WO2014163040A1 - 近赤外線吸収ガラス、及びその製造方法 - Google Patents

近赤外線吸収ガラス、及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2014163040A1
WO2014163040A1 PCT/JP2014/059460 JP2014059460W WO2014163040A1 WO 2014163040 A1 WO2014163040 A1 WO 2014163040A1 JP 2014059460 W JP2014059460 W JP 2014059460W WO 2014163040 A1 WO2014163040 A1 WO 2014163040A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light
infrared absorbing
absorbing glass
infrared
glass
Prior art date
Application number
PCT/JP2014/059460
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
武志 山▲崎▼
克則 石田
Original Assignee
Ｈｏｙａ Ｃａｎｄｅｏ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ株式会社
青島豪雅光電子有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ｈｏｙａ Ｃａｎｄｅｏ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ株式会社, 青島豪雅光電子有限公司 filed Critical Ｈｏｙａ Ｃａｎｄｅｏ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ株式会社
Priority to KR1020157027925A priority Critical patent/KR101908575B1/ko
Priority to CN201480018208.4A priority patent/CN105122453B/zh
Priority to JP2015510077A priority patent/JP5947976B2/ja
Publication of WO2014163040A1 publication Critical patent/WO2014163040A1/ja

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/208—Filters for use with infrared or ultraviolet radiation, e.g. for separating visible light from infrared and/or ultraviolet radiation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/22—Absorbing filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14623—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2204/00—Glasses, glazes or enamels with special properties
    • C03C2204/08—Glass having a rough surface
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/34—Masking

Definitions

  • the present invention relates to a near-infrared absorbing glass used for visibility correction of a solid-state imaging device and a method for manufacturing the same.
  • solid-state imaging devices such as CCDs and CMOSs are used in digital still cameras and the like. Since such a solid-state imaging device has spectral sensitivity ranging from the near ultraviolet region to the near infrared region, the near infrared part of incident light is cut using near infrared absorbing glass so that it becomes close to human visibility. The color reproducibility is improved by correction (for example, Patent Document 1).
  • the light shielding member when unnecessary light is shielded by using the light shielding member, it is necessary to attach (or arrange) the light shielding member with extremely high positional accuracy so as not to shield light incident through the regular optical path. In addition, a very careful work is required, and the near-infrared absorbing glass is thickened by the thickness of the light shielding member. In addition, in the operation of attaching the light shielding member to the near infrared absorbing glass, there is a possibility of attaching dust or scratching to the surface of the near infrared absorbing glass, and in the reapplying operation when the application fails. In addition to the possibility of scratching, there is also a concern that the adhesive of the light shielding tape may remain on the surface of the near-infrared absorbing glass.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and the object of the present invention is to ghost or flare caused by unnecessary reflected light or stray light, or to separately provide a light shielding member. It is providing the near-infrared absorptive glass for solid-state image sensors which can prevent, and its manufacturing method.
  • the near-infrared absorbing glass of the present invention has an incident surface on which light directed to a solid-state image sensor is incident and an exit surface through which light is transmitted and emitted toward the solid-state image sensor.
  • the outer periphery of the light-transmitting portion is framed on at least one of the light-transmitting portion and the incident surface and the emitting surface. And a light scattering portion that scatters a part of the light.
  • the light scattering portion is formed from at least one of the entrance surface and the exit surface to the side surface of the near-infrared absorbing glass. According to such a configuration, unnecessary light incident from the side surface of the near-infrared absorbing glass can be blocked.
  • a first chamfered portion that connects the incident surface and the side surface may be formed between the incident surface and the side surface.
  • a second chamfered portion that connects the incident surface and the side surface may be formed between the emission surface and the side surface.
  • near infrared absorbing glass fluorophosphate salt glass containing Cu 2+, or consisting of phosphate-based glass containing Cu 2+ is preferable.
  • the light scattering portion is an uneven surface formed by etching the near-infrared absorbing glass with a solution containing at least one of fluorine ions and fluorine-containing ions.
  • the solution containing fluorine ions is preferably a solution containing at least one of hydrogen fluoride, ammonium fluoride, and ammonium hydrogen fluoride.
  • the light scattering portion has a Haze value of 90 or more.
  • the area of the light transmission part is larger than the area of the light receiving surface of the solid-state imaging device.
  • the near-infrared absorbing glass can further include a functional film that covers the light transmission part and the light scattering part.
  • the functional film is desirably an optical thin film having at least one function of antireflection, infrared cut, and ultraviolet cut.
  • the functional film preferably includes an antireflection film having a thickness of 90 nm to 300 nm.
  • the functional film preferably includes an infrared cut film having a thickness of 2000 nm to 6000 nm.
  • the infrared cut film can be configured to further have an ultraviolet cut function.
  • the near-infrared absorbing glass may further include a light shielding layer that is formed on at least a part of the light scattering portion and shields a part of the light. According to such a configuration, it is possible to reliably block light that causes ghosts and the like incident on the near-infrared absorbing glass.
  • the near infrared absorbing glass manufacturing method of the present invention includes an incident surface on which light directed to the solid-state image sensor is incident, and an output surface on which light is transmitted and emitted toward the solid-state image sensor.
  • the step of cutting the substrate of the near infrared absorbing glass into a predetermined size, and chamfering the cut substrate A step of lapping the chamfered substrate to a predetermined plate thickness, a step of polishing the front and back surfaces of the lapped substrate in a mirror shape, and light on the front and back surfaces of the polished substrate Forming a light transmissive portion that can transmit light, and forming a light scattering portion that surrounds the outer periphery of the light transmissive portion in a frame shape and scatters a part of light on at least one of the front surface and the back surface; Substrate on which a transmission part and a light scatter
  • the step of forming the light transmission part and the light scattering part can include a step of masking the light transmission part and a step of etching the masked base material.
  • the substrate is, fluorophosphate salt glass containing Cu 2+, or consist phosphate type glass containing Cu 2+, the step of etching, fluorine ion fu the masked substrate, the fluorine-containing ion It can etch with the solution containing at least any one.
  • the etching process is performed at 1 ⁇ m to 50 ⁇ m in the thickness direction of the base material.
  • the masked substrate is preferably immersed in a hydrofluoric acid aqueous solution containing 1 to 40% by weight of hydrogen fluoride for a predetermined time.
  • near-infrared absorption for a solid-state imaging device capable of preventing ghosts and flares caused by unnecessary reflected light and stray light without performing sanitization or separately providing a light shielding member. Glass and a method for manufacturing the same are provided.
  • FIG. 1 is a plan view of a near-infrared absorbing glass according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a side view of the near infrared ray absorbing glass according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a longitudinal cross-sectional view of a solid-state imaging device in which an opening of a package of a solid-state imaging element is sealed with a near-infrared absorbing glass according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a flowchart showing a method for manufacturing the near-infrared absorbing glass according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a side view of near-infrared absorbing glass according to a modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a side view of near-infrared absorbing glass according to a modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a side view of near-infrared absorbing glass according to a modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a side view of the near-infrared absorbing glass according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a flowchart showing a manufacturing method of near-infrared absorbing glass according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a plan view of a near-infrared absorbing glass 10 according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a side view of the near-infrared absorbing glass 10 according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a longitudinal sectional view of the solid-state imaging device 100 in which the opening of the package 60 of the solid-state imaging device 50 is sealed with the near-infrared absorbing glass 10 according to the first embodiment of the present invention.
  • the near-infrared absorbing glass 10 of this embodiment is disposed between a cover glass 30 that seals a package 60 and a low-pass filter 20 that removes optical pseudo signal moire, This is glass that absorbs the near-infrared portion of incident light incident on the imaging device 100.
  • the near-infrared absorbing glass 10 is fixed by bonding with a slight gap between the cover glass 30 and the low-pass filter 20.
  • the near-infrared absorbing glass 10, together with the cover glass 30 and the low-pass filter 20, is a package 60 that houses a solid-state imaging device 50 such as a CCD (Charge-Coupled Device) or CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Attached and disposed in the optical path of incident light incident on the solid-state imaging device 50.
  • a solid-state imaging device 50 such as a CCD (Charge-Coupled Device) or CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Attached and disposed in the optical path of incident light incident on the solid-state imaging device 50.
  • the near-infrared absorbing glass 10 has a rectangular plate-like appearance, an incident surface 12 on which light passing through the low-pass filter 20 is incident, and an incident surface 12 facing the incident surface 12.
  • the exit surface 14 from which the emitted light exits and the side surface 16 constituting the outer peripheral edge of the near-infrared absorbing glass 10 are provided.
  • the near-infrared absorbing glass 10 of the present embodiment is composed of a glass substrate 20, a cloudy layer 21, and an antireflection film 24.
  • Glass substrate 20 is an infrared absorbing glass containing Cu 2+ (phosphate type glass containing fluorophosphate salt-based glass or Cu 2+ containing Cu 2+).
  • a fluorophosphate-based glass has excellent weather resistance, and by adding Cu 2+ to the glass, it can absorb near infrared rays while maintaining high transmittance in the visible light region. For this reason, when the glass substrate 20 is arranged in the optical path of the incident light incident on the solid-state image sensor 50, it functions as a kind of low-pass filter so that the spectral sensitivity of the solid-state image sensor 50 is close to human visibility. It is corrected.
  • fluorophosphate salt-based glass used in the glass substrate 20 of this embodiment may be a known glass compositions, particularly, Li +, alkaline earth metal ions (e.g., Ca 2+, Ba 2+, etc. ), A composition containing rare earth element ions (Y 3+ , La 3+ and the like).
  • a chamfered portion 20a (first chamfered portion) formed in the outer shape processing step described later is formed between the surface of the glass substrate 20 and the side surface 16. Further, a chamfered portion 20b (second chamfered portion) formed in the outer shape processing step described later is formed between the back surface of the glass substrate 20 and the side surface 16.
  • the cloudy layer 21 is a layer in which the incident surface 12 side of the glass substrate 20 is clouded by etching to form an uneven surface (details will be described later).
  • white turbidity refers to a state in which the surface of the glass substrate 20 is roughened by etching.
  • the glass substrate 20 contains Cu 2+, and thus the white turbid layer 21 is bright. Blue (light blue).
  • the cloudy layer 21 is formed in a frame shape along the outer shape of the near-infrared absorbing glass 10 when the near-infrared absorbing glass 10 is viewed in plan, and scatters a part of incident light incident from the incident surface 12. It has a light shielding function.
  • the cloudy layer 21 of the present embodiment preferably has a Haze value of 90 or more, and more preferably has a Haze value of 95 or more (described later). That is, the near-infrared absorbing glass 10 of the present embodiment is formed in a rectangular shape at the center, and a light transmitting portion T through which light incident from the incident surface 12 is transmitted to the emitting surface 14 and the light transmitting portion T are frame-shaped.
  • the light scattering portion S (that is, the white turbid layer 21) blocks the optical path of light that causes ghosts and the like.
  • the sizes of the light transmission part T and the light scattering part S are matched to the optical elements such as lenses arranged outside the solid-state imaging device 100, the size of the solid-state imaging element 50, and the size of the near-infrared absorbing glass 10.
  • the area of the light transmitting portion S is configured to be larger than the area of the light receiving surface of the solid-state imaging device 50.
  • the antireflection film 24 is a functional film for preventing reflection on the front surface (the surface on the incident surface 12 side) and the rear surface (the surface on the output surface 14 side) of the glass substrate 20, and is formed by a coating process. (Physical film thickness) It is composed of an optical thin film of 90 nm to 300 nm.
  • the film structure for example, a single layer of MgF 2, 2 layers of ZrO 2 + MgF 2, it is possible to apply a three-layer structure of the Al 2 O 3 + ZrO 2 + MgF 2.
  • another functional film can be formed in place of the antireflection film 24 or together with the antireflection film 24.
  • Other functional films include, for example, an ultraviolet cut film with a film thickness of 2000 to 6000 nm that cuts ultraviolet rays and an infrared cut film with a film thickness of 2000 to 6000 nm that cuts infrared rays.
  • the infrared cut film having a film thickness of 2000 nm to 6000 nm can be configured to further have an ultraviolet cut function.
  • FIG. 4 is a flowchart showing a method for manufacturing the near-infrared absorbing glass 10 according to this embodiment.
  • the manufacturing method of the near-infrared absorbing glass 10 includes steps such as an etching process for forming the cloudy layer 21 before the antireflection film 24 is formed after the primary polishing. It is characterized by providing.
  • a known cutting method is prepared such that a glass plate made of a glass composition having desired optical characteristics is prepared and the outer dimensions are substantially the same as the final shape. Cut with.
  • a cutting method there are a method of cutting after cutting a cutting line with a diamond cutter and a method of cutting with a dicing apparatus.
  • the glass plate used at this process may use what was processed to the plate
  • step of chamfering the outer peripheral surface of the glass substrate 20 In the step of chamfering the outer peripheral surface of the glass substrate 20 (outline processing step), eight ridge lines on the outer periphery of the glass substrate 20 are ground. Grinding is performed, for example, by processing a rotating grinding wheel while pressing it against each ridge line of the glass substrate 20.
  • a chamfered portion 20 a that connects the surface and the side surface 16 is formed between the surface of the glass substrate 20 and the side surface 16, and the back surface is formed between the back surface and the side surface 16 of the glass substrate 20.
  • a chamfered portion 20b connecting the side surface 16 is formed.
  • the chamfered glass substrate 20 is roughly cut to a predetermined plate thickness using a double-side polishing machine.
  • the surface of the lapped glass substrate 20 is polished into a mirror surface using a double-side polishing machine.
  • the glass substrate 20 is processed into a predetermined dimension slightly thicker than the design value, and flat optical working surfaces are formed on the front surface and the back surface.
  • a predetermined glass etching photoresist is applied to both surfaces of the glass substrate 20, and portions other than the light scattering portion S (that is, the cloudy layer 21) are masked by photolithography (that is, the etching resist film is formed). Form).
  • the masked glass substrate 20 is immersed in an etching solution for a predetermined time (for example, 10 hours or more).
  • an aqueous solution of hydrofluoric acid containing 5 to 20% by weight of hydrogen fluoride (HF) (hereinafter referred to as “hydrofluoric acid”) is used.
  • the glass substrate 20 of this embodiment since it is formed from a phosphate glass containing fluorophosphate salt-based glass or Cu 2+ containing Cu 2+, the glass substrate 20 etchant When immersed in (hydrofluoric acid), the fluorine ions F ⁇ contained in the etching solution react with the metal ions contained in the glass substrate 20 and deposit on the surface as fluoride crystals. A portion corresponding to the light scattering portion S becomes cloudy, and a cloudy layer 21 is formed.
  • the processing amount when etching the glass plate is preferably 1 ⁇ m to 50 ⁇ m, more preferably 2 ⁇ m to 30 ⁇ m in the glass thickness direction.
  • an aqueous solution of ammonium fluoride, ammonium hydrogen fluoride, sodium fluoride, potassium fluoride, sodium hydrogen fluoride, potassium hydrogen fluoride, or the like containing fluorine ions (F ⁇ ) can be applied. It is.
  • a solution containing hexafluorosilicic acid, ammonium hexafluorosilicate, hexafluorotitanic acid, hexafluorophosphoric acid, tetrafluoroboric acid or the like containing fluorine-containing ions (for example, SiF 6 2 ⁇ ) is applied. It is also possible to do.
  • etching solution a solution in which another compound is added to and mixed with an aqueous solution containing fluorine ions or fluorine-containing ions can also be used.
  • the compounds that can be added include inorganic acids such as sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid and phosphoric acid, organic acids such as acetic acid, citric acid, malic acid and succinic acid, inorganic acid salts such as ammonium sulfate and ammonium hydrogen phosphate, Organic acid salts such as ammonium acetate and sodium citrate are listed.
  • the mask (etching resist film) formed on the glass substrate 20 is removed.
  • the surface of the glass substrate 20 is again polished using a double-side polishing machine, and the glass substrate 20 is processed so as to have a plate thickness as designed.
  • the secondary polishing step is completed, at least one of the light transmitting portion T and the light scattering portion S of the glass substrate 20 has a thickness as designed.
  • an antireflection film 24 is formed on the front and back surfaces of the glass substrate 20.
  • other functional films such as an infrared cut film and an ultraviolet cut film may be formed as necessary.
  • the antireflection film 24 is not necessarily provided on both surfaces, and may be formed on at least one of the two light-transmitting surfaces of the glass substrate 20.
  • the method of forming the functional film is not particularly limited as long as a predetermined function can be realized.
  • a sputtering method for example, a sputtering method, a vacuum evaporation method, a thermal CVD method, a laser CVD method, a plasma CVD method, a molecular beam epitaxy method (MBE) Method), ion plating method, laser ablation method, chemical vapor deposition method (or CVD method) such as metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), sol-gel method, spin coating or screen printing coating method
  • a liquid phase growth method such as a plating method can also be applied.
  • the frame-like white turbid layer 21 (light scattering portion S) can be formed inside the near-infrared absorbing glass 10. Therefore, when such a near-infrared absorbing glass 10 is used as a window glass of the solid-state imaging device 100, ghosts and flares caused by unnecessary reflected light and stray light can be shielded by the light scattering portion S. There is no need to separately provide a light shielding member such as a light shielding tape.
  • a near-infrared absorbing glass (product name: CM5000, manufactured by HOYA CANDEO OPTRONICS, glass composition: fluorophosphate glass, size: L19.2 mm ⁇ W26.6 mm ⁇ T0.58 rectangular shape) was prepared.
  • the near-infrared absorbing glass was immersed in hydrofluoric acid (temperature 18 to 21 ° C.) containing 9.8% by weight of HF for 15 hours, then washed with peristaltic water and naturally dried, and 19.8% by weight of HF.
  • the evaluation of the cloudy layer 21 formed on each sample is classified into three modes (three states) from the viewpoint of color, gloss, and peelability, and the transmittance T (%) and reflectance R for each mode. (%), Haze value, and surface roughness Ra ( ⁇ m) were measured.
  • the white turbid layer 21 functions as a light shielding film was specified, and further, the conditions under which the white turbid layer 21 functioning as a light shielding film was formed were determined.
  • Table 1 shows the measurement results of the three modes of the cloudy layer 21, the transmittance T (%), the reflectance R (%), the haze value, and the surface roughness Ra ( ⁇ m), Max (maximum value), Min (minimum). Value) and Ave (average value).
  • “treatment time” represents etching time (that is, immersion time).
  • the cloudy layer 21 formed in the above-described sample has a clear white color, is glossy, has mode A that peels into large pieces, and has a cloudy color. It was found that there are three types of modes: mode B, which has a glossy appearance, and mode B which peels into small pieces, and mode C which has a cloudy color, has no gloss and does not peel.
  • “before processing” represents near-infrared absorbing glass before performing the etching step.
  • the transmittance T of the cloudy layer 21 of mode B and mode C was extremely high. It was found to be low (6.3% or less) and reflectivity R was low (4% or less). Further, it was found that the haze value of the white turbid layer 21 of mode B and mode C is as high as 90 to 98, and thus has a function of scattering light, but the relationship with the surface roughness Ra is It was not recognized from the experimental results. Thus, it was found from the effect confirmation experiment 1 that the mode B and the mode C cloudy layer 21 satisfy the predetermined characteristics and can be used as a light shielding film.
  • the standard of transmittance T “6.3% or less” is converted from the OD standard (OD ⁇ 1.2) of the light shielding film.
  • the data on transmittance T and reflectance R are the results of evaluation in the wavelength range of 400 to 700 nm.
  • Table 2 shows the results of determining the relationship between the etching process conditions, the ratio (occupancy) of the three modes of the cloudy layer 21 in the sample created under each etching condition, and the peeled area.
  • a near infrared ray absorbing glass (product name: CM5000, manufactured by HOYA CANDEO OPTRONICS, glass composition: fluorophosphate glass, dimensions) : L19.2 mm ⁇ W26.6 mm ⁇ T0.58 rectangular shape).
  • the near-infrared absorbing glass is composed of hydrofluoric acid containing 5% by weight of HF (temperature 18 to 21 ° C.), hydrofluoric acid containing 10% by weight (temperature 18 to 21 ° C.), and hydrofluoric acid containing 15% by weight (temperature).
  • Table 3 is a table showing the measurement results of the transmittance T (%) of the cloudy layer 21 of each sample as Max (maximum value), Min (minimum value), and Ave (average value).
  • Table 4 is a table showing the measurement results of the reflectance R (%) of the cloudy layer 21 of each sample in terms of Max (maximum value), Min (minimum value), and Ave (average value).
  • Table 5 is a table showing the measurement results of the haze value of the cloudy layer 21 of each sample as Max (maximum value), Min (minimum value), and Ave (average value).
  • “treatment time” represents etching time (that is, immersion time).
  • the etching conditions satisfying this are as follows.
  • cells having transmittance T ⁇ 6.3% are shown in gray.
  • the etching conditions satisfying this are as follows.
  • cells with reflectance R ⁇ 0.8% are shown in gray.
  • the immersion time is shorter as the hydrofluoric acid having a higher HF concentration is used. This is due to the fact that the higher the etching solution concentration, the faster the etching rate. However, when the etching solution concentration is too high, the etching rate becomes too high, resulting in large variations between samples. There is a problem that a stable product cannot be manufactured. On the other hand, when the concentration of the etching solution is too low, there is a problem that the immersion time becomes long and the production efficiency is lowered. Therefore, in consideration of product variation and production efficiency, it is preferable to use hydrofluoric acid containing 1 to 40% by weight of HF, and using hydrofluoric acid containing 2.5 to 30% by weight of HF. More preferred.
  • the cloudy layer 21 of this embodiment was demonstrated as what is provided in the entrance plane 12 side of the glass base material 20, it is not limited to such a structure.
  • the cloudy layer 21 may be formed on the emission surface 14 side.
  • the cloudy layer 21 may be formed in both the incident surface 12 side and the output surface 14 side.
  • the cloudy layer 21 can be formed on the side surface 16 in addition to the incident surface 12 side and the emission surface 14 side. If the configuration shown in FIGS.
  • the area of the cloudy layer 21 can be expanded in a range that does not affect the light incident through the normal optical path, so that more effective light shielding is performed.
  • Can do. 5 to 7 can be manufactured by the above-described manufacturing method if only the mask pattern used in the masking process is changed.
  • FIG. 8 is a side view of the near-infrared absorbing glass 10M according to the second embodiment of the present invention.
  • the near-infrared absorbing glass 10 ⁇ / b> M of the present embodiment has a light shielding layer 23 between the cloudy layer 21 and the antireflection film 24, and the near-infrared absorbing glass 10 according to the first embodiment. And different.
  • the light shielding layer 23 is a black ink layer having a thickness of about 10 ⁇ m formed by screen printing, is formed on the cloudy layer 21, and is not required to enter the surface of the glass substrate 20 (surface on the incident surface 12 side). Block out light.
  • FIG. 9 is a flowchart showing a method for manufacturing the near-infrared absorbing glass 10M according to the present embodiment.
  • the manufacturing method of the near-infrared absorbing glass 10M according to the present embodiment is the first implementation in that the printing process is performed before the film forming process after the secondary polishing process. It differs from the manufacturing method of the near-infrared absorption glass 10 which concerns on a form.
  • the printing process is a process of forming the light shielding layer 23 by so-called screen printing.
  • a screen having a pattern portion formed at a position corresponding to the cloudy layer 21 is placed on the surface of the glass substrate 20 (the surface on the incident surface 12 side), and black ink is pushed out of the pattern portion.
  • a light shielding layer 23 is formed thereon.
  • woven fabrics such as nylon, tetron, and stainless steel, can be used.
  • black ink solvent-based ink and UV-based ink can be used.
  • inkjet printing can be applied instead of screen printing.
  • the antireflection film 24 is formed on the front surface and the back surface of the glass substrate 20 by the film forming process described above, and the near-infrared absorbing glass 10M according to this embodiment is completed.
  • the light shielding layer 23 when the light shielding layer 23 is further provided on the cloudy layer 21, unnecessary light incident from the incident surface 12 can be reliably blocked by the light shielding layer 23. Further, as described above, since the surface of the white turbid layer 21 is roughened by etching, the light shielding layer 23 has high adhesion to the glass substrate 20 (that is, the white turbid layer 21) and peels off. It will be difficult.
  • the configuration in which the light shielding layer 23 is further provided on the cloudy layer 21 has been described.
  • the light shielding layer 23 is not necessarily formed so as to cover the cloudy layer 21, and the cloudy layer 21 is not necessarily formed. What is necessary is just to form in at least one part.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)

Abstract

　固体撮像素子に向かう光が入射する入射面と、光が透過して固体撮像素子に向かって出射される出射面とを表裏に備え、光の近赤外成分を吸収する板状の近赤外線吸収ガラスが、光が透過可能な光透過部と、入射面及び出射面の少なくとも一方の面上に、光透過部の外周を枠状に取り囲むように形成され、光の一部を散乱させる光散乱部と、を備える。

Description

近赤外線吸収ガラス、及びその製造方法
　本発明は、固体撮像素子の視感度補正に用いられる近赤外線吸収ガラスと、その製造方法に関する。
　従来、ＣＣＤやＣＭＯＳなどの固体撮像素子がデジタルスチルカメラ等に使用されている。このような固体撮像素子は、近紫外域から近赤外域にわたる分光感度を有しているため、近赤外線吸収ガラスを用いて入射光の近赤外線部分をカットし、人間の視感度に近くなるよう補正して色再現性を向上させている（例えば、特許文献１）。
　しかしながら、このような近赤外線吸収ガラス等の光学部品を撮像素子の前面に配置すると、近赤外線吸収ガラスの側面等で反射した光が撮像素子の撮像面に入射することにより、フレアやゴースト等が発生するといった問題が生ずる。
　かかる問題を解決するためには、ゴースト等の原因となる光の光路を遮断する対策が有効であり、従来、近赤外線吸収ガラス等の光学部品の表面又は裏面に墨塗り（黒く塗装する）を行ったり、黒色に着色されたフィルム状の遮光部材を貼付するなどして、不必要な光を遮光する対策が講じられている（例えば、特許文献２）。
特開平７－２８１０２１号公報 特開２０１２－１８６４３４号公報
　このように、遮光部材を用いて不必要な光を遮光する場合、正規の光路を通って入射する光を遮光しないように極めて高い位置精度で遮光部材を貼付（又は配置）する必要があるため、極めて慎重な作業が必要となる上、遮光部材の厚み分だけ近赤外線吸収ガラスが厚くなってしまうといった問題がある。また、遮光部材を近赤外線吸収ガラスに貼付する作業においては、近赤外線吸収ガラスの表面に埃を付着させたり、傷をつけたりする可能性がある上、貼付に失敗した場合の貼り直し作業においては、傷をつける可能性に加え、更に遮光テープの粘着剤が近赤外線吸収ガラスの表面に残留してしまうといった懸念もある。
　また、墨塗りによって不必要な光を遮光する場合も、正規の光路を通って入射する光を遮光しないように極めて高い位置精度で塗装する必要があるため、極めて慎重な作業が必要となり、生産性が低下するといった問題がある。また、墨塗りの工程においては、専用の治具等を用いて近赤外線吸収ガラスの表面に塗装を行うが、治具等が近赤外線吸収ガラスの表面に接触するため、遮光テープによる遮光と同様、傷の付着や埃の付着等が懸念される。また、使用する塗料によっては、塗料の厚みにムラができ、遮光性が不均一になるといった問題も発生する。
　本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、不要な反射光や迷光によって生じるゴーストやフレアを、墨塗りを行ったり、遮光部材を別途設けたりすることなく防止可能な固体撮像素子用の近赤外線吸収ガラス、及びその製造方法を提供することである。
　上記目的を達成するため、本発明の近赤外線吸収ガラスは、固体撮像素子に向かう光が入射する入射面と、光が透過して固体撮像素子に向かって出射される出射面とを表裏に備え、光の近赤外成分を吸収する板状の近赤外線吸収ガラスにおいて、光が透過可能な光透過部と、入射面及び出射面の少なくとも一方の面上に、光透過部の外周を枠状に取り囲むように形成され、光の一部を散乱させる光散乱部と、を備えることを特徴とする。
　このような構成によれば、近赤外線吸収ガラスに入射するゴースト等の原因となる光を光散乱部で遮光することができるため、不要な反射光や迷光によって生じるゴーストやフレアを、墨塗りを行ったり、遮光部材を別途設けたりすることなく防止することが可能となる。また、遮光部材等が不要となるので、光軸方向の寸法を抑えると共に、遮光部材等とガラス面との間での不要な反射も防止することが可能となる。
　また、光散乱部は、入射面及び出射面の少なくとも一方の面から近赤外線吸収ガラスの側面にわたって形成されていることが望ましい。このような構成によれば、近赤外線吸収ガラスの側面から入射される不要な光を遮断することができる。
　また、入射面と側面との間に、入射面と側面とをつなぐ第１の面取り部が形成されてもよい。
　また、出射面と側面との間に、入射面と側面とをつなぐ第２の面取り部が形成されてもよい。
　また、近赤外線吸収ガラスが、Ｃｕ２＋を含有するフツリン酸塩系ガラス、又はＣｕ２＋を含有するリン酸塩系ガラスからなることが望ましい。この場合、光散乱部が、近赤外線吸収ガラスをフッ素イオン、フッ素含有イオンの少なくとも何れか一方を含む溶液でエッチングすることによって形成される凹凸面であることが望ましい。また、この場合、フッ素イオンを含む溶液は、フッ化水素、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウムの少なくとも１つ以上を含む溶液であることが好ましい。
　また、光散乱部のＨａｚｅ値が９０以上であることが望ましい。
　また、光透過部の面積が、固体撮像素子の受光面の面積よりも大きくなるように構成することが望ましい。
　また、近赤外線吸収ガラスは、光透過部及び光散乱部を覆う機能膜を更に備えることができる。この場合、機能膜は、反射防止、赤外線カット、紫外線カットの少なくとも１つ以上の機能を有する光学薄膜であることが望ましい。
　また、機能膜は、９０ｎｍ～３００ｎｍの膜厚を有する反射防止膜を含むことが望ましい。
　また、機能膜は、２０００ｎｍ～６０００ｎｍの膜厚を有する赤外線カット膜を含むことが望ましい。また、この場合、赤外線カット膜が、さらに紫外線カット機能を備えるように構成することができる。
　また、近赤外線吸収ガラスは、光散乱部の少なくとも一部に形成され、光の一部を遮光する遮光層を更に備えることができる。このような構成によれば、近赤外線吸収ガラスに入射するゴースト等の原因となる光を確実に遮断できる。
　また、別の観点からは、本発明の近赤外線吸収ガラスの製造方法は、固体撮像素子に向かう光が入射する入射面と、光が透過して固体撮像素子に向かって出射される出射面とを表裏に備え、光の近赤外成分を吸収する板状の近赤外線吸収ガラスの製造方法において、近赤外線吸収ガラスの基材を所定の寸法に切断する工程と、切断された基材を面取りする工程と、面取りされた基材を所定の板厚寸法までラッピングする工程と、ラッピングされた基材の表面及び裏面を鏡面状に研磨する工程と、研磨された基材の表面及び裏面に光が透過可能な光透過部を形成すると共に、表面及び裏面の少なくとも一方の面上に、光透過部の外周を枠状に取り囲み光の一部を散乱させる光散乱部を形成する工程と、光透過部及び光散乱部が形成された基材の表面及び裏面を鏡面状に研磨する工程と、を具備することを特徴とする。
　また、光透過部及び光散乱部を形成する工程は、光透過部をマスキングする工程と、マスキングされた基材をエッチングする工程と、を具備することができる。
　また、基材は、Ｃｕ２＋を含有するフツリン酸塩系ガラス、又はＣｕ２＋を含有するリン酸塩系ガラスからなり、エッチングする工程は、マスキングされた基材をふフッ素イオン、フッ素含有イオンの少なくともいずれか一方を含む溶液によってエッチングすることができる。
　また、エッチングする工程は、基材の板厚方向で、１μｍ～５０μｍを加工することが望ましい。
　また、エッチングする工程は、マスキングされた基材を、フッ化水素を１～４０重量％含有するフッ酸水溶液に所定時間浸漬することが望ましい。
　以上のように、本発明によれば、不要な反射光や迷光によって生じるゴーストやフレアを、墨塗りを行ったり、遮光部材を別途設けたりすることなく防止可能な固体撮像素子用の近赤外線吸収ガラス、及びその製造方法が提供される。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る近赤外線吸収ガラスの平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る近赤外線吸収ガラスの側面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態に係る近赤外線吸収ガラスによって、固体撮像素子のパッケージの開口部が封止された固体撮像デバイスの縦断面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態に係る近赤外線吸収ガラスの製造方法を示す流れ図である。 図５は、本発明の第１の実施形態の変形例に係る近赤外線吸収ガラスの側面図である。 図６は、本発明の第１の実施形態の変形例に係る近赤外線吸収ガラスの側面図である。 図７は、本発明の第１の実施形態の変形例に係る近赤外線吸収ガラスの側面図である。 図８は、本発明の第２の実施形態に係る近赤外線吸収ガラスの側面図である。 図９は、本発明の第２の実施形態に係る近赤外線吸収ガラスの製造方法を示す流れ図である。
　以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、図中同一又は相当部分には同一の符号を付してその説明は繰り返さない。
（第１の実施形態）
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る近赤外線吸収ガラス１０の平面図である。図２は、本発明の第１の実施形態に係る近赤外線吸収ガラス１０の側面図である。また、図３は、本発明の第１の実施形態に係る近赤外線吸収ガラス１０によって、固体撮像素子５０のパッケージ６０の開口部が封止された固体撮像デバイス１００の縦断面図である。
　図１～図３に示すように、本実施形態の近赤外線吸収ガラス１０は、パッケージ６０を封止するカバーガラス３０と、光学擬似信号モアレを除去するローパスフィルタ２０との間に配置され、固体撮像デバイス１００に入射する入射光の近赤外部分を吸収するガラスである。近赤外線吸収ガラス１０は、カバーガラス３０とローパスフィルタ２０との間に、それぞれ僅かな隙間を空けて、接着によって固定されている。
　図３に示すように、近赤外線吸収ガラス１０は、カバーガラス３０及びローパスフィルタ２０と共に、ＣＣＤ（Charge-Coupled Device）やＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等の固体撮像素子５０を収容するパッケージ６０に取り付けられ、固体撮像素子５０に入射する入射光の光路中に配置される。
　図２に示すように、近赤外線吸収ガラス１０は、矩形板状の外観を呈しており、ローパスフィルタ２０を通った光が入射する入射面１２と、入射面１２に対向し入射面１２に入射した光が出射する出射面１４と、近赤外線吸収ガラス１０の外周縁を構成する側面１６とを有している。また、本実施形態の近赤外線吸収ガラス１０は、ガラス基材２０と、白濁層２１と、反射防止膜２４とから構成されている。
　ガラス基材２０は、Ｃｕ２＋を含有する赤外線吸収ガラス（Ｃｕ２＋を含有するフツリン酸塩系ガラスまたはＣｕ２＋を含有するリン酸塩系ガラス）である。一般に、フツリン酸塩系ガラスは、優れた耐候性を有しており、ガラス中にＣｕ２＋を添加することで、可視光域の高い透過率を維持したまま近赤外線を吸収することができる。このため、ガラス基材２０が固体撮像素子５０に入射する入射光の光路中に配置されると、一種のローパスフィルタとして機能し、固体撮像素子５０の分光感度が人間の視感度に近くなるよう補正される。なお、本実施形態のガラス基材２０に用いられるフツリン酸塩系ガラスは、公知のガラス組成を用いることができるが、特に、Ｌｉ＋、アルカリ土類金属イオン（例えば、Ｃａ２＋、Ｂａ２＋など）、希土類元素イオン（Ｙ３＋やＬａ３＋など）を含有する組成であることが好ましい。
　また、ガラス基材２０の表面と側面１６との間には、後述の外形加工工程で形成される面取り部２０ａ（第１の面取り部）が形成されている。また、ガラス基材２０の裏面と側面１６との間には、後述の外形加工工程で形成される面取り部２０ｂ（第２の面取り部）が形成されている。
　白濁層２１は、ガラス基材２０の入射面１２側をエッチングによって白濁させて凹凸面を形成した層である（詳細は後述）。なお、本明細書において、「白濁」とは、ガラス基材２０の表面がエッチングによって荒れた状態をいい、本実施形態においては、ガラス基材２０がＣｕ２＋を含むため、白濁層２１は鮮やかな青色（水色）となる。
　白濁層２１は、近赤外線吸収ガラス１０を平面視したときに、近赤外線吸収ガラス１０の外形に沿って枠状に形成されており、入射面１２から入射する入射光の一部を散乱させて遮光する機能を有している。本実施形態の白濁層２１は、Ｈａｚｅ値が９０以上であることが好ましく、Ｈａｚｅ値が９５以上であればより好ましい（後述）。つまり、本実施形態の近赤外線吸収ガラス１０には、中央部に矩形状に形成され、入射面１２から入射する光が出射面１４に透過する光透過部Ｔと、光透過部Ｔを枠状に包囲するように形成され、入射面１２から入射する光を散乱させる光散乱部Ｓとが形成されている。そして、光散乱部Ｓ（つまり、白濁層２１）によって、ゴースト等の原因となる光の光路を遮断している。なお、光透過部Ｔと光散乱部Ｓの大きさは、固体撮像デバイス１００の外側に配置されるレンズ等の光学素子や、固体撮像素子５０のサイズ及び近赤外線吸収ガラス１０のサイズに合わせて適宜決定されるが、光透過部Ｓの面積が、固体撮像素子５０の受光面の面積よりも大きくなるように構成される。
　反射防止膜２４は、ガラス基材２０の表面（入射面１２側の面）及び裏面（出射面１４側の面）での反射を防止するための機能膜であり、コーティング処理により成膜した厚さ（物理膜厚）９０ｎｍ～３００ｎｍの光学薄膜で構成されている。なお、膜構成としては、例えば、ＭｇＦ２の単層、ＺｒＯ２＋ＭｇＦ２の２層、Ａｌ２Ｏ３＋ＺｒＯ２＋ＭｇＦ２の３層構成のものを適用することが可能である。なお、別の実施形態としては、反射防止膜２４に代えて、又は反射防止膜２４と共に他の機能膜を成膜することも可能である。他の機能膜としては、例えば、紫外線をカットする膜厚２０００～６０００ｎｍの紫外線カット膜、赤外線をカットする膜厚２０００～６０００ｎｍの赤外線カット膜がある。なお、２０００ｎｍ～６０００ｎｍの膜厚を有する赤外線カット膜が、さらに紫外線カット機能を備えるように構成することもできる。
　次に、本実施形態の近赤外線吸収ガラス１０の製造方法について説明する。図４は、本実施形態に係る近赤外線吸収ガラス１０の製造方法を示す流れ図である。
　製造方法の概略を説明すると、先ず、素材であるガラス板を用意し、所定の寸法に切断してガラス基材２０を得る。次に、ガラス基材２０の外周面を面取り加工する。そして、面取りされたガラス基材２０をラッピングし、一次研磨を行う。次いで、白濁層２１を形成するために、マスキングした上で、エッチング処理し、マスクを除去して二次研磨を行う。そして、ガラス基材２０の表面及び裏面に反射防止膜２４を成膜する。このように、本実施形態に係る近赤外線吸収ガラス１０の製造方法は、一次研磨を行った後、反射防止膜２４を形成する前に、白濁層２１を形成するためのエッチング処理等の工程を備えることを特徴とする。
　ガラス板を所定の寸法に切断する工程（切断工程）では、所望の光学特性を備えたガラス組成からなるガラス板を用意し、外形寸法が最終形状と略同一となるように、公知の切断方法にて切断する。切断方法は、ダイヤモンドカッターにて切断線を刻設した後に折り割りする方法や、ダイシング装置にて切断する方法がある。なお、この工程で用いるガラス板は、ラッピングなどの粗研磨によって、最終形状に近い板厚寸法まで加工されたものを用いてもよい。ガラス板が切断されると、ガラス基材２０が得られる。
　ガラス基材２０の外周面を面取り加工する工程（外形加工工程）では、ガラス基材２０の外周の８つの稜線を研削する。研削は、例えば、回転研削砥石をガラス基材２０の各稜線に圧接させながら加工することによって行われる。外形加工工程が終了すると、ガラス基材２０の表面と側面１６との間に、表面と側面１６をつなぐ面取り部２０ａが形成され、またガラス基材２０の裏面と側面１６との間に、裏面と側面１６をつなぐ面取り部２０ｂが形成される。
　ラッピング工程では、両面研磨機を用いて、面取り加工されたガラス基材２０を所定の板厚寸法まで粗削りする。
　一次研磨工程では、両面研磨機を用いて、ラッピングされたガラス基材２０の表面を鏡面状に研磨する。一次研磨工程が終了すると、ガラス基材２０は設計値よりも若干厚い所定の寸法に加工され、表面及び裏面には平坦な光学作用面が形成される。
　マスキング工程では、ガラス基材２０の両面に所定のガラスエッチング用フォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィにより、光散乱部Ｓ（つまり、白濁層２１）以外の部分をマスキングする（つまり、エッチングレジスト膜を形成する）。
　エッチング工程では、マスキングが施されたガラス基材２０を所定の時間（例えば、１０時間以上）エッチング液に浸漬させる。エッチング液としては、例えば、フッ化水素（ＨＦ）を５～２０重量％含有したフッ酸の水溶液（以下、「フッ酸」という）が用いられる。上述したように、本実施形態のガラス基材２０は、Ｃｕ２＋を含有するフツリン酸塩系ガラスまたはＣｕ２＋を含有するリン酸塩系ガラスより形成されているため、ガラス基材２０をエッチング液（フッ酸）に浸漬させると、エッチング液に含まれるフッ素イオンＦ-とガラス基材２０に含まれる金属イオンとが反応し、フッ化物結晶として表面に堆積するため、ガラス基材２０の表面の光散乱部Ｓに相当する部分が白濁し、白濁層２１が形成される。なお、ガラス板をエッチングする際の加工量は、ガラスの板厚方向で、１μｍ～５０μｍであることが好ましく、２μｍ～３０μｍであることがより好ましい。また、エッチング液としては、フッ素イオン（Ｆ-）含む、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化水素ナトリウム、フッ化水素カリウム等の水溶液を適用することが可能である。また、エッチング液として、フッ素含有イオン（例えば、ＳｉＦ６ ２－）を含む、ヘキサフルオロケイ酸、ヘキサフルオロケイ酸アンモニウム、ヘキサフルオロチタン酸、ヘキサフルオロリン酸、テトラフルオロホウ酸等の溶液を適用することも可能である。また、エッチング液として、フッ素イオン又はフッ素含有イオンを含む水溶液に他の化合物を添加・混合した溶液を用いることもできる。この場合、添加可能な化合物としては、硫酸、硝酸、塩酸、リン酸などの無機酸、酢酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸などの有機酸、硫酸アンモニウム、リン酸水素アンモニウムなどの無機酸塩、酢酸アンモニウム、クエン酸ナトリウムなどの有機酸塩が挙げられる。
　マスク除去の工程では、ガラス基材２０上に形成されたマスク（エッチングレジスト膜）を除去する。
　二次研磨工程では、両面研磨機を用いて、再びガラス基材２０の表面を研磨し、ガラス基材２０が設計値通りの板厚となるように加工する。二次研磨工程が終了すると、ガラス基材２０の光透過部Ｔ又は光散乱部Ｓの少なくともいずれか一方が設計値通りの板厚となる。
　成膜工程では、ガラス基材２０の表面及び裏面に反射防止膜２４を成膜する。なお、上述したように、必要に応じて赤外線カット膜、紫外線カット膜等の他の機能膜を成膜してもよい。また、反射防止膜２４は、必ずしも両面に施されている必要はなく、ガラス基材２０の２つの透光面の少なくとも一方の面に形成されればよい。なお、機能膜の形成方法は、所定の機能を実現できれば特に限定されるものではなく、例えばスパッタリング法、真空蒸着法、あるいは熱ＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）、イオンプレーティング法、レーザーアブレーション法、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）等の化学的気相成長法（またはＣＶＤ法）、さらにゾル－ゲル法、スピンコーティングやスクリーン印刷の塗布法、またはメッキ法等の液相成長法も適用できる。
　以上のように、本実施形態の近赤外線吸収ガラス１０の製造方法によれば、近赤外線吸収ガラス１０の内部に枠状の白濁層２１（光散乱部Ｓ）を形成することができる。従って、このような近赤外線吸収ガラス１０を固体撮像デバイス１００の窓ガラスとして使用すると、不要な反射光や迷光によって生じるゴーストやフレアを光散乱部Ｓによって遮光することができるため、墨塗りを行ったり、遮光テープ等の遮光部材を別途設ける必要がなくなる。
〈効果確認実験１〉
　次に、白濁層２１を形成するためのエッチング条件等を求めるために本発明の発明者らが行った効果確認実験について説明する。
（実験方法）
　先ず、加工前（エッチング工程前）のガラス素材（ガラス基材２０）として、近赤外線吸収ガラス（製品名：ＣＭ５０００、ＨＯＹＡ　ＣＡＮＤＥＯ　ＯＰＴＲＯＮＩＣＳ社製、ガラス組成：フツリン酸塩ガラス、寸法：Ｌ１９．２ｍｍ×Ｗ２６．６ｍｍ×Ｔ０．５８の矩形状）を用意した。そして、この近赤外線吸収ガラスを、ＨＦを９．８重量％含有したフッ酸（温度１８～２１℃）に１５時間浸漬し、その後搖動水洗、自然乾燥させたサンプルと、ＨＦを１９．８重量％含有したフッ酸（温度１８～２１℃）に１時間、３時間、５時間、１５時間それぞれ浸漬し、その後搖動水洗、自然乾燥させたサンプルを作成した。そして、各サンプルに形成された白濁層２１について以下のような評価を行った。
（評価方法）
　各サンプル上に形成された白濁層２１の評価は、色、光沢、剥離性の観点から、３つのモード（３つの状態）に分類し、各モードについて、透過率Ｔ（％）、反射率Ｒ（％）、Ｈａｚｅ値、表面粗さＲａ（μｍ）を測定することによって行った。
　そして、得られた測定結果から、白濁層２１が遮光膜として機能するものを特定し、さらに遮光膜として機能する白濁層２１が形成される条件を求めた。
（実験結果）
　表１は、白濁層２１の３つのモードと、透過率Ｔ（％）、反射率Ｒ（％）、Ｈａｚｅ値、表面粗さＲａ（μｍ）の測定結果をＭａｘ（最大値）、Ｍｉｎ（最小値）、Ａｖｅ（平均値）で示した表である。なお、表１及び表２において、「処理時間」はエッチング時間（つまり、浸漬時間）を表している。表１に示すように、上述したサンプルに形成された白濁層２１は、清白色の色を有し、光沢が有り、大片状に剥離するモードＡと、白濁色の色を有し、軽微な光沢が有り、小片状に剥離するモードＢと、白濁色の色を有し、光沢がなく、剥離しないモードＣの３つの状態のものに分類されることが分かった。なお、表１中、「加工前」と記載したものは、エッチング工程を行う前の近赤外線吸収ガラスを表している。
　そして、これらの各モードに該当する白濁層２１について、透過率Ｔ、反射率Ｒ、Ｈａｚｅ値、表面粗さＲａを測定したところ、モードＢ及びモードＣの白濁層２１は、透過率Ｔが極めて低く（６．３％以下）、反射率Ｒも低い（４％以下）ことが分かった。また、モードＢ及びモードＣの白濁層２１のＨａｚｅ値は９０～９８と高く、これによって光を散乱させる機能を有していることが分かったが、表面粗さＲａとの関連性は、この実験結果からは認められなかった。このように、効果確認実験１によって、モードＢ及びモードＣの白濁層２１であれば、所定の特性を満たしており、遮光膜として使用可能であることが分かった。なお、表１中、透過率Ｔの規格「６．３％以下」は遮光膜のＯＤ規格（ＯＤ≧１．２）から換算したものである。また、表１中、透過率Ｔ及び反射率Ｒのデータは、波長４００～７００ｎｍの範囲で評価した結果である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表２は、エッチング工程の条件と、各エッチング条件で作成したサンプル内における白濁層２１の３つのモードの割合（占有率）と、剥離面積との関係を求めた結果である。
　表２から、ＨＦ濃度が同じフッ酸（つまり、１９．８重量％のＨＦを含有したフッ酸）であれば、処理時間（エッチング時間）が長い方が、モードＢ又はモードＣの状態の白濁層２１が多く得られるのが分かる。また、処理時間が長い方が剥離面積が少なく、安定した白濁層２１が得られるのが分かる。また、同じ処理時間（１５時間）であれば、ＨＦ濃度が低いフッ酸（つまり、９．８重量％のＨＦを含有したフッ酸）の方が、モードＣの状態の白濁層２１が多く得られるのが分かる。
　そして、この結果から、モードＣの状態の白濁層２１が１００％得られる、（１）９．８重量％のＨＦを含有したフッ酸で１５時間処理するエッチング条件、モードＢ及びモードＣの状態の白濁層２１が８０％得られる、（２）１９．８重量％のＨＦを含有したフッ酸で５時間処理するエッチング条件、モードＢ及びモードＣの状態の白濁層２１が９５％得られる、（３）１９．８重量％のＨＦを含有したフッ酸で１５時間処理するエッチング条件が、遮光膜として機能する白濁層２１を安定して得るためのエッチング条件として好適であることが分かった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
〈効果確認実験２〉
　このように、上述の効果確認実験１によって、所定濃度のＨＦを含有したフッ酸に所定時間浸漬することで（つまり、エッチング条件をコントロールすることで）、モードＢ又はモードＣの状態の白濁層２１を安定して得ることができることが分かった。そこで、ＨＦ濃度と、浸漬時間とを変化させて、安定した白濁層２１を得るための最適な条件を調べた。
（実験方法・評価方法）
　効果確認実験１と同様、加工前（エッチング工程前）のガラス素材（ガラス基材２０）として、近赤外線吸収ガラス（製品名：ＣＭ５０００、ＨＯＹＡ　ＣＡＮＤＥＯ　ＯＰＴＲＯＮＩＣＳ社製、ガラス組成：フツリン酸塩ガラス、寸法：Ｌ１９．２ｍｍ×Ｗ２６．６ｍｍ×Ｔ０．５８の矩形状）を用意した。そして、この近赤外線吸収ガラスを、ＨＦを５重量％含有したフッ酸（温度１８～２１℃）、１０重量％含有したフッ酸（温度１８～２１℃）、１５重量％含有したフッ酸（温度１８～２１℃）及び２０重量％含有したフッ酸（温度１８～２１℃）に、それぞれ４時間、６時間、８時間、１０時間、１５時間浸漬し、その後搖動水洗、自然乾燥させたサンプルを作成した。そして、各サンプルに形成された白濁層２１について透過率Ｔ（％）、反射率Ｒ（％）、Ｈａｚｅ値を測定した。
（実験結果）
　表３は、各サンプルの白濁層２１の透過率Ｔ（％）の測定結果をＭａｘ（最大値）、Ｍｉｎ（最小値）、Ａｖｅ（平均値）で示した表である。表４は、各サンプルの白濁層２１の反射率Ｒ（％）の測定結果をＭａｘ（最大値）、Ｍｉｎ（最小値）、Ａｖｅ（平均値）で示した表である。表５は、各サンプルの白濁層２１のＨａｚｅ値の測定結果をＭａｘ（最大値）、Ｍｉｎ（最小値）、Ａｖｅ（平均値）で示した表である。なお、表３～表５において、「処理時間」はエッチング時間（つまり、浸漬時間）を表している。
　遮光膜として機能する白濁層２１の透過率Ｔの条件を、透過率Ｔ≦６．３％とすると、表３から、これを満たすエッチング条件は、以下の通りとなる。なお、表３中、透過率Ｔ≦６．３％のセルを灰色で示す。
（１）５重量％のＨＦを含有したフッ酸に１５時間以上浸漬すること。
（２）１０重量％のＨＦを含有したフッ酸に１０時間以上浸漬すること。
（３）１５重量％のＨＦを含有したフッ酸に４時間以上浸漬すること。
（４）２０重量％のＨＦを含有したフッ酸に４時間以上浸漬すること。
　また、遮光膜として機能する白濁層２１の反射率Ｒの条件を、反射率Ｒ≦０．８％とすると、表４から、これを満たすエッチング条件は、以下の通りとなる。なお、表４中、反射率Ｒ≦０．８％のセルを灰色で示す。
（１）５重量％のＨＦを含有したフッ酸に１５時間以上浸漬すること。
（２）１０重量％のＨＦを含有したフッ酸に１０時間以上浸漬すること。
（３）１５重量％のＨＦを含有したフッ酸に４時間以上浸漬すること。
（４）２０重量％のＨＦを含有したフッ酸に４時間以上浸漬すること。
　以上のことから、遮光膜として機能する白濁層２１を得るためには、上記（１）～（４）のいずれかのエッチング条件を満たせば良く、このエッチング条件を満たすとき、白濁層２１のＨａｚｅ値は、９０以上となっていることが分かった（表５）。なお、表５中、Ｈａｚｅ値≧９０のセルを灰色で示す。
　また、上記結果から、ＨＦ濃度が高いフッ酸を用いるほど浸漬時間が短くてすむことがわかる。これは、エッチング液の濃度が高いほどエッチング速度が速まることに因るものであるが、エッチング液の濃度が高すぎる場合には、エッチング速度が速くなりすぎて、サンプル間のバラツキが大きくなり、安定した製品を製造することができなくなるといった問題がある。また、一方で、エッチング液の濃度が低すぎる場合には、浸漬時間が長くなり、生産効率が低下するといった問題がある。従って、製品のバラツキ及び生産効率を考慮すると、１～４０重量％のＨＦを含有したフッ酸を使用するのが好ましく、２．５～３０重量％のＨＦを含有したフッ酸を使用するのがより好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　以上が本発明の実施形態の説明であるが、本発明は、上記の実施形態の構成に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で様々な変形が可能である。例えば、本実施形態の白濁層２１は、ガラス基材２０の入射面１２側に設けられるものとして説明したが、このような構成に限定されるものではない。例えば、図５に示すように、白濁層２１は出射面１４側に形成されてもよい。また、図６に示すように、白濁層２１は入射面１２側と出射面１４側の両方に形成されてもよい。また、図７に示すように、白濁層２１は、入射面１２側と出射面１４側に加え、さらに側面１６に形成することもできる。図５～図７に示すような構成にすれば、白濁層２１の領域を正規の光路を通って入射する光に影響を与えない範囲で拡げることができるため、より効果的な遮光を行なうことができる。なお、図５～図７に示す変形例の白濁層２１は、マスキング工程で使用するマスクパターンのみ変更すれば、上述の製造方法により製造できる。
（第２の実施形態）
　図８は、本発明の第２の実施形態に係る近赤外線吸収ガラス１０Ｍの側面図である。
　図８に示すように、本実施形態の近赤外線吸収ガラス１０Ｍは、白濁層２１と反射防止膜２４との間に遮光層２３を有する点で、第１の実施形態に係る近赤外線吸収ガラス１０と異なる。
　遮光層２３は、スクリーン印刷によって形成された厚さ約１０μｍの黒色のインク層であり、白濁層２１の上に形成され、ガラス基材２０の表面（入射面１２側の面）に入射する不要光を遮光する。
　図９は、本実施形態に係る近赤外線吸収ガラス１０Ｍの製造方法を示す流れ図である。
　図９に示すように、本実施形態に係る近赤外線吸収ガラス１０Ｍの製造方法は、二次研磨工程を行った後、成膜工程を行う前に、印刷工程を行う点で、第１の実施形態に係る近赤外線吸収ガラス１０の製造方法と異なる。
　印刷工程は、いわゆるスクリーン印刷によって、遮光層２３を形成する工程である。白濁層２１に対応する位置にパターン部が形成されたスクリーンを、ガラス基材２０の表面（入射面１２側の面）に載置し、黒色のインクをパターン部から押し出して、白濁層２１の上に遮光層２３を形成する。なお、スクリーンとしては、ナイロン、テトロン、ステンレス等の織物を使用することができる。また、黒色のインクとしては、溶剤系インク、ＵＶ系インクを用いることができる。また、別の実施形態としては、スクリーン印刷に代えて、インクジェット印刷を適用することも可能である。
　そして、印刷工程の後、上述の成膜工程によって、ガラス基材２０の表面及び裏面に反射防止膜２４が形成され、本実施形態に係る近赤外線吸収ガラス１０Ｍが完成する。
　このように、白濁層２１の上にさらに遮光層２３を設けると、入射面１２から入射する不要光を遮光層２３によって確実に遮断できる。また、上述したように、白濁層２１の表面は、エッチングによって荒れた状態となっているため、遮光層２３は、ガラス基材２０（つまり、白濁層２１）との密着性が高く、剥離し難いものとなる。
　なお、本実施形態においては、白濁層２１の上にさらに遮光層２３を設ける構成について説明したが、遮光層２３は、必ずしも白濁層２１を覆うように形成される必要はなく、白濁層２１の少なくとも一部に形成されればよい。
　なお、今回開示された実施の形態は、全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。

