KR20180024099A - 접합 조립체 및 이를 포함하는 표시 장치 - Google Patents

접합 조립체 및 이를 포함하는 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20180024099A
KR20180024099A KR1020160109217A KR20160109217A KR20180024099A KR 20180024099 A KR20180024099 A KR 20180024099A KR 1020160109217 A KR1020160109217 A KR 1020160109217A KR 20160109217 A KR20160109217 A KR 20160109217A KR 20180024099 A KR20180024099 A KR 20180024099A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
electrodes
electrode
spacers
electronic component
Prior art date
Application number
KR1020160109217A
Other languages
English (en)
Inventor
민진식
손은철
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020160109217A priority Critical patent/KR20180024099A/ko
Priority to US15/581,923 priority patent/US10178769B2/en
Priority to CN201710716884.4A priority patent/CN107785690B/zh
Publication of KR20180024099A publication Critical patent/KR20180024099A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/50Fixed connections
    • H01R12/59Fixed connections for flexible printed circuits, flat or ribbon cables or like structures
    • H01R12/62Fixed connections for flexible printed circuits, flat or ribbon cables or like structures connecting to rigid printed circuits or like structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/14Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/14Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/144Stacked arrangements of planar printed circuit boards
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/17Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/91Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L24/80 - H01L24/90
    • H01L24/92Specific sequence of method steps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/50Fixed connections
    • H01R12/59Fixed connections for flexible printed circuits, flat or ribbon cables or like structures
    • H01R12/65Fixed connections for flexible printed circuits, flat or ribbon cables or like structures characterised by the terminal
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0277Bendability or stretchability details
    • H05K1/028Bending or folding regions of flexible printed circuits
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/11Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/111Pads for surface mounting, e.g. lay-out
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • H05K3/323Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives by applying an anisotropic conductive adhesive layer over an array of pads
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341Surface mounted components
    • H05K3/3431Leadless components
    • H05K3/3436Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components
    • H05K3/3484
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457Solder materials or compositions; Methods of application thereof
    • H05K3/3485Applying solder paste, slurry or powder
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/36Assembling printed circuits with other printed circuits
    • H05K3/361Assembling flexible printed circuits with other printed circuits
    • H05K3/363Assembling flexible printed circuits with other printed circuits by soldering
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/36Assembling printed circuits with other printed circuits
    • H05K3/368Assembling printed circuits with other printed circuits parallel to each other
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13452Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13458Terminal pads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05599Material
    • H01L2224/056Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05601Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/05611Tin [Sn] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05599Material
    • H01L2224/056Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05601Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/05613Bismuth [Bi] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05599Material
    • H01L2224/056Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05601Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/05616Lead [Pb] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05599Material
    • H01L2224/056Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05639Silver [Ag] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05599Material
    • H01L2224/056Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05647Copper [Cu] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • H01L2224/113Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1131Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in liquid form
    • H01L2224/1132Screen printing, i.e. using a stencil
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • H01L2224/114Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1141Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bump connector in liquid form
    • H01L2224/11422Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bump connector in liquid form by dipping, e.g. in a solder bath
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/1301Shape
    • H01L2224/13012Shape in top view
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/1301Shape
    • H01L2224/13012Shape in top view
    • H01L2224/13013Shape in top view being rectangular or square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/1301Shape
    • H01L2224/13012Shape in top view
    • H01L2224/13014Shape in top view being circular or elliptic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13101Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/13111Tin [Sn] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13101Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/13113Bismuth [Bi] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13101Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/13116Lead [Pb] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13139Silver [Ag] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13147Copper [Cu] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/14Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H01L2224/141Disposition
    • H01L2224/1412Layout
    • H01L2224/1413Square or rectangular array
    • H01L2224/14131Square or rectangular array being uniform, i.e. having a uniform pitch across the array
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/14Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H01L2224/141Disposition
    • H01L2224/1412Layout
    • H01L2224/1413Square or rectangular array
    • H01L2224/14134Square or rectangular array covering only portions of the surface to be connected
    • H01L2224/14136Covering only the central area of the surface to be connected, i.e. central arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16238Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/2919Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199Material of the matrix
    • H01L2224/2929Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29301Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29311Tin [Sn] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29301Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29313Bismuth [Bi] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29301Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29316Lead [Pb] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29339Silver [Ag] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29347Copper [Cu] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/32227Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the layer connector connecting to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/81007Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector involving a permanent auxiliary member being left in the finished device, e.g. aids for holding or protecting the bump connector during or after the bonding process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8112Aligning
    • H01L2224/81136Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members
    • H01L2224/81138Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members the guiding structures being at least partially left in the finished device
    • H01L2224/81139Guiding structures on the body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8112Aligning
    • H01L2224/81136Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members
    • H01L2224/81138Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members the guiding structures being at least partially left in the finished device
    • H01L2224/8114Guiding structures outside the body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8112Aligning
    • H01L2224/81136Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members
    • H01L2224/81138Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members the guiding structures being at least partially left in the finished device
    • H01L2224/81141Guiding structures both on and outside the body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81193Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed on both the semiconductor or solid-state body and another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812Applying energy for connecting
    • H01L2224/81201Compression bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812Applying energy for connecting
    • H01L2224/81201Compression bonding
    • H01L2224/81203Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818Bonding techniques
    • H01L2224/81801Soldering or alloying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818Bonding techniques
    • H01L2224/81801Soldering or alloying
    • H01L2224/81815Reflow soldering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83007Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector involving a permanent auxiliary member being left in the finished device, e.g. aids for holding or protecting the layer connector during or after the bonding process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83101Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8312Aligning
    • H01L2224/83136Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members
    • H01L2224/83138Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members the guiding structures being at least partially left in the finished device
    • H01L2224/83139Guiding structures on the body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8312Aligning
    • H01L2224/83136Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members
    • H01L2224/83138Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members the guiding structures being at least partially left in the finished device
    • H01L2224/8314Guiding structures outside the body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8312Aligning
    • H01L2224/83136Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members
    • H01L2224/83138Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members the guiding structures being at least partially left in the finished device
    • H01L2224/83141Guiding structures both on and outside the body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832Applying energy for connecting
    • H01L2224/83201Compression bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832Applying energy for connecting
    • H01L2224/83201Compression bonding
    • H01L2224/83203Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832Applying energy for connecting
    • H01L2224/83201Compression bonding
    • H01L2224/83205Ultrasonic bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832Applying energy for connecting
    • H01L2224/8322Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation
    • H01L2224/83224Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation using a laser
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83851Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester being an anisotropic conductive adhesive
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83856Pre-cured adhesive, i.e. B-stage adhesive
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83862Heat curing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83868Infrared [IR] curing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83871Visible light curing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83874Ultraviolet [UV] curing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9211Parallel connecting processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9212Sequential connecting processes
    • H01L2224/92122Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
    • H01L2224/92125Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector the second connecting process involving a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/14Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/147Structural association of two or more printed circuits at least one of the printed circuits being bent or folded, e.g. by using a flexible printed circuit
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/04Assemblies of printed circuits
    • H05K2201/042Stacked spaced PCBs; Planar parts of folded flexible circuits having mounted components in between or spaced from each other
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007Types of components
    • H05K2201/10128Display
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/20Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
    • H05K2201/2036Permanent spacer or stand-off in a printed circuit or printed circuit assembly
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/02Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
    • H05K2203/0278Flat pressure, e.g. for connecting terminals with anisotropic conductive adhesive

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 접합 조립체는 서로 접합되어 있는 제1 전자 부품 및 제2 전자 부품을 포함한다. 제1 전자 부품은 제1 기재, 그리고 압착 영역 내에 위치하며 제1 기재의 표면으로부터 제1 높이를 가지는 복수의 제1 전극을 포함한다. 제2 전자 부품은 제2 기재, 그리고 제2 기재의 표면으로부터 제2 높이를 가지는 복수의 제2 전극을 포함하며, 각각의 제2 전극이 대응하는 제1 전극과 마주하게 중첩하도록 제1 전자 부품 위에 위치한다. 접합 조립체는 중첩하는 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치하며 제1 전극과 제2 전극을 접합시키는 도전 접합 부재, 그리고 제1 기재와 제2 기재 사이에서 압착 영역과 중첩하게 위치하며, 제1 높이와 제2 높이의 합보다 큰 두께를 가지는 적어도 하나의 간격재를 포함한다.

Description

접합 조립체 및 이를 포함하는 표시 장치{BONDED ASSEMBLY AND DISPLAY DEVICE COMPRSING THE SAME}
본 발명은 접합 조립체 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치, 스마트폰, 태블릿, 텔레비전, 모니터 같은 전자 제품에는 많은 전자 부품에 사용되며, 전자 부품들이 상호 유기적으로 최적으로 기능할 수 있도록 시스템화하는 전자 패키징 기술의 개발이 요구된다.
전자 패키징 기술은 제품을 구성하는 각 부품들, 나아가서는 제품을 외부 환경으로부터 보호하고 필요한 요소들에 전원을 공급하며, 전기적 신호의 원활한 통로 역할을 하고, 신호 처리 과정에서 발생하는 열을 외부로 방출하는 역할도 할 수 있다.
제품 내부의 작은 공간에 다양한 부품을 구성하기 위해서 다양한 전자 패키징 기술이 사용되는데, 모듈과 모듈 간의 연결에는 인쇄회로기판(printed circuit board, PCB) 간의 또는 인쇄회로기판과 집적회로 칩(integrated circuit chip) 같은 다른 전자 부품 간의 접속 기술이 필요하고, 접속 신뢰성을 확보하는 것이 중요하다.
실시예들은 개선된 접속 신뢰성을 가지는 접합 조립체 및 이를 포함하는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 접합 조립체는, 제1 기재, 그리고 압착 영역 내에 위치하며 상기 제1 기재의 표면으로부터 제1 높이를 가지는 복수의 제1 전극을 포함하는 제1 전자 부품; 제2 기재, 그리고 상기 제2 기재의 표면으로부터 제2 높이를 가지는 복수의 제2 전극을 포함하며, 각각의 상기 제2 전극이 대응하는 상기 제1 전극과 마주하게 중첩하도록 제1 전자 부품 위에 위치하는 제2 전자 부품; 중첩하는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하며 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 접합시키는 도전 접합층; 및 상기 제1 기재와 상기 제2 기재 사이에서 상기 압착 영역과 중첩하게 위치하며, 상기 제1 높이와 상기 제2 높이의 합보다 큰 두께를 가지는 적어도 하나의 간격재를 포함한다.
상기 적어도 하나의 간격재는 서로 이격되어 있는 복수의 간격재를 포함할 수 있다.
상기 복수의 간격재는 상기 압착 영역의 네 모서리와 중첩할 수 있다.
상기 복수의 간격재는 상기 압착 영역의 네 변과 중첩할 수 있다.
이웃하는 간격재들 간의 거리는 이웃하는 제1 전극들 또는 제2 전극들 간의 거리 이상일 수 있다.
상기 적어도 하나의 간격재는 상기 제1 기재 및 상기 제2 기재 중 적어도 하나에 부착, 인쇄, 또는 증착되어 있을 수 있다.
상기 간격재는 약 200℃ 이상의 융점을 가질 수 있다.
상기 접합 조립체는 상기 제1 기재와 상기 제2 기재 사이에 위치하는 이방성 도전막을 더 포함할 수 있고, 상기 이방성 도전막은 솔더 입자들을 포함할 수 있다.
상기 접합 조립체는 상기 제1 기재와 상기 제2 기재 사이에 위치하는 비도전막을 더 포함할 수 있다.
상기 적어도 하나의 간격재는 상기 복수의 제1 전극 및 상기 복수의 제2 전극을 둘러싸고 있을 수 있다.
상기 접합 조립체는 상기 압착 영역 내에 상기 압착 영역의 가장자리와 중첩하는 않는 적어도 하나의 간격재를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 전자 부품 및 상기 제2 전자 부품 중 적어도 하나는 연성 인쇄회로기판일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널 및 상기 표시 패널에 연결되어 있는 접합 조립체를 포함한다. 상기 접합 조립체는, 제1 기재, 그리고 압착 영역 내에 위치하며 상기 제1 기재의 표면으로부터 제1 높이를 가지는 복수의 제1 전극을 포함하는 제1 연성 인쇄회로기판; 제2 기재, 그리고 상기 제2 기재의 표면으로부터 제2 높이를 가지는 복수의 제2 전극을 포함하며, 각각의 상기 제2 전극이 대응하는 상기 제1 전극과 마주하게 중첩하도록 제1 연성 인쇄회로기판 위에 위치하는 제2 연성 인쇄회로기판; 중첩하는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하며 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 접합시키는 도전 접합층; 및 상기 제1 기재와 상기 제2 기재 사이에서 상기 압착 영역과 중첩하게 위치하며, 상기 제1 높이와 상기 제2 높이의 합보다 큰 두께를 가지는 적어도 하나의 간격재를 포함한다.
실시예들에 따르면, 솔더를 사용하는 접합 조립체 및 이를 포함하는 표시 장치에서 접속 전극들 간의 저항을 줄이고 인접 전극들 간의 쇼트 발생 위험을 줄일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 접합 조립체를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1에서 일점 쇄선으로 표시한 영역의 일 실시예를 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 2에서 III-III' 선을 따라 취한 단면의 일 실시예를 나타낸 단면도이다.
도 4는 도 2에서 IV-IV' 선을 따라 취한 단면의 일 실시예를 나타낸 단면도이다.
도 5는 도 1에서 일점 쇄선으로 표시한 영역의 일 실시예를 나타낸 평면도이다.
도 6은 도 6에서 VI-VI' 선을 따라 취한 단면의 일 실시예를 나타낸 단면도이다.
도 7은 도 6에서 VII-VII' 선을 따라 취한 단면의 일 실시예를 나타낸 단면도이다.
도 8은 도 3에 도시된 접합 조립체를 제조하는 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
도 9는 도 5에 도시된 접합 조립체를 제조하는 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
도 10은 도 2에서 III-III' 선을 따라 취한 단면의 일 실시예를 나타낸 단면도이다.
도 11은 도 10에 도시된 접합 조립체를 제조하는 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
도 12는 도 2에서 III-III' 선을 따라 취한 단면의 일 실시예를 나타낸 단면도이다.
도 13은 도 11에 도시된 접합 조립체를 제조하는 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
도 14는 도 1에서 일점 쇄선으로 표시한 영역의 일 실시예를 나타낸 평면도이다.
도 15는 도 1에서 일점 쇄선으로 표시한 영역의 일 실시예를 나타낸 평면도이다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
본 발명의 실시예에 따른 접합 조립체(bonded assembly)에 대하여 도면을 참고하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 접합 조립체를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 2는 도 1에서 일점 쇄선으로 표시한 영역의 일 실시예를 나타낸 평면도이다. 도 3은 도 2에서 III-III' 선을 따라 취한 단면의 일 실시예를 나타낸 단면도이고, 도 4는 도 2에서 IV-IV' 선을 따라 취한 단면의 일 실시예를 나타낸 단면도이다.
도 1을 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 접합 조립체는 서로 접합되어 있는 제1 전자 부품(10) 및 제2 전자 부품(20)을 포함한다. 제1 전자 부품(10)과 제2 전자 부품(20)은 접합 기계(bonding machine)의 압착 툴(pressing tool)(PT)에 의해 소정의 압착 영역(pressing area or pressed area, PA)이 압착되는 과정을 거쳐 서로 접합된다. 압착 영역(PA)은 압착 툴(PT)에 의한 압착 시 제1 전자 부품(10) 또는 제2 전자 부품(20)이 압착 툴(PT)의 압착 면과 닿아 압착 툴(PT)에 의해 직접적으로 압착되는 영역에 해당한다. 따라서 압착 영역(PA)은 압착 툴(PT)의 압착 면의 평면 형상에 대응하는 형상을 가지며, 대략 직사각형일 수 있다. 압착 및 가열에 의해 제1 전자 부품(10)과 제2 전자 부품(20)이 실제 접합되는 접합 영역(bonding area)은 압착 영역(PA)에 대응하지만, 그 크기는 다를 수 있다.
제1 전자 부품(10)은 인쇄회로기판일 수 있고, 제2 전자 부품(20)도 인쇄회로기판일 수 있다. 제1 전자 부품(10) 및 제2 전자 부품(20)은 모두 연성 인쇄회로기판(flexible printed circuit board, FPCB)이거나, 제1 전자 부품(10)은 경성 인쇄회로기판(rigid printed circuit board, RPCB)이고 제2 전자 부품(20)은 연성 인쇄회로기판일 수 있다. 제1 및 제2 전자 부품들(10, 20) 중 적어도 하나는 인쇄회로기판 외의 다른 전자 부품일 수 있다. 예컨대, 제2 전자 부품(20)은 연성 또는 경성 인쇄회로기판이나 표시 패널(display panel)일 수 있는 제1 전자 부품(10) 위에 실장되어 있는 집적회로 칩일 수 있다. 제1 및 제2 전자 부품들(10, 20)은 전극들(electrodes)(도시되지 않음)을 포함하면서 가열 압착을 통해 서로 접합될 수 있는 전자 부품이라면 제한이 없다.
도 2는 압착 영역(PA)을 포함하는 제1 및 제2 전자 부품(10, 20)의 평면 형상을 도시하고, 도 3 및 도 4는 단면 형상을 도시한다.
도 2 및 도 3을 참고하면, 제1 전자 부품(10)은 제1 기재(substrate)(11) 및 그 위에 위치하는 제1 전극들(12)을 포함하고, 제2 전자 부품(20)은 제2 기재(21) 및 그 위에 위치하는 제2 전극들(22)을 포함한다.
제1 전자 부품(10)이 인쇄회로기판인 경우, 제1 기재 (11)는 플라스틱 보드(board) 또는 필름(film)일 수 있다. 제1 전자 부품(10)이 집적회로 칩인 경우 제1 기재(11)는 실리콘 기판(silicon substrate)일 수 있다. 마찬가지로, 제2 전자 부품(20)이 인쇄회로기판인 경우, 제2 기재(21)는 플라스틱 보드 또는 필름일 수 있고, 제2 전자 부품(20)이 집적회로 칩인 경우 제2 기재(21)는 실리콘 기판일 수 있다. 제1 및 제2 전극들(12, 22)은 각각 그러한 제1 및 제2 기재들(11, 21)에 제1 및 제2 기재들(11, 21)의 표면으로부터 소정의 높이(h1, h2)로 돌출되게 형성되어 있다. 제1 전극(12)의 높이(h1)는 제2 전극(22)의 높이(h2)와 대략 동일할 수 있고, 서로 다를 수도 있다. 제1 및 제2 전극들(12, 22)은 압착 영역(PA) 내에 위치한다. 따라서 제1 전극들(12)에 의해 한정되는 영역은 압착 영역(PA) 내에 위치할 수 있고, 제2 전극들(22)에 의해 한정되는 영역도 압착 영역(PA) 내에 위치할 수 있다.
여기서 기재(11, 21)의 표면이란 반드시 플라스틱 보드, 필름 등의 표면을 의미하는 것이 아니라, 그러한 플라스틱 보드, 필름 등의 표면에 절연막 등이 형성되어 있는 경우, 절연막 등의 외부로 노출되는 표면을 의미하는 것으로 의도된다. 따라서 기재(11, 21)의 표면은 압착 영역(PA)에서 전극들(12, 22)이 위치하지 않는 영역의 표면을 의미할 수 있다.
제1 전극(12) 및 제2 전극(22)은 각각 다른 전자 부품과 접속하여 신호들을 전달하거나 전달받는 외부 접속 단자(external port)이다. 이러한 전극은 패드(pad), 패드 전극, 전극 패드, 단자 전극, 전극 단자, 범프(bump) 등과 같이 다양하게 불릴 수 있다. 제1 전극(12) 및 제2 전극(22)은 각각 제1 전자 부품(10) 및 제2 전자 부품(20)에 형성되어 있는 배선(도시되지 않음) 등과 연결되어 있을 수 있다.
대응하는 제1 전극(12)과 제2 전극(22)은 마치 하나의 전극처럼 완전히 일치하고 완전히 중첩하게 도시되어 있지만, 서로 어느 정도 어긋나 있을 수 있고 크기나 모양이 서로 다를 수 있다. 제1 전극(12)과 제2 전극(22)은 도시된 사각형 외에의 다각형, 또는 원형, 타원형 등 다양한 평면 형상을 가질 수 있다. 제1 전극(12)과 제2 전극(22)이 두 줄로 배치되어 있는 것으로 도시되어 있지만, 이것은 예시적인 것에 불과하며 한 줄 또는 세 줄 이상으로 다양하게 배치되어 있을 수 있고, 제1 전극(12)의 개수와 제2 전극(22)의 개수가 서로 다를 수도 있다.
제1 전극(12)과 제2 전극(22) 사이에는 도전 접합층(conductive bonding layer)(30)이 위치한다. 도전 접합층(30)은 대응하는 제1 전극(12)과 제2 전극(22)을 접합시키고 전기적으로 연결시킨다. 도전 접합층 (30)은 두 금속을 접합시키는데 사용되는 합금인 솔더(solder)에 의해 형성될 수 있으며, 이하 도전 접합층(30)의 재료로서 솔더를 예로 들어 설명한다. 도전 접합층(30)은 압착과 함께 가해지는 열에 의해 솔더가 용융된 후 굳어짐으로써 형성될 수 있다. 제1 전극(12)과 제2 전극(22)은 수지의 표면에 금속막이 코팅된 도전볼(conductive ball)에 의한 물리적 점 접촉(physical point contact)이 아닌, 도전 접합층(30)에 의한 금속 접속(metallurgical bonding)에 의해 연결되어 있다.
도전 접합층(30)을 형성하는데 사용될 수 있는 솔더는 소정의 온도, 예컨대 제1 및 제2 전극들(12, 22)보다 융점이 낮고 제1 및 제2 전극들(12, 22)과 접착성을 갖는 재료라면 제한이 없다. 솔더는 예컨대 주석-납(Sn-Pb) 합금, 주석-비스무트(Sn-Bi) 합금, 주석-은-구리(Sn-Ag-Cu) 합금 등일 수 있고, 예컨대 약 200℃ 이하 또는 약 300℃ 이하의 융점을 가질 수 있다. 도면에서 도전 접합층(30)은 제1 및 제2 전극들(12, 22)의 대향하는 면들 사이에만 위치하게 도시되어 있지만, 제1 및 제2 전극들(12, 22)의 측면들에도 위치할 수 있다. 대응하는 제1 및 제2 전극들(12, 22) 사이에서 도전 접합층(30)은 불연속적으로 형성되어 있을 수 있고 연속적으로 형성되어 있을 수도 있다.
제1 및 제2 전극들(12, 22) 주변으로, 압착 영역(PA)의 가장자리에는 간격재들(spacers)(50)이 배치되어 있다. 간격재들(50)은 제1 전자 부품(10)과 제2 전자 부품(20) 사이에, 특히 제1 기재(11)와 제2 기재(21) 사이에서 압착 영역(PA)의 가장자리와 중첩하게 위치한다. 간격재들(50)은 압착 툴(PT)에 의한 압착 시 압착 면의 가장자리와 중첩하면서 제1 기재(11)와 제2 기재(21) 사이를 간격재(50)의 두께(t)만큼 떨어져 있게 하는 역할을 한다. 간격재(50)의 두께(t)는 제1 전극(12)의 높이(h1)와 제2 전극(22)의 높이(h2)를 더한 것보다 클 수 있다. 이에 의해 대응하는 제1 및 제2 전극들(12, 22) 사이에 소정의 간극(gap)(t-h1-h2)을 확보할 수 있다. 다만, 간격재(50)의 두께(t)가 지나치게 두꺼울 경우 대응하는 제1 및 제2 전극들(12, 22)이 접속되지 않을 수 있으므로, 간격재(50)의 두께(t)는 제1 전극(12)의 높이(h1)와 제2 전극(22)의 높이(h2)에 도전 접합층(30)의 두께를 더한 것보다는 작을 수 있다.
간격재들(50)은 도시된 것과 같이 사각형의 평면 형상을 가질 수 있고, 사각형 외의 다각형이나, 원형, 타원형 등의 다양한 평면 형상을 가질 수 있다. 압착 영역(PA)의 가장자리를 따라 위치하는 간격재들(50)은 크기가 대략 동일하고 이웃하는 간격재들(50) 간의 거리(d2)가 대략 동일할 수 있지만, 다를 수도 있다.
간격재들(50)은 접합 시 가해지는 열에 의해 용융되거나 변형되지 않는 재료로 형성될 수 있다. 간격재들(50)은 예컨대 약 200℃ 이상 또는 약 250℃ 이상, 또는 약 300℃ 이상의 융점을 가지는 재료, 예컨대 폴리이미드(polyimide) 같은 플라스틱, 금속 등으로 형성될 수 있다. 간격재들(50)은 미리 만들어져 제1 기재(11) 및 제2 기재(21) 중 어느 하나에 또는 모두에 부착되어 있을 수 있고, 제1 기재(11)나 제2 기재(21) 위에 인쇄(printing), 증착(evaporation) 등에 의해 직접 형성될 수 있다. 간격재들(50)은 제1 및 제2 전극들(12, 22)과 접하지 않게 이들과 어느 정도 떨어져 있을 수 있다.
제1 기재(11) 및 제2 기재(21), 그리고 압착 툴(PT)의 압착 면은 평탄하게 설계되고 의도될지라도, 실제 제품에서는 완전히 평탄하지 않을 수 있다. 이에 따라 압착 툴(PT)에 의한 압착 시 압착 영역(PA)에서 어느 한쪽이 의도하지 않게 더 압착될 수 있다. 그렇게 과압된 부분에서는 대응하는 제1 전극(12)과 제2 전극(22) 사이에 위치하고 있어야 할 도전 접합층(30)의 솔더가 밀려나서 인접하는 다른 전극과 접촉하여 쇼트(short)를 초래하거나, 제1 및 제2 전극(12, 22) 간의 접촉 저항(contact resistance)이 증가할 수 있다. 본 발명의 실시예에 있어서, 간격재들(50)이 압착 영역(PA)의 가장자리와 중첩하게 위치하고 있으므로, 압착 툴(PT)의 압착 면, 제1 기재(11), 제2 기재(21) 등의 이상적이지 않은 평탄화로 인해 어느 부분이 과압되더라도 제1 기재(11)와 제2 기재(21)의 간격이 간격재들(50)의 두께(t) 이하로 압착되는 것을 방지할 수 있다. 간격재(50)의 두께(t)가 제1 및 제2 전극들(12, 22)의 높이(h1, h2)의 합보다 크면, 압착 시 제1 및 제2 전극들(12, 22) 사이의 간극을 확보할 수 있으므로, 과압 여부에 관계없이 소정 두께의 도전 접합층(30)이 그 간극에 남아있게 된다. 따라서 도전 접합층(30)은 제1 및 제2 전극들(12, 22)을 안정적으로 접속시킬 수 있고, 인접하는 전극들과 쇼트 가능성이 줄어들 수 있다.
간격재(50)가 압착 영역(PA)의 네 모서리에 모두 중첩하게 위치하면, 압착 툴(PT)의 압착 면의 네 모서리가 간격재(50)에 의해 지지되는 것과 같이 되므로, 압착 툴(PT)이 어느 한쪽으로 기울어지게 압착하는 것을 방지할 수 있다. 유사하게, 간격재(50)가 압착 영역(PA)의 네 변에 모두 중첩하게 위치하더라도, 압착 툴(PT)이 어느 한쪽으로 기울어지게 압착하는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라 과압이나 불균일한 압착으로 인해 유발될 수 있는 접촉 저항 증가나 쇼트 발생을 방지하면서도, 제1 기재(11)와 제2 기재(21) 사이의 간격을 전체적으로 더욱 균일하게 할 수 있으므로, 압착 영역(PA) 내의 여러 전극 쌍들(12, 22) 사이에 위치하는 도전 접합층들(30)의 양과 두께의 산포를 줄일 수 있다.
제1 기재(11)와 제2 기재(21) 사이에는 점착층(40)이 또한 위치한다. 점착층(40)은 제1 및 제2 전극들(12, 22)과 도전 접합층들(30)이 차지하지 않는 제1 기재(11)와 제2 기재(21) 사이의 공간을 채우고 있을 수 있다. 점착층(40)은 대응하는 제1 및 제2 전극들(12, 22) 사이에서 불연속적인 도전 접합층(30) 사이에도 위치할 수 있다. 다시 말해, 대응하는 제1 및 제2 전극들(12, 22) 사이에는 도전 접합층(30)과 함께 점착층(40)이 위치할 수 있다. 점착층(40)은 제1 전자 부품(10)과 제2 전자 부품(20)을 부착시켜, 이들 간의 접합력을 증가시킨다. 점착층(40)은 제1 및 제2 전극들(12, 22)과 도전 접합층들(30)을 둘러싸고 있을 수 있으며, 이들이 산화되는 것을 방지하는데 기여할 수 있다.
이웃하는 제1 전극들(12) 사이 및 이웃하는 제2 전극들(22) 사이에서 점착 층(40) 내에는 솔더 입자들(31)이 포함되어 있다. 솔더 입자들(31)은 후술하는 이방성 도전막(anisotropic conductive film, ACF) 내의 솔더 입자들 중에서 제1 및 제2 전극들(12, 22) 사이의 도전 접합층(30)을 형성하지 못하고 점착층(40) 내에 존재하는 솔더 입자들이다. 따라서 솔더 입자들(31)은 도전 접합 층(30)과 동일한 재료로 이루어져 있다. 솔더 입자들(31)은 구형일 수 있지만, 접합 시의 열과 압력에 의해 형태가 변형되어 있을 수 있고, 뭉쳐있을 수도 있다. 점착층(40) 및 솔더 입자들(31)은 주로 압착 영역(PA) 내에 위치하지만, 도 4에 도시된 바와 같이, 인접하는 간격재들(50) 사이에 위치할 수 있고, 압착 영역(PA) 주위에도 위치할 수 있다.
이하에서는 도 5, 도 6 및 도 7을 참고하여, 본 발명의 다른 일 실시예에 다른 접합 조립체를 전술한 실시예와 차이점을 위주로 설명한다.
도 5는 도 1에서 일점 쇄선으로 표시한 영역의 일 실시예를 나타낸 평면도이고, 도 6은 도 6에서 VI-VI' 선을 따라 취한 단면의 일 실시예를 나타낸 단면도이고, 도 7은 도 6에서 VII-VII' 선을 따라 취한 단면의 일 실시예를 나타낸 단면도이다.
도 5를 참고하면, 전술한 도 2의 실시예와 마찬가지로, 제1 및 제2 전극들(12, 22)이 압착 영역(PA) 내에 위치하고, 제1 및 제2 전극들(12, 22) 주위에 간격재들(50)이 배치되어 있다. 하지만, 간격재들(50)이 압착 영역(PA)의 가장자리에 배치되어 있는 도 2의 실시예와 달리, 간격재들(50)은 압착 영역(PA) 내부에 위치하고 있다. 그렇더라도, 간격재들(50)이 압착 영역(PA)과 중첩하고 있으므로, 압착 툴(PT)에 의한 압착 시 제1 기재(11)와 제2 기재(21) 사이를 간격재들(50)의 두께(t)만큼 떨어져 있게 할 수 있고, 압착 툴(PT)이 어느 한쪽으로 기울어지게 압착하는 것을 방지할 수 있다. 도시된 실시예와 달리, 몇몇 간격재들(50)은 압착 영역(PA)의 적어도 하나의 모서리와 중첩할 수도 있다.
도 6 및 도 7을 참고하면, 솔더 입자들(31)을 포함하는 점착층(40)은 간격재(50)와 제1 및 제2 전극들(12, 22) 사이에 위치하고, 인접하는 간격재들(50) 사이에 위치한다. 그러한 점착층(40)은 간격재들(50)의 외곽에 또한 위치할 수 있다. 따라서 점착층(40)은 각각의 간격재(50)를 완전히 둘러싸도록 위치할 수 있으며, 이에 따라 간격재(50) 부근에서 제1 및 제2 전자 부품(10, 20) 간의 접합력을 증가시킬 수 있다.
지금까지 본 발명의 일 실시예에 따른 접합 조립체에 대해 구조적 특징을 중심으로 설명하였다. 이제 그러한 접합 조립체를 제조하는 방법에 대해 도 8 및 도 9를 참고하여 설명한다.
도 8은 도 3에 도시된 접합 조립체를 제조하는 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
도 8을 참고하면, 제1 전자 부품(10)의 제1 전극들(12)이 위를 향하도록 접합 기계의 지지판(도시되지 않음) 등에 위치시킨다. 도 8에서, 제1 전자 부품(10)의 제1 전극들(12)은 제1 기재(11) 위에 높이(h1)로 형성되어 있을 수 있다. 제1 기재(11)에는 압착 툴(PT)의 압착 면(PS)에 대응하는 압착 영역(PA)과 중첩하는 곳에 두께(t)를 가진 간격재들(50)이 형성되어 있거나 부착되어 있다.
그 후, 수지에 솔더 입자들(31)이 분산되어 있는 이방성 도전막(ACF)을 제1 전자 부품(10) 위에 위치시킨다. 이방성 도전막(ACF)은 예컨대 제1 전극들(12)과 중첩하지만 간격재들(50)과는 중첩하지 않게 위치할 수 있다. 이를 위해 예컨대 이형지가 부착되어 있는 이방성 도전막을 소정의 크기로 절단한 후 이형지를 제거하여 이방성 도전막(ACF)으로 사용할 수 있다. 이방성 도전막(ACF)의 수지는 에폭시 수지, 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 비스말레이미드 수지, 시아네이트 수지 등의 열경화성 수지일 수 있고, 반경화 상태일 수 있다. 수지는 광경화성 수지일 수도 있다. 솔더 입자들(31)은 약 50 마이크로미터 이하, 또는 약 1 마이크로미터 내지 약 25 마이크로미터 범위의 직경을 가질 수 있다. 솔더 입자들(31)은 주석(Sn), 납(Pb), 비스무트(Bi), 은(Ag) 또는 구리(Cu)를 포함하는 합금일 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
이어서, 제2 전자 부품(20)의 제2 전극들(22)이 이방성 도전막(ACF)을 향하도록 이방성 도전막(ACF) 위에 위치시켜, 제1 전자 부품(10)과 제2 전자 부품(20) 사이에 이방성 도전막(ACF)이 개재되어 있는 상태가 되게 한다. 제2 전자 부품(20)의 제2 전극들은 제2 기재(21) 위에 높이(h2)로 형성되어 있을 수 있다. 그 후, 압착 툴(PT)로 압착 영역(PA)을 압착하면서 가열하면, 중첩하는 제1 및 제2 전극들(12, 22) 사이에 위치하는 이방성 도전막(ACF)의 솔더 입자들(31)은 용융되어 제1 및 제2 전극(12, 22) 사이에서 형태가 변하거나, 형태가 변하면서 인접하는 솔더 입자들끼리 들러붙거나 퍼지게 되고, 일부는 제1 및 제2 전극들(12, 22) 주변으로 흘러나갈 수도 있다. 그렇더라도, 제1 및 제2 기재들(11, 21) 사이에 위치하는 간격재들(50)로 인해, 중첩하는 제1 및 제2 전극들(12, 22) 사이에 어느 정도 간극(t-h1-h2)이 존재할 수 있으므로, 용융된 솔더 입자들이 제1 및 제2 전극들(12, 22) 사이에 남아 있고, 절연되어야 하는 인접하는 전극들(12, 22)과 접속할 가능성이 줄어든다.
압착 영역(PA)의 압착 및 가열 시 이방성 도전막(ACF)의 수지는 인접하는 전극들(12, 22) 사이의 공간을 채우고, 열 등에 의해 경화된다. 대응하는 제1 및 제2 전극(12, 13) 사이에 용융된 솔더 입자들과 함께 남아 있는 수지도 또한 경화된다. 압착 영역(PA)의 소정 간격으로 이격되어 있는 공간을 채우고 남는 수지는 압착 시 압착 영역(PA) 외부로 흘러나간다. 이때, 수지의 원활하게 흘러나갈 수 있도록, 도 2를 참고하면, 간격재들(50)은 소정 거리(d2)로 이격되게 위치할 수 있다. 이웃하는 간격재들(50) 사이의 거리(d2)는 이웃하는 제1 전극들(12) 또는 제2 전극들(22) 간의 거리(d1)와 대략 동일하거나 그보다 클 수 있다. 거리(d2)가 거리(d1)보다 작으면 전극들(12, 22) 사이에서 수지의 유동과 간격재들(50) 사이에서 수지의 유동이 달라져 점착층(40)의 균일성이 저하될 수 있고, 이로 인해 접합 품질이 저하될 수 있다. 수지의 유동 균일성을 확보하는데 있어서 간격재들(50)의 크기가 대략 동일한 것이 또한 유리할 수 있다. 한편, 중첩하는 제1 및 제2 전극들(12, 22) 사이에 위치하지 않는 솔더 입자들(31)은 부분적으로 융해되어 변형되거나 원래 형태(예컨대, 구형)를 유지하고 있을 수도 있다.
압착 영역(PA)의 가열은 예컨대 가열 가능한 압착 툴(PT)을 사용할 수 있다. 다른 예로, 이방성 도전막(ACF)에 레이저 등을 직접 조사하여 가열하거나, 초음파를 사용하여 진동에 의해 이방성 도전막(ACF)에서 자체 발열이 일어나도록 하는 방법이 사용될 수도 있다. 이방성 도전막(ACF)의 수지가 광경화성인 경우, 자외선 같은 광이 압착 시 조사될 수도 있다.
최종적으로, 제1 및 제2 전극들(12, 22) 사이에서 용융된 솔더 입자들(31)은 굳어져서 예컨대 도 3에 도시된 바와 같이 용융 전의 솔더 입자에 비해 납작해진 형태, 인접하는 솔더 입자들끼리 들러붙은 형태, 또는 이러한 형태가 혼재하는 도전 접합층(30)이 되어 제1 및 제2 전극들(12, 22)을 접합시킨다. 경화된 수지는 제1 전자 부품(10)과 제2 전자 부품(20)을 부착시키는 점착층(40)이 된다. 간격재들(50)이 초기(즉, 제1 및 제2 전자 부품들(10, 20)의 접합 전)에 제1 기재(11) 위에 위치하는 것을 예로 들어 설명하였지만, 간격재들(50)은 제2 기재(21) 위에 위치하거나, 일부는 제1 기재(11) 위에 위치하고 일부는 제2 기재(21) 위에 위치하고 있을 수도 있다.
도 9는 도 5에 도시된 접합 조립체를 제조하는 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
도 9의 실시예는 도 8의 실시예와 대부분 동일하지만, 이방성 도전막(ACF)의 크기 등에 있어서 차이가 있다. 구체적으로, 도 9의 실시예에서, 이방성 도전막(ACF)은 제1 전극들(12)과 중첩하고 간격재들(50)과도 중첩하도록 위치한다. 이를 위해 예컨대 이형지가 부착되어 있는 이방성 도전막을 소정의 크기로 절단하여 이방성 도전막(ACF)으로 사용하거나, 수지에 솔더 입자들(31)이 분산되어 있는 이방성 도전막(ACF)을 제1 전자 부품(10) 위에 직접 형성할 수도 있다.
압착 툴(PT)에 의해 압착되는 압착 영역(PA)은 이방성 도전막(ACF)에 대응하는 크기를 가질 수 있다. 압착 영역(PA)이 이방성 도전막(ACF)보다 작을 경우, 지지체들(50) 위에 위치하는 이방성 도전막(ACF)은 압착되지 않아 지지체들(50) 위에 남아 있을 수 있고, 압착 영역(PA) 외곽에 위치하는 이방성 도전막(ACF)의 수지는 미경화 상태로 남아 있을 수 있기 때문이다. 간격재들(50)은 도시된 것과 같이 초기에 제1 기재(11) 위에 위치할 수 있지만, 제2 기재(21) 위에 또는 제1 및 제2 기재들(11, 21) 위에 위치할 수도 있다.
제1 전자 부품(10)과 제2 전자 부품(20)을 접합시켜 접합 조립체를 형성하는데 전술한 바와 같이 솔더 입자들(31)을 포함하는 이방성 도전막(ACF)이 사용될 수 있지만, 다른 방식으로도 형성이 가능하다. 이하에는 그러한 실시예들에 대해 도 10 및 도 11, 그리고 도 12 및 도 13을 참고하여 전술한 실시예와 차이점을 위주로 설명한다.
도 10은 도 2에서 III-III' 선을 따라 취한 단면의 일 실시예를 나타낸 단면도이고, 도 11은 도 10에 도시된 접합 조립체를 제조하는 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
도 10을 참고하면, 도 3의 실시예와 마찬가지로, 제1 전자 부품(10)과 제2 전자 부품(20)이 도전 접합층(30)과 점착층(40)에 의해 접합되어 있다. 하지만, 점착층(40) 내에 솔더 입자들이 포함되어 있지 않다는 점에서 차이가 있다. 또한, 대응하는 제1 및 제2 전극들(12, 22) 사이에서 도전 접합층(30)이 연속적으로 예컨대, 한 덩어리로 형성되어 있다. 이러한 접합 구조는 예컨대 도 11에 도시된 제조 방법에 의해 형성될 수 있다.
도 11을 참고하면, 제1 기재(11) 위에 제1 전극들(12)이 높이(h1)로 형성되어 있는 제1 전자 부품(10)을 지지판 등에 위치시킨다. 각각의 제1 전극(12) 위에는 솔더 코트(solder coat)(32)가 형성되어 있다. 솔더 코트(32)는 예컨대, 제1 전극(12) 위에 솔더를 인쇄하거나, 제1 전극(12)을 솔더 용액에 침지하는 등 다양한 방법에 의해 형성될 수 있다.
그 후, 솔더 입자나 도전 입자를 포함하지 않고 수지 같은 점착제만으로 이루어질 수 있는 비도전막(non-conductive film, NCF)을 제1 전자 부품(10) 위에 위치시킨다. 그 위로 제2 기재(21) 위에 제2 전극들(22)이 높이(h2)로 형성되어 있는 제2 전자 부품(20)을 제2 전극들(22)이 비도전막(NCF)을 향하도록 비도전막(NCF) 위에 위치시킨다. 제2 기재(21)에는 제1 전자 부품(10)을 향하는 표면에 두께(t)의 간격재(50)가 형성되어 있거나 부착되어 있다.
그 다음, 그 후, 압착 툴(PT)로 압착 영역(PA)을 압착 및 가열하면, 중첩하는 제1 및 제2 전극들(12, 22) 사이에 위치하는 솔더 코트(32)는 용융된 후 굳어 제1 및 제2 전극들(12, 22)을 접합시키는 도전 접합층(30)을 형성한다. 각각의 제1 전극들(12) 위에 형성되어 있는 솔더 코트(32)의 양에 있어서 산포가 존재할 수 있고, 가열 압착 시 중첩하는 제1 및 제2 전극들(12, 22) 사이의 솔더 코트(32)가 전부 또는 거의 전부 주위로 흘러나갈 수 있다. 이때 과량의 솔더 코트(32)가 형성되어 있던 곳에서는 인접하는 전극들(12, 22)과 접할 수 있을 정도로 흘러나가 쇼트가 발생할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따르면, 소정 두께(t)의 간격재(50)로 인해 중첩하는 제1 및 제2 전극들(12, 22) 사이에 형성될 수 있는 간극이 용융된 솔더 코트(32)의 일부분을 수용할 수 있으므로 그러한 쇼트 발생의 위험이 줄어들 수 있다.
간격재들(50)이 초기에 제2 기재(21) 위에 위치하는 것을 예로 들어 설명하였지만, 간격재들(50)은 제1 기재(11)에 위치하거나, 제1 및 제2 기재들(11, 21) 모두에 위치하고 있을 수도 있다. 솔더 코트(32)는 제1 전극(12) 대신 제2 전극(22)에 위치할 수 있고, 제1 및 제2 전극들(12, 22) 모두에 위치할 수도 있다. 비도전막(NCF)의 수지와 관련된 특징은 전술한 이방성 도전막(ACF)의 수지와 관련된 특징과 동일할 수 있으며, 이에 대한 설명은 생략한다.
도 12는 도 2에서 III-III' 선을 따라 취한 단면의 일 실시예를 나타낸 단면도이고, 도 13은 도 12에 도시된 접합 조립체를 제조하는 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
도 12를 참고하면, 제1 전자 부품(10)과 제2 전자 부품(20) 사이에 점착층이 형성되어 있지 않은 점에서 도 10의 실시예와 차이가 있다. 두 전자 부품들(10, 20)의 접합이 도전 접합층(30)만에 의해 이루어진다. 따라서 도 13을 참고하면, 제1 전자 부품(10)과 제2 전자 부품(20)의 접합 시 이들 사이에 비도전막(NCF)이 위치하지 않고, 제1 전자 부품(10) 바로 위에 제2 전자 부품(20)이 위치한다. 도 13은 솔더 코트(32)가 제1 전극(12)과 제2 전극(22) 모두에 형성되어 있고, 간격재들(50)이 제1 기재(11)와 제2 기재(21) 모두에 위치하고 있는 것을 도시하고 있다. 이와 달리, 솔더 코트(32)는 제1 전극(12) 또는 제2 전극(22)에만 형성될 수도 있고, 간격재들(50)은 제1 기재(11) 또는 제2 기재(21)에만 위치할 수도 있다.
도 14 및 도 15는 각각 도 1에서 일점 쇄선으로 표시한 영역의 일 실시예를 나타낸 평면도이다.
도 14를 참고하면, 간격재들(50)이 소정 거리(d2)로 이격되어 위치하고 있는 도 2의 실시예와 달리, 하나의 간격재(50)가 제1 및 제2 전극들(12, 22)을 빙 둘러 압착 영역(PA)의 가장자리와 중첩하게 위치하고 있다. 이와 같은 간격재(50)의 배치는 예컨대, 도 12 및 도 13의 실시예와 같이 점착층을 사용하지 않는 경우에 적용될 수 있다. 간격재(50)가 압착 영역(PA)을 완전히 둘러싸고 있더라도 압착 시 수지 같은 점착제가 압착 영역(PA) 외부로 흘러나갈 필요가 없기 때문이다.
도 15를 참고하면, 간격재들(50)은 다양한 크기와 형상으로 배치될 수 있다. 예컨대, 도시된 바와 같이 간격재들(50)은 압착 영역(PA)의 모서리와 중첩하게 섬과 같이 배치되거나, 압착 영역(PA)의 두 변을 걸쳐 배치될 수 있다. 어떤 간격재(50a)는 압착 영역(PA)의 내부에서 인접하는 전극들(12, 22) 사이에도 위치할 수 있고, 어떤 간격재(50b)는 압착 영역(PA)이 가장자리로부터 인접하는 전극들(12, 22) 사이에 걸쳐 위치할 수도 있다. 이러한 간격재들(50a, 50b)은 압착 영역(PA)이 넓은 경우에 특히 유용할 수 있다.
지금까지 두 전자 부품이 접합되어 있는 접합 조립체 및 이를 제조하는 실시예들에 대해서 설명하였다. 이제 그러한 접합 조립체들이 적용될 수 있는 구체적인 전자 장치에 대해서 표시 장치를 예로 들어 설명하기로 한다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 16을 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널(300) 및 표시 패널(300)에 연결되어 있는 연성 인쇄회로기판들(100, 200)을 포함한다. 표시 패널(300)은 유기 발광 표시 패널 또는 액정 표시 패널일 수 있지만 이에 제한되지 않는다.
표시 패널(300)은 영상을 표시하는 표시 영역(display area, DA), 그리고 표시 영역(DA)에 인가되는 각종 신호들을 생성 및/또는 전달하기 위한 소자들 및/또는 배선들이 배치되어 있는, 표시 영역(DA) 외곽의 비표시 영역(non-display area, NA)을 포함한다. 도 16에서 표시 패널(300)의 일 측 가장자리 영역 즉, 하측 영역만이 비표시 영역(NA)으로 도시되어 있으나, 표시 패널(300)의 다른 측 가장자리 영역 예컨대, 좌우측 가장자리 영역 및/또는 상측 가장자리 영역도 비표시 영역(NA)에 해당할 수 있다. 표시 영역(DA)이 사각형으로 도시되어 있으나, 표시 영역(DA)은 사각형 외에도 원형, 타원형, 다각형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.
표시 패널(300)의 표시 영역(DA)에는 화소들(PX)이 예컨대 행렬로 배치되어 있다. 표시 영역(DA)에는 게이트선들(도시되지 않음), 데이터선들(도시되지 않음) 같은 신호선들이 또한 배치되어 있다. 게이트선들은 대략 행 방향(가로 방향)으로 뻗어 있을 수 있고, 데이터선들은 대략 열 방향(세로 방향)으로 뻗어 있을 수 있다. 각각의 화소(PX)는 게이트선 및 데이터선과 연결되어, 이들 신호선으로부터 게이트 신호와 데이터 신호를 인가받을 수 있다. 유기 발광 표시 장치의 경우, 표시 영역(DA)에는 예컨대 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 구동 전압을 화소들(PX)에 전달하는 구동 전압선들(도시되지 않음)이 배치되어 있을 수 있다.
표시 패널(300)의 비표시 영역(NA)에는 표시 패널(300)의 외부로부터 신호들을 전달받기 위한 전극들이 형성되어 있는 패드부(pad portion)(PP1)가 위치한다. 패드부(PP1)에는 연성 인쇄회로기판(200)의 일단이 연결되어 있다. 연성 인쇄회로기판(200)의 타단은 연성 인쇄회로기판(100)의 패드부(PP2)에 연결되어 있으며, 연성 인쇄회로기판(100)은 예컨대 외부의 경성 인쇄회로기판에 연결되어 영상 데이터 같은 신호를 전달할 수 있다.
표시 패널(300)을 구동하기 위한 각종 신호들을 생성 및/또는 처리하는 구동 장치는 표시 패널(300)의 비표시 영역(NA)이나 연성 인쇄회로기판(200)에 위치할 수 있고, 외부의 인쇄회로기판에 위치할 수도 있다. 구동 장치는 데이터선에 데이터 신호를 인가하는 데이터 구동부, 게이트선에 게이트 신호를 인가하는 게이트 구동부, 그리고 데이터 구동부 및 게이트 구동부를 제어하는 신호 제어부를 포함할 수 있다.
데이터 구동부는 도시된 것과 같이 연성 인쇄회로기판(200)에 집적회로 칩(400) 형태로 실장되어 테이프 캐리어 패키지(tape carrier package) 형태로 패드부(PP1)에 연결될 수 있다. 도시된 것과 달리, 데이터 구동부는 집적회로 칩 형태로 표시 영역(DA)과 패드부(PP1) 사이의 비표시 영역(NA)에 실장되어 있을 수 있다. 게이트 구동부는 표시 패널(300)의 좌측 및/또는 우측 가장자리의 비표시 영역(도시되지 않음)에 집적되어 있을 수 있고, 집적회로 칩 형태로 제공될 수도 있다. 신호 제어부는 데이터 구동부와 같은 집적회로 칩(400)으로 형성되거나 별개의 집적회로 칩으로 제공될 수 있다.
전술한 제1 및 제2 전자 부품들(10, 20)은 예컨대 표시 장치의 연성 인쇄회로기판들(100, 200)에 해당할 수 있고, 연성 인쇄회로기판들(100, 200)은 전술한 접합 조립체에 해당할 수 있다. 제1 및 제2 전자 부품들(10, 20)의 자체의 특징 및 접합 특징에 관한 모든 설명은 연성 인쇄회로기판들(100, 200)에 그대로 적용될 수 있으므로, 이에 대한 중복 설명은 생략한다. 제1 및 제2 전자 부품들(10, 20)은 또한 표시 패널(300) 및 연성 인쇄회로기판(200)에 해당할 수 있고, 연성 인쇄회로기판(200) 및 집적회로 칩(400)에 해당할 수 있다. 제1 및 제2 전자 부품(10, 20)의 압착 영역(PA)은 패드부(PP1, PP2)에 해당할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
10, 20: 전자 부품
100, 200: 연성 인쇄회로기판
11, 21: 기재
12, 22: 전극
30: 도전 접합층
31: 솔더 입자
32: 솔더 코트
40: 점착층
50, 50a: 간격재
300: 표시 패널
400: 집적회로 칩
PA: 압착 영역
PT: 압착 툴

Claims (20)

  1. 제1 기재, 그리고 압착 영역 내에 위치하며 상기 제1 기재의 표면으로부터 제1 높이를 가지는 복수의 제1 전극을 포함하는 제1 전자 부품;
    제2 기재, 그리고 상기 제2 기재의 표면으로부터 제2 높이를 가지는 복수의 제2 전극을 포함하며, 각각의 상기 제2 전극이 대응하는 상기 제1 전극과 마주하게 중첩하도록 제1 전자 부품 위에 위치하는 제2 전자 부품;
    중첩하는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하며 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 접합시키는 도전 접합층; 및
    상기 제1 기재와 상기 제2 기재 사이에서 상기 압착 영역과 중첩하게 위치하며, 상기 제1 높이와 상기 제2 높이의 합보다 큰 두께를 가지는 적어도 하나의 간격재;
    를 포함하는 접합 조립체.
  2. 제1항에서,
    상기 적어도 하나의 간격재는 서로 이격되어 있는 복수의 간격재를 포함하는 접합 조립체.
  3. 제2항에서,
    상기 복수의 간격재는 상기 압착 영역의 네 모서리와 중첩하는 접합 조립체.
  4. 제2항에서,
    상기 복수의 간격재는 상기 압착 영역의 네 변과 중첩하는 접합 조립체.
  5. 제2항에서,
    이웃하는 간격재들 간의 거리는 이웃하는 제1 전극들 또는 제2 전극들 간의 거리 이상인 접합 조립체.
  6. 제1항에서,
    상기 적어도 하나의 간격재는 상기 제1 기재 및 상기 제2 기재 중 적어도 하나에 부착, 인쇄, 또는 증착되어 있는 접합 조립체.
  7. 제1항에서,
    상기 간격재는 약 200℃ 이상의 융점을 가지는 접합 조립체.
  8. 제1항에서,
    상기 제1 기재와 상기 제2 기재 사이에 위치하는 이방성 도전막을 더 포함하며,
    상기 이방성 도전막은 솔더 입자들을 포함하는 접합 조립체.
  9. 제1항에서,
    상기 제1 기재와 상기 제2 기재 사이에 위치하는 비도전막을 더 포함하는 접합 조립체.
  10. 제1항에서,
    상기 적어도 하나의 간격재는 상기 복수의 제1 전극 및 상기 복수의 제2 전극을 둘러싸는 접합 조립체.
  11. 제1항에서,
    상기 압착 영역 내에 상기 압착 영역의 가장자리와 중첩하는 않는 적어도 하나의 간격재를 더 포함하는 접합 조립체.
  12. 제1항에서,
    상기 제1 전자 부품 및 상기 제2 전자 부품 중 적어도 하나는 연성 인쇄회로기판인 접합 조립체.
  13. 표시 패널 및 상기 표시 패널에 연결되어 있는 접합 조립체를 포함하며,
    상기 접합 조립체는,
    제1 기재, 그리고 압착 영역 내에 위치하며 상기 제1 기재의 표면으로부터 제1 높이를 가지는 복수의 제1 전극을 포함하는 제1 연성 인쇄회로기판;
    제2 기재, 그리고 상기 제2 기재의 표면으로부터 제2 높이를 가지는 복수의 제2 전극을 포함하며, 각각의 상기 제2 전극이 대응하는 상기 제1 전극과 마주하게 중첩하도록 제1 연성 인쇄회로기판 위에 위치하는 제2 연성 인쇄회로기판;
    중첩하는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하며 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 접합시키는 도전 접합층; 및
    상기 제1 기재와 상기 제2 기재 사이에서 상기 압착 영역과 중첩하게 위치하며, 상기 제1 높이와 상기 제2 높이의 합보다 큰 두께를 가지는 적어도 하나의 간격재;
    를 포함하는 표시 장치.
  14. 제13항에서,
    상기 적어도 하나의 간격재는 서로 이격되어 있는 복수의 간격재를 포함하는 표시 장치.
  15. 제14항에서,
    상기 복수의 간격재는 상기 압착 영역의 네 모서리와 중첩하는 표시 장치.
  16. 제14항에서,
    상기 복수의 간격재는 상기 압착 영역의 네 변과 중첩하는 표시 장치.
  17. 제14항에서,
    이웃하는 간격재들 간의 거리는 이웃하는 제1 전극들 또는 제2 전극들 간의 거리 이상인 표시 장치.
  18. 제13항에서,
    상기 간격재는 약 200℃ 이상의 융점을 가지는 표시 장치.
  19. 제13항에서,
    상기 접합 조립체는 상기 제1 기재와 상기 제2 기재 사이에 위치하는 이방성 도전막을 더 포함하며,
    상기 이방성 도전막은 솔더 입자들을 포함하는 표시 장치.
  20. 제13항에서,
    상기 접합 조립체는 상기 제1 기재와 상기 제2 기재 사이에 위치하는 비도전막을 더 포함하는 표시 장치.
KR1020160109217A 2016-08-26 2016-08-26 접합 조립체 및 이를 포함하는 표시 장치 KR20180024099A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160109217A KR20180024099A (ko) 2016-08-26 2016-08-26 접합 조립체 및 이를 포함하는 표시 장치
US15/581,923 US10178769B2 (en) 2016-08-26 2017-04-28 Bonded assembly and display device including the same
CN201710716884.4A CN107785690B (zh) 2016-08-26 2017-08-21 结合组件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160109217A KR20180024099A (ko) 2016-08-26 2016-08-26 접합 조립체 및 이를 포함하는 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180024099A true KR20180024099A (ko) 2018-03-08

Family

ID=61244216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160109217A KR20180024099A (ko) 2016-08-26 2016-08-26 접합 조립체 및 이를 포함하는 표시 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10178769B2 (ko)
KR (1) KR20180024099A (ko)
CN (1) CN107785690B (ko)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200027399A (ko) * 2018-09-03 2020-03-12 한국전자통신연구원 레이저 접합 방법
KR20200135669A (ko) * 2019-05-24 2020-12-03 한국전자통신연구원 레이저 접합 방법
WO2021002738A1 (ko) * 2019-07-03 2021-01-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
US11557641B2 (en) 2020-02-25 2023-01-17 Samsung Display Co., Ltd. Display device
WO2023054990A1 (ko) * 2021-09-30 2023-04-06 삼성전자주식회사 열경화성 본딩 시트를 포함하는 전자 장치
US11737215B2 (en) 2020-06-08 2023-08-22 Samsung Display Co., Ltd. Printed circuit film, display device, and method of fabricating printed circuit film

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7046351B2 (ja) 2018-01-31 2022-04-04 三国電子有限会社 接続構造体の作製方法
JP7160302B2 (ja) 2018-01-31 2022-10-25 三国電子有限会社 接続構造体および接続構造体の作製方法
JP7185252B2 (ja) 2018-01-31 2022-12-07 三国電子有限会社 接続構造体の作製方法
US11139282B2 (en) 2018-07-26 2021-10-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor package structure and method for manufacturing the same
CN109411376B (zh) * 2018-11-02 2020-11-13 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板制造方法和显示面板
CN111385969A (zh) * 2018-12-29 2020-07-07 余姚舜宇智能光学技术有限公司 一种线路板间的压合连接结构、压合连接方法
WO2021208006A1 (zh) * 2020-04-16 2021-10-21 华为技术有限公司 封装结构、电动车辆和电子装置
GB2601325B (en) * 2020-11-25 2023-12-13 Pragmatic Semiconductor Ltd Support structures for flexible electronic circuits
CN114501792B (zh) * 2021-07-09 2023-07-21 荣耀终端有限公司 一种电路板组件及电子设备

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100306115B1 (ko) 1998-12-31 2002-03-25 구자홍 회로기판의부품혼재실장공법
JP3696512B2 (ja) * 2001-02-13 2005-09-21 シャープ株式会社 表示素子駆動装置およびそれを用いた表示装置
US7916263B2 (en) * 2004-12-02 2011-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR100650728B1 (ko) 2004-12-24 2006-11-27 주식회사 하이닉스반도체 스택 패키지 및 그 제조방법
JP2010034504A (ja) * 2008-07-02 2010-02-12 Panasonic Corp 基板間の接続方法、フリップチップ実装体及び基板間接続構造
JP5277068B2 (ja) * 2008-07-14 2013-08-28 パナソニック株式会社 基板間の接続方法、フリップチップ実装体及び基板間接続構造
KR101025620B1 (ko) * 2009-07-13 2011-03-30 한국과학기술원 초음파 접합용 이방성 전도성 접착제 및 이를 이용한 전자부품 간 접속방법
TW201117336A (en) * 2009-11-05 2011-05-16 Raydium Semiconductor Corp Electronic chip and substrate providing insulation protection between conducting nodes
KR101666101B1 (ko) * 2012-02-24 2016-10-13 히타치가세이가부시끼가이샤 반도체용 접착제, 플럭스제, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
CN104246997B (zh) * 2012-05-10 2017-09-08 松下知识产权经营株式会社 安装结构体及其制造方法
JP2014103183A (ja) 2012-11-19 2014-06-05 Mitsubishi Electric Corp 電子回路、その製造方法、および電子部品
WO2014112541A1 (ja) * 2013-01-17 2014-07-24 積水化学工業株式会社 電子部品用硬化性組成物、接続構造体及び接続構造体の製造方法
KR20150084329A (ko) 2014-01-13 2015-07-22 엘지전자 주식회사 솔더 페이스트 및 이를 사용한 접합 구조
JP2016224589A (ja) * 2015-05-28 2016-12-28 アルプス電気株式会社 接続装置
US9653425B2 (en) * 2015-08-26 2017-05-16 Apple Inc. Anisotropic conductive film structures

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200027399A (ko) * 2018-09-03 2020-03-12 한국전자통신연구원 레이저 접합 방법
KR20200135669A (ko) * 2019-05-24 2020-12-03 한국전자통신연구원 레이저 접합 방법
WO2021002738A1 (ko) * 2019-07-03 2021-01-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
US11557641B2 (en) 2020-02-25 2023-01-17 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US11737215B2 (en) 2020-06-08 2023-08-22 Samsung Display Co., Ltd. Printed circuit film, display device, and method of fabricating printed circuit film
WO2023054990A1 (ko) * 2021-09-30 2023-04-06 삼성전자주식회사 열경화성 본딩 시트를 포함하는 전자 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US10178769B2 (en) 2019-01-08
US20180063956A1 (en) 2018-03-01
CN107785690B (zh) 2021-03-09
CN107785690A (zh) 2018-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20180024099A (ko) 접합 조립체 및 이를 포함하는 표시 장치
KR101025620B1 (ko) 초음파 접합용 이방성 전도성 접착제 및 이를 이용한 전자부품 간 접속방법
JP6726070B2 (ja) 電子部品の実装方法、電子部品の接合構造、基板装置、ディスプレイ装置、ディスプレイシステム
US6537854B1 (en) Method for bonding IC chips having multi-layered bumps with corrugated surfaces and devices formed
KR101857331B1 (ko) 이방성 도전 필름, 이방성 도전 필름의 제조 방법, 접속체의 제조 방법 및 접속 방법
KR20170139217A (ko) 표시장치 및 이의 제조방법
JP4888462B2 (ja) 電子部品の実装構造
WO2010010743A1 (ja) 電子回路装置、その製造方法及び表示装置
JP2001230511A (ja) 接続構造、電気光学装置および電子機器
WO2014034102A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
JP6187918B2 (ja) 回路部材の接続構造、接続方法および接続材料
KR102047733B1 (ko) 전자 부품의 실장 방법, 전자 부품의 접합 구조, 기판 장치, 디스플레이 장치, 디스플레이 시스템
KR20000062451A (ko) 영상 장치 및 그 제조 방법
JP4525734B2 (ja) 電子部品の実装構造
JP2007035546A (ja) 圧着装置及び圧着方法
KR101025623B1 (ko) 코어쉘 구조의 초음파 접합용 이방성 전도성 접착제 및 이를 이용한 전자부품간 접속방법
KR20140048632A (ko) 표시 장치용 본딩 장치 및 그 방법
JP2001230001A (ja) 接続構造、電気光学装置および電子機器
KR20010064618A (ko) 레이저를 이용한 유리 기판에서의 회로 소자 접합 및 탈착방법
JP2002244146A (ja) 不透明基板を具えたフラットパネルディスプレイの内部連接方法とそれにより形成される装置
JP7122084B2 (ja) フレキシブル回路基板、接続体、接続体の製造方法、フレキシブル回路基板の設計方法
KR100761596B1 (ko) 돌기형 전극을 구비한 반도체 디바이스 및 이를 이용한반도체 패키지
JP2008060403A (ja) 駆動icの圧着方法および圧着装置
KR20230101361A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
JP3252848B2 (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application