CN107527837B - 基板处理装置、维护用器具和基板处理装置的维护方法 - Google Patents

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Abstract

本发明在具有能够相对于基板的载置台突出和没入的、用于进行基板的交接的多个升降销的基板处理装置中，快速进行升降销的高度位置的检测。准备在底部与基板相同大小地形成的容器(71)内设置有点灯电路的器具(7)。容器的底部由电路板(72)构成，为了使与一个升降销(4)对应的区域(P1)和其他区域(P2)绝缘，在区域(P1)的周围设置有绝缘材料，点灯电路的两端分别与区域(P1、P2)连接。将器具载置于载置台，在使1个升降销与区域(P1)接触的状态下，使其他升降销与区域(P2)接触时，升降销彼此电连接，因此器具内的LED(77)点亮。利用光检测部(60)检测此时的光，控制调整对象的升降销的伺服电动机。

Description

基板处理装置、维护用器具和基板处理装置的维护方法
技术领域
本发明涉及在具有能够相对于处理容器内的基板的载置台突出和没入的、用于进行基板的交接的多个升降销的基板处理装置中，对升降销的高度位置进行检测并进行维护的技术领域。
背景技术
在设置于对基板进行例如蚀刻、成膜等的真空处理的处理容器内的基板的载置台中，设置有能够相对于基板的载置面突出和没入的多个升降销。载置台与外部的搬送机构之间的基板的交接通过使升降销升降来进行。在对基板进行处理期间，升降销被收容于形成在载置台的贯通孔中。
另一方面，在对FPD(Flat Panel Display)用的玻璃基板进行处理的装置中，避开玻璃基板表面内的产品化区域(设置有元件和配线等的区域)而配置有升降销。然而，近年来，玻璃基板存在进行大型化并且其厚度变薄的倾向，为了稳定支承大型而薄的玻璃基板，上策是增加升降销的数量，因此，今后产生在玻璃基板表面内的产品化区域的下方也配置升降销的需要。
然而，在产品化区域的下方配置升降销时，在对基板进行处理期间，升降销的位置时而过高时而过低而不恰当时，与配置有升降销的部分对应的区域的处理条件会不同，成为发生处理不均匀的原因。因此，即使在确保产品的可靠性方面，准确掌握升降销的位置也是重要的，但迄今为止，还未能确立自动掌握升降销的位置的方法，例如使用千分表等计测仪器，作业者要测定每个升降销的位置。在这种情况下，由于必须将处理容器向大气开放，伴随着开关作业，作业者的负担大，作业时间也长，并且必须将处理容器内抽至真空，因此，作为其结果，产生了装置的停机时间长期化这样的问题。进一步而言，在这种情况下，在作业者测定升降销的位置时和对基板进行处理时，处理容器内的真空度和温度不同，因此，准确地设定对基板进行处理时的升降销的位置是困难的。
在专利文献1中记载了，进行等离子体蚀刻时，在与形成于基板的载置台中的升降销的插入孔对应的部分，鞘区的电磁场变得不均匀，插入孔的正上方的蚀刻速度与其他部分不同。并且记载了，为了抑制这种状态，利用调整螺丝调整升降销的前端，使其处于距基板的背面70～130μm的下方，但并不暗示本发明的方法。
在专利文献2中记载了如下的技术，即：在使载置台的3个支承销上升时，向上推动封闭基板搬送机构所载置的器具的环形板的中央部的圆板，在该圆板仅上升其厚度以上时，在载置有圆板的区域形成光路，由此能够检测支承销的上端位置。然而，该技术无法对载置台的升降销的高度位置逐一进行检测。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第4597894号公报
专利文献2：日本特开2009－54993号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
本发明是鉴于上述事情而完成的发明，其目的在于：提供一种在具有相对于基板的载置台伸缩自由并用于进行基板的交接的多个升降销的基板处理装置中，能够快速进行升降销的高度位置的检测的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明是一种基板处理装置，其用于将基板载置于处理容器内的载置台并对该基板进行处理，上述基板处理装置的特征在于，包括：
能够相对于上述载置台的载置面突出和没入的、用于进行基板的交接的多个升降销；
用于使上述升降销升降的驱动部；
在检测出从载置于上述载置台的器具输出的输出信号时输出检测信号的检测部；和
根据上述检测信号对上述驱动部进行控制的控制部，
上述器具具有在上述多个升降销所包含的第一升降销和第二升降销分别与该器具的下表面接触时形成电闭环并将输出信号输出的电路，
上述控制部构成为实施：使上述第一升降销与载置于上述载置台上的器具的下表面接触的步骤；接着使上述第二升降销上升的步骤；和在从上述检测部输出了检测信号时使第二升降销停止的步骤，
上述第一升降销和第二升降销至少在使用器具进行接触的检测操作时处于彼此电连接的状态。
本发明的另一方面是一种维护用器具，其用于本发明的的基板处理装置，上述维护用器具的特征在于，包括：
在上述多个升降销所包含的第一升降销和第二升降销分别与该器具的下表面接触时，形成电闭环并将输出信号输出的电路。
本发明的另一方面是一种基板处理装置的维护方法，其用于对基板处理装置进行维护，上述基板处理装置包括：为了将基板载置于用于对基板进行处理的处理容器内而设置的载置台；和利用由驱动部实施的升降能够相对于上述载置台的载置面突出和没入的、用于进行基板的交接的多个升降销，上述基板处理装置的维护方法的特征在于，包括：
将器具载置于上述载置台的步骤，上述器具具有在上述多个升降销所包含的第一升降销和第二升降销分别与其下表面接触时形成电闭环并将输出信号输出的电路；
使上述第一升降销与载置于上述载置台的器具的下表面接触的步骤；和
接着使上述第二升降销上升，在检测部检测到从上述器具输出的输出信号时，使第二升降销停止的步骤，
上述第一升降销和第二升降销至少在使用器具进行接触的检测操作时处于彼此电连接的状态。
本发明的另一方面是一种存储介质，其存储有用于基板处理装置的计算机程序，上述基板处理装置包括：为了将基板载置于用于对基板进行处理的处理容器内而设置的载置台；和利用由驱动部实施的升降能够相对于上述载置台的载置面突出和没入的、用于进行基板的交接的多个升降销，上述存储介质的特征在于：
上述计算机程序以实施技术方案9～12中任一项上述的基板处理装置的维护方法的方式编入有步骤组。
发明效果
本发明将器具载置于载置台，在使第一升降销与器具的下表面接触的状态下，在第二升降销与器具的下表面接触时，形成电闭环，从器具发送输出信号，通过对该输出信号进行检测而检测升降销的高度位置。因此，升降销的高度位置的检测变得容易，能够快速进行维护。并且，如果使用基板搬送机构将器具搬入处理容器内，无需开放处理容器就能够进行维护，并能够抑制装置的停机时间。
附图说明
图1是表示本发明的基板处理装置的实施方式的纵剖面图。
图2是表示本发明的基板处理装置的器具、升降销和控制系统的构成图。
图3是表示本发明所使用的器具的一个例子的内部的立体图。
图4是表示包括本发明的基板处理装置的实施方式的基板处理系统的概略俯视图。
图5是表示本发明的实施方式的升降销的高度位置的调整作业的流程图。
图6是表示本发明的实施方式的升降销的高度位置的调整作业的情况的说明图。
图7是表示本发明的实施方式的升降销的高度位置的调整作业的情况的说明图。
图8是表示本发明的实施方式的升降销的高度位置的调整作业的情况的说明图。
图9是表示本发明所使用的器具的另一例子的立体图。
图10是表示本发明所使用的器具的又一例子的纵剖面图。
图11是表示将本发明的实施方式的升降销的高度位置的检测应用于异常检测的例子的流程图。
附图标记说明
100 等离子体蚀刻装置
1 处理容器
18 透光窗
2 载置台
21 主体部
22 静电吸盘
3 喷头
4 升降销
4A 第一升降销
4B 第二升降销
5 伺服电动机
6 装置控制部
60 光检测部
7 器具
71 容器
72 电路板
73 绝缘材料
77 LED
S1 第一区域
S2 第二区域。
具体实施方式
对将本发明应用于作为真空处理装置的等离子体蚀刻装置的实施方式进行说明。等离子体蚀刻装置100作为对FPD用的矩形基板G进行蚀刻的电容耦合型的平行平板等离子体蚀刻装置而构成。作为FPD，可以例示液晶显示器(LCD)、电致发光(ElectroLuminescence；EL)显示器、等离子体显示屏(PDP)等。
等离子体蚀刻装置100具有作为由铝构成的形成为角筒形状的真空容器的处理容器1。根据需要，对处理容器1的表面进行了阳极氧化处理(氧化铝膜处理)。在处理容器1的底部，隔着绝缘体10设置有兼作下部电极并载置基板G的载置台2。载置台2具有例如由铝或不锈钢(SUS)等导电性材料构成的主体部21和设置于主体部21的上表面的静电吸盘22。在主体部21的上部周缘，遍及全周形成有阶梯部，在比该阶梯部的阶梯面更靠上方侧，以包围主体部21上的基板G的方式设置有框状的屏蔽环23。另外，在屏蔽环23的下方侧，以包围主体部21的方式设置有绝缘环24。
静电吸盘22经由开关部11与直流电源12连接，通过打开开关部11，静电吸附基板G。因此，在该例中，静电吸盘22的表面成为基板G的载置面。
等离子体生成用的高频电源13和偏压施加用的高频电源14分别经由匹配器13a和14a与载置台2的主体部21连接。在载置台2的上方，以与该载置台2相对的方式设置有构成气体供给部的喷头3。喷头3从设置于上部中央附近的气体导入口30导入的处理气体经由气体扩散室31从多个气体喷出孔32向载置台2上供给处理气体。气体供给源34经由气体供给线路33与气体导入口30连接。喷头3接地，与载置台2一起构成一对平行平板电极。
排气管15与接近于处理容器1内的4个角落的底部连接，排气管15的下游端例如被合流，并与由涡轮分子泵等真空泵构成的真空排气机构16连接。在与处理容器1的底部连接的各排气管15，虽然未图示，但设置有压力调整机构和阀。
在处理容器1的侧壁设置有对基板搬送口进行开闭的闸阀17。
在载置台2中，为了与外部的基板搬送机构之间进行基板的交接，能够相对于载置台2的载置面(静电吸盘22的上表面)突出和没入地设置有多个升降销4。这些升降销4配置在形成于载置台2和处理容器1中的贯通孔41内，利用设置于处理容器1的下方侧的作为驱动部的伺服电动机5能够各自独立升降。50是用于将贯通孔41气密地密封的波纹管。升降销4的设置数量和配置方案根据基板G的面积和厚度等决定，关于设置数量，例如可以设定为几个～几十个。在图1等中，从制图、说明的容易性方面考虑，在一个剖面中示意地表示了所配置的3个升降销4。另外，这些升降销4彼此电连接，在后述的图6～图8中，使用虚线表示这种状态。
等离子体蚀刻装置100具有控制各部位的动作并读取工艺方案的装置控制部6，根据来自该装置控制部6的指令，控制伺服电动机5的驱动。由于伺服电动机5是众所周知的，因此，对其详细的结构未图示，与上述指令相对应的指令脉冲被输入伺服放大器，利用偏差计数器进行累计，利用与该累计值(滞留脉冲)对应的直流电压使电动机旋转，对升降销4进行升降驱动。当电动机旋转时，与电动机的转速成比例的反馈脉冲通过编码器被反馈至伺服放大器，对偏差计数器的滞留脉冲进行减法计算。
对升降销4进行维护时，在该例中，调整各升降销4的高度位置时使用了器具(维护用器具)，参照图2和图3对该器具进行说明。器具7具有角型的容器71，容器71作为内部例如为大气气氛的密闭容器而构成。关于器具7的大小，为了便于说明，示意地进行了记载，但实际上，将利用闸阀17进行开闭的基板搬送口设定为器具7能够通过的大小。容器71的底面部例如由与基板G相同大小的角型的例如金属所构成的电路板72构成。容器71的侧面和上表面例如由作为透光性材料的丙烯酸板构成。
电路板72是升降销4的前端接触的部件，在设置于载置台2的升降销4中的1个接触的位置所形成的第一区域P1的周围，为了使该第一区域P1与作为其他区域的第二区域P2电绝缘而设置有绝缘材料73(用黑色填充的部位)。换言之，电路板72是在导电性板的一部分设置有绝缘材料73的部件。在该实施方式中，是包括导电性部位和绝缘材料73并称为电路板72的部件。
在器具7的容器71内，设置有作为动作电路的点灯电路74。该点灯电路74利用导电线路连接直流电源75、电阻76、作为发光部的LED77而构成，一端和另一端分别与第一区域P1和第二区域P2连接。点灯电路74的两端电连接时，形成电闭环，LED77点亮。
返回图1，在处理容器1的侧壁形成有透光窗18，在透光窗18的外侧设置有光检测部60。光检测部60用于对载置于载置台2的器具7的LED77的发光进行检测，以能够接受来自LED77的光的方式设定光检测部60和透光窗18的位置。作为光检测部，可以兼作对蚀刻的终点进行检测的检测器、或PEMS(Plasma Emission Monitoring System：等离子体排放监测系统)等。
装置控制部6由计算机构成，具有存储工艺方案的存储部61、存储用于进行作为升降销4的维护的升降销4的高度位置的调整的调整程序的存储部62、和包括作业区域等的存储器63等。64为CPU，65为总线。工艺方案是存储用于在等离子体蚀刻装置100内进行工艺的顺序的软件。调整程序以实施用于进行升降销4的高度位置的调整的后述的动作的方式，组成包括判断有无来自光检测部60的检测信号和向伺服电动机5输出控制信号等的步骤组。例如，从后述的系统控制部300向装置控制部6输入决定是进行工艺还是进行升降销的调整的模式信号，在输入工艺模式信号时，进行工艺方案的读取，在输入调整模式信号时，实施调整程序。
调整程序213利用硬盘、微型光盘、光磁盘、存储卡、USB存储器等的存储介质，例如通过后述的系统控制部200被安装在装置控制部6内。
以上所述的等离子体蚀刻装置100被组装在例如图4所示的基板处理系统中。若对基板处理系统进行简单说明，则在收纳有多块基板G的搬送容器201向搬入搬出口202搬入时，利用大气搬送室203内的基板搬送机构204取出搬送容器201内的基板G。然后，基板G从基板搬送机构204通过负载锁定室205向真空搬送室206内的基板搬送机构207交接。等离子体蚀刻装置100和该例中的2个真空处理装置208、209与真空搬送室206连接。真空处理装置208、209构成为例如一个作为在蚀刻后进行加工处理的装置，另一个作为在加工处理后进行成膜处理的装置，进行连续处理。在图4中，G1～G4为闸阀。其中，关于基板处理系统，真空搬送室206对等离子体蚀刻装置100是专用的，也可以是不具有真空处理装置208、209的构成。图4中以符号300表示的部位为系统控制部，进行基板搬送机构204和206等的搬送控制、和对各真空处理装置100、208、209的指令信号的输出等。
接着，就上述的等离子体蚀刻装置100而言，关于多个升降销4的各自，对高度的位置调整所涉及的维护作业进行说明。如上所述，器具7的底面是与基板G相同的大小，例如在图4所示的基板的搬送容器201内收纳器具7，将该搬送容器201载置于搬入搬出口202。然后，与基板G同样将器具7按照基板搬送机构204→负载锁定室205→基板搬送机构207→等离子体蚀刻装置100的路径进行搬送，通过基板搬送机构207和升降销4的协作载置于载置台2上。其中，将等离子体蚀刻装置100的处理容器1内维持为真空气氛。
图5是表示维护作业的一系列的动作的流程图，如上所述地实施步骤S1。另外，图6表示器具7被载置于载置台2上的状态。在这种状态下，升降销4中的1个位于器具7的电路板72的区域P1的下方，在以下的说明中，将该升降销称为第一升降销，将其他的升降销称为第二升降销。并且，对第一升降销标注符号4A，对第二升降销原样标注符号4，对作为动作的对象的升降销标注符号4B。
首先，使第一升降销4A上升，如图7所示，与电路板72的区域P1接触(步骤S2)。关于此时的接触的判断，例如可以按照以下的方式进行。向伺服电动机5施加的负载大时，由于滞留脉冲的计数值增大，装置控制部6监测驱动第一升降销4A的伺服电动机5的滞留脉冲的计数值，在计数值的变动值超过一定值时，判断为已接触。另外，也可以通过检测伺服电动机5的转矩值的变化，对接触进行判断。进一步而言，由于第一升降销4A的定位在后述的步骤S11进行，所以例如也可以预先求出从起始位置至与电路板72的区域P1接触的位置的大致距离，使其仅上升该距离。
接着，对于第二升降销4中的1个升降销4B，利用伺服电动机5以速度V1、例如1分钟几mm的速度使其上升(步骤S3)。如图8所示，该升降销4B与器具7的电路板72接触时，如上所述，由于第一升降销4A和第二升降销4B电连接，因此形成直流电源75→电阻76→LED77→电路板72的第一区域P1→第一升降销4A→第二升降销4B→电路板72的第二区域P2→直流电源75的电闭环。因此，LED77点亮(发光)，即输出相当于输出信号的光信号，利用处理容器1的外部的光检测部60检测该光信号。然后，从光检测部60向装置控制部6输出检测信号时，装置控制部6向驱动第二升降销4B的伺服电动机5输出停止指令，第二升降销4B停止(步骤S4)。
然后，利用装置控制部6通过脉冲驱动仅以几十～几百脉冲驱动伺服电动机5，使第二升降销4B下降直至LED77熄灭(步骤S5)。接着，利用装置控制部6通过脉冲驱动驱动伺服电动机5，使第二升降销4B上升数个脉冲(步骤S6)。如上所述，第二升降销4B与电路板72的区域P2接触时，LED77点亮，从光检测部60向装置控制部6输出检测信号，从装置控制部6向伺服电动机5不输出进一步的驱动脉冲指令，因此，第二升降销4B停止(步骤S7)。
在该步骤S7中，第二升降销4B停止时的第二升降销的前端相当于载置台2的载置面的高度位置。之后，根据来自装置控制部6的指令驱动伺服电动机5，将第二升降销4B设定在距停止位置仅低预先设定的距离、即距载置台2的载置面只低预先设定的距离的位置，例如例如设定在低50μm左右的位置。该位置是进行工艺时的第二升降销4B的待机位置。
在装置控制部6中，第二升降销4B的高度位置相当于利用编码器的脉冲的计数值(使第二升降销4B位于规定位置例如最下限位置时的计数值为零时的计数值)管理的一维座标系的座标位置。因此，第二升降销4B的设定位置(待机位置)例如被存储于存储器63中作为该座标系的座标位置(步骤S8)。
这样，在对第二升降销4的1个进行高度位置的调整后，对其他的第二升降销4也进行相同的调整作业(步骤S9→步骤S3)。然后，对于全部的第二升降销4，结束调整作业时，在步骤S9中变成“否”，使第一升降销4A离开器具，并且使第二升降销4中的1个与器具7的电路板72(第二区域P2)接触(步骤S10)。之后，对第一升降销4A实施与对上述的第二升降销4B进行的作业相同的作业(相当于步骤S3～S8的作业)(步骤S11)。以上的作业结束后，器具7利用升降销4从载置台2上升起，与图4所示的基板搬送机构207交接，在搬入时，通过相反的动作向搬入搬出口202搬出。
在维护作业结束后，对基板G进行等离子体蚀刻处理。若对该处理进行简单描述，则在基板G被静电吸附于载置台2的静电吸盘22的状态下，从喷头供给处理气体后，利用高频电源13的高频电力使处理气体等离子体化。然后，利用高频电源14向载置台2施加偏压电压，利用等离子体对基板G进行蚀刻。蚀刻进行期间，将各升降销4设定在如上所述进行调整后的位置(距载置面例如50μm左右下方侧的位置)。
在上述实施方式中，将器具7从搬入搬出口202向基板处理系统内搬入，载置于等离子体蚀刻装置1的载置台2。然后，在使第一升降销4A与器具7的下表面接触的状态下，第二升降销4B与器具的下表面接触时，器具7的LED77点亮(发光)，通过检测该发光，检测升降销4的高度位置，根据该检测调整升降销4的高度位置。从而，能够容易地进行升降销4的高度位置的调整作业，并且无需开放处理容器1就能够进行维护，因此，能够抑制装置的停机时间。实际上，还能够在使处理容器内1成为与对基板G进行处理时相同的状态下，对升降销4的高度位置进行调整。即，可以使处理容器1内成为真空气氛不变，例如以与基板G的处理时相同的压力或者与其接近的压力、进而以使载置台2的温度成为与基板的处理时相同的温度或者与其接近的温度对升降销4的高度位置进行调整。因此，能够以高的精度设定对基板进行处理时的升降销的位置。
在上述实施方式中，使第二升降销4B快速上升并与器具7接触后，暂时下降，之后使其缓慢上升并再次与器具7接触，将该接触位置识别为载置面，并设定为距该载置面仅低规定距离的位置。在使第二升降销4B快速上升时，与器具7接触后，有引起过调节的危险，因此，上述实施方式的方法(将第二升降销4B与器具7的接触进行2次的方法)具有能够高精度地检测载置面并能够快速进行作业整体的优点。但是，例如也可以利用使第二升降销4B最初以慢的速度上升等方法，仅进行1次第二升降销4B与器具7的接触。
另外，在上述实施方式中，将在比载置面更靠下方侧仅低规定距离的位置作为升降销4的工艺位置(待机位置)，但也可以将载置面的位置作为工艺位置，此时，升降销4与器具7接触的位置成为工艺位置。
在此，根据本发明的发明人的见解掌握到，在工艺以高温、例如200℃以上进行时，优选预先将升降销4的位置的调整作业时的载置台2的温度设定为工艺温度。优选理由是，就升降销4的位置(高度位置)而言，能够抑制调整时与工艺时之间的变动。例如，由于载置台2和升降销4的材料彼此不同，因此两者的热膨胀率不同，即使在常温下对升降销4的高度进行调整，加热至工艺温度时，载置面与升降销4的相对高度也会产生误差。因此，调整作业时的载置台2的温度优选利用例如设置于载置台2的温调机构等，预先设定为相对于工艺温度例如±50℃的范围内，更优选设定为±5℃以内。但也可以在常温的状态下对载置台2进行调整作业。
图9表示器具7的另一例子的底面部。该器具7的底部利用由绝缘材料形成的绝缘板700构成，与第一升降销4对应的区域P10由导电性部件构成。另外，关于与第二升降销4(第一升降销4以外的全部的升降销4)对应的区域P20，也由导电性部件构成，各区域P20利用例如形成于绝缘板700的表面的电路701电连接。并且，点灯电路74的两端与设置于电路701的端子部702和区域P10分别连接。其中，在图9中，省略了器具7的侧面部、上表面部。
即使是这样的器具7，在使第一升降销4与器具7接触的状态下，使第二升降销4与器具7接触时，LED77点亮，也可以获得相同的效果。
另外，图10表示器具的又一例子。在该器具7的底面部的下表面的与各升降销4对应的位置，以插入贯通孔41内的方式设置有突出部703。例如，将突出部703的突出量d设定为与应该调整升降销4的位置和载置面的距离对应的尺寸、例如50μm。在这种情况下，使升降销4上升并与器具7接触的位置(例如上述实施方式那样接触2次)成为设定位置。
关于器具7，在上述例子中，使容器71内的气氛成为大气气氛，但也可以成为真空气氛。
另外，升降销4与器具7接触时，从器具输出的输出信号也可以是声波信号例如超声波信号，在这种情况下，使用超声波元件代替LED77，并且例如在处理容器1的外部设置超声波检测器，利用该检测信号对伺服电动机5进行控制。
另外，上述输出信号还可以是电波信号，在这种情况下，使用振荡电路代替点灯电路，从与振荡电路连接的天线输出规定频率的频率信号。利用检测部检测该频率信号，对伺服电动机5进行控制。
其中，上述输出信号也包括例如LED从点亮状态变为熄灭状态、或者点亮的照度发生变化等状态变化信号的情况。
另外，器具7例如也可以是将2个升降销作为1组并在各组中均设置点灯电路等的构成，即使是这种情况，也可以获得相同的效果。
在本发明中，并不限于使用器具对升降销7的位置进行调整，也可以对升降销4的消耗和损伤等的异常进行检测。参照图11对该方法进行说明。步骤K1、K2相当于上述的步骤S1、S2，首先使第一升降销4A与器具7接触。然后，将作为第二升降销4中的1个的第二升降销4B设定在最下方位置(步骤K3)，使其从该处上升直至LED77点亮(步骤K4)。装置控制部6计数从最下方位置至光检测部60接受检测信号之间的伺服电动机5的编码器的脉冲数，判断该计数值是否超过阈值、即第二升降销4B的移动量是否超过阈值(步骤K5)。若移动量超过阈值，则对该第二升降销4B判断为异常(步骤K6)，若未超过阈值，则对其他的第二升降销4进行相同的作业(步骤K7的YES的环线)。
然后，对于全部的第二升降销4，结束检査时，接着将第一升降销4A设定在最下方位置，使第二升降销4中的1个与器具7接触(步骤K8)。之后，进行与对第二升降销4进行的作业相同的作业，针对第一升降销4A判断是否异常(步骤K9～K11)。在对升降销4判断为异常时，在装置控制部6中存储成为异常的升降销4，在未图示的显示部显示该升降销4(例如升降销的序号或者位置)。之后，该升降销4被交换。
另外，该异常检测将使升降销4从与器具7接触的位置下降至规定位置例如最下方位置时的下降量作为移动量，并与阈值进行比较，可以获得相同的效果。
以上，本发明并不限定于上述的实施方式，能够进行各种变形。
在上述的实施方式中，作为使升降销4升降的驱动部，利用了伺服电动机，但不限于此，例如也可以使用步进电动机。例如在上述的步骤S3(参照图5)中，在利用伺服电动机的情况下，例如进行控制，使其以1分钟几mm的速度上升，但在利用步进电动机的情况下，例如可以重复以只对应于几mm的上升量的脉冲部分驱动步进电动机的动作直至确认LED77点亮。
另外，例如在上述实施方式中，对将本发明应用于平行平板型等离子体蚀刻装置中的例子进行了说明，但不限于此，也可以使用电感耦合型等的其他的等离子体生成方法。另外，本发明的基板处理装置并不限于等离子体蚀刻，还能够适用于进行等离子体灰化、等离子体CVD等的其他的等离子体处理的等离子体处理装置。进一步而言，本发明的基板处理装置并不限于等离子体处理装置，还能够适用于将基板载置于载置台来进行处理的所有基板处理装置。在上述的实施方式中，对在载置台上设置静电吸盘22的装置进行了说明，但根据对基板的处理内容，也可以省略静电吸盘22。
另外，在上述的实施方式中，对适用于FPD用的玻璃基板的例子进行了说明，但本发明并不限于此，还能够适用于半导体基板等其他的基板。

Claims (13)

1.一种基板处理装置，其用于将基板载置于处理容器内的载置台并对该基板进行处理，所述基板处理装置的特征在于，包括：
能够相对于所述载置台的载置面突出和没入的、用于进行基板的交接的多个升降销；
用于使所述升降销升降的驱动部；
在检测出从载置于所述载置台的器具输出的输出信号时输出检测信号的检测部；和
根据所述检测信号对所述驱动部进行控制的控制部，
所述器具具有在所述多个升降销所包含的第一升降销和第二升降销分别与该器具的下表面接触时形成电闭环并将输出信号输出的电路，
所述控制部构成为实施：使所述第一升降销与载置于所述载置台上的器具的下表面接触的步骤；接着使所述第二升降销上升的步骤；和在从所述检测部输出了检测信号时使第二升降销停止的步骤，
所述第一升降销和第二升降销至少在使用器具进行接触的检测操作时处于彼此电连接的状态。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
所述控制部在使所述第二升降销停止的步骤之后，实施使该第二升降销下降预先设定的设定量并将下降了时的高度位置存储于存储部的步骤。
3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
所述控制部在使所述第二升降销停止的步骤之后，实施：使该第二升降销下降而成为所述器具停止输出信号的状态的步骤；接着以比之前进行的第二升降销上升时的速度慢的速度使该第二升降销上升直至从所述检测部输出检测信号的步骤；和接着使该第二升降销下降预先设定的设定量并将下降了时的高度位置存储于存储部的步骤。
4.如权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：
所述控制部在使所述第一升降销与器具的下表面接触的步骤之后，对第一升降销以外的相当于第二升降销的多个升降销分别实施用于依次进行权利要求1～3中任一项所述的操作的步骤组。
5.如权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：
所述控制部在使所述第二升降销与器具的下表面接触的状态下，对所述第一升降销实施与使用所述第二升降销进行的步骤相同的步骤。
6.如权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：
从所述器具输出的输出信号为光信号、声波信号和电波信号中的任意种。
7.如权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，包括：
异常判断部，其在使第一升降销和第二升降销中的一个与器具接触的状态下，测定另一升降销从预先设定的位置至与器具接触的位置之间的移动距离，当所测得的移动距离超过阈值时，判断该另一个升降销为异常。
8.一种维护用器具，其用于权利要求1～7中任一项所述的基板处理装置，所述维护用器具的特征在于，包括：
在所述多个升降销所包含的第一升降销和第二升降销分别与该器具的下表面接触时，形成电闭环并将输出信号输出的电路。
9.一种基板处理装置的维护方法，其用于对基板处理装置进行维护，所述基板处理装置包括：为了将基板载置于用于对基板进行处理的处理容器内而设置的载置台；和利用由驱动部实施的升降能够相对于所述载置台的载置面突出和没入的、用于进行基板的交接的多个升降销，所述基板处理装置的维护方法的特征在于，包括：
将器具载置于所述载置台的步骤，所述器具具有在所述多个升降销所包含的第一升降销和第二升降销分别与其下表面接触时形成电闭环并将输出信号输出的电路；
使所述第一升降销与载置于所述载置台的器具的下表面接触的步骤；和
接着使所述第二升降销上升，在检测部检测到从所述器具输出的输出信号时，使第二升降销停止的步骤，
所述第一升降销和第二升降销至少在使用器具进行接触的检测操作时处于彼此电连接的状态。
10.如权利要求9所述的基板处理装置的维护方法，其特征在于：
在使所述第二升降销停止的步骤之后，进行使该第二升降销下降预先设定的设定量并将下降了时的高度位置存储于存储部的步骤。
11.如权利要求9所述的基板处理装置的维护方法，其特征在于：
在使所述第二升降销停止的步骤之后，进行：使该第二升降销下降而成为所述器具停止输出信号的状态的步骤；接着以比之前进行的第二升降销上升时的速度慢的速度使该第二升降销上升直至从所述检测部输出检测信号的步骤；和接着使该第二升降销下降预先设定的设定量并将下降了时的高度位置存储于存储部的步骤。
12.如权利要求9～11中任一项所述的基板处理装置的维护方法，其特征在于：
将所述器具载置于所述载置台的步骤通过用于搬送基板的搬送机构和所述升降销的协作来进行。
13.一种存储介质，其存储有用于基板处理装置的计算机程序，所述基板处理装置包括：为了将基板载置于用于对基板进行处理的处理容器内而设置的载置台；和利用由驱动部实施的升降能够相对于所述载置台的载置面突出和没入的、用于进行基板的交接的多个升降销，所述存储介质的特征在于：
所述计算机程序以实施权利要求9～12中任一项所述的基板处理装置的维护方法的方式编入有步骤组。
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