JP7039213B2 - 成膜装置 - Google Patents

Description

本発明は、成膜装置に関する。

携帯電話に代表される無線通信機器には、半導体装置等の電子部品が多数搭載されている。電子部品は、通信特性への影響を防止するために、外部への電磁波の漏えい等、内外に対する電磁波の影響を抑制することが求められる。このため、電磁波に対するシールド機能を有する電子部品が用いられている。

一般的に、半導体装置である電子部品は、実装基板に対する中継用の基板としてのインターポーザ基板の上に半導体チップを搭載し、この半導体チップを樹脂で封止したパッケージを形成している。このパッケージの上面および側面に導電性の電磁波シールド膜を設けることにより、シールド機能が付与された電子部品が開発されている。

このような電磁波シールド膜は、複数種類の金属材料の積層膜とすることができる。例えば、ＳＵＳ膜を形成した上にＣｕ膜を形成し、さらにその上にＳＵＳ膜を形成する積層構造の電磁波シールド膜が知られている。

電磁波シールド膜において、充分なシールド効果を得るためには、電気抵抗率を低くすることが必要となる。このため、電磁波シールド膜は、ある程度の厚みが要求される。電子部品においては、一般的には、１μｍ～１０μｍ程度の膜厚があれば良好なシールド特性が得られるものとされている。上記のＳＵＳ、Ｃｕ、ＳＵＳの積層構造の電磁波シールド膜では、１μｍ～５μｍ程度の膜厚があれば、良好なシールド効果が得られることが知られている。

特開２０１２－３３７６４号公報

電子部品のパッケージに対する電磁波シールド膜の形成方法としては、めっき法が知られている。しかし、めっき法は、前処理工程、めっき処理工程、および、水洗のような後処理工程等の湿式工程を必要とすることから、電子部品の製造コストの上昇が避けられない。

そこで、乾式工程であるスパッタリング法が注目されている。スパッタリング法による成膜装置としては、プラズマを用いて成膜を行うプラズマ処理装置が提案されている。プラズマ処理装置は、ターゲットを配置した真空容器に不活性ガスを導入し、直流電圧を印加する。プラズマ化した不活性ガスのイオンを、成膜材料のターゲットに衝突させ、ターゲットから叩き出された材料をワークに堆積させて成膜を行う。

ところで、従来から、磁気異方性を持つ強磁性体膜を、容易軸方向が直交するように積層させると、高い電磁波シールド効果が得られることが知られている（特許文献１参照）。磁気異方性とは、磁性体の結晶の方位によって、磁気的性質が異なっていることをいう。容易軸方向とは、磁化されやすい方位であり、困難軸方向とは、磁化され難い方位である。第１の強磁性体層および第２の強磁性体層を、互いの容易軸方向が異なる方向に形成することにより、シールド特性が向上する。

しかしながら、このような電磁波シールド膜を形成する装置は、未だ確立されていなかった。例えば、特許文献１には、容易軸方向を直交させる方法として、容易軸方向へと磁界を印加しながら、ワークに対してスパッタリングを行うことにより第１の強磁性体層を成膜後、ワークを９０度回転させて第２の強磁性体層を成膜することが記載されている。

但し、特許文献１には、このようなスパッタリングを行うための具体的な装置構成については、何ら記載されていない。また、このような電磁波シールド膜を形成した製品が存在しないことから、量産品として製造することができる装置は未だ存在していないと考えられる。

本発明は、異なる容易軸方向を含む電磁波シールド層を容易に形成できる成膜装置を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明の成膜装置は、
強磁性材料である成膜材料を含むターゲットを備えるスパッタ源を有し、スパッタリングによりワークの表面に前記成膜材料を堆積させて成膜する複数の成膜処理部と、
前記ワークを搬送することにより、前記複数の成膜処理部の少なくとも一つの成膜領域と、非成膜領域とを繰り返し通過させる搬送部と、
を有し、
前記複数の成膜処理部のうちの少なくとも一つの成膜処理部は、前記成膜領域を通過する前記ワークの前記成膜処理部と向き合う面に略平行な第１の方向の磁束を含む磁界を形成する第１の磁性部を有し、
他の少なくとも一つの成膜処理部は、前記ワークの前記成膜処理部と向き合う面に略平行で、前記第１の方向に交差する第２の方向の磁束を含む磁界を形成する第２の磁性部と、
を有し、
前記第１の磁性部と前記第２の磁性部は、前記ワークとは反対側であって前記ターゲットと対向する位置に配置され、前記成膜領域に漏洩磁界を生じさせ、前記第１の方向の磁束及び前記第２の方向の磁束は、前記ワークが前記成膜領域を脱する前の最後に通過する磁束であって、前記成膜材料の容易軸方向を揃える大きさの磁束密度の磁束であること、を特徴とする成膜装置。

前記ワークの前記成膜処理部と向き合う面において、前記第１の方向と前記第２の方向は略直交していてもよい。

前記第１の方向と、前記第２の方向は、前記ワークの搬送経路に対して略４５°であってもよい。

前記第１の磁性部は、前記第１の方向に並んだ複数の磁性部材を有し、前記第２の磁性部は、前記第２の方向に並んだ複数の磁性部材を有していてもよい。

前記第１の磁性部が有する複数の磁性部材を、前記ターゲットの平面に垂直な方向の回転軸で、同位相で偏心回転させる第１の駆動部と、
前記第２の磁性部が有する複数の磁性部材を、前記ターゲットの平面に垂直な方向の回転軸で、同位相で偏心回転させる第２の駆動部と、を有していてもよい。

前記第１の磁性部は前記第１の方向に略平行な長尺の磁性部材を有し、前記第２の磁性部は前記第２の方向に略平行な長尺の磁性部材を有していてもよい。

前記搬送部は、前記ワークを円周の軌跡で循環搬送させてもよい。

本発明によれば、異なる容易軸方向を含む電磁波シールド層を容易に形成できる。

実施形態の電子部品を示す模式断面図である。 実施形態の電磁波シールド膜の磁化工程を側面方向から見た説明図である。 実施形態の電磁波シールド膜の磁化工程を平面方向から見た説明図である。 実施形態の成膜装置の透視斜視図である。 実施形態の成膜装置の透視平面図である。 図５のＡ－Ａ模式縦断面図である。 電子部品が配置されたトレイを示す斜視図である。 図７の載置部を示す斜視図である。 スパッタ源の内部構造を示す透視側面図である。 スパッタ源の磁石の構成を示す一部断面図である。 複数の磁石の位相が一致するように回転させた例を示す説明図である。 実施形態の磁性部が形成する等磁界線を示す説明図である。 搬送経路に磁性部材を直交する方向と平行な方向に並べた例を示す説明図である。 複数の磁石の位相が異なるように回転させた例を示す説明図である。 実施形態の制御装置を示すブロック図である。 搬送部による搬送過程で電子部品のシールド層が磁化される様子を示す説明図である。 電子部品の天面に形成される電磁波シールド膜の分解斜視図である。 天面に電磁波シールド膜が形成された電子部品を示す斜視図である。 長尺の磁石を用いた磁性部を示す説明図である。 図１９の磁性部が形成する等磁界線を示す説明図である。

本発明の実施の形態（以下、本実施形態と呼ぶ）について、図面を参照して具体的に説明する。

［電子部品］
図１に示すように、本実施形態の成膜対象となるワークは、電子部品１０である。電子部品１０は、素子１１を封止したパッケージ１２を有する。素子１１は、半導体チップ、ダイオード、トランジスタ、コンデンサ、ＳＡＷフィルタ等の表面実装部品である。以下の説明では、半導体チップを素子１１とした例で説明する。ここでいう半導体チップは、複数の電子素子を集積化した集積回路として構成されたものである。

素子１１は、基板１４の表面に搭載されている。基板１４は、セラミック、ガラス、エポキシ樹脂等からなる板の表面に、回路パターンが形成されている。素子１１と回路パターンとは、はんだにより接続されている。

基板１４の素子１１が実装された表面は、素子１１を覆うように、合成樹脂によって封止することにより、パッケージ１２が構成されている。パッケージ１２の形状は略直方体形状である。

本実施形態は、上記のような電子部品１０の天面１２ａ及び側面１２ｂに、電磁波シールド膜１３を形成する。つまり、天面１２ａ及び側面１２ｂが、成膜される表面である。電磁波シールド膜１３は、導電性の材料により形成された電磁波を遮蔽する膜である。シールド効果を得るためには、電磁波シールド膜１３は、少なくともパッケージ１２の天面１２ａに形成されていればよい。側面１２ｂの電磁波シールド膜１３は接地のためである。なお、パッケージ１２の天面１２ａとは、製品に実装される面と反対側の外表面である。

天面１２ａは、水平に載置された場合には、最も高い位置にある上面となるが、実装された場合に上方を向く場合も、上方を向かない場合もある。側面１２ｂは、天面１２ａに対して異なる角度で形成された外周面である。天面１２ａと側面１２ｂとの間は角を形成していても、曲面により連続していてもよい。

さらに、パッケージ１２の天面１２ａと反対側の底面は、素子１１が外部との電気的な接続を行う電極１１ａを有する電極形成面１２ｃとなっている。本実施形態の電極１１ａは、ＢＧＡ等の球状又は半球状である。なお、電極形成面１２ｃは、電極１１ａの表面も含む。

［異なる方向の容易軸方向の強磁性体層とすることが有効な理由］
電磁波のシールド効果は、容易軸方向に交差する方向の電磁波に対して有効となる。このシールド効果は、容易軸方向に直交する方向の電磁波に対して最大となり、容易軸方向に平行な方向の電磁波に対してはほとんど働かない。電磁波の方向は、電子部品１０の基板１４上の信号線の方向によって決まる。信号線の方向は種々異なるため、電磁波の方向も様々である。すると、容易軸方向が直交する層を重ねることにより、いずれかの層の容易軸方向が、電磁波に交差することになる。これにより、あらゆる方向の電磁波に対してシールド効果が得られるので、全体としてのシールド性能を向上させることができる。

［成膜面における容易軸方向を均一に揃えることが難しい理由］
以上のことから、各層の容易軸方向を均一に揃えるとともに、複数の層の容易軸方向が互いに直交していることが好ましい。しかし、このような製品が存在しないということは、電磁波シールド膜の容易軸方向を制御することには、何等かの困難性があると考えられる。その理由について、発明者は、スパッタリングによる成膜において、電磁波シールド膜の容易軸方向が定着する際の磁束密度は、成膜材料によって異なり、成膜対象となる面における磁界のすべての方向が同じ方向でない場合には、容易軸方向が揃う箇所と揃わない箇所が生じてしまうためと推察した。

［本実施形態による成膜方法］
発明者は、容易軸方向が均一となる成膜方法を、鋭意検討した。まず、容易軸方向を同一面内で一定方向に揃えるという課題からは、成膜中の成膜対象は、一定方向の磁界が与えられた成膜領域に置き続けることが技術常識である。成膜領域とは、成膜材料が堆積して膜を形成する領域である。非成膜領域とは、成膜材料が膜を形成する程度に堆積しない領域である。成膜中に、成膜対象を磁界や成膜領域から離脱させる、つまり非成膜領域に移動させるような手法は、成膜対象に対する磁界の方向や磁束密度の変化が大きくなり、一定の均一な容易軸方向とすることが困難になると考えられるためである。例えば、特許文献１には、容易軸方向を直交させる方法として、容易軸方向へと磁界を印加しながらスパッタリングを行うことにより第１の強磁性体層を成膜すること、その後、磁界の方向を異なる方向にするためにワークを９０度回転させて第２の強磁性体層を成膜することが記載されている。つまり、各層を成膜している間は、成膜面に対する磁界の方向は一定である。

しかし、発明者は、このような技術常識に反して、成膜領域と非成膜領域を繰り返し通過させながらスパッタリングにより電磁波シールド膜を成膜することを試みた。また、磁界によってプラズマを制御するマグネトロンスパッタリングにおいて、スパッタ源は、磁性体である磁石を備える。この磁石による漏洩磁界と容易軸を揃えるための磁場印加装置による磁界との干渉を考慮しつつ、成膜面全体において磁界の方向を全て同じ方向とすることは難しい。そこで、発明者は、電磁波シールド膜の磁化と磁界との関係を調べるため、成膜領域に印加される磁界を１つとした。つまり、磁場印加装置を設けずに、漏洩磁界のみを与えることで容易軸方向を揃えることを試みた。なお、漏洩磁界とは、装置に搭載された磁気回路によって生じる磁界のうち、本来の目的とする箇所以外に及んだ磁界をいう。本実施形態においては、マグネトロンスパッタ用の磁石によって生じる磁界のうち、マグネトロンスパッタの放電領域以外に及んだものを、漏洩磁界と呼ぶ。

そして、鋭意検討した結果、磁束密度がある値以上となる磁束を通過して、成膜領域を脱した時に、その磁束の手前に当該磁束よりも磁束密度の高い磁束が存在していたとしても、堆積した成膜材料の容易軸方向が、当該磁束における磁界の方向に揃うことを発見した。すなわち、成膜領域に形成されている磁束のうち、電子部品１０が最後に通過したある値以上の磁束密度の磁束によって、電子部品１０に堆積した成膜材料の容易軸方向が支配されることを発見した。言い換えれば、成膜領域中に存在する磁束における磁界の方向や磁束密度がどうであれ、電子部品１０のスパッタ源と向き合う面が成膜領域を脱する前の最後に通過するある値以上の磁束密度の磁束における磁界の方向さえ所望の方向を向くようしておけば、成膜領域と非成膜領域を繰り返し通過する毎に、堆積する成膜材料の容易軸方向が揃うので、成膜される層の全体が、同じ磁束の磁束密度とその方向によって、同じ容易軸方向となることを見出した。ここでいう「ある値以上の磁束密度」とは、成膜材料の容易軸方向を揃えることのできる大きさの磁束密度のことをいう。

例えば、電子部品１０の側面方向から見た図２及び平面方向から見た図３に示すように、スパッタリングによる電子部品１０への成膜材料ｍの堆積中の成膜領域Ｃに磁界Ｆを生じさせて、成膜対象である電子部品１０を、黒塗りの矢印で示す搬送方向に通過させる。磁界Ｆ中のＬ１～Ｌｔの矢印は、等磁束密度の各磁束を示した仮想の線である。磁束Ｌ１～Ｌｔのうち、磁束Ｌｔは、成膜材料ｍの容易軸方向を一方向に揃える大きさの磁束密度の磁束のうち、成膜領域Ｃを脱する前の最後に通過する磁束である。例えば、ＮｉＦｅの場合、その磁束密度の大きさは約１ｍＴである。この磁束Ｌｔを通過して成膜領域Ｃを脱した後は、磁化方向は変化せずに定着する。以下の説明では、このＬｔを、定着磁束と呼ぶ。

なお、「磁界」は磁石によって生じる磁場である。「磁束」は磁界中に生じる磁力線の束である。「磁界」は、「磁束」が３次元に広がって生じている。本実施形態において利用している「磁界」は、上記のように「漏洩磁界」である。但し、「漏洩磁界」において３次元に広がって生じている「磁束」のうち、容易軸方向を揃える機能を発揮する磁束は、成膜材料ｍに磁気異方性を付与することができる磁束密度を有し、成膜材料ｍに磁気異方性を付与できる位置に存在する磁束である。膜が形成される面の近くにあっても、成膜材料ｍに磁気異方性を付与できない磁束密度の磁束は、容易軸方向を揃える機能を発揮できない。また、成膜材料ｍに磁気異方性を付与できる磁束密度を有していても、成膜材料ｍの磁気異方性を付与できないほど、成膜領域Ｃを脱する前の最後に通過する位置から離れた位置にある磁束は、容易軸方向を揃える機能を発揮できない。容易軸方向を揃える機能を発揮する磁束のうち、電子部品１０が成膜領域Ｃを脱する前の最後に通過する磁束が上述の定着磁束Ｌｔである。

図３において、白塗りの矢印は成膜材料の容易軸方向を示す。図２（Ａ）に示すように、スパッタリング中の電子部品１０が磁界中を通過している間は、図３（Ａ）に示すように、一表面に堆積した成膜材料の容易軸方向は定まらない。そして、図２（Ｂ）及び図３（Ｂ）に示すように、磁界Ｆ端の定着磁束Ｌｔを通過して、成膜領域Ｃを脱した時点で、定着磁束Ｌｔによって揃った方向に磁化される。つまり、電子部品１０が成膜領域Ｃから非成膜領域Ｄを通過する毎に、定着磁束Ｌｔによって、一表面に堆積した成膜材料の容易軸方向が均一に揃うことになる。これを繰り返し行うことにより、容易軸方向が揃ったシールド層が形成される。

さらに、上記と異なる方向の磁界の成膜領域Ｃと非成膜領域Ｄとを繰り返し通過させることにより、同様の原理によって、先の成膜の容易軸方向と異なる方向のシールド層を形成することができる。以下、この技術を実現するための成膜装置を説明する。

［成膜装置］
本実施形態の成膜装置１を、図４～図１３を参照して説明する。本実施形態の成膜装置１は、各電子部品１０のパッケージ１２の外表面に、スパッタリングにより電磁波シールド膜１３を形成する装置である。成膜装置１は、図５及び図６に示すように、後述の回転テーブル３１が回転すると、保持部３３に保持されたトレイ３４上の電子部品１０が、円周の軌跡で移動して、スパッタ源４に対向する位置を通過するときに、ターゲット４１からスパッタされた粒子を付着させて成膜する装置である。

成膜装置１は、図４～図６に示すように、チャンバ２０、搬送部３０、成膜処理部４０Ａ～４０Ｄ、表面処理部５０、ロードロック部６０、制御装置７０を有する。

［チャンバ］
チャンバ２０は、反応ガスＧが導入される容器である。反応ガスＧは、スパッタ用のスパッタガスＧ１、各種処理用のプロセスガスＧ２を含む（図６参照）。以下の説明では、スパッタガスＧ１、プロセスガスＧ２を区別しない場合には、反応ガスＧと呼ぶ場合がある。スパッタガスＧ１は、電力の印加により生じるプラズマにより、発生するイオン等をターゲット４１に衝突させて、電子部品１０のパッケージ１２にスパッタリングを実施するためのガスである。例えば、アルゴンガス等の不活性ガスを、スパッタガスＧ１として用いることができる。

プロセスガスＧ２は、エッチングやアッシングによる表面処理を行うためのガスである。以下、このような表面処理を、逆スパッタと呼ぶ場合がある。プロセスガスＧ２は、処理の目的によって適宜変更可能である。例えば、エッチングを行う場合は、エッチングガスとしてアルゴンガス等の不活性ガスを用いることができる。本実施形態においては、アルゴンガスによって、電子部品１０の表面の洗浄と、粗面化処理を行う。例えば、表面を洗浄およびナノオーダーで粗面化処理を行うことにより、膜の密着力を高めることができる。

チャンバ２０の内部の空間は真空室２１を形成している。この真空室２１は、気密性があり、減圧により真空とすることができる空間である。例えば、図４及び図６に示すように、真空室２１は、チャンバ２０の内部の天井２０ａ、内底面２０ｂ及び内周面２０ｃによって形成される円柱形状の密閉空間である。

チャンバ２０は、図６に示すように、排気口２２、導入口２４を有する。排気口２２は、真空室２１と外部との間で気体の流通を確保して、排気Ｅを行うための開口である。この排気口２２は、例えば、チャンバ２０の底部に形成されている。排気口２２には、排気部２３が接続されている。排気部２３は、配管及び図示しないポンプ、バルブ等を有する。この排気部２３による排気処理により、真空室２１内は減圧される。

導入口２４は、真空室２１のターゲット４１の近傍に、スパッタガスＧ１を導入するための開口である。この導入口２４には、ガス供給部２５が接続されている。ガス供給部２５は、各ターゲット４１に対して１つずつ設けられている。また、ガス供給部２５は、配管の他、図示しない反応ガスＧのガス供給源、ポンプ、バルブ等を有する。このガス供給部２５によって、導入口２４から真空室２１内にスパッタガスＧ１が導入される。なお、チャンバ２０の上部には、後述するように、表面処理部５０が挿入される開口２１ａが設けられている。

［搬送部］
搬送部３０は、チャンバ２０内に設けられ、電子部品１０を円周の軌跡で循環搬送する装置である。循環搬送は、電子部品１０を搭載したトレイ３４を円周の軌跡で周回移動させることをいう。搬送部３０によってトレイ３４が移動する軌跡を、搬送経路Ｐと呼ぶ。搬送部３０は、回転テーブル３１、モータ３２、保持部３３を有する。また、保持部３３には、後述する載置部３５を搭載したトレイ３４が保持される。

回転テーブル３１は、円形の板である。モータ３２は、回転テーブル３１に駆動力を与え、円の中心を軸として回転させる駆動源である。保持部３３は、搬送部３０により搬送されるトレイ３４を保持する構成部である。回転テーブル３１の天面には、複数の保持部３３が円周等配位置に配設されている。例えば、各保持部３３がトレイ３４を保持する領域は、回転テーブル３１の周方向の円の接線に平行な向きで形成され、かつ、周方向において等間隔に設けられている。より具体的には、保持部３３は、トレイ３４を保持する溝、穴、突起、治具、ホルダ等である。メカチャック、粘着チャックによって構成することができる。

トレイ３４は、図７に示すように、載置部３５を載置して、チャンバ２０内の搬送部３０によって搬送される部材である。トレイ３４は、載置部３５が載置される平坦な載置面３４ａを有する。載置面３４ａは、方形状の平板の一方の平面である。載置面３４ａの周縁部には、周壁部３４ｂが形成されている。周壁部３４ｂは、載置面３４ａを囲う方形状に隆起した枠である。トレイ３４の材質としては、熱伝導性の高い材質、例えば、金属とすることが好ましい。本実施形態では、トレイ３４の材質をＳＵＳとする。なお、トレイ３４の材質は、例えば、熱伝導性の良いセラミクスや樹脂、または、それらの複合材としてもよい。

載置部３５は、図８に示すように、支持部材３５１、フレーム３５２を有する。支持部材３５１は、図８（Ａ）に示すように、平坦なシートであり、一方の面に粘着性を有する粘着面３５１ａを有する。粘着面３５１ａは、支持部材３５１の一方の面の全体に亘る。粘着面３５１ａは、電子部品１０を貼り付けるための貼付領域Ｓを有する。本実施形態では、支持部材３５１は方形であり、貼付領域Ｓは支持部材３５１の外縁よりも小さな方形状の領域である。但し、貼付領域Ｓを支持部材３５１の全面とすることもできる。

支持部材３５１の材質としては、耐熱性のある合成樹脂とすることができる。例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＩ（ポリイミド）などを用いることができるが、これらには限定されない。

粘着面３５１ａは、支持部材３５１の表面に対して接着剤を適用するか、表面に接着性を生じさせた接着面とすることができる。接着剤又は接着面の材質となる粘着材としては、例えば、シリコーン系、アクリル系の樹脂、その他、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂など、粘着性のある種々の材料を使用できる。支持部材３５１の他方の面は、粘着性を有しない非粘着面３５１ｂである。非粘着面３５１ｂは、例えば、円滑性のある面とすることができる。

フレーム３５２は、図８（Ｂ）に示すように、支持部材３５１の粘着面３５１ａに貼り付けられ、貼付領域Ｓの外縁の一部又は全部を画する部材である。フレーム３５２の材質としては、熱伝導性の高い材質、例えば、金属とすることが好ましい。本実施形態では、フレーム３５２の材質をＳＵＳとする。なお、トレイ３４と同様に、フレーム３５２の材質を、例えば、熱伝導性の良いセラミクスや樹脂、または、それらの複合材としてもよい。フレーム３５２の材質は、トレイ３４の材質と一致していても、相違していてもよい。本実施形態のフレーム３５２は、貼付領域Ｓを囲み、貼付領域Ｓの外縁の全部を規定する。フレーム３５２は、方形状の板状部材であり、中央に方形状の貫通孔３５２ａが形成されている。この貫通孔３５２ａの内縁が、貼付領域Ｓの外縁に一致する。フレーム３５２の外形は、支持部材３５１の外形と一致する。

支持部材３５１の粘着面３５１ａは、フレーム３５２の底面に、互いの外形が一致して、貫通孔３５２ａの底面側を塞ぐように貼り付けられている。このため、フレーム３５２の天面側の貫通孔３５２ａからは、粘着面３５１ａの貼付領域Ｓが露出している。

複数の電子部品１０は、図８に示すように、フレーム３５２内の露出した貼付領域Ｓの上に貼り付けられる。複数の電子部品１０は、天面１２ａのみならず、側面１２ｂにも膜が形成されるように、間隔を空けてマトリクス状に整列配置される。

つまり、複数の電子部品１０は、載置部３５の粘着面３５１ａの貼付領域Ｓ内に、電極形成面１２ｃがマトリクス状に貼り付けられる。このような載置部３５を複数用意して、後述するトレイ３４の載置面３４ａに載置する（図７参照）。但し、載置部３５は、単一でトレイ３４に載置されていてもよい。

載置部３５をトレイ３４に載置して、成膜装置１内でスパッタリングによる成膜を行うことにより、図１（Ｂ）に示すように、電極形成面１２ｃ以外の電子部品１０のパッケージ１２、つまり天面１２ａ及び側面１２ｂに、電磁波シールド膜１３を形成することができる。つまり、電子部品１０の電極形成面１２ｃは、支持部材３５１の粘着面３５１ａに覆われているため、外部に露出していない。このため、成膜材料が、電子部品１０の電極形成面１２ｃに回り込んで付着することを防止できる。

このように、保持部３３に保持されるトレイ３４、載置部３５によって、電子部品１０が回転テーブル３１上に位置決めされる。なお、本実施形態では、保持部３３は６つ設けられているため、回転テーブル３１上には６０°間隔で６つのトレイ３４が保持される（図４及び図５参照）。但し、保持部３３は、一つであっても、複数であってもよい。

［成膜処理部］
成膜処理部４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃ、４０Ｄは、搬送部３０により搬送される電子部品１０に成膜を行う処理部である。以下、複数の成膜処理部４０Ａ～４０Ｄを区別しない場合には、成膜処理部４０として説明する。成膜処理部４０は、図６に示すように、スパッタ源４、区切部４４、電源部４５を有する。

（スパッタ源）
スパッタ源４は、電子部品１０にスパッタリングにより成膜材料を堆積させて成膜する成膜材料の供給源である。スパッタ源４は、ターゲット４１、バッキングプレート４２、電極４３を有する。ターゲット４１は、電子部品１０に堆積されて膜となる成膜材料によって形成され、搬送経路Ｐに離隔して対向する位置に設けられている。本実施形態のターゲット４１は、図５に示すように、２つのターゲット４１Ａ、４１Ｂが搬送経路Ｐに直交する方向、つまり回転テーブル３１の回転の半径方向に並んでいる。以下、ターゲット４１Ａ、４１Ｂを区別しない場合には、ターゲット４１とする。ターゲット４１の底面側は、搬送部３０により移動する電子部品１０に、離隔して対向する。なお、回転テーブル３１の径方向におけるトレイ３４の大きさよりも、２つのターゲット４１Ａ、４１Ｂによって、成膜材料を付着させることができる実行領域である処理領域の方が大きい。

成膜材料は、例えば、ＮｉＦｅ、Ｃｕ、ＳＵＳなどを使用することができる。但し、スパッタリングにより成膜される材料であれば、種々の材料を適用可能である。また、ターゲット４１は、例えば、円柱形状である。但し、長円柱形状、角柱形状等、他の形状であってもよい。

バッキングプレート４２は、ターゲット４１を保持する部材である。電極４３は、チャンバ２０の外部からターゲット４１に電力を印加するための導電性の部材である。なお、スパッタ源４には、必要に応じて冷却機構などが適宜具備されている。

さらに、スパッタ源４には、図９～図１１に示すように、磁性部１００が設けられている。磁性部１００は、成膜対象の一表面に略平行な第１の方向の磁束を含む磁界を形成する部材である。ここでいう一表面は、成膜領域Ｃを通過する成膜対象の成膜処理部４０と向き合う面である。成膜対象の一表面に略平行な磁束とは、磁界中、当該一表面に平行又は平行に近似した成分の磁束である。本実施形態では、当該一表面は、電子部品１０の天面１２ａである。磁性部１００は、ターゲット４１Ａ、４１Ｂに対応した磁性部材１１０Ａ、１１０Ｂを有する。以下、磁性部材１１０Ａ、１１０Ｂを区別しない場合には、磁性部材１１０とする。

磁性部材１１０は、図１０に示すように、磁石１１１、１１２によって構成されている。磁石１１１、１１２は、リング状の永久磁石である。磁石１１１の径よりも、磁石１１２の径は小さい。磁石１１１、１１２は、支持板１１３の下面に同軸に且つ、互いの磁極が逆となるように固定されている。支持板１１３は、磁石１１１と略同径の円板状の非磁性材料からなる部材である。

支持板１１３の上面には、磁石１１１、１１２の軸から偏心した位置に、駆動部であるモータ１２０Ａ、１２０Ｂの回転軸が接続されている。これにより、磁性部材１１０Ａ、１１０Ｂは、ターゲット４１Ａ、４１Ｂの平面と平行な平面を偏心回転する。

このような偏心回転する磁性部１００によって、バッキングプレート４２及びターゲット４１を介して、後述する成膜領域Ｃ（図６参照）に、漏洩磁界が形成される。漏洩磁界は、電子部品１０の天面１２ａと略平行な磁束を含む磁界Ｆである（図１０、図２参照）。この磁界Ｆによって、スパッタリングにより堆積する成膜材料が磁化される。

（区切部）
区切部４４は、スパッタ源４により電子部品１０が成膜される成膜ポジションＭ１～Ｍ４、表面処理を行う処理ポジションＭ５を仕切る部材である。以下、成膜ポジションＭ１～Ｍ４を区別しない場合には、成膜ポジションＭとして説明する。区切部４４は、図５に示すように、搬送経路Ｐの円周の中心、つまり搬送部３０の回転テーブル３１の回転中心から、放射状に配設された方形の壁板４４ａ、４４ｂを有する。壁板４４ａ、４４ｂは、例えば、真空室２１の天井に、ターゲット４１を挟む位置に設けられている。区切部４４の下端は、電子部品１０が通過する隙間を空けて、回転テーブル３１に対向している。この区切部４４があることによって、反応ガスＧ及び成膜材料が真空室２１に拡散することを抑制できる。

成膜ポジションＭは、スパッタ源４のターゲット４１を含み、区切部４４で区切られた空間である。より具体的には、図５に示すように、成膜ポジションＭ１～Ｍ４、処理ポジションＭ５は、平面方向から見て、区切部４４の壁板４４ａ、４４ｂと、チャンバ２０の内周面２０ｃ、内周壁の外面２７によって扇形に囲まれた空間である。成膜ポジションＭ１～Ｍ４、処理ポジションＭ５の水平方向の範囲は、一対の壁板４４ａ、４４ｂによって区切られた領域となる。なお、成膜ポジションＭにおけるターゲット４１に対向する位置を通過する電子部品１０に、成膜材料が膜として堆積する。この成膜ポジションＭは、成膜の大半が行われる領域であるが、成膜ポジションＭから外れる領域であっても、成膜ポジションＭからの成膜材料の漏れはあるため、全く膜の堆積がないわけではない。つまり、図６に示すように、各成膜処理部４０において成膜が行われる成膜領域Ｃは、壁板４４ａ、４４ｂで画される成膜ポジションＭよりもやや広い領域となる。

（電源部）
電源部４５は、ターゲット４１に電力を印加する構成部である。この電源部４５によってターゲット４１に電力を印加することにより、スパッタガスＧ１をプラズマ化させ、成膜材料を、電子部品１０に堆積させることができる。本実施形態においては、電源部４５は、例えば、高電圧を印加するＤＣ電源である。なお、高周波スパッタを行う装置の場合には、ＲＦ電源とすることもできる。回転テーブル３１は、接地されたチャンバ２０と同電位であり、ターゲット４１側に高電圧を印加することにより、電位差を発生させている。

複数の成膜処理部４０は、成膜材料を選択的に堆積させることにより、複数の成膜材料の層から成る膜を形成する。特に、本実施形態では、異なる種類の成膜材料に対応するスパッタ源４を含み、成膜材料を１種ずつ選択的に堆積させることにより、複数種類の成膜材料の層から成る膜を形成する。異なる種類の成膜材料に対応するスパッタ源４を含むとは、全ての成膜処理部４０の成膜材料が異なる場合も、複数の成膜処理部４０が共通の成膜材料であるが、他がこれと異なる場合も含む。成膜材料を１種ずつ選択的に堆積させるとは、いずれか１種の成膜材料の成膜処理部４０が成膜を行う間、他の成膜材料の成膜処理部４０は成膜を行わないことをいう。また、成膜中の成膜処理部４０または成膜ポジションＭとは、成膜処理部４０のターゲット４１に電力が印加され、電子部品１０に成膜が行える状態にある成膜処理部４０または成膜ポジションＭのことをいう。

本実施形態では、図５に示すように、搬送経路Ｐの搬送方向に、４つの成膜処理部４０Ａ～４０Ｄが配設されている。４つの成膜処理部４０Ａ～４０Ｄに、成膜ポジションＭ１～Ｍ４が対応している。これらの成膜処理部４０Ａ～４０Ｄのうち、２つの成膜処理部４０Ａ、４０Ｃは、成膜材料が強磁性体である。つまり、成膜処理部４０Ａ、４０Ｃのスパッタ源４は、強磁性体から成るターゲット４１を備えている。強磁性体としては、例えば、ＮｉＦｅを用いる。

成膜処理部４０Ｂは、成膜材料がＳＵＳである。つまり、成膜処理部４０Ｂのスパッタ源４は、ＳＵＳから成るターゲット４１を備えている。成膜処理部４０Ｄは、成膜材料がＣｕである。つまり、成膜処理部４０Ｄのスパッタ源４は、Ｃｕから成るターゲット４１を備えている。本実施形態では、成膜処理部４０Ａ～４０Ｄのいずれかが成膜処理を行っている間は、他のいずれかの成膜処理部４０Ａ～４０Ｄは成膜処理を行わない。

さらに、成膜処理部４０Ａ～４０Ｄのうちの一つの成膜処理部４０Ａは、磁性部材１１０Ａ、１１０Ｂが、電子部品１０の天面１２ａに沿う第１の方向の磁束を含む磁界Ｆを形成する。そして、他の一つの成膜処理部４０Ｃは、磁性部材１１０Ａ、１１０Ｂが、電子部品１０の天面１２ａに、第１の方向に交差する第２の方向の磁束を含む磁界Ｆを形成する。本実施形態では、天面１２ａに形成される第１の方向の磁束と第２の方向の磁束とは略直交する。略直交とは、直交及び直交に近似した角度を含む。図１１に、成膜処理部４０Ａ、４０Ｃの磁性部１００によって形成される磁束の方向として、定着磁束Ｌｔ１、Ｌｔ２を示す。定着磁束Ｌｔ１、Ｌｔ２は、成膜処理部４０Ａ、４０Ｃの磁性部１００によって形成される磁束のうち、上記の定着磁束Ｌｔに対応する磁束である。なお、本実施形態では、成膜処理部４０Ａの磁性部１００を磁性部１００Ａ（第１の磁性部）とし、成膜処理部４０Ｃの磁性部１００を磁性部１００Ｃ（第２の磁性部）とする。

このような定着磁束Ｌｔ１、Ｌｔ２を形成するために、本実施形態では、成膜処理部４０Ａの磁性部１００Ａの磁性部材１１０Ａと磁性部材１１０Ｂは、第１の方向に並んでいる。成膜処理部４０Ｃの磁性部１００Ｃの磁性部材１１０Ａと磁性部材１１０Ｂは、第２の方向に並んでいる。磁性部材１１０Ａと磁性部材１１０Ｂの並び方向は、両者の共通接線又は両者の径の中心を結ぶ直線の方向である。

なお、図１１に示すように、搬送経路Ｐが直線状の場合には、成膜処理部４０Ａの磁性部材１１０Ａ、１１０Ｂの並び方向と、成膜処理部４０Ｃの磁性部材１１０Ａ、１１０Ｂの並び方向とが略直交する方向であれば、両者の定着磁束Ｌｔ１、Ｌｔ２は略直交する方向になる。しかし、本実施形態では、搬送経路Ｐが円環状であるため、成膜処理部４０Ａの磁性部材１１０Ａ、１１０Ｂの並び方向と、成膜処理部４０Ｃの磁性部材１１０Ａ、１１０Ｂの並び方向とは直交する方向とはならない（図１６参照）。つまり、成膜される一表面である天面１２ａにおいては、第１の方向、第２の方向は略直交する方向となるが、第１の方向と第２の方向のみを比較した場合に必ずしも直交するわけではない。

また、本実施形態の磁性部１００の構成では、成膜対象、つまり電子部品１０の天面１２ａに平行な漏洩磁界Ｆ中において、等磁束密度の磁束を線で示した等磁界線に含まれる磁束Ｌｎ（図２、図３における磁束Ｌ１～Ｌｔに相当する）は、図１２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、一対の略円環形状の線が繋がることにより中央が縊れた瓢箪状となる。全体的には、第１の方向である定着磁束Ｌｔ１の方向と、第２の方向である定着磁束Ｌｔ２の方向とは、一対の略円環形状の円周に接する共通の接線とほぼ同一となる。

但し、等磁界線における各磁束は曲線状であるため、局所的、微視的に見ると、定着磁束Ｌｔ１、Ｌｔ２の方向は、磁界Ｆの周縁中の各位置によって異なる。しかし、多数ある電子部品１０のうちの一つの電子部品１０の天面１２ａが通過する経路に着目すると、この経路における成膜処理部４０Ａの定着磁束Ｌｔ１と成膜処理部４０Ｂの定着磁束Ｌｔ２を局所的、微視的に見れば、上記の略直交する関係が成立しているといえる。

なお、搬送経路Ｐは円環状であるので、電子部品１０の天面１２ａは、成膜領域Ｃを円弧状の軌跡で通過する。このため、天面１２ａは、定着磁束Ｌｔに対する角度を僅かに変化させながら移動する。このような場合であっても、天面１２ａの電磁波シールド膜１３の磁化方向は略平行とする。さらに、上記の各電子部品１０における同一箇所の磁束は同様の傾向を示すので、磁化方向に略直交する関係が成立するといえる。

また、図１３に示すように、成膜処理部４０Ａの磁性部材１１０Ａ、１１０Ｂの並び方向と、成膜処理部４０Ｃの磁性部材１１０Ａ、１１０Ｂの並び方向は、一方を搬送経路Ｐに対して直交する方向として、他方を搬送経路Ｐに平行にすれば、互いに直交する方向となる。しかし、このように磁性部材１１０Ａ、１１０Ｂを配置した場合、定着磁束Ｌｔ２が搬送経路Ｐに平行となるため、成膜領域Ｃから非成膜領域Ｄを通過することにより、通過する面の全体の成膜材料の磁化方向を、一定の方向に定着させる機能を発揮できない。また、磁性部材１１０Ａ、１１０Ｂは、ターゲット４１Ａ、４１Ｂの配置に対応している。このため、搬送経路Ｐに直交する方向に磁性部材１１０Ａ、１１０Ｂを配置する場合、ターゲット４１Ａ、４１Ｂも、搬送経路Ｐに直交する方向となり、成膜領域Ｃの幅Ｗｌは長くなる。しかし、搬送経路Ｐに平行な方向に磁性部材１１０Ａ、１１０Ｂを配置する場合、ターゲット４１Ａ、４１Ｂも、搬送経路Ｐに平行な方向となり、成膜領域Ｃの幅Ｗｓは短くなってしまう。

したがって、本実施形態では、図１１（Ａ）に示すように、第１の方向及び第２の方向の搬送経路Ｐに対する角度αが、略４５°となるように構成されている。つまり、搬送経路Ｐに対する定着磁束Ｌｔ１と定着磁束Ｌｔ２の角度αが略４５°となるように、磁性部材１１０Ａ、１１０Ｂの並び方向の角度が、搬送経路Ｐに対して略４５°となっている。これにより、成膜領域Ｃの幅Ｗｍとして、上記のＷｌよりも短いが、Ｗｓよりも長くすることができ、成膜領域Ｃの狭小化を回避している。略４５°とは、厳密な４５°に限定されず、４５°に近似した値であればよい。また、本実施形態のように、搬送経路Ｐが円環状である場合には、搬送経路Ｐの接線方向に対して４５°であればよい。なお、天面１２ａ、つまり同一の成膜対象面上で第１の方向及び第２の方向が略直交するように、第１の方向の搬送経路Ｐに対する角度、第２の方向の搬送経路Ｐに対する角度は設定されていればよい。このため、この角度αは４５°には限定されない。第１の方向の搬送経路Ｐに対する角度、第２の方向の搬送経路Ｐに対する角度が異なっていてもよい。例えば、４５°に対して±１５°、つまり３０°～６０°であってもよいが、この角度には限定されない。但し、成膜処理部４０Ａ、４０Ｃの成膜領域Ｃの幅Ｗｍを共通にしつつ、可能なかぎり広く確保するという観点からは、略４５°とすることが好ましい。

さらに、図１４に示すように、偏心回転する磁性部材１１０Ａ、１１０Ｂの位相が揃っていない場合には、搬送経路Ｐに対する定着磁束Ｌｔ１、Ｌｔ２の角度が変化してしまう。すると、電磁波シールド膜中に様々な磁化方向の粒子が存在してしまうことになり、その結果、電磁波シールド膜中の容易軸方向を揃えることができなくなる。これに対処するため、本実施形態では、図１１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、各定着磁束Ｌｔ１、Ｌｔ２について同一角度を維持させるべく、磁性部材１１０Ａ、１１０Ｂの回転の位相が揃うように設定されている。これは、例えば、モータ１２０Ａ、１２０Ｂの回転軸により偏心回転する磁性部材１１０Ａ、１１０Ｂの平面方向の角度を揃えて、モータ１２０Ａ、１２０Ｂの動作タイミング及び回転速度が同期するように制御することにより実現できる。

［表面処理部］
表面処理部５０は、搬送部３０により搬送される電子部品１０に表面処理、つまり逆スパッタを行う処理部である。この表面処理部５０は、区切部４４により仕切られた、処理ポジションＭ５に設けられている。表面処理部５０は、処理ユニット５を有する。この処理ユニット５の構成例を図５及び図６を参照して説明する。

処理ユニット５は、チャンバ２０の上部から内部にかけて設けられた筒形電極５１を備えている。筒形電極５１は、角筒状であり、一端に開口部５１ａを有し、他端は閉塞されている。筒形電極５１は、開口部５１ａを有する一端が回転テーブル３１に向かうように、チャンバ２０の天面に設けられた開口２１ａに絶縁部材５２を介して取り付けられている。筒形電極５１の側壁はチャンバ２０の内部に延在している。

筒形電極５１の、開口部５１ａと反対端には、外方へ張り出すフランジ５１ｂが設けられている。絶縁部材５２が、フランジ５１ｂとチャンバ２０の開口２１ａの周縁との間に固定されることで、チャンバ２０の内部を気密に保っている。絶縁部材５２は絶縁性があればよく、特定の材料に限定されないが、例えば、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等の材料から構成することができる。

筒形電極５１の開口部５１ａは、回転テーブル３１の搬送経路Ｐと向かい合う位置に配置される。回転テーブル３１は、搬送部として、電子部品１０を搭載したトレイ３４を搬送して開口部５１ａに対向する位置を通過させる。なお、回転テーブル３１の径方向におけるトレイ３４の大きさよりも、筒形電極５１の開口部５１ａの方が大きい。

図５に示すように、筒形電極５１は平面方向から見ると回転テーブル３１の半径方向における中心側から外側に向けて拡径する扇形になっている。ここでいう扇形とは、扇子の扇面の部分の形を意味する。筒形電極５１の開口部５１ａも、同様に扇形である。回転テーブル３１上のトレイ３４が開口部５１ａに対向する位置を通過する速度は、回転テーブル３１の半径方向において中心側に向かうほど遅くなり、外側へ向かうほど速くなる。そのため、開口部５１ａが単なる長方形又は正方形であると、半径方向における中心側と外側とで電子部品１０が開口部５１ａに対向する位置を通過する時間に差が生じる。開口部５１ａを半径方向における中心側から外側に向けて拡径させることで、開口部５１ａを通過する時間を一定とすることができ、後述するプラズマ処理を均等にできる。ただし、通過する時間の差が製品上問題にならない程度であれば、長方形又は正方形でもよい。

上述したように、筒形電極５１はチャンバ２０の開口２１ａを貫通し、一部がチャンバ２０の外部に露出している。この筒形電極５１におけるチャンバ２０の外部に露出した部分は、図６に示すように、ハウジング５３に覆われている。ハウジング５３によって筒形電極５１から発生する電磁波を遮蔽することができる。筒形電極５１のチャンバ２０の内部に位置する部分、すなわち側壁の周囲は、シールド５４によって覆われている。

シールド５４は、筒形電極５１と同軸の扇形の角筒であり、筒形電極５１よりも大きい。シールド５４はチャンバ２０に接続されている。具体的には、シールド５４はチャンバ２０の開口２１ａの縁から立設し、チャンバ２０の内部に向かって延びた端部は、筒形電極５１の開口部５１ａと同じ高さに位置する。シールド５４は、チャンバ２０と同様にカソードとして作用するので、電気抵抗の少ない導電性の金属部材で構成すると良い。シールド５４はチャンバ２０と一体的に成型しても良く、あるいはチャンバ２０に固定金具等を用いて取り付けても良い。

シールド５４は筒形電極５１内でプラズマを安定して発生させるために設けられている。シールド５４の各側壁は、筒形電極５１の各側壁と所定の隙間を介して略平行に延びるように設けられる。なお、図６は、シールド５４及び筒形電極５１の半径方向に延びる２つの側壁面しか図示していないが、シールド５４及び筒形電極５１の周方向に延びる２つの側壁面の間も、半径方向の側壁面と同じ大きさの隙間が設けられている。

また、筒形電極５１にはプロセスガス導入部５５が接続されている。プロセスガス導入部５５は、配管の他、図示しないプロセスガスＧ２のガス供給源、ポンプ、バルブ等を有する。このプロセスガス導入部５５によって、筒形電極５１内にプロセスガスＧ２が導入される。プロセスガスＧ２は、上記のように、処理の目的によって適宜変更可能である。

筒形電極５１には、高周波電圧を印加するためのＲＦ電源５６が接続されている。ＲＦ電源５６の出力側には整合回路であるマッチングボックス５７が直列に接続されている。ＲＦ電源５６はチャンバ２０にも接続されている。ＲＦ電源５６から電圧を印加すると、筒形電極５１がアノードとして作用し、チャンバ２０、シールド５４及び回転テーブル３１がカソードとして作用する。マッチングボックス５７は、入力側及び出力側のインピーダンスを整合させることで、プラズマの放電を安定化させる。なお、チャンバ２０や回転テーブル３１は接地されている。チャンバ２０に接続されるシールド５４も接地される。ＲＦ電源５６及びプロセスガス導入部５５はともに、ハウジング５３に設けられた貫通孔を介して筒形電極５１に接続する。

プロセスガス導入部５５から筒形電極５１内にプロセスガスＧ２であるアルゴンガスを導入し、ＲＦ電源５６から筒形電極５１に高周波電圧を印加すると、アルゴンガスがプラズマ化され、電子、イオン及びラジカル等が発生する。

（ロードロック部）
ロードロック部６０は、真空室２１の真空を維持した状態で、図示しない搬送手段によって、外部から未処理の電子部品１０を載置部３５を介して搭載したトレイ３４を、真空室２１に搬入し、処理済みの電子部品１０を載置部３５を介して搭載したトレイ３４を真空室２１の外部へ搬出する装置である。このロードロック部６０は、周知の構造のものを適用することができるため、説明を省略する。

［制御装置］
制御装置７０は、成膜装置の各部を制御する装置である。この制御装置７０は、例えば、専用の電子回路若しくは所定のプログラムで動作するコンピュータ等によって構成できる。つまり、真空室２１へのスパッタガスＧ１およびプロセスガスＧ２の導入および排気に関する制御、スパッタ源４の電源及びモータの制御、回転テーブル３１の回転の制御などに関しては、その制御内容がプログラムされており、ＰＬＣやＣＰＵなどのプロセッサと呼ばれる処理装置により実行されるものであり、多種多様な成膜仕様に対応可能である。

具体的に制御される内容としては、成膜装置１の初期排気圧力、スパッタ源４の選択、ターゲット４１への印加電力、モータ１２０Ａ、１２０Ｂの動作タイミング及び回転速度の同期、反応ガスＧの流量、種類、導入時間及び排気時間、成膜時間、などが挙げられる。

上記のように各部の動作を実行させるための制御装置７０の構成を、機能ブロック図である図１５を参照して説明する。すなわち、制御装置７０は、機構制御部７１、電源制御部７２、記憶部７３、設定部７４、入出力制御部７５を有する。

機構制御部７１は、排気部２３、ガス供給部２５、搬送部３０のモータ３２、スパッタ源４のモータ１２０Ａ、１２０Ｂ、ロードロック部６０等の駆動源、バルブ、スイッチ、電源等を制御する処理部である。電源制御部７２は、電源部４５、ＲＦ電源５６を制御する処理部である。

記憶部７３は、本実施形態の制御に必要な情報を記憶する構成部である。設定部７４は、外部から入力された情報を、記憶部７３に設定する処理部である。入出力制御部７５は、制御対象となる各部との間での信号の変換や入出力を制御するインタフェースである。

さらに、制御装置７０には、入力装置７６、出力装置７７が接続されている。入力装置７６は、オペレータが、制御装置７０を介して成膜装置１を操作するためのスイッチ、タッチパネル、キーボード、マウス等の入力手段である。例えば、成膜を行うスパッタ源４の選択を、入力手段により入力できる。

出力装置７７は、装置の状態を確認するための情報を、オペレータが視認可能な状態とするディスプレイ、ランプ、メータ等の出力手段である。例えば、成膜を行っているスパッタ源４に対応する成膜ポジションＭを、出力装置７７に、他の成膜ポジションＭと区別して表示することができる。

［動作］
以上のような本実施形態の動作を、上記に示した図面に加えて、図１６、図１７及び図１８を参照して以下に説明する。図１６は、電子部品１０が定着磁束Ｌｔ１、Ｌｔ２の方向で磁化される様子を示す。また、図１７は電子部品１０の天面１２ａに形成される電磁波シールド膜１３の分解斜視図である。図１８は、天面１２ａに電磁波シールド膜１３が形成された電子部品１０の斜視図である。なお、図１７及び図１８は、側面１２ｂの電磁波シールド膜１３の図示を省略している。

なお、図示はしないが、ロードロック部６０に対しては、コンベア、ロボットアーム等の搬送手段により、トレイ３４の搬入、搬出が行われる。本実施形態は、電子部品１０が貼り付けられた載置部３５を載置したトレイ３４が、搬送手段で搬送される例で説明する。但し、載置部３５の状態、電子部品１０の状態で搬送されるようにしてもよい。

電子部品１０は、図８に示すように、載置部３５におけるフレーム３５２内の貼付領域Ｓ上に、間隔を空けてマトリクス状に並べて貼着される。このような複数の載置部３５が、図７に示すように、トレイ３４の載置面３４ａに搭載される。

成膜装置１におけるチャンバ２０の真空室２１内は、排気部２３によって排気して減圧することによりあらかじめ真空となっている。複数のトレイ３４は、ロードロック部６０の搬送手段により、真空室２１内を真空に維持した状態で、チャンバ２０内に順次搬入される。回転テーブル３１は、空の保持部３３を、順次、ロードロック部６０からの搬入箇所に移動させる。保持部３３は、搬送手段により搬入されたトレイ３４を、それぞれ個別に保持する。このようにして、図４及び図５に示すように、成膜対象となる電子部品１０を搭載したトレイ３４が、回転テーブル３１上に全て載置される。

以上のように成膜装置１に導入された電子部品１０に対する成膜処理を説明する。なお、以下の動作は、成膜処理部４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃによって、電子部品１０の表面に、電磁波シールド膜１３を形成する例である。電磁波シールド膜１３は、図１７及び図１８に示すように、下地層１３１、シールド層１３２、保護層１３３を積層することにより形成される。電子部品１０に直接形成される下地層１３１は、ＳＵＳの層であり、モールド樹脂、ＮｉＦｅとの密着度を高める層である。中間のシールド層１３２は、ＮｉＦｅの層であり、電磁波を遮蔽する機能を有する層である。最上層の保護層１３３は、ＳＵＳの層であり、ＮｉＦｅの錆等を防ぐ保護層である。なお、シールド層として、他の材料、例えば、Ｃｕを成膜処理部４０Ｄによって積層してもよい。

まず、回転テーブル３１が回転を開始して、所定の回転速度に達する。保持部３３に保持された電子部品１０は、搬送経路Ｐ上を円を描く軌跡で移動して、処理ユニット５における筒形電極５１の開口部５１ａに対向する位置を通過する。処理ユニット５では、プロセスガス導入部５５から筒形電極５１にプロセスガスＧ２であるアルゴンガスを導入し、ＲＦ電源５６から筒形電極５１に高周波電圧を印加する。高周波電圧の印加によってアルゴンガスがプラズマ化され、電子、イオン及びラジカル等が発生する。プラズマはアノードである筒形電極５１の開口部５１ａから、カソードである回転テーブル３１へ流れる。プラズマ中のイオンが開口部５１ａの下を通過する電子部品１０の表面に衝突することで、表面が洗浄および粗面化される。そして、表面処理部５０による表面処理時間が経過したら、表面処理部５０を停止する。つまり、プロセスガス導入部５５からのプロセスガスＧ２の供給、ＲＦ電源５６による電圧の印加を停止する。

次に、成膜処理部４０Ｂのガス供給部２５は、スパッタガスＧ１を、ターゲット４１の周囲に供給する。保持部３３に保持された電子部品１０は、搬送経路Ｐ上を円を描く軌跡で移動しているので、スパッタ源４に対向する位置も周期的に通過する。そして、成膜処理部４０Ｂの電源部４５が、ターゲット４１に電力を印加する。これにより、スパッタガスＧ１がプラズマ化する。スパッタ源４において、プラズマにより発生したイオンは、ターゲット４１に衝突して成膜材料の粒子を飛ばす。このため、成膜処理部４０Ｂの成膜ポジションＭ２を通過する電子部品１０の表面には、その通過毎に成膜材料の粒子が堆積されて、膜が生成される。ここでは、ＳＵＳの層が形成される。このとき、電子部品１０は成膜処理部４０Ａ、４０Ｃ、４０Ｄの成膜ポジションＭ１、Ｍ３、Ｍ４を通過するが、成膜処理部４０Ａ、４０Ｃ、４０Ｄはターゲット４１に電力が印加されていないので、成膜処理は行われず、電子部品１０は加熱されない。また、成膜ポジションＭ１、Ｍ３、Ｍ４以外の非成膜領域Ｄにおいても（図２、図３参照）、電子部品１０は加熱されない。このように、加熱されない領域において、電子部品１０は熱を放出する。

成膜処理部４０Ｂによる成膜時間が経過したら、成膜処理部４０Ｂを停止する。つまり、電源部４５によるターゲット４１への電力の印加を停止する。そして、成膜処理部４０Ａの電源部４５が、ターゲット４１に電力を印加する。これにより、スパッタガスＧ１がプラズマ化する。スパッタ源４において、プラズマにより発生したイオンは、ターゲット４１に衝突して成膜材料の粒子を飛ばす。このため、成膜処理部４０Ａの成膜ポジションＭ１を通過する電子部品１０の表面には、その通過毎に成膜材料の粒子が堆積されて、膜が生成される。ここでは、ＮｉＦｅの層が形成される。この層は、図１７に示すように、シールド層１３２の一部を構成する第１のシールド層１３２ａとなる。

図１６に示すように、電子部品１０は、定着磁束Ｌｔ１を通過して、成膜領域Ｃから非成膜領域Ｄ（図２、図３参照）に移動することにより、堆積した成膜材料であるＮｉＦｅの磁化方向が、定着磁束Ｌｔ１に沿った方向となって定着していく。このため、図１７に示すように、第１のシールド層１３２ａの容易軸方向Ａｘ１が、定着磁束Ｌｔ１に沿った方向に揃った状態で形成される。

このとき、電子部品１０は成膜処理部４０Ｂ～４０Ｄの成膜ポジションＭ２～Ｍ４を通過するが、成膜処理部４０Ｂ～４０Ｄはターゲット４１に電力が印加されていないので、成膜処理が行われず、電子部品１０は加熱されない。また、成膜ポジションＭ２～Ｍ４以外の領域においても、電子部品１０は加熱されない。このように、加熱されない領域において、電子部品１０は熱を放出する。なお、成膜処理部４０Ｂ～４０Ｄを通過する際に、成膜処理部４０Ｂ～４０Ｄの磁性部材１１０から電子部品１０へ漏洩磁界が加えられるけれども、成膜処理部４０Ａにより定着した膜の磁化方向は変化しない。

成膜処理部４０Ａによる成膜時間が経過したら、成膜処理部４０Ａを停止する。つまり、電源部４５によるターゲット４１への電力の印加を停止する。そして、成膜処理部４０Ｃの電源部４５が、ターゲット４１に電力を印加する。これにより、スパッタガスＧ１がプラズマ化する。スパッタ源４において、プラズマにより発生したイオンは、ターゲット４１に衝突して成膜材料の粒子を飛ばす。このため、成膜処理部４０Ｃの成膜ポジションＭ３を通過する電子部品１０の表面には、その通過毎に成膜材料の粒子が堆積されて、膜が生成される。ここでは、ＮｅＦｉの層が形成される。この層は、図１７に示すように、シールド層１３２の一部を構成する第２のシールド層１３２ｂとなる。

図１６に示すように、電子部品１０は、定着磁束Ｌｔ２を通過して、成膜領域Ｃから非成膜領域Ｄ（図２、図３参照）に移動することにより、堆積した成膜材料であるＮｉＦｅの磁化方向が、定着磁束Ｌｔ２に沿った方向となって定着していく。このため、図１７に示すように、第２のシールド層１３２ｂの容易軸方向Ａｘ２が、定着磁束Ｌｔ２に沿った方向に揃った状態で形成される。この容易軸方向Ａｘ２は、第１のシールド層１３２ａの容易軸方向Ａｘ１と略直交する方向となる。

このとき、電子部品１０は成膜処理部４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｄの成膜ポジションＭ１、Ｍ２、Ｍ４を通過するが、成膜処理部４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｄはターゲット４１に電力が印加されていないので、成膜処理が行われず、電子部品１０は加熱されない。また、成膜ポジションＭ１、Ｍ２、Ｍ４以外の領域においても、電子部品１０は加熱されない。このように、加熱されない領域において、電子部品１０は熱を放出する。なお、成膜処理部４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｄを通過する際に、成膜処理部４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｄの磁性部材１１０から電子部品１０へ漏洩磁界が加えられるけれども、成膜処理部４０Ｃにより定着した膜の磁化方向は変化しない。

成膜処理部４０Ｃによる成膜時間が経過したら、成膜処理部４０Ｃを停止する。つまり、電源部４５によるターゲット４１への電力の印加を停止する。

また、上記と同様に、成膜処理部４０Ａによる成膜を行うことにより、図１７に示すように、第２のシールド層１３２ｂに重ねて第３のシールド層１３２ｃを形成する。第３のシールド層１３２ｃの容易軸方向Ａｘ３は、上記のように、第１のシールド層１３２ａと平行となるため、第２のシールド層１３２ｂの容易軸方向Ａｘ２に略直交する。なお、さらに、同様の成膜を繰り返すことにより、３層より多いシールド層を、容易軸方向が互いに略直交するように重ねて形成することもできる。

そして、上記のように、成膜処理部４０Ｂによる成膜を行うことにより、保護層１３３を形成する。これにより、図１７及び図１８に示すように、電子部品１０の天面１２ａに、ＳＵＳの下地層１３１、ＮｉＦｅのシールド層１３２、ＳＵＳの保護層１３３が積層された電磁波シールド膜１３が形成される。なお、図１７及び図１８では図示を省略しているが、図１に示すように、電子部品１０の側面１２ｂにも、電磁波シールド膜１３が形成される。

以上のような成膜処理の間、回転テーブル３１は回転を継続し電子部品１０を搭載したトレイ３４を循環搬送し続ける。そして、成膜処理が完了した後、電子部品１０を搭載したトレイ３４は、回転テーブル３１の回転により、順次、ロードロック部６０に位置決めされ、搬送手段により、外部へ搬出される。さらに、図７に示すように、搬出されたトレイ３４から載置部３５が取り出される。

［作用効果］
（１）本実施形態の成膜装置１は、スパッタリングにより電子部品１０の表面に成膜材料を堆積させて成膜する複数の成膜処理部４０Ａ～４０Ｄと、電子部品１０を搬送することにより、複数の成膜処理部４０の少なくとも一つの成膜領域Ｃと、非成膜領域Ｄとを繰り返し通過させる搬送部３０と、を有し、複数の成膜処理部４０Ａ～４０Ｄのうちの少なくとも一つの成膜処理部４０Ａは、電子部品１０の天面１２ａに沿う第１の方向の定着磁束Ｌｔ１を含む磁界Ｆを形成する磁性部１００を有し、他の少なくとも一つの成膜処理部４０Ｃは、電子部品１０の天面１２ａに、第１の方向に交差する第２の方向の定着磁束Ｌｔ２を含む磁界Ｆを形成する磁性部１００と、を有する。

このため、搬送部３０により電子部品１０を搬送しながら、成膜処理部４０Ａによって一方向の容易軸方向Ａｘ１の第１のシールド層１３２ａを形成した後、成膜処理部４０Ｃによって容易軸方向Ａｘ１に交差する容易軸方向Ａｘ２の第２のシールド層１３２ｂを重ねて形成することにより、互いに交差する容易軸方向Ａｘ１、Ａｘ２を含む電磁波シールド膜１３を容易に形成することができる。

（２）電子部品１０の天面１２ａにおいて、第１の方向と第２の方向は略直交している。このため、互いに略直交する容易軸方向Ａｘ１、Ａｘ２を含む電磁波シールド膜１３を形成して、シールド効果を高めることができる。

（３）第１の方向と第２の方向は、電子部品１０の搬送経路Ｐに対して略４５°である。このため、第１の方向と第２の方向の交差する関係を維持しつつ、磁性部１００に対応する成膜領域Ｃを広く確保することができる。

（４）成膜処理部４０Ａの磁性部１００は、第１の方向に並んだ複数の磁性部材１１０Ａ、１１０Ｂを有し、成膜処理部４０Ｃの磁性部１００は、第２の方向に並んだ複数の磁性部材１１０Ａ、１１０Ｂを有する。このため、磁性部材１１０Ａ、１１０Ｂの並び方向を特定の方向に合わせることによって、交差する容易軸方向Ａｘ１、Ａｘ２を含む電磁波シールド膜１３を形成する成膜装置１を構成できる。

（５）成膜処理部４０Ａ、４０Ｂは、それぞれ複数の磁性部材１１０Ａ、１１０Ｂを、同位相で偏心回転させるモータ１２０Ａ、１２０Ｂを有する。このため、定着磁束Ｌｔの方向を一定に維持することができる。

（６）成膜処理部４０Ａ、４０Ｂは、スパッタリングにより成膜材料を堆積させて成膜するスパッタ源４を有し、磁性部１００は、スパッタ源４を介して成膜領域Ｃに漏洩磁界を生じさせる。このため、マグネトロンスパッタ装置の磁性部１００を利用して、交差する容易軸方向Ａｘ１、Ａｘ２を含む電磁波シールド膜１３を形成する成膜装置１を構成できる。

搬送部３０は、電子部品１０を円周の軌跡で循環搬送させる。このため、少ないスペースで、成膜領域Ｃと非成膜領域Ｄを繰り返し通過させて、交差する容易軸方向Ａｘ１、Ａｘ２を含む電磁波シールド膜１３を形成することができる。搬送経路Ｐに配置された成膜処理部４０Ａ～４０Ｄを選択的に切り替えることにより、成膜材料及び容易軸方向Ａｘ１、Ａｘ２の切り替えも容易となる。

磁性部１００の漏洩磁界を利用するので、容易軸方向を制御するために新たに磁場印加装置を成膜装置１に追加する必要が無い。また、磁場印加装置の磁場がスパッタ源４の磁性部材１００の磁場と干渉することが無いため、成膜レートや膜分布に影響を与えることも無い。

［変形例］
本発明は、上記の態様に限定されるものではなく、以下のような態様も含む。
（１）上記の態様は、複数の磁性部材１１０Ａ、１１０Ｂを第１の方向、第２の方向に並べることにより、磁性部１００を構成していた。但し、図１９に示すように、成膜処理部４０Ａのスパッタ源４の磁性部１００として、第１の方向に沿う長尺の磁性部材１１０Ｃを用い、成膜処理部４０Ｃのスパッタ源４の磁性部１００として、第２の方向に沿う長尺の磁性部材１１０Ｃを用いてもよい。

この場合、磁性部材１１０Ｃは回転させず、ターゲット４１も、磁性部材１１０Ｃと相似形の長尺の部材とする。磁性部材１１０Ｃとしては、長手方向が第１の方向、第２の方向に沿うトラック形状、楕円形状等の永久磁石である磁石１１４、１１５を同心に配置することができる。磁石１１４と磁石１１５の磁極の方向は、上記の磁石１１１、１１２と同様である。

このような磁性部材１１０Ｃを用いると、図２０に示すように、定着磁束Ｌｔを磁石１１４、１１５の長手方向に沿った直線状にすることができるので、各シールド層の容易磁化方向を、より正確に一定の方向に揃えることができる。また、モータ１２０Ａ、１２０Ｂ等の駆動部を省略できる。

さらに、磁性部材としては、永久磁石には限定されない。上記と同様の定着磁束Ｌｔを含む磁界Ｆを形成できれば、電磁石を用いてもよい。また、複数の成膜処理部４０のうち、少なくとも２つの成膜処理部４０が、第１の方向及び第２の方向の磁束を含む磁界を形成する磁性部１００を有していればよいが、第１の方向に対応する成膜処理部４０が、第２の方向に対応する成膜処理部４０の一方又は双方が複数あってもよい。

（２）搬送部３が有する搬送手段は、回転テーブル３１には限定されない。搬送部３は、保持部３３を有する角柱形又円柱形等の回転ドラムを有してもよい。この場合、回転ドラムの外周の側面に保持部３３が設けられ、駆動源により軸を中心に回転する。回転ドラムを収容するチャンバ２０内には、保持部３３に対向する位置に、成膜処理部４０等を設ける。また、搬送部３は、コンベアやガイドレール等のインライン式の搬送装置を有してもよい。この場合、搬送装置に保持部３３が設けられ、成膜対象は直線状又は曲線状に移動する。このような保持部３３に対向する位置に、成膜処理部４０等を設ける。保持部３３は、無端状に循環搬送されるか又は相反する方向に往復移動させることにより、成膜処理部４０に対向する位置を繰り返し通過する。

回転テーブル３１、回転ドラム、インライン式の搬送装置等の搬送手段を用いる場合において、容易軸方向を揃えるために磁界を形成する磁性部１００は、上記のように成膜処理部４０内のマグネトロンスパッタ用の磁石を用いてもよいが、成膜処理部４０内においてマグネトロンスパッタ用の磁石とは別に設けられた永久磁石又は電磁石等を用いてもよい。さらに、磁性部１００を、成膜処理部４０外に設けてもよい。例えば、上記のような搬送手段を挟んで、成膜処理部４０に対向する位置に、磁性部１００を設けてもよい。このように、磁性部１００の配置位置は、種々の態様が適用可能である。成膜対象となる面全体において、磁界の方向を一定とすることは比較的難しいが、成膜領域Ｃから非成膜領域Ｄの境界付近の定着磁束Ｌｔの方向のみ制御すればよいので、磁界を形成する磁性部材１００を種々の位置に設けたとしても、制御は容易である。

（３）パッケージ１２の形態は、例えば、ＢＧＡ、ＬＧＡ、ＳОＰ、ＱＦＰ、ＷＬＰなど、現在又は将来において利用可能なあらゆる形態が適用可能である。電子部品１０が外部との電気的な接続を行う電極１１ａとしても、例えば、底面に設けるＢＧＡ等の半球状のものやＬＧＡ等の平面状のもの、側面に設けるＳОＰ、ＱＦＰの細板状のもの等が考えられるが、現在又は将来において利用可能なあらゆる端子が適用可能であり、その形成位置も問わない。また、電子部品１０の内部に封止される素子１１は、単数であっても複数であってもよい。

（４）成膜対象となるワークは、電子部品１０には限定されない。電磁波シールドの機能を必要とする容器、筐体、板状態等、種々の大きさ、形状、材料の部材を、成膜対象とすることができる。

（５）成膜材料については、スパッタリングにより成膜可能な種々の材料を適用可能である。例えば、シールド層としては、Ａｌ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｚｒ等を用いることもできる。さらに、シールド層となる磁性体として、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃｏ等を使用することができる。定着磁束Ｌｔの磁束密度の大きさについては、上記は例示に過ぎず、材料によって相違する。例えば、１０～１００Ｏｅ（１～１０ｍＴ）とすることが一例であるが、本発明はこの範囲には限定されない。さらに、また、下地の密着層として、ＳＵＳ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ等を用いたり、最表面の保護層として、ＳＵＳ、Ａｕ等を用いることができる。

（６）成膜ポジションにおけるターゲットの数は、２つには限定されない。ターゲットを１つとしても、３つ以上としてもよい。また、成膜ポジションも２つ以下としても、４つ以上としてもよい。

（７）成膜装置における搬送部により同時搬送されるトレイ、電子部品の数、これを保持する保持部の数は、少なくとも１つであればよく、上記の実施形態で例示した数には限定されない。つまり、１つの電子部品が循環して成膜を繰り返す態様でもよく、２つ以上の電子部品が循環して成膜を繰り返す態様でもよい。

（８）エッチングやアッシングによる洗浄や表面処理は、成膜ポジションを有するチャンバとは別のチャンバで行ってもよい。なお、酸化処理を行う場合は、プロセスガスＧ２として酸素を用いることができる。窒化処理を行う場合は、プロセスガスＧ２として窒素を用いることができる。

（９）上記の実施形態では、回転テーブル３１が水平面内で回転する例としている。但し、搬送部の回転面の向きは、特定の方向には限定されない。例えば、垂直面内で回転する回転面とすることもできる。さらに、搬送部が有する搬送手段は、回転テーブルには限定されない。例えば、ワークを保持する保持部を有する円筒形状の部材が、軸を中心に回転する回転体としてもよい。また、搬送の軌跡は、円周には限定されない。無端状の搬送経路により、循環搬送される態様を含む。例えば、矩形や楕円であってもよいし、クランクや蛇行する経路を含んでいてもよい。搬送経路は、例えば、コンベア等により構成してもよい。さらに、ワークを成膜領域と非成膜領域とを繰り返し通過させることができれば、搬送の軌跡は、上記のような種々の態様の経路を往復搬送させる態様であってもよい。例えば、直線上を往復搬送させる態様であってもよい。

（１０）上記の実施形態では、成膜材料を１種ずつ選択的に堆積させて成膜するようにしている。しかし、本発明はこれに限るものではなく、成膜材料を選択的に堆積させることにより、複数の成膜材料の層から成る膜を形成できればよい。このため、２種以上の成膜材料を同時に堆積させるようにしても良い。例えば、電磁波シールド膜を、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｎｂの合金で形成することがある。このような場合に、複数の成膜処理部のうち、Ｃｏを成膜材料とする成膜処理部と、Ｚｒを成膜材料とする成膜処理部とＮｂを成膜材料とする成膜処理部を同時に選択して成膜を行なうようにしても良い。この場合にも、シールド効果が得られる厚さの層が、一定の容易軸方向となるようにするとよい。

そしてこの場合、円周の軌跡のうち、これらの成膜中に成膜ポジションを通過する軌跡よりも、成膜中の成膜ポジション以外の部分を通過する軌跡の方が長くなるように、成膜に用いる成膜処理部を選択する、あるいは、成膜処理部を区切る区切部の配置を設定すると良い。

つまり、１種、または、複数種の成膜処理部を複数個選択して成膜を行なう場合、或いは単一の成膜処理部を選択して成膜を行なう場合のいずれにおいても、円周の軌跡のうち、成膜中に成膜ポジションを通過する軌跡よりも、成膜中の成膜ポジション以外の部分を通過する軌跡の方が長くなるように、成膜に用いる成膜処理部を選択する、あるいは、成膜処理部を区切る区切部の配置を設定すると良い。

（１１）以上、本発明の実施形態及び各部の変形例を説明したが、この実施形態や各部の変形例は、一例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。上述したこれら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明に含まれる。

１ 成膜装置
１０ 電子部品
１１ 素子
１２ パッケージ
１３ 電磁波シールド膜
１４ 基板
２０ チャンバ
２０ａ 天井
２０ｂ 内底面
２０ｃ 内周面
２１ 真空室
２２ 排気口
２３ 排気部
２４ 導入口
２５ ガス供給部
３０ 搬送部
３１ 回転テーブル
３２ モータ
３３ 保持部
３４ トレイ
３４ａ 載置面
３４ｂ 周壁部
３５ 載置部
３５１ 支持部材
３５１ａ 粘着面
３５１ｂ 非粘着面
３５２ フレーム
３５２ａ 貫通孔
４０、４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃ、４０Ｄ 成膜処理部
４ スパッタ源
４１、４１Ａ、４１Ｂ ターゲット
４２ バッキングプレート
４３ 電極
４４ 区切部
４４ａ、４４ｂ 壁板
４５ 電源部
５ 処理ユニット
５１ 筒形電極
５１ａ 開口部
５１ｂ フランジ
５２ 絶縁部材
５３ ハウジング
５４ シールド
５５ プロセスガス導入部
５６ ＲＦ電源
５７ マッチングボックス
６０ ロードロック部
７０ 制御装置
７１ 機構制御部
７２ 電源制御部
７３ 記憶部
７４ 設定部
７５ 入出力制御部
７６ 入力装置
７７ 出力装置
１００、１００Ａ、１００Ｃ 磁性部
１１０Ａ、１１０Ｂ、１１０Ｃ 磁性部材
１１１、１１２、１１４、１１５ 磁石
１１３ 支持板
１２０Ａ、１２０Ｂ モータ
１３１ 下地層
１３２ シールド層
１３２ａ 第１のシールド層
１３２ｂ 第２のシールド層
１３２ｃ 第３のシールド層
１３３ 保護層
Ａｘ１、Ａｘ２、Ａｘ３ 容易軸方向
Ｃ 成膜領域
Ｄ 非成膜領域
Ｅ 排気
Ｐ 搬送経路
Ｍ、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４ 成膜ポジション
Ｍ５ 処理ポジション
Ｇ 反応ガス
Ｇ１ スパッタガス
Ｇ２ プロセスガス
Ｓ 貼付領域
Ｌｎ、Ｌ１～Ｌ３ 磁束
Ｌｔ、Ｌｔ１、Ｌｔ２ 定着磁束
ｍ 成膜材料
Ｗｓ、Ｗｍ、Ｗｌ 幅

Claims (7)

1. 強磁性材料である成膜材料を含むターゲットを備えるスパッタ源を有し、スパッタリングによりワークの表面に前記成膜材料を堆積させて成膜する複数の成膜処理部と、
   前記ワークを搬送することにより、前記複数の成膜処理部の少なくとも一つの成膜領域と、非成膜領域とを繰り返し通過させる搬送部と、
   を有し、
   前記複数の成膜処理部のうちの少なくとも一つの成膜処理部は、前記成膜領域を通過する前記ワークの前記成膜処理部と向き合う面に略平行な第１の方向の磁束を含む磁界を形成する第１の磁性部を有し、
   他の少なくとも一つの成膜処理部は、前記ワークの前記成膜処理部と向き合う面に略平行で、前記第１の方向に交差する第２の方向の磁束を含む磁界を形成する第２の磁性部と、
   を有し、
   前記第１の磁性部と前記第２の磁性部は、前記ワークとは反対側であって前記ターゲットと対向する位置に配置され、前記成膜領域に漏洩磁界を生じさせ、前記第１の方向の磁束及び前記第２の方向の磁束は、前記ワークが前記成膜領域を脱する前の最後に通過する磁束であって、前記成膜材料の容易軸方向を揃える大きさの磁束密度の磁束であること、を特徴とする成膜装置。
2. 前記ワークの前記成膜処理部と向き合う面において、前記第１の方向と前記第２の方向は略直交していることを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
3. 前記第１の方向と、前記第２の方向は、前記ワークの搬送経路に対して略４５°であることを特徴とする請求項２記載の成膜装置。
4. 前記第１の磁性部は、前記第１の方向に並んだ複数の磁性部材を有し、
   前記第２の磁性部は、前記第２の方向に並んだ複数の磁性部材を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の成膜装置。
5. 前記第１の磁性部が有する複数の磁性部材を、前記ターゲットの平面に垂直な方向の回転軸で、同位相で偏心回転させる第１の駆動部と、
   前記第２の磁性部が有する複数の磁性部材を、前記ターゲットの平面に垂直な方向の回転軸で、同位相で偏心回転させる第２の駆動部と、
   を有することを特徴とする請求項４記載の成膜装置。
6. 前記第１の磁性部は前記第１の方向に略平行な長尺の磁性部材を有し、
   前記第２の磁性部は前記第２の方向に略平行な長尺の磁性部材を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の成膜装置。
7. 前記搬送部は、前記ワークを円周の軌跡で循環搬送させることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の成膜装置。

Images