JP5769059B2 - 永久磁石薄膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
永久磁石薄膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5769059B2 JP5769059B2 JP2011074052A JP2011074052A JP5769059B2 JP 5769059 B2 JP5769059 B2 JP 5769059B2 JP 2011074052 A JP2011074052 A JP 2011074052A JP 2011074052 A JP2011074052 A JP 2011074052A JP 5769059 B2 JP5769059 B2 JP 5769059B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- permanent magnet
- thin film
- magnet thin
- target
- sputtering target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
原子比率による組成式が、RxT100−x−yMy(Rは希土類元素のうち少なくとも一種であってNd及び/又はPrを必ず含み、Tは遷移元素のうち少なくとも一種であってFeを必ず含み、MはB又はBとCであって50原子%≦B/Mを満足する)で表され、x、yが、17≦x≦20、7≦y≦10を満足する組成からなり、酸素含有量が1500ppm以下の焼結体であることを特徴とする。
前記組成を満足し、粒径100μm以下が全体の30質量%未満かつ粒径300μm以下が全体の90質量%以上の粒度分布からなる合金粉末を、真空中又は不活性ガス雰囲気中で加圧焼結することを特徴とする。
本発明は、上記構成を有する永久磁石薄膜用スパッタリングターゲットの製造方法において、合金粉末が、合金をピンミルにより粉砕したものであることを特徴とする。
本発明は、上記構成を有する永久磁石薄膜用スパッタリングターゲットの製造方法において、放電プラズマ焼結法又はホットプレス法により加圧焼結することを特徴とする。
本発明は、上記構成を有する永久磁石薄膜用スパッタリングターゲットの製造方法において、600℃以上700℃以下の温度で加圧焼結することを特徴とする。
本発明は、上記構成を有する永久磁石薄膜用スパッタリングターゲットの製造方法において、30MPa以上の加圧力で加圧焼結することを特徴とする。
原子比率による組成式が、RxT100−x−yMy(Rは希土類元素のうち少なくとも一種であってNd及び/又はPrを必ず含み、Tは遷移元素のうち少なくとも一種であってFeを必ず含み、MはB又はBとCであって50原子%≦B/Mを満足する)で表され、x、yが、17≦x≦20、7≦y≦10を満足する。
本発明による永久磁石薄膜用スパッタリングターゲットの製造方法は、前記組成を満足し、粒径100μm以下が全体の30質量%未満かつ粒径300μm以下が全体の90質量%以上の粒度分布からなる合金粉末を、真空中又は窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気中で加圧焼結することを特徴とする。
原子比率による組成式がRxT100−x−yMyにおいて、R=Nd、T=Fe+Co、M=B、x=18.2、y=7.5として、Nd18.2Fe73.1Co1.2B7.5に配合された原料を高周波溶解炉で溶解し、Cuロールを用いたストリップキャスティング法によって厚み約0.1mmの合金を得た。その合金を、窒素ガスで内部を置換したピンミルで粉砕し、合金粉末を得た。この合金粉末の粒度分布を自動ふるい振とう機を用い、JIS Z 2510に記載の試験方法により測定した。ふるいには、38μm、100μm、208μm、250μm、300μmの目開きのふるいを用いた。その結果を図1に示す。図1は、粒径の小さい方から質量を積算したときの全体の質量に占める割合を示す。図1に示すように、得られた合金粉末の粒度分布は、粒径100μm以下の合金粉末が全体の23質量%、粒径300μm以下の合金粉末が全体の99質量%であった。
実施例と同様に配合された原料を高周波真空溶解炉で溶解し、直径80mmの鋳型に鋳造し、室温まで徐冷して円盤状の鋳造合金を得た。得られた鋳造合金の外周と両平面を研削加工し、厚み5mmの鋳造ターゲットを作製した。得られた鋳造ターゲットの表面を金属顕微鏡で観察したところ、ボイドや鬆とともに、無数のマイクロクラックが認められた。前記鋳造ターゲットの酸素含有量を測定した。酸素含有量の測定は同じ方法で別途作製した鋳造ターゲットによって行った。その結果、酸素含有量は330ppmであり、実施例1による本発明の焼結ターゲットよりも酸素含有量が少なかった。
Claims (6)
- 原子比率による組成式が、RxT100−x−yMy(Rは希土類元素のうち少なくとも一種であってNd及び/又はPrを必ず含み、Tは遷移元素のうち少なくとも一種であってFeを必ず含み、MはB又はBとCであって50原子%≦B/Mを満足する)で表され、x、yが、17≦x≦20、7≦y≦10を満足する組成からなり、酸素含有量が1500ppm以下の焼結体であることを特徴とする永久磁石薄膜用スパッタリングターゲット。
- 請求項1に記載の永久磁石薄膜用スパッタリングターゲットの製造方法であって、ストリップキャスト法によって製造された前記組成を満足する合金を粉砕した、粒径100μm以下が全体の30質量%未満かつ粒径300μm以下が全体の90質量%以上の粒度分布からなる合金粉末を、真空中又は不活性ガス雰囲気中で加圧焼結することを特徴とする永久磁石薄膜用スパッタリングターゲットの製造方法。
- 合金粉末が、合金をピンミルにより粉砕したものであることを特徴とする請求項2に記載の永久磁石薄膜用スパッタリングターゲットの製造方法。
- 放電プラズマ焼結法又はホットプレス法により加圧焼結することを特徴とする請求項2又は3に記載の永久磁石薄膜用スパッタリングターゲットの製造方法。
- 600℃以上700℃以下の温度で加圧焼結することを特徴とする請求項2から4のいずれかに記載の永久磁石薄膜用スパッタリングターゲットの製造方法。
- 30MPa以上の加圧力で加圧焼結することを特徴とする請求項2から5のいずれかに記載の永久磁石薄膜用スパッタリングターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011074052A JP5769059B2 (ja) | 2011-03-30 | 2011-03-30 | 永久磁石薄膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011074052A JP5769059B2 (ja) | 2011-03-30 | 2011-03-30 | 永久磁石薄膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012207274A JP2012207274A (ja) | 2012-10-25 |
JP5769059B2 true JP5769059B2 (ja) | 2015-08-26 |
Family
ID=47187266
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011074052A Active JP5769059B2 (ja) | 2011-03-30 | 2011-03-30 | 永久磁石薄膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5769059B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2857547B1 (en) * | 2013-01-28 | 2017-08-23 | JX Nippon Mining & Metals Corp. | Method for making a rare-earth magnet sputtering target |
JP6030009B2 (ja) * | 2013-03-15 | 2016-11-24 | Jx金属株式会社 | 希土類磁石用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
WO2015019513A1 (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-12 | Jx日鉱日石金属株式会社 | ネオジム、鉄、ボロンを主成分とする希土類粉末又はスパッタリングターゲットの製造方法、同希土類元素からなる粉末又はスパッタリングターゲット及びネオジム、鉄、ボロンを主成分とする希土類磁石用薄膜又はその製造方法 |
JP5861246B2 (ja) | 2014-06-04 | 2016-02-16 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 希土類薄膜磁石及びその製造方法並びに希土類薄膜磁石形成用ターゲット |
JP6178521B2 (ja) | 2014-10-27 | 2017-08-09 | Jx金属株式会社 | 希土類薄膜磁石及びその製造方法 |
JP6660130B2 (ja) | 2015-09-18 | 2020-03-04 | 山陽特殊製鋼株式会社 | CoFeB系合金ターゲット材 |
JP2017057490A (ja) * | 2015-09-18 | 2017-03-23 | 山陽特殊製鋼株式会社 | Co−Fe−B系合金ターゲット材 |
WO2017047754A1 (ja) * | 2015-09-18 | 2017-03-23 | 山陽特殊製鋼株式会社 | スパッタリングターゲット材 |
US11114225B2 (en) | 2016-03-07 | 2021-09-07 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Rare earth thin film magnet and production method thereof |
WO2017179422A1 (ja) | 2016-04-15 | 2017-10-19 | Jx金属株式会社 | 希土類薄膜磁石及びその製造方法 |
CN109023271A (zh) * | 2017-06-12 | 2018-12-18 | 江苏东瑞磁材科技有限公司 | 一种超高耐腐蚀的钕铁硼材料的防护镀层及其制备方法 |
JP2021127490A (ja) * | 2020-02-13 | 2021-09-02 | 山陽特殊製鋼株式会社 | スパッタリングターゲット材及びその製造方法 |
JP7396148B2 (ja) | 2020-03-23 | 2023-12-12 | 株式会社プロテリアル | R-t-b系焼結磁石の製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6384005A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-14 | Yaskawa Electric Mfg Co Ltd | 垂直磁化膜の形成方法 |
JP3098204B2 (ja) * | 1997-03-07 | 2000-10-16 | ティーディーケイ株式会社 | 光磁気記録用合金ターゲット、その製造方法およびその再生方法 |
JPH11214219A (ja) * | 1998-01-27 | 1999-08-06 | Tdk Corp | 薄膜磁石およびその製造方法 |
JP2000348919A (ja) * | 1999-06-04 | 2000-12-15 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | ナノコンポジット結晶質焼結磁石およびその製造方法 |
RU2453942C2 (ru) * | 2006-09-14 | 2012-06-20 | Улвак, Инк. | Постоянный магнит и способ его изготовления |
-
2011
- 2011-03-30 JP JP2011074052A patent/JP5769059B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012207274A (ja) | 2012-10-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5769059B2 (ja) | 永久磁石薄膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
US9129730B1 (en) | Rare-earth-iron-based alloy material | |
JP5304907B2 (ja) | R−Fe−B系微細結晶高密度磁石 | |
US10160037B2 (en) | Rare earth magnet and its preparation | |
JP4873008B2 (ja) | R−Fe−B系多孔質磁石およびその製造方法 | |
JP4677942B2 (ja) | R−Fe−B系希土類焼結磁石の製造方法 | |
WO2007088718A1 (ja) | R-Fe-B系希土類焼結磁石およびその製造方法 | |
JP5059955B2 (ja) | 磁石用粉末 | |
JP5370609B1 (ja) | R−t−b系永久磁石 | |
JP5565499B1 (ja) | R−t−b系永久磁石 | |
US9396852B2 (en) | R-T-B based permanent magnet | |
JP5565497B1 (ja) | R−t−b系永久磁石 | |
JP6691666B2 (ja) | R−t−b系磁石の製造方法 | |
JP2019062153A (ja) | R−t−b系焼結磁石の製造方法 | |
KR102605565B1 (ko) | 이방성 희토류 벌크자석의 제조방법 및 이로부터 제조된 이방성 희토류 벌크자석 | |
CN111032906B (zh) | 溅射靶、颗粒膜以及垂直磁记录介质 | |
JP6030009B2 (ja) | 希土類磁石用スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP2017183324A (ja) | R−t−b系永久磁石 | |
JP2019062154A (ja) | R−t−b系焼結磁石の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140221 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140829 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140912 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141110 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150529 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150611 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5769059 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |