KR101988934B1 - 광학 소자 - Google Patents
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Abstract
[과제] 투명 기판과의 밀착성이 높고, 또한 표면에서의 반사율이 극히 낮은 차광부를 갖는 광학 소자를 제공한다.
[해결 수단] 고체 촬상 소자가 내장된 촬상 장치에 사용되는 광학 소자가 고체 촬상 소자를 향하는 광이 입사되는 입사면과, 이 입사면에 입사된 광이 투과되어 고체 촬상 소자를 향하여 출사되는 출사면을 표리에 구비하는 투명 기판과, 입사면 및 출사면의 적어도 일방의 면 위에 프레임 형상으로 형성되어, 광의 일부를 차광하는 차광막과, 차광막과 차광막의 개구부를 덮도록 형성된 반사방지막을 구비하고, 차광막의 개구부의 영역에 입사되는 광을 반사를 억제하면서 투과시키는 투광부와, 차광막의 영역에 입사되는 광을 반사를 억제하면서 차광하는 차광부가 형성되어 있다.
[해결 수단] 고체 촬상 소자가 내장된 촬상 장치에 사용되는 광학 소자가 고체 촬상 소자를 향하는 광이 입사되는 입사면과, 이 입사면에 입사된 광이 투과되어 고체 촬상 소자를 향하여 출사되는 출사면을 표리에 구비하는 투명 기판과, 입사면 및 출사면의 적어도 일방의 면 위에 프레임 형상으로 형성되어, 광의 일부를 차광하는 차광막과, 차광막과 차광막의 개구부를 덮도록 형성된 반사방지막을 구비하고, 차광막의 개구부의 영역에 입사되는 광을 반사를 억제하면서 투과시키는 투광부와, 차광막의 영역에 입사되는 광을 반사를 억제하면서 차광하는 차광부가 형성되어 있다.
Description
본 발명은 고체 촬상 소자의 전면에 배치되는 광학 소자로서, 특히 고체 촬상 소자를 수납하는 패키지의 전면에 부착되어, 고체 촬상 소자를 보호함과 아울러 투광창으로서 사용되는 커버 유리나, 고체 촬상 소자의 시감도 보정에 사용되는 근적외선 컷 필터 등의 광학 소자에 관한 것이다.
최근, CCD나 CMOS 등의 고체 촬상 소자를 내장한 촬상 모듈이 휴대전화나 정보 휴대 단말 기기 등에 사용되고 있다. 이러한 촬상 모듈은 고체 촬상 소자를 수용하는 세라믹이나 수지제의 사각용기 형상의 패키지와, 패키지의 주연부에 자외선 경화형 접착제로 고착되어, 고체 촬상 소자를 밀봉하는 커버 유리를 구비하고 있다.
또한 일반적으로, 고체 촬상 소자는 근자외역으로부터 근적외역에 걸치는 분광 감도를 갖고 있기 때문에, 입사광의 근적외선 부분을 커트하여 인간의 시감도에 가까워지도록 보정하는 근적외선 컷 필터를 구비한 촬상 모듈도 실용에 제공되고 있다. 그리고, 촬상 모듈 전체의 사이즈를 작게 하기 위하여, 커버 유리와 근적외선 컷 필터의 기능을 복합화한 커버 유리도 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1).
특허문헌 1에 기재된 근적외선 컷 필터는 판 형상의 투명 기재(예를 들면, 적외선 흡수 유리)와, 투명 기재의 일방면에 형성된 유전체 다층막으로 이루어지는 자외·적외광 반사막과, 투명 기재의 타방면에 형성된 반사방지막을 가지고 있다.
또한 이러한 근적외선 컷 필터 등의 광학 부품을 고체 촬상 소자의 전면(즉, 광로 중)에 배치하면, 근적외선 컷 필터의 측면 등에서 반사된 광이 고체 촬상 소자의 촬상면에 입사됨으로써, 플레어나 고스트 등이 발생한다고 하는 문제가 생기기 때문에, 특허문헌 1에 기재된 근적외선 컷 필터에서는, 자외·적외광 반사막 위에 프레임 형상의 차광층(차광막)을 더 형성하고, 고스트 등의 원인이 되는 광의 광로를 차단하는 대책이 강구되어 있다.
(발명의 개요)
(발명이 해결하고자 하는 과제)
이와 같이, 특허문헌 1에 기재된 근적외선 컷 필터에 의하면, 입사광의 근적외선 부분을 커트하면서, 고스트 등의 원인이 되는 광의 광로를 차단할 수 있다.
그렇지만, 특허문헌 1에 기재된 근적외선 컷 필터의 차광막은 자외·적외광 반사막 위에 광경화성 수지를 도포하거나, Cr 등의 흑색의 금속을 증착하여 형성되기 때문에, 투명 기재와의 밀착성을 강하게 할 수 없어, 사용되는 환경에 따라서는 박리되어 버린다고 하는 문제가 있다.
또한 Cr 등의 흑색의 금속을 증착하여 차광막을 형성하면, 극히 얇은 차광막을 형성할 수 있지만, 한편으로, 차광막에서의 반사를 억제할 수 없어, 차광막에서 반사한 광이 고스트 광으로 되어, 화질이 열화된다고 하는 문제도 발생한다.
본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는 투명 기판과의 밀착성이 높은 차광막을 구비하고, 또한 반사율이 극히 낮은 차광부를 갖는 광학 소자를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 광학 소자는 고체 촬상 소자가 내장된 촬상 장치에 사용되는 광학 소자로서, 고체 촬상 소자를 향하는 광이 입사되는 입사면과, 이 입사면에 입사된 광이 투과되어 고체 촬상 소자를 향하여 출사되는 출사면을 표리에 구비하는 투명 기판과, 입사면 및 출사면의 적어도 일방의 면 위에 프레임 형상으로 형성되어, 광의 일부를 차광하는 차광막과, 차광막과 차광막의 개구부를 덮도록 형성된 반사방지막을 구비하고, 차광막의 개구부의 영역에 입사되는 광을 반사를 억제하면서 투과시키는 투광부와, 차광막의 영역에 입사되는 광을 반사를 억제하면서 차광하는 차광부가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
이러한 구성에 의하면, 차광막이 투명 기판 위에 직접 형성되기 때문에, 차광막의 밀착성은 극히 높은 것으로 된다. 또한 차광막이 반사방지막에 의해 덮여 있기 때문에, 차광부에서의 반사율은 극히 낮은 것으로 된다.
또한 차광막은 적어도 Cr을 포함하는 박막에 의해 형성되는 것이 바람직하다. 또한 이 경우, 차광막은 Cr로 이루어지는 제 1 박막과, Cr2O3로 이루어지고, 제 1 박막과 투명 기판 사이에 형성된 제 2 박막과, Cr2O3로 이루어지고, 제 1 박막과 반사방지막 사이에 형성된 제 3 박막을 구비하는 구성으로 하는 것이 바람직하다. 또한 이 경우, 제 3 박막은 반사방지막과 접하고, 막 두께가 55∼63nm인 것이 바람직하다.
또한 투광부의 면적이 고체 촬상 소자의 수광면의 면적보다도 큰 것이 바람직하다.
또한 광학 소자는 고체 촬상 소자를 수용하는 패키지의 전면에 부착되는 커버 유리인 것이 바람직하다.
또한 투명 기판은 근적외선 영역의 파장의 광을 흡수하는 근적외선 흡수 유리인 것이 바람직하다. 또한 이 경우, 근적외선 흡수 유리는 Cu2 +를 함유하는 불소인산염계 유리, 또는 Cu2+를 함유하는 인산염계 유리로 이루어지는 것이 바람직하다. 이러한 구성에 의하면, 고체 촬상 소자의 분광 감도가 인간의 시감도에 가까워지도록 보정된다.
또한 차광막은 에칭에 의해 형성할 수 있다. 또한 이 경우, 차광막과 투명 기판 사이에, 에칭의 스토퍼로서 기능하는 에칭 스토퍼층을 구비하는 것이 바람직하다. 이러한 구성에 의하면, 투명 기판 위에 에칭 스토퍼층이 형성되어 있기 때문에, 포토리소그래픽법이나, 스크린 인쇄 등에 의해 형성한 레지스트에 의한 패터닝 기술에 의해 차광부를 형성한 경우에, 에칭 스토퍼층에 의해 에칭이 스톱되어, 에칭액에 의해 투명 기판의 표면이 깎이지 않는다. 따라서, 투명 기판의 표면이 조면화(粗面化)되지 않아, 투명 기판의 표면에 입사되는 광의 흐트러짐을 방지할 수 있어, 고체 촬상 소자로부터는 해상도가 높은 화상을 얻는 것이 가능하게 된다. 또한 에칭 스토퍼층에 의해 에칭을 확실하게 스톱시킬 수 있기 때문에, 광학 소자 전체를 비교적 장시간에 걸쳐 에칭액에 담글 수 있어, 에칭 잔류물이 없어, 엣지가 깨끗한 차광부를 형성할 수 있다.
또한 에칭 스토퍼층이 SiO2, Al2O3 또는 ZrO2의 박막으로 형성되어 있는 것이 바람직하다.
또한 광의 참조 파장을 λ라고 했을 때, 에칭 스토퍼층의 광학 막 두께가 대략 λ/2인 것이 바람직하다. 이러한 구성에 의하면, 에칭 스토퍼층이 반사방지막의 성능에 영향을 주지 않아, 반사방지막의 막 설계가 용이하게 된다.
또한 에칭 스토퍼층의 물리 막 두께가 투명 기판의 판 두께에 대하여 0.3∼200.0ppm이 되도록 구성할 수 있다. 이러한 구성에 의하면, 에칭 스토퍼층의 막 응력에 의한 투명 기판의 휨이 억제된다.
또한 투명 기판의 판 두께가 0.1∼1.0mm이며, 에칭 스토퍼층의 물리 막 두께가 0.3∼20.0nm인 것이 바람직하다.
이상과 같이, 본 발명에 의하면, 투명 기판과의 밀착성이 높은 차광막을 구비하고, 또한 반사율이 극히 낮은 차광부를 갖는 광학 소자가 실현된다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 커버 유리의 구성을 설명하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 커버 유리를 탑재한 고체 촬상 디바이스의 구성을 설명하는 종단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 커버 유리의 차광부의 반사율의 파장 특성을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 커버 유리의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 커버 유리의 변형예를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 커버 유리의 변형예를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 커버 유리의 변형예를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 커버 유리의 구성을 설명하는 도면이다.
도 9는 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 커버 유리의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 10은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 커버 유리의 변형예를 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 커버 유리의 변형예를 나타내는 도면이다.
도 12는 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 커버 유리의 변형예를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 커버 유리를 탑재한 고체 촬상 디바이스의 구성을 설명하는 종단면도이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 커버 유리의 차광부의 반사율의 파장 특성을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 커버 유리의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 커버 유리의 변형예를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 커버 유리의 변형예를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 커버 유리의 변형예를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 커버 유리의 구성을 설명하는 도면이다.
도 9는 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 커버 유리의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 10은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 커버 유리의 변형예를 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 커버 유리의 변형예를 나타내는 도면이다.
도 12는 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 커버 유리의 변형예를 나타내는 도면이다.
(발명을 실시하기 위한 형태)
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 또한, 도면 중 동일 또는 상당 부분에는 동일한 부호를 붙이고 그 설명은 반복하지 않는다.
(제 1 실시형태)
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 커버 유리(100)(광학 소자)의 구성을 설명하는 도면으로, 도 1(a)는 커버 유리(100)의 평면도이고, 도 1(b)는 종단면도이며, 도 1(c)는 커버 유리(100) 위에 형성되는 차광막(105) 및 반사방지막(110)의 막 구성을 설명하는 도면이다. 또한 도 2는, 본 실시형태의 커버 유리(100)에 의해, 고체 촬상 소자(200)의 패키지(300)의 개구부가 밀봉된 고체 촬상 디바이스(1)의 구성을 설명하는 종단면도이다. 본 실시형태의 커버 유리(100)는 고체 촬상 소자(200)를 수납하는 패키지(300)의 전면(즉, 개구부)에 부착되고(도 2), 고체 촬상 소자(200)를 보호함과 아울러 투광창으로서 사용되는 광학 소자이다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태의 커버 유리(100)는 직사각형 판 형상의 외관을 보이고 있고, 유리 기재(101)(투명 기판)와, 유리 기재(101) 위에 형성된 프레임 형상의 차광막(105)과, 차광막(105)과 차광막(105)의 개구부를 덮도록 형성된 반사방지막(110)으로 구성되어 있다. 또한, 본 실시형태에서는, 차광막(105) 및 반사방지막(110)이 형성된 유리 기재(101)의 일방면(도 1(b)에서 상측의 면) 측이 커버 유리(100)가 패키지(300)에 부착되었을 때에, 고체 촬상 소자(200)를 향하는 광이 입사되는 입사면(101a)이 되고 있고, 유리 기재(101)의 타방면(도 1(b)에서 하측의 면) 측이 입사면(101a)에 입사된 광이 출사되는 출사면(101b)이 되고 있다. 또한, 커버 유리(100)의 사이즈는 커버 유리(100)가 부착되는 패키지(300)의 사이즈에 따라 적당하게 설정되지만, 본 실시형태에서는, 6mm(가로 방향)×5mm(세로 방향)로 설정되어 있다.
