KR20180097586A - 원판형 히터 및 히터 냉각판 어셈블리 - Google Patents
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- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims description 32
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
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- H05B3/06—Heater elements structurally combined with coupling elements or holders
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
- H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
- H05B3/28—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material
- H05B3/283—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material the insulating material being an inorganic material, e.g. ceramic
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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Abstract
정전 척 히터(10)는, 원판형의 세라믹 기체(基體)(30)에 복수의 발열체(20)가 매설된 것이다. 정전 척 히터(10)는, 웨이퍼 배치면인 상면(12)이 다수의 존으로 나누어져 있고, 각 존에는, 세라믹 기체(30)에 단자(22, 24)를 구비한 발열체(20)가 매설되어 있다. 정전 척 히터(10)의 하면(14)에는, 발열체(20)의 총수보다 적은 수(여기서는 8개)의 단자 집약 영역(16)을 구비하고 있다. 모든 발열체(20)의 단자(22, 24)는, 세라믹 기체(30)의 내부를 지나 어느 하나의 단자 집약 영역(16)에 배선되어 있다.
Description
본 발명은 원판형 히터 및 히터 냉각판 어셈블리에 관한 것이다.
종래부터, 원판형의 세라믹 히터가 알려져 있다. 예컨대, 특허문헌 1에는, 가열면을 복수 존으로 분할하고, 존마다 독립된 저항 발열체를 세라믹 기체(基體)에 매설한 세라믹 히터가 개시되어 있다. 이 세라믹 히터에서는, 저항 발열체는, 각각 독립된 입출력 단자를 갖고 있다. 또한, 세라믹 기체의 하면에는, 각 입출력 단자에 대향하는 위치에 구멍이 형성되어 있다. 각 입출력 단자는, 이 구멍을 통해 인출선에 납땜 등에 의해 접속되어 있다.
그러나, 특허문헌 1의 세라믹 히터에서는, 세라믹 기체의 가열면에 배치되는 웨이퍼의 면 내 온도를 충분히 균일하게 하는 것이 어렵다고 하는 문제가 있었다. 즉, 존의 수가 증가하면, 그에 따라 저항 발열체의 단자수도 증가하고, 단자수에 따라 세라믹 기체의 하면에 형성되는 구멍의 수도 증가한다. 세라믹 히터 중 구멍이 형성된 부분은, 저항 발열체를 발열시켰을 때에 구멍이 형성되어 있지 않은 부분과 비교해서 온도차가 발생하는 온도 특이점이 된다. 온도 특이점이 많으면 웨이퍼의 면 내 온도를 균일하게 제어하는 것이 어려워진다.
본 발명은, 전술한 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 원판형 히터의 상면 전체의 온도를 균일하게 하는 것을 주목적으로 한다.
본 발명의 원판형 히터는,
원판형의 기체의 상면이 다수의 존으로 구획되고, 한 쌍의 단자를 구비한 발열체가 존마다 상기 기체에 매설된 원판형 히터로서,
상기 기체의 하면에 상기 발열체의 총수보다 적은 수의 단자 집약 영역
을 구비하고,
모든 상기 발열체의 상기 단자는, 상기 기체의 내부를 지나 어느 하나의 단자 집약 영역에 배선되어 있는 것이다.
이 원판형 히터에서는, 존의 수의 증가에 따라 발열체가 증가하여 그 단자수가 증가했다고 해도, 단자 집약 영역의 수는 단자의 총수보다 적다. 그 때문에, 원판형 히터의 단자 집약 영역의 바로 위 부분은 온도 특이점이 되지만, 온도 특이점의 수를 줄일 수 있다. 그 결과, 발열체를 발열시켰을 때의 원판형 히터의 상면 전체의 온도를 비교적 용이하게 균일하게 할 수 있다.
본 발명의 원판형 히터에 있어서, 상기 단자 집약 영역은, 직사각형 형상의 영역으로 해도 좋다. 이렇게 하면, 직사각형 형상의 영역의 짧은 변을 단자와 동일한 정도의 크기로 설정하고, 긴 변을 그 단자 집약 영역에 집약되는 단자의 수에 따른 크기로 설정할 수 있다. 그 때문에, 단자 집약 영역의 면적을 작게 할 수 있다.
