JP6944460B2 - 高温処理アプリケーションにおける計測パラメタ獲得用の計装基板装置 - Google Patents
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Description
本願は、「エピタキシチャンバ内温度計測用入れ子型モジュールベース計装ウェハアセンブリデザイン」(NESTED MODULE BASED INSTRUMENTED WAFER ASSEMBLY DESIGN FOR MEASURING TEMPERATURE IN EPITAXY CHAMBER)と題しMei Sun及びVaibhaw Vishalを発明者とする2016年2月2日付米国暫定特許出願第62/290,153号に基づき米国特許法第119条(e)の規定による優先権を主張する出願であるので、この参照を以て当該米国暫定特許出願の全容を本願に繰り入れることにする。
Claims (36)
- 基板と、
電子アセンブリと、
外容器及び内容器を有し、その外容器が内容器を囲みその内容器が少なくとも上記電子アセンブリを囲む入れ子型容器アセンブリと、
上記内容器の外表面と上記外容器の内表面との間の空洞内に配置され、前記入れ子型容器アセンブリが最高800℃の温度にさらされているときでも前記電子アセンブリを150℃以下に維持する絶縁媒体と、
上記電子アセンブリに可通信結合されたセンサアセンブリであり、上記基板の一個所又は複数個所に配置された1個又は複数個のセンサを有し、当該基板の当該一個所又は複数個所にて1個又は複数個の計測パラメタを獲得するよう当該1個又は複数個のセンサが構成されているセンサアセンブリと、
を備え、上記1個又は複数個のセンサから上記1個又は複数個の計測パラメタを受け取るよう上記電子アセンブリが構成されている装置。 - 請求項1に記載の装置であって、上記1個又は複数個のセンサが、
温度を示す1個又は複数個のパラメタを獲得するよう構成された1個又は複数個の温度センサを含む装置。 - 請求項2に記載の装置であって、上記1個又は複数個の温度センサが、
1個又は複数個の熱電対デバイスを含む装置。 - 請求項2に記載の装置であって、上記1個又は複数個の温度センサが、
1個又は複数個の測温抵抗体を含む装置。 - 請求項1に記載の装置であって、上記1個又は複数個のセンサが、
圧力を示す1個又は複数個のパラメタを獲得するよう構成された1個又は複数個の圧力センサを含む装置。 - 請求項1に記載の装置であって、上記1個又は複数個のセンサが、
標的物質の存在を示す1個又は複数個のパラメタを獲得するよう構成された1個又は複数個の化学センサを含む装置。 - 請求項1に記載の装置であって、上記1個又は複数個のセンサが、
輻射の存在を示す1個又は複数個のパラメタを獲得するよう構成された1個又は複数個の輻射センサを含む装置。 - 請求項1に記載の装置であって、上記電子アセンブリが、
1個又は複数個のプロセッサと、
通信回路と、
メモリと、
電源と、
を備える装置。 - 請求項1に記載の装置であって、更に、
ダミー容器アセンブリを備え、可回動プラットフォーム上での回動中に本装置の質量中心を上記基板の中心に保つべく、そのダミー容器アセンブリがその基板上のある位置に配置されている装置。 - 請求項1に記載の装置であって、上記絶縁媒体が、
多孔質固体素材を含む装置。 - 請求項10に記載の装置であって、上記絶縁媒体が不透明な装置。
- 請求項11に記載の装置であって、上記絶縁媒体が上記外容器の内表面と上記内容器の外表面との間を横断する輻射に対して吸収性である装置。
- 請求項10に記載の装置であって、上記絶縁媒体が、
エアロゲルを含む装置。 - 請求項10に記載の装置であって、上記絶縁媒体が、
セラミック素材を含む装置。 - 請求項1に記載の装置であって、上記絶縁媒体が、
ガスを含む装置。 - 請求項15に記載の装置であって、上記ガスが大気圧未満の圧力に保たれる装置。
- 請求項16に記載の装置であって、上記ガスが外気圧未満の圧力に保たれる装置。
- 請求項1に記載の装置であって、更に、
上記外容器の内表面上にて上記内容器を支持する1個又は複数個の支持構造を備える装置。 - 請求項18に記載の装置であって、上記1個又は複数個の支持構造が熱絶縁素材で形成されている装置。
- 請求項1に記載の装置であって、更に、
上記内容器の底部の外表面と上記外容器の底部の内表面との間に配置された熱絶縁素材層を備える装置。 - 請求項1に記載の装置であって、更に、
上記基板上にて上記外容器を支持する1個又は複数個の支持構造を備える装置。 - 請求項21に記載の装置であって、上記1個又は複数個の支持構造が熱絶縁素材で形成されている装置。
- 請求項1に記載の装置であって、上記内容器が金属、合金及び複合材のうち少なくとも一種類で形成されている装置。
- 請求項23に記載の装置であって、上記内容器が鉄ニッケルコバルト合金、鉄ニッケル合金及び鉄炭素合金のうち少なくとも一種類で形成されている装置。
- 請求項1に記載の装置であって、上記内容器が一種類又は複数種類の結晶性素材で形成されている装置。
- 請求項25に記載の装置であって、上記内容器がサファイア及び水晶のうち少なくとも一方で形成されている装置。
- 請求項1に記載の装置であって、上記外容器がセラミック、サーメット、結晶性素材及びガラスのうち少なくとも一種類で形成されている装置。
- 請求項27に記載の装置であって、上記外容器がシリコン、シリコンカーバイド、窒化シリコン及び二酸化シリコンのうち少なくとも一種類で形成されている装置。
- 請求項1に記載の装置であって、更に、
上記内容器の外表面上に配置された高反射率層と、上記外容器の内表面上に配置された高反射率層と、のうち少なくとも一方を備える装置。 - 請求項29に記載の装置であって、上記高反射率層が金、銀及びアルミニウムのうち少なくとも一種類を含有している装置。
- 請求項29に記載の装置であって、上記高反射率層が酸化物、窒化物及びカーバイドのうち少なくとも一種類を含む積層誘電体膜である装置。
- 請求項1に記載の装置であって、上記電子アセンブリが、獲得した上記1個又は複数個の計測パラメタから1個又は複数個の値を計算するよう構成されている装置。
- 請求項1に記載の装置であって、更に、
上記電子アセンブリに可通信結合されたリモートデータシステムを備え、上記1個又は複数個の計測パラメタをそのリモートデータシステムへと送信するよう当該電子アセンブリが構成されている装置。 - 入れ子型容器アセンブリ内に配置された電子アセンブリで以て、基板を横切り複数個所に配置された複数個のセンサから複数個の計測パラメタを獲得するステップであり、その入れ子型容器アセンブリが外容器及び内容器を有し、その外容器が内容器を囲み内容器が少なくともその電子アセンブリを囲むものであり、上記内容器の外表面と上記外容器の内表面との間の空洞内に絶縁体が配置され、前記入れ子型容器アセンブリが最高800℃の温度にさらされているときでも前記電子アセンブリは150℃以下に維持される、ステップと、
上記入れ子型容器アセンブリ内に配置された上記電子アセンブリで以て上記複数個の計測パラメタを格納するステップと、
を有する方法。 - 請求項34に記載の方法であって、更に、
上記複数個の計測パラメタをリモートデータシステムに送信するステップを有する方法。 - 請求項34に記載の方法であって、更に、
上記複数個の計測パラメタのうち少なくとも幾つかに関し値を計算するステップを有する方法。
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