본 실시형태의 유리 기재(101)는 Cu2+를 함유하는 적외선 흡수 유리(Cu2+를 함유하는 불소인산염계 유리 또는 Cu2+를 함유하는 인산염계 유리)이다. 일반적으로, 불소인산염계 유리는 우수한 내후성을 가지고 있고, 유리 중에 Cu2+를 첨가함으로써 가시광역의 높은 투과율을 유지한 채 근적외선을 흡수할 수 있다. 이 때문에, 유리 기재(101)가 고체 촬상 소자(200)에 입사되는 입사광의 광로 중에 배치되면, 일종의 로 패스 필터로서 기능하여, 고체 촬상 소자(200)의 분광 감도가 인간의 시감도에 가까워지도록 보정된다. 또한, 본 실시형태의 유리 기재(101)에 사용되는 불소인산염계 유리는 공지의 유리 조성을 사용할 수 있지만, 특히 Li+, 알칼리 토류 금속 이온(예를 들면, Ca2+, Ba2+ 등), 희토류 원소 이온(Y3+나 La3+ 등)을 함유하는 조성인 것이 바람직하다. 또한 본 실시형태의 유리 기재(101)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 소형 경량화를 도모하는 관점에서, 0.1∼1.0mm의 범위가 바람직하다.
차광막(105)은 유리 기재(101) 위에 증착된 Cr(크롬) 및 Cr2O3(산화크롬)의 다층막(이하, Cr 및 Cr2O3의 다층막을 「Cr 다층막」이라고도 한다.)이며, 입사면(101a)에 입사되는 입사광의 일부를 차광하여, 고스트 등의 원인이 되는 불필요광을 제거하는 기능을 가지고 있다. 차광막(105)은 유리 기재(101)를 평면으로 보았을 때에, 유리 기재(101)의 외형을 따라 프레임 형상으로 형성된다. 또한, 본 실시형태의 차광막(105)(즉, Cr 다층막)은 적어도 파장 420∼680nm의 입사광을 효율적으로 차광하도록 설계되어 있고, 도 1(c)에 도시하는 바와 같이, 광학 막 두께 대략 λ/4(λ는 참조 파장: 520nm)의 Cr2O3 박막(105a), 광학 막 두께 대략 λ/2의 Cr 박막(105b), 광학 막 두께 대략 λ/4(물리 막 두께: 55∼63nm)의 Cr2O3 박막(105c)이 차례로 유리 기재(101) 위에 적층되고, 그 후의 포토리소그래픽법에 의해, 차광막(105)만 패터닝되어 형성된다(상세한 것은 후술).
반사방지막(110)은 차광막(105)과 차광막(105)의 개구부를 덮도록 형성된 광학 박막이며, 차광막(105)의 개구부를 통과하여 유리 기재(101)의 입사면(101a)에 입사되는 파장 420∼680nm의 입사광의 반사를 억제함과 아울러, 차광막(105)에 입사되는 파장 420∼680nm의 입사광의 반사를 억제하는 기능을 가지고 있다. 도 1(c)에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태의 반사방지막(110)은 광학 막 두께 대략 λ/4의 Al2O3 박막(110a), 광학 막 두께 대략 λ/2의 ZrO2 박막(110b), 광학 막 두께 대략 λ/4의 MgF2 박막(110c)으로 구성되어 있고, 각 박막은 스퍼터링법이나 진공증착법 등에 의해 차례로 적층되어 형성된다. 이와 같이, Al2O3 박막(110a), ZrO2 박막(110b), MgF2 박막(110c)이 차례로 차광막(105) 위에 형성되면, 각 박막의 계면으로부터의 반사광과 차광막(105)(구체적으로는, Cr 박막(105b) 및 Cr2O3 박막(105c))으로부터의 반사광이 서로 상쇄하도록 간섭하기 때문에, 입사광의 반사가 억제된다. 또한 Al2O3 박막(110a), ZrO2 박막(110b), MgF2 박막(110c)이 차례로 차광막(105)의 개구부에 형성되면, 각 박막의 계면으로부터의 반사광과 유리 기재(101)의 입사면(101a)으로부터의 반사광이 서로 상쇄하도록 간섭하기 때문에, 입사광의 반사가 억제된다.
그리고, 반사방지막(110)이 차광막(105)과 차광막(105)의 개구부를 덮도록 형성되면, 도 1에 도시하는 바와 같이, 차광막(105)의 개구부의 영역에는, 입사되는 광을 반사를 억제하면서 투과시키는 투광부(T)가 형성되고, 차광막(105)의 영역에는, 입사되는 광을 반사를 억제하면서 차광하는 차광부(S)가 형성된다. 그리고, 커버 유리(100)에 반사방지막(110)을 설치하면, 투광부(T)에서의 반사가 억제되기 때문에, 고체 촬상 소자(200)에서 광의 받아들임 효율이 상승한다. 또한 차광부(S)에서의 반사가 억제되기 때문에, 반사광에 기인하는 고스트 광의 발생도 억제된다.
