TWI597481B - 樣本收集元件及其製作方法 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種樣本收集元件及其製作方法,且特別是有關於一種具有遮光件的樣本收集元件及其製作方法。
隨著顯微科技的進步,各種類型的顯微觀察裝置,例如原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope, AFM)、電子顯微鏡如穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope, TEM)、掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscopy, SEM)等,因應而生。此外,針對不同的顯微鏡需要相應的不同類型的樣本收集元件。
然而,在目前的樣本收集元件中,當液態樣本注入樣本收集元件的樣本容納空間的前後,液態樣本常常由於外界光線的照射之後,提供液態樣本能量或導致其溫度變化,造成該液態樣本改變其流動特性,或使得液體樣本內的成分產生反應,甚而發生樣本成分變質的情形,進而影響顯示裝置最後觀測的結果。
本發明提供一種樣本收集元件,其能在液體樣本注入樣本收集元件的前後提供有效的光遮蔽。
本發明提供一種樣本收集元件的製造方法,其可於樣本收集元件的本體上另外配置可移除遮光件,以遮蔽至少部份通過樣本收集元件的容納空間的光線。
本發明提供一種樣本收集元件的製造方法,其能製作出本身具有可移除遮光件的樣本收集元件,用以遮蔽通過其容納空間的至少部份光線。
本發明的樣本收集元件包括本體以及可移除遮光件。本體具有可封閉且可供光線通過的樣本容納空間。可移除遮光件配置於本體上,並且位於樣本容納空間之外,用以遮蔽通過樣本容納空間的至少部分光線。
本發明的樣本收集元件的製作方法包括接合第一基板至第二基板,並且在第一基板及第二基板之間形成間隔物,用以連接並且固定第一基板與第二基板,以在第一基板與第二基板之間形成可封閉且可供光線通過的樣本容納空間。形成可移除遮光件於第一基板上。可移除遮光件對應樣本容納空間,用以遮蔽通過樣本容納空間的至少部份光線。
本發明的樣本收集元件的製作方法包括提供第一基板。在製作第一基板的過程中形成可移除遮光件於第一基板上。接合第一基板至第二基板。在第一基板與第二基板之間形成間隔物,用以連接並固定第一基板與第二基板,以在第一基板與第二基板之間形成可封閉且可供光線通過的樣本容納空間。可移除遮光件對應於樣本容納空間,用以遮蔽通過樣本容納空間的至少部分光線。
在本發明的一實施例中,上述的可移除遮光件包括片材。片材附加於本體上,並且覆蓋至少一部份樣本容納空間。
在本發明的一實施例中,上述的可移除遮光件包括對應於樣本容納空間的凹陷。用以形成暴露樣本容納空間的觀測窗。片材密封凹陷,以在凹陷內形成具有特定氣壓的密閉空間。
在本發明的一實施例中,上述的可移除遮光件包括材料層。材料層覆蓋本體表面以及至少部份的樣本容納空間。
在本發明的一實施例中,上述的可移除遮光件包括於本體同時製作的結構件。結構件藉由連接部連接於本體。
在本發明的一實施例中,上述的本體包括對應樣本容納空間的凹陷,用以形成曝露樣本容納空間的觀測窗。可移除遮光件包括材料層,其位於觀測窗的底面並且延伸至樣本容納空間與本體之間的部份接面。
在本發明的一實施例中,上述的本體包括第一基板、第二基板以及間隔件。第一基板具有相對的第一表面以及第二表面。第二基板具有相對的第三表面以及第四表面。第一基板與第二基板相互堆疊,並且第二表面面向第三表面。間隔件配置於第二表面與第三表面之間,用以連接並固定第一基板與第二基板,
以在第一基板與第二基板之間形成樣本容納空間。
在本發明的一實施例中,上述的本體還包括第一薄膜以及第二薄膜。第一薄膜位於第一基板的第二表面。第二薄膜位於第二基板的第三表面。第一薄膜、第二薄膜以及間隔件共同包圍樣本容納空間。
在本發明的一實施例中,上述的第一基板包括位於第一表面的第一凹陷,且第一凹陷的底部連接第一薄膜,用以形成暴露樣本容納空間的觀測窗。可移除遮光件包括材料層。材料層位於觀測窗的底面並且延伸至樣本容納空間與本體之間的部份接面。
在本發明的一實施例中,上述的第二基板包括位於第四表面的第二凹陷。第二凹陷的底部連接第二薄膜,用以形成暴露樣本容納空間的第二觀測窗。
在本發明的一實施例中,上述的遮光件包括濾光材料或光閥元件。
在本發明的一實施例中,上述的可移除遮光件的材質是金、銅、或鋁等導體,或是矽、塑膠、陶瓷、或高分子材料等半導體或非導體。
在本發明的一實施例中,上述的濾光材料用以濾除波長介於100奈米至1毫米之間的光線。
在本發明的一實施例中,上述形成可移除遮光件的方法包括附加片材於第一基板上。片材覆蓋至少部份的樣本容納空間。
在本發明的一實施例中,上述的片材的材質是金、銅、或鋁等導體,或是矽、塑膠、陶瓷、或高分子材料等半導體或非導體。
在本發明的一實施例中,上述樣本收集元件的製作方法還包括在第一基板的第一表面形成對應於樣本容納空間的凹陷,用以形成暴露樣本容納空間的觀測窗。片材密封凹陷,以在凹陷內形成具有特定氣壓的密閉空間。
在本發明的一實施例中,上述的附加片材於第一基板的方法包括由第一基板外部疊黏合、夾合或靜電吸附片材於第一基板上。
在本發明的一實施例中,上述形成可移除遮光件的方法包括形成材料層於第一基板的第一表面。材料層覆蓋至少部份的樣本容納空間。
在本發明的一實施例中,上述形成材料層的方法包括蒸鍍、濺鍍或是塗佈材料層於第一基板上。
在本發明的一實施例中,上述的可移除遮光件包括與第一基板同時製作的結構件,並且結構件藉由連接部連接第一基板。
在本發明的一實施例中,上述的樣本收集元件的製作方法還包括在第一基板的第一表面形成對應樣本容納空間的凹陷,用以形成暴露樣本容納空間的觀測窗。可移除遮光件包括材料層。材料層位於觀測窗的底面並且延伸至樣本容納空間與第一基板之間的部份接面。
基於上述,本發明的樣本收集元件藉由可移除遮光件來遮蔽並過濾至少部份穿透本體進入樣本容納空間的光線。因此,在液態樣本載入樣本收集元件中的樣本容納空間的前後,液態樣本可藉由可移除遮光件的光遮蔽避免液態樣本內的成分與入射光線產生反應,而使得液態樣本改變其流動特性,或是成分性質發生改變,而影響後續顯微裝置的觀測結果。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A是依照本發明的一實施例的樣本收集元件的示意圖。圖1B是圖1A的樣本收集元件沿A-A’面的剖面圖。樣本收集元件100可具有本體110以及可移除遮光件120。在本實施例中,本體110具有可封閉的樣本容納空間130,並且樣本容納空間130可供光線通過的。此外,可移除遮光件120配置於本體100上並且位於樣本容納空間130之外。
在本實施例中,可移除遮光件120例如是片材,其附加於本體100上,並且覆蓋部分的樣本容納空間130。此外,前述的片材可以金、銅或鋁等導體材料製成。或者,片材也可以矽、塑膠、陶瓷或高分子導體或半導體材料製成。舉例而言,可移除遮光件120可為銅箔,其可以黏合、夾合或靜電吸附的方式貼合於本體110的表面111上。此外,在本實施例中,可移除遮光件120也可為金或鋁等金屬所組成的材料層,其例如是以濺鍍、蒸鍍或旋塗的方式形成並且覆蓋於本體110的表面111以及部份的樣本容納空間130。
可移除遮光件120可包括例如是以有機材料及金屬材料形成的濾光元件,或以例如是液晶材料形成的光閥元件。可移除遮光件120可藉由過濾、吸收或是反射光線的方式來達到遮蔽部分穿透進入本體110的光線的效果。當可移除遮光件120是以濾光材料形成時,可移除遮光件120所遮蔽的光線的波長範圍例如是落在100奈米至1毫米之間的範圍,也就是落在紫外光(UVC)與遠紅外線(LWIR)之間的範圍。
在本實施例中,由於樣本收集元件100的本體110上具有可移除遮光件120,因此,當欲進行觀測的液態樣本載入樣本容納空間130前後,可移除遮光件120暫時性地覆蓋固定於本體110上,以防止包括可見光,例如是紫外光,或是不可見光,例如是紅外光等穿透樣本收集元件100的本體110,並且照射至樣本容納空間130內,而使得液態樣本的成分由於光線照射而產生反應或性質的改變。此外,當液態樣本載入完成之後,將可移除遮光件120移除,以便利例如是電子顯微鏡的顯微裝置進行樣品的觀察。此外,在本實施例中,樣本容納空間130的外圍可進一步配置薄膜118,以作為樣本容納空間130與液態樣本接觸的表面,以增進液態樣本於樣本容納空間130內流動或吸附的情形。
在本實施例中,當液態樣本完成載入於樣本容納空間130後,可移除遮光件120可根據不同的組成結構、材料以及形成方式藉由物理方式,例如是外力、加入電流或電場以及溫度改變等,或是化學方式,例如溶解、蝕刻或是其他的化學反應等,將可移除遮光件120去除。
圖2是依照本發明的另一實施例的樣本收集元件的示意圖。本實施例的樣本收集元件200與前述實施例的樣本收集元件100結構相似,因此相同或相似的元件以相同或相似的符號表示,並且於此不再重複贅述。本實施例中,樣本收集元件200的本體110可進一步包括對應於樣本容納空間130的凹陷,以形成暴露出樣本容納空間130的觀測窗213。此外,在本實施例中,樣本收集元件200具有可移除遮蔽件220,並且可移除遮蔽件220可為片材。片材可用來密封上述形成觀測窗213的凹陷,並且在凹陷內形成具有特定壓力的密閉空間,其壓力的大小約是介於0.01至150仟帕(KPa)之間。舉例而言,前述密閉空間的壓力大小可小於或大於外界壓力大小,使可移除遮光件220藉由內外的壓力差更加穩固地貼附於本體100的表面111上,以於密閉空間內形成氣密空間。
圖3是依照本發明的另一實施例的樣本收集元件的示意圖。本實施例的樣本收集元件300與前述圖2的實施例的樣本收集元件200的結構相似,因此相同或相似的元件以相同或相似的符號表示,並且於此不再重複贅述。本實施例的樣本收集元件300與前述實施例中的樣本收集元件200的差異在於本實施例的可移除遮光件320例如是以濺鍍、蒸鍍或是旋塗的方式形成的金或鋁等金屬材料層。如圖3所示,可移除遮光件320可配置於觀測窗213的底面,並且延伸至樣本容納空間130與本體110之間的部份接面。
圖4A及4B是依照本發明的另一實施例的樣本收集元件的示意圖。請參考圖4A及圖4B,本實施例的樣本收集元件400與上述圖2的樣本收集元件200的結構相似,因此相同或相似的元件以相同或相似的符號表示,並且於此不再重複贅述。本實施例的樣本收集元件400與前述實施例中的樣本收集元件300的差異在於,本實施例的可移除遮光件420可為與本體110同時製作完成的遮光結構件,並且可移除遮光件420經由結合部421與本體110連接。換言之,樣本收集元件400本身在製作完成時本身即已具有可移除遮光件420,而無需另外於樣本收集元件400上貼附或沉積其他的遮光結構。在本實施例中,上述的可移除遮光件420例如是矽結構,或者可由本體110的構造材料本身的特性變化而形成。例如,當本體110包括液晶材料時,液晶材料可藉由電場的作用而改變其對於光線的遮蔽,以形成可移除遮光件420來達到遮蔽光線的效果。如圖4B所示,在本實施例中,當液體樣本完成載入於樣本容納空間130後,可移除遮光件420以例如是施加外力P的方式去除,以方便顯微裝置進行後續的樣本觀測。
圖5A及圖5B是依照本發明的另一實施例的樣本收集元件的示意圖。請參考圖5A,在本實施例中,上述的樣本收集元件400另可選擇在製作本體110時,同時將例如是碳矽化合物(SiC)等材料組成的可移除遮光件425直接以蒸鍍、濺鍍或是旋塗的方式對應樣本容納空間130進行配置。此外,樣本容納空間130可以例如是氮化矽等材料形成的薄膜418包覆,以作為樣本容納空間130的蝕刻阻擋層並形成樣本容納空間130與液態樣本接觸的表面。請參考圖5B,當液體樣本完成載入於樣本容納空間130之後,可以電漿乾蝕刻的方式沿圖5B中的箭頭方向移除部份遮蔽於樣本容置空間130上的可移除遮光件425,以進行後續的樣本觀測步驟。
圖6A是依照本發明的另一實施例的樣本收集元件的示意圖。請參考圖6A,本實施例的樣本收集元件500與前述圖1A、圖1B的實施例的樣本收集元件200的結構類似,因此相同或相似的元件以相同或相似的符號表示,並且於此不再重複贅述。在本實施例中,樣本收集元件500與樣本案收集元件200的差異包括:樣本收集元件500的本體510可包括第一基板512、第二基板514以及間隔件516。第一基板512具有相對的第一表面512a以及第二表面512b,並且第二基板514具有相對的第三表面514a以及第四表面514b。此外,第一基板512與第二基板514例如是以一上一下的方式相互堆疊,並且第一基板512的第二表面512b面向第二基板514的第三表面514a。