본 발명의 원판형 히터에 있어서, 모든 상기 단자 집약 영역에 의해 형성되는 도형은, 회전 대칭 도형으로 해도 좋다. 또한, 모든 상기 단자 집약 영역은, 상기 기체의 동심원 상에 형성되어 있어도 좋다.
본 발명의 원판형 히터에 있어서, 각 단자 집약 영역 내의 단자는, 하나의 실장 커넥터 또는 플렉시블 프린트 기판(FPC)에 접속되어 있어도 좋다. 실장 커넥터나 FPC는, 1개에 대해 다수의 단자와 접속 가능하기 때문에, 단자 집약 영역 내의 단자의 수를 늘릴 수 있고, 나아가서는 단자 집약 영역의 수를 줄일 수 있다.
본 발명의 원판형 히터에 있어서, 상기 기체는, 세라믹 기체이고, 상기 원판형 히터는, 정전 척 히터여도 좋다. 이렇게 하면, 세라믹 기체의 상면(웨이퍼 배치면)에 배치되는 웨이퍼의 균열(均熱) 제어가 용이해진다.
본 발명의 원판형 히터에 있어서, 상기 기체는, 수지 기체이고, 상기 원판형 히터는, 시트 히터여도 좋다. 이렇게 하면, 기체가 세라믹 기체인 경우에 비해, 원판형 히터를 저온에서 제작할 수 있다. 이 경우, 시트 히터의 상면에 정전 척이 접합되어 있어도 좋다. 이렇게 하면, 정전 척의 상면(웨이퍼 배치면)에 배치되는 웨이퍼의 균열 제어가 용이해진다.
본 발명의 히터 냉각판 어셈블리는,
전술한 어느 하나의 원판형 히터와,
상기 원판형 히터의 하면에 접합되고, 상기 원판형 히터의 각 단자 집약 영역에 대향하는 위치에 관통 구멍이 형성된 냉각판
을 구비하고,
상기 관통 구멍의 단면적은 상기 관통 구멍에 대향하는 상기 단자 집약 영역의 면적과 동등한 것이다.
이 히터 냉각판 어셈블리에서는, 존의 수의 증가에 따라 발열체가 증가하여 그 단자수가 증가했다고 해도, 단자 집약 영역의 수는 단자의 총수보다 적다. 그 때문에, 원판형 히터의 단자 집약 영역의 바로 위 부분(환언하면 냉각판의 관통 구멍의 바로 위 부분)은 온도 특이점이 되지만, 온도 특이점의 수를 줄일 수 있다. 그 결과, 발열체를 발열시켰을 때의 원판형 히터의 상면 전체의 온도를 비교적 용이하게 균일하게 할 수 있다.
도 1은 본 실시형태의 정전 척 히터(10)의 설명도이며, (a)는 평면도, (b)는 정면도이다.
도 2는 화살표 A 방향에서 본 도면이다.
도 3은 화살표 B 방향에서 본 도면이다.
도 4는 화살표 C 방향에서 본 도면이다.
도 5는 정전 척 히터(10)의 하면도이다.
도 6은 히터 냉각판 어셈블리(40)의 사시도이다.
도 7은 A-A 단면도이다.
도 8은 냉각판(50)의 하면도이다.
도 9는 다른 실시형태의 냉각판(50)의 하면도이다.
도 10은 다른 실시형태의 냉각판(50)의 하면도이다.
도 11은 다른 실시형태의 냉각판(50)의 하면도이다.
도 2는 화살표 A 방향에서 본 도면이다.
도 3은 화살표 B 방향에서 본 도면이다.
도 4는 화살표 C 방향에서 본 도면이다.
도 5는 정전 척 히터(10)의 하면도이다.
도 6은 히터 냉각판 어셈블리(40)의 사시도이다.
도 7은 A-A 단면도이다.
도 8은 냉각판(50)의 하면도이다.
도 9는 다른 실시형태의 냉각판(50)의 하면도이다.
도 10은 다른 실시형태의 냉각판(50)의 하면도이다.
도 11은 다른 실시형태의 냉각판(50)의 하면도이다.
도 1은 본 실시형태의 정전 척 히터(10)의 설명도이며, (a)는 평면도, (b)는 정면도이다. 도 2는 화살표 A 방향에서 본 도면, 도 3은 화살표 B 방향에서 본 도면, 도 4는 화살표 C 방향에서 본 도면, 도 5는 정전 척 히터(10)의 하면도이다.
정전 척 히터(10)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 원판형의 세라믹 기체(30)에 복수의 발열체(20)가 매설된 것이다. 세라믹 기체(30)는, 알루미나나 질화알루미늄 등의 세라믹으로 이루어지는 원판을 복수 매, 여기서는 제1 층∼제4 층(30a∼30d)을 적층하여 접합한 것이다. 이 정전 척 히터(10)는, 웨이퍼 배치면인 상면(12)이 다수의 존으로 나누어져 있다. 세라믹 기체(30)에는, 존마다, 플러스극 단자(22) 및 마이너스극 단자(24)를 구비한 발열체(20)가 매설되어 있다. 그 때문에, 존이란, 하나의 발열체(20)가 설치된 영역이라고 할 수 있다. 본 실시형태에서는, 존의 수는 100을 초과한다. 발열체의 재질로서는, 예컨대 Mo, W, Mo계 합금, W계 합금, Cu, Ti 등을 들 수 있다. 이 정전 척 히터(10)는, 웨이퍼 배치면과는 반대측의 면, 즉 하면(14)에, 발열체(20)의 총수보다 적은 수(여기서는 8개)의 단자 집약 영역(16)을 구비하고 있다. 단자 집약 영역(16) 내에는, 다수의 단자(18)(도 5 참조)가 설치되어 있다.
모든 발열체(20)는 단자 집약 영역(16)의 수와 동수(8개)의 그룹으로 나누어져 있다. 본 실시형태에서는, 도 1에 도시된 1점 쇄선에 의해 8개의 부채꼴 영역으로 나누고, 각 부채꼴 영역에 속하는 복수의 발열체(20)를 그룹(G1, G2, …)으로 하였다. 각 그룹에 속하는 발열체(20)의 플러스극 단자(22)와 마이너스극 단자(24)는, 세라믹 기체(30)의 내부를 지나, 그 그룹에 대응하는 공통의 단자 집약 영역(16) 내의 단자(18)에 접속되어 있다. 동일한 그룹에 속하는 발열체(20)의 플러스극 단자(22)와 마이너스극 단자(24)는, 공통의 단자 집약 영역(16) 내에서 하나의 실장 커넥터(44)(도 7 참조)에 접속된다. 각 플러스극 단자(22)는, 단자 집약 영역(16) 내의 단자(18)와 1 대 1로 접속되어 있다. 각 마이너스극 단자(24)도, 단자 집약 영역(16) 내의 단자(18)와 1 대 1로 접속되어 있다. 한편, 모든 마이너스극 단자(24)를 일괄해서 하나의 어스 집약 단자에 접속해도 좋다. 이 경우, 하나의 어스 집약 단자를 단자 집약 영역(16) 내에 설치해도 좋고, 단자 집약 영역(16)과는 별도의 영역에 설치해도 좋다. 또한, 동일한 그룹에 속하는 발열체(20)의 마이너스극 단자(24)를 일괄해서 그 그룹의 단자 집약 영역(16) 내의 하나의 어스 집약 단자에 접속해도 좋다. 이에 의해, 단자의 수를 줄일 수 있고, 단자 집약 영역(16)을 작게 할 수 있다.
모든 단자 집약 영역(16)에 의해 형성되는 도형은, 중심점으로부터 방사선형으로 뻗는 8개의 직사각형으로 이루어지는 도형이고, 45° 회전할 때마다 동일한 도형에 겹쳐지는 8회 회전 대칭 도형이다. 각 단자 집약 영역(16)은, 인접한 그룹끼리의 사이에 형성되어 있다. 회전 대칭으로 함으로써 각 존의 발열체 패턴을 서로 닮은 형상으로 할 수 있기 때문에, 발열체 패턴 설계가 용이해지고, 존마다의 온도 분포차가 작아지기 때문에, 원판형 히터의 상면 전체의 온도 균일성도 향상된다.
여기서, 각 층(30a∼30d)에 대해 설명한다. 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 층(30a)에는, 정전 전극(34)이 매설되어 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 제2 층(30b)의 표면에는, 모든 발열체(20)가 설치되어 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 제3 층(30c)의 표면에는, 홀수의 그룹(G1, G3, G5, G7)의 각각에 있어서, 동일한 그룹에 속하는 발열체(20)의 플러스극 단자(22)와 마이너스극 단자(24)를 공통의 단자 집약 영역(16) 내의 단자(18)로 유도하는 배선 패턴이 형성되어 있다. 도 3에서는, 편의상, 이 배선 패턴을 흰 화살표로 나타내었다. 한편, 제2 층(30b) 상의 그룹(G1∼G8)의 발열체(20)의 플러스극 단자(22)와 마이너스극 단자(24)는, 제2 층(30b)을 수직으로 관통하는 스루홀을 통해, 제3 층(30c) 상의 단자(22, 24)에 연결되어 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 제4 층(30d)의 표면에는, 그룹(G2, G4, G6, G8)의 각각에 있어서, 동일한 그룹에 속하는 발열체(20)의 플러스극 단자(22)와 마이너스극 단자(24)를 공통의 단자 집약 영역(16) 내의 단자(18)로 유도하는 배선 패턴이 형성되어 있다. 도 4에서는, 편의상, 이 배선 패턴을 흰 화살표로 나타내었다. 한편, 제3 층(30c) 상의 그룹(G2, G4, G6, G8)의 발열체(20)의 플러스극 단자(22)와 마이너스극 단자(24)는, 제3 층(30c)을 수직으로 관통하는 스루홀을 통해, 제4 층(30d) 상의 단자(22, 24)에 연결되어 있다. 도 5는 정전 척 히터(10)의 하면도이다. 하면(14)에는, 단자 집약 영역(16) 내의 단자(18)가 노출되어 있다.
이러한 정전 척 히터(10)는, 예컨대 주지의 겔 캐스트법(예컨대 일본 특허 공개 제2013-229310호 공보 참조)을 적용함으로써 제작할 수 있다. 한편, 세라믹 기체(30)나 냉각판(50)에는, 정전 전극(34)에 급전하는 급전봉을 삽입 관통시키기 위한 통로 구멍이 형성되어 있으나, 도시를 생략하였다.
다음으로, 정전 척 히터(10)의 사용예에 대해 도 6 내지 도 8을 참조하여 설명한다. 도 6은 히터 냉각판 어셈블리(40)의 사시도, 도 7은 A-A 단면도[단자 집약 영역(16)의 길이 방향을 따라 절단했을 때의 단면], 도 8은 냉각판(50)의 하면도이다.
먼저, 정전 척 히터(10)의 세라믹 기체(30)에 연삭 가공을 실시하여 형상을 갖춘다. 이때, 세라믹 기체(30)의 외주에 단차(32)를 형성한다. 다음으로, 정전 척 히터(10)의 하면에, 냉각액이 유통되는 냉각용 유로(54)(도 7 참조)를 구비한 알루미늄제이며 원판형의 냉각판(50)을 접합층(60)을 통해 접합한다. 여기서는, 냉각판(50)으로서 외주에 단차(52)를 구비한 것을 예시하였다. 접합층(60)의 재료로서는, 예컨대 실리콘계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등을 이용할 수 있다. 이 냉각판(50) 중 정전 척 히터(10)의 각 단자 집약 영역(16)과 대향하는 위치에는, 단자 집약 영역(16)과 동일하거나 또는 대략 동일한 사이즈(면적)의 슬릿(관통 구멍)(56)이 형성되어 있다. 냉각판(50)의 슬릿(56)에 실장 커넥터(44)를 삽입한다. 이에 의해, 실장 커넥터(44)는, 정전 척 히터(10)의 단자 집약 영역(16) 내의 복수의 단자(18)에 접속된다. 실장 커넥터(44)에는, 플랫 케이블(46)이 접속되고, 그 플랫 케이블(46)이 냉각판(50)의 슬릿(56)으로부터 외부로 연장되어 있다. 이에 의해, 실장 커넥터(44)를 통해 각 발열체(20)에 공급하는 전압이나 전류를 조절하여 각 존의 온도를 제어할 수 있다. 한편, 정전 척 히터(10)의 상면(12) 중 단자 집약 영역(16)의 바로 위 부분은, 냉각판(50)에 의한 발열(拔熱)이 없기 때문에 히트 스폿이 되기 쉽다. 그 때문에, 단자 집약 영역(16)의 주위로부터 발열체(20)를 떼어 놓아 배치함으로써, 발열체(20)에 의한 가열을 억제하여 히트 스폿이 발생하는 것을 방지하는 것이 바람직하다.
이상 상세히 서술한 본 실시형태에 의하면, 이하의 효과를 얻을 수 있다. 즉, 발열체(20)의 수가 증가하여 존의 수가 증가하면, 그에 따라 발열체(20)의 단자[플러스극 단자(22)나 마이너스극 단자(24)]의 수도 증가한다. 그 경우, 통상, 모든 발열체(20)의 단자를 정전 척 히터의 하면으로부터 노출시키고, 냉각판에 발열체(20)의 단자의 개수분의 관통 구멍을 형성한다. 정전 척 히터 중 관통 구멍의 바로 위 부분은 발열량(拔熱量)이 다른 곳과 상이하기 때문에, 입열(入熱) 시에 온도 특이점(예컨대 히트 스폿)이 된다. 이러한 온도 특이점의 수가 많아지면, 균열 제어가 곤란해진다. 이에 대해, 정전 척 히터(10)에서는, 발열체(20)의 단자의 개수가 증가했다고 해도, 복수의 발열체(20)의 단자를 하나의 단자 집약 영역(16)에 모으기 때문에, 단자 집약 영역(16)의 수는 발열체(20)의 단자의 총수보다 적어진다. 또한, 냉각판(50)에 형성하는 슬릿(56)의 수도 마찬가지로 적어진다. 그 때문에, 정전 척 히터(10)의 단자 집약 영역(16)의 바로 위 부분은 발열량이 다른 곳과 상이하지만, 온도 특이점의 수를 줄일 수 있고, 냉각판(50)에 형성하는 슬릿(56)의 총 개구 면적을 작게 할 수도 있다. 그 결과, 균열 제어가 용이해진다. 마찬가지로 마이너스극 단자(24)를 공유 또는 일괄함으로써 단자의 수를 줄일 수 있고, 단자 집약 영역(16)을 작게 할 수 있다. 이에 의해, 슬릿(56)의 총 개구 면적을 작게 할 수 있고, 균열 제어가 용이해진다.
또한, 복수의 발열체(20)의 단자를 단자 집약 영역(16)에 집약함으로써, 1단자당의 접합부의 크기를 종래에 비해 대폭 작게 할 수 있다.
또한, 단자 집약 영역(16)을 직사각형 형상의 영역으로 했기 때문에, 직사각형 형상의 영역의 짧은 변을 단자(18)와 동일한 정도의 크기로 설정하고, 긴 변을 그 단자 집약 영역(16)에 집약되는 단자(18)의 수에 따른 크기로 설정할 수 있다. 그 때문에, 단자 집약 영역(16)의 면적을 보다 작게 할 수 있다.
또한, 실장 커넥터(44)는, 1개에 대해 다수의 단자와 접속 가능하기 때문에, 단자 집약 영역(16) 내의 단자(18)의 수를 늘릴 수 있고, 나아가서는 단자 집약 영역(16)의 수를 줄일 수 있다.
한편, 본 발명은 전술한 실시형태에 하등 한정되는 일은 없고, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 한 여러 가지 양태로 실시할 수 있는 것은 물론이다.
예컨대, 전술한 실시형태에서는, 단자 집약 영역(16)에 실장 커넥터(44)를 접속하는 경우를 예시하였으나, 실장 커넥터(44) 대신에 플렉시블 프린트 기판(FPC)을 접합해도 좋다. 접합은, 예컨대 땜납, 금속 납땜재, 도전 페이스트 등을 이용하여 행할 수 있다. 실장 커넥터(44)여도 FPC여도, 1개에 대해, 단자 집약 영역(16) 내의 다수의 단자(18)와 접속할 수 있다. 예컨대, FPC의 경우, 1개에 대해, 최대 120개 정도의 단자(18)와 접속할 수 있다. 그 때문에, 단자 집약 영역(16) 내의 단자(18)의 수를 늘릴 수 있고, 나아가서는 단자 집약 영역(16)의 수를 줄일 수 있다.
전술한 실시형태에서는, 원판형 히터로서 정전 전극(34)과 발열체(20)가 매설된 정전 척 히터(10)를 예시하였으나, 특별히 이것에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 세라믹 기체(30) 대신에 정전 전극(34)을 포함하지 않는 수지 기판을 이용함으로써, 원판형의 시트 히터를 제작해도 좋다. 이 시트 히터는, 수지제이기 때문에, 세라믹제의 정전 척 히터(30)를 제작하는 경우에 비해 저온에서 제작할 수 있다. 이 시트 히터의 상면에 정전 전극(34)을 매설한 세라믹제의 정전 척을 접합하고, 하면에 알루미늄제의 냉각판을 접합하여, 정전 척 히터로 해도 좋다. 이렇게 하면, 전술한 실시형태와 동일한 구조를 갖는 시트 히터를 이용하고 있기 때문에, 정전 척의 상면(웨이퍼 배치면)에 배치되는 웨이퍼의 균열 제어가 용이해진다.
전술한 실시형태에서는, 발열체(20)의 플러스극 단자(22)와 마이너스극 단자(24)를 연결하는 히터선의 형상은, 직선형 또는 원호형으로 하였으나, 일필서(一筆書)의 요령으로 연결하는 것이면, 어떠한 형상이어도 좋다
전술한 실시형태에서는, 복수의 단자 집약 영역(16)을 방사선형으로 형성하였으나, 특별히 이것에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 단자 집약 영역(16)을 세라믹 기체(30)의 중앙 부근에 평행하게 늘어서도록 형성해도 좋다. 이때의 냉각판(50)의 슬릿(156)을 도 9에 도시한다. 혹은, 단자 집약 영역(16)을, 세라믹 기체(30)의 외주원과 동심원 상에 원호형으로 형성해도 좋다. 이때의 냉각판(50)의 슬릿(256)을 도 10에 도시한다. 혹은, 단자 집약 영역(16)을, 동심원의 접선이 되도록 형성해도 좋다. 이때의 냉각판(50)의 슬릿(356)을 도 11에 도시한다. 한편, 도 9 내지 도 11에서도, 슬릿(156, 256, 356)은 단자 집약 영역(16)과 대향하는 위치에 형성되어 있다. 그 때문에, 도 9 내지 도 11의 단자 집약 영역(16)의 형상은, 슬릿(156, 256, 356)과 동일한 형상이다.
전술한 실시형태에서는, 발열체(20)의 단자로서 플러스극 단자(22)와 마이너스극 단자(24)를 이용하였으나, 이것은 직류 전원을 이용하는 경우이기 때문에, 교류 전원을 이용하는 경우에는 플러스극과 마이너스극을 구별할 필요가 없다.
전술한 실시형태에서는, 발열체(20)를 8개의 부채꼴 영역에 속하는 그룹으로 나누고, 그룹마다 단자 집약 영역(16)을 형성하였으나, 특별히 부채꼴 영역으로 나눌 필요는 없고, 어떠한 형상의 영역으로 나누어도 좋다. 예컨대, 세라믹 기체(30)와 동심원형의 복수의 환형 영역으로 나누거나, 그 환형 영역을 또한 반경 방향의 선분으로 분할하거나 해도 좋다.
본 출원은 2015년 12월 28일에 출원된 미국 가출원 제62/271581호를 우선권 주장의 기초로 하고 있고, 인용에 의해 그 내용 모두가 본 명세서에 포함된다.
본 발명은, 예컨대 반도체 제조 장치용 부재에 이용 가능하다.
10: 정전 척 히터
12: 상면
14: 하면 16: 단자 집약 영역
18: 단자 20: 발열체
22: 플러스극 단자 24: 마이너스극 단자
30: 세라믹 기체 30a: 제1 층
30b: 제2 층 30c: 제3 층
30d: 제4 층 32: 단차
34: 정전 전극 40: 히터 냉각판 어셈블리
44: 실장 커넥터 46: 플랫 케이블
50: 냉각판 52: 단차
54: 냉각용 유로 60: 접합층
56, 156, 256, 356: 슬릿
14: 하면 16: 단자 집약 영역
18: 단자 20: 발열체
22: 플러스극 단자 24: 마이너스극 단자
30: 세라믹 기체 30a: 제1 층
30b: 제2 층 30c: 제3 층
30d: 제4 층 32: 단차
34: 정전 전극 40: 히터 냉각판 어셈블리
44: 실장 커넥터 46: 플랫 케이블
50: 냉각판 52: 단차
54: 냉각용 유로 60: 접합층
56, 156, 256, 356: 슬릿
Claims (8)
- 원판형의 기체(基體)의 상면이 다수의 존으로 구획되고, 한 쌍의 단자를 구비한 발열체가 존마다 상기 기체에 매설된 원판형 히터로서,
상기 기체의 하면에 상기 발열체의 총수보다 적은 수의 단자 집약 영역
을 구비하고,
모든 상기 발열체의 상기 한 쌍의 단자는, 상기 기체의 내부를 지나 어느 하나의 단자 집약 영역에 배선되어 있는 것인 원판형 히터. - 제1항에 있어서, 상기 단자 집약 영역은, 직사각형 형상의 영역인 것인 원판형 히터.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 모든 상기 단자 집약 영역에 의해 형성되는 도형은, 회전 대칭 도형인 것인 원판형 히터.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 모든 상기 단자 집약 영역은, 상기 기체의 동심원 상에 형성되어 있는 것인 원판형 히터.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 각 단자 집약 영역 내의 단자는, 하나의 실장 커넥터 또는 플렉시블 프린트 기판(FPC)에 접속되어 있는 것인 원판형 히터.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기체는, 세라믹 기체이고,
상기 원판형 히터는, 정전 척 히터인 것인 원판형 히터. - 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기체는, 수지 기체이고,
상기 원판형 히터는, 시트 히터인 것인 원판형 히터. - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 원판형 히터와,
상기 원판형 히터의 하면에 접합되고, 상기 원판형 히터의 각 단자 집약 영역에 대향하는 위치에 관통 구멍이 형성된 냉각판
을 구비하고,
상기 관통 구멍의 단면적은 상기 관통 구멍에 대향하는 상기 단자 집약 영역의 면적과 동등한 것인 히터 냉각판 어셈블리.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201562271581P | 2015-12-28 | 2015-12-28 | |
US62/271,581 | 2015-12-28 | ||
PCT/JP2016/088763 WO2017115758A1 (ja) | 2015-12-28 | 2016-12-26 | 円板状ヒータ及びヒータ冷却板アセンブリ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180097586A true KR20180097586A (ko) | 2018-08-31 |
KR102552450B1 KR102552450B1 (ko) | 2023-07-05 |
Family
ID=59224740
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020187017951A KR102552450B1 (ko) | 2015-12-28 | 2016-12-26 | 원판형 히터 및 히터 냉각판 어셈블리 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10256105B2 (ko) |
JP (1) | JP6608444B2 (ko) |
KR (1) | KR102552450B1 (ko) |
CN (1) | CN108475656B (ko) |
TW (1) | TWI697064B (ko) |
WO (1) | WO2017115758A1 (ko) |
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- 2016-12-26 KR KR1020187017951A patent/KR102552450B1/ko active IP Right Grant
- 2016-12-26 WO PCT/JP2016/088763 patent/WO2017115758A1/ja active Application Filing
- 2016-12-26 JP JP2017525649A patent/JP6608444B2/ja active Active
- 2016-12-27 TW TW105143304A patent/TWI697064B/zh active
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CN108475656B (zh) | 2023-09-05 |
JP6608444B2 (ja) | 2019-11-20 |
TWI697064B (zh) | 2020-06-21 |
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E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |