KR20180059486A - 박막 제조 방법 및 유기 el 디바이스의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
일 실시 형태에 관한 박막 제조 방법은, N개의 라인 헤드에 대하여 지지체를 1회 통과시키면서, 제1 내지 제M 라인 헤드(M은 2 이상 N 이하)로부터 지지체 상에 도포액을 토출하여 도포막을 형성하는 도포막 형성 공정과, 도포막을 건조시켜 박막을 얻는 건조 공정을 구비하며, 제m 라인 헤드(m은 2 이상 M 이하)의 박막 형성용 노즐 구멍(28)은, 제(m-1) 박막 형성용 노즐 구멍열(Qm-1) 중 인접하는 박막 형성용 노즐 구멍 사이에 위치하도록 배치되어 있고, 제1 라인 헤드가 도포액을 토출할 때마다, 제m 라인 헤드는 제1 라인 헤드의 토출 타이밍에 대한 소정의 지연 타이밍에 도포액을 지지체에 도포하고, 제1 내지 제M 라인 헤드는, 박막 형성 영역의 형상에 따라 선택되는 박막 형성용 노즐 구멍으로부터 도포액을 지지체에 토출한다.
Description
본 발명은, 박막 제조 방법 및 유기 EL 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.
지지체 상에 박막을 제조하는 기술로서, 특허문헌 1에 개시되어 있는 바와 같은 슬릿 코터를 이용한 방법이 있다. 슬릿 코터를 이용한 방법에서는, 박막 형성용 재료를 포함하는 도포액을 슬릿 코터의 슬릿으로부터 지지체 상에 소정의 두께로 도포하여 도포막을 형성한다. 그 후, 도포막을 건조시킴으로써 박막을 제조한다.
슬릿 코터를 이용하여 박막을 제조하는 경우, 박막의 패턴은 슬릿 형상에 의존한다. 따라서, 예를 들어 상이한 패턴의 박막을 제조하고자 하면, 슬릿 형상을 상이한 원하는 것으로 교환할 필요가 있다. 그 때문에 장치의 가동 효율이 저하되고, 결과적으로 박막의 제조 효율이 저하된다.
그래서, 본 발명은, 제조 효율의 향상이 도모되는 박막 제조 방법 및 유기 EL 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시 형태에 관한 박막 제조 방법은, 지지체를 반송하면서 상기 지지체 상에 잉크젯법을 이용하여 박막을 형성하는 박막 제조 방법으로서, 상기 지지체의 반송 방향으로 이격하여 배치되어 있는 N개(N은 2 이상의 자연수)의 라인 헤드를 포함하는 라인 헤드군에 대하여 상기 지지체를 1회 통과시키면서, 상기 N개의 라인 헤드 중 제1 내지 제M 라인 헤드(M은 2 이상 N 이하의 자연수)로부터 상기 지지체 상의 박막 형성 영역에 박막 형성용 재료를 포함하는 도포액을 토출하여, 상기 지지체에 착탄된 상기 도포액이 연속하여 이루어지는 도포막을 형성하는 도포막 형성 공정과, 상기 도포막을 건조시킴으로써 박막을 얻는 건조 공정을 구비한다. 상기 박막 제조 방법에 있어서, N개의 라인 헤드 각각은 상기 반송 방향에 직교하는 방향인 지지체 폭 방향으로 이격하여 배치되어 있고, 상기 N개의 라인 헤드 각각은, 상기 지지체 폭 방향으로 배열된 복수의 박막 형성용 노즐 구멍을 갖고, 상기 제1 내지 제M 라인 헤드는, 상기 반송 방향에서 상류로부터 하류를 향해 상기 제1 내지 제M 라인 헤드의 순서로 배치되어 있고, 상기 제1 내지 제M 라인 헤드 중 제1 내지 제m 라인 헤드(m은 2 이상 M 이하의 자연수)가 갖는 상기 복수의 박막 형성용 노즐 구멍을 상기 반송 방향에 직교하는 가상 평면에 투영하여 얻어지는 박막 형성용 노즐 구멍열을 제m 박막 형성용 노즐 구멍열로 한 경우, 제m 라인 헤드가 갖는 상기 복수의 박막 형성용 노즐 구멍은, 제(m-1) 박막 형성용 노즐 구멍열 중 인접하는 박막 형성용 노즐 구멍 사이에 위치하도록 제m 라인 헤드에서 배치되어 있고, 상기 도포막 형성 공정에 있어서, 상기 제1 라인 헤드는 복수의 토출 타이밍에 상기 도포액을 상기 지지체에 도포하고, 상기 제1 라인 헤드가 각 상기 타이밍에 상기 도포액을 도포할 때마다, 제m 라인 헤드는 상기 제1 라인 헤드의 상기 토출 타이밍에 대한 소정의 지연 타이밍에 상기 도포액을 상기 지지체에 도포하고, 상기 제1 내지 제M 라인 헤드는, 상기 제1 내지 제M 라인 헤드 각각이 갖는 상기 복수의 박막 형성용 노즐 구멍 중으로부터, 상기 제1 내지 제M 라인 헤드 각각의 토출 타이밍마다 상기 박막 형성 영역의 형상에 따라 선택되는 박막 형성용 노즐 구멍으로부터 상기 도포액을 상기 지지체에 토출한다.
이 경우, 제1 내지 제M 라인 헤드를 사용하고 있기 때문에, 하나의 라인 헤드를 사용하는 경우보다, 지지체 상의 박막 형성 영역에의 해상도를 높게 또한 도포량의 조정 폭을 많이 갖게 할 수 있다. 따라서, 제1 내지 제M 라인 헤드를 포함하는 라인 헤드군에 대하여, 지지체를 1회 통과시키는 것만으로 원하는 패턴과 두께의 박막을 제조하기 위한 도포막을 형성할 수 있다. 그 결과, 박막의 제조 효율이 향상된다. 제m 라인 헤드가 갖는 상기 복수의 노즐 구멍 각각이 상술한 바와 같이 배치되어 있음으로써, 제1 내지 제M 라인 헤드를 사용하여도, 제1 라인 헤드에서의 상기 복수의 토출 타이밍 중 어떤 토출 타이밍에 착안한 경우, 제1 내지 제M 라인 헤드 각각이 갖는 복수의 노즐 구멍으로부터 토출된 도포액의 목표 착탄 위치는 상기 폭 방향에서 상이하다. 그 때문에, 예를 들어 상이한 라인 헤드 간에서 목표 착탄 위치가 겹쳐 있는 경우보다 균일한 박막을 제조할 수 있다.
상기 복수의 박막 형성용 노즐 구멍은, 상기 지지체 폭 방향에서 피치(p)로 배치되어 있어도 된다.
이 경우, 상기 제2 라인 헤드가 갖는 상기 복수의 박막 형성용 노즐 구멍 각각은, 반송 방향으로부터 본 경우에, 상기 제1 라인 헤드가 갖는 상기 복수의 박막 형성용 노즐 구멍 중 인접하는 박막 형성용 노즐 구멍의 중앙에 배치되어 있어도 된다. 제1 및 제2 라인 헤드로부터 토출된 도포액이 지지체 상에 착탄되면, 이 도포액은 착탄시의 형상을 유지하지 않고 퍼진다. 따라서, 제2 라인 헤드의 복수의 박막 형성용 노즐 구멍으로부터 토출된 도포액은, 제1 라인 헤드의 복수의 박막 형성용 노즐 구멍으로부터 토출되어 지지체에 착탄되어 퍼진 도포액 상에 착탄되는 경우도 있다. 이러한 경우에도, 상기와 같이 제2 라인 헤드의 복수의 박막 형성용 노즐 구멍이 배치되어 있으면, 제2 라인 헤드로부터 토출되어, 지지체에 착탄된 도포액이 퍼질 때에, 도포액이 균등하게 퍼지기 쉽다. 그 결과, 지지체에 착탄되어 도포액이 퍼져서 형성된 도포 영역에서 액의 치우침에서 유래하는 불균일이 발생하기 어렵다. 제1 내지 제M 라인 헤드를 이용하여 박막을 제조할 때에, 제2 라인 헤드로부터 지지체에 도포액을 도포한 단계에서 상기 도포 영역의 불균일을 저감해 두면, 박막을 제조했을 때에 박막의 두께를 불균일이 발생하기 어려운 상태로 균일하게 할 수 있다.
상기 제2 라인 헤드가 갖는 상기 박막 형성용 노즐 구멍으로부터 토출된 상기 도포액의 착탄 위치와, 이 박막 형성용 노즐 구멍에 대하여 상기 박막 형성 영역에 설정되는 목표 착탄 위치와의 차는, 상기 피치(p)의 1/4 이하인 것이 바람직하다. 상기 도포액의 착탄 위치와 목표 착탄 위치의 차가 상기 피치(p)의 1/4 이하이면, 도포액의 착탄 위치가 목표 착탄 위치로부터 어긋나도 균일한 박막을 제조하기 쉽다.
상기 M은, 2, 4, 8 중 어느 하나여도 된다. 이 경우, 액의 치우침에서 유래하는 불균일이 없고 두께가 보다 균일한 박막을 제조하기 쉽다.
상기 M은 3 이상이며, 상기 제3 내지 제M 라인 헤드 중 제j 라인 헤드(j는 3 이상 M 이하의 자연수)가 갖는 상기 복수의 박막 형성용 노즐 구멍은, 상기 지지체 폭 방향에서 제(j-1) 박막 형성용 노즐 구멍열 중 인접하는 박막 형성용 노즐 구멍의 간격이 등간격인 경우, 상기 제(j-1) 박막 형성용 노즐 구멍열 중 인접하는 박막 형성용 노즐 구멍 사이에 위치하도록 제j 라인 헤드 내에서 배치되어 있고, 상기 지지체 폭 방향에서, 상기 제(j-1) 박막 형성용 노즐 구멍열 중 인접하는 박막 형성용 노즐 구멍의 간격이 불등간격인 경우, 제(j-1) 박막 형성용 노즐 구멍열 중 최대 간격을 이루는 인접하는 박막 형성용 노즐 구멍 사이에 위치하도록 제j 라인 헤드 내에서 배치되어 있어도 된다.
M이 3 이상인 형태에 있어서, 제j 라인 헤드가 갖는 복수의 노즐 구멍이 상기와 같이 배치되어 있으면, 제2 라인 헤드에 대하여 설명한 바와 같은 지지체에 착탄된 도포액의 퍼짐의 불균일성이 발생하기 어려우며, 결과적으로 액의 치우침에서 유래하는 불균일이 없고 두께가 균일한 박막을 제조하기 쉽다.
상기 제1 라인 헤드의 상기 토출 타이밍에 대하여 상기 소정의 지연 타이밍에 상기 제m 라인 헤드가 상기 도포액을 토출하는 경우, 상기 제1 및 제m 라인 헤드는, 상기 반송 방향에 대한 동일한 수직 라인 상에 상기 도포액을 토출해도 된다.
상기 제1 라인 헤드의 상기 토출 타이밍에 대하여 상기 소정의 지연 타이밍에 상기 제m 라인 헤드가 상기 도포액을 토출하는 경우, 상기 반송 방향에 대한 상이한 수직 라인 상에 상기 도포막을 토출해도 된다.
상기 도포액의 점도가 25℃에서 1mPa·s 이상 20mPa·s 이하인 것이 바람직하다. 도포액의 점도가 1mPa·s 이상 20mPa·s 이하임으로써, 잉크젯법을 이용하여 도포막을 형성하기 쉽다. 도포액의 점도가 25℃에서 1mPa·s 이상 20mPa·s 이하이면 두께가 보다 균일한 박막을 제조하기 쉽다.
상기 제1 내지 제M 라인 헤드 각각은 복수의 노즐 헤드를 포함하고, 각 상기 노즐 헤드는, 상기 지지체 폭 방향으로 소정의 간격으로 배치된 복수의 노즐 구멍을 갖고 있어도 된다. 이 경우, 상기 복수의 노즐 구멍이 갖는 모든 상기 복수의 노즐 구멍의 적어도 일부가 상기 복수의 박막 형성용 노즐 구멍이고, 상기 제1 내지 제M 라인 헤드 각각에서, 상기 복수의 노즐 헤드 중 인접하는 노즐 헤드는, 상기 반송 방향으로부터 보아 일부가 겹치도록 배치되어 있고, 상기 제1 내지 제M 라인 헤드 중 인접하는 라인 헤드 각각이 갖는 상기 복수의 노즐 헤드는, 상기 반송 방향에서 상기 인접하는 라인 헤드 중 상류측의 라인 헤드에서의 상기 인접하는 노즐 헤드의 중복 영역과, 하류측의 라인 헤드에서의 상기 인접하는 노즐 헤드의 중복 영역이, 상기 반송 방향으로부터 보아 겹치지 않도록 배치되어 있어도 된다.
각 노즐 헤드에는 각각 노즐 구멍이 형성되어 있고, 각 노즐 헤드에 포함되는 복수의 노즐 구멍 중 상기 박막 형성용 노즐 구멍은, 1개의 노즐 헤드 내에서의 폭 방향(상기 지지체 폭 방향)으로는 동일한 타이밍에 도포액을 토출한다. 이에 의해, 거의 동시에 지지체에 착탄된 도포액은, 착탄 후에 상술한 바와 같이 퍼져서 연속된다. 그 결과, 연속된 도포 영역이 형성된다. 이 도포 영역에서, 도포액량의 치우침이 발생한 경우에는 불균일로서 시인된다.
예를 들어, 하나의 라인 헤드에서의 인접하는 2개의 노즐 헤드 중 상류측의 노즐 헤드의 박막 형성용 노즐 구멍으로부터 도포액이 도포된 후, 하류측의 노즐 헤드의 박막 형성용 노즐 구멍으로부터 도포액이 도포된 경우, 그 시간차에 기인한 액의 이동이 일어난 결과, 노즐 헤드 간의 연결 불균일로서 시인되는 경우가 있다. 그리고, 상기와 같이 상류측의 라인 헤드와 하류측의 라인 헤드에서, 반송 방향으로부터 보아 상류측의 라인 헤드에서의 중복 영역과, 하류측의 라인 헤드에서의 중복 영역이 어긋나 있으면, 상기 연결 불균일 부분이 분산되기 때문에, 노즐 헤드 간의 연결 불균일의 영향이 저감되어 도포막의 두께가 보다 균일화되기 쉽다. 그 결과, 연결 불균일이 시인되지 않도록, 두께가 균일한 박막이 형성 가능하다.
이러한 배치는, 제1 내지 제M 라인 헤드를, 상기 폭 방향에 대한 위치 조정 기구에 의해, 상기 인접하는 라인 헤드 중 상류측의 라인 헤드에서의 상기 인접하는 노즐 헤드의 중복 영역과, 하류측의 라인 헤드에서의 상기 인접하는 노즐 헤드의 중복 영역을 상기 반송 방향으로부터 보아 겹치지 않도록 배치함으로써 실현될 수 있다.
상기 지지체가 가요성을 가져도 된다. 이 경우, 예를 들어 도포막 형성 공정 및 건조 공정을 롤 투 롤(roll-to-roll) 방식을 채용하여 실시할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 관한 유기 EL 디바이스의 제조 방법은, 제1 전극과, 제2 전극과, 상기 제1 및 제2 전극 사이에 설치되는 유기 발광 재료를 포함하는 박막을 기판 상에 갖는 유기 EL 디바이스의 제조 방법이다. 이 제조 방법은, 상기 기판 상에 상기 제1 전극을 제조하여 전극 부착 기판을 얻는 제1 전극 제조 공정과, 상기 본 발명의 일측면에 관한 박막 제조 방법에서, 상기 유기 발광 재료를 상기 박막 형성용 재료로 하고, 상기 전극 부착 기판을 상기 지지체로 하여, 상기 지지체 상에 상기 박막을 제조하는 박막 제조 공정과, 상기 박막 상에 상기 제2 전극을 제조하는 제2 전극 제조 공정을 구비한다.
이 경우, 유기 발광 재료를 포함하는 박막이 발광층으로서 기능하고, 제1 및 제2 전극에 전압을 인가함으로써, 발광층을 발광할 수 있다. 그리고, 유기 발광 재료를 포함하는 박막을, 상술한 본 발명의 일측면에 관한 박막 제조 방법으로 제조하고 있기 때문에, 유기 발광 재료를 포함하는 박막을 효율적으로 제조할 수 있다. 그 결과, 유기 EL 디바이스의 제조 효율도 향상된다.
본 발명에 따르면, 제조 효율의 향상이 도모되는 박막 제조 방법 및 유기 EL 디바이스의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 박막 제조 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
도 2는, 박막 제조 방법에 있어서의 도포막 형성 공정에서 사용하는 잉크젯 장치의 개략 구성을 설명하기 위한 평면도이다.
도 3은, 도 2에 도시한 잉크젯 장치가 갖는 라인 헤드를 지지체측으로부터 본 경우의 도면이다.
도 4는, 제m 라인 헤드에서의 복수의 노즐 구멍의 배치 상태를 설명하기 위한 모식도이다.
도 5는, 제m 라인 헤드에서의 복수의 노즐 구멍의 다른 배치 상태를 설명하기 위한 모식도이다.
도 6은, 제1 내지 제4 라인 헤드에서의 노즐 구멍의 배치 상태의 일례를 도시하는 도면이다.
도 7은, 제m 라인 헤드가 갖는 복수의 노즐 구멍에 대응하는 복수의 목표 착탄 위치의 배치 상태를 설명하기 위한 모식도이다.
도 8은, 제m 라인 헤드가 갖는 복수의 노즐 구멍에 대응하는 복수의 목표 착탄 위치의 다른 배치 상태를 설명하기 위한 모식도이다.
도 9는, 제1 내지 제4 라인 헤드로부터 지지체를 향해 도포액을 토출할 때에 제1 내지 제4 라인 헤드 각각이 갖는 복수의 노즐 구멍으로부터의 도포액의 토출 방법을 설명하기 위한 도면이며, 도 9의 (a)는, 제1 라인 헤드가 갖는 복수의 노즐 구멍으로부터의 도포액이 착탄되어야 할 목표 착탄 위치를 나타내고 있고, (b)는, 제2 라인 헤드가 갖는 복수의 노즐 구멍으로부터의 도포액이 착탄되어야 할 목표 착탄 위치를 나타내고 있고, (c)는, 제3 라인 헤드가 갖는 복수의 노즐 구멍으로부터의 도포액이 착탄되어야 할 목표 착탄 위치를 나타내고 있고, (d)는, 제4 라인 헤드가 갖는 복수의 노즐 구멍으로부터의 도포액이 착탄되어야 할 목표 착탄 위치를 나타내고 있다.
도 10은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 유기 EL 디바이스의 구성을 도시하는 모식도이다.
도 11은, 제1 내지 제4 라인 헤드에 대응하는 목표 착탄 위치의 배치 상태의 다른 예를 설명하기 위한 모식도이다.
도 12는, 제1 내지 제M 라인 헤드 간의 배치 상태의 다른 예를 설명하기 위한 모식도이다.
도 13은, 도 12에 도시한 상태를 실현하기 위한 잉크젯 장치의 장치 구성의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는, 박막 제조 방법에 있어서의 도포막 형성 공정에서 사용하는 잉크젯 장치의 개략 구성을 설명하기 위한 평면도이다.
도 3은, 도 2에 도시한 잉크젯 장치가 갖는 라인 헤드를 지지체측으로부터 본 경우의 도면이다.
도 4는, 제m 라인 헤드에서의 복수의 노즐 구멍의 배치 상태를 설명하기 위한 모식도이다.
도 5는, 제m 라인 헤드에서의 복수의 노즐 구멍의 다른 배치 상태를 설명하기 위한 모식도이다.
도 6은, 제1 내지 제4 라인 헤드에서의 노즐 구멍의 배치 상태의 일례를 도시하는 도면이다.
도 7은, 제m 라인 헤드가 갖는 복수의 노즐 구멍에 대응하는 복수의 목표 착탄 위치의 배치 상태를 설명하기 위한 모식도이다.
도 8은, 제m 라인 헤드가 갖는 복수의 노즐 구멍에 대응하는 복수의 목표 착탄 위치의 다른 배치 상태를 설명하기 위한 모식도이다.
도 9는, 제1 내지 제4 라인 헤드로부터 지지체를 향해 도포액을 토출할 때에 제1 내지 제4 라인 헤드 각각이 갖는 복수의 노즐 구멍으로부터의 도포액의 토출 방법을 설명하기 위한 도면이며, 도 9의 (a)는, 제1 라인 헤드가 갖는 복수의 노즐 구멍으로부터의 도포액이 착탄되어야 할 목표 착탄 위치를 나타내고 있고, (b)는, 제2 라인 헤드가 갖는 복수의 노즐 구멍으로부터의 도포액이 착탄되어야 할 목표 착탄 위치를 나타내고 있고, (c)는, 제3 라인 헤드가 갖는 복수의 노즐 구멍으로부터의 도포액이 착탄되어야 할 목표 착탄 위치를 나타내고 있고, (d)는, 제4 라인 헤드가 갖는 복수의 노즐 구멍으로부터의 도포액이 착탄되어야 할 목표 착탄 위치를 나타내고 있다.
도 10은, 본 발명의 일 실시 형태에 관한 유기 EL 디바이스의 구성을 도시하는 모식도이다.
도 11은, 제1 내지 제4 라인 헤드에 대응하는 목표 착탄 위치의 배치 상태의 다른 예를 설명하기 위한 모식도이다.
도 12는, 제1 내지 제M 라인 헤드 간의 배치 상태의 다른 예를 설명하기 위한 모식도이다.
도 13은, 도 12에 도시한 상태를 실현하기 위한 잉크젯 장치의 장치 구성의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 동일한 요소에는 동일 번호를 부여한다. 중복하는 설명은 생략한다. 도면의 치수 비율은, 설명한 것과 반드시 일치하고 있지 않다.
본 발명의 일측면은 박막 제조 방법에 관한 것이며, 다른 측면은 유기 일렉트로루미네센스(유기 EL) 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다. 우선, 제1 실시 형태로서 박막 제조 방법에 대하여 설명하고, 제2 실시 형태로서 유기 EL 디바이스의 제조 방법에 대하여 설명한다.
(제1 실시 형태)
제1 실시 형태에 관한 박막 제조 방법에서는, 잉크젯법을 이용하여 박막을 제조한다. 도 1은, 제1 실시 형태에서 제조되는 박막 제조 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
도 1에 도시한 박막 제조 방법에서는, 띠 형상의 지지체(12)를 반송부(예를 들어 롤러)(R)로 반송하여, 잉크젯 장치(14)를 통과시키고, 박막 형성용 재료를 포함하는 도포액을 지지체(12) 상에 토출하여 도포막(16)을 형성한다(도포막 형성 공정). 이 도포막(16)이 형성된 지지체(12)를 반송부(R)로 더 반송하여 건조 장치(18)에 통과시켜, 건조 장치(18) 내의 열원(18a)으로부터의 열로 도포막(16)을 가열하여, 도포막(16)을 건조시킨다(건조 공정). 이 건조 공정에서, 도포막(16)이 되는 도포액에 포함되어 있었던 용매가 제거되어, 지지체(12) 상에 박막(10)이 얻어진다. 이하, 지지체(12)의 반송 방향을 반송 방향(D1)이라 부른다. 도 1에서는, 지지체(12)는 모식적으로 나타나 있으며, 도포막(16) 및 박막(10)은 두께가 강조되어 나타나 있다.
박막(10)을 제조하기 위한 박막 형성용 재료는, 박막(10)의 용도에 따른 것이면 된다. 박막 형성용 재료를 포함하는 상기 도포액은, 박막 형성용 재료가 용매에 용해된 액이다. 용매는, 박막 형성용 재료를 용해할 수 있으면 한정되지 않고, 예를 들어 클로로포름, 염화메틸렌, 디클로로에탄 등의 염소계 용매, 테트라히드로푸란 등의 에테르계 용매, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소계 용매, 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤계 용매, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 에틸셀로솔브아세테이트 등의 에스테르계 용매 및 물을 들 수 있다. 상기 도포액의 점도는, 25℃에서 1mPa·s 이상 20mPa·s 이하인 것이 바람직하다. 도포액의 점도는, 콘플레이트형 점도계를 이용하여 측정되는 값이다. 박막(10)의 두께는 박막(10)의 용도에 따라 상이하지만, 예를 들어 10nm 내지 200nm를 들 수 있다.
지지체(12)는, 일 방향으로 연장된 시트 형상을 나타낸다. 지지체(12)의 두께의 예는, 50㎛ 내지 200㎛이다. 본 실시 형태(제1 실시 형태)에 있어서, 지지체(12)는 가요성을 갖는다. 단, 지지체(12)는 가요성을 갖지 않아도 된다. 지지체(12)가 가요성을 갖는 형태에서는, 띠 형상의 지지체(12)가 권취된 롤러로부터 지지체(12)를 풀어내고, 지지체(12)를 권취하는 롤러까지 지지체(12)를 반송부에서 반송하면서 상기 도포막 형성 공정 및 건조 공정을 순차 실시하는 롤 투 롤 방식을 채용할 수 있다.
건조 공정에서 사용하는 건조 장치(18)는, 도포막(16)을 건조시켜 박막(10)을 제조하는 기술에서 사용되는 공지된 장치이면 된다. 건조 장치(18)의 일례는 오븐이다. 건조 장치(18)의 다른 예는, 핫 플레이트 및 진공 건조 장치를 들 수 있다. 건조 온도 및 건조 시간은 도포액의 성분 등에 따라 상이하지만, 예를 들어 120℃에서 2분이다.
이어서, 본 실시 형태에 있어서의 박막 제조 방법의 특징인 도포막 형성 공정에 대하여 설명한다. 도 2는, 도포막 형성 공정에서 사용하는 잉크젯 장치(14)의 개략 구성을 설명하기 위한 평면도이다. 도 2에서는, 설명을 위해 지지체(12)를 나타냄과 함께, 지지체(12) 상에서 박막(10)을 형성해야 할 박막 형성 영역(12a) 및 후술하는 목표 라인(L)을 이점쇄선으로 나타내고 있다. 본 실시 형태에서는, 박막 형성 영역(12a)은 대략 직사각형이지만, 박막 형성 영역(12a)의 패턴은 박막(10)의 박막 패턴에 따른 패턴이면 된다. 설명을 위해, 반송 방향(D1)에 직교하는 방향을 폭 방향(지지체 폭 방향)(D2)이라 칭하고, 도면에도 반송 방향(D1) 및 폭 방향(D2)을 도시하고 있다. 박막 형성 영역(12a)의 패턴은, 예를 들어 반송 방향(D1)에서 250mm의 길이를 갖는다. 예를 들어, 제2 실시 형태에서 설명하는 유기 EL 디바이스의 제조 방법에 제1 실시 형태의 박막 제조 방법을 적용하는 경우, 박막 형성 영역(12a)은 유기 EL 디바이스에서 발광 가능 에어리어에 상당하는 영역이다.
잉크젯 장치(14)는, 도포액을 지지체(12) 상에 토출하기 위한 N개의 라인 헤드(20)를 포함하는 라인 헤드군(22)을 구비한다(도 2에서는, N=4인 경우를 도시하고 있음). N개의 라인 헤드(20) 각각의 축은 폭 방향(D2)으로 연장되어 있으며, N개의 라인 헤드(20)는, 지지체(12)의 반송 방향(D1)을 따라 서로의 축이 평행한 상태로 지지 프레임(24)에 의해 지지되어 있다. 본 실시 형태에 있어서, N개의 라인 헤드(20)의 축 방향(폭 방향(D2))의 길이는 동일하지만, 상이해도 된다.
도 3을 이용하여 라인 헤드(20)의 기본적인 구성에 대하여 설명한다. 도 3은, 라인 헤드(20)를 지지체(12)측으로부터 본 경우의 도면이다. 도 3에 도시한 바와 같이, 라인 헤드(20)는 복수의 노즐 헤드(26)를 갖고, 각 노즐 헤드(26)에는 도포액을 토출하는 복수의 노즐 구멍(H)이 폭 방향(D2)을 따라 동일한 피치(소정 간격)(p)로 형성되어 있다. 피치(p)의 일례는 84.5㎛이다.
복수의 노즐 헤드(26) 중 인접하는 노즐 헤드(26)는, 인접하는 노즐 헤드(26)의 일단부에 위치하는 노즐 구멍(H)이 반송 방향(D1)으로부터 보아 겹친 상태로 반송 방향(D1)으로 이격하여 배치되어 있다. 본 실시 형태에서는, 하나의 라인 헤드(20)에서, 반송 방향(D1)으로부터 보아 겹친 부분의 2개의 노즐 구멍(H) 중 한쪽만을 박막 형성용으로 사용한다. 따라서, 본 실시 형태에서는, 라인 헤드(20)가 갖는 모든 노즐 구멍(H)으로부터, 상기 반송 방향(D1)으로부터 보아 겹친 부분의 수를 감산하여 구성되는 복수의 노즐 구멍(H)이 박막 형성용(혹은, 도포액의 토출)으로 사용되는 복수의 노즐 구멍이다. 이와 같이, 라인 헤드(20)가 갖는 모든 노즐 구멍(H) 중, 박막 형성용으로 사용되는 노즐 구멍을 노즐 구멍(박막 형성용 노즐 구멍)(28)이라 칭한다. 도 3의 예에서는, 반송 방향(D1)으로부터 보아 겹쳐 있는 2개의 노즐 구멍(H) 중, 상류측의 노즐 헤드(26)에 포함되는 노즐 구멍(H)을 노즐 구멍(28)으로서 나타내고 있다. 상술한 바와 같이, 각 라인 헤드(20)에서, 복수의 노즐 구멍(H)은 피치(p)로 배치되어 있기 때문에, 상기 구성에서는, 라인 헤드(20)가 갖는 복수의 노즐 구멍(28)은 폭 방향(D2)에서 노즐 헤드(26) 사이도 포함하여 같은 피치(p)로 배치되어 있게 된다.
N개의 라인 헤드(20)는, 도 2에 도시한 바와 같이 제어 장치(C)에 전기적으로 접속되어 있다. 도 2에서는, 제어 장치(C)와 라인 헤드(20)의 전기적인 접속 관계를 일점쇄선으로 모식적으로 도시하고 있다. 제어 장치(C)는, N개의 라인 헤드(20)로부터 도포액의 토출을 제어하는 장치이다. 제어 장치(C)에 의한 제어의 예는, N개의 라인 헤드(20) 중 박막(10)의 형성에 사용하는 라인 헤드(20)를 선택하는 것, 라인 헤드(20)가 갖는 복수의 노즐 구멍(28)으로부터 또한 도포막의 토출에 사용하는 노즐 구멍(28)을 박막(10)의 형상, 즉 박막 형성 영역(12a)의 형상에 따라 선택하는 것, 및 노즐 구멍(28)으로부터의 도포액의 토출량을 조정하는 것 등을 들 수 있다. 상기 제어를 위해, 제어 장치(C)는 반송부에도 전기적으로 접속되고, 지지체의 반송 속도가 적절히 입력되도록 구성되어 있어도 된다. 제어 장치(C)는, 박막 형성에 필요한 처리를 실행할 수 있는 장치이면 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제어 장치(C)로서 전용의 장치에 한하지 않고, 박막 형성용 제어 소프트웨어가 인스톨된 퍼스널 컴퓨터여도 된다. 혹은, 제어 장치(C)는 박막 형성용 제어 회로가 기술된 FPGA를 구비하는 제어 처리 보드여도 된다.
본 실시 형태에 있어서의 박막 제조 방법에서는, N개의 라인 헤드(20) 중 선택된 M개의 라인 헤드(20)를 사용한다. 박막(10)의 제조에 사용하는 라인 헤드(20)의 선택은, 박막(10)의 패턴 및 두께 등의 박막(10)의 제조 조건에 따라 제어 장치(C)에 의해 행해지면 된다. M은 2 이상의 자연수이면 되지만, 2, 4, 8 중 어느 하나인 것이 바람직하다. 설명의 편의를 위해, M개의 라인 헤드(20)를 상류 측부터 순서대로 제1 라인 헤드(201), 제2 라인 헤드(202), ··· 제(M-1) 라인 헤드(20M-1) 및 제M 라인 헤드(20M)라 칭한다. 본 실시 형태에서는, M=N인 형태에 대하여 설명한다. 제1 내지 제M 라인 헤드(201 내지 20M) 각각이 갖는 복수의 노즐 구멍(28)의 배치 상태에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
제1 내지 제M 라인 헤드(201 내지 20M)에서의 노즐 구멍(28)은, 반송 방향(D1)으로부터 보아 서로 겹침이 발생하지 않도록 배치되어 있다. 이것은, 예를 들어 제1 내지 제M 라인 헤드(201 내지 20M) 내에서 노즐 헤드(26)의 배치 상태를 조정함으로써 실현될 수 있다.
제1 라인 헤드(201)의 노즐 구멍(28)의 배치를 기준으로 하여, 제2 내지 제M 라인 헤드(202 내지 20M)의 노즐 구멍(28)의 배치 관계를 도 4 및 도 5를 이용하여 설명한다. 제1 내지 제M 라인 헤드(201 내지 20M) 중 제m 라인 헤드(20m)(m은 2 이상 M 이하의 자연수)의 상류에 위치하는 제1 내지 제(m-1) 라인 헤드(201 내지 20m-1)의 노즐 구멍(28)을 반송 방향(D1)에 직교하는 가상 평면(P)에 투영하여 얻어지는 노즐 구멍열을, 제(m-1) 노즐 구멍열(박막 형성용 노즐 구멍열)(Qm-1)이라 칭한다.
도 4는, 제(m-1) 노즐 구멍열(Qm-1)에서, 인접하는 노즐 구멍(28)의 간격이 등간격인 경우의 제m 라인 헤드(20m)에서의 노즐 구멍(28)의 가상 평면(P) 상의 배치 상태를 모식적으로 도시하고 있다. 도 4에서는, 인접하는 노즐 구멍(28)의 간격을 x로 나타내고 있다. 도 5는, 제(m-1) 노즐 구멍열(Qm-1)에서, 인접하는 노즐 구멍(28)의 간격이 불등간격인 경우의 제m 라인 헤드(20m)에서의 노즐 구멍(28)의 가상 평면(P) 상의 배치 상태를 모식적으로 도시하고 있다. 도 5에서는, 인접하는 노즐 구멍(28)의 간격을 x1과 x2로 나타내고 있다. 도4 및 도 5에서는, 제(m-1) 노즐 구멍열(Qm-1)을 구성하는 노즐 구멍(28)을 파선으로 나타내고 있다.
도 4에 도시한 바와 같이, 제(m-1) 노즐 구멍열(Qm-1)에서의 복수의 인접하는 노즐 구멍(28)이 등간격으로 배치되어 있는 경우, 제m 라인 헤드(20m)가 갖는 복수의 노즐 구멍(28) 각각은, 제(m-1) 노즐 구멍열(Qm-1)에서 인접하는 노즐 구멍(28)의 중앙에 제m 라인 헤드(20m)의 노즐 구멍(28)이 위치하도록 제m 라인 헤드(20m) 내에서 배치되어 있다.
한편, 도 5에 도시한 바와 같이, 제(m-1) 노즐 구멍열(Qm-1)에서의 복수의 인접하는 노즐 구멍(28)의 간격이 상이한 경우, 제m 라인 헤드(20m)가 갖는 복수의 노즐 구멍(28) 각각은, 제(m-1) 노즐 구멍열(Qm-1)에서의 인접하는 노즐 구멍(28) 중 최대 간격을 갖는 인접하는 노즐 구멍(28), 즉 거리(x2)로 이격되어 있는 2개의 노즐 구멍(28)의 중앙에 제m 라인 헤드(20m)의 노즐 구멍(28)이 위치하도록 제m 라인 헤드(20m) 내에서 배치되어 있다. 이 경우, 제(m-1) 노즐 구멍열(Qm-1)에서의 인접하는 노즐 구멍(28)의 간격은 보다 균일화되어 있게 된다.
도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 제(m-1) 노즐 구멍열(Qm-1)에서 1조의 인접하는 노즐 구멍(28)에 대해서는, 제m 라인 헤드(20m)의 복수의 노즐 구멍(28) 중 1개가 배치된다.
도 6을 이용하여 구체적으로 설명한다. 도 6은 M=4인 경우, 즉 제1 내지 제4 라인 헤드(201 내지 204)에서의 노즐 구멍(28)의 배치 상태의 일례를 도시하는 도면이다. 도 6에서는, 폭 방향(D2)에서의 노즐 구멍(28)의 배치 관계를 설명하기 위해, 제1 내지 제4 라인 헤드(201 내지 204) 각각에서, 복수의 노즐 구멍(28)이 하나의 라인 상에 형성되어 있다고 가정한 상태에서의 복수의 노즐 구멍(28)의 배치 관계를 도시하고 있다. 도 6에서는, 제1 내지 제4 라인 헤드(201 내지 204)의 외연(外緣)을 일점쇄선으로 나타내고 있다.
또한, 도 6에는, 제1 내지 제4 라인 헤드(201 내지 204)가 갖는 노즐 구멍(28)을, 반송 방향(D1)에 직교하는 가상 평면(P)에 투영한 상태도 모식적으로 도시하고 있다. 가상 평면(P) 상에서의 동그라미 표시(○)는 투영된 노즐 구멍(28)을 나타내고 있으며, 동그라미 표시 내의 숫자는 동그라미 표시로 표시되는 노즐 구멍(28)이 제1 내지 제4 라인 헤드(201 내지 204) 중 어느 것에 속하는 노즐 구멍(28)인지를 나타내고 있다. 예를 들어, "1"이 내측에 기재된 동그라미 표시는, 제1 라인 헤드(201)가 갖는 노즐 구멍(28)을 나타내고 있다.
설명을 위해, 제m 라인 헤드(20m)는 n개(n은 2 이상의 자연수)의 노즐 구멍(28)을 갖는다고 가정한다. n의 예는 100 이상이며, 일례로서는 3000이다. 제1 라인 헤드(201)가 갖는 n개의 노즐 구멍(28)으로 구성되는 제1 노즐 구멍열 중 폭 방향(D2)에서 맨 끝의 노즐 구멍(28)의 위치를 폭 방향(D2)에서의 기준 위치로 한다. 이 경우, 제1 라인 헤드(201)가 갖는 각 노즐 구멍(28)의 상기 기준 위치에 대한 폭 방향(D2)에서의 위치는 (p×k)(k는 0 이상이며 n 이하의 정수)로 표시된다. 제1 노즐 구멍열은, 도 6에서 제1 라인 헤드(201)의 복수의 노즐 구멍(28)만으로 구성되는 노즐 구멍열이다.
제1 라인 헤드(201)가 갖는 복수의 노즐 구멍(28)은 등간격으로 배치되어 있기 때문에, 제1 노즐 구멍열(Q1)에서의 인접하는 노즐 구멍(28)의 간격도 등간격이다. 제1 노즐 구멍열(Q1)은, 도 6에서 "1"이 각각 내측에 기재된 동그라미 표시로 구성되는 노즐 구멍열이다. 따라서, 도 6에 도시한 바와 같이, 제2 라인 헤드(202)에서의 복수의 노즐 구멍(28)은, 제1 노즐 구멍열에서 인접하는 노즐 구멍(28)의 중앙에 위치하도록 각각 배치되어 있다. 이 경우, 폭 방향(D2)에서, 제2 라인 헤드(202)에서의 각 노즐 구멍(28)은, 상기 기준 위치에 대하여 (p×(k+1/2))로 표시된다. 도 6에서, 제1 노즐 구멍열(Q1)을 나타내는 부호 "Q1"의 도시는 도면의 보기 쉬움의 관점에서 생략하였지만, 상술한 바와 같이 "1"이 각각 내측에 기재된 동그라미 표시로 구성되는 노즐 구멍열이 제1 노즐 구멍열(Q1)이다. 이하, 도 6을 이용한 설명에서 후술하는 제2 및 제3 노즐 구멍열(Q2, Q3)의 부호 "Q2" 및 부호 "Q3"의 도시도 마찬가지의 관점에서 생략하였다.
제1 및 제2 라인 헤드(201, 202)의 노즐 구멍(28)으로 구성되는 제2 노즐 구멍열(Q2), 즉 도 6에서 "1" 및 "2"가 각각 내측에 기재된 동그라미 표시로 구성되는 노즐 구멍열에서도 인접하는 노즐 구멍(28)의 간격은 등간격이다. 따라서, 제3 라인 헤드(203)에서의 복수의 노즐 구멍(28)은, 제2 노즐 구멍열(Q2)에서 인접하는 노즐 구멍(28)의 중앙에 위치하도록 각각 배치되어 있다. 제3 라인 헤드(203)에서도 복수의 노즐 구멍(28)은 피치(p)로 배치되어 있기 때문에, 폭 방향(D2)에서, 제3 라인 헤드(203)의 각 노즐 구멍(28)은 상기 기준 위치에 대하여 (p×(k+1/2-1/4)) 또는 (p×(k+1/2+1/4))로 표시되는 위치에 배치된다. 도 6에서는, 제3 라인 헤드(203)의 각 노즐 구멍(28)은 (p×(k+1/2-1/4))의 위치에 배치되어 있는 경우를 나타내고 있다.
제1 내지 제3 라인 헤드(201 내지 203)의 노즐 구멍(28)으로 구성되는 제3 노즐 구멍열(Q3), 즉, 도 6에서 "1", "2" 및 "3"이 각각 내측에 기재된 동그라미 표시로 구성되는 노즐 구멍열에서는, 인접하는 노즐 구멍(28)의 간격은 상이하다. 즉, 제3 노즐 구멍열(Q3)에서는, 제1 및 제2 라인 헤드(201, 202)의 노즐 구멍(28) 사이에 제3 라인 헤드(203)의 유무가 발생하고 있으며, 그에 따라 제3 노즐 구멍열(Q3)에서의 인접하는 노즐 구멍(28)의 간격이 상이하다. 따라서, 제4 라인 헤드(204)에서의 복수의 노즐 구멍(28)은, 제3 노즐 구멍열(Q3)에서 복수의 인접하는 노즐 구멍(28) 중 보다 넓은 간격으로 인접하는 노즐 구멍(28) 사이에 배치되어 있다.
구체적으로는, 제3 노즐 구멍열(Q3)에서는 제1 및 제2 라인 헤드(201 내지 203)의 노즐 구멍(28)의 사이이며, 제3 라인 헤드(203)가 배치되어 있지 않은 영역의 중앙에 배치된다. 따라서, 폭 방향(D2)에서, 제3 라인 헤드(203)의 각 노즐 구멍(28)이 (p×(k+1/2-1/4))에 위치하는 경우에는, 제4 라인 헤드(204)의 각 노즐 구멍(28)은 (p×(k+1/2+1/4))로 표시되는 위치에 배치된다. 한편, 제3 라인 헤드(203)의 각 노즐 구멍(28)이 (p×(k+1/2+1/4))에 위치하는 경우에는, 제4 라인 헤드(204)의 각 노즐 구멍(28)은 (p×(k+1/2-1/4))로 표시되는 위치에 배치된다.
이어서, 잉크젯 장치(14)를 이용하여 도포막을 형성하는 방법에 대하여 설명한다. 도포막을 형성하는 경우, 지지체(12)를, 제1 내지 제M 라인 헤드(201 내지20M)를 포함하는 라인 헤드군(22)의 하방에 1회 통과시켜, 도포막(16)을 형성한다.
상세하게 설명한다. 도포막을 형성하는 경우, 제1 라인 헤드(201)가, 제어 장치(C)에 의해 제어된 복수의 토출 타이밍에 도포액을 박막 형성 영역(12a)에 토출한다. 각 토출 타이밍은, 박막 형성 영역(12a)의 반송 방향의 길이 및 지지체의 반송 속도 등에 따라 적절히 설정될 수 있다.
구체적으로는, 상기 토출 타이밍은, 박막 형성 영역(12a)에 미리 설정되는 복수의 목표 라인(L)(도 2 참조)에 대하여 도포액을 토출 가능하도록 설정되어 있다. 각 목표 라인(L)은 반송 방향에 대하여 수직인 라인(수직 라인)이며, 복수의 목표 라인(L)은 반송 방향에 대하여 소정의 간격으로 배치된다. 목표 라인(L)은, 제어 장치(C)에서 설정되는 가상적인 라인이다. 각 목표 라인(L)이, 제1 라인 헤드(201)의 하방을 통과할 때에 제1 라인 헤드(201)로부터 목표 라인(L)을 향해 도포액을 토출하도록 지지체(12)의 반송 속도를 이용하여 토출 타이밍이 결정된다.
상기 토출 타이밍이란, 제1 라인 헤드(201)에 하나의 목표 라인(L)에 도포액을 착탄시키기 위한 타이밍이다. 상술한 바와 같이, 제1 라인 헤드(201)가 갖는 복수의 노즐 헤드(26) 중 폭 방향(D2)에서 인접하는 노즐 헤드(26)는 반송 방향(D1)에서 이격하여 배치되어 있다. 그 때문에, 제1 라인 헤드(201)의 노즐 구멍(28)으로부터 도포액을 토출할 때, 반송 방향(D1)에서 이격되어 있는 2개의 노즐 헤드(26) 중 상류측의 노즐 헤드(26)와 하류측의 노즐 헤드(26)는, 그들로부터의 도포액이 동일한 목표 라인 상에 착탄되도록 약간 타이밍을 어긋나게 하여 도포액을 토출한다. 따라서, 상기 토출 타이밍이란, 상류측의 노즐 헤드(26)에 포함되는 노즐 구멍(28)으로부터의 토출 타이밍과 하류측의 노즐 헤드(26)로부터의 토출 타이밍의 어긋남도 포함한 개념이다. 상류측의 노즐 헤드(26)와 하류측의 노즐 헤드(26)의 도포액의 토출 타이밍의 어긋남도 제어 장치(C)로 제어될 수 있다. 토출 타이밍의 의미는, 제2 내지 제M 라인 헤드(202 내지 20M)에서의 토출 타이밍에 대해서도 마찬가지이다.
제1 라인 헤드(201)가 어떤 토출 타이밍(이하, "토출 타이밍 T"라 칭함)에 도포액을 토출하면, 제어 장치(C)의 제어에 의해 제2 내지 제M 라인 헤드(202 내지20M)가 각각에 따른 지연 타이밍에 도포액을 박막 형성 영역(12a)에 토출한다. 본 실시 형태에서는, 상기 지연 타이밍은 제1 라인 헤드(201)의 토출 타이밍 T에 대응하는 목표 라인(L)이 제2 내지 제M 라인 헤드(202 내지 20M)의 하방을 통과하는 타이밍, 즉 제1 라인 헤드(201)로부터 도포액이 착탄된 목표 라인(L) 상에 제2 내지 제M 라인 헤드(202 내지 20M)로부터 순차 도포액을 착탄할 수 있는 타이밍이다.
제1 내지 제M 라인 헤드(201 내지 20M)가 각각의 토출 타이밍에 도포액을 토출할 때, 제어 장치(C)의 제어에 의해 제1 내지 제M 라인 헤드(201 내지 20M)는, 제1 내지 제M 라인 헤드(201 내지 20M) 각각이 갖는 복수의 노즐 구멍(28) 중, 박막 형성 영역(12a)의 형상에 따라 선택된 노즐 구멍(28)으로부터 도포액을 토출한다.
여기서, 하나의 목표 라인(L) 상에서의 노즐 구멍(28)으로부터의 도포액의 목표 착탄 위치의 배치 관계에 대하여, 제1 내지 제M 라인 헤드(201 내지 20M)가 갖는 모든 노즐 구멍(28)으로부터 도포액을 토출하는 경우를 예로 들어 설명한다. 상기 "목표 착탄 위치"는, 노즐 구멍(28)으로부터 설계대로 도포액을 토출하여, 목표 라인(L) 상에 도포액이 착탄되었다고 가정한 경우의 위치이다. 따라서, 노즐 구멍(28)의 목표 착탄 위치의 배치 관계는, 노즐 구멍(28)의 배치 관계에 대응한다.
제1 라인 헤드(201)가 제1 내지 제M 라인 헤드(201 내지 20M) 중 가장 상류에 위치하고 있기 때문에, 제m 라인 헤드(20m)의 노즐 구멍(28)의 배치 관계에 영향을 받지 않고 배치되어 있다. 따라서, 제1 라인 헤드(201)의 복수의 노즐 구멍(28)에 대응하는 목표 착탄 위치는, 제1 라인 헤드(201)의 노즐 구멍(28)의 배치와 같이 목표 라인(L)에서 목표 착탄 위치가 피치(p)로 배치되어 있게 된다.
이어서, 도 7 및 도 8을 이용하여, 제m 라인 헤드(20m)가 갖는 복수의 노즐 구멍(28)에 대응하는 목표 착탄 위치의 배치 상태에 대하여 설명한다.
이하, 설명을 위해, 제m 라인 헤드(20m)가 갖는 복수의 노즐 구멍(28)에 대응하는 목표 착탄 위치를 목표 착탄 위치(30m)라 칭한다. 제1 내지 제m 라인 헤드(201 내지 20m)가 갖는 복수의 노즐 구멍(28)에 대응하는 복수의 목표 착탄 위치(301 내지 30m)를 포함하는 목표 착탄 위치군을 제m 목표 착탄 위치군(Gm)이라 칭한다. 따라서, 제m 라인 헤드(20m)보다 상류에 위치하는 제1 내지 제(m-1) 라인 헤드(201 내지 20m-1)의 복수의 노즐 구멍(28)에 대응하는 복수의 목표 착탄 위치(301 내지 30m-1)를 포함하는 목표 착탄 위치군은, 제(m-1) 목표 착탄 위치군(Gm-1)이다. 또한, 제(m-1) 목표 착탄 위치군(Gm-1)에 포함되는 복수의 목표 착탄 위치(301 내지 30m-1)를 간단히 목표 착탄 위치(g)라 칭한다.
이하의 설명에서는, 제1 라인 헤드(201)가 갖는 복수의 노즐 구멍(28)에 대응하는 목표 착탄 위치에 대해서도 마찬가지의 표기를 채용한다. 즉, 제1 라인 헤드(201)가 갖는 복수의 노즐 구멍(28)에 대응하는 목표 착탄 위치를 목표 착탄 위치(301)로 나타내고, 복수의 목표 착탄 위치(301)를 포함하는 목표 착탄 위치군을 제1 목표 착탄 위치군(G1)으로 나타낸다.
도 7은, 제(m-1) 목표 착탄 위치군(Gm-1)에서, 인접하는 목표 착탄 위치(g)의 간격이 등간격인 경우의 목표 착탄 위치(30m)의 배치 상태를 모식적으로 도시하고 있다. 도 7에서는, 제(m-1) 목표 착탄 위치군(Gm-1)에서의 인접하는 목표 착탄 위치(g)의 간격을 y로 나타내고 있다. 도 8은, 제(m-1) 목표 착탄 위치군(Gm-1)에서, 인접하는 목표 착탄 위치(g)의 간격이 불등간격인 경우의 목표 착탄 위치(30m)의 배치 상태를 모식적으로 도시하고 있다.
도 7에 도시한 바와 같이, 제(m-1) 목표 착탄 위치군(Gm-1)에서 인접하는 목표 착탄 위치(g)의 간격이 등간격인 경우, 제m 라인 헤드(20m)가 갖는 복수의 노즐 구멍(28) 각각에 대응하는 목표 착탄 위치(30m)는, 목표 라인(L) 상에서 인접하는 목표 착탄 위치(g)의 중앙에 위치한다.
도 8에 도시한 바와 같이, 제(m-1) 목표 착탄 위치군(Gm-1)에서 인접하는 목표 착탄 위치(g)의 간격이 불등간격인 경우, 제m 라인 헤드(20m)가 갖는 복수의 노즐 구멍(28) 각각에 대응하는 목표 착탄 위치(30m)는, 목표 라인(L) 상에서 제(m-1) 목표 착탄 위치군(Gm-1) 내의 인접하는 목표 착탄 위치(g) 중, 최대 간격을 갖는 인접하는 목표 착탄 위치(g), 즉 거리(y2)로 이격되어 있는 2개의 목표 착탄 위치(g)의 중앙에 위치한다. 이 경우, 제(m-1) 목표 착탄 위치군(Gm-1) 내의 인접하는 목표 착탄 위치(g)의 간격은 보다 균일화되게 된다.
M=4인 경우에 있어서, 제1 내지 제4 라인 헤드(201 내지 204)로부터의 도포액의 토출 방법에 대하여, 목표 착탄 위치(301 내지 304)를 이용하여 구체적으로 설명한다. 여기에서도 제1 내지 제4 라인 헤드(201 내지 204)가 갖는 모든 노즐 구멍(28)으로부터 도포액을 토출하는 경우를 예로 들어 설명한다. 도 9의 (a) 내지 도 9의 (d)는, 제1 내지 제4 라인 헤드(201 내지 204)의 하방을 지지체(12) 상의 박막 형성 영역(12a)이 통과했을 때에, 제1 내지 제4 라인 헤드(201 내지 204)가 갖는 복수의 노즐 구멍(28)이 도포액을 착탄해야 할 목표 착탄 위치(301 내지 304)를 나타내고 있다. 도 9의 (a) 내지 도 9의 (d)에서는, 제1 내지 제4 라인 헤드(201 내지 204)의 도시를 생략하고 있다.
지지체(12) 중 박막 형성 영역(12a)이 라인 헤드군(22)으로 반송되어 오면, 제1 라인 헤드(201)가 갖는 복수의 노즐 구멍(28)이 박막 형성 영역(12a) 내의 목표 라인(L) 상의 목표 착탄 위치(301)를 향해 도포액을 토출한다. 제1 라인 헤드(201)는, 지지체(12)의 반송 방향(D1)에서 제1 내지 제4 라인 헤드(201 내지 204) 중 가장 상류에 위치하기 때문에, 도 9의 (a)에 도시한 바와 같이, 제1 라인 헤드(201)가 갖는 복수의 노즐 구멍(28)의 목표 착탄 위치(301)는, 폭 방향(D2)에서의 복수의 노즐 구멍(28)의 배치 관계에 대응하여 설정되어 있다. 즉, 복수의 목표 착탄 위치(301)는, 목표 라인(L) 상에서 피치(p)로 배치되어 있다.
지지체(12)가 반송되어 목표 라인(L)이 제2 라인 헤드(202)의 하방에 위치하면, 제2 라인 헤드(202)가 갖는 복수의 노즐 구멍(28)이 도 9의 (b)에 도시한 목표 착탄 위치(302)를 향해 도포액을 토출한다. 구체적으로는, 제1 및 제2 라인 헤드(201, 202)에서의 노즐 구멍(28)의 배치 관계로부터, 제2 라인 헤드(202)가 갖는 복수의 노즐 구멍(28)은 목표 라인(L) 상에서 인접하는 목표 착탄 위치(301)의 중앙을 목표 착탄 위치(302)로 하여 도포액을 토출한다.
지지체(12)가 반송되어 목표 라인(L)이 제3 라인 헤드(203)의 하방에 위치하면, 제3 라인 헤드(203)가 갖는 복수의 노즐 구멍(28)이 도 9의 (c)에 도시한 목표 착탄 위치(303)를 향해 도포액을 토출한다. 구체적으로는, 제1 내지 제3 라인 헤드(201 내지 203)의 복수의 노즐 구멍(28)의 배치 관계로부터, 제3 라인 헤드(203)가 갖는 복수의 노즐 구멍(28)은, 목표 라인(L) 상에서 제2 목표 착탄 위치군(G2) 중 인접하는 목표 착탄 위치(g)의 중앙을 목표 착탄 위치(303)로 하여 도포액을 토출한다.
단, 복수의 목표 착탄 위치(303)는 피치(p)로 배치되어 있는 한편, 인접하는 목표 착탄 위치(g)간의 거리는 p/2이다. 여기서, 폭 방향(D2)에서의 일단부측의 중앙에 목표 착탄 위치(303)가 위치하고 있으면, 피치(p)로 순서대로 목표 착탄 위치(303)가 배치된다. 따라서, 도 9의 (c)에 도시한 바와 같이, 제2 목표 착탄 위치군(G2)에 포함되는 인접하는 목표 착탄 위치(g)와 목표 착탄 위치(303)의 사이는 불등간격이며, 인접하는 목표 착탄 위치(g)와 목표 착탄 위치(303)의 거리는 p/2 또는 p/4이다.
지지체(12)가 더 반송되어 목표 라인(L)이 제4 라인 헤드(204)의 하방에 위치하면, 제4 라인 헤드(204)가 갖는 복수의 노즐 구멍(28)이 도 9의 (d)에 도시한 목표 착탄 위치(304)를 향해 도포액을 토출한다. 구체적으로는, 제1 내지 제4 라인 헤드(201 내지 204)의 복수의 노즐 구멍(28)의 배치 관계로부터, 제4 라인 헤드(204)가 갖는 복수의 노즐 구멍(28)은, 목표 라인(L) 상에서 제3 목표 착탄 위치 군(G3) 중, 최대 간격을 갖는 인접하는 목표 착탄 위치(g), 즉 간격이 p/2인 인접하는 목표 착탄 위치(g)의 중앙을 목표 착탄 위치(304)로 하여 도포액을 토출한다. 이에 의해, 간격이 p/2인 인접하는 목표 착탄 위치(g) 각각과, 그 사이에 배치된 목표 착탄 위치(304)와의 사이의 거리는 p/4가 된다.
도 9의 (a) 내지 도 9의 (d)를 이용한 목표 착탄 위치(301 내지 304)를 구체적으로 예시하면서, 제1 내지 제4 라인 헤드(201 내지 204)의 도포액의 토출 방법에 대하여 설명하였다. 단, 도포액은 지지체(12) 상에 착탄되면 퍼져 간다. 예를 들어, 착탄 직후의 도포액의 직경이 42㎛ 이하여도, 42㎛ 이상까지 막 형상으로 퍼진다. 그 때문에, 제1 내지 제4 라인 헤드(201 내지 204)에서 인접한 노즐 구멍(28)으로부터 토출되어, 지지체(12)에 착탄된 도포액은, 지지체(12)의 반송 중에 연속된다. 따라서, 예를 들어 제2 라인 헤드(202)의 하방에는, 제1 라인 헤드(201)에서의 인접한 노즐 구멍(28)으로부터 토출되어, 지지체(12)에 착탄된 도포액이 어느 정도 연속된 상태로 반송되어 온다. 그 때문에, 하나의 목표 라인(L)이 제1 내지 제4 라인 헤드(201 내지 204)의 하방을 통과하면, 목표 라인(L) 상에 연속된 도포액 영역(도포액 라인)이 형성된다. 여기서, 액의 레벨링이 충분하면 요철이 없는 균일한 도포막이 된다.
지금까지의 설명에서는 하나의 목표 라인(L)에 착안하여 설명했지만, 박막 제조 방법에서는, 상술한 바와 같이 박막 형성 영역(12a)에서 반송 방향(D1)으로 이격된 복수의 목표 라인(L)을 설정하고, 각 목표 라인(L)에 상기 도포액 라인을 형성한다. 도포액은 지지체(12)에 착탄되면 퍼지기 때문에, 복수의 목표 라인(L)에 대응한 도포액 라인이 더 연속되어, 도포막(16)이 형성된다. 그 때문에, 상기 복수의 목표 라인(L)의 이격 간격은, 도포액의 점도 및 표면 장력과 같은 액 물성에 따른 도포액의 착탄 후의 퍼짐의 상태를 고려하여, 인접하는 목표 라인(L) 상의 도포액이 연속될 정도의 이격 거리로 설정되어 있으면 된다.
도 9의 (a) 내지 도 9의 (d)를 이용한 지지체(12)로의 도포액의 토출 방법의 설명을, 목표 착탄 위치(301 내지 304)의 관점에서 설명하였다. 그러나, 목표 착탄 위치(301 내지 304)의 배치 관계는, 대응하는 노즐 구멍(28)의 배치 관계에 대응하고 있다. 따라서, 잉크젯 장치(14)에서는 지지체(12)의 반송 속도를 고려하여, 제1 내지 제4 라인 헤드(201 내지 204)의 순서대로 일정한 지연 타이밍에, 제1 내지 제4 라인 헤드(201 내지 204) 각각이 갖는 복수의 노즐 구멍(28)으로부터 도포액을 바로 아래(반송 방향(D1) 및 폭 방향(D2)에 직교하는 방향)에 토출함으로써, 도 9의 (a) 내지 도 9의 (d)에 도시한 목표 착탄 위치(301 내지 304)에 도포액을 착탄시키는 것이 가능하다.
그리고, 지지체(12)의 반송 속도를 고려하여, 제1 라인 헤드(201)로부터 일정한 시간 간격으로 도포액을 지지체(12)에 토출함으로써, 상술한 복수의 목표 라인(L)에 대하여 도포액 라인이 형성되고, 그것들이 연속되어 도포막(16)이 얻어진다.
그리고, 제1 내지 제M 라인 헤드(201 내지 20M)가 각각의 토출 타이밍에 도포액을 토출할 때, 제1 내지 제M 라인 헤드(201 내지 20M)는 제1 내지 제M 라인 헤드(201 내지 20M) 각각이 갖는 복수의 노즐 구멍(28) 중, 박막 형성 영역(12a)의 형상에 따라 선택된 노즐 구멍(28)으로부터 도포액을 토출함으로써, 박막 형성 영역(12a)의 패턴에 따른 도포막(16)이 얻어진다.
도 9의 (a) 내지 도 9의 (d)에서는 M=4인 경우를 설명했지만, M이 4 이외인 경우, 예를 들어 M이 4보다 큰 경우에도 마찬가지이다.
상기 박막 제조 방법에서는, 제1 내지 제M 라인 헤드(201 내지 20M)를 사용하고 있기 때문에, 하나의 라인 헤드를 사용하는 경우보다, 지지체(12) 상의 박막 형성 영역(12a)으로 보다 세세한 해상도로 도포가 가능하게 되어, 도포막(16)이 보다 균질한 두께가 되기 쉽다. 따라서, 제1 내지 제M 라인 헤드(201 내지 20M)를 포함하는 라인 헤드군(22)에 대하여 지지체(12)를 1회 통과시키는 것만으로 액의 치우침에서 유래하는 불균일이 저감되어, 균일하면서도 원하는 두께의 박막을 제조하기 위한 도포막을 형성할 수 있다. 그 결과, 1개의 라인 헤드를 사용한 경우에 비해 박막의 품질이 향상된다. 또한, 제1 내지 제M 라인 헤드를 사용하고 있기 때문에, 상술한 바와 같이 해상도를 높게 하면서 도포량의 조정 폭도 많이 갖게 할 수 있다. 또한, 원하는 패턴에 대응하기 쉽다. 그 결과, 제1 내지 제M 라인 헤드를 포함하는 라인 헤드군에 대하여, 지지체(12)를 1회 통과시키는 것만으로 원하는 패턴과 두께의 박막을 제조하기 위한 도포막을 형성할 수 있기 때문에, 박막의 제조 효율이 향상된다.
제1 내지 제M 라인 헤드(201 내지 20M)에서, 박막 형성에 관여하는 복수의 노즐 구멍(28)은 반송 방향(D1)으로부터 보아 겹치지 않도록 배치되어 있으며, 제M 목표 착탄 위치군(GM)을 구성하는 목표 착탄 위치(g)도 폭 방향(D2)으로 이격하여 배치되어 있다. 그 때문에, 하나의 목표 라인(L) 상에 높은 해상도로 도포액을 적하할 수 있다. 따라서, 액의 치우침이 없는 두께가 균일한 박막(10)을 형성하기 쉽다.
또한, 본 실시 형태에서는, 제1 내지 제M 라인 헤드(201 내지 20M) 각각이 갖는 복수의 노즐 구멍(28)은 폭 방향(D2)으로 피치(p)로 배치되어 있다. 또한, 도 4 및 도 5에서 설명한 바와 같이, 제m 라인 헤드(20m)의 노즐 구멍(28)이 배치되어 있다. 이에 의해, 하나의 목표 라인(L)에 대하여, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같은 목표 착탄 위치(301 내지 30M)의 배치 관계가 실현되어 있다. 바꾸어 말하면, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같은 목표 착탄 위치(301 내지 30M)의 배치 관계를 실현하는 복수의 노즐 구멍(28)이 배치되어 있다.
이 경우, 제1 라인 헤드(201)에 대응하는 복수의 목표 착탄 위치(301)를 포함하는 제1 목표 착탄 위치군(G1)에서, 인접하는 목표 착탄 위치(g)의 간격은 동일하기 때문에, 복수의 목표 착탄 위치(302)는 제1 목표 착탄 위치군(G1)에서 인접하는 목표 착탄 위치(g)의 중앙에 설정되어 있다.
상술한 바와 같이, 제1 라인 헤드(201)로부터 토출되어 지지체(12)에 착탄된 도포액은 착탄 후에 퍼진다. 그 때문에, 제2 라인 헤드(202)로부터 목표 착탄 위치(302)를 향해 토출된 도포액은, 제1 라인 헤드(201)로부터 토출된 도포액 상에 도포되는 경우도 있다. 이러한 경우, 예를 들어 목표 착탄 위치(302)가 폭 방향(D2)에서 인접하는 목표 착탄 위치(g)의 한쪽에 치우쳐 있으면, 제2 라인 헤드(202)로부터 토출되어 지지체(12)에 착탄된 도포액이 퍼질 때, 보다 가까운 목표 착탄 위치(g)측에 접액하여 액이 일방향으로 흡인되고, 결과적으로 인접하는 목표 착탄 위치(g)의 중앙에 목표 착탄 위치(302)를 설정하고 있는 경우보다, 목표 라인(L) 상에서 액의 흡인에 의해 두께에 차가 발생한 상태로 연속됨으로써 줄무늬 형상의 불균일이 발생한다. 그리고, 제2 라인 헤드(202)의 하방을 목표 라인(L)이 통과한 단계에서 상기 불균일이 발생하고 있으면, 제3 라인 헤드(203) 이후에서도 상기 불균일이 남거나 혹은 강조된다. 그 결과, 발광시에 시인할 수 있는 줄무늬가 남는다.
이에 비해, 노즐 구멍(28)의 배치 상태에 따라, 도 7 및 도 8에서 설명한 바와 같이 제m 라인 헤드(20m)의 목표 착탄 위치(30m)를 제(m-1) 목표 착탄 위치 군(Gm-1)에 대하여 설정하고 있으면, 상술한 바와 같이 제2 라인 헤드(202)에 대응하는 복수의 목표 착탄 위치(302)는, 제1 목표 착탄 위치군(G1)에서 인접하는 목표 착탄 위치(g)의 중앙에 설정된다. 따라서, 줄무늬가 발생하지 않아 두께가 보다 균일한 박막(10)을 제조하기 쉽다.
제2 라인 헤드(202)의 노즐 구멍(28)으로부터의 도포액의 지지체(12) 상의 착탄 위치와 목표 착탄 위치(302)의 차는, 인접하는 노즐 구멍(28) 사이의 거리인 피치(p)의 1/4 이하인 것이 바람직하다. 실제의 박막(10)의 제조시에는, 도포액의 착탄 위치와 목표 착탄 위치(302)에 어긋남이 발생하는 경우가 있지만, 그 어긋남을 상기 범위 내가 되도록 잉크젯 장치(14) 및 지지체(12)의 반송부 등의 설치 상태를 조정하여 둠으로써, 두께가 보다 균일한 박막(10)을 제조 가능하다.
M이 3 이상인 형태에 있어서, 도 7 및 도 8을 이용하여 설명한 바와 같이 제m 라인 헤드(20m)의 목표 착탄 위치(30m)를 설정하고 있으면(환언하면, 도 4 및 도 5에서 설명한 바와 같이 제m 라인 헤드(20m)의 노즐 구멍(28)을 배치하고 있으면), 제3 내지 제M 라인 헤드(203 내지 30M) 중 제j 라인 헤드(20j)(j는 3 이상 M 이하의 자연수)가 갖는 복수의 노즐 구멍(28)에 대응하는 복수의 목표 착탄 위치(30j)에 대해서도, 제(j-1) 목표 착탄 위치군(Gj-1) 각각에서의 인접하는 목표 착탄 위치(g)의 중앙에 설정된다. 그 때문에, 제2 라인 헤드(202)에 대하여 설명한 바와 같은 지지체(12)에 착탄된 도포액의 퍼짐의 불균일성이 발생하기 어려우며, 결과적으로 줄무늬가 발생하지 않으면서 두께가 균일한 박막(10)을 제조할 수 있다.
제1 내지 제(j-1) 라인 헤드의 노즐 구멍(28)의 배치에 따라, 제(j-1) 목표 착탄 위치군(Gj-1) 각각에서의 인접하는 목표 착탄 위치(g)의 간격이 등간격이 되어 있는 경우, 인접하는 목표 착탄 위치(g)의 중앙에 목표 착탄 위치(30j)가 위치하고, 제(j-1) 목표 착탄 위치군(Gj-1) 각각에서의 인접하는 목표 착탄 위치(g)의 간격이 불등간격인 경우, 인접하는 목표 착탄 위치(g) 중 최대 간격을 갖는 인접하는 목표 착탄 위치(g)의 중앙에 목표 착탄 위치(30j)가 위치한다.
예를 들어, 제(j-1) 목표 착탄 위치군(Gj-1)에서의 인접하는 목표 착탄 위치(g) 중, 보다 좁은 간격을 갖는 인접하는 목표 착탄 위치(g) 사이에 목표 착탄 위치(30j)가 위치하면, 목표 착탄 위치(30j)에 착탄된 도포액과, 목표 착탄 위치(30j)에 인접하는 목표 착탄 위치(g)에 착탄되어 있었던 도포액과의 겹침이 커지고, 목표 라인(L) 상에서의 도포량 분포가 발생하여, 액 물성에 따라서는 액을 레벨링할 수 없는 채로 도포막 형성 공정을 종료하게 된다. 그 결과, 제조한 박막에 상술한 바와 같은 줄무늬가 발생하기 쉽다.
이에 비해, M이 3 이상인 형태에 있어서, 도 7 및 도 8을 이용하여 설명한 바와 같이 제m 라인 헤드(20m)에 대응하는 목표 착탄 위치(30m)가 배치되어 있으면(환언하면, 도 4 및 도 5에서 설명한 바와 같이 제m 라인 헤드(20m)의 노즐 구멍(28)을 배치하고 있으면), 제(j-1) 목표 착탄 위치군(Gj-1)에서의 인접하는 목표 착탄 위치(g) 중, 보다 좁은 간격을 갖는 인접하는 목표 착탄 위치(g)에는 목표 착탄 위치(30j)는 배치되지 않는다. 그 결과, 액의 치우침에 의한 줄무늬가 발생하지 않아, 두께가 보다 균일한 박막(10)을 제조하기 쉽다.
M이 2, 4, 8 중 어느 것의 수인 형태에서는, 제M 목표 착탄 위치군(GM)에서 인접하는 목표 착탄 위치(g)의 간격은 등간격이다. 그 때문에, 두께가 보다 균일한 박막(10)을 제조하기 쉽다. 이 관점에서 M은 2, 4, 8 중 어느 하나인 것이 바람직하지만, M은 2 이상의 자연수이면 된다.
도포액의 점도가 25℃에서 1mPa·s 이상 20mPa·s 이하임으로써, 잉크젯 장치(14)를 이용하여 도포막을 보다 형성하기 쉽다. 도포액의 점도가 상술한 범위 내임으로써, 두께가 보다 균일한 박막(10)을 제조하기 쉽다.
(제2 실시 형태)
도 10은, 제2 실시 형태에서 설명하는 유기 EL 디바이스(32)의 일례의 개략 구성을 도시하는 도면이다. 유기 EL 디바이스(32)는 기판(34)과, 양극(제1 전극)(36a)과, 발광층(36b)과, 음극(제2 전극)(36c)을 구비한다. 양극(36a)과, 발광층(36b)과, 음극(36c)은 유기 EL 소자(36)를 구성하고 있다. 유기 EL 디바이스(32)는, 기판(34)측으로부터 광을 출사하는 보텀 에미션형이여도, 기판(34)과는 반대측으로부터 광을 출사하는 톱 에미션형이어도 된다. 이하에서는, 보텀 에미션형에 대하여 주로 설명한다. 이하, 양극(36a)이 설치된 기판(34)을 전극 부착 기판(38)이라 칭하는 경우도 있다.
기판(34)은, 가시광(파장 400nm 내지 800nm의 광)에 대하여 투광성을 갖는 판 형상의 투명 부재이다. 기판(34)의 두께의 예는, 30㎛ 이상 500㎛ 이하이다. 기판(34)은, 예를 들어 유리 기판 및 실리콘 기판 등의 리지드 기판이어도, 플라스틱 기판 및 고분자 필름 등의 가요성 기판이어도 된다. 가요성 기판을 사용함으로써 유기 EL 디바이스(32)가 가요성을 가질 수 있다. 기판(34)에는 유기 EL 소자(36)를 구동하기 위한 회로가 미리 형성되어 있어도 된다. 예를 들어, 기판(34)에는 TFT(Thin Film Transistor)나 캐패시터 등이 미리 형성되어 있어도 된다.
양극(36a)은, 기판(34) 상에 설치되어 있다. 양극(36a)에는 금속 산화물, 금속 황화물 및 금속 등으로 이루어지는 전극을 사용할 수 있으며, 구체적으로는 산화인듐, 산화아연, 산화주석, 인듐주석 산화물(Indium Tin Oxide: 약칭 ITO) 및 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide: 약칭 IZO) 등으로 이루어지는 박막과, 금, 백금, 은 및 구리 등으로 이루어지는 보조 배선으로서의 그리드를 조합한 전극이 사용된다. 유기 EL 디바이스(32)가 기판(34)측으로부터 광을 출사하는 디바이스인 경우, 양극(36a)에는 광투과성을 나타내는 전극이 사용된다. 양극(36a)의 두께의 예는 보조 배선도 포함하면 10nm 내지 600nm이다.
발광층(36b)은, 양극(36a) 상에 설치된다. 발광층(36b)에는, 소정의 파장의 광을 발광하는 기능을 갖는 유기 박막을 사용할 수 있다. 발광층(36b)은, 통상 주로 형광 및/또는 인광을 발광하는 유기물, 또는 해당 유기물과 이것을 보조하는 도펀트로 형성된다. 도펀트는, 예를 들어 발광 효율의 향상이나 발광 파장을 변화시키기 위해 가해진다. 발광층(36b)에 포함되는 유기물은, 저분자 화합물이어도 고분자 화합물이어도 된다. 발광층(36b)을 구성하는 유기 발광 재료로서는, 예를 들어 공지된 색소계 재료, 금속 착체계 재료, 고분자계 재료, 도펀트 재료를 들 수 있다. 발광층(36b)은, 상기 유기 발광 재료를 포함하는 박막으로 구성된다. 발광층(36b)의 두께의 예는 10nm 내지 200nm이다.
음극(36c)은, 발광층(36b) 상에 설치된다. 음극(36c)의 재료로서는 일함수가 작고, 발광층(36b)으로의 전자 주입이 용이하며, 전기 전도도가 높은 재료가 바람직하다. 또한, 유기 EL 디바이스(32)가 양극(36a)측으로부터 광을 취출하는 경우에는, 발광층(36b)으로부터 방사되는 광을 음극(36c)에서 양극(36a)측에 반사하기 위해, 음극(36c)의 재료로서는 가시광 반사율이 높은 재료가 바람직하다. 음극(36c)에는, 예를 들어 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 전이 금속 및 주기율표의 13족 금속 등이 사용될 수 있다. 음극(36c)으로서는 도전성 금속 산화물 및 도전성 유기물 등으로 이루어지는 투명 도전성 전극이 사용될 수 있다. 음극(36c)의 두께의 예는, 100nm 내지 800nm이다.
이어서, 유기 EL 디바이스(32)의 제조 방법의 일례를 설명한다. 유기 EL 디바이스(32)를 제조하는 경우, 기판(34) 상에 양극(36a)을 제조한다(양극 제조 공정). 그 후, 양극(36a) 상에 발광층(36b)을 제조한다(발광층 제조 공정). 이어서, 발광층(36b) 상에 음극(36c)을 제조한다(음극 제조 공정).
양극 제조 공정(제1 전극 제조 공정)에 있어서, 양극(36a)은 증착법이나 도포법에 의해 형성될 수 있다. 도포법으로 양극(36a)을 제조하는 경우, 예를 들어 제1 실시 형태에서 설명한 박막 제조 방법을 적용할 수 있다. 이 경우, 기판(34)을 제1 실시 형태에서의 지지체(12)로 하고, 양극(36a)이 되는 재료를 포함하는 도포액을 기판(34) 상에 도포하여 도포막을 형성하고, 이 도포막을 건조시킴으로써, 양극(36a)이 제조될 수 있다. 단, 양극(36a)은, 다른 도포법을 이용하여 제조되어도 된다. 다른 도포법으로서는, 예를 들어 스핀 코트법, 캐스팅법, 마이크로 그라비아 코트법, 그라비아 코트법, 바 코트법, 롤 코트법, 와이어 바 코트법, 딥 코트법, 슬릿 코트법, 캐필러리 코트법, 스프레이 코트법, 노즐 코트법, 그라비아 인쇄법, 스크린 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법 및 반전 인쇄법 등을 들 수 있다.
발광층 제조 공정(박막 제조 공정)에서는, 제1 실시 형태에 관한 박막 제조 방법을 이용하여 유기 발광 재료를 포함하는 박막으로서의 발광층(36b)을 제조한다. 이 경우, 전극 부착 기판(38)을 제1 실시 형태에서의 지지체(12)로 하고, 유기 발광 재료를 박막 형성용 재료로서 제1 실시 형태에서 설명한 박막 제조 방법을 적용하면 된다.
음극 제조 공정(제2 전극 제조 공정)에 있어서, 음극(36c)은 증착법이나 도포법에 의해 형성될 수 있다. 도포법으로 음극(36c)을 제조하는 경우, 예를 들어 제1 실시 형태에서 설명한 박막 제조 방법을 적용할 수 있다. 이 경우, 기판(34)을 제1 실시 형태에서의 지지체로 하고, 음극(36c)이 되는 재료를 포함하는 도포액을 기판(34) 상에 도포하여 도포막을 형성하고, 이 도포막을 건조시킴으로써 음극(36c)이 제조될 수 있다. 단, 음극(36c)은, 양극 제조 공정에서 예로 든 다른 도포법을 이용하여 제조되어도 된다.
상기 유기 EL 디바이스(32)의 제조 방법에서는, 적어도 발광층(36b)을 제조할 때에 제1 실시 형태에서 설명한 박막 제조 방법을 적용하고 있다. 그 때문에, 발광층(36b)을 효율적으로 제조할 수 있다. 그 결과, 유기 EL 디바이스(32)의 품질과 제조 효율이 향상된다. 그 밖에 유기 EL 디바이스(32)의 제조 방법은, 제1 실시 형태의 박막 제조 방법에서 설명한 박막 제조 방법의 작용 효과와 마찬가지의 작용 효과를 갖는다.
이상, 도 10에 도시한 유기 EL 디바이스(32)에 대하여 설명했지만, 유기 EL 소자(36)가 갖는 양극(36a)과 음극(36c) 사이에는 발광층(36b)에 더하여 또 다른 유기층이 설치되어도 된다. 이하, 구체적으로 설명한다.
음극(36c)과 발광층(36b) 사이에 설치되는 층으로서는, 예를 들어 전자 주입층, 전자 수송층, 정공 블록층을 들 수 있다. 음극(36c)과 발광층(36b) 사이에 전자 주입층과 전자 수송층 양쪽의 층이 설치되는 경우, 음극(36c)에 접하는 층을 전자 주입층이라 하고, 이 전자 주입층을 제외한 층을 전자 수송층이라 한다.
전자 주입층은, 음극(36c)으로부터의 전자 주입 효율을 개선하는 기능을 갖는 층이다. 전자 수송층은, 음극(36c), 전자 주입층 또는 음극(36c)에 보다 가까운 전자 수송층으로부터의 전자 주입을 개선하는 기능을 갖는 층이다. 정공 블록층은, 정공의 수송을 막는 기능을 갖는 층이다. 전자 주입층 및/또는 전자 수송층이 정공의 수송을 막는 기능을 갖는 경우에는, 이들의 층이 정공 블록층을 겸하는 경우가 있다. 정공 블록층이 정공의 수송을 막는 기능을 갖는 것은, 예를 들어 정공 전류만을 흘리는 유기 EL 소자(36)를 제작하여, 그의 전류값의 감소에 의해 막는 효과로 확인할 수 있다.
양극(36a)과 발광층(36b) 사이에 설치되는 층으로서는, 예를 들어 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 블록층을 들 수 있다. 양극(36a)에 접하는 층을 정공 주입층이라 한다.
정공 주입층은, 양극(36a)으로부터의 정공 주입 효율을 개선하는 기능을 갖는 층이다. 정공 수송층은, 양극, 정공 주입층 또는 양극(36a)에 보다 가까운 정공 수송층으로부터의 정공 주입을 개선하는 기능을 갖는 층이다. 전자 블록층은, 전자의 수송을 막는 기능을 갖는 층이다. 정공 주입층 및/또는 정공 수송층이 전자의 수송을 막는 기능을 갖는 경우에는, 이들의 층이 전자 블록층을 겸하는 경우가 있다. 전자 블록층이 전자의 수송을 막는 기능을 갖는 것은, 예를 들어 전자 전류만을 흘리는 유기 EL 소자를 제작하여, 측정된 전류값의 감소에 의해 전자의 수송을 막는 효과로 확인할 수 있다.
상술한 각종 유기층을 포함하는 유기 EL 소자의 층 구성의 예를 이하에 나타낸다.
(a) 양극/발광층/음극
(b) 양극/정공 주입층/발광층/음극
(c) 양극/정공 주입층/발광층/전자 주입층/음극
(d) 양극/정공 주입층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극
(e) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/음극
(f) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 주입층/음극
(g) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극
(h) 양극/발광층/전자 주입층/음극
(i) 양극/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극
기호 "/"는, 기호 "/"의 양측의 층끼리가 접합하고 있는 것을 의미하고 있다. 상기 (a)의 구성이 도 1에 도시한 구성에 대응한다.
정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층 각각의 재료에 대해서는 공지된 재료를 사용할 수 있다. 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층 각각에는, 예를 들어 발광층(36b)과 마찬가지로 제1 실시 형태에서 설명한 박막 제조 방법을 이용하여 제조된 박막을 사용할 수 있다. 제1 실시 형태에서 설명한 박막 제조 방법을 이용하여, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층을 각각 제조하는 경우, 각 층과 기판(34) 사이의 층 구조가 형성된 기판(34)을 제1 실시 형태에서의 지지체(12)로 하고, 각 층이 되어야 할 재료를 박막 형성용 재료로 하면 된다.
유기 EL 소자는 단층의 발광층(36b)을 갖고 있어도, 2층 이상의 발광층(36b)을 갖고 있어도 된다. 상기 (a) 내지 (i)의 층 구성 중 어느 하나에 있어서, 양극(36a)과 음극(36c) 사이에 배치된 적층 구조를 "구조 단위 I"로 하면, 예를 들어 2층의 발광층(36b)을 갖는 유기 EL 소자의 구성으로서, 하기 (j)에 나타내는 층 구성을 들 수 있다. 2개 있는 (구조 단위 I)의 층 구성은 서로 동일해도 상이해도 된다.
(j) 양극/(구조 단위 I)/전하 발생층/(구조 단위 I)/음극
여기서 전하 발생층이란, 전계를 인가함으로써 정공과 전자를 발생하는 층이다. 전하 발생층으로서는, 예를 들어 산화바나듐, ITO, 산화몰리브덴 등을 포함하는 박막을 들 수 있다.
"(구조 단위 I)/전하 발생층"을 "구조 단위 II"로 하면, 예를 들어 3층 이상의 발광층을 갖는 유기 EL 소자의 구성으로서 이하의 (k)에 나타내는 층 구성을 들 수 있다.
(k) 양극/(구조 단위 II)x/(구조 단위 I)/음극
제2 실시 형태에 있어서 기호 "x"는 2 이상의 정수를 나타내고, "(구조 단위 II)x"는, (구조 단위 II)가 x단 적층된 적층체를 나타낸다. 또한, 복수 있는 (구조 단위 II)의 층 구성은 동일해도 상이해도 된다.
전하 발생층을 설치하지 않고, 복수의 발광층(36b)을 직접적으로 적층시켜 유기 EL 소자를 구성해도 된다.
기판(34) 상에 형성되는 층의 순서, 층의 수 및 각 층의 두께는, 발광 효율, 수명을 감안하여 적절히 설정될 수 있다. 유기 EL 소자는, 통상 양극(36a)을 기판(34)측에 배치하여 기판(34) 상에 설치되지만, 음극(36c)을 기판(34)측에 배치하여 기판(34) 상에 유기 EL 소자를 설치해도 된다. 예를 들어 (a) 내지 (k)의 각 유기 EL 소자를 기판(34) 상에 제작하는 경우, 양극(36a)을 기판(34)측에 배치하는 형태에서는 양극측(각 구성 (a) 내지 (k)의 좌측)으로부터 순서대로 각 층을 기판(34) 상에 적층하고, 음극(36c)을 기판(34)측에 배치하는 형태에서는 음극(각 구성 (a) 내지 (k)의 우측)으로부터 순서대로 각 층을 기판(34) 상에 적층한다.
이상, 본 발명에 관한 다양한 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 예시한 다양한 실시 형태로 한정되지 않으며, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능하다.
예를 들어, 제1 실시 형태에서는, 토출 타이밍 T에 제1 라인 헤드(201)의 복수의 노즐 구멍(28)으로부터 토출되는 도포액이 착탄되어야 할 목표 라인(L)을 향해, 토출 타이밍 T로부터 각각의 지연 타이밍에 제2 내지 제M 라인 헤드(202 내지 20M)의 복수의 노즐 구멍(28)으로부터 도포액이 토출되고 있었다. 즉, 토출 타이밍 T에 제1 라인 헤드(201)의 복수의 노즐 구멍(28)으로부터 토출되는 도포액이 착탄되어야 할 목표 라인(L)과, 목표 착탄 위치(302 내지 30M)가 배치되어야 할 목표 라인이 동일하였다.
그러나, 도 11에 모식적으로 도시한 바와 같이, 제1 라인 헤드(201) 내지 라인 헤드(20M) 각각이 갖는 복수의 노즐 구멍(28)에 대응하는 목표 라인(L1 내지 LM)은, 반송 방향(D1)에서 어긋나 있어도 된다. 도 11에서는, M=4인 경우의 목표 라인(L1, L2, L3, L4)을 나타내고 있다. 이것은, 제2 내지 제M 라인 헤드(202 내지 20M)에 의한 토출 타이밍을 제어함으로써 실현할 수 있다.
도 12에 도시한 바와 같이, 제1 내지 제M 라인 헤드(201 내지 20M) 중 반송 방향(D1)에서 인접하는 제(m-1) 라인 헤드(20m-1)와 제m 라인 헤드(20m)는, 제(m-1) 라인 헤드(20m-1)가 갖는 복수의 노즐 헤드(26) 중 인접하는 노즐 헤드(26)의 중복 영역(A)이, 반송 방향(D1)으로부터 보아 제m 라인 헤드(20m)가 갖는 복수의 노즐 헤드(26) 중 인접하는 노즐 헤드(26)의 중복 영역(A)과 겹치지 않도록 배치되어도 된다.
각 노즐 헤드(26)에 각각 노즐 구멍(28)이 형성되어 있으며, 각 노즐 헤드(26)에 포함되는 복수의 노즐 구멍(28)은 동일한 타이밍에 도포액을 토출한다. 이에 의해, 거의 동시에 지지체(12)에 착탄된 도포액은, 착탄 후에 상술한 바와 같이 퍼져서 서로 연속되어, 연속된 도포 영역이 형성된다.
하나의 라인 헤드에서, 인접하는 노즐 헤드(26) 중 상류측의 노즐 헤드(26)의 노즐 구멍(28)으로부터 도포액이 토출된 후, 하류측의 노즐 헤드(26)의 노즐 구멍(28)으로부터 도포액이 도포됨에 따른 토출 타이밍의 차가 발생한다. 이로 인해, 중복 영역(A)에서는, 중복 영역(A)에서 겹쳐 있는 노즐 구멍(H)에서 상류측 및 하류측 중 어느 쪽의 노즐 헤드(26)로부터의 토출을 행하면서 타이밍 차에서 유래하는 액의 퍼짐의 차를 경감시키고 있지만, 액 물성에 따라서는 연결부의 불균일로서 인식되는 경우가 있다. 이 경우에도, 도 12에 도시한 바와 같이 제(m-1) 라인 헤드(20m-1)와 제m 라인 헤드(20m)에서, 반송 방향(D1)으로부터 보아 제(m-1)의 라인 헤드(20m-1)에서의 중복 영역(A)과, 제m 라인 헤드(20m)의 중복 영역(A)이 어긋나 있으면, 상기 도포액량의 차가 분산되기 때문에, 보다 액의 레벨링이 도모되어 도포막의 두께가 보다 균일화되기 쉽다. 그 결과, 연결부의 불균일을 시인하기 어려운 박막(10)을 제조 가능하다.
상술한 제(m-1) 라인 헤드(20m-1)와 제m 라인 헤드(20m)의 배치 구성을 실현하기 위해, 예를 들어 잉크젯 장치(14)는 제1 내지 제M 라인 헤드(201 내지 20M)의 폭 방향(D2)에서의 위치를 조정하는 위치 조정 기구를 구비해도 된다. 이러한 위치 조정 기구의 예로서는, 도 13에 예시한 바와 같이 지지 프레임(24)과 제1 내지 제M 라인 헤드(201 내지 20M)를 연결하는 연결 부재(40)이며, 폭 방향(D2)에서의 지지 프레임(24)과 제1 내지 제M 라인 헤드(201 내지 20M) 사이의 거리를 조정 가능한 연결 부재(40)를 들 수 있다. 연결 부재(40)로서는 나사를 들 수 있다. 혹은, 연결 부재(40)는 길이를 신축 가능한 부재여도 된다.
복수의 목표 착탄 위치(30m)의 배치 관계에 대응하는 제m 라인 헤드(20m)가 갖는 복수의 노즐 구멍(28)도, 제(m-1) 노즐 구멍열(Qm-1)에서의 인접하는 노즐 구멍(28) 사이에 위치하면 된다. 따라서, 복수의 노즐 구멍(28)의 폭 방향(D2)에서의 피치는 제1 내지 제M 라인 헤드(201 내지 20M)마다 상이해도 되고, 혹은 하나의 라인 헤드 내에서의 복수의 노즐 구멍(28)의 폭 방향(D2)의 피치도 상이해도 된다. 또한, 목표 착탄 위치(30m)도 인접하는 목표 착탄 위치(g) 사이에 배치되어 있으면 된다.
제1 실시 형태에서는, M은 2, 4, 8 중 어느 하나로 하였지만, 2 이상의 자연수이면 된다. 단, 상술한 바와 같이, M은 2, 4, 8 중 어느 하나인 것이 바람직하다.
제1 실시 형태에서는, N=M인 형태에 대하여 설명하였다. 그러나, M은 N 미만이어도 된다. 예를 들어, 제조하는 박막의 두께에 따라, 폭 방향(D2)에서의 목표 착탄 위치의 수가 적어도 되는(환언하면, 폭 방향(D2)에서의 해상도가 적어도 되는) 경우에는, N개의 라인 헤드 중 N개보다 적은 M개의 라인 헤드를 사용하면 된다. 이에 의해, 예를 들어 N개의 라인 헤드에 대하여 동일한 도포액 공급원을 사용하고 있는 경우, 불필요한 배관((N-M)개의 라인 헤드로의 공급 배관)으로의 액 공급을 없앰으로써 투입하는 액량을 삭감할 수 있으며, 소량 로트의 액을 사용할 수 있게 된다. N개의 라인 헤드 중, N개보다 적은 M개의 라인 헤드를 사용하는 경우, M개의 라인 헤드에 대하여 제1 실시 형태에서 설명한 목표 착탄 위치의 배치 관계 혹은 그것에 대응한 노즐 구멍의 배치 관계를 실현하면 된다. 단, N개의 라인 헤드 중, N개보다 적은 M개의 라인 헤드를 사용하는 경우에 있어서 N개의 라인 헤드를 모두 사용한다고 가정하여, 제1 실시 형태에서 설명한 목표 착탄 위치의 배치 관계 혹은 그에 대응한 노즐 구멍의 배치 관계를 실현하고 있어도 된다.
10…박막
12…지지체
20…라인 헤드
201…제1 라인 헤드
20m…제m 라인 헤드(m은 2 이상 M 이하의 자연수)
22…라인 헤드군
26…노즐 헤드
28…노즐 구멍(박막 형성용 노즐 구멍)
30m…목표 착탄 위치
32…유기 EL 디바이스
34…기판
36a…양극(제1 전극)
36b…발광층(유기 발광 재료를 포함하는 박막)
36c…음극(제2 전극)
38…전극 부착 기판
40…연결 부재(위치 조정 기구)
A…중복 영역
D1…반송 방향
D2…폭 방향(지지체 폭 방향)
Gm-1…제(m-1) 목표 착탄 위치군(m은 2 이상 M 이하의 자연수)
H…노즐 구멍
Qm-1…제(m-1) 노즐 구멍열
L, L1, L2, L3, L4…목표 라인
P…가상 평면
g…목표 착탄 위치
12…지지체
20…라인 헤드
201…제1 라인 헤드
20m…제m 라인 헤드(m은 2 이상 M 이하의 자연수)
22…라인 헤드군
26…노즐 헤드
28…노즐 구멍(박막 형성용 노즐 구멍)
30m…목표 착탄 위치
32…유기 EL 디바이스
34…기판
36a…양극(제1 전극)
36b…발광층(유기 발광 재료를 포함하는 박막)
36c…음극(제2 전극)
38…전극 부착 기판
40…연결 부재(위치 조정 기구)
A…중복 영역
D1…반송 방향
D2…폭 방향(지지체 폭 방향)
Gm-1…제(m-1) 목표 착탄 위치군(m은 2 이상 M 이하의 자연수)
H…노즐 구멍
Qm-1…제(m-1) 노즐 구멍열
L, L1, L2, L3, L4…목표 라인
P…가상 평면
g…목표 착탄 위치
Claims (13)
- 지지체를 반송하면서 상기 지지체 상에 잉크젯법을 이용하여 박막을 형성하는 박막 제조 방법으로서,
상기 지지체의 반송 방향으로 이격하여 배치되어 있는 N개(N은 2 이상의 자연수)의 라인 헤드를 포함하는 라인 헤드군에 대하여 상기 지지체를 1회 통과시키면서, 상기 N개의 라인 헤드 중 제1 내지 제M 라인 헤드(M은 2 이상 N 이하의 자연수)로부터 상기 지지체 상의 박막 형성 영역에 박막 형성용 재료를 포함하는 도포액을 토출하여, 상기 지지체에 착탄된 상기 도포액이 연속하여 이루어지는 도포막을 형성하는 도포막 형성 공정과,
상기 도포막을 건조시킴으로써 박막을 얻는 건조 공정
을 구비하며,
상기 N개의 라인 헤드 각각은, 상기 반송 방향에 직교하는 방향인 지지체 폭 방향으로 이격하여 배치되어 있고,
상기 N개의 라인 헤드 각각은, 상기 지지체 폭 방향으로 배열된 복수의 박막 형성용 노즐 구멍을 갖고,
상기 제1 내지 제M 라인 헤드는, 상기 반송 방향에서 상류로부터 하류를 향해 상기 제1 내지 제M 라인 헤드의 순서로 배치되어 있고,
상기 제1 내지 제M 라인 헤드 중 제1 내지 제m 라인 헤드(m은 2 이상 M 이하의 자연수)가 갖는 상기 복수의 박막 형성용 노즐 구멍을 상기 반송 방향에 직교하는 가상 평면에 투영하여 얻어지는 박막 형성용 노즐 구멍열을 제m 박막 형성용 노즐 구멍열로 한 경우, 제m 라인 헤드가 갖는 상기 복수의 박막 형성용 노즐 구멍은, 제(m-1) 박막 형성용 노즐 구멍열 중 인접하는 박막 형성용 노즐 구멍 사이에 위치하도록 제m 라인 헤드에서 배치되어 있고,
상기 도포막 형성 공정에 있어서, 상기 제1 라인 헤드는 복수의 토출 타이밍에 상기 도포액을 상기 지지체에 도포하고, 상기 제1 라인 헤드가 각 상기 타이밍에 상기 도포액을 도포할 때마다, 제m 라인 헤드는 상기 제1 라인 헤드의 상기 토출 타이밍에 대한 소정의 지연 타이밍에 상기 도포액을 상기 지지체에 도포하고,
상기 제1 내지 제M 라인 헤드는, 상기 제1 내지 제M 라인 헤드 각각이 갖는 상기 복수의 박막 형성용 노즐 구멍 중으로부터, 상기 제1 내지 제M 라인 헤드 각각의 토출 타이밍마다 상기 박막 형성 영역의 형상에 따라 선택되는 박막 형성용 노즐 구멍으로부터 상기 도포액을 상기 지지체에 토출하는
박막 제조 방법. - 제1항에 있어서, 상기 복수의 박막 형성용 노즐 구멍은, 상기 지지체 폭 방향에서 피치(p)로 배치되어 있는
박막 제조 방법. - 제2항에 있어서, 상기 제2 라인 헤드가 갖는 상기 복수의 박막 형성용 노즐 구멍 각각은, 상기 반송 방향으로부터 본 경우에, 상기 제1 라인 헤드가 갖는 상기 복수의 박막 형성용 노즐 구멍 중 인접하는 박막 형성용 노즐 구멍의 중앙에 배치되어 있는
박막 제조 방법. - 제3항에 있어서, 상기 제2 라인 헤드가 갖는 상기 박막 형성용 노즐 구멍으로부터 토출된 상기 도포액의 착탄 위치와, 당해 박막 형성용 노즐 구멍에 대한 목표 착탄 위치와의 차는, 상기 피치(p)의 1/4 이하인
박막 제조 방법. - 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 M은 2, 4, 8 중 어느 하나인
박막 제조 방법. - 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 M은 3 이상이며,
제3 내지 제M 라인 헤드 중 제j 라인 헤드(j는 3 이상 M 이하의 자연수)가 갖는 상기 복수의 박막 형성용 노즐 구멍은,
상기 지지체 폭 방향에서 제(j-1) 박막 형성용 노즐 구멍열 중 인접하는 박막 형성용 노즐 구멍의 간격이 등간격인 경우, 상기 제(j-1) 박막 형성용 노즐 구멍열 중 인접하는 박막 형성용 노즐 구멍 사이에 위치하도록 제j 라인 헤드내에서 배치되어 있고,
상기 지지체 폭 방향에서, 상기 제(j-1) 박막 형성용 노즐 구멍열 중 인접하는 박막 형성용 노즐 구멍의 간격이 불등간격인 경우, 제(j-1) 박막 형성용 노즐 구멍열 중 최대 간격을 이루는 인접하는 박막 형성용 노즐 구멍 사이에 위치하도록 제j 라인 헤드 내에서 배치되어 있는
박막 제조 방법. - 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 라인 헤드의 상기 토출 타이밍에 대하여 상기 소정의 지연 타이밍에 상기 제m 라인 헤드가 상기 도포액을 토출하는 경우, 상기 제1 및 제m 라인 헤드는, 상기 반송 방향에 대한 동일한 수직 라인 상에 상기 도포액을 토출하는
박막 제조 방법. - 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 라인 헤드의 상기 토출 타이밍에 대하여 상기 소정의 지연 타이밍에 상기 제m 라인 헤드가 상기 도포액을 토출하는 경우, 상기 반송 방향에 대한 상이한 수직 라인 상에 상기 도포막을 토출하는
박막 제조 방법. - 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도포액의 점도가 25℃에서 1mPa·s 이상 20mPa·s이하인
박막 제조 방법. - 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 내지 제M 라인 헤드 각각은 복수의 노즐 헤드를 포함하고,
각 상기 노즐 헤드는, 상기 지지체 폭 방향으로 소정의 간격으로 배치된 복수의 노즐 구멍을 갖고,
상기 복수의 노즐 구멍이 갖는 모든 상기 복수의 노즐 구멍의 적어도 일부가 상기 복수의 박막 형성용 노즐 구멍이고,
상기 제1 내지 제M 라인 헤드 각각에서, 상기 복수의 노즐 헤드 중 인접하는 노즐 헤드는, 상기 반송 방향으로부터 보아 일부가 겹치도록 배치되어 있고,
상기 제1 내지 제M 라인 헤드 중 인접하는 라인 헤드 각각이 갖는 상기 복수의 노즐 헤드는, 상기 반송 방향에서 상기 인접하는 라인 헤드 중 상류측의 라인 헤드에서의 상기 인접하는 노즐 헤드의 중복 영역과, 하류측의 라인 헤드에서의 상기 인접하는 노즐 헤드의 중복 영역이, 상기 반송 방향으로부터 보아 겹치지 않도록 배치되어 있는
박막 제조 방법. - 제10항에 있어서, 상기 제1 내지 제M 라인 헤드는, 상기 폭 방향에 대한 위치 조정 기구에 의해, 상기 인접하는 라인 헤드 중 상류측의 라인 헤드에서의 상기 인접하는 노즐 헤드의 중복 영역과, 하류측의 라인 헤드에서의 상기 인접하는 노즐 헤드의 중복 영역이, 상기 반송 방향으로부터 보아 겹치지 않도록 배치되어 있는
박막 제조 방법. - 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지체가 가요성을 갖는
박막 제조 방법. - 제1 전극과, 제2 전극과, 상기 제1 및 제2 전극 사이에 설치되는 유기 발광 재료를 포함하는 박막을 기판 상에 갖는 유기 EL 디바이스의 제조 방법으로서,
상기 기판 상에 상기 제1 전극을 제조하여 전극 부착 기판을 얻는 제1 전극 제조 공정과,
제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 박막 제조 방법에서, 상기 유기 발광 재료를 상기 박막 형성용 재료로 하고, 상기 전극 부착 기판을 상기 지지체로 하여, 상기 지지체 상에 상기 박막을 제조하는 박막 제조 공정과,
상기 박막 상에 상기 제2 전극을 제조하는 제2 전극 제조 공정
을 구비하는 유기 EL 디바이스의 제조 방법.
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