties Company Hybrid solar window and ir absorbing assemblies
CN114690151A (zh) * 2020-12-31 2022-07-01 东丽先端材料研究开发(中国)有限公司 一种滤光器及传感器保护盖
WO2022216652A1 (en) * 2021-04-06 2022-10-13 President And Fellows Of Harvard College Structural colors with short-wavelength response for packaging applications
WO2022269437A1 (en) * 2021-06-23 2022-12-29 3M Innovative Properties Company Optical film, backlight, and display
WO2023074626A1 (ja) * 2021-10-28 2023-05-04 日東電工株式会社 光学積層体、赤外線情報取得システム、および会議支援システム
US20230314213A1 (en) * 2022-03-30 2023-10-05 Viavi Solutions Inc. Concealment component for an optical sensor device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009040144A (ja) * 2007-08-07 2009-02-26 Murakami Corp 撮像装置付きバックミラー
JP2012089593A (ja) * 2010-10-18 2012-05-10 Tokai Kogaku Kk 赤外線通信用光学物品及び赤外線通信用受光部
JP2013065052A (ja) * 2008-08-20 2013-04-11 Tokai Kogaku Kk 赤外線通信用光学物品及び赤外線通信用受光部

Family Cites Families (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5183602A (en) 1989-09-18 1993-02-02 Cornell Research Foundation, Inc. Infra red diamond composites
JPH0443303A (ja) 1990-06-11 1992-02-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 赤外線光学部品
US5233436A (en) * 1991-06-03 1993-08-03 Oksman Henry C Optical filter software copy protection
US5782995A (en) 1993-11-05 1998-07-21 Citizen Watch Co., Ltd. Solar battery device and method of fabricating the same
US5825543A (en) * 1996-02-29 1998-10-20 Minnesota Mining And Manufacturing Company Diffusely reflecting polarizing element including a first birefringent phase and a second phase
US5956122A (en) 1998-06-26 1999-09-21 Litton Systems, Inc Iris recognition apparatus and method
JP2000067657A (ja) * 1998-08-26 2000-03-03 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 赤外線透過に優れた透明導電膜及びその製造方法
US6208466B1 (en) * 1998-11-25 2001-03-27 3M Innovative Properties Company Multilayer reflector with selective transmission
IL129551A (en) * 1999-04-22 2002-09-12 Visonic Ltd Optical filter and passive infrared detector system
JP3612702B2 (ja) 2000-10-05 2005-01-19 日産自動車株式会社 赤外線透過膜及びこれを用いた赤外線センサーカバー
JP4180253B2 (ja) 2001-06-29 2008-11-12 大日本塗料株式会社 赤外線受光素子用封止剤
JP4053310B2 (ja) 2002-02-20 2008-02-27 日立化成工業株式会社 電磁波シールド性接着フィルムの製造法
US7095009B2 (en) 2002-05-21 2006-08-22 3M Innovative Properties Company Photopic detector system and filter therefor
JP4300567B2 (ja) * 2002-09-30 2009-07-22 Toto株式会社 製膜体
JP3736567B2 (ja) 2003-08-11 2006-01-18 東洋紡績株式会社 波長選択吸収フィルム
JP2005288876A (ja) 2004-03-31 2005-10-20 Three M Innovative Properties Co レセプターフィルム及びマーキングフィルム
US20060003239A1 (en) 2004-06-30 2006-01-05 Cooper Terence A Multilayer optical display device
JP4122010B2 (ja) 2004-11-12 2008-07-23 東海光学株式会社 赤外線受発光部
US7525604B2 (en) 2005-03-15 2009-04-28 Naxellent, Llc Windows with electrically controllable transmission and reflection
US7903194B2 (en) * 2005-06-24 2011-03-08 3M Innovative Properties Company Optical element for lateral light spreading in back-lit displays and system using same
JP2008083647A (ja) 2006-09-29 2008-04-10 Fujimori Kogyo Co Ltd ディスプレイ用光学フィルター
US11607152B2 (en) 2007-06-12 2023-03-21 Sotera Wireless, Inc. Optical sensors for use in vital sign monitoring
US7874495B2 (en) 2008-02-13 2011-01-25 Microsoft Corporation Reducing a visible presence of an optically readable tag
US20110249325A1 (en) 2008-12-30 2011-10-13 Zehentmaier Sebastian F Fluoropolymeric multilayer optical film and methods of making and using the same
US10539722B2 (en) 2009-04-15 2020-01-21 3M Innovative Properties Company Optical film
US9279918B2 (en) 2009-10-24 2016-03-08 3M Innovative Properties Company Gradient low index article and method
US8787006B2 (en) 2011-01-31 2014-07-22 Apple Inc. Wrist-worn electronic device and methods therefor
JP2012159658A (ja) * 2011-01-31 2012-08-23 Daishinku Corp 光学フィルタモジュール、および光学フィルタシステム
US8779349B2 (en) 2011-03-08 2014-07-15 Fluke Corporation Minimizing ambient light in a feedback circuit in pulse oximeter test instruments
PT2726920T (pt) 2011-07-01 2017-11-27 Tropiglas Tech Ltd Um painel concentrador de luminescência espetralmente seletivo com uma célula fotovoltaica
JP5884372B2 (ja) 2011-09-29 2016-03-15 セイコーエプソン株式会社 カートリッジ、印刷装置
CN105754367A (zh) 2011-10-14 2016-07-13 Jsr株式会社 固体摄影装置用滤光器及使用该滤光器的固体摄影装置及照相机模块
US8895148B2 (en) 2011-11-09 2014-11-25 Cytec Technology Corp. Structural adhesive and bonding application thereof
EP2602654B1 (en) 2011-12-08 2023-04-19 Essilor International Ophthalmic filter
US10219709B2 (en) 2012-03-28 2019-03-05 Wayne State University Sensor and method for continuous health monitoring
EP2833170A4 (en) 2012-03-28 2015-11-11 Toppan Printing Co Ltd METHOD FOR PRODUCING COLOR FILTERS AND A COLOR-REFLECTIVE DISPLAY
WO2013161492A1 (ja) 2012-04-25 2013-10-31 株式会社Adeka 波長カットフィルタ
JP6003329B2 (ja) 2012-07-23 2016-10-05 大日本印刷株式会社 カラーフィルタ形成基板および有機el表示装置
DE102013214615A1 (de) 2012-07-30 2014-01-30 Schott Ag Optische Filter, deren Herstellung und Verwendung
JP2014071295A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Tokai Kogaku Kk 赤外線受発光用光学物品及び赤外線受発光部
BR112015016719A2 (pt) 2013-01-14 2017-07-11 3M Innovative Properties Co filtro, dispositivo para correção ou proteção ocular e método de otimização de discriminação de cor
US9717423B2 (en) 2013-01-28 2017-08-01 Texas Instruments Incorporated Low-complexity sensor displacement tolerant pulse oximetry based heart rate measurement
CN203733133U (zh) 2013-02-06 2014-07-23 北京中科虹霸科技有限公司 一种具有人机交互机制的移动终端虹膜识别装置
WO2014163040A1 (ja) 2013-04-01 2014-10-09 Hoya Candeo Optronics株式会社 近赤外線吸収ガラス、及びその製造方法
EP2793271A1 (en) * 2013-04-16 2014-10-22 CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA - Recherche et Développement Solar photovoltaic module
JP6428608B2 (ja) 2013-05-02 2018-11-28 コニカミノルタ株式会社 赤外線遮蔽フィルム、赤外線遮蔽フィルムの設置方法及び赤外線遮蔽フィルムの虹彩防止方法
US10348239B2 (en) 2013-05-02 2019-07-09 3M Innovative Properties Company Multi-layered solar cell device
JP2015025770A (ja) 2013-07-29 2015-02-05 株式会社リコー 検知装置、車両
US20150146316A1 (en) 2013-11-22 2015-05-28 U.S. Army Research Laboratory Attn: Rdrl-Loc-I Optical filter and method for making the same
US20150148632A1 (en) 2013-11-26 2015-05-28 David Alan Benaron Calorie Monitoring Sensor And Method For Cell Phones, Smart Watches, Occupancy Sensors, And Wearables
JP6059646B2 (ja) * 2013-12-06 2017-01-11 大日精化工業株式会社 近赤外線透過性黒色アゾ顔料、近赤外線透過性黒色アゾ顔料の製造方法、これらの黒色アゾ顔料を用いた着色組成物、物品の着色方法およびカラーフィルター基板
US20170123122A1 (en) 2014-04-10 2017-05-04 CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA - Recherche et Développement Infrared transmitting cover sheet
CN204129314U (zh) 2014-05-22 2015-01-28 宁波舜宇光电信息有限公司 一种摄像光学镜组及虹膜摄像模组
KR102237479B1 (ko) 2014-06-03 2021-04-07 (주)아이리스아이디 홍채 인식 단말기 및 방법
JPWO2015194485A1 (ja) 2014-06-20 2017-04-20 旭硝子株式会社 積層体
CN204442500U (zh) 2014-12-23 2015-07-01 南昌欧菲光电技术有限公司 成像装置及移动终端
US10067936B2 (en) 2014-12-30 2018-09-04 Facebook, Inc. Machine translation output reranking
CN104573667B (zh) 2015-01-23 2018-01-30 北京中科虹霸科技有限公司 一种提高移动终端的虹膜图像质量的虹膜识别装置
DE102016009884A1 (de) 2015-12-14 2017-06-14 Gentherm Gmbh Nackengebläse für einen Fahrzeugsitz und Regel-Verfahren dafür
CN108603958B (zh) 2016-01-21 2022-03-04 3M创新有限公司 光学掩蔽滤光器
US11448808B2 (en) * 2017-01-04 2022-09-20 3M Innovative Properties Company Color compensating optical filters having low refractive index layer
EP3658968A4 (en) * 2017-07-26 2021-03-31 3M Innovative Properties Company OPTICAL CAMOUFLAGE FILTER

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009040144A (ja) * 2007-08-07 2009-02-26 Murakami Corp 撮像装置付きバックミラー
JP2013065052A (ja) * 2008-08-20 2013-04-11 Tokai Kogaku Kk 赤外線通信用光学物品及び赤外線通信用受光部
JP2012089593A (ja) * 2010-10-18 2012-05-10 Tokai Kogaku Kk 赤外線通信用光学物品及び赤外線通信用受光部

Also Published As

Publication number Publication date
CN108603958A (zh) 2018-09-28
US20190025481A1 (en) 2019-01-24
US11269121B2 (en) 2022-03-08
EP3405817B1 (en) 2024-04-03
WO2017127483A1 (en) 2017-07-27
CN108474882A (zh) 2018-08-31
JP2019509510A (ja) 2019-04-04
TW201738587A (zh) 2017-11-01
US20220075107A1 (en) 2022-03-10
EP3405817A1 (en) 2018-11-28
JP2020126266A (ja) 2020-08-20
JP7438267B2 (ja) 2024-02-26
JP6920507B2 (ja) 2021-08-18
US20220146725A1 (en) 2022-05-12
JP6895443B2 (ja) 2021-06-30
KR102626262B1 (ko) 2024-01-16
EP3405819A4 (en) 2020-01-22
JP2019508733A (ja) 2019-03-28
KR20180097757A (ko) 2018-08-31
US11204456B2 (en) 2021-12-21
US11953709B2 (en) 2024-04-09
CN108603958B (zh) 2022-03-04
JP2022119874A (ja) 2022-08-17
EP3405819A1 (en) 2018-11-28
EP3405817A4 (en) 2019-09-04
US20190033502A1 (en) 2019-01-31
WO2017124664A1 (en) 2017-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6920507B2 (ja) 光学カモフラージュフィルター
US20210263203A1 (en) Optical camouflage filters
US11448808B2 (en) Color compensating optical filters having low refractive index layer
JP7456927B2 (ja) 光学カモフラージュフィルター

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant