JP7012475B2 - 電子部品の製造装置及び電子部品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子部品の製造装置及び電子部品の製造方法に関する。

携帯電話に代表される無線通信機器には、半導体装置等の電子部品が多数搭載されている。電子部品は、通信特性への影響を防止するために、外部への電磁波の漏えい等、内外に対する電磁波の影響を抑制することが求められる。このため、電磁波に対するシールド機能を有する電子部品が用いられている。

一般的に、半導体装置である電子部品は、実装基板に対する中継用の基板としてのインターポーザ基板の上に半導体チップを搭載し、この半導体チップを樹脂で封止したパッケージを形成している。このパッケージの上面および側面に導電性の電磁波シールド膜を設けることにより、シールド機能が付与された電子部品が開発されている（特許文献１参照）。

このような電磁波シールド膜は、複数種類の金属材料の積層膜とすることができる。例えば、ＳＵＳ膜を形成した上にＣｕ膜を形成し、さらにその上にＳＵＳ膜を形成する積層構造の電磁波シールド膜が知られている。

電磁波シールド膜において、充分なシールド効果を得るためには、電気抵抗率を低くすることが必要となる。このため、電磁波シールド膜は、ある程度の厚みが要求される。電子部品においては、一般的には、１μｍ～１０μｍ程度の膜厚があれば良好なシールド特性が得られるものとされている。上記のＳＵＳ、Ｃｕ、ＳＵＳの積層構造の電磁波シールド膜では、１μｍ～５μｍ程度の膜厚があれば、良好なシールド効果が得られることが知られている。

国際公開第２０１３／０３５８１９号公報

電子部品のパッケージに対する電磁波シールド膜の形成方法としては、めっき法が知られている。しかし、めっき法は、前処理工程、めっき処理工程、および、水洗のような後処理工程等の湿式工程を必要とすることから、電子部品の製造コストの上昇が避けられない。

そこで、乾式工程であるスパッタリング法が注目されている。スパッタリング法による成膜装置としては、プラズマを用いて成膜を行うプラズマ処理装置が提案されている。プラズマ処理装置は、ターゲットを配置した真空容器に不活性ガスを導入し、直流電圧を印加する。プラズマ化した不活性ガスのイオンを、成膜材料のターゲットに衝突させ、ターゲットから叩き出された材料をワークに堆積させて成膜を行う。

しかし、スパッタリング法によって、電子部品のパッケージに導電性の電磁波シールド膜を形成する場合、パッケージから露出した電極が形成された電極形成面にまで膜が形成されてしまうと、電極間の絶縁が維持されず、これが残留したままであると、電子部品は不良品となる。つまり、電極形成面においては、成膜材料は不要物となる。

本発明は、電子部品の電極形成面への不要物の残留を防止できる電子部品の製造装置及び電子部品の製造方法を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明の電子部品製造装置は、電子部品のパッケージの電極が形成された電極形成面に、軟化点がスパッタリングで加熱されることにより達する温度を超える温度であり、洗浄剤により溶解するコーティング剤を付着させる前処理装置と、前記パッケージに、スパッタリングにより成膜材料を堆積させて成膜する成膜装置と、前記成膜装置によって成膜された前記電子部品に付着した前記コーティング剤を、洗浄剤により洗浄する洗浄装置と、を有する。

前記電子部品を支持するための支持部材に、前記コーティング剤を介して、前記電極形成面を付着させる付着装置を有していてもよい。

前記電子部品を支持するための支持部材から、前記電極形成面を離脱させる離脱装置を有していてもよい。

前記前処理装置は、前記支持部材に前記コーティング剤を塗布する塗布装置を有していてもよい。

前記前処理装置は、前記電極形成面に、前記コーティング剤を塗布する塗布装置を有していてもよい。

前記コーティング剤又は前記電子部品を加熱する加熱装置を有していてもよい。

前記成膜装置は、スパッタガスが導入される容器であるチャンバと、前記チャンバ内に設けられ、スパッタリングにより前記成膜材料を堆積させて成膜するスパッタ源を有するとともに、前記スパッタ源により前記電子部品に成膜する成膜処理部と、を有していてもよい。

前記チャンバ内に設けられ、前記電子部品を円周の軌跡で循環搬送することにより、前記成膜処理部に対向する領域と前記成膜処理部とは対向しない領域とを交互に通過させる搬送部を有していてもよい。

前記コーティング剤は、フラックスであってもよい。

前記コーティング剤は、ホットメルト系の接着剤であってもよい。

本発明の電子部品の製造方法は、電子部品のパッケージの電極が形成された電極形成面に、軟化点がスパッタリングで加熱されることにより達する温度を超える温度であり、洗浄剤により溶解するコーティング剤を付着させる前処理工程と、前記パッケージに、スパッタリングにより成膜材料を堆積させて成膜する成膜工程と、前記成膜工程で成膜された前記電子部品に付着した前記コーティング剤を、洗浄剤により洗浄する洗浄工程と、を含む。

本発明によれば、電子部品の電極形成面への不要物の残留を防止できる。

実施形態の電子部品を示す模式断面図である。 実施形態の載置部を示す分解斜視図（Ａ）、斜視図（Ｂ）である。 電子部品の電極形成面への残渣の発生原理を示す説明図である。 実施形態の電子部品の製造装置を示すブロック図である。 実施形態の塗布装置を示す説明図である。 実施形態の付着装置を示す説明図である。 実施形態の成膜装置の透視斜視図である。 実施形態の成膜装置の透視平面図である。 図８のＡ－Ａ模式縦断面図である。 電子部品が配置されたトレイを示す斜視図である。 実施形態の離脱装置を示す説明図である。 実施形態の洗浄装置を示す説明図である。 実施形態の制御装置を示すブロック図である。 コーティング剤への電子部品の付着を示す説明図である。 未塗布領域が発生するコーティング剤の塗布態様を示す説明図である。 未塗布領域の発生を防ぐコーティング剤の塗布態様を示す説明図である。 未塗布領域の発生を防ぐコーティング剤の塗布態様を示す説明図である。 支持部材の他の例を示す断面図である。

本発明の実施の形態（以下、本実施形態と呼ぶ）について、図面を参照して具体的に説明する。

［電子部品］
図１に示すように、本実施形態の成膜対象となる電子部品１０は、素子１１を封止したパッケージ１２を有する。素子１１は、半導体チップ、ダイオード、トランジスタ、コンデンサ、ＳＡＷフィルタ等の表面実装部品である。以下の説明では、半導体チップを素子１１とした例で説明する。ここでいう半導体チップは、複数の電子素子を集積化した集積回路として構成されたものである。

素子１１は、基板１４の表面に搭載されている。基板１４は、セラミック、ガラス、エポキシ樹脂等からなる板の表面に、回路パターンが形成されている。素子１１と回路パターンとは、はんだにより接続されている。

基板１４の素子１１が実装された表面は、素子１１を覆うように、合成樹脂によって封止することにより、パッケージ１２が構成されている。パッケージ１２の形状は略直方体形状である。

本実施形態は、上記のような電子部品１０の天面１２ａ及び側面１２ｂに、電磁波シールド膜１３を形成する。電磁波シールド膜１３は、導電性の材料により形成された電磁波を遮蔽する膜である。シールド効果を得るためには、電磁波シールド膜１３は、少なくともパッケージ１２の天面１２ａに形成されていればよい。側面１２ｂの電磁波シールド膜１３は接地のためである。なお、パッケージ１２の天面１２ａとは、製品に実装される面と反対側の外表面である。

天面１２ａは、水平に載置された場合には、最も高い位置にある上面となるが、実装された場合に上方を向く場合も、上方を向かない場合もある。側面１２ｂは、天面１２ａに対して異なる角度で形成された外周面である。天面１２ａと側面１２ｂとの間は角を形成していても、曲面により連続していてもよい。

さらに、パッケージ１２の天面１２ａと反対側の底面は、素子１１が外部との電気的な接続を行う電極１１ａを有する電極形成面１２ｃとなっている。本実施形態の電極１１ａは、ＢＧＡ等の球状又は半球状である。なお、電極形成面１２ｃは、電極１１ａの表面も含む。

［載置部］
本実施形態では、図２に示すように、電子部品１０を搭載する部材である載置部１００を用いる。載置部１００は、支持部材１１０、フレーム１２０を有する。支持部材１１０は、図２（Ａ）に示すように、平坦なシートであり、一方の面に粘着性を有する粘着面１１０ａを有する。粘着面１１０ａは、支持部材１１０の一方の面の全体に亘る。粘着面１１０ａは、電子部品１０を貼り付けるための貼付領域Ｓを有する。本実施形態では、支持部材１１０は方形であり、貼付領域Ｓは支持部材１１０の外縁よりも小さな方形状の領域である。但し、貼付領域Ｓを支持部材１１０の全面とすることもできる。

支持部材１１０の材質としては、耐熱性のある合成樹脂とすることができる。例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＩ（ポリイミド）などを用いることができるが、これらには限定されない。

粘着面１１０ａは、支持部材１１０の表面に対して接着剤を適用するか、表面に接着性を生じさせた接着面とすることができる。接着剤又は接着面の材質となる粘着材としては、例えば、シリコーン系、アクリル系の樹脂、その他、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂など、粘着性のある種々の材料を使用できる。支持部材１１０の他方の面は、粘着性を有しない非粘着面１１０ｂである。非粘着面１１０ｂは、例えば、円滑性のある面とすることができる。

フレーム１２０は、図２（Ｂ）に示すように、支持部材１１０の粘着面１１０ａに貼り付けられ、貼付領域Ｓの外縁の一部又は全部を画する部材である。フレーム１２０の材質としては、熱伝導性の高い材質、例えば、金属とすることが好ましい。本実施形態では、フレーム１２０の材質をＳＵＳとする。なお、後述するトレイ３４（図１０参照）と同様に、フレーム１２０の材質を、例えば、熱伝導性の良いセラミクスや樹脂、または、それらの複合材としてもよい。フレーム１２０の材質は、トレイ３４の材質と一致していても、相違していてもよい。本実施形態のフレーム１２０は、貼付領域Ｓを囲み、貼付領域Ｓの外縁の全部を規定する。フレーム１２０は、方形状の板状部材であり、中央に方形状の貫通孔１２０ａが形成されている。この貫通孔１２０ａの内縁が、貼付領域Ｓの外縁に一致する。フレーム１２０の外形は、支持部材１１０の外形と一致する。

支持部材１１０の粘着面１１０ａは、フレーム１２０の底面に、互いの外形が一致して、貫通孔１２０ａの底面側を塞ぐように貼り付けられている。このため、フレーム１２０の天面側の貫通孔１２０ａからは、粘着面１１０ａの貼付領域Ｓが露出している。

複数の電子部品１０は、図２（Ｂ）、図３（Ａ）に示すように、フレーム１２０内の露出した貼付領域Ｓの上に貼り付けられる。複数の電子部品１０は、天面１２ａのみならず、側面１２ｂにも膜が形成されるように、間隔を空けてマトリクス状に整列配置される。

つまり、複数の電子部品１０は、載置部１００の粘着面１１０ａの貼付領域Ｓ内に、電極形成面１２ｃがマトリクス状に貼り付けられる。このような載置部１００を複数用意して、後述するトレイ３４の載置面３４ａに載置する（図１０参照）。但し、載置部１００は、単一でトレイ３４に載置されていてもよい。

載置部１００をトレイ３４に載置して、成膜装置内でスパッタリングによる成膜を行うことにより、図３（Ｂ）に示すように、電極形成面１２ｃ以外の電子部品１０のパッケージ１２、つまり天面１２ａ及び側面１２ｂに、電磁波シールド膜１３を形成することができる。つまり、電子部品１０の電極形成面１２ｃは、支持部材１１０の粘着面１１０ａに覆われているため、外部に露出していない。このため、成膜材料が、電子部品１０の電極形成面１２ｃに回り込んで付着することを防止できる。

（支持部材に貼付するだけでは不要物が残留する理由）
上記のように、電極形成面１２ｃを粘着面１１０ａに貼り付けることは、成膜材料が電極形成面１２ｃに回り込んで付着することを防止することに対しては有効な手段である。しかし、発明者は、電極形成面１２ｃを粘着面１１０ａに貼り付けた場合、成膜後、支持部材１１０から電子部品１０を離脱させたときに、電極１１ａを含む電極形成面１２ｃに粘着材が付着したまま残り易く、図３（Ｃ）に示すような、残渣Ｒが発生し易いことを発見した。特に、電極１１ａがはんだボール電極である場合には、はんだボールと基板１４との接合部付近に粘着剤が付着すると、その部分では基板１４の表面がはんだボールの表面で覆われた状態になっている。そのため、残渣Ｒとなった粘着材を除去することは、不可能ではないが、非常に手間と時間がかかることを突き止めた。さらに、このような残渣Ｒとなった粘着材は、電子部品１０を回路基板に実装するリフローの際に、燃焼して炭化することがあり、その場合、接続不良等を引き起こすことを突き止めた。このような残渣Ｒは、電子部品１０の電気的な接続不良の原因となる不要物である。

発明者は、このような不要物の残留を防ぐ方法を、鋭意検討した。まず、不要物を残留させないという課題からは、さらに別途材料を付着させるという発想は排除されることが技術常識である。例えば、スパッタリングの上流工程のはんだボール電極の搭載工程ではフラックス等が使用されているが、当該工程で使用されたフラックス等は、電気的な接続不良を引き起こす可能性は低いにもかかわらず、次の処理工程までの間に除去されている。

しかし、発明者は、このような技術常識に反して、電子部品１０のパッケージ１２の電極１１ａが形成された電極形成面１２ｃに、コーティング剤を付着させてから、パッケージ１２に、スパッタリングにより成膜材料を堆積させて成膜することを試みた。そして、鋭意検討した結果、コーティング剤としては、軟化点がスパッタリングで加熱されることにより達する温度を超える温度であり、洗浄剤により溶解する材料を用いることが、成膜材料の回り込みと、粘着材の残留防止に有効であることを見出した。以下、この技術を実現するための電子部品の製造装置を説明する。

［電子部品の製造装置］
本実施形態の電子部品の製造装置は、各電子部品１０に電磁波シールド膜１３を形成する装置である。本実施形態は、図４に示すように、前処理装置２００、成膜装置３００、離脱装置４００、洗浄装置５００を有する。

［前処理装置］
まず、本実施形態の前処理装置２００を、図５及び図６を参照して説明する。前処理装置２００は、電子部品１０のパッケージ１２における電極形成面１２ｃに、コーティング剤Ｃを付着させる装置である。本実施形態の前処理装置２００は、塗布装置２１０、付着装置２２０を有する。図６は、付着装置２２０であり、（Ａ）は電子部品１０を保持した状態、図６（Ｂ）は電子部品１０を貼り付けた状態を示す。

（塗布装置）
塗布装置２１０は、図５に示すように、支持部材１１０にコーティング剤Ｃを塗布する装置である。図５（Ａ）は塗布途中の状態、図５（Ｂ）は塗布完了の状態を示す。塗布装置２１０は、本実施形態においては、載置部１００の支持部材１１０の粘着面１１０ａに、コーティング剤Ｃを塗布する。

コーティング剤Ｃとしては、軟化点がスパッタリングで加熱されることにより達する温度を超える温度の材料を用いる。これは、スパッタリングによってコーティング剤Ｃが軟化して、電子部品１０の位置が不安定になることを防止するためである。加熱されることにより達する温度とは、後述する成膜工程においてコーティング剤Ｃが達する可能性がある温度であり、常にその温度に達する必要はない。例えば、常温で固体であり、軟化点が９０℃を超えるフラックスを用いる。固体であるとは、電子部品１０を支持できる粘性を有していることをいう。軟化点は、このような粘性が失われる温度である。ここで、軟化点が９０℃を超えるとしているのは、本実施形態の成膜装置３００が、成膜対象を循環搬送させることにより、比較的低温でのスパッタリングを可能とする装置であるためである。成膜対象を静止させた状態でスパッタリングを行う成膜装置の場合、例えば、軟化点が２００℃を超えるフラックスとすることが考えられる。但し、軟化点は、電極１１ａが溶ける温度以下であることが好ましい。なお、加熱されることにより達する温度は、何等かの異常により温度が上昇した場合を想定して、正常な成膜工程における温度よりも高い温度としてもよいが、必ずしもこのような異常時の温度を考慮しなくてもよい。また、コーティング剤Ｃとしては、洗浄剤により溶解するフラックスを用いる。これは、成膜後に電子部品１０からコーティング剤Ｃを容易に除去できるようにするためである。

塗布装置２１０は、不図示の搬送部で搬送され、不図示のピックアップ手段によって搬入された載置部１００が載置されるステージ２１１と、ステージ２１１上に配置された塗布ユニット２１２を備える。

塗布ユニット２１２は、支持部材１１０の粘着面１１０ａに対してコーティング剤Ｃを塗布する。塗布ユニット２１２は、コーティング剤Ｃを収容するタンクＴと、配管を介してタンクＴに接続されたディスペンサ２１４とを備えている。ディスペンサ２１４としては、たとえば、先端にスプレーノズルを備えた噴霧装置を用いることができる。ディスペンサ２１４として、先端にスリット状のノズルを備えたスリットコータを用いることもできる。

ディスペンサ２１４は移動機構２１５によって、ステージ２１１上を移動可能に構成されている。移動機構２１５は、ステージ２１１上の支持部材１１０の平面と平行な互いに直交するＸ方向及びＹ方向、当該平面と平行なθ方向、当該平面に直交するＺ方向に、ディスペンサ２１４を移動させる機構である。移動機構２１５によって、ディスペンサ２１４が移動して、タンクＴからのコーティング剤Ｃを支持部材１１０に塗布することができる。移動機構２１５によって、ディスペンサ２１４の位置を制御することにより、コーティング剤Ｃの塗布領域を調整可能である。なお、塗布ユニット２１２とステージ２１１とは、相対的に移動できれば良く、ステージ２１１が移動機構２１５によって駆動される構成であってもよい。

（付着装置）
付着装置２２０は、図６に示すように、支持部材１１０に、コーティング剤Ｃを介して、電子部品１０の電極形成面１２ｃを付着させる装置である。付着装置２２０は、ステージ２２１、保持装置２２２、移動機構２２３、加熱装置２２４、を有する。ステージ２２１は、載置部１００が載置される台である。保持装置２２２は、電子部品１０を保持する装置である。たとえば、静電チャック、メカチャック、真空チャック、粘着チャック等を、保持装置２２２として使用できる。

移動機構２２３は、支持部材１１０の平面と平行な互いに直交するＸ方向及びＹ方向、平面と平行なθ方向、支持部材１１０の平面に直交するＺ方向に、保持装置２２２を移動させる機構である。保持装置２２２によって天面１２ａを保持された電子部品１０は、移動機構２２３によって、支持部材１１０に押し付けられる。