在本實施例中,第一基板512及第二基板514的材質例如是半導體材質或金屬氧化物材質。此外,前述的半導體材質例如是雙拋光或單拋光的單晶矽,並且金屬氧化物例如是氧化鋁。第一基板512及第二基板514的厚度可依設計或實際需求更改。舉例而言,當樣本收集元件500應用在電子顯微鏡的觀測時,第一基板512及第二基板514的厚度大小可設計成大約是介於0.2毫米至0.8毫米之間。
如圖6A所示,間隔件516配置於第二表面512b與第三表面514a之間,以連接並固定第一基板512及第二基板514並且在第一基板512與第二基板514之間形成樣本容納空間530。在本實施例中,間隔件516所定義的樣本容納空間530可為具有前、後兩端開口的流道。液態樣本可通過前、後兩端開口進入樣本容納空間530中,而被保持於樣本容納空間530內。
在本實施例中,間隔件516可兼具維持第一基板512及第二基板514的間距以及接合固定第一基板512及第二基板514的功能。間隔件516的高度大約是介於0.1微米至20微米之間,甚或是介於0.1微米至10微米之間。換言之,第一基板512與第二基板514之間的間距,也就是樣本容納空間530的高度是介於0.1微米至20微米之間,甚或介於0.1微米至10微米之間。本實施例上述的製作及配置方式的優點在於:當液態樣本中具有懸浮顆粒時,液態樣本中部份大於10微米的懸浮顆粒可被排除於樣本容納空間530之外。因此,本實施例的樣本收集元件500可應用在血液中血球及血漿的分離觀察。
本實施例考量到第一基板512及第二基板514的材料、製程及其他可能的因素,間隔件516本身可為黏著材料,例如環氧樹脂、紫外光膠或矽膠材質。或者。間隔件516本身也可為非黏著材料,例如矽或其氧化物等。再者,間隔件516例如是藉由矽或矽氧化物之間的陽極接合(anodic boding)接合於第一基板512及第二基板514之間。除此之外,間隔件516可利用如網印及框膠等塗佈方式形成於第一基板512的第二表面512b以及第二基板514的第三表面514a上。或者,樣本收集元件500也可藉由化學氣相沉積的方式在第一基板512的第二表面512b以及第二基板514的第三表面514a上形成間隔件516。
在本實施例中,本體510可具有第一薄膜518a及第二薄膜518b,其中第一薄膜518a位於第一基板512的第二表面512b上,而第二薄膜518b位於第二基板514的第三表面514a上。第一薄膜518a、第二薄膜518b以及間隔件516共同維持樣本容納空間530。在本實施例中,於第二表面512b及第三表面514a上分別形成第一薄膜518a及第二薄膜518b的方式包括化學氣相沉積、酸液沖洗、表面材料沉積、聚合物沉積,其中,化學沉積方式例如是透過電漿化學氣相沉積法(plasma enhanced chemical vapor deposition, 簡稱PECVD)。前述形成第一薄膜518a及第二薄膜518b的方法詳細可參酌現有半導體製程或微機電製程技術,此處不再贅述。
第一薄膜518a及第二薄膜518b的材質可選自矽、氮化矽、氧化矽、二氧化矽、氮氧化矽、碳、鑽石膜、碳化矽、石墨烯、碳化矽、氧化鋁、氮化鈦、氧化碳及其組合之群組。此外,第一薄膜518a及第二薄膜518b需選用高電子穿透率的材質,使得例如是穿透式電子顯微鏡的電子束可穿透,以因應穿透式電子顯微鏡的觀測需求。再者,第一薄膜518a及第二薄膜518b的厚度可依設計與實際需求進行更改。舉例而言,第一薄膜518a及第二薄膜518b的厚度約為2奈米至200奈米,以利穿透式電子顯微鏡等顯微裝置進行觀測。前述的內容是以矽晶圓製程為例作說明,但本發明可類推應用於其他基底材質,但仍需考慮薄膜的機械強度、緻密性、透光性、電子穿透率、薄膜與基板的製程整合度、殘餘應力、表面特性。
進一步而言,本實施例的第一薄膜518a及第二薄膜518b可提供作為與液態樣本接觸的表面,其可為親水性材質或斥水性材質。在本實施例中,若選擇親水性材質則可增強吸附極性液態樣本的吸附力道。若選擇斥水性材質則可增強吸附非極性液態樣本的吸附力道。此外,第一薄膜518a及第二薄膜518b的表面特性可經由物理修飾例如紫外光臭氧(UV ozone)修飾或電漿修飾或化學修飾如酸洗、蝕刻、陽極處理、接官能基等方法來調整。
在本實施例中,可移除遮光件520覆蓋於第一基板512的第一表面512a上,並且可移除遮光件520可為片材或是以濺鍍、蒸鍍或旋塗等方式形成的材料層。此外,形成可移除遮光件520的材料可包括導體材料例如金、銅或鋁等,以及半導體或非導體材料,例如矽、塑膠、陶瓷或高分子材料等。
圖6B是依照本發明的另一實施例的樣本收集元件的示意圖。請參考圖6A及圖6B,樣本收集元件500除可如上述圖6A所示,藉由可移除遮光件520覆蓋其第一基板512的第一表面512a之外,在本實施例中,樣本收集元件500的第二基板514的第四表面514b也可同時覆蓋可移除遮光件520,以增進樣本收集元件500的遮光效果。
圖7A、圖7B以及圖7C是依照本發明的另一實施例的樣本收集元件的示意圖。請參考圖7A,本實施例的樣本收集元件600與前述圖6實施例的樣本收集元件500的結構相似,因此相同或相似的元件以相同或相似的符號表示,並且於此不再重複贅述。本實施例的樣本收集元件600與樣本收集元件500的差異包括:樣本收集元件600的本體610的第一基板612可包括位於其第二表面612b的第一凹陷,以形成暴露樣本容納空間530的第一觀測窗613a,並且第一觀測窗613a的底部連接第一薄膜518a。此外,可移除遮光件520可覆蓋於第一觀測窗613a上,以於形成第一觀測窗613a的第一凹陷內形成密閉空間。
請參考圖7B及圖7C所示,在本實施例中,樣本收集元件600除了可選擇上述以片材或材料層形成的可移除遮光件520之外,如圖7B或7C中所示,本實施例還可根據實際的需求,選擇在樣本收集元件600的本體610製作完成時即同時製作完成的可移除遮光件620及625來遮蔽穿透進入樣本容納空間630的光線。請參考圖7B,可移除遮光件620的結構與上述的可移除遮光件420的組成材料與結構皆相似,並且可移除遮光件620可於樣本收集元件600製作時即與本體610的第一基板612同時製作完成,其中可移除遮光件620經由結合部621連接第一基板612的第一表面612a。此外,當液體樣本完成載入樣本容納空間130後,可移除遮光件620也如圖4B所示,以施加外力的方式來移除。
請參考圖7C,本實施例的樣本收集元件600還可選擇於本體610的第一基板612製作的過程即將例如是碳矽化合物材料形成的可移除遮光件625對應樣本容納空間530塗覆於第一基板的第二表面612b,以形成用來遮蔽光線的材料層。本實施例的可移除遮光件625的結構與組成材料是與上述的可移除遮光件425相似。此外,當液體樣本完成載入於樣本收集元件600的樣本容納空間630後,可移除遮光件625也可以電漿乾蝕刻的方式去除。
請再參考圖7A,第二基板614包括位於第三表面614a的第二凹陷,以形成暴露樣本容納空間530的第二觀測窗613b,並且第二凹陷的底部連接第二薄膜518b。本實施例是以樣本收集元件600藉由第二基板614的第四表面614b置放於工作平台上的情形為例作說明。因此,第二基板614的第四表面614b的一側可直接經由工作平台來達到光遮蔽的效果,而無需配置光遮蔽結構。在其他未繪示的實施例中,樣本收集元件600也可經由第一基板612的第一表面612a置放於平台上,並且將可移除遮光件520改配置於第二基板614的第四表面614b上。
圖8A、圖8B以及圖8C是依照本發明的另一實施例的樣本收集元件的示意圖。如圖8A、圖8B以及圖8C所示,樣本收集元件600除如上述圖7A、圖7B及圖7C所示,可於第一基板612的第一表面612a配置可移除遮光件520、620或625之外。在本實施例中,樣本收集元件600的第二基板614的第四表面614b上也可同時配置可移除遮光件520、620或625,以對樣本收集元件600的第一觀測窗613a以及第二觀測窗613b同時提供遮光作用。
特別是,當樣本收集元件600未放置於例如是桌面等工作平面上時,光線仍能經由形成於第二基板614中的第二觀測窗613b進入樣本容納空間530。因此,第一基板612的第一表面612a以及第二基板614的第四表面614b上可同時配置可移除遮光件520、620或625,以避免上述漏光的情形發生,並加強樣本容納空間530的遮光效果。
圖9是依照本發明的另一實施例的樣本收集元件的示意圖。本實施例的樣本收集元件700與前述圖7A、圖7B以及圖7C的樣本收集元件600的結構相似,因此相同或相似的元件以相同或相似的符號表示,並且於此不再重複贅述。在本實施例中,樣本收集元件700的第一基板712的第二表面712b及第二基板714的第三表面714a上可分別對應於樣本收納空間530形成凹槽715a及715b。此外,樣本收集元件700可藉由改變凹槽715a及715b的大小來調整樣本收納空間530可以容納的液態樣本的量。
此外,樣本收集元件700可選擇如上述的樣本收集元件500將可移除遮光件520另外配置於本體710上。或者,樣本收集元件700也可如樣本收集元件600,選擇在製作本體710即同時形成可移除遮光件620或625。
圖10A是依照本發明一實施例的樣本收集元件的製作方法的流程圖。請參考圖7A及圖10A,在本實施例中,樣本收集元件500的製作方法的步驟包括:接合第一基板612至第二基板614,並且在第一基板612與第二基板614之間形成間隔物516(步驟S801),用以連接並固定第一基板612及的第二基板614,以在第一基板612與第二基板614之間形成可封閉且可供光線通過的樣本容納空間530。接著,形成可移除遮光件520於第一基板612上(步驟S802)。可移除遮光件520對應樣本容納空間530,並且遮蔽樣本容納空間530的至少部分光線。
在本實施例中,可移除遮光件520例如是片材,並且片材可以外部疊合、夾合或是靜電吸附方式附加於第一基板612上。或者,可移除遮光件520也可為以蒸鍍、濺鍍或塗佈等方式形成於第一基板612上的材料層。樣本收集元件500可經由可移除遮光件520的配置來遮蔽至少部份進入樣本容納空間530的光線。
請再參考圖7A,在本實施例中,樣本收集元件500可如同上述的樣本收集元件600於其第一基板612的第一表面612a上進一步形成對應於容納空間530的第一凹陷,以形成暴露樣本容納空間530的第一觀測窗613a。此外,例如是以片材形成的可移除遮光件520可暫時遮蔽上述的第一觀測窗613a,以在第一觀測窗613a中形成具有特定氣壓的密閉空間,其氣壓的大小例如是介於0.01至150仟帕(KPa)之間,藉以增進片材貼附於第一表面612a上的穩固性。
圖10B是依照本發明一實施例的樣本收集元件的製作方法的流程圖。請參考圖8A及圖10B,在樣本收集元件600的製作過程中,當完成接合第一基板612至第二基板614,並於第一基板612與第二基板614之間形成間隔件516之後(步驟S901)。接著,除如上述圖10A所示,樣本收集元件600的第一基板612上可形成可移除遮光件520之外,在本實施例中,樣本收集元件600的第二基板614上也可同時形成可移除遮光件520(步驟S902),以對樣本收集元件600的第一觀測窗613a以及第二觀測窗613b同時提供遮光作用,並加強對於樣本容納空間530的遮光效果。
圖11A是依照本發明另一實施例的樣本收集元件的製作方法的流程圖。請參考圖7C以及圖11A,在本實施例中,樣本收集元件600的製作方包括提供第一基板612,並且在製作第一基板612的過程中形成可移除遮光件625於第一基板612上(步驟S1001)。接著,接合第一基板612至第二基板614,並且在第一基板612與第二基板614之間形成間隔件516(步驟S1002),以在第一基板612與第二基板614之間形成可封閉且可供光線通過的樣本容納空間530。在本實施例中,可移除遮蔽元件625對應樣本容納空間530配置,以遮蔽至少部份通過樣本容納空間530的光線。
如同上述,本實施例的第一基板612的第一表面612a可形成對應於樣本容納空間530的第一凹陷,以形成暴露樣本容納空間530的第一觀測窗613a。此外,本實施例的可移除遮光元件625可為碳矽化合形成的材料層,其可配置於第一觀景窗613a的底面並且延伸至樣本容納空間530與第一基板612之間的部分接面。
在本實施例中,樣本收集元600的製作方法中也可如圖7B所示,選擇可移除遮光件620來作為遮光結構。如上所述,可移除遮光件620為與第一基板612同時形成的結構件,並且可移除遮光件620可經由連接部621連接至第一基板612,以遮蔽至少部份通過樣本容納空間530的光線。
圖11B是依照本發明一實施例的樣本收集元件的製作方法的流程圖。請參考圖8C及圖11B,在樣本收集元件600的製程中,除如上述圖11A所示,可於製作第一基板612的步驟中即形成可移除遮光件625於第一基板612之外,在本實施例中,也可於製作第二基板614同時,即於第二基板614上形成可移除遮光件520(步驟S1101)。接著,將已分別於表面上形成可移除遮光件520的第一基板612及第二基板614相互接合,並在第一基板612與第二基板614之間形成間隔件516(步驟S1102)。
綜上所述,本發明的上述多個實施例的樣本收集元件可具有可移除遮光件以遮蔽至少部份通過樣本容納空間的光線。因此,當液體樣本載入樣本容納空間之前,可移除遮光件可經由過濾、反射或吸收來避免不必要的光線穿透經過樣本收集元件的本體並且入射進入樣本容納空間。因此,可移除遮光件可避免液體觀察樣本在例如是電子顯微鏡的顯微裝置進行觀測之前即由於外光線的照射改變其流動特性,或是使得液態樣本內的成分與光線發生反應而產生成分性質改變的情形,進而影響顯微裝置的觀測結果。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100、200、300、400、500、600、700:樣本收集元件 110、210、510、610、710:本體 111:表面 118、418:薄膜 120、220、320、420、425、620、625:可移除遮光件 130、530:樣本容納空間 213:觀測窗 421、621:結合部 512、612、712:第一基板 512a、612a:第一表面 512b、612b、712b:第二表面 514、614、714:第二基板 514a、614a、714a:第三表面 514b、614b:第四表面 516:間隔件 518a:第一薄膜 518b:第二薄膜 613a:第一觀測窗 613b:第二觀測窗 715a、715b:凹槽 S801~S802、S901~S902、S1001~S1002、S1101~S1102:步驟 P:外力
圖1A是依照本發明的一實施例的樣本收集元件的示意圖。 圖1B是圖1A的樣本收集元件延A-A’面的剖面示意圖。 圖2是依照本發明的另一實施例的樣本收集元件的示意圖。 圖3是依照本發明的另一實施例的樣本收集元件的示意圖。 圖4A及圖4B是依照本發明的另一實施例的樣本收集元件的示意圖。 圖5A及圖5B是依照本發明的另一實施例的樣本收集元件的示意圖。 圖6A是依照本發明的另一實施例的樣本收集元件的示意圖。 圖6B是依照本發明的另一實施例的樣本收集元件的示意圖。 圖7A、圖7B以及圖7C是依照本發明的另一實施例的樣本收集元件的示意圖。 圖8A、圖8B以及圖8C是依照本發明的另一實施例的樣本收集元件的示意圖。 圖9是依照本發明的另一實施例的樣本收集元件的示意圖。 圖10A是依照本發明一實施例的樣本收集元件的製作方法的流程圖。 圖10B是依照本發明另一實施例的樣本收集元件的製作方法的流程圖。 圖11A是依照本發明另一實施例的樣本收集元件的製作方法的流程圖。 圖11B是依照本發明另一實施例的樣本收集元件的製作方法的流程圖。
100:樣本收集元件 110:本體 111:表面 118:薄膜 120:可移除遮光件 130:樣本容納空間
Claims (23)
- 一種樣本收集元件,包括:一本體,具有可封閉且可供光線通過的一樣本容納空間;以及一可移除遮光件,貼合固定於該本體的表面上,並且位於該樣本容納空間之外,用以遮蔽通過該樣本容納空間的至少部分光線。
- 如申請專利範圍第1項所述的樣本收集元件,其中該可移除遮光件包括一片材,附加於該本體上,並且覆蓋至少一部份的該樣本容納空間。
- 如申請專利範圍第2項所述的樣本收集元件,其中該本體包括對應於該樣本容納空間的一凹陷,用以形成暴露該樣本容納空間的一觀測窗,且該片材密封該凹陷,以在該凹陷內形成具有特定氣壓的一密閉空間。
- 如申請專利範圍第1項所述的樣本收集元件,其中該可移除遮光件包括一材料層,覆蓋該本體表面以及至少部分的該樣本容納空間。
- 如申請專利範圍第1項所述的樣本收集元件,其中該可移除遮光件包括與該本體同時製作的一結構件,且該結構件藉由一連接部連接於該本體。
- 如申請專利範圍第1項所述的樣本收集元件,其中該本體包括對應於該樣本容納空間的一凹陷,用以形成暴露該樣本容 納空間的一觀測窗,且該可移除遮光件包括一材料層,位於該觀測窗的底面並且延伸至該樣本容納空間與該本體之間的部分接面。
- 如申請專利範圍第1項所述的樣本收集元件,其中該本體包括一第一基板,具有相對的一第一表面以及一第二表面;一第二基板,具有相對的一第三表面以及一第四表面,其中該第一基板與該第二基板相互堆疊,且該第二表面面向該第三表面;以及一間隔件,配置於該第二表面與該第三表面之間,用以連接並固定該第一基板與該第二基板,以在該第一基板與該第二基板之間形成該樣本容納空間。
- 如申請專利範圍第7項所述的樣本收集元件,其中該本體更包括:一第一薄膜,位於該第一基板的該第二表面;以及一第二薄膜,位於該第二基板的該第三表面,且該第一薄膜、該第二薄膜以及該間隔件共同包圍該樣本容納空間。
- 如申請專利範圍第8項所述的樣本收集元件,其中該第一基板包括位於該第一表面的一第一凹陷,且該第一凹陷的底部連接該第一薄膜,用以形成暴露該樣本容納空間的一第一觀測窗,該遮光件配置於該第一觀測窗,以遮蔽通過該樣本容納空間的至少部分光線。
- 如申請專利範圍第9項所述的樣本收集元件,其中該第二基板包括位於該第四表面的一第二凹陷,且該第二凹陷的底部連接該第二薄膜,用以形成暴露該樣本容納空間的一第二觀測窗。
- 如申請專利範圍第1項所述的樣本收集元件,其中該可移除遮光件包括一濾光材料或一光閥元件。
- 如申請專利範圍第1項所述的樣本收集元件,其中該可移除遮光件的材質是金、銅、或鋁等導體,或是矽、塑膠、陶瓷、或高分子材料等半導體或非導體。
- 如申請專利範圍第11項所述的樣本收集元件,其中該濾光材料用以濾除波長介於100奈米至1毫米之間的光線。
- 一種樣本收集元件的製作方法,包括:接合一第一基板至一第二基板,並且在該第一基板與該第二基板之間形成一間隔物,用以連接並固定該第一基板與該第二基板,以在該第一基板與該第二基板之間形成可封閉且可供光線通過的一樣本容納空間;以及形成一可移除遮光件於該第一基板上,該可移除遮光件對應於該樣本容納空間,用以遮蔽通過該樣本容納空間的至少部分光線。
- 如申請專利範圍第14項所述的樣本收集元件的製作方法,其中形成該可移除遮光件的方法包括附加一片材於該第一基板上,該片材覆蓋至少一部份的該樣本容納空間。
- 如申請專利範圍第15項所述的樣本收集元件的製作方法,更包括在該第一基板的一第一表面形成對應於該樣本容納空間的一凹陷,用以形成暴露該樣本容納空間的一觀測窗,且該片材密封該凹陷,以在該凹陷內形成具有特定氣壓的一密閉空間。
- 如申請專利範圍第15項所述的樣本收集元件的製作方法,其中附加該片材於該第一基板的方法包括由該第一基板外部疊黏合、夾合或靜電吸附該片材於該第一基板上。
- 如申請專利範圍第15項所述的樣本收集元件的製作方法,其中該片材的材質是金、銅、或是鋁等導體,或是矽、塑膠、陶瓷、或高分子材料等半導體或非導體。
- 如申請專利範圍第14項所述的樣本收集元件的製作方法,其中形成該可移除遮光件的方法包括形成一材料層於該第一基板的一第一表面,且該材料層覆蓋至少部分的該樣本容納空間。
- 如申請專利範圍第19項所述的樣本收集元件的製作方法,其中形成該材料層於該第一基板的方法包括蒸鍍、濺鍍或是塗佈該材料層於該第一基板上。
- 一種樣本收集元件的製作方法,包括:提供一第一基板,其中在製作該第一基板的過程中形成一可移除遮光件於該第一基板上;接合該第一基板至一第二基板,其中在該第一基板與該第二基板之間形成一間隔物,用以連接並固定該第一基板與該第二基板,以在該第一基板與該第二基板之間形成可封閉且可供光線通 過的一樣本容納空間,其中該可移除遮光件對應於該樣本容納空間,用以遮蔽通過該樣本容納空間的至少部分光線。
- 如申請專利範圍第21項所述的樣本收集元件的製作方法,其中該可移除遮光件包括與該第一基板同時製作的一結構件,且該結構件藉由一連接部連接於該第一基板。
- 如申請專利範圍第21項所述的樣本收集元件的製作方法,更包括在該第一基板的一第一表面形成對應於該樣本容納空間的一凹陷,用以形成暴露該樣本容納空間的一觀測窗,且該可移除遮光件包括一材料層,位於該觀測窗的底面並且延伸至該樣本容納空間與該第一基板之間的部分接面。
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