KR20180048440A - 워크 유지체 및 성막장치 - Google Patents

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마사히로 마츠모토
마나부 하라다
코지 다카하시
다카시 카게야마
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가부시키가이샤 아루박
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Abstract

본 발명의 일 실시형태에 따른 표면처리용의 워크 유지체(20)는 홀더(21)와, 점착시트(22)를 구비한다. 점착시트(22)는 제1 점착력으로 홀더(21)에 접착되는 제1 면(22a)(제1 점착층(221))과, 상기 제1 점착력보다 높은 제2 점착력으로 워크(부품 본체(110))를 유지하는 것이 가능하도록 구성된 제2 면(22b)(제2 점착층(222))을 가진다.

Description

워크 유지체 및 성막장치{WORKPIECE HOLDING BODY AND FILM FORMING APPARATUS}
본 발명은 예를 들어, 보호막을 가지는 전자부품의 제조에 이용되는 워크 유지체 및 성막장치에 관한 것이다.
근년, 전자기기의 소형화, 고기능화에 따라 내장되는 각종 전자부품에도 한층 더 소형화, 고기능화가 요구되고 있다. 이러한 요구에 부응하기 위해서 예를 들면, 전자부품의 또 다른 고밀도 실장화가 진행되고 있다.
피처리물인 단수 또는 복수의 워크를 캐리어에 탑재하고, 상기 캐리어를 복수의 공정으로 순차 반송하면서, 워크를 처리하는 기술이 널리 알려져 있다. 이러한 경우, 캐리어 상에서 워크를 유지할 수 있고, 또한 캐리어에 대한 워크의 착탈을 용이하게 수행하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 하기의 특허문헌 1에는 캐리어판과, 이 캐리어판 상에 마련된 점착층을 구비하고, 점착층에서 워크를 착탈 가능하도록 점착 유지하는 것이 가능하도록 구성된 캐리어 지그가 기재되어 있다.
일본 공개특허공보 특개 2007－329182호
전자부품의 고밀도 실장화에는 개개의 전자부품의 실장 스페이스의 저감이 필수이다. 이 때문에 근년에 있어서는 BGA(Ball Grid Array)/CSP(Chip Size Package) 등과 같이 부품의 저면(실장면)에 복수의 돌기 전극(범프)이 그리드 형상으로 배열된 표면 실장 부품이 주류가 되고 있다.
상기 점착층을 구비한 캐리어를 이용하여 워크 표면에 보호막을 형성하면, 점착층의 표면에도 성막 재료가 부착하기 때문에, 캐리어를 반복 사용할 때에는 점착층의 부착 교체 작업이 필요하다. 여기서, 점착층의 부착 교체 작업을 용이하게 하기 위해서 점착층의 점착력을 낮추면, 워크의 유지력이 저하해 버리는 반면, 워크의 유지력을 확보하기 위해서 점착층의 점착력을 높이면, 점착층을 부착 교체하는데 지장을 초래하는 문제가 있다.
이상과 같은 사정을 감안하여 본 발명의 목적은, 워크의 유지력을 확보하면서 점착층의 부착 교체를 용이하게 수행할 수 있는 표면처리용의 워크 유지체 및 성막장치를 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 실시형태에 따른 표면처리용의 워크 유지체는 홀더와, 점착시트를 구비한다.
상기 점착 시트는 제1 점착력으로 상기 홀더에 접착되는 제1 면과, 상기 제1 점착력보다 높은 제2 점착력으로 워크를 유지하는 것이 가능하도록 구성된 제2 면을 가진다.
상기 워크 유지체에 있어서, 점착시트는 제1 점착력으로 홀더에 접착되는 제1 면과, 제1 점착력보다 높은 제2 점착력으로 워크를 유지하는 제2 면을 가지므로, 워크의 유지력을 확보하면서, 점착시트의 부착 교체를 용이하게 실시하는 것이 가능해진다.
상기 점착시트는, 기재(基材)와, 상기 제1 면을 구성하여 상기 기재의 한 면에 적층된 제1 점착층과, 상기 제2 면을 구성하여 상기 기재의 다른 한 면에 적층된 제2 점착층을 가져도 된다.
이로 인해, 제1 면과 제2 면으로 점착력이 서로 다른 점착시트를 용이하게 구성할 수 있다.
상기 제2 면은 상기 워크의 접합면의 형상으로 추종하여 변형하는 것이 가능하도록 구성되어도 된다.
이로 인해, 워크의 접합면을 제2 면에 밀착시킬 수 있으므로, 워크에 대한 유지 강도를 높일 수 있다. 또한, 예를 들면, 성막처리에 있어서 접합면으로의 성막재료가 돌아 들어가는 것을 저지하는 것이 가능해진다.
상기 홀더는, 홀더 본체와, 상기 홀더 본체와 상기 점착시트 사이에 배치된 열전도 시트를 가져도 된다.
이로 인해, 워크의 방열 효율이 높아지므로, 플라스마나 열원을 필요로 하는 표면처리에도 적용하는 것이 가능해진다.
상기 홀더는 전형적으로는 동일 면 상에 복수개의 워크를 유지 가능한 판 형상을 가진다.
이로 인해, 복수개의 워크를 일괄처리 하는 것이 가능해지므로, 생산성 향상을 도모할 수 있게 된다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 성막장치는 성막실과, 성막원과, 지지체와, 워크 유지체를 구비한다.
상기 성막원은 상기 성막실에 설치된다.
상기 지지체는 상기 성막실에 설치되어 워크를 지지 가능한 지지면을 가진다.
상기 워크 지지체는 상기 지지면에 착탈 가능하도록 구성된 홀더와, 점착시트를 가진다. 상기 점착시트는 제1 점착력으로 상기 홀더에 접착되는 제1 면과, 상기 제1 점착력보다 높은 제2 점착력으로 상기 워크를 점착 유지하는 것이 가능하도록 구성된 제2 면을 가진다.
상기 성막장치에 있어서, 점착시트는 제1 점착력으로 홀더에 접착되는 제1 면과, 제1 점착력보다 높은 제2 점착력으로 워크를 점착 유지하는 제2 면을 가지므로, 워크의 유지력을 확보하면서 점착시트의 부착 교체를 용이하게 수행하는 것이 가능해진다. 이에 따라, 워크에 대한 적정한 성막처리를 확보하면서 생산성 향상을 도모하는 것이 가능해진다.
상기 지지체는 상기 지지면을 냉각 가능한 냉각기구를 가지고, 상기 홀더는 홀더 본체와, 상기 홀더 본체와 상기 점착시트 사이에 배치된 열전도 시트를 가져도 된다.
이로 인해, 워크를 소정 온도로 냉각하는 것이 가능해지므로, 플라스마나 열원을 필요로 하는 성막처리에도 적용하는 것이 가능해진다.
상기 지지체는 상기 성막실 내에서 회전 가능하도록 구성되어 상기 지지면이 주위면에 형성된 회전드럼을 포함해도 된다.
이로 인해, 복수의 워크를 일괄하여 성막처리할 수 있기 때문에, 생산성 향상을 도모하는 것이 가능해진다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 워크의 유지력을 확보하면서 점착층을 부착 교체하는 것을 용이하게 실시하는 것이 가능해진다.
도 1은, 워크로서의 전자부품의 구성을 나타내는 개략 측단면이다.
도 2는, 본 실시형태에 따른 워크 유지체의 분해 측단면도이다.
도 3은, 전자부품(부품 본체)을 개략적으로 나타내는 사시도 및 측면도이다.
도 4는, 상기 워크 유지체의 개략 평면도이다.
도 5는, 상기 워크 유지체에 마운트된 부품 본체의 모습을 나타내는 요부(要部)의 개략 측단면도이다.
도 6은, 상기 부품 본체에 대한 성막처리를 설명하는 요부의 개략 측단면도이다.
도 7은, 상기 성막처리에 사용되는 성막장치의 개략 구성도이다.
도 8은, 점착시트의 부착 교체 공정을 설명하는 상기 워크 유지체의 요부의 개략 측단면도이다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 실시형태를 설명한다. 본 실시형태에서는 도 1에 나타내는 전자부품의 제조 시 이용되는 워크 유지체 및 성막장치를 예로 들어 설명한다.
［전자부품］
도 1은, 제조 대상인 전자부품(100)의 구성을 나타내는 개략 측단면이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 전자부품(100)은 BGA/CSP 타입의 반도체 패키지 부품으로 구성된다. 전자부품(100)은 반도체 칩(101)과, 반도체 칩(101)과 전기적으로 접속된 배선기판(102)과, 배선기판(102)의 이면에 그리드 형상으로 배열된 복수의 범프(돌기 전극)(103)와, 반도체 칩(101)을 봉지(封止)하는 수지체(104)와, 수지체(104)의 상면 및 측 주위면을 피복하는 보호막(105)을 가진다.
또한, 이해를 용이하게 하기 위해서 범프(103)는 약간 과장하여 도시되어 있고, 그 수 또는 크기, 형상 등은 실제의 것과 상이할 경우가 있다 (이하의 각 도에 대해도 동일).
［워크 유지체］
도 2는, 본 실시형태에 따른 워크 유지체(20)의 분해측 단면도이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 워크 유지체(20)는 홀더(21)와, 점착시트(22)를 가진다. 워크 유지체(20)는 전자부품(100)의 일 제조 공정인 보호막(105)의 성막공정에 이용되고, 후술하는 바와 같이, 점착시트(22)에 성막 대상인 워크(보호막(105)의 형성 전의 전자부품)를 점착 유지한 상태로 성막장치에 장전(裝塡)된다.
홀더(21)는 홀더 본체(211)와, 열전도 시트(212)와의 적층체로 구성된다. 홀더(21)는 동일면 상에 복수개의 워크를 유지 가능한 판 형상을 가진다.
홀더 본체(211)는 예를 들면, 알루미늄판이나 동판, 스테인리스 강판 등의 구형(矩形)의 금속판으로 구성된다. 열전도 시트(212)는 홀더 본체(211)와 동일한 형상, 크기로 형성되고, 홀더 본체(211)의 상면(上面)에 첩착(貼着)된다. 열전도 시트(212)는 열전도성 필러를 함유하는 실리콘계나 아크릴계의 수지 시트로 구성된다. 열전도 시트(212)는 전형적으로는 전기 절연성의 것이 이용되지만, 도전성의 것이 이용되어도 된다.
점착시트(22)는 홀더(21)와 동일한 형상, 크기로 형성되고, 홀더(21)의 표면(열전도 시트(212)의 표면)에 박리 가능하도록 첩착된다. 점착시트(22)는 홀더(21) 표면에 제1 점착력으로 접착되는 제1 면(22a)과, 상기 제1 점착력보다 높은 제2 점착력으로 워크를 유지하는 것이 가능하도록 구성된 제2 면(22b)을 가진다.
전형적으로는, 양면 점착 테이프로 구성된다. 점착시트(22)는 기재(基材)(220)와, 기재(220)의 한쪽 면(도 2에 있어서 하면)을 피복하는 제1 점착층(221)과, 기재(220)의 다른 한 면(도 2에 있어서 상면)을 피복하는 제2 점착층(222)을 가진다.
기재(220)는 전형적으로는 PET(폴리에틸렌 테레프탈레이트) 필름이나 PI(폴리이미드) 필름 등의 수지 필름으로 구성되나, 이 외에도 종이나 부직포, 유리 섬유 등의 다른 재료로 구성되어도 된다.
제1 점착층(221) 및 제2 점착층(222)은 각각 점착성(tackiness)을 가지는 점착 재료로 구성된다. 제1 점착층(221)은 점착시트(22)의 제1 면(22a)을 형성하고, 상기 제1 점착력으로 홀더(20)에 접착된다. 한편, 제2 점착층(222)은 점착시트(22)의 제2 면(22b)를 형성하고, 상기 제2 점착력으로 워크를 유지하도록 구성된다.
제1 점착층(221)의 점착력(제1 점착력)은 홀더(21)의 상하 반전시는 물론, 그 핸들링시 또는 성막 시에 작용하는 가속도 등에 의해 점착시트(22)가 홀더(20)에서 이탈하지 않는 충분한 접착력을 유지하면서, 홀더(20)에서 제1 점착층(221)을 비교적 용이하게 벗겨낼 수 있는 크기로 설정된다. 보다 구체적으로, 상기 제1 점착력의 크기는 폭 25mm의 테이프 형상의 샘플을 이용했을 때의 박리 강도로 환산했을 때의 값이, 예를 들면, 0.2N/25mm 내지 3.5N/25mm의 범위내의 것을 들 수 있다.
한편, 제2 점착층(222)의 점착력(제2 점착력)은 워크의 접합면의 크기나 형상 등에 따라 적절히 설정가능하고, 동일한 폭 25mm의 테이프 형상 샘플을 이용했을 때의 박리 강도로 환산했을 때의 값이, 예를 들면, 6.5N/25mm 내지 12N/25mm의 범위내의 것을 들 수 있다. 상기 제2 점착력이 너무 낮으면 워크를 적절하게 유지하는 것이 곤란해지고, 반대로 너무 높으면 점착시트(22)에서 워크를 벗겨내는 것이 곤란해진다.
제1 점착층(221) 및 제2 점착층(222)을 구성하는 재료로서는, 예를 들면, 실리콘계 접착성 수지재료, 아크릴계 접착 수지재료 등을 들 수 있다. 특히, 실리콘계 접착성 수지는 점착력을 비교적 넓은 범위(예를 들면, 0.2N/25mm 내지 9N/25mm)로 조정할 수 있고, 동시에 비교적 내열성이 높기 때문에 고온 처리에도 충분히 대응 가능하다는 이점이 있다.
제1 점착층(221) 및 제2 점착층(222)의 두께도 특별히 한정되지 않으며, 위에서 설명한 바와 같이 목적으로 하는 접착력 또는 유지력을 확보할 수 있는 범위에서 적절히 설정 가능하다.
특히, 워크 유지면인 상기 제2 면(22b)을 구성하는 제2 점착층(222)은 워크의 접합면의 형상으로 추종하여 변형하는 것이 가능하도록 구성되는 것이 바람직하다. 이러한 특성을 획득할 수 있도록 예를 들면, 제2 점착층(222)이 비교적 두껍게 형성되어도 괜찮고, 기재(220)에 변형능이 높은 재료가 이용되어도 된다. 또는, 열전도 시트(212)의 탄성을 이용하여 제2 면(22b)의 변형 기능을 발현시켜도 된다.
［전자부품의 제조방법］
다음으로, 이상과 같이 구성되는 워크 유지체(20)를 이용한 전자부품(100)의 제조방법(보호막(105)의 성막 방법)에 대해서 설명한다.
도 3A 내지 C는 각각 보호막(105)의 형성 전의 전자부품(이하, 부품 본체(110)라고 함)을 나타내는 상면 사시도, 저면 사시도 및 측면도이다.
부품 본체(110)는 도 3A 내지 C에 도시한 바와 같이, 개략 직방체 형상으로 형성되어 복수의 범프(103)가 마련되는 저면(111)과, 저면(111)과는 반대측의 윗면(112)과, 저면(111)과 윗면(112) 사이에 마련된 측 주위면(113)을 가진다. 저면(111)은 배선기판(102)의 이면에 상당하고, 윗면(112)은 수지체(104)의 상면에 상당하고, 측 주위면(113)은 수지체(104) 및 배선기판(102) 각각의 4 측면에 상당한다.
이러한 부품 본체(110)는 전형적으로는 보호막(105)의 성막 공정 전에 미리 제조되나, 부품 본체(110)는 외부에서 제조된 것이어도 되고, 시판품이어도 된다. 부품 본체(110)의 크기도 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 평면 형상이 3mm 내지 25mm사방의 것이 적용된다.
본 실시형태에서는 상기 구성의 부품 본체(110)가 복수개 동시에 성막장치에 장전되고, 이들 복수의 부품 본체(110)에 대한 보호막(105)의 성막이 일괄적으로 된다. 워크 유지체(20)는 이들 부품 본체(110)를 복수개 단위로 핸들링하기 위해서 이용된다.
도 4는, 워크 유지체(20)로의 부품 본체(110)가 마운트 공정을 개략적으로 나타내는 평면도이다. 도 5는, 워크 유지체(20)에 마운트된 부품 본체(110)의 모습을 나타내는 요부의 개략 측단면도이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 부품 본체(110)는 워크 유지체(20) 상에 소정 간격을 두고, 종방향 및 횡방향으로 복수개씩 탑재된다. 그 수는 특별히 한정되지 않고, 부품 본체(110) 또는 워크 유지체(20)의 크기에 따라 적절히 설정되며, 예를 들면, 수십 내지 수백개가 된다.
도 5에 도시한 바와 같이, 각 부품 본체(110)는 워크 유지체(20)의 점착시트(22)의 표면(제2 면(22b)) 상에 저면(111)이 점착 유지된다. 이 때, 점착시트(22)의 제2 점착층(222)은 저면(111)에 돌출 설치된 복수의 범프(103)에 압압(押壓)되어 국소적으로 변형하면서, 범프(103) 사이에 들어가도록 하여 저면(111)에 밀착한다. 이와 같이, 제2 점착층(222)의 표면(제2 면(22b))이 부품 본체(110)의 접합면(저면(111))의 형상으로 추종하여 변형함으로써, 제2 점착층(222)은 저면(111)의 전역을 피복하도록 하여 부품 본체(110)를 점착 유지한다.
다음으로, 워크 유지체(20)가 성막장치로 장전됨으로써 각각의 부품 본체(110)의 표면(윗면(112) 및 측 주위면(113))에 보호막(105)이 형성된다. 도 6은, 워크 유지체(20) 상의 부품 본체(110)에 보호막(105)이 형성되는 모습을 나타내는 요부의 개략 측단면도이다.
도 6의 2점 쇄선으로 도시한 바와 같이, 보호막(105)은 각 부품 본체(110)의 윗면(112) 및 측 주위면(113)의 전역에 형성된다. 보호막(105)의 두께는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 3㎛ 내지 7㎛로 한다. 보호막(105)을 구성하는 재료도 특별히 한정되지 않고, 전형적으로는 알루미늄, 티탄, 크롬, 동, 아연, 몰리브덴, 니켈, 텅스텐, 탄탈, 및 이들 산화물 또는 질화물 등이 적용된다.
이 때, 점착시트(22)의 제2 점착층(222)은 부품 본체(110)의 저면(111)에 밀착함으로써, 복수의 범프(103)를 부품 본체(110)의 주위로부터 차폐하는 역할을 수행한다. 이 때문에, 성막 시 성막 재료가 부품 본체(110)의 저면(111)으로 돌아 들어가는 것이 방지됨과 동시에, 성막 재료가 범프(103)에 부착되는 것이 방지된다.
상기 성막장치에는 전형적으로는, 스퍼터 장치 또는 진공 증착 장치가 이용된다. 성막장치로서는 복수의 부품 본체(110)를 유지하는 워크 유지체(20)를 복수매 수용할 수 있는 배치(batch)식 성막장치가 바람직하다. 또한, 워크 유지체(20) 상의 모든 부품 본체(110)의 표면(윗면(112) 및 측 주위면(113))에 적정하게 보호막(105)을 형성하므로, 스퍼터 캐소드 등의 성막원에 대해 워크 유지체(20)를 성막실 내에서 회전, 요동 등, 상대 이동시키는 것이 가능하도록 구성하는 것이 바람직하다. 이러한 성막장치로서 예를 들면, 카르셀(carrousel)형 스퍼터링 장치가 적용 가능하다.
상기 성막장치에는 워크 표면을 전처리 하는 처리부가 마련되어 있어도 된다. 전처리로서 이온 빔 조사처리, 플라스마 처리, 에칭 처리 등을 들 수 있고, 예를 들면, 워크 표면의 유지(油脂)나 이물을 제거하여 보호막과의 밀착성을 높이는 목적으로 실시된다.
도 7은, 카르셀형의 스퍼터 장치의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 7에 나타내는 스퍼터 장치(50)에 있어서, 성막실을 구성하는 진공챔버(1)의 대략 중앙부에는 지지체로서의 회전드럼(2)이 배치되고, 그 회전 방향으로 순서대로 제1 성막 존(3), 제2 성막 존(4), 전처리 존(5)이 마련된다.
회전드럼(2)의 주위면(2a)은 복수의 워크 유지체(20)를 착탈 가능하도록 지지하는 지지면을 구성하고, 클램퍼(clamper) 등의 적정의 고정기구를 구비한다. 회전드럼(2)의 내부에는 주위면(2a)을 소정 온도 이하로 냉각하는 것이 가능한 냉각원을 가진다. 상기 냉각원은 전형적으로는, 냉각수 등의 냉매의 순환 통로로 구성된다.
제1 성막 존(3)은 2대의 전극을 포함한 스퍼터 캐소드(6)와, 스퍼터 캐소드(6)의 회전드럼(2) 측에 배치된 타겟(7)과, 스퍼터 캐소드(6)에 교류전압을 인가하기 위한 AC전원(8)과, Ar가스 등을 도입하기 위한 Ar가스 도입계(9) 등을 구비한다.
마찬가지로, 제2 성막 존(4)은 2대의 전극을 포함한 스퍼터 캐소드(10)와, 스퍼터 캐소드(10)의 회전드럼(2) 측에 배치된 타겟(11)과, 스퍼터 캐소드(10)에 교류 전압을 인가하기 위한 AC전원(12)과, Ar가스 등을 도입하기 위한 Ar가스 도입계(13) 등을 구비한다.
타겟(7),(11)은 보호막(105)을 형성하는 재료로 구성된다. 제1 성막 존(3) 및 제2 성막 존(4)에 있어서, 타겟(7),(11)과 회전드럼(2) 사이에는 개폐 가능한 셔터(17),(18)가 각각 마련되어 있다.
전처리 존(5)은 제1 성막 존(3)과 제2 성막 존(4) 사이의 적정 위치에 설치되고, 이온빔 원(15) 및 이를 위한 전원(16)을 포함한다.
또한, 스퍼터 캐소드(6),(10), 타겟(7),(11) 및 교류전원(8),(12)은 보호막(105)을 형성하기 위한 성막원(成膜源)을 구성한다. 스퍼터 캐소드(6),(10)는 모두 AC스퍼터원으로 구성되지만, 어느 하나 또는 양쪽 모두가 DC스퍼터원으로 구성되어도 된다. 또한, 타겟(7),(11)의 표면에 자기장을 형성하기 위한 마그네트론 자기회로가 더 마련되어도 된다.
성막장치(50)를 이용한 보호막(105)의 성막 공정에 있어서는, 복수의 부품 본체(110)를 각각 점착 유지하는 복수의 워크 유지체(20)가, 회전드럼(2)의 주위면(2a)에 그 회전 방향을 따라 배열된다. 그리고, 회전드럼(2)을 도 7에 있어서 화살표로 나타내는 방향으로 일정 속도 회전시키면서, 전처리 존(5)에 있어서의 이온 빔 조사처리, 제1 및 제2 성막 존(3),(4)에 있어서의 성막처리가 순서대로 실시된다. 이에 따라, 각 워크 유지체(20) 상의 개개의 부품 본체(110)의 표면(윗면(112), 측 주위면(113))에 보호막(105)이 형성된다.
본 실시형태에 있어서, 워크 유지체(20)는 홀더 본체(211)와 점착시트(22) 사이에 배치된 열전도 시트(212)를 구비하고 있다. 이에 따라, 부품 본체(110)를 소정 온도 이하로 냉각하는 것이 가능해지므로, 플라스마의 열로부터 부품 본체(110)를 보호하면서 보호막(105)의 성막이 가능해진다.
이상과 같이 하여, 부품 본체(110)의 표면에 보호막(105)이 형성된 전자부품(100)이 제조된다. 성막 공정의 완료 후, 워크 유지체(20)는 회전드럼(2)으로부터 분리됨과 동시에, 성막장치(20)의 외부로 반출된다. 그리고, 워크 유지체(20)의 점착시트(22)로부터 전자부품(100)이 회수된다.
회수방법은 특별히 한정되지 않고, 전형적으로는 콜릿(collet) 등의 부품 흡착구를 이용하여 각 전자부품이 점착시트(22)에서부터 벗겨진다.
또한, 제2 점착층(22)은 소정 온도 이상으로의 가열처리 또는 자외선의 조사처리에 따라 점착력이 저하하는 접착성 수지 재료로 구성되어도 되고, 이 경우, 전자부품(100)의 회수가 용이하게 되는 이점이 있다.
［점착시트의 부착 교체］
도 8A 내지 C는 점착시트(22)의 부착 교체 공정을 설명하는 워크 유지체(20)의 개략 측단면도이다.
도 8A에 도시한 바와 같이, 전자부품(100)이 제거된 후의 점착시트(22)의 표면에는 보호막(105), 복수의 범프(103)에 의한 압압자국 (107) 등이 존재하기 때문에, 반복해서 사용하기에는 견딜수 없는 경우가 많다.
여기서, 본 실시형태에서는 도 8B에 도시한 바와 같이, 사용이 끝난 점착시트(22)가 홀더(21)(열전도 시트(212))에서부터 벗겨지고, 그 후 도 8C에 도시한 바와 같이 새로운(미사용의) 점착시트(22)가 홀더(21)(열전도 시트(212))에 첩착된다. 이에 따라, 점착시트(22)의 제2 면(22b)(제2 점착층)의 점착력(제2 점착력)이 확보되어 워크(부품 본체(110))에 대한 적절한 점착 유지력도 확보된다.
또한, 본 실시형태에 따르면, 홀더(21)의 열전도 시트(212)를 점착시트(22)로 보호할 수 있기 때문에, 열전도 시트(212)를 교환하지 않고 홀더(21)를 반복하여 사용할 수 있다. 따라서, 비교적 염가의 점착시트(22)를 교환대상 부재로 함으로써 생산 코스트의 저하를 도모하는 것이 가능해진다.
더욱, 본 실시형태에 따르면, 점착시트(22)에 관해서 홀더(21)에 접착되는 제1 면(22a)(제1 점착층(221))의 제1 점착력이 부품 본체(110)를 유지하는 제2 면(제2 점착층(222))의 제2 점착력보다 낮게 구성되어 있으므로, 비교적 대면적의 홀더(21)에 대해서도 점착시트(22)를 용이하게 박리하는 것이 가능해진다. 이에 따라, 작업성을 해치지 않고도 점착시트(22)의 부착 교체가 가능해진다.
이상과 같이 본 실시형태의 워크 유지체(20)에 따르면, 부품 본체(110)의 유지력을 확보하면서, 점착시트(22)의 부착 교체를 용이하게 수행하는 것이 가능해진다. 이에 따라, 부품 본체(110) 표면으로의 성막처리를 적절히 수행하면서, 워크 유지체(20)의 재생 작업의 효율화에 따라 생산성 향상을 도모하는 것이 가능해진다.
이상, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명하였으나, 본 발명은 상술한 실시형태에만 한정되는 것은 아니고, 다양한 변경을 더할 수 있는 것은 물론이다.
예를 들면, 이상의 실시형태에서는 워크로서 반도체 패키지 부품인 부품 본체(110)(전자부품(100))를 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정되지 않고 반도체 웨이퍼나 유리 기판과 같은 판 형상의 워크에도 본 발명은 적용 가능하다.
또한, 이상의 실시형태에서는 주로 성막처리에 제공되는 워크 유지체를 예를 들어 설명하였으나, 이에 한정되지 않고 에칭 처리나 플라스마 처리, 전자빔이나 이온 빔 등의 하전 입자 조사처리, 더불어 블러스트 처리나 에어의 분부 처리 등의 표면처리에 제공되는 워크 유지체에도 본 발명은 적용가능하다.
1 진공챔버(성막실)
2 회전 드럼(지지체)
7, 11 타겟
20 워크 유지체
21 홀더
211 홀더 본체
212 열전도 시트
22 점착시트
22a 제1 면
22b 제2 면
220 기재
221 제1 점착층
222 제2 점착층
50 성막장치
100 전자부품
103 범프
105 보호막
110 부품 본체

Claims (8)

  1. 표면처리용의 워크 유지체로,
    홀더와,
    제1 점착력으로 상기 홀더에 접착되는 제1 면과, 상기 제1 점착력보다 높은 제2 점착력으로 워크를 유지하는 것이 가능하도록 구성된 제2 면을 가지는 점착시트
    를 구비하는 워크 유지체.
  2. 제 1항에 기재된 워크 유지체로,
    상기 점착시트는,
    기재(基材)와,
    상기 제1 면을 구성하여 상기 기재의 한 면에 적층된 제1 점착층과,
    상기 제2 면을 구성하여 상기 기재의 다른 한 면에 적층된 제2 점착층
    을 가지는
    워크 유지체.
  3. 제1항 또는 제2항에 기재된 워크 유지체로,
    상기 제2 면은 상기 워크의 접합면의 형상으로 추종하여 변형하는 것이 가능하도록 구성되는
    워크 유지체.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 워크 유지체로,
    상기 홀더는,
    홀더 본체와,
    상기 홀더 본체와 상기 점착시트 사이에 배치된 열전도 시트
    를 가지는
    워크 유지체.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 워크 유지체로,
    상기 홀더는 동일 면 상에 복수개의 워크를 유지 가능한 판 형상을 가지는
    워크 유지체.
  6. 성막실과,
    상기 성막실에 설치된 성막원과,
    상기 성막실에 설치되어 워크를 지지 가능한 지지면을 가지는 지지체와,
    상기 지지면에 착탈 가능하도록 구성된 홀더와,
    제1 점착력으로 상기 홀더에 접착되는 제1 면과, 상기 제1 점착력보다 높은 제2 점착력으로 상기 워크를 유지하는 것이 가능하도록 구성된 제2 면을 가지는 점착시트
    를 가지는 워크 유지체
    를 구비하는 성막장치.
  7. 제6항에 기재된 성막장치로,
    상기 지지체는 상기 지지면을 냉각 가능한 냉각기구를 가지고,
    상기 홀더는 홀더 본체와, 상기 홀더 본체와 상기 점착시트 사이에 배치된 열전도 시트를 가지는
    성막장치.
  8. 제7항에 기재된 성막장치로,
    상기 지지체는 상기 성막실 내에서 회전 가능하도록 구성되어 상기 지지면이 주위면에 형성된 회전드럼을 포함하는
    성막장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200095863A (ko) * 2019-02-01 2020-08-11 도레이첨단소재 주식회사 전자부품 제조용 점착테이프

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10633736B2 (en) * 2016-12-13 2020-04-28 Shibaura Mechatronics Corporation Film formation apparatus
JP7012475B2 (ja) * 2017-07-18 2022-01-28 芝浦メカトロニクス株式会社 電子部品の製造装置及び電子部品の製造方法
JP7320932B2 (ja) * 2017-11-10 2023-08-04 芝浦メカトロニクス株式会社 成膜装置及び部品剥離装置
JP7051379B2 (ja) * 2017-11-15 2022-04-11 芝浦メカトロニクス株式会社 成膜装置及び埋込処理装置
KR102399748B1 (ko) * 2018-10-01 2022-05-19 주식회사 테토스 입체형 대상물 표면의 금속막 증착 장치
JP7132198B2 (ja) * 2019-09-27 2022-09-06 芝浦メカトロニクス株式会社 成膜装置及び埋込処理装置
CN110656316B (zh) * 2019-10-31 2021-11-09 中山凯旋真空科技股份有限公司 夹具及具有其的镀膜设备

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005116610A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Nitto Denko Corp 半導体ウエハの加工方法および半導体ウエハ加工用粘着シート
KR100701552B1 (ko) * 2006-06-23 2007-03-30 한국과학기술연구원 압축기체를 이용한 필라멘트 및 시트 형태의 생분해성폴리에스테르 고분자 소재의 제조방법
JP2008115272A (ja) * 2006-11-04 2008-05-22 Nitto Denko Corp 熱剥離性両面粘着シート及び被加工体の加工方法
JP2008171934A (ja) * 2007-01-10 2008-07-24 Lintec Corp 脆質部材の保護構造および脆質部材の処理方法
US20080302481A1 (en) * 2007-06-07 2008-12-11 Tru-Si Technologies, Inc. Method and apparatus for debonding of structures which are bonded together, including (but not limited to) debonding of semiconductor wafers from carriers when the bonding is effected by double-sided adhesive tape
JP5230185B2 (ja) * 2007-12-13 2013-07-10 富士フイルム株式会社 反応性スパッタリング装置および反応性スパッタリングの方法
JP2009161829A (ja) * 2008-01-09 2009-07-23 Alps Electric Co Ltd 蒸着膜の製造方法
WO2010026887A1 (ja) * 2008-09-05 2010-03-11 株式会社シンクロン 成膜方法及び撥油性基材
KR101422603B1 (ko) * 2010-06-18 2014-07-23 히타치가세이가부시끼가이샤 접착 시트
KR20130000211A (ko) * 2011-06-22 2013-01-02 삼성전자주식회사 기판 가공 방법
TWM444700U (zh) * 2012-09-03 2013-01-01 Tan Xin Technology Dev Inc 散熱貼片

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200095863A (ko) * 2019-02-01 2020-08-11 도레이첨단소재 주식회사 전자부품 제조용 점착테이프

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