Claims (20)

  1. 　固体撮像素子に向かう光が入射する入射面と、前記光が透過して前記固体撮像素子に向かって出射される出射面とを表裏に備え、前記光の近赤外成分を吸収する板状の近赤外線吸収ガラスにおいて、
    　前記光が透過可能な光透過部と、
    　前記入射面及び前記出射面の少なくとも一方の面上に、前記光透過部の外周を枠状に取り囲むように形成され、前記光の一部を散乱させる光散乱部と、
    を備えることを特徴とする近赤外線吸収ガラス。
  2. 　前記光散乱部は、前記入射面及び前記出射面の少なくとも一方の面から前記近赤外線吸収ガラスの側面にわたって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の近赤外線吸収ガラス。
  3. 　前記入射面と前記側面との間に、該入射面と該側面とをつなぐ第１の面取り部が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の近赤外線吸収ガラス。
  4. 　前記出射面と前記側面との間に、該入射面と該側面とをつなぐ第２の面取り部が形成されていることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の近赤外線吸収ガラス。
  5. 　前記近赤外線吸収ガラスが、Ｃｕ２＋を含有するフツリン酸塩系ガラス、又はＣｕ２＋を含有するリン酸塩系ガラスからなることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の近赤外線吸収ガラス。
  6. 　前記光散乱部が、前記近赤外線吸収ガラスをフッ素イオン、フッ素含有イオンの少なくともいずれか一方を含む溶液でエッチングすることによって形成される凹凸面であることを特徴とする請求項５に記載の近赤外線吸収ガラス。
  7. 　前記溶液は、フッ化水素、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウムの少なくとも１つ以上を含む溶液であることを特徴とする請求項６に記載の近赤外吸収ガラス。
  8. 　前記光散乱部のＨａｚｅ値が９０以上であることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の近赤外線吸収ガラス。
  9. 　前記光透過部の面積が、前記固体撮像素子の受光面の面積よりも大きいことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の近赤外線吸収ガラス。
  10. 　前記光透過部及び前記光散乱部を覆う機能膜を更に備えることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の近赤外線吸収ガラス。
  11. 　前記機能膜は、反射防止、赤外線カット、紫外線カットの少なくとも１つ以上の機能を有する光学薄膜であることを特徴とする請求項１０に記載の近赤外線吸収ガラス。
  12. 　前記機能膜は、９０ｎｍ～３００ｎｍの膜厚を有する反射防止膜を含むことを特徴とする請求項１１に記載の近赤外線吸収ガラス。
  13. 　前記機能膜は、２０００ｎｍ～６０００ｎｍの膜厚を有する赤外線カット膜を含むことを特徴とする請求項１１又は請求項１２に記載の近赤外線吸収ガラス。
  14. 　前記赤外線カット膜が、さらに紫外線カット機能を備えることを特徴とする請求項１３に記載の近赤外線吸収ガラス。
  15. 　前記光散乱部の少なくとも一部に形成され、前記光の一部を遮光する遮光層を更に備えることを特徴とする請求項１から請求項１４のいずれか一項に記載の近赤外線吸収ガラス。
  16. 　固体撮像素子に向かう光が入射する入射面と、前記光が透過して前記固体撮像素子に向かって出射される出射面とを表裏に備え、前記光の近赤外成分を吸収する板状の近赤外線吸収ガラスの製造方法において、
    　前記近赤外線吸収ガラスの基材を所定の寸法に切断する工程と、
    　前記切断された基材を面取りする工程と、
    　前記面取りされた基材を所定の板厚寸法までラッピングする工程と、
    　前記ラッピングされた基材の表面及び裏面を鏡面状に研磨する工程と、
    　前記研磨された基材の表面及び裏面に前記光が透過可能な光透過部を形成すると共に、前記表面及び前記裏面の少なくとも一方の面上に、前記光透過部の外周を枠状に取り囲み前記光の一部を散乱させる光散乱部を形成する工程と、
    　前記光透過部及び前記光散乱部が形成された基材の表面及び裏面を鏡面状に研磨する工程と、
    を具備することを特徴とする近赤外線吸収ガラスの製造方法。
  17. 　前記光透過部及び前記光散乱部を形成する工程は、
    　　前記光透過部をマスキングする工程と、
    　　前記マスキングされた基材をエッチングする工程と、
    を具備することを特徴とする請求項１６に記載の近赤外線吸収ガラスの製造方法。
  18. 　前記基材は、Ｃｕ２＋を含有するフツリン酸塩系ガラス、又はＣｕ２＋を含有するリン酸塩系ガラスからなり、
    　前記エッチングする工程は、前記マスキングされた基材をフッ素イオン、フッ素含有イオンの少なくともいずれか一方を含む溶液によってエッチングすることを特徴とする請求項１７に記載の近赤外線吸収ガラスの製造方法。
  19. 　前記エッチングする工程は、前記基材の板厚方向で、１μｍ～５０μｍを加工することを特徴とする請求項１７又は請求項１８に記載の近赤外線吸収ガラスの製造方法。
  20. 　前記エッチングする工程は、前記マスキングされた基材を、フッ化水素を１～４０重量％含有するフッ酸水溶液に所定時間浸漬することを特徴とする請求項１８又は請求項１９に記載の近赤外線吸収ガラスの製造方法。
PCT/JP2014/059460 2013-04-01 2014-03-31 近赤外線吸収ガラス、及びその製造方法 WO2014163040A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020157027925A KR101908575B1 (ko) 2013-04-01 2014-03-31 근적외선 흡수 유리 및 그 제조 방법
CN201480018208.4A CN105122453B (zh) 2013-04-01 2014-03-31 近红外线吸收玻璃及其制造方法
JP2015510077A JP5947976B2 (ja) 2013-04-01 2014-03-31 近赤外線吸収ガラス、及びその製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-076502 2013-04-01
JP2013076502 2013-04-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014163040A1 true WO2014163040A1 (ja) 2014-10-09