이와 같이, 본 실시형태의 반사방지막(110)은 투광부(T)에 입사되는 파장 420∼680nm의 입사광의 반사를 억제하는 기능과, 차광부(S)에 입사되는 파장 420∼680nm의 입사광의 반사를 억제하는 기능을 함께 갖는 것이지만, 유리 기재(101)의 굴절률과 차광막(105)의 굴절률이 상이하기 때문에, 단지 최적화한 반사방지막(110)과 차광막(105)을 조합시킨 것만으로는 양쪽 기능을 양립시키는 것은 곤란하다. 그래서, 본 실시형태에서는, 차광막(105)의 최상위층(즉, 반사방지막(110)과 접하는 층)인 Cr2O3 박막(105c)의 막 두께를, 반사방지막(110)에 맞추어 최적화함으로써, 양쪽 기능을 양립시키고 있다.
도 3은 본 실시형태의 차광부(S)의 반사율(R)의 파장 특성을 나타내는 시뮬레이션 결과이며, 차광막(105)의 최상위층인 Cr2O3 박막(105c)의 막 두께(t)(물리 막 두께)를 48∼69nm의 범위에서 변경하고, 각 막 두께(t)에서의 반사율(R)의 파장 특성을 겹쳐서 나타낸 것이다. 또한, 도 3에서, 가로축은 파장(nm)을 나타내고, 세로축은 반사율(R)(%)을 나타내고 있다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 차광부(S)의 반사율(R)의 파장 특성은 차광막(105)의 최상위층인 Cr2O3 박막(105c)의 막 두께(t)에 따라 상이하고, 각 막 두께(t)에 있어서의 반사율(R)은 저파장 영역(파장 520nm보다도 낮은 파장 영역)과 고파장 영역(파장 570nm보다도 높은 파장 영역)에서 높아지는 경향을 나타낸다. 또한 파장 특성은 반사율(R)이 저파장 영역에서 높은 것일수록, 고파장 영역에서 낮아지고, 고파장 영역에서 높은 것일수록, 저파장 영역에서 낮아지는 것을 알 수 있다. 여기에서, 차광부(S)의 반사율(R)의 이상적인 파장 특성의 커브는 파장 420∼680nm의 범위에서 평면이고, 또한 평균값이 낮은 것이 바람직하다. 그래서, 본 발명의 발명자들은 파장 420∼680nm의 범위에서의 반사율(R)의 평균 반사율(Rm), 표준편차(σ), 회귀직선의 경사(s)를 구하고, 이것들을 평가함으로써, 본 실시형태에 최적인 Cr2O3 박막(105c)의 막 두께(t)를 구했다.
표 1은, 도 3의 각 막 두께(t)에서의 반사율(R)의 파장 특성에 대하여, 파장 420∼680nm의 평균 반사율(Rm), 표준편차(σ), 회귀직선의 경사(s)를 구한 결과와, 이들 3개의 파라미터를 평가한 결과를 나타내는 표이다.
평균 반사율(Rm)은 파장 420∼680nm의 범위에서의 반사율(R)의 평균적인 특성을 평가하는 파라미터이며, 그 값이 작으면 작을수록 바람직하다. 또한 표준편차(σ)는 파장 420∼680nm의 범위에서의 반사율(R)의 불균일을 평가하는 파라미터이며, 그 값이 작으면 작을수록 바람직하다. 또한 회귀직선의 경사(s)는 파장 420∼680nm의 범위에서의 반사율(R)의 플랫성을 평가하는 파라미터이며, 그 절대값이 작으면 작을수록 바람직하다. 그래서, 본 실시형태에서의 평가로서는 평균 반사율(Rm)이 2% 이하, 표준편차(σ)가 1.5 이하, 회귀직선의 경사(s)가 ±0.015 이하인 것이 바람직하다고 평가하고(표 1 중 「○」 표시로 나타냄), 평균 반사율(Rm)이 1.5% 이하, 표준편차(σ)가 1.2 이하, 회귀직선의 경사(s)가 ±0.01 이하인 것이 보다 바람직하다고 평가했다(표 1 중 「◎」표시로 나타냄). 그리고, 이 결과, 본 실시형태에 최적인 Cr2O3 박막(105c)의 막 두께(t)는 55∼63nm이며, 더욱 바람직하게는 56∼61nm인 것을 알 수 있었다.
따라서, 본 실시형태에서는, 차광막(105)의 최상위층인 Cr2O3 박막(105c)의 막 두께(t)가 55∼63nm로 설정되어, 반사방지막(110)에 대하여 최적화 되어있다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 커버 유리(100)는 CCD(Charge-Coupled Device)나 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 등의 고체 촬상 소자(200)를 수용하는 사각용기 형상의 패키지(300)의 개구부를 막도록 부착되고, 접착제(도시하지 않음)에 의해 고정된다. 커버 유리(100)가 패키지(300)에 부착되면, 고체 촬상 소자(200)에 입사되는 입사광의 광로 중에 배치되지만, 상기한 바와 같이, 커버 유리(100)에는 차광부(S)가 형성되어 있기 때문에, 고체 촬상 소자(200)에 불필요광이 입사되지 않아, 고스트나 플레어가 발생하지 않는다. 또한, 투광부(T)와 차광부(S)의 크기는 고체 촬상 디바이스(1)의 외측에 배치되는 렌즈 등의 광학 소자나, 고체 촬상 소자(200)의 사이즈 및 커버 유리(100)의 사이즈에 맞추어 적당하게 결정되지만, 투광부(T)를 투과한 광이 고체 촬상 소자(200)의 수광면에서 수광되도록, 적어도 투광부(T)의 면적이 고체 촬상 소자(200)의 수광면의 면적보다도 커지도록 구성된다.
다음에 본 실시형태의 커버 유리(100)의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 4는 본 실시형태에 따른 커버 유리(100)의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다. 도 4(a)는 커버 유리(100)의 제조 공정을 나타내는 플로우차트이고, 도 4(b)는 각 제조 공정에 대응한 커버 유리(100)의 평면 확대도이며, 도 4(c)는 각 제조 공정에 대응한 커버 유리(100)의 단면 확대도이다. 또한, 이해를 쉽게 하기 위하여, 도 4(b)에서는, 각 구성요소에 농담을 나타내고, 도 4(c)에서는, 각 구성요소를 강조하여 나타내고 있다.
(유리 기판의 성형)
유리 기판의 성형 공정에서는 원하는 광학 특성을 구비한 유리 조성으로 이루어지는 유리판을 준비하고, 외형 크기가 최종 형상(즉, 커버 유리(100)의 형상)과 대략 동일하게 되도록, 공지의 절단 방법으로 절단한다. 절단 방법은 다이아몬드 커터로 절단선을 새긴 후에 꺾어 나누는 방법이나, 다이싱 장치로 절단하는 방법이 있다. 또한, 이 공정에서 사용하는 유리판은 래핑 등의 거친 연마에 의해, 최종 형상에 가까운 판 두께 치수까지 가공된 것을 사용해도 된다. 유리판이 절단되면 세정되어, 유리 기재(101)가 얻어진다.
(Cr 다층막의 형성)
다음에 Cr 다층막의 형성 공정에서, 유리 기재(101)의 입사면(101a) 위에, 스퍼터링법이나 진공증착법 등에 의해, 차광막(105)을 구성하는 광학 막 두께 대략 λ/4(예를 들면, 물리 막 두께: 58.8nm)의 Cr2O3 박막(105a), 광학 막 두께 대략 λ/2(예를 들면, 물리 막 두께: 91.6nm)의 Cr 박막(105b), 광학 막 두께 대략 λ/4(물리 막 두께: 55∼63nm)의 Cr2O3 박막(105a)을 차례로 형성한다. 구체적으로는, 산소를 도입하면서 Cr2O3 박막(105a)을 성막하고, 이어서 산소를 도입하지 않고 Cr 박막(105b)을 성막하고, 이어서 산소를 도입하면서 Cr2O3 박막(105c)을 성막한다.
(레지스트 코트·베이킹)
레지스트 코트·베이킹 공정에서는 Cr 다층막의 표면에 포토레지스트를 도포하고, 소정의 시간 베이킹을 행한다. 포토레지스트는 자외 또는 적외 파장 영역의 광에 의해 용해성이 변화되는 것이면 되고, 특별히 재료는 제한되지 않는다. 또한 포토레지스트의 도포 방법으로서는 주지의 스핀 코팅법, 딥 코팅법 등을 적용할 수 있다.
(노광·레지스트 현상)
노광·레지스트 현상 공정에서는 우선 차광막(105)이 패터닝된 포토마스크를 통하여, 포토레지스트에 광을 조사한다. 그리고, 포토레지스트에 따른 현상액을 사용하여, 포토레지스트를 현상하고, 차광막(105)의 패턴에 따른 레지스트를 형성한다.
(패터닝)
패터닝 공정에서는 유리 기재(101)를 Cr 에칭액에 침지하여, 레지스트가 형성되어 있지 않은 부분의 Cr 다층막을 에칭한다. 또한, Cr 에칭액으로서는, 예를 들면, 질산제이세륨염: 10∼20%, 과염소산: 5∼10%, 물: 70∼85%의 혼합 용액이 사용된다.
(레지스트 박리)
레지스트 박리 공정에서는 알코올 등의 레지스트 박리제에 침지하여, 레지스트를 박리한다. 이것에 의해, 유리 기재(101) 위에는 차광막(105)이 형성된다. 이와 같이, 본 실시형태의 차광막(105)은 소위 포토리소그래픽법에 의해 형성된다.
(반사방지막의 형성)
반사방지막의 형성 공정에서는 차광막(105) 위에 스퍼터링법이나 진공증착법 등에 의해, 광학 막 두께 대략 λ/4(예를 들면, 물리 막 두께: 78.8nm)의 Al2O3 박막(110a), 광학 막 두께 대략 λ/2(예를 들면, 물리 막 두께: 124.9nm)의 ZrO2 박막(110b), 광학 막 두께 대략 λ/4(예를 들면, 물리 막 두께: 93.4nm)의 MgF2 박막(110c)을 차례로 성막하여, 반사방지막(110)을 형성한다. 이것에 의해, 본 실시형태의 커버 유리(100)가 완성된다.
이상과 같이, 본 실시형태의 커버 유리(100)의 제조 방법에 의하면, 유리 기재(101) 위에 직접 차광막(105)이 형성된다. 이 때문에, 차광막(105)의 밀착성은 종래의 구성(즉, 자외·적외광 반사막 위에 차광막(105)을 형성하는 구성)과 비교하여 높은 것으로 된다. 또한 차광막(105) 위에 소정의 막 두께의 반사방지막(110)이 형성되기 때문에(즉, 차광막(105)이 반사방지막(110)에 의해 덮이기 때문에), 차광부(S)에서의 광의 반사율은 극히 낮은 것으로 된다.
이상이 본 발명의 제 1 실시형태의 설명이지만, 본 발명은 상기의 실시형태의 구성에 한정되는 것은 아니고, 그 기술적 사상의 범위 내에서 여러 변형이 가능하다. 예를 들면, 본 실시형태에서는, 유리 기재(101)가 Cu2 +를 함유하는 적외선 흡수 유리(Cu2 +를 함유하는 불소인산염계 유리 또는 Cu2 +를 함유하는 인산염계 유리)라고 했지만, 가시파장 영역에서 투명한 재료로부터 적당하게 선택할 수 있으며, 예를 들면, 붕규산 유리나, 수정, 폴리에스터 수지, 폴리올레핀 수지, 아크릴 수지 등을 사용할 수도 있다.
또한 본 실시형태에서는, 차광막(105)은 스퍼터링법이나 진공증착법 등에 의해 형성되는 Cr 다층막이라고 설명했지만, 이러한 구성에 한정되는 것은 아니다. 차광막(105)으로서는 Cr 이외에도 Ta(탄탈), Mo(몰리브덴넘), Ni(니켈), Ti(티타늄), Cu(구리), Al(알루미늄) 등의 금속 재료를 사용할 수 있다. 또한, Cr 이외의 금속 재료를 사용하는 경우에도, 본 실시형태와 같이 파장 420∼680nm의 범위에서의 반사율(R)의 평균 반사율(Rm), 표준편차(σ), 회귀직선의 경사(s)의 관점에서 평가하고, 차광막(105)의 최상위층의 유전체 박막의 막 두께를 구하면 된다.
또한 본 실시형태의 차광막(105)은 Cr2O3 박막(105a), Cr 박막(105b), Cr2O3 박막(105c)으로 이루어지는 3층의 Cr 다층막이라고 설명했지만, 3층의 구성에 한정되는 것은 아니며, 예를 들면, Cr2O3 박막(105c)을 복수의 극히 얇은(예를 들면, 2nm) Cr2O3 박막과 복수의 극히 얇은(예를 들면, 1nm) Cr 박막을 번갈아 적층한 유전체층 군으로서 구성하는 등, 더욱 많은 층으로 구성할 수도 있다. 또한, 이 경우에 있어서도, 파장 420∼680nm의 범위에서의 반사율(R)의 평균 반사율(Rm), 표준편차(σ), 회귀직선의 경사(s)의 관점에서 평가하고, 차광막(105)의 최상위 유전체층 군의 각 층의 막 두께를 구하면, 본 실시형태와 같이 투광부(T)에 입사되는 입사광의 반사를 억제하는 기능과, 차광부(S)에 입사되는 입사광의 반사를 억제하는 기능을 양립시킬 수 있다.
또한 본 실시형태의 차광막(105)의 Cr2O3 박막(105c)은 산소를 도입하면서 형성한 1층의 박막이라고 설명했지만, 이러한 구성에 한정되는 것은 아니며, 예를 들면, 산소의 도입량이 상이한 복수의 CrOx 박막(x는 0∼10의 임의 비율)을 적층하는 구성으로 할 수도 있다. 또한 반사율의 파장 특성을 개선시킬 목적으로, 질소를 도입한 박막을 사용할 수도 있고, 산소와 질소의 도입량이 상이한 복수의 CrOxNy 박막(x, y는 0∼10의 임의 비율)을 적층하는 구성으로 할 수도 있다.
또한 본 실시형태에서는, 고체 촬상 소자(200)의 패키지(300)를 밀봉하는 커버 유리(100)의 예를 들어 설명했지만, 본 발명은, 마찬가지로, 고체 촬상 소자(200)에 입사되는 광으로부터 근적외선을 제거하는 근적외선 컷 필터, 또는 고체 촬상 소자(200)에 입사되는 광으로부터 높은 공간 주파수를 포함하는 광을 제거하는 광학 로 패스 필터에 적용하는 것도 가능하다. 또한, 근적외선 컷 필터에 적용하는 경우, 본 실시형태와 동일한 유리 기재(101)를 사용할 수 있고, 그 두께는 0.1∼1.0mm의 범위인 것이 바람직하다. 또한 광학 로 패스 필터에 적용하는 경우, 수정이나 붕규산 유리로 이루어지는 유리 기재(101)를 사용하면 되고, 그 두께는 0.1∼3.0mm의 범위인 것이 바람직하다.
또한 본 실시형태의 차광막(105) 및 반사방지막(110)은 유리 기재(101)의 입사면(101a) 측에 형성되는 것으로서 설명했지만, 고체 촬상 소자(200)나 패키지(300)로부터의 귀환광이 많아, 유리 기재(101)의 출사면(101b)에서의 반사광에 의해 고스트나 플레어가 발생하는 경우에는, 도 5에 도시하는 바와 같이, 반사방지막(110)과 동일한 반사방지막(120)을 유리 기재(101)의 출사면(101b) 측에 형성해도 된다. 또한 유리 기재(101)의 입사면(101a) 측에서의 반사광보다도, 유리 기재(101)의 출사면(101b)에서의 반사광이 원인으로 고스트나 플레어가 발생하는 경우에는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 유리 기재(101)의 출사면(101b) 측에 차광막(107) 및 반사방지막(120)을 형성해도 된다. 또한 도 7에 도시하는 바와 같이, 유리 기재(101)의 입사면(101a) 측에 차광막(105) 및 반사방지막(110)을 형성하고, 유리 기재(101)의 출사면(101b) 측에 차광막(107) 및 반사방지막(120)을 형성해도 된다.
또한 본 실시형태의 커버 유리(100)의 제조 방법에서는, 1개의 유리 기재(101)로 1개의 커버 유리(100)를 제조하는 구성으로 했지만, 이러한 구성에 한정되는 것은 아니며, 예를 들면, 큰 사이즈의 유리 기재를 사용하여, 이 유리 기재 위에 복수의 커버 유리(100)를 다면부착하여 제조하는 것도 가능하다. 이러한 구성에 의하면, 소형의 커버 유리(100)이더라도 핸들링이 용이하게 됨과 아울러, 높은 생산성으로 제조하는 것이 가능하게 된다.
또한 본 실시형태의 커버 유리(100)의 제조 방법에서는, 레지스트 코트·베이킹·노광·레지스트 현상 공정에 의해(즉, 포토리소그래픽법에 의해) 차광막(105)의 패턴에 따른 레지스트를 형성하는 것으로 했지만, 반드시 이러한 방법에 한정되는 것이 아니다. 예를 들면, 레지스트 코트·베이킹·노광·레지스트 현상 공정 대신에, 스크린 인쇄 등의 인쇄 기술에 의해, 차광막(105)의 패턴에 따른 레지스트를 형성해도 된다.
(제 2 실시형태)
도 8은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 커버 유리(100A)의 구성을 설명하는 종단면도이다. 도 8에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태의 커버 유리(100A)는 유리 기재(101)와 차광막(105) 사이에, 에칭 스토퍼층(103)을 구비하고 있는 점에서 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 커버 유리(100)와 상이하다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 커버 유리(100)의 차광막(105)은 포토리소그래픽법에 의해 패터닝되는 것이지만, 패터닝 공정에서, Cr 다층막을 에칭할 때, 에칭 조건에 따라서는 유리 기재(101)의 입사면(101a)이 깎여, 조면화 되어 버리는 경우가 있다. 그래서, 이러한 문제를 미연에 방지하기 위하여, 본 실시형태의 커버 유리(100A)는, 유리 기재(101)와 차광막(105) 사이에, 에칭 스토퍼층(103)을 구비하고 있다.
본 실시형태의 에칭 스토퍼층(103)은 투광성을 갖는 SiO2의 박막이며, 후술하는 바와 같이, 유리 기재(101)의 입사면(101a) 위에 스퍼터링법이나 진공증착법 등에 의해 형성된다. 또한, 에칭 스토퍼층(103)으로서는 적어도 가시광의 파장 영역에서 광투과율이 높은(즉, 투명한) 박막이 바람직하고, 재료로서는, 예를 들면, SiO2 대신에, Al2O3 또는 ZrO2를 사용할 수 있다. 또한 에칭 스토퍼층(103)의 막 두께는 에칭 스토퍼로서 기능하는 범위 내에서 자유롭게 설정할 수 있지만, 커버 유리(100A) 위에 형성되는 반사방지막(110)의 성능에 영향을 주지 않도록, 본 실시형태에서는, 대략 λ/2의 광학 막 두께로 설정하고 있다.
도 9는 본 실시형태에 따른 커버 유리(100A)의 제조 방법을 나타내는 흐름도이다. 도 4와 마찬가지로, 도 9(a)는 커버 유리(100A)의 제조 공정을 나타내는 플로우차트이고, 도 9(b)는 각 제조 공정에 대응한 커버 유리(100A)의 평면 확대도이며, 도 9(c)는 각 제조 공정에 대응한 커버 유리(100A)의 단면 확대도이다. 또한, 도 4와 마찬가지로, 이해를 쉽게 하기 위하여, 도 9(b)에서는, 각 구성요소에 농담을 나타내고, 도 9(c)에는, 각 구성요소를 강조하여 나타내고 있다.
도 9에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 커버 유리(100A)의 제조 방법은, 유리 기판의 성형 공정과 Cr 다층막의 형성 공정 사이에, Cr 다층막의 형성 공정을 갖는 점에서 제 1 실시형태에 따른 커버 유리(100)의 제조 방법(즉, 도 4에 나타내는 제조 방법)과는 상이하다.
SiO2 박막의 형성 공정에서는, 유리 기판의 성형 공정에서 얻어진 유리 기재(101)의 입사면(101a) 위에, 스퍼터링법이나 진공증착법 등에 의해, 광학 막 두께가 대략 λ/2의 SiO2 박막(즉, 에칭 스토퍼층(103))이 형성된다. 또한, 본 실시형태에서는, 참조 파장 λ: 520nm, SiO2의 굴절률: 1.45로 하고, 설계값으로서는 물리 막 두께가 약 179nm의 SiO2 박막을 형성하는 것으로 하지만, 실제의 제조 공정에서는, ±10% 정도의 공차 범위 내에서 편차, 179nm±10%의 SiO2 박막이 형성된다.
그리고, 도 4에 나타내는 프로세스와 동일한 프로세스에 의해, SiO2 박막(즉, 에칭 스토퍼층(103)) 위에 Cr 다층막이 형성되고, 에칭(즉, 패터닝 공정)에 의해, 차광막(105)이 패터닝되고, 또한 차광막(105)과 차광막(105)의 개구부를 덮도록 반사방지막(110)이 형성된다.
또한, 패터닝 공정에서는, 유리 기재(101)를 Cr 에칭액에 침지하면, 에칭의 진행에 따라, 레지스트가 형성되어 있지 않은 부분의 Cr 다층막이 에칭액 중으로 용출되는데, 본 실시형태에서는, Cr 다층막의 하측(즉, Cr 다층막과 유리 기재(101)사이)에 에칭 스토퍼층(103)이 형성되어 있기 때문에, 이것에 의해 에칭이 스톱되어, 에칭액에 의해 유리 기재(101)의 입사면(101a)이 깎이지 않는다. 따라서, 본 실시형태에서는, 유리 기재(101)의 입사면(101a)이 조면화되지 않아, 유리 기재(101)의 입사면(101a)에 입사되는 광은 흐트러지지 않고 유리 기재(101) 내로 인도되어, 출사면(101b)으로부터 출사된다. 또한 본 실시형태의 구성에 의하면, 에칭 스토퍼층(103)에 의해 에칭을 확실하게 스톱시킬 수 있기 때문에, 유리 기재(101) 전체를 비교적 장시간에 걸쳐 에칭액에 담글 수 있어, Cr 다층막의 에칭 잔류물이 없어, 엣지가 깨끗한 차광막(105)을 형성할 수 있다.
이상이 본 발명의 제 2 실시형태의 설명이지만, 제 1 실시형태와 동일하게, 본 발명은 상기의 실시형태의 구성에 한정되는 것은 아니며, 그 기술적 사상의 범위 내에서 여러 변형이 가능하다.
예를 들면, 본 실시형태의 에칭 스토퍼층(103)의 광학 막 두께는 대략 λ/2인 것으로서 설명했지만, 에칭 스토퍼로서 기능하면 되며, 어떠한 막 두께의 것이어도 적용할 수 있다. 그러나, 에칭 스토퍼층(103)을 성막하는 경우, 일반적으로 ±10% 정도의 제조상의 편차(오차)가 발생한다. 이 때문에, 제조상의 오차를 압축한다고 하는 관점에서는, 에칭 스토퍼층(103)의 막 두께는 얇으면 얇을수록 바람직하다. 또한 에칭 스토퍼층(103)의 막 두께가 두꺼워지면, 그 막 응력에 의해 유리 기재(101)가 휘어, 유리 기재(101)의 파손을 초래하거나, 후공정(예를 들면, 반사방지막의 형성 공정)에서의 불량률이 상승한다고 하는 문제가 염려된다. 따라서, 막 응력을 완화한다고 하는 관점에서도 에칭 스토퍼층(103)의 막 두께는 얇은 편이 바람직하고, 유리 기재(101)의 판 두께에 대하여, 0.3∼200.0ppm의 물리 막 두께인 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는, 예를 들면, 0.1∼1.0mm의 판 두께의 유리 기재(101)에 대하여, 0.3∼20.0nm의 물리 막 두께의 에칭 스토퍼층(103)이 형성되는 것이 바람직하고, 또한 0.1∼0.3mm의 판 두께의 유리 기재(101)에 대하여, 1.0∼10.0nm(즉, 3.3∼100.0ppm)의 물리 막 두께의 에칭 스토퍼층(103)이 형성되는 것이 보다 바람직하다. 또한, 에칭 스토퍼층(103)의 막 두께를 대략 λ/2보다도 얇게 한 경우, 그것에 따라 반사방지막(110)의 구성요소인 Al2O3 박막(110a), ZrO2 박막(110b), MgF2 박막(110c)의 각 막 두께를 최적화하는 것이 바람직하지만, 이 경우도, 제 1 실시형태에 따른 커버 유리(100)와 마찬가지로, 투광부(T)에 입사되는 파장 420∼680nm의 입사광의 반사를 억제하는 기능과, 차광부(S)에 입사되는 파장 420∼680nm의 입사광의 반사를 억제하는 기능을 함께 갖도록, 차광막(105)의 최상위층(즉, 반사방지막(110)과 접하는 층)인 Cr2O3 박막(105c)의 막 두께를 반사방지막(110)에 맞추어 최적화하면 된다.
또한 본 실시형태의 에칭 스토퍼층(103), 차광막(105) 및 반사방지막(110)은 유리 기재(101)의 입사면(101a) 측에 형성되는 것으로서 설명했지만, 고체 촬상 소자(200)나 패키지(300)로부터의 귀환광이 많아, 유리 기재(101)의 출사면(101b)에서의 반사광에 의해 고스트나 플레어가 발생하는 경우에는, 도 10에 도시하는 바와 같이, 반사방지막(110)과 동일한 반사방지막(120)을 유리 기재(101)의 출사면(101b) 측에 형성해도 된다. 또한 유리 기재(101)의 입사면(101a) 측에서의 반사광보다도, 유리 기재(101)의 출사면(101b)에서의 반사광이 원인으로 고스트나 플레어가 발생하는 경우에는, 도 11에 도시하는 바와 같이, 유리 기재(101)의 출사면(101b) 측에 에칭 스토퍼층(106), 차광막(107) 및 반사방지막(120)을 형성해도 된다. 또한 도 12에 도시하는 바와 같이, 유리 기재(101)의 입사면(101a) 측에 에칭 스토퍼층(103), 차광막(105) 및 반사방지막(110)을 형성하고, 유리 기재(101)의 출사면(101b) 측에 에칭 스토퍼층(106), 차광막(107) 및 반사방지막(120)을 형성해도 된다.
또한, 이번 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이며, 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 본 발명의 범위는 상기한 설명이 아니라, 특허청구범위에 의해 나타내어지며, 특허청구범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다.
1: 고체 촬상 디바이스 100, 100A: 커버 유리
101: 유리 기재 101a: 입사면
101b: 출사면 103, 106: 에칭 스토퍼층
105, 107: 차광막 105a, 105c: Cr2O3 박막
105b: Cr 박막 110, 120: 반사방지막
110a: Al2O3 박막 110b: ZrO2 박막
110c: MgF2 박막 200: 고체 촬상 소자
300: 패키지
101: 유리 기재 101a: 입사면
101b: 출사면 103, 106: 에칭 스토퍼층
105, 107: 차광막 105a, 105c: Cr2O3 박막
105b: Cr 박막 110, 120: 반사방지막
110a: Al2O3 박막 110b: ZrO2 박막
110c: MgF2 박막 200: 고체 촬상 소자
300: 패키지
Claims (19)
- 고체 촬상 소자가 내장된 촬상 장치에 사용되는 광학 소자로서,
고체 촬상 소자를 향하는 광이 입사되는 입사면과, 이 입사면에 입사된 광이 투과되어 상기 고체 촬상 소자를 향하여 출사되는 출사면을 표리에 구비하는 투명 기판;
상기 입사면 및 상기 출사면의 적어도 일방의 면 위에 에칭에 의해 프레임 형상으로 형성되어, 상기 광의 일부를 차광하는 차광막;
상기 차광막과 상기 투명 기판 사이에, 상기 투명 기판의 전체 면에 걸쳐 형성되고, 상기 에칭의 스토퍼로서 기능하는, 적어도 가시광에 대하여 투명한 에칭 스토퍼층; 및
상기 차광막과 상기 차광막의 개구부를 덮도록 형성된 반사방지막;
을 구비하고,
상기 차광막의 개구부의 영역에 입사되는 광을 반사를 억제하면서 투과시키는 투광부와, 상기 차광막의 영역에 입사되는 광을 반사를 억제하면서 차광하는 차광부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 차광막이 적어도 Cr을 포함하는 박막에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 소자. - 제 2 항에 있어서,
상기 차광막은 Cr로 이루어지는 제 1 박막과, Cr2O3로 이루어지고, 상기 제 1 박막과 상기 투명 기판 사이에 형성된 제 2 박막과, Cr2O3로 이루어지고, 상기 제 1 박막과 상기 반사방지막 사이에 형성된 제 3 박막을 구비하는 것을 특징으로 하는 광학 소자. - 제 3 항에 있어서,
상기 제 3 박막은 상기 반사방지막과 접하고, 막 두께가 55∼63nm인 것을 특징으로 하는 광학 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 반사방지막은 Al2O3, ZrO2, MgF2가 차례로 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 광학 소자. - 제 2 항에 있어서,
상기 반사방지막은 Al2O3, ZrO2, MgF2가 차례로 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 광학 소자. - 제 3 항에 있어서,
상기 반사방지막은 Al2O3, ZrO2, MgF2가 차례로 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 광학 소자. - 제 4 항에 있어서,
상기 반사방지막은 Al2O3, ZrO2, MgF2가 차례로 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 광학 소자. - 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 투광부의 면적이 상기 고체 촬상 소자의 수광면의 면적보다도 큰 것을 특징으로 하는 광학 소자. - 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광학 소자는 상기 고체 촬상 소자를 수용하는 패키지의 전면에 부착되는 커버 유리인 것을 특징으로 하는 광학 소자. - 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 투명 기판은 근적외선 영역의 파장의 광을 흡수하는 근적외선 흡수 유리인 것을 특징으로 하는 광학 소자. - 제 11 항에 있어서,
상기 근적외선 흡수 유리는 Cu2+를 함유하는 불소인산염계 유리, 또는 Cu2+를 함유하는 인산염계 유리로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광학 소자. - 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 에칭 스토퍼층이 SiO2, Al2O3 또는 ZrO2의 박막으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광학 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 광의 참조 파장을 λ라고 했을 때, 상기 에칭 스토퍼층의 광학 막 두께가 λ/2인 것을 특징으로 하는 광학 소자. - 제 15 항에 있어서,
상기 광의 참조 파장을 λ라고 했을 때, 상기 에칭 스토퍼층의 광학 막 두께가 λ/2인 것을 특징으로 하는 광학 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 에칭 스토퍼층의 물리 막 두께가 상기 투명 기판의 판 두께에 대하여 0.3∼200.0ppm인 것을 특징으로 하는 광학 소자. - 제 1 항에 있어서,
상기 투명 기판의 판 두께가 0.1∼1.0mm이며, 상기 에칭 스토퍼층의 물리 막 두께가 0.3∼20.0nm인 것을 특징으로 하는 광학 소자.
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