KR20180054595A - 스퍼터링 타겟재 - Google Patents
스퍼터링 타겟재 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20180054595A KR20180054595A KR1020187006795A KR20187006795A KR20180054595A KR 20180054595 A KR20180054595 A KR 20180054595A KR 1020187006795 A KR1020187006795 A KR 1020187006795A KR 20187006795 A KR20187006795 A KR 20187006795A KR 20180054595 A KR20180054595 A KR 20180054595A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- sputtering target
- less
- powder
- particle size
- target material
- Prior art date
Links
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 239000013077 target material Substances 0.000 title claims description 37
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 90
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 62
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 18
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 15
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 14
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 11
- 238000009689 gas atomisation Methods 0.000 description 10
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 229910019236 CoFeB Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 4
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 239000002956 ash Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 235000002918 Fraxinus excelsior Nutrition 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001192 hot extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 1
- 239000008399 tap water Substances 0.000 description 1
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 description 1
- 238000009692 water atomization Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
- B22F1/052—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles characterised by a mixture of particles of different sizes or by the particle size distribution
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/0433—Nickel- or cobalt-based alloys
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
- C22C19/07—Alloys based on nickel or cobalt based on cobalt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C30/00—Alloys containing less than 50% by weight of each constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C33/00—Making ferrous alloys
- C22C33/02—Making ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C33/0257—Making ferrous alloys by powder metallurgy characterised by the range of the alloying elements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C33/00—Making ferrous alloys
- C22C33/02—Making ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C33/0257—Making ferrous alloys by powder metallurgy characterised by the range of the alloying elements
- C22C33/0278—Making ferrous alloys by powder metallurgy characterised by the range of the alloying elements with at least one alloying element having a minimum content above 5%
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C33/00—Making ferrous alloys
- C22C33/02—Making ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C33/0257—Making ferrous alloys by powder metallurgy characterised by the range of the alloying elements
- C22C33/0278—Making ferrous alloys by powder metallurgy characterised by the range of the alloying elements with at least one alloying element having a minimum content above 5%
- C22C33/0285—Making ferrous alloys by powder metallurgy characterised by the range of the alloying elements with at least one alloying element having a minimum content above 5% with Cr, Co, or Ni having a minimum content higher than 5%
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
- C22C38/002—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing In, Mg, or other elements not provided for in one single group C22C38/001 - C22C38/60
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
- C22C38/08—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing nickel
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
- C22C38/10—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing cobalt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
- C22C38/12—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing tungsten, tantalum, molybdenum, vanadium, or niobium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
- C22C38/14—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing titanium or zirconium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
- C22C38/16—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
- C22C38/18—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing chromium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
- H01F41/183—Sputtering targets therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
- B22F2998/10—Processes characterised by the sequence of their steps
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
본 발명은, 스퍼터링 타겟의 기계 강도를 개선하는 것을 목적으로 하고, 이러한 목적을 달성하기 위하여, at.%로, B를 10∼50%, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Re, Ru, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag로부터 선택되는 1종 이상의 원소를 합계하여 0∼20% 함유하고, 잔부가 Co 및 Fe 중 적어도 1종과 불가피한 불순물로 이루어지고, 수소 함유량이 20ppm 이하인 것을 특징으로 하는, 스퍼터링 타겟재를 제공한다.
Description
본 발명은, 자기(磁氣) 터널 접합(MTJ) 소자, HDD, 자기 기록용 매체 등의 합금 박막의 제조에 유용한 스퍼터링 타겟재에 관한 것이다.
자기 랜덤 액세스 메모리(MRAM)는 자기 터널 접합(MTJ) 소자를 갖는다. 자기 터널 접합(MTJ) 소자는 CoFeB/MgO/CoFeB와 같은 구조를 가지고, 높은 터널 자기 저항(TMR) 신호, 낮은 스위칭 전류 밀도(Jc) 등의 특징을 나타낸다.
자기 터널 접합(MTJ) 소자의 CoFeB 박막은, CoFeB 타겟의 스퍼터링에 의해 형성된다. CoFeB 스퍼터링 타겟재로서는, 예를 들면 일본공개특허 제2004-346423호 공보(특허문헌 1)에 개시되어 있는 바와 같이, 아토마이즈 분말을 소결하여 제작된 스퍼터링 타겟재가 알려져 있다.