Family

ID=51658336

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2014/059460 WO2014163040A1 (ja) 2013-04-01 2014-03-31 近赤外線吸収ガラス、及びその製造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5947976B2 (ja)
KR (1) KR101908575B1 (ja)
CN (1) CN105122453B (ja)
TW (1) TWI616420B (ja)
WO (1) WO2014163040A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016092388A (ja) * 2014-11-02 2016-05-23 Ｈｏｙａ Ｃａｎｄｅｏ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ株式会社 光学素子
CN106851075A (zh) * 2017-03-31 2017-06-13 维沃移动通信有限公司 一种摄像头装饰圈的加工方法
JPWO2017111091A1 (ja) * 2015-12-24 2018-03-29 パナソニック株式会社 ガラス用研磨液および研磨方法
WO2020179312A1 (ja) * 2019-03-05 2020-09-10 株式会社Ｎｓｃ ガラス用エッチング液およびガラス基板製造方法
WO2021018726A1 (de) * 2019-07-31 2021-02-04 Leica Camera Ag Sensoreinheit

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016149743A (ja) 2015-02-15 2016-08-18 スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. 整合ネットワークの排除によりサイズが低減された電力増幅器
TWI597481B (zh) * 2015-12-22 2017-09-01 閤康生物科技股份有限公司 樣本收集元件及其製作方法
WO2017124664A1 (en) 2016-01-21 2017-07-27 3M Innovative Properties Company Optical camouflage filters
EP3405818A4 (en) * 2016-01-21 2020-01-01 3M Innovative Properties Company OPTICAL CAMOUFLAGE FILTER
CN106597590A (zh) * 2017-01-13 2017-04-26 广州市佳禾光电科技有限公司 一种低内反射复合基材及其制造方法
CN116354609B (zh) * 2023-03-08 2023-09-22 东莞市吉田光学玻璃有限公司 一种用于人脸识别玻璃面板的防眩晕处理工艺

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007288025A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Dainippon Printing Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
JP2008166632A (ja) * 2006-12-29 2008-07-17 Manabu Bonshihara 固体撮像装置及びその製造方法並びにカメラモジュール
JP2010168262A (ja) * 2008-03-31 2010-08-05 Asahi Glass Co Ltd 板状光学ガラス及び板状光学ガラスの端面処理方法
JP2012099733A (ja) * 2010-11-04 2012-05-24 Asahi Glass Co Ltd 板状ガラスおよびその製造方法
JP2013038164A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Sony Corp 固体撮像装置、電子機器

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4838501B2 (ja) * 2004-06-15 2011-12-14 富士通セミコンダクター株式会社 撮像装置及びその製造方法
JP2007099604A (ja) 2005-09-06 2007-04-19 Hoya Corp 近赤外線吸収ガラス、それを備えた近赤外線吸収素子および撮像装置
CN1944302A (zh) * 2005-09-06 2007-04-11 Hoya株式会社 近红外吸收玻璃，具有其的近红外吸收元件以及图像传感器件
JP2007091537A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Hoya Corp 近赤外光吸収ガラス材ロットおよびそれを用いる光学素子の製造方法
US20070108900A1 (en) * 2005-11-15 2007-05-17 Boek Heather D Method and apparatus for the elimination of interference fringes in an OLED device
JP5379473B2 (ja) * 2006-04-14 2013-12-25 Ｈｏｙａ Ｃａｎｄｅｏ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ株式会社 銅含有偏光ガラスおよび光アイソレーター
JP5407490B2 (ja) * 2008-03-31 2014-02-05 旭硝子株式会社 固体撮像素子パッケージ用窓ガラス
FR3021432B1 (fr) * 2014-05-20 2017-11-10 Bull Sas Processeur a instructions conditionnelles

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007288025A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Dainippon Printing Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
JP2008166632A (ja) * 2006-12-29 2008-07-17 Manabu Bonshihara 固体撮像装置及びその製造方法並びにカメラモジュール
JP2010168262A (ja) * 2008-03-31 2010-08-05 Asahi Glass Co Ltd 板状光学ガラス及び板状光学ガラスの端面処理方法
JP2012099733A (ja) * 2010-11-04 2012-05-24 Asahi Glass Co Ltd 板状ガラスおよびその製造方法
JP2013038164A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Sony Corp 固体撮像装置、電子機器

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016092388A (ja) * 2014-11-02 2016-05-23 Ｈｏｙａ Ｃａｎｄｅｏ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ株式会社 光学素子
JPWO2017111091A1 (ja) * 2015-12-24 2018-03-29 パナソニック株式会社 ガラス用研磨液および研磨方法
CN106851075A (zh) * 2017-03-31 2017-06-13 维沃移动通信有限公司 一种摄像头装饰圈的加工方法
WO2020179312A1 (ja) * 2019-03-05 2020-09-10 株式会社Ｎｓｃ ガラス用エッチング液およびガラス基板製造方法
JP2020142941A (ja) * 2019-03-05 2020-09-10 パナソニック株式会社 ガラス用エッチング液およびガラス基板製造方法
WO2021018726A1 (de) * 2019-07-31 2021-02-04 Leica Camera Ag Sensoreinheit
US12094902B2 (en) 2019-07-31 2024-09-17 Leica Camera Ag Image sensor assembly

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2014163040A1 (ja) 2017-02-16
TWI616420B (zh) 2018-03-01
KR101908575B1 (ko) 2018-10-17
CN105122453B (zh) 2018-08-10
KR20150138231A (ko) 2015-12-09
TW201504182A (zh) 2015-02-01
JP5947976B2 (ja) 2016-07-06
CN105122453A (zh) 2015-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5947976B2 (ja) 近赤外線吸収ガラス、及びその製造方法
KR102061477B1 (ko) 근적외선 커트 필터
KR102569093B1 (ko) 광 필터
KR20180062389A (ko) 실리콘-게르마늄계 광학 필터
KR101908541B1 (ko) 투명 기판
US10241245B2 (en) Optical filter and method for manufacturing optical filter
JP6790831B2 (ja) 光学フィルタ及び撮像装置
US20150358601A1 (en) Optical Filter on Objective Lens for 3D Cameras
JP2010197595A (ja) 近赤外線カットフィルタガラスおよびその製造方法
KR101988934B1 (ko) 광학 소자
TWI597252B (zh) 紅外線吸收玻璃晶圓及其製造方法
JP2012014133A (ja) 多機能付偏光フィルター及び多機能付偏光フィルターの製造方法
JP2016015479A (ja) 光学素子
WO2007074977A1 (en) Photodiode for image sensor and method of manufacturing the same
KR101985813B1 (ko) 광학 소자
JP6312260B2 (ja) 光学素子
CN204536583U (zh) 光学元件
JP2015011319A (ja) 近赤外線カットフィルタ
JP2012099733A (ja) 板状ガラスおよびその製造方法
KR100627671B1 (ko) 이동통신단말기의 카메라 모듈 및 그 제조방법
KR200381637Y1 (ko) 이동통신단말기의 카메라 모듈
JP2007238403A (ja) ガラス基板の切断方法及び光学ガラス
JP2006031029A (ja) フィルターレンズを備える撮像レンズアセンブリ

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 14778078

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

DPE1 Request for preliminary examination filed after expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101)
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2015510077

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20157027925

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 14778078

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1