JP6187918B2 - 回路部材の接続構造、接続方法および接続材料 - Google Patents

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本発明は、透明電極を有する回路部材と、金属電極を有する回路部材との、はんだ材料による接続構造に関する。
通常、ガラス基板のような透明な回路部材は、透明電極を備えている。例えば液晶ディスプレイ基板とフレキシブル基板(FPC)とを電気的に接続する場合、FPCが有する金属電極と液晶ディスプレイ基板が有する透明電極とを接続することが必要である。しかし、透明電極は、溶融はんだ材料に濡れにくいため、良好な接続状態を達成することは困難である。そこで、透明電極を濡れ性の高い金属メッキで被覆した後、はんだ材料により、金属電極と透明電極とを接続する技術が提案されている(特許文献1)。
しかし、透明電極を金属メッキで被覆するには、相応のコストアップが必要となる。一方、はんだ材料の代わりに異方導電性フィルム(ACF)を用いるChiponGlass(COG)、FilmonGlass(FOG)と称される電極間の接続方法が提案されている(特許文献2)。
特開昭58−182684号公報 特開2012−190804号公報
しかし、ACFに含まれる導電性粒子は、樹脂粒子とその表面を被覆する導電層とで形成されている。このような導電性粒子は、例えば、200℃近い高温下、50MPa〜150MPaの高圧力で、電極間で圧縮されることにより、電極との電気的な接触を達成している。
以上のように、ACFで接続された回路部材には、熱による膨張収縮の応力に加え、圧縮の際の圧力に起因する相当の歪が発生する。一方、透明電極を備えた回路部材では、基板の薄型化が進んでいるため、応力による不具合が顕在化しつつある。
また、ACFに含まれる導電性粒子は、高温に曝されると膨張するため、電極との接触面積が減少し、接続抵抗が増大する傾向がある。
上記に鑑み、本発明の一局面は、透明電極を備えた第1主面を有する第1回路部材と、金属電極を備えた第2主面を有する第2回路部材と、前記第1主面と前記第2主面との間に介在する接合部と、を備え、前記接合部は、樹脂部と、はんだ部と、を有し、前記はんだ部は、前記透明電極と前記金属電極とを電気的に接続しており、前記透明電極は、インジウムと、スズと、を含む酸化物を含み、前記はんだ部は、ビスマス−インジウム合金を含み、前記透明電極と前記はんだ部との間に、インジウムとビスマスとを含み、前記はんだ部とは異なる第1合金層を有する、回路部材の接続構造に関する。
本発明の別の局面は、透明電極を備えた第1主面を有する第1回路部材と、金属電極を備えた第2主面を有する第2回路部材と、を接続する、回路部材の接続方法であって、(i)接着剤と、前記接着剤に分散するはんだ材料と、を含む接続材料を準備する工程と、(ii)前記接続材料を介して前記透明電極と前記金属電極とが対向するように、前記第1回路部材と前記第2回路部材とを配置する工程と、(iii)前記第2回路部材を前記第1回路部材に対して押圧しながら加熱して、前記はんだ材料を溶融させた後、前記加熱を停止して、前記溶融したはんだ材料を固化することにより、前記透明電極と前記金属電極とを電気的に接続するはんだ部を形成する工程と、(iv)前記接着剤を硬化させて、前記第1回路部材と前記第2回路部材とを接着する樹脂部を形成する工程と、を有し、前記透明電極は、インジウムと、スズと、を含む酸化物を含み、前記はんだ材料は、ビスマス−インジウム合金を含み、前記工程(iv)は、前記工程(iii)と並行して、あるいは、前記工程(iii)の後に行われ、前記はんだ部の形成とともに、前記透明電極と前記はんだ部との間に、前記透明電極に含まれるインジウムと、前記はんだ部に含まれるビスマスと、を含む第1合金層を形成する、回路部材の接続方法に関する。
本発明の上記局面によれば、残留応力が小さく、かつ接続信頼性に優れた回路部材の接続構造を提供することができる。
本実施形態に係る接続構造を有する電子機器の一例である表示パネルの外観を示す斜視図である。 同表示パネルの要部の断面図である。 図2の破線Xで囲まれた領域の拡大図である。 同表示パネルの別の要部の断面の拡大図である。 本実施形態に係る接続構造を製造するための接続方法の一例を示す工程図である。 実施例1で作製された回路部材の接続構造における、第1回路部材のガラス部分と、はんだ部と、第2回路部材の金属電極部分とを含む領域の電子顕微鏡写真である。 透明電極とはんだ部との界面領域(第1合金層の形成領域)の電子顕微鏡写真である。 金属電極とはんだ部との界面領域(第2合金層の形成領域)の電子顕微鏡写真である。 透明電極とはんだ部と金属電極との接続構造の要部の模式図である。
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。ただし、以下の図面は、例示に過ぎず、本発明を限定するものではない。
本発明の実施形態に係る回路部材の接続構造は、透明電極を備えた第1主面を有する第1回路部材と、金属電極を備えた第2主面を有する第2回路部材と、第1主面と第2主面との間に介在する接合部とを備える。接合部は、樹脂部と、はんだ部とを有する。はんだ部は、透明電極と金属電極とを電気的に接続している。ここで、透明電極は、インジウム(In)と、スズ(Sn)とを含む酸化物を含む。一方、はんだ部は、ビスマス(Bi)と、インジウムとを含む。
第1回路部材は、特に限定されないが、例えば、テレビ、タブレット、スマートフォン、ウェアラブルデバイスなどが具備する表示パネルに用いられる透明基板であり得る。透明基板は、半透明であってもよい。透明基板としては、ガラス基板およびフィルム状基板が挙げられる。フィルム状基板は、透明性を有する樹脂フィルムで形成されている。透明性を有する樹脂フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリカーボネート(PC)、ポリエチレンナフタレート(PEN)などのフィルムであり得る。第1主面は、第1回路部材の任意の主面であり得る。
第2回路部材は、特に限定されないが、例えば半導体チップ、電子部品パッケージ、フィルム基板、コネクタなどであり得る。第2主面は、第2回路部材の任意の主面であり得る。
第1主面に備えられた透明電極は、インジウムとスズとを含む酸化物であればよく、インジウムおよびスズ以外の微量の第三の金属元素を含んでもよい。透明電極の代表例は、いわゆる酸化インジウムスズもしくはスズドープ酸化インジウム(IndiumTinOxide(ITO))電極である。
第2主面に備えられた金属電極は、特に限定されないが、例えば、金、白金、銅、ニッケル、パラジウム、各種はんだなどを含む電極であり得る。金属電極を形成するはんだは、例えば、スズ、銀、ビスマス、インジウム、ニッケル、銅などを含むはんだであり得る。
はんだ部は、ビスマスとインジウムとを含む。ビスマスとインジウムとは、合金(ビスマス−インジウム合金)を形成していることが望ましい。はんだ部は、ビスマス−インジウム合金以外の成分、例えばビスマス−インジウム合金を形成していない第三元素を含んでもよく、ビスマス単体の領域および/またはインジウム単体の領域を含んでもよい。ただし、均質で、強度に優れた信頼性の高いはんだ部を形成する観点から、はんだ部に含まれるビスマス−インジウム合金の量は97質量%以上が好ましく、99質量%以上がより好ましく、はんだ部全体がビスマス−インジウム合金で形成されていることが特に好ましい。
ビスマス−インジウム合金は、ビスマスおよびインジウム以外の微量の第三元素を、合金成分として含んでもよい。ただし、ビスマス−インジウム合金に含まれる第三元素の量は、1質量%以下であることが望ましい。すなわち、はんだ部は、合計99質量%以上のビスマスとインジウムを含むビスマス−インジウム合金(はんだ材料)の溶融と、その後の固化により形成されることが望ましい。
なお、回路部材の接続構造を形成しているビスマス−インジウム合金を含む部分をはんだ部と称し、回路部材の接続構造を形成する前、すなわち電極間で溶融させる前のビスマス−インジウム合金を含む材料をはんだ材料と称する。
透明電極とはんだ部との間には、インジウムとビスマスとを含む第1合金層が形成されている。第1合金層は、概ね、透明電極に含まれていたインジウムと、はんだ部を形成するはんだ材料に含まれていたビスマスとで形成されている。第1合金層は、はんだ材料に含まれていたインジウムを含んでもよい。ただし、第1合金層は、はんだ部とは異なる合金により形成されている。通常、第1合金層の組成および/または組織は、はんだ部の組成および/または組織と異なっているため、第1合金層の存在は、各種分析方法、例えば走査型電子顕微鏡、透過型電子顕微鏡などにより確認することができる。
一方、金属電極とはんだ部との間には、金属電極に含まれていた金属成分と、はんだ部を形成するはんだ材料に含まれていたビスマスおよび/またはインジウムとを含む第2合金層が形成されていることが好ましい。すなわち、第2合金層には、金属電極に含まれる金属成分と共通の金属成分が含まれている。例えば、金属電極が、銅、ニッケルおよび金の3種の元素を含む場合、第2合金層には、銅、ニッケルおよび金よりなる群から選択される少なくとも1種が含まれる。
はんだ材料に含まれるインジウムは、展性に優れるため、はんだ材料と透明電極および金属電極との濡れ面積を大きくすることができる。一方、ビスマスは、溶融状態から固化するときに体積が膨張する異常液体である。はんだ材料がビスマスを含むことで、はんだ材料の固化の際に、透明電極との界面および金属電極との界面における圧力が高まるため、第1合金層および第2合金層を形成する反応が進行しやすくなる。
はんだ材料を用いる場合、ACFを用いる場合に比べ、低い圧力で、電極間の電気的接続を達成することができる。例えば、電極間の接続に必要な圧力は、0.5〜4MPaであればよい。また、ビスマスおよびインジウムは、いずれも低融点金属であり、これらを含む合金は更に低融点である。そのため、電極間の接続に必要な温度も低温(例えば、はんだ材料の融点+10℃以下)でよい。よって、接続の際に、回路部材に印加される圧力と熱による応力を小さくすることができる。これにより、薄く、強度の低い回路部材を接続する場合でも、不具合が発生しにくく、高い信頼性を確保することができる。また、第1合金層と第2合金層が形成されることにより、はんだ部と各電極との接触面積は、高温下であっても、ほとんど減少しない。
樹脂部は、第1主面と第2主面とを接着するとともに、はんだ部の少なくとも一部を覆っている。これにより、はんだ部が補強され、接続構造の強度が向上する。また、電極間のピッチが狭い場合でも、隣接する電極間の絶縁を確保しやすくなる。例えば、樹脂部は、複数の透明電極と、複数の金属電極と、を接続する複数のはんだ部の隙間を埋めるように形成されることが望ましい。
樹脂部は、種々の添加剤を含んでもよい。添加剤としては、加熱により、はんだ材料や電極表面の酸化被膜を除去する活性剤、フィラー、樹脂成分の硬化剤などが挙げられる。樹脂成分は、特に限定されず、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。中でも熱硬化性樹脂が好ましく、特にエポキシ樹脂やアクリル樹脂が好ましい。
はんだ部に含まれるビスマス−インジウム合金に含まれるビスマスの量は、27質量%〜68質量%であることが好ましい。ビスマス−インジウム合金の残部は、ほとんど(残部の99質量%以上)がインジウムであることが好ましい。このようなビスマス−インジウム合金は、透明電極との濡れ性および接続信頼性が高く、かつ低融点である。はんだ部に含まれるビスマス−インジウム合金は、例えば、BiIn、BiInおよびBiInよりなる群から選択される少なくとも1種を含む。
図1は、表示パネルの一例の外観を示す斜視図である。図示例の表示パネル100は、ガラス基板200と、ガラス基板300と、ガラス基板200とガラス基板300とで挟まれた画像形成部と、画像形成部を駆動する駆動ドライバ400と、表示パネル100を他の部品と接続するコネクタ500と、を具備する。駆動ドライバ400は、第1回路部材であるガラス基板200の一端に設けられた縁部200Tの一表面である第1主面200Sに搭載されている。コネクタ500は、第1主面200Sの別の位置に接続されている。図示例の表示パネル100の場合、駆動ドライバ400およびコネクタ500は、いずれも第2回路部材に相当する。
図2は、表示パネル100の要部、すなわち第1回路部材であるガラス基板200と、第2回路部材である駆動ドライバ400と、これらの間に介在する接合部600Aと、を備える接続構造の縦断面図である。図3には、図2の破線Xで囲まれた領域の拡大図を示す。図2に示すように、ガラス基板200の第1主面200Sには、透明電極である複数の接続端子20aが形成されている。一方、駆動ドライバ400のガラス基板200との対向面は、第2主面400Sに相当する。
複数の接続端子20aは、所定のピッチで第1主面200S上に配列している。一方、第2主面400Sには、金属電極である複数のバンプ40が、同様のピッチで配列している。駆動ドライバ400の複数のバンプ40は、複数の接続端子20aと対向するように位置合わせされている。第1主面200Sと第2主面400Sとの間には、接合部600Aが介在している。図3に示すように、接合部600Aは、通常、樹脂部61a、はんだ部62aおよび粒子状のはんだ材料63aを含む。
はんだ部62aは、接続端子20aとバンプ40との電気的接続に貢献する部分であり、接続端子20aとバンプ40に濡れた状態で固化している。これにより、接続端子20aとはんだ部62aとの間には、図示されないが、接続端子20aに含まれていたインジウムとはんだ材料63aに含まれていたビスマスとを含む第1合金層が形成されている。また、バンプ40とはんだ部62aとの間には、バンプ40に含まれていた金属成分と、はんだ材料63aに含まれていたビスマスおよび/またはインジウムとを含む第2合金層が形成されている。一方、粒子状のはんだ材料63aは、接続端子20aとバンプ40との電気的接続には無関係である。
樹脂部61aは、第1主面200Sと第2主面400Sとを接着するとともに、はんだ部62aを覆って、はんだ部62aを保護する役割を果たしている。図示例では、両電極とはんだ部62aとの隙間を埋めるように樹脂部61aが形成されている。
図4は、表示パネル100の別の要部、すなわち第1回路部材であるガラス基板200と、第2回路部材であるコネクタ500と、これらの間に介在する接合部600Bと、を備える接続構造の縦断面の拡大図である。コネクタ500は、例えば、ポリイミド樹脂などで形成されたフレキシブルな基板と、その基板上に銅合金などで形成された配線パターンとを有する。
ガラス基板200の第1主面200Sには、所定のピッチで透明電極である複数の接続端子20bが配列している。一方、コネクタ500の第2主面500S(ガラス基板200との対向面)には、金属電極である複数のリード50が、同様のピッチで配列している。複数のリード50は、複数の接続端子20bと対向するように位置合わせされている。ガラス基板200の第1主面200Sと、コネクタ500の第2主面500Sとの間には、接合部600Bが介在している。
接合部600Bは、樹脂部61b、はんだ部62bおよび粒子状のはんだ材料63bを含み、各部は、接合部600Aと同様の構造を有する。よって、接続端子20bとはんだ部62bとの間には、図示されないが、接続端子20bに含まれていたインジウムとはんだ材料63bに含まれていたビスマスとを含む第1合金層が形成されている。また、リード50とはんだ部62bとの間には、リード50に含まれていた金属成分と、はんだ材料63bに含まれていたビスマスおよび/またはインジウムとを含む第2合金層が形成されている。
次に、本発明の実施形態に係る回路部材の接続方法について説明する。
上記接続方法は、透明電極を備えた第1主面を有する第1回路部材と、金属電極を備えた第2主面を有する第2回路部材とを接続する方法である。
上記接続方法は、(i)接着剤と、接着剤に分散するはんだ材料とを含み、はんだ材料がビスマス−インジウム合金を含む接続材料を準備する工程を有する。
接着剤は、樹脂部の原料であり、例えば、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を含む樹脂組成物である。樹脂組成物は、既述のように、活性剤、フィラー、樹脂成分の硬化剤などを含むことができる。熱硬化性樹脂を用いる場合、その硬化温度は、特に限定されないが、はんだ材料の融点より高いことが望ましい。熱硬化性樹脂の硬化は、はんだ材料が溶融し、はんだ材料により透明電極および金属電極が濡れた後で完了することが望ましい。接続材料は、ペースト状でもよく、フィルム状でもよい。
加熱により透明電極等の表面を還元する活性剤としては、有機酸、アミンの有機酸塩、アミンのハロゲン塩などを用いることができる。これらの中では、適度な活性を有することから有機酸が好ましい。有機酸としては、アジピン酸、アビエチン酸、セバシン酸、グルタル酸、4−フェニル酪酸、レブリン酸などを用いることができる。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を任意に選択し、組み合わせて用いてもよい。
はんだ材料に含まれるビスマス−インジウム合金は、例えば粒子状である。ビスマス−インジウム合金の粒子(以下、合金粒子)の大きさは、対応する透明電極と金属電極との導通を確保し、隣接する電極間の絶縁を確保する観点から選択する。一例を挙げると、合金粒子の大きさ(最大径)は、電極幅の1/5以下であることが望ましく、1/10以下であることがより望ましい。なお、はんだ材料は、ビスマス−インジウム合金以外の成分を含んでもよいが、95質量%以上がビスマス−インジウム合金であることが好ましく、98質量%以上がビスマス−インジウム合金であることが更に好ましい。
はんだ材料に含まれるビスマス−インジウム合金は、融点(mp)72℃〜109℃であることが好ましく、融点85℃〜109℃であることが更に好ましく、融点88℃〜90℃であることが特に好ましい。これにより、電極間の接続を、例えば110℃以下、望ましくは100℃以下の低温で行うことができる。よって、回路部材に残留する熱による応力を顕著に低減することができる。
融点72℃〜109℃のビスマス−インジウム合金としては、例えば35Bi−65In(mp:72℃)、51Bi−49In(mp:85℃)、55Bi−45In(mp:89℃)、27Bi−73In(mp:100℃)、68Bi−32In(mp:109℃)などが挙げられる。ただし、XBi−YInは、X質量%のビスマスとY質量%のインジウムとを含む合金を意味する。
また、電気的接続の信頼性を高める観点から、はんだ材料に含まれるビスマス−インジウム合金において、ビスマス−インジウム合金に含まれるインジウムの量は、32質量%〜73質量%が好ましく、32質量%〜49質量%が更に好ましく、43質量%〜47質量%が特に好ましい。
接着剤とはんだ材料とを含む接続材料において、はんだ材料の量は、例えば5質量%〜80質量%であればよい。はんだ材料の量を上記範囲に設定することで、透明電極と金属電極との高い接続信頼性と、隣接する電極間の絶縁の確実な確保とを両立することが容易となる。
次に、上記接続方法は、(ii)接続材料を介して透明電極と金属電極とが対向するように、第1回路部材と第2回路部材とを配置する工程を有する。ただし、透明電極は、インジウムとスズとを含む酸化物を含む。
例えば、第1回路部材の第1主面の透明電極の少なくとも一部を覆う領域(以下、第1接続領域)に、接続材料を配置する。接続材料が未硬化または半硬化状態の熱硬化性樹脂や未硬化の光硬化性樹脂を含むペースト状であれば、印刷装置、ディスペンサ、インクジェットノズルなどを用い、第1接続領域に接続材料を塗布すればよい。接続材料がフィルム状もしくはテープ状であれば、基材から所定形状に切り出された当該フィルムを剥がし、第1接続領域に圧着すればよい。このような操作は、例えば公知のテープ貼り付け装置により行われる。なお、第2回路部材の第2主面の金属電極の少なくとも一部を覆う領域(第2接続領域)に、接続材料を配置してもよく、第1および第2接続領域の両方に配置してもよい。これにより、第1回路部材と第2回路部材とが対向配置された積層構造が得られる。
図5(a)〜図5(b)に、透明電極20を備えた第1回路部材200の第1接続領域に接続材料600Pを配置する様子の一例を示す。また、図5(c)に、接続材料600Pを介して第2回路部材400(500)を第1回路部材200に配置する様子の一例を示す。図示例では、吸着ツール700により保持された第2回路部材400(500)が第1回路部材200に搭載されている。このとき、透明電極20と金属電極40(50)とが対向するように位置合わせが行われる。
接着剤が熱硬化性樹脂を含む場合には、第1回路部材と第2回路部材とを対向配置する際に、接続材料600Pを短時間だけ加熱する仮圧着を行ってもよい。これにより、第1回路部材と第2回路部材との位置ずれを防止することができる。仮圧着は、例えばヒーターなどの加熱手段を具備する吸着ツール700により、第2回路部材(または第1回路部材)を介して、はんだ材料が溶融せず、かつ接着剤が僅かに硬化する程度の加熱を接続材料600Pに対して行えばよい。
仮圧着の際、第1回路部材および/または第2回路部材を押圧する圧力は、例えば0.5〜1.0MPaであればよい。仮圧着の時間は、例えば0.1〜1秒間程度であればよい。仮圧着の温度は、例えばはんだ材料の融点より10℃低い温度以下であればよい。
次に、上記接続方法では、(iii)第2回路部材を第1回路部材に対して押圧しながら加熱して、はんだ材料を溶融させる工程が行われる。その後、加熱が停止され、溶融したはんだ材料は固化する。これにより、透明電極と金属電極とを電気的に接続するはんだ部が形成される。なお、第2回路部材を第1回路部材に対して押圧すると、第1回路部材も第2回路部材に対して押圧されることになる。つまり、どちらの回路部材に押圧のためのツールを押し当ててもよい。
上記工程(iii)は、いわゆる熱圧着の工程である。熱圧着の際、第1回路部材および/または第2回路部材を加熱する温度は、接続材料に含まれるはんだ材料の融点以上であればよく、融点以上かつ融点+10℃以下の温度であればよい。例えば、はんだ材料に含まれるビスマス−インジウム合金の融点88℃〜90℃であれば、加熱温度は90℃以上、100℃以下であればよい。これにより、ACFを用いる場合に比べ、飛躍的に加熱温度を低減することができる。
熱圧着の際、第1回路部材および/または第2回路部材を押圧する圧力は、0.5〜4MPaであればよく、1〜2MPa程度が望ましい。はんだ材料が溶融しているため、あまり高い圧力を回路部材に印加しなくても、電極とはんだ材料との濡れにより、電気的接続を容易に確保できるからである。これにより、ACFを用いる場合に比べ、回路部材に印加される圧力を飛躍的に低減することができる。
なお、熱圧着の時間は、特に限定されないが、0.5〜10秒間程度、更には1〜5秒間程度であることが、製造コストの面で望ましい。
図5(d)に、第1回路部材200と第2回路部材400(500)とを熱圧着する様子の一例を示す。ここでは、ステージ900上で、熱圧着ツール800により、熱圧着が行われる場合を示す。その後、熱圧着ツール800を第2回路部材400(500)から離すことで、加熱が停止され、はんだが固化し、透明電極40と金属電極50とを電気的に接続するはんだ部が形成される。
熱圧着の進行中に、透明電極とはんだ材料との界面では、透明電極に含まれていたインジウムと、はんだ材料に含まれていたビスマスとの反応が進行し、第1合金層が形成される。第1合金層は、ビスマスとインジウムとを含む点では、はんだ部と共通する。一方、第1合金層は、はんだ部とは異なる合金を含み、この合金は、例えば組成および/または組織がはんだ部とは異なる。通常、透明電極とはんだ材料との反応は、進行しにくいと考えられている。ところが、上記のように融点の低いビスマス−インジウム合金をはんだ材料として用いる場合には、第1合金層が形成される。第1合金層の存在は、はんだ部と透明電極との界面の断面を拡大すれば、目視でも確認することができる。
同様に、金属電極とはんだ材料との界面では、金属電極に含まれていた金属成分と、はんだ材料に含まれていたビスマスおよび/またはインジウムとの反応が進行し、第2合金層が形成される。第2合金層の存在についても、はんだ部と金属電極との界面の断面を拡大すれば、目視で確認することができる。
上記接続方法では、(iv)接着剤を硬化させて、第1回路部材と第2回路部材とを接着する樹脂部を形成する工程が行われる。工程(iv)は、工程(iii)の熱圧着と並行して行うこともできる。例えば、接着剤が熱硬化性樹脂を含む場合には、熱圧着の際に、熱硬化性樹脂の硬化反応を進行させて、接着剤を硬化させることができる。このとき、硬化が不十分であれば、その後、アフターキュアを行ってもよい。また、接着剤が熱可塑性樹脂を含む場合には、熱圧着の際に、熱可塑性樹脂を溶融させ、第1回路部材の第1主面と第2回路部材の第2主面に溶着させ、その後、固化(硬化)させてもよい。更に、接着剤が光硬化性樹脂を含む場合には、例えば透明性を有する第1回路部材側から接着剤に電磁波や光を照射すればよい。ただし、電磁波や光の照射は、はんだ材料が溶融した後で行うことが望ましい。以上の場合、熱圧着の終了により、樹脂部とはんだ部とを有する接合部が形成される。
第1回路部材と第2回路部材との接着が、工程(iii)の熱圧着と並行して進行しない場合には、工程(iii)の後、第1回路部材および第2回路部材とともに接着剤を加熱したり、接着剤に第1回路部材側から電磁波や光を照射したりして、第1回路部材と第2回路部材との接着を完了させればよい。
次に、本発明を実施例に基づいて、更に具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
《実施例1》
(接続材料)
はんだ材料として、ビスマス−インジウム合金(55Bi−45In(mp:89℃))の合金粒子を準備した。合金粒子の平均粒径は3μm、最大粒径は5μmであった。一方、ビスフェノールA型エポキシ樹脂150質量部と、硬化剤であるイミダゾール25質量部と、活性剤であるアジピン酸20質量部とを含む熱硬化性樹脂組成物を、接着剤として調製した。熱硬化性樹脂組成物の組成は、80℃以上に加熱されたときに、迅速に硬化するように配合した。次に、熱硬化性樹脂組成物100質量部に、合金粒子20質量部を分散させて、ペースト状の接続材料を調製した。
(第1回路部材)
厚さ0.3mmで矩形(30mm×30mmサイズ)のガラス基板の一方の表面(第1主面)に、透明電極として、幅50μmの複数のITO電極(厚さ1500Å)をストライプ状に形成した。ITO電極のピッチは0.1mmとした。
(第2回路部材)
厚さ32μmで矩形(16mm×35mmサイズ)のポリイミド樹脂製のフィルム基板(FPC)を準備した。FPCの一方の表面(第2主面)には、透明電極と対応する幅50μmの複数の金属電極(高さ15μm)を形成した。金属電極は、銅(Cu)製ベース電極の表面に、リンを含むニッケル(Ni)メッキと金(Au)メッキとを順次に施したものである。
(回路部材の熱圧着による接続)
第1回路部材の第1主面のITO電極が形成されている第1接続領域に、印刷装置を用いて、接続材料を厚さ30μmになるように印刷した。その後、第2回路部材の金属電極が形成されている第2接続領域を、接続材料の塗膜を介して、ITO電極を備えた第1接続領域と対向させ、第1回路部材と第2回路部材との積層構造を得た。
次に、平坦面を有する熱圧着ツールを用いて、第2回路部材を第1回路部材に対して1.0MPaの圧力で押圧しながら、100℃で10秒間加熱し、はんだ材料を溶融させると同時に接着剤(熱硬化性樹脂組成物)を硬化させた。その後、加熱を停止して、はんだ材料を固化させ、透明電極と金属電極とを電気的に接続するはんだ部を形成した。こうして、第1回路部材と第2回路部材との接続構造(サンプル構造体)を完成させた。
[評価]
サンプル構造体を、その積層方向と平行に、透明電極と、はんだ部と、金属電極とを含む断面で切断し、断面を走査型電子顕微鏡(SEM:日立ハイテクノロジーズ株式会社製、品番SU−70)で観察した。図6に、第1回路部材のガラス基板と、はんだ部と、第2回路部材の金属電極とを含む領域の電子顕微鏡写真を示す。また、図7に、透明電極とはんだ部との界面領域(第1合金層の形成領域)の拡大写真を示す。図8には、金属電極とはんだ部との界面領域(第2合金層の形成領域)の拡大写真を示す。一方、図9には、透明電極とはんだ部と金属電極との接続構造の要部を模式図で示す。
図6では、薄い透明電極を明瞭に認識することは困難である。ただし、はんだ部が、第1回路部材のガラス基板と第2回路部材の金属電極との間に介在して、両者を接続している様子が明確に把握できる。
図7は、図6よりも高倍率な透明電極(ITO電極)とはんだ部との界面領域の画像であり、ITO電極の存在が確認できる。また、ITO電極とはんだ部との界面にBiとInとを含む第1合金層が形成されていることが認識できる。
図8は、図6よりも高倍率な金属電極とはんだ部との界面領域の画像であり、金属電極とはんだ部との界面にBiとInとAuとを含む第2合金層が形成されていることが認識できる。
以上より、接続構造の断面は、図9に示すような複層構造を有することが確認された。すなわち、ITO電極とはんだ部との間には、第1合金層が形成され、金属電極とはんだ部との間には、第2合金層が形成されている。これにより、高温下でも、ITO電極とはんだ部との接触面積および/または金属電極とはんだ部との接触面積が減少することはないと考えられる。また、1.0MPaの圧力で、100℃で10秒間の熱圧着が行われていることから、接続構造が有する残留応力は小さくなっている。よって、薄いガラス基板を用いる場合でも、ACFを用いる場合のような不具合は生じにくいものと考えられる。
本発明の回路部材の接続構造、接続方法および接続材料は、ACFを用いる技術の代替技術として有用であり、より低い圧力と低温で、接続構造を達成することが可能である。よって、薄いガラス基板のように、機械的強度の小さい回路部材を含む接続構造を形成する場合、例えばタブレット、スマートフォンなどが具備する小型の液晶を製造する場合に、特に有用である。
20:透明電極(接続端子)、40:金属電極(バンプ)、50:金属電極(リード)、61a,61b:樹脂部、62a,62b:はんだ部、63a,63b:はんだ材料、100:表示パネル、200:第1回路部材(ガラス基板)、200T:縁部、200S:第1主面、300:表示制御部、400:第2回路部材(駆動デバイス)、400S:第2主面、500:第2回路部材(コネクタ)、500S:第2主面、600A,600B:接合部、600P:接続材料、700:吸着ツール、800:熱圧着ツール、900:ステージ

Claims (22)

  1. 透明電極を備えた第1主面を有する第1回路部材と、
    金属電極を備えた第2主面を有する第2回路部材と、
    前記第1主面と前記第2主面との間に介在する接合部と、を備え、
    前記接合部は、樹脂部と、はんだ部と、を有し、
    前記はんだ部は、前記透明電極と前記金属電極とを電気的に接続しており、
    前記透明電極は、インジウムと、スズと、を含む酸化物を含み、
    前記はんだ部は、ビスマス−インジウム合金を含み、
    前記透明電極と前記はんだ部との間に、インジウムとビスマスとを含み、前記はんだ部とは異なる第1合金層を有する、回路部材の接続構造。
  2. 前記樹脂部は、前記第1主面と前記第2主面とを接着するとともに、前記はんだ部の少なくとも一部を覆っている、請求項1に記載の回路部材の接続構造。
  3. 前記はんだ部に含まれるビスマスおよびインジウムの合計量が、97質量%以上である、請求項1または2に記載の回路部材の接続構造。
  4. 前記ビスマス−インジウム合金に含まれるインジウムの量が、32質量%〜73質量%である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の回路部材の接続構造。
  5. 前記ビスマス−インジウム合金が、BiIn、BiInおよびBiInよりなる群から選択される少なくとも1種を含む、請求項1〜のいずれか一項に記載の回路部材の接続構造。
  6. 前記はんだ部は、融点72℃〜109℃のビスマス−インジウム合金を含むはんだ材料により形成されたものである、請求項1〜のいずれか一項に記載の回路部材の接続構造。
  7. 前記はんだ部は、融点85℃〜109℃のビスマス−インジウム合金を含むはんだ材料により形成されたものである、請求項1〜のいずれか一項に記載の回路部材の接続構造。
  8. 前記はんだ部は、融点88℃〜90℃のビスマス−インジウム合金を含むはんだ材料により形成されたものである、請求項1〜のいずれか一項に記載の回路部材の接続構造。
  9. 透明電極を備えた第1主面を有する第1回路部材と、
    金属電極を備えた第2主面を有する第2回路部材と、
    前記第1主面と前記第2主面との間に介在する接合部と、を備え、
    前記接合部は、樹脂部と、はんだ部と、を有し、
    前記はんだ部は、前記透明電極と前記金属電極とを電気的に接続しており、
    前記透明電極は、インジウムと、スズと、を含む酸化物を含み、
    前記はんだ部は、ビスマス−インジウム合金を含み、
    前記透明電極と前記はんだ部との間に、インジウムとビスマスとを含み、前記はんだ部とは異なる第1合金層を有し、
    前記金属電極と前記はんだ部との間に、前記金属電極に含まれる金属成分と共通の金属成分と、ビスマスおよび/またはインジウムとを含む第2合金層を有する、回路部材の接続構造。
  10. 前記金属電極が金を含み、
    前記第2合金層は、ビスマスとインジウムと金とを含み、
    前記第2合金層は、前記はんだ部との界面に凹凸を備える、請求項9に記載の回路部材の接続構造。
  11. 透明電極を備えた第1主面を有する第1回路部材と、
    金属電極を備えた第2主面を有する第2回路部材と、を接続する、回路部材の接続方法であって、
    (i)接着剤と、前記接着剤に分散するはんだ材料と、を含む接続材料を準備する工程と、
    (ii)前記接続材料を介して前記透明電極と前記金属電極とが対向するように、前記第1回路部材と前記第2回路部材とを配置する工程と、
    (iii)前記第2回路部材を前記第1回路部材に対して押圧しながら加熱して、前記はんだ材料を溶融させた後、前記加熱を停止して、前記溶融したはんだ材料を固化することにより、前記透明電極と前記金属電極とを電気的に接続するはんだ部を形成する工程と、
    (iv)前記接着剤を硬化させて、前記第1回路部材と前記第2回路部材とを接着する樹脂部を形成する工程と、を有し、
    前記透明電極は、インジウムと、スズと、を含む酸化物を含み、前記はんだ材料は、ビスマス−インジウム合金を含み、
    前記工程(iv)は、前記工程(iii)と並行して、あるいは、前記工程(iii)の後に行われ、
    前記はんだ部の形成とともに、
    前記透明電極と前記はんだ部との間に、前記透明電極に含まれるインジウムと、前記はんだ部に含まれるビスマスと、を含む第1合金層を形成する、回路部材の接続方法。
  12. 前記はんだ材料に含まれるビスマスおよびインジウムの合計量が、95質量%以上である、請求項11に記載の回路部材の接続方法。
  13. 前記はんだ材料が、融点72℃〜109℃のビスマス−インジウム合金を含む、請求項11または12に記載の回路部材の接続方法。
  14. 前記はんだ材料が、融点85℃〜109℃のビスマス−インジウム合金を含む、請求項11または12に記載の回路部材の接続方法。
  15. 前記はんだ材料が、融点88℃〜90℃のビスマス−インジウム合金を含む、請求項11または12に記載の回路部材の接続方法。
  16. 前記ビスマス−インジウム合金に含まれるインジウムの量が、32質量%〜73質量%である、請求項11または12に記載の回路部材の接続方法。
  17. 記ビスマス−インジウム合金に含まれるインジウムの量が、32質量%〜49質量%である、請求項11または12に記載の回路部材の接続方法。
  18. 記ビスマス−インジウム合金に含まれるインジウムの量が、43質量%〜47質量%である、請求項11または12に記載の回路部材の接続方法。
  19. 前記接着剤が、活性剤を含み、
    前記活性剤が、加熱により前記透明電極の表面を還元する、請求項11〜18のいずれか一項に記載の回路部材の接続方法。
  20. 前記活性剤が、アジピン酸、アビエチン酸、セバシン酸、グルタル酸、4−フェニル酪酸およびレブリン酸よりなる群から選択される少なくとも1種を含む、請求項19に記載の回路部材の接続方法。
  21. 透明電極を備えた第1主面を有する第1回路部材と、
    金属電極を備えた第2主面を有する第2回路部材と、を接続する、回路部材の接続方法であって、
    (i)接着剤と、前記接着剤に分散するはんだ材料と、を含む接続材料を準備する工程と、
    (ii)前記接続材料を介して前記透明電極と前記金属電極とが対向するように、前記第1回路部材と前記第2回路部材とを配置する工程と、
    (iii)前記第2回路部材を前記第1回路部材に対して押圧しながら加熱して、前記はんだ材料を溶融させた後、前記加熱を停止して、前記溶融したはんだ材料を固化することにより、前記透明電極と前記金属電極とを電気的に接続するはんだ部を形成する工程と、
    (iv)前記接着剤を硬化させて、前記第1回路部材と前記第2回路部材とを接着する樹脂部を形成する工程と、を有し、
    前記透明電極は、インジウムと、スズと、を含む酸化物を含み、前記はんだ材料は、ビスマス−インジウム合金を含み、
    前記工程(iv)は、前記工程(iii)と並行して、あるいは、前記工程(iii)の後に行われ、
    前記はんだ部の形成とともに、
    前記透明電極と前記はんだ部との間に、前記透明電極に含まれるインジウムと、前記はんだ部に含まれるビスマスと、を含む第1合金層を形成し、
    前記金属電極と前記はんだ部との間に、前記金属電極に含まれる金属成分と、前記はんだ部に含まれるビスマスおよび/またはインジウムと、を含む第2合金層を形成する、回路部材の接続方法。
  22. 前記金属電極が金を含み、
    前記第2合金層は、ビスマスとインジウムと金とを含み、
    前記第2合金層は、前記はんだ部との界面に凹凸を備える、請求項21に記載の回路部材の接続方法。
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