KR20180101616A - 고온 처리 응용에서 측정 파라미터를 획득하기 위한 계장화 기판 장치 - Google Patents

고온 처리 응용에서 측정 파라미터를 획득하기 위한 계장화 기판 장치 Download PDF

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Abstract

장치는 기판과, 외측 인클로저 및 내측 인클로저를 포함한 네스티드 인클로저 어셈블리를 포함한다. 외측 인클로저는 내측 인클로저를 감싸고 내측 인클로저는 적어도 전자 어셈블리를 감싼다. 절연 매질이 내측 인클로저의 외측 표면과 외측 인클로저의 내측 표면 사이의 공동 내에 배치되며, 시스템은 상기 전자 어셈블리에 통신가능하게 결합된 센서 어셈블리를 포함한다. 센서 어셈블리는 기판의 하나 이상의 위치에서 하나 이상의 측정 파라미터를 획득하도록 구성된 하나 이상의 센서를 포함한다. 전자 어셈블리는 하나 이상의 센서로부터 하나 이상의 측정 파라미터를 수신하도록 구성된다.

Description

고온 처리 응용에서 측정 파라미터를 획득하기 위한 계장화 기판 장치
이 출원은 발명자 메이 선과 바이브호 비샬이 "에피택시 챔버에서 온도를 측정하기 위한 네스티드 모듈 기반 계장화 웨이퍼 어셈블리 설계"의 명칭으로 2016년 2월 2일자 출원한 미국 가특허 출원 제62/290,153호에 대한 35 U.S.C. §119(e)의 우선권을 주장하며, 상기 미국 가특허 출원은 여기에서의 인용에 의해 그 전부가 본원에 통합된다.
본 발명은 일반적으로 반도체 공정 라인에 따른 웨이퍼 모니터링에 관한 것으로, 특히 고온에서의 동작이 가능한 다중 스테이지 네스티드(nested) 인클로저 어셈블리에 관한 것이다.
반도체 장치 처리 환경에서 처리 조건의 공차가 점점 좁아짐에 따라 개선된 공정 모니터링 시스템에 대한 요구가 계속하여 증가하고 있다. 처리 시스템(예를 들면, 에피택시 챔버) 내에서의 열적 균일성은 이러한 한가지 조건이다. 현재의 방법은 관련 챔버를 오염시키지 않고 현재 처리 기법을 요구하는 극한 조건(예를 들면, 고온)에서 온도를 모니터링할 수 없다. 그러므로 반도체 장치 처리 라인의 조건들을 모니터링하기 위해 계장화(instrumented) 웨이퍼를 이용한 고온 측정을 가능하게 하는 시스템 및 방법을 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 하나 이상의 실시형태에 따라서, 고온 처리 응용에서 측정 파라미터를 획득하는 장치가 개시된다. 일 실시형태에서, 장치는 기판을 포함한다. 다른 실시형태에서, 장치는 외측 인클로저와 내측 인클로저를 포함한 네스티드 인클로저 어셈블리를 포함한다. 다른 실시형태에서, 외측 인클로저는 내측 인클로저를 감싼다. 다른 실시형태에서, 내측 인클로저는 전자 어셈블리를 감싼다. 다른 실시형태에서, 절연 매질이 내측 인클로저의 외측 표면과 외측 인클로저의 내측 표면 사이의 공동 내에 배치된다. 다른 실시형태에서, 장치는 상기 전자 어셈블리에 통신가능하게 결합된 센서 어셈블리를 포함한다. 다른 실시형태에서, 센서 어셈블리는 하나 이상의 센서를 포함한다. 다른 실시형태에서, 하나 이상의 센서는 기판의 하나 이상의 위치에 배치된다. 다른 실시형태에서, 하나 이상의 센서는 기판의 하나 이상의 위치에서 하나 이상의 측정 파라미터를 획득하도록 구성된다. 다른 실시형태에서, 상기 전자 어셈블리는 상기 하나 이상의 센서로부터 하나 이상의 측정 파라미터를 수신하도록 구성된다.
본 발명의 하나 이상의 실시형태에 따라서, 고온 처리 응용에서 측정 파라미터를 획득하는 방법이 개시된다. 일 실시형태에서, 방법은 기판에 걸쳐 복수의 위치에 배치된 복수의 센서로부터 복수의 측정 파라미터를 네스티드 인클로저 어셈블리 내에 배치된 전자 어셈블리에 의해 획득하는 단계를 포함한다. 다른 실시형태에서, 상기 네스티드 인클로저 어셈블리는 외측 인클로저와 내측 인클로저를 포함한다. 다른 실시형태에서, 외측 인클로저는 내측 인클로저를 감싼다. 다른 실시형태에서, 내측 인클로저는 적어도 전자 어셈블리를 감싼다. 다른 실시형태에서, 상기 방법은 복수의 측정 파라미터를 상기 네스티드 인클로저 어셈블리 내에 배치된 전자 어셈블리에 의해 저장하는 단계를 포함한다.
전술한 일반적인 설명 및 이하의 상세한 설명은 단지 모범적이고 설명적인 것이며 청구되는 발명을 반드시 제한하는 것이 아님을 이해하여야 한다. 본 명세서에 통합되어 명세서의 일부를 구성하는 첨부 도면은 발명의 실시형태를 예시하며, 일반적인 설명과 함께 발명의 원리를 설명하는데 소용된다.
발명의 많은 장점들은 첨부 도면을 참조함으로써 당업자들이 더 잘 이해할 수 있다.
도 1a는 본 발명의 하나 이상의 실시형태에 따른, 네스티드 인클로저 어셈블리가 장착된 계장화 기판 장치의 평면도이다.
도 1b 내지 도 1d는 본 발명의 하나 이상의 실시형태에 따른, 네스티드 인클로저 어셈블리의 단면도이다.
도 1e는 본 발명의 하나 이상의 실시형태에 따른, 계장화 기판 장치를 포함한 공정 챔버의 블록도이다.
도 1f는 본 발명의 하나 이상의 실시형태에 따른, 원격 데이터 시스템과 통신하도록 배치된 계장화 기판 장치의 평면도이다.
도 1g는 본 발명의 하나 이상의 실시형태에 따른, 네스티드 인클로저 어셈블리 내에 포함된 전자 어셈블리의 블록도이다.
도 2는 본 발명의 하나 이상의 실시형태에 따른, 계장화 기판에 걸친 측정 파라미터를 획득하는 방법을 보인 흐름도이다.
이제, 첨부 도면에 예시된 개시된 주제에 대하여 상세히 설명한다.
일반적으로 도 1a 내지 도 2를 참조하면서, 계장화 기판에 걸쳐 측정 파라미터를 획득하기 위한 시스템 및 방법을 본 발명에 따라 설명한다.
본 발명의 실시형태는 고온(예를 들면, 600℃~800℃)에서 동작할 수 있는 계장화 기판 장치와 관련된다. 그러한 계장화 기판 장치는 고온에서 동작하는 반도체 공정 챔버(예를 들면, 에피택시 챔버) 내에서 활용될 수 있다. 일부 실시형태에서, 본 발명의 계장화 기판 장치는 제1 및 제2 인클로저(예를 들면, 열 차폐물(heat shield))를 포함한 네스티드 인클로저 어셈블리를 포함하고, 이로써 온보드 전자 패키지(예를 들면, 전자 어셈블리) 및/또는 다른 민감한 장치들이 네스티드 인클로저 어셈블리 내에 하우징되어 계장화 기판이 800℃만큼 높은 온도에 노출된 때에도 전자 패키지의 온도를 약 150℃ 이하로 유지한다.
도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 하나 이상의 실시형태에 따른, 기판(102)에 걸쳐 측정 파라미터를 획득하기 위한 계장화 기판 장치(100)를 보인 것이다. 도 1a는 계장화 기판 장치(100)의 평면도이고, 도 1b 내지 도 1d는 계장화 기판 장치(100)의 단순화한 단면도이다.
일 실시형태에서, 계장화 기판 장치(100)는 기판(102), 센서 어셈블리(105), 및 전자 어셈블리(125)를 포함한 네스티드 인클로저 어셈블리(104)를 포함한다.
기판(102)은 반도체 처리 분야에서 공지된 임의의 기판을 포함할 수 있다. 일 실시형태에서, 기판(102)은 웨이퍼이다. 예를 들면, 기판(102)은 비제한적으로 반도체 웨이퍼(예를 들면, 실리콘 웨이퍼)를 포함할 수 있다.
일 실시형태에서, 도 1b에 도시된 것처럼, 네스티드 인클로저 어셈블리(104)는 내측 인클로저(114)와 외측 인클로저(116)를 포함한다. 예를 들면, 내측 인클로저(114)와 외측 인클로저(116)는 각각 내측 열 차폐물과 외측 열 차폐물로 구성될 수 있다. 다른 실시형태에서, 전자 어셈블리(125)(예를 들면, 프로세서, 메모리, 전원, 통신 회로 등)는 내측 인클로저(114) 내에 배치될 수 있고, 내측 인클로저(114)는 외측 인클로저(116) 내에 배치되어 네스티드 인클로저 구조를 형성한다.
일 실시형태에서, 내측 인클로저(114)는 높은 열 용량(예를 들면, 체적)을 가진 물질로 형성된다. 예를 들면, 내측 인클로저(114)는 비제한적으로 철-니켈-코발트 합금, 니켈-철 합금 또는 철-탄소 합금과 같은 하나 이상의 금속 합금으로 형성될 수 있다. 예로써, 내측 인클로저(114)는 코바르(KOVAR), 인바르(INVAR) 또는 스테인레스강을 포함한 물질들 중의 하나 이상으로 형성될 수 있다. 내측 인클로저가 코바르로 형성되는 경우에, 내측 인클로저(114)의 전자 어셈블리(125)(및 전자 어셈블리(125)의 각종 컴포넌트)는 내측 인클로저(114)의 온도를 밀접하게 따른다. 다른 예로서, 내측 인클로저(114)는 비제한적으로 사파이어 또는 결정질 석영과 같은 하나 이상의 결정질 물질로 형성될 수 있다.
다른 실시형태에서, 외측 인클로저(116)는 비제한적으로 세라믹, 합성물 또는 유리를 포함한 하나 이상의 물질로 형성된다. 다른 실시형태에서, 외측 인클로저(116)는 무시할만한 오염을 유발하는 물질로 형성된다. 예를 들면, 외측 인클로저(116)는 비제한적으로 실리콘, 실리콘 탄화물, 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물을 포함한 하나 이상의 저오염 물질로 형성될 수 있다.
일 실시형태에서, 내측 인클로저(114)는 덮개부(113)와 베이스(115)를 포함하고, 덮개부(113)는 내측 인클로저(114)의 내부에 접근할 수 있도록 베이스(115)로부터 제거할 수 있다. 다른 실시형태에서, 외측 인클로저(116)는 덮개부(117)와 베이스(119)를 포함하고, 덮개부(117)는 외측 인클로저(116)의 내부에 접근할 수 있도록 베이스(119)로부터 제거할 수 있다.
다른 실시형태에서, 네스티드 인클로저 어셈블리(104)는 내측 인클로저(114)와 외측 인클로저(116) 사이에 배치된 절연 매질(120)을 포함한다. 내측 인클로저(114)와 외측 인클로저(116) 사이에서 절연 매질(120)의 구현은 외측 인클로저 외부의 고온 환경(예를 들면, 반도체 공정 챔버)으로부터 내측 인클로저(114) 내 영역으로의 열전달을 감소시키는데 소용된다는 점에 주목한다. 예를 들면, 절연 매질(120)은 내측 인클로저(114) 외측 표면과 외측 인클로저(116)의 내측 표면 사이의 공동 내에 배치될 수 있다. 다른 실시형태에서, 절연 매질(120)은 비제한적으로 다공성 고체 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 절연 매질(120)은 하나 이상의 에어로겔 물질(예를 들면, 실리카 에러로겔 물질)일 수 있다. 예를 들면, 에어로겔 물질은 약 98.5%만큼 높은 다공성을 갖도록 형성될 수 있다. 다른 예로서, 절연 매질(120)은 세라믹 물질(예를 들면, 다공성 세라믹 물질)일 수 있다. 여기에서, 세라믹 기반 절연 매질의 소결 중에, 상기 다공성은 기공 형성제를 이용하여 제어될 수 있다는 점에 주목한다. 또한, 세라믹 물질의 다공성은 50~99% 범위의 다공성을 갖도록 형성될 수 있다는 점에 주목한다. 예를 들면, 세라믹 물질의 다공성은 95~99% 범위의 다공성을 갖도록 제조될 수 있다.
다른 실시형태에서, 절연 매질(120)은 불투명이다. 예를 들면, 절연 매질(120)은 비제한적으로 외측 인클로저(116)의 내측 표면과 내측 인클로저(114)의 외측 표면 사이의 체적을 가로지르는 복사선을 흡수하는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 절연 매질(120)은 비제한적으로 탄소 도핑형 에어로겔 물질을 포함할 수 있다.
다른 실시형태에서, 절연 매질(120)은 저압 가스(즉, 진공 압력으로 유지되는 가스)이고, 이로써 가스는 주변 압력(ambient pressure)(즉, 공정 챔버의 압력)보다 낮은 압력으로 유지된다. 이와 관련하여, 내측 인클로저(114)의 외측 표면과 외측 인클로저(116)의 내측 표면 사이의 체적은 진공 압력으로 유지되어서 외측 인클로저(116)로부터 내측 인클로저(114)로의 열 전도를 최소화할 수 있다. 다른 실시형태에서, 절연 매질(120)은 주변 압력과 대략 동일하지만 대기압보다는 낮은 압력으로 유지되는 가스이다. 다른 실시형태에서, 절연 매질(120)은 주변 압력보다 높지만 대기압보다는 낮은 압력으로 유지되는 가스이다. 이 설명의 목적상, "진공 압력"은 주변 압력보다 낮은 임의의 압력을 의미하는 것으로 해석된다.
일 실시형태에서, 도 1b에 도시된 것처럼, 내측 인클로저(114)는 하나 이상의 지지 구조물(122)에 의해 외측 인클로저(116)의 내측 표면상에 지지된다. 예를 들면, 상기 하나 이상의 지지 구조물(122)은 비제한적으로 하나 이상의 다리 또는 하나 이상의 플랫폼을 포함할 수 있다. 다른 실시형태에서, 상기 하나 이상의 지지 구조물(122)(예를 들면, 단일 지지 구조물 또는 복수의 지지 구조물)은 외측 인클로저(116)와 내측 인클로저(114) 사이에서 열 전달을 제한하도록 낮은 열 전도율을 가진 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 하나 이상의 지지 구조물(122)은 비제한적으로 철-니켈-코발트 합금, 니켈-철 합금 또는 철-탄소 합금과 같은 하나 이상의 금속 합금으로 형성될 수 있다. 예로써, 상기 하나 이상의 지지 구조물(122)은 코바르, 인바르 또는 스테인레스강을 포함한 물질들 중의 하나 이상으로 형성될 수 있다. 다른 실시형태에서, 상기 하나 이상의 지지 구조물(122)은 비제한적으로 세라믹, 합성물 또는 유리를 포함한 하나 이상의 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 하나 이상의 지지 구조물(122)은 비제한적으로 실리콘, 실리콘 탄화물, 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물과 같은 열 전도율이 낮은 물질로 형성될 수 있다.
일 실시형태에서, 도 1b에 도시된 것처럼, 외측 인클로저(116)는 하나 이상의 지지 구조물(123)에 의해 기판(102) 위에 지지된다. 다른 실시형태에서, 상기 하나 이상의 지지 구조물(123)(예를 들면, 단일 지지 다리 또는 복수의 지지 다리)은 기판(102)과 외측 인클로저(116) 사이에서 열 전달을 제한하도록 낮은 열 전도율을 가진 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 하나 이상의 지지 구조물(123)은 비제한적으로 세라믹, 합성물, 결정질 물질 또는 유리와 같은 열 전도율이 낮은 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 하나 이상의 지지 구조물(123)은 비제한적으로 실리콘, 실리콘 탄화물, 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물과 같은 열 전도율이 낮은 물질로 형성될 수 있다.
다른 실시형태에서, 도 1c에 도시된 것처럼, 저 방사율 및/또는 고 반사율 층(118a)(예를 들면, 코팅)이 내측 인클로저(114)의 외측 표면상에 배치된다. 다른 실시형태에서, 저 방사율 및/또는 고 반사율 층(118b)(예를 들면, 코팅)이 외측 인클로저(116)의 내측 표면상에 배치된다. 다른 실시형태에서, 상기 저 방사율 및/또는 고 반사율 층(118a)은 내측 인클로저(114)의 외측 표면 옆에 배치된 절연 매질(120) 위에 배치된다. 다른 실시형태에서, 상기 저 방사율 및/또는 고 반사율 층(118b)은 외측 인클로저(116)의 내측 표면 옆에 배치된 절연 매질(120) 위에 배치된다.
여기에서, 고 반사율 층이 외측 인클로저(116)의 내측 표면 옆에 배치된 경우에, 고 반사율 층(118b)은 공정 챔버 벽으로부터 또는 공정 챔버 내에 있을 수 있는 임의의 복사선 램프로부터 외측 인클로저에 오는 대부분의 열 복사선을 반사시키는데 소용된다. 또한, 내측 인클로저(114)의 외측 표면 옆에 배치된 고 반사율 층의 존재는 외측 인클로저(116)의 내측 표면으로부터 내측 인클로저에 오는 대부분의 열 복사선을 반사시키는데 소용된다. 또한, 외측 인클로저(116)의 내측 표면 옆에 배치된 저 방사율 물질의 활용은 외측 인클로저(116)에 의해 방출된 복사 열 에너지의 양을 줄이는데 소용되고, 이로써 내측 인클로저(114)에 의해 흡수될 수 있는 가용 복사 열 에너지의 양을 줄인다. 또한, 외측 인클로저(116)의 내측 표면 옆에 배치된 저 방사율 물질의 활용은 내측 인클로저(114)에 의해 방출된 복사 열 에너지의 양을 줄이는데 소용되고, 이로써 내측 인클로저(114) 내의 전자 어셈블리에 전달되어 흡수될 수 있는 가용 복사 열 에너지의 양을 줄인다.
다른 실시형태에서, 층(118a 및/또는 118b)은 비제한적으로 금, 은 또는 알루미늄과 같은 고 반사율 및 저 방사율 물질이다. 다른 실시형태에서, 층(118a 및/또는 118b)은 적층형 유전체 막으로 형성된 고 반사율 및 저 방사율 물질일 수 있다. 예를 들면, 층(118a 및/또는 118b)은 비제한적으로 산화물, 탄화물 또는 질화물을 포함한 물질들로 형성된 고 반사율 및 저 방사율의 적층형 유전체 막일 수 있다.
다른 실시형태에서, 도 1d에 도시된 것처럼, 하나 이상의 지지 구조물(122)은 내측 인클로저(114)의 바닥 표면과 외측 인클로저(116)의 바닥 표면 사이에 형성된 물질 층을 포함할 수 있다. 예를 들면, 내측 인클로저(114)는 외측 인클로저(116)의 내부 바닥 표면상에 배치된 열 전도율이 낮은 물질 층(135)에 의해 지지될 수 있다. 예를 들면, 상기 열 전도율이 낮은 물질 층은 하나 이상의 다공성 물질(예를 들면, 에어로겔 물질 또는 다공성 세라믹 물질)을 포함할 수 있다.
다시 도 1a를 참조하면, 일 실시형태에서, 전자 어셈블리(125)는 센서 어셈블리(105)에 결합된다. 다른 실시형태에서, 센서 어셈블리(105)는 하나 이상의 센서(124)를 포함한다. 다른 실시형태에서, 센서(124)는 기판(102)에 걸쳐 하나 이상의 위치에 배치되고 하나 이상의 유선 접속(126)을 통해 전자 어셈블리(125)에 접속된다. 이와 관련하여, 상기 하나 이상의 전자 어셈블리(125)는 기판(102)의 하나 이상의 위치에 배치된 하나 이상의 센서(124)로부터 하나 이상의 측정 파라미터(예를 들면, 열전쌍으로부터 전압, 저항 온도 장치로부터 저항, 압력 센서로부터 전압(또는 다른 신호), 복사선 센서로부터 전압(또는 다른 신호), 화학 센서로부터 전압(또는 다른 신호) 등)를 획득할 수 있다. 또한, 네스티드 인클로저 어셈블리(104)에 내장된 전자 어셈블리(125)에 의해 획득된 상기 측정 파라미터들은 전자 어셈블리(125)의 메모리(131)에 저장된다. 다른 실시형태에서, 상기 전자 어셈블리(125)는 원격 데이터 시스템(103)에 통신가능하게 결합된다. 다른 실시형태에서, 상기 전자 어셈블리(125)는 복수의 측정 파라미터를 원격 데이터 시스템(103)에 전송한다.
상기 하나 이상의 센서(124)는 업계에 공지된 임의의 측정 장치를 포함할 수 있다는 점에 주목한다. 예를 들면, 상기 하나 이상의 센서(124)는 비제한적으로 열 센서, 압력 센서, 복사선 센서 및/또는 화학 센서를 포함할 수 있다. 예를 들어서 온도 측정의 경우에, 상기 하나 이상의 센서(124)는 비제한적으로 하나 이상의 열전쌍(thermocouple, TC) 소자(예를 들면, 열전 접합) 또는 하나 이상의 저항 온도 소자(resistance temperature device, RTD)(예를 들면, 박막 RTD)를 포함할 수 있다. 다른 예로서, 압력 측정의 경우에, 상기 하나 이상의 센서(124)는 비제한적으로 압전 센서, 용량 센서, 광학 센서, 전위차계 센서 등을 포함할 수 있다. 다른 예로서, 복사선 측정의 경우에, 상기 하나 이상의 센서는 비제한적으로 하나 이상의 광 검출기(예를 들면, 광전 셀, 포토레지스터 등) 또는 다른 복사선 검출기(예를 들면, 반도체 검출기)를 포함할 수 있다. 다른 예로서, 화학 측정의 경우에, 상기 하나 이상의 센서(124)는 비제한적으로 하나 이상의 화학저항기, 가스 센서, pH 센서 등을 포함할 수 있다.
일 실시형태에서, 도 1e에 도시된 것처럼, 계장화 기판 장치(100)는 회전 가능한 플랫폼(138)상에 배치된다. 다른 실시형태에서, 상기 계장화 기판 장치(100)는 더미 인클로저 어셈블리(108)를 포함한다. 예를 들면, 더미 인클로저 어셈블리(108)는 네스티드 인클로저 어셈블리(104)의 무게를 상쇄시키는 평형추 무게로서 소용되도록 기판(102)의 선택된 장소에 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 더미 인클로저 어셈블리(108)는 기판(102)의 중심으로부터 상기 네스티드 인클로저 어셈블리(104)까지와 동일 거리로 상기 네스티드 인클로저 어셈블리(104)의 반대쪽에 배치될 수 있다. 여기에서 상기 네스티드 인클로저 어셈블리(104)의 반대쪽 장소에 배치된 더미 인클로저 어셈블리(108)는 계장화 기판 장치(100)의 질량 중심을 기판 어셈블리(102)의 중심에 유지하는데 소용된다는 점에 주목한다. 다른 실시형태에서, 비록 도시되지 않았지만, 네스티드 인클로저 어셈블리(104)는 계장화 기판 장치(100)의 질량 중심을 기판 어셈블리(102)의 중심에 유지하도록 기판 어셈블리(102)의 중심에 배치될 수 있다. 다른 실시형태에서, 공정 챔버 가스(136)가 기판 어셈블리(102) 위로 유동한다. 다른 실시형태에서, 하나 이상의 열원(134)이 공정 챔버을 가열하기 위해 사용된다. 예를 들면, 계장화 기판 장치(100)의 위 및 아래에 있는 가열 램프가 공정 챔버을 가열한다.
도 1f는 본 발명의 하나 이상의 실시형태에 따른, 계장화 기판 장치(100) 및 원격 데이터 시스템(103)을 포함한 계장화 기판 어셈블리 시스템(150)을 보인 것이다. 일 실시형태에서, 하나 이상의 전자 어셈블리(125)는 원격 데이터 시스템(103)에 무선 통신가능하게 결합된다. 하나 이상의 전자 어셈블리(125)는 임의의 적당한 방법으로 원격 데이터 시스템(103)에 무선 통신가능하게 결합될 수 있다. 예를 들면, 계장화 기판 장치(100)는 통신 회로(106)를 포함할 수 있다. 통신 회로(106)는 통신 분야에 공지된 임의의 통신 회로 및/또는 통신 장치를 포함할 수 있다. 예를 들면, 통신 회로(106)는 비제한적으로 하나 이상의 통신 안테나(예를 들면, 통신 코일)를 포함할 수 있다. 일 실시형태에서, 통신 회로(106)는 전자 어셈블리(125)와 기판 외측 원격 데이터 시스템(103) 사이에 통신 링크를 확립하도록 구성된다. 또한, 통신 회로(106)는 전자 어셈블리(125)에 통신가능하게 결합된다(예를 들면, 전기 상호접속(127)을 통하여 결합된다). 이와 관련하여, 전자 어셈블리(125)는 하나 이상의 센서(124)에 의해 획득된 측정 파라미터를 표시하는 하나 이상의 신호를 하나 이상의 상호접속(127)을 통하여 통신 회로(106)에 전송할 수 있다. 그 다음에 통신 회로(106)는 상기 측정 파라미터를 표시하는 하나 이상의 신호를 원격 데이터 시스템(103)에 중계할 수 있다. 일 실시형태에서, 원격 데이터 시스템(103)은 기판상 통신 회로(106)와 원격 데이터 시스템(103) 사이에 통신 링크를 확립하는데 적합한 통신 회로(132)를 포함한다. 예를 들면, 통신 회로(132)는 무선 주파수(radio frequency, RF) 신호를 이용하여 상기 기판상 통신 회로(106)와 원격 데이터 시스템(103) 사이에 통신 링크를 확립할 수 있다. 여기에서 더 설명하는 거처럼, 센서 측정 파라미터와 관련된 값들은 전자 어셈블리(125) 및/또는 원격 데이터 시스템(103)에 의해 산출될 수 있다.
일 실시형태에서, 전자 어셈블리(125)는 하나 이상의 센서(124)에 의해 획득된 하나 이상의 측정 파라미터에 기초하여 하나 이상의 값들을 산출한다. 그 다음에, 전자 어셈블리(125)는 산출된 값들을 원격 데이터 시스템(103)에 전송할 수 있다. 다른 실시형태에서, 상기 값들은 원격 데이터 시스템(103)에 의해 산출된다. 이와 관련하여, 전자 어셈블리(125)는 하나 이상의 측정 파라미터를 원격 데이터 시스템(103)에 전송한다. 그 다음에 원격 데이터 시스템(103)은 센서(124)에 의해 획득된 하나 이상의 측정 파라미터에 기초하여 하나 이상의 값들을 산출할 수 있다.
다른 실시형태에서, 원격 데이터 시스템(103)은 센서(124)에 의해 획득된 상기 하나 이상의 신호에 기초하여 전자 어셈블리(125) 또는 원격 데이터 시스템(103)에 의해 산출된 하나 이상의 값을 기판(102)상의 획득 장소에 맵핑시킨다(즉, 상관시킨다). 다른 실시형태에서, 원격 데이터 시스템(103)은 상기 맵핑된 값들을 사용자 인터페이스에 보고한다. 예를 들면, 원격 데이터 시스템(103)은 맵핑된 값들을 데스크톱 컴퓨터, 랩톱 컴퓨터, 태블릿, 핸드헬드 장치, 메모리 또는 서버 중의 하나 이상에 보고할 수 있다.
도 1g는 본 발명의 하나 이상의 실시형태에 따른 전자 어셈블리(125)의 블록도이다. 일 실시형태에서, 전자 어셈블리(125)는 전원(112)(예를 들면, 하나 이상의 배터리)을 포함한다. 다른 실시형태에서, 전자 어셈블리(125)는 하나 이상의 프로세서(129)를 포함한다. 다른 실시형태에서, 전자 어셈블리(125)는 통신 회로(128)를 포함한다. 다른 실시형태에서, 전자 어셈블리(125)는 하나 이상의 프로세서(129)를 구성하기 위한 프로그램 명령어 및/또는 하나 이상의 센서(124)로부터 수신된 측정 결과들을 저장하기 위한 메모리 매체(131)(예를 들면, 메모리)를 포함할 수 있다. 본 설명의 목적상, 용어 '프로세서'는 메모리 매체(131)로부터의 명령어를 실행하는 하나 이상의 프로세서(예를 들면, CPU) 또는 논리 요소(예를 들면, ASIC)를 가진 임의의 장치를 포괄하는 것으로 넓게 규정될 수 있다. 이 점에서, 전자 어셈블리(125)의 하나 이상의 프로세서(129)는 알고리즘 및/또는 명령어를 실행하도록 구성된 임의의 마이크로프로세서형 또는 논리 장치를 포함할 수 있다. 본 명세서에서 설명한 단계들은 단일 프로세서에 의해 또는 대안적으로 복수의 프로세서에 의해 수행될 수 있다는 점을 이해하여야 한다. 메모리 매체(131)는 읽기 전용 메모리, 랜덤 액세스 메모리, 반도체 드라이브, 플래시, EPROM, EEPROM 등을 포함할 수 있다.
도 2는 본 발명의 하나 이상의 실시형태에 따른, 기판에 걸쳐 측정 파라미터를 획득하는 방법(200)을 보인 흐름도이다. 여기에서 도 2의 흐름도의 단계들은 제한하는 것으로 해석되지 않고 단지 예시 목적으로 제공된다는 점에 주목한다.
일 실시형태에서, 프로세스는 단계 202에서 시작한다. 프로세스는 복수의 위치에서 기판(102)에 배치된 센서(124)들의 세트로부터 측정 파라미터들의 세트를 획득하는 단계를 포함한다. 예를 들면, 센서(124)들의 세트는 전술한 센서들의 임의 세트를 포함할 수 있다. 예를 들면, 센서(124)들의 세트는 비제한적으로 기판(102)에 걸쳐 일련의 위치에 배치된 열 센서들의 세트를 포함할 수 있다. 이 예에서 열 센서들은 온도를 표시하는 파라미터(예를 들면, TC 전압, RTD 저항 등)들의 세트를 획득할 수 있다. 그 다음에, 단계 206에서, 측정 파라미터가 측정된 후에 그 결과들이 네스티드 인클로저에 내장된 메모리(예를 들면, 전자 어셈블리(125)의 메모리(131))에 저장된다. 단계 208에서, 복수의 측정 파라미터가 원격 데이터 시스템(103)에 전송된다. 예를 들면, 측정 데이터는 전자 어셈블리(125)로부터 원격 데이터 시스템(103)으로 무선 주파수(RF) 신호에 의해 통신 회로(106)(예를 들면, 통신 안테나)를 통하여 무선으로 전송될 수 있다. 단계 210에서, 각각의 측정 파라미터의 값이 기판(102)상의 복수의 위치에 배치된 복수의 센서(124)에 의해 획득된 각각의 측정 파라미터에 대하여 원격 데이터 시스템(103)에 의해 산출된다. 예를 들어서 온도 측정의 경우에, 센서(124)들 중의 하나와 관련된 온도가 그 센서에서의 온도를 표시하는 측정 파라미터에 기초하여 산출될 수 있다. 여기에서 각각의 센서(124)의 결과는 기판(102)의 표면에 맵핑된다는 점에 주목한다. 예를 들면, 원격 데이터 시스템(103)(또는 다른 데이터 시스템)은 센서(124) 세트의 각각의 센서에 대하여 측정된 값들을 상관시킨다. 그 다음에, 각각의 센서(124)의 공지된 장소에 기초하여, 원격 데이터 시스템(103)은 기판(102)의 최상면 내 평면에서의 위치(예를 들면, XY 위치)의 함수로서 기판(102)의 최상면에서의 값들의 데이터베이스 및/또는 맵을 형성할 수 있다. 다른 실시형태에서, 상기 값들의 데이터베이스 및/또는 맵이 사용자 인터페이스(도시 생략)의 디스플레이에서 제시된다. 단계 212에서 프로세스가 종료한다.
방법(200)의 각 단계는 시스템(150)을 통해 수행될 수 있다. 그러나 시스템(150)은 다양한 프로세스가 시스템(150)에 의해 수행되어 기판(102)의 복수의 위치에서 측정치를 획득하고 값들을 결정하는 복수의 프로세스 흐름을 발생할 수 있기 때문에 방법(200) 또는 기판(102)에 걸쳐 값들을 측정하는 방법으로 해석되지 않아야 한다는 점을 이해하여야 한다. 예를 들면, 하나 이상의 센서(124) 모두에 대하여 측정 파라미터가 획득된 후에, 전자 어셈블리(125)는 하나 이상의 센서(124)에 의해 획득된 각각의 측정 파라미터에 대한 값을 산출할 수 있다.
여기에서 설명한 주제는 가끔 다른 컴포넌트에 포함되거나 다른 컴포넌트와 접속된 상이한 컴포넌트들을 예시한다. 그러한 도시된 아키텍처는 단지 예를 든 것이고, 사실 동일한 기능을 달성하는 많은 다른 아키텍처가 구현될 수 있다는 점을 이해하여야 한다. 개념적으로, 동일한 기능을 달성하는 임의의 컴포넌트 배치는 원하는 기능을 달성하도록 효과적으로 "관련"된다. 그러므로 여기에서 특정 기능을 달성하도록 결합된 임의의 2개의 컴포넌트는 아키텍처 또는 중간 컴포넌트와 관계 없이 원하는 기능을 달성하도록 서로 "관련"된 것으로 보여질 수 있다. 마찬가지로, 그렇게 관련된 임의의 2개의 컴포넌트는 원하는 기능을 달성하도록 서로 "접속" 또는 "결합"된 것으로 또한 보여질 수 있고, 그렇게 관련될 수 있는 임의의 2개의 컴포넌트는 원하는 기능을 달성하도록 서로 "결합 가능한" 것으로 또한 보여질 수 있다. 결합 가능한 구체적인 예는, 비제한적으로, 물리적으로 상호작용 가능한 및/또는 물리적으로 상호작용하는 컴포넌트 및/또는 무선으로 상호작용 가능한 및/또는 무선으로 상호작용하는 컴포넌트 및/또는 논리적으로 상호작용 가능한 및/또는 논리적으로 상호작용하는 컴포넌트를 포함한다.
본 발명 및 그 많은 부수적인 장점들은 전술한 설명으로 이해될 것으로 믿어지고, 개시된 주제로부터 벗어나지 않고 또는 그 실질적인 장점들을 모두 희생하지 않고 컴포넌트들의 형태, 구성 및 배치에 있어서 각종 변화가 가능하다는 것은 명백하다. 여기에서 설명한 형태는 단지 설명을 위한 것이고, 첨부된 특허 청구범위는 그러한 변화를 포괄 및 포함하는 것으로 의도된다. 또한, 본 발명은 첨부된 특허 청구범위에 의해 규정된다는 점을 이해하여야 한다.

Claims (38)

  1. 장치에 있어서,
    기판과;
    전자 어셈블리와;
    외측 인클로저와 내측 인클로저를 포함한 네스티드(nested) 인클로저 어셈블리 - 상기 외측 인클로저는 내측 인클로저를 감싸고, 상기 내측 인클로저는 적어도 상기 전자 어셈블리를 감쌈 - 와;
    상기 내측 인클로저의 외측 표면과 상기 외측 인클로저의 내측 표면 사이의 공동 내에 배치된 절연 매질과;
    상기 전자 어셈블리에 통신가능하게 결합된 센서 어셈블리
    를 포함하고,
    상기 센서 어셈블리는 상기 기판의 하나 이상의 위치에 배치된 하나 이상의 센서를 포함하고, 상기 하나 이상의 센서는 상기 기판의 하나 이상의 위치에서 하나 이상의 측정 파라미터를 획득하도록 구성되며, 상기 전자 어셈블리는 상기 하나 이상의 센서로부터 상기 하나 이상의 측정 파라미터를 수신하도록 구성된 것인 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 하나 이상의 센서는 온도를 표시하는 하나 이상의 파라미터를 획득하도록 구성된 하나 이상의 온도 센서를 포함한 것인 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 하나 이상의 열 센서는 하나 이상의 열전쌍 소자를 포함한 것인 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 하나 이상의 열 센서는 하나 이상의 저항 온도 소자를 포함한 것인 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 하나 이상의 센서는 압력을 표시하는 하나 이상의 파라미터를 획득하도록 구성된 하나 이상의 압력 센서를 포함한 것인 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 하나 이상의 센서는 목표 화학물질의 존재를 표시하는 하나 이상의 파라미터를 획득하도록 구성된 하나 이상의 화학 센서를 포함한 것인 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 하나 이상의 센서는 복사선의 존재를 표시하는 하나 이상의 파라미터를 획득하도록 구성된 하나 이상의 복사선 센서를 포함한 것인 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 전자 어셈블리는,
    하나 이상의 프로세서와;
    통신 회로와;
    메모리와;
    전원
    을 포함한 것인 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    더미 인클로저 어셈블리
    를 더 포함하고, 상기 더미 인클로저 어셈블리는, 회전가능 플랫폼에서 회전하는 동안 상기 장치의 질량 중심을 상기 기판 어셈블리의 중심에 유지하기 위한 상기 기판 어셈블리 상의 장소에 배치된 것인 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 절연 매질은 다공성 고체 물질을 포함한 것인 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 절연 매질은 불투명한 것인 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 절연 매질은 흡수성인 것인 장치.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 절연 매질은 에어로겔을 포함한 것인 장치.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 절연 매질은 세라믹 물질을 포함한 것인 장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 절연 매질은 하나 이상의 가스를 포함한 것인 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 하나 이상의 가스는 대기압보다 낮은 압력으로 유지되는 것인 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 하나 이상의 가스는 주변 압력(ambient pressure)보다 낮은 압력으로 유지되는 것인 장치.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 외측 인클로저의 내부 표면에서 상기 내측 인클로저를 지지하는 하나 이상의 지지 구조물
    을 더 포함하는 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 하나 이상의 지지 구조물은 단열재로 형성된 것인 장치.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 내측 인클로저의 바닥부의 외측 표면과 상기 외측 인클로저의 바닥부의 내측 표면 사이에 배치된 단열재 층
    을 더 포함하는 장치.
  21. 제1항에 있어서,
    상기 기판 상에서 상기 외측 인클로저를 지지하는 하나 이상의 지지 구조물
    을 더 포함하는 장치.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 하나 이상의 지지 구조물은 단열재로 형성된 것인 장치.
  23. 제1항에 있어서,
    상기 내측 인클로저는 선택된 값 위의 열 용량을 가진 물질로 형성된 것인 장치.
  24. 제1항에 있어서,
    상기 내측 인클로저는 금속, 합금 또는 합성물 중의 적어도 하나로 형성된 것인 장치.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 내측 인클로저는 철-니켈-코발트 합금, 니켈-철 합금 또는 철-탄소 합금 중의 적어도 하나로 형성된 것인 장치.
  26. 제1항에 있어서,
    상기 내측 인클로저는 하나 이상의 결정질 물질로 형성된 것인 장치.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 내측 인클로저는 사파이어 또는 결정질 석영 중의 적어도 하나로 형성된 것인 장치.
  28. 제1항에 있어서,
    상기 외측 인클로저는 선택된 수준 아래의 오염율을 가진 물질로 형성된 것인 장치.
  29. 제1항에 있어서,
    상기 외측 인클로저는 세라믹, 서멧, 결정질 물질 또는 유리 중의 적어도 하나로 형성된 것인 장치.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 외측 인클로저는 실리콘, 실리콘 탄화물, 실리콘 질화물 또는 실리콘 이산화물 중의 적어도 하나로 형성된 것인 장치.
  31. 제1항에 있어서,
    상기 내측 인클로저의 외측 표면에 배치된 고 반사율 층 또는 상기 외측 인클로저의 내측 표면에 배치된 고 반사율 층 중의 적어도 하나
    를 더 포함하는 장치.
  32. 제31항에 있어서,
    상기 고 반사율 층은 금, 은 또는 알루미늄 중의 적어도 하나를 포함한 것인 장치.
  33. 제31항에 있어서,
    상기 고 반사율 층은 산화물, 질화물 또는 탄화물 중의 적어도 하나를 포함한 적층형 유전체 막인 것인 장치.
  34. 제1항에 있어서,
    상기 전자 어셈블리는 상기 하나 이상의 획득된 측정 파라미터로부터 하나 이상의 값을 산출하도록 구성된 것인 장치.
  35. 제1항에 있어서,
    상기 전자 어셈블리에 통신가능하게 결합된 원격 데이터 시스템
    을 더 포함하고, 상기 전자 어셈블리는 상기 하나 이상의 측정 파라미터를 상기 원격 데이터 시스템에 전송하도록 구성된 것인 장치.
  36. 방법에 있어서,
    기판에 걸쳐 복수의 위치에 배치된 복수의 센서로부터 복수의 측정 파라미터를, 네스티드 인클로저 어셈블리 내에 배치된 전자 어셈블리를 통해 획득하는 단계 - 상기 네스티드 인클로저 어셈블리는 외측 인클로저와 내측 인클로저를 포함하고, 상기 외측 인클로저는 상기 내측 인클로저를 감싸며, 상기 내측 인클로저는 적어도 전자 어셈블리를 감쌈 -와;
    상기 복수의 측정 파라미터를, 상기 네스티드 인클로저 어셈블리 내에 배치된 전자 어셈블리를 통해 저장하는 단계
    를 포함하는 방법.
  37. 제36항에 있어서,
    상기 복수의 측정 파라미터를 원격 데이터 시스템에 전송하는 단계
    를 더 포함하는 방법.
  38. 제36항에 있어서,
    상기 복수의 측정 파라미터 중의 적어도 일부에 대한 값을 산출하는 단계
    를 더 포함하는 방법.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10460966B2 (en) 2016-06-15 2019-10-29 Kla-Tencor Corporation Encapsulated instrumented substrate apparatus for acquiring measurement parameters in high temperature process applications
US10900843B2 (en) * 2018-06-05 2021-01-26 Kla Corporation In-situ temperature sensing substrate, system, and method
US11315811B2 (en) 2018-09-06 2022-04-26 Kla Corporation Process temperature measurement device fabrication techniques and methods of calibration and data interpolation of the same
US11668601B2 (en) 2020-02-24 2023-06-06 Kla Corporation Instrumented substrate apparatus
US20220223441A1 (en) * 2021-01-08 2022-07-14 Kla Corporation Process condition sensing apparatus
US11688614B2 (en) * 2021-04-28 2023-06-27 Kla Corporation Mitigating thermal expansion mismatch in temperature probe construction apparatus and method

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2001281291A1 (en) * 2000-06-29 2002-01-14 Semiconductor Diagnostics, Inc. Method for fast and accurate determination of the minority carrier diffusion length from simultaneously measured surface photovoltages
JP2002071469A (ja) * 2000-09-04 2002-03-08 Nikon Corp 温度測定装置および温度調節器
JP3888080B2 (ja) * 2001-04-24 2007-02-28 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ素子
US20030115978A1 (en) * 2001-12-20 2003-06-26 Moehnke Stephanie J. Apparatus and method for monitoring environment within a container
US7757574B2 (en) * 2002-01-24 2010-07-20 Kla-Tencor Corporation Process condition sensing wafer and data analysis system
US7151366B2 (en) 2002-12-03 2006-12-19 Sensarray Corporation Integrated process condition sensing wafer and data analysis system
SG115733A1 (en) * 2004-03-12 2005-10-28 Semiconductor Energy Lab Thin film transistor, semiconductor device, and method for manufacturing the same
DE102004034192A1 (de) 2004-07-14 2006-02-09 Heraeus Sensor Technology Gmbh Hochtemperaturstabiler Sensor
TWI405281B (zh) * 2005-12-13 2013-08-11 Sensarray Corp 製程條件感應晶圓及資料分析系統
JP5314616B2 (ja) * 2010-02-08 2013-10-16 富士フイルム株式会社 半導体素子用基板の製造方法
TW201604465A (zh) * 2010-06-15 2016-02-01 拜歐菲樂Ｉｐ有限責任公司 從導熱金屬導管提取熱能的方法、裝置和系統
JP2012163525A (ja) * 2011-02-09 2012-08-30 Sumitomo Heavy Ind Ltd 温度測定器、成膜装置、及び成膜基板製造方法
JP5950530B2 (ja) * 2011-10-03 2016-07-13 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US9140613B2 (en) * 2012-03-16 2015-09-22 Zhejiang Dunan Hetian Metal Co., Ltd. Superheat sensor
US9222842B2 (en) 2013-01-07 2015-12-29 Kla-Tencor Corporation High temperature sensor wafer for in-situ measurements in active plasma
JP6368773B2 (ja) * 2013-04-30 2018-08-01 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 空間的に分散されたガス流路を有する流量制御ライナー
JP6057292B2 (ja) * 2013-06-13 2017-01-11 学校法人関西学院 ＳｉＣ半導体素子の製造方法
US10141721B2 (en) * 2014-06-17 2018-11-27 Sony Corporation Light-emitting element and manufacturing method thereof

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