加熱装置２２４は、支持部材１１０に押し付けられる前の電子部品１０をあらかじめ加熱する装置である。この加熱装置２２４としては、保持装置２２２における電子部品１０との接触部分に設けられたヒータ等を用いることができる。加熱装置２２４による加熱温度は、例えば、コーティング剤Ｃが軟化点を超える温度とする。

［成膜装置］
次に、本実施形態の成膜装置３００を、図７～１０を参照して説明する。成膜装置３００は、個々の電子部品１０のパッケージ１２の外表面に、スパッタリングにより電磁波シールド膜１３を形成する装置である。成膜装置３００は、図７に示すように、後述の回転テーブル３１が回転すると、保持部３３に保持されたトレイ３４上の電子部品１０が、円周の軌跡で移動して、スパッタ源４に対向する位置を通過するときに、ターゲット４１（図８及び図９参照）からスパッタされた粒子を付着させて成膜する装置である。

成膜装置３００は、図７及び図８に示すように、チャンバ２０、搬送部３０、成膜処理部４０Ａ、４０Ｂ、表面処理部５０、ロードロック部６０、制御装置７０を有する。

［チャンバ］
チャンバ２０は、反応ガスＧが導入される容器である。反応ガスＧは、スパッタ用のスパッタガスＧ１、各種処理用のプロセスガスＧ２を含む（図９参照）。以下の説明では、スパッタガスＧ１、プロセスガスＧ２を区別しない場合には、反応ガスＧと呼ぶ場合がある。スパッタガスＧ１は、電力の印加により生じるプラズマにより、発生するイオン等をターゲット４１に衝突させて、電子部品１０のパッケージ１２にスパッタリングを実施するためのガスである。例えば、アルゴンガス等の不活性ガスを、スパッタガスＧ１として用いることができる。

プロセスガスＧ２は、エッチングやアッシングによる表面処理を行うためのガスである。以下、このような表面処理を、逆スパッタと呼ぶ場合がある。プロセスガスＧ２は、処理の目的によって適宜変更可能である。例えば、エッチングを行う場合は、エッチングガスとしてアルゴンガス等の不活性ガスを用いることができる。本実施形態においては、アルゴンガスによって、電子部品１０の表面の洗浄と、粗面化処理を行う。例えば、表面を洗浄およびナノオーダーで粗面化処理を行うことにより、膜の密着力を高めることができる。

チャンバ２０の内部の空間は真空室２１を形成している。この真空室２１は、気密性があり、減圧により真空とすることができる空間である。例えば、図７及び図９に示すように、真空室２１は、チャンバ２０の内部の天井２０ａ、内底面２０ｂ及び内周面２０ｃによって形成される円柱形状の密閉空間である。

チャンバ２０は、図９に示すように、排気口２２、導入口２４を有する。排気口２２は、真空室２１と外部との間で気体の流通を確保して、排気Ｅを行うための開口である。この排気口２２は、例えば、チャンバ２０の底部に形成されている。排気口２２には、排気部２３が接続されている。排気部２３は、配管及び図示しないポンプ、バルブ等を有する。この排気部２３による排気処理により、真空室２１内は減圧される。

導入口２４は、真空室２１のターゲット４１の近傍に、スパッタガスＧ１を導入するための開口である。この導入口２４には、ガス供給部２５が接続されている。ガス供給部２５は、各ターゲット４１に対して１つずつ設けられている。また、ガス供給部２５は、配管の他、図示しない反応ガスＧのガス供給源、ポンプ、バルブ等を有する。このガス供給部２５によって、導入口２４から真空室２１内にスパッタガスＧ１が導入される。なお、チャンバ２０の上部には、後述するように、表面処理部５０が挿入される開口２１ａが設けられている。

［搬送部］
搬送部３０は、チャンバ２０内に設けられ、電子部品１０を円周の軌跡で循環搬送する装置である。循環搬送は、電子部品１０を搭載したトレイ３４を円周の軌跡で周回移動させることをいう。搬送部３０によってトレイ３４が移動する軌跡を、搬送経路Ｌと呼ぶ。搬送部３０は、回転テーブル３１、モータ３２、保持部３３を有する。また、保持部３３には、載置部１００を搭載したトレイ３４が保持される。

回転テーブル３１は、円形の板である。モータ３２は、回転テーブル３１に駆動力を与え、円の中心を軸として回転させる駆動源である。保持部３３は、搬送部３０により搬送されるトレイ３４を保持する構成部である。回転テーブル３１の天面には、複数の保持部３３が円周等配位置に配設されている。例えば、各保持部３３がトレイ３４を保持する領域は、回転テーブル３１の周方向の円の接線に平行な向きで形成され、かつ、周方向において等間隔に設けられている。より具体的には、保持部３３は、トレイ３４を保持する溝、穴、突起、治具、ホルダ等である。メカチャック、粘着チャックによって構成することができる。

トレイ３４は、図１０に示すように、載置部１００を載置して、チャンバ２０内の搬送部３０によって搬送される部材である。トレイ３４は、載置部１００が載置される平坦な載置面３４ａを有する。載置面３４ａは、方形状の平板の一方の平面である。載置面３４ａの周縁部には、周壁部３４ｂが形成されている。周壁部３４ｂは、載置面３４ａを囲う方形状に隆起した枠である。トレイ３４の材質としては、熱伝導性の高い材質、例えば、金属とすることが好ましい。本実施形態では、トレイ３４の材質をＳＵＳとする。なお、トレイ３４の材質は、例えば、熱伝導性の良いセラミクスや樹脂、または、それらの複合材としてもよい。

このように、保持部３３に保持されるトレイ３４、載置部１００によって、電子部品１０が回転テーブル３１上に位置決めされる。なお、本実施形態では、保持部３３は６つ設けられているため、回転テーブル３１上には６０°間隔で６つのトレイ３４が保持される。但し、保持部３３は、一つであっても、複数であってもよい。

［成膜処理部］
成膜処理部４０Ａ、４０Ｂは、搬送部３０により搬送される電子部品１０に成膜を行う処理部である。以下、複数の成膜処理部４０Ａ、４０Ｂを区別しない場合には、成膜処理部４０として説明する。成膜処理部４０は、図９に示すように、スパッタ源４、区切部４４、電源部６を有する。

（スパッタ源）
スパッタ源４は、電子部品１０にスパッタリングにより成膜材料を堆積させて成膜する成膜材料の供給源である。スパッタ源４は、ターゲット４１、バッキングプレート４２、電極４３を有する。ターゲット４１は、電子部品１０に堆積されて膜となる成膜材料によって形成され、搬送経路Ｌに離隔して対向する位置に設けられている。本実施形態のターゲット４１は、図８に示すように、２つのターゲット４１Ａ、４１Ｂが搬送方向に直交する方向、つまり回転テーブル３１の回転の半径方向に並んでいる。以下、ターゲット４１Ａ、４１Ｂを区別しない場合には、ターゲット４１とする。ターゲット４１の底面側は、搬送部３０により移動する電子部品１０に、離隔して対向する。なお、回転テーブル３１の径方向におけるトレイ３４の大きさよりも、２つのターゲット４１Ａ、４１Ｂによって、成膜材料を付着させることができる実行領域である処理領域の方が大きい。

成膜材料は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、ＳＵＳなどを使用する。但し、スパッタリングにより成膜される材料であれば、種々の材料を適用可能である。また、ターゲット４１は、例えば、円柱形状である。但し、長円柱形状、角柱形状等、他の形状であってもよい。

バッキングプレート４２は、ターゲット４１を保持する部材である。電極４３は、チャンバ２０の外部からターゲット４１に電力を印加するための導電性の部材である。なお、スパッタ源４には、必要に応じてマグネット、冷却機構などが適宜具備されている。

（区切部）
区切部４４は、スパッタ源４により電子部品１０が成膜される成膜ポジションＭ１、Ｍ２、表面処理を行う処理ポジションＭ３を仕切る部材である。以下、成膜ポジションＭ１、Ｍ２を区別しない場合には、成膜ポジションＭとして説明する。区切部４４は、図８に示すように、搬送経路Ｌの円周の中心、つまり搬送部３０の回転テーブル３１の回転中心から、放射状に配設された方形の壁板４４ａ、４４ｂを有する。壁板４４ａ、４４ｂは、例えば、真空室２１の天井に、ターゲット４１を挟む位置に設けられている。区切部４４の下端は、電子部品１０が通過する隙間を空けて、回転テーブル３１に対向している。この区切部４４があることによって、反応ガスＧ及び成膜材料が真空室２１に拡散することを抑制できる。

成膜ポジションＭは、スパッタ源４のターゲット４１を含み、区切部４４で区切られた空間である。より具体的には、図８に示すように、成膜ポジションＭ１、Ｍ２、処理ポジションＭ３は、平面方向から見て、区切部４４の壁板４４ａ、４４ｂと、チャンバ２０の内周面２０ｃ、内周壁の外面２７によって扇形に囲まれた空間である。成膜ポジションＭ１、Ｍ２、処理ポジションＭ３の水平方向の範囲は、一対の壁板４４ａ、４４ｂによって区切られた領域となる。なお、成膜ポジションＭにおけるターゲット４１に対向する位置を通過する電子部品１０に、成膜材料が膜として堆積する。この成膜ポジションＭは、成膜の大半が行われる領域であるが、成膜ポジションＭから外れる領域であっても、成膜ポジションＭからの成膜材料の漏れはあるため、全く膜の堆積がないわけではない。つまり、成膜が行われる処理領域は、成膜ポジションＭよりもやや広い領域となる。