특허문헌 1과 같이 아토마이즈 분말을 소결하여 스퍼터링 타겟재를 제작하는 방법은 유효한 방법이지만, 단지 특허문헌 1에 기재된 방법만으로는, 양호한 타겟재를 제작할 수는 없다. 즉, 단순하게 아토마이즈한 분말을 소결하는 것만으로는 스퍼터링 타겟재의 강도가 저하되는 문제가 있다.
전술한 문제를 해소하기 위하여, 본 발명자들은 예의(銳意) 개발을 진행시킨 결과, 스퍼터링 타겟재 중의 수소 함유량을 저감시킴으로써, 스퍼터링 타겟의 기계 강도를 개선할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
본 발명은, 이하의 발명을 포함한다.
[1] at.%로, B를 10∼50%, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Re, Ru, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소를 합계하여 0∼20% 함유하고, 잔부가 Co 및 Fe 중 적어도 1종과 불가피한 불순물로 이루어지고, 수소 함유량이 20ppm 이하인 것을 특징으로 하는, 스퍼터링 타겟재.
[2] at.%로, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Re, Ru, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소를 합계하여 5∼20% 함유하는, 상기 [1]에 기재된 스퍼터링 타겟재.
[3] 200MPa 이상의 항절 강도를 가지는, 상기 [1]에 기재된 스퍼터링 타겟재.
본 발명에 의하면, 기계 강도가 우수한 스퍼터링 타겟재가 제공된다.
이하, 본 발명에 대하여 상세하게 설명한다. 그리고, 본 발명에 있어서, 「%」는 특별히 규정되는 경우를 제외하고, at.%를 의미한다.
본 발명에 관한 스퍼터링 타겟재에 있어서, B의 함유량은 10∼50%이다. B의 함유량이 10% 미만이면, 스퍼터링 시에 형성되는 합금 박막이 충분히 비정질로 되지 않고, B의 함유량이 50%를 넘으면, 수소의 함유량이 20ppm 이하라도, 스퍼터링 타겟재의 강도가 저하되므로, B의 함유량은 10∼50%로 조정된다. B의 함유량은, 바람직하게는 20∼50%이다.
본 발명에 관한 스퍼터링 타겟재에 있어서, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Re, Ru, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag로 이루어지는 군(이하 「원소군」이라고 하는 경우가 있음)으로부터 선택되는 1종 이상의 원소의 합계 함유량은 0∼20%이다. 그리고, 상기 원소군으로부터 선택되는 원소가 1종뿐인 경우, 「상기 원소군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소의 합계 함유량」은 상기 1종의 원소의 함유량을 의미한다. 상기 원소군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소의 합계 함유량이 20%를 넘으면, 수소 함유량이 20ppm 이하라도, 스퍼터링 타겟재의 강도가 저하되므로, 상기 원소군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소의 함유량은 20% 이하로 조정된다. 상기 원소군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소의 합계 함유량은, 바람직하게는 12% 이하, 더욱 바람직하게는 10% 이하다. 본 발명에 관한 스퍼터링 타겟재가 상기 원소군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소를 함유하지 않을 경우, 그 합계 함유량은 0%이다. 본 발명에 관한 스퍼터링 타겟재가 상기 원소군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소를 함유하는 경우, 그 합계 함유량은 0 초과∼20%의 범위에서 적절하게 조정 가능하지만, 예를 들면, 5% 이상이다.
본 발명에 관한 스퍼터링 타겟재에 있어서, 잔부는 Co 및 Fe 중 적어도 1종과 불가피한 불순물로 이루어진다.
Co 및 Fe는 자성을 부여하는 원소이고, Co 및 Fe의 합계 함유량은 30% 이상이다. 그리고, 본 발명에 관한 스퍼터링 타겟재가 Co 및 Fe의 한쪽만을 함유하는 경우, 「Co 및 Fe의 합계 함유량」은 상기 한쪽의 함유량을 의미한다. Co 및 Fe의 합계 함유량은 바람직하게는 40% 이상, 더욱 바람직하게는 50% 이상이다.
본 발명에 관한 스퍼터링 타겟재에 있어서, 수소의 함유량은 20ppm 이하다. 수소는, 스퍼터링 타겟재 원료로서 사용되는 분말(예를 들면, 가스 아토마이즈 분말 등의 아토마이즈 분말) 중에 불가피하게 존재하는 원소이지만, 스퍼터링 타겟재에 잔존하는 수소의 함유량이 20ppm을 넘으면, 스퍼터링 타겟재의 강도가 저하되므로, 수소의 함유량은 20ppm 이하로 조정된다. 수소의 함유량은, 바람직하게는 10ppm 이하다. 그리고, 본 발명에 관한 스퍼터링 타겟재는, 그 외의 불가피한 불순물을 1000ppm까지 포함해도 된다.
