KR20170142889A - 기판 처리 장치, 메인터넌스용 지그, 기판 처리 장치의 메인터넌스 방법 및 기억 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 메인터넌스용 지그, 기판 처리 장치의 메인터넌스 방법 및 기억 매체 Download PDF

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Abstract

(과제) 기판의 탑재대에 대하여 돌몰이 자유롭고, 기판의 수수를 행하기 위한 복수의 리프트 핀을 구비한 기판 처리 장치에 있어서, 리프트 핀의 높이 위치의 검출을 신속하게 행하는 것.
(해결 수단) 저부가 기판과 동일한 크기로 형성된 용기(71) 내에 점등 회로가 마련된 지그(7)를 준비한다. 용기(71)의 저부는 도전로 플레이트(72)에 의해 구성되고, 한 개의 리프트 핀(4)에 대응하는 영역 P1과 다른 영역 P2를 절연하기 위해 영역 P1의 주위에 절연재(73)가 마련되고, 점등 회로의 양단은 각각 영역 P1, S2에 접속된다. 지그(7)를 탑재대(2)에 탑재하고, 영역 P1에 1개의 리프트 핀(4)을 접촉시킨 상태에서 다른 리프트 핀(4)을 영역 P2에 접촉시키면, 리프트 핀(4)끼리는 전기적으로 접속되어 있기 때문에, 지그(7) 내의 LED(77)가 점등한다. 이때의 광을 광 검출부(60)에서 검출하고, 조정 대상의 리프트 핀(4)의 서보 모터(5)를 제어한다.

Description

기판 처리 장치, 메인터넌스용 지그, 기판 처리 장치의 메인터넌스 방법 및 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, JIG FOR MAINTENANCE, MAINTENANCE METHOD OF SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은, 처리 용기 내의 기판의 탑재대에 대하여 돌몰이 자유롭고, 기판의 수수를 행하기 위한 복수의 리프트 핀을 구비한 기판 처리 장치에 있어서, 리프트 핀의 높이 위치를 검출하여 메인터넌스를 행하는 기술 분야에 관한 것이다.
기판에 대하여 예컨대 에칭, 성막 등의 진공 처리를 행하는 처리 용기 내에 마련된 기판의 탑재대에는, 기판의 탑재면에 대하여 돌몰이 자유로운 복수의 리프트 핀이 마련되어 있다. 탑재대와 외부의 반송 기구의 사이에 있어서의 기판의 수수는, 이러한 리프트 핀을 승강시키는 것에 의해 행해진다. 리프트 핀은, 기판에 대한 처리가 행해지고 있는 동안, 탑재대에 형성된 관통 구멍에 수용되어 있다.
한편, FPD(Flat Panel Display)용의 유리 기판을 처리하는 장치에 있어서는, 유리 기판의 면 내의 제품화 영역(소자나 배선 등이 마련되는 영역)을 피하여 리프트 핀을 배치하고 있었다. 그러나 유리 기판은, 최근, 대형화가 진행됨과 아울러, 그 두께가 얇아지는 경향이 있고, 대형의 얇은 유리 기판을 안정되게 지지하기 위해서는, 리프트 핀의 수를 늘리는 것이 유리한 대책이기 때문에, 향후에는, 유리 기판의 면 내의 제품화 영역의 아래쪽에도 리프트 핀을 배치할 필요가 생기고 있다.
그런데 제품화 영역의 아래쪽에 리프트 핀을 배치한 경우, 기판에 대한 처리가 행해지고 있는 동안, 리프트 핀의 위치가 너무 높거나 너무 낮거나 하여 적절하지 않으면, 리프트 핀이 배치되는 부분에 대응하는 영역의 처리 조건이 상이하여, 처리 불균일이 발생하는 원인이 된다. 따라서, 리프트 핀의 위치를 정확하게 파악하는 것은, 제품의 신뢰성을 확보하는데 있어서도 중요하지만, 지금까지, 리프트 핀의 위치를 자동적으로 파악하는 수법은 확립되어 있지 않고, 예컨대 다이얼 게이지 등의 계측 기기를 이용하여 작업자가 리프트 핀마다의 위치를 측정하고 있었다. 이 경우, 처리 용기를 대기에 개방하지 않으면 안 되기 때문에, 개폐 작업에 따르는 작업자의 부담이 크고, 작업 시간도 길고, 그리고 처리 용기 내를 진공 흡인하지 않으면 안 되기 때문에, 결과적으로 장치의 다운 타임이 장기화한다고 하는 문제가 생기고 있었다. 또한, 이 경우, 작업자가 리프트 핀의 위치를 측정할 때와 기판에 대하여 처리가 행해질 때는 처리 용기 내의 진공도나 온도가 상이하기 때문에, 기판에 대하여 처리가 행해질 때의 리프트 핀의 위치를 올바르게 설정하는 것이 곤란했다.
특허 문헌 1에는, 플라즈마 에칭하는 경우에, 기판의 탑재대에 형성된 승강 핀의 삽통(揷通) 구멍에 대응하는 부분에서 시스 영역의 전자계가 불균일하게 되어 삽통 구멍의 바로 위쪽의 에칭 레이트가 다른 부분과 상이하게 되어 버리는 것이 기재되어 있다. 그리고 이 상태를 억제하기 위해, 승강 핀의 선단을 조정 나사에 의해 기판의 이면으로부터 70~130㎛ 아래쪽이 되도록 조정하는 것이 기재되어 있지만, 본 발명을 시사하는 수법이 아니다.
특허 문헌 2에는, 탑재대의 3개의 지지 핀을 상승시켰을 때에, 기판 반송 기구에 실린 지그의 도넛판의 중앙부를 막는 원판이 밀어 올려지고, 해당 원판이 그 두께 이상만큼 상승했을 때에, 원판이 탑재되어 있던 영역에 광로가 형성되고, 이것에 의해 지지 핀의 상단 위치를 검지할 수 있는 기술이 기재되어 있다. 그렇지만 이 기술은 탑재대의 리프트 핀의 높이 위치를 개별적으로 검출할 수 없다.
(선행 기술 문헌)
(특허 문헌)
(특허 문헌 1) 일본 특허 제 4597894호 공보
(특허 문헌 2) 일본 특허 공개 2009-54993호 공보
본 발명은 이와 같은 사정 하에 이루어진 것이고, 그 목적은, 기판의 탑재대에 대하여 돌몰이 자유롭고, 기판의 수수를 행하기 위한 복수의 리프트 핀을 구비한 기판 처리 장치에 있어서, 리프트 핀의 높이 위치의 검출을 신속하게 행할 수 있는 기술을 제공하는 것에 있다.
본 발명은, 처리 용기 내의 탑재대에 기판을 탑재하여 처리를 행하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 탑재대의 탑재면에 대하여 돌몰이 자유롭게 구성되고, 기판의 수수를 행하기 위한 복수의 리프트 핀과, 상기 리프트 핀을 승강시키기 위한 구동부와, 상기 탑재대에 탑재된 지그로부터 출력되는 출력 신호를 검출했을 때에 검출 신호를 출력하는 검출부와, 상기 검출 신호에 근거하여 상기 구동부를 제어하는 제어부를 구비하고, 상기 지그는, 상기 복수의 리프트 핀에 포함되는 제 1 리프트 핀 및 제 2 리프트 핀의 각각이 해당 지그의 하면에 접촉했을 때에 전기적으로 폐루프가 형성되어 출력 신호를 출력하는 회로를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 탑재대에 탑재된 지그의 하면에 상기 제 1 리프트 핀을 접촉시키는 스텝과, 그 다음에 상기 제 2 리프트 핀을 상승시키는 스텝과, 상기 검출부로부터 검출 신호가 출력되었을 때에 제 2 리프트 핀을 정지시키는 스텝을 실행하도록 구성되고, 상기 제 1 리프트 핀과 제 2 리프트 핀은 적어도 지그를 이용하여 접촉의 검출 조작을 행할 때는 전기적으로 서로 접속된 상태인 것을 특징으로 한다.
다른 발명은, 본 발명의 기판 처리 장치에 이용되는 메인터넌스용 지그로서, 복수의 리프트 핀에 포함되는 제 1 리프트 핀 및 제 2 리프트 핀의 각각이 해당 지그의 하면에 접촉했을 때에 전기적으로 폐루프가 형성되어 출력 신호를 출력하는 회로를 구비한 것을 특징으로 한다.
또한 다른 발명은, 기판을 처리하기 위한 처리 용기 내에 기판을 탑재하기 위해 마련된 탑재대와, 상기 탑재대의 탑재면에 대하여 구동부에 의한 승강에 의해 돌몰이 자유롭게 구성되고, 기판의 수수를 행하기 위한 복수의 리프트 핀을 구비한 기판 처리 장치를 메인터넌스하는 방법에 있어서, 상기 복수의 리프트 핀에 포함되는 제 1 리프트 핀 및 제 2 리프트 핀의 각각이 그 하면에 접촉했을 때에 전기적으로 폐루프가 형성되어 출력 신호를 출력하는 회로를 구비한 지그를 상기 탑재대에 탑재하는 공정과, 상기 탑재대에 탑재된 지그의 하면에 상기 제 1 리프트 핀을 접촉시키는 공정과, 그 다음에 상기 제 2 리프트 핀을 상승시켜, 상기 지그로부터 출력되는 출력 신호를 검출부가 검출했을 때에 제 2 리프트 핀을 정지시키는 공정을 포함하고, 상기 제 1 리프트 핀과 제 2 리프트 핀은 적어도 지그를 이용하여 접촉의 검출 조작을 행할 때에는 전기적으로 서로 접속된 상태인 것을 특징으로 한다.
또한 다른 발명은, 기판을 처리하기 위한 처리 용기 내에 기판을 탑재하기 위해 마련된 탑재대와, 상기 탑재대의 탑재면에 대하여 구동부에 의한 승강에 의해 돌몰이 자유롭게 구성되고, 기판의 수수를 행하기 위한 복수의 리프트 핀을 구비한 기판 처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램을 기억한 기억 매체로서, 상기 컴퓨터 프로그램은, 상기 기판 처리 장치의 메인터넌스 방법을 실행하도록 스텝군이 짜여 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 지그를 탑재대에 탑재하고, 제 1 리프트 핀을 지그의 하면에 접촉한 상태에서 제 2 리프트 핀이 지그의 하면에 접촉했을 때에 전기적인 폐루프가 형성되어 지그로부터 출력 신호가 발생되고, 이 출력 신호를 검출함으로써 리프트 핀의 높이 위치를 검출하고 있다. 따라서 리프트 핀의 높이 위치의 검출이 용이하고, 메인터넌스를 신속하게 행할 수 있다. 그리고 지그를 기판 반송 기구를 이용하여 처리 용기 내에 반입하도록 하면, 처리 용기를 개방하는 일 없이 메인터넌스를 행할 수 있고, 장치의 다운 타임을 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 장치의 실시 형태를 나타내는 종단면도이다.
도 2는 본 발명의 기판 처리 장치의 지그, 리프트 핀 및 제어계를 나타내는 구성도이다.
도 3은 본 발명에 이용되는 지그의 일례의 내부를 나타내는 사시도이다.
도 4는 본 발명의 기판 처리 장치의 실시 형태를 포함하는 기판 처리 시스템을 나타내는 개략 평면도이다.
도 5는 본 발명의 실시 형태에 있어서의 리프트 핀의 높이 위치의 조정 작업을 나타내는 플로차트이다.
도 6은 본 발명의 실시 형태에 있어서의 리프트 핀의 높이 위치의 조정 작업의 모습을 나타내는 설명도이다.
도 7은 본 발명의 실시 형태에 있어서의 리프트 핀의 높이 위치의 조정 작업의 모습을 나타내는 설명도이다.
도 8은 본 발명의 실시 형태에 있어서의 리프트 핀의 높이 위치의 조정 작업의 모습을 나타내는 설명도이다.
도 9는 본 발명에 이용되는 지그의 다른 예를 나타내는 사시도이다.
도 10은 본 발명에 이용되는 지그의 다른 예를 나타내는 종단면도이다.
도 11은 본 발명의 실시 형태에 있어서의 리프트 핀의 높이 위치의 검출을 이상 검출에 적용한 예를 나타내는 플로차트이다.
본 발명을 진공 처리 장치인 플라즈마 에칭 장치에 적용한 실시 형태에 대하여 설명한다. 플라즈마 에칭 장치(100)는, FPD용의 직사각형의 기판 G에 대하여 에칭을 행하는 용량 결합형의 평행 평판 플라즈마 에칭 장치로서 구성되어 있다. FPD로서는, 액정 디스플레이(LCD), 일렉트로 루미네선스(Electro Luminescence; EL) 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 등이 예시된다.
플라즈마 에칭 장치(100)는, 알루미늄으로 이루어지는 각통(角筒) 형상으로 형성된 진공 용기인 처리 용기(1)를 갖고 있다. 처리 용기(1)의 표면은 필요에 따라서 양극 산화 처리(알루마이트 처리)되어 있다. 처리 용기(1)의 저부에는, 하부 전극을 겸용하고, 기판 G를 탑재하는 탑재대(2)가 절연체(10)를 사이에 두고 마련되어 있다. 탑재대(2)는, 예컨대 알루미늄이나 스테인리스강(SUS) 등의 도전성 재료로 이루어지는 본체부(21)와, 본체부(21)의 상면에 마련된 정전 척(22)을 구비하고 있다. 본체부(21)의 상부 주연에는 전체 둘레에 걸쳐 단부(段部)가 형성되어 있고, 해당 단부의 단면보다 위쪽에는, 본체부(21)상의 기판 G를 둘러싸도록 액자 형상의 실드 링(23)이 마련되어 있다. 또한 실드 링(23)의 아래쪽에는, 본체부(21)를 둘러싸도록 절연 링(24)이 마련되어 있다.
정전 척(22)은, 스위치부(11)를 거쳐서 직류 전원(12)에 접속되어 있고, 스위치부(11)를 온으로 하는 것에 의해 기판 G를 정전 흡착한다. 따라서 이 예에서는 정전 척(22)의 표면이 기판 G의 탑재면이 된다.
탑재대(2)의 본체부(21)에는, 플라즈마 생성용의 고주파 전원(13) 및 바이어스 인가용의 고주파 전원(14)이 각각 정합기(13a, 14a)를 거쳐서 접속되어 있다. 탑재대(2)의 위쪽에는, 해당 탑재대(2)와 대향하도록 가스 공급부를 이루는 샤워 헤드(3)가 마련되어 있다. 샤워 헤드(3)는, 상부 중앙 부근에 마련된 가스 도입 포트(30)로부터 도입된 처리 가스가 가스 확산실(31)을 거쳐서 다수의 가스 토출 구멍(32)으로부터 탑재대(2)상에 처리 가스를 공급하도록 구성되어 있다. 가스 도입 포트(30)에는 가스 공급 라인(33)을 거쳐서 가스 공급원(34)이 접속되어 있다. 샤워 헤드(3)는 접지되어 있고, 탑재대(2)와 함께 한 쌍의 평행 평판 전극을 구성하고 있다.
처리 용기(1) 내의 네 구석에 가까운 저부에는, 배기관(15)이 접속되고, 배기관(15)의 하류단은, 예컨대 합류되어 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프로 이루어지는 진공 배기 기구(16)에 접속되어 있다. 처리 용기(1)의 저부에 접속된 각 배기관(15)에는, 도시하고 있지 않지만 압력 조정 기구 및 밸브가 마련되어 있다.
처리 용기(1)의 측벽에는, 기판 반송구를 개폐하는 게이트 밸브(17)가 마련되어 있다.
탑재대(2)에는, 외부의 기판 반송 기구와의 사이에서 기판의 수수를 행하기 위해 복수의 리프트 핀(4)이 탑재대(2)의 탑재면(정전 척(22)의 상면)에 대하여 돌몰이 자유롭게 마련되어 있다. 이들 리프트 핀(4)은 탑재대(2) 및 처리 용기(1)에 형성된 관통 구멍(41) 내에 배치되어 있고, 처리 용기(1)의 아래쪽에 마련된 구동부인 서보 모터(5)에 의해 각각 독립하여 승강할 수 있도록 구성되어 있다. 50은 관통 구멍(41)을 기밀로 밀봉하기 위한 벨로즈이다. 리프트 핀(4)의 설치 수 및 배치 레이아웃은, 기판 G의 면적이나 두께 등에 따라 결정되고, 설치 수에 대해서는 예컨대 수 개~수십 개로 설정된다. 도 1 등에 있어서는, 작도, 설명의 용이성으로부터, 모식적으로 한 단면에 있어서 배치된 3개의 리프트 핀(4)을 나타내고 있다. 또한 이들 리프트 핀(4)은 서로 전기적으로 접속되어 있고, 후술하는 도 6~도 8에서는 이 상태를 점선을 이용하여 나타내고 있다.
플라즈마 에칭 장치(100)는, 각 부위의 동작을 제어하고, 프로세스 레시피를 판독하는 장치 제어부(6)를 구비하고 있고, 이 장치 제어부(6)로부터의 지령에 근거하여 서보 모터(5)의 구동이 제어된다. 서보 모터(5)는 주지이기 때문에 그 상세한 구성에 대해서는 도시하고 있지 않지만, 상기의 지령에 따른 지령 펄스가 서보 앰프에 입력되어 편차 카운터에서 적산되고, 그 적산치(누적 펄스)에 대응하는 직류 전압으로 모터가 회전되어, 리프트 핀(4)을 승강 구동한다. 모터가 회전하면, 인코더에 의해 모터의 회전수에 비례한 귀환 펄스가 서보 앰프에 피드백되고, 편차 카운터의 누적 펄스를 감산하여 간다.
리프트 핀(4)에 대하여 메인터넌스를 행할 때, 이 예에서는 각 리프트 핀(4)의 높이 위치를 조정할 때에 지그(메인터넌스용 지그)가 이용되고, 이 지그에 대하여 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한다. 지그(7)는 각형(角型)의 용기(71)를 구비하고 있고, 용기(71)는 내부가 예컨대 대기 분위기로 된 밀폐 용기로서 구성되어 있다. 지그(7)의 크기에 대해서는, 설명의 편의상 모식적으로 기재하고 있지만, 실제는, 게이트 밸브(17)에 의해 개폐되는 기판 반송구를 지그(7)가 통과할 수 있는 크기로 설정되어 있다. 용기(71)의 저면부는 예컨대 기판 G와 동일한 크기의 각형의 예컨대 금속으로 이루어지는 도전로 플레이트(72)에 의해 구성되어 있다. 용기(71)의 측면 및 상면은 예컨대 광 투과성 재료인 아크릴판에 의해 구성되어 있다.
도전로 플레이트(72)는 리프트 핀(4)의 선단이 접촉하는 부재이고, 탑재대(2)에 마련된 리프트 핀(4) 중 1개가 접촉하는 위치에 형성된 제 1 영역 P1의 주위에는, 해당 제 1 영역 P1과 다른 영역인 제 2 영역 P2를 전기적으로 절연하기 위해 절연재(73)(흑색으로 칠한 부위)가 마련되어 있다. 바꿔 말하면, 도전로 플레이트(72)는, 도전성 플레이트의 일부에 절연재(73)가 마련된 것이다. 해당 실시 형태에 있어서는, 도전성 부위 및 절연재(73)를 포함하여 도전로 플레이트(72)라고 부르는 것으로 한다.
지그(7)의 용기(71) 내에는, 작동 회로인 점등 회로(74)가 마련되어 있다. 이 점등 회로(74)는 도전 선로에 직류 전원(75), 저항(76), 발광부인 LED(77)가 접속되어 구성되고, 일단 및 타단은 각각 제 1 영역 P1 및 제 2 영역 P2에 접속되어 있다. 점등 회로(74)는, 양단이 전기적으로 접속되면 폐루프가 형성되어 LED(77)가 점등한다.
도 1로 돌아가서, 처리 용기(1)의 측벽에는 광 투과창(18)이 형성되고, 광 투과창(18)의 바깥쪽에는 광 검출부(60)가 마련되어 있다. 광 검출부(60)는 탑재대(2)에 탑재된 지그(7)의 LED(77)의 발광을 검출하기 위한 것이고, LED(77)로부터의 광을 수광할 수 있도록, 광 검출부(60) 및 광 투과창(18)의 위치가 설정되어 있다. 광 검출부로서는 에칭의 엔드 포인트를 검출하는 검출기나, PEMS(Plasma Emission Monitoring System) 등을 겸용할 수 있다.
장치 제어부(6)는 컴퓨터로 구성되고, 프로세스 레시피를 기억하는 기억부(61), 리프트 핀(4)의 메인터넌스인 리프트 핀(4)의 높이 위치의 조정을 행하기 위한 조정 프로그램을 기억하는 기억부(62), 및 작업 영역 등을 포함하는 메모리(63) 등을 구비하고 있다. 64는 CPU, 65는 버스이다. 프로세스 레시피는, 플라즈마 에칭 장치(100)에서 프로세스를 행하기 위한 수순이 기억된 소프트웨어이다. 조정 프로그램은, 리프트 핀(4)의 높이 위치의 조정을 행하기 위한 후술하는 동작을 실행하도록, 광 검출부(60)로부터의 검출 신호의 유무의 판단이나 서보 모터(5)에 대한 제어 신호의 출력 등을 포함하는 스텝군이 짜여 있다. 예컨대 장치 제어부(6)에는 후술하는 시스템 제어부(300)로부터 프로세스를 행하는지, 리프트 핀의 조정을 행하는지를 결정하는 모드 신호가 입력되고, 프로세스 모드 신호가 입력되었을 때에는 프로세스 레시피의 판독이 행해지고, 조정 모드 신호가 입력되었을 때에는 조정 프로그램이 실행된다.
조정 프로그램(213)은, 하드디스크, 콤팩트디스크, 광자기디스크, 메모리카드, USB 메모리 등의 기억 매체로부터 예컨대 후술하는 시스템 제어부(200)를 거쳐서 장치 제어부(6) 내에 인스톨된다.
이상 말한 플라즈마 에칭 장치(100)는, 예컨대 도 4에 나타내는 기판 처리 시스템에 포함되어 있다. 기판 처리 시스템에 관하여 간단하게 설명하여 두면, 기판 G를 복수 매 수납한 반송 용기(201)가 반입출 포트(202)에 반입되면, 대기 반송실(203) 내의 기판 반송 기구(204)에 의해 반송 용기(201) 내의 기판 G가 꺼내어진다. 그리고 기판 G는 기판 반송 기구(204)로부터 로드록실(205)을 거쳐서 진공 반송실(206) 내의 기판 반송 기구(207)에 건네어진다. 진공 반송실(206)에는, 플라즈마 에칭 장치(100) 및 이 예에서는 2개의 진공 처리 장치(208, 209)가 접속되어 있다. 진공 처리 장치(208, 209)는 예컨대 한쪽이 에칭 후에 트리트먼트 처리를 행하는 장치, 다른 쪽이 트리트먼트 처리 후에 성막 처리를 행하는 장치로서 구성되고, 연속 처리가 행해지도록 되어 있다. 도 4 중 G1~G4는 게이트 밸브이다. 또, 기판 처리 시스템은, 진공 반송실(206)이 플라즈마 에칭 장치(100)에 대하여 전용의 것이고, 진공 처리 장치(208, 209)를 구비하고 있지 않은 구성이더라도 좋다. 도 4에 부호 300으로 나타내는 부위는 시스템 제어부이고, 기판 반송 기구(204나 206) 등의 반송 제어, 및 각 진공 처리 장치(100, 208, 209)에 대한 지령 신호의 출력 등을 행한다.
다음으로 상술한 플라즈마 에칭 장치(100)에 대하여, 복수의 리프트 핀(4)의 각각에 대하여 높이의 위치 조정에 관계되는 메인터넌스 작업에 대하여 설명한다. 지그(7)의 저면은 전술한 바와 같이 기판 G와 동일한 크기이기 때문에, 예컨대 도 4에 나타내는 기판의 반송 용기(201) 내에 지그(7)를 수납하고, 이 반송 용기(201)를 반입출 포트(202)에 탑재한다. 그리고 기판 G와 마찬가지로 지그(7)를 기판 반송 기구(204)→로드록실(205)→기판 반송 기구(207)→플라즈마 에칭 장치(100)의 경로로 반송하고, 기판 반송 기구(207)와 리프트 핀(4)의 협동에 의해 탑재대(2)상에 탑재한다. 또, 플라즈마 에칭 장치(100)의 처리 용기(1) 내는 진공 분위기로 유지되고 있다.
도 5는 메인터넌스 작업의 일련의 동작을 나타내는 플로차트이고, 전술한 바와 같이 하여 스텝 S1이 실행된다. 또한 도 6은 지그(7)가 탑재대(2)상에 탑재된 상태를 나타내고 있다. 이 상태에 있어서, 리프트 핀(4) 중 1개가 지그(7)의 도전로 플레이트(72)의 영역 P1의 아래쪽에 위치하게 되고, 이하의 설명에서는, 해당 리프트 핀을 제 1 리프트 핀이라고 부르고, 그 외의 리프트 핀을 제 2 리프트 핀이라고 부르기로 한다. 그리고 제 1 리프트 핀에 대해서는 부호 4A를 할당하고, 제 2 리프트 핀에 대해서는, 부호 4를 그대로 할당하고, 동작의 대상이 되고 있는 리프트 핀에 대해서는 부호 4B를 할당하는 것으로 한다.
먼저 제 1 리프트 핀(4A)을 상승시켜 도 7에 나타내는 바와 같이 도전로 플레이트(72)의 영역 P1에 접촉시켜 둔다(스텝 S2). 이 경우의 접촉의 판단에 대해서는, 예컨대 다음과 같이 하여 행할 수 있다. 서보 모터(5)에 가해지는 부하가 커지면, 누적 펄스의 카운트 값이 증가하기 때문에, 제 1 리프트 핀(4A)을 구동하는 서보 모터(5)의 누적 펄스의 카운트 값을 장치 제어부(6)가 감시하고, 카운트 값의 변동치가 일정치를 넘었을 때에 접촉했다고 판단된다. 또, 서보 모터(5)의 토크 값의 변화를 검출함으로써 접촉을 판단하도록 하더라도 좋다. 또한, 제 1 리프트 핀(4A)의 위치 결정은 후술하는 스텝 S11에서 행해지므로, 예컨대 미리 홈 위치로부터 도전로 플레이트(72)의 영역 P1에 접촉하는 위치까지의 대략적인 거리를 구하여 두고, 그 거리만큼 상승시키도록 하더라도 좋다.
계속하여 제 2 리프트 핀(4) 중 1개의 리프트 핀(4B)에 대하여 서보 모터(5)에 의해 속도 V1, 예컨대 1분간에 수 ㎜의 속도로 상승시킨다(스텝 S3). 해당 리프트 핀(4B)이 도 8에 나타내는 바와 같이, 지그(7)의 도전로 플레이트(72)에 접촉하면, 전술한 바와 같이 제 1 리프트 핀(4A)과 제 2 리프트 핀(4B)은 전기적으로 접속되어 있으므로, 직류 전원(75)→저항(76)→LED(77)→도전로 플레이트(72)의 제 1 영역 P1→제 1 리프트 핀(4A)→제 2 리프트 핀(4B)→도전로 플레이트(72)의 제 2 영역 P2→직류 전원(75)의 폐루프가 형성된다. 이 때문에 LED(77)가 점등(발광)하고, 즉 출력 신호에 상당하는 광 신호가 출력되고, 이 광 신호가 처리 용기(1)의 밖의 광 검출부(60)에 의해 검출된다. 그리고 광 검출부(60)로부터 검출 신호가 장치 제어부(6)에 출력되면, 장치 제어부(6)는 제 2 리프트 핀(4B)을 구동하고 있는 서보 모터(5)에 정지 지령을 출력하여 제 2 리프트 핀(4B)이 정지한다(스텝 S4).
그러한 후, 장치 제어부(6)에 의해 펄스 구동으로, 수십~수백 펄스분만큼 서보 모터(5)를 구동하여 제 2 리프트 핀(4B)을, LED(77)가 꺼질 때까지 하강시킨다(스텝 S5). 계속하여 장치 제어부(6)에 의해 펄스 구동으로 서보 모터(5)를 구동하여 제 2 리프트 핀(4B)을 수 펄스씩 상승시킨다(스텝 S6). 전술한 바와 같이 제 2 리프트 핀(4B)이 도전로 플레이트(72)의 영역 P2에 접촉하면 LED(77)가 점등하고, 광 검출부(60)로부터 검출 신호가 장치 제어부(6)에 출력되고, 장치 제어부(6)로부터 서보 모터(5)에 새로운 구동 펄스 지령이 출력되지 않으므로 제 2 리프트 핀(4B)이 정지한다(스텝 S7).
이 스텝 S7에 있어서 제 2 리프트 핀(4B)이 정지했을 때의 제 2 리프트 핀의 선단은 탑재대(2)의 탑재면의 높이 위치에 상당한다. 그 후, 장치 제어부(6)로부터의 지령에 근거하여 서보 모터(5)가 구동되고, 제 2 리프트 핀(4B)이 정지 위치로부터 미리 설정한 거리, 즉 탑재대(2)의 탑재면으로부터 미리 설정한 거리만큼 낮은 위치, 예컨대 50㎛ 정도 낮은 위치로 설정된다. 이 위치가 프로세스시의 제 2 리프트 핀(4B)의 대기 위치이다.
장치 제어부(6)에 있어서는 제 2 리프트 핀(4B)의 높이 위치는, 인코더의 펄스의 카운트 값(제 2 리프트 핀(4B)이 소정 위치 예컨대 최하한 위치에 있을 때의 카운트 값을 제로로 했을 때의 카운트 값)으로 관리되는 1차원의 좌표계의 좌표 위치에 상당한다. 따라서 제 2 리프트 핀(4B)의 설정 위치(대기 위치)는, 이 좌표계의 좌표 위치로서 예컨대 메모리(63)에 기억된다(스텝 S8).
이렇게 하여 제 2 리프트 핀(4)의 1개에 대하여 높이 위치의 조정이 행해진 후, 다른 제 2 리프트 핀(4)에 대해서도 마찬가지의 조정 작업이 행해진다(스텝 S9→스텝 S3). 그리고 모든 제 2 리프트 핀(4)에 대하여 조정 작업이 종료되면, 스텝 S9에 있어서 「아니오」가 되고, 제 1 리프트 핀(4A)을 지그로부터 떼어놓음과 아울러 제 2 리프트 핀(4) 중 1개를 지그(7)의 도전로 플레이트(72)(제 2 영역 P2)에 접촉시킨다(스텝 S10). 그 후, 제 1 리프트 핀(4A)에 대하여, 전술한 제 2 리프트 핀(4B)에 대하여 행해진 것과 마찬가지의 작업(스텝 S3~S8에 상당하는 작업)이 실행된다(스텝 S11). 이상의 작업이 종료된 후, 지그(7)는 리프트 핀(4)에 의해 탑재대(2)상으로부터 들어 올려져, 도 4에 나타내는 기판 반송 기구(207)에 건네지고, 반입시와는 반대의 동작에 의해 반입출 포트(202)에 반출된다.
메인터넌스 작업이 종료된 후는, 기판 G에 대하여 플라즈마 에칭 처리가 행해진다. 이 처리에 대하여 간단하게 말하여 두면, 기판 G가 탑재대(2)의 정전 척(22)에 정전 흡착된 상태에서 샤워 헤드로부터 처리 가스가 공급된 후, 고주파 전원(13)의 고주파 전력에 의해 처리 가스가 플라즈마화된다. 그리고 고주파 전원(14)에 의해 탑재대(2)에 바이어스 전압을 인가하고, 플라즈마에 의해 기판 G에 대하여 에칭이 행해진다. 에칭이 행해지고 있는 동안은, 각 리프트 핀(4)의 높이 위치는, 전술한 바와 같이 하여 조정된 위치(탑재면으로부터 예컨대 50㎛ 정도 아래쪽의 위치)로 설정된다.
상술한 실시 형태에서는, 지그(7)를 반입출 포트(202)로부터 기판 처리 시스템 내에 반입하여 플라즈마 에칭 장치(100)의 탑재대(2)에 탑재하고 있다. 그리고 제 1 리프트 핀(4A)을 지그(7)의 하면에 접촉시킨 상태에서 제 2 리프트 핀(4B)이 지그의 하면에 접촉했을 때에 지그(7)의 LED(77)가 점등(발광)하고, 이 발광을 검출함으로써 리프트 핀(4)의 높이 위치를 검출하고, 이 검출에 근거하여 리프트 핀(4)의 높이 위치를 조정하고 있다. 따라서 리프트 핀(4)의 높이 위치의 조정 작업을 용이하게 행할 수 있고, 게다가 처리 용기(1)를 개방하는 일 없이 메인터넌스를 행할 수 있으므로, 장치의 다운 타임을 억제할 수 있다. 또한, 처리 용기(1) 내가 실제로 기판 G에 대하여 처리가 행해질 때와 동일한 상태에서 리프트 핀(4)의 높이 위치를 조정할 수 있다. 즉, 처리 용기(1) 내를 진공 분위기로 한 채로 예컨대 기판 G의 처리시와 동일한 압력 혹은 그에 가까운 압력으로, 또한 탑재대(2)의 온도를 기판의 처리시와 동일한 온도 혹은 그에 가까운 온도로 하여 리프트 핀(4)의 높이 위치를 조정할 수 있다. 이 때문에, 기판에 대하여 처리가 행해질 때의 리프트 핀의 위치를 높은 정밀도로 설정할 수 있다.
상술한 실시 형태에서는, 제 2 리프트 핀(4B)을 빠르게 상승시켜 지그(7)에 접촉시킨 후, 일단 약간 하강시키고, 그 후 완만하게 상승시켜 재차 지그(7)에 접촉시키고, 그 접촉 위치를 탑재면으로 인식하여 이 탑재면으로부터 소정 거리만큼 낮은 위치로 설정하고 있다. 제 2 리프트 핀(4B)을 빠르게 상승시킨 경우에는 지그(7)에 접촉한 후, 오버슈트를 일으킬 우려가 있기 때문에, 상술한 실시 형태의 수법(제 2 리프트 핀(4B)과 지그(7)의 접촉을 2회 행하는 수법)은, 탑재면을 높은 정밀도로 검출할 수 있고 또한 작업 전체를 신속하게 행할 수 있는 이점이 있다. 그러나 예컨대 제 2 리프트 핀(4B)을 처음부터 느린 속도로 상승시키는 등의 수법에 의해, 제 2 리프트 핀(4B)과 지그(7)의 접촉은 1회만으로 하도록 하더라도 좋다.
또한 상술한 실시 형태에서는, 탑재면보다 아래쪽으로 소정 거리만큼 낮은 위치를 리프트 핀(4)의 프로세스 위치(대기 위치)로 하고 있지만, 탑재면의 위치를 프로세스 위치로 하더라도 좋고, 이 경우는 리프트 핀(4)이 지그(7)에 접촉한 위치가 프로세스 위치가 된다.
여기서, 본 발명자의 지견으로는, 프로세스가 고온, 예컨대 200℃ 이상에서 행해지는 경우에는, 리프트 핀(4)의 위치의 조정 작업시에 있어서의 탑재대(2)의 온도를 프로세스 온도가 되도록 설정하여 두는 것이 바람직한 것으로 파악하고 있다. 바람직한 이유는, 리프트 핀(4)의 위치(높이 위치)에 대하여 조정시와 프로세스시의 사이의 변동이 억제되는 것에 따른다. 예컨대 탑재대(2)와 리프트 핀(4)은 재료가 서로 상이하기 때문에, 양자의 열팽창률이 상이하고, 상온에서 리프트 핀(4)의 높이를 조정했다고 하더라도, 프로세스 온도까지 가열되면, 탑재면과 리프트 핀(4)의 상대적 높이에 오차가 발생한다. 이 때문에, 조정 작업시에 있어서의 탑재대(2)의 온도는, 예컨대 탑재대(2)에 마련된 온도 조절 기구 등에 의해 프로세스 온도에 대하여 예컨대 ±50℃의 범위로 설정하여 두는 것이 바람직하고, ±5℃ 이내이면 더욱 바람직하다. 그렇지만 탑재대(2)가 상온인 상태에서 조정 작업을 행하더라도 좋다.
도 9는 지그(7)의 다른 예에 있어서의 저면부를 나타내고 있다. 이 지그(7)는, 저부가 절연재로 이루어지는 절연판(700)에 의해 구성되어 있고, 제 1 리프트 핀(4)에 대응하는 영역 P10이 도전성 부재에 의해 구성되어 있다. 또한 제 2 리프트 핀(4)(제 1 리프트 핀(4) 이외의 모든 리프트 핀(4))에 대응하는 영역 P20에 대해서도 도전성 부재에 의해 구성되고, 각 영역 P20은 예컨대 절연판(700)의 표면에 형성된 도전로(701)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 그리고 점등 회로(74)의 양단이, 도전로(701)에 마련된 단자부(702)와 영역 P10에 각각 접속되어 있다. 또, 도 9에 있어서, 지그(7)의 측면부, 상면부는 생략되어 있다.
이와 같은 지그(7)이더라도, 제 1 리프트 핀(4)을 지그(7)에 접촉시킨 상태에서, 제 2 리프트 핀(4)을 지그(7)에 접촉시키면 LED(77)가 점등하고, 마찬가지의 효과가 얻어진다.
또한 도 10은 지그의 또 다른 예를 나타내고 있다. 이 지그(7)는, 저면부의 하면에 있어서의 각 리프트 핀(4)에 대응하는 위치에, 관통 구멍(41) 내로 들어가도록 돌몰부(703)가 마련되어 있다. 돌몰부(703)의 돌몰량 d는, 예컨대 리프트 핀(4)을 조정해야 할 위치와 탑재면의 거리에 대응하는 치수, 예컨대 50㎛로 설정되어 있다. 이 경우에는 리프트 핀(4)을 상승시켜 지그(7)에 접촉한 위치(예컨대 전술한 실시 형태와 같이 2회 접촉시킨다)가 설정 위치가 된다.
지그(7)에 대해서는, 상술한 예에서는 용기(71) 내의 분위기를 대기 분위기로 하고 있지만, 진공 분위기로 하더라도 좋다.
또한 리프트 핀(4)이 지그(7)에 접촉했을 때에 지그로부터 출력되는 출력 신호는, 음파 신호 예컨대 초음파 신호이더라도 좋고, 이 경우에는 LED(77) 대신에 초음파 소자가 이용됨과 아울러 예컨대 처리 용기(1)의 밖에 초음파 검출기를 마련하여 이 검출 신호에 의해 서보 모터(5)가 제어된다.
또한 상기 출력 신호는, 전파 신호이더라도 좋고, 이 경우에는 점등 회로 대신에 발진 회로가 이용되고, 발진 회로에 접속된 안테나로부터 소정의 주파수의 주파수 신호가 출력된다. 이 주파수 신호를 검출부에서 검출하고, 서보 모터(5)가 제어된다.
또 상기 출력 신호는, 예컨대 LED가 점등 상태로부터 소등 상태가 되거나, 혹은 점등의 조도가 변화하는 등, 상태 변화 신호인 경우도 포함한다.
또한 지그(7)는, 예컨대 2개의 리프트 핀을 1조로 하여 각 조마다 점등 회로 등을 마련하는 구성이더라도 좋고, 이 경우에도 마찬가지의 효과가 얻어진다.
본 발명에서는, 지그를 이용하여 리프트 핀(4)의 위치를 조정하는 것에 한하지 않고, 리프트 핀(4)의 소모나 손상 등의 이상을 검출할 수도 있다. 이 수법에 대하여 도 11을 참조하면서 설명한다. 스텝 K1, K2는 전술한 스텝 S1, S2에 상당하고, 먼저 제 1 리프트 핀(4A)을 지그(7)에 접촉시켜 둔다. 그리고 제 2 리프트 핀(4) 중 1개인 제 2 리프트 핀(4B)을 가장 아래쪽 위치로 설정하고(스텝 K3), 거기로부터 LED(77)가 점등할 때까지 상승시킨다(스텝 K4). 장치 제어부(6)는, 가장 아래쪽 위치로부터, 광 검출부(60)에서 검출 신호를 받을 때까지의 사이의 서보 모터(5)의 인코더의 펄스 수를 카운트하고, 그 카운트 값이 임계치를 넘고 있는지 여부를, 즉 제 2 리프트 핀(4B)의 이동량이 임계치를 넘고 있는지 여부를 판단한다(스텝 K5). 이동량이 임계치를 넘고 있으면 해당 제 2 리프트 핀(4B)에 대하여 이상으로 판정하고(스텝 K6), 임계치를 넘고 있지 않으면 다른 제 2 리프트 핀(4)에 대하여 마찬가지의 작업이 행해진다(스텝 K7의 "예"의 루프).
그리고 제 2 리프트 핀(4)의 전부에 대하여 검사를 종료하면, 다음으로 제 1 리프트 핀(4A)을 가장 아래쪽 위치로 설정하고, 제 2 리프트 핀(4) 중 1개를 지그(7)에 접촉시킨다(스텝 K8). 그 후, 제 2 리프트 핀(4)에 대하여 행한 것과 마찬가지의 작업을 행하여 제 1 리프트 핀(4A)에 대하여 이상인지 여부를 판정한다(스텝 K9~K11). 리프트 핀(4)에 대하여 이상으로 판단되었을 때에는, 장치 제어부(6)에 있어서 이상으로 된 리프트 핀(4)이 기억되고, 도시하지 않는 표시부에 그 리프트 핀(4)(예컨대 리프트 핀의 번호 혹은 위치)이 표시된다. 그 후, 해당 리프트 핀(4)은 교환되게 된다.
또, 이 이상 검출은, 리프트 핀(4)을 지그(7)에 접촉한 위치로부터 소정 위치 예컨대 가장 아래쪽 위치까지 하강시켰을 때의 하강량을 이동량으로서 임계치와 비교하더라도 마찬가지의 효과가 얻어진다.
이상에 있어서, 본 발명은 상술한 실시 형태로 한정되는 것이 아니고, 다양한 변형이 가능하다.
상술한 실시 형태에서는, 리프트 핀(4)을 승강시키는 구동부로서 서보 모터를 이용하고 있지만, 이것에 한하지 않고 예컨대 스텝핑 모터를 사용할 수도 있다. 예컨대 전술한 스텝 S3(도 5 참조)에 있어서, 서보 모터를 이용하는 경우에는 예컨대 1분간에 수 ㎜의 속도로 상승하도록 컨트롤되고 있었지만, 스텝핑 모터를 이용하는 경우에는, 예컨대 수 ㎜의 상승량에 대응하는 펄스만큼 스텝핑 모터를 구동하는 동작이, LED(77)의 점등을 확인할 때까지 반복된다.
또한 예컨대 상술한 실시 형태에서는, 본 발명을 평행 평판형 플라즈마 에칭 장치에 적용한 예에 대하여 설명했지만, 이것에 한하지 않고, 유도 결합형 등의 다른 플라즈마 생성 수단을 이용한 것이더라도 좋다. 또한 본 발명의 기판 처리 장치는, 플라즈마 에칭에 한하지 않고, 플라즈마 애싱, 플라즈마 CVD 등의 다른 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 장치에 적용 가능하다. 또한 본 발명의 기판 처리 장치는, 플라즈마 처리 장치에 한하지 않고, 기판을 탑재대에 탑재하여 처리하는 기판 처리 장치 전반에 적용 가능하다. 상술한 실시 형태에서는, 탑재대에 정전 척(22)을 마련하는 장치에 대하여 설명했지만, 기판으로의 처리 내용에 따라서는 정전 척(22)을 생략할 수도 있다.
또한, 상술한 실시 형태에서는 FPD용의 유리 기판에 적용한 예에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이것에 한하지 않고, 반도체 기판 등, 다른 기판에 적용 가능하다.
100 : 플라즈마 에칭 장치
1 : 처리 용기
18 : 광 투과창
2 : 탑재대
21 : 본체부
22 : 정전 척
3 : 샤워 헤드
4 : 리프트 핀
4A : 제 1 리프트 핀
4B : 제 2 리프트 핀
5 : 서보 모터
6 : 장치 제어부
60 : 광 검출부
7 : 지그
71 : 용기
72 : 도전로 플레이트
73 : 절연재
77 : LED
S1 : 제 1 영역
S2 : 제 2 영역

Claims (15)

  1. 처리 용기 내의 탑재대에 기판을 탑재하여 처리를 행하는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 탑재대의 탑재면에 대하여 돌몰이 자유롭게 구성되고, 기판의 수수를 행하기 위한 복수의 리프트 핀과,
    상기 리프트 핀을 승강시키기 위한 구동부와,
    상기 탑재대에 탑재된 지그로부터 출력되는 출력 신호를 검출했을 때에 검출 신호를 출력하는 검출부와,
    상기 검출 신호에 근거하여 상기 구동부를 제어하는 제어부
    를 구비하고,
    상기 지그는, 상기 복수의 리프트 핀에 포함되는 제 1 리프트 핀 및 제 2 리프트 핀의 각각이 상기 지그의 하면에 접촉했을 때에 전기적으로 폐루프가 형성되어 출력 신호를 출력하는 회로를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 탑재대에 탑재된 지그의 하면에 상기 제 1 리프트 핀을 접촉시키는 스텝과, 그 다음에 상기 제 2 리프트 핀을 상승시키는 스텝과, 상기 검출부로부터 검출 신호가 출력되었을 때에 제 2 리프트 핀을 정지시키는 스텝을 실행하도록 구성되고,
    상기 제 1 리프트 핀과 제 2 리프트 핀은 적어도 지그를 이용하여 접촉의 검출 조작을 행할 때에는 전기적으로 서로 접속된 상태인
    것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제 2 리프트 핀을 정지시키는 스텝 후, 상기 제 2 리프트 핀을 미리 설정한 설정량만큼 하강시키고, 하강했을 때의 높이 위치를 기억부에 기억하는 스텝을 실행하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제 2 리프트 핀을 정지시키는 스텝 후, 상기 제 2 리프트 핀을 하강시켜 상기 지그의 출력 신호를 정지한 상태로 하는 스텝과, 다음으로 상기 검출부로부터 검출 신호가 출력될 때까지, 먼저 행한 제 2 리프트 핀의 상승시의 속도보다 느린 속도로 상기 제 2 리프트 핀을 상승시키는 스텝과, 그 다음에 상기 제 2 리프트 핀을 미리 설정한 설정량만큼 하강시키고, 하강했을 때의 높이 위치를 기억부에 기억하는 스텝을 실행하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부는, 지그의 하면에 상기 제 1 리프트 핀을 접촉시키는 스텝 후, 제 1 리프트 핀 이외의 제 2 리프트 핀에 상당하는 복수의 리프트 핀의 각각에 대하여 청구항 1에 기재된 조작을 순차적으로 행하기 위한 스텝군을 실행하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 제어부는, 지그의 하면에 상기 제 1 리프트 핀을 접촉시키는 스텝 후, 제 1 리프트 핀 이외의 제 2 리프트 핀에 상당하는 복수의 리프트 핀의 각각에 대하여 청구항 2에 기재된 조작을 순차적으로 행하기 위한 스텝군을 실행하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 제어부는, 지그의 하면에 상기 제 1 리프트 핀을 접촉시키는 스텝 후, 제 1 리프트 핀 이외의 제 2 리프트 핀에 상당하는 복수의 리프트 핀의 각각에 대하여 청구항 3에 기재된 조작을 순차적으로 행하기 위한 스텝군을 실행하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어부는, 지그의 하면에 상기 제 2 리프트 핀을 접촉시킨 상태에서, 상기 제 1 리프트 핀에 대하여, 상기 제 2 리프트 핀을 이용하여 행한 것과 동일한 스텝을 실행하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지그로부터 출력되는 출력 신호는, 광 신호, 음파 신호 및 전파 신호 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    제 1 리프트 핀 및 제 2 리프트 핀 중 한쪽을 지그에 접촉시킨 상태에서, 다른 쪽의 미리 설정한 위치와 지그에 접촉하는 위치의 사이의 이동 거리를 측정하고, 측정한 이동 거리가 임계치를 넘고 있을 때에 상기 다른 쪽의 리프트 핀이 이상이라고 판정하는 이상 판정부를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 장치에 이용되는 메인터넌스용 지그로서,
    상기 복수의 리프트 핀에 포함되는 제 1 리프트 핀 및 제 2 리프트 핀의 각각이 상기 지그의 하면에 접촉했을 때에 전기적으로 폐루프가 형성되어 출력 신호를 출력하는 회로를 구비한 것을 특징으로 하는 메인터넌스용 지그.
  11. 기판을 처리하기 위한 처리 용기 내에 기판을 탑재하기 위해 마련된 탑재대와, 상기 탑재대의 탑재면에 대하여 구동부에 의한 승강에 의해 돌몰이 자유롭게 구성되고, 기판의 수수를 행하기 위한 복수의 리프트 핀을 구비한 기판 처리 장치를 메인터넌스하는 방법에 있어서,
    상기 복수의 리프트 핀에 포함되는 제 1 리프트 핀 및 제 2 리프트 핀의 각각이 그 하면에 접촉했을 때에 전기적으로 폐루프가 형성되어 출력 신호를 출력하는 회로를 구비한 지그를 상기 탑재대에 탑재하는 공정과,
    상기 탑재대에 탑재된 지그의 하면에 상기 제 1 리프트 핀을 접촉시키는 공정과,
    그 다음에 상기 제 2 리프트 핀을 상승시켜, 상기 지그로부터 출력되는 출력 신호를 검출부가 검출했을 때에 제 2 리프트 핀을 정지시키는 공정
    을 포함하고,
    상기 제 1 리프트 핀과 제 2 리프트 핀은 적어도 지그를 이용하여 접촉의 검출 조작을 행할 때에는 전기적으로 서로 접속된 상태인
    것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 메인터넌스 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 2 리프트 핀을 정지시키는 공정 후, 상기 제 2 리프트 핀을 미리 설정한 설정량만큼 하강시키고, 하강했을 때의 높이 위치를 기억부에 기억하는 공정을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 메인터넌스 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 2 리프트 핀을 정지시키는 공정 후, 상기 제 2 리프트 핀을 하강시켜 상기 지그의 출력 신호를 정지한 상태로 하는 공정과, 다음으로 상기 검출부로부터 검출 신호가 출력될 때까지, 먼저 행한 제 2 리프트 핀의 상승시의 속도보다 느린 속도로 상기 제 2 리프트 핀을 상승시키는 공정과, 그 다음에 상기 제 2 리프트 핀을 미리 설정한 설정량만큼 하강시키고, 하강했을 때의 높이 위치를 기억부에 기억하는 공정을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 메인터넌스 방법.
  14. 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지그를 상기 탑재대에 탑재하는 공정은, 기판을 반송하기 위한 반송 기구와 상기 리프트 핀의 협동에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 메인터넌스 방법.
  15. 기판을 처리하기 위한 처리 용기 내에 기판을 탑재하기 위해 마련된 탑재대와, 상기 탑재대의 탑재면에 대하여 구동부에 의한 승강에 의해 돌몰이 자유롭게 구성되고, 기판의 수수를 행하기 위한 복수의 리프트 핀을 구비한 기판 처리 장치에 이용되는 컴퓨터 프로그램을 기억한 기억 매체로서,
    상기 컴퓨터 프로그램은, 청구항 11 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 장치의 메인터넌스 방법을 실행하도록 스텝군이 짜여 있는 것을 특징으로 하는 기억 매체.
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