（電源部）
電源部６は、ターゲット４１に電力を印加する構成部である。この電源部６によってターゲット４１に電力を印加することにより、スパッタガスＧ１をプラズマ化させ、成膜材料を、電子部品１０に堆積させることができる。本実施形態においては、電源部６は、例えば、高電圧を印加するＤＣ電源である。なお、高周波スパッタを行う装置の場合には、ＲＦ電源とすることもできる。回転テーブル３１は、接地されたチャンバ２０と同電位であり、ターゲット４１側に高電圧を印加することにより、電位差を発生させている。

複数の成膜処理部４０は、成膜材料を選択的に堆積させることにより、複数の成膜材料の層から成る膜を形成する。特に、本実施形態では、異なる種類の成膜材料に対応するスパッタ源４を含み、成膜材料を選択的に堆積させることにより、複数種類の成膜材料の層から成る膜を形成する。異なる種類の成膜材料に対応するスパッタ源４を含むとは、全ての成膜処理部４０の成膜材料が異なる場合も、複数の成膜処理部４０が共通の成膜材料であるが、他がこれと異なる場合も含む。成膜材料を１種ずつ選択的に堆積させるとは、いずれか１種の成膜材料の成膜処理部４０が成膜を行う間、他の成膜材料の成膜処理部４０は成膜を行わないことをいう。また、成膜中の成膜処理部４０または成膜ポジションＭとは、成膜処理部４０のターゲット４１に電力が印加され、電子部品１０に成膜が行える状態にある成膜処理部４０または成膜ポジションＭのことをいう。

本実施形態では、搬送経路Ｌの搬送方向に、表面処理部５０を挟んで、２つの成膜処理部４０Ａ、４０Ｂが配設されている。２つの成膜処理部４０Ａ、４０Ｂに、成膜ポジションＭ１、Ｍ２が対応している。これらの成膜処理部４０Ａ、４０Ｂのうち、成膜処理部４０Ａは、成膜材料がＳＵＳである。つまり、成膜処理部４０Ａのスパッタ源４は、ＳＵＳから成るターゲット４１Ａ、４１Ｂを備えている。他の成膜処理部４０Ｂは、成膜材料がＣｕである。つまり、成膜処理部４０Ｂのスパッタ源４は、Ｃｕから成るターゲット４１Ａ、４１Ｂを備えている。本実施形態では、いずれか一つの成膜処理部４０が成膜処理を行っている間は、他の成膜処理部４０は、成膜処理を行わない。

［表面処理部］
表面処理部５０は、搬送部３０により搬送される電子部品１０に表面処理、つまり逆スパッタを行う処理部である。この表面処理部５０は、区切部４４により仕切られた、処理ポジションＭ３に設けられている。表面処理部５０は、処理ユニット５を有する。この処理ユニット５の構成例を図８及び図９を参照して説明する。

処理ユニット５は、チャンバ２０の上部から内部にかけて設けられた筒形電極５１を備えている。筒形電極５１は、角筒状であり、一端に開口部５１ａを有し、他端は閉塞されている。筒形電極５１は、開口部５１ａを有する一端が回転テーブル３１に向かうように、チャンバ２０の天面に設けられた開口２１ａに絶縁部材５２を介して取り付けられている。筒形電極５１の側壁はチャンバ２０の内部に延在している。

筒形電極５１の、開口部５１ａと反対端には、外方へ張り出すフランジ５１ｂが設けられている。絶縁部材５２が、フランジ５１ｂとチャンバ２０の開口２１ａの周縁との間に固定されることで、チャンバ２０の内部を気密に保っている。絶縁部材５２は絶縁性があればよく、特定の材料に限定されないが、例えば、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等の材料から構成することができる。

筒形電極５１の開口部５１ａは、回転テーブル３１の搬送経路Ｌと向かい合う位置に配置される。回転テーブル３１は、搬送部として、電子部品１０を搭載したトレイ３４を搬送して開口部５１ａに対向する位置を通過させる。なお、回転テーブル３１の径方向におけるトレイ３４の大きさよりも、筒形電極５１の開口部５１ａの方が大きい。

図８に示すように、筒形電極５１は平面方向から見ると回転テーブル３１の半径方向における中心側から外側に向けて拡径する扇形になっている。ここでいう扇形とは、扇子の扇面の部分の形を意味する。筒形電極５１の開口部５１ａも、同様に扇形である。回転テーブル３１上のトレイ３４が開口部５１ａに対向する位置を通過する速度は、回転テーブル３１の半径方向において中心側に向かうほど遅くなり、外側へ向かうほど速くなる。そのため、開口部５１ａが単なる長方形又は正方形であると、半径方向における中心側と外側とで電子部品１０が開口部５１ａに対向する位置を通過する時間に差が生じる。開口部５１ａを半径方向における中心側から外側に向けて拡径させることで、開口部５１ａを通過する時間を一定とすることができ、後述するプラズマ処理を均等にできる。ただし、通過する時間の差が製品上問題にならない程度であれば、長方形又は正方形でもよい。

上述したように、筒形電極５１はチャンバ２０の開口２１ａを貫通し、一部がチャンバ２０の外部に露出している。この筒形電極５１におけるチャンバ２０の外部に露出した部分は、図９に示すように、ハウジング５３に覆われている。ハウジング５３によって筒形電極５１から発生する電磁波を遮蔽することができる。
筒形電極５１のチャンバ２０の内部に位置する部分、すなわち側壁の周囲は、シールド５４によって覆われている。

シールド５４は、筒形電極５１と同軸の扇形の角筒であり、筒形電極５１よりも大きい。シールド５４はチャンバ２０に接続されている。具体的には、シールド５４はチャンバ２０の開口２１ａの縁から立設し、チャンバ２０の内部に向かって延びた端部は、筒形電極５１の開口部５１ａと同じ高さに位置する。シールド５４は、チャンバ２０と同様にカソードとして作用するので、電気抵抗の少ない導電性の金属部材で構成すると良い。シールド５４はチャンバ２０と一体的に成型しても良く、あるいはチャンバ２０に固定金具等を用いて取り付けても良い。

シールド５４は筒形電極５１内でプラズマを安定して発生させるために設けられている。シールド５４の各側壁は、筒形電極５１の各側壁と所定の隙間を介して略平行に延びるように設けられる。なお、図９は、シールド５４及び筒形電極５１の半径方向に延びる２つの側壁面しか図示していないが、シールド５４及び筒形電極５１の周方向に延びる２つの側壁面の間も、半径方向の側壁面と同じ大きさの隙間が設けられている。

また、筒形電極５１にはプロセスガス導入部５５が接続されている。プロセスガス導入部５５は、配管の他、図示しないプロセスガスＧ２のガス供給源、ポンプ、バルブ等を有する。このプロセスガス導入部５５によって、筒形電極５１内にプロセスガスＧ２が導入される。プロセスガスＧ２は、上記のように、処理の目的によって適宜変更可能である。

筒形電極５１には、高周波電圧を印加するためのＲＦ電源５６が接続されている。ＲＦ電源５６の出力側には整合回路であるマッチングボックス５７が直列に接続されている。ＲＦ電源５６はチャンバ２０にも接続されている。ＲＦ電源５６から電圧を印加すると、筒形電極５１がアノードとして作用し、チャンバ２０、シールド５４及び回転テーブル３１がカソードとして作用する。マッチングボックス５７は、入力側及び出力側のインピーダンスを整合させることで、プラズマの放電を安定化させる。なお、チャンバ２０や回転テーブル３１は接地されている。チャンバ２０に接続されるシールド５４も接地される。ＲＦ電源５６及びプロセスガス導入部５５はともに、ハウジング５３に設けられた貫通孔を介して筒形電極５１に接続する。

プロセスガス導入部５５から筒形電極５１内にプロセスガスＧ２であるアルゴンガスを導入し、ＲＦ電源５６から筒形電極５１に高周波電圧を印加すると、アルゴンガスがプラズマ化され、電子、イオン及びラジカル等が発生する。

（ロードロック部）
ロードロック部６０は、真空室２１の真空を維持した状態で、図示しない搬送手段によって、外部から未処理の電子部品１０を載置部１００を介して搭載したトレイ３４を、真空室２１に搬入し、処理済みの電子部品１０を載置部１００を介して搭載したトレイ３４を真空室２１の外部へ搬出する装置である。このロードロック部６０は、周知の構造のものを適用することができるため、説明を省略する。

［離脱装置］
また、離脱装置４００は、図１１に示すように、支持部材１１０から、電子部品１０の電極形成面１２ｃを離脱させる装置である。図１１（Ａ）は離脱前の状態、図１１（Ｂ）は電子部品１０の突き上げ状態、図１１（Ｃ）は電子部品１０の離脱状態を示す。なお、図１１では、一つの電子部品１０のみを示し、他の電子部品１０の図示は省略している。離脱装置４００は、保持台４１０、突上装置４２０、保持装置４３０、移動機構４４０、加熱装置４５０を有する。保持台４１０は、載置部１００を保持する台である。保持台４１０の内側は、支持部材１１０の粘着面１１０ａと反対側が露出するように、開口となっている。突上装置４２０は、支持部材１１０を介して電子部品１０に対向するピン４２１を有する。このピン４２１は、図示しない移動機構によって、Ｚ方向、つまり、先端により支持部材１１０を介して電子部品１０を押圧する方向に移動可能に設けられている。

保持装置４３０は、電子部品１０を保持する装置である。たとえば、静電チャック、メカチャック、真空チャック、粘着チャック等を、保持装置４３０として使用できる。移動機構４４０は、支持部材１１０の平面と平行な互いに直交するＸ方向及びＹ方向、平面と平行なθ方向、平面に直交するＺ方向に、保持装置４３０を移動させる機構である。

突上装置４２０のピン４２１によって突き上げられて、保持装置４３０によって電磁波シールド膜１３で覆われた天面１２ａを保持された電子部品１０は、移動機構４４０によって、支持部材１１０から離脱される。

加熱装置４５０は、支持部材１１０に貼り付けられた電子部品１０を加熱する装置である。この加熱装置４５０としては、保持装置４３０における電子部品１０との接触部分に設けられたヒータ等を用いることができる。加熱装置４５０による加熱温度は、例えば、コーティング剤Ｃが軟化点を超える温度とする。

［洗浄装置］
洗浄装置５００は、図１２に示すように、成膜装置３００によって成膜された電子部品１０に付着したコーティング剤Ｃを、洗浄剤Ｗにより洗浄する装置である。図１２（Ａ）は電子部品１０の収容状態、図１２（Ｂ）は洗浄剤Ｗによる洗浄状態を示す。洗浄装置５００は、電子部品１０が収容される空間を有する洗浄容器５１０を有し、洗浄容器５１０内に図示しない供給装置によって供給される洗浄剤Ｗに、電子部品１０を浸漬することにより、電極形成面１２ｃに付着したコーティング剤Ｃを溶解して洗浄する。洗浄剤Ｗとしては、コーティング剤Ｃを溶解できる材料であればよい。例えば、水、アルコール、有機溶媒、アルカリ性水溶液を用いることができる。なお、洗浄装置５００は、電極形成面１２ｃに付着したコーティング剤Ｃを除去できれば、どのような構成であってもよい。例えば、浸漬による洗浄装置５００には限定されず、電極形成面１２ｃに洗浄剤Ｗをシャワーのように吹きかけて洗浄する装置であってもよい。

［制御装置］
制御装置７０は、電子部品製造装置の各部を制御する装置である。この制御装置７０は、例えば、専用の電子回路若しくは所定のプログラムで動作するコンピュータ等によって構成できる。つまり、前処理装置２００の制御、真空室２１へのスパッタガスＧ１およびプロセスガスＧ２の導入および排気に関する制御、スパッタ源４の電源の制御、回転テーブル３１の回転の制御、離脱装置４００、洗浄装置５００の制御などに関しては、その制御内容がプログラムされており、ＰＬＣやＣＰＵなどのプロセッサと呼ばれる処理装置により実行されるものであり、多種多様な成膜仕様に対応可能である。

具体的に制御される内容としては、ディスペンサ２１４からのコーティング剤Ｃの供給量、移動機構２１５の駆動、保持装置２２２の駆動、移動機構２２３の駆動、加熱装置２２４の温度、成膜装置３００の初期排気圧力、スパッタ源４の選択、ターゲット４１への印加電力、反応ガスＧの流量、種類、導入時間及び排気時間、成膜時間、保持装置４３０の駆動、移動機構４４０の駆動、加熱装置４５０の温度、洗浄容器５１０の洗浄剤Ｗの供給、などが挙げられる。

上記のように各部の動作を実行させるための制御装置７０の構成を、機能ブロック図である図１３を参照して説明する。すなわち、制御装置７０は、機構制御部７１、電源制御部７２、記憶部７３、設定部７４、入出力制御部７５を有する。

機構制御部７１は、ディスペンサ２１４、移動機構２１５、保持装置２２２、加熱装置２２４、排気部２３、ガス供給部２５、搬送部３０のモータ３２、ロードロック部６０等の駆動源、バルブ、スイッチ、電源、保持装置４３０、移動機構４４０、加熱装置４５０、洗浄剤Ｗの供給装置等を制御する処理部である。電源制御部７２は、電源部６を制御する処理部である。

記憶部７３は、本実施形態の制御に必要な情報を記憶する構成部である。設定部７４は、外部から入力された情報を、記憶部７３に設定する処理部である。入出力制御部７５は、制御対象となる各部との間での信号の変換や入出力を制御するインタフェースである。

さらに、制御装置７０には、入力装置７６、出力装置７７が接続されている。入力装置７６は、オペレータが、制御装置７０を介して成膜装置３００を操作するためのスイッチ、タッチパネル、キーボード、マウス等の入力手段である。例えば、成膜を行うスパッタ源４の選択を、入力手段により入力できる。

出力装置７７は、装置の状態を確認するための情報を、オペレータが視認可能な状態とするディスプレイ、ランプ、メータ等の出力手段である。例えば、成膜を行っているスパッタ源４に対応する成膜ポジションＭを、出力装置７７に、他の成膜ポジションＭと区別して表示することができる。

［動作］
以上のような本実施形態の動作を、上記に示した図面に加えて、図１４を参照して以下に説明する。なお、図示はしないが、塗布装置２１０、付着装置２２０、成膜装置３００、洗浄装置５００の間には、載置部１００、トレイ３４、電子部品１０を搬送するコンベア、ロボットアーム等の搬送手段が設けられている。この搬送手段により、各部の間での載置部１００、トレイ３４、電子部品１０の搬入、搬送、搬出が行われる。なお、本実施形態は、電子部品１０が貼り付けられた載置部１００を載置したトレイ３４が、搬送手段で搬送される例で説明する。但し、載置部１００の状態、電子部品１０の状態で搬送されるようにしてもよい。

また、集合基板上に実装された複数の素子１１を、封止材である合成樹脂で封止した後、バンプ又ははんだボールの電極１１ａが形成される。そして、各素子１１の境界に対応する線に沿って、封止材を切断することにより、個片に分離された電子部品１０が形成されている。

［前処理工程］
前処理工程は、電子部品１０のパッケージ１２の電極１１ａが形成された電極形成面１２ｃに、軟化点が、後述する成膜工程で加熱されることにより達する温度を超える温度であり、洗浄剤Ｗにより溶解するコーティング剤Ｃを前処理装置２００により付着させる工程である。本実施形態の前処理工程は、具体的には、塗布工程と付着工程とに分けることができる。

［塗布工程］
まず、塗布装置２１０が、図５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、支持部材１１０の粘着面１１０ａに対して、コーティング剤Ｃｄを塗布する。つまり、ディスペンサ２１４を移動機構２１５によって移動させながら、ディスペンサ２１４からコーティング剤Ｃを吐出することによって、載置部１００の支持部材１１０の表面全体又は一部に、コーティング剤Ｃを塗布する。支持部材１１０の表面の一部に塗布する場合には、電子部品１０が貼り付けられる幅に対応する帯状に塗布してもよいし、電子部品１０が貼り付けられる面に対応する位置にマトリクス状に塗布してもよい（図１４（Ｄ）参照）。

なお、電子部品１０の電極形成面１２ｃよりもわずかに小さな領域に、コーティング剤Ｃを塗布してもよい。つまり、各辺の長さが電子部品１０のパッケージ１２のＸ方向、Ｙ方向の各辺よりも短くなるように塗布する。これによって、後述の貼り付けにおいて、電子部品１０に押されてコーティング剤Ｃが広がることにより、電極形成面１２ｃの全体にコーティング剤Ｃが行き渡るとともに、側面１２ｂへの過大なはみ出しが防止される。

但し、コーティング剤Ｃの粘度等によっては、図１５（ａ）に示すように、単純に電極形成面１２ｃと相似形で小さな領域を塗布領域Ｐとしても、図１５（ｂ）に示すように、電極形成面１２ｃの四隅にまでコーティング剤Ｃが広がらずに、未塗布領域Ｎが残存する可能性がある。これに対処するため、電子部品１０をさらに押し込むようにしてコーティング剤Ｃに埋め込むことにより、コーティング剤Ｃを広げて未塗布領域Ｎまで充填しようとしても、電子部品１０の四辺からコーティング剤Ｃが盛り上がってしまう。すると、電子部品１０の側面１２ｂの一部が、盛り上がったコーティング剤Ｃによって覆われるため、スパッタリングによる成膜がなされなくなる。

そこで、図１６、図１７に示すように、未塗布領域Ｎが発生する可能性がある箇所に、コーティング剤Ｃを補充するように塗布した補充部分Ｃｎを形成してもよい。例えば、電極形成面１２ｃの隅に対応する箇所に、コーティング剤Ｃを、その展延方向に突出した態様で塗布することにより、補充部分Ｃｎとしてもよい。図１６（ａ）は、補充部分Ｃｎの端縁が曲線となるように塗布した例であり、図１６（ｂ）は、補充部分Ｃｎを頂点が隅まで延びた楔形となるように塗布した例である。また、図１７に示すように、電極形成面１２ｃと相似形の部分から、電極形成面１２ｃの隅に対応する箇所の補充部分Ｃｎを、独立させるようにしてコーティング剤Ｃを塗布してもよい。

［付着工程］
次に、付着装置２２０が、支持部材１１０のコーティング剤Ｃを塗布した面に、電子部品１０の電極形成面１２ｃを付着させる。つまり、図６（Ａ）、図１４（Ａ）に示すように、保持装置２２２によって天面１２ａが保持され、加熱装置２２４によって加熱された電子部品１０の電極形成面１２ｃを、移動機構２２３によって支持部材１１０のコーティング剤Ｃに接する方向に移動させる。これにより、図６（Ｂ）、図１４（Ｂ）に示すように、電極形成面１２ｃに、熱により溶融したコーティング剤Ｃが付着するとともに、コーティング剤Ｃによって覆われた状態で支持部材１１０に貼り付けられる。つまり、コーティング剤Ｃを、電極１１ａが形成された電極形成面１２ｃに付着させることにより、スパッタリングにより成膜されない非成膜面を形成する。電子部品１０は、図２、図１０に示すように、載置部１００におけるフレーム１２０内の貼付領域Ｓ上に、間隔を空けてマトリクス状に並べて貼着される。このような複数の載置部１００が、トレイ３４の載置面３４ａに搭載される。

［成膜工程］
成膜装置３００におけるチャンバ２０の真空室２１内は、排気部２３によって排気して減圧することによりあらかじめ真空となっている。複数のトレイ３４は、ロードロック部６０の搬送手段により、真空室２１内を真空に維持した状態で、チャンバ２０内に順次搬入される。回転テーブル３１は、空の保持部３３を、順次、ロードロック部６０からの搬入箇所に移動させる。保持部３３は、搬送手段により搬入されたトレイ３４を、それぞれ個別に保持する。このようにして、図７及び図８に示すように、成膜対象となる電子部品１０を搭載したトレイ３４が、回転テーブル３１上に全て載置される。

以上のように成膜装置３００に導入された電子部品１０に対する成膜処理を、図８及び図９を参照して説明する。なお、以下の動作は、成膜処理部４０Ａ、４０Ｂによって、電子部品１０の表面に、電磁波シールド膜１３を形成する例である。電磁波シールド膜１３は、ＳＵＳの層、Ｃｕの層を、交互に積層することにより形成される。電子部品１０に直接形成されるＳＵＳの層は、モールド樹脂、Ｃｕとの密着度を高める下地となる。中間のＣｕの層は、電磁波を遮蔽する機能を有する層である。最上層のＳＵＳの層は、Ｃｕの錆等を防ぐ保護層である。

まず、回転テーブル３１が回転して、所定の回転速度に達する。処理ユニット５において、筒形電極５１の開口部５１ａに対向する位置を通過する。処理ユニット５では、プロセスガス導入部５５から筒形電極５１にプロセスガスＧ２であるアルゴンガスを導入し、ＲＦ電源５６から筒形電極５１に高周波電圧を印加する。高周波電圧の印加によってアルゴンガスがプラズマ化され、電子、イオン及びラジカル等が発生する。プラズマはアノードである筒形電極５１の開口部５１ａから、カソードである回転テーブル３１へ流れる。プラズマ中のイオンが開口部５１ａの下を通過する電子部品１０の表面に衝突することで、表面が洗浄および粗面化される。そして、表面処理部５０による表面処理時間が経過したら、表面処理部５０を停止する。つまり、プロセスガス導入部５５からのプロセスガスＧ２の供給、ＲＦ電源５６による電圧の印加を停止する。

次に、成膜処理部４０Ａのガス供給部２５は、スパッタガスＧ１を、ターゲット４１の周囲に供給する。この状態下で、保持部３３に保持された電子部品１０は、搬送経路Ｌ上を円を描く軌跡で移動して、スパッタ源４に対向する位置を通過する。

次に、成膜処理部４０Ａのみ、電源部６がターゲット４１に電力を印加する。これにより、スパッタガスＧ１がプラズマ化する。スパッタ源４において、プラズマにより発生したイオンは、ターゲット４１に衝突して成膜材料の粒子を飛ばす。このため、成膜処理部４０Ａの成膜ポジションＭ１を通過する電子部品１０の表面には、その通過毎に成膜材料の粒子が堆積されて、膜が生成される。ここでは、ＳＵＳの層が形成される。このとき、電子部品１０は成膜処理部４０Ｂの成膜ポジションＭ２を通過するが、成膜処理部４０Ｂはターゲット４１に電力が印加されていないので、成膜処理は行われず、電子部品１０は加熱されない。また、成膜ポジションＭ１、Ｍ２以外の領域においても、電子部品１０は加熱されない。このように、加熱されない領域において、電子部品１０は熱を放出する。

成膜処理部４０Ａによる成膜時間が経過したら、成膜処理部４０Ａを停止する。つまり、電源部６によるターゲット４１への電力の印加を停止する。そして、成膜処理部４０Ｂの電源部６が、ターゲット４１に電力を印加する。これにより、スパッタガスＧ１がプラズマ化する。スパッタ源４において、プラズマにより発生したイオンは、ターゲット４１に衝突して成膜材料の粒子を飛ばす。このため、成膜処理部４０Ｂの成膜ポジションＭ２を通過する電子部品１０の表面には、その通過毎に成膜材料の粒子が堆積されて、膜が生成される。ここでは、Ｃｕの層が形成される。この層は、電磁波シールド膜１３の層の一部となる。このとき、電子部品１０は成膜処理部４０Ａの成膜ポジションＭ１を通過するが、成膜処理部４０Ａはターゲット４１に電力が印加されていないので、成膜処理を行われず、電子部品１０は加熱されない。また、成膜ポジションＭ１、Ｍ２以外の領域においても、電子部品１０は加熱されない。このように、加熱されない領域において、電子部品１０は熱を放出する。

成膜処理部４０Ｂによる成膜時間が経過したら、成膜処理部４０Ｂを停止する。つまり、電源部６によるターゲット４１への電力の印加を停止する。そして、成膜処理部４０Ａの電源部６が、ターゲット４１に電力を印加する。これにより、スパッタガスＧ１がプラズマ化する。スパッタ源４において、プラズマにより発生したイオンは、ターゲット４１に衝突して成膜材料の粒子を飛ばす。このため、成膜処理部４０Ａの成膜ポジションＭ１を通過する電子部品１０の表面には、その通過毎に成膜材料の粒子が堆積されて、膜が生成される。ここでは、ＳＵＳの層が形成される。このとき、電子部品１０は成膜処理部４０Ｂの成膜ポジションＭ２を通過するが、成膜処理部４０Ｂはターゲット４１に電力が印加されていないので、成膜処理を行われず、電子部品１０は加熱されない。また、成膜ポジションＭ１、Ｍ２以外の領域においても、電子部品１０は加熱されない。このように、加熱されない領域において、電子部品１０は熱を放出する。

成膜処理部４０Ａによる成膜時間が経過したら、成膜処理部４０Ａを停止する。つまり、電源部６によるターゲット４１への電力の印加を停止する。このように、成膜処理部４０Ａ、４０Ｂによる成膜を繰り返すことにより、ＳＵＳの膜、Ｃｕの膜、ＳＵＳの膜が積層された膜を形成する。なお、さらに、同様の成膜を繰り返すことにより、３層より多い膜を形成することもできる。これにより、図１４（Ｂ）に示す状態から、図１４（Ｃ）に示すように、電子部品１０のパッケージ１２の天面１２ａ及び側面１２ｂに、電磁波シールド膜１３が形成される。

以上のような成膜処理の間、回転テーブル３１は回転を継続し電子部品１０を搭載したトレイ３４を循環搬送し続ける。そして、成膜処理が完了した後、電子部品１０を搭載したトレイ３４は、回転テーブル３１の回転により、順次、ロードロック部６０に位置決めされ、搬送手段により、外部へ搬出される。さらに、図１０に示すように、搬出されたトレイ３４から載置部１００が取り出される。なお、成膜工程の間に上昇し得るコーティング剤Ｃの温度は、支持部材１１０にコーティング剤Ｃが塗布された面に、温度計測用のサーモラベルを貼って測定してもよいし、支持部材１１０にコーティング剤Ｃが塗布された面の温度を熱電対を用いて測定してもよい。つまり、本実施形態では、このように測定される温度が、コーティング剤Ｃがスパッタリングで加熱されることにより達する温度である。この温度が、コーティング剤Ｃの軟化点未満であることが好ましい。

［離脱工程］
離脱装置４００は、載置部１００の支持部材１１０から、電子部品１０を離脱させる。つまり、図１１（Ｂ）に示すように、保持台４１０によって載置部１００が保持された状態で、突上装置４２０のピン４２１が、支持部材１１０を介して電子部品１０の電極形成面１２ｃを突き上げる。これにより上昇した電子部品１０の天面１２ａを、保持装置４３０が保持するとともに、加熱装置４５０によって電子部品１０が加熱される。すると、図１１（Ｃ）に示すように、加熱されたコーティング剤Ｃが溶融するとともに、保持装置４３０が上昇することによって、電子部品１０が持ち上げられて、支持部材１１０から離脱する。離脱された電子部品１０は、洗浄装置５００に搬送される。

［洗浄工程］
洗浄装置５００は、電子部品１０に付着したコーティング剤Ｃを、洗浄剤Ｗにより洗浄する。つまり、電子部品１０は、図１２（Ａ）に示すように、洗浄装置５００の洗浄容器５１０内に収容される。そして、図１２（Ｂ）に示すように、洗浄容器５１０に洗浄剤Ｗが供給され、電子部品１０が洗浄剤Ｗに浸漬される。電子部品１０の電極形成面１２ｃに付着したコーティング剤Ｃは、洗浄剤Ｗによって溶解することにより、電極形成面１２ｃから洗い落とされる。

［作用効果］
本実施形態の電子部品の製造装置は、電子部品１０のパッケージ１２の電極１１ａが形成された電極形成面１２ｃに、軟化点がスパッタリングで加熱されることにより達する温度を超える温度であり、洗浄剤Ｗにより溶解するコーティング剤Ｃを付着させる前処理装置２００と、パッケージ１２に、スパッタリングにより成膜材料を堆積させて成膜する成膜装置３００と、を有する。

このため、スパッタリングによる成膜時には、電極形成面１２ｃがコーティング剤Ｃによって覆われることにより、成膜材料が電極形成面１２ｃに付着することが防止される。また、成膜時の熱でコーティング剤Ｃが軟化しないので、電子部品１０の位置が安定する。さらに、コーティング剤Ｃは、洗浄剤Ｗにより溶解させて除去できるので、コーティング剤Ｃの残留も防止できる。このため、電極１１ａに不要物が残留することによる接続不良等を防止できる。

前処理装置２００は、電子部品１０を支持するための支持部材１１０に、コーティング剤Ｃを介して、電極形成面１２ｃを付着させる付着装置２２０を有する。このため、成膜時には、電子部品１０が支持部材１１０によって安定して支持される。

電子部品１０を支持するための支持部材１１０から、電極形成面１２ｃを離脱させる離脱装置４００を有する。このため、成膜後、コーティング剤Ｃを介して付着された電子部品１０を容易に離脱させることができる。

前処理装置２００は、支持部材１１０にコーティング剤Ｃを塗布する塗布装置２１０を有する。このため、あらかじめ支持部材１１０にコーティング剤Ｃを塗布しておくことで、電極形成面１２ｃに対するコーティング剤Ｃの付着と支持部材１１０による支持を同時に行うことができる。

コーティング剤Ｃ又は電子部品１０を加熱する加熱装置２２４、４５０を有する。このため、電子部品１０へのコーティング剤Ｃの付着の際に、コーティング剤Ｃが溶融して、容易に付着させることができる。また、コーティング剤Ｃからの電子部品１０の離脱の際に、コーティング剤Ｃが溶融して、容易に剥離させることができる。

成膜装置３００によって成膜された電子部品１０に付着したコーティング剤Ｃを、洗浄剤Ｗにより洗浄する洗浄装置５００を有する。このため、コーティング剤Ｃを洗浄剤Ｗにより溶解、除去することができる。

成膜装置３００は、スパッタガスが導入される容器であるチャンバ２０と、チャンバ２０内に設けられ、スパッタリングにより成膜材料を堆積させて成膜するスパッタ源４を有するとともに、スパッタ源４により電子部品１０に成膜する成膜処理部４０と、を有する。このため、成膜処理部４０によるスパッタリングによって、電子部品１０の電極形成面１２ｃ以外の面に対して、成膜することができる。

チャンバ２０内に設けられ、電子部品１０を円周の軌跡で循環搬送することにより、成膜処理部４０に対向する領域と成膜処理部４０とは対向しない領域とを交互に繰り返し通過させる搬送部３０を有する。このため、スパッタリング中に電子部品１０の位置が変化する場合であっても、コーティング剤Ｃによって電極形成面１２ｃへの成膜材料の回り込みによる付着を防止できる。しかも、成膜しない領域の通過中に、成膜領域を通過したときに受けた熱が放出されるため、比較的低温で成膜を行うことができる。このため、軟化点が比較的高温のコーティング剤Ｃを使用しなくてもよい。

コーティング剤Ｃは、フラックスである。このため、一般的な粘着材に比べて、洗浄剤Ｗによる溶解洗浄がしやすい。

［変形例］
本発明は、上記の態様に限定されるものではなく、以下のような態様も含む。
（１）上記の態様は、コーティング剤Ｃとして、フラックスを用いた例であったが、ホットメルト系の接着剤を、コーティング剤Ｃとして使用することもできる。ホットメルト系接着剤としては、ワックスと呼ばれるものも含む。ホットメルト系の接着剤は、軟化点で急激に粘度が下がる。このため、ＢＧＡのはんだボール等の電極１１ａを大きな負荷無く埋め込むことができる。

この場合、例えば、塗布装置２１０は、タンクＴに収容されたホットメルト系の接着剤を、コーティング剤Ｃとしてディスペンサ２１４より、支持部材１１０の粘着面１１０ａに対して塗布する。ディスペンサ２１４としては、スリットコータを用いることが考えられる。また、コーティング剤Ｃは、略矩形で、かつ、各辺の長さが電子部品１０のパッケージ１２のＸ方向、Ｙ方向の各辺よりも短く、厚さが電極１１ａの高さよりも厚くする。また、コーティング剤Ｃを、図１６、図１７に示したように塗布してもよい。つまり、補充部分Ｃｎを設けて、未塗布領域Ｎが生じないようにしてもよい。

また、コーティング剤Ｃを電子部品１０に付着させる際の加熱装置２２４の加熱温度、電子部品１０を支持部材１１０から離脱させる際の加熱装置４５０の加熱温度を、ホットメルト系接着剤の軟化点を超える温度とする。このホットメルト系接着剤の軟化点は、スパッタリングで加熱されることにより達する温度を超える温度であり、上記のフラックスと同様である。洗浄剤Ｗにより溶解することにより除去可能であることも、上記のフラックスと同様である。

さらに、付着装置２２０は、支持部材１１０の表面に塗布されたコーティング剤Ｃを予熱する加熱ユニットを有してもよい。加熱ユニットは、例えば、ヒータ、赤外線のランプやＬＥＤ等から構成される。例えば、加熱ユニットを、ステージ２２１に設けることが考えられる。加熱ユニットによる加熱は、コーティング剤Ｃの全体に対して行うようにしても、電子部品１０を付着させる部分のみを局所的に行うようにしてもよい。予熱温度は、室温よりも高い温度で、軟化点よりは低い温度とすることが好ましい。予熱温度を軟化点以上の温度とすると、コーティング剤Ｃが軟らかくなり過ぎて、電子部品１０を付着する際に位置ずれが起き易くなるためである。

このような態様では、以下のような工程によって、電極形成面１２ｃの残渣を防止することができる。
（第１の工程）
塗布装置２１０が、支持部材１１０の表面にホットメルト系の接着剤のコーティング剤Ｃを塗布する。
（第２の工程）
加熱ユニットが、塗布されたコーティング剤Ｃを予熱する。
（第３の工程）
付着装置２２０の保持装置２２２が電子部品１０を保持し、加熱装置２２４によって加熱した状態で、コーティング剤Ｃに貼り付ける。
（第４の工程）
成膜装置３００によって、電子部品１０のパッケージ１２の天面１２ａ及び側面１２ｂに成膜を行う。
（第５の工程）
離脱装置４００の保持装置４３０が電子部品１０を保持し、加熱装置４５０によって加熱した状態で、支持部材１１０から離脱させる。
（第６の工程）
洗浄装置５００で、電子部品１０に付着したコーティング剤Ｃを、洗浄剤Ｗにより洗浄する。

（２）コーティング剤Ｃとしてフラックスを用いる場合にも、支持部材１１０の表面に塗布されたコーティング剤Ｃを予熱する加熱ユニットを有してもよい。加熱ユニットは、例えば、ヒータ、赤外線のランプやＬＥＤ等から構成される。例えば、加熱ユニットを、ステージ２２１に設けることが考えられる。加熱ユニットによる加熱は、コーティング剤Ｃの全体に対して行うようにしても、電子部品１０を付着させる部分のみを局所的に行うようにしてもよい。

フラックス、ホットメルト系接着剤、洗浄剤の成分としては、現在又は将来において適用可能な種々の材料を適用できる。例えば、フラックスとしては、ロジンを主剤としたものを利用できる。また、例えば、ホットメルト系接着剤としては、変性炭化水素樹脂を利用できる。洗浄剤としては、グリコールエーテルと界面活性剤を混ぜたものを利用できる。但し、本発明は、これらの例示した成分には限定されない。

（３）コーティング剤Ｃの軟化点は、上記の態様で例示したものには限定されず、スパッタリングで加熱されることにより達する温度を超える温度であればよい。また、使用する洗浄剤Ｗも、コーティング剤Ｃを溶解できるものであればよい。

（４）支持部材１１０の表面は、粘着性を有していなくてもよい。例えば、コーティング剤Ｃによって電子部品１０の保持力が十分に得られるのであれば、支持部材１１０の表面に接着剤を適用したり、接着性を生じさせる必要はない。

（５）前処理装置２００による電子部品１０の電極形成面１２ｃに対するコーティング剤Ｃの付着は、支持部材１１０側に塗布されたコーティング剤Ｃに電子部品１０を押し付ける態様には限定されない。つまり、塗布装置２１０は、電極形成面１２ｃにコーティング剤Ｃを塗布してもよい。塗布装置２１０は、あらかじめ電子部品１０の電極形成面１２ｃにコーティング剤Ｃを塗布しておき、付着装置２２０の保持装置２２２が、電子部品１０を保持するとともに、加熱装置２２４によって加熱した状態で、移動機構２２３によって、電極形成面１２ｃを支持部材１１０に押し付ける。これにより、コーティング剤Ｃの使用量を低減できる。

（６）電子部品１０の支持は、貼り付けによらなくてもよい。例えば、上記の態様では、支持部材１１０をシート状として、電子部品１０を、コーティング剤Ｃを介して支持部材１１０に貼り付ける態様としている。但し、図１８に示すように、支持部材１１０を、電子部品１０の電極形成面１２ｃにコーティング剤Ｃを付着させた状態で、電子部品１０の一部を支持する部材としてもよい。なお、コーティング剤Ｃは、電極形成面１２ｃの全体に付着させる必要はない。例えば、コーティング剤Ｃの塗布は面状に限らず、電子部品１０の外周に沿う無端枠状（額縁状）に塗布し、当該塗布部分とともに、電極形成面１２ｃの中央部分に成膜材料が付着することを防止してもよい。また、上記のように、電極形成面１２ｃは、電極１１ａの表面も含む。例えば、電極１１ａのみにコーティング剤Ｃを付着させて、電極形成面１２ｃの電極１１ａの無い部分については、コーティング剤Ｃを付着させずに粘着材によって保持するようにして、電極１１ａへの成膜材料の付着を防止してもよい。これらの方法によっても、コーティング剤Ｃの使用量を低減できる。

（７）パッケージ１２の形態は、例えば、ＢＧＡ、ＬＧＡ、ＳОＰ、ＱＦＰ、ＷＬＰなど、現在又は将来において利用可能なあらゆる形態が適用可能である。電子部品１０が外部との電気的な接続を行う電極１１ａとしても、例えば、底面に設けるＢＧＡ等の半球状のものやＬＧＡ等の平面状のもの、側面に設けるＳОＰ、ＱＦＰの細板状のもの等が考えられるが、現在又は将来において利用可能なあらゆる端子が適用可能であり、その形成位置も問わない。それぞれの電極が形成された面が電極形成面となるため、電極形成面は底面には限定されない。また、電子部品１０の内部に封止される素子１１は、単数であっても複数であってもよい。

（８）成膜材料については、スパッタリングにより成膜可能な種々の材料を適用可能である。例えば、電磁波シールド膜としては、Ａｌ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｚｒ等を用いることもできる。さらに、磁性体として、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃｏ等を使用することができる。さらに、また、下地の密着層として、ＳＵＳ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ等を用いたり、最表面の保護層として、ＳＵＳ、Ａｕ等を用いることができる。

（９）成膜ポジションにおけるターゲットの数は、２つには限定されない。ターゲットを１つとしても、３つ以上としてもよい。また、成膜ポジションも２つ以下としても、４つ以上としてもよい。

（１０）成膜装置における搬送部により同時搬送されるトレイ、電子部品の数、これを保持する保持部の数は、少なくとも１つであればよく、上記の実施形態で例示した数には限定されない。つまり、１つの電子部品が循環して成膜を繰り返す態様でもよく、２つ以上の電子部品が循環して成膜を繰り返す態様でもよい。

（１１）エッチングやアッシングによる洗浄や表面処理は、成膜ポジションを有するチャンバとは別のチャンバで行ってもよい。なお、酸化処理を行う場合は、プロセスガスＧ２として酸素を用いることができる。窒化処理を行う場合は、プロセスガスＧ２として窒素を用いることができる。

（１２）上記の実施形態では、回転テーブル３１が水平面内で回転する例としている。但し、搬送部の回転面の向きは、特定の方向には限定されない。例えば、垂直面内で回転する回転面とすることもできる。さらに、搬送部が有する搬送手段は、回転テーブルには限定されない。例えば、ワークを保持する保持部を有する円筒形状の部材が、軸を中心に回転する回転体としてもよい。また、循環搬送の軌跡は、円周には限定されない。無端状の搬送経路により、循環搬送される態様を広く含む。例えば、矩形や楕円であってもよいし、クランクや蛇行する経路を含んでいてもよい。搬送経路は、例えば、コンベア等により構成してもよい。

さらに、成膜装置３００は、電子部品１０を循環搬送せずに、静止した状態で成膜する装置であってもよい。つまり、例えば、載置部１００を介して電子部品１０を搭載したトレイ３４を搬入して、処理領域に設置し、ターゲット４１に対する相対位置を変化させずにスパッタリングを行ってもよい。

（１３）上記の実施形態では、成膜材料を１種ずつ選択的に堆積させて成膜するようにしている。しかし、本発明はこれに限るものではなく、成膜材料を選択的に堆積させることにより、複数の成膜材料の層から成る膜を形成できればよい。このため、２種以上の成膜材料を同時に堆積させるようにしても良い。例えば、電磁波シールド膜を、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｎｂの合金で形成することがある。このような場合に、複数の成膜処理部のうち、Ｃｏを成膜材料とする成膜処理部と、Ｚｒを成膜材料とする成膜処理部とＮｂを成膜材料とする成膜処理部を同時に選択して成膜を行なうようにしても良い。

そしてこの場合、円周の軌跡のうち、これらの成膜中に成膜ポジションを通過する軌跡よりも、成膜中の成膜ポジション以外の部分を通過する軌跡の方が長くなるように、成膜に用いる成膜処理部を選択する、あるいは、成膜処理部を区切る区切部の配置を設定すると良い。

つまり、１種、または、複数種の成膜処理部を複数個選択して成膜を行なう場合、或いは単一の成膜処理部を選択して成膜を行なう場合のいずれにおいても、円周の軌跡のうち、成膜中に成膜ポジションを通過する軌跡よりも、成膜中の成膜ポジション以外の部分を通過する軌跡の方が長くなるように、成膜に用いる成膜処理部を選択する、あるいは、成膜処理部を区切る区切部の配置を設定すると良い。

（１４）以上、本発明の実施形態及び各部の変形例を説明したが、この実施形態や各部の変形例は、一例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。上述したこれら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明に含まれる。

１０ 電子部品
１１ 素子
１２ パッケージ
１３ 電磁波シールド膜
１４ 基板
２０ チャンバ
２０ａ 天井
２０ｂ 内底面
２０ｃ 内周面
２１ 真空室
２２ 排気口
２３ 排気部
２４ 導入口
２５ ガス供給部
３０ 搬送部
３１ 回転テーブル
３２ モータ
３３ 保持部
３４ トレイ
３４ａ 載置面
３４ｂ 周壁部
４０、４０Ａ、４０Ｂ 成膜処理部
４ スパッタ源
４１、４１Ａ、４１Ｂ ターゲット
４２ バッキングプレート
４３ 電極
４４ 区切部
４４ａ、４４ｂ 壁板
５ 処理ユニット
５１ 筒形電極
５１ａ 開口部
５１ｂ フランジ
５２ 絶縁部材
５３ ハウジング
５４ シールド
５５ プロセスガス導入部
５６ ＲＦ電源
５７ マッチングボックス
６ 電源部
６０ ロードロック部
７０ 制御装置
７１ 機構制御部
７２ 電源制御部
７３ 記憶部
７４ 設定部
７５ 入出力制御部
７６ 入力装置
７７ 出力装置
１００ 載置部
１１０ 支持部材
１１０ａ 粘着面
１１０ｂ 非粘着面
１２０ フレーム
１２０ａ 貫通孔
２００ 前処理装置
２１０ 塗布装置
２１１ ステージ
２１２ 塗布ユニット
２１４ ディスペンサ
２１５ 移動機構
２２０ 付着装置
２２１ ステージ
２２２ 保持装置
２２３ 移動機構
２２４ 加熱装置
３００ 成膜装置
４００ 離脱装置
４１０ 保持台
４２０ 突上装置
４２１ ピン
４３０ 保持装置
４４０ 移動機構
４５０ 加熱装置
５００ 洗浄装置
５１０ 洗浄容器
Ｃ コーティング剤
Ｃｎ 補充部分
Ｗ 洗浄剤
Ｅ 排気
Ｌ 搬送経路
Ｍ、Ｍ１、Ｍ２ 成膜ポジション
Ｍ３ 処理ポジション
Ｇ 反応ガス
Ｇ１ スパッタガス
Ｇ２ プロセスガス
Ｐ 塗布領域
Ｓ 貼付領域
Ｎ 未塗布領域
Ｔ タンク

Claims (11)

1. 電子部品のパッケージの電極が形成された電極形成面に、軟化点がスパッタリングで加熱されることにより達する温度を超える温度であり、洗浄剤により溶解するコーティング剤を付着させる前処理装置と、
   前記パッケージに、スパッタリングにより成膜材料を堆積させて成膜する成膜装置と、
   前記成膜装置によって成膜された前記電子部品に付着した前記コーティング剤を、洗浄剤により洗浄する洗浄装置と、
   を有することを特徴とする電子部品の製造装置。
2. 前記前処理装置は、前記電子部品を支持するための支持部材に、前記コーティング剤を介して、前記電極形成面を付着させる付着装置を有することを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造装置。
3. 前記電子部品を支持するための支持部材から、前記電極形成面を離脱させる離脱装置を有することを特徴とする請求項１又は請求項２記載の電子部品の製造装置。
4. 前記前処理装置は、前記支持部材に前記コーティング剤を塗布する塗布装置を有することを特徴とする請求項２又は請求項３記載の電子部品の製造装置。
5. 前記前処理装置は、前記電極形成面に、前記コーティング剤を塗布する塗布装置を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の電子部品の製造装置。
6. 前記コーティング剤又は前記電子部品を加熱する加熱装置を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の電子部品の製造装置。
7. 前記成膜装置は、
   スパッタガスが導入される容器であるチャンバと、
   前記チャンバ内に設けられ、スパッタリングにより前記成膜材料を堆積させて成膜するスパッタ源を有するとともに、前記スパッタ源により前記電子部品に成膜する成膜処理部と、
   を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の電子部品の製造装置。
8. 前記チャンバ内に設けられ、前記電子部品を円周の軌跡で循環搬送することにより、前記成膜処理部に対向する領域と前記成膜処理部とは対向しない領域とを交互に通過させる搬送部を有することを特徴とする請求項７記載の電子部品の製造装置。
9. 前記コーティング剤は、フラックスであることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の電子部品の製造装置。
10. 前記コーティング剤は、ホットメルト系の接着剤であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の電子部品の製造装置。
11. 電子部品のパッケージの電極が形成された電極形成面に、軟化点がスパッタリングで加熱されることにより達する温度を超える温度であり、洗浄剤により溶解するコーティング剤を付着させる前処理工程と、
    前記パッケージに、スパッタリングにより成膜材料を堆積させて成膜する成膜工程と、
    前記成膜工程で成膜された前記電子部品に付着した前記コーティング剤を、洗浄剤により洗浄する洗浄工程と、
    を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。

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