수소의 함유량이 20ppm 이하인 스퍼터링 타겟재는, B를 10∼50%, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Re, Ru, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소를 합계하여 0∼20% 함유하고, 잔부가 Co 및 Fe 중 적어도 1종과 불가피한 불순물로 이루어지는 합금의 아토마이즈 분말로부터, 입경 500㎛ 이상의 조립자(粗粒子)를 제거하고, 이어서, 조립자가 제거된 분말로부터 미세 입자를 제거하여 입도(粒度) 조건 A, B, C 중 어느 하나를 만족시키는 분말을 조제하고, 이어서, 입도 조건 A, B, C 중 어느 하나를 만족시키는 분말을 소결함으로써 제조할 수 있다.
입도 조건 A, B, C는, 다음과 같이 정의된다.
입도 조건 A는, 분말(입자군)의 입도 분포에 있어서, 입경 5㎛ 이하인 입자의 누적 부피가 10% 이하, 또한 입경 30㎛ 이하인 입자의 누적 부피가 40% 이하로 되어 있는 것으로 정의된다.
입도 조건 B는, 분말(입자군)의 입도 분포에 있어서, 입경 5㎛ 이하인 입자의 누적 부피가 8% 이하, 또한 입경 30㎛ 이하인 입자의 누적 부피가 35% 이하로 되어 있는 것으로 정의된다.
입도 조건 C는, 분말(입자군)의 입도 분포에 있어서, 입경 5㎛ 이하인 입자의 누적 부피가 5% 이하, 또한 입경 30㎛ 이하인 입자의 누적 부피가 30% 이하로 되어 있는 것으로 정의된다.
그리고, 입도 조건 A, B, C 모두를 만족시키는 분말은, 입도 조건 C를 만족시키는 분말로 하고, 입도 조건 A 및 B를 만족시키는 분말은, 입도 조건 B를 만족시키는 분말로 한다. 또한, 「입경」 및 「입도 분포」는, 레이저 회절·산란식 입자 직경 분포 측정 장치(마이크로트랙)에 의해 측정되는 입경 및 입도 분포를 의미한다.
입도 조건 A, B, C는 모두, 스퍼터링 타겟재의 원료가 되는 분말(예를 들면, 가스 아토마이즈 분말 등의 아토마이즈 분말)로부터, 입경 500㎛ 이상의 조립자를 제거한 후, 조립자가 제거된 분말로부터, 미세 입자를 제거하기 위한 조건이다. 각 입도 조건은 두 가지 조건, 즉, 입경 5㎛ 이하인 입자의 양에 관한 제1 조건 및 입경 30㎛ 이하인 입자의 양에 관한 제2 조건에 의해 입도 분포를 정하고 있다. 입도 조건 A에 있어서, 제1 조건은, 입경 5㎛ 이하인 입자의 누적 부피를 10% 이하로 규제하고, 제2 조건은, 보다 입도가 큰 입경 30㎛ 이하인 입자의 누적 부피를 40% 이하로 규제한다. 입도 조건 B에 있어서, 제1 조건은, 입경 5㎛ 이하인 입자의 누적 부피를 8% 이하로 규제하고, 제2 조건은, 입경 30㎛ 이하인 입자의 누적 부피를 35% 이하로 규제한다. 입도 조건 C에 있어서, 제1 조건은, 입경 5㎛ 이하인 입자의 누적 부피를 5% 이하로 규제하고, 제2 조건은, 입경 30㎛ 이하인 입자의 누적 부피를 30% 이하로 규제한다. 즉, 입도 조건 A, B, C는, 입경 5㎛ 이하인 입자의 누적 부피를 10% 이하, 8% 이하, 5% 이하로 단계적으로 감소하도록 규제하고, 입경 30㎛ 이하인 입자의 누적 부피를 40% 이하, 35% 이하, 30% 이하로 단계적으로 감소하도록 규제한다. 실시예에는, 입도 조건 A, B, C 중 어느 하나를 만족시키는 가스 아토마이즈 분말을 이용하여 제조한 스퍼터링 타겟재의 수소 함유량 및 항절 강도가 제시되어 있다.
입도 조건 A, B, C 중 어느 하나를 만족시키는 분말은, 스퍼터링 타겟재 원료가 되는 분말(예를 들면, 가스 아토마이즈 분말 등의 아토마이즈 분말)로부터, 입경 500㎛ 이상의 성형에 적합하지 않은 조립자를 제거한 후, 조립자가 제거된 분말로부터 미세 입자를 제거함으로써 조제할 수 있다. 아토마이즈 분말을 제조하기 위한 아토마이즈법으로서는, 예를 들면 가스 아토마이즈법, 물 아토마이즈법, 디스크 아토마이즈법, 플라즈마 아토마이즈법 등을 들 수 있지만, 가스 아토마이즈법이 바람직하다. 입경 500㎛ 이상의 조립자의 제거는 눈의 크기 500㎛ 이하, 예를 들면, 눈의 크기가 250∼500㎛인 체를 이용한 분급에 의해 행할 수 있다. 입도 조건 A, B, C 중 어느 하나를 만족시키는 분말을 조제하기 위한 미세 입자의 제거는, 눈의 크기 5㎛ 이하 및/또는 눈의 크기 30㎛ 이하인 체를 이용한 분급에 의해 행할 수 있다. 입도 조건 A, B, C 중 어느 하나를 만족시키는 분말을 이용하여 고화 성형체를 제작하는 것에 의해, 수소의 함유량을 20ppm 이하로 하는 것이 가능해진다. 이것을 와이어 컷, 선반 가공, 평면 연마에 의해, 원반형으로 가공하여, 스퍼터링 타겟재를 제조할 수 있다. 이렇게 하여 제조된 스퍼터링 타겟재는, 그 강도가 향상되어 있다.
본 발명에 관한 스퍼터링 타겟재는, 200MPa 이상의 항절 강도를 가지는 것이 바람직하다. 본 발명에 관한 스퍼터링 타겟재의 항절 강도는, 예를 들면 210MPa 이상, 220MPa 이상, 230MPa 이상, 240MPa 이상, 250MPa 이상, 260MPa 이상, 270MPa 이상, 280MPa 이상, 290MPa 이상 또는 300MPa 이상이다.
항절 강도의 측정은, 다음과 같이 실시한다. 소결 합금으로부터 와이어로 산출해 낸, 세로 4㎜, 폭 25㎜, 두께 3㎜의 시험편을, 3점 굽힘 시험에 의해 평가하고, 3점 굽힘 강도를 항절 강도로 한다. 3점 굽힘 시험은, 지점간 거리 20㎜으로, 세로 4㎜, 폭 25㎜의 면을 두께 방향으로 압하하고, 그 때의 응력(N)을 측정하고, 다음 식에 기초하여, 3점 굽힘 강도를 산출한다.
3점 굽힘 강도(MPa) = (3×응력(N)×지점간 거리(㎜))/(2×시험편의 폭(㎜)× (시험편의 두께(㎜)2)
[실시예]
이하, 본 발명에 관한 스퍼터링 타겟재에 대하여 실시예에 의해 구체적으로 설명한다.
표 1, 표 2, 표 5, 표 6에 나타내는 성분 조성(組成)에 대하여, 용해 원료를 칭량하고, 감압 Ar 가스 분위기 또는 진공 분위기의 내화물 도가니 내에서 유도 가열 용해한 후, 도가니 하부의 직경 8㎜의 노즐로부터 출탕하고, Ar 가스에 의해 가스 아토마이즈하였다. 그리고, Ar 가스의 분사압을 조정하는 것에 의해, 응고 속도를 컨트롤할 수 있다. 분사압이 클수록, 응고 속도가 크다. 응고 속도의 컨트롤에 의해, 가스 아토마이즈 분말의 입도 분포를 조정할 수 있다. 응고 속도가 빠를수록, 입도 분포의 폭은 작다.
얻어진 가스 아토마이즈 분말로부터 입경 500㎛ 이상의 성형에 적합하지 않은 조립자를 제거한 후, 조립자가 제거된 분말로부터 미세 입자를 제거함으로써, 입도 조건 A, B, C 중 어느 하나를 만족시키는 분말을 조제하였다. 입경 500㎛ 이상의 성형에 적합하지 않은 조립자의 제거는, 눈의 크기 500㎛의 체를 이용한 분급에 의해 행하였다. 입도 조건 A를 만족시키는 분말을 조제하기 위한 미세 입자의 제거는, 눈의 크기 35㎛의 체를 이용한 분급에 의해 행하였다. 입도 조건 B를 만족시키는 분말을 조제하기 위한 미세 입자의 제거는, 눈의 크기 30㎛의 체를 이용한 분급에 의해 행하였다. 입도 조건 C를 만족시키는 분말을 조제하기 위한 미세 입자의 제거는, 눈의 크기 25㎛의 체를 이용한 분급에 의해 행하였다. 입도 조건 A, B, C 중 어느 하나를 만족시키는 분말을 110℃의 화로에 넣어서 수분 건조를 실시하고, 건조 후의 분말을 원료 분말로서 이용하였다. 원료 분말을 외경(外徑) 220㎜, 내경(內徑) 210㎜, 길이 200㎜의 SC제 캔에 탈기 장입(裝入)하고, 분말 충전 빌릿을 표 1 또는 표 2에 나타내는 각각의 조건으로 소결하여, 소결체를 제작하였다.
한편, 표 3 및 표 7의 원료 분말란에 나타내는 성분 조성에 대하여 용해 원료를 칭량하고, 표 1, 표 2, 표 5, 표 6에 나타내는 성분 조성의 경우와 동일하게, 감압 Ar 가스 분위기 또는 진공 분위기의 내화물 도가니 내에서 유도 가열 용해한 후, 도가니 하부의 직경 8㎜의 노즐로부터 출탕하고, Ar 가스에 의해 가스 아토마이즈하였다. 그리고, 표 7에 나타내는 원료 분말 중, 순(純)Ti, 순B, 순V, 순Cr은 시판되고 있는, 분말 사이즈가 150㎛ 이하인 분말을 이용하였다. 얻어진 가스 아토마이즈 분말로부터 입경 500㎛ 이상의 성형에 적합하지 않은 조립자를 제거한 후, 조립자가 제거된 분말을 분급하여 미세 입자를 제거하는 것에 의해, 입도 조건 A, B, C 중 어느 하나를 만족시키는 분말을 조제하였다. 조립자 및 미세 입자의 제거는, 상기와 동일하게 행하였다. 입도 조건 A, B, C 중 어느 하나를 만족시키는 분말을 110℃의 화로에 넣어서 수분 건조를 실시하고, 건조 후의 분말을 원료 분말로서 이용하였다. 원료 분말을, 표 3에 나타내는 혼합비의 비율로, V형 혼합기에 의해 30분 섞음으로써 표 3에 나타내는 조성으로 하고, 외경 220㎜, 내경 210㎜, 길이 200㎜의 SC제 캔에 탈기 장입하였다. 상기의 분말 충전 빌릿을 표 3에 나타내는 조건으로 소결하여, 소결체를 제작하였다. 상기의 방법으로 제작한 고화 성형체를 와이어 컷, 선반 가공, 평면 연마에 의해, 직경 180㎜, 두께 7㎜의 원반형으로 가공하고, 스퍼터링 타겟재로 하였다.
다음에, 표 4에 나타내는 성분 조성에 대하여, 용해 원료를 칭량하고, 감압 Ar 가스 분위기 또는 진공 분위기의 내화물 도가니 내에서 유도 가열 용해한 후, 도가니 하부의 직경 8㎜의 노즐로부터 출탕하고, Ar 가스에 의해 가스 아토마이즈하였다. 얻어진 가스 아토마이즈 분말로부터, 입경 500㎛ 이상의 성형에 적합하지 않은 조립자를 제거하고, 조립자가 제거된 분말을, 미세 입자를 제거하지 않고 원료 분말로서 이용하였다. 원료 분말을 외경 220㎜, 내경 210㎜, 길이 200㎜의 SC제 캔에 탈기 장입하였다. 상기의 분말 충전 빌릿을 표 4에 나타내는 조건으로 소결하여, 소결체를 제작하였다. 상기의 방법으로 제작한 고화 성형체를 와이어 컷, 선반 가공, 평면 연마에 의해, 직경 180㎜, 두께 7㎜의 원반형으로 가공하고, 스퍼터링 타겟재로 하였다.
[표 1]
[표 2]
[표 3]
[표 4]
주) 언더라인은 본 발명 조건 외
[표 5]
[표 6]
주) 언더라인은 본 발명 조건 외
[표 7]
표 1∼표 3에 나타내는 No.1∼32 및 표 5∼7에 나타내는 No.40∼87 및 No.91∼106은 본 발명예고, 표 4에 나타내는 No.33∼39 및 표 6에 나타내는 No.88∼90은 비교예다.
분말의 입도 분포는, 레이저 회절·산란식 입자 직경 분포 측정 장치(마이크로트랙)에 의해 측정하고, 확인하였다. 또한, 성형 방법은, 예를 들면 HIP, 핫 프레스(hot press), SPS, 열간 압출 등이고, 특별히 한정되지 않는다. 수소 함유량은, 불활성 가스 융해-비분산형 적외선 흡수법에 의해 측정하였다. 기계 강도(항절 강도)는, 와이어로 산출해 낸 세로 4㎜, 폭 25㎜, 두께 3㎜의 시험편을, 3점 굽힘 시험에 의해 평가하였다. 3점 굽힘 시험의 조건은, 지점간 거리 20㎜으로 실시하고, 세로 4㎜, 폭 25㎜의 면을 두께 방향으로 압하하고, 그 때의 응력(N)을 측정하고, 다음 식에 기초하여, 3점 굽힘 강도를 산출하였다. 산출한 3점 굽힘 강도를 항절 강도(MPa)로 하였다.
3점 굽힘 강도(MPa) = (3×응력(N)×지점간 거리(㎜))/ (2×시험편의 폭(㎜)× (시험편의 두께(㎜)2)
본 발명예인 No.1∼26 및 No.40∼87은, 표 1, 표 25 및 표 6에 나타내는 성분 조성을 가지는 스퍼터링 타겟재고, 본 발명예인 No.27∼32 및 No.91∼106은, 표 3 및 표 7에 나타내는 복수의 원료 분말로 제조된 스퍼터링 타겟재다. 모두, B를 10∼50%, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Re, Ru, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소를 합계하여 0∼20% 함유하고, 잔부가 Co 및 Fe 중 적어도 1종과 불가피한 불순물로 이루어지고, 수소 함유량이 20ppm 이하라고 하는 본 발명의 조건을 충족시키므로, 항절 강도 200mPa 이상을 달성할 수 있었다.
한편, 표 4에 나타내는 비교예 No.33은, 스퍼터링 타겟재 원료로서 이용된 가스 아토마이즈 분말의 입도 분포에 있어서의 입경 5㎛ 이하인 입자의 누적 부피가 11%이고, 입도 조건 A∼C 중 어떤 조건도 만족시키지 않으므로, 수소 함유량이 25ppm으로 증가하고, 항절 강도가 150MPa로 저하되었다. 비교예 No.34는, B의 함유량이 10% 미만이고, 또한 스퍼터링 타겟재 원료로서 이용된 가스 아토마이즈 분말의 입도 분포에 있어서의 입경 30㎛ 이하인 입자의 누적 부피가 41%이므로, 수소 함유량이 30ppm으로 증가하고, 항절 강도가 180MPa로 저하되었다. 비교예 No.35 및 No.37은, 스퍼터링 타겟재 원료로서 이용된 가스 아토마이즈 분말의 입도 분포에 있어서의 입경 5㎛ 이하인 입자의 누적 부피가 12%, 13%이고, 입도 조건 A∼C 중 어떤 조건도 만족시키지 않으므로, 수소 함유량이 25ppm, 23ppm으로 증가하고, 항절 강도가 130MPa, 150MPa로 저하되었다.
비교예 No.36 및 No.38은, 스퍼터링 타겟재 원료로서 이용된 가스 아토마이즈 분말의 입도 분포에 있어서의 입경 30㎛ 이하인 입자의 누적 부피가 42%, 43%이고, 입도 조건 A∼C 중 어떤 조건도 만족시키지 않으므로, 수소 함유량이 22ppm, 25ppm으로 증가하고, 항절 강도가 160MPa, 140MPa로 저하되었다. 비교예 No.39는, 스퍼터링 타겟재 원료로서 이용된 가스 아토마이즈 분말의 입도 분포에 있어서의 입경 5㎛ 이하, 30㎛ 이하인 입자의 누적 부피가 14%, 45%이고, 입도 조건 A∼C 중 어떤 조건도 만족시키지 않으므로, 수소 함유량이 26ppm으로 증가하고, 항절 강도가 100MPa로 저하되었다. 비교예의 강도는 지극히 불량한 것을 알 수 있다. 표 6에 나타내는 비교예 No.88∼No.90은 Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Re, Ru, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소가 합계하여 20%를 넘게 포함되어 있으므로, 강도가 낮고, 무른 것을 알 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하여, 스퍼터링 타겟재 중의 수소 함유량을 20ppm 이하로 저감시킴으로써 기계 강도를 개선시킨 스퍼터링 타겟재가 제공된다. 본 발명에 관한 스퍼터링 타겟재는 MTJ 소자, HDD, 자기 기록용 매체 등의 합금 박막의 제조에 유용한 스퍼터링 타겟재이고, 매우 우수한 효과를 얻을 수 있는 것이다.
Claims (3)
- at.%로, B를 10∼50%, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Re, Ru, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소를 합계하여 0∼20% 함유하고, 잔부가 Co 및 Fe 중 적어도 1종과 불가피한 불순물로 이루어지고, 수소 함유량이 20ppm 이하인,
스퍼터링 타겟재. - 제1항에 있어서,
at.%로, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Re, Ru, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소를 합계하여 5∼20% 함유하는, 스퍼터링 타겟재. - 제1항에 있어서,
200MPa 이상의 항절 강도를 가지는, 스퍼터링 타겟재.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015184846 | 2015-09-18 | ||
JPJP-P-2015-184846 | 2015-09-18 | ||
JPJP-P-2016-010266 | 2016-01-22 | ||
JP2016010266A JP2017057490A (ja) | 2015-09-18 | 2016-01-22 | Co−Fe−B系合金ターゲット材 |
PCT/JP2016/077459 WO2017047754A1 (ja) | 2015-09-18 | 2016-09-16 | スパッタリングターゲット材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180054595A true KR20180054595A (ko) | 2018-05-24 |
KR102635337B1 KR102635337B1 (ko) | 2024-02-07 |
Family
ID=58391141
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020187006795A KR102635337B1 (ko) | 2015-09-18 | 2016-09-16 | 스퍼터링 타겟재 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20180265963A1 (ko) |
EP (1) | EP3351655A4 (ko) |
JP (2) | JP2017057490A (ko) |
KR (1) | KR102635337B1 (ko) |
SG (2) | SG11201802203UA (ko) |
TW (1) | TWI712698B (ko) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11229950B2 (en) * | 2017-04-21 | 2022-01-25 | Raytheon Technologies Corporation | Systems, devices and methods for spark plasma sintering |
TWI642800B (zh) * | 2017-10-03 | 2018-12-01 | 光洋應用材料科技股份有限公司 | 鈷鉑錸基濺鍍靶材、其製法及磁記錄層 |
TWI658150B (zh) * | 2018-02-05 | 2019-05-01 | 光洋應用材料科技股份有限公司 | 含鈷鉻鉑硼錸濺鍍靶材、含鈷鉻鉑硼錸層及其製法 |
JP7382142B2 (ja) * | 2019-02-26 | 2023-11-16 | 山陽特殊製鋼株式会社 | スパッタリングターゲット材に適した合金 |
JP7506477B2 (ja) | 2020-01-06 | 2024-06-26 | 山陽特殊製鋼株式会社 | スパッタリングターゲット材の製造方法 |
JP7492831B2 (ja) * | 2020-01-06 | 2024-05-30 | 山陽特殊製鋼株式会社 | スパッタリングターゲット材 |
CN112371987A (zh) * | 2020-11-13 | 2021-02-19 | 河南东微电子材料有限公司 | 一种铁钴硼铬铝合金粉末的制备方法 |
JP7205999B1 (ja) | 2021-09-09 | 2023-01-17 | 山陽特殊製鋼株式会社 | スパッタリングターゲット材 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004346423A (ja) | 2003-04-30 | 2004-12-09 | Hitachi Metals Ltd | Fe−Co−B系合金ターゲット材、その製造方法、軟磁性膜および磁気記録媒体ならびにTMR素子 |
WO2015080009A1 (ja) * | 2013-11-28 | 2015-06-04 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 磁性材スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4127474B2 (ja) * | 2002-02-04 | 2008-07-30 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲット |
US7141208B2 (en) | 2003-04-30 | 2006-11-28 | Hitachi Metals, Ltd. | Fe-Co-B alloy target and its production method, and soft magnetic film produced by using such target, and magnetic recording medium and TMR device |
JP2005320627A (ja) | 2004-04-07 | 2005-11-17 | Hitachi Metals Ltd | Co合金ターゲット材の製造方法、Co合金ターゲット材および垂直磁気記録用軟磁性膜ならびに垂直磁気記録媒体 |
US20070017803A1 (en) | 2005-07-22 | 2007-01-25 | Heraeus, Inc. | Enhanced sputter target manufacturing method |
JP4331182B2 (ja) * | 2006-04-14 | 2009-09-16 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 軟磁性ターゲット材 |
CN102652184B (zh) * | 2009-12-11 | 2014-08-06 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 磁性材料溅射靶 |
JP5631659B2 (ja) | 2010-08-24 | 2014-11-26 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 垂直磁気記録媒体用軟磁性合金およびスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体 |
JP5769059B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2015-08-26 | 日立金属株式会社 | 永久磁石薄膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
WO2014148588A1 (ja) * | 2013-03-22 | 2014-09-25 | Jx日鉱日石金属株式会社 | タングステン焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
WO2015019513A1 (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-12 | Jx日鉱日石金属株式会社 | ネオジム、鉄、ボロンを主成分とする希土類粉末又はスパッタリングターゲットの製造方法、同希土類元素からなる粉末又はスパッタリングターゲット及びネオジム、鉄、ボロンを主成分とする希土類磁石用薄膜又はその製造方法 |
JP6405261B2 (ja) | 2014-05-01 | 2018-10-17 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 磁気記録用軟磁性合金及びスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体 |
SG11201704465WA (en) | 2015-03-04 | 2017-06-29 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Magnetic material sputtering target and method for producing same |
-
2016
- 2016-01-22 JP JP2016010266A patent/JP2017057490A/ja not_active Withdrawn
- 2016-09-16 KR KR1020187006795A patent/KR102635337B1/ko active IP Right Grant
- 2016-09-16 US US15/760,404 patent/US20180265963A1/en not_active Abandoned
- 2016-09-16 SG SG11201802203UA patent/SG11201802203UA/en unknown
- 2016-09-16 SG SG10201913475PA patent/SG10201913475PA/en unknown
- 2016-09-16 EP EP16846625.8A patent/EP3351655A4/en not_active Ceased
- 2016-09-19 TW TW105130206A patent/TWI712698B/zh active
-
2020
- 2020-04-20 JP JP2020074715A patent/JP7084958B2/ja active Active
- 2020-08-06 US US16/986,331 patent/US11377726B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004346423A (ja) | 2003-04-30 | 2004-12-09 | Hitachi Metals Ltd | Fe−Co−B系合金ターゲット材、その製造方法、軟磁性膜および磁気記録媒体ならびにTMR素子 |
WO2015080009A1 (ja) * | 2013-11-28 | 2015-06-04 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 磁性材スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11377726B2 (en) | 2022-07-05 |
EP3351655A1 (en) | 2018-07-25 |
TWI712698B (zh) | 2020-12-11 |
US20200362451A1 (en) | 2020-11-19 |
JP2017057490A (ja) | 2017-03-23 |
SG11201802203UA (en) | 2018-04-27 |
EP3351655A4 (en) | 2019-04-17 |
TW201726954A (zh) | 2017-08-01 |
KR102635337B1 (ko) | 2024-02-07 |
JP7084958B2 (ja) | 2022-06-15 |
SG10201913475PA (en) | 2020-03-30 |
JP2020143372A (ja) | 2020-09-10 |
US20180265963A1 (en) | 2018-09-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102635337B1 (ko) | 스퍼터링 타겟재 | |
Mikler et al. | Laser additive manufacturing of magnetic materials | |
KR102152586B1 (ko) | 자성재 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 | |
TWI834821B (zh) | 適用於濺鍍靶材之合金 | |
JP5370917B2 (ja) | Fe−Co−Ni系合金スパッタリングターゲット材の製造方法 | |
KR102620685B1 (ko) | 스퍼터링 타겟재 | |
JP7506477B2 (ja) | スパッタリングターゲット材の製造方法 | |
JP2012214857A (ja) | 酸素含有量が低いCu−Ga系合金粉末、Cu−Ga系合金ターゲット材、およびターゲット材の製造方法 | |
WO2021162081A1 (ja) | スパッタリングターゲット材及びその製造方法 | |
WO2017047754A1 (ja) | スパッタリングターゲット材 | |
JP2022150143A (ja) | スパッタリングターゲット材及びその製造方法 | |
CN113811628A (zh) | 磁记录介质的籽晶层用合金 | |
TW202330965A (zh) | 濺鍍靶材料 | |
JP2021109979A (ja) | スパッタリングターゲット材 | |
JP2021075737A (ja) | Cr基合金付加加工物およびその製造方法、ならびにCr基合金粉末の製造方法 | |
JP2021075736A (ja) | Cr基合金付加加工物およびその製造方法、ならびにCr基合金粉末の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |